JP4444110B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、反射型又は反射−透過型液晶表示装置、及びその製造方法に関し、より詳細には、入射光の入射方向と間隔なく、特定な一方向ではなく、多様な方向に反射率を向上させることができる反射型又は反射−透過型液晶表示装置、及びその製造方法に関する。

現在開発されている多様な平板ディスプレイ装置のうち、液晶表示装置は他のディスプレイ装置と比較して、薄くて軽くて、低い消費電力及び低い駆動電圧を有するのみならず、陰極線管に近い画像表示が可能なので、多様な電子装置に広範囲に用いられている。

このような液晶表示装置は、バックライトのような内蔵光源を用いて画像を表示する透過型液晶表示装置と、自然光のような外部入射光を用いる反射型液晶表示装置とに区分することができる。

反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置と比較して、消費電力が低いと同時に、屋外で画像表示品質が優れるという長所がある。又、反射型液晶表示装置は、バックライトのような別の光源を必要としないため、薄くて軽い装置を具現することができるという長所もある。

反射型液晶表示装置は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）のように、高反射物質からなる反射電極が外部入射光を反射して、画像を表示する。
現在反射型及び反射−透過型液晶表示装置において、その明るさを向上させる技術は、反射電極の反射効率を高めるための技術と超開口率技術を組み合わせる方向に進行している。

反射型及び反射−透過型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板上の反射板に凹凸を形成せず、平らに用いる場合、反射板に入射した外部光は、入射光の位置によって特定方向でのみ液晶表示パネルの輝度が高くなる。その結果、反射効率が低下するという問題点がある。

これに対して、反射電極に微細な凹凸を形成して反射効率を向上させる技術が、特許文献１に開示されている。
図１Ａは、従来の液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板上に対称的な傾斜面を有する凹凸部を含む反射電極を形成するためのフォトマスクパターンの概略的な平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＡ１−Ａ１’に沿って切断した断面図である。

図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、従来のＴＦＴ液晶表示装置の反射電極には前記フォトマスクパターンのうち、凸部形成領域１０によって凸部が形成され、凹部形成領域１２によっては凹部が形成される。

反射電極の凹部は、凸部と比較して相対的に低い高さを有する凹形状に形成され、凹部の幅は一定に形成される。凸部は、凹部と比較して相対的に高い高さを有する凸形状に形成して、マイクロレンズとして機能する。

図１Ａの従来のＴＦＴ液晶表示装置では、反射効率を向上させるために、図１Ａのフォトマスクパターンを用いてＴＦＴ基板上の有機絶縁膜表面に凹凸部を形成した後、その上に反射膜を塗布して凹凸部を有する反射電極を形成する。

前述したように、従来の液晶表示装置の反射電極構造によると、マイクロレンズが等方的形態の多角形構造で形成されるため、３６０°方位角に対して等方的な反射率特性を有する。その結果、反射率を向上させて液晶表示パネルの画質を改善し、全方向で高い輝度を有する構成とすることができる。

中小型携帯電話又はＰＤＡのようにユーザが手で握って用いる電子ディスプレイ装置では、光が非等方的に入射する。その結果、ユーザの体（即ち、６時方向）から入射する光は、体によって遮られて光の強度が非常に弱い反面、１２時方向から入射する光の強度は非常に強い。このような電子ディスプレイ装置では、等方的な反射率特性を有する反射電極を適用する場合、反射効率を最適化することができない問題点がある。

これにより、特許文献２には、特定方向の反射率を向上させるために、非対称断面の多数の曲線部を有する反射電極が開示されている。
米国特許第５，６１０，７４１号 米国特許公報第６，０９７，４５８号 図２Ａは、従来の液晶表示装置において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板上に一方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を含む反射電極をスリット露光によって形成するためのフォトマスクパターンの概略的な平面図であり、図２Ｂは、図２ＡのＡ２−Ａ２’に沿って切断した断面図である。例えば、図２Ａは、特に強い強度の光が入射する１２時方向の反射率を向上させるためのフォトマスクパターンの一部を示す。

図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、反射電極にはフォトマスクパターンのうち、凸部形成領域２０によって凸部が形成され、凹部形成領域２２によっては凹部が形成される。又、反射率を向上させたい方にスリットパターン２４を形成し、スリットパターンを通過する光の回折現象を用いて、スリット露光を通じて凸部の一部分に露光量を調節することにより、凹凸部のプロファイルが非対称になるようにする。

従来の図２Ａのように、一方向でのみスリット露光処理した反射電極を用いる場合には、スリット露光処理された方向では反射率が増加するが、それ以外の方向では反射率は向上しないという問題点があった。特に、需要者の要求に合うように多様な角度で反射率及び視野角特性を改善することが困難であるという問題点があった。

従って、本発明の目的は、入射光の入射方向と関係なく、多様な方向に反射率を向上することができる反射型又は反射−透過型液晶表示装置を提供することにある。
又、本発明の他の目的は、入射光の入射方向と関係なく、多様な方向に反射率を向上することができる反射型又は反射−透過型液晶表示装置の製造方法を提供することにある。

前述した本発明の一側面によると、本発明は、第１基板、前記第１基板上に形成され、第１方向に非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部及び第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜、前記第１凹凸部及び第２凹凸部に対応する第３凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された反射電極、前記第１基板に対向する第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介在された液晶層を含む液晶表示装置を提供する。
又、本発明の他の側面によると、本発明は、スイッチング素子が形成されている第１基板、第１基板上に形成され、第１方向に非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部及び第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜、前記第１凹凸部及び第２凹凸部に対応する第３凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された透過電極、前記第３凹凸部に相応する第４凹凸部が反復的に配列される第３凹凸部パターンを有するように前記透過電極上の一部領域に形成され、前記一部領域には前記スイッチング素子と電気的に接続されるコンタクトホールを有する反射電極、前記第１基板に対向する第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層を含む液晶表示装置を提供する。
又、本発明の更に他の側面によると、本発明は、マトリックス形態で配列された複数の画素が形成された第１基板、前記第１基板と対向して、前記それぞれの画素に対応するように赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターが反復的に配列された第２基板、前記第１基板と第２基板との間に介在する液晶層、前記第１基板上に形成され、前記赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターのそれぞれに対向するように、複数の方向に非対称的に傾斜する複数の傾斜面を有する第１凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜、及び前記第１凹凸部に対応する第２凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された反射電極を含む液晶表示装置を提供する。

又、本発明の更に他の側面によると、本発明は、マトリックス形態で配列された複数の画素が形成された第１基板、前記第１基板と対向して、前記それぞれの画素に対応するように赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターが反復的に配列された第２基板、前記第１基板と第２基板との間に介在する液晶層、前記第１基板上に形成され、前記赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターのそれぞれに対向するように、複数の方向に非対称的に傾斜する複数の傾斜面を有する第１凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜、前記第１凹凸部に相応する第２凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された透過電極、及び前記第２凹凸部に対応する第３凹凸部が反復的に配列される第３凹凸部パターンを有するように前記透過電極上の一部領域に形成され、前記スイッチング素子と電気的に接続されるコンタクトホールを有する反射電極を含む液晶表示装置を提供する。
又、本発明の更に他の側面によると、本発明は、基板上にスイッチング素子を形成する段階、第１方向に非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部、及び第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンを有する絶縁膜を前記スイッチング素子が形成された基板上に形成する段階、及び前記第１凹凸部及び第２凹凸部に対応する第３凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有する反射電極を前記絶縁膜上に形成する段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
又、本発明の更に他の側面によると、本発明は、基板上にスイッチング素子を形成する段階、第１方向に非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部、及び第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンを有する絶縁膜を前記スイッチング素子が形成された基板上に形成する段階、前記絶縁膜凹凸部に対応する第３凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有する透過電極を前記絶縁膜上に形成する段階、及び前記第３凹凸部に対応する第４凹凸部が反復的に配列される第３凹凸部パターンを有するように前記スイッチング素子と電気的に接続されるコンタクトホールを有する反射電極を前記透過電極上の一部領域に形成する段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
又、本発明の更に他の側面によると、本発明は、第１基板、前記第１基板上に形成され、断面が多角形形状を有して第１傾斜面を有する第１凹凸部及び断面が多角形形状を有して第１傾斜面に対して非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜、前記第１凹凸部及び第２凹凸部に対応する第３凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された反射電極、前記第１基板に対向する第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層を含む液晶表示装置を提供する。
又、本発明の更に他の側面によると、本発明は、スイッチング素子が形成されている第１基板、第１基板上に形成され、断面が多角形形状を有して第１傾斜面を有する第１凹凸部及び断面が多角形形状を有して第１傾斜面に対して非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜、前記第１凹凸部及び第２凹凸部に相応する第３凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された透過電極、前記第３凹凸部に対応する第４凹凸部が反復的に配列される第３凹凸部パターンを有するように前記透過電極上の一部領域に形成され、前記一部領域には前記スイッチング素子と電気的に接続されるコンタクトホールを有する反射電極、前記第１基板に対向する第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層を含む液晶表示装置を提供する。

本発明によると、反射型又は反射−透過型液晶表示装置において、多様な方向に非対称的に傾斜する断面を有する複数の凹凸部が反復的なパターンに形成された反射電極を提供することにより、入射光の入射方向と関係なく、上下左右全方向に視野角を確保して反射率を高めることができる。

前述したように本発明によると、反射型又は反射−透過型液晶表示装置において、従来一方向にのみ非対称的に傾斜する断面を有する複数の凹凸部が形成された反射電極を改善して、１２時方向外、９時、６時、及び３時方向等の多様な方向に非対称的に傾斜する断面を有する複数の凹凸部が反復的なパターンに形成された反射電極を提供する。

従って、入射光の入射方向と関係なく、上下左右全方向に反射型又は反射−透過型液晶表示パネルの視野角を確保して、反射率及び輝度を高めることができる。
又、１２時、９時、６時、及び３時方向の４方向の凹凸部のパターン配置を多様に変更することにより、ユーザの要求に合うように反射率及び視野角特性を改善することができる。

又、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち、１つの色で画面が表示される場合にも、特定方向にのみ反射率が高くならないようにして、全方向に均一に反射率が向上するように構成できる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
図３は、本発明の好ましい一実施例による液晶表示装置の１つの画素に対して、多様な方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を含む反射電極をスリット露光によって形成するためのフォトマスクパターンの概略的な平面図である。

図３を参照すると、反射型又は反射−透過型液晶表示装置において、フォトマスクパターンを用いて赤色（Ｒ）ドット、緑色（Ｇ）ドット、及び青色（Ｂ）ドットからなる１つの画素を複数個の領域に区分した後、それぞれの領域に相応する位置に多様な方向に非対称的に傾斜する断面を有するように、スリット露光処理された凹凸部を含む反射電極を形成する。赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）ドットのそれぞれは、例えば、横縦の比が１：３であり、７×２１個の領域で構成される。又、例えば、赤色（Ｒ）ドット、緑色（Ｇ）ドット、及び青色（Ｂ）ドットの３個のドットが１つの画素を構成する。前述のような凹凸部を有するドットが基本単位３１０になって反復配置されることにより、反射型又は反射−透過型液晶表示パネルを構成することができる。

それぞれの領域は、例えば、１２時方向、９時方向、６時方向、及び３時方向にスリット露光処理された凹凸部を有する。横線ハッチング部分は第１領域３０１を示している。この第１領域３０１には３時方向にスリット露光処理された凹凸部が形成されている。斜線ハッチング部分は第２領域３０３を示している。この第２領域３０３には６時方向にスリット露光処理された凹凸部が形成されている。斜めクロスハッチング部分は第３領域３０５を示している。この第３領域３０５には９時方向にスリット露光処理された凹凸部が形成されている。無ハッチング部分は第４領域３０７を示している。この第４領域３０７には１２時方向にスリット露光処理された凹凸部が形成される。

図３に示すように、各ドットごとに例えば、３時と９時方向に凹凸部が形成される領域がそれぞれ１４．３％（又は、２１／１４７）、６時方向に凹凸部が形成される領域が２８．３６％（又は、４２／１４７）、１２時方向に凹凸部が形成だれる領域が４２．８％を占めている。その結果、全体的には１２時方向の反射率を極大化させ、従来の特定の一方向に対する反射率を向上させる場合と異なり、４方向に対する反射率を向上させる。

前述では、１２時方向の反射率を極大化させる例を説明したが、必要によって９時、３時、又は６時方向の反射率を極大化させるように領域を配置することができるのは自明である。

図４Ａは、図３の３１５部分を拡大した概略的な部分拡大図であり、図５は、図３のＡ３−Ａ３’に沿って切断した断面図であり、図６は、図３のＡ４−Ａ４’に沿って切断した断面図であり、図７は、図３のＡ５−Ａ５’に沿って切断した断面図であり、図８は、図３のＡ６−Ａ６’に沿って切断した断面図である。

図４Ａ及び図５を参照すると、図３のフォトマスクパターン上の第３領域３０５には、９時方向にスリット露光処理して９時方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を反射電極に形成するための第３スリットパターン３０５ａが形成される。図４ＡのＢ２部分を拡大して９時方向に傾斜する非対称凹凸部を示すのが図５である。

図４Ａ及び図６を参照すると、図３のフォトマスクパターン上の第１領域３０１には、３時方向にスリット露光処理して３時方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部をＴＦＴ基板の反射電極に形成するための第１スリットパターン３０１ａが形成される。図４ＡのＢ３部分を拡大して３時方向に傾斜する非対称凹凸部を示すものが図６である。

図４Ａ及び図７を参照すると、図３のフォトマスクパターン上の第４領域３０７には、１２時方向にスリット露光処理して１２時方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を反射電極に形成するための第４スリットパターン３０７ａが形成される。図４ＡのＢ４部分を拡大して、１２時方向に傾斜する非対称凹凸部を示すものが図７である。

図４Ａ及び図８を参照すると、図３のフォトマスクパターン上の第２領域３０３には、６時方向にスリット露光処理して６時方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を反射電極に形成するための第２スリットパターン３０３ａが形成される。図４ＡのＢ５部分を拡大して、６時方向に傾斜する非対称凹凸部を示すものが図８である。

フォトマスクパターン上の凹部形成領域４２を用いてＴＦＴ基板の反射電極に凹部が形成される。
前述のように１２時方向外に、９時、６時、及び３時方向にも凹凸部を形成することにより、上下左右全方向に反射型又は反射−透過型液晶表示パネルの反射率を高めることができる。

前述では特定方向の反射率を高めるために、１２時、９時、６時、及び３時方向を例として説明したが、これに限定されるものではなく、１時、２時、４時、５時、７時、８時、１０時、１１時方向に反射率を高めるための凹凸部を形成することもできる。又、１２時、９時、６時、及び３時方向の４方向の凹凸部を組み合わせて、その個数及び配置を変更することにより、ユーザの要求に合うように反射率及び視野角特性を改善することができる。

第１領域３０１、第２領域３０３、第３領域３０５、及び第４領域３０７上には、１個のスリットパターンが形成されることもできるが、図４Ｂに示すように、前記非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を形成するために、２個のスリットパターンが形成されることもできる。前記スリットパターン３０５ａの幅とスリットパターン３０５ｂの幅は、同じであるか、或いは同じではない。

凹凸部は、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、多角形構造にすることができるが、これに限定されるものでははく、図４Ｃ〜図４Ｅに示すように、円形（又は、楕円形）又は円形（又は、楕円形）に近い形態で構成された構造を有することもできる。

図４Ｃ〜図４Ｅを参照すると、図４Ｅに示すように、同じサイズの円形（又は、楕円形）又は円形（又は、楕円形）に近い形態で構成された凹凸部を形成することもできるが、図４Ｃ及び図４Ｄに示すように、互いに異なるサイズの円形（又は、楕円形）又は円形（又は、楕円形）に近い形態で構成された凹凸部を形成することもできるのは自明である。

スリットパターン３０１ａ、３０３ａ、３０５ａ、３０７ａの幅は、フォトマスクパターン上の凹部形成領域４２の幅より薄いことが好ましい。
第１領域３０１上の第３領域３０５には、９時方向にスリット露光処理して９時方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を反射電極に形成するための第３スリットパターン３０５ａが形成される。図４ＡのＢ２部分を拡大して、９時方向に傾斜する非対称凹凸部を示すものが図５である。

図９は、本発明の好ましい他の実施例による液晶表示装置の複数個の画素に対して、多様な方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を含む反射電極をスリット露光によって形成するためのフォトマスクパターンの概略的な平面図である。

図９を参照すると、反射型又は反射−透過型液晶表示装置において、フォトマスクパターンを用いて３個のピクセルを基本単位９１０として反復配置される画素部を形成する。Ｎ−１行で赤色（Ｒ）ドットは、主に９時及び１２時方向で反射率を向上させるための凹凸部を形成し、緑色（Ｇ）ドットは、主に６時及び１２時方向で反射率を向上させるための凹凸部を形成し、青色（Ｂ）ドットは、主に３時及び１２時方向で反射率を向上させるための凹凸部を形成する。

１つのドットで全方向に反射率を向上させるための凹凸部を形成する図３と異なり、隣接する赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）３個のドットを合わせて全方向での反射率を向上することができるようにする。

但し、Ｎ−１行のような画素配列を用いて全体ディスプレイ領域を構成すると、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち、１個の色で画面が表示される場合、特定方向へのみ反射率が高くなるという問題点が発生する。例えば、赤色（Ｒ）のみで画面がディスプレイされると、９時及び１２時方向にのみ反射率が高くなり、緑色（Ｇ）のみで画面がディスプレイされると、６時及び１２時方向にのみ反射率が高くなり、青色（Ｂ）のみで画面がディスプレイされると、３時及び１２時方向にのみ反射率が高くなる。

従って、このような問題点を解決するために、Ｎ行とＮ＋１行の画素配列を追加する。例えば、Ｎ行ではＮ−１行のドットを一方向で１つのドットずつ移動して、赤色（Ｒ）ドットは主に６時及び１２時方向で反射率が向上するようにし、緑色（Ｇ）ドットは主に３時及び１２時方向で反射率が向上するようにし、青色（Ｂ）ドットは主に９時及び１２時方向で反射率が向上するようにする。又、Ｎ＋１行ではＮ行のドットを一方向で１つのドットずつ移動して、赤色（Ｒ）ドットは主に３時及び１２時方向で反射率が向上するようにし、緑色（Ｇ）ドットは主に９時及び１２時方向で反射率が向上するようにし、青色（Ｂ）ドットは主に６時及び１２時方向で反射率が向上するようにする。

このようにすることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち、１つの色で画面が表示される場合にも、特定方向へのみ反射率が高くならないようにすることができる。例えば、赤色（Ｒ）のみで画面がディスプレイされる場合にも、Ｎ−１行によって９時及び１２時方向で反射率が高くなり、Ｎ行によって６時及び１２時方向で反射率が高くなり、Ｎ＋１行によって３時及び１２時方向で反射率が高くなる。その結果、赤色（Ｒ）のみで画面がディスプレイされる場合にも、１２時、９時、３時、及び６時を含む全方向で反射率が向上するように構成できる。同様な理由で、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のみで画面がディスプレイされる場合にも、全方向で均一に反射率が向上するようにできる。

図１０は、反射型液晶表示装置において、図４Ａのパターンを有する反射電極を含む液晶表示パネルの１つの画素の概略的な断面図である。
図１０を参照すると、本発明による反射型液晶表示パネルは、画素が形成されている薄膜トランジスタ基板である第１基板１３０、第１基板１３０に対向して配置された第２基板１４０、第１基板１３０と第２基板１４０との間に形成された液晶層１３５、そして第１基板１３０と液晶層１３５との間に形成された画素電極である反射電極１２０を含む。

第１基板１３０は、ガラスやセラミック等のような非伝導性物質からなる第１絶縁基板１００と第１絶縁基板１００上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１５を含む。薄膜トランジスタ１１５は、ゲート電極１０２、ゲート絶縁膜１０４、アクティブパターン１０６、オームコンタクトパターン１０８、ソース電極１１０、及びドレイン電極１１２を含む。

ゲート電極１０２は、第１絶縁基板１００上で第１方向に延長されるゲートライン（図示せず）から分岐され形成される。シリコン窒化物からなるゲート絶縁膜１０４は、ゲート電極１０２が形成された第１絶縁基板１００の全面に積層され、ゲート電極１０２の上部のゲート絶縁膜１０４上に非晶質シリコンからなるアクティブパターン１０６とｎ＋非晶質シリコンからなるオームコンタクトパターン１０８が順に積層される。ソース電極１１０とドレイン電極１１２は、それぞれゲート電極１０２を中心としてオームコンタクトパターン１０８及びゲート絶縁膜１０４上に形成される。

薄膜トランジスタ１１５が形成された第１絶縁基板１００上にはレジスト又は感光性アクリル樹脂からなる有機絶縁膜１１６が積層される。有機絶縁膜１１６の表面には、例えば、１２時、９時、３時、及び６時方向で非対称的に傾斜する断面をそれぞれ有する凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成される。有機絶縁膜１１６には、薄膜トランジスタ１１５のドレイン電極１１２の一部分を露出させるコンタクトホール１１８が形成される。

コンタクトホール１１８及び有機絶縁膜１１６上には、反射電極１２０が形成される。反射電極１２０は、コンタクトホール１１８を通じてドレイン電極１１２に接続されることにより、薄膜トランジスタ１１５と反射電極１２０が電気的に接続される。

反射電極１２０は、有機絶縁膜１１６のそれぞれの凹凸部に相応する反射電極凹凸部を有する。即ち、反射電極１２０は、入射光の反射率を多様な方向で高めるために、凹凸部に対応する反射電極凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有する。

凹凸部は非対称的に傾斜する断面を有するように形成され、特に、特定方向のみではなく、全方向で反射率を増加させるために、多様な方向で傾斜する非対称断面を有する。例えば、図１０に示すように、９時方向への反射率を増加させるための凹凸部１２２ａ、６時方向への反射率を増加させるための凹凸部１２２ｂ、３時方向への反射率を増加させるための凹凸部１２２ｃ、及び１２時方向への反射率を増加させるための凹凸部（図示せず）を有する。その後、前述した構造を有する反射電極１２０上に第１配向膜（図示せず）が積層される。第２基板１４０は、第１絶縁基板１００と同じ物質からなる第２絶縁基板１４２、カラーフィルター１４４、共通電極１４６、及び第２配向膜（図示せず）を具備する。カラーフィルター１４４は、第２絶縁基板１４２の下部に配置され、カラーフィルター１４４の下部には、共通電極１４６及び第２配向膜が順に形成され、第２基板１４０を構成する。第１基板１３０と第２基板１４０との間にはスペーサ（図示せず）を介在させ、第１基板１３０と第２基板１４０との間に所定の空間が形成される。このような第１基板１３０と第２基板１４０との間の空間には液晶層１３５が形成され、本発明による反射型液晶表示装置を構成する。

図１１Ａ〜図１１Ｄは、図１０の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。図１１Ａ〜図１１Ｄにおいて、図１０と同じ部材については、同じ参照番号を付与する。

図１１Ａを参照すると、ガラスやセラミック等の絶縁物質からなる第１絶縁基板１００上に、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）が順に積層されたゲート膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程でゲート膜をパターニングして、第１方向に延長されるゲートライン（図示せず）とゲートラインから分岐された薄膜トランジスタのゲート電極１０２を形成する。

ゲート電極１０２を含む第１絶縁基板１００の全面にシリコン窒化物をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法によって蒸着して、ゲート絶縁膜１０４を形成する。
ゲート絶縁膜１０４上に、アクティブ層として、例えば、非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤ方法により蒸着し、その上にオームコンタクト層として、例えば、ｎ＋ドーピングされた非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤ方法により蒸着する。その後、フォトリソグラフィ工程でこの膜をパターニングして、ゲート電極１０２の上部のゲート絶縁膜１０４上に非晶質シリコン膜からなるアクティブパターン１０６及びｎ＋ドーピングされた非晶質シリコン膜からなるオームコンタクトパターン１０８を形成する。

オームコンタクトパターン１０８及びゲート絶縁膜１０４上にクロム（Ｃｒ）、クロム−アルミニウム（Ｃｒ−Ａｌ）、又はクロム−アルミニウム−クロム（Ｃｒ−Ａｌ−Ｃｒ）のような金属膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程で金属膜をパターニングして、ゲートラインに直交するデータライン（図示せず）及びデータラインから分岐するソース電極１１０及びドレイン電極１１２を形成する。その後、ソース電極１１０とドレイン電極１１２との間の露出されたオームコンタクトパターン１０８を反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）方法によって除去する。このことにより、ゲート電極１０２、ゲート絶縁膜１０４、アクティブパターン１０６、オームコンタクトパターン１０８、ソース電極１１０及びドレイン電極１１２で構成された薄膜トランジスタ１１５が完成する。この際、ゲートラインとデータラインとの間には、ゲート絶縁膜１０４が介在し、ゲートラインがデータラインと接触することを防止する。

アクティブパターン１０６、オームコンタクトパターン１０８、及びソース／ドレイン電極１１０、１１２は、前述したように２枚のマスクを用いて形成することもできるが、１つのマスクを用いて形成することもできる。

又、上では下部ゲート構造の薄膜トランジスタについて説明したが、反射型液晶表示装置である上部ゲート構造の薄膜トランジスタにも本発明を適用することができるのは自明である。

図１１Ｂを参照すると、まず、薄膜トランジスタ１１５が形成された第１絶縁基板１００の全面にレジスト又は感光性アクリル樹脂を２μｍ以上の厚さで厚く塗布して、有機絶縁膜１１６を形成する。

その後、有機絶縁膜１１６にコンタクトホールを形成するために、コンタクトホールに対応するパターンを有するフォトマスクを有機絶縁膜１１６上に位置させた後、フル露光工程を通じてドレイン電極１１２上の有機絶縁膜１１６を１次露光する。その後、凹凸部を形成するためのフォトマスクを用いて有機絶縁膜１１６を露光した後、現像工程を経て、図１１Ｂに示すように有機絶縁膜１１６にドレイン電極１１２を部分的に露出させるコンタクトホール１１８と多数の凹凸部が形成される。

有機絶縁膜１１６の上部に多数の凹凸部を形成する方法について図１１Ｃを参照して説明する。
まず、有機絶縁膜１１６に多様な方向に凹凸部を形成するためのフォトマスクを有機絶縁膜１１６上に位置させる。フォトマスクを用いてコンタクトホール１１８を除いた部分の有機絶縁膜１１６をレンズ露光する。この際、凹部に対応される第１領域Ｃ１に対しては、露光量を増加させて有機絶縁膜１１６に深い溝が形成されるようにし、第２領域Ｃ２に対応される領域に対しては、光の回折現象を用いてスリット又はハーフトーン露光を実施する。そうすると、有機絶縁膜１１６の上部に非対称的に傾斜する断面を有する複数の凹凸部が形成される。

図１１Ｄを参照すると、前述したように、非対称断面を有する凹凸部を有する有機絶縁膜１１６上にアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又はアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）等の反射率が高い金属を蒸着した後、蒸着された金属を所定の画素形状にパターニングして、反射電極１２０を形成する。

反射電極１２０は、有機絶縁膜１１６の表面と同じ形状を有する。即ち、有機絶縁膜１１６の凹凸部に対応する反射電極１２０の凹凸部も多様な方向で傾斜する非対称断面を有する。その後、前述した構造を有する反射電極１２０上に第１配向膜（図示せず）を形成する。

その後、第２絶縁基板１４２上にカラーフィルター１４４、共通電極１４６、及び第２配向膜（図示せず）を順次に形成して、第２基板１４０を完成する。その後、第２基板１４０が第１基板１３０に対向するように配置した後、第１基板１３０と第２基板１４０との間にスペーサ（図示せず）を介在して接合することにより、第１基板１３０と第２基板１４０との間に所定の空間が形成されるようにする。そうした後、第１基板１３０と第２基板１４０との間の空間に真空注入方法等を用いて、液晶物質を注入して液晶層１３５を形成すると、本実施例による反射型液晶表示装置が完成する。

図１２は、反射−透過型液晶表示装置において、図４Ａのパターンを有する反射電極を含む液晶表示パネルの１つの画素の概略的な断面図である。
図１２を参照すると、反射−透過型液晶表示装置の画素部は、第１絶縁基板１００上に薄膜トランジスタ２５が形成され、薄膜トランジスタ２５と第１絶縁基板１００の全面にかけて無機絶縁膜１１３、表面に凹凸部を有する有機絶縁膜１１７が形成され、順に凹凸部に対応する凹凸部を有する透過電極１５０、障壁金属層パターン１５５、及び反射電極１６０が形成される。

有機絶縁膜１１７の表面には、例えば、１２時、９時、３時、及び６時方向で非対称的に傾斜する断面をそれぞれ有する凹凸部が反復的に配列される凹凸部パターンが形成される。

画素部のうち、透過電極１５０のみが形成された領域は、透過窓Ｔが形成され透過領域として動作し、外部光源から発生された外部光が透過窓Ｔを透過して第１基板の上部に形成される第２基板側に進行する。反面、画素部のうち、反射電極１６０が形成された領域は反射領域として動作し、反射領域では太陽光等が反射され、第２基板側に進行して透過する。

反射電極１６０は、有機絶縁膜１１７のそれぞれの凹凸部に対応する凹凸部を有する。反射電極１２０は、入射光の反射率を多様な方向で高めるために、凹凸部に相応する反射電極凹凸部が反復的に配列される凹凸部パターンを有する。即ち、特定方向のみならず、全方向への反射率を増加させるために、多様な方向で傾斜する非対称断面を有する。例えば、図１２に図示されたように、９時方向への反射率を増加させるための凹凸部１２２ａ、６時方向への反射率を増加させるための凹凸部１２２ｂ、３時方向への反射率を増加させるための凹凸部１２２ｃ、及び１２時方向への反射率を増加させるための凹凸部（図示せず）を有する。

図１０で説明したように、第２絶縁基板１４２上にカラーフィルター１４４、共通電極１４６、及び第２配向膜（図示せず）が形成され、第１基板１４０と第２基板との間の空間に液晶層１３５が介在する。

図１３Ａ〜図１３Ｄは、図１２の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。
図１３Ａを参照すると、図１１Ａで説明した方法によって薄膜トランジスタを形成する。

図１３Ｂを参照すると、ゲート絶縁膜１０４上に無機絶縁膜１１３を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程でドレイン電極１１２上の無機絶縁膜１１３を除去する。結果物の全面に有機絶縁膜１１７を形成した後、露光及び現像工程でドレイン電極１１２上の有機絶縁膜１１７を除去して、ドレイン電極１１２を露出させるコンタクトホール１４５を形成する。本発明による凹凸部を形成するためのフォトマスクパターンを有機絶縁膜１１７の表面に多数の凹凸部を形成する。即ち、有機絶縁膜１１７の表面には、図１３Ｂに図示されたように、例えば、９時、６時、１２時、及び３時方向で反射率を向上させるための凹凸部を形成することができる。

図１３Ｃを参照すると、結果物の全面にＩＴＯ又はＩＺＯのような透明導電膜を蒸着して、透過電極１５０を形成する。
図１３Ｄを参照すると、凹凸部を有する有機絶縁膜１１７及び透過電極１５０上に反射電極１６０を構成する反射膜をエッチングするエッチャントに対して、反射膜と類似なエッチング率を有する金属、例えば、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）からなる障壁金属層を形成する。障壁金属層上にアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）を所定厚さで蒸着して、反射膜を形成する。その後、フォト工程及びウェットエッチング工程で反射膜及び障壁金属層をパターニングして、コンタクトホール１４５通じてドレイン電極１１２と接続され、反射膜下部にある透過電極１５０の一部を露出させる透過窓Ｔを有する反射電極１６０及び障壁金属層パターン１５５を形成する。

図１０で説明したように、カラーフィルター１４４、共通電極１４６、及び第２配向膜（図示せず）が形成された第２絶縁基板１４２が製造された後、第１基板１４０と第２基板との間の空間に液晶層１３５を介在させ、本発明による反射−透過型液晶表示装置を構成する。

以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。

従来の液晶表示装置において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板上の対称的な傾斜面を有する凹凸部を含む反射電極を形成するためのフォトマスクパターンの概略的な平面図である。 図１ＡのＡ１−Ａ１’に沿って切断した断面図である。 従来の液晶表示装置において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板上に一方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を含む反射電極をスリット露光によって形成するためのフォトマスクパターンの概略的な平面図である。 図２ＡのＡ２−Ａ２’に沿って切断した断面図である。 本発明の好ましい一実施例による液晶表示装置の１つの画素に対して、多様な方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を含む反射電極をスリット露光によって形成するためのフォトマスクパターンの概略的な平面図である。 図３の１３５部分を拡大した概略的な部分拡大図である。 １３５部分を拡大した概略的な部分拡大図であって、図４Ａのフォトマスクパターンの他の実施例を示す図である。 １３５部分を拡大した概略的な部分拡大図であって、図４Ａのフォトマスクパターンの他の実施例を示す図である。 １３５部分を拡大した概略的な部分拡大図であって、図４Ａのフォトマスクパターンの他の実施例を示す図である。 １３５部分を拡大した概略的な部分拡大図であって、図４Ａのフォトマスクパターンの他の実施例を示す図である。 図３のＡ３−Ａ３’に沿って切断した断面図である。 図３のＡ４−Ａ４’に沿って切断した断面図である。 図３のＡ５−Ａ５’に沿って切断した断面図である。 図３のＡ６−Ａ６’に沿って切断した断面図である。 本発明の好ましい他の実施例による液晶表示装置の複数個の画素に対して、多様な方向に非対称的に傾斜する断面を有する凹凸部を含む反射電極をスリット露光によって形成するためのフォトマスクパターンの概略的な平面図である 反射型液晶表示装置において、図４Ａのパターンを有する反射電極を含む液晶表示パネルの１つの画素の概略的な断面図である。 図１０の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。 図１０の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。 図１０の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。 図１０の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。 反射−透過型液晶表示パネルにおいて、図４Ａのパターンを有する反射電極を含む液晶表示パネルの１つの画素の概略的な断面図である。 図１２の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。 図１２の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。 図１２の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。 図１２の液晶表示パネルを製造する過程を説明するための断面図である。

符号の説明

４２ 凹部形成領域
１００ 第１絶縁基板
１０２ ゲート電極
１０４ ゲート絶縁膜
１０６ アクティブパターン
１０８ オームコンタクトパターン
１１０ ソース電極
１１２ ドレイン電極
１１５ ＴＦＴ
１１６ 有機絶縁膜
１１８ コンタクトホール
１２０ 反射電極
１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ 凹凸部
１３０ 第１基板
１３５ 液晶層
１４０ 第２基板
１４２ 第２絶縁基板
１４４ カラーフィルター
１４６ 共通電極
３０１ 第１領域
３０１ａ 第１スリットパターン
３０３ 第２領域
３０３ａ 第２スリットパターン
３０５ 第３領域
３０５ａ 第３スリットパターン
３０７ 第４領域
３０７ａ 第４スリットパターン

Claims (20)

1. 第１基板と、
   前記第１基板上に形成され、第１方向に非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部、前記第１方向に垂直である第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部、前記第１方向に対向する第３方向に非対称的に傾斜する第３傾斜面を有する第３凹凸部、及び前記第２方向に対向する第４方向に非対称的に傾斜する第４傾斜面を有する第４凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜と、
   前記第１凹凸部及び第２凹凸部に対応する第５凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された反射電極と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、
   を含む液晶表示装置。
2. スイッチング素子が形成されている第１基板と、
   第１基板上に形成され、第１方向に非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部、前記第１方向に垂直である第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部、前記第１方向に対向する第３方向に非対称的に傾斜する第３傾斜面を有する第３凹凸部、及び前記第２方向に対向する第４方向に非対称的に傾斜する第４傾斜面を有する第４凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜と、
   前記第１凹凸部及び第２凹凸部に相応する第５凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された透過電極と、
   前記第５凹凸部に相応する第６凹凸部が反復的に配列される第３凹凸部パターンを有するように前記透過電極上の一部領域に形成され、前記一部領域には前記スイッチング素子と電気的に結合されるコンタクトホールを有する反射電極と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、
   を含む液晶表示装置。
3. マトリックス形態で配列された複数の画素が形成された第１基板と、
   前記第１基板と対向して、前記それぞれの画素に対応するように赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターが反復的に配列された第２基板と、
   前記第１基板と第２基板との間に介在された液晶層と、
   前記第１基板上に形成され、前記赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターのそれぞれに対向するように少なくとも互いに異なる４方向に非対称的に傾斜する複数の傾斜面を有する第１凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜と、
   前記第１凹凸部に対応する第２凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された反射電極と、
   を含む液晶表示装置。
4. 前記第２凹凸部パターンは、前記赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターのそれぞれに対向するように前記反射電極上に形成されることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
5. 前記赤色（Ｒ）カラーフィルターに対向して前記絶縁膜上に反復的に配列される前記第１凹凸部パターンと同じパターンを有する複数の凹凸部が、前記赤色（Ｒ）カラーフィルターに隣接する緑色（Ｇ）又は青色（Ｂ）カラーフィルターに対向して前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
6. 前記赤色（Ｒ）カラーフィルターに対向して前記絶縁膜上に反復的に配列される前記第１凹凸部パターンと異なるパターンを有する複数の凹凸部が、前記赤色（Ｒ）カラーフィルターに隣接する緑色（Ｇ）又は青色（Ｂ）カラーフィルターに対向して前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
7. 前記マトリックス形態で配列された複数の画素のうち、同じ列に属する連続する３個の画素に対応する絶縁膜が同じ凹凸部パターンを有することを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
8. 前記マトリックス形態で配列された複数の画素のうち、同じ行に属する連続する３個の画素に対応する絶縁膜が同じ凹凸部パターンを有することを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
9. マトリックス形態で配列された複数の画素が形成された第１基板と、
   前記第１基板と対向して、前記それぞれの画素に対応するように赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターが反復的に配列された第２基板と、
   前記第１基板と第２基板との間に介在する液晶層と、
   前記第１基板上に形成され、前記赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターのそれぞれに対向するように少なくとも互いに異なる４方向に非対称的に傾斜する複数の傾斜面を有する第１凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜と、
   前記第１凹凸部に対応する第２凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された透過電極と、
   前記第２凹凸部に対応する第３凹凸部が反復的に配列される第３凹凸部パターンを有するように前記透過電極上の一部領域に形成され、前記スイッチング素子と電気的に接続されるコンタクトホールを有する反射電極と、
   を含む液晶表示装置。
10. 前記第２凹凸部パターンは、前記赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルターのそれぞれに対向するように前記反射電極上に形成されることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
11. 前記赤色（Ｒ）カラーフィルターに対向して前記絶縁膜上に反復的に配列される前記第１凹凸部パターンと同じパターンを有する複数の凹凸部が、前記赤色（Ｒ）カラーフィルターに隣接する緑色（Ｇ）又は青色（Ｂ）カラーフィルターに対向して前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
12. 前記赤色（Ｒ）カラーフィルターに対向して前記絶縁膜上に反復的に配列される前記第１凹凸部パターンと異なるパターンを有する複数の凹凸部が、前記赤色（Ｒ）カラーフィルターに隣接する緑色（Ｇ）又は青色（Ｂ）カラーフィルターに対向して前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
13. 前記マトリックス形態で配列された複数の画素のうち、同じ列に属する連続する３個の画素に対応する絶縁膜が同じ凹凸部パターンを有することを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
14. 前記マトリックス形態で配列された複数の画素のうち、同じ行に属する連続する３個の画素に対応する絶縁膜が同じ凹凸部パターンを有することを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
15. 基板上にスイッチング素子を形成する段階と、
    第１方向に非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部、前記第１方向に垂直である第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部、前記第１方向に対向する第３方向に非対称的に傾斜する第３傾斜面を有する第３凹凸部、及び前記第２方向に対向する第４方向に非対称的に傾斜する第４傾斜面を有する第４凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンを有する絶縁膜を前記スイッチング素子が形成された基板上に形成する段階と、
    前記第１凹凸部及び第２凹凸部に対応する第５凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有する反射電極を前記絶縁膜上に形成する段階と、
    を含む液晶表示装置の製造方法。
16. 前記第１凹凸部パターンのうち、凸面はスリット又はハーフトーン露光を実施して、非対称的に傾斜する傾斜面を有するように形成することを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置の製造方法。
17. 基板上にスイッチング素子を形成する段階と、
    第１方向に非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部、前記第１方向に垂直である第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部、前記第１方向に対向する第３方向に非対称的に傾斜する第３傾斜面を有する第３凹凸部、及び前記第２方向に対向する第４方向に非対称的に傾斜する第４傾斜面を有する第４凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンを有する絶縁膜を前記スイッチング素子が形成された基板上に形成する段階と、
    前記絶縁膜凹凸部に対応する第５凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有する透過電極を前記絶縁膜上に形成する段階と、
    前記第５凹凸部に対応する第６凹凸部が反復的に配列される第３凹凸部パターンを有するように前記スイッチング素子と電気的に結合されるコンタクトホールを有する反射電極を前記透過電極上の一部領域に形成する段階と、
    を含む液晶表示装置の製造方法。
18. 前記第１凹凸部パターンのうち、凸面はスリット又はハーフトーン露光を実施して、非対称的に傾斜する傾斜面を有するように形成することを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置の製造方法。
19. 第１基板と、
    前記第１基板上に形成され、第１方向と非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部、前記第１方向に垂直である第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部、前記第１方向に対向する第３方向に非対称的に傾斜する第３傾斜面を有する第３凹凸部、及び前記第２方向に対向する第４方向に非対称的に傾斜する第４傾斜面を有する第４凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜と、
    前記第１凹凸部及び第２凹凸部に相応する第５凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された反射電極と、
    前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、
    を含み、
    前記第１凹凸部、第２凹凸部、第３凹凸部、及び第４凹凸部は、断面が多角形状であることを特徴とする、液晶表示装置。
20. スイッチング素子が形成されている第１基板と、
    第１基板上に形成され、第１方向と非対称的に傾斜する第１傾斜面を有する第１凹凸部、前記第１方向に垂直である第２方向に非対称的に傾斜する第２傾斜面を有する第２凹凸部、前記第１方向に対向する第３方向に非対称的に傾斜する第３傾斜面を有する第３凹凸部、及び前記第２方向に対向する第４方向に非対称的に傾斜する第４傾斜面を有する第４凹凸部が反復的に配列される第１凹凸部パターンが形成された絶縁膜と、
    前記第１凹凸部及び第２凹凸部に相応する第５凹凸部が反復的に配列される第２凹凸部パターンを有するように前記絶縁膜上に形成された透過電極と、
    前記第５凹凸部に相応する第６凹凸部が反復的に配列される第３凹凸部パターンを有するように前記透過電極上の一部領域に形成され、前記一部領域には前記スイッチング素子と電気的に接続されるコンタクトホールを有する反射電極と、
    前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、
    を含み、
    前記第１凹凸部、第２凹凸部、第３凹凸部、及び第４凹凸部は、断面が多角形状であることを特徴とする、液晶表示装置。

Images