[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4230679B2 - 半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法 - Google Patents

半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4230679B2
JP4230679B2 JP2001188772A JP2001188772A JP4230679B2 JP 4230679 B2 JP4230679 B2 JP 4230679B2 JP 2001188772 A JP2001188772 A JP 2001188772A JP 2001188772 A JP2001188772 A JP 2001188772A JP 4230679 B2 JP4230679 B2 JP 4230679B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
suction
resin
tape substrate
mold
resin tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001188772A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002079547A (ja
JP2002079547A5 (ja
Inventor
美佳 桐谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001188772A priority Critical patent/JP4230679B2/ja
Priority to US09/887,104 priority patent/US6787093B2/en
Publication of JP2002079547A publication Critical patent/JP2002079547A/ja
Publication of JP2002079547A5 publication Critical patent/JP2002079547A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4230679B2 publication Critical patent/JP4230679B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/12—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated means for positioning inserts, e.g. labels
    • B29C33/14—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated means for positioning inserts, e.g. labels against the mould wall
    • B29C33/18—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated means for positioning inserts, e.g. labels against the mould wall using vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法に関し、特に回路配線を有する樹脂テープ基板上にマウントされた半導体チップを、該樹脂テープ基板上に樹脂モールドするために用いられる半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化並びに低廉化に伴い、これに用いる樹脂モールド型半導体装置としては、薄型、高密度化並びに生産性の向上、低コスト化が要求されており、通常の、リードフレーム上にマウントされた半導体チップを樹脂モールドする型の半導体装置に代わり、回路配線を有する樹脂テープ基板上に複数個の半導体チップをマウントし、且つ前記樹脂テープ基板上に前記半導体チップを樹脂モールドし、樹脂テープ基板裏面に金属ボール電極を配設した後、 半導体チップ単位で個々に切断分離してなる樹脂テープ方式のＢＧＡ型樹脂モールド半導体装置が開発されている。
【０００３】
以下、この後者の半導体装置の樹脂モールド方法について説明する。
【０００４】
まず、複数の半導体チップをマウントした樹脂テープ基板を準備すると共に、上型と下型で構成されるモールド金型を準備する。各半導体チップは樹脂テープ基板のチップ搭載面上に接着層を介してそれぞれ固着され、また樹脂テープ基板上に形成された回路配線とボンディングワイヤを介して接続される。
【０００５】
次に、前記樹脂モールド金型の上型と下型との間に前記樹脂テープ基板を配置する。この際、上型と下型とで形成される複数のキャビティ内に前記半導体チップのマウント部をそれぞれ配置すると共に、前記キャビティの底面の装着領域面に前記樹脂テープ基板の裏面を密着させて装着する。
【０００６】
次に、前記モールド金型に設けられたポットに樹脂タブレットを投入し、トランスファモールド装置のプランジャーで溶融、加圧し、ポットからランナー、流入ゲートのそれぞれを通じてキャビティ内に溶融した樹脂を供給する。これにより、各半導体チップを樹脂テープ基板のマウント部に一括して加圧モールドし、樹脂テープ基板の裏面を露出した樹脂モールド体が成形される。
【０００７】
次に、前記樹脂テープ基板の裏面に露出されている回路配線の外部電極上に金属ボール電極がそれぞれ配設され、最後に個々の樹脂モールド型の半導体装置にダイシングされる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、樹脂テープ基板を用いた樹脂モールド型半導体装置の樹脂モールドにおいて、前記樹脂モールド体から前記樹脂テープ基板の裏面を露出させるために、前記樹脂テープ基板裏面は前記モールド金型の前記キャビティ内の底面の装着領域面に密着される必要がある。
【０００９】
ここで、前記樹脂テープ基板のテープ材、前記半導体チップを固着するための接着層、前記回路配線を保護のために覆うソルダーレジスト、前記半導体チップ、前記回路配線材等はそれぞれ材質が異なるので、その熱膨張係数は互いに相違する。この熱膨張係数の違いにより、モールド時に例えば１８０℃に加熱されると、前記樹脂テープ基板が前記半導体チップ側に反る。このため、前記キャビティの底面の装着領域面から前記樹脂テープ基板が浮き上がってしまい、前記キャビティ内に充填された溶融樹脂が前記樹脂テープ基板裏面に廻り込む不具合が生じる。
【００１０】
このように、前記樹脂テープ基板裏面に廻り込んだ樹脂により前記樹脂テープ基板裏面が覆われるので、前記樹脂モールド体に成形不良が発生する。
【００１１】
更に、前記樹脂テープ基板上面に取り付けられた前記半導体チップ側においても、キャビティ内で湾曲されるので、例えばキャビティの天井部分に樹脂テープの一部が接触するなどの不具合が生じる。このため、樹脂が十分に充填されない部分が発生し、前記樹脂モールド体に成形不良が発生する。このため樹脂モールド型半導体装置の歩留まりが低下し、生産性を著しく低下させる。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、目的とするところは、キャビティ内に供給された樹脂が、その上面に半導体チップを搭載した樹脂テープ基板裏面に廻り込む不具合を効果的に防止する半導体樹脂モールド装置を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の他の目的とするところは、その上面に半導体チップを搭載した樹脂テープ基板の裏面が露出されずに樹脂で覆われるなどの不具合を生じることなく、モールド体の成形不良を防止すると共に、樹脂モールド型半導体装置の生産性を向上する半導体樹脂モールド方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の実施形態では、半導体チップがマウントされた樹脂テープ基板を下型の底面の装着領域面に装着して、前記樹脂テープ基板裏面を除いて前記半導体チップをマウント部に樹脂モールドするキャビティを備えた半導体樹脂モールド金型において、前記下型の装着領域面に開口を有し吸引系に連通された複数の吸引孔が設けられる。
【００１５】
この発明の第１の実施形態によれば、金型内に形成されたキャビティの底面の装着領域面に開口が設けられ吸引系に連通されるた吸引孔により、半導体チップがマウントされた樹脂テープ基板は、キャビティの底面の装着領域面上に堅固に吸着されるため、樹脂モールド時の加熱による樹脂テープ基板の反りを回避できるので、キャビティ内に供給された溶融樹脂が樹脂テープ基板裏面に廻り込む不具合が防止できる。
【００１６】
上記第１の実施形態では、前記複数の吸引孔を、前記装着領域面の中央部及びその中央部の周囲にそれぞれ配置することが望ましい。
【００１７】
また、前記吸引孔を、前記装着領域面に形成した複数のスリット内にそれぞれ設けることが望ましい。
【００１８】
また、前記装着領域面の中央部における前記吸引孔と該中央部周囲における前記吸引孔とを異なる吸引系に連通してなることが望ましい。
【００１９】
また、この発明の第２の実施形態は、樹脂テープ基板にマウントされた半導体チップを、該樹脂テープ基板の裏面を除いて樹脂モールド体で封止する半導体樹脂モールド方法において、前記樹脂テープ基板が装着される金型底面の装着領域面に開口を有し、吸引系に連通された吸引孔を設けたキャビティを有するモールド金型を準備する工程と、前記モールド金型のキャビティの底面の装着領域面に前記樹脂テープ基板を装着する工程と、前記樹脂テープ基板を装着する工程後、前記キャビティの底面の装着領域面に前記樹脂テープ基板を吸引固定する工程と、前記モールド金型のキャビティ内に溶融樹脂を供給する工程とを備えたことを特徴としている。
【００２０】
この発明の第２の実施形態によれば、キャビティの底面の装着領域面に、半導体チップがマウントされた樹脂テープ基板を装着し、キャビティの底面の装着領域面に開口を有する吸引孔により、樹脂テープ基板をキャビティ底面の装着領域面上に堅固に吸着した後、樹脂モールドするため、樹脂モールド時の加熱による樹脂テープ基板の反りを回避でき、キャビティ内に供給された溶融樹脂が樹脂テープ基板裏面に廻り込まないので、樹脂テープ基板裏面を露出する樹脂モールド体の成形不良発生を回避でき、並びに樹脂テープ基板上面の半導体チップ側における樹脂の未充填部分発生も回避できるので、樹脂モールド型半導体装置の生産性を著しく向上できる。
【００２１】
上記第２の実施形態では、前記複数の吸引孔を、前記装着領域面の中央部及びその中央部の周囲にそれぞれ配置することが望ましい。
【００２２】
また、前記吸引孔を、前記装着領域面に形成した複数のスリット内にそれぞれ設けることが望ましい。
【００２３】
また、前記装着領域面の中央部における前記吸引孔と該中央部周囲における前記吸引孔とを異なる吸引系に連通してなることが望ましい。
【００２４】
また、前記キャビティ底面の装着領域面に装着された前記樹脂テープ基板を吸引固定する工程は、前記装着領域面の中央部における前記吸引孔により前記樹脂テープ基板の中央部を吸引固定した後、前記装着領域面の中央部周囲における前記吸引孔により前記樹脂テープ基板を吸引固定することが望ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２６】
（第１の実施形態）
図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図２、図３、図４を参照して、本発明の第１の実施形態について詳細に説明する。
【００２７】
最初に、図３によりこの第１の実施の形態に係る半導体樹脂モールド製造された樹脂モールド型半導体装置の内部構造の一例を説明する。図３において、樹脂テープ基板３１は、約７５±８μｍの厚みを有し、その上面には接着剤を介して回路配線３２が形成され、且つ半導体チップ３４の下になる部分の前記回路配線３２上には１０±５μｍの厚みのソルダーレジスト３３が保護膜として形成されている。
【００２８】
この樹脂テープ基板３１上のソルダーレジスト３３の上には半導体チップ３４が接着材３５を介して固着され、前記半導体チップ３４の電極と前記回路配線３２とがボンディングワイヤ３６を介してそれぞれ電気的に接続されている。
【００２９】
また、前記樹脂テープ基板３１には複数のスルーホール３７が形成され、このスルーホール３７により、裏面に外部引出し電極３８がそれぞれ取り出されている。そして前記樹脂テープ基板３１上面の前記回路配線３２、前記半導体チップ３４、ボンディングワイヤ３６等のマウント部を含む前記樹脂テープ基板３１上面が樹脂モールド体３０で封止され、かつ、この樹脂テープ基板３１の裏面が露出された構造の樹脂モールド体３０が構成されている。
【００３０】
なお、前記外部引出し電極３８上には、前記モールド体３０の成形後に金属ボール電極、例えば半田ボール３９がそれぞれ形成される。
【００３１】
前記樹脂モールド体３０は図示しないトランスファモールド装置で複数が同時に成形される。このトランスファモールド装置の成形部には、図１に示すように、モールド金型１が装着される。
【００３２】
図１において、このモールド金型１は、上型１Ａと下型１Ｂとでなり、両者を図示の状態で組み合わせた際に形成されるキャビティ２を備える。キャビティ２は主として上型１Aに形成された凹部により形成され、この凹部と下型１B上に載せられた樹脂テープ基板３１との間に形成される空間により定義される。
【００３３】
上型１Aには、樹脂タブレットを投入するためのポットPが取り付けられ、このポットPに連結されたランナーRおよび流入ゲートGのそれぞれを備えている。したがって、トランスファモールド装置のプランジャーで溶融、加圧された溶融樹脂は、ポットＰからランナーRおよび流入ゲートGのそれぞれを通じて前記キャビティ２内に流入される。
【００３４】
前記キャビティ２の底面２Ａ、即ち下型１Bの上面には樹脂テープ基板３１の装着領域面が形成され、ここには前記樹脂テープ基板３１が装着される。この樹脂テープ基板３１が装着される前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面には、図１及び図２に示すように、下型１Bに形成された複数の吸引孔３の開口部が開いている。
【００３５】
前記吸引孔３は、前記装着領域面全体に複数の行、列からなるマトリックス形状に配列されている。ここでは、図２に示すように、装着領域面であるキャビティ２の底面２Aの長辺方向に３行、短辺方向に複数列で複数の略同じ直径の円形の吸引孔３の開口部が配列されている。
【００３６】
この複数の吸引孔３は図１（ａ）に示したように、下型１B内に形成された共通吸引パス３ｍにそれぞれ連通され、外部パス３ｎ、開閉器SWを介して吸引系を構成する吸引ポンプSに連通されている。なお、図示しないが、この複数の吸引孔３を前記下型１B外にそれぞれ導出し、個々に吸引ポンプSに連結しても良い。
【００３７】
このように、吸引系は、前記吸引孔３と大気との連結を開閉する開閉器SW、吸引孔３を減圧する吸引ポンプSたとえば真空ポンプ及びこれらの開閉器SW、真空ポンプSを制御する制御回路Cから構成され、この制御回路Cからの信号に基づいて、吸引・停止の動作が制御され、また、制御回路の信号に基づいて、開閉器SWの大気への開、閉動作が制御される。
【００３８】
次に、樹脂モールド金型１を用いた前記樹脂モールド型半導体装置の樹脂モールド体３０の成形方法について、図１、図２及び図４を用いて説明する。
【００３９】
まず、図１（ｃ）、図４に示すように、複数の前記半導体チップ３４がマウントされた前記樹脂テープ基板３１を、この樹脂テープ基板３１と内径が略同一サイズで、且つ板厚が同一厚みを有する枠状のキャリア４０内に収納し、このキャリア４０により前記樹脂テープ基板３１を保持する。この樹脂テープ基板３１には、図３に示すように、上面に複数の前記半導体チップ３４がマウントされ、前記各半導体チップ３４の電極と前記回路配線３２とが前記ボンディングワイヤ３６を介してそれぞれ電気的に接続されてなる。
【００４０】
このキャリア４０で保持された前記樹脂テープ基板３１を準備すると共に、前記モールド金型１を準備する。
【００４１】
次に、前記モールド金型１の前記上型１Ａと前記下型１Ｂとの間に前記キャリア４０を配置する。また、上型１Ａと前記下型１Ｂとで形成される前記キャビティ２内に前記半導体チップ３４、前記回路配線３２、前記ボンディングワイヤ３６等のマウント部を有する前記樹脂テープ基板３１をキャリア４０に保持された状態で配置すると共に、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に前記樹脂テープ基板３１の裏面を密着させる。
【００４２】
次に、複数の前記吸引孔３に連結された吸引系の吸引ポンプSを制御回路Cの出力で駆動して吸引孔３内の空気を吸引して減圧する。この結果、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に前記樹脂テープ基板３１が吸引固定される。
【００４３】
このときの基板３１のたわみ量（μｍ）と吸引ポンプSの吸引力（Pa）との関係を例示すると図９のように略リニアになる。これによると、吸引力が約１３０（Pa）において基板３１のたわみ量は殆どゼロとなる。
【００４４】
この時、開閉器SWは制御回路Cの出力により開の状態で、吸引ポンプSの吸引は制御回路Cの信号に基づいて行われる。
【００４５】
次に、前記ポットP内の樹脂タブレットを加熱、溶融し、トランスファモールド装置の図示しないプランジャでポットPを加圧し、ポットPからランナーR、流入ゲートGのそれぞれを通して前記キャビティ２内に溶融樹脂３０Ａを供給する。
【００４６】
この工程により、前記半導体チップ３１、前記ボンディングワイヤ３６、前記回路配線３２等のマウント部を含む前記樹脂テープ基板３１上面を樹脂モールドする。この状態では、前記樹脂テープ基板３１の裏面は下型１B上に密着吸引されているので、樹脂３０Aはここには流入せず、基板３１の裏面が露出した樹脂モールド体３０が成形される。
【００４７】
次に、制御回路Cの出力により吸引ポンプSの吸引を停止し、開閉器SWを開状態にして複数の前記各吸引孔３の減圧を大気圧に戻す。この吸引ポンプPの停止、開閉器SWの開閉動作のそれぞれは制御回路Cの信号に基づいて行われる。
【００４８】
次に、前記モールド金型１から前記樹脂モールド体３０で封止された前記樹脂テープ基板３１を取り出し、前記樹脂テープ基板３１裏面から露出する前記外部取出し電極３８にそれぞれ半田ボール等の金属ボール電極３９を例えば公知の半田浸漬法により形成する。
【００４９】
その後、樹脂モールド体３０をダイシングして個々に分断し、図３に示す樹脂モールド型半導体装置が完成する。
【００５０】
この実施形態によれば、以下の作用効果を得られる。
【００５１】
即ち、樹脂モールド金型において、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に吸引ポンプSに連結された複数の前記吸引孔３を設けている。これにより、前記半導体チップ３４がマウントされた前記樹脂テープ基板３１は、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に設けられた吸引孔３により、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に堅固に吸引固定されるため、樹脂モールド時の加熱による樹脂テープ基板３１の反りを回避できるので、キャビティ２内に供給された樹脂が樹脂テープ基板３１裏面に廻り込む不具合が防止できる。
【００５２】
また、樹脂モールド方法において、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に、前記半導体チップ３４がマウントされた前記樹脂テープ基板３１を装着し、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に設けた複数の前記吸引孔３により、前記樹脂テープ基板３１を前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に堅固に吸引固定した後、樹脂モールドを行う。これにより、樹脂モールド時の加熱による樹脂テープ基板３１の反りを回避できるので、キャビティ２内に供給された樹脂が樹脂テープ基板３１裏面に廻り込まないので、樹脂テープ基板３１裏面を露出する樹脂モールド体の成形不良並びに樹脂テープ基板３１上面の半導体チップ３４側における樹脂の未充填部分による樹脂モールド体の成形不良を防止できると共に、樹脂モールド型半導体装置の生産性を著しく向上できる。
【００５３】
（第２の実施形態）
図５乃至図１０を参照して本発明の第２の実施形態に係わる半導体樹脂モールド金型による樹脂モールド体の製造方法について説明する。なお、上記第１の実施形態と同一部分には同一符号を付し、重複説明を避け、相違する部分のみ詳細に説明する。
【００５４】
この第２の実施形態と上記第１の実施形態の相違点は、上記第１の実施形態では、モールド金型１のキャビティ２の底面２Ａの装着領域面に複数の吸引孔３を設け、各吸引孔３を同一の吸引ポンプSに連結している。これに対して、本第２実施形態では、図５に示すように、モールド金型に形成されたキャビティ２の底面２Ａを構成する下型１B-2の装着領域面の中央部に複数の第１のスリット４２を、またその中央部の周囲に複数の第２のスリット４３をそれぞれ形成する。上型は図１（ａ）と同様に形成されるので、ここでは図示していない。
【００５５】
この各第１のスリット４２内に第１の吸引孔４２ａを、また第２のスリット４３内に第２の吸引孔４３ａをそれぞれ設け、且つこの複数の第１の吸引孔４２ａ同士を１つ以上の連通路４２ｂにより互いに連結した後、図８に示す第１の吸引ポンプ５１に連結し、一方、前記複数の第２の吸引孔４３ａを１つ以上の連通路４３ｂにより互いに連結した後、前記第１の吸引ポンプ５１と異なる第２の吸引系にある吸引ポンプ５２にそれぞれ連結してなることにある。
【００５６】
即ち、図５に示すように、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面には、その下型１B-2の中央部に縦方向に細長い複数の第１のスリット４２を一定間隔をおいて互いに平行に配設している。この複数の前記第１のスリット４２の各々には、その中央部の底面に第１の吸引孔４２ａを設けている。そして、図７に示すように、この第１の吸引孔４２ａは、１つ以上の連通路４２ｂにより互いに連結し、同じ第１の吸引系の吸引ポンプ５１に連結している。
【００５７】
ここでは、前記第１の吸引孔４２ａを、中央部に位置するグループ、左右のグループにそれぞれ分割し、各グループ単位で互いに連通路４２ｂで連結し、且つ同一の第１の吸引ポンプ５１に連結している。
【００５８】
また、図５に示すように、複数の前記第１のスリット４２の上下（紙面上で）に、横方向に細長い複数の第２のスリット４３を、一定間隔をおいて直線をなすようにそれぞれ配設している。この複数の前記第２のスリット４３の各々には、その中央部の底面に第２の吸引孔４３ａを設けている。
【００５９】
そして、図６に示すように、この第２の吸引孔４３ａは、１つ以上の連通路４３ｂにより互いに連結し、前記第１の吸引系とは異なる第２の吸引系をなす吸引ポンプ５２にそれぞれ連結している。
【００６０】
ここでは、上側の前記複数の第２の吸引孔４３ａを互いに連通路４３ｂで連結し、また下側の前記複数の第２の吸引孔４３を互いに連通路４３ｂで連結し、且つ同一の第２の吸引系に連結している。
【００６１】
そして、このモールド金型１の上型１Ａと下型１Ｂとの間に前記キャリア４０を配置し、且つ前記キャビティ２内に半導体チップ３４部を有する前記樹脂テープ基板３１を配置すると共に、前記キャビティ２内の底面２Ａの装着領域面に前記樹脂テープ基板３１の裏面を密着させる。
【００６２】
次に、この第２の実施形態のモールド金型を用いた場合のモールド方法を説明する。
【００６３】
まず、図８の制御回路C2の出力により前記第１の吸引ポンプ５１を動作させ、前記第１の吸引孔４２ａにより、前記第１のスリット４２ｂ内の空間領域の空気を吸引して減圧し、前記樹脂テープ基板３１の上下（紙面上の上下）を除いた中央部分を前記装着領域面の中央部に吸引固定する。これにより、前記樹脂テープ基板３１の中央部と前記装着領域面との間に介在する空気は、前記樹脂テープ基板３１の周辺部に押し出される。この吸引状態を示すと図１０の線図K１のように、約１秒で最終吸引力の１３０（Pa）に至り、以後はその圧力を保つ。
【００６４】
次に、この樹脂テープ基板３１の中央部分を吸引固定後、制御回路C2の出力により前記第２の吸引ポンプ５２を動作させ、前記第２の吸引孔４３ｂにより、前記第２のスリット４３ａ内の空間領域の空気を吸引して減圧し、前記樹脂テープ基板３１の上下の周囲部分を前記装着領域面の周囲部分に吸引固定する。
【００６５】
このときの吸引力の変化は、図１０の線図K２に示すように、K１が一定圧力となる１秒後に駆動されて立ちあがり、K１より僅かにゆるい立ちあがりの傾斜を保って約２秒後、即ちK１の立ちあがりからは３秒後にK１と同じ圧力で安定するように制御回路C２で制御される。
【００６６】
そして、前記第１の実施例と同様にしてキャビティ２内に溶融樹脂３０Ａを供給し、前記半導体チップ３４のマウント部を含む前記樹脂テープ基板３１上面をモールドし、且つ前記樹脂テープ基板３１の裏面を露出した樹脂モールド体３０を形成する。
【００６７】
なお、図１０の圧力制御線図において、K１とK２とはその立ち上がりの傾斜を殆ど同じ値として平行に変化するように、あるいはＫ２の傾きをＫ１より急峻になるように制御することもできる。
【００６８】
この実施形態よれば、上述の第１の実施形態と同様の作用効果が得られる共に、次のような作用効果が得られる。
【００６９】
即ち、モールド金型１B-2においては、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面には、第１の吸引孔４２ｂ及び第２の吸引孔４３ｂを介して吸引系５１，５２にそれぞれ連結された複数の第１のスリット４２及び複数の第２のスリット４３を形成している。したがって、第１の実施例の吸引孔３に比べて、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面に前記樹脂テープ基板３１の全体を、しかも堅固に吸引固定できるため、樹脂モールド時に加熱による樹脂テープ基板３１の反りを略完全に回避でき、キャビティ２内に供給された樹脂３０Aが樹脂テープ基板３１裏面に廻り込む不具合が略完全に防止できる。
【００７０】
また、樹脂モールド方法において、最初に前記キャビティ２内の底面２Ａの装着領域面に前記樹脂テープ基板３１の裏面を密着させ、前記第１の吸引系５１を動作させて前記第１のスリット４２ｂにより、前記樹脂テープ基板３１の中央部と前記装着領域面との間に介在する空気を前記樹脂テープ基板３１の周辺部に排出し、前記樹脂テープ基板３１の上下を除いた中央部分を前記装着領域面の中央部に吸引固定する。
【００７１】
その後、前記第２の吸引系５２を動作させ、前記第２のスリット４３ａにより、前記樹脂テープ基板３１の上下の周囲部分を前記装着領域面の周囲部分に吸引固定する。
【００７２】
【発明の効果】
以上詳述したようにこの発明によれば、前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域面と前記樹脂テープ基板３１裏面との間に空気が残留することがなく、密着させることができ、キャビティ２内に供給された樹脂３０Ａが樹脂テープ基板３１裏面に廻り込まないので、樹脂テープ基板３１裏面を露出する樹脂モールド体の成形不良並びに樹脂テープ基板上面の半導体チップ側における樹脂の未充填部分による樹脂モールド体の成形不良を防止できるとともに、樹脂モールド型半導体装置の生産性を著しく向上できる、半導体樹脂モールド装置を提供できる。
【００７３】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、請求項に記載の範囲を逸脱しない範囲で、種々の変形を行っても良い。
【００７４】
例えば、上記第２の実施形態では、前記第２のスリット４３を前記第１のスリット４２と直交する方向に配設したが、全てのスリットを前記第１のスリットと同様に縦方向で、且つ前記装着領域面の幅（紙面上で縦方向の幅）と略同一長さに配設し、左右の外側部分における複数のスリットを前記第２のスリットとして作用させ、この第２のスリットに挟まれた中央部分における複数のをスリットを前記第１のスリットとして作用させても良い。
【００７５】
また、上記第２の実施形態においては、前記第１のスリット４２を前記第２のスリット４３と直交する方向に配設しているが、前記第１のスリット４２を前記第２のスリット４３と平行に配設しても良い。
【００７６】
本発明の実施例の半導体樹脂モールド金型によれば、キャビティ内に供給された溶融樹脂が樹脂テープ基板裏面に廻り込む不具合が防止できる。
【００７７】
また、本発明の実施例の半導体樹脂モールド方法によれば、樹脂テープ基板裏面を露出する樹脂モールド体の成形不良並びに樹脂テープ基板上面の半導体チップ側における樹脂の未充填部分による樹脂モールド体の成形不良を防止できると共に、樹脂モールド型半導体装置の生産性を著しく向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わる半導体樹脂モールド金型の縦断面図および横断面図、ならびに半導体チップが載置された樹脂テープ基板の平面図。
【図２】前記半導体樹脂モールド金型の下型の樹脂テープ基板の装着領域を示す平面図。
【図３】この発明の第１の実施形態の半導体樹脂モールド金型で成形され、ダイシングされた１個の樹脂モールド型半導体装置を拡大して示す断面図。
【図４】図１Ａに示したキャリアに樹脂テープ基板を保持した状態を示す平面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係わる半導体樹脂モールド金型の下型の樹脂テープ基板の装着領域を示す平面図。
【図６】図５に示す半導体樹脂モールド金型の下型の線VI−VIに沿う断面図。
【図７】図５に示す半導体樹脂モールド金型の下型の線VII−VIIに沿う断面図。
【図８】２系統の吸引系に連通された状態の図５の半導体樹脂モールド用の下型の断面図。
【図９】この発明の実施例における樹脂テープ基板のたわみ量と吸引系の吸引力との関係を示すグラフ。
【図１０】図５の実施形態における２系統の吸引系の動作を説明するためのグラフ。
【符号の説明】
１…モールド金型、
１Ａ…上型、
１Ｂ…下型、
２…キャビティ、
３…吸引孔、
３０…樹脂モールド体、
３０Ａ…樹脂、
３１…樹脂テープ基板、
３２…回路配線、
３４…半導体チップ、
４２、４３…スリット、

Claims (7)

  1. 半導体チップがマウントされた樹脂テープ基板が装着される装着面を有する樹脂モールド用のキャビティと、前記装着面の中央部に複数個配置された中央吸引孔及びこの中央吸引孔の周囲に複数個配置された周辺吸引孔とを有する半導体樹脂モールド金型と、
    前記中央吸引孔に共通に連通された第１の吸引系と、
    前記第１の吸引系とは独立して設けられ前記周辺吸引孔に共通に連通された第２の吸引系と、
    前記第１の吸引系を駆動して前記樹脂テープ基板を前記中央吸引孔により前記装着面の中央部に吸着させて所定吸引力に至るまで吸引固定してその圧力を保持し、次いで前記第２の吸引系を駆動して前記周辺吸引孔により前記樹脂テープ基板を前記装着面の周辺部にも吸着させて前記所定吸引力に至るまで吸引固定してその圧力を保持する制御回路と、
    を具備することを特徴とする半導体樹脂モールド装置。
  2. 前記制御回路は、前記第１の吸引系を駆動して前記樹脂テープ基板を前記中央吸引孔により前記装着面の中央部に吸着させて所定吸引力に至るまで吸引固定するときの吸引力の立ち上がりの傾きより、前記第２の吸引系を駆動して前記周辺吸引孔により前記樹脂テープ基板を前記装着面の周辺部にも吸着させて前記所定吸引力に至るまで吸引固定するときの吸引力の立ち上がりの傾きの方がゆるくなるように制御することを特徴とする請求項１に記載の半導体樹脂モールド装置。
  3. 前記制御回路は、前記第１の吸引系を駆動して前記樹脂テープ基板を前記中央吸引孔により前記装着面の中央部に吸着させて所定吸引力に至るまで吸引固定するときの吸引力の立ち上がりの傾きと、前記第２の吸引系を駆動して前記周辺吸引孔により前記樹脂テープ基板を前記装着面の周辺部にも吸着させて前記所定吸引力に至るまで吸引固定するときの吸引力の立ち上がりの傾きとがほぼ同等となるように制御することを特徴とする請求項１に記載の半導体樹脂モールド装置。
  4. 前記半導体樹脂モールド金型は、上型と、この上型と組み合わせて前記キャビティを形成する下型と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体樹脂モールド装置。
  5. 前記中央吸引孔および周辺吸引孔は互いに略同じ寸法を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体樹脂モールド装置。
  6. 更に、前記装着面に形成した複数のスリットを有し、この複数のスリット内に夫々前記中央吸引孔および周辺吸引孔を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体樹脂モールド装置。
  7. 半導体チップがマウントされた樹脂テープ基板が装着される装着面を有する樹脂モールド用のキャビティと、前記装着面の中央部に複数個配置された中央吸引孔及びこの中央吸引孔の周囲に複数個配置された周辺吸引孔とを有する半導体樹脂モールド金型を準備する工程と、
    前記中央吸引孔に共通に連通された第１の吸引系を駆動して前記樹脂テープ基板を前記中央吸引孔により前記装着面の中央部に吸着させて所定吸引力に至るまで吸引固定してその圧力を保持し、次いで、 前記第１の吸引系とは独立して設けられ前記周辺吸引孔に共通に連通された第２の吸引系を駆動して前記周辺吸引孔により前記樹脂テープ基板を前記装着面の周辺部にも吸着させて前記所定吸引力に至るまで吸引固定してその圧力を保持する工程と、
    前記モールド金型のキャビティ内に樹脂を供給する工程と、
    を具備することを特徴とする半導体樹脂モールド方法。
JP2001188772A 2000-06-26 2001-06-21 半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法 Expired - Fee Related JP4230679B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001188772A JP4230679B2 (ja) 2000-06-26 2001-06-21 半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法
US09/887,104 US6787093B2 (en) 2000-06-26 2001-06-25 Semiconductor resin molding method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-190547 2000-06-26
JP2000190547 2000-06-26
JP2001188772A JP4230679B2 (ja) 2000-06-26 2001-06-21 半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002079547A JP2002079547A (ja) 2002-03-19
JP2002079547A5 JP2002079547A5 (ja) 2005-10-20
JP4230679B2 true JP4230679B2 (ja) 2009-02-25

Family

ID=26594629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001188772A Expired - Fee Related JP4230679B2 (ja) 2000-06-26 2001-06-21 半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6787093B2 (ja)
JP (1) JP4230679B2 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4769380B2 (ja) * 2001-05-18 2011-09-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 クリーニング用シートおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP4583020B2 (ja) * 2003-11-17 2010-11-17 Ｔｏｗａ株式会社 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
JP4548199B2 (ja) * 2005-04-22 2010-09-22 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法
JP4744947B2 (ja) * 2005-06-23 2011-08-10 本田技研工業株式会社 電子制御ユニット及びその製造方法
US7985357B2 (en) 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
US7712213B2 (en) * 2005-12-02 2010-05-11 Aai Corporation Angular encapsulation of tandem stacked printed circuit boards
JP2008066696A (ja) * 2006-08-10 2008-03-21 Denso Corp 半導体製造装置および半導体製造方法
US8252615B2 (en) 2006-12-22 2012-08-28 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system employing mold flash prevention technology
US8852986B2 (en) * 2007-05-16 2014-10-07 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system employing resilient member mold system technology
TWI344226B (en) * 2007-10-29 2011-06-21 Ind Tech Res Inst Method of packaging light emitted diode
JP5280102B2 (ja) * 2008-05-26 2013-09-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010153466A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Elpida Memory Inc 配線基板
JP4957824B2 (ja) * 2009-03-26 2012-06-20 ブラザー工業株式会社 情報処理装置のプログラム、および画像読み取り装置
JP2013021199A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Apic Yamada Corp 樹脂吸着搬送方法及び樹脂吸着搬送装置並びに樹脂封止方法
JP5877083B2 (ja) * 2012-02-14 2016-03-02 住友重機械工業株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP5587464B2 (ja) * 2013-05-30 2014-09-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR102545290B1 (ko) * 2018-08-29 2023-06-16 삼성전자주식회사 반도체 패키지 몰딩 장치
CN110277323B (zh) * 2019-06-28 2021-05-11 广东工业大学 扇出型模块负压封装工艺、结构以及设备
DE102020214020A1 (de) 2020-11-09 2022-05-12 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Positionssensor und Führungswagen mit einem Positionssensor und Verfahren zur Herstellung eines Positionssensors
JP7468906B2 (ja) 2021-04-26 2024-04-16 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置
US11729915B1 (en) 2022-03-22 2023-08-15 Tactotek Oy Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4944908A (en) * 1988-10-28 1990-07-31 Eaton Corporation Method for forming a molded plastic article
JPH02295140A (ja) 1989-05-09 1990-12-06 Nec Corp 半導体装置の樹脂封止方法
US5029418A (en) * 1990-03-05 1991-07-09 Eastman Kodak Company Sawing method for substrate cutting operations
US5147821A (en) 1990-09-28 1992-09-15 Motorola, Inc. Method for making a thermally enhanced semiconductor device by holding a leadframe against a heatsink through vacuum suction in a molding operation
JPH0555280A (ja) 1991-08-27 1993-03-05 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法
US5474958A (en) * 1993-05-04 1995-12-12 Motorola, Inc. Method for making semiconductor device having no die supporting surface
US5846477A (en) * 1994-12-08 1998-12-08 Nitto Denko Corporation Production method for encapsulating a semiconductor device
JP2971834B2 (ja) * 1997-06-27 1999-11-08 松下電子工業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US6472252B2 (en) * 1997-07-23 2002-10-29 Micron Technology, Inc. Methods for ball grid array (BGA) encapsulation mold
US6187654B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-13 Intercon Tools, Inc. Techniques for maintaining alignment of cut dies during substrate dicing
TW421833B (en) * 1998-07-10 2001-02-11 Apic Yamada Corp Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine
JP2000357711A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Sony Corp 半導体装置製造用治具および半導体装置の製造方法
JP4416218B2 (ja) * 1999-09-14 2010-02-17 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US6439869B1 (en) * 2000-08-16 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Apparatus for molding semiconductor components

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002079547A (ja) 2002-03-19
US6787093B2 (en) 2004-09-07
US20020020940A1 (en) 2002-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4230679B2 (ja) 半導体樹脂モールド装置および半導体樹脂モールド方法
KR100577592B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US7971351B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
US8117742B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
US20030230804A1 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
US6676885B2 (en) Plural semiconductor devices bonded onto one face of a single circuit board for subsequent batch resin encapsulation of the plural semiconductor devices in a single cavity formed by molding dies
JP2664259B2 (ja) 半導体装置パッケージ及びその製造方法
KR20020017986A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US7157311B2 (en) Substrate sheet material for a semiconductor device and a manufacturing method thereof, a molding method using a substrate sheet material, a manufacturing method of semiconductor devices
JP2006269486A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3214788B2 (ja) 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP2000025074A (ja) モールド装置、モールド方法、モールドされた半導体装置の切断方法及び半導体装置の作製方法
JP3449538B2 (ja) 光電変換素子およびその製造方法
JP3793679B2 (ja) 電子部品の製造方法及び製造装置
KR20080083024A (ko) 통기 공간을 갖는 컴플라이언트 단자 탑재부 및 그 제조방법
KR100220709B1 (ko) 액상의 접착제를 리드 하부면에 도포하는 방법과 장치 및 그로부터 형성된 접착층을 갖는 리드-온-칩(loc)형 반도체 칩 패키지
KR20010069204A (ko) 웨이퍼 레벨 반도체 장치와 그 가공 방법
JP3710942B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4075986B2 (ja) 樹脂封止装置及び金型
CN117511426B (zh) 用于封装阻隔水气的薄膜、半导体薄膜封装方法及构造
JP2000176967A (ja) 樹脂封止装置
JP4583020B2 (ja) 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型
KR100865473B1 (ko) 반도체 패키지 제조용 몰딩 장치
JP4035240B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
KR20030075778A (ko) 반도체 팩키지 몰딩용 금형 및 그 금형의 사용 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050629

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060707

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070810

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080917

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081202

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081204

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111212

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees