JP4366218B2 - Gamma ray detection camera device - Google Patents
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Description
この発明は、例えば、PET(Positron Emission Tomography)装置などのγ線検出カメラ装置に関する。 The present invention relates to a γ-ray detection camera device such as a PET (Positron Emission Tomography) device.
癌の診断装置の一つとしてPET装置がある。悪性腫瘍を構成する癌細胞は、活動性が高いため、周囲の組織よりも多くのブドウ糖を代謝する性質がある。そのため、ブドウ糖に18F等の陽電子放出を行う放射線源を付加した物質を投与すると、悪性腫瘍に集中するため健康な組織よりも多くの放射線を放出する。例えば図11に模式的に示すように、悪性腫瘍に蓄積した放射線源としての陽電子放出核種61が陽電子62を放出し、この陽電子62は、周囲に多数存在する電子63と対消滅を行って511keVの2本のγ線(消滅放射線)64,65を互いに180°反対方向に放出する。この2本のγ線64,65を、放射線源を中心にして対向配置された、例えば複数のNaI(Tl)シンチレータ素子を積層してなる2個のNaI(Tl)シンチレーション検出器によって捕捉することにより、体内における放射線源61の位置、すなわち、悪性腫瘍の位置を特定することができる。なお、図11中において、61a,61bはそれぞれ陽子、中性子である。
One of the cancer diagnostic apparatuses is a PET apparatus. Cancer cells that constitute malignant tumors are highly active and therefore have the property of metabolizing more glucose than surrounding tissues. Therefore, when a substance added with a radiation source that emits positrons such as 18 F is added to glucose, it concentrates on malignant tumors and emits more radiation than healthy tissue. For example, as schematically shown in FIG. 11, a
上記PET装置は、悪性腫瘍に対して極めて高い検出感度を持っているが、X線CT画像に比べて位置分解能が極めて劣るため、悪性腫瘍の位置を精密に特定することができず、そのため、従来においては、X線CTを併用して診断を行うことがあった。このため、患者に対する放射線被曝線量の増大を引き起こすおそれがあった。
ところで、PET装置の位置分解能は、装置に用いられる放射線検出器の大きさに制限されている。そして、PETで検出する放射線は511keVという高エネルギーのγ線であるため、現状では小型化することができない。 By the way, the position resolution of the PET apparatus is limited to the size of the radiation detector used in the apparatus. And since the radiation detected by PET is γ-rays with a high energy of 511 keV, it cannot be downsized at present.
すなわち、従来においては、図12に示すように、放射線源61から発せられる2本のγ線64,65を、厚みの大きいシンチレータ素子66aを多数並設して構成した放射線検出器66によって検出するようにしていたが、前記γ線64,65は、矢印で示すように、シンチレータ素子66aを通過してしまうことがあった。このようなγ線の通り抜けを防止するには、放射線検出器66の容積を大きくする必要があるが、このようにした放射線検出器66においては、像鮮明度が低下するといった不都合がある。
That is, in the prior art, as shown in FIG. 12, two
そこで、最近、前記γ線を検出する放射線検出器として、NaI(Tl)に代えて、BGO(Bi4 Ge3 O12;ビスマスゲルマネイト)を用いることが検討されている。このBGOは、NaI(Tl)に比べて螢光効率が10%と低いが、密度が2倍で検出効率が高いといった利点がある。しかしながら、このBGOをシンチレータ素子として用いた放射線検出器は、NaI(Tl)をシンチレータ素子として用いたものに比べて価格が高いとともに位置分解能が3mmしかないといった欠点がある。さらに、前記BGOには、Biに起因する放射性不純物が混入しており、バックグラウンドを下げて感度を高くすることが困難である。医療診断に伴う放射線被曝を低減するには、高純度の結晶を安価に政策することが可能なNaI(Tl)は最適である。 Therefore, recently, the use of BGO (Bi 4 Ge 3 O 12 ; bismuth germanate) instead of NaI (Tl) as a radiation detector for detecting the γ-ray has been studied. This BGO has a fluorescence efficiency as low as 10% compared to NaI (Tl), but has the advantage that the density is double and the detection efficiency is high. However, the radiation detector using BGO as a scintillator element has drawbacks that it is more expensive and has only 3 mm of position resolution than those using NaI (Tl) as a scintillator element. Further, the BGO is mixed with radioactive impurities caused by Bi, and it is difficult to lower the background and increase the sensitivity. In order to reduce the radiation exposure accompanying medical diagnosis, NaI (Tl), which can policy high-purity crystals at low cost, is optimal.
この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、安価でありながらも位置分解能が高くγ線を高精度に検出することのできるγ線検出カメラ装置を提供することである。 The present invention has been made in consideration of the above-mentioned matters, and an object of the present invention is to provide a γ-ray detection camera device that is inexpensive and has high positional resolution and can detect γ-rays with high accuracy. is there.
上記目的を達成するために、この発明は、放射線源に基づいて生ずるγ線を、複数のNaIシンチレータ素子を隣接配置してなるシンチレーション検出器によって検出するγ線検出カメラ装置において、前記NaIシンチレータ素子の隣接方向における厚みを、前記放射線源に基づいて生ずるγ線を隣接方向において各NaIシンチレータ素子によって検出しうる程度に薄くしてあり、NaIシンチレータ素子は、一方の平面が鏡面研磨された結晶母材を反射膜に密着させた状態で設けるとともに、前記反射膜上に前記結晶母材を囲むようにして枠体を配置して、この枠体と前記結晶母材との間に光学接着剤を充填して前記結晶母材を反射膜および枠体と固着し、当該固着状態で前記結晶母材の他方の面を前記枠体とともに切削し、その後、この切削された面を鏡面研磨することにより製造されていることを特徴としている(請求項1)。ここで、NaIシンチレータ素子は、NaIまたはNaI(Tl)よりなるものをいう。 To achieve the above object, the present invention is a γ ray generated based on the radiation source, the γ ray detecting camera device for detecting the scintillation detector comprising a NaI scintillator elements of several adjacent arrangement, the NaI scintillator the thickness in the adjacent direction of the element, Ri thin Citea a γ ray generated based on the radiation source to the extent that in the adjacent direction can be detected by the NaI scintillator elements, NaI scintillator elements, one plane is mirror-polished A crystal base material is provided in close contact with the reflective film, and a frame body is disposed on the reflective film so as to surround the crystal base material, and an optical adhesive is disposed between the frame body and the crystal base material. Fill and fix the crystal base material to the reflective film and the frame, and cut the other surface of the crystal base material together with the frame in the fixed state. Cutting has been surface is characterized by being produced by mirror polishing (claim 1). Here, the NaI scintillator element refers to an element made of NaI or NaI (Tl).
そして、前記シンチレーション検出器は、前記放射線源を中心にして対向配置されている(請求項2)。 The scintillation detectors are arranged to face each other with the radiation source as a center .
また、NaIシンチレータ素子の隣接方向における厚みが1.0mm以下である(請求項3)。 Moreover, the thickness in the adjacent direction of a NaI scintillator element is 1.0 mm or less (Claim 3).
上記請求項1に記載のγ線検出カメラ装置においては、シンチレータ素子が極めて薄く、所謂超薄型であるので、放射線に基づいて生ずるγ線を隣接方向において互いに各NaIシンチレータ素子によって検出することができる。特に、請求項3に記載されているように、NaIシンチレータ素子の隣接方向における厚みを1.0mm以下としたような場合、位置分解能が向上するとともに検出感度が大幅に向上する。この位置分解能および検出感度の向上は、次のような効果をもたらす。例えば、γ線検出カメラ装置が癌などを診断するためのPET装置である場合、位置分解能が向上したことにより、極めて小さい癌細胞についても検出することができ、所謂癌の早期発見を行うことができる。また、NaI(Tl)に含まれる放射性不純物は、数pptという最高レベルのものを用いることができるため、バックグラウンドが極めて小さい。そのため、ブドウ糖に18F等の陽電子放出を行う放射線源を付加した物質を投与する量が少なくて済み、人体に与える影響を可及的に小さく抑制することができる。
In the γ-ray detection camera device according to the first aspect, since the scintillator element is extremely thin and so-called ultra-thin, γ-rays generated based on radiation can be detected by the NaI scintillator elements from each other in the adjacent direction. it can. In particular, as described in
また、前記NaIシンチレータ素子を請求項1,2に記載してあるような手法によって製造した場合、結晶母材の他方の粗面をカッターによって容易に切削することができる。すなわち、前記粗面のカッターによる切削に際しては、当該結晶母材のみならず、この結晶母材と同心的に配置された枠体をも併せて切削するようにしているので、次のような利点がある。すなわち、結晶母材は、光学接着剤によって枠体と互いに固着されるとともに、結晶母材および枠体が支持用台座の一方のに密着するように固着されているので、切削による結晶母材に対するショックがほとんどなくなり、特に、結晶母材の周端部におけるショックを無くすることができるので、切削加工対象である結晶母材が切削中に割れるといったことがなくなり、所望厚み、例えば、0.5mmといったきわめて薄い状態に切削することができる。したがって、所望の厚みを有するNaIシンチレータ素子を歩留りよく、確実に製造することができるので、γ線検出カメラ装置の製造コストを低減することができる。
Further, when the NaI scintillator element is manufactured by the method described in
したがって、この発明によれば、所望のγ線を確実に検出することのできるγ線検出カメラ装置を安価に得ることができ、医療分野における診断装置や産業における非破壊検査や原子核、素粒子物理学実験装置などに利用することができる。 Therefore, according to the present invention, a gamma ray detection camera device capable of reliably detecting a desired gamma ray can be obtained at a low cost. It can be used for academic experiment equipment.
図1〜3は、この発明の一実施例を示すもので、この発明のγ線検出カメラ装置の一例としてのPET装置を概略的に示している。これらの図において、1は複数のNaIシンチレータ素子2(その具体的構成および製造方法については後述する。)を同一円周上に隙間無く隣接配置してなる円環状のシンチレーション検出部である。このシンチレーション検出部1は、水平保持台(図示していない)上に上向きに横臥した人体3を、その中心部を余裕をもって通過させうる程度の内径を有するように形成されている。複数のNaIシンチレータ素子2は、図11および図12において説明したように、人体3において発生するγ線(陽電子の消滅放射線)15a,15b(図3参照)を180°対応する方向、この実施例では直径方向に位置する一対のNaIシンチレータ素子2(例えば、図3において符号2a,2bで示す)が検出するように構成されている。
1 to 3 show an embodiment of the present invention, and schematically show a PET apparatus as an example of a γ-ray detection camera apparatus of the present invention. In these drawings,
4,5は直径方向において2分される複数のNaIシンチレータ素子2におけるシンチレーション光に基づく信号(シンチレータ信号)を増幅するための増幅器で、各NaIシンチレータ素子2とは、信号伝送路6,7を介して接続されている。増幅器4,5の出力は、信号ケーブル8,9を介して同時計数回路10に入力されるようにしてある。11は同時計数回路10に入力される信号に基づいて画像解析など種々の演算を行うCPU,12はその演算結果である画像を例えばカラー状態で表示する表示装置である。
そして、前記NaIシンチレータ素子2は、特に図3に示すように、その隣接する方向(積層方向)13で示す方向において互いに隙間無く隣接(積層)した状態で並設されており、人体3中における放射線源としての癌細胞14に基づいて生ずるγ線15a,15bを検出することができるように、厚みが例えば0.5mmまたはそれ以下というように、従来のシンチレーション検出器にはなかった超薄型のNaIシンチレータ素子2に形成されている。
The
そして、前記NaIシンチレータ素子2は、平面視形状が例えば正方形で、図4に示すように、シンチレータ素子本体としてのNaI結晶部16の上下両面に反射膜17a,17bを有している。また、23aおよび25,26はNaIシンチレータ素子2を、図6〜図10に示すように、所定の形状に形成するときに用いられる枠体および光学接着剤で、このうち、枠体23aおよび光学接着剤25は、図4に示した状態に形成した状態においては、NaI結晶部16において生じたシンチレータ信号の伝送路として機能する。
The
上述のように、この発明では、放射線源14に基づいて生ずるγ線15a,15bを、前記放射線源14を中心にして対向配置され、複数のNaIシンチレータ素子2を隣接配置してなるシンチレーション検出器1によって検出する場合、NaIシンチレータ素子2の隣接方向13における厚みを、γ線15a,15bを隣接する各NaIシンチレータ素子2によって検出しうる程度に薄くしている。
As described above, in the present invention, the γ-
そして、前記NaIシンチレータ素子2の超薄型化に伴い、信号伝送路6,7を光ファイバによって構成している。従来のPET装置においては、NaIシンチレータ素子2は、その厚みが5mm程度であったので、各NaIシンチレータ素子2にそれぞれ光電子増倍管(フォトマル)を対応させて設けていたが、この発明においては、NaIシンチレータ素子2の厚みが従来の1/10以下であるので、各NaIシンチレータ素子2に対応するように光ファイバを設け、これによって、NaIシンチレータ素子2においてγ線15a,15bに起因して生ずる光信号を導出するようにしている。
As the
上記構成のPET装置においては、複数のNaIシンチレータ素子2を同一円周上に配設するとともに、同時計数回路10によってγ線15a,15bを検出するようにしているので、空間解像力が測定領域内で一定となり、γ線15a,15bの吸収補正の必要がなく、所望の画像解析を定量的に行うことができる。
In the PET apparatus having the above-described configuration, a plurality of
また、上述の実施例においては、シンチレーション検出部1として、複数のNaIシンチレータ素子2を同一円周上に隙間無く固定的に設けていたので、多数のNaIシンチレータ素子2が必要であるものの、その検出精度における位置分解能が高く、機械的回転部分がないので、測定時における制御が簡単であるといった利点がある。
In the above-described embodiment, since a plurality of
これに対して、図5に示すように、所定の直径を有する円環状のガイドレール18上に、複数のNaIシンチレータ素子2よりなる2つのシンチレーション検出部1A,1Bを、180°対象の位置に設け、これらの2つのシンチレーション検出部1A,1Bを、それらの相対位置関係を保持した状態でガイドレール18に沿って回転させるようにして、γ線の検出を行うようにしてもよい。この構成によれば、用いるNaIシンチレータ素子2の数が少なくて済む。なお、図5において、19は人体3を載置する水平保持台である。
On the other hand, as shown in FIG. 5, two
次に、上記NaIシンチレータ素子2を製造する方法(以下、素子製造方法という)の一例について、図6〜図10を参照しながら説明する。まず、図6は素子製造方法の前段の工程を概略的に示すもので、図6(A)において、20はインゴット状のNaI単結晶母材で、例えば、ブリッジマンストックバーガー法を用いて結晶成長炉において製造される。そして、このNaI単結晶母材20は、同図(B)に示すように、例えば、50mm角、厚さ4mm程度の板状に切り出される。実際は、研磨代を見てやや大きく切り出される。この切り出された板状の結晶母材21は、全外周面が細かい凹凸を有する粗面となっているが、同図(C)に示すように、厚み方向の側面(4周面)21aおよび上下両面21b,21cのいずれか一方の面(例えば下面)21bを、例えば、湿度および温度が適宜の値に調整された乾燥ボックス(図示していない)内の窒素ガス雰囲気下において研磨機22や研磨砂を用いて鏡面研磨され、厚さ4mm×50mm角の大きさに形成される。
Next, an example of a method for manufacturing the NaI scintillator element 2 (hereinafter referred to as an element manufacturing method) will be described with reference to FIGS. First, FIG. 6 schematically shows the previous stage of the device manufacturing method. In FIG. 6A,
そして、図7〜図9は、上述のように、所定の面が鏡面研磨された板状の結晶母材21を、所定の厚み、例えば0.5mmに切削する工程の一例を示すものである。まず、図7および図8(A)において、17aは反射膜、23は枠体23である。反射膜17aは、例えば、ポリエステルやフッ素樹脂あるいはカーボン樹脂などよりなるフィルムにアルミニウム蒸着を施して光をほとんど100%反射する高反射特性を備えた素材よりなる。また、枠体23は、例えば、第1枠23aと第2枠23bとからなり、第1枠23aは、高さ1.0mm×60mm角であり、第2枠23bは、高さ3.0mm×60mm角であり、両者23a,23bは平面視同サイズの正方形で、高さのみが異なる。第1枠23aは、例えばアクリル樹脂のように機械的硬度が大きい素材よりなり、第2枠23bは、例えばナイロン樹脂のように機械的硬度が小さい素材よりなる。したがって、この実施例における第1枠23aおよび第2枠23bよりなる枠体23の高さは4mmである。また、反射膜17aは、厚さ65μmで、前記枠体23よりやや大きい正方形に形成されている。
7 to 9 show an example of a step of cutting the plate-like
そして、前記反射膜17aの上面に結晶母材21を、その鏡面研磨された下面17bが近くなるようにして載置し、この結晶母材21を囲むようにして第1枠23aを反射膜17aの上面に載置し、この第1枠23aの上面に第2枠23bを重ねるようにして置く。この場合、結晶母材21が第1枠23a、第2枠23bからなる枠体23の中央に位置するように位置調整する。
Then, the
そして、図8(A)に示すように、適宜の注入具24を用いて光学接着剤25,26を、枠体23と結晶母材21との間に注入する。より具体的には、同図(B)に示すように、第1枠23aの下面と反射膜17aとの間に光学接着剤26を介装して両者23a,17aを接着し、結晶母材21の下面21bと反射膜17aとの間に光学接着剤25を介装させて両者21,17aを接合するとともに、結晶母材21の周面と第1枠23aおよび第2枠23bの内周面との間に光学接着剤25を充填して、第1枠23aおよび第2枠23bと結晶母材21とが接合した加工対象部材27が形成される。この場合、結晶母材21の周面と第1枠23aおよび第2枠23bの内周面との間に充填される光学接着剤25の上面が、第1枠23aおよび第2枠23bからなる枠体23の高さと等しいかそれよりも若干高くなるようにするのが好ましい。前記光学接着剤25,26は、それぞれ例えばオプチカルセメント、エコボンドなどエポキシ樹脂系素材よりなり、特に、光学接着剤25は光透過性に優れたものが用いられる。
Then, as shown in FIG. 8A,
そして、図8(C)に示すように、前記加工対象部材27を、反射膜17a側が適宜の機械的強度を有する素材よりなる支持用台座28の上部平面部28aに密着するように載置し、加工対象部材27の側面と支持用台座28の側部とにわたって接着テープ29を貼り付けて、加工対象部材27を支持台座28に固定する。なお、支持用台座28の下面側の中央には適宜形状の凹部28aが形成され、この凹部28aの中央にはねじ孔28bが形成されている。
Then, as shown in FIG. 8C, the
図8(C)に示すように、支持用台座28に固定された加工対象部材27を切削するには、図6および図9(A)に示すように、支持用台座28を切削用固定部材30に固定用ボルト31を用いて固定した後、特に、図9(A)に示すように、適宜のカッター32を用いて、加工対象部材27の上面側、より詳しくは、結晶母材21の非研磨面である上面21cを枠体23および光学接着剤25ととも切削するのである。なお、図6および図9(A)において、30aは切削用固定部材30の上面に形成される突部で、前記支持用台座28側の凹部28aに嵌合するように形成され、その中央にはボルト挿通孔30bが貫設されている。
As shown in FIG. 8C, in order to cut the
前記切削によって、結晶母材21が枠体23および光学接着剤25とともに上面側から切削され、カッター32が枠体23における第1枠23aと第2枠23bとの境目に至ると、第2枠23bが堅いため切削速度が鈍るので、この時点で切削を停止する。これによって、図9(B)に示すように、上面に切削された面21dを有する結晶母材21が得られる。このとき、切削された結晶母材21の厚さは、第1枠23aの長さに等しく、この実施例では3mmであり、結晶母材21は1mm厚となっている。
When the
そして、前記切削後の加工対象部材27Aを切削用固定部材30に固定された状態で、湿度および温度が適宜の値に調整された乾燥ボックス内にセットし、図9(C)に示すように、窒素ガス雰囲気下において研磨機22や研磨砂を用いて、切削後の結晶母材21の上面、第2枠23bおよび光学接着剤25の上面を鏡面研磨する。
Then, in a state where the processed
その後、図10(A)に示すように、前記研磨された加工対象部材27Aの上面に光学接着剤25を滴下し、同図(B)に示すように、前記上面に反射膜17aと同様素材からなる反射膜17bを貼り付け、接着テープ29を外して支持用台座28を除去することにより、同図(C)および図4に示すようなNaIシンチレータ素子2が得られる。そして、同図(D)に示すように、NaIシンチレータ素子2を光学接着剤を介して接合することにより、図1〜図3に示すような円環状のシンチレーション検出部1が形成される。
Thereafter, as shown in FIG. 10 (A), the
上述したように、上記素子製造方法においては、所定の厚みを有するように形成され、一方の面21bが鏡面研磨された結晶母材21を反射膜17aに密着させた状態で設けるとともに、この反射膜17a上に前記結晶母材21を囲むようにして枠体23を配置して、この枠体23と結晶母材21との間に光学接着剤25を充填して結晶母材21を反射膜17aおよび枠体23と固着し、当該固着状態で結晶母材21の他方の面21cを枠体23とともに切削し、その後、この切削された面21dを鏡面研磨することにより製造されている所定の厚みを有するように形成され、一方の面21aが鏡面研磨するようにして、所望のNaI結晶部16としているので、結晶母材21の他方の粗面21cをカッター32によって容易に切削することができる。
As described above, in the element manufacturing method, the
そして、結晶母材21の粗面21bのカッター32による切削に際しては、当該結晶母材21のみならず、この結晶母材21と同心的に配置された枠体23をも併せて切削するようにしている。つまり、結晶母材21は、光学接着剤25によって枠体23と互いに固着されるとともに、結晶母材21および枠体23が支持用台座28の一方のに密着するように固着されているので、切削による結晶母材21に対するショックがほとんどなくなり、特に、結晶母材21の周端部におけるショックを無くすることができるので、切削加工対象である結晶母材21が切削中に割れるといったことがなくなり、所望厚み、例えば、0.5mmといったきわめて薄い状態に切削することができる。
When the
また、上述した実施例においては、枠体23を固さの異なる第1枠23aと第2枠23bで構成し、より堅い第1枠23aの高さを残すべき結晶母材21の高さと同じになるように設定して、第1枠23aの上方に第2枠23を載置しているので、比較的柔らかい第1枠23bを全部切削した状態においては、結晶母材21の高さは所望の高さ(厚さ)だけ残して切削されている。したがって、結晶母材21の切削加工において切削寸法に間違いが生ずることがないといった利点がある。なお、枠体23を単一の部材で構成し、前記結晶母材21の切削寸法を厳密に管理するようにしてもよいことは言うまでもない。
Further, in the embodiment described above, the
なお、上述の実施例では、研磨後の結晶母材21の厚みが0.5mmであったが、発明者らの実験によれば、前記結晶母材21厚みは、1.0mm以下であれば、従来にはない位置分解能および検出感度が得られることが分かっている。
In the above-described embodiment, the thickness of the
1 シンチレーション検出器
2 NaIシンチレータ素子
13 隣接方向
15a,15b γ線
17a 反射膜
21 結晶母材
21b 鏡面研磨された面
21d 切削された面
23 枠体
25 光学接着剤
DESCRIPTION OF
Claims (3)
NaIシンチレータ素子は、一方の平面が鏡面研磨された結晶母材を反射膜に密着させた状態で設けるとともに、前記反射膜上に前記結晶母材を囲むようにして枠体を配置して、この枠体と前記結晶母材との間に光学接着剤を充填して前記結晶母材を反射膜および枠体と固着し、当該固着状態で前記結晶母材の他方の面を前記枠体とともに切削し、その後、この切削された面を鏡面研磨することにより製造されていることを特徴とするγ線検出カメラ装置。 The γ-rays generated based on the radiation source, a NaI scintillator elements of several in γ-ray detection camera system for detecting the scintillation detector formed by adjacently arranged, the thickness in the adjacent direction of the NaI scintillator elements, said radiation source Ri thin Citea a γ ray generated based on the degree of the adjacent directions can be detected by the NaI scintillator elements,
The NaI scintillator element is provided with a crystal base material whose one surface is mirror-polished in close contact with the reflective film, and a frame body is disposed on the reflective film so as to surround the crystal base material. An optical adhesive is filled between the crystal base material and the crystal base material is fixed to the reflective film and the frame, and the other surface of the crystal base material is cut together with the frame in the fixed state. Thereafter, the γ-ray detection camera device is manufactured by mirror polishing the cut surface .
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