JP4206178B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing system - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の製造に用いられるガラス基板やプリント基板等の基板に処理液を用いて処理を行う技術に属する。
【0002】
【従来の技術】
図21は液晶ディスプレイ用のガラス基板(以下、「基板」という。)に処理を行う従来の基板処理システム901の構成を示す図である。図21に示すように従来の基板処理システム901では、コンベア911上に基板が載置されて矢印911Aにて示す方向に移動する基板が、受渡部921、薬液処理部922、水洗部923および乾燥部924を順に経由する。
【0003】
コンベア911上を移動する基板は、受渡部921にて移動タイミングが調整され、薬液処理部922にて薬液を用いた処理(例えば、現像)が行われる。続いて、水洗部923にて純水にて洗浄され、乾燥部924にてエアナイフによる液切りが行われる。
【0004】
また、図22に示すように、コンベア911上を矢印911Aにて示す方向に搬送される基板を受渡部921が取り出し、別途設けられた搬送機構上を基板が移動することにより、薬液処理部922、水洗部923および乾燥部924にて基板に薬液処理、水洗および乾燥を施す基板処理システム902も提案されている。すなわち、図22に示す基板処理システム902では、コンベア911から離れた位置で基板に処理が行われるようになっている。
【0005】
さらに、図23に示すように、複数枚の基板をカセットに収容した状態でローダ931に載置し、処理済みの基板をアンローダ932に収容する構成となった基板処理システム903も提案されている。基板処理システム903の場合には、システムの中央に搬送ロボット941を位置させ、搬送ロボット941の周囲に薬液処理部942、水洗部943および乾燥部944が配置される。そして、搬送ロボット941により、基板がローダ931、薬液処理部942、水洗部943、乾燥部944およびアンローダ932へと順次搬送される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
図21ないし図23に示すように、従来の基板処理システムでは、薬液処理、水洗および乾燥のそれぞれの処理に対して専用の処理部(すなわち、基板処理装置)が配置されるようになっている。したがって、基板処理システムのフットプリント(占有床面積)には、これらの処理部を配置するだけの面積が含まれる。
【0007】
しかしながら、精密な回路パターンが形成される基板の処理は高いクリーン度が維持されたクリーンルーム内で行われるため、基板処理システムのフットプリントの削減はコスト削減のための重要な課題となっている。
【0008】
そこで、この発明はフットプリントの削減を実現する基板処理装置および基板処理システムを提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、基板に処理を施す基板処理装置であって、基板処理が行われる空間を形成するとともに、その内部へ基板を出し入れするための単一の開口を有する単一の処理室と、前記処理室内にて、薬液を含む互いに異なる複数種類の処理液を用いて、薬液による処理と純水による洗浄とを含む複数の処理を基板に施す処理手段と、前記処理室内に向けて基板を水平姿勢で直線的に搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって前記処理室内に搬送された基板を、前記搬送方向に平行な軸を中心に傾斜させる傾斜手段と、前記処理室内で傾斜姿勢の基板を支持することが可能な支持手段と、基板からの薬液を受けるために前記処理室内に設けられる回収バットと、前記回収バットを、基板からの薬液を受ける状態と基板からの純水を避ける状態との間で切り替える切替手段と、前記開口近傍にて基板に向けて気体を噴出することにより、基板の液切りを行うエアナイフとを備え、前記処理手段は、前記処理室の開口の近傍に設けられ、前記搬送手段による基板の搬送方向と交差する方向に伸びるとともに、この交差する方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第1のノズルと、前記処理室内に設けられ、前記搬送方向に伸びるとともに前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第2のノズルとを備え、前記第1のノズルは、前記搬送手段により前記開口を介して前記処理室内に水平姿勢で搬入される基板の全面に第1の処理液を供給することによって、前記基板の上面全体に第1の処理液を盛り、前記傾斜手段は、第1の処理液が盛られた状態で前記処理室内において所定の時間経過後の前記基板を傾斜させて、前記基板の上面に盛られた第1の処理液を液切りし、前記第2のノズルは、液切り後、前記支持手段により傾斜姿勢で支持された基板に第2の処理液を供給することを特徴とする。
【0010】
請求項2の発明は、基板に処理を施す基板処理装置であって、基板処理が行われる空間を形成する単一の処理室と、前記処理室内にて、薬液を含む互いに異なる複数種類の処理液を用いて、薬液による処理と純水による洗浄とを含む複数の処理を基板に施す処理手段と、前記処理室内に向けて基板を水平姿勢で直線的に搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって前記処理室内に搬送された基板を、前記搬送方向に平行な軸を中心に傾斜させる傾斜手段と、前記処理室内で傾斜姿勢の基板を支持することが可能な支持手段と、基板からの薬液を受けるために前記処理室内に設けられる回収バットと、前記回収バットを、基板からの薬液を受ける状態と基板からの純水を避ける状態との間で切り替える切替手段と、前記処理室の開口近傍にて基板に向けて気体を噴出することにより、基板の液切りを行うエアナイフとを備え、前記処理手段は、前記処理室内に設けられ、前記搬送手段による基板の搬送方向に伸びるとともに、前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第1のノズルと、前記処理室内に設けられ、前記搬送方向に伸びるとともに前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第2のノズルとを備え、前記支持手段により傾斜姿勢で静止した状態に支持された基板の全面に、前記第1のノズルから第1の処理液を供給した後、前記第2のノズルから第2の処理液を供給することを特徴とする。
【0014】
請求項3の発明は、基板に処理を施す基板処理システムであって、複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置に対して基板の受け渡しを行う受渡手段とを備え、前記複数の基板処理装置のそれぞれが、基板処理が行われる空間を形成するとともに、その内部へ基板を出し入れするための単一の開口を有する単一の処理室と、前記処理室内にて、薬液を含む互いに異なる複数種類の処理液を用いて、薬液による処理と純水による洗浄とを含む複数の処理を基板に施す処理手段と、前記処理室内に向けて基板を水平姿勢で直線的に搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって前記処理室内に搬送された基板を、前記搬送方向に平行な軸を中心に傾斜させる傾斜手段と、前記処理室内で傾斜姿勢の基板を支持することが可能な支持手段と、基板からの薬液を受けるために前記処理室内に設けられる回収バットと、前記回収バットを、基板からの薬液を受ける状態と基板からの純水を避ける状態との間で切り替える切替手段と、前記開口近傍にて基板に向けて気体を噴出することにより、基板の液切りを行うエアナイフとを備え、前記処理手段は、前記処理室の開口の近傍に設けられ、前記搬送手段による基板の搬送方向と交差する方向に伸びるとともに、この交差する方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第1のノズルと、前記処理室内に設けられ、前記搬送方向に伸びるとともに前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第2のノズルとを備え、前記第1のノズルは、前記搬送手段により前記開口を介して前記処理室内に水平姿勢で搬入される基板の全面に第1の処理液を供給することによって、前記基板の上面全体に第1の処理液を盛り、前記傾斜手段は、第1の処理液が盛られた状態で前記処理室内において所定の時間経過後の前記基板を傾斜させて、前記基板の上面に盛られた第1の処理液を液切りし、前記第2のノズルは、液切り後、前記支持手段により傾斜姿勢で支持された基板に第2の処理液を供給することを特徴とする。
請求項4の発明は、基板に処理を施す基板処理システムであって、複数の基板処理装置と、前記複数の基板処理装置に対して基板の受け渡しを行う受渡手段とを備え、前記複数の基板処理装置のそれぞれが、基板処理が行われる空間を形成する単一の処理室と、前記処理室内にて、薬液を含む互いに異なる複数種類の処理液を用いて、薬液による処理と純水による洗浄とを含む複数の処理を基板に施す処理手段と、前記処理室内に向けて基板を水平姿勢で直線的に搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって前記処理室内に搬送された基板を、前記搬送方向に平行な軸を中心に傾斜させる傾斜手段と、前記処理室内で傾斜姿勢の基板を支持することが可能な支持手段と、基板からの薬液を受けるために前記処理室内に設けられる回収バットと、前記回収バットを、基板からの薬液を受ける状態と基板からの純水を避ける状態との間で切り替える切替手段と、前記処理室の開口近傍にて基板に向けて気体を噴出することにより、基板の液切りを行うエアナイフとを備え、前記処理手段は、前記処理室内に設けられ、前記搬送手段による基板の搬送方向に伸びるとともに、前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第1のノズルと、前記処理室内に設けられ、前記搬送方向に伸びるとともに前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第2のノズルとを備え、前記支持手段により傾斜姿勢で静止した状態に支持された基板の全面に、前記第1のノズルから第1の処理液を供給した後、前記第2のノズルから第2の処理液を供給することを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
<1. 第1の実施の形態>
図1はこの発明に係る基板処理システム101の構成の概略を示す平面図である。以下の説明では、図1中に示すXYZ方向を適宜参照する。基板処理システム101は液晶ディスプレイ用のガラス基板(以下、「基板」という。)に現像、水洗(純水による洗浄)、乾燥(液切り)の各処理を順次施すシステムとなっている。
【0017】
基板処理システム101は、上流の装置からコンベア111上を矢印111Aにて示す方向に搬送される基板を受け取って処理し、再びコンベア111に戻すシステムであり、コンベア111との間で基板を受け渡しする受渡部120および基板に複数の処理を施す処理部130から構成される。処理された基板は矢印111Bにて示す方向に搬送されて下流の装置へと送られる。なお、コンベア111の一部も基板処理システム101の一部として捉えてもよい。
【0018】
受渡部120は、コンベア111との間で基板を受け渡しする移載機構121を有し、処理部130は移載機構121との間で基板を受け渡しする搬送機構131を有する。このような構成により、コンベア111上にて一旦停止した基板8を移載機構121が取り出して搬送機構131へと渡し、搬送機構131が基板を処理部130内部(X方向)へと搬送する。処理部130では、搬送機構131により搬送されてきた基板に処理を行い、処理済みの基板は再び搬送機構131により処理部130外へと導かれる。その後、基板は移載機構121により搬送機構131から採り上げられ、コンベア111へと戻される。すなわち、基板は受渡部120により矢印121Aにて示すようにコンベア111と処理部130との間を往復移動する。
【0019】
図2は基板処理システム101の内部構成を示す図であり、搬送機構131の位置で図1中に示すY方向を向いて見たときの縦断面図となっている。
【0020】
図2に示すように、搬送機構131は複数のローラ131aをX方向に並べた構成となっており、これらのローラ131aの一部(あるいは全て)を回転させることで搬送機構131上の基板8をX方向に直線的に搬送する。また、搬送機構131の処理部130内の部分は処理される基板8を支持する役割も果たす。
【0021】
搬送機構131は受渡部120から処理部130内部へと伸びるように配置されており、受渡部120の移載機構121が処理部130外にてコンベア111から搬送機構131へと基板8を移載する。移載機構121としては、コンベアが用いられてもよく、基板8の外縁部を保持するチャック機構が用いられてもよく、基板8を吸着保持するロボットが用いられてもよい。
【0022】
処理部130は、薬液および純水である互いに異なる複数種類の処理液を用いて基板8への複数の処理が行われる空間132Sを形成する単一の処理室132を有し、処理室132への基板8の出し入れは開閉自在なシャッタ133が設けられた搬出入口を介して行われる。シャッタ133は処理室132内部を飛散する液が受渡部120側へと進入するのを防止するために設けられる。
【0023】
処理室132内部の搬送機構131の上方には、薬液として現像液を吐出するスリットを有する薬液ノズル134、洗浄液である純水をスプレー状に噴出する(すなわち、パイプにノズル口が複数形成された)純水ノズル135が配置される。薬液ノズル134はY方向に伸びる形状をしており、純水ノズル135はX方向に伸びる形状をしている(図3参照)。
【0024】
処理室132からみて搬出入口の外側には搬送機構131を上下から挟むように2つのエアナイフ137が配置されており、これらのエアナイフ137は搬出される基板8に付着した液体を除去する機能を有する。また、処理部130には全体動作を司る制御部138が設けられており、搬送機構131、エアナイフ137、処理室132内部の各構成の動作制御が適宜行われる。
【0025】
図3は、処理部130内部を(−X)方向を向いて見たときの様子を示す断面図であり、処理部130に接続される配管系も図示している。
【0026】
図3に示すように薬液ノズル134はY方向に対して基板8とほぼ同じ長さ有するスリット式のノズルとなっている。薬液ノズル134には現像液である薬液を供給する薬液供給部241が接続される。一方、図2に示すように純水ノズル135はX方向に対して基板8とほぼ同じ長さのスプレー式のノズルとなっており、純水供給部251から弁252を介して純水が供給可能とされている。
【0027】
処理室132の下部には、処理液を排出するドレン(排出管)が接続されており、処理室132から排出される液体は弁242を介して処理部130外または回収タンク253へと導かれる。回収タンク253は、再利用可能な使用済み純水を回収するタンクであり、使用済みの純水は回収タンク253からポンプ254の作用により弁252を介して再び純水ノズル135へと供給することが可能とされている。
【0028】
また、複数のローラ131aのうち、処理室132内の一部はシリンダ131bに連結されており、シリンダ131bの作用により支持部材131c(X方向を向く軸)を中心に回動可能となっている。なお、シリンダ131bを動作させて基板8をローラ131aとともに傾ける様子については後述する。
【0029】
図3に示す薬液供給部241、純水供給部251、各種弁、ポンプ、並びに、シリンダ131bの動作も制御部138により制御される。
【0030】
次に、基板処理システム101の動作について説明する。図4および図5は1枚の基板8について、コンベア111から取り出されて処理され、再びコンベア111に戻されるまでの動作の流れを示す流れ図である。
【0031】
まず、移載機構121によりコンベア111から搬送機構131へと基板8が移載される(ステップS11)。図2はこのときの基板8の状態を示している。その後、シャッタ133が開けられるとともに薬液供給部241から薬液が薬液ノズル134に供給され、薬液ノズル134から薬液がY方向に伸びるカーテン状に吐出される(ステップS12)。
【0032】
続いて、図2中の矢印131Aにて示すように処理室132内への基板8の搬入が開始される(ステップS13)。図6はシャッタ133の移動により搬入口133a(基板8が搬出される場合には搬出口となる。)が開けられ、ローラ131aの動作により基板8が矢印131Aにて示す方向に移動して処理室132内へと搬入される様子を示す図である。基板8の先端が薬液ノズル134の下方に差し掛かると、薬液81が基板8の先端から順次盛られる。
【0033】
このとき、図3中太線にて示すように、薬液供給部241から薬液ノズル134へと薬液が供給され、処理室132内にこぼれ落ちた薬液は弁242を介して処理部130外へと排出される。なお、以下の図においても液の流れを適宜太線にて図示する。
【0034】
基板8が完全に処理室132内へと搬入されると、搬送機構131による搬送が停止するとともに薬液ノズル134からの薬液の吐出も停止する。さらに、シャッタ133が搬入口133aを閉じる(ステップS14)。図7はこのときの基板8の様子を示す図であり、基板8の上面全体には表面張力を利用して薬液81が盛られた(すなわち、パドルが形成された)状態となる。図7に示す状態にて基板8は一定の時間放置され(ステップS15)、これにより、基板8の上面に薬液による現像が行われる。
【0035】
現像が完了すると、図7中にて符号131dにて示す処理室132内のローラ131aがX方向を向く軸を中心に回動し、基板8を傾斜させる(ステップS16)。図8はこのときの基板8の様子を示す図であり、シリンダ131bがローラ131aの一方端を上方に押し上げることによりローラ131aが支持部材131cを中心に回動し、ローラ131aとともに基板8が傾斜する。その結果、基板8上の使用済み薬液は矢印81aにて示すように基板8から流れ落ち、薬液の液切りが行われる。処理室132の底面へと流れ落ちた薬液はドレンを介して弁242へと導かれ、外部へと排出される。
【0036】
薬液の液切りを終えると、次に、図9に示すようにポンプ254が作動し、回収タンク253中の使用済み純水(前回の基板の水洗の際に使用された純水)が弁252を介して純水ノズル135へと供給される(ステップS21)。純水ノズル135はX方向に対して基板8をほぼ覆う長さを有しており、傾斜した基板8の最も高い位置へと純水を噴出する。これにより、基板8の表面全体を図9中の矢印81b,81cにて示すように純水が流れ落ち、基板8の表面全体に効率よく水洗を行うことができる。再利用された純水はドレンから弁242を介して適宜回収タンク253に戻され、あるいは、処理部130外へと排出される。
【0037】
使用済み純水を用いた水洗によりある程度の洗浄が完了すると、図10に示すように、弁252が切り替えられて純水ノズル135に供給される純水が純水供給部251からの未使用の純水に切り替えられる。これにより、より高度な水洗が行われる(ステップS22)。この処理により使用された純水は弁242を介して回収タンク253に回収され、次の基板の水洗の際に利用される。
【0038】
上記2種類の水洗(いわゆる、循環水洗および直水洗)が完了すると、基板8はシリンダ131bの動作により再び水平姿勢に戻される(ステップS23)。その後、図11に示すようにシャッタ133が開けられ、搬出口133aを介して搬送機構131のローラ131a上を矢印131Bにて示す方向に搬送されて基板8が搬出される。このとき、搬出口133aの外部近傍に設けられたエアナイフ137からエアが基板8の上下両主面に向けて噴出され、基板8に付着している純水の液切り(乾燥)が行われる(ステップS25,S26)。
【0039】
基板8の全体が処理室132から受渡部120側へと搬出されると、基板8の搬送を止め、エアナイフ137からのエアの噴出を停止するとともにシャッタ133を閉じる(ステップS27)。これにより、基板8の液切りが完了する。
【0040】
その後、受渡部120の移載機構121により、基板8は搬送機構131からコンベア111へと移載される(ステップS28)。コンベア111上の基板8は下流の装置に向けて搬送される。
【0041】
以上、基板処理システム101の構成および動作について説明してきたが、この基板処理システム101では、処理部130の単一の処理室132内にて現像および水洗を行うことができるので、従来のように、現像部および水洗部を別個の処理室を用いて構成する場合に比べて処理部のフットプリントの削減、すなわち、基板処理システムのフットプリントの削減を図ることができる。その結果、クリーンルームを効率よく利用することができ、基板8の製造コストの削減を実現することができる。
【0042】
<2. 第2の実施の形態>
図12および図13はこの発明の第2の実施の形態に係る基板処理システム101aの構成を示す図であり、第1の実施の形態における図2および図3に対応している。なお、基板処理システム101aの平面図は図1と同様であり、図13では、基板8が傾けられた状態を示している。
【0043】
基板処理システム101aの処理部130aは、第1の実施の形態に係る処理部130と比較して、基板8の搬送方向(X方向)の長さ以上の長さを有するスリット式の薬液ノズル134aを有するという点、および、使用済みの薬液(現像液)を回収するための回収バット136を処理室132の下方(傾斜姿勢の基板8の最も低い端部の下方)に有するという点で相違している。回収バット136はモータ136aによりX方向を向く軸を中心に回動自在とされている。
【0044】
また、使用済みの薬液を利用するための構成として、弁243を介して回収バット136に接続された薬液タンク244、および、薬液タンク244中の薬液を薬液ノズル134aへと供給するポンプ245をさらに備える。薬液供給部241は薬液タンク244に接続される。したがって、処理室132の下部に接続されるドレンと使用済みの純水の回収タンク253の間に設けられる弁255は、純水専用の切り替え弁として利用される。
【0045】
受渡部120および処理部130aの他の構成は第1の実施の形態と同様であり、図12および図13では同様の符号を用いて示している。以下の説明においても適宜第1の実施の形態にて用いた符号を付して説明する。
【0046】
次に、基板処理システム101aの動作について図14を参照しながら説明する。
【0047】
まず、第1の実施の形態と同様に移載機構121により基板8がコンベア111から搬送機構131へと移載されると(ステップS31)、処理室132のシャッタ133が開けられて基板8が処理室132へと搬入され(ステップS32,S33)、シャッタ133が閉じられる(ステップS34)。
【0048】
その後、シリンダ131bを動作させて基板8が傾斜姿勢とされる(ステップS35)。このとき、回収バット136はモータ136aの動作により、図13中、実線にて示すように薬液を回収する位置に位置する(ステップS36)。この状態で、ポンプ245の動作により薬液タンク244中の薬液が薬液ノズル134aへと供給され、カーテン状の薬液が傾斜した基板8の最も高い位置に吐出される。その結果、薬液が基板8の上面全体を流れる状態となり、基板8の上面全体に効率よく薬液による処理(現像)が行われる(ステップS37)。
【0049】
基板8から流れ落ちる薬液は回収バット136に受け止められ、弁243を介して適宜、廃棄あるいは薬液タンク244に回収される。また、必要に応じて薬液供給部241から薬液タンク244に薬液が供給される。
【0050】
現像が完了すると現像液の吐出を停止し、モータ136aの作用により回収バット136が図13中、破線にて示すように基板8から流れ落ちる処理液(現像液)を避ける位置に位置する(ステップS38)。
【0051】
この状態で、次工程の水洗が開始される。なお、水洗の際の最初の段階の使用済み純水は、薬液の成分が多く含まれることから、水洗開始直後まで回収バット136を基板8からの液を受ける位置に位置させて弁243から使用済みの純水を廃棄し、その後、回収バット136を基板8からの液を避ける位置に移動して使用済みの純水を回収タンク253に回収するようにしてもよい。
【0052】
水洗以降の工程は第1の実施の形態と同様であり、図5のステップS21以降の動作となる。すなわち、使用済みの純水を用いて水洗を行った後(ステップS21)、未使用の純水を用いて高度の水洗を行い(ステップS22)、基板8を水平姿勢に戻す(ステップS23)。
【0053】
さらに、シャッタ133を開けるとともにエアナイフ137を動作させ(ステップS24,S25)、基板8を搬出することにより基板8に付着した純水の液切りを行う(ステップS26)。基板8が搬出されると、エアナイフ137を停止してシャッタ133を閉じ(ステップS27)、移載機構121により基板8が搬送機構131からコンベア111へと戻される(ステップS28)。
【0054】
以上、基板処理システム101aの構成および動作について説明したが、基板処理システム101aでは、現像および水洗を単一の処理室132内にて行うことができ、第1の実施の形態と同様、処理部130aのフットプリントの削減(基板処理システム101のフットプリントの削減)を図ることができる。
【0055】
また、処理部130aでは回収バット136を設けるとともに、回収バット136を基板8からの処理液を受ける位置と基板8からの処理液を避ける位置との間で移動可能としているので、2種類の処理に用いられる処理液(すなわち、薬液と純水)を適切に分けて回収することができる。その結果、処理液を効率よく使用することができ、基板8の製造コストの削減を図ることができる。
【0056】
<3. 第3の実施の形態>
図15は、この発明の第3の実施の形態に係る基板処理システムにおける処理部130bの構成を説明するための図である。なお、基板処理システムの全体構成は図1に示す通りであり、受渡部120と処理部130bとの配置関係も図12と同様である。
【0057】
第3の実施の形態に係る処理部130bは第2の実施の形態に係る処理部130a(図12および図13参照)と比べて、現像液とエッチング液との2種類の薬液を使い分けることができるという点で相違している。具体的には、エッチング液を基板8に与えるための構成として、図15に示すように薬液供給部341、スプレー式の薬液ノズル334、回収バット336、モータ336a、弁343、薬液タンク344およびポンプ345を有し、第2の実施の形態に係る処理部130aの薬液に関する構成をもう一組追加した構成となっている。なお、図15では第2の実施の形態と同様の他の構成については同符号を付している。以下の説明においても、適宜、図1、図12および図13に付した符号を用いて説明を行う。
【0058】
図16は第3の実施の形態に係る基板処理システムの動作の概略を示す流れ図である。まず、基板8がコンベア111から移載機構121および搬送機構131を介して処理室132に搬入されると、基板8が傾けられ、薬液ノズル134aから現像液がカーテン状に吐出される。これにより、基板8の現像が行われる(ステップS41)。このとき、回収バット136が破線にて示すように基板8からの処理液を受ける位置に位置し、基板8から流れ落ちる現像液が薬液タンク244に回収される。これらの工程は、図14に示すステップS31〜S37と同様である。なお、現像中は回収バット336は実線にて示すように、基板8からの処理液を避ける位置に位置する。
【0059】
現像が完了すると、回収バット136が基板8からの処理液を避ける位置に移動し、回収バット136,336の双方が基板8から流れ落ちる処理液を避ける位置に位置した状態で水洗が行われる(ステップS42)。水洗工程は図5中のステップS21,S22と同様であり、循環水を利用した循環水洗と、未使用の純水を用いる直水洗とが行われる。
【0060】
水洗が完了すると、次に、エッチング液が薬液ノズル334からスプレー状に噴出されてエッチングが行われる(ステップS43)。このとき、回収バット336がモータ336aの作用により、図15中、破線にて示すように基板8から流れ落ちる処理液を受ける位置に移動する。その結果、基板8から流れ落ちるエッチング液が回収バット336および弁343を介して薬液タンク344に回収され、薬液タンク344からポンプ345を介して薬液ノズル334へと供給される。
【0061】
エッチングが完了すると、再び、回収バット136,336の双方が実線にて示す位置に移動した状態で水洗が行われる(ステップS44)。すなわち、循環水洗と直水洗とが行われる。
【0062】
水洗が完了すると、シャッタ133を開けるとともにエアナイフ137を動作させ、基板8を処理室132から搬出するとともに基板8に付着した純水の液切りを行う(ステップS45)。その後、基板8は搬送機構131から移載機構121を介してコンベア111へと戻される。
【0063】
以上のように、第3の実施の形態に係る処理部130bでは、単一の処理室132内にて現像、エッチング、水洗の全ての処理を行うことができ、従来のように基板処理システムに現像部、エッチング部、水洗部等を別個に設ける必要がない。これにより、処理部および基板処理システムのフットプリントを大幅に削減することができる。
【0064】
<4. 第4の実施の形態>
図17はこの発明の第4の実施の形態に係る基板処理システム101bの構成を示す平面図である。図17に示すように、基板処理システム101bは1つの受渡部420と4つの処理部430とを有する。なお、コンベア111の一部も基板処理システム101bに含まれると捉えてもよい。
【0065】
4つの処理部430は第1ないし第3の実施の形態に係る処理部のいずれかと同様の構成となっている。ただし、図17に示すように、コンベア111に対して同じ側に位置する処理部430は搬送機構431を共有している。また、受渡部420はコンベア111上の基板8をコンベア111の両側に位置する搬送機構431のいずれにも移載することができるように、2つの移載機構421を有している。
【0066】
次に、4つの処理部430が第1または第2の実施の形態に係る処理部と同様の構成である場合の基板処理システム101bの特徴について説明する。
【0067】
4つの処理部430のそれぞれが、現像、水洗、乾燥(液切り)を行うことができる場合、上流から矢印111Aにて示すようにコンベア111上を搬送されてきた基板8は、受渡部420のいずれかの移載機構421により一方の搬送機構431へと移載される。さらに、搬送機構431上に移載された基板8は搬送機構431を共有する2つの処理部430のいずれかへと導かれ、現像、水洗、乾燥が行われる。その後、基板8はコンベア111へと戻される。コンベア111に戻された基板8は矢印111Bにて示すように下流の装置へと導かれる。
【0068】
このように、基板処理システム101bでは2つの処理部430の間で搬送機構431(の一部)および移載機構421が共有される。したがって、4つの処理部430による最大処理能力を有しつつ、基板処理システム101bのフットプリントに対する処理能力の度合い(単位占有床面積当たりの処理能力)を向上することができる。
【0069】
なお、受渡部420に接続される処理部430の数は4つに限定されるものではなく、2つでも3つでもよい。処理部430の数が2つの場合には図1に示す受渡部120をほぼそのまま利用することも可能である。処理部430の数は処理すべき基板の枚数(すなわち、処理能力、処理タクト)の増減に応じて柔軟に変更されてよい。
【0070】
次に、4つの処理部430が第3の実施の形態に係る処理部と同様の構成である場合の基板処理システム101bの特徴について説明する。
【0071】
処理部430が現像、エッチング、水洗、乾燥(液切り)を行うことができ、図16に示される処理が各処理部430において行われる場合、搬送機構431および移載機構421の共有により、4つの処理部430により実現される最大処理能力を有しつつ、基板処理システム101bのフットプリントに対する処理効率の向上が図られる。
【0072】
一方、第3の実施の形態に係る処理部430は、現像、水洗および乾燥を行う現像装置、または、エッチング、水洗および乾燥を行うエッチング装置として利用することも可能である。そこで、例えば、通常運転では、4つの処理部430を現像装置として動作させておき、他のラインのエッチング装置に不具合が生じた場合に、4つの処理部430の幾つかをエッチング装置として利用してもよい。これにより、基板8の処理効率の低下を抑えることができる。
【0073】
また、通常運転では2つの処理部430を現像装置として利用し、残りの2つの処理部430をエッチング装置として利用する方法も有効である。この場合、、何らの原因で、コンベア111を搬送されてくる現像が行われるべき基板8とエッチングが行われるべき基板8との割合が変動した場合に、いずれかの処理部430を現像機能とエッチング機能との間で切り替え、コンベア111を搬送される基板8を遅滞なく処理することが可能となる。
【0074】
以上のように、第4の実施の形態に係る基板処理システム101bでは、第1ないし第3の実施の形態のように処理部430のフットプリントが削減できるのみならず、搬送機構431および移載機構421の共有による基板処理システム101bのフットプリントに対する処理効率の向上を図ることができる。
【0075】
また、処理部430を複数設けることにより、基板処理の効率を安定させることができる。
【0076】
<5. 第5の実施の形態>
図18および図19はこの発明の第5の実施の形態に係る基板処理システム101c,101dを示す平面図である。これらの基板処理システムは、第1ないし第3の実施の形態に係る処理部をカセット方式の基板処理システムに応用したものである。以下の説明では、各実施の形態にて用いた符号を適宜参照する。
【0077】
図18に示す基板処理システム101cは、搬送ロボット520の周囲に未処理の基板8をカセットに複数枚収容するローダ511、処理済みの基板8をカセットに複数枚収容できるアンローダ512、並びに、第1ないし第3の実施の形態のいずれかの処理部と同様の構成を有する処理部530を配置した構成となっている。なお、処理部530の搬送機構131の一部は搬送ロボット520の配置位置まで突出している。
【0078】
基板処理システム101cでは、ローダ511から未処理の基板8が取り出されて搬送機構131上に載置される。その後、基板8は処理室132に搬入される。続いて、複数の処理液(薬液および純水)を用いて基板8に複数の処理が行われ、エアナイフ137による液切りを行いつつ搬送ロボット520側へと搬出される。搬出された基板8は搬送ロボット520によりアンローダ512へと戻される。
【0079】
このように、基板処理システム101cでは、基板8はローダ511、処理部530およびアンローダ512を順次経由するように搬送される。これに対し、図23に示した従来のカセット方式の基板処理システム903では、ローダ931、薬液処理部942、水洗部943、乾燥部944およびアンローダ932を順次経由するように基板を搬送する必要があり、搬送ロボット941の負担が大きくなるとともに基板の処理効率が低下する。
【0080】
以上のように、基板処理システム101cでは第1ないし第3の実施の形態と同様に、処理部530のフットプリントを削減する(すなわち、基板処理システム101cのフットプリントを削減する)ことができるとともに、基板8の処理の効率を向上することができる。
【0081】
図19に示す基板処理システム101dは、図18に示す基板処理システム101cにおいて搬送ロボット520の周囲にもう1つの処理部530を追加した構成を示す図である。基板処理システム101dにおいても、フットプリントの削減および処理効率の向上が図られる。
【0082】
また、基板処理システム101dでは、2つの処理部530がローダ511、アンローダ512および搬送ロボット520を共有するので、処理能力の向上を図りつつフットプリントに対する処理効率の向上を図ることができる。
【0083】
さらに、基板処理システム101dの処理部530として第3の実施の形態に係る処理部130bを利用することにより、第4の実施の形態に係る基板処理システム101bと同様の効果を奏することができる。すなわち、複数の処理部530の機能を適宜切り替えることにより、基板処理の効率の低下を抑えることができる。
【0084】
<6. 変形例>
以上、この発明に係る基板処理システムについて説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【0085】
例えば、第1ないし第4の実施の形態に係る基板処理システムはコンベア111から基板8を取り出して処理するものであり、第5の実施の形態に係る基板処理システムはカセット方式のものであるが、図20に示すように、コンベア111上にて直接基板に処理をする基板処理システム101eにこの発明を利用することも可能である。
【0086】
基板処理システム101eは、コンベア111に対して矢印111Aにて示すように搬送されてきた基板の搬送タイミングを調整する受渡部611、第1ないし第3の実施の形態に係る処理部の搬送機構131およびエアナイフ137以外の部分を有する処理室612、および、エアナイフによる液切りを行う乾燥部613を順に配置した構成となっている。基板処理システム101eをこのような構成とすることにより、単一の処理室612にて複数の処理を行うことができ、基板処理システムのフットプリントの削減を図ることができる。
【0087】
また、薬液の基板への供給方法も様々な変形が可能である。例えば、第1の実施の形態において、薬液ノズル134を基板8の搬送方向に対して移動可能とし、基板8の搬送が停止してから基板8の上面全体に薬液のパドルを形成するようになっていてもよい。第2の実施の形態においても、薬液ノズル134aが移動可能となっていてもよくい。さらに、スプレー式のノズルは細長い形状に限定されるものではなく、処理液を噴出する短いノズルが揺動するようになっていてもよい。
【0088】
また、第2および第3の実施の形態では、現像液がスリットノズルから吐出されると説明したが、スプレー式のノズルであってもよい。この場合、現像液の酸化を防止するために処理室内に窒素がパージされる。
【0089】
また、基板8に施される処理の内容は、上記実施の形態に示したものに限定されず、例えば、現像、エッチング、剥離、薬液洗浄、水洗等の任意のものが組み合わされてよい。なお、薬液を用いる処理が複数種類行われる場合には、1つの薬液処理が行われるごとに処理室132内が洗浄されるようになっていてもよい。
【0090】
また、上記第1の実施の形態では、薬液を回収しない方式となっているが、回収バットを設けて薬液が回収(あるいは、純水とは別経路にて廃棄)されるようになっていてもよい。
【0091】
また、上記実施の形態では、ローラ131aを用いた搬送機構131となっているが、搬送機構131は他のものであってもよい。例えば、ベルトを用いたコンベアであってもよい。
【0092】
また、上記実施の形態では、液晶ディスプレイ用のガラス基板を処理する基板処理システムとなっているが、他の基板であっても利用することができる。例えば、他の種類のFPD(例えば、プラズマディスプレイ)の製造に用いられるガラス基板やプリント基板等の基板(いわゆる、矩形基板)の製造に利用することができる。
【0093】
また、上記第2および第3の実施の形態では、回収バットがモータにより回動するようになっているが、回収バットの移動機構は平行移動であってもよい。さらには、回収バットに蓋を設けて蓋を開閉する機構となっていてもよい。すなわち、回収バットが基板からの処理液を受ける状態と避ける状態との間で切り替える機構であればどのようなものが採用されてもよい。
【0094】
また、上記実施の形態では、搬出口(搬入口)133aの外部近傍にエアナイフ137を配置しているが、処理室132内の搬出口133a近傍にエアナイフ137が配置されてもよい。
【0095】
また、上記第4および第5の実施の形態では複数の処理部が設けられる基板処理システムを示したが、さらに多くの処理部が受渡部420や搬送ロボット520に接続されてもよい。
【0096】
【発明の効果】
請求項1または2に記載の発明では、基板処理装置のフットプリントの削減を図ることができる。
【0097】
また、薬液による処理と純水による洗浄とを単一の処理室にて行うことができる。
【0098】
また、処理液を効率よく使用することができる。
【0100】
また、基板を搬出する際に液切りを行うことができる。
【0101】
請求項3および請求項4に記載の発明では、基板処理システムのフットプリントに対する処理効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る基板処理システムの構成の一例を示す平面図である。
【図2】第1の実施の形態に係る基板処理システムの内部構成を示す縦断面図である。
【図3】第1の実施の形態に係る処理部の内部構成等を示す縦断面図である。
【図4】第1の実施の形態に係る基板処理システムの動作の流れを示す流れ図である。
【図5】第1の実施の形態に係る基板処理システムの動作の流れを示す流れ図である。
【図6】基板処理システムの動作中の様子を示す図である。
【図7】基板処理システムの動作中の様子を示す図である。
【図8】基板上の薬液の液切りの様子を示す図である。
【図9】循環水洗中の様子を示す図である。
【図10】直水洗中の様子を示す図である。
【図11】エアナイフによる液切りの様子を示す図である。
【図12】第2の実施の形態に係る基板処理システムの内部構成を示す縦断面図である。
【図13】第2の実施の形態に係る処理部の内部構成等を示す縦断面図である。
【図14】第2の実施の形態に係る基板処理システムの動作の流れを示す流れ図である。
【図15】第3の実施の形態に係る処理部の内部構成等を示す縦断面図である。
【図16】第3の実施の形態に係る基板処理システムの動作の流れの概略を示す流れ図である。
【図17】第4の実施の形態に係る基板処理システムの構成を示す平面図である。
【図18】第5の実施の形態に係る基板処理システムの構成の一例を示す平面図である。
【図19】第5の実施の形態に係る基板処理システムの構成の他の例を示す平面図である。
【図20】この発明に係る基板処理システムの構成の他の例を示す平面図である。
【図21】従来の基板処理システムの構成の一例を示す平面図である。
【図22】従来の基板処理システムの構成の他の例を示す平面図である。
【図23】従来の基板処理システムの構成のさらに他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
8 基板
81 薬液
101b,101c,101d,101e 基板処理システム
130,130a,130b,430,530 処理部
131,431 搬送機構
131a ローラ
131b シリンダ
131c 支持部材
132,612 処理室
132S 空間
133a 搬出口
134,134a,334 薬液ノズル
135 純水ノズル
136,336 回収バット
136a,336a モータ
137 エアナイフ
420 受渡部
520 搬送ロボット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to a technique for performing processing using a processing liquid on a substrate such as a glass substrate or a printed substrate used for manufacturing a liquid crystal display, a plasma display, or the like.
[0002]
[Prior art]
FIG. 21 is a diagram showing a configuration of a conventional
[0003]
The substrate moving on the
[0004]
Further, as shown in FIG. 22, the
[0005]
Furthermore, as shown in FIG. 23, a
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
As shown in FIGS. 21 to 23, in the conventional substrate processing system, a dedicated processing unit (that is, a substrate processing apparatus) is arranged for each of chemical processing, water washing and drying. . Therefore, the footprint (occupied floor area) of the substrate processing system includes an area sufficient to arrange these processing units.
[0007]
However, since processing of a substrate on which a precise circuit pattern is formed is performed in a clean room where high cleanliness is maintained, reduction of the footprint of the substrate processing system is an important issue for cost reduction.
[0008]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing system that can realize a reduction in footprint.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The invention of
[0010]
The invention of
[0014]
The invention of
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing system for processing a substrate, comprising: a plurality of substrate processing apparatuses; and a delivery means for delivering a substrate to the plurality of substrate processing apparatuses, the plurality of substrates. Each of the processing apparatuses uses a single processing chamber that forms a space in which substrate processing is performed, and a plurality of different types of processing liquids including a chemical solution in the processing chamber. Processing means for applying a plurality of processes to the substrate, and the substrate toward the processing chamber In a horizontal position Conveying means for conveying linearly; The substrate transported into the processing chamber by the transport means is parallel to the transport direction. axis And tilting means for tilting the substrate around the substrate, and a substrate in a tilted posture in the processing chamber. A support means capable of supporting; A recovery bat provided in the processing chamber for receiving a chemical from the substrate And the recovery bat Receive chemicals from the substrate and from the substrate. Pure water The substrate is drained by jetting gas toward the substrate in the vicinity of the opening of the processing chamber, and switching means for switching between a state to avoid the state Air knife The processing means is provided in the processing chamber, extends in the substrate transport direction by the transport means, and has a first nozzle having substantially the same length as the substrate in the transport direction, and the processing A second nozzle provided in a room, extending in the transport direction and having a length substantially the same as the substrate in the transport direction, and supported by the support means in a tilted posture. In addition, after the first processing liquid is supplied from the first nozzle, the second processing liquid is supplied from the second nozzle.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a
[0017]
The
[0018]
The
[0019]
FIG. 2 is a diagram showing an internal configuration of the
[0020]
As shown in FIG. 2, the
[0021]
The
[0022]
The
[0023]
Above the
[0024]
Two
[0025]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state when the inside of the
[0026]
As shown in FIG. 3, the
[0027]
A drain (discharge pipe) that discharges the processing liquid is connected to the lower portion of the
[0028]
A part of the plurality of
[0029]
The operation of the chemical
[0030]
Next, the operation of the
[0031]
First, the
[0032]
Subsequently, the loading of the
[0033]
At this time, as indicated by a thick line in FIG. 3, the chemical solution is supplied from the chemical
[0034]
When the
[0035]
When the development is completed, the
[0036]
When the chemical liquid is completely drained, the
[0037]
When a certain amount of washing is completed by washing with used pure water, pure water supplied to the
[0038]
When the above two types of water washing (so-called circulating water washing and direct water washing) are completed, the
[0039]
When the
[0040]
Thereafter, the
[0041]
As described above, the configuration and operation of the
[0042]
<2. Second Embodiment>
FIG. 12 and FIG. 13 are diagrams showing the configuration of the
[0043]
The
[0044]
Further, as a configuration for using the used chemical liquid, a
[0045]
Other configurations of the
[0046]
Next, the operation of the
[0047]
First, as in the first embodiment, when the
[0048]
Thereafter, the
[0049]
The chemical solution flowing down from the
[0050]
When the development is completed, the discharge of the developer is stopped, and the
[0051]
In this state, water washing in the next process is started. In addition, since the used pure water in the first stage at the time of rinsing contains a lot of chemical components, it is used from the
[0052]
The steps after the water washing are the same as those in the first embodiment, and the operations after step S21 in FIG. 5 are performed. That is, after washing with used pure water (step S21), high-grade washing is performed with unused pure water (step S22), and the
[0053]
Further, the
[0054]
The configuration and operation of the
[0055]
In the
[0056]
<3. Third Embodiment>
FIG. 15 is a diagram for explaining the configuration of the
[0057]
Compared with the
[0058]
FIG. 16 is a flowchart showing an outline of the operation of the substrate processing system according to the third embodiment. First, when the
[0059]
When the development is completed, the
[0060]
When the washing with water is completed, the etching liquid is then sprayed out from the
[0061]
When the etching is completed, washing with water is performed again in a state where both of the recovery bats 136 and 336 are moved to the positions indicated by the solid lines (step S44). That is, circulating water washing and direct water washing are performed.
[0062]
When the washing with water is completed, the
[0063]
As described above, in the
[0064]
<4. Fourth Embodiment>
FIG. 17 is a plan view showing the configuration of a
[0065]
The four
[0066]
Next, features of the
[0067]
When each of the four
[0068]
In this way, in the
[0069]
The number of
[0070]
Next, features of the
[0071]
When the
[0072]
On the other hand, the
[0073]
In normal operation, it is also effective to use the two processing
[0074]
As described above, in the
[0075]
Further, by providing a plurality of
[0076]
<5. Fifth embodiment>
18 and 19 are plan views showing
[0077]
A
[0078]
In the
[0079]
As described above, in the
[0080]
As described above, the
[0081]
A
[0082]
In the
[0083]
Furthermore, by using the
[0084]
<6. Modification>
Although the substrate processing system according to the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made.
[0085]
For example, the substrate processing system according to the first to fourth embodiments takes out the
[0086]
The
[0087]
In addition, various modifications can be made to the method of supplying the chemical solution to the substrate. For example, in the first embodiment, the
[0088]
In the second and third embodiments, it has been described that the developer is discharged from the slit nozzle. However, a spray type nozzle may be used. In this case, nitrogen is purged into the processing chamber to prevent oxidation of the developer.
[0089]
Moreover, the content of the process performed to the board |
[0090]
In the first embodiment, the chemical solution is not recovered. However, a recovery vat is provided so that the chemical solution is recovered (or discarded by a separate route from the pure water). Also good.
[0091]
Moreover, in the said embodiment, although it has become the
[0092]
Moreover, in the said embodiment, although it is a substrate processing system which processes the glass substrate for liquid crystal displays, it can utilize even if it is another board | substrate. For example, it can be used for manufacturing a substrate (so-called rectangular substrate) such as a glass substrate or a printed circuit board used for manufacturing another type of FPD (for example, a plasma display).
[0093]
In the second and third embodiments, the recovery bat is rotated by a motor. However, the movement mechanism of the recovery bat may be a parallel movement. Further, the recovery bat may be provided with a lid to open and close the lid. In other words, any mechanism may be employed as long as the recovery bat switches between a state where it receives the processing liquid from the substrate and a state where it is avoided.
[0094]
In the above-described embodiment, the
[0095]
In the fourth and fifth embodiments, the substrate processing system provided with a plurality of processing units has been described. However, more processing units may be connected to the
[0096]
【The invention's effect】
[0097]
Also ,medicine The treatment with the liquid and the cleaning with pure water can be performed in a single treatment chamber.
[0098]
Also ,place The scientific liquid can be used efficiently.
[0100]
Also , Group The liquid can be drained when the plate is carried out.
[0101]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an example of the configuration of a substrate processing system according to the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an internal configuration of the substrate processing system according to the first embodiment.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an internal configuration and the like of a processing unit according to the first embodiment.
FIG. 4 is a flowchart showing an operation flow of the substrate processing system according to the first embodiment.
FIG. 5 is a flowchart showing an operation flow of the substrate processing system according to the first embodiment;
FIG. 6 is a diagram showing a state during operation of the substrate processing system.
FIG. 7 is a diagram illustrating a state during operation of the substrate processing system.
FIG. 8 is a diagram showing a state in which a chemical solution on a substrate is drained.
FIG. 9 is a diagram showing a state during circulating water washing.
FIG. 10 is a diagram showing a state during direct water washing.
FIG. 11 is a diagram showing a state of liquid draining with an air knife.
FIG. 12 is a longitudinal sectional view showing an internal configuration of a substrate processing system according to a second embodiment.
FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an internal configuration and the like of a processing unit according to the second embodiment.
FIG. 14 is a flowchart showing an operation flow of the substrate processing system according to the second embodiment.
FIG. 15 is a longitudinal sectional view showing an internal configuration and the like of a processing unit according to a third embodiment.
FIG. 16 is a flowchart showing an outline of an operation flow of the substrate processing system according to the third embodiment;
FIG. 17 is a plan view showing a configuration of a substrate processing system according to a fourth embodiment.
FIG. 18 is a plan view showing an example of a configuration of a substrate processing system according to a fifth embodiment.
FIG. 19 is a plan view showing another example of the configuration of the substrate processing system according to the fifth embodiment.
FIG. 20 is a plan view showing another example of the configuration of the substrate processing system according to the present invention.
FIG. 21 is a plan view showing an example of the configuration of a conventional substrate processing system.
FIG. 22 is a plan view showing another example of the configuration of a conventional substrate processing system.
FIG. 23 is a plan view showing still another example of the configuration of a conventional substrate processing system.
[Explanation of symbols]
8 Board
81 chemicals
101b, 101c, 101d, 101e Substrate processing system
130, 130a, 130b, 430, 530 processing unit
131,431 transport mechanism
131a roller
131b cylinder
131c Support member
132,612 processing chamber
132S space
133a Unloading port
134, 134a, 334 Chemical liquid nozzle
135 Pure water nozzle
136,336 Recovery bat
136a, 336a motor
137 Air Knife
420 Delivery Department
520 transfer robot
Claims (4)
基板処理が行われる空間を形成するとともに、その内部へ基板を出し入れするための単一の開口を有する単一の処理室と、
前記処理室内にて、薬液を含む互いに異なる複数種類の処理液を用いて、薬液による処理と純水による洗浄とを含む複数の処理を基板に施す処理手段と、
前記処理室内に向けて基板を水平姿勢で直線的に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって前記処理室内に搬送された基板を、前記搬送方向に平行な軸を中心に傾斜させる傾斜手段と、
前記処理室内で傾斜姿勢の基板を支持することが可能な支持手段と、
基板からの薬液を受けるために前記処理室内に設けられる回収バットと、
前記回収バットを、基板からの薬液を受ける状態と基板からの純水を避ける状態との間で切り替える切替手段と、
前記開口近傍にて基板に向けて気体を噴出することにより、基板の液切りを行うエアナイフと、
を備え、
前記処理手段は、
前記処理室の開口の近傍に設けられ、前記搬送手段による基板の搬送方向と交差する方向に伸びるとともに、この交差する方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第1のノズルと、
前記処理室内に設けられ、前記搬送方向に伸びるとともに前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第2のノズルと、
を備え、
前記第1のノズルは、前記搬送手段により前記開口を介して前記処理室内に水平姿勢で搬入される基板の全面に第1の処理液を供給することによって、前記基板の上面全体に第1の処理液を盛り、
前記傾斜手段は、第1の処理液が盛られた状態で前記処理室内において所定の時間経過後の前記基板を傾斜させて、前記基板の上面に盛られた第1の処理液を液切りし、
前記第2のノズルは、液切り後、前記支持手段により傾斜姿勢で支持された基板に第2の処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for processing a substrate,
To form a space in which a substrate processing is performed, and a single processing chamber having a single opening for loading and unloading a substrate into its interior,
In the processing chamber, using a plurality of different types of processing liquids including a chemical solution, a processing means for performing a plurality of processing including processing with a chemical solution and cleaning with pure water on a substrate,
Transport means for linearly transporting the substrate in a horizontal posture toward the processing chamber;
Tilting means for tilting the substrate transported into the processing chamber by the transporting means about an axis parallel to the transporting direction;
Support means capable of supporting a substrate in an inclined posture in the processing chamber;
A recovery bat provided in the processing chamber for receiving a chemical from the substrate ;
Switching means for switching the recovery bat between a state of receiving a chemical solution from a substrate and a state of avoiding pure water from the substrate;
An air knife that drains the substrate by blowing gas toward the substrate in the vicinity of the opening;
With
The processing means includes
A first nozzle that is provided in the vicinity of the opening of the processing chamber, extends in a direction intersecting the substrate transport direction by the transport means, and has substantially the same length as the substrate in the intersecting direction;
A second nozzle provided in the processing chamber, extending in the transport direction and having substantially the same length as the substrate in the transport direction;
With
The first nozzle supplies the first processing liquid to the entire surface of the substrate that is carried in the processing chamber in a horizontal posture through the opening by the transport means, so that the first nozzle is applied to the entire upper surface of the substrate. Pour processing liquid,
Said tilting means, in the processing chamber in a state where the first treatment liquid has been piled by inclining the substrate after a predetermined time has elapsed, the first treatment liquid drainer Mr. piled on the upper surface of the substrate ,
The substrate processing apparatus, wherein after the liquid is drained, the second nozzle supplies a second processing liquid to the substrate supported in an inclined posture by the support means.
基板処理が行われる空間を形成する単一の処理室と、
前記処理室内にて、薬液を含む互いに異なる複数種類の処理液を用いて、薬液による処理と純水による洗浄とを含む複数の処理を基板に施す処理手段と、
前記処理室内に向けて基板を水平姿勢で直線的に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって前記処理室内に搬送された基板を、前記搬送方向に平行な軸を中心に傾斜させる傾斜手段と、
前記処理室内で傾斜姿勢の基板を支持することが可能な支持手段と、
基板からの薬液を受けるために前記処理室内に設けられる回収バットと、
前記回収バットを、基板からの薬液を受ける状態と基板からの純水を避ける状態との間で切り替える切替手段と、
前記処理室の開口近傍にて基板に向けて気体を噴出することにより、基板の液切りを行うエアナイフと、
を備え、
前記処理手段は、
前記処理室内に設けられ、前記搬送手段による基板の搬送方向に伸びるとともに、前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第1のノズルと、
前記処理室内に設けられ、前記搬送方向に伸びるとともに前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第2のノズルと、
を備え、
前記支持手段により傾斜姿勢で静止した状態に支持された基板の全面に、前記第1のノズルから第1の処理液を供給した後、前記第2のノズルから第2の処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A single processing chamber forming a space in which substrate processing is performed;
In the processing chamber, using a plurality of different types of processing liquids including a chemical solution, a processing means for performing a plurality of processing including processing with a chemical solution and cleaning with pure water on a substrate,
Transport means for linearly transporting the substrate in a horizontal posture toward the processing chamber;
Tilting means for tilting the substrate transported into the processing chamber by the transporting means about an axis parallel to the transporting direction;
Support means capable of supporting a substrate in an inclined posture in the processing chamber ;
A recovery bat provided in the processing chamber for receiving a chemical from the substrate ;
Switching means for switching the recovery bat between a state of receiving a chemical solution from a substrate and a state of avoiding pure water from the substrate;
An air knife that drains the substrate by blowing gas toward the substrate in the vicinity of the opening of the processing chamber;
With
The processing means includes
A first nozzle provided in the processing chamber, extending in a substrate transport direction by the transport means and having substantially the same length as the substrate in the transport direction;
A second nozzle provided in the processing chamber, extending in the transport direction and having substantially the same length as the substrate in the transport direction;
With
After supplying the first processing liquid from the first nozzle to the entire surface of the substrate supported in a tilted posture by the supporting means, the second processing liquid is supplied from the second nozzle. A substrate processing apparatus.
複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置に対して基板の受け渡しを行う受渡手段と、
を備え、
前記複数の基板処理装置のそれぞれが、
基板処理が行われる空間を形成するとともに、その内部へ基板を出し入れするための単一の開口を有する単一の処理室と、
前記処理室内にて、薬液を含む互いに異なる複数種類の処理液を用いて、薬液による処理と純水による洗浄とを含む複数の処理を基板に施す処理手段と、
前記処理室内に向けて基板を水平姿勢で直線的に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって前記処理室内に搬送された基板を、前記搬送方向に平行な軸を中心に傾斜させる傾斜手段と、
前記処理室内で傾斜姿勢の基板を支持することが可能な支持手段と、
基板からの薬液を受けるために前記処理室内に設けられる回収バットと、
前記回収バットを、基板からの薬液を受ける状態と基板からの純水を避ける状態との間で切り替える切替手段と、
前記開口近傍にて基板に向けて気体を噴出することにより、基板の液切りを行うエアナイフと、
を備え、
前記処理手段は、
前記処理室の開口の近傍に設けられ、前記搬送手段による基板の搬送方向と交差する方向に伸びるとともに、この交差する方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第1のノズルと、
前記処理室内に設けられ、前記搬送方向に伸びるとともに前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第2のノズルと、
を備え、
前記第1のノズルは、前記搬送手段により前記開口を介して前記処理室内に水平姿勢で搬入される基板の全面に第1の処理液を供給することによって、前記基板の上面全体に第1の処理液を盛り、
前記傾斜手段は、第1の処理液が盛られた状態で前記処理室内において所定の時間経過後の前記基板を傾斜させて、前記基板の上面に盛られた第1の処理液を液切りし、
前記第2のノズルは、液切り後、前記支持手段により傾斜姿勢で支持された基板に第2の処理液を供給することを特徴とする基板処理システム。A substrate processing system for processing a substrate,
A plurality of substrate processing apparatuses;
Delivery means for delivering a substrate to the plurality of substrate processing apparatuses;
With
Each of the plurality of substrate processing apparatuses includes:
To form a space in which a substrate processing is performed, and a single processing chamber having a single opening for loading and unloading a substrate into its interior,
In the processing chamber, using a plurality of different types of processing liquids including a chemical solution, a processing means for performing a plurality of processing including processing with a chemical solution and cleaning with pure water on a substrate,
Transport means for linearly transporting the substrate in a horizontal posture toward the processing chamber;
Tilting means for tilting the substrate transported into the processing chamber by the transporting means about an axis parallel to the transporting direction;
Support means capable of supporting a substrate in an inclined posture in the processing chamber;
A recovery bat provided in the processing chamber for receiving a chemical from the substrate ;
Switching means for switching the recovery bat between a state of receiving a chemical solution from a substrate and a state of avoiding pure water from the substrate;
An air knife that drains the substrate by blowing gas toward the substrate in the vicinity of the opening;
With
The processing means includes
A first nozzle that is provided in the vicinity of the opening of the processing chamber, extends in a direction intersecting the substrate transport direction by the transport means, and has substantially the same length as the substrate in the intersecting direction;
A second nozzle provided in the processing chamber, extending in the transport direction and having substantially the same length as the substrate in the transport direction;
With
The first nozzle supplies the first processing liquid to the entire surface of the substrate that is carried in the processing chamber in a horizontal posture through the opening by the transport means, so that the first nozzle is applied to the entire upper surface of the substrate. Pour processing liquid,
Said tilting means, in the processing chamber in a state where the first treatment liquid has been piled by inclining the substrate after a predetermined time has elapsed, the first treatment liquid drainer Mr. piled on the upper surface of the substrate ,
The substrate processing system, wherein the second nozzle supplies a second processing liquid to the substrate supported in an inclined posture by the support means after the liquid is drained.
複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置に対して基板の受け渡しを行う受渡手段と、
を備え、
前記複数の基板処理装置のそれぞれが、
基板処理が行われる空間を形成する単一の処理室と、
前記処理室内にて、薬液を含む互いに異なる複数種類の処理液を用いて、薬液による処理と純水による洗浄とを含む複数の処理を基板に施す処理手段と、
前記処理室内に向けて基板を水平姿勢で直線的に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって前記処理室内に搬送された基板を、前記搬送方向に平行な軸を中 心に傾斜させる傾斜手段と、
前記処理室内で傾斜姿勢の基板を支持することが可能な支持手段と、
基板からの薬液を受けるために前記処理室内に設けられる回収バットと、
前記回収バットを、基板からの薬液を受ける状態と基板からの純水を避ける状態との間で切り替える切替手段と、
前記処理室の開口近傍にて基板に向けて気体を噴出することにより、基板の液切りを行うエアナイフと、
を備え、
前記処理手段は、
前記処理室内に設けられ、前記搬送手段による基板の搬送方向に伸びるとともに、前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第1のノズルと、
前記処理室内に設けられ、前記搬送方向に伸びるとともに前記搬送方向に対して基板とほぼ同じ長さを有する第2のノズルと、
を備え、
前記支持手段により傾斜姿勢で静止した状態に支持された基板の全面に、前記第1のノズルから第1の処理液を供給した後、前記第2のノズルから第2の処理液を供給することを特徴とする基板処理システム。A substrate processing system for processing a substrate,
A plurality of substrate processing apparatuses;
Delivery means for delivering a substrate to the plurality of substrate processing apparatuses;
With
Each of the plurality of substrate processing apparatuses includes:
A single processing chamber forming a space in which substrate processing is performed;
In the processing chamber, using a plurality of different types of processing liquids including a chemical solution, a processing means for performing a plurality of processing including processing with a chemical solution and cleaning with pure water on a substrate,
Transport means for linearly transporting the substrate in a horizontal posture toward the processing chamber;
And tilting means for tilting the substrate transferred into the processing chamber, mainly in axis parallel to the conveying direction by the conveying means,
Support means capable of supporting a substrate in an inclined posture in the processing chamber ;
A recovery bat provided in the processing chamber for receiving a chemical from the substrate ;
Switching means for switching the recovery bat between a state of receiving a chemical solution from a substrate and a state of avoiding pure water from the substrate;
An air knife that drains the substrate by blowing gas toward the substrate in the vicinity of the opening of the processing chamber;
With
The processing means includes
A first nozzle provided in the processing chamber, extending in a substrate transport direction by the transport means and having substantially the same length as the substrate in the transport direction;
A second nozzle provided in the processing chamber, extending in the transport direction and having substantially the same length as the substrate in the transport direction;
With
After supplying the first processing liquid from the first nozzle to the entire surface of the substrate supported in a tilted posture by the supporting means, the second processing liquid is supplied from the second nozzle. A substrate processing system.
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