JP4391376B2 - フォトレジスト除去用シンナー組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、フォトレジスト除去用シンナー組成物に関するものである。さらに詳しく言えば、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるのみならず、人体に対する安定性が高く、多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化し、経済的に生産収率を向上させ得るフォトレジスト除去用シンナー組成物に関するものである。
半導体製造工程中、フォトリソグラフィー(photo lithography)工程は、ウエハー表面にフォトレジストを塗布し、予め設計された通りのパターンを転写し、転写現像されたウエハーのパターンによって所定部位をエッチングする蝕刻工程を通じて、電子回路を構成して行く作業であり、極めて重要な作業の一つである。
このようなフォトリソグラフィー工程は、
(1)ウエハー表面にフォトレジストを均一に塗布する工程、
(2)塗布されたフォトレジストより溶剤を蒸発させ、フォトレジストがウエハーの表面に付着するようにするソフトベーキング工程、
(3)紫外線等の光源を利用してマスク上の回路パターンを順次、反復、縮小投影しながらウエハーを露光させ、マスクのパターンをウエハー上に転写する露光工程、
(4)光源への露出による感光によって溶解度差のような物理的性質が異なる部分等を現像液を用いて選択的に除去する現像工程、
(5)現像作業後ウエハー上に残留するフォトレジストのウエハーへの、より緊密な固着のためのハードベーキング工程、
(6)現像されたウエハーのパターンによって電気的な特性を付与するために、所定部位をエッチングする蝕刻工程、及び
(7)前記工程後不要になったフォトレジストを除去する剥離工程、
等に大別できる。
(1)ウエハー表面にフォトレジストを均一に塗布する工程、
(2)塗布されたフォトレジストより溶剤を蒸発させ、フォトレジストがウエハーの表面に付着するようにするソフトベーキング工程、
(3)紫外線等の光源を利用してマスク上の回路パターンを順次、反復、縮小投影しながらウエハーを露光させ、マスクのパターンをウエハー上に転写する露光工程、
(4)光源への露出による感光によって溶解度差のような物理的性質が異なる部分等を現像液を用いて選択的に除去する現像工程、
(5)現像作業後ウエハー上に残留するフォトレジストのウエハーへの、より緊密な固着のためのハードベーキング工程、
(6)現像されたウエハーのパターンによって電気的な特性を付与するために、所定部位をエッチングする蝕刻工程、及び
(7)前記工程後不要になったフォトレジストを除去する剥離工程、
等に大別できる。
このようなフォトリソグラフィー工程の内、前記(2)のソフトベーキング工程後には、ウエハーのエッジ(edge)部分や裏面に塗布された不要なフォトレジストが存在する場合があるが、これらの存在により、エッチング、イオン注入等のような後続工程において種々の不良が発生し、それに伴い全体の半導体装置収率の低下をもたらす問題があるため、これらを除去する作業が必要である。
従来、ウエハーのエッジや裏面に存在する不要なフォトレジストを除去するために、ウエハーエッジ部分の上下に噴射ノズルを設置し、前記ノズルを通じてエッジや裏面に有機溶剤成分でなるシンナーを噴射する方法が主に用いられてきた。
従来、シンナー組成物として、セロソルブ、セロソルブアセテート、プロピレングリコールエーテル、プロピレングリコールエーテルアセテート等のエーテル及びエーテルアセテート類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メチルラクテート、エチルラクテート、メチルアセテート、エチルアセテート、ブチルアセテート等のエーテル類を用いるシンナー組成物が知られており、基板の主導部、縁導部、背面部の不要なフォトレジストに接触させて除去する方法が実施されている。
また、特公平4-49938号公報（特許文献１）は、シンナー組成物に関するものであり、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートを用いてフォトレジストを除去する方法について開示している。さらに、特開平4-42523号公報（特許文献２）は、シンナー組成物に関するものであり、アルキルアルコキシプロピオネートを用いて不要なレジストを除去する方法について開示している。
フォトレジストを除去するためのシンナー組成物に用いる有機溶剤としては、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートは溶解速度は優れるものの、揮発性と引火性が高く、とくに白血球減少症及び胎児流産等の生殖毒性に問題がある。また、エチルラクテートは粘度が高く溶解速度が低いため、単独では十分な洗浄効果が得られず、アセトン、メチルエチルケトン等のような有機溶剤は引火点が低く、作業安定性が著しく低下する等の問題があった。
従って、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるシンナー組成物に関する研究が一層必要なのが実情である。
本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決し、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去することができるフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、人体に対する安定性が高く、作業者に対しより安全で多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程の生産収率を向上させ得るフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供するものである。
本発明の他の目的は、人体に対する安定性が高く、作業者に対しより安全で多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程の生産収率を向上させ得るフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供するものである。
前記目的を達成するために、本発明は
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、及び
ｃ）アルキルラクテート
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、及び
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部を含む。
さらに本発明は
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、及び
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、及び
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物 0.001〜１質量部を含む。
さらに、本発明はフォトレジスト除去用シンナー組成物において、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー 0.001〜0.1質量部を含む。
さらに、本発明はフォトレジスト除去用シンナー組成物において、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物 0.001〜１質量部、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー 0.001〜0.1質量部を含む。
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、及び
ｃ）アルキルラクテート
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、及び
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部を含む。
さらに本発明は
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、及び
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、及び
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物 0.001〜１質量部を含む。
さらに、本発明はフォトレジスト除去用シンナー組成物において、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー 0.001〜0.1質量部を含む。
さらに、本発明はフォトレジスト除去用シンナー組成物において、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物を提供する。
好ましくは、前記シンナー組成物は、
ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物 0.001〜１質量部、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー 0.001〜0.1質量部を含む。
本発明に伴うフォトレジスト除去用シンナー組成物は、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と、後面部位に付着した不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるばかりでなく、同時に人体に対する安定性が高く、作業者に対しより安全で多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化して経済的に生産収率を向上させ得る利点がある。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明者等は、人体には無害でありながら、フォトレジストを短時間で効率的に除去できるシンナー組成物について研究を重ねる内、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルエタノエート、及びアルキルラクテートを用いて製造したシンナー組成物が、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるばかりでなく、人体に対する安定性が高く、多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化して経済的に生産収率を向上させ得ることを確認し、本発明を完成するに至った。
本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ｂ）アルキルエタノエート、及びｃ）アルキルラクテートを含むことを特徴とする。
本発明者等は、人体には無害でありながら、フォトレジストを短時間で効率的に除去できるシンナー組成物について研究を重ねる内、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルエタノエート、及びアルキルラクテートを用いて製造したシンナー組成物が、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着している不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるばかりでなく、人体に対する安定性が高く、多様な工程に適用可能であり、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化して経済的に生産収率を向上させ得ることを確認し、本発明を完成するに至った。
本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ｂ）アルキルエタノエート、及びｃ）アルキルラクテートを含むことを特徴とする。
本発明に用いられる前記ａ）のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ｂ）のアルキルエタノエート、及びｃ）のアルキルラクテートは、シンナー組成物に溶剤として用いられ、各々半導体等級の極めて純粋なものを用いることができ、ＶＬＳＩ等級では0.1μm水準にろ過されたものが用いられる。
本発明に用いられる前記ａ）のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートは、アルキル基の炭素数が１〜５のものを用いるのが好ましく、具体的にはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、又はプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等がさらに好ましく、高分子に対する溶解度が優れているプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いるのが特に好ましい。
前記プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートは、空気中に露出された際、人体に対する安定性及び安全性が高く、物質代謝の面でも人体内で急速にプロピレングリコールとアルコールに分解されるので安全である。さらに、毒性試験では、口腔投与によるマウスの５０%致死量を示すＬＤ50(mouse)＝8.5g/kgを示し、加水分解により速く分解される。その物理的性質は沸点１４６℃、引火点４２℃（クローズドカップ方式で測定）、粘度1.17cps（２５℃）、表面張力２６dyne/cmである。
前記ａ）のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートは、シンナー組成物１００質量部に対し１〜７０質量部含まれるのが好ましく、その場合、適正な揮発力と溶解力を発揮しフォトレジストの除去に効果的である。
本発明に用いられる前記ｂ）のアルキルエタノエートは、アルキル基の炭素数が１〜４であるものが好ましく、その具体例としては、例えば、メチルエタノエート、エチルエタノエート、イソプロピルエタノエート、ノルマルプロピルエタノエート、又はブチルエタノエート等が挙げられる。
前記ｂ）のアルキルエタノエートとしては、好ましくは、粘度が比較的低く適当な揮発度を有するイソプロピルエタノエート、ノルマルプロピルエタノエート、又はブチルエタノエートを用いる。最も好ましくは、各種樹脂に対する溶解度が優れ、特に表面張力が低いばかりでなく、シンナー組成物に所定の含量のみを添加しても優れた界面特性を発揮できるブチルエタノエートを用いる。ブチルエタノエートは、毒性実験で口腔投与によるマウスの５０％致死量を示すＬＤ50(mouse)＝7.0ｇ／ｋｇを示し、物理的性質は沸点126.1℃、引火点２３℃（クローズドカップ方式で測定）、粘度0.74cps（２５℃）、表面張力２５dyne/cmである。
前記ｂ）のアルキルエタノエートとしては、好ましくは、粘度が比較的低く適当な揮発度を有するイソプロピルエタノエート、ノルマルプロピルエタノエート、又はブチルエタノエートを用いる。最も好ましくは、各種樹脂に対する溶解度が優れ、特に表面張力が低いばかりでなく、シンナー組成物に所定の含量のみを添加しても優れた界面特性を発揮できるブチルエタノエートを用いる。ブチルエタノエートは、毒性実験で口腔投与によるマウスの５０％致死量を示すＬＤ50(mouse)＝7.0ｇ／ｋｇを示し、物理的性質は沸点126.1℃、引火点２３℃（クローズドカップ方式で測定）、粘度0.74cps（２５℃）、表面張力２５dyne/cmである。
前記ｂ）のアルキルエタノエートはシンナー組成物１００質量部に対し、１０〜９０質量部含まれるのが好ましく、その場合、適正な揮発力と溶解力を発揮しフォトレジストの除去に効果的である。
本発明に用いられる前記ｃ）のアルキルラクテートはメチルラクテート、エチルラクテート、またはブチルラクテート等も用いられる。
本発明に用いられる前記ｃ）のアルキルラクテートはメチルラクテート、エチルラクテート、またはブチルラクテート等も用いられる。
特に前記エチルラクテートは米国食品医薬局（ＦＤＡ）で人体に対する高い安定性が認められ、現在食品添加剤にも用いられている。エチルラクテートは、毒性実験では、口腔投与によるマウスの５０％致死量を示すＬＤ50(mouse)＝5.0g/kgを示し、物質代謝の面でも人体内で急速に乳酸とエタノールに分解され安全である。物理的性質は沸点１５６℃、引火点５２℃（クローズドカップ方式で測定）、粘度2.38cps（２５℃）、表面張力３４dyne/cm、溶解度パラメータ＝１０である。
前記ｃ）のアルキルラクテートは感光性樹脂の感光剤成分に対する溶解度が、他の異なる溶剤に比べて卓越しており、シンナー組成物１００質量部に対して１〜１０質量部含まれるのが好ましい。その場合、粘度を低めることができ、シンナーとして用いる場合、優れた特性を発揮できる効果がある。
さらに、本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物を含むことができる。
前記ポリエチレンオキサイド系縮合物は、シンナー組成物において、非イオン系界面活性剤として作用し、水と各種溶剤に優れた溶解性を示し、シンナーがフォトレジストと接触する時、界面でその段差を効果的に減らす作用をする。
前記ポリエチレンオキサイド系縮合物は、シンナー組成物において、非イオン系界面活性剤として作用し、水と各種溶剤に優れた溶解性を示し、シンナーがフォトレジストと接触する時、界面でその段差を効果的に減らす作用をする。
前記ｄ）のポリエチレンオキサイド系縮合物は、直鎖状又は分岐状の炭素数６〜１２のアルキル基を有するアルキルフェノールと、前記アルキルフェノール１モル当り５〜２５モルのエチレンオキサイドを縮合させた縮合生成物を含むのが好ましい。前記のような化合物内のアルキル置換体の具体例としては、重合させたプロピレン、ジイソブチレン(di-isobutylene)、オクテン、又はノネンから誘導されたノニルフェノール１モル当り、エチレンオキサイド約9.5モルを縮合させたノニルフェノール、フェノール１モル当り約１２モルのエチレンオキサイドを縮合させたドデシルフェノール、又はフェノール１モル当り約１５モルのエチレンオキサイドを縮合させたジイソオクチルフェノール(di-isooctylphenol)等が挙げられる。
前記ｄ）のポリエチレンオキサイド系縮合物は、シンナー組成物１００質量部に対して0.001〜１質量部含まれるのが好ましく、その場合、基板の端部におけるシンナーの揮発性と洗浄力の効果が持続的に維持され、泡の発生がなく使用が容易となる。
さらに、本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物はｅ）フッ素化アクリリックコポリマーを含むことができる。
前記ｅ）のフッ素化アクリリックコポリマーは、水と各種溶剤に優れた溶解性を有する。
前記ｅ）のフッ素化アクリリックコポリマーは、水と各種溶剤に優れた溶解性を有する。
前記ｅ）のフッ素化アクリリックコポリマーは、質量平均分子量が3,000〜10,000のものを用いるのが好ましく、引火点２００℃（オープンカップ方式で測定）、比重1.10g/mL（２５℃）、粘度2100cst（２０℃）、表面張力（エチルラクテート状で）24.0mN/m(Wilhermy method)の物性を有するものが好ましい。さらに、前記ｅ）のフッ素化アクリリックコポリマーはエチルラクテートに希釈混合して用いるのが好ましい。
前記ｅ）のフッ素化アクリリックポリマーはシンナー組成物に対して、0.001〜0.1質量部含まれるのが好ましく、その場合には、フォトレジストに対する界面で動的表面張力を低めて優れた除去ができる。
前記のような成分から構成される、本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、滴下又はノズルを通じたスプレー方式で噴射して基板のエッジと後面部位に発生した不要なフォトレジストを除去する。
さらに、前記フォトレジスト除去用シンナー組成物の滴下、あるいは噴射量は使用する感光性樹脂の種類、膜の厚さにより調節して使用することが可能であり、好ましくは５〜１００ｃｃ／ｍｉｎの範囲内の流量で選択して用いるのが好ましい。本発明では、前記のようにシンナー組成物を噴射した後、後続フォトリソグラフィー工程を経て、微細回路パターンを形成することができる。
前記のような本発明のフォトレジスト除去用シンナー組成物は、液晶ディスプレイデバイスに用いられるガラス基板、及び半導体製造に用いられるウエハーの縁と後面部位に付着した不要なフォトレジストを短時間で効率的に除去できるばかりでなく、同時に人体に対する安定性が高く、作業者に対しより安全で多様な工程に適用可能にして、液晶ディスプレイデバイス及び半導体製造工程を簡便化して経済的に生産収率を向上させ得る利点がある。
以下、実施例を挙げて本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
［実施例］
実施例１
プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(propyleneglycol monoethylether acetate,PGMEA)１０質量部、ブチルアセテート(butyl acetate,NBA)８０質量部、エチルラクテート(ethyl lactate,EL)１０質量部を均一に混合してシンナー組成物を製造した。
実施例１
プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(propyleneglycol monoethylether acetate,PGMEA)１０質量部、ブチルアセテート(butyl acetate,NBA)８０質量部、エチルラクテート(ethyl lactate,EL)１０質量部を均一に混合してシンナー組成物を製造した。
実施例２〜５、及び比較例１〜４
下記表１に示した成分と組成比としたことを除いては、前記実施例１と同様の方法でシンナー組成物を製造した。表１の単位は質量部である。
下記表１に示した成分と組成比としたことを除いては、前記実施例１と同様の方法でシンナー組成物を製造した。表１の単位は質量部である。
前記実施例１〜５及び比較例１〜４で製造したシンナー組成物による不要なフォトレジストの除去程度を測定するために、下記の通りＥＢＲ実験を実施し、その結果を表４に示した。
先ず、直径８インチの酸化シリコン基板を各々過酸化水素／硫酸混合物を含有する２個の浴で洗浄（各々の浴に５分間浸潜させる）した後、超純水で濯いだ。この過程は注文製作した洗浄設備で行った。以後、これらの基板をスピンドライヤー(VERTEQ社製品，モデルSRD 1800-6)で回転乾燥させた。その後、基板の上部面に表２に示した各々のフォトレジストを回転被覆機(EBR TRACK，高麗半導体社)を用いて一定の厚さに被覆した。前記被覆操作において、フォトレジスト１０ｃｃを停止した基板の中央に滴下した。以後、回転被覆機を用いて５００ｒｐｍで３秒間フォトレジストを分布させた後、基板を約2,000〜4,000rpm程度の回転速度で加速させ、各フォトレジストを所定の厚さに調整した。この時の回転時間は約２０〜３０秒である。
先ず、直径８インチの酸化シリコン基板を各々過酸化水素／硫酸混合物を含有する２個の浴で洗浄（各々の浴に５分間浸潜させる）した後、超純水で濯いだ。この過程は注文製作した洗浄設備で行った。以後、これらの基板をスピンドライヤー(VERTEQ社製品，モデルSRD 1800-6)で回転乾燥させた。その後、基板の上部面に表２に示した各々のフォトレジストを回転被覆機(EBR TRACK，高麗半導体社)を用いて一定の厚さに被覆した。前記被覆操作において、フォトレジスト１０ｃｃを停止した基板の中央に滴下した。以後、回転被覆機を用いて５００ｒｐｍで３秒間フォトレジストを分布させた後、基板を約2,000〜4,000rpm程度の回転速度で加速させ、各フォトレジストを所定の厚さに調整した。この時の回転時間は約２０〜３０秒である。
前記のように準備されたフォトレジストが被覆された基板に、前記実施例１〜５及び比較例１〜４で製造したシンナー組成物を各々噴射して、表３の条件でフォトレジストを除去した。この際、各々のシンナー組成物は圧力計が装置された加圧筒で供給され、この時の加圧圧力は1.0ｋｇｆであり、ＥＢＲノズルから出るシンナー組成物の流量は１０〜２０ｃｃ／ｍｉｎとした。
前記表４より、実施例１〜５のシンナー組成物等は全てのフォトレジストに対して優れたＥＢＲ性能(EBR line uniformity)を示し、特にポリエチレンオキサイド系縮合物、フッ素化アクリリックコポリマー、又はこれらを混合使用した実施例３〜５の場合にさらに優れたＥＢＲ性能を示し、これにより本発明のシンナー組成物はフォトレジスト除去性能に優れていることが分かった。
反面、本発明のようにプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルエタノエート、及びアルキルラクテートを含まない比較例１〜４の場合は、フォトレジストに対する浸透が抑制され、実施例等に比べて性能が著しく低下したことを確認することができた。
反面、本発明のようにプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルエタノエート、及びアルキルラクテートを含まない比較例１〜４の場合は、フォトレジストに対する浸透が抑制され、実施例等に比べて性能が著しく低下したことを確認することができた。
Claims (13)
- ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、及び
ｃ）アルキルラクテート
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物。 - ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、及び
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部
を含む請求項１に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。 - 前記プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートが、アルキル基の炭素数が１〜５のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテートからなる群から選ばれる１種以上である請求項１に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
- 前記アルキルエタノエートが、アルキル基の炭素数が１〜４の、メチルエタノエート、エチルエタノエート、イソプロピルエタノエート、ノルマルプロピルエタノエート、及びブチルエタノエートからなる群から選ばれる１種以上である請求項１に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
- 前記アルキルラクテートがメチルラクテート、エチルラクテート、及びブチルラクテートからなる群から選ばれる１種以上である請求項１に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
- ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、及び
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物。 - ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、及び
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物 0.001〜１質量部
を含む請求項６に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。 - 前記ポリエチレンオキサイド系縮合物が直鎖状又は分岐状の炭素数６〜１２のアルキル基を有するアルキルフェノール、及び前記アルキルフェノール１モル当り５〜２５モルのエチレンオキサイドを縮合させる縮合生成物である請求項６に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
- ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物。 - ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー 0.001〜１質量部
を含む請求項９に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。 - 前記フッ素化アクリリックコポリマーの質量平均分子量が3,000〜10,000である請求項９に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
- ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、
ｂ）アルキルエタノエート、
ｃ）アルキルラクテート、
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー
を含むフォトレジスト除去用シンナー組成物。 - ａ）プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート １〜７０質量部、
ｂ）アルキルエタノエート １０〜９０質量部、
ｃ）アルキルラクテート １〜１０質量部、
ｄ）ポリエチレンオキサイド系縮合物 0.001〜１質量部、及び
ｅ）フッ素化アクリリックコポリマー0.001〜0.1質量部
を含む請求項１２に記載のフォトレジスト除去用シンナー組成物。
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