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JP4382064B2 - Optical waveguide module - Google Patents

Optical waveguide module Download PDF

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JP4382064B2
JP4382064B2 JP2006189481A JP2006189481A JP4382064B2 JP 4382064 B2 JP4382064 B2 JP 4382064B2 JP 2006189481 A JP2006189481 A JP 2006189481A JP 2006189481 A JP2006189481 A JP 2006189481A JP 4382064 B2 JP4382064 B2 JP 4382064B2
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俊博 大谷
知幸 伊藤
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

本発明は、一般的に、導波路上にAu電極を形成した光変調器モジュール、偏波スクランブラモジュール等の光導波路モジュールに関し、特に、良好な高周波特性を有する光導波路モジュールに関する。   The present invention generally relates to an optical waveguide module such as an optical modulator module or a polarization scrambler module in which an Au electrode is formed on a waveguide, and more particularly to an optical waveguide module having good high-frequency characteristics.

最近の光ファイバ通信システムにおいては、伝送速度の増大に伴い変調速度も増大している。レーザダイオードの直接強度変調では、波長チャーピングにより波形歪みを引き起こす。この問題を避けるために、外部変調器として使用される光変調器モジュールに対する期待が高まっている。   In recent optical fiber communication systems, the modulation rate has increased with the increase in transmission rate. In direct intensity modulation of a laser diode, waveform chirping causes waveform distortion. In order to avoid this problem, there is an increasing expectation for an optical modulator module used as an external modulator.

また、高速光伝送システムが実用化されているが、長距離大容量の高速光伝送システムにおいては、偏波のホールバーニング等による偏向依存性利得や損失が符号誤り率劣化を引き起こしている。この問題を解決する手段として、伝送光の偏波状態を高速で変化させ無偏波化する偏波スクランブラが有効である。   In addition, high-speed optical transmission systems have been put to practical use, but in high-speed optical transmission systems with long distances and large capacities, deflection-dependent gain and loss due to polarization hole burning and the like cause code error rate degradation. As a means for solving this problem, a polarization scrambler that changes the polarization state of transmitted light at high speed to make it non-polarized is effective.

実用的な外部変調器として、リチウムナイオベート(LiNbO3)等の誘電体結晶基板を用いたマッハツェンダ型の光変調器(LN変調器)が開発されている。光源からの一定強度のキャリア光がLN変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング動作によって強度変調された光信号が得られる。 As a practical external modulator, a Mach-Zehnder type optical modulator (LN modulator) using a dielectric crystal substrate such as lithium niobate (LiNbO 3 ) has been developed. Carrier light of constant intensity from the light source is supplied to the LN modulator, and an optical signal whose intensity is modulated by a switching operation using optical interference is obtained.

LN変調器チップは、Zカットされたリチウムナイオベート結晶からなる誘電体基板の表面に、チタンを熱拡散させて屈折率を高めることによりその両端部近傍でそれぞれ結合された一対の光導波路を形成し、その上にSiO2からなるバッファ層を形成し、更にバッファ層の上に光導波路に対応して信号電極(進行波電極)及び接地電極を形成して構成される。 The LN modulator chip forms a pair of optical waveguides that are coupled in the vicinity of both ends of the dielectric substrate made of Z-cut lithium niobate crystal by thermally diffusing titanium to increase the refractive index. A buffer layer made of SiO 2 is formed thereon, and a signal electrode (traveling wave electrode) and a ground electrode are formed on the buffer layer corresponding to the optical waveguide.

光導波路の一端から入射された信号光は分岐されて一対の光導波路を伝搬する。一方の光導波路上に形成された信号電極に駆動電圧を印加すると、電気光学効果により分岐された双方の信号光に位相差が生じる。   The signal light incident from one end of the optical waveguide is branched and propagates through the pair of optical waveguides. When a driving voltage is applied to a signal electrode formed on one optical waveguide, a phase difference is generated between both signal lights branched by the electro-optic effect.

LN変調器では、これらの信号光を再び結合させて光信号出力として取り出す。一対の光導波路を伝搬する信号光の位相差が例えば0又はπになるように駆動電圧を印加すれば、オン/オフのパルス信号を得ることができる。   In the LN modulator, these signal lights are combined again and taken out as an optical signal output. An on / off pulse signal can be obtained by applying a drive voltage so that the phase difference between the signal light propagating through the pair of optical waveguides is, for example, 0 or π.

LN変調器で変調速度の高速化を実現するには、良好な高周波特性(マイクロ波の減衰特性や電気反射のマイクロ波特性)を得ることが必須である。   In order to increase the modulation speed with an LN modulator, it is essential to obtain good high frequency characteristics (microwave attenuation characteristics and electrical reflection microwave characteristics).

従来のLN変調器モジュールでは、変調器チップの接地(グランド)が完全に取りきれていないために、高周波においてマイクロ波特性のディップが発生し、十分な広帯域性を実現するのが困難であるという問題があった。この問題は、偏波スクランブラモジュール又は光位相変調器モジュール等の他の光導波路モジュールでも同様に発生する。   In the conventional LN modulator module, since the ground (ground) of the modulator chip is not completely removed, a dip in the microwave characteristic occurs at high frequencies, and it is difficult to realize sufficient broadband characteristics. There was a problem. This problem similarly occurs in other optical waveguide modules such as a polarization scrambler module or an optical phase modulator module.

よって本発明の目的は、良好な高周波特性を発揮することのできる光導波路モジュールを提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical waveguide module that can exhibit good high-frequency characteristics.


本発明によると、底面と、該底面に形成されたチップ挿入溝を有する金属パッケージと電気光学効果を有す基板と、該基板上に形成された光導波路と、前記基板の端部において駆動信号を入力され第1曲がり部と第2曲がり部との間の領域で前記光導波路を伝搬する信号に位相差を与える位置に形成された信号電極と、前記基板上に形成された接地電極と、前記基板、前記光導波路、前記信号電極、前記接地電極を含み、前記金属パッケージの前記チップ挿入溝中に挿入固定された導波路チップとを備え、前記接地電極は、前記信号電極の前記第1及び第2曲がり部近傍、および、前記信号電極に前記駆動信号を入力される前記端部近傍においてのみ、前記金属パッケージにそれぞれ金リボンによりボンディング接続されたことを特徴とする光導波路モジュールが提供される。

According to the present invention, a bottom surface, a metal package having a chip insertion groove formed on the bottom surface, a substrate having an electro-optic effect, an optical waveguide formed on the substrate, and driving at an end of the substrate A signal electrode formed at a position where a signal is input and a phase difference is given to a signal propagating through the optical waveguide in a region between the first bent portion and the second bent portion; and a ground electrode formed on the substrate; A waveguide chip that includes the substrate, the optical waveguide, the signal electrode, and the ground electrode, and is inserted and fixed in the chip insertion groove of the metal package, and the ground electrode is the first electrode of the signal electrode. 1 and the second bending portion near and at the end near inputted the driving signals to the signal electrodes only, be characterized in that it is bonding connection by respective gold ribbon to the metal package Optical waveguide module is provided.

本発明は、接地電極を信号電極の第1及び第2曲がり部近傍で第1及び第2リボンを介して金属パッケージにそれぞれボンディング接続したため、高周波におけるマイクロ波特性のディップを有効に低減させることができ、光導波路モジュールの広帯域性を実現することができる。   In the present invention, since the ground electrode is bonded and connected to the metal package via the first and second ribbons in the vicinity of the first and second bent portions of the signal electrode, the dip of microwave characteristics at high frequency is effectively reduced. Therefore, the broadband property of the optical waveguide module can be realized.

図1を参照すると、本発明が適用される光変調器モジュールの外観が示されている。この光変調器モジュールは、入力ポート2で受けた光を変調して、変調された光を出力ポート4から出力する。この実施形態では、ポート2及び4はそれぞれ光コネクタである。   Referring to FIG. 1, the appearance of an optical modulator module to which the present invention is applied is shown. This optical modulator module modulates the light received at the input port 2 and outputs the modulated light from the output port 4. In this embodiment, ports 2 and 4 are each optical connectors.

この光変調器モジュールは、後述する変調器チップ(導波路チップ)が内蔵される金属パッケージ6を有している。金属パッケージ6は例えばステンレス鋼から形成されている。パッケージ6の両端には、ポート2及び4をそれぞれパッケージ6と接続するためのピッグテール型のファイバアセンブリ8及び10が設けられている。   This optical modulator module has a metal package 6 in which a modulator chip (waveguide chip) described later is built. The metal package 6 is made of stainless steel, for example. At both ends of the package 6, pigtail type fiber assemblies 8 and 10 for connecting the ports 2 and 4 to the package 6 are provided.

パッケージ6の一方の側面には、高速信号用の同軸コネクタ12及び14が設けられている。パッケージ6を図示しないケーシング等に固定するために、パッケージ6の底部には金具18が固定されている。   On one side of the package 6, coaxial connectors 12 and 14 for high-speed signals are provided. In order to fix the package 6 to a casing or the like (not shown), a metal fitting 18 is fixed to the bottom of the package 6.

図2を参照すると、本発明実施形態の光変調器モジュールの平面図が示されている。この図においては、図1に示した光コネクタ2,4及びファイバアセンブリ8,10等は省略されている。   Referring to FIG. 2, a plan view of an optical modulator module according to an embodiment of the present invention is shown. In this figure, the optical connectors 2 and 4 and the fiber assemblies 8 and 10 shown in FIG. 1 are omitted.

図4及び図5に最もよく示されるように、金属パッケージ6の底面20にはチップ挿入溝22がパッケージの長手方向に渡り形成されている。チップ挿入溝22中に変調器チップ24が挿入され、接着剤66により固定されている(図5参照)。   As best shown in FIGS. 4 and 5, chip insertion grooves 22 are formed in the bottom surface 20 of the metal package 6 in the longitudinal direction of the package. The modulator chip 24 is inserted into the chip insertion groove 22 and fixed by an adhesive 66 (see FIG. 5).

図2及び図4に示すように、金属パッケージ6の底面20には変調器チップ24固定時に接着剤を逃がすための切欠き62が形成されている。更に、図5に示すように、チップ挿入溝22の1つのコーナー部に接着剤逃がし用の細い溝64が形成されている。   As shown in FIGS. 2 and 4, a notch 62 is formed on the bottom surface 20 of the metal package 6 for releasing the adhesive when the modulator chip 24 is fixed. Furthermore, as shown in FIG. 5, a narrow groove 64 for releasing the adhesive is formed at one corner of the chip insertion groove 22.

変調器チップ24は電気光学効果を有する誘電体から形成されており、本実施形態においてはリチウムナイオベート(LiNbO3)から形成されている。変調器チップ24は図2で点線で示されたマッハツェンダ型光導波路構造26を有している。 The modulator chip 24 is made of a dielectric material having an electro-optic effect. In the present embodiment, the modulator chip 24 is made of lithium niobate (LiNbO 3 ). The modulator chip 24 has a Mach-Zehnder type optical waveguide structure 26 indicated by a dotted line in FIG.

光導波路構造26は、入力光導波路28と、出力光導波路30と、入力光導波路28と出力光導波路30の間に伸長する第1及び第2光導波路32,34から構成されている。   The optical waveguide structure 26 includes an input optical waveguide 28, an output optical waveguide 30, and first and second optical waveguides 32 and 34 extending between the input optical waveguide 28 and the output optical waveguide 30.

第1及び第2光導波路32,34はY分岐36により入力光導波路28に接続され、Y分岐38により出力光導波路30にそれぞれ接続されている。光導波路構造26はLiNbO3基板にチタン(Ti)を熱拡散することにより形成されている。 The first and second optical waveguides 32 and 34 are connected to the input optical waveguide 28 by the Y branch 36 and are connected to the output optical waveguide 30 by the Y branch 38. The optical waveguide structure 26 is formed by thermally diffusing titanium (Ti) on a LiNbO 3 substrate.

入力光導波路28に供給された信号光は、Y分岐36で光パワーが実質的に二等分されて第1及び第2光導波路32,34で導波される。この導波光はY分岐38で出力光導波路30に結合される。   The signal light supplied to the input optical waveguide 28 is guided by the first and second optical waveguides 32 and 34 with the optical power substantially divided into two at the Y branch 36. This guided light is coupled to the output optical waveguide 30 at the Y branch 38.

第1及び第2光導波路32,34を導波する光の位相差に応じて、出力光導波路30を光が導波する結合モードと、Y分岐38から変調器チップ24内に光が放射される放射モード(漏洩モード)とが切り換えられる。   Light is radiated from the Y branch 38 into the modulator chip 24 according to the phase difference between the light guided through the first and second optical waveguides 32 and 34 and the coupling mode in which the light is guided through the output optical waveguide 30. The radiation mode (leakage mode) is switched.

分岐された信号光の間の位相を変化させるために、第1光導波路32上には信号電極(進行波電極)40が設けられており、第2光導波路34上には接地電極42が設けられている。更に、第1光導波路32に対して接地電極42の反対側の基板上には他の接地電極44が形成されている。   In order to change the phase between the branched signal lights, a signal electrode (traveling wave electrode) 40 is provided on the first optical waveguide 32, and a ground electrode 42 is provided on the second optical waveguide 34. It has been. Further, another ground electrode 44 is formed on the substrate opposite to the ground electrode 42 with respect to the first optical waveguide 32.

信号電極40は概略直角の2つの曲がり部40a,40bを有している。信号電極40及び接地電極42,44は、例えば金(Au)の蒸着により形成されている。図示はしないが、電極40,42,44の下にはSiO2バッファ層が形成されている。 The signal electrode 40 has two bent portions 40a and 40b that are substantially perpendicular. The signal electrode 40 and the ground electrodes 42 and 44 are formed, for example, by vapor deposition of gold (Au). Although not shown, an SiO 2 buffer layer is formed under the electrodes 40, 42 and 44.

信号電極40は金リボン46により同軸コネクタ12の内部導体に接続された端子パターン12aにボンディング接続され、金リボン48により同軸コネクタ14の内部導体に接続された端子パターン14aにボンディング接続されている。   The signal electrode 40 is bonded to the terminal pattern 12 a connected to the inner conductor of the coaxial connector 12 by a gold ribbon 46, and is bonded to the terminal pattern 14 a connected to the inner conductor of the coaxial connector 14 by a gold ribbon 48.

一方、接地電極42は2つの金リボン50,52により金属パッケージ6の底面20にボンディング接続されており、接地電極44は4つの金リボン54,56,58,60により金属パッケージ6の底面20にボンディング接続されている。   On the other hand, the ground electrode 42 is bonded to the bottom surface 20 of the metal package 6 by two gold ribbons 50 and 52, and the ground electrode 44 is connected to the bottom surface 20 of the metal package 6 by four gold ribbons 54, 56, 58 and 60. Bonded connection.

本発明では、信号電極40の曲がり部40a,40bに対する金リボン58,60の位置関係が殊に重要である。即ち、光変調器モジュールの高速化を実現するためには、変調器チップ24の接地を完全にとることが重要であり、これを実現するためには金リボン58,60の信号電極40の曲がり部40a,40bに対する位置関係が重要であることが判明した。   In the present invention, the positional relationship of the gold ribbons 58 and 60 with respect to the bent portions 40a and 40b of the signal electrode 40 is particularly important. That is, in order to realize a high-speed optical modulator module, it is important to completely ground the modulator chip 24. In order to realize this, the bending of the signal electrodes 40 of the gold ribbons 58 and 60 is important. It has been found that the positional relationship with respect to the parts 40a and 40b is important.

本発明者が種々実験した結果、高周波におけるマイクロ波特性のディップを低減させるためには、図8に示すように信号電極40の曲がり部40aを中心として変調器チップ24の長手方向±0.5mmの範囲内(範囲A)に金リボン58をボンディングし、同様に、曲がり部40bを中心として変調器チップ24の長手方向±0.5mmの範囲内に金リボン60をボンディングするのが望ましい。   As a result of various experiments by the present inventor, in order to reduce the dip of microwave characteristics at high frequencies, the longitudinal direction of the modulator chip 24 with respect to the bent portion 40a of the signal electrode 40 as shown in FIG. It is desirable that the gold ribbon 58 is bonded within a range of 5 mm (range A), and similarly, the gold ribbon 60 is bonded within a range of ± 0.5 mm in the longitudinal direction of the modulator chip 24 around the bent portion 40b.

図6は本発明実施形態のマイクロ波特性を示している。即ち、図6は図8のAの範囲内に金リボン58をボンディングしたときの光変調器モジュールのマイクロ波特性を示している。図6から明らかなように、高周波におけるマイクロ波特性のディップが効果的に低減されている。   FIG. 6 shows the microwave characteristics of the embodiment of the present invention. That is, FIG. 6 shows the microwave characteristics of the optical modulator module when the gold ribbon 58 is bonded within the range of A in FIG. As is apparent from FIG. 6, the dip of microwave characteristics at high frequencies is effectively reduced.

図7は信号電極の曲がり部から所定距離離れて金リボンをボンディングした場合の光変調器モジュールのマイクロ波特性を示している。即ち、図7は図8のB及びCの範囲内に金リボン58をボンディングした場合のマイクロ波特性を示している。   FIG. 7 shows the microwave characteristics of the optical modulator module when a gold ribbon is bonded at a predetermined distance from the bent portion of the signal electrode. That is, FIG. 7 shows the microwave characteristics when the gold ribbon 58 is bonded within the range of B and C in FIG.

図7を観察すると明らかなように、高周波においてマイクロ波特性の大きなディップが発生している。図6と図7を比較すると明らかなように、図6に示した本発明実施形態では高周波のマイクロ特性が図7に比較して顕著に改善されている。   As is clear from observation of FIG. 7, a dip having a large microwave characteristic occurs at a high frequency. As is apparent from a comparison between FIG. 6 and FIG. 7, in the embodiment of the present invention shown in FIG. 6, the high-frequency micro characteristics are remarkably improved as compared with FIG.

本実施形態で使用した金リボンは0.4〜0.5mmの幅を有している。変調器チップ24は約1mm×1mmの断面形状を有しており、その長さは約4〜5cmである。   The gold ribbon used in this embodiment has a width of 0.4 to 0.5 mm. The modulator chip 24 has a cross-sectional shape of about 1 mm × 1 mm, and its length is about 4 to 5 cm.

また、変調器チップ24の十分な接地を実現するためには、図5に示すように変調器チップ24がチップ挿入溝22内に挿入されたとき、変調器チップ24の側面とチップ挿入溝22を画成する金属パッケージ6の壁面との間の距離Gを0.5mm以下にする必要がある。この距離Gが大き過ぎると、複数の金リボンのボンディングにより変調器チップ24の十分なアースを取ることが困難となる。   In order to realize sufficient grounding of the modulator chip 24, when the modulator chip 24 is inserted into the chip insertion groove 22 as shown in FIG. The distance G between the metal package 6 and the wall surface of the metal package 6 must be 0.5 mm or less. If the distance G is too large, it becomes difficult to sufficiently ground the modulator chip 24 by bonding a plurality of gold ribbons.

高周波においてマイクロ波特性のディップが発生する問題は、光変調器モジュールに限られるものではなく、偏波スクランブラモジュール又は光位相変調器モジュール等の他の光導波路モジュールでも同様に発生する。   The problem that the microwave characteristic dip occurs at a high frequency is not limited to the optical modulator module, but also occurs in other optical waveguide modules such as a polarization scrambler module or an optical phase modulator module.

図9は本発明の他の実施形態の概略平面図である。この実施形態は、偏波スクランブラ又は光位相変調器に本発明を適用した場合の実施形態である。図2に示した第1実施形態と同一構成部分については同一符号を付して説明する。   FIG. 9 is a schematic plan view of another embodiment of the present invention. This embodiment is an embodiment when the present invention is applied to a polarization scrambler or an optical phase modulator. The same components as those in the first embodiment shown in FIG.

光位相変調器モジュールは、誘電体基板上に形成された直線状の光導波路300と、光導波路300上又は光導波路に隣接して形成された信号電極40を有している。   The optical phase modulator module has a linear optical waveguide 300 formed on a dielectric substrate and a signal electrode 40 formed on or adjacent to the optical waveguide 300.

光ファイバ70からの信号光は光導波路300に入射され、信号電極40に対して所定の駆動信号を入力することにより、光導波路300の屈折率を変化させ、信号光の位相変調を行う。位相変調された信号光は光ファイバ71に結合される。   The signal light from the optical fiber 70 enters the optical waveguide 300, and a predetermined drive signal is input to the signal electrode 40, thereby changing the refractive index of the optical waveguide 300 and performing phase modulation of the signal light. The phase-modulated signal light is coupled to the optical fiber 71.

偏波スクランブラモジュールも、誘電体基板上に形成された直線状の光導波路300と、光導波路300上又は光導波路300に隣接して形成された信号電極40を有している。更に、偏波スクランブラモジュールでは、図示しない偏光子が光導波路300の入力側に光導波路300に対して45°傾けて配置されている。   The polarization scrambler module also includes a linear optical waveguide 300 formed on a dielectric substrate and a signal electrode 40 formed on or adjacent to the optical waveguide 300. Further, in the polarization scrambler module, a polarizer (not shown) is disposed on the input side of the optical waveguide 300 so as to be inclined by 45 ° with respect to the optical waveguide 300.

光ファイバ70からの信号光は図示しない偏光子を介して光導波路300に入射され、信号電極40に対して所定の駆動信号を入力することにより、光導波路300内で偏波を回転させ、信号光の偏波をスクランブルする。スクランブルされた信号光は光ファイバ71に結合される。   The signal light from the optical fiber 70 enters the optical waveguide 300 via a polarizer (not shown), and a predetermined drive signal is input to the signal electrode 40 to rotate the polarization in the optical waveguide 300, Scramble the polarization of light. The scrambled signal light is coupled to the optical fiber 71.

これらの光導波路モジュールでも、信号電極40の第1及び第2の曲がり部近傍に接地電極44と金属パッケージ6とを接続するリボン58,60を設けることにより、図2に示した実施形態と同様な良好な特性を得ることができる。   Also in these optical waveguide modules, ribbons 58 and 60 for connecting the ground electrode 44 and the metal package 6 are provided in the vicinity of the first and second bent portions of the signal electrode 40, so that the same as in the embodiment shown in FIG. Excellent characteristics can be obtained.

変調器モジュールの外観を示す平面図である。It is a top view which shows the external appearance of a modulator module. 本発明実施形態の平面図である。It is a top view of an embodiment of the present invention. 本発明実施形態の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of embodiment of this invention. 本発明実施形態の要部斜視図である。It is a principal part perspective view of this invention embodiment. 本発明実施形態の横断面図である。It is a cross-sectional view of an embodiment of the present invention. 本発明実施形態のマイクロ波特性を示す図である。It is a figure which shows the microwave characteristic of embodiment of this invention. 信号電極の曲がり部近傍から離れてリボンをボンディングした場合の光変調器モジュールのマイクロ特性を示す図である。It is a figure which shows the micro characteristic of the optical modulator module at the time of bonding a ribbon away from the bending part vicinity of a signal electrode. 図6及び図7の特性測定時のリボンのボンディング位置を示す図である。It is a figure which shows the bonding position of the ribbon at the time of the characteristic measurement of FIG.6 and FIG.7. 本発明の他の実施形態の平面図である。It is a top view of other embodiments of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

6 金属パッケージ
20 底面
22 チップ挿入溝
24 変調器チップ
26 マッハツェンダ型導波路構造
28 入力光導波路
30 出力光導波路
32 第1光導波路
34 第2光導波路
40 信号電極
42,44 接地電極
46,48,50,52,54,56,58,60 金リボン
6 Metal package 20 Bottom surface 22 Chip insertion groove 24 Modulator chip 26 Mach-Zehnder waveguide structure 28 Input optical waveguide 30 Output optical waveguide 32 First optical waveguide 34 Second optical waveguide 40 Signal electrodes 42, 44 Ground electrodes 46, 48, 50 , 52,54,56,58,60 gold ribbon

Claims (6)


底面と、
該底面に形成されたチップ挿入溝を有する金属パッケージと、
電気光学効果を有す基板と、
該基板上に形成された光導波路と、
前記基板の端部において駆動信号を入力され第1曲がり部と第2曲がり部との間の領域で前記光導波路を伝搬する信号に位相差を与える位置に形成された信号電極と、
前記基板上に形成された接地電極と、
前記基板、前記光導波路、前記信号電極、前記接地電極を含み、前記金属パッケージの前記チップ挿入溝中に挿入固定された導波路チップとを備え、
前記接地電極は、前記信号電極の前記第1及び第2曲がり部近傍、および、前記信号電極に前記駆動信号を入力される前記端部近傍においてのみ、前記金属パッケージにそれぞれ金リボンによりボンディング接続されたことを特徴とする光導波路モジュール。

The bottom,
A metal package having a chip insertion groove formed on the bottom surface;
A substrate having an electro-optic effect;
An optical waveguide formed on the substrate;
A signal electrode formed at a position that gives a phase difference to a signal propagating through the optical waveguide in a region between the first bent portion and the second bent portion when a driving signal is input at an end of the substrate;
A ground electrode formed on the substrate;
Including the substrate, the optical waveguide, the signal electrode, the ground electrode, and a waveguide chip inserted and fixed in the chip insertion groove of the metal package,
The ground electrode is bonded to the metal package with a gold ribbon only in the vicinity of the first and second bent portions of the signal electrode and in the vicinity of the end where the drive signal is input to the signal electrode. An optical waveguide module characterized by that.
底面と、
該底面に形成されたチップ挿入溝を有する金属パッケージと、
電気光学効果を有す基板と、
該基板上に形成された入力導波路、出力導波路、及び前記入力及び出力導波路の間に伸長しそれぞれ前記入力及び出力導波路に接続された第1及び第2導波路を有する光導波路構造と、
前記基板の端部において駆動信号を入力され、第1曲がり部と第2曲がり部との間の領域で前記第1導波路上を伝搬する信号に位相差を与える位置に形成された信号電極と、
前記第2導波路上に形成された第1接地電極と、
前記信号電極に対して前記第1接地電極と反対側の前記基板上に形成された第2接地電極と、
前記基板、前記光導波路構造、前記信号電極、前記第1接地電極、前記第2接地電極を含み、前記金属パッケージの前記チップ挿入溝中に挿入固定された変調器チップとを備え、
前記第2接地電極は、前記信号電極の前記第1及び第2曲がり部近傍、および、前記信号電極に前記駆動信号を入力される前記端部近傍においてのみ、前記金属パッケージにそれぞれ金リボンによりボンディング接続されたことを特徴とする光変調器モジュール。
The bottom,
A metal package having a chip insertion groove formed on the bottom surface;
A substrate having an electro-optic effect;
An optical waveguide structure having an input waveguide formed on the substrate, an output waveguide, and first and second waveguides extending between the input and output waveguides and connected to the input and output waveguides, respectively. When,
A signal electrode formed at a position where a driving signal is input at an end of the substrate and a phase difference is given to a signal propagating on the first waveguide in a region between the first bent portion and the second bent portion; ,
A first ground electrode formed on the second waveguide;
A second ground electrode formed on the substrate opposite to the first ground electrode with respect to the signal electrode;
A modulator chip including the substrate, the optical waveguide structure, the signal electrode, the first ground electrode, the second ground electrode, and being inserted and fixed in the chip insertion groove of the metal package;
The second ground electrode is bonded to the metal package with a gold ribbon only in the vicinity of the first and second bent portions of the signal electrode and in the vicinity of the end where the drive signal is input to the signal electrode. An optical modulator module connected.
前記信号電極の前記第1及び第2曲がり部近傍におけるボンディング接続はそれぞれ、前記信号電極の前記第1及び第2曲がり部を中心として前記導波路チップの長手方向の±0.5mmの範囲内に設けられている請求項1記載の光導波路モジュール又は請求項2記載の光変調器モジュール。   Bonding connections in the vicinity of the first and second bent portions of the signal electrode are within a range of ± 0.5 mm in the longitudinal direction of the waveguide chip, centering on the first and second bent portions of the signal electrode, respectively. The optical waveguide module according to claim 1 or the optical modulator module according to claim 2 which is provided. 前記金属パッケージの底面と前記導波路チップの上面は実質上同一高さにある請求項1記載の光導波路モジュール又は請求項2記載の光変調器モジュール。   The optical waveguide module according to claim 1 or the optical modulator module according to claim 2, wherein the bottom surface of the metal package and the top surface of the waveguide chip are substantially at the same height. 前記基板はLiNbO3から形成されており、前記光導波路は前記LiNbO3基板にTiを熱拡散することにより形成されている請求項1記載の光導波路モジュール又は請求項2記載の光変調器モジュール。   3. The optical waveguide module according to claim 1, wherein the substrate is made of LiNbO3, and the optical waveguide is formed by thermally diffusing Ti in the LiNbO3 substrate. 前記チップ挿入溝中に挿入固定された前記導波路チップと前記チップ挿入溝を画成する前記金属パッケージの壁面との間の距離は、0.5mm以下である請求項1記載の光導波路モジュール又は請求項2記載の光変調器モジュール。   2. The optical waveguide module according to claim 1, wherein a distance between the waveguide chip inserted and fixed in the chip insertion groove and a wall surface of the metal package defining the chip insertion groove is 0.5 mm or less. The optical modulator module according to claim 2.
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