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JP4213905B2 - Substrate processing apparatus and processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and processing method Download PDF

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JP4213905B2
JP4213905B2 JP2002110623A JP2002110623A JP4213905B2 JP 4213905 B2 JP4213905 B2 JP 4213905B2 JP 2002110623 A JP2002110623 A JP 2002110623A JP 2002110623 A JP2002110623 A JP 2002110623A JP 4213905 B2 JP4213905 B2 JP 4213905B2
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processing
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liquid
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Shibaura Mechatronics Corp
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板を処理チャンバ内で処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
たとえば、液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【0003】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジストを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【0004】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板にエッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液、さらにレジストの除去後に基板を洗浄するための洗浄液などの処理液によって基板を処理する工程が必要となる。
【0005】
上記基板の板面を処理液によって処理する場合、たとえばエッチング液を基板に供給するエッチングチャンバ、エッチング後に剥離液によってレジストを除去する剥離チャンバ、レジストの除去後に基板をリンス処理するリンスチャンバが順次連設された処理装置が用いられる。
【0006】
上記基板は搬送装置により所定方向に搬送される。そして、基板がチャンバ内に搬入されると、その基板に向けて処理液が噴射される。それによって、基板が各チャンバ内でそれぞれ異なる種類の処理液によって処理されるようになっている。
【0007】
上記エッチング液や剥離液によって基板を処理する場合、処理速度の向上と、基板の板面全体を均一に処理できるようにすることが重要なファクタとして要求される。
【0008】
従来、処理チャンバ内にはシャワーパイプを配置し、基板が処理チャンバ内に搬入されたならば、所定の位置で基板を停止し、その基板の上面に上記シャワーパイプから処理液を噴射する。そして、上記処理液による処理作用が進行したならば、上記基板を処理チャンバから搬出するということが行なわれていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、搬送が停止された基板に処理液を供給するだけでは、基板の板面に対して処理液が均一に供給され難いから、処理液によって基板の板面全体が均一に処理できないということがある。
【0010】
また、搬送が停止された基板に処理液を供給すると、基板上での処理液の流動性を十分に高めることができない。そのため、処理液による処理作用が進行し難くなるから、基板の処理時間が長くなるということになる。
【0011】
この発明は、基板を処理液によって処理する場合に、処理速度の向上と処理の均一性とを図ることができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送された上記基板が搬入される処理チャンバと、
この処理チャンバに搬入された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、
上記処理チャンバに設けられ基板を所定方向に揺動させてこの基板の上面に供給された処理液を流動させる揺動機構を具備し、
上記揺動機構は、揺動テーブルと、この揺動テーブルの上記基板の搬送方向の一端側と他端側とにそれぞれ設けられ上記揺動テーブルを上記搬送手段によって搬送される基板よりも下方に位置する下降状態、上記基板を上記搬送手段から上昇させる浮上状態、浮上状態から上記基板を搬送方向下流側の一端を他端よりも低くする第1の傾斜状態及び第1の傾斜状態と逆方向に傾斜させる第2の傾斜状態に駆動する一対のリニアモータ或いはエアーシリンダーとによって構成されていることを特徴とする基板の処理装置にある。
【0013】
請求項2の発明は、基板を処理液によって処理する処理方法において、
上記基板を搬送手段によって処理チャンバに搬入する工程と、
上記処理チャンバに搬入された基板に処理液を供給する工程と、
上記処理チャンバに搬入された基板をこの処理チャンバ内に設けられた揺動テーブルによって上記搬送手段から浮上させて搬送方向下流側の一端を他端よりも低くする第1の傾斜状態及び第1の傾斜状態と逆方向に傾斜させる第2の傾斜状態に駆動して上記基板の上面に供給された処理液を流動させる工程と、
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【0016】
この発明によれば、基板の上面に供給された処理液は、その上面で流動するため、処理作用の促進や均一性を図ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態を説明する。
【0018】
図1乃至図3はこの発明の第1の実施の形態であって、図1はこの発明の処理装置の概略的構成を示す。この処理装置は本体1を備えている。この本体1内は、仕切り壁2によって、ローディングチャンバ3、処理チャンバとしての剥離チャンバ4、洗浄チャンバとしてのリンスチャンバ5、乾燥チャンバ6及びアンローディングチャンバ7が順次直列に隔別形成されている。
【0019】
上記本体1内には、上記各チャンバ3〜7にわたって搬送手段を構成する複数の搬送軸11が軸線を平行にして所定間隔で回転可能に配設されている。各搬送軸11には、この搬送軸11よりも大径な複数の搬送ローラ12が軸線方向に所定間隔で設けられている。
【0020】
各チャンバ3〜7の搬送軸11は、たとえばチェーンやベルトなどによって連動するようになっており、これら搬送軸11は第1乃至第5の駆動源13〜17によってそれぞれ各チャンバ単位で回転駆動されるようになっている。これらの駆動源13〜17による搬送軸11の回転は、制御手段としての制御装置18によって制御される。
【0021】
それによって、たとえば液晶表示装置用の矩形状のガラス基板Wを、上記ローディングチャンバ3からアンローディングチャンバ7に向かって搬送することができるようになっている。上記搬送軸11と搬送ローラ12とは、基板Wを所定方向に沿って搬送する搬送手段を構成している。
【0022】
上記各仕切り壁2には、シャッタ21によって開閉される開口部22が形成されている。上記開口部22は上記搬送ローラ12によって搬送される基板Wを通過可能とする高さ位置に形成されている。それによって、基板Wは上記開口部14を通って上記ローディングチャンバ3からアンローディングチャンバ7に順次搬送される。
【0023】
上記剥離チャンバ4には揺動機構24が設けられている。この揺動機構24は、図3(A)〜(D)に示すように揺動テーブル25を有する。この揺動テーブル25には、上記搬送軸11に設けられた搬送ローラ12と対応する位置に通孔26が形成され、上面には幅方向において上記搬送ローラ12と対応する位置に円錐状の支持突起27が長手方向に所定間隔で設けられている。
【0024】
上記揺動テーブル25の長手方向の両端部の下面には、幅方向両端部にそれぞれ一対の取付け片28(一方のみ図示)が設けられている。各一対の取付け片28には連結軸29の両端部が回転可能に支持されている。一方の連結軸29の軸方向の中途部には第1のリニアモータ31aのロッド32aの上端が連結され、他方の連結軸29の軸方向中途部には第2のリニアモータ31bのロッド32bの上端が連結されている。
【0025】
上記リニアモータ31a,31bは剥離チャンバ4の外底部に軸線を垂直にして配設されている。各リニアモータ31a,31bのロッド32a32bは、上記剥離チャンバ4の内底部に設けられたガイド33にスライド可能かつ液密に挿通されている。
【0026】
一対のリニアモータ31a,31bには上記制御装置18から駆動信号が供給される。それによって、各リニアモータ31a,31bのロッド32a,32bは上下方向に駆動されるようになっている。
【0027】
この実施の形態では、上記揺動テーブル25は、一対のリニアモータ31a,31bによって以下に説明する4つの状態に制御される。第1は、図3(A)に示すように、上面に設けられた支持突起27が搬送ローラ12によって搬送される基板Wよりもわずかに下方に位置する下降状態である。第2は、図3(B)に示すように、上記基板Wが搬送ローラ12から浮上するよう、各リニアモータ31a,31bのロッド32a、32bをわずかに上昇させる浮上状態である。
【0028】
第3は、図3(C)に示すように、基板Wを搬送ローラ12から浮上させた図3(B)に示す浮上状態から、基板Wの搬送方向上流側に位置する第1のリニアモータ31bのロッド32bをさらに上昇させることで、揺動テーブル25を基板Wの搬送方向下流側の一端を下流側他端よりも高く傾斜させた第2の傾斜状態である。
【0029】
第4は、図3(D)に示すように、基板Wを搬送ローラ12から浮上させた頭3(B)に示す浮上状態から、第2のリニアモータ31bのロッド32bをさらに上昇させることで、揺動テーブル25を第1の傾斜状態と逆方向に傾斜させた第2の傾斜状態である。
【0030】
上記剥離チャンバ4内の揺動テーブル25の上方には、複数のシャワーパイプ35が基板Wの搬送方向に沿って所定間隔で平行に配置されている。これらのシャワーパイプ35は図示しない剥離液の供給タンクに連通している。それによって、シャワーパイプ35からは揺動テーブル25に保持された基板Wの上面に向けて剥離液を噴射することができる。
【0031】
上記基板Wは、上記剥離チャンバ4から上記リンスチャンバ5へ搬送される。図2に示すように、剥離チャンバ4内における、基板Wの搬送方向の末端に位置する搬送軸11(この搬送軸を図2に11Aで示す)及びこの搬送軸11Aよりも基板Wの搬送方向下流側に位置する搬送軸11は、搬送軸11Aよりも基板Wの搬送方向上流側に位置する剥離チャンバ4及びローディングチャンバ3内の搬送軸11の軸芯よりも、軸芯を所定寸法上方にして配置されている。これら搬送軸11A,11と、搬送軸11Aよりも上流側に設けられた搬送軸11の軸芯のずれ量を同図にhで示す。
【0032】
それによって、基板Wが剥離チャンバ4からリンスチャンバ5に搬送される際、基板Wが剥離チャンバ4の搬送方向末端に位置する上記搬送軸11Aの搬送ローラ12に載ることで、基板Wの搬送軸11に対応する部分がこの部分よりも後方側(上流側)の部分に比べて高く傾斜することになる。
【0033】
基板Wが上記搬送軸11Aによって搬送方向前方を後方よりも高く傾斜して搬送されると、この基板Wの上面に残留する剥離液は図2に矢印Zで示すように基板Wの搬送方向後方に向かって流れ、基板Wの搬送方向後端から剥離チャンバ4内に滴下する。つまり、剥離液は基板Wの上面から除去されて剥離チャンバ4内に落下し回収される。
【0034】
そのため、剥離チャンバ4からリンスチャンバ5に搬送される基板Wの上面には剥離液がほとんど残留することがない。つまり、剥離チャンバ4において、基板Wの上面に供給された剥離液が基板Wとともにリンスチャンバ5に持ち出されることがない。
【0035】
なお、リンスチャンバ5、乾燥チャンバ6及びアンローディングチャンバ7に配設された搬送軸11の軸芯は、上述したように剥離チャンバ4の末端に位置する搬送軸11Aの軸芯と同じ高さに設定されている。したがって、剥離チャンバ4からリンスチャンバ5に向かって高く傾斜して搬送された基板Wは、リンスチャンバ5で再び水平に搬送されることになる。
【0036】
なお、基板Wを傾斜させるために搬送軸11の軸芯の高さを変えたが、それに代わり搬送ローラ12の外形寸法を変えることで、基板Wが剥離チャンバ4から搬出される際に、搬送軸11Aに乗り上げた部分がこの部分よりも搬送方向上流側の部分よりも高く傾斜させるようにしてもよい。
【0037】
上記リンスチャンバ5内には、第1のリンス部37、第2のリンス部38及び第3のリンス部39が基板Wの搬送方向に沿って順次配置されている。第1のリンス部37は、上面が開口した容器41を有し、この容器41内に供給された純水からなるリンス液は、この容器41の上面開口から一側面に沿ってオーバフローし、基板Wの上面に供給されるようになっている。
【0038】
上記第2のリンス部38は、搬送ローラ12によって搬送される基板Wの上面と下面とに対向して配置されたシャワーパイプ42からなり、各シャワーパイプ42から基板Wの上面と下面とに向けてリンス液が高圧で噴射されるようになっている。上側のシャワーパイプ42は上部カバー43によって覆われ、下側のシャワーパイプ42は下部カバー44によって覆われている。それによって、基板Wから反射する汚れを含むリンス液が周囲に飛散しないようになっている。
【0039】
上記第3のリンス部39は、基板Wの搬送方向に沿って配置された複数のシャワーパイプ45からなり、各シャワーパイプ45からは基板Wの上面に向けてリンス液が低圧で噴射される。
【0040】
したがって、剥離チャンバ4からリンスチャンバ5に搬送された基板Wの上下面に付着する剥離液は、第1乃至第3のリンス部37,38,39から供給されるリンス液によってリンスされることになる。
【0041】
上記リンスチャンバ5でリンスされた基板Wは乾燥チャンバ6に搬入される。この乾燥チャンバ6には、基板Wが部分的に乾燥するのを防止するため、この基板Wの上面に純水をミスト状にして供給する複数のミストノズル47と、このミストノズル47よりも下流側に配置された上下一対のエアーナイフ48とが設けられている。
【0042】
上下一対のエアーナイフ48からは、それぞれ基板Wの上面と下面とに圧縮空気が基板Wの搬送方向後方、つまり上流側に向かって噴射される。それによって、基板Wの上面と下面とに付着するリンス液が乾燥除去されることになる。
【0043】
基板Wの上面には、エアーナイフ48に到達する前にミスト状の純水が供給される。そのため、基板Wの上面は全体がほぼ一様に濡れた状態でエアーナイフ48に搬送されてくるから、このエアーナイフ48で乾燥される基板Wに、乾燥むらが生じるのを防止することができる。
【0044】
つまり、部分的に乾燥した基板Wをエアーナイフ48で乾燥処理すると、乾燥むらが生じるが、基板Wはノズル47により全体が予め均一に濡らされているため、乾燥むらが生じることなく乾燥処理される。
【0045】
上記乾燥チャンバ6で乾燥処理された基板Wはアンローディングチャンバ7に搬送され、ここから次工程に受け渡されることになる。
【0046】
このように構成された処理装置において、基板Wが剥離チャンバ6に搬入され、所定の位置、つまり図3(A)に示す下降状態にある揺動テーブル25の上方に到達すると、制御装置18が第2の駆動源14を停止し、基板Wの搬送を停止する。
【0047】
つぎに、制御装置18は揺動テーブル25が図3(B)に示す浮上状態になるよう、第1、第2のリニアモータ31a,31bのロッド32a,32bを上昇方向に駆動する。それによって、基板Wは搬送ローラ12から浮上し、揺動テーブル25に受け渡される。
【0048】
基板Wが揺動テーブル25に受け渡されると、基板Wの上面にシャワーパイプ35から剥離液が噴射されるとともに、上記揺動テーブル25が図3(C)と図3(D)に示す第1の傾斜状態と第2の傾斜状態とに交互に揺動駆動される。
【0049】
基板Wが搬送方向に沿って揺動すると、この基板Wの上面に供給された剥離液は図(C)、(D)に矢印で示すように基板Wの傾斜方向下方に向かって交互に流動する。つまり、剥離液は基板Wの上面に単に噴射されるだけでなく、基板Wの上面を揺動方向下方に向かって流動する。
【0050】
基板Wの上面で剥離液が流動すると、基板Wの上面の全体にわたって均一に分散するとともに、基板Wと接触した古い剥離液が基板W上に残留し難、迅速に新しい処理液と入れ替わる。つまり、基板Wのレジストに作用して劣化した処理液が基板Wの上面に滞留し難くなる。
【0051】
そのため、基板Wの上面は、全体が均一に処理されるとともに、常に新しい処理液に入れ替わることで、処理速度が向上する。つまり、基板Wを揺動機構24によって揺動させることで、剥離液による処理を均一かつ迅速に行なうことが可能となるから、処理時間を短縮することができる。
【0052】
基板Wを揺動させながら剥離液によって所定時間処理したならば、揺動テーブル25を図3(A)に示す下降状態に戻し、ついで制御装置18によって剥離チャンバ4の搬送軸11を回転させる。それによって、剥離液により処理された基板Wは剥離チャンバ4からリンスチャンバ5に搬送される。
【0053】
基板Wが剥離チャンバ4から搬出される際、剥離チャンバ4の末端に位置する搬送軸11Aによって、基板Wは搬送軸11Aの部分がこの部分よりも上流側よりも高く傾斜する。そのため、基板Wの上面に残留する剥離液は基板Wの後方に向かって流れ、ついには基板Wの後端から落下するから、剥離液がリンスチャンバ5に持込まれるのが防止される。
【0054】
基板Wはリンスチャンバ5でリンスされた後、アンローディングチャンバ7を経て搬出される。
【0055】
各チャンバ3〜7の搬送軸11は制御装置18によって別々に駆動制御することができる。そのため、各チャンバ3〜7での処理時間が違っていても、それぞれのチャンバで基板Wを待機させることができるから、各チャンバでの基板Wの処理を確実に行なうことができる。
【0056】
上記第1の実施の形態では揺動テーブル25を基板Wの搬送方向に沿って揺動させるようにしたが、搬送方向と交差する幅方向に沿って揺動させたり、水平方向に所定の角度で往復回転させたり、搬送ローラ12によって基板Wを搬送方向に沿う前後方向に往復動させ、処理液による基板Wの処理の均一化や迅速化を図るようにしてもよい。さらに、上述した種々の動きを同時或いは順次行なうようにしてもよい。
【0057】
また、上記一実施の形態に示された第1、第2のリニアモータ31a,31bに代わり、エアーシリンダーを用いて揺動テーブル25を揺動させるようにしてもよい。
【0058】
図4と図5(A),(B)は、この発明の第2の実施の形態を示す、処理チャンバ4の変形例である。この実施の形態の処理チャンバ4には揺動機構24に代わり、剥離液の噴射方向が異なる複数の第1のシャワーパイプ51と第2のシャワーパイプ52とを交互に配置するようにした。
【0059】
第1のシャワーパイプ51は剥離液を基板Wの搬送方向上流側に向かって噴射し、第2のシャワーパイプ52は下流側向かって噴射する。各シャワーパイプ51,52からの処理液の噴射角度は、基板Wに対する剥離液の相対速度が大きくなるよう、基板Wの板面に対して角度が小さい方がこのましが、実用上は30〜60度の範囲に設定される。
【0060】
第1のシャワーパイプ51には第1の給液管53を通じて第1のポンプ54により処理液が供給され、第2のシャワーパイプ52には第2の給液管55を通じて第2のポンプ56により処理液が供給される。第1の給液管53には第1の開閉制御弁57が設けられ、第2の給液管55には第2の開閉制御弁58が設けられている。各ポンプ54,56及び各開閉制御弁57,58は制御装置18によって発停及び開閉がそれぞれ制御される。
【0061】
基板Wが剥離チャンバ4に搬入されると、剥離チャンバ4の搬送軸11は正転と逆転とが所定時間ごとに交互に繰り返される。それによって、基板Wは剥離チャンバ4内を所定の範囲で往復動する。この往復動に連動して上記第1の開閉制御弁57と第2の開閉制御弁58とが制御装置18によって開閉制御される。
【0062】
すなわち、基板Wが図5(A)に矢印Xで示す往復動の往動方向に搬送されるときには、第1の開閉制御弁57が開放され、第2の開閉制御弁58が閉じられる。それによって、剥離液は第1のシャワーパイプ51から基板Wの移動方向と逆方向となる復動方向に向かって噴射される。
【0063】
基板Wが図5(B)に矢印Yで示す往復動の復動方向に搬送されるときには、第2の開閉制御弁58が開放され、第1の開閉制御弁57が閉じられる。それによって、剥離液は第2のシャワーパイプ52から基板Wの移動方向と逆方向である往動方向に向かって噴射される。
【0064】
なお、第1、第2のポンプ54,56は常時運転されており、第1、第2の開閉制御弁57,58のいずれか一方が閉じられると、その制御弁が設けられた一方の給液管53または55の内圧が上昇する。その場合、内圧が上昇した供給管内の剥離液はその圧力で図示しないリリーフバルブを開き、このリリーフバルブを通じて剥離液の供給源である図示しないタンクに戻されるようになっている。
【0065】
このような構成の処理チャンバ4によれば、基板Wがローディングチャンバ3から剥離チャンバ4に搬入され、所定の位置に到達すると、まず、基板Wの搬送が停止する。ついで、剥離チャンバ4内の搬送軸11が正転方向と逆転方向とに所定時間ごとに交互に回転駆動される。それによって、基板Wは剥離チャンバ4内で往復駆動される。
【0066】
基板Wの往復駆動に連動して剥離液が第1のシャワーパイプ51と第2のシャワーパイプ52とから交互に基板Wに噴射される。つまり、基板Wが図5(A)に矢印Xで示す往復動の往動方向に搬送されているときには、第1のシャワーパイプ51から基板Wの往動方向と逆方向である復動方向に向かって剥離液が噴射される。
【0067】
基板Wが図5(B)に矢印Yで示す往復動の復動方向に搬送されているときには、第2のシャワーパイプ52から基板Wの復動方向と逆方向である往動方向に向かって剥離液が噴射される。
【0068】
このように、剥離液の噴射方向が往復駆動される基板Wの動きと逆方向に切換えられることで、剥離液を基板Wの全面に均一に噴射することができるばかりか、基板Wと剥離液との相対速度が高くなる。それによって、基板Wは、全面が均一に処理されるばかりか、剥離液による処理速度が向上するから、処理時間を短縮することができる。
【0069】
この発明は上記各実施の形態に限定されることはなく、たとえば基板としては液晶パネル用のガラス基板に限られず、半導体ウエハであってもよい。また、処理チャンバとして剥離液による剥離チャンバを例示したが、剥離チャンバに代わりエッチングチャンバであってもよく、要はチャンバ内において基板を処理液によって均一かつ迅速に処理することが要求される処理を行なう場合であれば、この発明を適用することができる。
【0070】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、処理液による基板の処理を、均一に、しかも短い処理時間で行なうことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態を示す処理装置の概略図。
【図2】剥離チャンバの基板の搬送方向末端側の部分の説明図。
【図3】(A)〜(D)は基板と揺動テーブルとの関係を示す説明図。
【図4】この発明の第2の実施の形態を示す剥離チャンバの説明図。
【図5】(A),(B)は往復駆動される基板に剥離液を供給するときの説明図。
【符号の説明】
4…剥離チャンバ(処理チャンバ)
11…搬送軸(搬送手段)
12…搬送ローラ(搬送手段)
18…制御装置
24…揺動機構
25…揺動テーブル
35…シャワーパイプ(処理液供給手段)
51…第1のシャワーパイプ(処理液供給手段)
52…第2のシャワ−パイプ(処理液供給手段)
57…第1の開閉制御弁
58…第2の開閉制御弁
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method for processing a substrate with a processing liquid in a processing chamber.
[0002]
[Prior art]
For example, a circuit pattern is formed on a glass substrate used in a liquid crystal display device. A lithographic process is employed to form a circuit pattern on the substrate. In a lithography process, as is well known, a resist is applied to the substrate, and light is irradiated through a mask having a circuit pattern formed on the resist.
[0003]
Next, by repeating a series of steps such as removing a portion of the resist not irradiated with light or a portion irradiated with light, etching the portion of the substrate where the resist is removed, and removing the resist after etching, a plurality of times. Then, a circuit pattern is formed on the substrate.
[0004]
In such a lithography process, it is necessary to process the substrate with a processing solution such as an etching solution or a stripping solution for removing the resist after etching, and a cleaning solution for cleaning the substrate after removing the resist.
[0005]
When processing the plate surface of the substrate with a processing solution, for example, an etching chamber for supplying the etching solution to the substrate, a peeling chamber for removing the resist with the stripping solution after etching, and a rinsing chamber for rinsing the substrate after removing the resist are successively connected. An installed processing apparatus is used.
[0006]
The substrate is transported in a predetermined direction by a transport device. Then, when the substrate is carried into the chamber, the processing liquid is sprayed toward the substrate. Thereby, the substrate is processed by different types of processing liquid in each chamber.
[0007]
When processing a substrate with the above etching solution or stripping solution, it is required as an important factor that processing speed is improved and that the entire plate surface of the substrate can be processed uniformly.
[0008]
Conventionally, a shower pipe is disposed in the processing chamber. When the substrate is carried into the processing chamber, the substrate is stopped at a predetermined position, and the processing liquid is sprayed from the shower pipe onto the upper surface of the substrate. Then, when the processing action by the processing liquid has progressed, the substrate is unloaded from the processing chamber.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, simply supplying the processing liquid to the substrate whose conveyance has been stopped makes it difficult to uniformly supply the processing liquid to the plate surface of the substrate, so that the entire plate surface of the substrate cannot be uniformly processed by the processing liquid. is there.
[0010]
In addition, when the processing liquid is supplied to the substrate whose conveyance has been stopped, the fluidity of the processing liquid on the substrate cannot be sufficiently increased. Therefore, the processing action by the processing liquid is difficult to proceed, and the processing time of the substrate becomes long.
[0011]
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a processing method capable of improving processing speed and processing uniformity when processing a substrate with a processing liquid.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The invention of claim 1 is a processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid.
Conveying means for conveying the substrate;
A processing chamber into which the substrate transported by the transport means is loaded;
A processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate carried into the processing chamber;
Comprising a swinging mechanism for flowing the process liquid supplied to the upper surface of the substrate by swinging the substrate provided in the processing chamber in a predetermined direction,
The swing mechanism is provided on each of the swing table and one end side and the other end side of the swing table in the transport direction of the substrate, and the swing table is disposed below the substrate transported by the transport means. A lowering state, a floating state in which the substrate is lifted from the conveying means, a first inclined state in which one end on the downstream side in the conveying direction from the floating state is lower than the other end, and a direction opposite to the first inclined state The substrate processing apparatus is characterized by comprising a pair of linear motors or air cylinders that are driven to a second inclined state that is inclined in the vertical direction .
[0013]
Invention of Claim 2 is the processing method which processes a board | substrate with a process liquid,
Carrying the substrate into the processing chamber by a transfer means ;
Supplying a processing liquid to the substrate carried into the processing chamber;
A first inclined state in which the substrate carried into the processing chamber is levitated from the transport means by a swing table provided in the processing chamber so that one end on the downstream side in the transport direction is lower than the other end. Driving to a second inclined state inclined in a direction opposite to the inclined state to flow the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate;
The substrate processing method is characterized by comprising:
[0016]
According to the present invention, since the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate flows on the upper surface, the processing action can be promoted and uniform.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0018]
1 to 3 show a first embodiment of the present invention, and FIG. 1 shows a schematic configuration of a processing apparatus of the present invention. This processing apparatus includes a main body 1. In the main body 1, a partition wall 2 forms a loading chamber 3, a separation chamber 4 as a processing chamber, a rinse chamber 5 as a cleaning chamber, a drying chamber 6, and an unloading chamber 7 that are sequentially separated in series.
[0019]
In the main body 1, a plurality of transport shafts 11 constituting the transport means are disposed over the chambers 3 to 7 so as to be rotatable at predetermined intervals with the axes parallel. Each transport shaft 11 is provided with a plurality of transport rollers 12 having a diameter larger than that of the transport shaft 11 at predetermined intervals in the axial direction.
[0020]
The conveyance shafts 11 of the respective chambers 3 to 7 are interlocked by, for example, chains or belts, and these conveyance shafts 11 are driven to rotate by the respective chambers by first to fifth drive sources 13 to 17. It has become so. The rotation of the transport shaft 11 by these drive sources 13 to 17 is controlled by a control device 18 as control means.
[0021]
Thereby, for example, a rectangular glass substrate W for a liquid crystal display device can be transferred from the loading chamber 3 toward the unloading chamber 7. The transport shaft 11 and the transport roller 12 constitute transport means for transporting the substrate W along a predetermined direction.
[0022]
Each partition wall 2 has an opening 22 that is opened and closed by a shutter 21. The opening 22 is formed at a height position that allows the substrate W transported by the transport roller 12 to pass therethrough. Accordingly, the substrate W is sequentially transferred from the loading chamber 3 to the unloading chamber 7 through the opening 14.
[0023]
The peeling chamber 4 is provided with a swing mechanism 24. The swing mechanism 24 includes a swing table 25 as shown in FIGS. A through hole 26 is formed in the swing table 25 at a position corresponding to the transport roller 12 provided on the transport shaft 11, and a conical support is formed on the upper surface at a position corresponding to the transport roller 12 in the width direction. The protrusions 27 are provided at predetermined intervals in the longitudinal direction.
[0024]
A pair of attachment pieces 28 (only one of them is shown) are provided on the lower surfaces of both ends in the longitudinal direction of the swing table 25 at both ends in the width direction. Both ends of the connecting shaft 29 are rotatably supported by each pair of attachment pieces 28. The upper end of the rod 32a of the first linear motor 31a is connected to an intermediate portion in the axial direction of one connecting shaft 29, and the rod 32b of the second linear motor 31b is connected to the intermediate portion in the axial direction of the other connecting shaft 29. The upper end is connected.
[0025]
The linear motors 31 a and 31 b are arranged on the outer bottom of the peeling chamber 4 with the axis line vertical. The rods 32a32b of the linear motors 31a and 31b are slidably and liquid-tightly inserted into a guide 33 provided on the inner bottom portion of the peeling chamber 4.
[0026]
A drive signal is supplied from the control device 18 to the pair of linear motors 31a and 31b. Accordingly, the rods 32a and 32b of the linear motors 31a and 31b are driven in the vertical direction.
[0027]
In this embodiment, the swing table 25 is controlled in four states described below by a pair of linear motors 31a and 31b. First, as shown in FIG. 3A, the support protrusion 27 provided on the upper surface is in a lowered state positioned slightly below the substrate W transported by the transport roller 12. The second is a floating state in which the rods 32a and 32b of the linear motors 31a and 31b are slightly raised so that the substrate W is lifted from the transport roller 12 as shown in FIG.
[0028]
3rd, the 1st linear motor located in the conveyance direction upstream of the board | substrate W from the floating state shown to FIG. 3 (B) which floated the board | substrate W from the conveyance roller 12, as shown in FIG.3 (C) . By further raising the rod 32b of 31b, the swing table 25 is in a second inclined state in which one end on the downstream side in the transport direction of the substrate W is inclined higher than the other end on the downstream side.
[0029]
Fourth, as shown in FIG. 3 (D), the rod 32b of the second linear motor 31b is further raised from the floating state shown in the head 3 (B) where the substrate W is lifted from the transport roller 12. This is the second tilted state in which the swing table 25 is tilted in the opposite direction to the first tilted state.
[0030]
Above the swing table 25 in the peeling chamber 4, a plurality of shower pipes 35 are arranged in parallel at predetermined intervals along the transport direction of the substrate W. These shower pipes 35 communicate with a stripping solution supply tank (not shown). Accordingly, the stripping liquid can be sprayed from the shower pipe 35 toward the upper surface of the substrate W held on the swing table 25.
[0031]
The substrate W is transferred from the peeling chamber 4 to the rinse chamber 5. As shown in FIG. 2, in the peeling chamber 4, the transport shaft 11 (this transport shaft is indicated by 11A in FIG. 2) located at the end of the transport direction of the substrate W and the transport direction of the substrate W from the transport shaft 11A The transport shaft 11 located on the downstream side has a shaft center that is a predetermined dimension higher than the shaft core of the transport shaft 11 in the peeling chamber 4 and the loading chamber 3 located on the upstream side of the transport shaft 11A in the transport direction of the substrate W. Are arranged. The amount of deviation between the transport shafts 11A and 11 and the axis of the transport shaft 11 provided on the upstream side of the transport shaft 11A is indicated by h in FIG.
[0032]
Thereby, when the substrate W is transported from the peeling chamber 4 to the rinse chamber 5, the substrate W is placed on the transport roller 12 of the transport shaft 11 </ b> A located at the transport direction end of the stripping chamber 4, so that the transport shaft of the substrate W is placed. The part corresponding to 11 is inclined higher than the part on the rear side (upstream side) of this part.
[0033]
When the substrate W is transported by the transport shaft 11A with the front in the transport direction being inclined higher than the rear, the peeling liquid remaining on the upper surface of the substrate W is rearward in the transport direction of the substrate W as indicated by an arrow Z in FIG. And dropped into the peeling chamber 4 from the rear end in the transport direction of the substrate W. That is, the stripping solution is removed from the upper surface of the substrate W, falls into the stripping chamber 4 and is collected.
[0034]
Therefore, almost no stripping liquid remains on the upper surface of the substrate W transferred from the stripping chamber 4 to the rinse chamber 5. That is, in the peeling chamber 4, the peeling liquid supplied to the upper surface of the substrate W is not taken out to the rinse chamber 5 together with the substrate W.
[0035]
In addition, the axis of the conveyance shaft 11 disposed in the rinse chamber 5, the drying chamber 6, and the unloading chamber 7 is the same height as the axis of the conveyance shaft 11A located at the end of the peeling chamber 4 as described above. Is set. Therefore, the substrate W transferred with a high inclination from the peeling chamber 4 toward the rinse chamber 5 is again transferred horizontally in the rinse chamber 5.
[0036]
Although the height of the axis of the transport shaft 11 is changed in order to incline the substrate W, the outer dimensions of the transport roller 12 are changed instead, so that when the substrate W is unloaded from the peeling chamber 4, the transport is performed. The portion that rides on the shaft 11A may be inclined higher than the portion on the upstream side in the transport direction from this portion.
[0037]
In the rinse chamber 5, a first rinse portion 37, a second rinse portion 38, and a third rinse portion 39 are sequentially arranged along the transport direction of the substrate W. The first rinsing section 37 has a container 41 whose upper surface is opened, and the rinsing liquid made of pure water supplied into the container 41 overflows from the upper surface opening of the container 41 along one side surface, and the substrate It is supplied to the upper surface of W.
[0038]
The second rinse section 38 is composed of a shower pipe 42 disposed so as to face the upper surface and the lower surface of the substrate W transported by the transport roller 12, and the shower pipe 42 faces the upper surface and the lower surface of the substrate W. The rinsing liquid is sprayed at a high pressure. The upper shower pipe 42 is covered with an upper cover 43, and the lower shower pipe 42 is covered with a lower cover 44. Thereby, the rinse liquid containing dirt reflected from the substrate W is prevented from scattering around.
[0039]
The third rinsing section 39 is composed of a plurality of shower pipes 45 arranged along the transport direction of the substrate W, and the rinsing liquid is jetted from each shower pipe 45 toward the upper surface of the substrate W at a low pressure.
[0040]
Accordingly, the stripping liquid adhering to the upper and lower surfaces of the substrate W transferred from the stripping chamber 4 to the rinse chamber 5 is rinsed by the rinse liquid supplied from the first to third rinse sections 37, 38, 39. Become.
[0041]
The substrate W rinsed in the rinse chamber 5 is carried into the drying chamber 6. In the drying chamber 6, a plurality of mist nozzles 47 for supplying pure water in the form of mist to the upper surface of the substrate W in order to prevent partial drying of the substrate W, and downstream of the mist nozzle 47. A pair of upper and lower air knives 48 disposed on the side is provided.
[0042]
From a pair of upper and lower air knives 48, compressed air is jetted toward the upper and lower surfaces of the substrate W, respectively, toward the rear of the substrate W in the transport direction, that is, upstream. As a result, the rinse liquid adhering to the upper and lower surfaces of the substrate W is removed by drying.
[0043]
Mist pure water is supplied to the upper surface of the substrate W before reaching the air knife 48. Therefore, the upper surface of the substrate W is conveyed to the air knife 48 in a state where the entire upper surface is substantially uniformly wet. Therefore, it is possible to prevent unevenness of drying from occurring on the substrate W dried by the air knife 48. .
[0044]
That is, when the partially dried substrate W is dried with the air knife 48, uneven drying occurs. However, since the entire substrate W is uniformly wetted beforehand by the nozzle 47, the drying process is performed without causing uneven drying. The
[0045]
The substrate W dried in the drying chamber 6 is transferred to the unloading chamber 7 and is transferred from here to the next process.
[0046]
In the processing apparatus configured as described above, when the substrate W is carried into the peeling chamber 6 and reaches a predetermined position, that is, above the swinging table 25 in the lowered state shown in FIG. The second drive source 14 is stopped, and the transfer of the substrate W is stopped.
[0047]
Next, the control device 18 drives the rods 32a and 32b of the first and second linear motors 31a and 31b in the upward direction so that the swing table 25 is in the floating state shown in FIG. Thereby, the substrate W is lifted from the transport roller 12 and transferred to the swing table 25.
[0048]
When the substrate W is transferred to the swing table 25, the peeling liquid is sprayed from the shower pipe 35 onto the upper surface of the substrate W, and the swing table 25 is moved to the first position shown in FIGS. 3 (C) and 3 (D). Oscillation is driven alternately between the first inclined state and the second inclined state.
[0049]
When the substrate W is swung along the conveying direction, it supplied stripping solution on the upper surface of the substrate W FIG. 3 (C), alternately toward the inclined direction under the substrate W as indicated by arrows in (D) To flow. That is, the stripping liquid is not only sprayed on the upper surface of the substrate W, but also flows downward on the upper surface of the substrate W in the swinging direction.
[0050]
When stripping solution on the upper surface of the substrate W flows, as well as uniformly distributed throughout the upper surface of the substrate W, old stripping solution in contact with the substrate W is rather difficulty remaining on the substrate W, replaces the rapidly new process liquid. That is, the processing liquid that has deteriorated by acting on the resist of the substrate W is less likely to stay on the upper surface of the substrate W.
[0051]
Therefore, the entire upper surface of the substrate W is processed uniformly, and the processing speed is improved by always replacing the upper surface with a new processing liquid. In other words, by swinging the substrate W by the swing mechanism 24, the processing with the stripping solution can be performed uniformly and quickly, so that the processing time can be shortened.
[0052]
If the substrate W is swung and processed with the stripping solution for a predetermined time, the swing table 25 is returned to the lowered state shown in FIG. 3A, and then the transport shaft 11 of the stripping chamber 4 is rotated by the control device 18. As a result, the substrate W processed with the stripping solution is transferred from the stripping chamber 4 to the rinse chamber 5.
[0053]
When the substrate W is unloaded from the peeling chamber 4, the transfer shaft 11A located at the end of the peeling chamber 4 causes the substrate W to be tilted such that the portion of the transfer shaft 11A is higher than the upstream side of this portion. Therefore, the stripping liquid remaining on the upper surface of the substrate W flows toward the rear of the substrate W and finally falls from the rear end of the substrate W, so that the stripping liquid is prevented from being brought into the rinse chamber 5.
[0054]
The substrate W is rinsed in the rinse chamber 5 and then unloaded through the unloading chamber 7.
[0055]
The conveyance shafts 11 of the respective chambers 3 to 7 can be driven and controlled separately by the control device 18. Therefore, even if the processing times in the respective chambers 3 to 7 are different, the substrate W can be made to stand by in each chamber, so that the processing of the substrate W in each chamber can be performed reliably.
[0056]
In the first embodiment, the oscillating table 25 is oscillated along the transport direction of the substrate W. However, the oscillating table 25 is oscillated along the width direction intersecting the transport direction, or a predetermined angle in the horizontal direction. Or the substrate W may be reciprocated in the front-rear direction along the transport direction by the transport roller 12 so that the processing of the substrate W by the processing liquid can be made uniform or quick. Further, the various movements described above may be performed simultaneously or sequentially.
[0057]
Further, instead of the first and second linear motors 31a and 31b shown in the embodiment, the swing table 25 may be swung using an air cylinder.
[0058]
4 and FIGS. 5A and 5B are modifications of the processing chamber 4 showing the second embodiment of the present invention. In the processing chamber 4 of this embodiment, instead of the swinging mechanism 24, a plurality of first shower pipes 51 and second shower pipes 52 having different stripping liquid spray directions are alternately arranged.
[0059]
The first shower pipe 51 injects the stripping solution toward the upstream side in the conveyance direction of the substrate W, and the second shower pipe 52 injects the downstream side. The spray angle of the processing liquid from each of the shower pipes 51 and 52 is preferably 30 to smaller for the plate surface of the substrate W so that the relative speed of the stripping liquid with respect to the substrate W is larger. The range is set to 60 degrees.
[0060]
The treatment liquid is supplied to the first shower pipe 51 by the first pump 54 through the first liquid supply pipe 53, and the second shower pipe 52 is supplied by the second pump 56 through the second liquid supply pipe 55. Treatment liquid is supplied. The first liquid supply pipe 53 is provided with a first opening / closing control valve 57, and the second liquid supply pipe 55 is provided with a second opening / closing control valve 58. The pumps 54 and 56 and the open / close control valves 57 and 58 are controlled by the control device 18 to start and stop and open / close, respectively.
[0061]
When the substrate W is carried into the peeling chamber 4, the transfer shaft 11 of the peeling chamber 4 is alternately rotated forward and reverse every predetermined time. As a result, the substrate W reciprocates within the peeling chamber 4 within a predetermined range. In conjunction with this reciprocation, the first opening / closing control valve 57 and the second opening / closing control valve 58 are controlled to open / close by the control device 18.
[0062]
That is, when the substrate W is transported in the forward and backward movement direction indicated by the arrow X in FIG. 5A, the first opening / closing control valve 57 is opened and the second opening / closing control valve 58 is closed. As a result, the stripping solution is sprayed from the first shower pipe 51 in the backward movement direction that is opposite to the moving direction of the substrate W.
[0063]
When the substrate W is transported in the backward movement direction indicated by the arrow Y in FIG. 5B, the second opening / closing control valve 58 is opened and the first opening / closing control valve 57 is closed. As a result, the stripping solution is sprayed from the second shower pipe 52 in the forward movement direction that is opposite to the moving direction of the substrate W.
[0064]
The first and second pumps 54 and 56 are always operated. When one of the first and second open / close control valves 57 and 58 is closed, one of the supply valves provided with the control valve is closed. The internal pressure of the liquid pipe 53 or 55 increases. In this case, the stripping solution in the supply pipe whose internal pressure has increased is opened by a relief valve (not shown) at that pressure, and returned to a tank (not shown) that is a supply source of the stripping solution through the relief valve.
[0065]
According to the processing chamber 4 having such a configuration, when the substrate W is carried into the peeling chamber 4 from the loading chamber 3 and reaches a predetermined position, first, the transfer of the substrate W is stopped. Next, the transport shaft 11 in the peeling chamber 4 is driven to rotate alternately every predetermined time in the forward direction and the reverse direction. Thereby, the substrate W is reciprocated in the peeling chamber 4.
[0066]
In conjunction with the reciprocating drive of the substrate W, the stripping solution is alternately sprayed from the first shower pipe 51 and the second shower pipe 52 onto the substrate W. That is, when the substrate W is transported in the reciprocating movement direction indicated by the arrow X in FIG. 5A, the first shower pipe 51 is moved in the backward movement direction that is opposite to the forward movement direction of the substrate W. A stripping solution is sprayed toward it.
[0067]
When the substrate W is transported in the reciprocating direction of the reciprocating motion indicated by the arrow Y in FIG. 5B, the second shower pipe 52 is directed in the forward direction that is opposite to the backward direction of the substrate W. Stripping solution is sprayed.
[0068]
In this way, by switching the spraying direction of the stripping solution to the opposite direction to the movement of the substrate W that is driven to reciprocate, not only the stripping solution can be sprayed uniformly over the entire surface of the substrate W but also the substrate W and the stripping solution. And the relative speed increases. Thereby, not only the entire surface of the substrate W is processed uniformly, but also the processing speed by the stripping solution is improved, so that the processing time can be shortened.
[0069]
The present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, the substrate is not limited to a glass substrate for a liquid crystal panel, and may be a semiconductor wafer. In addition, the peeling chamber using the peeling liquid is exemplified as the processing chamber. However, an etching chamber may be used instead of the peeling chamber. In short, the processing that requires the substrate to be processed uniformly and quickly in the chamber is performed. The present invention can be applied if it is performed.
[0070]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to perform substrate processing with a processing solution uniformly and in a short processing time.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of a processing apparatus showing a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram of a portion of the peeling chamber on the end side in the transport direction of the substrate.
FIGS. 3A to 3D are explanatory views showing a relationship between a substrate and a swing table. FIGS.
FIG. 4 is an explanatory view of a peeling chamber showing a second embodiment of the present invention.
FIGS. 5A and 5B are explanatory views when supplying a stripping solution to a substrate that is driven to reciprocate.
[Explanation of symbols]
4. Peeling chamber (processing chamber)
11 ... Conveying shaft (conveying means)
12 ... Conveying roller (conveying means)
18 ... Control device 24 ... Oscillating mechanism 25 ... Oscillating table 35 ... Shower pipe (treatment liquid supply means)
51. First shower pipe (treatment liquid supply means)
52 ... Second shower pipe (treatment liquid supply means)
57 ... 1st opening / closing control valve 58 ... 2nd opening / closing control valve

Claims (2)

基板を処理液によって処理する処理装置において、
上記基板を搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送された上記基板が搬入される処理チャンバと、
この処理チャンバに搬入された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、
上記処理チャンバに設けられ基板を所定方向に揺動させてこの基板の上面に供給された処理液を流動させる揺動機構を具備し、
上記揺動機構は、揺動テーブルと、この揺動テーブルの上記基板の搬送方向の一端側と他端側とにそれぞれ設けられ上記揺動テーブルを上記搬送手段によって搬送される基板よりも下方に位置する下降状態、上記基板を上記搬送手段から上昇させる浮上状態、浮上状態から上記基板を搬送方向下流側の一端を他端よりも低くする第1の傾斜状態及び第1の傾斜状態と逆方向に傾斜させる第2の傾斜状態に駆動する一対のリニアモータ或いはエアーシリンダーとによって構成されていることを特徴とする基板の処理装置。
In a processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid,
Conveying means for conveying the substrate;
A processing chamber into which the substrate transported by the transport means is loaded;
A processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate carried into the processing chamber;
Comprising a swinging mechanism for flowing the process liquid supplied to the upper surface of the substrate by swinging the substrate provided in the processing chamber in a predetermined direction,
The swing mechanism is provided on each of the swing table and one end side and the other end side of the swing table in the transport direction of the substrate, and the swing table is disposed below the substrate transported by the transport means. A lowering state, a floating state in which the substrate is lifted from the conveying means, a first inclined state in which one end on the downstream side in the conveying direction from the floating state is lower than the other end, and a direction opposite to the first inclined state An apparatus for processing a substrate, comprising: a pair of linear motors or air cylinders that are driven in a second tilted state .
基板を処理液によって処理する処理方法において、
上記基板を搬送手段によって処理チャンバに搬入する工程と、
上記処理チャンバに搬入された基板に処理液を供給する工程と、
上記処理チャンバに搬入された基板をこの処理チャンバ内に設けられた揺動テーブルによって上記搬送手段から浮上させて搬送方向下流側の一端を他端よりも低くする第1の傾斜状態及び第1の傾斜状態と逆方向に傾斜させる第2の傾斜状態に駆動して上記基板の上面に供給された処理液を流動させる工程と、
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
In a processing method of processing a substrate with a processing liquid,
Carrying the substrate into the processing chamber by a transfer means ;
Supplying a processing liquid to the substrate carried into the processing chamber;
A first inclined state in which the substrate carried into the processing chamber is levitated from the transport means by a swing table provided in the processing chamber so that one end on the downstream side in the transport direction is lower than the other end. Driving to a second inclined state inclined in a direction opposite to the inclined state to flow the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate;
A substrate processing method characterized by comprising:
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