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JP4229158B2 - Drive circuit, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Drive circuit, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

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JP4229158B2
JP4229158B2 JP2006254162A JP2006254162A JP4229158B2 JP 4229158 B2 JP4229158 B2 JP 4229158B2 JP 2006254162 A JP2006254162 A JP 2006254162A JP 2006254162 A JP2006254162 A JP 2006254162A JP 4229158 B2 JP4229158 B2 JP 4229158B2
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Description

本発明は、駆動回路、電気光学装置及び電子機器に関する。   The present invention relates to a drive circuit, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

従来より、携帯電話機等の電子機器に用いられる液晶表示(Liquid Crystal Display:LCD)パネル(広義には、表示パネル。更に広義には電気光学装置)として、単純マトリクス方式のLCDパネルと、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと略す)等のスイッチ素子を用いたアクティブマトリクス方式のLCDパネルとが知られている。   Conventionally, as a liquid crystal display (LCD) panel (display panel in a broad sense, an electro-optical device in a broad sense) used for an electronic device such as a cellular phone, a simple matrix type LCD panel and a thin film transistor ( 2. Description of the Related Art An active matrix type LCD panel using a switching element such as a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) is known.

単純マトリクス方式は、アクティブマトリクス方式に比べて低消費電力化が容易である反面、多色化や動画表示が困難である。一方、アクティブマトリクス方式は、多色化や動画表示に適している反面、低消費電力化が困難である。   The simple matrix method is easier to reduce power consumption than the active matrix method, but it is difficult to increase the number of colors and display a moving image. On the other hand, the active matrix method is suitable for multicolor and moving image display, but it is difficult to reduce power consumption.

単純マトリクス方式のLCDパネルやアクティブマトリクス方式のLCDパネルでは、画素を構成する液晶(広義には電気光学物質)への印加電圧が交流となるように駆動される。このような交流駆動の手法として、ライン反転駆動やフィールド反転駆動(フレーム反転駆動)が知られている。ライン反転駆動では、1又は複数走査ライン毎に、液晶の印加電圧の極性が反転するように駆動される。フィールド反転駆動では、フィールド毎(フレーム毎)に液晶の印加電圧の極性が反転するように駆動される。   In a simple matrix type LCD panel and an active matrix type LCD panel, driving is performed so that an applied voltage to liquid crystal (electro-optical material in a broad sense) constituting a pixel is an alternating current. As such AC driving methods, line inversion driving and field inversion driving (frame inversion driving) are known. In line inversion driving, driving is performed so that the polarity of the voltage applied to the liquid crystal is inverted every one or more scanning lines. In the field inversion driving, driving is performed so that the polarity of the voltage applied to the liquid crystal is inverted for each field (for each frame).

その際、画素を構成する画素電極と対向する対向電極(コモン電極)に供給する対向電極電圧(コモン電圧)を、反転駆動タイミングに合わせて変化させることで、画素電極に印加する電圧レベルを低下させることができる。   At that time, the voltage level applied to the pixel electrode is lowered by changing the counter electrode voltage (common voltage) supplied to the counter electrode (common electrode) facing the pixel electrode constituting the pixel in accordance with the inversion drive timing. Can be made.

このような交流駆動を行う場合であっても、液晶の充放電に伴う消費電力の増大を招く。そこで例えば特許文献1には、反転駆動時に、液晶を挟持する2つの電極を短絡することにより液晶に蓄積される電荷を初期化し、電極の短絡前の電圧の中間電圧まで遷移させることで低消費電力化を図る技術が開示されている。
特開2002−244622号公報
Even when such AC driving is performed, an increase in power consumption accompanying charging / discharging of the liquid crystal is caused. Therefore, for example, in Patent Document 1, during inversion driving, the electric charge accumulated in the liquid crystal is initialized by short-circuiting the two electrodes sandwiching the liquid crystal, and the transition is made to the intermediate voltage of the voltage before the short-circuiting of the electrode, thereby reducing the consumption. A technique for achieving electric power is disclosed.
JP 2002-244622 A

しかしながら、特許文献1に開示されている技術では、消費電力の削減効果がソース線に与える電圧に依存してしまうという問題がある。そのため、極性が反転する対向電極を充放電する電荷量の削減効果が、それほど期待できない。また、特許文献1に開示された技術では、ソース線に与える電圧と対向電極電圧の極性との関係によっては、液晶を挟持する2つの電極を短絡することで、充放電すべき電荷量が却って増加してしまい、低消費電力化の効果が薄れてしまう場合があるという問題がある。   However, the technique disclosed in Patent Document 1 has a problem that the power consumption reduction effect depends on the voltage applied to the source line. Therefore, the effect of reducing the amount of charge for charging and discharging the counter electrode whose polarity is reversed cannot be expected so much. Further, in the technique disclosed in Patent Document 1, depending on the relationship between the voltage applied to the source line and the polarity of the counter electrode voltage, the amount of charge to be charged / discharged can be reduced by short-circuiting the two electrodes sandwiching the liquid crystal. There is a problem that the effect of lowering power consumption may be diminished.

本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。   The present invention has been made in view of the technical problems as described above, and the object of the present invention is to further reduce power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible. It is an object to provide a drive circuit, an electro-optical device, and an electronic apparatus that can be realized.

上記課題を解決するために本発明は、
階調データに基づいて電気光学装置のソース線を駆動するための駆動回路であって、
階調データに対応した階調電圧を前記ソース線に供給するためのソース線駆動部と、
前記ソース線駆動部により前記ソース線が駆動されるのに先立って、前記ソース線を、キャパシタに接続される共用ラインと短絡するためのソース出力切替部と、
前記ソース出力切替部を制御する電荷再利用制御部とを含み、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、階調データと前記電気光学装置の画素電極と対向する対向電極に供給される対向電極電圧の極性とに基づいて、当該ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部の判定結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡すること駆動回路に関係する。
In order to solve the above problems, the present invention
A drive circuit for driving a source line of an electro-optical device based on gradation data,
A source line driver for supplying a gradation voltage corresponding to gradation data to the source line;
A source output switching unit for short-circuiting the source line with a common line connected to a capacitor before the source line is driven by the source line driving unit;
A charge reuse control unit that controls the source output switching unit,
The charge reuse controller
For each source output, it is determined whether or not the source line is short-circuited with the shared line based on the gradation data and the polarity of the counter electrode voltage supplied to the counter electrode facing the pixel electrode of the electro-optical device. And
The source output switching unit is
The drive circuit is related to short-circuiting the source line with the shared line based on the determination result of the charge reuse control unit.

本発明においては、駆動回路がソース線を駆動するのに先立って、ソース線の電荷を再利用することができる。電荷の再利用は、一端にキャパシタが接続された共用ラインにソース線を短絡することで実現される。ソース線の電荷を再利用することで、駆動対象のソース線の電位を、外部から電荷を充放電することなく所与のレベルに設定できる。このような電荷の再利用を行う場合、電力が消費されない。そのため、駆動回路は、電荷の再利用により、所与のレベルから、階調データに対応した階調電圧のレベルになるようにソース線を駆動すればよいので、ソース線の駆動に伴う電力消費を削減できることが多い。   In the present invention, the charge of the source line can be reused before the driving circuit drives the source line. The reuse of electric charge is realized by short-circuiting the source line to a shared line having a capacitor connected to one end. By reusing the charge on the source line, the potential of the source line to be driven can be set to a given level without external charge / discharge. When such charge is reused, no power is consumed. For this reason, the drive circuit only needs to drive the source line from the given level to the level of the grayscale voltage corresponding to the grayscale data by reusing the electric charge. Can often be reduced.

ところで、低消費電力化を目的として、電気光学装置の対向電極に印加する対向電極電圧とソース線に印加するソース電圧とを、いわゆる極性反転駆動することが行われる。しかしながら、ライン反転駆動においては、例えば1ライン毎に対向電極電圧が切り替わり、対向電極とソース線(又は画素電極)との容量結合によって、対向電極の電圧レベルの変化が、そのままソース線の電圧レベルを変化させることになる。このとき、ソース線の電圧レベルが変化した後に、上記のような電荷の再利用を行うと、余分な電荷の充放電を伴う場合がある。   By the way, for the purpose of reducing power consumption, so-called polarity inversion driving is performed on the counter electrode voltage applied to the counter electrode of the electro-optical device and the source voltage applied to the source line. However, in line inversion driving, for example, the counter electrode voltage is switched for each line, and the change in the voltage level of the counter electrode is directly caused by the capacitive coupling between the counter electrode and the source line (or pixel electrode). Will change. At this time, if the charge is reused as described above after the voltage level of the source line is changed, there may be cases where extra charge is charged and discharged.

そこで、本発明によればソース出力毎に、階調データと電気光学装置の画素電極と対向する対向電極に供給される対向電極電圧の極性とに基づいて、当該ソース線を共用ラインと短絡するか否かを判定し、その判定結果に応じてソース線と共用ラインとを短絡するようにしたので、上記のような余分な電荷の充放電を伴う場合に電荷の再利用を行わないように制御できる。そのため、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。 Therefore, according to the present invention, for each source output , the source line is short-circuited to the common line based on the gradation data and the polarity of the counter electrode voltage supplied to the counter electrode facing the pixel electrode of the electro-optical device. Since the source line and the common line are short-circuited according to the determination result, the charge is not reused when charging / discharging of extra charge as described above is involved. Can be controlled. Therefore, it is possible to provide a drive circuit that can realize further lower power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible.

また本発明に係る駆動回路では、
前記対向電極電圧として高電位側電圧と低電位側電圧とが交互に供給される場合に、
前記電荷再利用制御部が、
前記対向電極電圧の電圧が切り替わるとき、当該水平走査期間にソース線に供給する階調電圧が所与の基準電圧より高電位側にあるか否かを判定し、
前記低電位側電圧から前記高電位側電圧に切り替わる際に当該水平走査期間にソース線に供給する階調電圧が前記基準電圧より低電位側にあると判定されたとき、又は前記高電位側電圧から前記低電位側電圧に切り替わる際に前記階調電圧が前記基準電圧より高電位側にあると判定されたとき、前記ソース出力切替部が、前記ソース線を前記共用ラインと短絡することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
When a high potential side voltage and a low potential side voltage are alternately supplied as the counter electrode voltage,
The charge reuse controller
When the voltage of the counter electrode voltage is switched, it is determined whether the gradation voltage supplied to the source line in the horizontal scanning period is higher than a given reference voltage,
When it is determined that the gradation voltage supplied to the source line during the horizontal scanning period is lower than the reference voltage when the low potential side voltage is switched to the high potential side voltage, or the high potential side voltage When the grayscale voltage is determined to be higher than the reference voltage when switching from the low potential side voltage to the low potential side voltage, the source output switching unit can short-circuit the source line with the shared line. .

本発明においては、対向電極電圧が低電位側電圧から高電位側電圧に切り替わる際に当該水平走査期間にソース線に供給する階調電圧が所与の基準電圧より低電位側にあるか、又は対向電極電圧が高電位側電圧から低電位側電圧に切り替わる際に階調電圧が上記の基準電圧より高電位側にあるかが判定される。上記のケースでは、対向電極電圧が切り替わったときに、電荷の再利用をした方が充放電すべき電荷量を削減できるので、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。   In the present invention, when the counter electrode voltage is switched from the low potential side voltage to the high potential side voltage, the gradation voltage supplied to the source line during the horizontal scanning period is on the lower potential side than the given reference voltage, or When the counter electrode voltage is switched from the high potential side voltage to the low potential side voltage, it is determined whether the gradation voltage is on the higher potential side than the reference voltage. In the above case, when the counter electrode voltage is switched, reusing the charge can reduce the amount of charge to be charged / discharged, so that the charge can be reused without consuming as much power as possible. It is possible to provide a drive circuit that can realize low power consumption.

また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
当該水平走査期間にソース線に供給する階調電圧を生成するための階調データの最上位ビットのデータに基づいて、前記低電位側電圧から前記高電位側電圧に切り替わる際に前記最上位ビットのデータが第1のデータであると判定されたとき、又は前記高電位側電圧から前記低電位側電圧に切り替わる際に前記最上位ビットのデータが該第1のデータを反転した第2のデータであると判定されたとき、前記ソース出力切替部が、前記ソース線を前記共用ラインと短絡することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
The most significant bit when the low potential side voltage is switched to the high potential side voltage based on the most significant bit data of the gradation data for generating the gradation voltage supplied to the source line during the horizontal scanning period. Second data obtained by inverting the first data when the most significant bit data is determined to be the first data or when the high potential side voltage is switched to the low potential side voltage. The source output switching unit can short-circuit the source line with the shared line.

また本発明に係る駆動回路では、
前記基準電圧が、
中間階調値に対応した階調電圧であってもよい。
In the driving circuit according to the present invention,
The reference voltage is
It may be a gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value.

上記のいずれかの発明によれば、中間階調値に対応した階調電圧を基準電圧としたので、簡素な構成で、無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。また、この場合、階調データの最上位のビットのデータのみを用いて上記のように判定できるので、駆動回路の構成をより一層簡素化できる。   According to any one of the above-described inventions, since the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value is used as the reference voltage, the charge can be reused with a simple configuration without consuming unnecessary power. A drive circuit capable of realizing power consumption can be provided. In this case, since the determination can be made as described above using only the most significant bit data of the gradation data, the configuration of the drive circuit can be further simplified.

また本発明に係る駆動回路では、
ライン反転駆動により前記対向電極に前記高電位側電圧又は前記低電位側電圧が供給されてもよい。
In the driving circuit according to the present invention,
The high potential side voltage or the low potential side voltage may be supplied to the counter electrode by line inversion driving.

また本発明に係る駆動回路では、
フレーム反転駆動により前記対向電極に前記高電位側電圧又は前記低電位側電圧を供給する場合には、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と当該水平走査期間に前記ソース線に供給された第2の階調電圧とに応じて、該ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部の判定結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
When supplying the high potential side voltage or the low potential side voltage to the counter electrode by frame inversion driving,
The charge reuse controller
For each source output, according to the first gradation voltage supplied to the source line in the immediately preceding horizontal scanning period and the second gradation voltage supplied to the source line in the horizontal scanning period, the source line Whether or not to short-circuit the common line,
The source output switching unit is
The source line can be short-circuited with the shared line based on the determination result of the charge reuse control unit.

本発明における電荷を再利用する際、当該水平走査期間の直前の水平走査期間においてソース線に設定された階調電圧のレベルによっては、上記のような電荷の再利用を行わない方が、余分な電荷の充放電を伴う場合がある。   When reusing charges in the present invention, depending on the level of the gradation voltage set on the source line in the horizontal scanning period immediately before the horizontal scanning period, it is unnecessary to recycle the charges as described above. May be accompanied by charge / discharge of a large charge.

そこで、本発明によれば、ソース出力毎に、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と当該水平走査期間に前記ソース線に供給された第2の階調電圧とに応じて、該ソース線を共用ラインと短絡するか否かを判定し、その判定結果に応じてソース線と共用ラインとを短絡するようにしたので、上記のような余分な電荷の充放電を伴う場合に電荷の再利用を行わないように制御できる。そのため、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。   Therefore, according to the present invention, for each source output, the first gradation voltage supplied to the source line during the immediately preceding horizontal scanning period and the second gradation voltage supplied to the source line during the horizontal scanning period. Therefore, it is determined whether or not the source line is short-circuited with the shared line, and according to the determination result, the source line and the shared line are short-circuited. It can be controlled not to recycle the charge when it is accompanied by discharge. Therefore, it is possible to provide a drive circuit that can realize further lower power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible.

また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、前記第1及び第2の階調電圧が、所与の基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるかを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部により、前記第1及び第2の階調電圧が前記基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であると判定されたときに、前記ソース線を前記共用ラインと短絡せず、第1及び第2の階調電圧の一方が前記基準電圧より高電位側で他方が前記基準電圧より低電位側と判定された時に短絡することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
For each source output, determine whether the first and second gradation voltages are both higher potential side or lower potential side than a given reference voltage,
The source output switching unit is
When the charge recycle control unit determines that the first and second gradation voltages are both higher or lower than the reference voltage, the source line is short-circuited to the shared line. Instead, it is possible to short-circuit when it is determined that one of the first and second gradation voltages is higher than the reference voltage and the other is lower than the reference voltage .

本発明においては、第1及び第2の階調電圧が、所与の基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるかが判定される。第1及び第2の階調電圧が共に基準電圧より高電位側又は低電位側であるソース線を駆動する場合、駆動回路によるソース線の駆動に先立って行われる電荷の再利用の際に、一旦、当該ソース線の電位が所与のレベルとなってしまい、却って余分な電荷を充放電する必要が生ずる。本発明によれば、ソース出力毎に、上述のように判定されたことを条件に、当該ソース線と共用ラインとを短絡するようにしたので、無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。 In the present invention, it is determined whether the first and second gradation voltages are both higher potential side or lower potential side than a given reference voltage. In the case of driving a source line whose first and second gradation voltages are both higher or lower than the reference voltage , when reusing charges prior to driving the source line by the driving circuit, Once the potential of the source line reaches a given level, it becomes necessary to charge and discharge excess charges. According to the present invention, the source line and the common line are short-circuited on the condition that the determination is made as described above for each source output, so that the charge can be reused without consuming unnecessary power. Thus, it is possible to provide a drive circuit that can realize further lower power consumption.

また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
前記第1の階調電圧を生成するための第1の階調データの最上位ビットのデータと、前記第2の階調電圧を生成するための第2の階調データの最上位ビットのデータとを比較し、その比較結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
The most significant bit data of the first gradation data for generating the first gradation voltage and the most significant bit data of the second gradation data for generating the second gradation voltage And based on the comparison result, it can be determined whether or not the source line is short-circuited with the shared line.

また本発明に係る駆動回路では、
前記基準電圧が、
中間階調値に対応した階調電圧であってもよい。
In the driving circuit according to the present invention,
The reference voltage is
It may be a gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value.

上記のいずれかの発明によれば、中間階調値に対応した階調電圧を基準電圧としたので、簡素な構成で、無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できる。また、この場合、階調データの最上位のビットのデータのみを用いて上記のように判定できるので、駆動回路の構成をより一層簡素化できる。   According to any one of the above-described inventions, since the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value is used as the reference voltage, the charge can be reused with a simple configuration without consuming unnecessary power. A drive circuit capable of realizing power consumption can be provided. In this case, since the determination can be made as described above using only the most significant bit data of the gradation data, the configuration of the drive circuit can be further simplified.

また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
前記第1の階調電圧を生成するための第1の階調データと所与の基準データとを比較した第1の比較結果と、前記第2の階調電圧を生成するための第2の階調データと前記基準データとを比較した第2の比較結果とに基づいて、前記ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
A first comparison result of comparing the first gradation data for generating the first gradation voltage and given reference data, and a second comparison result for generating the second gradation voltage Whether or not the source line is short-circuited to the shared line can be determined based on the second comparison result obtained by comparing the gradation data and the reference data.

また本発明に係る駆動回路では、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、前記第1及び第2の階調データが前記基準データより共に大きい又は共に小さいかを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部により、前記第1及び第2の階調データが前記基準データより共に大きい又は共に小さいと判定されたときに、前記ソース線を前記共用ラインと短絡せず、前記第1及び第2の階調電圧の一方が前記基準電圧より大きく他方が前記基準電圧より小さいと判定された時に短絡することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The charge reuse controller
For each source output, determine whether the first and second gradation data are both larger or smaller than the reference data,
The source output switching unit is
When the charge reuse controller determines that the first and second gradation data are both larger or smaller than the reference data, the source line is not short-circuited with the shared line, and the first When one of the second gradation voltages is larger than the reference voltage and the other is smaller than the reference voltage, a short circuit can be made.

上記のいずれかの発明によれば、2つの連続する水平走査期間における階調電圧が、最高電圧Vと最低電圧Vとの間の設定可能な電圧より高電位側か低電位側かを判断でき、電荷の再利用を行ったり、電荷の再利用を省略したりできるようになる。そのため、例えば横軸を階調データとし、縦軸を階調電圧として階調データと階調電圧との関係を示す電気光学装置の階調特性が線形関係を有しない場合であっても、電荷の再利用を行うか否かを判定する基準を変更できるため、種々の電気光学装置を駆動する駆動回路に適用できる。即ち、種々の電気光学装置を駆動する場合でも、無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる駆動回路を提供できるようになる。 According to any one of the above inventions, whether the gradation voltage in two consecutive horizontal scanning periods is higher or lower than the settable voltage between the highest voltage VH and the lowest voltage VL. This makes it possible to re-use charges and to omit re-use of charges. Therefore, for example, even when the gradation characteristics of the electro-optical device showing the relationship between the gradation data and the gradation voltage with the horizontal axis as the gradation data and the vertical axis as the gradation voltage have no linear relationship, the charge Since it is possible to change the reference for determining whether or not to recycle, it can be applied to driving circuits for driving various electro-optical devices. That is, even when various electro-optical devices are driven, it is possible to provide a drive circuit that can further reduce power consumption by reusing charges without consuming unnecessary power.

また本発明に係る駆動回路では、
前記電気光学装置の第1のソース線への出力電圧が供給される第1のソース出力ノードと前記共用ラインとの間に設けられる第1のソース短絡スイッチと、
第2の容量素子の一端が接続される第2の容量素子接続ノードと前記共用ラインとの間に設けられるソース電荷蓄積用スイッチとを含み、
前記第1のソース短絡スイッチ及びソース電荷蓄積用スイッチにより前記第1のソース出力ノードと前記第2の容量素子接続ノードとを一旦電気的に接続した後に、前記第1のソース短絡スイッチ又はソース電荷蓄積用スイッチにより前記第1のソース出力ノードと前記第2の容量素子接続ノードとを電気的に遮断した状態で、前記第1のソース出力ノードに階調データに対応した電圧を供給し、前記第1のソース線を駆動することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
A first source short-circuit switch provided between a first source output node to which an output voltage to the first source line of the electro-optical device is supplied and the shared line;
A source charge storage switch provided between a second capacitor element connection node to which one end of the second capacitor element is connected and the shared line;
After the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically connected once by the first source short circuit switch and the source charge storage switch, the first source short circuit switch or the source charge A voltage corresponding to grayscale data is supplied to the first source output node in a state where the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically cut off by a storage switch, The first source line can be driven.

本発明においては、第1のソース短絡スイッチ及びソース電荷蓄積用スイッチを介して、第1のソース出力ノードと第2の容量素子接続ノードとが一旦電気的に接続された後に、第1のソース出力ノードに階調データに対応した電圧が供給される。このとき、第2の容量素子の一端と第1のソース出力ノードとが同電位となり、第1のソース出力ノード若しくは該第1のソース出力ノードに接続されるソース線の寄生容量に蓄積された電荷が第2の容量素子の一端に電荷を補充したり、或いは第2の容量素子に蓄積された電荷が第1のソース出力ノード等の寄生容量に補充されたりする。そのため、外部電源からの電荷の補充を一切行うことなく、第1のソース出力ノード等の電位を変化させることができる。従って、その後は、上述のように変化した電位を基準に第1のソース出力ノードに電荷の補充等を行えばよいため、消費電力を削減することができる。   In the present invention, after the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically connected via the first source short-circuit switch and the source charge storage switch, the first source A voltage corresponding to the gradation data is supplied to the output node. At this time, one end of the second capacitor element and the first source output node are at the same potential, and accumulated in the parasitic capacitance of the first source output node or the source line connected to the first source output node. The charge is supplemented to one end of the second capacitor element, or the charge accumulated in the second capacitor element is supplemented to a parasitic capacitor such as the first source output node. Therefore, the potential of the first source output node or the like can be changed without replenishing charges from the external power supply at all. Therefore, after that, it is only necessary to charge the first source output node with reference to the potential changed as described above, so that power consumption can be reduced.

また本発明に係る駆動回路では、
第1の容量素子の一端が接続される第1の容量素子接続ノードと電気光学物質を介して前記電気光学装置の画素電極に対向する対向電極の電圧が供給される対向電極電圧出力ノードとの間に設けられる対向電極電荷蓄積用スイッチと、
前記対向電極電荷蓄積用スイッチにより前記対向電極電圧出力ノードと前記第1の容量素子接続ノードとを一旦電気的に接続した後に、前記対向電極電圧出力ノードに前記対向電極電圧を供給して前記対向電極を駆動することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
A first capacitor element connection node to which one end of the first capacitor element is connected and a counter electrode voltage output node to which a voltage of a counter electrode facing the pixel electrode of the electro-optical device is supplied via an electro-optical material. A counter electrode charge storage switch provided therebetween;
After the counter electrode voltage output node and the first capacitor element connection node are electrically connected once by the counter electrode charge storage switch, the counter electrode voltage is supplied to the counter electrode voltage output node and the counter The electrode can be driven.

本発明においては、対向電極電荷蓄積用スイッチを介して、対向電極電圧出力ノードと第1の容量素子接続ノードとが一旦電気的に接続された後に、対向電極電圧出力ノードに対向電極が供給される。このとき、第1の容量素子の一端と対向電極とが同電位となり、対向電極の寄生容量に蓄積された電荷が第1の容量素子の一端に電荷を補充したり、或いは第1の容量素子に蓄積された電荷が対向電極の寄生容量に補充されたりする。そのため、外部電源からの電荷の補充を一切行うことなく、対向電極の電位を変化させることができる。従って、その後は、上述のように変化した電位を基準に対向電極に電荷の補充等を行えばよいため、消費電力を削減することができる。また、対向電極は高電位側電圧又は低電位側電圧のいずれかに設定されるため、階調データに依存することなく、簡素な構成で確実に低消費電力化を図ることができ、電荷の再利用による低消費電力化の効果が著しい。   In the present invention, the counter electrode voltage output node and the first capacitor element connection node are once electrically connected via the counter electrode charge storage switch, and then the counter electrode is supplied to the counter electrode voltage output node. The At this time, one end of the first capacitor element and the counter electrode have the same potential, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the counter electrode supplements one end of the first capacitor element, or the first capacitor element The charge accumulated in the capacitor is supplemented to the parasitic capacitance of the counter electrode. Therefore, it is possible to change the potential of the counter electrode without replenishing charges from the external power supply at all. Therefore, after that, it is only necessary to replenish charges to the counter electrode based on the potential changed as described above, so that power consumption can be reduced. In addition, since the counter electrode is set to either the high potential side voltage or the low potential side voltage, the power consumption can be reliably reduced with a simple configuration without depending on the gradation data. The effect of low power consumption through reuse is remarkable.

また本発明は、
複数のソース線と、
複数のゲート線と、
各画素電極が各ゲート線及び各ソース線により特定される複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向する対向電極と、
前記複数のソース線を駆動するための上記のいずれか記載の駆動回路とを含む電気光学装置に関係する。
The present invention also provides
Multiple source lines,
Multiple gate lines,
A plurality of pixel electrodes in which each pixel electrode is specified by each gate line and each source line;
A counter electrode facing the plurality of pixel electrodes;
The present invention relates to an electro-optical device including any one of the drive circuits described above for driving the plurality of source lines.

また本発明は、
上記のいずれか記載の駆動回路を含む電気光学装置に関係する。
The present invention also provides
The present invention relates to an electro-optical device including any one of the drive circuits described above.

上記のいずれかの発明によれば、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる電気光学装置を提供できる。   According to any one of the above-described inventions, it is possible to provide an electro-optical device capable of realizing further lower power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible.

また本発明は、
上記のいずれか記載の駆動回路を含む電子機器に関係する。
The present invention also provides
The present invention relates to an electronic device including any one of the drive circuits described above.

また本発明は、
上記記載の電気光学装置を含む電子機器に関係する。
The present invention also provides
The present invention relates to an electronic apparatus including the electro-optical device described above.

上記のいずれかの発明によれば、できるだけ無駄な電力を消費することなく電荷を再利用してより一層の低消費電力化を実現できる電子機器を提供できる。   According to any one of the above-described inventions, it is possible to provide an electronic device that can realize further lower power consumption by reusing charges without consuming as much power as possible.

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の必須構成要件であるとは限らない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

1. 液晶装置
図1に、本実施形態の液晶装置のブロック図の例を示す。
1. Liquid Crystal Device FIG. 1 shows an example of a block diagram of a liquid crystal device of this embodiment.

液晶装置10(液晶表示装置。広義には表示装置)は、表示パネル12(狭義にはLCD(Liquid Crystal Display)パネル)、ソース線駆動回路20(狭義にはソースドライバ)、ゲート線駆動回路30(狭義にはゲートドライバ)、表示コントローラ40、電源回路50を含む。なお、液晶装置10にこれらのすべての回路ブロックを含める必要はなく、その一部の回路ブロックを省略する構成にしてもよい。   The liquid crystal device 10 (liquid crystal display device; display device in a broad sense) includes a display panel 12 (LCD (Liquid Crystal Display) panel in a narrow sense), a source line drive circuit 20 (a source driver in a narrow sense), and a gate line drive circuit 30. (Gate driver in a narrow sense), a display controller 40, and a power supply circuit 50 are included. Note that it is not necessary to include all these circuit blocks in the liquid crystal device 10, and some of the circuit blocks may be omitted.

ここで表示パネル12(広義には電気光学装置)は、複数のゲート線(走査線)と、複数のソース線(データ線)と、各画素電極が各ゲート線及び各ソース線により特定される複数の画素電極を含む。この場合、ソース線に薄膜トランジスタTFT(Thin Film Transistor、広義にはスイッチング素子)を接続し、このTFTに画素電極を接続することで、アクティブマトリクス型の液晶装置を構成できる。   Here, in the display panel 12 (electro-optical device in a broad sense), a plurality of gate lines (scanning lines), a plurality of source lines (data lines), and each pixel electrode are specified by each gate line and each source line. A plurality of pixel electrodes are included. In this case, an active matrix liquid crystal device can be configured by connecting a thin film transistor TFT (Thin Film Transistor, switching element in a broad sense) to a source line and connecting a pixel electrode to the TFT.

より具体的には、表示パネル12はアクティブマトリクス基板(例えばガラス基板)に形成される。このアクティブマトリクス基板には、図1のY方向に複数配列されそれぞれX方向に伸びるゲート線G〜G(Mは2以上の自然数)と、X方向に複数配列されそれぞれY方向に伸びるソース線S〜S(Nは2以上の自然数)とが配置されている。また、ゲート線G(1≦K≦M、Kは自然数)とソース線S(1≦L≦N、Lは自然数)との交差点に対応する位置に、薄膜トランジスタTFTKL(広義にはスイッチング素子)が設けられている。 More specifically, the display panel 12 is formed on an active matrix substrate (for example, a glass substrate). In this active matrix substrate, a plurality of gate lines G 1 to G M (M is a natural number of 2 or more) arranged in the Y direction and extending in the X direction, and a plurality of sources arranged in the X direction and extending in the Y direction, respectively. Lines S 1 to S N (N is a natural number of 2 or more) are arranged. The thin film transistor TFT KL (switching in a broad sense) is provided at a position corresponding to the intersection of the gate line G K (1 ≦ K ≦ M, K is a natural number) and the source line S L (1 ≦ L ≦ N, L is a natural number). Element).

TFTKLのゲート電極はゲート線Gに接続され、TFTKLのソース電極はソース線Sに接続され、TFTKLのドレイン電極は画素電極PEKLに接続されている。この画素電極PEKLと、画素電極PEKLと液晶(広義には電気光学物質)を挟んで対向する対向電極CE(共通電極、コモン電極)との間には、液晶容量CLKL(液晶素子)及び補助容量CSKLが形成されている。そして、TFTKL、画素電極PEKL等が形成されるアクティブマトリクス基板と対向電極CEが形成される対向基板との間に液晶が封入されるように形成され、画素電極PEKLと対向電極CEとの間の印加電圧に応じて画素の透過率が変化するようになっている。 The gate electrode of the thin film transistor TFT KL is connected with the gate line G K, a source electrode of the thin film transistor TFT KL is connected with the source line S L, the drain electrode of the thin film transistor TFT KL is connected with a pixel electrode PE KL. A liquid crystal capacitor CL KL (liquid crystal element) is disposed between the pixel electrode PE KL and the counter electrode CE (common electrode, common electrode) opposed to the pixel electrode PE KL with the liquid crystal (electro-optical material in a broad sense) interposed therebetween. In addition, an auxiliary capacitor CS KL is formed. Then, liquid crystal is formed between the active matrix substrate on which the TFT KL , the pixel electrode PE KL, and the like are formed and the counter substrate on which the counter electrode CE is formed, and the pixel electrode PE KL , the counter electrode CE, The transmittance of the pixel is changed in accordance with the applied voltage between.

なお、対向電極CEに与えられる対向電極電圧VCOMの電圧レベル(高電位側電圧VCOMH、低電位側電圧VCOML)は、電源回路50に含まれる対向電極電圧生成回路より生成される。また、対向電極CEを対向基板上に一面に形成せずに、各ゲート線に対応するように帯状に形成してもよい。   Note that the voltage level (high potential side voltage VCOMH, low potential side voltage VCOML) of the counter electrode voltage VCOM applied to the counter electrode CE is generated by a counter electrode voltage generation circuit included in the power supply circuit 50. Further, the counter electrode CE may be formed in a strip shape so as to correspond to each gate line without being formed on the entire surface of the counter substrate.

ソース線駆動回路20は、階調データに基づいて表示パネル12のソース線S〜Sを駆動する。一方、ゲート線駆動回路30は、表示パネル12のゲート線G〜Gを走査(順次駆動)する。 The source line driving circuit 20 drives the source lines S 1 to S N of the display panel 12 based on the gradation data. On the other hand, the gate line driver circuit 30 scans the gate lines G 1 ~G M of the display panel 12 (sequential drive).

表示コントローラ40は、図示しない中央演算処理装置(Central Processing Unit:CPU)等のホストにより設定された内容に従って、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30及び電源回路50を制御する。より具体的には、表示コントローラ40は、ソース線駆動回路20及びゲート線駆動回路30に対しては、例えば動作モードの設定や内部で生成した垂直同期信号や水平同期信号の供給を行い、電源回路50に対しては、対向電極CEに印加する対向電極電圧VCOMの電圧レベルの極性反転タイミングの制御を行う。   The display controller 40 controls the source line driving circuit 20, the gate line driving circuit 30, and the power supply circuit 50 according to the contents set by a host such as a central processing unit (CPU) (not shown). More specifically, the display controller 40 sets, for example, an operation mode and supplies an internally generated vertical synchronization signal and horizontal synchronization signal to the source line drive circuit 20 and the gate line drive circuit 30 to supply power. For the circuit 50, the polarity inversion timing of the voltage level of the common electrode voltage VCOM applied to the common electrode CE is controlled.

電源回路50は、外部から供給される電圧に基づいて、表示パネル12の駆動に必要な各種の電圧レベル(階調電圧)や、対向電極CEの対向電極電圧VCOMの電圧レベルを生成する。   The power supply circuit 50 generates various voltage levels (grayscale voltages) necessary for driving the display panel 12 and the voltage level of the counter electrode voltage VCOM of the counter electrode CE based on a voltage supplied from the outside.

このような構成の液晶装置10は、表示コントローラ40の制御の下、外部から供給される階調データに基づいて、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30及び電源回路50が協調して表示パネル12を駆動する。   In the liquid crystal device 10 having such a configuration, the source line driving circuit 20, the gate line driving circuit 30, and the power supply circuit 50 cooperatively display based on gradation data supplied from outside under the control of the display controller 40. The panel 12 is driven.

また図1において、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30及び電源回路50を集積化して、半導体装置(集積回路、IC)として表示ドライバ(広義には駆動回路)60を構成することができる。なお、図1の表示ドライバ60は、ゲート線駆動回路30が省略された構成であってもよい。また、図1において、本実施形態における表示ドライバ60は、ソース線駆動回路20と電源回路50の対向電極電圧生成回路とを含む構成であればよい。   Further, in FIG. 1, a source driver circuit 20, a gate line driver circuit 30, and a power supply circuit 50 can be integrated to form a display driver (driving circuit in a broad sense) 60 as a semiconductor device (integrated circuit, IC). . The display driver 60 in FIG. 1 may have a configuration in which the gate line driving circuit 30 is omitted. In FIG. 1, the display driver 60 in the present embodiment may be configured to include the source line driving circuit 20 and the common electrode voltage generation circuit of the power supply circuit 50.

このような表示ドライバ60は、更に、各ソース出力切替回路がソース線と該ソース線を駆動する出力バッファとの間に設けられた複数のソース出力切替回路(ソース出力切替部)SSW〜SSWを含む。各ソース出力切替回路の第1の端子には、各出力バッファの出力が接続される。各ソース出力切替回路の第2の端子には、各ソース線が接続される。各ソース出力切替回路の第3の端子には、共用ラインCOLの一端が接続される。複数のソース出力切替回路SSW〜SSWは、図示しない制御信号により個別にオンオフ制御される。即ち、各ソース出力切替回路は、ソース出力毎にオンオフ制御される。 The display driver 60 further includes a plurality of source output switching circuits (source output switching units) SSW 1 to SSW in which each source output switching circuit is provided between the source line and an output buffer that drives the source line. N is included. The output of each output buffer is connected to the first terminal of each source output switching circuit. Each source line is connected to the second terminal of each source output switching circuit. One end of the shared line COL is connected to the third terminal of each source output switching circuit. The plurality of source output switching circuits SSW 1 to SSW N are individually turned on / off by a control signal (not shown). That is, each source output switching circuit is on / off controlled for each source output.

表示ドライバ60は、ソース電荷蓄積用の第2の容量素子接続用端子TL2と、ソース電荷蓄積用スイッチCSWとを含む。ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、共用ラインCOLの他端と第2の容量素子接続用端子TL2との間に設けられる。ソース電荷蓄積用スイッチCSWが導通状態に設定されるとき、ソース出力切替回路SSW〜SSWの各ソース出力切替回路は、各ソース線と共用ラインCOLとを電気的に接続することができる。 The display driver 60 includes a second capacitor element connection terminal TL2 for storing source charge and a source charge storing switch CSW. The source charge storage switch CSW is provided between the other end of the shared line COL and the second capacitor element connection terminal TL2. When the source charge storage switch CSW is set to the conductive state, each source output switching circuit of the source output switching circuits SSW 1 to SSW N can electrically connect each source line to the common line COL.

共用ラインCOLは、第2の容量素子接続ノードを含むということができる。第2の容量素子接続用端子TL2には、第2の容量素子CCSの一端が電気的に接続される。第2の容量素子CCSの他端には、所定の電源電圧(例えばシステム接地電源電圧VSS)が供給される。図1において、第2の容量素子CCSは、表示ドライバ60の外部に設けられているが、第2の容量素子CCSが表示ドライバ60に内蔵されていてもよい。   It can be said that the shared line COL includes a second capacitor element connection node. One end of the second capacitor element CCS is electrically connected to the second capacitor element connection terminal TL2. A predetermined power supply voltage (for example, the system ground power supply voltage VSS) is supplied to the other end of the second capacitor element CCS. In FIG. 1, the second capacitor element CCS is provided outside the display driver 60, but the second capacitor element CCS may be built in the display driver 60.

また、表示ドライバ60は、更に、第1の容量素子接続用端子TL1と、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWとを含むことができる。対向電極電荷蓄積用スイッチVSWは、電源回路50の対向電極電圧生成回路の出力(対向電極電圧VCOMが供給される対向電極電圧出力ノード)と、第1の容量素子接続用端子TL1との間に設けられる。第1の容量素子接続用端子TL1には、第1の容量素子CCVの一端が電気的に接続される。第1の容量素子CCVの他端には、所定の電源電圧(例えばシステム接地電源電圧VSS)が供給される。図1において、第1の容量素子CCVは、表示ドライバ60の外部に設けられているが、第1の容量素子CCVが表示ドライバ60に内蔵されていてもよい。   The display driver 60 can further include a first capacitor element connection terminal TL1 and a counter electrode charge storage switch VSW. The common electrode charge storage switch VSW is connected between the output of the common electrode voltage generation circuit of the power supply circuit 50 (the common electrode voltage output node to which the common electrode voltage VCOM is supplied) and the first capacitor element connection terminal TL1. Provided. One end of the first capacitor element CCV is electrically connected to the first capacitor element connection terminal TL1. A predetermined power supply voltage (for example, the system ground power supply voltage VSS) is supplied to the other end of the first capacitor element CCV. In FIG. 1, the first capacitor element CCV is provided outside the display driver 60, but the first capacitor element CCV may be built in the display driver 60.

対向電極電荷蓄積用スイッチVSWが導通状態に設定されるとき、電源回路50の対向電極電圧生成回路の出力がハイインピーダンス状態に設定される。   When the common electrode charge storage switch VSW is set to the conductive state, the output of the common electrode voltage generation circuit of the power supply circuit 50 is set to the high impedance state.

なお、図1では、液晶装置10が表示コントローラ40を含む構成になっているが、表示コントローラ40を液晶装置10の外部に設けてもよい。或いは、表示コントローラ40と共にホストを液晶装置10に含めるようにしてもよい。また、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30、表示コントローラ40、電源回路50の一部又は全部を表示パネル12上に形成してもよい。   In FIG. 1, the liquid crystal device 10 includes the display controller 40, but the display controller 40 may be provided outside the liquid crystal device 10. Alternatively, the host may be included in the liquid crystal device 10 together with the display controller 40. Further, part or all of the source line driver circuit 20, the gate line driver circuit 30, the display controller 40, and the power supply circuit 50 may be formed on the display panel 12.

図2に、本実施形態における液晶装置の他の構成例のブロック図を示す。   FIG. 2 is a block diagram showing another configuration example of the liquid crystal device according to this embodiment.

図2では、表示パネル12上(パネル基板上)に、ソース線駆動回路20、ゲート線駆動回路30及び電源回路50を含む表示ドライバ60が形成されている。このように表示パネル12は、複数のゲート線と、複数のソース線と、複数のゲート線の各ゲート線及び複数のソース線の各ソース線とにより特定される複数の画素(画素電極)と、複数のソース線を駆動するソース線駆動回路と、複数のゲート線を走査するゲート線駆動回路とを含むように構成することができる。表示パネル12の画素形成領域44に、複数の画素が形成されている。各画素は、ソースにソース線が接続されゲートにゲート線が接続されたTFTと、該TFTのドレインに接続された画素電極とを含むことができる。   In FIG. 2, a display driver 60 including a source line driving circuit 20, a gate line driving circuit 30, and a power supply circuit 50 is formed on the display panel 12 (panel substrate). As described above, the display panel 12 includes a plurality of gate lines, a plurality of source lines, a plurality of pixels (pixel electrodes) specified by the gate lines of the plurality of gate lines and the source lines of the plurality of source lines. A source line driving circuit for driving a plurality of source lines and a gate line driving circuit for scanning the plurality of gate lines can be included. A plurality of pixels are formed in the pixel formation region 44 of the display panel 12. Each pixel can include a TFT having a source connected to the source and a gate line connected to the gate, and a pixel electrode connected to the drain of the TFT.

なお図2では、表示パネル12上においてゲート線駆動回路30及び電源回路50のうち少なくとも1つが省略された構成であってもよい。   In FIG. 2, at least one of the gate line driving circuit 30 and the power supply circuit 50 may be omitted on the display panel 12.

また図1又は図2において、表示ドライバ60が、表示コントローラ40を内蔵してもよい。或いは図1又は図2において、表示ドライバ60が、ソース線駆動回路20及びゲート線駆動回路30のいずれか一方と、電源回路50とを集積化した半導体装置であってもよい。   In FIG. 1 or FIG. 2, the display driver 60 may incorporate the display controller 40. Alternatively, in FIG. 1 or FIG. 2, the display driver 60 may be a semiconductor device in which one of the source line driver circuit 20 and the gate line driver circuit 30 and the power supply circuit 50 are integrated.

2. 表示ドライバ
次に、図1又は図2の駆動回路としての表示ドライバ60の構成要部について説明する。
2. Display Driver Next, a configuration main part of the display driver 60 as the drive circuit of FIG. 1 or FIG. 2 will be described.

図3に、図1又は図2のソース線駆動回路20の構成例のブロック図を示す。   FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of the source line driver circuit 20 shown in FIG.

ソース線駆動回路20は、シフトレジスタ22、ラインラッチ24、26、DAC28(Digital-to-Analog Converter)(広義にはデータ電圧生成回路)、出力バッファ(広義にはソース線駆動部)29を含む。   The source line drive circuit 20 includes a shift register 22, line latches 24 and 26, a DAC 28 (Digital-to-Analog Converter) (data voltage generation circuit in a broad sense), and an output buffer (source line drive unit in a broad sense) 29. .

シフトレジスタ22は、各ソース線に対応して設けられ、順次接続された複数のフリップフロップを含む。このシフトレジスタ22は、クロック信号CLKに同期してイネーブル入出力信号EIOを保持すると、順次クロック信号CLKに同期して隣接するフリップフロップにイネーブル入出力信号EIOをシフトする。   The shift register 22 includes a plurality of flip-flops provided corresponding to each source line and sequentially connected. When the shift register 22 holds the enable input / output signal EIO in synchronization with the clock signal CLK, the shift register 22 sequentially shifts the enable input / output signal EIO to the adjacent flip-flops in synchronization with the clock signal CLK.

ラインラッチ24には、表示コントローラ40から例えば18ビット(6ビット(階調データ)×3(RGB各色))単位で階調データ(DIO)が入力される。ラインラッチ24は、この階調データ(DIO)を、シフトレジスタ22の各フリップフロップで順次シフトされたイネーブル入出力信号EIOに同期してラッチする。   Gradation data (DIO) is input to the line latch 24 from the display controller 40 in units of 18 bits (6 bits (gradation data) × 3 (each RGB color)), for example. The line latch 24 latches the gradation data (DIO) in synchronization with the enable input / output signal EIO sequentially shifted by each flip-flop of the shift register 22.

ラインラッチ26は、表示コントローラ40から供給される水平同期信号LPに同期して、ラインラッチ24でラッチされた1水平走査単位の階調データをラッチする。   The line latch 26 latches the grayscale data for one horizontal scan latched by the line latch 24 in synchronization with the horizontal synchronization signal LP supplied from the display controller 40.

階調電圧発生回路27は、64種類の階調電圧を生成する。階調電圧発生回路27によって生成された64種類の階調電圧は、DAC28に供給される。   The gradation voltage generation circuit 27 generates 64 kinds of gradation voltages. The 64 types of gradation voltages generated by the gradation voltage generation circuit 27 are supplied to the DAC 28.

DAC(データ電圧生成回路)28は、各ソース線に供給すべきアナログのデータ電圧を生成する。具体的にはDAC28は、ラインラッチ26からのデジタルの階調データに基づいて、階調電圧発生回路27からの階調電圧のいずれかを選択し、デジタルの階調データに対応するアナログのデータ電圧を出力する。   A DAC (data voltage generation circuit) 28 generates an analog data voltage to be supplied to each source line. Specifically, the DAC 28 selects any one of the gradation voltages from the gradation voltage generation circuit 27 based on the digital gradation data from the line latch 26, and analog data corresponding to the digital gradation data. Output voltage.

出力バッファ29は、DAC28からのデータ電圧をバッファリングしてソース線に出力し、ソース線を駆動する。具体的には、出力バッファ29は、各ソース線毎に設けられたボルテージフォロワ接続の演算増幅回路を含む演算増幅回路ブロックOPC〜OPCを含み、これらの各演算増幅回路ブロックが、DAC28からのデータ電圧をインピーダンス変換して、各ソース線に出力する。 The output buffer 29 buffers the data voltage from the DAC 28 and outputs it to the source line to drive the source line. Specifically, the output buffer 29 includes operational amplifier circuit blocks OPC 1 to OPC N each including a voltage follower-connected operational amplifier circuit provided for each source line, and these operational amplifier circuit blocks are connected to the DAC 28. Is converted to impedance and output to each source line.

なお、図3では、デジタルの階調データをデジタル・アナログ変換して、出力バッファ29を介してソース線に出力する構成を採用しているが、アナログの映像信号をサンプル・ホールドして、出力バッファ29を介してソース線に出力する構成を採用することもできる。   In FIG. 3, the digital gradation data is converted from digital to analog and output to the source line via the output buffer 29. However, the analog video signal is sampled and held and output. A configuration of outputting to the source line via the buffer 29 can also be adopted.

図4に、図3の階調電圧発生回路27、DAC28及び出力バッファ29の構成例を示す。図4において、階調データが6ビットのデータD0〜D5であり、各ビットのデータの反転データをXD0〜XD5と示している。また図4において、図3と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   FIG. 4 shows a configuration example of the gradation voltage generating circuit 27, the DAC 28, and the output buffer 29 in FIG. In FIG. 4, gradation data is 6-bit data D0 to D5, and inverted data of the data of each bit is indicated as XD0 to XD5. In FIG. 4, the same parts as those in FIG.

階調電圧発生回路27は、電源回路50によって生成される両端の電圧VDDH、VSSHを抵抗分割して64種類の階調電圧を生成する。各階調電圧は、6ビットの階調データにより表される各階調値に対応している。各階調電圧は、ソース線S〜Sの各ソース線に共通に供給される。 The gradation voltage generating circuit 27 generates 64 kinds of gradation voltages by dividing the voltages VDDH and VSSH generated by the power supply circuit 50 by resistance. Each gradation voltage corresponds to each gradation value represented by 6-bit gradation data. Each gradation voltage is supplied in common to each source line of the source lines S 1 to S N.

DAC28は、ソース線毎に設けられたデコーダを含み、各デコーダは、階調データに対応した階調電圧を演算増幅回路ブロックOPC〜OPCに出力する。 The DAC 28 includes a decoder provided for each source line, and each decoder outputs a gradation voltage corresponding to the gradation data to the operational amplifier circuit blocks OPC 1 to OPC N.

図3及び図4では、階調データが1ラインずつ供給される場合の構成例を示したが、表示ドライバ60が、少なくとも1画面分の階調データを記憶する表示メモリを内蔵してもよい。   3 and 4 show an example of a configuration in which gradation data is supplied line by line, the display driver 60 may incorporate a display memory that stores gradation data for at least one screen. .

図5に、図1又は図2のゲート線駆動回路30の構成例を示す。   FIG. 5 shows a configuration example of the gate line driving circuit 30 of FIG. 1 or FIG.

ゲート線駆動回路30は、アドレス生成回路32、アドレスデコーダ34、レベルシフタ36、出力回路38を含む。   The gate line driving circuit 30 includes an address generation circuit 32, an address decoder 34, a level shifter 36, and an output circuit 38.

アドレス生成回路32は、ゲート線G〜Gのうち選択すべきゲート線に対応したアドレスを生成する。アドレス生成回路32は、ゲート線G〜Gを1本ずつ選択して走査するようにアドレスを生成することができる。 Address generating circuit 32 generates an address corresponding to the gate line to be selected among the gate lines G 1 ~G M. Address generating circuit 32 can generate an address to scan and select the gate line G 1 ~G M one by one.

アドレスデコーダ34は、アドレス生成回路32によって生成されたアドレスをデコードし、そのデコード結果に基づいてゲート線G〜Gに対応したデコード信号線を選択する。 The address decoder 34 decodes the address generated by the address generation circuit 32 selects the decoded signal lines corresponding to the gate lines G 1 ~G M based on the decoding result.

レベルシフタ36は、アドレスデコーダ34からのデコード信号線の信号の電圧レベルを、表示パネル12の液晶素子とTFTのトランジスタ能力とに応じた電圧レベルにシフトする。この電圧レベルとしては、高い電圧レベルが必要とされるため、他のロジック回路部とは異なる高耐圧プロセスが用いられる。   The level shifter 36 shifts the voltage level of the signal on the decode signal line from the address decoder 34 to a voltage level corresponding to the liquid crystal element of the display panel 12 and the transistor capability of the TFT. Since this voltage level requires a high voltage level, a high breakdown voltage process different from other logic circuit units is used.

出力回路38は、レベルシフタ36によってシフトされた走査電圧をバッファリングしてゲート線に出力し、ゲート線を駆動する。   The output circuit 38 buffers the scanning voltage shifted by the level shifter 36 and outputs it to the gate line to drive the gate line.

図6に、図1又は図2の電源回路50の構成例を示す。   FIG. 6 shows a configuration example of the power supply circuit 50 of FIG. 1 or FIG.

電源回路50は、正方向2倍昇圧回路52、走査電圧生成回路54、対向電極電圧生成回路56を含む。この電源回路50には、システム接地電源電圧VSS及びシステム電源電圧VDDが供給される。   The power supply circuit 50 includes a positive direction double boosting circuit 52, a scanning voltage generation circuit 54, and a counter electrode voltage generation circuit 56. The power supply circuit 50 is supplied with a system ground power supply voltage VSS and a system power supply voltage VDD.

正方向2倍昇圧回路52には、システム接地電源電圧VSS及びシステム電源電圧VDDが供給される。そして正方向2倍昇圧回路52は、システム接地電源電圧VSSを基準に、システム電源電圧VDDを正方向に2倍に昇圧した電源電圧VDDHSを生成する。即ち正方向2倍昇圧回路52は、システム接地電源電圧VSSとシステム電源電圧VDDとの間の電圧差を2倍に昇圧する。このような正方向2倍昇圧回路52は、公知のチャージポンプ回路により構成できる。電源電圧VDDHSは、ソース線駆動回路20、走査電圧生成回路54や対向電極電圧生成回路56に供給される。なお正方向2倍昇圧回路52は、2倍以上の昇圧倍率で昇圧後にレギュレータで電圧レベルを調整して、システム電源電圧VDDを正方向に2倍に昇圧した電源電圧VDDHSを出力することが望ましい。   The system ground power supply voltage VSS and the system power supply voltage VDD are supplied to the positive direction double booster circuit 52. Then, the positive direction double boosting circuit 52 generates a power supply voltage VDDHS obtained by boosting the system power supply voltage VDD twice in the positive direction on the basis of the system ground power supply voltage VSS. That is, the positive direction double boosting circuit 52 boosts the voltage difference between the system ground power supply voltage VSS and the system power supply voltage VDD twice. Such a positive direction double boosting circuit 52 can be constituted by a known charge pump circuit. The power supply voltage VDDHS is supplied to the source line drive circuit 20, the scan voltage generation circuit 54, and the counter electrode voltage generation circuit 56. It is desirable that the positive direction double booster circuit 52 outputs a power supply voltage VDDHS obtained by boosting the system power supply voltage VDD twice in the positive direction by adjusting the voltage level with a regulator after boosting at a boosting factor of 2 or more. .

走査電圧生成回路54には、システム接地電源電圧VSS及び電源電圧VDDHSが供給される。そして走査電圧生成回路54は、走査電圧を生成する。走査電圧は、ゲート線駆動回路30によって選択されるゲート線に印加される電圧である。この走査電圧の高電位側電圧はVDDHGであり、低電位側電圧はVEEである。   The scan voltage generation circuit 54 is supplied with the system ground power supply voltage VSS and the power supply voltage VDDHS. The scan voltage generation circuit 54 generates a scan voltage. The scanning voltage is a voltage applied to the gate line selected by the gate line driving circuit 30. The high potential side voltage of this scanning voltage is VDDHG, and the low potential side voltage is VEE.

対向電極電圧生成回路56は、対向電極電圧VCOMを生成する。対向電極電圧生成回路56は、極性反転信号POLに基づいて、高電位側電圧VCOMH又は低電位側電圧VCOMLを、対向電極電圧VCOMとして出力する。極性反転信号POLは、極性反転タイミングに合わせて表示コントローラ40によって生成される。   The counter electrode voltage generation circuit 56 generates a counter electrode voltage VCOM. The common electrode voltage generation circuit 56 outputs the high potential side voltage VCOMH or the low potential side voltage VCOML as the common electrode voltage VCOM based on the polarity inversion signal POL. The polarity inversion signal POL is generated by the display controller 40 in accordance with the polarity inversion timing.

図7に、図1又は図2の表示パネル12の駆動波形の一例を示す。   FIG. 7 shows an example of the drive waveform of the display panel 12 shown in FIG.

ソース線には、階調データの階調値に応じた階調電圧DLVが印加される。図7では、システム接地電源電圧VSS(=0V)を基準に、5Vの振幅の階調電圧DLVが印加されている。   A gradation voltage DLV corresponding to the gradation value of the gradation data is applied to the source line. In FIG. 7, a gradation voltage DLV having an amplitude of 5 V is applied with respect to the system ground power supply voltage VSS (= 0 V).

ゲート線には、非選択時において低電位側電圧VEE(=−10V)、選択時において高電位側電圧VDDHG(=15V)の走査電圧GLVが印加される。   A scanning voltage GLV of a low potential side voltage VEE (= −10 V) when not selected and a high potential side voltage VDDHG (= 15 V) when selected is applied to the gate line.

対向電極CEには、高電位側電圧VCOMH(=3V)、低電位側電圧VCOML(=−2V)の対向電極電圧VCOMが印加される。そして所与の電圧を基準とした対向電極電圧VCOMの電圧レベルの極性が、極性反転タイミングに合わせて反転している。図7では、いわゆる走査ライン反転駆動時の対向電極電圧VCOMの波形を示している。この極性反転タイミングに合わせて、ソース線の階調電圧DLVもまた、所与の電圧を基準に、その極性が反転している。   The counter electrode CE is applied with the counter electrode voltage VCOM of the high potential side voltage VCOMH (= 3 V) and the low potential side voltage VCOML (= −2 V). The polarity of the voltage level of the counter electrode voltage VCOM with respect to a given voltage is inverted in accordance with the polarity inversion timing. FIG. 7 shows the waveform of the counter electrode voltage VCOM during so-called scanning line inversion driving. In accordance with the polarity inversion timing, the polarity of the grayscale voltage DLV of the source line is also inverted with reference to a given voltage.

ところで液晶素子は、直流電圧を長時間印加すると劣化するという性質がある。このため、液晶素子に印加する電圧の極性を所定期間毎に反転させる駆動方式が必要になる。このような駆動方式としては、フレーム反転駆動、走査(ゲート)ライン反転駆動、データ(ソース)ライン反転駆動、ドット反転駆動等がある。   By the way, the liquid crystal element has a property that it deteriorates when a DC voltage is applied for a long time. For this reason, a driving method is required in which the polarity of the voltage applied to the liquid crystal element is inverted every predetermined period. Such driving methods include frame inversion driving, scanning (gate) line inversion driving, data (source) line inversion driving, dot inversion driving, and the like.

このうち、データライン反転駆動、ドット反転駆動は、画質は良いが、表示パネルの駆動に高い電圧が必要になるという不利点がある。一方、フレーム反転駆動は、画質がそれほど良くないという不利点があるが、消費電力を削減できる。例えば対向電極電圧の周波数に着目すると、フレーム反転駆動の方が対向電極電圧の周波数を大幅に低下させることができる。そのため、データライン反転駆動やドット反転駆動に比べると、フレーム反転駆動では、対向電極の駆動に伴う電力消費を大幅に削減できる。   Among these, data line inversion driving and dot inversion driving have good image quality, but have the disadvantage that a high voltage is required for driving the display panel. On the other hand, the frame inversion drive has a disadvantage that the image quality is not so good, but can reduce power consumption. For example, focusing on the frequency of the counter electrode voltage, the frame inversion driving can significantly reduce the frequency of the counter electrode voltage. Therefore, compared with data line inversion driving and dot inversion driving, frame inversion driving can greatly reduce the power consumption associated with driving the counter electrode.

そこで、本実施形態では、対向電極を、いずれかの極性反転駆動モードで駆動できるようになっている。例えば、画質を優先させる場合には走査ライン反転駆動(以下、単にライン反転駆動)で対向電極を駆動するように設定されることで、対向電極をライン反転駆動で駆動することができる。また、低消費電力化を優先させる場合にはフレーム反転駆動で対向電極を駆動するように設定されることで、対向電極をフレーム反転駆動で駆動することができる。   Therefore, in the present embodiment, the counter electrode can be driven in any polarity inversion drive mode. For example, when priority is given to image quality, the counter electrode can be driven by line inversion driving by setting the counter electrode to be driven by scanning line inversion driving (hereinafter simply referred to as line inversion driving). Further, when priority is given to low power consumption, the counter electrode can be driven by frame inversion driving by setting the counter electrode to be driven by frame inversion driving.

まず、ライン反転駆動では、液晶素子に印加される電圧が走査期間毎(ゲート線毎)に極性反転される。例えば、第1の走査期間(ゲート線)では正極性の電圧が液晶素子に印加され、第2の走査期間では負極性の電圧が印加され、第3の走査期間では正極性の電圧が印加される。一方、次のフレームにおいては、今度は、第1の走査期間では負極性の電圧が液晶素子に印加され、第2の走査期間では正極性の電圧が印加され、第3の走査期間では負極性の電圧が印加されるようになる。   First, in the line inversion driving, the polarity of the voltage applied to the liquid crystal element is inverted every scanning period (every gate line). For example, a positive voltage is applied to the liquid crystal element in the first scanning period (gate line), a negative voltage is applied in the second scanning period, and a positive voltage is applied in the third scanning period. The On the other hand, in the next frame, a negative voltage is applied to the liquid crystal element in the first scanning period, a positive voltage is applied in the second scanning period, and a negative voltage is applied in the third scanning period. Voltage is applied.

そして、このライン反転駆動では、対向電極CEの対向電極電圧VCOMの電圧レベルが走査期間(走査ライン)毎に極性反転される。   In this line inversion driving, the voltage level of the counter electrode voltage VCOM of the counter electrode CE is inverted every scanning period (scanning line).

より具体的には図8に示すように、正極の期間T1(第1の期間)では対向電極電圧VCOMの電圧レベルは低電位側電圧VCOMLになり、負極の期間T2(第2の期間)では高電位側電圧VCOMHになる。そして、このタイミングに合わせてソース線に印加される階調電圧も、その極性が反転する。なお、低電位側電圧VCOMLは、所与の電圧レベルを基準として高電位側電圧VCOMHの極性を反転した電圧レベルである。   More specifically, as shown in FIG. 8, the voltage level of the common electrode voltage VCOM becomes the low potential side voltage VCOML in the positive period T1 (first period), and in the negative period T2 (second period). The high potential side voltage VCOMH is obtained. The polarity of the gradation voltage applied to the source line in accordance with this timing is also reversed. The low potential side voltage VCOML is a voltage level obtained by inverting the polarity of the high potential side voltage VCOMH with reference to a given voltage level.

ここで、正極の期間T1は、ソース線の階調電圧が供給された画素電極の電圧レベルが対向電極CEの電圧レベルよりも高くなる期間である。この期間T1では液晶素子に正極性の電圧が印加されることになる。一方、負極の期間T2は、ソース線の階調電圧が供給された画素電極の電圧レベルが対向電極CEの電圧レベルよりも低くなる期間である。この期間T2では液晶素子に負極性の電圧が印加されることになる。   Here, the positive period T1 is a period in which the voltage level of the pixel electrode to which the grayscale voltage of the source line is supplied is higher than the voltage level of the counter electrode CE. In this period T1, a positive voltage is applied to the liquid crystal element. On the other hand, the negative period T2 is a period in which the voltage level of the pixel electrode to which the grayscale voltage of the source line is supplied is lower than the voltage level of the counter electrode CE. In this period T2, a negative voltage is applied to the liquid crystal element.

また、フレーム反転駆動では、対向電極CEの対向電極電圧VCOMの電圧レベルが垂直走査期間(フレーム期間)毎に極性反転される。   In frame inversion driving, the polarity of the voltage level of the common electrode voltage VCOM of the common electrode CE is reversed every vertical scanning period (frame period).

このように対向電極電圧VCOMを極性反転することで、表示パネルの駆動に必要な電圧を低くすることができる。これにより、駆動回路の耐圧を低くでき、駆動回路の製造プロセスの簡素化、低コスト化を図ることができる。   Thus, by reversing the polarity of the counter electrode voltage VCOM, the voltage necessary for driving the display panel can be lowered. As a result, the withstand voltage of the drive circuit can be lowered, and the manufacturing process of the drive circuit can be simplified and the cost can be reduced.

2.1 電荷の再利用
ところで、本実施形態では、ソース出力切替回路SSW〜SSW、ソース電荷蓄積用スイッチCSW、第2の容量素子CCSを用いることで、第2の容量素子CCSに蓄積された電荷を利用して、外部からソース線に対して電荷を充放電させることなく低消費電力でソース線を駆動できる。即ち、外部からの余分な電荷の充放電を削減し、より一層の低消費電力化を実現している。
2.1 Charge Reuse By the way, in this embodiment, the source output switching circuits SSW 1 to SSW N , the source charge storage switch CSW, and the second capacitor element CCS are used to store in the second capacitor element CCS. Using the generated charge, the source line can be driven with low power consumption without charging or discharging the source line from the outside. In other words, charging / discharging of extra charges from the outside is reduced, and further reduction in power consumption is realized.

更に、本実施形態では、対向電極電荷蓄積用スイッチVSW、第1の容量素子CCVを用いることで、第1の容量素子CCVに蓄積された電荷を利用して、外部から対向電極に対して電荷を充放電させることなく低消費電力で対向電極を駆動できる。即ち、外部からの余分な電荷の充放電を削減し、より一層の低消費電力化を実現している。   Furthermore, in this embodiment, by using the counter electrode charge storage switch VSW and the first capacitor element CCV, the charge stored in the first capacitor element CCV is used to charge the counter electrode from the outside. The counter electrode can be driven with low power consumption without charging and discharging. In other words, charging / discharging of extra charges from the outside is reduced, and further reduction in power consumption is realized.

図9に、本実施形態の液晶装置10の原理的構成図を示す。   FIG. 9 shows a principle configuration diagram of the liquid crystal device 10 of the present embodiment.

図9において、図1又は図2と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図9では、ゲート線G及びソース線Sの交差位置に設けられる画素の電気的な等価回路と、ゲート線GK+1及びソース線SL+1の交差位置に設けられる画素の電気的な等価回路とを示しているが、他の画素の電気的な等価回路も同様である。また、図9では、ソース線駆動回路20のソース出力切替回路、ソース電荷蓄積用スイッチCSW及び対向電極電荷蓄積用スイッチVSWのみを示している。 In FIG. 9, the same parts as those in FIG. 1 or FIG. In Figure 9, the gate lines G K and the electrical equivalent circuit of a pixel provided at the intersection of the source line S L, the gate line G K + 1 and the source line S L + 1 of the electrical equivalent circuit of a pixel provided at the intersection The same applies to the electrical equivalent circuits of other pixels. FIG. 9 shows only the source output switching circuit of the source line driving circuit 20, the source charge storage switch CSW, and the counter electrode charge storage switch VSW.

図10に、ライン反転駆動が行われる場合の図9の液晶装置10の動作例の波形図を示す。   FIG. 10 shows a waveform diagram of an operation example of the liquid crystal device 10 of FIG. 9 when line inversion driving is performed.

図10では、ゲート線G、GK+1、ソース線S及び対向電極CEの電位の変化を示しているが、他のゲート線、ソース線も同様である。図10において、ゲート線Gに接続される画素の選択期間である1水平走査期間(1H)内に、ゲート線Gに走査電圧が印加され、ゲート線GK+1に接続される画素の選択期間である1水平走査期間内に、ゲート線GK+1に走査電圧が印加される。そして、各水平走査期間は、その前半部分に設けられる電荷再利用期間と、その後半部分に設けられる駆動期間とを含む。電荷再利用期間から駆動期間に遷移するときと、駆動期間から電荷再利用期間に遷移するときに、ソース出力切替回路SSW、SSWL+1、対向電極電荷蓄積用スイッチVSW及びソース電荷蓄積用スイッチCSWの切替制御が行われる。 FIG. 10 shows changes in the potentials of the gate lines G K , G K + 1 , the source line SL, and the counter electrode CE, but the same applies to other gate lines and source lines. 10, a selection period of the pixel that is connected with the gate line G K within one horizontal scanning period (1H), the scan voltage is applied to the gate line G K, the selection of pixels is connected with the gate line G K + 1 A scanning voltage is applied to the gate line GK + 1 within one horizontal scanning period. Each horizontal scanning period includes a charge recycling period provided in the first half part and a driving period provided in the second half part. The source output switching circuits SSW L , SSW L + 1 , the counter electrode charge storage switch VSW and the source charge storage switch CSW when transitioning from the charge recycle period to the drive period and when transitioning from the drive period to the charge recycle period Switching control is performed.

電荷再利用期間(TT1)では、ソース出力切替回路SSW、SSWL+1において、ソース線S、SL+1が、第2の容量素子接続ノードを含む共用ラインCOLにそれぞれ電気的に接続される。また、ソース電荷蓄積用スイッチCSWが導通状態となり、共用ラインCOLは、第2の容量素子接続用端子TL2を介して第2の容量素子CCSの一端と電気的に接続される。そのため、電荷再利用期間では、第2の容量素子CCSの一端とソース線S、SL+1とが同電位となり、電荷保存の法則に従って、ソース線の寄生容量に蓄積された電荷が第2の容量素子CCSの一端に電荷を補充したり、或いは第2の容量素子CCSに蓄積された電荷がソース線S、SL+1の寄生容量に補充されたりする。即ち、電荷再利用期間では、電源回路50からの電荷の補充を一切行うことなく、ソース線の電位を変化させる。 In the charge recycle period (TT1), in the source output switching circuits SSW L and SSW L + 1 , the source lines S L and S L + 1 are electrically connected to the shared line COL including the second capacitor element connection node, respectively. Further, the source charge storage switch CSW becomes conductive, and the shared line COL is electrically connected to one end of the second capacitor element CCS via the second capacitor element connection terminal TL2. Therefore, in the charge recycle period, one end of the second capacitor element CCS and the source lines S L and S L + 1 have the same potential, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the source line is in accordance with the law of charge conservation. The charge is replenished to one end of the capacitive element CCS, or the charge accumulated in the second capacitive element CCS is supplemented to the parasitic capacitances of the source lines S L and S L + 1 . That is, in the charge recycle period, the potential of the source line is changed without replenishing charges from the power supply circuit 50 at all.

同様に、電荷再利用期間では、図示しない対向電極電圧生成回路の出力がハイインピーダンス状態に設定され、且つ対向電極電荷蓄積用スイッチVSWが導通状態に設定されるため、対向電極CEが、第1の容量素子接続用端子TL1を介して第1の容量素子CCVの一端と電気的に接続される。そのため、電荷再利用期間では、第1の容量素子CCVの一端と対向電極CEとが同電位となり、対向電極CEの寄生容量に蓄積された電荷が第1の容量素子CCVの一端に電荷を補充したり、或いは第1の容量素子CCVに蓄積された電荷が対向電極CEの寄生容量に補充されたりする。即ち、電荷再利用期間では、電源回路50からの電荷の補充を一切行うことなく、対向電極CEの電位を変化させる。   Similarly, in the charge recycle period, the output of the counter electrode voltage generation circuit (not shown) is set to a high impedance state, and the counter electrode charge storage switch VSW is set to a conductive state. Is electrically connected to one end of the first capacitor element CCV via the capacitor element connection terminal TL1. Therefore, in the charge recycle period, one end of the first capacitor element CCV and the counter electrode CE have the same potential, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the counter electrode CE replenishes one end of the first capacitor element CCV. Or charge accumulated in the first capacitor element CCV is supplemented to the parasitic capacitance of the counter electrode CE. That is, in the charge recycling period, the potential of the counter electrode CE is changed without replenishing charges from the power supply circuit 50 at all.

次に、電荷再利用期間後の駆動期間(TT2)では、ソース出力切替回路SSW、SSWL+1において、ソース線S、SL+1が、ソース線駆動回路20の出力バッファの出力にそれぞれ電気的に接続される。また、ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、非導通状態に設定される。そのため、駆動期間では、ソース線S、SL+1がソース線駆動回路20の出力バッファにより駆動される。このとき、電荷再利用期間TT1における変化後の電位を基準に、各ソース線が各表示データに対応した電位になるまで、ソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷の充放電を行う。従って、電荷再利用期間後の駆動期間では、ソース線駆動回路20の出力バッファが変化させるべきソース線の電圧が低くて済む場合が多い。即ち、直前の水平走査期間(ゲート線GK−1に接続される画素の選択期間)のソース線の電位を基準に、そのまま当該水平走査期間(ゲート線Gに接続される画素の選択期間)のソース線の電位を設定しようとすると、図10に示すようにΔVs1だけソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷を充放電する必要がある。これに対して、上述の電荷再利用期間を設けることで、図10に示すようにΔVs2(ΔVs2<ΔVs1)だけソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷を充放電すればよい。 Next, in the drive period (TT2) after the charge recycle period, in the source output switching circuits SSW L and SSW L + 1 , the source lines S L and S L + 1 are electrically connected to the output of the output buffer of the source line drive circuit 20, respectively. Connected to. Further, the source charge storage switch CSW is set in a non-conductive state. Therefore, in the driving period, the source lines S L and S L + 1 are driven by the output buffer of the source line driving circuit 20. At this time, the output buffer of the source line driver circuit 20 charges and discharges the charges of the source line until each source line becomes a potential corresponding to each display data with reference to the potential after the change in the charge reuse period TT1. . Therefore, in the driving period after the charge recycling period, the voltage of the source line to be changed by the output buffer of the source line driving circuit 20 is often low. That is, based on the potential of the source line in the immediately preceding horizontal scanning period (selection period of pixels connected to the gate line GK-1 ), the horizontal scanning period (selection period of pixels connected to the gate line GK) is used as it is. 10), the output buffer of the source line driver circuit 20 needs to charge / discharge the charge of the source line by ΔVs1 as shown in FIG. On the other hand, by providing the above-described charge recycling period, the output buffer of the source line driver circuit 20 may charge and discharge the source line charge by ΔVs2 (ΔVs2 <ΔVs1) as shown in FIG.

同様に、電荷再利用期間後の駆動期間(TT2)では、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWが非導通状態に設定され、対向電極CEが、電源回路50の対向電極電圧生成回路56の出力と電気的に接続される。そのため、駆動期間では、対向電極CEに、対向電極電圧生成回路56に対向電極電圧VCOMが供給される。このとき、電荷再利用期間TT1における変化後の電位を基準に、高電位側電圧VCOMHになるまで、対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷の充放電を行う。従って、電荷再利用期間後の駆動期間では、対向電極電圧生成回路56が変化させるべき対向電極CEの電圧が低くて済む。即ち、直前の水平走査期間(ゲート線GK−1に接続される画素の選択期間)の対向電極CEの電位を基準に、そのまま当該水平走査期間(ゲート線Gに接続される画素の選択期間)の対向電極CEの電位を設定しようとすると、図10に示すようにΔVc1だけ対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷を充放電する必要がある。これに対して、上述の電荷再利用期間を設けることで、図10に示すようにΔVc2(ΔVc2<ΔVc1)だけ対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷を充放電すればよい。 Similarly, in the driving period (TT2) after the charge recycling period, the common electrode charge storage switch VSW is set in a non-conductive state, and the common electrode CE is electrically connected to the output of the common electrode voltage generation circuit 56 of the power supply circuit 50. Connected. Therefore, in the driving period, the common electrode voltage VCOM is supplied to the common electrode CE and the common electrode voltage generation circuit 56. At this time, the common electrode voltage generation circuit 56 charges and discharges the common electrode CE until the high potential side voltage VCOMH is reached with reference to the potential after the change in the charge reuse period TT1. Therefore, in the driving period after the charge recycling period, the voltage of the counter electrode CE that should be changed by the counter electrode voltage generation circuit 56 may be low. That is, based on the potential of the counter electrode CE in the immediately preceding horizontal scanning period (selection period of pixels connected to the gate line GK-1 ), the horizontal scanning period (selection of pixels connected to the gate line GK) is used as it is. When it is attempted to set the potential of the counter electrode CE during (period), the counter electrode voltage generation circuit 56 needs to charge / discharge the charge of the counter electrode CE by ΔVc1 as shown in FIG. On the other hand, by providing the above-described charge recycling period, the counter electrode voltage generation circuit 56 only needs to charge / discharge the charge of the counter electrode CE by ΔVc2 (ΔVc2 <ΔVc1) as shown in FIG.

そして、次の水平走査期間でも、電荷再利用期間と駆動期間とが設けられ、それぞれの期間において同様に行われる。電荷再利用期間におけるソース線の駆動に伴う電力消費は、駆動期間においてソース線駆動回路20が設定すべき電圧(即ち、表示データ)に依存するため、電荷の再利用による低消費電力化の効果が薄れてしまう。ところが、対向電極CEは高電位側電圧VCOMH又は低電位側電圧VCOMLのいずれかに設定されるため、表示データに依存することなく、簡素な構成で確実に低消費電力化を図ることができ、電荷の再利用による低消費電力化の効果が著しい。   In the next horizontal scanning period, a charge recycling period and a driving period are provided, and the same is performed in each period. Since the power consumption accompanying the drive of the source line in the charge reuse period depends on the voltage (that is, display data) to be set by the source line driver circuit 20 in the drive period, the effect of reducing the power consumption by the charge reuse Will fade. However, since the counter electrode CE is set to either the high potential side voltage VCOMH or the low potential side voltage VCOML, the power consumption can be reliably reduced with a simple configuration without depending on the display data. The effect of reducing power consumption by reusing charges is remarkable.

図11及び図12に、フレーム反転駆動が行われる場合の図9の液晶装置10の動作例の波形図を示す。   11 and 12 show waveform diagrams of an operation example of the liquid crystal device 10 of FIG. 9 when frame inversion driving is performed.

図11では、ゲート線G、GK+1、ソース線Sの電位の変化を示しているが、他のゲート線、ソース線も同様である。図11において、ゲート線Gに接続される画素の選択期間である1水平走査期間(1H)内に、ゲート線Gに走査電圧が印加され、ゲート線GK+1に接続される画素の選択期間である1水平走査期間内に、ゲート線GK+1に走査電圧が印加される。そして、各水平走査期間は、その前半部分に設けられる電荷再利用期間と、その後半部分に設けられる駆動期間とを含む。電荷再利用期間から駆動期間に遷移するときと、駆動期間から電荷再利用期間に遷移するときに、ソース出力切替回路SSW、SSWL+1、及びソース電荷蓄積用スイッチCSWの切替制御が行われる。 In Figure 11, the gate line G K, G K + 1, but shows a change in potential of the source line S L, the other gate line, is the same source line. 11, a selection period of the pixel that is connected with the gate line G K within one horizontal scanning period (1H), the scan voltage is applied to the gate line G K, the selection of pixels is connected with the gate line G K + 1 A scanning voltage is applied to the gate line GK + 1 within one horizontal scanning period. Each horizontal scanning period includes a charge recycling period provided in the first half part and a driving period provided in the second half part. When the transition from the charge recycle period to the drive period and the transition from the drive period to the charge recycle period, switching control of the source output switching circuits SSW L and SSW L + 1 and the source charge storage switch CSW is performed.

電荷の再利用を行う場合、電荷再利用期間(TT3)では、ソース出力切替回路SSW、SSWL+1において、ソース線S、SL+1が、第2の容量素子接続ノードを含む共用ラインCOLにそれぞれ電気的に接続される。また、ソース電荷蓄積用スイッチCSWが導通状態となり、共用ラインCOLは、第2の容量素子接続用端子TL2を介して第2の容量素子CCSの一端と電気的に接続される。そのため、電荷再利用期間では、第2の容量素子CCSの一端とソース線S、SL+1とが同電位となり、電荷保存の法則に従って、ソース線の寄生容量に蓄積された電荷が第2の容量素子CCSの一端に電荷を補充したり、或いは第2の容量素子CCSに蓄積された電荷がソース線S、SL+1の寄生容量に補充されたりする。即ち、電荷再利用期間では、電源回路50からの電荷の補充を一切行うことなく、ソース線の電位を変化させる。 When the charge is reused, in the charge reuse period (TT3), in the source output switching circuits SSW L and SSW L + 1 , the source lines S L and S L + 1 are connected to the shared line COL including the second capacitor element connection node. Each is electrically connected. Further, the source charge storage switch CSW becomes conductive, and the shared line COL is electrically connected to one end of the second capacitor element CCS via the second capacitor element connection terminal TL2. Therefore, in the charge recycle period, one end of the second capacitor element CCS and the source lines S L and S L + 1 have the same potential, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the source line is in accordance with the law of charge conservation. The charge is replenished to one end of the capacitive element CCS, or the charge accumulated in the second capacitive element CCS is supplemented to the parasitic capacitances of the source lines S L and S L + 1 . That is, in the charge recycle period, the potential of the source line is changed without replenishing charges from the power supply circuit 50 at all.

次に、電荷再利用期間後の駆動期間(TT4)では、ソース出力切替回路SSW、SSWL+1において、ソース線S、SL+1が、ソース線駆動回路20の出力バッファ(ソース線駆動部)の出力にそれぞれ電気的に接続される。また、ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、非導通状態に設定される。そのため、駆動期間では、ソース線S、SL+1がソース線駆動回路20の出力バッファにより駆動される。このとき、電荷再利用期間TT3における変化後の電位を基準に、各ソース線が各階調データに対応した電位になるまで、ソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷の充放電を行う。従って、電荷再利用期間後の駆動期間では、ソース線駆動回路20の出力バッファが変化させるべきソース線の電圧が低くて済む場合が多い。即ち、直前の水平走査期間(ゲート線GK−1に接続される画素の選択期間)のソース線の電位を基準に、そのまま当該水平走査期間(ゲート線Gに接続される画素の選択期間)のソース線の電位を設定しようとすると、図11に示すようにΔVs1だけソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷を充放電する必要がある。これに対して、上述の電荷再利用期間を設けることで、図11に示すようにΔVs2(ΔVs2<ΔVs1)だけソース線駆動回路20の出力バッファがソース線の電荷を充放電すればよい。 Next, in the drive period (TT4) after the charge recycle period, in the source output switching circuits SSW L and SSW L + 1 , the source lines S L and S L + 1 are output buffers (source line drive units) of the source line drive circuit 20. Are respectively electrically connected to the outputs of the. Further, the source charge storage switch CSW is set in a non-conductive state. Therefore, in the driving period, the source lines S L and S L + 1 are driven by the output buffer of the source line driving circuit 20. At this time, the output buffer of the source line driver circuit 20 charges and discharges the source line charge until each source line becomes a potential corresponding to each gradation data with reference to the potential after the change in the charge reuse period TT3. . Therefore, in the driving period after the charge recycling period, the voltage of the source line to be changed by the output buffer of the source line driving circuit 20 is often low. That is, based on the potential of the source line in the immediately preceding horizontal scanning period (selection period of pixels connected to the gate line GK-1 ), the horizontal scanning period (selection period of pixels connected to the gate line GK) is used as it is. 11), it is necessary for the output buffer of the source line driver circuit 20 to charge / discharge the charge of the source line by ΔVs1 as shown in FIG. On the other hand, by providing the above-described charge recycling period, the output buffer of the source line driver circuit 20 may charge and discharge the source line charge by ΔVs2 (ΔVs2 <ΔVs1) as shown in FIG.

そして、次の水平走査期間でも、電荷再利用期間と駆動期間とが設けられ、それぞれの期間において同様に行われる。   In the next horizontal scanning period, a charge recycling period and a driving period are provided, and the same is performed in each period.

ソース線に与えられる電圧は、表示画像の種類に依存する。そのため、ソース線に与えられる電圧は、電荷の再利用対象のソース線の階調データに依存する。一般的に、第2の容量素子CCSに対する電荷の充放電を繰り返していくと、第2の容量素子CCSにより蓄積された電荷に対応した電圧は、中間階調値に対応した階調電圧に収束していく。例えば64階調である場合、中間階調値である階調値「32」に対応した階調電圧に収束していく。   The voltage applied to the source line depends on the type of display image. Therefore, the voltage applied to the source line depends on the gradation data of the source line to be reused. In general, when charging and discharging of the charge to and from the second capacitor element CCS are repeated, the voltage corresponding to the charge accumulated by the second capacitor element CCS converges to the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value. I will do it. For example, in the case of 64 gradations, it converges to a gradation voltage corresponding to the gradation value “32” which is an intermediate gradation value.

図12では、対向電極CEの電位の変化を示している。図12において、1垂直走査期間(1V)は、その前半部分に設けられる電荷再利用期間と、その後半部分に設けられる駆動期間とを含む。電荷再利用期間から駆動期間に遷移するときと、駆動期間から電荷再利用期間に遷移するときに、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWの切替制御が行われる。   FIG. 12 shows changes in the potential of the counter electrode CE. In FIG. 12, one vertical scanning period (1V) includes a charge reuse period provided in the first half part and a drive period provided in the second half part. When the transition from the charge recycle period to the drive period and the transition from the drive period to the charge recycle period, switching control of the common electrode charge storage switch VSW is performed.

電荷再利用期間(TT10)では、図示しない対向電極電圧生成回路の出力がハイインピーダンス状態に設定され、且つ対向電極電荷蓄積用スイッチVSWが導通状態に設定される。そのため、対向電極CEが、第1の容量素子接続用端子TL1を介して第1の容量素子CCVの一端と電気的に接続される。従って、電荷再利用期間では、第1の容量素子CCVの一端と対向電極CEとが同電位となり、対向電極CEの寄生容量に蓄積された電荷が第1の容量素子CCVの一端に電荷を補充したり、或いは第1の容量素子CCVに蓄積された電荷が対向電極CEの寄生容量に補充されたりする。即ち、電荷再利用期間では、電源回路50からの電荷の補充を一切行うことなく、対向電極CEの電位を変化させる。   In the charge recycle period (TT10), the output of the common electrode voltage generation circuit (not shown) is set to a high impedance state, and the common electrode charge storage switch VSW is set to a conductive state. Therefore, the counter electrode CE is electrically connected to one end of the first capacitor element CCV via the first capacitor element connection terminal TL1. Therefore, in the charge recycling period, one end of the first capacitor element CCV and the counter electrode CE have the same potential, and the charge accumulated in the parasitic capacitance of the counter electrode CE supplements one end of the first capacitor element CCV. Or charge accumulated in the first capacitor element CCV is supplemented to the parasitic capacitance of the counter electrode CE. That is, in the charge recycling period, the potential of the counter electrode CE is changed without replenishing charges from the power supply circuit 50 at all.

次に、電荷再利用期間後の駆動期間(TT20)では、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWが非導通状態に設定され、対向電極CEが、電源回路50の対向電極電圧生成回路56の出力と電気的に接続される。そのため、駆動期間では、対向電極CEに、対向電極電圧生成回路56に対向電極電圧VCOMが供給される。このとき、電荷再利用期間TT10における変化後の電位を基準に、高電位側電圧VCOMHになるまで、対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷の充放電を行う。従って、電荷再利用期間後の駆動期間では、対向電極電圧生成回路56が変化させるべき対向電極CEの電圧が低くて済む。即ち、直前の垂直走査期間の対向電極CEの電位を基準に、そのまま当該垂直走査期間の対向電極CEの電位を設定しようとすると、図12に示すようにΔVc1だけ対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷を充放電する必要がある。これに対して、上述の電荷再利用期間を設けることで、図12に示すようにΔVc2(ΔVc2<ΔVc1)だけ対向電極電圧生成回路56が対向電極CEの電荷を充放電すればよい。   Next, in the drive period (TT20) after the charge recycle period, the common electrode charge storage switch VSW is set in a non-conductive state, and the common electrode CE is electrically connected to the output of the common electrode voltage generation circuit 56 of the power supply circuit 50. Connected. Therefore, in the driving period, the common electrode voltage VCOM is supplied to the common electrode CE and the common electrode voltage generation circuit 56. At this time, the common electrode voltage generation circuit 56 charges and discharges the common electrode CE until the high potential side voltage VCOMH is reached with reference to the potential after the change in the charge recycle period TT10. Therefore, in the driving period after the charge recycling period, the voltage of the counter electrode CE that should be changed by the counter electrode voltage generation circuit 56 may be low. That is, when the potential of the counter electrode CE in the vertical scanning period is set as it is based on the potential of the counter electrode CE in the immediately preceding vertical scanning period, the counter electrode voltage generation circuit 56 is opposed by ΔVc1 as shown in FIG. It is necessary to charge / discharge the electric charge of the electrode CE. On the other hand, by providing the above-described charge recycling period, the counter electrode voltage generation circuit 56 may charge / discharge the charge of the counter electrode CE by ΔVc2 (ΔVc2 <ΔVc1) as shown in FIG.

そして、次の垂直走査期間でも、電荷再利用期間と駆動期間とが設けられ、それぞれの期間において同様に行われる。   In the next vertical scanning period, a charge recycling period and a driving period are provided, and the same is performed in each period.

2.2 電荷の再利用制御
ところで、対向電極CEは高電位側電圧VCOMH又は低電位側電圧VCOMLのいずれかに設定されるため、階調データに依存することなく、簡素な構成で確実に低消費電力化を図ることができ、電荷の再利用による低消費電力化の効果が著しい。これに対して、図10、図11に示すような電荷再利用期間におけるソース線の駆動に伴う電力消費は、駆動期間においてソース線駆動回路20が設定すべき電圧(即ち、階調データ)に依存するため、電荷の再利用による低消費電力化の効果が薄れてしまう。そこで、本実施形態では、ライン反転駆動を行う場合には、階調データと対向電極電圧の極性とに基づいて、ソース線毎に、電荷の再利用を行うか否かを判定し、その判定結果に基づいて、ソース線毎に上述の電荷の再利用を行ったり、該再利用を省略したりする制御を行う。また、フレーム反転駆動を行う場合には、連続する2つの水平走査期間における階調データに対応した階調電圧に基づいて、ソース線毎に、電荷の再利用を行うか否かを判定し、その判定結果に基づいて、ソース線毎に上述の電荷の再利用を行ったり、該再利用を省略したりする制御を行う。
2.2 Charge Reuse Control By the way, since the counter electrode CE is set to either the high potential side voltage VCOMH or the low potential side voltage VCOML, it is reliably reduced with a simple configuration without depending on the gradation data. Power consumption can be reduced, and the effect of reducing power consumption by reusing charges is remarkable. On the other hand, the power consumption accompanying the drive of the source line in the charge recycle period as shown in FIGS. 10 and 11 is a voltage (that is, gradation data) to be set by the source line drive circuit 20 in the drive period. Therefore, the effect of reducing the power consumption by reusing the charge is diminished. Therefore, in this embodiment, when line inversion driving is performed, it is determined whether or not to recycle charges for each source line based on the gradation data and the polarity of the counter electrode voltage. Based on the result, the above-described charge reuse is performed for each source line, or the reuse is omitted. When performing frame inversion driving, it is determined whether or not to recycle charges for each source line based on the gradation voltage corresponding to the gradation data in two consecutive horizontal scanning periods. Based on the determination result, the above-described charge reuse is performed for each source line, or the reuse is omitted.

図13に、図3のソース線駆動回路20の構成要部を示す。   FIG. 13 shows a main part of the configuration of the source line driving circuit 20 of FIG.

図13では、ソース線Sを駆動するためのソース線駆動回路20の1出力当たりの構成例を示しているが、他のソース出力も同様の構成を有している。図13では、ソース線駆動回路20が、共用ラインCOLを含むものとし、図3と同一部分には、同一符号にソース線Sに対応した添え字「L」を付し、適宜説明を省略する。 In Figure 13, there is shown an exemplary configuration of a per output of the source line driving circuit 20 for driving the source line S L, another source output have the same configuration. In Figure 13, the source line driver circuit 20, is intended to include common line COL, the same parts as FIG. 3, accompanied corresponding to the source line S L to the same reference numerals are denoted by the letter "L", it will not be further described .

図13において、ソース線駆動回路20は、シフトレジスタ22、ラインラッチ24、26、階調電圧発生回路27、DAC28、出力バッファ29の他に、ソース出力毎に設けられる電荷再利用制御部100〜100を含む。図9のソース出力切替回路SSW〜SSWは、出力バッファ29に設けられている。 In FIG. 13, the source line driving circuit 20 includes a charge reuse control unit 100 1 provided for each source output, in addition to the shift register 22, the line latches 24 and 26, the gradation voltage generation circuit 27, the DAC 28, and the output buffer 29. Contains ~ 100 L. The source output switching circuits SSW 1 to SSW N in FIG. 9 are provided in the output buffer 29.

図13において、ラインラッチ24のフリップフロップのうちソース線Sに対応して設けられたフリップフロップにより構成されるラインラッチ24(図示せず)に取り込まれた階調データD[5:0]は、ラインラッチ26のフリップフロップのうちソース線Sに対応して設けられたフリップフロップにより構成されるラインラッチ26に、水平同期信号LPの変化タイミングで取り込まれる。ラインラッチ26に取り込まれた階調データD[5:0]は、DAC28に出力される。DAC28は、ラインラッチ26からの階調データD[5:0]に対応したアナログ電圧である階調電圧を出力する。演算増幅回路ブロックOPCの演算増幅器は、DAC28からの階調電圧をインピーダンス変換してソース線Sを駆動することができる。演算増幅回路ブロックOPCと表示パネル12のソース線Sとの間に、ソース出力切替回路SSWが設けられている。 Figure in 13, grayscale data D taken into composed of flip-flops provided corresponding to the source line S L line latch 24 L (not shown) of the flip-flop of the line latch 24 [5: 0 ] Is taken into the line latch 26 L constituted by the flip-flop provided corresponding to the source line S L among the flip-flops of the line latch 26 at the change timing of the horizontal synchronizing signal LP. Gray-scale data D taken the line latch 26 L [5: 0] is output to the DAC 28 L. The DAC 28 L outputs a gradation voltage that is an analog voltage corresponding to the gradation data D [5: 0] from the line latch 26 L. Operational amplifier of the operational amplifier circuit block OPC L can drive the source line S L and the gray scale voltage impedance conversion from DAC 28 L. A source output switching circuit SSW L is provided between the operational amplifier circuit block OPC L and the source line S L of the display panel 12.

また、図13では、ソース線Sに対応して電荷再利用制御部100が設けられている。電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWの切替制御を行う。 Further, in FIG. 13, the source line S L to the charge corresponding reusable controller 100 L are provided. The charge reuse control unit 100 L performs switching control of the source output switching circuit SSW L.

従って、ソース線駆動回路20は、出力バッファ(ソース線駆動部)によりソース線Sが駆動されるのに先立って、ソース線Sと共用ラインCOLとを短絡するためのソース出力切替回路SSWと、ソース出力切替回路SSWを制御する電荷再利用制御部100とを含むことができる。共用ラインCOLは、第2の容量素子(広義にはキャパシタ)CCSの一端と電気的に接続されている。ライン反転駆動が行われる場合には、電荷再利用制御部100は、ソース出力毎に、階調データと対向電極CEに供給される対向電極電圧VCOMの極性とに基づいて、ソース線Sを共用ラインCOLと短絡するか否かを判定する。またフレーム反転駆動が行われる場合には、電荷再利用制御部100は、ソース出力毎に、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と当該水平走査期間にソース線に供給された第2の階調電圧とに応じて、ソース線を共用ラインCOLと短絡(電気的に接続)するか否かを判定する。そして、ライン反転駆動であってもフレーム反転駆動であっても、ソース出力切替回路SSWが、電荷再利用制御部100の判定結果に基づいてソース線Sを共用ラインCOLと短絡する。 Therefore, the source line driving circuit 20, prior the output buffer (source line driver section) to the source line S L is driven, the source output switch circuit for short-circuiting the common line COL to the source line S L SSW L and a charge reuse control unit 100 L that controls the source output switching circuit SSW L. The shared line COL is electrically connected to one end of the second capacitor element (capacitor in a broad sense) CCS. When line inversion driving is performed, the charge recycle control unit 100L , for each source output, based on the gradation data and the polarity of the counter electrode voltage VCOM supplied to the counter electrode CE, the source line S L Is short-circuited with the common line COL. Further, when the frame inversion driving is performed, the charge recycle control section 100 L, the source and each source output, the first gradation voltage and the horizontal scanning period that is supplied to the source line in the horizontal scanning period immediately before It is determined whether or not the source line is short-circuited (electrically connected) to the shared line COL according to the second gradation voltage supplied to the line. Then, even also frame inversion driving a line inversion driving, source output switch circuit SSW L is short-circuited with the common line COL source line S L, based on the charge recycle control section 100 L of the determination result.

より具体的には、ライン反転駆動が行われる場合、電荷再利用制御部100は、対向電極電圧VCOMの電圧が切り替わるとき(高電位側電圧VCOMHから低電位側電圧VCOMLに切り替わるとき、又は低電位側電圧VCOMLから高電位側電圧VCOMHに切り替わるとき)、当該水平走査期間にソース線Sに供給する階調電圧が所与の基準電圧Vrefより高電位側にあるか否かを判定する。そして、ソース出力切替回路SSWは、低電位側電圧VCOMLから高電位側電圧VCOMHに切り替わる際に当該水平走査期間にソース線Sに供給する階調電圧が基準電圧Vrefより低電位側にあると判定されたとき、又は高電位側電圧VCOMHから低電位側電圧VCOMLに切り替わる際に上記の階調電圧が基準電圧Vrefより高電位側にあると判定されたとき、ソース出力切替回路SSWは、ソース線Sを共用ラインCOLと短絡する。 More specifically, if the line inversion driving is performed, the charge recycle control section 100 L, when when the voltage of the common electrode voltage VCOM is switched to (from the high potential side voltage VCOMH switched to low-potential-side voltage VCOML, or low when switching from the potential side voltage VCOML to the high-potential-side voltage VCOMH), the gradation voltage supplied to the horizontal scanning period to the source line S L is determined whether the higher potential side than a given reference voltage Vref. The source output switch circuit SSW L is on the low potential side of the horizontal scanning gradation voltage reference voltage Vref supplied to the source line S L during the period when switching to the high-potential-side voltage VCOMH from the low potential side voltage VCOML When it is determined that the grayscale voltage is higher than the reference voltage Vref when the high potential side voltage VCOMH is switched to the low potential side voltage VCOML, the source output switching circuit SSW L , to short-circuit the common line COL the source line S L.

また、フレーム反転駆動が行われる場合、電荷再利用制御部100は、ソース出力毎に、第1及び第2の階調電圧が、所与の基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるか否かを判定する。そして、ソース出力切替回路SSWは、電荷再利用制御部100により、第1及び第2の階調電圧が基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であると判定されたときに、ソース線Sを共用ラインCOLと短絡せず、第1及び第2の階調電圧の一方が基準電圧より高電位側で他方が基準電圧より低電位側と判定された時に短絡する。更に具体的には、電荷再利用制御部100は、第1の階調電圧を生成するための第1の階調データの最上位ビット(MSB:Most Significant Bit)のデータと、第2の階調電圧を生成するための第2の階調データの最上位ビットのデータとを比較し、その比較結果に基づいてソース線Sを共用ラインCOLと短絡するか否かを判定する。 Also, when the frame inversion driving is performed, the charge recycle control section 100 L, for each source output, first and second grayscale voltages, both the high potential side or both the low potential side than a given reference voltage It is determined whether or not. The source output switching circuit SSW L , when the charge reuse control unit 100L determines that the first and second gradation voltages are both higher or lower than the reference voltage, without shorting the source line S L and the common line COL, shorted when the other is determined to the reference voltage the low potential side in the first and one high potential than the reference voltage of the second gradation voltage. More specifically, the charge reuse control unit 100L includes the most significant bit (MSB) data of the first grayscale data for generating the first grayscale voltage, and the second comparing the most significant bit of the second tone data for generating the gradation voltage data, it determines whether or not short-circuited with the common line COL source line S L, based on the comparison result.

このため、電荷再利用制御部100は、ラッチ110と、階調データ判定部120と、スイッチ回路SWA、SWBを含むことができる。ラッチ110は、水平同期信号LPの変化タイミングで、ラインラッチ26からの階調データのMSBのデータであるD[5]をラッチする。 Thus, the charge recycle control section 100 L may include a latch 110 L, and tone data determination unit 120 L, the switch circuit SWA L, the SWB L. Latch 110 L is a change in the timing of the horizontal synchronization signal LP, latches the D [5] is the data of MSB of the grayscale data from the line latch 26 L.

ソース線駆動回路20は、図示しない極性反転駆動モード設定レジスタを含み、表示コントローラ40又は図示しないホストが、該極性反転駆動モード設定レジスタに対して、ライン反転駆動に対応した制御データ、又はフレーム反転駆動に対応した制御データを設定できるようになっている。ソース線駆動回路20は、極性反転駆動モード設定レジスタの制御データに対応して、ライン反転駆動又はフレーム反転駆動を行うことができるようになっている。電荷再利用制御部100には、極性反転駆動モード設定レジスタの制御データに対応した制御信号fcv、xfcvが供給される。制御信号xfcvは、制御信号fcvの反転信号である。フレーム反転駆動が設定される場合、制御信号fcvがHレベルとなり、スイッチ回路SWAが非導通状態、スイッチ回路SWBが導通状態に設定される。ライン反転駆動が設定される場合、制御信号fcvがLレベルとなり、スイッチ回路SWAが導通状態、スイッチ回路SWBが非導通状態に設定される。 The source line driving circuit 20 includes a polarity inversion driving mode setting register (not shown), and the display controller 40 or a host (not shown) controls control data corresponding to line inversion driving or frame inversion with respect to the polarity inversion driving mode setting register. Control data corresponding to driving can be set. The source line driving circuit 20 can perform line inversion driving or frame inversion driving in accordance with the control data of the polarity inversion driving mode setting register. Charge the re-use controller 100 L, control signal fcv corresponding to the control data of the polarity inversion driving mode setting register, is xfcv supplied. The control signal xfcv is an inverted signal of the control signal fcv. If the frame inversion driving is set, the control signal fcv becomes H level, the switch circuit SWA L is a non-conducting state, the switch circuit SWB L is set in a conducting state. If the line inversion drive is set, the control signal fcv becomes L level, the switch circuit SWA L conductive state, the switch circuit SWB L is set to a non-conductive state.

ライン反転駆動が行われる場合、階調データ判定部120は、極性反転信号POLとラインラッチ26からのD[5]とを比較する。極性反転信号POLは、例えば表示コントローラ40によって生成される対向電極電圧の極性を規定する信号である。ラッチ110からのD[5]は、当該水平走査期間(現ライン)の直前の水平走査期間(直前のライン)における階調データのMSBのデータである。 If the line inversion driving is performed, the gradation data determination unit 120 L compares the D [5] from the polarity inversion signal POL and the line latch 26 L. The polarity inversion signal POL is a signal that defines the polarity of the common electrode voltage generated by the display controller 40, for example. D from latch 110 L [5] is data of MSB of the grayscale data in the horizontal scanning period immediately before (immediately preceding line) of the horizontal scanning period (current line).

フレーム反転駆動が行われる場合、階調データ判定部120は、ラッチ110からのD[5]とラインラッチ26からのD[5]とを比較する。ラッチ110からのD[5]は、当該水平走査期間(現ライン)の直前の水平走査期間(直前のライン)における階調データのMSBのデータである。 If the frame inversion driving is performed, the gradation data determination unit 120 L compares the D [5] from D [5] and the line latch 26 L from the latch 110 L. D from latch 110 L [5] is data of MSB of the grayscale data in the horizontal scanning period immediately before (immediately preceding line) of the horizontal scanning period (current line).

階調データ判定部120の比較結果信号は、ソース出力切替回路SSWに供給される。ソース出力切替回路SSWは、階調データ判定部120からの比較結果信号に基づいてスイッチ制御される。 Comparison result signal of the gradation data determination unit 120 L is supplied to the source output switch circuit SSW L. The source output switching circuit SSW L is switch-controlled based on the comparison result signal from the gradation data determination unit 120 L.

2.2.1 ライン反転駆動
図14に、ライン反転駆動が行われる場合の図13の電荷再利用制御部100の制御例の説明図を示す。
2.2.1 line inversion drive 14 is an explanatory diagram of a control example of the charge recycle control section 100 L of Figure 13 when the line inversion driving is performed.

図14では、表示パネル12がノーマリホワイトであるものとして説明するが、ノーマリブラックであっても同様に制御できる。   In FIG. 14, the display panel 12 is described as being normally white, but the same control can be performed even when it is normally black.

階調データ判定部120において、直前のラインの対向電極電圧VCOMが低電位側電圧VCOMLで、現ラインの対向電極電圧VCOMが高電位側電圧VCOMHであると判定されたとき、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」(表示パネル12がノーマリブラックのとき「0」)であることを条件に、電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWにおいて、電荷の再利用を行うようにソース線Sと共用ラインCOLとを短絡するように制御する。一方、同様に判定されたとき、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」(表示パネル12がノーマリブラックのとき「1」)であることを条件に、電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWにおいて、電荷の再利用を行わないようにソース線Sと共用ラインCOLとを短絡しないように制御する。なお、「1」を第1のデータとすると、「0」を第2のデータ又は第1のデータを反転したデータということができる。 In grayscale data determination unit 120 L, when the common electrode voltage VCOM of the immediately preceding line is at low-potential-side voltage VCOML, was determined to counter electrode voltage VCOM in the present line is high-potential-side voltage VCOMH, the present line floors On the condition that the MSB data of the adjustment data is “1” (“0” when the display panel 12 is normally black), the charge reuse control unit 100 L performs charge generation in the source output switching circuit SSW L. controls to short-circuit the common line COL to the source line S L to perform reuse. On the other hand, when the determination is made in the same manner, the charge reuse control unit 100 is provided on the condition that the MSB data of the gradation data of the current line is “0” (“1” when the display panel 12 is normally black). L controls the source output switching circuit SSW L so as not to short-circuit the source line S L and the common line COL so as not to recycle charges. If “1” is the first data, it can be said that “0” is the second data or data obtained by inverting the first data.

階調データ判定部120において、直前のラインの対向電極電圧VCOMが高電位側電圧VCOMHで、現ラインの対向電極電圧VCOMが低電位側電圧VCOMLであると判定されたとき、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」(表示パネル12がノーマリブラックのとき「1」)であることを条件に、電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWにおいて、電荷の再利用を行うようにソース線Sと共用ラインCOLとを短絡するように制御する。一方、同様に判定されたとき、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」(表示パネル12がノーマリブラックのとき「0」)であることを条件に、電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWにおいて、電荷の再利用を行わないようにソース線Sと共用ラインCOLとを短絡しないように制御する。 In grayscale data determination unit 120 L, when the common electrode voltage VCOM of the immediately preceding line is at high-potential-side voltage VCOMH, the common electrode voltage VCOM in the present line is determined to be a low-potential-side voltage VCOML, the present line floors On the condition that the MSB data of the adjustment data is “0” (“1” when the display panel 12 is normally black), the charge reuse control unit 100 L performs charge generation in the source output switching circuit SSW L. controls to short-circuit the common line COL to the source line S L to perform reuse. On the other hand, when determined in the same manner, the charge reuse control unit 100 is provided on the condition that the MSB data of the gradation data of the current line is “1” (“0” when the display panel 12 is normally black). L controls the source output switching circuit SSW L so as not to short-circuit the source line S L and the common line COL so as not to recycle charges.

なお、以上のような直前のラインと現ラインの対向電極電圧VCOMのレベルの切り替えは、極性反転信号POLの変化タイミングを検出することで、高電位側電圧VCOMHから低電位側電圧VCOMLへの切り替えであるか、低電位側電圧VCOMLから高電位側電圧VCOMHへの切り替えであるかを判定できる。   The level of the counter electrode voltage VCOM between the immediately preceding line and the current line as described above is switched from the high potential side voltage VCOMH to the low potential side voltage VCOML by detecting the change timing of the polarity inversion signal POL. Or switching from the low potential side voltage VCOML to the high potential side voltage VCOMH.

階調電圧発生回路27は、階調データに対応した64種類の階調電圧を発生させる。このため、階調データのMSBが「0」か「1」かを判定することは、6ビットの階調データに対応した階調電圧が、階調電圧の最高電圧V(例えば6ビットの階調データ「111111」に対応した電圧)と最低電圧V(例えば6ビットの階調データ「000000」に対応した電圧)との間の中間電圧より高電位側にあるか低電位側にあるかを判定することを意味する。 The gradation voltage generation circuit 27 generates 64 kinds of gradation voltages corresponding to the gradation data. Therefore, determining whether the MSB of the gradation data is “0” or “1” means that the gradation voltage corresponding to the 6-bit gradation data is the highest voltage V H (for example, 6-bit gradation voltage). The voltage corresponding to the gradation data “111111”) and the lowest voltage V L (for example, the voltage corresponding to the 6-bit gradation data “000000”) are higher or lower than the intermediate voltage. It means to judge.

図15(A)、図15(B)に、ライン反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図15(A)、図15(B)は、図14において直前のラインの対向電極電圧VCOMが低電位側電圧VCOMLで、現ラインの対向電極電圧VCOMが高電位側電圧VCOMHで、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定された場合の効果を示す。   FIGS. 15A and 15B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control according to this embodiment when line inversion driving is performed. 15A and 15B, the counter electrode voltage VCOM of the immediately preceding line in FIG. 14 is the low potential side voltage VCOML, the counter electrode voltage VCOM of the current line is the high potential side voltage VCOMH, and An effect when it is determined that the MSB data of the gradation data is “0” is shown.

対向電極CEとソース線(画素電極)とは、いわゆる容量結合されている。そのため、極性反転駆動により対向電極CEの電圧が切り替わると、対向電極CEの電位の変化がソース線の電位の変化に影響する。   The counter electrode CE and the source line (pixel electrode) are so-called capacitively coupled. Therefore, when the voltage of the counter electrode CE is switched by polarity inversion driving, the change in the potential of the counter electrode CE affects the change in the potential of the source line.

例えば図15(A)に示すように、対向電極CEの電圧が低電位側電圧VCOMLから高電位側電圧VCOMHに切り替わる際に、上述のように電荷の再利用が行われる。この場合であっても、対向電極電圧VCOMの切り替わりの際にソース線Sの電圧が所与の基準電圧Vrefを超えてより高電位側に変化する場合がある。このとき、現ラインである当該水平走査期間の前半の電荷再利用期間において上述のように電荷再利用制御が行われると、ソース線Sの電圧が、一旦ほぼ基準電圧Vrefになる。ここで、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」のとき、該階調データに対応する階調電圧が中間階調値に対応した階調電圧より高電位側となるため、ソース線Sは、電荷再利用期間において、一旦、電位が下がり、その後の駆動期間において、該階調電圧になるまで電荷を充電する必要がある。これは、電荷の再利用によって、余分な電荷を充放電する必要があることを意味する。 For example, as shown in FIG. 15A, when the voltage of the counter electrode CE is switched from the low potential side voltage VCOML to the high potential side voltage VCOMH, the charge is reused as described above. Even in this case, there is a case where the voltage of the source line S L during the switching of the common electrode voltage VCOM is changed to a higher potential side beyond a given reference voltage Vref. At this time, the charge recycle control as described above in the charge recycle period of the first half of the horizontal scanning period is the current line is performed, the voltage of the source line S L is, once becomes substantially the reference voltage Vref. Here, when the MSB data of the gradation data of the current line is “0”, the gradation voltage corresponding to the gradation data is higher than the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value. the line S L, the charge recycle period, once the potential drops, in the subsequent driving period, it is necessary to charge the charge until a grayscale voltage. This means that excess charge needs to be charged and discharged by reusing the charge.

そこで、本実施形態では、図15(B)に示すように、図15(A)のケースでは電荷の再利用制御を行わないようにする。こうすることで、対向電極電圧VCOMが切り替わった場合に、そのまま当該水平走査期間の駆動電圧がソース線Sに供給され、余分な電荷の充放電を省略でき、低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 15B, charge recycle control is not performed in the case of FIG. 15A. Thereby, when the switches are common electrode voltage VCOM, it driving voltage of the horizontal scanning period is supplied to the source line S L, can be omitted charge and discharge of excess charge, it is possible to reduce the power consumption it can.

図16(A)、図16(B)に、ライン反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図16(A)、図16(B)は、図14において直前のラインの対向電極電圧VCOMが高電位側電圧VCOMHで、現ラインの対向電極電圧VCOMが低電位側電圧VCOMLで、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定された場合の効果を示す。   FIGS. 16A and 16B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control according to this embodiment when line inversion driving is performed. 16A and 16B show that the counter electrode voltage VCOM of the previous line in FIG. 14 is the high potential side voltage VCOMH and the counter electrode voltage VCOM of the current line is the low potential side voltage VCOML. The effect when it is determined that the MSB data of the gradation data is “1” is shown.

例えば図16(A)に示すように、対向電極CEの電圧が高電位側電圧VCOMHから低電位側電圧VCOMLに切り替わる際に、上述のように電荷の再利用が行われる。この場合であっても、対向電極電圧VCOMの切り替わりの際にソース線Sの電圧が所与の基準電圧Vrefを超えてより低電位側に変化する場合がある。このとき、現ラインである当該水平走査期間の前半の電荷再利用期間において上述のように電荷再利用制御が行われると、ソース線Sの電圧が、一旦ほぼ基準電圧Vrefになる。ここで、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」のとき、該階調データに対応する階調電圧が中間階調値に対応した階調電圧より低電位側となるため、ソース線Sは、電荷再利用期間において、一旦、電位が上がり、その後の駆動期間において、該階調電圧になるまで電荷を放電する必要がある。これは、電荷の再利用によって、余分な電荷を充放電する必要があることを意味する。 For example, as shown in FIG. 16A, when the voltage of the counter electrode CE is switched from the high potential side voltage VCOMH to the low potential side voltage VCOML, the charge is reused as described above. Even in this case, there is a case where the voltage of the source line S L during the switching of the common electrode voltage VCOM is changed to a lower potential side beyond a given reference voltage Vref. At this time, the charge recycle control as described above in the charge recycle period of the first half of the horizontal scanning period is the current line is performed, the voltage of the source line S L is, once becomes substantially the reference voltage Vref. Here, when the MSB data of the gradation data of the current line is “1”, the gradation voltage corresponding to the gradation data is lower than the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value. the line S L, the charge recycle period, once increases the potential, in the subsequent driving period, it is necessary to discharge the electric charge to a grayscale voltage. This means that excess charge needs to be charged and discharged by reusing the charge.

そこで、本実施形態では、図16(B)に示すように、図16(A)のケースでは電荷の再利用制御を行わないようにする。こうすることで、対向電極電圧VCOMが切り替わった場合に、そのまま当該水平走査期間の駆動電圧がソース線Sに供給され、余分な電荷の充放電を省略でき、低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 16B, charge recycle control is not performed in the case of FIG. Thereby, when the switches are common electrode voltage VCOM, it driving voltage of the horizontal scanning period is supplied to the source line S L, can be omitted charge and discharge of excess charge, it is possible to reduce the power consumption it can.

図17に、ライン反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図17は、図14において直前のラインの対向電極電圧VCOMが低電位側電圧VCOMLで、現ラインの対向電極電圧VCOMが高電位側電圧VCOMHで、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定された場合の効果を示す。   FIG. 17 is an explanatory diagram of the effect of charge recycle control according to the present embodiment when line inversion driving is performed. 17, the counter electrode voltage VCOM of the previous line in FIG. 14 is the low potential side voltage VCOML, the counter electrode voltage VCOM of the current line is the high potential side voltage VCOMH, and the MSB data of the gradation data of the current line is “ The effect when it is determined to be “1” is shown.

この場合でも、図17に示すように、対向電極CEの電圧が低電位側電圧VCOMLから高電位側電圧VCOMHに切り替わる際にソース線Sの電圧が所与の基準電圧Vrefを超えてより高電位側に変化する場合がある。ここで、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」のとき、該階調データに対応する階調電圧が中間階調値に対応した階調電圧より低電位側となるため、電荷再利用期間においてソース線Sの電位が基準電圧Vrefの電位に下がっても、その後の駆動期間において、該階調電圧になるまで更に電荷を放電する必要がある。 In this case, as shown in FIG. 17, the voltage of the source line S L when the voltage of the common electrode CE is switched from the low potential side voltage VCOML to the high-potential side voltage VCOMH is higher beyond the given reference voltage Vref It may change to the potential side. Here, when the MSB data of the gradation data of the current line is “1”, the gradation voltage corresponding to the gradation data is lower than the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value. even down to the potential of the potential reference voltage Vref of the source line S L in recycle period, in the subsequent driving period, you are necessary to discharge the further charge until the grayscale voltage.

そのため図17に示すケースでは、上述のように電荷の再利用制御を行うようにする。こうすることで、対向電極電圧VCOMが切り替わった場合に、外部から電荷を充放電することなく、電荷を再利用して一旦基準電圧Vrefに揃え、その後にソース線Sに当該水平走査期間の駆動電圧を供給すればよいので、電荷再利用に伴う低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in the case shown in FIG. 17, charge recycle control is performed as described above. Thereby, when the switches are common electrode voltage VCOM, without charging and discharging the electric charge from the outside, aligned once the reference voltage Vref by recycling a charge, of the horizontal scanning period subsequent to the source line S L Since it is only necessary to supply a driving voltage, it is possible to reduce power consumption associated with charge recycling.

図18に、ライン反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図18は、図14において直前のラインの対向電極電圧VCOMが高電位側電圧VCOMHで、現ラインの対向電極電圧VCOMが低電位側電圧VCOMLで、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定された場合の効果を示す。   FIG. 18 is an explanatory diagram of the effect of charge recycle control according to the present embodiment when line inversion driving is performed. In FIG. 18, the counter electrode voltage VCOM of the immediately preceding line in FIG. 14 is the high potential side voltage VCOMH, the counter electrode voltage VCOM of the current line is the low potential side voltage VCOML, and the MSB data of the gradation data of the current line is “ The effect when determined to be “0” is shown.

この場合でも、図18に示すように、対向電極CEの電圧が高電位側電圧VCOMHから低電位側電圧VCOMLに切り替わる際にソース線Sの電圧が所与の基準電圧Vrefを超えてより低電位側に変化する場合がある。ここで、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」のとき、該階調データに対応する階調電圧が中間階調値に対応した階調電圧より高電位側となるため、電荷再利用期間においてソース線Sの電位が基準電圧Vrefの電位に上がっても、その後の駆動期間において、該階調電圧になるまで更に電荷を充電する必要がある。 In this case, as shown in FIG. 18, the voltage of the source line S L when the voltage of the common electrode CE is switched from the high potential side voltage VCOMH to the low potential side voltage VCOML is lower beyond a given reference voltage Vref It may change to the potential side. Here, when the MSB data of gradation data of the current line is “0”, the gradation voltage corresponding to the gradation data is higher than the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value. even up to the potential of the reference voltage Vref of the source lines S L in recycle period, in the subsequent driving period, there is a need to charge the further charge until the grayscale voltage.

そのため図18に示すケースでは、上述のように電荷の再利用制御を行うようにする。こうすることで、対向電極電圧VCOMが切り替わった場合に、外部から電荷を充放電することなく、電荷を再利用して一旦基準電圧Vrefに揃え、その後にソース線Sに当該水平走査期間の駆動電圧を供給すればよいので、電荷再利用に伴う低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in the case shown in FIG. 18, charge recycle control is performed as described above. Thereby, when the switches are common electrode voltage VCOM, without charging and discharging the electric charge from the outside, aligned once the reference voltage Vref by recycling a charge, of the horizontal scanning period subsequent to the source line S L Since it is only necessary to supply a driving voltage, it is possible to reduce power consumption associated with charge recycling.

図14〜図18では、表示パネル12がノーマリホワイトであるものとして説明したが、表示パネル12がノーマリブラックである場合でも同様である。この場合、階調データのMSBのデータを反転させて考えることができる。   14 to 18, the display panel 12 is described as being normally white. However, the same applies to the case where the display panel 12 is normally black. In this case, the MSB data of the gradation data can be inverted and considered.

2.2.2 フレーム反転駆動
図19に、フレーム反転駆動が行われる場合の図13の電荷再利用制御部100の制御例の説明図を示す。
2.2.2 Frame inversion drive 19 is an explanatory diagram of a control example of the charge recycle control section 100 L of Figure 13 when the frame inversion driving is performed.

階調データ判定部120において、直前のラインの階調データのMSBのデータが「0」、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定されたとき、電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWにおいて、電荷の再利用を行わないようにするために、ソース線Sと共用ラインCOLとを短絡しないように制御する。 In grayscale data determination unit 120 L, "0" data is the MSB of the grayscale data of the immediately preceding line, when the data of the MSB of the grayscale data in the present line is determined to be "0", the charge recycle The control unit 100 L controls the source output switching circuit SSW L so as not to short-circuit the source line S L and the shared line COL so as not to perform charge reuse.

階調データ判定部120において、直前のラインの階調データのMSBのデータが「0」、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定されたとき、電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWにおいて、電荷の再利用を行うようにするために、ソース線Sと共用ラインCOLとを短絡するように制御する。 In grayscale data determination unit 120 L, "0" data is the MSB of the grayscale data of the immediately preceding line, when the data of the MSB of the grayscale data in the present line is determined to be "1", the charge recycle The control unit 100 L controls the source output switching circuit SSW L so as to short-circuit the source line S L and the common line COL in order to reuse the charge.

階調データ判定部120において、直前のラインの階調データのMSBのデータが「1」、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定されたとき、電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWにおいて、電荷の再利用を行うようにするために、ソース線Sと共用ラインCOLとを短絡するように制御する。 In grayscale data determination unit 120 L, data is "1" in the MSB of the grayscale data of the immediately preceding line, when the data of the MSB of the grayscale data in the present line is determined to be "0", the charge recycle The control unit 100 L controls the source output switching circuit SSW L so as to short-circuit the source line S L and the common line COL in order to reuse the charge.

階調データ判定部120において、直前のラインの階調データのMSBのデータが「1」、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定されたとき、電荷再利用制御部100は、ソース出力切替回路SSWにおいて、電荷の再利用を行わないようにするために、ソース線Sと共用ラインCOLとを短絡しないように制御する。 In grayscale data determination unit 120 L, data is "1" in the MSB of the grayscale data of the immediately preceding line, when the data of the MSB of the grayscale data in the present line is determined to be "1", the charge recycle The control unit 100 L controls the source output switching circuit SSW L so as not to short-circuit the source line S L and the shared line COL so as not to perform charge reuse.

階調電圧発生回路27は、階調データに対応した64種類の階調電圧を発生させる。このため、階調データのMSBが「0」か「1」かを判定することは、6ビットの階調データに対応した階調電圧が、階調電圧の最高電圧V(例えば6ビットの階調データ「111111」に対応した電圧)と最低電圧V(例えば6ビットの階調データ「000000」に対応した電圧)との間の中間電圧より高電位側にあるか低電位側にあるかを判定することを意味する。 The gradation voltage generation circuit 27 generates 64 kinds of gradation voltages corresponding to the gradation data. Therefore, determining whether the MSB of the gradation data is “0” or “1” means that the gradation voltage corresponding to the 6-bit gradation data is the highest voltage V H (for example, 6-bit gradation voltage). The voltage corresponding to the gradation data “111111”) and the lowest voltage V L (for example, the voltage corresponding to the 6-bit gradation data “000000”) are higher or lower than the intermediate voltage. It means to judge.

図20(A)、図20(B)に、フレーム反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図20(A)、図20(B)は、図19において直前のラインの階調データのMSBのデータが「0」、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定された場合の効果を示す。   FIG. 20A and FIG. 20B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control according to this embodiment when frame inversion driving is performed. 20A and 20B, it is determined in FIG. 19 that the MSB data of the gradation data of the previous line is “0” and the MSB data of the gradation data of the current line is “0”. The effect when it is done is shown.

階調データのMSBのデータが「0」であるとき、該階調データに対応した階調電圧(ソース線駆動部が駆動する電圧)は、上述のように中間階調値に対応した階調電圧である基準電圧Vrefより低電位側にある。即ち、直前の水平走査期間におけるソース線Sの駆動電圧が基準電圧Vrefより低電位側にあり、当該水平走査期間におけるソース線Sの駆動電圧もまた、基準電圧Vrefより低電位側にある。 When the MSB data of the gradation data is “0”, the gradation voltage corresponding to the gradation data (the voltage driven by the source line driver) is the gradation corresponding to the intermediate gradation value as described above. It is on the lower potential side than the reference voltage Vref which is a voltage. That is, there than the reference voltage Vref driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period immediately before the low-potential side drive voltage of the source line S L in the horizontal scanning period is also a low-potential side of the reference voltage Vref .

そのため図20(A)に示すように、当該水平走査期間の前半の電荷再利用期間において上述のように電荷再利用制御が行われると、ソース線S〜Sの電圧が、一旦ほぼ基準電圧Vrefになる。このため、ソース線Sは、電荷再利用期間において、一旦、ΔV1に対応した電荷量だけ外部から充電(例えば正の電荷とする)された後、駆動期間において、再びΔV2に対応した電荷量だけ放電されてしまう。これは、ΔV1とΔV2との差分に対応した電荷だけ余分に充放電されたことを意味する。 Therefore, as shown in FIG. 20A, when the charge reuse control is performed as described above in the charge reuse period in the first half of the horizontal scanning period, the voltages of the source lines S 1 to S N once become substantially the reference. The voltage becomes Vref. For this reason, the source line S L is once charged from the outside by a charge amount corresponding to ΔV L 1 (for example, positive charge) in the charge recycling period, and then again becomes ΔV L 2 in the driving period. A corresponding amount of charge is discharged. This means that an extra charge corresponding to the difference between ΔV L 1 and ΔV L 2 was charged / discharged.

そこで、本実施形態では、図20(B)に示すように、図20(A)のケースでは電荷の再利用制御を行わないようにする。こうすることで、直前の水平走査期間から当該水平走査期間に切り替わった場合に、そのまま当該水平走査期間の駆動電圧がソース線Sに供給され、余分な電荷の充放電を省略でき、低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 20B, charge recycle control is not performed in the case of FIG. Thereby, when switching from horizontal scanning period immediately before to the horizontal scanning period, is directly supplied to the drive voltage source line S L of the horizontal scanning period can be omitted charging and discharging of excess charge, low Electricity can be achieved.

図21(A)、図21(B)に、フレーム反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図21(A)、図21(B)は、図19において直前のラインの階調データのMSBのデータが「1」、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定された場合の効果を示す。   FIGS. 21A and 21B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control according to the present embodiment when frame inversion driving is performed. 21A and 21B, it is determined in FIG. 19 that the MSB data of the gradation data of the previous line is “1” and the MSB data of the gradation data of the current line is “1”. The effect when it is done is shown.

階調データのMSBのデータが「1」であるとき、該階調データに対応した階調電圧(ソース線駆動部が駆動する電圧)は、上述のように中間階調値に対応した階調電圧である基準電圧Vrefより高電位側にある。即ち、直前の水平走査期間におけるソース線Sの駆動電圧が基準電圧Vrefより高電位側にあり、当該水平走査期間におけるソース線Sの駆動電圧もまた、基準電圧Vrefより高電位側にある。 When the MSB data of the gradation data is “1”, the gradation voltage corresponding to the gradation data (voltage driven by the source line driver) is the gradation corresponding to the intermediate gradation value as described above. It is on the higher potential side than the reference voltage Vref which is a voltage. That is, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period immediately before there from the high potential side reference voltage Vref, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period is also in the high-potential side of the reference voltage Vref .

そのため図21(A)に示すように、当該水平走査期間の前半の電荷再利用期間において上述のように電荷再利用制御が行われると、ソース線S〜Sの電圧が一旦ほぼ基準電圧Vrefになる。このため、ソース線Sは、電荷再利用期間において、一旦、ΔV10に対応した電荷量だけ外部に放電(例えば正の電荷とする)された後、駆動期間において、再びΔV20に対応した電荷量が充電されてしまう。これは、ΔV10とΔV20との差分に対応した電荷だけ余分に充放電されたことを意味する。 Therefore, as shown in FIG. 21A, when the charge reuse control is performed as described above in the charge reuse period in the first half of the horizontal scanning period, the voltages of the source lines S 1 to S N once become substantially the reference voltage. Vref. For this reason, the source line S L is once discharged to the outside by a charge amount corresponding to ΔV L 10 (for example, positive charge) in the charge recycle period, and then again becomes ΔV L 20 in the drive period. The corresponding charge amount is charged. This means that an extra charge corresponding to the difference between ΔV L 10 and ΔV L 20 was charged / discharged.

そこで、本実施形態では、図21(B)に示すように、図21(A)のケースでは電荷の再利用制御を行わないようにする。こうすることで、直前の水平走査期間から当該水平走査期間に切り替わった場合に、そのまま当該水平走査期間の駆動電圧がソース線Sに供給され、余分な電荷の充放電を省略でき、低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 21B, charge recycle control is not performed in the case of FIG. Thereby, when switching from horizontal scanning period immediately before to the horizontal scanning period, is directly supplied to the drive voltage source line S L of the horizontal scanning period can be omitted charging and discharging of excess charge, low Electricity can be achieved.

図22に、本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図22は、図19において直前のラインの階調データのMSBのデータが「0」、現ラインの階調データのMSBのデータが「1」であると判定された場合の効果を示す。   FIG. 22 is an explanatory diagram of the effect of charge recycle control according to this embodiment. FIG. 22 shows an effect when it is determined in FIG. 19 that the MSB data of the gradation data of the immediately preceding line is “0” and the MSB data of the gradation data of the current line is “1”.

即ち、直前の水平走査期間におけるソース線Sの駆動電圧が基準電圧Vrefより低電位側にあり、当該水平走査期間におけるソース線Sの駆動電圧は、基準電圧Vrefより高電位側にある。 That is, there driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period immediately before is the reference voltage Vref to the lower voltage, the drive voltage of the source line S L in the horizontal scanning period is on the higher potential side than the reference voltage Vref.

そのため図22に示すケースでは、上述のように電荷の再利用制御を行うようにする。こうすることで、直前の水平走査期間から当該水平走査期間に切り替わった場合に、外部から電荷を充放電することなく、電荷を再利用して一旦基準電圧Vrefに揃え、その後にソース線Sに当該水平走査期間の駆動電圧を供給すればよいので、電荷再利用に伴う低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in the case shown in FIG. 22, charge recycle control is performed as described above. In this way, when switching from the immediately preceding horizontal scanning period to the horizontal scanning period, the charge is reused and once adjusted to the reference voltage Vref without charge being charged or discharged from the outside, and then the source line S L In addition, since it is only necessary to supply a driving voltage for the horizontal scanning period, power consumption can be reduced due to charge recycling.

図23に、本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図を示す。図23は、図19において直前のラインの階調データのMSBのデータが「1」、現ラインの階調データのMSBのデータが「0」であると判定された場合の効果を示す。   FIG. 23 is an explanatory diagram of the effect of charge recycle control according to this embodiment. FIG. 23 shows an effect when it is determined in FIG. 19 that the MSB data of the gradation data of the previous line is “1” and the MSB data of the gradation data of the current line is “0”.

即ち、直前の水平走査期間におけるソース線Sの駆動電圧が基準電圧Vrefより高電位側にあり、当該水平走査期間におけるソース線Sの駆動電圧は、基準電圧Vrefより低電位側にある。 That is, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period immediately before there from the high potential side reference voltage Vref, the driving voltage of the source line S L in the horizontal scanning period is than the reference voltage Vref to the low potential side.

そのため図23に示すケースでは、上述のように電荷の再利用制御を行うようにする。こうすることで、直前の水平走査期間から当該水平走査期間に切り替わった場合に、外部から電荷を充放電することなく、電荷を再利用して一旦基準電圧Vrefに揃え、その後にソース線Sに当該水平走査期間の駆動電圧を供給すればよいので、電荷再利用に伴う低消費電力化を図ることができる。 Therefore, in the case shown in FIG. 23, charge recycle control is performed as described above. In this way, when switching from the immediately preceding horizontal scanning period to the horizontal scanning period, the charge is reused and once adjusted to the reference voltage Vref without charge being charged or discharged from the outside, and then the source line S L In addition, since it is only necessary to supply a driving voltage for the horizontal scanning period, power consumption can be reduced due to charge recycling.

2.3 具体的な構成例
次に、電荷の再利用を行うための具体的な構成例について説明する。
2.3 Specific Configuration Example Next, a specific configuration example for reusing charges will be described.

2.3.1 ソース線の電荷再利用
図24に、図13の演算増幅回路ブロック及び共用ラインCOLの構成例を示す。
2.3.1 Charge Reuse of Source Line FIG. 24 shows a configuration example of the operational amplifier circuit block and the common line COL of FIG.

演算増幅回路ブロックOPC〜OPCの各ブロックの構成は同じであり、以下では演算増幅回路ブロックOPCについて説明する。 The configuration of each of the operational amplifier circuit blocks OPC 1 to OPC N is the same, and the operational amplifier circuit block OPC 1 will be described below.

演算増幅回路ブロックOPCは、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器VOPと、ソース出力切替回路SSWとを含む。ソース出力切替回路SSWは、第1のソース出力スイッチSSと、第1のソース短絡スイッチC2SWとを含む。第1のソース出力スイッチSSは、制御信号c1、xc1によりオンオフ制御される。制御信号xc1は、制御信号c1の反転信号である。第1のソース短絡スイッチC2SWは、制御信号cc、xccによりオンオフ制御される。制御信号xccは、制御信号ccの反転信号である。演算増幅器VOPの出力は、第1のソース出力スイッチSSを介して、第1のソース出力ノードSNDと接続される。第1のソース出力ノードSNDは、第1のソース短絡スイッチCS2SWを介して所与のソース電圧出力ノードSVNDと接続される。ソース電圧出力ノードSVNDは、ソース電荷蓄積用スイッチCSWを介して第2の容量素子接続ノードC2NDと接続される。ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、制御信号cs、xcsによりオンオフ制御される。制御信号xcsは、制御信号csの反転信号である。 The operational amplifier circuit block OPC 1 includes a voltage follower-connected operational amplifier VOP 1 and a source output switching circuit SSW 1 . The source output switching circuit SSW 1 includes a first source output switch SS 1 and a first source short-circuit switch C 2 SW 1 . The first source output switch SS 1 is on-off controlled by a control signal c1, xc1. The control signal xc1 is an inverted signal of the control signal c1. The first source short circuit switch C2SW 1 is ON / OFF controlled by control signals cc and xcc. The control signal xcc is an inverted signal of the control signal cc. The output of the operational amplifier VOP 1 is connected to the first source output node SND 1 via the first source output switch SS 1 . The first source output node SND 1 is connected to a given source voltage output node SVND via a first source short circuit switch CS2SW 1 . The source voltage output node SVND is connected to the second capacitor element connection node C2ND via the source charge storage switch CSW. The source charge storage switch CSW is on / off controlled by control signals cs and xcs. The control signal xcs is an inverted signal of the control signal cs.

このように、第1のソース短絡スイッチCS2SWは、ソース電圧出力ノードSVNDと第1のソース出力ノードSNDとの間に設けられる。また、ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、ソース電圧出力ノードSVNDと第2の容量素子CCSの一端が接続される第2の容量素子接続ノードC2NDとの間に設けられる。そして、第1のソース短絡スイッチC2SW及びソース電荷蓄積用スイッチCSWにより第1のソース出力ノードSNDと第2の容量素子接続ノードC2NDとが、一旦電気的に接続される。その後、第1のソース短絡スイッチC2SW及びソース電荷蓄積用スイッチCSWにより第1のソース出力ノードSNDと第2の容量素子接続ノードC2NDとを電気的に遮断した状態で、第1のソース出力ノードSNDに階調データに対応した電圧が供給される。 Thus, the first source short-circuit switch CS2SW 1 is provided between the source voltage output node SVND and the first source output node SND 1 . The source charge storage switch CSW is provided between the source voltage output node SVND and the second capacitor element connection node C2ND to which one end of the second capacitor element CCS is connected. Then, the first source output node SND 1 and the second capacitor element connection node C2ND are temporarily electrically connected by the first source short circuit switch C2SW 1 and the source charge storage switch CSW. Thereafter, the first source output node SND 1 and the second capacitor element connection node C 2 ND are electrically cut off by the first source short-circuit switch C 2 SW 1 and the source charge storage switch CSW, and the first source output A voltage corresponding to the gradation data is supplied to the node SND 1 .

より具体的には、第1のソース出力スイッチSSにより演算増幅器VOP(ソース線駆動回路)の出力をハイインピーダンス状態に設定した状態で、第1のソース短絡スイッチC2SW及びソース電荷蓄積用スイッチCSWにより第1のソース出力ノードSND、ソース電圧出力ノードSVND及び第2の容量素子接続ノードC2NDが電気的に接続される。その後、第1のソース短絡スイッチC2SW及びソース電荷蓄積用スイッチCSWにより第1のソース出力ノードSNDと第2の容量素子接続ノードC2NDとを電気的に遮断した状態で、演算増幅器VOPが、第1のソース出力スイッチSSにより、第1のソース出力ノードSND(ソース線S)に階調データに対応した電圧を供給する。 More specifically, the first source short-circuit switch C2SW 1 and the source charge storage are used in a state where the output of the operational amplifier VOP 1 (source line drive circuit) is set to the high impedance state by the first source output switch SS 1 . The first source output node SND 1 , the source voltage output node SVND, and the second capacitor element connection node C 2 ND are electrically connected by the switch CSW. After that, the operational amplifier VOP 1 is electrically disconnected from the first source output node SND 1 and the second capacitor element connection node C2ND by the first source short circuit switch C2SW 1 and the source charge storage switch CSW. The first source output switch SS 1 supplies a voltage corresponding to the gradation data to the first source output node SND 1 (source line S 1 ).

ところで、ソース電圧出力ノードSVNDを含む共用ラインCOLは、同様にして各演算増幅回路ブロックのソース短絡スイッチと接続される。   By the way, the common line COL including the source voltage output node SVND is similarly connected to the source short circuit switch of each operational amplifier circuit block.

即ち、表示ドライバ60は、ソース電圧出力ノードSVNDと電気的に接続されると共に、その一端がソース電荷蓄積用スイッチCSWと電気的に接続される共用ラインCOLと、第2のソース線Sへの出力電圧が供給される第2のソース出力ノードSNDと共用ラインCOLとの間に設けられる第2のソース短絡スイッチC2SWとを含むことができる。そして、第1のソース短絡スイッチC2SWが、第1のソース出力ノードSNDと共用ラインCOLとの間に設けられる。また、第2のソース短絡スイッチC2SWが、第2のソース出力ノードSNDと共用ラインCOLとの間に設けられる。 That is, the display driver 60 is connected a source voltage output node SVND electrically, the common line COL having one end electrically connected to the source charge storage switch CSW, a second to the source line S 2 A second source short-circuit switch C2SW 2 provided between the second source output node SND 2 to which the output voltage is supplied and the common line COL can be included. A first source short-circuit switch C2SW 1 is provided between the first source output node SND 1 and the shared line COL. A second source short circuit switch C2SW 2 is provided between the second source output node SND 2 and the shared line COL.

更に、表示ドライバ60は、放電用トランジスタDisTrを含むことができる。放電用トランジスタDisTrのゲートには、制御信号disが供給される。放電用トランジスタDisTrのソースには放電用電圧(例えばシステム接地電源電圧VSS)が供給され、放電用トランジスタDisTrのドレインは共用ラインCOLと電気的に接続される。そして、この制御信号disにより、共用ラインCOLの電圧が放電用電圧に設定される。このような放電用トランジスタDisTrは、第1及び第2のソース線の放電に共用される。   Further, the display driver 60 can include a discharge transistor DisTr. A control signal dis is supplied to the gate of the discharging transistor DisTr. A discharge voltage (for example, the system ground power supply voltage VSS) is supplied to the source of the discharge transistor DisTr, and the drain of the discharge transistor DisTr is electrically connected to the common line COL. Then, the voltage of the shared line COL is set to the discharge voltage by the control signal dis. Such a discharge transistor DisTr is commonly used for discharging the first and second source lines.

なお、表示パネル12の画素電極の選択期間において、第1及び第2のソース短絡スイッチC2SW、C2SWを導通状態に設定した状態で、放電用トランジスタDisTrをオンすることで、第1及び第2のソース線S、Sを放電することができる。こうすることで、非常に簡素な構成で、いわゆるオフ書き込みを行うことができる。ここで、オフ書き込みは、表示オフ状態に移行するためにソース線に所与のオフ電圧を与えることを意味する。 Note that, during the pixel electrode selection period of the display panel 12, the first and second source short-circuit switches C2SW 1 and C2SW 2 are set in a conductive state, and the discharge transistor DisTr is turned on, so that The two source lines S 1 and S 2 can be discharged. By so doing, so-called off-writing can be performed with a very simple configuration. Here, off writing means giving a given off voltage to the source line in order to shift to the display off state.

また、演算増幅回路ブロックOPCは、更に第1のバイパススイッチBSWを含むことができる。第1のバイパススイッチBSWは、制御信号c2、xc2によりオンオフ制御される。制御信号xc2は、制御信号c2の反転信号である。演算増幅回路ブロックOPCでは、画素の選択期間としての1水平走査期間の前半に上述のような電荷再利用が行われた後に、該水平走査期間の後半の駆動期間において、第1のソース出力スイッチSS及び第1のバイパススイッチBSWによりソース線Sの駆動制御が行われる。 In addition, the operational amplifier circuit block OPC 1 can further include a first bypass switch BSW 1 . The first bypass switch BSW 1 is on / off controlled by control signals c2 and xc2. The control signal xc2 is an inverted signal of the control signal c2. In the operational amplifier circuit block OPC 1 , after the charge recycling as described above is performed in the first half of one horizontal scanning period as a pixel selection period, the first source output is performed in the second driving period of the horizontal scanning period. The drive control of the source line S 1 is performed by the switch SS 1 and the first bypass switch BSW 1 .

即ち、駆動期間の前半部分では、第1のソース出力スイッチSSを導通状態、第1のバイパススイッチBSWを非導通状態に設定した状態で、演算増幅器VOPにより第1のソース出力ノードSNDを駆動する。その後、駆動期間の後半部分では、第1のソース出力スイッチSSを非導通状態、第1のバイパススイッチBSWを導通状態に設定した状態で、第1のソース出力ノードSNDに、演算増幅器VOPの入力電圧を供給する。こうすることで、第1のソース出力ノードSNDに設定される電圧を、高速かつ高精度に設定することができる。 That is, in the first half of the driving period, the first source output switch SS 1 is set in the conductive state and the first bypass switch BSW 1 is set in the non-conductive state, and the operational amplifier VOP 1 sets the first source output node SND. 1 is driven. Thereafter, in the second half of the driving period, the operational amplifier is connected to the first source output node SND 1 with the first source output switch SS 1 set in a non-conductive state and the first bypass switch BSW 1 set in a conductive state. It provides an input voltage of VOP 1. Thus, the voltage set at the first source output node SND 1 can be set at high speed and with high accuracy.

図25に、図24の演算増幅回路ブロックOPCの制御例のタイミング図を示す。 FIG. 25 shows a timing chart of a control example of the operational amplifier circuit block OPC 1 of FIG.

図25では、図24の制御信号c1、c2、cc、cs、disがHレベルのときに、各スイッチをオン(導通状態)に設定するものとする。図25の例では、制御信号disは、常にLレベルであるものとする。なお、図25では、演算増幅回路ブロックOPCの制御例のみを説明するが、演算増幅回路ブロックOPC〜OPCも、演算増幅回路ブロックOPCと同じ制御信号により制御される。 In FIG. 25, when the control signals c1, c2, cc, cs, and dis in FIG. 24 are at the H level, each switch is set to ON (conductive state). In the example of FIG. 25, it is assumed that the control signal dis is always at the L level. In FIG. 25, only a control example of the operational amplifier circuit block OPC 1 will be described. However, the operational amplifier circuit blocks OPC 2 to OPC N are also controlled by the same control signal as the operational amplifier circuit block OPC 1 .

1水平走査期間内の前半部分である電荷再利用期間では、制御信号cc、csがHレベル、制御信号c1、c2がLレベルに設定される。これにより、ソース電荷蓄積用スイッチCSWが導通状態に設定される。そして、第1のソース出力ノードSNDと第2の容量素子接続用端子TL2に接続される第2の容量素子CCSの一端とが同電位に設定される。これにより、第2の容量素子CCSの電荷が再利用され、第1のソース出力ノードSNDの電位が変動する。 In the charge recycling period, which is the first half of one horizontal scanning period, the control signals cc and cs are set to the H level, and the control signals c1 and c2 are set to the L level. As a result, the source charge storage switch CSW is set in a conductive state. Then, the first source output node SND 1 and one end of the second capacitor element CCS connected to the second capacitor element connection terminal TL2 are set to the same potential. As a result, the charge of the second capacitor element CCS is reused, and the potential of the first source output node SND 1 varies.

この後の駆動期間のプリバッファ駆動期間では、制御信号cc、csがLレベルとなり、制御信号c1がHレベルとなる。なお、駆動期間内では、ソース電荷蓄積用スイッチCSWは、オフ(非導通状態)に設定される。これにより、電荷再利用期間内で電位が変動した第1のソース出力ノードSNDは、演算増幅器VOPにより駆動される。この演算増幅器VOPには、DAC28によって選択されたデータ電圧が供給される。演算増幅器VOPは、動作電流を消費するが、高い駆動能力で第1のソース出力ノードSNDの電位を高速に変動させることができる。 In the pre-buffer driving period of the subsequent driving period, the control signals cc and cs are at the L level, and the control signal c1 is at the H level. Note that, within the driving period, the source charge storage switch CSW is set to OFF (non-conducting state). As a result, the first source output node SND 1 whose potential has changed within the charge recycling period is driven by the operational amplifier VOP 1 . The operational amplifier VOP 1 is supplied with the data voltage selected by the DAC 28. The operational amplifier VOP 1 consumes an operating current, but can change the potential of the first source output node SND 1 at high speed with high driving capability.

次に、当該駆動期間のDAC駆動期間では、制御信号c1がLレベルとなり、制御信号c2がHレベルとなる。これにより、第1のソース出力ノードSNDは、演算増幅器VOPの出力と電気的に遮断されると共に、DAC28からのデータ電圧が直接供給される。これにより、第1のソース出力ノードSNDの電圧を、DAC28からの高精度なデータ電圧に設定することができる。DAC駆動期間では、演算増幅器VOPの動作を停止させることができるので、低消費電力化を図ることができる。 Next, in the DAC driving period of the driving period, the control signal c1 becomes L level and the control signal c2 becomes H level. Thus, the first source output node SND 1 is electrically disconnected from the output of the operational amplifier VOP 1 and the data voltage from the DAC 28 is directly supplied. Thereby, the voltage of the first source output node SND 1 can be set to a highly accurate data voltage from the DAC 28. In the DAC drive period, the operation of the operational amplifier VOP 1 can be stopped, so that power consumption can be reduced.

制御信号cc、xcc、c1、xc1、c2、xc2を、演算増幅回路ブロックごとに個別に生成することで、上述のように、ソース出力毎に電荷の再利用の可否を個別に制御できるようになる。   By individually generating the control signals cc, xcc, c1, xc1, c2, and xc2 for each operational amplifier circuit block, as described above, it is possible to individually control whether or not charges can be reused for each source output. Become.

図26に、図24の演算増幅回路ブロックOPCの他の制御例のタイミング図を示す。 FIG. 26 shows a timing chart of another control example of the operational amplifier circuit block OPC 1 of FIG.

図26では、いわゆるオフ書き込みの制御例のタイミング図を示している。電荷再利用期間の制御、ソース電荷蓄積用スイッチCSWのスイッチ制御は、図25と同様である。   FIG. 26 shows a timing chart of a so-called off-write control example. Control of the charge recycle period and switch control of the source charge storage switch CSW are the same as in FIG.

駆動期間のプリバッファ期間及びDAC駆動期間では、制御信号ccがHレベル、制御信号disがHレベルとなる。これにより、共用ラインCOLが放電用トランジスタDisTrにより、システム接地電源電圧VSSに設定される。そして、導通状態に設定された第1のソース短絡スイッチC2SWを介して、電荷再利用期間内で電位が変動した第1のソース出力ノードSNDは、システム接地電源電圧VSSに設定される。この第1のソース出力ノードSNDの電圧が、第1のソース線Sに供給されて、いわゆるオフ書き込み制御が行われる。こうすることで、表示パネル12では、ソース線に供給された第1のソース出力ノードSNDの電圧を、通常の表示動作と同様に画素電極に書き込むだけでよい。 In the pre-buffer period and the DAC driving period of the driving period, the control signal cc is at the H level and the control signal dis is at the H level. As a result, the common line COL is set to the system ground power supply voltage VSS by the discharging transistor DisTr. Then, the first source output node SND 1 whose potential has fluctuated within the charge reuse period is set to the system ground power supply voltage VSS via the first source short-circuit switch C2SW 1 set to the conductive state. The first voltage source output node SND 1 is supplied to the first source line S 1, so-called off-writing control is performed. Thus, in the display panel 12, the voltage of the first source output node SND 1 supplied to the source line need only be written to the pixel electrode in the same manner as in the normal display operation.

以上のようなオフ書き込み制御は、演算増幅回路ブロックOPC〜OPCでも同様に行われる。こうすることで、所定のオフ電圧をDACから供給することなく、非常に簡素な構成で表示オフ制御を行うことができるようになる。 The off-write control as described above is similarly performed in the operational amplifier circuit blocks OPC 2 to OPC N. In this way, display off control can be performed with a very simple configuration without supplying a predetermined off voltage from the DAC.

2.3.2 対向電極の電荷再利用
図27に、図6の対向電極電圧生成回路56の構成例の図を示す。
2.3.2 Charge Reuse of Counter Electrode FIG. 27 shows a diagram of a configuration example of the counter electrode voltage generation circuit 56 of FIG.

対向電極電圧生成回路56は、表示パネル(電気光学装置)12の画素電極と液晶素子(電気光学物質)を挟んで対向する対向電極CEに印加される対向電極電圧VCOMを生成する。この対向電極電圧生成回路56は、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器である第1及び第2の演算増幅器OP1、OP2と、切替回路SELとを含む。第1の演算増幅器OP1は、対向電極電圧VCOMの高電位側電圧VCOMHを出力する。第2の演算増幅器OP2は、対向電極電圧VCOMの低電位側電圧VCOMLを出力する。切替回路SELは、液晶素子(電気光学物質)に印加される電圧の極性を反転させる極性反転タイミングに応じて、高電位側電圧VCOMH及び低電位側電圧VCOMLの1つを対向電極電圧VCOMとして出力する。なお第1及び第2の演算増幅器OP1、OP2を、レギュレータとして動作させてもよい。   The counter electrode voltage generation circuit 56 generates a counter electrode voltage VCOM applied to the counter electrode CE facing the pixel electrode of the display panel (electro-optical device) 12 and the liquid crystal element (electro-optical material). The counter electrode voltage generation circuit 56 includes first and second operational amplifiers OP1 and OP2 that are operational amplifiers connected in voltage follower, and a switching circuit SEL. The first operational amplifier OP1 outputs a high potential side voltage VCOMH of the common electrode voltage VCOM. The second operational amplifier OP2 outputs a low potential side voltage VCOML of the common electrode voltage VCOM. The switching circuit SEL outputs one of the high potential side voltage VCOMH and the low potential side voltage VCOML as the counter electrode voltage VCOM in accordance with the polarity inversion timing for inverting the polarity of the voltage applied to the liquid crystal element (electro-optical material). To do. Note that the first and second operational amplifiers OP1 and OP2 may be operated as regulators.

切替回路SELは、P型(第1導電型)の金属酸化膜半導体(Metal Oxide Semiconductor:MOS)トランジスタ(以下、単にトランジスタ)PTrと、N型(第2導電型)のトランジスタNTrとを含むことができる。トランジスタPTrのソースは、第1の演算増幅器OP1の出力に接続される。トランジスタPTrのドレインは、対向電極CEに電気的に接続される。トランジスタPTrのゲートには、制御信号XPOLcが供給される。トランジスタNTrのソースは、第2の演算増幅器OP2の出力に接続される。トランジスタNTrのドレインは、対向電極CEに電気的に接続される。トランジスタNTrのゲートには、制御信号POLcが供給される。   The switching circuit SEL includes a P-type (first conductivity type) metal oxide semiconductor (MOS) transistor (hereinafter simply referred to as a transistor) PTr and an N-type (second conductivity type) transistor NTr. Can do. The source of the transistor PTr is connected to the output of the first operational amplifier OP1. The drain of the transistor PTr is electrically connected to the counter electrode CE. A control signal XPOLc is supplied to the gate of the transistor PTr. The source of the transistor NTr is connected to the output of the second operational amplifier OP2. The drain of the transistor NTr is electrically connected to the counter electrode CE. A control signal POLc is supplied to the gate of the transistor NTr.

制御信号XPOLc、POLcは、極性反転タイミングを規定する極性反転信号POLに基づいて生成される。切替回路SELは、制御信号XPOLc、POLcに基づいて、高電位側電圧VCOMH又は低電位側電圧VCOMLを出力することができる。また切替回路SELは、制御信号XPOLc、POLcに基づいて、その出力をハイインピーダンス状態に設定することができる。   The control signals XPOLc and POLc are generated based on the polarity inversion signal POL that defines the polarity inversion timing. The switching circuit SEL can output the high potential side voltage VCOMH or the low potential side voltage VCOML based on the control signals XPOLc and POLc. The switching circuit SEL can set its output to a high impedance state based on the control signals XPOLc and POLc.

このような対向電極電圧生成回路56は、VCOMH生成回路(対向電極高電位側電圧生成回路)62と、VCOML生成回路(対向電極低電位側電圧生成回路)64とを含むことができる。VCOMH生成回路62は、例えばシステム接地電源電圧VSSと電源電圧VDDHSとに基づいて、公知のチャージポンプ動作により電圧VCOMH0を生成することができるようになっている。電圧VCOMH0は、第1の演算増幅器OP1の入力に供給される。VCOML生成回路64は、例えばシステム接地電源電圧VSSと電源電圧VDDHSとに基づいて、公知のチャージポンプ動作により電圧VCOML0を生成することができるようになっている。電圧VCOML0は、第2の演算増幅器OP2の入力に供給される。   Such a counter electrode voltage generation circuit 56 can include a VCOMH generation circuit (counter electrode high potential side voltage generation circuit) 62 and a VCOML generation circuit (counter electrode low potential side voltage generation circuit) 64. The VCOMH generation circuit 62 can generate the voltage VCOMH0 by a known charge pump operation based on, for example, the system ground power supply voltage VSS and the power supply voltage VDDHS. The voltage VCOMH0 is supplied to the input of the first operational amplifier OP1. The VCOML generation circuit 64 can generate the voltage VCOML0 by a known charge pump operation based on, for example, the system ground power supply voltage VSS and the power supply voltage VDDHS. The voltage VCOML0 is supplied to the input of the second operational amplifier OP2.

そして、対向電極電圧生成回路56は、切替回路SELにより高電位側電圧VCOMHを対向電極電圧VCOMとして出力するときには、図示しない制御信号により第2の演算増幅器OP2の動作電流を停止又は制限する制御を行う。また対向電極電圧生成回路56は、切替回路SELにより低電位側電圧VCOMLを対向電極電圧VCOMとして出力するときには、図示しない制御信号により第1の演算増幅器OP1の動作電流を停止又は制限する制御を行う。   When the switching circuit SEL outputs the high potential side voltage VCOMH as the common electrode voltage VCOM, the common electrode voltage generation circuit 56 performs control to stop or limit the operating current of the second operational amplifier OP2 by a control signal (not shown). Do. In addition, when the switching circuit SEL outputs the low potential side voltage VCOML as the common electrode voltage VCOM, the common electrode voltage generation circuit 56 performs control to stop or limit the operating current of the first operational amplifier OP1 by a control signal (not shown). .

こうすることで、対向電極電圧VCOMの高電位側電圧VCOMH及び低電位側電圧VCOMLの一方を対向電極CEに印加するとき、高電位側電圧VCOMH及び低電位側電圧VCOMLの他方を出力する演算増幅器の動作電流を停止又は制限することができるので、対向電極電圧VCOMの生成に不要な消費電流を削減できるようになる。   Thus, when one of the high potential side voltage VCOMH and the low potential side voltage VCOML of the common electrode voltage VCOM is applied to the common electrode CE, an operational amplifier that outputs the other of the high potential side voltage VCOMH and the low potential side voltage VCOML. Therefore, it is possible to reduce current consumption unnecessary for generating the common electrode voltage VCOM.

切替回路SELの出力は、対向電極電圧出力ノードVNDと電気的に接続される。対向電極電圧出力ノードVNDは、第1の容量素子の一端が接続される第1の容量素子接続ノードC1NDと電気的に接続される。第1の容量素子接続ノードC1NDは、対向電極電圧出力端子TL3を介して表示パネル12の対向電極CEと電気的に接続される。   The output of the switching circuit SEL is electrically connected to the common electrode voltage output node VND. The common electrode voltage output node VND is electrically connected to the first capacitor element connection node C1ND to which one end of the first capacitor element is connected. The first capacitor element connection node C1ND is electrically connected to the counter electrode CE of the display panel 12 through the counter electrode voltage output terminal TL3.

対向電極電荷蓄積用スイッチVSWは、第1の容量素子接続ノードC1NDと電気光学物質を介して対向電極電圧出力ノードVNDとの間に設けられる。対向電極電荷蓄積用スイッチVSWは、制御信号cv、xcvによりオンオフ制御される。制御信号xcvは、制御信号cvの反転信号である。   The common electrode charge storage switch VSW is provided between the first capacitor element connection node C1ND and the common electrode voltage output node VND via the electro-optic material. The common electrode charge storage switch VSW is on / off controlled by control signals cv and xcv. The control signal xcv is an inverted signal of the control signal cv.

そして、対向電極電圧VCOMを変化させる際に、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWにより対向電極電圧出力ノードVNDと第1の容量素子接続ノードC1NDとを一旦電気的に接続した後に、対向電極電圧出力ノードVNDに対向電極電圧VCOMを供給する。より具体的には、対向電極電圧生成回路56(切替回路SEL)の出力をハイインピーダンス状態に設定した状態で、対向電極電荷蓄積用スイッチVSWにより対向電極電圧出力ノードVNDと第1の容量素子接続ノードC1NDとを電気的に接続した後、対向電極電圧生成回路56(切替回路SEL)が、対向電極CEに対向電極電圧VCOMを供給する。   When the common electrode voltage VCOM is changed, the common electrode voltage output node VND and the first capacitor element connection node C1ND are once electrically connected by the common electrode charge storage switch VSW and then the common electrode voltage output node. The counter electrode voltage VCOM is supplied to VND. More specifically, with the output of the common electrode voltage generation circuit 56 (switching circuit SEL) set to a high impedance state, the common electrode voltage output node VND is connected to the first capacitor element by the common electrode charge storage switch VSW. After electrically connecting the node C1ND, the common electrode voltage generation circuit 56 (switching circuit SEL) supplies the common electrode voltage VCOM to the common electrode CE.

本実施形態では、基準電圧Vrefとして、中間階調値に対応した階調電圧を採用したが、これに限定されるものではない。例えば理想的には基準電圧を、階調電圧の最高電圧Vと最低電圧Vとの間の中間電圧(=(V+V)/2)としてもよい。該中間電圧を基準電圧Vrefとすることで、回路構成を簡略化できる。 In the present embodiment, the gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value is employed as the reference voltage Vref, but is not limited to this. For example, ideally, the reference voltage may be an intermediate voltage (= (V H + V L ) / 2) between the highest voltage V H and the lowest voltage V L of the gradation voltage. By using the intermediate voltage as the reference voltage Vref, the circuit configuration can be simplified.

2.4 変形例
本実施形態では、基準電圧Vrefを、中間階調値に対応した階調電圧とする固定電圧であるものとして説明したが、これに限定されるものではない。ラインラッチ26からの階調データを6ビットすべて取り込み、所与の基準データと比較して、該基準データより大きいか否かを判別することで、基準電圧Vrefのレベルを変更することができる。
2.4 Modification In the present embodiment, the reference voltage Vref has been described as a fixed voltage having a gradation voltage corresponding to the intermediate gradation value, but the present invention is not limited to this. It is possible to change the level of the reference voltage Vref by fetching all 6 bits of gradation data from the line latch 26 L and comparing it with given reference data to determine whether it is larger than the reference data. .

図28に、本実施形態の変形例におけるソース線駆動回路20の構成要部を示す。図28では、図13と同様に1出力当たりの構成を示し、図28において図13と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。   FIG. 28 shows a main configuration part of the source line drive circuit 20 in a modification of the present embodiment. In FIG. 28, the configuration per output is shown as in FIG. 13. In FIG. 28, the same parts as those in FIG.

図28では、図13の電荷再利用制御部100に代えて電荷再利用制御部200が設けられている。電荷再利用制御部200は、閾値判定部210、ラッチ220、階調データ判定部230を含む。閾値判定部210には、閾値データとして基準データが入力される。閾値判定部210は、基準データとラインラッチ26からの階調データD[5:0]とを比較し、その比較結果を比較結果信号として出力する。ラッチ220は、水平同期信号LPの変化タイミングで、閾値判定部210からの比較結果信号をラッチする。 In Figure 28, it is provided charge recycle control section 200 L in place of the charge recycle control section 100 L of FIG. The charge reuse control unit 200 L includes a threshold value determination unit 210 L , a latch 220 L , and a gradation data determination unit 230 L. The threshold value determination unit 210 L, the reference data is input as the threshold data. Threshold determination unit 210 L is the grayscale data D from the reference data and the line latch 26 L [5: 0] are compared, and outputs a comparison result signal of the comparison result. Latch 220 L is a change in the timing of the horizontal synchronization signal LP, latches the comparison result signal from the threshold determination unit 210 L.

ライン反転駆動が行われる場合、階調データ判定部230は、極性反転信号POLと
閾値判定部210からの比較結果信号とに基づいて、図14に示すようにソース線Sと共用ラインCOLとを短絡するか否かを判定する。
If the line inversion driving is performed, the gradation data determination unit 230 L, based on the comparison result signal from the polarity inversion signal POL and the threshold value determination section 210 L, shared with the source line S L, as shown in FIG. 14 line It is determined whether or not the COL is short-circuited.

フレーム反転が行われる場合、階調データ判定部230は、閾値判定部210からの比較結果信号とラッチ220にラッチされた比較結果信号とを比較する。即ち、ラッチ220にラッチされる比較結果信号は、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と所与の基準データとを比較した第1の比較結果である。閾値判定部210からの比較結果信号は、当該水平走査期間にソース線に供給される第2の階調電圧を生成するための第2の階調データと基準データとを比較した第2の比較結果である。 If the frame inversion is performed, the gradation data determination unit 230 L compares the comparison result signal latched comparison result signal and the latch 220 L from the threshold determination unit 210 L. That is, the comparison result is latched by the latch 220 L signal is a first comparison result obtained by comparing the first gray-scale voltage supplied to the source line in the horizontal scanning period immediately before and the given reference data. Comparison result from the threshold determination unit 210 L signal, second comparing the second tone data and the reference data to generate a second gradation voltage supplied to the source line to the horizontal scanning period It is a comparison result.

階調データ判定部230からの出力に基づいて、ソース出力切替回路SSWのスイッチ制御が行われる。 Based on the output from the grayscale data determination unit 230 L, the switch control of the source output switch circuit SSW L is performed.

このような構成により、閾値判定部210は、基準データと階調データD[5:0]とを比較し、例えば階調データD[5:0]が基準データより大きいか小さいかを判別することで、階調データD[5:0]に対応した階調電圧が該基準データに対応した階調電圧より高電位側にあるか低電位側にあるかを判定することができる。その結果は、階調データ判定部230により、図14に示すように対向電極電圧VCOMの切り替わりの際に電荷の再利用を行うか否か、或いは2つの連続する水平走査期間において、階調データD[5:0]に対応した階調電圧が基準データに対応した階調電圧より共に大きいか又は共に小さいかを、ソース出力毎に判定される。 With this configuration, threshold decision unit 210 L is, the reference data and the gray scale data D: comparing the [5 0], for example, the grayscale data D [5: 0] is determined whether greater than the reference data smaller Thus, it can be determined whether the gradation voltage corresponding to the gradation data D [5: 0] is on the higher potential side or the lower potential side than the gradation voltage corresponding to the reference data. As a result, the gradation data determination unit 230 L, whether or not to reuse the charge during switching of the common electrode voltage VCOM as shown in FIG. 14, or in two consecutive horizontal scanning periods, the gradation It is determined for each source output whether the gradation voltages corresponding to the data D [5: 0] are both larger or smaller than the gradation voltages corresponding to the reference data.

このような電荷再利用制御部200により、ライン反転駆動が行われる場合には、対向電極電圧VCOMの切り替わりの際に現ラインの階調電圧が基準電圧より高電位側か低電位側かを判定し、その判定結果に基づいてソース出力切替回路SSWは、ソース線Sを共用ラインCOLと短絡する制御を行うことができる。また、フレーム反転駆動が行われる場合には、電荷再利用制御部200により、2つの連続する水平走査期間において、階調データD[5:0]に対応した階調電圧が基準データに対応した階調電圧より共に大きいか又は共に小さいと判定されたときに、ソース出力切替回路SSWは、ソース線Sを共用ラインCOLと短絡せず、第1及び第2の階調電圧の一方が基準電圧より大きく他方が基準電圧より小さいと判定された時に短絡するSuch charge recycle control section 200 L, if the line inversion drive is performed, the low potential side whether the high potential side than the gradation voltage is the reference voltage of the current line during the switching of the common electrode voltage VCOM determined, the source output switch circuit SSW L on the basis of the determination result can be controlled to be short-circuited with the common line COL source line S L. Further, when the frame inversion driving is performed, the charge recycle control section 200 L, in two consecutive horizontal scanning periods, the gray-scale data D [5: 0] grayscale voltage corresponding to the corresponding to the reference data The source output switching circuit SSW L does not short-circuit the source line S L with the shared line COL and determines one of the first and second gradation voltages when it is determined that both are larger or smaller than the selected gradation voltage. Is determined to be larger than the reference voltage and the other is smaller than the reference voltage .

こうすることで、対向電極電圧VCOMの切り替わりの際に、対向電極電圧VCOMの切り替わりの際に現ラインの階調電圧が、最高電圧Vと最低電圧Vとの間の設定可能な電圧より高電位側か低電位側かを判断でき、電荷の再利用を行ったり、電荷の再利用を省略したりできるようになる。或いは、2つの連続する水平走査期間における階調電圧が、最高電圧Vと最低電圧Vとの間の設定可能な電圧より高電位側か低電位側かを判断でき、電荷の再利用を行ったり、電荷の再利用を省略したりできるようになる。 In this way, when the counter electrode voltage VCOM is switched, the grayscale voltage of the current line is changed from the settable voltage between the maximum voltage V H and the minimum voltage V L when the counter electrode voltage VCOM is switched. It can be determined whether the potential is high or low, and the charge can be reused or the charge can be omitted. Alternatively, it is possible to determine whether the gradation voltage in two consecutive horizontal scanning periods is higher or lower than the settable voltage between the highest voltage V H and the lowest voltage VL, and the charge can be reused. Can be done, or reuse of charge can be omitted.

なお本実施形態では、極性反転駆動モード設定レジスタに設定された制御データに応じて、上述のように電荷の再利用制御を行っていたが、これに限定されるものではない。   In the present embodiment, the charge recycle control is performed as described above according to the control data set in the polarity inversion drive mode setting register. However, the present invention is not limited to this.

例えば、1水平走査期間の開始タイミングにおいて、直前のラインである直前の水平走査期間における極性反転信号POLの論理レベルと現ラインである当該水平走査期間における極性反転信号POLの論理レベルとを比較し、その比較結果に応じて電荷の再利用制御を行ってもよい。より具体的には、直前の水平走査期間における極性反転信号POLがHレベルで、当該水平走査期間における極性反転信号POLがLレベルのとき、図14に示すようにライン反転駆動時の電荷の再利用制御を行う。また、直前の水平走査期間における極性反転信号POLがHレベルで、当該水平走査期間における極性反転信号POLがHレベルのとき、図19に示すようにフレーム反転駆動時の電荷の再利用制御を行う。こうすることで、例えばフレーム反転駆動が行われる場合であっても、1垂直走査期間の最初の水平走査期間では、上述のライン反転駆動と同様の電荷の再利用制御を行うことができる。こうすることで、1垂直走査期間の最初の水平走査期間と、その直前と水平走査期間とに着目すれば、上述のライン反転駆動時と同様の効果が得られる。   For example, at the start timing of one horizontal scanning period, the logic level of the polarity inversion signal POL in the immediately preceding horizontal scanning period that is the immediately preceding line is compared with the logic level of the polarity inversion signal POL in the horizontal scanning period that is the current line. Depending on the comparison result, charge recycle control may be performed. More specifically, when the polarity inversion signal POL in the immediately preceding horizontal scanning period is at the H level and the polarity inversion signal POL in the horizontal scanning period is at the L level, as shown in FIG. Perform usage control. Further, when the polarity inversion signal POL in the immediately preceding horizontal scanning period is at the H level and the polarity inversion signal POL in the horizontal scanning period is at the H level, charge recycle control during frame inversion driving is performed as shown in FIG. . By doing this, for example, even when frame inversion driving is performed, charge recycle control similar to the above-described line inversion driving can be performed in the first horizontal scanning period of one vertical scanning period. In this way, if attention is paid to the first horizontal scanning period of one vertical scanning period, the immediately preceding time and the horizontal scanning period, the same effects as those in the above-described line inversion driving can be obtained.

このように、極性反転駆動モードにかかわらず、図14又は図19に示す制御を組み合わせることで、ライン反転駆動やフレーム反転駆動に限らず、nライン反転駆動やインターレース反転駆動においても、無駄な電荷の充放電を不要にでき、より一層の低消費電力化を実現できるようになる。   As described above, by combining the control shown in FIG. 14 or FIG. 19 regardless of the polarity inversion driving mode, useless charge is not limited to line inversion driving and frame inversion driving, but also in n line inversion driving and interlace inversion driving. Therefore, it is possible to realize further lower power consumption.

また本実施形態では、図1又は図2に示す表示パネル12を駆動する表示ドライバ60について説明したが、これに限定されるものではない。   In the present embodiment, the display driver 60 for driving the display panel 12 shown in FIG. 1 or 2 has been described. However, the present invention is not limited to this.

図29に、表示パネルの他の構成例の概要を示す。   FIG. 29 shows an outline of another configuration example of the display panel.

図29において、図1又は図2と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図29の表示パネル300は、表示ドライバによって駆動されるソース出力毎にデマルチプレクサを含む。即ち、ソース線Sに対応してデマルチプレクサDMUX、ソース線SL+1に対応してデマルチプレクサDMUXL+1を含む。デマルチプレクサDMUXは、各ソース出力を3つの色成分用ソース線に分割する。表示パネル300では、各色成分用ソース線にTFTのソースが接続される。従って、各ソース出力に、3ドット分の階調データに対応したデータ電圧を時分割で出力することで、デマルチプレクサDMUXが時分割多重されたデータ電圧を分離して、各色成分用ソース線に出力させることができる。 29, the same reference numerals are given to the same portions as those in FIG. 1 or FIG. 2, and description thereof will be omitted as appropriate. The display panel 300 of FIG. 29 includes a demultiplexer for each source output driven by the display driver. That includes a demultiplexer DMUX L + 1 corresponds to correspond to the source line S L demultiplexer DMUX L, the source line S L + 1. The demultiplexer DMUX divides each source output into three color component source lines. In the display panel 300, the source of the TFT is connected to each color component source line. Therefore, by outputting the data voltage corresponding to the gradation data for 3 dots to each source output in a time division manner, the demultiplexer DMUX separates the time division multiplexed data voltage and supplies it to each color component source line. Can be output.

図30に、図29の表示パネルを駆動する表示ドライバの構成要部を示す。   FIG. 30 shows a configuration main part of a display driver that drives the display panel of FIG.

図30において、図24と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図30の表示ドライバでは、各演算増幅器ブロックに、予め3ドット分のデータ電圧が時分割多重されて入力される。そして、その時分割多重タイミング信号を、表示パネル300に供給することで、デマルチプレクサDMUX〜DMUXのそれぞれは、各ソース出力を分離することができる。 In FIG. 30, the same parts as those in FIG. 24 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. In the display driver of FIG. 30, the data voltage for 3 dots is time-division multiplexed in advance and input to each operational amplifier block. Then, by supplying the time division multiplex timing signal to the display panel 300, each of the demultiplexers DMUX 1 to DMUX N can separate each source output.

なお、図29のデマルチプレクサDMUX〜DMUXを、図31に示すように表示ドライバ側に設けてもよい。即ち、表示ドライバ302は、各ソース出力ノードの時分割された電圧を複数の出力電圧に分離するためのデマルチプレクサを含み、複数の出力電圧の各出力電圧を、表示パネルの各ソース線に供給する。この場合、データ電圧の時分割多重タイミング信号を表示パネルに供給する必要がなくなるので、実装面積をより小さくすることができるようになる。 Note that the demultiplexers DMUX 1 to DMUX N of FIG. 29 may be provided on the display driver side as shown in FIG. That is, the display driver 302 includes a demultiplexer for separating the time-divided voltage of each source output node into a plurality of output voltages, and supplies each output voltage of the plurality of output voltages to each source line of the display panel. To do. In this case, it is not necessary to supply a time division multiplexed timing signal of the data voltage to the display panel, so that the mounting area can be further reduced.

3. 電子機器
図32に、本実施形態における電子機器の構成例のブロック図を示す。ここでは、電子機器として、携帯電話機の構成例のブロック図を示す。
3. Electronic Device FIG. 32 is a block diagram showing a configuration example of an electronic device according to this embodiment. Here, a block diagram of a configuration example of a mobile phone is shown as an electronic device.

携帯電話機900は、カメラモジュール910を含む。カメラモジュール910は、CCDカメラを含み、CCDカメラで撮像した画像のデータを、YUVフォーマットで表示コントローラ540に供給する。表示コントローラ540は、図1又は図2の表示コントローラ40の機能を有する。   The mobile phone 900 includes a camera module 910. The camera module 910 includes a CCD camera, and supplies image data captured by the CCD camera to the display controller 540 in the YUV format. The display controller 540 has the function of the display controller 40 of FIG. 1 or FIG.

携帯電話機900は、表示パネル512を含む。表示パネル512は、ソースドライバ520及びゲートドライバ530によって駆動される。表示パネル512は、複数のゲート線、複数のソース線、複数の画素を含む。表示パネル512は、図1又は図2の表示パネル12の機能を有する。   The mobile phone 900 includes a display panel 512. The display panel 512 is driven by the source driver 520 and the gate driver 530. The display panel 512 includes a plurality of gate lines, a plurality of source lines, and a plurality of pixels. The display panel 512 has the function of the display panel 12 shown in FIG.

表示コントローラ540は、ソースドライバ520及びゲートドライバ530に接続され、ソースドライバ520に対してRGBフォーマットの階調データを供給する。   The display controller 540 is connected to the source driver 520 and the gate driver 530 and supplies gradation data in RGB format to the source driver 520.

電源回路542は、ソースドライバ520及びゲートドライバ530に接続され、各ドライバに対して、駆動用の電源電圧を供給する。電源回路542は、図1又は図2の電源回路50の機能を有する。表示ドライバ544としてソースドライバ520、ゲートドライバ530及び電源回路542を含み、該表示ドライバ544が表示パネル512を駆動できる。   The power supply circuit 542 is connected to the source driver 520 and the gate driver 530, and supplies a driving power supply voltage to each driver. The power supply circuit 542 has the function of the power supply circuit 50 in FIG. 1 or FIG. The display driver 544 includes a source driver 520, a gate driver 530, and a power supply circuit 542, and the display driver 544 can drive the display panel 512.

ホスト940は、表示コントローラ540に接続される。ホスト940は、表示コントローラ540を制御する。またホスト940は、アンテナ960を介して受信された階調データを、変復調部950で復調した後、表示コントローラ540に供給できる。表示コントローラ540は、この階調データに基づき、ソースドライバ520及びゲートドライバ530により表示パネル512に表示させる。ソースドライバ520は、図1又は図2のソース線駆動回路20の機能を有する。ゲートドライバ530は、図1又は図2のゲート線駆動回路30の機能を有する。   The host 940 is connected to the display controller 540. The host 940 controls the display controller 540. In addition, the host 940 can demodulate the gradation data received via the antenna 960 by the modem 950 and then supply it to the display controller 540. The display controller 540 causes the display panel 512 to display the source driver 520 and the gate driver 530 based on the gradation data. The source driver 520 has the function of the source line driver circuit 20 shown in FIG. The gate driver 530 has a function of the gate line driving circuit 30 of FIG. 1 or FIG.

ホスト940は、カメラモジュール910で生成された階調データを変復調部950で変調した後、アンテナ960を介して他の通信装置への送信を指示できる。   The host 940 can instruct transmission to another communication device via the antenna 960 after the modulation / demodulation unit 950 modulates the gradation data generated by the camera module 910.

ホスト940は、操作入力部970からの操作情報に基づいて階調データの送受信処理、カメラモジュール910の撮像、表示パネル512の表示処理を行う。   The host 940 performs gradation data transmission / reception processing, imaging of the camera module 910, and display processing of the display panel 512 based on operation information from the operation input unit 970.

なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本発明は上述の液晶表示パネルの駆動に適用されるものに限らず、エレクトロクミネッセンス、プラズマディスプレイ装置の駆動に適用可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, the present invention is not limited to being applied to driving the above-described liquid crystal display panel, but can be applied to driving electroluminescence and plasma display devices.

また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。また、本発明の1の独立請求項に係る発明の要部を、他の独立請求項に従属させることもできる。   In the invention according to the dependent claims of the present invention, a part of the constituent features of the dependent claims can be omitted. Moreover, the principal part of the invention according to one independent claim of the present invention can be made dependent on another independent claim.

本実施形態の液晶装置のブロック図の例。4 is a block diagram example of the liquid crystal device of the present embodiment. FIG. 本実施形態における液晶装置の他の構成例のブロック図。The block diagram of the other structural example of the liquid crystal device in this embodiment. 図1又は図2のソース線駆動回路の構成例のブロック図。FIG. 3 is a block diagram of a configuration example of the source line driver circuit in FIG. 1 or FIG. 2. 図3の階調電圧発生回路、DAC及び出力バッファの構成例を示す図。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of a gradation voltage generation circuit, a DAC, and an output buffer in FIG. 3. 図1又は図2のゲート線駆動回路の構成例を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a gate line driving circuit in FIG. 1 or FIG. 2. 図1又は図2の電源回路の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the power supply circuit of FIG. 1 or FIG. 図1又は図2の表示パネルの駆動波形の一例を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an example of a drive waveform of the display panel of FIG. 1 or FIG. 2. 走査ライン反転駆動の説明図。Explanatory drawing of a scanning line inversion drive. 本実施形態の液晶装置の原理的構成図。FIG. 2 is a diagram illustrating a principle configuration of a liquid crystal device according to an embodiment. ライン反転駆動が行われる場合の図9の液晶装置の動作例の波形図。FIG. 10 is a waveform diagram of an operation example of the liquid crystal device in FIG. 9 when line inversion driving is performed. フレーム反転駆動が行われる場合の図9の液晶装置の動作例の波形図。FIG. 10 is a waveform diagram of an operation example of the liquid crystal device in FIG. 9 when frame inversion driving is performed. フレーム反転駆動が行われる場合の図9の液晶装置の他の動作例の波形図。FIG. 10 is a waveform diagram of another operation example of the liquid crystal device in FIG. 9 when frame inversion driving is performed. 図3のソース線駆動回路の構成要部を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a configuration main part of the source line driver circuit of FIG. 3. ライン反転駆動が行われる場合の図13の電荷再利用制御部の制御例の説明図。FIG. 14 is an explanatory diagram of a control example of the charge reuse control unit in FIG. 13 when line inversion driving is performed. 図15(A)、図15(B)はライン反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図。FIGS. 15A and 15B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control according to this embodiment when line inversion driving is performed. 図16(A)、図16(B)はライン反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図。FIG. 16A and FIG. 16B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control of this embodiment when line inversion driving is performed. ライン反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図。Explanatory drawing of the effect of the charge reuse control of this embodiment when line inversion drive is performed. ライン反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図。Explanatory drawing of the effect of the charge reuse control of this embodiment when line inversion drive is performed. フレーム反転駆動が行われる場合の図13の電荷再利用制御部の制御例の説明図。FIG. 14 is an explanatory diagram of a control example of the charge reuse control unit in FIG. 13 when frame inversion driving is performed. 図20(A)、図20(B)はフレーム反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図。20A and 20B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control according to this embodiment when frame inversion driving is performed. 図21(A)、図21(B)はフレーム反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図。FIG. 21A and FIG. 21B are explanatory diagrams of the effect of charge recycle control of this embodiment when frame inversion driving is performed. フレーム反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図。Explanatory drawing of the effect of the charge reuse control of this embodiment in case frame inversion drive is performed. フレーム反転駆動が行われる場合の本実施形態の電荷の再利用制御の効果の説明図。Explanatory drawing of the effect of the charge reuse control of this embodiment in case frame inversion drive is performed. 図8の演算増幅回路ブロック及び共用ラインの構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the operational amplifier circuit block of FIG. 8, and a shared line. 図24の演算増幅回路ブロックの制御例のタイミング図。FIG. 25 is a timing diagram of a control example of the operational amplifier circuit block of FIG. 24. 図24の演算増幅回路ブロックの他の制御例のタイミング図。The timing diagram of the other control example of the operational amplifier circuit block of FIG. 図6の対向電極電圧生成回路の構成例の図。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of the common electrode voltage generation circuit in FIG. 6. 本実施形態の変形例におけるソース線駆動回路の構成要部を示す図。The figure which shows the structure principal part of the source line drive circuit in the modification of this embodiment. 表示パネルの他の構成例の概要を示す図。The figure which shows the outline | summary of the other structural example of a display panel. 図29の表示パネルを駆動する表示ドライバの構成要部を示す図。The figure which shows the structure principal part of the display driver which drives the display panel of FIG. 図29の表示パネルを駆動する表示ドライバの他の構成要部を示す図。FIG. 30 is a diagram showing another configuration main part of a display driver that drives the display panel of FIG. 29. 本実施形態における電子機器の構成例のブロック図。1 is a block diagram of a configuration example of an electronic device according to an embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 液晶装置、 12 表示パネル、 20 ソース線駆動回路、
26 ラインラッチ、 28 DAC、 29 出力バッファ、
30 ゲート線駆動回路、 40 表示コントローラ、 50 電源回路、
60 表示ドライバ、 100 電荷再利用制御部、 110 ラッチ、
120 階調データ判定部、 CCS 第2の容量素子、 CCV 第1の容量素子、
COL 共用ライン、 CSW ソース電荷蓄積用スイッチ、 G〜G ゲート線、
D 階調データ、 OPC 演算増幅回路ブロック、 POL 極性反転信号、
〜S ソース線、 SSW〜SSW ソース出力切替回路、
SWA、SWB スイッチ回路、 TL1 第1の容量素子接続用端子、
TL2 第2の容量素子接続用端子、 VSW 対向電極電荷蓄積用スイッチ
10 liquid crystal device, 12 display panel, 20 source line drive circuit,
26 L line latch, 28 L DAC, 29 L output buffer,
30 gate line drive circuit, 40 display controller, 50 power supply circuit,
60 display driver, 100 L charge recycle control unit, 110 L latch,
120 L gradation data determination unit, CCS second capacitor element, CCV first capacitor element,
COL common line, CSW source charge storage switch, G 1 ~G M gate lines,
D grayscale data, OPC L operational amplifier circuit block, POL polarity inversion signal,
S 1 to S N source lines, SSW 1 to SSW N source output switching circuit,
SWA L , SWB L switch circuit, TL 1 first capacitor element connection terminal,
TL2 Second capacitor element connection terminal, VSW Counter electrode charge storage switch

Claims (14)

階調データに基づいて電気光学装置のソース線を駆動するための駆動回路であって、
階調データに対応した階調電圧を前記ソース線に供給するためのソース線駆動部と、
前記ソース線駆動部により前記ソース線が駆動されるのに先立って、前記ソース線を、キャパシタに接続される共用ラインと短絡するためのソース出力切替部と、
前記ソース出力切替部を制御する電荷再利用制御部とを含み、
前記ソース出力切替部が、前記電荷再利用制御部の判定結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡させ、
ライン反転駆動により、前記電気光学装置の画素電極と対向する対向電極に高電位側電圧又は低電位側電圧を供給する場合には、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、階調データと前記対向電極に供給される対向電極電圧の極性とに基づいて、当該ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定し、
フレーム反転駆動により前記対向電極に前記高電位側電圧又は前記低電位側電圧を供給する場合には、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、直前の水平走査期間にソース線に供給された第1の階調電圧と当該水平走査期間に前記ソース線に供給された第2の階調電圧とに応じて、該ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することを特徴とする駆動回路。
A drive circuit for driving a source line of an electro-optical device based on gradation data,
A source line driver for supplying a gradation voltage corresponding to gradation data to the source line;
A source output switching unit for short-circuiting the source line with a common line connected to a capacitor before the source line is driven by the source line driving unit;
A charge reuse control unit that controls the source output switching unit,
The source output switching unit short-circuits the source line with the shared line based on the determination result of the charge reuse control unit,
When supplying a high potential side voltage or a low potential side voltage to a counter electrode facing the pixel electrode of the electro-optical device by line inversion driving,
The charge reuse controller
For each source output, based on the polarity of the common electrode voltage supplied to the counter electrode and the gradation data, to determine whether the source line is short-circuited with the common line,
When supplying the high potential side voltage or the low potential side voltage to the counter electrode by frame inversion driving,
The charge reuse controller
For each source output, according to the first gradation voltage supplied to the source line in the immediately preceding horizontal scanning period and the second gradation voltage supplied to the source line in the horizontal scanning period, the source line And determining whether or not to short-circuit the common line .
請求項1において、
記電荷再利用制御部が、
前記対向電極電圧の電圧が切り替わるとき、当該水平走査期間にソース線に供給する階調電圧が所与の基準電圧より高電位側にあるか否かを判定し、
前記低電位側電圧から前記高電位側電圧に切り替わる際に当該水平走査期間にソース線に供給する階調電圧が前記基準電圧より低電位側にあると判定されたとき、又は前記高電位側電圧から前記低電位側電圧に切り替わる際に前記階調電圧が前記基準電圧より高電位側にあると判定されたとき、前記ソース出力切替部が、前記ソース線を前記共用ラインと短絡することを特徴とする駆動回路。
In claim 1,
Before Symbol charge recycle control section,
When the voltage of the counter electrode voltage is switched, it is determined whether the gradation voltage supplied to the source line in the horizontal scanning period is higher than a given reference voltage,
When it is determined that the gradation voltage supplied to the source line during the horizontal scanning period is lower than the reference voltage when the low potential side voltage is switched to the high potential side voltage, or the high potential side voltage When the grayscale voltage is determined to be higher than the reference voltage when switching from the low potential side voltage to the low potential side voltage, the source output switching unit short-circuits the source line with the shared line. Drive circuit.
請求項2において、
前記電荷再利用制御部が、
当該水平走査期間にソース線に供給する階調電圧を生成するための階調データの最上位ビットのデータに基づいて、前記低電位側電圧から前記高電位側電圧に切り替わる際に前記最上位ビットのデータが第1のデータであると判定されたとき、又は前記高電位側電圧から前記低電位側電圧に切り替わる際に前記最上位ビットのデータが該第1のデータを反転した第2のデータであると判定されたとき、前記ソース出力切替部が、前記ソース線を前記共用ラインと短絡することを特徴とする駆動回路。
In claim 2,
The charge reuse controller
The most significant bit when the low potential side voltage is switched to the high potential side voltage based on the most significant bit data of the gradation data for generating the gradation voltage supplied to the source line during the horizontal scanning period. Second data obtained by inverting the first data when the most significant bit data is determined to be the first data or when the high potential side voltage is switched to the low potential side voltage. When it is determined that the source line is switched, the source output switching unit short-circuits the source line with the shared line.
請求項3において、
前記基準電圧が、
中間階調値に対応した階調電圧であることを特徴とする駆動回路。
In claim 3,
The reference voltage is
A driving circuit having a gradation voltage corresponding to an intermediate gradation value.
請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記フレーム反転駆動の時に、前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、前記第1及び第2の階調電圧が、所与の基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であるかを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部により、前記第1及び第2の階調電圧が前記基準電圧より共に高電位側又は共に低電位側であると判定されたときに、前記ソース線を前記共用ラインと短絡せず、前記第1及び第2の階調電圧の一方が前記基準電圧より高電位側で他方が前記基準電圧より低電位側と判定された時に短絡することを特徴とする駆動回路。
In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
At the time of the frame inversion drive, the charge reuse controller is
For each source output, determine whether the first and second gradation voltages are both higher potential side or lower potential side than a given reference voltage,
The source output switching unit is
When the charge recycle control unit determines that the first and second gradation voltages are both higher or lower than the reference voltage, the source line is short-circuited to the shared line. And a short circuit when one of the first and second gradation voltages is determined to be higher than the reference voltage and the other is determined to be lower than the reference voltage .
請求項において、
前記電荷再利用制御部が、
前記第1の階調電圧を生成するための第1の階調データの最上位ビットのデータと、前記第2の階調電圧を生成するための第2の階調データの最上位ビットのデータとを比較し、その比較結果に基づいて前記ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することを特徴とする駆動回路。
In claim 5 ,
The charge reuse controller
The most significant bit data of the first gradation data for generating the first gradation voltage and the most significant bit data of the second gradation data for generating the second gradation voltage And determining whether or not the source line is short-circuited with the shared line based on the comparison result.
請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記電荷再利用制御部が、
前記第1の階調電圧を生成するための第1の階調データと所与の基準データとを比較した第1の比較結果と、前記第2の階調電圧を生成するための第2の階調データと前記基準データとを比較した第2の比較結果とに基づいて、前記ソース線を前記共用ラインと短絡するか否かを判定することを特徴とする駆動回路。
In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
The charge reuse controller
A first comparison result of comparing the first gradation data for generating the first gradation voltage and given reference data, and a second comparison result for generating the second gradation voltage A drive circuit that determines whether or not the source line is short-circuited to the shared line based on a second comparison result obtained by comparing gradation data and the reference data.
請求項において、
前記電荷再利用制御部が、
ソース出力毎に、前記第1及び第2の階調データが前記基準データより共に大きい又は共に小さいかを判定し、
前記ソース出力切替部が、
前記電荷再利用制御部により、前記第1及び第2の階調データが前記基準データより共に大きい又は共に小さいと判定されたときに、前記ソース線を前記共用ラインと短絡せず、前記第1及び第2の階調電圧の一方が前記基準電圧より大きく他方が前記基準電圧より小さいと判定された時に短絡することを特徴とする駆動回路。
In claim 7 ,
The charge reuse controller is
For each source output, determine whether the first and second gradation data are both larger or smaller than the reference data,
The source output switching unit is
When the charge reuse controller determines that the first and second gradation data are both larger or smaller than the reference data, the source line is not short-circuited with the shared line, and the first And a short circuit when it is determined that one of the second gradation voltages is larger than the reference voltage and the other is smaller than the reference voltage .
請求項1乃至のいずれかにおいて、
前記電気光学装置の第1のソース線への出力電圧が供給される第1のソース出力ノードと前記共用ラインとの間に設けられる第1のソース短絡スイッチと、
第2の容量素子の一端が接続される第2の容量素子接続ノードと前記共用ラインとの間に設けられるソース電荷蓄積用スイッチとを含み、
前記第1のソース短絡スイッチ及びソース電荷蓄積用スイッチにより前記第1のソース出力ノードと前記第2の容量素子接続ノードとを一旦電気的に接続した後に、前記第1のソース短絡スイッチ又はソース電荷蓄積用スイッチにより前記第1のソース出力ノードと前記第2の容量素子接続ノードとを電気的に遮断した状態で、前記第1のソース出力ノードに階調データに対応した電圧を供給し、前記第1のソース線を駆動することを特徴とする駆動回路。
In any one of claims 1 to 8,
A first source short-circuit switch provided between a first source output node to which an output voltage to the first source line of the electro-optical device is supplied and the shared line;
A source charge storage switch provided between the second capacitor element connection node to which one end of the second capacitor element is connected and the shared line;
After the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically connected once by the first source short circuit switch and the source charge storage switch, the first source short circuit switch or the source charge A voltage corresponding to grayscale data is supplied to the first source output node in a state where the first source output node and the second capacitor element connection node are electrically cut off by a storage switch, A driving circuit for driving a first source line.
請求項において、
第1の容量素子の一端が接続される第1の容量素子接続ノードと電気光学物質を介して前記電気光学装置の画素電極に対向する対向電極の電圧が供給される対向電極電圧出力ノードとの間に設けられる対向電極電荷蓄積用スイッチとを含み、
前記対向電極電荷蓄積用スイッチにより前記対向電極電圧出力ノードと前記第1の容量素子接続ノードとを一旦電気的に接続した後に、前記対向電極電圧出力ノードに前記対向電極電圧を供給して前記対向電極を駆動することを特徴とする駆動回路。
In claim 9 ,
A first capacitor element connection node to which one end of the first capacitor element is connected and a counter electrode voltage output node to which a voltage of a counter electrode facing the pixel electrode of the electro-optical device is supplied via an electro-optical material. A counter electrode charge storage switch provided therebetween,
After the counter electrode voltage output node and the first capacitor element connection node are electrically connected once by the counter electrode charge storage switch, the counter electrode voltage is supplied to the counter electrode voltage output node and the counter A drive circuit for driving an electrode.
複数のソース線と、
複数のゲート線と、
各画素電極が各ゲート線及び各ソース線により特定される複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向する対向電極と、
前記複数のソース線を駆動するための請求項1乃至10のいずれか記載の駆動回路とを含むことを特徴とする電気光学装置。
Multiple source lines,
Multiple gate lines,
A plurality of pixel electrodes in which each pixel electrode is specified by each gate line and each source line;
A counter electrode facing the plurality of pixel electrodes;
Electro-optical device which comprises a driving circuit according to any one of claims 1 to 10 for driving the plurality of source lines.
請求項1乃至10のいずれか記載の駆動回路を含むことを特徴とする電気光学装置。 Electro-optical device which comprises a driving circuit according to any one of claims 1 to 10. 請求項1乃至10のいずれか記載の駆動回路を含むことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the driving circuit according to any one of claims 1 to 10. 請求項11又は12記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 11 .
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