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JP4304998B2 - Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel - Google Patents

Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel Download PDF

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JP4304998B2
JP4304998B2 JP2003036451A JP2003036451A JP4304998B2 JP 4304998 B2 JP4304998 B2 JP 4304998B2 JP 2003036451 A JP2003036451 A JP 2003036451A JP 2003036451 A JP2003036451 A JP 2003036451A JP 4304998 B2 JP4304998 B2 JP 4304998B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
【0003】
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を儲けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線および赤外線の一方または両方を用いる放射線画像変換方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換方法として、BaFX:Eu2+系(X:Cl、Br、I)蛍光体を用いた放射線画像変換方法(例えば、特許文献2参照。)、アルカリハライド蛍光体を用いた放射線画像変換方法(例えば、特許文献3参照。)、共賦活剤としてTl+およびCe3+、Sm3+、Eu3+、Y3+、Ag+、Mg2+、Pb2+、In3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体(例えば、特許文献4及び5参照。)が開発されている。
【0005】
更に近年、診断画像の解析においてより高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善の為の手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがなされている。
【0006】
これらの試みの1つとして、例えば、微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法(例えば、特許文献6参照。)がある。
【0007】
また、微細なパターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル(例えば、特許文献7参照。)を用いる方法、更には、支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線画像変換パネル(例えば、特許文献8参照。)を用いる方法、更には、支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法(例えば、特許文献9参照。)等も提案されている。
【0008】
更に、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル(例えば、特許文献10参照。)が提案されている。
【0009】
最近ではCsBrなどのハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案され、特にEuを賦活剤とすることで従来の蛍光体では得られていなかった高いX線変換効率を導き出すことが可能となった。
【0010】
しかしながら、一方、Euは熱による拡散が顕著であり、真空下における蒸気圧も高いために離散するなどにより母体中のEuの存在を遍在させる問題があり、目的とした高いX線変換効率を得ることが難しいため市場での実用化に至っていない。
【0011】
特に高いX線変換効率を得られる希土類元素の賦活においては真空下における膜形成に関しては蒸気圧特性より均一化が難しい問題であった。また、製造法においてもこれらの気相成長(堆積)により形成した輝尽性蛍光体層では輝尽性蛍光体層を作製する際に原料加熱、真空蒸着時の基板(支持体)加熱、膜形成後のアニール(基板歪み緩和)処理により加熱処理を多く施されるために賦活剤の存在状態が不均一となる課題がある。
【0012】
このため放射線画像変換パネルとして市場から要求される輝度、鮮鋭性の改善に見合う製造上の均一性に改良が求められていた。
【0013】
特に蒸発原料の不均一性における加熱冷却時の母材熱膨張における影響は蛍光体層面性が大きく、膜厚が厚くなるとその接着性が低下し、ひび割れなどが発生しやすくなるなどの影響が巨視的にも微細構造においても顕著に認められるという問題点があった。
【0014】
【特許文献1】
米国特許第3,859,527号明細書
【0015】
【特許文献2】
特開昭59−75200号公報
【0016】
【特許文献3】
特開昭61−72087号公報
【0017】
【特許文献4】
特開昭61−73786号公報
【0018】
【特許文献5】
特開昭61−73787号公報
【0019】
【特許文献6】
特開昭61−142497号公報
【0020】
【特許文献7】
特開昭61−142500号公報
【0021】
【特許文献8】
特開昭62−39737号公報
【0022】
【特許文献9】
特開昭62−110200号公報
【0023】
【特許文献10】
特開平2−58000号公報
【0024】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、コントラストが高く、且つ高輝度低残光性を示す放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供することである。
【0025】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は下記の構成1〜3により達成された。
【0026】
1.支持体上に、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
少なくとも1層が、CsBr:Eu輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層であり、該輝尽性蛍光体層が、該支持体の温度100℃〜170℃、真空度10mPa〜700mPaで、気相法(気相堆積法ともいう)により50μm以上の膜厚を有するように形成され、且つ、該層中のCsBr:Eu輝尽性蛍光体の結晶子サイズが90nm〜109nmであることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【0027】
2.前記CsBr:Eu輝尽性蛍光体の賦活剤であるEuが、湿式法による賦活剤導入が行われたことを特徴とする前記1に記載の放射線画像変換パネル。
【0028】
3.前記1または2に記載の放射線画像変換パネルを製造するにあたり、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が、該支持体の温度100℃〜170℃、真空度10mPa〜700mPaで、気相法(気相堆積法ともいう)により、50μm以上の膜厚を有するように形成する工程を経て製造されることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【0029】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明者等は上記の問題点を種々検討した結果、支持体上に、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の少なくとも1層が、該支持体の温度100℃〜170℃、真空度10mPa〜700mPaで、気相法(気相堆積法ともいう)により50μm以上の膜厚を有するように形成され、且つ、該層中の輝尽性蛍光体の結晶子サイズが90nm以上であるように調整することにより、コントラストが高く、且つ高輝度低残光性を示す放射線画像変換パネルを得られることを見いだした。
【0030】
《輝尽性蛍光体》
本発明に係る輝尽性蛍光体について説明する。
【0031】
本発明の放射線画像変換パネルに係る輝尽性蛍光体としては、当該業者にとって従来公知の輝尽性蛍光体を用いることが出来るが、好ましくは前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体である。
【0032】
前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体としては、M1、M2は、各々Li、Na、K、RbおよびCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表すが、RbまたはCsで表されるアルカリ金属が好ましく、更に好ましく用いられるのはCsである。
【0033】
3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、GaおよびInからなる群から選ばれる少なくとも1種の三価金属を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Y、Ce、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも1種の三価金属である。
【0034】
一般式(1)におけるAとしては、Eu、Ce、Sm、Tl及びNaからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属であることが好ましく、特に好ましくは、Euである。
【0035】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、X、X′およびX″はF、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンが用いられるが、F,Cl及びBrから選ばれる少なくとも一種のハロゲンが好ましく、更に好ましくは、Br及びIからなる群から選ばれるハロゲンであり、特に好ましく区は、Brである。
【0036】
また、一般式(1)において、b値は0≦b<0.5であるが、好ましくは、0≦b≦10-2である。
【0037】
《輝尽性蛍光体の製造方法》
本発明に係る一般式(1)で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。
【0038】
まず蛍光体原料として、以下の組成となるように炭酸塩に酸(HI,HBr、HCl、HF)を加え混合攪拌してた後、中和点にて濾過を行い得られたのちの炉液の水分を蒸発気化させて以下の結晶を作製する。
【0039】
(a)NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr、CsIのうちの1種もしくは2種以上、
(b)MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCI2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaBr2・2H2O、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2のうち1種もしくは2種以上、及び
(c)一般式(1)においては、Eu、Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる金属を有する賦活剤原料が用いられる。
【0040】
化学量論的に一般式(I)で示される輝尽性蛍光体において、
aは、0≦a<0.5が好ましく、更に好ましくは、0≦a<0.01、
bは、0≦b<0.5が好ましく、更に好ましくは、0≦b≦10-2
eは、0<e≦0.2が好ましく、更に好ましくは、0<e≦0.1である。
【0041】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記(a)〜(c)の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。次に、得られた水溶液のpH値を調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【0042】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボ或いはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は500乃至1000℃が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、一般には0.5乃至6時間が適当である。焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができる、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却してもよい。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【0043】
(賦活剤の導入方法)
賦活剤原料を輝尽性蛍光体に導入する方法としては、乾式導入方法と湿式導入方法とがある。
【0044】
乾式導入方法には、粉体を混合し、加熱焼成して母材(蛍光体原料ともいう)に熱拡散させて導入する方法と導入する賦活剤を蒸気として用い、前記母材を加熱しながら導入する方法がある。
【0045】
粉体混合で実施するものは簡便で、大面積での実用化が容易であるが導入時の加熱温度が高く、利用する場合には温度分布を制御することが好ましい。
【0046】
また、賦活剤を蒸気化して用いる後者の方法は、母材を比較的低温で加熱し導入することが可能であるが賦活剤を蒸気とする為に均一に賦活剤を導入するためには、加熱を一定に行いながら、容器内に賦活剤蒸気を封じ込める或いは、前記賦活剤蒸気を導入する経路を有する加熱ユニットにガスを導入する設備対応を行うことが好ましく、煩雑な対応が求められる。
【0047】
そこで、大面積化、安定導入を目的とした場合、溶剤(例えば、水)可溶性の材料に関しては、湿式中での均一化を行い、一定導入をする、下記に示す湿式導入方法が好ましく用いられる。
【0048】
湿式導入方法とは、母液中に母材となる材料を添加し、溶液化しその溶液中に添加剤となる賦活剤を添加する。添加後、前記溶液を乾燥固化してもよく、または、適切な添加剤等の使用により共沈殿を行わせ、得られた沈殿物を乾燥して、賦活剤が導入された母材を得ることも出来る。
【0049】
本発明に係る輝尽性蛍光体への賦活剤の導入については、上記の乾式導入方法でも、湿式導入方法のどちらを用いてもよい。
【0050】
《輝尽性蛍光体層の形成》
本発明に係る輝尽性蛍光体層の形成について説明する。
【0051】
本発明の放射線画像変換パネルでは、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が気相法(気相堆積法、気相成長法ともいう)によって形成されることが必須要件であるが、気相法としては、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。
【0052】
第1の方法としての蒸着法においては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。
【0053】
この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【0054】
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線画像変換パネルが製造される。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。
【0055】
さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着物(支持体あるいは保護層)を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法に於いては必要に応じてO2、H2等のガスを導入して反応性蒸着を行ってもよい。
【0056】
第2の方法としてのスパッタリング法においては、蒸着法と同様に支持体をスパッタリング装置内に設置した後装置内を一旦排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して1.333×10-1Pa程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。
【0057】
前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。
【0058】
第3の方法としてCVD法がある。また、第4の方法としてイオンプレーティング法がある。
【0059】
また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は0.05μm/分〜300μm/分であることが好ましい。成長速度が0.05μm/分未満の場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く好ましくない。また成長速度が300μm/分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。放射線画像変換パネルを、前述の真空蒸着法、スパッタリイング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得られる。
【0060】
(輝尽性蛍光体層の膜厚)
前記輝尽性蛍光体層の乾燥厚みは、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により変化するが、本発明に記載の効果を得る観点から50μm以上の膜厚が必要であり、好ましくは、50μm〜300mmであり、更に好ましくは、100μm〜500μmであり、特に好ましくは、400μm〜500μmである。
【0061】
上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、100℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは、150℃以上であり、特に好ましくは150℃〜400℃である。
【0062】
本発明の放射線画像変換パネルに係る輝尽性蛍光体層は、支持体上に前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されるが、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することが好ましい。
【0063】
蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成するために、前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体が好ましく用いられるが、中でも、CsBr系蛍光体が特に好ましく用いられる。
【0064】
この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【0065】
《輝尽性蛍光体層中での蛍光体の結晶サイズ》
本発明に係る輝尽性蛍光体の結晶サイズについて説明する。
【0066】
本発明に係る輝尽性蛍光体層の少なくとも1層は気相法(気相堆積法、気相成長法ともいう)によって形成されるが、層中の輝尽性蛍光体の結晶サイズが90nm以上であることが必須である。
【0067】
本発明において、結晶子サイズ90nm以上の輝尽性蛍光体を作製するためには、種々の態様があるが、例えば、蒸着膜の基板温度及び蒸発時の真空度のコントロールが重要な調整因子であり、具体的には、基板温度を170℃以下、真空度を0.7Pa(700mPa)以下になるように調整し、且つ、蒸発原料に希土類元素の導入を行うこと等により達成することが好ましい。
【0068】
(希土類元素の含有量)
本発明では、希土類元素(賦活剤ともいう)の添加による、輝尽性蛍光体の発光輝度の向上、結晶性の低下を最小限に抑制し、コントラストの低下を防止、且つ、画像の鮮鋭度を良好に保つ観点から、希土類元素(希土類元素を賦活剤ともいう)を蒸着膜中に1/100〜1/100000量(前記一般式(1)の式中、M1、M2の合計モル数に対して)を導入するにあたり、膜中の蛍光体結晶子サイズを90nm以上とすることでコントラスト及び残光特性に優れた蛍光体層を形成できることを見出した。
【0069】
本発明に係る希土類元素としては、Eu、Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm及びY等が挙げられるが、特に好ましく用いられるのは、Eu、Ce、Cs、Smからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属であり、特に好ましいのは、Euである。
【0070】
(輝尽性蛍光体層中のその他の添加剤)
本発明に係る輝尽性蛍光体層中の添加剤について説明する。
【0071】
又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【0072】
高反射率の物質とは、輝尽励起光(500nm〜900nm、特に600nm〜800nm)に対する反射率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。
【0073】
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として,TiO2(アナターゼ型、ルチル型)、MgO、PbCO3・Pb(OH)2、BaSO4、Al23、M(II)FX(但し、M(II)はBa、Sr及びCaの中の少なくとも一種であり、XはCl、及びBrのうちの少なくとも一種である。)、CaCO3、ZnO、Sb23、SiO2、ZrO2、リトポン(BaSO4・ZnS)、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させうる。
【0074】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発光も吸収する。
【0075】
また、色材は、有機若しくは無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー3G(ヘキスト製)、エストロールブリルブルーN−3RL(住友化学製)、D&CブルーNo.1(ナショナルアニリン製)、スピリットブルー(保土谷化学製)、オイルブルーNo.603(オリエント製)、キトンブルーA(チバガイギー製)、アイゼンカチロンブルーGLH(保土ヶ谷化学製)、レイクブルーAFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産業製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学製)、シアンブルーBNRCS(東洋インク製)、ライオノイルブルーSL(東洋インク製)等が用いられる。またカラーインデクスNo.24411、23160、74180、74200、22800、23154、23155、24401、14830、15050、15760、15707、17941、74220、13425、13361、13420、11836、74140、74380、74350、74460等の有機系金属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−Co−NiO系顔料があげられる。
【0076】
《支持体》
本発明に係る支持体について説明する。
【0077】
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる支持体としては各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。
【0078】
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
【0079】
また、本発明においては、支持体と輝尽性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて支持体の表面に予め接着層を設けてもよい。これら支持体の厚みは用いる支持体の材質等によって異なるが、一般的には80μm〜2000μmであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは80μm〜1000μmである。
【0080】
(保護層)
また、本発明に係る輝尽性蛍光体層は、保護層を有していても良い。
【0081】
保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、SiC、SiO2、SiN、Al23などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には0.1μm〜2000μm程度が好ましい。
【0082】
以下、図1により本発明の放射線画像変換パネルが用いられる利用システム(診断システムともいう)の一例を説明する。
【0083】
図1は、本発明の放射線画像変換パネルの利用システムの一態様を示す概略図である。
【0084】
図1において21は放射線発生装置、22は被写体、23は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、24は放射線画像変換パネル23の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、25は放射線画像変換パネル23より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、26は光電変換装置25で検出された光電変換信号を画像として再生する装置、27は再生された画像を表示する装置、28は光源24からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル23より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。尚、図1は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体12自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生装置21は特に必要ない。また、光電変換装置25以降は放射線画像変換パネル23からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。
【0085】
図1に示されるように、被写体22を放射線発生装置21と放射線画像変換パネル23の間に配置し放射線Rを照射すると、放射線Rは被写体22の各部の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像RI(すなわち放射線の強弱の像)が放射線画像変換パネル23に入射する。この入射した透過像RIは放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の電子及び/または正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可視あるいは赤外領域の光を照射する光源24によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電子及び/または正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝尽発光の強弱は蓄積された電子及び/または正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置25で電気信号に変換し、画像処理装置26によって画像として再生し、画像表示装置27によってこの画像を表示する。画像処理装置26は単に電気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効である。
【0086】
また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に600nm以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。本発明に係わる輝尽性蛍光体の発光波長域は300〜500nmであり、一方輝尽励起波長域は500〜900nmであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好まれ、そのレーザ光の波長は680nmであり、本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、680nmの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。
【0087】
すなわち、本発明に係わる輝尽性蛍光体はいずれも500nm以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を固めることができる。
【0088】
輝尽励起光源24としては、放射線画像変換パネル23に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。
【0089】
レーザとしては、He−Neレーザ、He−Cdレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、N2レーザ、YAGレーザ及びその第2高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はHe−NeレーザやArイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル1画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。又、フィルタ28を用いずに特開昭59−22046号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。
【0090】
上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【0091】
フィルタ28としては放射線画像変換パネル23から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線画像変換パネル23に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源24の波長の組合わせによって決定される。
【0092】
例えば、輝尽励起波長が500nm〜900nmで輝尽発光波長が300〜500nmにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば東芝社製C−39、C−40、V−40、V−42、V−44、コーニング社製7−54、7−59、スペクトロフィルム社製BG−1、BG−3、BG−25、BG−37、BG−38等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置25としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。
【0093】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【0094】
実施例1
《放射線画像変換パネル試料1の作製》
下記に記載のようにして、賦活剤が導入された輝尽性蛍光体、次いで、前記輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍光体層を有する輝尽性蛍光体プレート、次いで、前記輝尽性蛍光体プレートを用いて放射線画像変換パネル1を作製した。
【0095】
(輝尽性蛍光体プレート1の作製):賦活剤を乾式法により導入
表1に示した条件で、1mm厚の結晶化ガラス(日本電気ガラス社製)支持体の表面に図2で示した蒸着装置(但し、θ1=5度、θ2=5度に設定する)を用いて輝尽性蛍光体(CsBr:Eu)を有する輝尽性蛍光体層を前記支持体上に形成し、輝尽性蛍光体プレート1を作製した。
【0096】
尚、蒸着時に用いた蒸発源材料への賦活剤(Eu)の導入方法は、下記に示す乾式法を用いた。
【0097】
(乾式法による賦活剤導入)
蒸発源材料として臭化セシウムと臭化ユーロピウムを蒸着膜(CsBr:Eu)中に配合される配合比率となるように事前に分量を秤量し、分取する。分取した臭化セシウムは臭化セシウム専用蒸発源である、Ta(タンタル)製の金属製ルツボにいれ、もう一方の臭化ユーロピウムは別のTa(タンタル)製の金属製ルツボに入れる。
【0098】
蒸着条件は、下記の表1中に記載の真空度に到達後、以下のようにして、蒸発を行わせる。
【0099】
真空度到達後、臭化セシウムを納めた前記Ta製の金属製ルツボはルツボ温度が650℃に達するまで10℃/分の速度で温度を上昇させ、脱ガスを行う。この後、650℃でルツボ内が完全に溶融したのを確認した後、設置してあるシャッターを開き成膜を開始する。
【0100】
また、もう一方の臭化ユーロピウムを納めた前記Ta製の金属製ルツボは、ルツボ温度が750℃に到達するまで加熱を続ける。但し、750℃までの昇温速度は、前記臭化セシウムを納めたルツボの温度が650℃となるまでの時間とタイミングが合致するように昇温速度を調整することが好ましい。
【0101】
ここで、臭化ユーロピウムと臭化セシウムの各々の蒸着速度は、配合比がCsBr:Euとなるように蒸着条件を調整する。
【0102】
また、図2に示した蒸着装置では、アルミニウム製のスリットを用い、支持体とスリットとの距離dを60cmに調整して、支持体と平行な方向に支持体を搬送しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが300μmになるように調整した。
【0103】
上記で作製した輝尽性蛍光体プレート1を用いて放射線画像変換パネル1を作製した。詳しくは、輝尽性蛍光体層を有するガラス状の側縁部にスペーサを介して、各輝尽性蛍光体層と保護層として用いるガラスとの間に、低屈折率層として空気層が100μmの厚みになるように、ガラス製の保護層を設けた。なお、スペーサとしてはガラスセラミックス製で、支持体及び保護層ガラスの間に輝尽性蛍光体層及び低屈折率層(空気層)が所定の厚みとなるように厚みを調整したものを用い、ガラス支持体及びガラス製の保護層の側縁部は、エポキシ系接着剤を用いて接着し、放射線画像変換パネル1を作製した。
【0104】
《放射線画像変換パネル2〜8の作製》
放射線画像変換パネル1の作製において、輝尽性蛍光体プレート1の作製時、賦活剤の導入方法を乾式法から下記に示すような湿式法に変更し、且つ、輝尽性蛍光体層の作製条件(蒸着条件)を表1に記載したように設定した以外は同様にして、放射線画像変換パネル2〜8を作製した。
【0105】
(湿式法による賦活剤導入)
蒸発原料となる臭化セシウムと臭化ユーロピウムを所定の配合比となるように混合し、水で溶解して水溶液とする。得られた水溶液を加熱し、乾燥固化して50μm〜200μm径の粒子とする。この粒子を120℃、2時間の条件下にて真空加熱脱水して蒸発源材料を得た。
【0106】
得られた蒸発源をルツボに入れ蒸着チャンバー内の真空度が表1に記載の目的の真空度に到達したのを確認して印可電流を増加させ、ルツボの温度を750℃〜950℃の範囲に調整しながら蒸発源を蒸発させた。
【0107】
以上により成膜された臭化セシウム中にはEuを含有する。
得られた放射線画像変換パネル1〜8については、下記のように、輝度、鮮鋭性及び輝尽残光比率(単に、輝度残光ともいう)を各々評価した。
【0108】
《輝度》
輝度はコニカ(株)製Regius350を用いて評価を行った。
【0109】
X線をタングステン管球にて80kVp、10mAsで爆射線源とプレート間距離2mで照射した後、Regius350にプレートを設置して読みとった。得られたフォトマルからの電気信号を元に相対評価を行った。試料2の輝度を1.0とし、後はその相対値で表した。
【0110】
《鮮鋭性》
放射線画像変換パネル試料の鮮鋭性は、変調伝達関数(MTF)を求めて評価した。
【0111】
MTFは、放射線画像変換パネル試料にCTFチャートを貼付した後、放射線画像変換パネル試料に80kVpのX線を10mR(被写体までの距離:1.5m)照射した後、100μmφの直径の半導体レーザ(680nm:パネル上でのパワー40mW)を用いてCTFチャート像を走査読み取りして求めた。表の値は、1.0lp/mmのMTF値を足し合わせた値で示す。
【0112】
《輝尽残光比率》
輝尽発光は輝度評価と同様に信号値を読みとり測定する。
【0113】
輝尽残光比率の測定はレーザー走査時に半分をレーザー走査し、走査後の輝度の値(a)を求め、半分をレーザーoffにし、レーザーoff後よりX線爆射300msec後の値(b)を測定し輝度の比率にて輝尽残光比率とした。
【0114】
輝尽残光比率(%)=(a/b)×100
得られた結果を表1に示す。
【0115】
【表1】

Figure 0004304998
【0116】
表1から、比較に比べて本発明の試料は、輝度、鮮鋭性に優れ、且つ、残光が極めて少ないことが判る。
【0117】
【発明の効果】
本発明により、コントラストが高く、且つ、高輝度低残光性を示す放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供することが出来た。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の放射線像変換パネルの構成の一例を示す概略図。
【図2】蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を作製する方法の一例を示す概略図。
【符号の説明】
21 放射線発生装置
22 被写体
23 放射線像変換パネル
24 輝尽励起光源
25 該変換パネルにより放射された輝尽蛍光を検出する光電変換装置
26 画像再生装置
27 画像表示装置
28 フィルタ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a radiation image conversion panel and a method for manufacturing a radiation image conversion panel.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, so-called radiography using a silver salt has been used to obtain a radiographic image, but a method for imaging a radiographic image without using a silver salt has been developed. That is, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is excited with a certain energy to emit the radiation energy accumulated in the phosphor as fluorescence, and this fluorescence is detected. A method for imaging is disclosed.
[0003]
As a specific method, a radiation image conversion method using a panel having a photostimulable phosphor layer on a support and using one or both of visible light and infrared light as excitation energy is known (for example, patents). Reference 1).
[0004]
As a radiation image conversion method using a stimulable phosphor with higher brightness and sensitivity, BaFX: Eu2+Radiation image conversion method using a system (X: Cl, Br, I) phosphor (for example, see Patent Document 2), Radiation image conversion method using an alkali halide phosphor (for example, see Patent Document 3), Tl as a co-activator+And Ce3+, Sm3+, Eu3+, Y3+, Ag+, Mg2+, Pb2+, In3+Alkali halide phosphors containing these metals have been developed (see, for example, Patent Documents 4 and 5).
[0005]
In recent years, there has been a demand for a radiation image conversion panel with higher sharpness in analysis of diagnostic images. As means for improving the sharpness, for example, attempts have been made to improve the sensitivity and sharpness by controlling the shape of the photostimulable phosphor itself.
[0006]
As one of these attempts, for example, a method using a stimulable phosphor layer composed of fine pseudo-columnar blocks formed by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine uneven pattern (for example, patent Reference 6).
[0007]
In addition, a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer that is further developed by shock-treating cracks between columnar blocks obtained by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine pattern ( For example, see Patent Document 7), and further, a radiation image conversion panel (for example, patent) in which a photostimulable phosphor layer formed on the surface of a support is cracked from the surface side to form a pseudo-columnar shape. And a method in which a stimulable phosphor layer having a cavity is formed on the upper surface of a support by vapor deposition, and then a cavity is grown by heat treatment to provide a crack (for example, Patent Document 9). See also).
[0008]
Furthermore, a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer in which elongated columnar crystals having a certain inclination with respect to the normal direction of the support are formed on the support by vapor deposition (for example, Patent Document 10). See) has been proposed.
[0009]
Recently, a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor in which Eu is activated with an alkali halide such as CsBr as a base has been proposed, and it has not been obtained with a conventional phosphor by using Eu as an activator. It has become possible to derive a high X-ray conversion efficiency.
[0010]
However, on the other hand, Eu has a remarkable diffusion due to heat, and since there is a high vapor pressure under vacuum, there is a problem of ubiquitous existence of Eu in the matrix, and the intended high X-ray conversion efficiency is achieved. Since it is difficult to obtain, it has not been put to practical use in the market.
[0011]
In particular, in the activation of rare earth elements that can obtain high X-ray conversion efficiency, it has been difficult to make the film formation under vacuum more uniform than the vapor pressure characteristics. In addition, in the manufacturing method, in the stimulable phosphor layer formed by vapor phase growth (deposition), the raw material is heated when the stimulable phosphor layer is produced, the substrate (support) is heated during the vacuum evaporation, and the film is formed. There is a problem that the presence state of the activator becomes non-uniform because a large amount of heat treatment is performed by the annealing (substrate strain relaxation) treatment after the formation.
[0012]
For this reason, there has been a demand for improvement in manufacturing uniformity commensurate with improvements in brightness and sharpness required by the market as a radiation image conversion panel.
[0013]
In particular, the influence of the thermal expansion of the base material during heating / cooling due to the non-uniformity of the evaporating raw material has a large surface area of the phosphor layer, and as the film thickness increases, the adhesiveness decreases, and cracks are likely to occur. In particular, there is a problem that it is recognized remarkably in the fine structure.
[0014]
[Patent Document 1]
US Pat. No. 3,859,527
[0015]
[Patent Document 2]
JP 59-75200 A
[0016]
[Patent Document 3]
JP-A-61-72087
[0017]
[Patent Document 4]
JP-A-61-73786
[0018]
[Patent Document 5]
JP 61-73787 A
[0019]
[Patent Document 6]
JP 61-142497 A
[0020]
[Patent Document 7]
JP-A-61-142500
[0021]
[Patent Document 8]
JP 62-39737 A
[0022]
[Patent Document 9]
JP-A-62-110200
[0023]
[Patent Document 10]
JP-A-2-58000
[0024]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel having a high contrast and exhibiting high luminance and low afterglow, and a method for manufacturing the radiation image conversion panel.
[0025]
[Means for Solving the Problems]
The above object of the present invention has been achieved by the following configurations 1 to 3.
[0026]
  1. In a radiation image conversion panel having at least one photostimulable phosphor layer on a support,
  At least one layer is a stimulable phosphor layer made of CsBr: Eu stimulable phosphor, and the photostimulable phosphor layer includes:The support is formed to have a film thickness of 50 μm or more by a vapor phase method (also referred to as a vapor deposition method) at a temperature of 100 ° C. to 170 ° C. and a degree of vacuum of 10 mPa to 700 mPa.CsBr: EuA radiation image conversion panel, wherein the photostimulable phosphor has a crystallite size of 90 nm to 109 nm.
[0027]
  2.2. The radiation image conversion panel according to 1 above, wherein Eu, which is an activator of the CsBr: Eu stimulable phosphor, is introduced with an activator by a wet method.
[0028]
  3.In producing the radiation image conversion panel according to 1 or 2, at least one photostimulable phosphor layer has a temperature of 100 to 170 ° C. and a vacuum degree of 10 to 700 mPa. A method for manufacturing a radiation image conversion panel, which is manufactured through a step of forming a film having a thickness of 50 μm or more by a vapor deposition method.
[0029]
  Hereinafter, the present invention will be described in detail.
  As a result of various studies on the above problems, the present inventors have found that in a radiation image conversion panel having at least one stimulable phosphor layer on a support, at least one of the stimulable phosphor layers is ,The temperature of the support is 100 ° C. to 170 ° C., the degree of vacuum is 10 mPa to 700 mPa,By adjusting the crystallite size of the photostimulable phosphor in the layer to be 90 nm or more by forming the film with a film thickness of 50 μm or more by a vapor phase method (also referred to as a vapor deposition method). It was found that a radiation image conversion panel having high contrast and high brightness and low afterglow can be obtained.
[0030]
《Stimulable phosphor》
The photostimulable phosphor according to the present invention will be described.
[0031]
As the photostimulable phosphor according to the radiation image conversion panel of the present invention, a conventionally known photostimulable phosphor can be used by those skilled in the art, but preferably the photostimulability represented by the general formula (1). It is a phosphor.
[0032]
Examples of the stimulable phosphor represented by the general formula (1) include M1, M2Each represents at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, preferably an alkali metal represented by Rb or Cs, and more preferably Cs.
[0033]
MThreeIs at least one selected from the group consisting of Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In. Of these, trivalent metals are represented by at least one trivalent metal selected from the group consisting of Y, Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In.
[0034]
A in the general formula (1) is preferably at least one metal selected from the group consisting of Eu, Ce, Sm, Tl, and Na, and particularly preferably Eu.
[0035]
From the viewpoint of improving the photostimulable emission brightness of the photostimulable phosphor, X, X ′ and X ″ are at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br and I. F, Cl and Br At least one halogen selected from is preferable, more preferably a halogen selected from the group consisting of Br and I, and a particularly preferable group is Br.
[0036]
In the general formula (1), the b value is 0 ≦ b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10.-2It is.
[0037]
<< Method for producing photostimulable phosphor >>
The photostimulable phosphor represented by the general formula (1) according to the present invention is produced by, for example, the production method described below.
[0038]
First, as a phosphor material, an acid (HI, HBr, HCl, HF) is added to a carbonate so as to have the following composition, mixed and stirred, and then filtered at the neutralization point to obtain a furnace solution The following crystals are produced by evaporating the water.
[0039]
(A) one or more of NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr, CsI,
(B) MgF2MgCl2, MgBr2, MgI2, CaF2, CaCl2, CaBr2, CaI2, SrF2, SrCI2, SrBr2, SrI2, BaF2, BaCl2, BaBr2, BaBr2・ 2H2O, BaI2ZnF2ZnCl2ZnBr2, ZnI2, CdF2, CdCl2, CdBr2, CdI2, CuF2, CuCl2, CuBr2, CuI, NiF2NiCl2, NiBr2, NiI2One or more of them, and
(C) In the general formula (1), Eu, Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu And an activator raw material having a metal selected from the group consisting of Mg.
[0040]
In the photostimulable phosphor of the general formula (I) stoichiometrically,
a is preferably 0 ≦ a <0.5, more preferably 0 ≦ a <0.01,
b is preferably 0 ≦ b <0.5, more preferably 0 ≦ b ≦ 10.-2,
e is preferably 0 <e ≦ 0.2, and more preferably 0 <e ≦ 0.1.
[0041]
The phosphor materials (a) to (c) are weighed so as to have a mixed composition in the above numerical range, and dissolved in pure water. At this time, the mixture may be sufficiently mixed using a mortar, ball mill, mixer mill or the like. Next, a predetermined acid is added so as to adjust the pH value of the obtained aqueous solution, and then water is evaporated.
[0042]
Next, the obtained raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is suitably 500 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature, and the like, but generally 0.5 to 6 hours is appropriate. The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weak oxidizing atmosphere is preferred. After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out from the electric furnace and pulverized, and then the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and again under the same firing conditions as described above. If the firing is performed, the emission luminance of the phosphor can be further increased. When the fired product is cooled to the room temperature from the firing temperature, the desired fluorescence can also be obtained by removing the fired product from the electric furnace and allowing it to cool in the air. The body can be obtained, but it may be cooled in the same weakly reducing atmosphere or neutral atmosphere as at the time of firing. In addition, by moving the fired product from the heating unit to the cooling unit in an electric furnace and quenching in a weak reducing atmosphere, neutral atmosphere or weak oxidizing atmosphere, the emission luminance due to the phosphor phosphors obtained can be increased. It can be further increased.
[0043]
(Activator introduction method)
As a method for introducing the activator raw material into the stimulable phosphor, there are a dry introduction method and a wet introduction method.
[0044]
In the dry introduction method, powder is mixed, heated and baked and introduced into the base material (also referred to as phosphor raw material) by thermal diffusion and the activator to be introduced is used as steam, while heating the base material There is a way to introduce.
[0045]
What is carried out by powder mixing is simple and easy to put into practical use in a large area, but the heating temperature at the time of introduction is high, and when used, it is preferable to control the temperature distribution.
[0046]
In addition, the latter method of vaporizing the activator can be introduced by heating the base material at a relatively low temperature, but in order to uniformly introduce the activator to make the activator vapor, It is preferable to accommodate the facility for containing the activator vapor in the container or introducing the gas into the heating unit having a path for introducing the activator vapor while performing heating constantly, and a complicated response is required.
[0047]
Therefore, for the purpose of large area and stable introduction, the following wet introduction method is preferably used in which a solvent (for example, water) -soluble material is homogenized in the wet and introduced uniformly. .
[0048]
In the wet introduction method, a material to be a base material is added to a mother liquor, and an activator to be an additive is added to the solution. After the addition, the solution may be dried and solidified, or coprecipitation is performed by using an appropriate additive and the resulting precipitate is dried to obtain a base material into which the activator is introduced. You can also.
[0049]
For introducing the activator into the photostimulable phosphor according to the present invention, either the dry introduction method or the wet introduction method may be used.
[0050]
<Formation of photostimulable phosphor layer>
The formation of the photostimulable phosphor layer according to the present invention will be described.
[0051]
In the radiation image conversion panel of the present invention, it is essential that at least one photostimulable phosphor layer is formed by a vapor phase method (also referred to as a vapor phase deposition method or a vapor phase growth method). As a method, an evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be used.
[0052]
In the vapor deposition method as the first method, the support is first installed in the vapor deposition apparatus, and then the apparatus is evacuated to 1.333 × 10 6.-FourThe degree of vacuum is about Pa. Next, at least one of the photostimulable phosphor is heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method, or the like to grow the photostimulable phosphor on the surface of the support to a desired thickness.
[0053]
As a result, a photostimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the photostimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step. In the vapor deposition step, it is possible to co-evaporate using a plurality of resistance heaters or electron beams to synthesize the desired photostimulable phosphor on the support and simultaneously form the photostimulable phosphor layer. is there.
[0054]
After the vapor deposition, the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer on the side opposite to the support side of the photostimulable phosphor layer as necessary. In addition, after forming a photostimulable phosphor layer on a protective layer, a procedure for providing a support may be taken.
[0055]
Further, in the vapor deposition method, during the vapor deposition, the deposition target (support or protective layer) may be cooled or heated as necessary. Further, the stimulable phosphor layer may be heat-treated after the vapor deposition. In the vapor deposition method, O may be added as necessary.2, H2Reactive vapor deposition may be performed by introducing a gas such as the above.
[0056]
In the sputtering method as the second method, as in the vapor deposition method, the support is placed in the sputtering apparatus, and then the inside of the apparatus is temporarily evacuated to 1.333 × 10 6.-FourThe degree of vacuum was set to about Pa, and then an inert gas such as Ar or Ne was introduced into the sputtering apparatus as a sputtering gas to obtain 1.333 × 10 6.-1The gas pressure is about Pa. Next, the stimulable phosphor layer is grown on the surface of the support to a desired thickness by sputtering using the stimulable phosphor as a target.
[0057]
Various applied treatments can be used in the sputtering step as in the vapor deposition method.
[0058]
There is a CVD method as a third method. A fourth method is an ion plating method.
[0059]
The growth rate of the stimulable phosphor layer in the vapor phase growth is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is low, which is not preferable. If the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate. When the radiation image conversion panel is obtained by the above-described vacuum deposition method, sputtering method, etc., since there is no binder, the packing density of the stimulable phosphor can be increased, and radiation that is preferable in terms of sensitivity and resolution. An image conversion panel is obtained.
[0060]
(Thickness of photostimulable phosphor layer)
The dry thickness of the photostimulable phosphor layer varies depending on the intended use of the radiation image conversion panel and the type of the photostimulable phosphor, but from the viewpoint of obtaining the effects described in the present invention, the thickness is 50 μm or more. It is necessary, preferably 50 μm to 300 mm, more preferably 100 μm to 500 μm, and particularly preferably 400 μm to 500 μm.
[0061]
In producing the photostimulable phosphor layer by the vapor phase growth method described above, the temperature of the support on which the photostimulable phosphor layer is formed is preferably set to 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher. Especially preferably, it is 150 to 400 degreeC.
[0062]
The photostimulable phosphor layer according to the radiation image conversion panel of the present invention is formed by vapor-phase growth of the photostimulable phosphor represented by the general formula (1) on the support. The photostimulable phosphor preferably forms a columnar crystal.
[0063]
In order to form a columnar photostimulable phosphor layer by a method such as vapor deposition or sputtering, the photostimulable phosphor represented by the general formula (1) is preferably used. Among them, a CsBr phosphor is particularly preferable. Preferably used.
[0064]
Since the photostimulable phosphor layer formed on the support in this manner does not contain a binder, it has excellent directivity, high directivity of stimulated excitation light and stimulated emission, and high brightness. The layer thickness can be made thicker than that of a radiation image conversion panel having a dispersive stimulable phosphor layer in which a stimulable phosphor is dispersed in a binder. Furthermore, the sharpness of the image is improved by reducing the scattering of the stimulating light in the stimulable phosphor layer.
[0065]
《Phosphor crystal size in photostimulable phosphor layer》
The crystal size of the photostimulable phosphor according to the present invention will be described.
[0066]
At least one of the photostimulable phosphor layers according to the present invention is formed by a vapor phase method (also called a vapor phase deposition method or a vapor phase growth method), and the crystal size of the photostimulable phosphor in the layer is 90 nm. That is essential.
[0067]
In the present invention, there are various modes for producing a photostimulable phosphor having a crystallite size of 90 nm or more. For example, control of the substrate temperature of the deposited film and the degree of vacuum during evaporation are important adjustment factors. Specifically, it is preferably achieved by adjusting the substrate temperature to 170 ° C. or lower, the vacuum degree to 0.7 Pa (700 mPa) or lower, and introducing a rare earth element into the evaporation raw material. .
[0068]
(Rare earth element content)
In the present invention, the addition of rare earth elements (also called activators) improves the luminous brightness of the photostimulable phosphor, suppresses a decrease in crystallinity to a minimum, prevents a decrease in contrast, and sharpens an image. From the standpoint of maintaining good, rare earth elements (rare earth elements are also called activators) in the deposited film in an amount of 1/100 to 1 / 100,000 (in the formula of the general formula (1), M1, M2It was found that a phosphor layer excellent in contrast and afterglow characteristics can be formed by setting the phosphor crystallite size in the film to 90 nm or more.
[0069]
Examples of rare earth elements according to the present invention include Eu, Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, and Y, but are particularly preferably used. Is at least one metal selected from the group consisting of Eu, Ce, Cs, and Sm, and Eu is particularly preferable.
[0070]
(Other additives in the photostimulable phosphor layer)
The additive in the photostimulable phosphor layer according to the present invention will be described.
[0071]
In addition, the gap between the columnar crystals may be filled with a filler or the like, and in addition to reinforcing the stimulable phosphor layer, it may be filled with a high light absorption substance, a high light reflectance substance, or the like. Thus, in addition to providing the above-mentioned reinforcing effect, it is effective for reducing the light diffusion in the lateral direction of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer.
[0072]
A highly reflective material means a material having high reflectivity to stimulated excitation light (500 nm to 900 nm, particularly 600 nm to 800 nm), such as aluminum, magnesium, silver, indium and other metals, white pigments, and green to red regions. The coloring material can be used.
[0073]
White pigments can also reflect stimulated emission. TiO as white pigment2(Anatase type, rutile type), MgO, PbCOThree・ Pb (OH)2, BaSOFour, Al2OThree, M (II) FX (where M (II) is at least one of Ba, Sr and Ca, and X is at least one of Cl and Br), CaCOThree, ZnO, Sb2OThree, SiO2, ZrO2, Lithopone (BaSOFourZnS), magnesium silicate, basic silicate, basic lead phosphate, aluminum silicate and the like. Since these white pigments have a strong hiding power and a high refractive index, they can easily scatter scattered light by reflecting or refracting light, and can significantly improve the sensitivity of the resulting radiation image conversion panel.
[0074]
Moreover, as a substance having a high light absorption rate, for example, carbon, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide and the like and a blue color material are used. Of these, carbon also absorbs stimulated luminescence.
[0075]
The color material may be either an organic or inorganic color material. Examples of organic colorants include Zavon First Blue 3G (Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (Sumitomo Chemical), D & C Blue No. 1 (made by National Aniline), Spirit Blue (made by Hodogaya Chemical), Oil Blue No. 1 603 (made by Orient), Kitten Blue A (made by Ciba Geigy), Eisen Katyron Blue GLH (made by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (made by Kyowa Sangyo), Primocyanin 6GX (made by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (Hodogaya) Chemical Blue), Cyan Blue BNRCS (Toyo Ink), Lionoyl Blue SL (Toyo Ink), etc. are used. The color index No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460, etc. There are also materials. Inorganic color materials include ultramarine, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, TiO2-ZnO-Co-NiO pigments.
[0076]
<Support>
The support according to the present invention will be described.
[0077]
As the support used in the radiation image conversion panel of the present invention, various glasses, polymer materials, metals and the like are used. For example, plate glass such as quartz, borosilicate glass, chemically tempered glass, cellulose acetate film, A metal film such as a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyamide film, a polyimide film, a triacetate film, or a polycarbonate film, a metal sheet such as an aluminum sheet, an iron sheet, or a copper sheet, or a metal sheet having a coating layer of the metal oxide is preferable.
[0078]
The surface of these supports may be a smooth surface, or may be a mat surface for the purpose of improving the adhesion to the stimulable phosphor layer.
[0079]
Moreover, in this invention, in order to improve the adhesiveness of a support body and a photostimulable phosphor layer, you may provide an adhesive layer in advance on the surface of a support body as needed. The thickness of these supports varies depending on the material of the support used, but is generally 80 μm to 2000 μm, and more preferably 80 μm to 1000 μm from the viewpoint of handling.
[0080]
(Protective layer)
Moreover, the photostimulable phosphor layer according to the present invention may have a protective layer.
[0081]
The protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer on the photostimulable phosphor layer, or a protective layer separately formed in advance may be adhered on the photostimulable phosphor layer. Or you may take the procedure of forming a photostimulable phosphor layer on the protective layer formed separately. Materials for the protective layer include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-ethylene chloride Ordinary protective layer materials such as tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer are used. In addition, a transparent glass substrate can be used as a protective layer. In addition, this protective layer is made of SiC, SiO, etc. by vapor deposition or sputtering.2, SiN, Al2OThreeIt may be formed by laminating inorganic substances such as. In general, the thickness of these protective layers is preferably about 0.1 μm to 2000 μm.
[0082]
Hereinafter, an example of a utilization system (also referred to as a diagnostic system) in which the radiation image conversion panel of the present invention is used will be described with reference to FIG.
[0083]
FIG. 1 is a schematic diagram showing an aspect of a system for using a radiation image conversion panel of the present invention.
[0084]
In FIG. 1, 21 is a radiation generator, 22 is a subject, 23 is a radiation image conversion panel having a visible or infrared photostimulable phosphor layer containing a stimulable phosphor, and 24 is a radiation of the radiation image conversion panel 23. A stimulated excitation light source for emitting a latent image as stimulated emission, 25 is a photoelectric conversion device that detects the stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 23, and 26 is a photoelectric conversion signal detected by the photoelectric conversion device 25. Is a device for displaying the reproduced image, and 28 is a filter for cutting off the reflected light from the light source 24 and transmitting only the light emitted from the radiation image conversion panel 23. FIG. 1 shows an example of obtaining a radiation transmission image of a subject. However, when the subject 12 itself emits radiation, the radiation generator 21 is not particularly necessary. The photoelectric conversion device 25 and the subsequent devices are not limited to the above as long as they can reproduce optical information from the radiation image conversion panel 23 as an image in some form.
[0085]
As shown in FIG. 1, when the subject 22 is placed between the radiation generator 21 and the radiation image conversion panel 23 and irradiated with the radiation R, the radiation R is transmitted according to the change in the radiation transmittance of each part of the subject 22, A transmission image RI (that is, an image of the intensity of radiation) enters the radiation image conversion panel 23. The incident transmission image RI is absorbed by the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23, so that a number of electrons and / or holes proportional to the amount of radiation absorbed in the photostimulable phosphor layer are generated. Occurs and accumulates at the trap level of the photostimulable phosphor. That is, a latent image in which the energy of the radiation transmission image is accumulated is formed. Next, this latent image is made visible by being excited with light energy. That is, the photostimulable phosphor layer is irradiated by the light source 24 that emits light in the visible or infrared region to expel electrons and / or holes accumulated at the trap level, and the accumulated energy is released as stimulated emission. . The intensity of the emitted stimulated emission is proportional to the number of accumulated electrons and / or holes, that is, the intensity of the radiation energy absorbed in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23. The optical signal is converted into an electrical signal by a photoelectric conversion device 25 such as a photomultiplier tube, and reproduced as an image by an image processing device 26, and this image is displayed by an image display device 27. It is more effective to use an image processing device 26 that can not only reproduce an electrical signal as an image signal but also so-called image processing, image calculation, image storage, storage, and the like.
[0086]
In addition, when excited by light energy, it is necessary to separate the reflected light of the stimulated excitation light from the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer, and it is emitted from the stimulable phosphor layer. Photoelectric converters that receive light emission generally have high sensitivity to light energy with a short wavelength of 600 nm or less, so that the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer has a spectral distribution in the short wavelength region as much as possible. What you have is desirable. The emission wavelength range of the photostimulable phosphor according to the present invention is 300 to 500 nm, while the photostimulable excitation wavelength range is 500 to 900 nm, which satisfies the above conditions at the same time. A semiconductor laser that has a high output power and is easy to be compacted is preferably used for reading an image of the radiation image conversion panel. The wavelength of the laser light is 680 nm, and is incorporated in the radiation image conversion panel of the present invention. The photostimulable phosphor exhibits extremely good sharpness when an excitation wavelength of 680 nm is used.
[0087]
That is, all of the photostimulable phosphors according to the present invention emit light having a main peak at 500 nm or less, and the excitation light can be easily separated and coincides well with the spectral sensitivity of the light receiver, so that light can be received efficiently. As a result, the sensitivity of the image receiving system can be solidified.
[0088]
As the excitation light source 24, a light source including the excitation wavelength of the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel 23 is used. In particular, when a laser beam is used, the optical system becomes simple, and since the intensity of the stimulated excitation light can be increased, the photostimulated emission efficiency can be increased, and a more preferable result can be obtained.
[0089]
As the laser, He-Ne laser, He-Cd laser, Ar ion laser, Kr ion laser, N2There are lasers, YAG lasers and second harmonics thereof, ruby lasers, semiconductor lasers, various dye lasers, metal vapor lasers such as copper vapor lasers, and the like. Normally, a continuous wave laser such as a He—Ne laser or an Ar ion laser is desirable, but a pulsed laser can also be used if the scanning time and pulse of one pixel of the panel are synchronized. In addition, when using a method of separating light emission using a delay of light emission as shown in JP-A-59-22046 without using a filter 28, a pulsed laser is used rather than a continuous wave laser. It is preferable to use it.
[0090]
Among the various laser light sources described above, the semiconductor laser is particularly preferably used because it is small and inexpensive and does not require a modulator.
[0091]
Since the filter 28 transmits the stimulated luminescence emitted from the radiation image conversion panel 23 and cuts the stimulated excitation light, this is the stimulation of the stimulable phosphor contained in the radiation image conversion panel 23. It is determined by the combination of the emission wavelength and the wavelength of the stimulated excitation light source 24.
[0092]
For example, in the case of a practically preferable combination in which the photostimulation excitation wavelength is 500 nm to 900 nm and the photostimulation emission wavelength is 300 to 500 nm, examples of the filter include C-39, C-40, V-40, manufactured by Toshiba Corporation. Purple-blue glass filters such as V-42, V-44, Corning 7-54, 7-59, Spectrofilm BG-1, BG-3, BG-25, BG-37, BG-38, etc. Can be used. If an interference filter is used, a filter having an arbitrary characteristic can be selected and used to some extent. The photoelectric conversion device 25 may be any device capable of converting a change in light quantity into a change in electronic signal, such as a photoelectric tube, a photomultiplier tube, a photodiode, a phototransistor, a solar cell, or a photoconductive element.
[0093]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these.
[0094]
Example 1
<< Preparation of radiation image conversion panel sample 1 >>
As described below, a stimulable phosphor into which an activator has been introduced, a stimulable phosphor plate having a stimulable phosphor layer containing the stimulable phosphor, and then the stimulator The radiation image conversion panel 1 was produced using the fluorescent phosphor plate.
[0095]
(Preparation of photostimulable phosphor plate 1): Introducing activator by dry method
Under the conditions shown in Table 1, the vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 (provided that θ1 = 5 degrees and θ2 = 5 degrees) is provided on the surface of a 1 mm thick crystallized glass (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) support. A stimulable phosphor layer having a stimulable phosphor (CsBr: Eu) was formed on the support to produce a stimulable phosphor plate 1.
[0096]
In addition, the dry method shown below was used for the introduction method of the activator (Eu) to the evaporation source material used at the time of vapor deposition.
[0097]
(Introduction of activator by dry method)
Cesium bromide and europium bromide as evaporation source materials are weighed in advance so as to have a blending ratio blended in the deposited film (CsBr: Eu), and collected. The fractionated cesium bromide is put in a metal crucible made of Ta (tantalum), which is a dedicated vapor source for cesium bromide, and the other europium bromide is put in another metal crucible made of Ta (tantalum).
[0098]
As the deposition conditions, after reaching the degree of vacuum described in Table 1 below, evaporation is performed as follows.
[0099]
After reaching the vacuum, the Ta metal crucible containing cesium bromide is degassed by increasing the temperature at a rate of 10 ° C./min until the crucible temperature reaches 650 ° C. Thereafter, after confirming that the inside of the crucible has been completely melted at 650 ° C., the installed shutter is opened to start film formation.
[0100]
In addition, the Ta metal crucible containing the other europium bromide is heated until the crucible temperature reaches 750 ° C. However, it is preferable to adjust the rate of temperature increase to 750 ° C. so that the time and timing until the temperature of the crucible containing the cesium bromide reaches 650 ° C. are matched.
[0101]
Here, the deposition conditions of the europium bromide and the cesium bromide are adjusted so that the compounding ratio is CsBr: Eu.
[0102]
Moreover, in the vapor deposition apparatus shown in FIG. 2, the distance d between the support and the slit is adjusted to 60 cm using an aluminum slit, and vapor deposition is performed while transporting the support in a direction parallel to the support. The thickness of the photostimulable phosphor layer was adjusted to 300 μm.
[0103]
The radiation image conversion panel 1 was produced using the stimulable phosphor plate 1 produced above. Specifically, an air layer as a low refractive index layer is 100 μm between each stimulable phosphor layer and glass used as a protective layer via a spacer on the glass-like side edge portion having the stimulable phosphor layer. A protective layer made of glass was provided so as to have a thickness of. In addition, the spacer is made of glass ceramics, and the thickness is adjusted so that the stimulable phosphor layer and the low refractive index layer (air layer) have a predetermined thickness between the support and the protective layer glass, The side edges of the glass support and the protective layer made of glass were bonded using an epoxy adhesive to produce the radiation image conversion panel 1.
[0104]
<< Production of Radiation Image Conversion Panels 2-8 >>
In the production of the radiation image conversion panel 1, when the stimulable phosphor plate 1 is produced, the method of introducing the activator is changed from the dry method to the wet method as shown below, and the stimulable phosphor layer is produced. Radiation image conversion panels 2 to 8 were produced in the same manner except that the conditions (deposition conditions) were set as described in Table 1.
[0105]
(Introduction of activator by wet method)
Cesium bromide and europium bromide as evaporation raw materials are mixed so as to have a predetermined blending ratio and dissolved in water to obtain an aqueous solution. The obtained aqueous solution is heated and dried and solidified to obtain particles having a diameter of 50 μm to 200 μm. The particles were dehydrated by heating under vacuum at 120 ° C. for 2 hours to obtain an evaporation source material.
[0106]
The obtained evaporation source was put into a crucible, and it was confirmed that the degree of vacuum in the vapor deposition chamber reached the target degree of vacuum described in Table 1, the applied current was increased, and the temperature of the crucible ranged from 750 ° C to 950 ° C. The evaporation source was evaporated while adjusting.
[0107]
The cesium bromide formed as described above contains Eu.
The obtained radiation image conversion panels 1 to 8 were each evaluated for luminance, sharpness, and bright afterglow ratio (also simply referred to as luminance afterglow), as described below.
[0108]
"Luminance"
The luminance was evaluated using a Regius 350 manufactured by Konica Corporation.
[0109]
X-rays were irradiated with a tungsten tube at 80 kVp and 10 mAs at a distance of 2 m between the bombardment source and the plate, and a plate was placed on the Regius 350 and read. Relative evaluation was performed based on the electrical signal from the obtained photomultiplier. The luminance of sample 2 was set to 1.0, and the subsequent values were expressed as relative values.
[0110]
《Sharpness》
The sharpness of the radiation image conversion panel sample was evaluated by obtaining a modulation transfer function (MTF).
[0111]
The MTF applies a CTF chart to a radiation image conversion panel sample, irradiates the radiation image conversion panel sample with 80 kVp X-rays at a distance of 10 mR (distance to the subject: 1.5 m), and then a semiconductor laser having a diameter of 100 μmφ (680 nm). : The CTF chart image was scanned and read using a power of 40 mW on the panel). The values in the table are shown as values obtained by adding MTF values of 1.0 lp / mm.
[0112]
《Sparkling afterglow ratio》
In the case of stimulating light emission, signal values are read and measured in the same manner as in luminance evaluation.
[0113]
For the measurement of the afterglow ratio, half of the laser is scanned at the time of laser scanning, the brightness value (a) after scanning is obtained, the half is set to laser off, and the value after 300 msec of X-ray explosion after the laser off (b). Was measured, and the ratio of brightness was determined as the ratio of brightness afterglow.
[0114]
Afterglow ratio (%) = (a / b) × 100
The obtained results are shown in Table 1.
[0115]
[Table 1]
Figure 0004304998
[0116]
From Table 1, it can be seen that the sample of the present invention is excellent in luminance and sharpness and has little afterglow compared to the comparison.
[0117]
【The invention's effect】
According to the present invention, it was possible to provide a radiographic image conversion panel having high contrast and high brightness and low afterglow, and a method for manufacturing the radiographic image conversion panel.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a radiation image conversion panel according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing an example of a method for producing a photostimulable phosphor layer on a support by vapor deposition.
[Explanation of symbols]
21 Radiation generator
22 Subject
23 Radiation image conversion panel
24 Excited light source
25 Photoelectric conversion device for detecting photostimulated fluorescence emitted by the conversion panel
26 Image playback device
27 Image display device
28 Filter

Claims (3)

支持体上に、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
少なくとも1層が、CsBr:Eu輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層であり、該輝尽性蛍光体層が、該支持体の温度100℃〜170℃、真空度10mPa〜700mPaで、気相法(気相堆積法ともいう)により50μm以上の膜厚を有するように形成され、且つ、該層中のCsBr:Eu輝尽性蛍光体の結晶子サイズが90nm〜109nmであることを特徴とする放射線画像変換パネル。
In a radiation image conversion panel having at least one photostimulable phosphor layer on a support,
At least one layer is a stimulable phosphor layer made of a CsBr: Eu stimulable phosphor, and the stimulable phosphor layer has a temperature of the support of 100 ° C. to 170 ° C. and a degree of vacuum of 10 mPa to 700 mPa. The film is formed to have a film thickness of 50 μm or more by a vapor phase method (also referred to as a vapor deposition method), and the crystallite size of the CsBr: Eu stimulable phosphor in the layer is 90 nm to 109 nm. Radiation image conversion panel characterized by.
前記CsBr:Eu輝尽性蛍光体の賦活剤であるEuが、湿式法による賦活剤導入が行われたことを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換パネル。The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein Eu, which is an activator of the CsBr: Eu stimulable phosphor, has been introduced with an activator by a wet method. 請求項1または2に記載の放射線画像変換パネルを製造するにあたり、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が、該支持体の温度100℃〜170℃、真空度10mPa〜700mPaで、気相法(気相堆積法ともいう)により、50μm以上の膜厚を有するように形成する工程を経て製造されることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。In producing the radiation image conversion panel according to claim 1, at least one stimulable phosphor layer has a temperature of 100 ° C. to 170 ° C. and a vacuum degree of 10 mPa to 700 mPa. A method for manufacturing a radiation image conversion panel, which is manufactured through a step of forming a film having a thickness of 50 μm or more by a vapor deposition method (also referred to as a vapor phase deposition method).
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