JP4289000B2 - Power factor correction circuit - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高効率、低ノイズ、高力率なスイッチング電源に使用する力率改善回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図24に従来の力率改善回路の回路構成図を示す(特許文献1)。図24に示す力率改善回路において、交流電源Vac1の交流電源電圧を整流する全波整流回路B1の出力両端には、昇圧リアクトルL1とMOSFETからなるスイッチQ1と電流検出抵抗Rとからなる直列回路が接続されている。スイッチQ1の両端には、ダイオードD1と平滑コンデンサC1とからなる直列回路が接続され、平滑コンデンサC1の両端には、負荷RLが接続されている。スイッチQ1は、制御回路100のPWM制御によりオン/オフするようになっている。
【0003】
電流検出抵抗Rは、全波整流回路B1に流れる入力電流を検出する。
【0004】
制御回路100は、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113、発振器(OSC)114、PWMコンパレータ116を有して構成される。
【0005】
誤差増幅器111は、基準電圧E1が+端子に入力され、平滑コンデンサC1の電圧が−端子に入力され、平滑コンデンサC1の電圧と基準電圧E1との誤差が増幅され、誤差電圧信号を生成して乗算器112に出力する。乗算器112は、誤差増幅器111からの誤差電圧信号と全波整流回路B1の正極側出力端P1からの全波整流電圧とを乗算して乗算出力電圧を誤差増幅器113の+端子に出力する。
【0006】
誤差増幅器113は、電流検出抵抗Rで検出した入力電流に比例した電圧が−端子に入力され、乗算器112からの乗算出力電圧が+端子に入力され、電流検出抵抗Rによる電圧と乗算出力電圧との誤差が増幅され、誤差電圧信号を生成してこの誤差電圧信号をフィードバック信号FBとしてPWMコンパレータ116に出力する。OSC114は、一定周期の三角波信号を生成する。
【0007】
PWMコンパレータ116は、OSC114からの三角波信号が−端子に入力され、誤差増幅器113からのフィードバック信号FBが+端子に入力され、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値未満のときにオフとなるパルス信号を生成し、該パルス信号をスイッチQ1のゲートに印加する。
【0008】
即ち、PWMコンパレータ116は、スイッチQ1に対して、誤差増幅器113による電流検出抵抗Rの出力と乗算器112の出力との差信号に応じたデューティパルスを提供する。このデューティパルスは、交流電源電圧及び直流負荷電圧の変動に対して一定周期で連続的に補償するパルス幅制御信号である。このような構成により、交流電源電流波形が交流電源電圧波形に一致するように制御されて、力率が大幅に改善される。
【0009】
次に、このように構成された力率改善回路の動作を図25に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。なお、図25では、スイッチQ1の両端間の電圧Q1v、スイッチQ1に流れる電流Q1i、ダイオードD1に流れる電流D1iを示している。
【0010】
まず、時刻t31において、スイッチQ1がオンし、全波整流回路B1から昇圧リアクトルL1を介してスイッチQ1に電流Q1iが流れる。この電流は、時刻t32まで時間の経過とともに直線的に増大していく。なお、時刻t31から時刻t32では、ダイオードD1に流れる電流D1iは零になる。
【0011】
次に、時刻t32において、スイッチQ1は、オン状態からオフ状態に変わる。このとき、昇圧リアクトルL1に誘起された励磁エネルギーによりスイッチQ1の電圧Q1vが上昇する。また、時刻t32〜時刻t33では、スイッチQ1がオフであるため、スイッチQ1に流れる電流Q1iは零になる。なお、時刻t32から時刻t33では、L1→D1→C1で電流D1iが流れて、負荷RLに電力が供給される。
【0012】
【特許文献1】
特開2000−37072号(図1)
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図24に示す昇圧型の力率改善回路では、スイッチQ1のターンオン又はターンオフ時において、スイッチQ1の電圧Q1vと電流Q1iとの重複部分が生じ、この重複部分により大きなスイッチング損失が発生する欠点があった。
【0014】
また、スイッチQ1をオンした時(例えば時刻t31,t33,t35)には、C1→D1→Q1の経路にダイオードリカバリーによるスパイク電流RCが流れる。また、スイッチQ1をオフした時(例えば時刻t32,t34,t36)には、配線のインダクタンスによるスパイク電圧SPが発生する。
【0015】
リカバリー時間の間は、ダイオードD1はショート状態のため、スイッチQ1の損失は増大する。また、スイッチQ1がオフ時のスパイク電圧を抑制するために抵抗及びコンデンサからなるCRアブソーバ等を追加するため、CRアブソーバによる損失も増大していた。
【0016】
また、スパイク電圧及びスパイク電流は、ノイズを発生する。このノイズを低減するためにノイズフィルタも大型化し、スイッチング電源の小型、高効率化の妨げとなっていた。
【0017】
本発明は、スイッチのゼロ電流スイッチング及びゼロ電圧スイッチングを可能とし、小型、高効率、低ノイズ化することができる力率改善回路を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するために以下の構成とした。請求項1の発明は、交流電源の交流電源電圧を整流回路で整流した整流電圧を昇圧リアクトルを介して入力して主スイッチによりオン/オフして入力力率を改善するとともに、直流の出力電圧に変換する力率改善回路であって、前記整流回路の一方の出力端と他方の出力端との間に接続され、前記昇圧リアクトルに巻回された昇圧巻線及び巻き上げ巻線と第1ダイオードと平滑コンデンサとからなる第1直列回路と、前記整流回路の一方の出力端と他方の出力端との間に接続され、前記昇圧リアクトルの昇圧巻線と可飽和リアクトルと前記主スイッチとからなる第2直列回路と、前記主スイッチと前記可飽和リアクトルとの接続点と前記平滑コンデンサとの間に接続された第2ダイオードと、前記主スイッチをオン/オフ制御することにより前記平滑コンデンサの出力電圧を所定電圧に制御する制御手段と、前記主スイッチに並列に接続され、第3ダイオードとスナバコンデンサとからなる第3直列回路とを備え、前記可飽和リアクトルは、補助巻線をさらに備え、前記第3ダイオードと前記スナバコンデンサとの接続点と前記第1ダイオードの一端との間に接続され、第4ダイオードと前記可飽和リアクトルの補助巻線とからなる第4直列回路とを有することを特徴とする。
【0021】
請求項2の発明は、前記主スイッチに並列に接続された第5ダイオードを有し、該第5ダイオードは、前記主スイッチの寄生ダイオードであることを特徴とする。
【0022】
請求項3の発明では、前記昇圧リアクトルと前記可飽和リアクトルとは、同一コア上に巻回されて一体化された一体型リアクトルからなることを特徴とする。
【0023】
請求項4の発明は、前記可飽和リアクトルのコアの磁路の一部に断面積の少ない部分を設けたことを特徴とする。
【0024】
請求項5の発明では、前記制御手段は、前記主スイッチのターンオン時にゼロ電流スイッチさせ、前記主スイッチのターンオフ時にゼロ電圧スイッチさせることを特徴とする。
【0025】
請求項6の発明では、前記制御手段は、前記主スイッチのスイッチング周波数を前記交流電源の交流電源電圧値に応じて制御することを特徴とする。
【0026】
請求項7の発明では、前記制御手段は、前記出力電圧と基準電圧との誤差を増幅して第1誤差電圧信号を生成する第1誤差電圧生成手段と、この第1誤差電圧生成手段の第1誤差電圧信号と前記整流回路の整流電圧とを乗算して乗算出力電圧を生成する乗算出力電圧生成手段と、前記整流回路に流れる入力電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段で検出された入力電流に応じた電圧と前記乗算出力電圧生成手段の乗算出力電圧との誤差を増幅して第2誤差電圧信号を生成する第2誤差電圧生成手段と、前記整流回路の整流電圧値に応じて前記主スイッチのスイッチング周波数を変化させた周波数制御信号を生成する周波数制御手段と、前記第2誤差電圧生成手段の第2誤差電圧信号に基づきパルス幅を制御し且つ前記周波数制御手段で生成された前記周波数制御信号に応じて前記主スイッチのスイッチング周波数を変化させたパルス信号を生成し、パルス信号を前記主スイッチに印加して前記出力電圧を所定電圧に制御するパルス幅制御手段とを有することを特徴とする。
【0027】
請求項8の発明では、前記制御手段は、前記交流電源電圧が下限設定電圧以下の場合に前記スイッチング周波数を下限周波数に設定し、前記交流電源電圧が上限設定電圧以上の場合に前記スイッチング周波数を上限周波数に設定し、前記交流電源電圧が前記下限設定電圧から前記上限設定電圧までの範囲の場合に前記スイッチング周波数を前記下限周波数から前記上限周波数まで徐々に変化させることを特徴とする。
【0028】
請求項9の発明では、前記制御手段は、前記交流電源電圧が前記下限設定電圧未満の場合には前記主スイッチのスイッチング動作を停止させることを特徴とする。
【0029】
請求項10の発明は、前記整流回路と前記平滑コンデンサとの間に接続され、前記交流電源がオンされたときに前記平滑コンデンサの突入電流を軽減する突入電流制限抵抗を有し、前記主スイッチは、ノーマリオンタイプのスイッチからなり、前記制御手段は、前記交流電源がオンされたときに前記突入電流制限抵抗に発生した電圧により前記主スイッチをオフさせ、前記平滑コンデンサが充電された後、前記主スイッチをオン/オフさせるスイッチング動作を開始させることを特徴とする。
【0030】
請求項11の発明では、前記昇圧リアクトルは、補助巻線をさらに備え、該補助巻線に発生する電圧を前記制御手段に供給する通常動作電源部を有することを特徴とする。
【0031】
請求項12の発明は、前記突入電流制限抵抗に並列に接続された半導体スイッチを有し、前記制御手段は、前記主スイッチのスイッチング動作を開始させた後、前記半導体スイッチをオンさせることを特徴とする。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る力率改善回路の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0033】
(第1の実施の形態)
第1の実施の形態に係る力率改善回路は、主スイッチに直列に可飽和リアクトルを接続し、主スイッチをオン時にZCS(ゼロ電流スイッチ)を行わせることにより、整流ダイオードのリカバリーによる損失を低減させ、電流の変化を緩やかにすることにより、高効率、低ノイズのスイッチング動作を行わせるものである。
【0034】
図1は第1の実施の形態に係る力率改善回路の回路構成図である。図1において、全波整流回路B1は、交流電源Vac1に接続され、交流電源Vac1からの交流電源電圧を整流して正極側出力端P1及び負極側出力端P2に出力する。
【0035】
全波整流回路B1の正極側出力端P1と負極側出力端P2との間には、昇圧リアクトルL1に巻回された昇圧巻線5a(巻数n1)及び巻き上げ巻線5b(巻数n2)とダイオードD1と平滑コンデンサC1と電流検出抵抗R(本発明の電流検出手段に対応)とからなる第1直列回路が接続されている。
【0036】
また、全波整流回路B1の正極側出力端P1と負極側出力端P2との間に接続され、昇圧リアクトルL1の昇圧巻線5aと可飽和リアクトルSL1とMOSFETからなるスイッチQ1(主スイッチ)と電流検出抵抗Rとからなる第2直列回路が接続されている。スイッチQ1の両端にはダイオードD5が並列に接続されている。ダイオードD5はスイッチQ1の寄生ダイオードであってもよい。
【0037】
スイッチQ1と可飽和リアクトルSL1との接続点と平滑コンデンサC1との間にはダイオードD2が接続されている。
【0038】
スイッチQ1は、制御回路10のPWM制御によりオン/オフする。ダイオードD1と平滑コンデンサC1とで整流平滑回路を構成する。平滑コンデンサC1には並列に負荷RLが接続され、平滑コンデンサC1はダイオードD1の整流電圧を平滑して直流出力を負荷RLに出力する。
【0039】
電流検出抵抗Rは、全波整流回路B1に流れる入力電流を検出する。
【0040】
制御回路10は、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113、OSC114、PWMコンパレータ116を有して構成され、図24に示す制御回路100の構成と同一構成であるので、ここでは、その詳細な説明は省略する。
【0041】
図2は第1の実施の形態に係る力率改善回路に設けられた可飽和リアクトルの構造図である。図2に示す可飽和リアクトルSL1は、口の字型のコア(鉄心)20を有し、コア20のB脚20bには、巻線6が巻回されている。コア20のA脚20aには、凹部21が1箇所形成されている。この凹部21により、外周コアの磁路の一部の断面積が他の部分よりも狭くなり、その部分のみが飽和する。この飽和する巻線6を、可飽和リアクトルSL1として使用したときにはコア損失を低減できる。
【0042】
可飽和リアクトルSL1は、コア20の飽和特性を用いている。可飽和リアクトルSL1には、スイッチQ1の電流が流れるため、磁束は、図3に示すB−Hカーブ上のゼロから第1象限の飽和との間を増減する。
【0043】
また、一定の正磁界Hに対して磁束Bが飽和する。磁界Hは電流iの大きさに比例して発生する。凹部21を有した可飽和リアクトルSL1では、B−Hカーブ上を磁束BがBc→Bd→Beと移動する。B−Hカーブ上のBd−Be間は飽和状態である。凹部21を設けることにより、飽和時の磁束が減少し、凹部21以外の部分は飽和しない。従って、損失の上昇も凹部21のみとなり、全体のコア損失は低減する。
【0044】
次にこのように構成された第1の実施の形態に係る力率改善回路の動作を説明する。
【0045】
まず、スイッチQ1をオンさせると、交流電源電圧Viを整流した電圧により、Vac1→B1→5a→SL1→Q1→R→B1→Vac1で電流が流れる。このとき、インピーダンスの高い可飽和リアクトルSL1に電圧が印加されて、スイッチQ1に流れる電流がゼロとなる。そして、スイッチQ1は電流ゼロでオンされる。このため、スイッチQ1はZCS動作となる。
【0046】
次に、可飽和リアクトルSL1が飽和すると、可飽和リアクトルSL1のインピーダンスは略零となるため、可飽和リアクトルSL1の電圧は消失して、昇圧リアクトルL1に電圧が移動する。この電圧により、スイッチQ1に流れる電流は直線的に増加していく。
【0047】
次に、スイッチQ1をオフさせると、昇圧リアクトルL1の昇圧巻線5aに蓄えられたエネルギーにより、5a→5b→D1→C1→R→B1→Vac1→5aで、電流が流れる。このため、平滑コンデンサC1が充電されるとともに、負荷RLに電力が供給される。
【0048】
同様に、可飽和リアクトルSL1に蓄えられたエネルギーによりスイッチQ1の電圧が上昇する。また、可飽和リアクトルSL1に蓄えられたエネルギーにより、SL1→D2→C1→R→B1→Vac1→5a→SL1で電流が流れる。即ち、ダイオードD2を介して可飽和リアクトルSL1に蓄えられたエネルギーを負荷RLに回生する。
【0049】
回生時間(ダイオードD2に電流が流れている時間Tr)は、昇圧リアクトルL1の巻き上げ巻線5bに生じる電圧に依存し、この電圧が高い場合に回生時間が短くなる。したがって、昇圧リアクトルL1の昇圧巻線5aと巻き上げ巻線5bとの接続点、即ちタップの位置が入力側に近いほど(巻き上げ巻線5bの巻数を増やす)、回生時間が短くなる。ただし、この場合、出力電流に対して入力電流が増加し、スイッチQ1のオン幅が減少するので、入力、出力条件により回生時間は、適切な値とする必要がある。
【0050】
次に、回生が完了した時刻において、ダイオードD2の電流がゼロとなり、逆特性が回復した後、再び、スイッチQ1をオンすると、ZCS動作を継続できる。また、制御回路10は、スイッチQ1のオンデューティを、交流電源電圧Viに等しい波形となるように制御するので、昇圧型の力率改善回路を構成できる。
【0051】
このように第1の実施の形態に係る力率改善回路によれば、スイッチQ1に直列に可飽和リアクトルSL1を接続したので、スイッチQ1をオンした時にダイオードリカバリーによるスパイク電流が流れなくなる。このため、ノイズが低減され、ノイズフィルタも小型化されるので、スイッチング電源の小型、高効率化を図ることができる。
【0052】
また、可飽和リアクトルSL1を用いて、スイッチQ1をオン時にZCSを行わせることにより、スイッチング損失及びスイッチングノイズを低減できるので、高効率、低ノイズ化を図ることができる。また、可飽和リアクトルSL1に蓄えられるエネルギーを、負荷RLに回生でき、電力損失を減じて、高効率化できる。
【0053】
(第2の実施の形態)
図4は第2の実施の形態に係る力率改善回路を示す回路構成図である。図4に示す第2の実施の形態に係る力率改善回路は、スイッチQ1をオン時にZCSを行わせ、同時にスナバコンデンサC2の電荷を回収させ、スイッチQ1をオフした時にZVS(ゼロ電圧スイッチ)を行わせることにより、整流ダイオードのリカバリーによる損失を低減させ、電流の変化を緩やかにすることにより、高効率、低ノイズのスイッチング動作を行わせるものである。
【0054】
即ち、スイッチQ1をオフした時にダイオードD3を介してスナバコンデンサC2を充電することにより、スイッチQ1の電圧の立ち上がりを緩やかにしスイッチQ1のオフ時の損失を軽減するとともにノイズの発生も軽減する。また、スイッチQ1をオンした時に、可飽和リアクトルSL1に発生する電圧によりスナバコンデンサC2の電荷を負荷に回生する。
【0055】
このため、図4に示す力率改善回路では、スイッチQ1をオフした時の電圧の立ち上がりを緩やかにするためにスナバコンデンサC2を追加し、スイッチQ1がオン時にスナバコンデンサC2に蓄えられたエネルギーを負荷RLに回生するために可飽和リアクトルSL1にさらに補助巻線6bを設けたことを特徴とする。
【0056】
図4において、可飽和リアクトルSL1は、主巻線6a(巻数n3)と補助巻線6b(巻数n4)とを有し、可飽和リアクトルSL1の主巻線6aは、昇圧リアクトルL1の昇圧巻線5aと巻き上げ巻線5bとの接続点とスイッチQ1の主端子の一端との間に接続される。なお、主巻線6aの巻数n3と補助巻線6bの巻数n4との巻数比は、例えば2:1とするのが好ましい。
【0057】
スイッチQ1に並列に、ダイオードD3とスナバコンデンサC2とからなる第3直列回路が接続されている。ダイオードD3とスナバコンデンサC2との接続点とダイオードD1の一端との間には、ダイオードD4と可飽和リアクトルSL1の補助巻線6bとからなる第4直列回路が接続されている。可飽和リアクトルSL1の主巻線6aとスイッチQ1とダイオードD3のアノードとの接続点と平滑コンデンサC1との間には、ダイオードD2が接続されている。
【0058】
なお、図4に示すその他の構成は図1に示すものと同一構成であり、同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【0059】
図5は可飽和リアクトルと昇圧リアクトルとを一体化したリアクトルの構造図である。図5に示すリアクトルは、日の字型のコア20を有し、このコア20は、A脚20aとB脚20bと中央脚20cとからなる。中央脚20cにはギャップ22が形成され、中央脚20cには巻線5a,5bからなる昇圧リアクトルL1が巻回されている。
【0060】
B脚20bには、巻線6aと巻線6bとが巻回されているとともに、凹部21が1箇所形成されている。この凹部21により、外周コアの磁路の一部の断面積が他の部分よりも狭くなり、その部分のみが飽和する。この飽和する巻線6a,巻線6bを、可飽和リアクトルSL1として兼用することによりコア損失を低減できる。また、昇圧リアクトルL1と可飽和リアクトルSL1とが一体化できるので、力率改善回路を小型化できる。
【0061】
次にこのように構成された第2の実施の形態に係る力率改善回路の動作を図6乃至図9に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。図6は第2の実施の形態に係る力率改善回路の交流電源電圧波形と整流出力電流波形のタイミングチャートである。図7は第2の実施の形態に係る力率改善回路の各部における信号のタイミングチャートである。図8は第2の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ1のターンオン時の各部における信号のタイミングチャートである。図9は第2の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ1のターンオフ時の各部における信号のタイミングチャートである。
【0062】
なお、図6では、交流電源電圧Vi、整流出力電流I0を示している。図7では、図6のA部の詳細を示している。図7乃至図9では、交流電源に流れる入力電流Ii、スイッチQ1の両端間の電圧Q1v、スイッチQ1に流れる電流Q1i、ダイオードD1に流れる電流D1i、ダイオードD2に流れる電流D2iを示している。Q1制御信号Q1gはスイッチQ1のゲートに印加される信号を示している。
【0063】
まず、時刻t2(t21)において、スイッチQ1をオンさせると、交流電源電圧Viを整流した電圧により、Vac1→B1→5a→6a→Q1→R→B1→Vac1で電流が流れる。このため、インピーダンスの高い可飽和リアクトルSL1に電圧が印加されて、スイッチQ1に流れる電流Q1iがゼロとなる。このため、スイッチQ1は電流ゼロでオンされるため、ZCS動作となる。図8からわかるようにスイッチQ1がオンした後、電流が立ち上がり、ZCS動作を達成していることがわかる。
【0064】
また、同時に、可飽和リアクトルSL1が不飽和時には(時刻t21から時刻t22)、可飽和リアクトルSL1の補助巻線6bに電圧が発生する。この補助巻線6bに発生した電圧により、スナバコンデンサC2に蓄えられた電荷は、C2→6b→D4→C1→C2で流れる。このとき、主巻線6a及び補助巻線6b間のリーケージインダクタとスナバコンデンサC2とにより電圧共振が発生するため、この電圧共振により、ダイオードD4に流れる電流D4iは正弦波状に上昇する。また、スナバコンデンサC2の電圧Vc2は、正弦波状に下降して、時刻t22においてゼロとなる。
【0065】
次に、時刻t22において、可飽和リアクトルSL1が飽和すると、可飽和リアクトルSL1のインピーダンスは略零となるため、可飽和リアクトルSL1の電圧は消失して、昇圧リアクトルL1に電圧が移動する。この電圧により、スイッチQ1に流れる電流Q1iは直線的に増加していく。
【0066】
次に、時刻t3(時刻t31)において、スイッチQ1をオフさせると、昇圧リアクトルL1の昇圧巻線5aに蓄えられたエネルギーにより、5a→5b→D1→C1→R→B1→Vac1→5aで、電流D1iが時刻t3から時刻t4まで流れる。このため、平滑コンデンサC1が充電されるとともに、負荷RLに電力が供給される。
【0067】
同時に、時刻t3(時刻t31)において、可飽和リアクトルSL1に蓄えられたエネルギーにより、5a→6a→D3→C2→R→B1→Vac1→B1→5aで、電流が流れる。このため、スナバコンデンサC2が充電され、時刻t31から時刻t32において、スナバコンデンサC2の電圧Vc2がゼロから緩やかに上昇する。また、時刻t31から時刻t32において、スイッチQ1の電圧Q1vもゼロから緩やかに上昇する。このため、スイッチQ1はZVS動作となる。図9からわかるようにスイッチQ1がオフした後、電圧が緩やかに立ち上がり、ZVS動作を達成していることがわかる。
【0068】
次に、スナバコンデンサC2の電圧Vc2(スイッチQ1の電圧Q1vと同じ電圧)が出力電圧(平滑コンデンサC1の電圧)と等しくなった時(時刻t32)に、可飽和リアクトルSL1に蓄えられたエネルギーにより、6a→D2→C1→R→B1→Vac1→5a→6aで電流D2iが流れる。即ち、ダイオードD2を介して可飽和リアクトルSL1に蓄えられたエネルギーを負荷RLに回生する。
【0069】
回生時間(ダイオードD2に電流D2iが流れている時間Tr=t33−t32)は、昇圧リアクトルL1の巻き上げ巻線5bに生じる電圧に依存し、この電圧が高い場合に回生時間が短くなる。
【0070】
次に、前記回生が完了した時刻において、ダイオードD2の電流D2iがゼロとなり、逆特性が回復した後、再び、スイッチQ1をオンすると、ZCS動作を継続できる。また、制御回路10は、スイッチQ1のオンデューティを、交流電源電圧Viに等しい波形となるように制御するので、昇圧型の力率改善回路を構成できる。
【0071】
このように第2の実施の形態に係る力率改善回路によれば、スイッチQ1をオン時にZCSを行わせ、同時にスナバコンデンサC2の電荷を回収させ、スイッチQ1をオフした時にZVSを行わせることにより、整流ダイオードのリカバリーによる損失を低減させ、電流の変化を緩やかにすることにより、高効率、低ノイズのスイッチング動作を行わせることができる。
【0072】
即ち、スイッチQ1をオフした時にダイオードD3を介してスナバコンデンサC2を充電することにより、スイッチQ1の電圧の立ち上がりを緩やかにしスイッチQ1のオフ時の損失を軽減するとともにノイズの発生も軽減することができる。また、スイッチQ1をオンした時に、可飽和リアクトルSL1に発生する電圧によりスナバコンデンサC2の電荷を負荷に回生することができる。
【0073】
(第3の実施の形態)
第3の実施の形態に係る力率改善回路は、第1の実施の形態に係る力率改善回路に対して制御回路10aの構成のみが異なり、交流電源電圧値に応じて主スイッチのスイッチング周波数を変化させ、交流電源電圧の低い部分でのスイッチング周波数を低下又はスイッチング動作を停止させ、交流電源電圧の低い部分の電力損失を低減して、小型、高効率、低ノイズ化したことを特徴とする。
【0074】
(第1実施例)
第1実施例では、交流電源電圧が下限設定電圧以下の場合に主スイッチのスイッチング周波数を下限周波数(例えば20KHz)に設定し、交流電源電圧が上限設定電圧以上の場合に主スイッチのスイッチング周波数を上限周波数(例えば100KHz)に設定し、交流電源電圧が下限設定電圧から上限設定電圧までの範囲の場合に主スイッチのスイッチング周波数を下限周波数から上限周波数まで徐々に変化させることを特徴とする。
【0075】
図10は第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例を示す回路構成図である。図11は第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例の交流電源電圧波形とスイッチング周波数のタイミングチャートである。図11は、交流電源電圧Viがゼロから最大値まで変化した場合に、スイッチQ1のスイッチング周波数fがゼロから例えば100KHzまで変化することを示している。
【0076】
図12では、図11に示すタイミングチャートのA部(交流電源電圧Viが最大値付近)における100KHzのスイッチング波形を示している。図13では、図11に示すタイミングチャートのB部(交流電源電圧Viが低い部分)における20KHzのスイッチング波形を示している。
【0077】
なお、図10に示すその他の構成は、図1に示す構成と同一構成であるので、同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【0078】
制御回路10aは、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113、電圧制御発振器(VCO)115、PWMコンパレータ116を有して構成される。なお、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113及びPWMコンパレータ116は、図1に示すものと同じであるので、それらの説明は省略する。
【0079】
VCO115(本発明の周波数制御手段に対応)は、全波整流回路B1からの全波整流電圧の電圧値に応じてスイッチQ1のスイッチング周波数fを変化させた三角波信号(本発明の周波数制御信号に対応)を生成するもので、全波整流回路B1からの全波整流電圧が増加するに従ってスイッチQ1のスイッチング周波数fが増加する電圧周波数変換特性を有している。
【0080】
図14は第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例に設けられたVCOの詳細な回路構成図である。VCO115において、全波整流回路B1の正極側出力端P1に抵抗R1が接続され、抵抗R1に直列に抵抗R2が接続されている。抵抗R1と抵抗R2との接続点にはツェナーダイオードZDのカソードが接続され、ツェナーダイオードZDのアノードは制御電源EBの正極及びヒステリシスコンパレータ115aの電源端子bに接続されている。抵抗R1と抵抗R2との接続点はヒステリシスコンパレータ115aの入力端子aに接続され、ヒステリシスコンパレータ115aの接地端子cは制御電源EBの負極と抵抗R2の他端に接続されている。ヒステリシスコンパレータ115aの出力端子dはPWMコンパレータ116の一端子に接続されている。ヒステリシスコンパレータ115aは、図16に示すように、入力端子aに印加される電圧Eaが増加するに従ってスイッチQ1のスイッチング周波数fが増加する電圧周波数変換特性CVを有した三角波信号を発生する。
【0081】
図14に示すVCO115では、図11に示す交流電源電圧Viが最大値付近(A部)に達したとき、ツェナーダイオードZDが降伏するので、入力端子aに印加される電圧Eaは、ツェナーダイオードZDの降伏電圧VZと制御電源電圧EBとの合計電圧(VZ+EB)、即ち上限設定電圧に設定される。また、交流電源電圧Viが低い部分(B部)に達したとき、制御電源EBからツェナーダイオードZDを介して抵抗R2に電流が流れるので、入力端子aに印加される電圧Eaは、制御電源電圧EB、即ち下限設定電圧に設定される。さらに、交流電源電圧Viが最大値付近と低い部分までの範囲の場合には、入力端子aに印加される電圧Eaは、合計電圧(VZ+EB)と制御電源電圧EBとの範囲で徐々に変化する。
【0082】
このため、図16に示すように、交流電源電圧Viが下限設定電圧EB以下の場合にスイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12(例えば20KHz)に設定し、交流電源電圧Viが上限設定電圧(VZ+EB)以上の場合にスイッチQ1のスイッチング周波数fを上限周波数f11(例えば100KHz)に設定し、交流電源電圧Viが下限設定電圧EBから上限設定電圧(VZ+EB)までの範囲の場合にスイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12から上限周波数f11まで徐々に変化させるようになっている。
【0083】
PWMコンパレータ116(本発明のパルス幅制御手段に対応)は、VCO115からの三角波信号が−端子に入力され、誤差増幅器113からのフィードバック信号FBが+端子に入力され、図17に示すように、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値未満のときにオフとなるパルス信号を生成し、該パルス信号をスイッチQ1に印加して平滑コンデンサC1の出力電圧を所定電圧に制御する。
【0084】
また、PWMコンパレータ116は、平滑コンデンサC1の出力電圧が基準電圧E1に達して、フィードバック信号FBが低下すると、フィードバック信号FBの値が三角波信号の値以上となるパルスオン幅を短くすることによって、出力電圧を所定電圧に制御する。即ち、パルス幅を制御している。
【0085】
なお、VCO115からの三角波信号の電圧の最大値、最小値は、周波数により変化しない。このため、誤差増幅器113のフィードバック信号FBにより、周波数に関係なく、パルス信号のオン/オフのデューティ比が決定されるようになっている。また、スイッチング周波数fが変わることで、パルス信号のオン幅が変わっても、パルス信号のオン/オフのデューティ比は変わらない。
【0086】
次に、このように構成された第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例の動作を図10乃至図17を参照しながら説明する。ここでは、制御回路10aの動作についてのみ説明する。
【0087】
まず、誤差増幅器111は、平滑コンデンサC1の電圧と基準電圧E1との誤差を増幅して、誤差電圧信号を生成して乗算器112に出力する。乗算器112は、誤差増幅器111からの誤差電圧信号と全波整流回路B1の正極側出力端P1からの全波整流電圧とを乗算して乗算出力電圧を誤差増幅器113の+端子に出力する。
【0088】
次に、誤差増幅器113は、電流検出抵抗R(本発明の電流検出手段に対応)による電圧と乗算出力電圧との誤差を増幅して、誤差電圧信号を生成してこの誤差電圧信号をフィードバック信号FBとしてPWMコンパレータ116に出力する。
【0089】
一方、VCO115は、全波整流回路B1からの全波整流電圧の電圧値に応じてスイッチQ1のスイッチング周波数fが変化した三角波信号を生成する。
【0090】
ここで、図15のタイミングチャートを用いて説明すると、交流電源電圧Viが最大値付近(例えば時刻t2〜t3、時刻t6〜t7)に達したときには、図14に示すツェナーダイオードZDが降伏するので、入力端子aに印加される電圧Eaは、ツェナーダイオードZDの降伏電圧VZと制御電源電圧EBとの合計電圧(VZ+EB)、即ち上限設定電圧に設定される。このため、交流電源電圧Viが上限設定電圧(VZ+EB)以上の場合には、VCO115により、スイッチQ1のスイッチング周波数fは、上限周波数f11(例えば100KHz)に設定される。
【0091】
次に、交流電源電圧Viが低い部分(例えば時刻t0〜t1、時刻t4〜t5)に達したときには、図14に示す制御電源EBからツェナーダイオードZDを介して抵抗R2に電流が流れるので、入力端子aに印加される電圧Eaは、制御電源電圧EB、即ち下限設定電圧に設定される。このため、交流電源電圧Viが下限設定電圧EB以下の場合には、VCO115により、スイッチQ1のスイッチング周波数fは、下限周波数f12(例えば20KHz)に設定される。
【0092】
さらに、交流電源電圧Viが最大値付近と低い部分までの範囲(例えば時刻t1〜t2、時刻t3〜t4、時刻t5〜t6)の場合には、入力端子aに印加される電圧Eaは、合計電圧(VZ+EB)と制御電源電圧EBとの範囲で徐々に変化する。このため、交流電源電圧Viが下限設定電圧EBから上限設定電圧(VZ+EB)までの範囲の場合には、スイッチQ1のスイッチング周波数fは下限周波数f12から上限周波数f11まで徐々に変化する。
【0093】
次に、交流電源電圧Viが最大値付近(例えば時刻t2〜t3、時刻t6〜t7)の場合には、PWMコンパレータ116は、図17に示すように、フィードバック信号FBの値が上限周波数f11を持つ三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が上限周波数f11を持つ三角波信号の値未満のときにオフとなる上限周波数f11を持つパルス信号を生成し、該パルス信号をスイッチQ1に印加する。
【0094】
一方、交流電源電圧Viが低い部分(例えば時刻t0〜t1、時刻t4〜t5)の場合には、PWMコンパレータ116は、図17に示すように、フィードバック信号FBの値が下限周波数f12を持つ三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が下限周波数f12を持つ三角波信号の値未満のときにオフとなる下限周波数f12を持つパルス信号を生成し、該パルス信号をスイッチQ1に印加する。
【0095】
また、交流電源電圧Viが最大値付近と低い部分までの範囲(例えば時刻t1〜t2、時刻t3〜t4、時刻t5〜t6)の場合には、PWMコンパレータ116は、下限周波数f12から上限周波数f11までの範囲で徐々に変化する周波数を持つパルス信号を生成し、該パルス信号をスイッチQ1に印加する。
【0096】
このように、第1実施例によれば、第1の実施の形態に係る力率改善回路の効果が得られるとともに、交流電源電圧Viに応じてスイッチQ1のスイッチング周波数fを変化させ、交流電源電圧Viの低い部分でのスイッチング周波数fを低下させることで、図13に示すように、スイッチQ1のオン時間も長くなり、電流も増加し負荷RLに電力を供給できる。また、スイッチング回数が減少するため、スイッチング損失も低減できる。
【0097】
特に、スイッチQ1のスイッチング周波数fとして例えば100kHzを上限周波数とし、人間の聞こえない周波数、例えば20kHzを下限周波数とし、他の部分を交流電源電圧Viにスイッチング周波数fを比例させたので、スイッチング損失を低減でき、また、可聴周波数以下となり、不快な騒音を発生することもない。
【0098】
また、磁束は電流に比例するため、交流電源電圧Viの最大値の時(電流も最大)に最大周波数とし、他の部分は交流電源電圧Viに比例させて周波数を変化させても、昇圧リアクトルL1の磁束は最大値を上回ることはなく、昇圧リアクトルL1は大型化せず、スイッチング損失を低減できる。
【0099】
また、スイッチQ1のスイッチング周波数fが下限周波数から上限周波数までの範囲に亙るので、発生するノイズも周波数に対して分散するから、ノイズを低減できる。このため、小型、高効率、低ノイズ化できる力率改善回路を提供できる。
【0100】
(第2実施例)
図18は第3の実施の形態に係る力率改善回路の第2実施例の交流電源電圧波形とVCOにより変化するスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【0101】
図15に示す第1実施例では、交流電源電圧Viが低い部分に達したときに、VCO115により、スイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12(例えば20KHz)に設定したが、図18に示す第2実施例では、交流電源電圧Viが低い部分の場合で、下限周波数f12未満では、VCO115により、主スイッチQ1の動作を停止させたことを特徴とする。この停止部分では、入力電流も少ないため、交流電源電流波形の歪みも最低限に抑えられる。
【0102】
(第3実施例)
第3実施例では、交流電源電圧が設定電圧以下の場合に主スイッチのスイッチング周波数を下限周波数(例えば20KHz)に設定し、交流電源電圧が設定電圧を超えた場合に主スイッチのスイッチング周波数を上限周波数(例えば100KHz)に設定したことを特徴とする。
【0103】
図19は第3の実施の形態に係る力率改善回路の第3実施例のVCOの詳細な回路構成図である。図19に示すVCO115Aにおいて、全波整流回路B1の正極側出力端P1に抵抗R1が接続され、抵抗R1に直列に抵抗R2が接続されている。コンパレータ115bは、抵抗R1と抵抗R2との接続点の電圧を+端子に入力し、基準電圧Er1を−端子に入力し、抵抗R1と抵抗R2との接続点の電圧が基準電圧Er1よりも大きいときHレベルをトランジスタTR1のベースに出力する。この場合、基準電圧Er1を前記設定電圧に設定する。
【0104】
トランジスタTR1のエミッタは接地され、トランジスタTR1のコレクタは、抵抗R3を介してトランジスタTR2のベースと抵抗R4の一端と抵抗R5の一端とに接続されている。抵抗R4の他端は電源VBに接続され、抵抗R5の他端は接地されている。トランジスタTR2のエミッタは抵抗R6を介して電源VBに接続され、トランジスタTR2のコレクタはコンデンサCを介して接地されている。
【0105】
コンパレータ115cにヒステリシスを持たせるために、+端子と出力端子との間には、抵抗R9を接続し、+端子は、抵抗R8を介して接地されるとともに、抵抗R10を介して電源VBに接続されている。
【0106】
コンパレータ115cは、コンデンサCの電圧を−端子に入力している。また、コンデンサCの放電に、出力端子からダイオードD及び抵抗R7の直列回路が−端子に接続されている。図20に示すように、交流電源電圧Viが設定電圧以下の場合にスイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12に設定した三角波信号を生成し、交流電源電圧Viが設定電圧を超えた場合にスイッチQ1のスイッチング周波数fを上限周波数f11に設定した三角波信号を生成する。
【0107】
次に、このように構成された第3の実施の形態に係る力率改善回路の第3実施例の動作を図19及び図20を参照しながら説明する。ここでは、VCO115Aの動作についてのみ説明する。
【0108】
まず、VCO115Aは、全波整流回路B1からの全波整流電圧の電圧値に応じてスイッチQ1のスイッチング周波数fが変化した三角波信号を生成する。
【0109】
ここで、図20のタイミングチャートを用いて説明すると、交流電源電圧Viが設定電圧を超えた場合(例えば時刻t2〜t3、時刻t5〜t6)、コンパレータ115bからのHレベルによりトランジスタTR1がオンする。このため、電源VBから抵抗R4及びトランジスタTR2のベースを介して抵抗R3に電流が流れるため、トランジスタTR2のコレクタ電流が増大する。すると、トランジスタTR2のコレクタに流れる電流によりコンデンサCが短時間で充電される。即ち、コンデンサCの電圧Ecが上昇して、この電圧Ecがコンパレータ115cに入力されるため、コンパレータ115cは、スイッチQ1のスイッチング周波数fを上限周波数f11(例えば100KHz)に設定した三角波信号を生成する。
【0110】
一方、交流電源電圧Viが設定電圧以下の場合(例えば時刻t0〜t2、時刻t3〜t5)、コンパレータ115bからHレベルは出力されないため、トランジスタTR1はオフとなる。このため、トランジスタTR2のコレクタ電流が減少するため、コンデンサCの充電時間は長くなる。即ち、コンデンサCの電圧Ecはゆるやかに上昇して、この電圧Ecがコンパレータ115cに入力されるため、コンパレータ115cは、スイッチQ1のスイッチング周波数fを下限周波数f12(例えば20KHz)に設定した三角波信号を生成する。
【0111】
次に、交流電源電圧Viが設定電圧を超えた場合(例えば時刻t2〜t3、時刻t5〜t6)、PWMコンパレータ116は、フィードバック信号FBの値が上限周波数f11を持つ三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が上限周波数f11を持つ三角波信号の値未満のときにオフとなる上限周波数f11を持つパルス信号を生成し、パルス信号をスイッチQ1に印加する。
【0112】
一方、交流電源電圧Viが設定電圧以下の場合(例えば時刻t0〜t2、時刻t3〜t5)、PWMコンパレータ116は、フィードバック信号FBの値が下限周波数f12を持つ三角波信号の値以上のときにオンで、フィードバック信号FBの値が下限周波数f12を持つ三角波信号の値未満のときにオフとなる下限周波数f12を持つパルス信号を生成し、パルス信号をスイッチQ1に印加する。
【0113】
このように第3実施例によれば、交流電源電圧が設定電圧以下の場合にスイッチQ1のスイッチング周波数を下限周波数に設定し、交流電源電圧が設定電圧を超えた場合にスイッチQ1のスイッチング周波数を上限周波数に設定しても、第1実施例の効果とほぼ同等な効果が得られる。
【0114】
なお、第3の実施の形態では、第1の実施の形態の制御回路10を制御回路10aに変更した力率改善回路であるが、本発明は、第3の実施の形態の変形例として、第2の実施の形態の制御回路10を制御回路10aに変更した力率改善回路にも適用できる。
【0115】
(第4の実施の形態)
次に第4の実施の形態に係る力率改善回路を説明する。第1乃至第3の実施の形態に係る力率改善回路では、主スイッチとして、ノーマリオフタイプのMOSFET等を用いた。このノーマリオフタイプのスイッチは、電源がオフ時にオフ状態となるスイッチである。
【0116】
一方、SIT(static induction transistor、静電誘導トランジスタ)等のノーマリオンタイプのスイッチは、電源がオフ時にオン状態となるスイッチである。このノーマリオンタイプのスイッチは、スイッチングスピードが速く、オン抵抗も低くスイッチング電源等の電力変換装置に使用した場合、理想的な素子であり、スイッチング損失を減少させ高効率が期待できる。
【0117】
しかし、ノーマリオンタイプのスイッチング素子にあっては、電源をオンすると、スイッチがオン状態であるため、スイッチが短絡する。このため、ノーマリオンタイプのスイッチを起動できず、特殊な用途以外には使用できない。
【0118】
そこで、第4の実施の形態に係る力率改善回路は、第1の実施の形態に係る力率改善回路の構成を有すると共に、スイッチQ1にノーマリオンタイプのスイッチを使用するために、交流電源オン時に、コンデンサの突入電流を軽減する目的で挿入されている突入電流制限抵抗の電圧降下による電圧を、ノーマリオンタイプのスイッチの逆バイアス電圧に使用し、電源オン時の問題をなくす構成を追加したことを特徴とする。
【0119】
図21は第4の実施の形態に係る力率改善回路を示す回路構成図である。図21に示す力率改善回路は、図1に示す第1の実施の形態に係る力率改善回路の構成を有すると共に、交流電源Vac1から入力される交流電源電圧を全波整流回路B1で整流して、得られた電圧を別の直流電圧に変換して出力するもので、全波整流回路B1の負極側出力端P2と電流検出抵抗Rとの間には、突入電流制限抵抗R1が接続されている。
【0120】
全波整流回路B1の正極側出力端P1には、昇圧リアクトルL1の昇圧巻線5a及び可飽和リアクトルSL1を介してSIT等のノーマリオンタイプのスイッチQ1nが接続され、スイッチQ1nは、制御回路11のPWM制御によりオン/オフする。
【0121】
また、突入電流制限抵抗R1の両端にはスイッチS1が接続されている。このスイッチS1は、例えばノーマリオフタイプのMOSFET,BJT(バイポーラ接合トランジスタ)等の半導体スイッチであり、制御回路11からの短絡信号によりオン制御される。
【0122】
突入電流制限抵抗R1の両端には、コンデンサC6と抵抗R2とダイオードD6とからなる起動電源部12が接続されている。この起動電源部12は、突入電流制限抵抗R1の両端に発生する電圧を取り出し、コンデンサC6の両端電圧をスイッチQ1nのゲートへの逆バイアス電圧として使用するために、制御回路11に出力する。また、平滑コンデンサC1に充電された充電電圧を制御回路11に供給する。
【0123】
制御回路11は、交流電源Vac1をオンしたときに、コンデンサC6から供給された電圧により起動し、制御信号として端子bからスイッチQ1nのゲートに逆バイアス電圧を出力し、スイッチQ1nをオフさせる。この制御信号は、例えば、−15Vと0Vとのパルス信号からなり、−15Vの電圧によりスイッチQ1nがオフし、0Vの電圧によりスイッチQ1nがオンする。
【0124】
制御回路11は、平滑コンデンサC1の充電が完了した後、端子bから制御信号として0Vと−15Vとのパルス信号をスイッチQ1nのゲートに出力し、スイッチQ1nをスイッチング動作させる。制御回路11は、スイッチQ1nをスイッチング動作させた後、所定時間経過後にスイッチS1のゲートに短絡信号を出力し、スイッチS1をオンさせる。
【0125】
また、昇圧リアクトルL1に設けられた補助巻線5dの一端は、スイッチQ1nの一端とコンデンサC7の一端と制御回路11とに接続され、補助巻線5dの他端は、ダイオードD7のカソードに接続され、ダイオードD7のアノードはコンデンサC7の他端及び制御回路11の端子cに接続されている。補助巻線5dとダイオードD7とコンデンサC7とは通常動作電源部13を構成し、この通常動作電源部13は、補助巻線5dで発生した電圧をダイオードD7及びコンデンサC7を介して制御回路11に供給する。
【0126】
なお、制御回路11は、第1の実施の形態の制御回路10の機能も有している。ここでは、図面の複雑化を避けるために、制御回路10を構成している、誤差増幅器111、乗算器112、誤差増幅器113、OSC114、PWMコンパレータ116を省略した。
【0127】
次にこのように構成された第4の実施の形態に係る力率改善回路の動作を図21乃至図23を参照しながら説明する。
【0128】
なお、図23において、Vac1は、交流電源Vac1の交流電源電圧を示し、入力電流は、交流電源Vac1に流れる電流を示し、R1電圧は、突入電流制限抵抗R1に発生する電圧を示し、C1電圧は、平滑コンデンサC1の電圧を示し、C6電圧は、コンデンサC6の電圧を示し、制御信号は、制御回路11の端子bからスイッチQ1nのゲートへ出力される信号を示す。
【0129】
まず、時刻t0において、交流電源Vac1を印加(オン)すると、交流電源Vac1の交流電源電圧は全波整流回路B1で全波整流される。このとき、ノーマリオンタイプのスイッチQ1nは、オン状態であり、スイッチS1は、オフ状態である。このため、全波整流回路B1からの電圧は、平滑コンデンサC1を介して突入電流制限抵抗R1に印加される(図22中の▲1▼)。
【0130】
この突入電流制限抵抗R1に発生した電圧は、ダイオードD6、抵抗R2を介してコンデンサC6に蓄えられる(図22中の▲2▼)。ここで、コンデンサC6の端子f側が例えば零電位となり、コンデンサC6の端子g側が例えば負電位となる。このため、コンデンサC6の電圧は、図23に示すように、負電圧(逆バイアス電圧)となる。このコンデンサC6の負電圧が端子aを介して制御回路11に供給される。
【0131】
そして、コンデンサC6の電圧が、スイッチQ1nのスレッシホールド電圧THLになった時点(図23の時刻t1)で、制御回路11は、端子bから−15Vの制御信号をスイッチQ1nのゲートに出力する(図22中の▲3▼)。このため、スイッチQ1nは、オフ状態となる。
【0132】
すると、全波整流回路B1からの電圧により、平滑コンデンサC1は、充電されて(図22中の▲4▼)、平滑コンデンサC1の電圧が上昇していき、平滑コンデンサC1の充電が完了する。
【0133】
次に、時刻t2において、制御回路11は、スイッチング動作を開始させる。始めに、端子bから0Vの制御信号をスイッチQ1nのゲートに出力する(図22中の▲5▼)。このため、スイッチQ1nは、オン状態となるため、全波整流回路B1の正極側出力端P1から昇圧リアクトルL1の昇圧巻線5a及び可飽和リアクトルSL1を介してスイッチQ1nに電流が流れて(図22中の▲6▼)、昇圧リアクトルL1及び可飽和リアクトルSL1にエネルギーが蓄えられる。
【0134】
また、昇圧リアクトルL1と電磁結合している補助巻線5dにも電圧が発生し、発生した電圧は、ダイオードD7及びコンデンサC7を介して制御回路11に供給される(図22中の▲7▼)。このため、制御回路11が動作を継続することができるので、スイッチQ1nのスイッチング動作を継続して行うことができる。
【0135】
次に、時刻t3において、端子bから−15Vの制御信号をスイッチQ1nのゲートに出力する。このため、時刻t3にスイッチQ1nがオフして、電流D2iがダイオードD2を介して平滑コンデンサC1に流れて負荷RLに電力が供給される。また、昇圧リアクトルL1に蓄えられたエネルギーにより電流D1iがダイオードD1を介して平滑コンデンサC1に流れて負荷RLに電力が供給される。
【0136】
また、時刻t3に制御回路11から短絡信号をスイッチS1に出力すると、スイッチS1がオンして(図22中の▲8▼)、突入電流制限抵抗R1の両端が短絡される。このため、突入電流制限抵抗R1の損失を減ずることができる。
【0137】
なお、時刻t3は、交流電源Vac1をオンしたとき(時刻t0)からの経過時間として設定され、例えば平滑コンデンサC1と突入電流制限抵抗R1との時定数(τ=C1・R1)の約5倍以上の時間に設定される。以後、スイッチQ1nはオン/オフによるスイッチング動作を繰り返す。スイッチQ1nがスイッチング動作を開始した後には、スイッチQ1nは、図1に示す第1の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ1の動作と同様に動作する。
【0138】
このように第4の実施の形態に係る力率改善回路によれば、第1の実施の形態の効果が得られるとともに、制御回路11は、交流電源Vac1がオンされたときに突入電流制限抵抗R1に発生した電圧によりスイッチQ1nをオフさせ、平滑コンデンサC1が充電された後、スイッチQ1nをオン/オフさせるスイッチング動作を開始させるので、電源オン時における問題もなくなる。従って、ノーマリオンタイプの半導体スイッチが使用可能となり、損失の少ない、即ち、高効率な力率改善回路を提供することができる。
【0139】
なお、第4の実施の形態は、第1の実施の形態の構成に図21に示すようなノーマリオン回路を追加したが、例えば、本発明は、第2の実施の形態の構成に図21に示すようなノーマリオン回路を追加してもよく、また、第3の実施の形態の構成に図21に示すようなノーマリオン回路を追加してもよい。
【0140】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、スイッチがオン時にZCS動作となりスイッチがオフ時にZVS動作となりスイッチング損失が低減し、効率が向上する。また、スイッチングノイズも低減し、フィルタを小型化でき、昇圧リアクトルと可飽和リアクトルも一体化できる。これにより、小型、低ノイズ、高効率な昇圧型の力率改善回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態に係る力率改善回路を示す回路構成図である。
【図2】第1の実施の形態に係る力率改善回路に設けられた可飽和リアクトルの構造図である。
【図3】第1の実施の形態に係る力率改善回路に設けられた可飽和リアクトルのB−H特性を示す図である。
【図4】第2の実施の形態に係る力率改善回路を示す回路構成図である。
【図5】可飽和リアクトルと昇圧リアクトルとを一体化したリアクトルの構造図である。
【図6】第2の実施の形態に係る力率改善回路の交流電源電圧波形と整流出力電流波形のタイミングチャートである。
【図7】第2の実施の形態に係る力率改善回路の各部における信号のタイミングチャートである。
【図8】第2の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ1のターンオン時の各部における信号のタイミングチャートである。
【図9】第2の実施の形態に係る力率改善回路のスイッチQ1のターンオフ時の各部ににおける信号のタイミングチャートである。
【図10】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例を示す回路構成図である。
【図11】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例の交流電源電圧波形とスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【図12】図11に示すタイミングチャートのA部における100KHzのスイッチング波形を示す図である。
【図13】図11に示すタイミングチャートのB部における20KHzのスイッチング波形を示す図である。
【図14】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例に設けられたVCOの詳細な回路構成図である。
【図15】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例の交流電源電圧波形とヒステリシスコンパレータに入力される電圧とこの電圧により変化するスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【図16】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例のVCOの特性を示す図である。
【図17】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第1実施例のVCOの周波数の変化に応じてPWMコンパレータのパルス周波数が変化した様子を示す図である。
【図18】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第2実施例の交流電源電圧波形とヒステリシスコンパレータに入力される電圧により変化するスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【図19】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第3実施例のVCOの詳細な回路構成図である。
【図20】第3の実施の形態に係る力率改善回路の第3実施例の交流電源電圧波形とコンデンサの電圧とこの電圧により変化するスイッチング周波数のタイミングチャートである。
【図21】第4の実施の形態に係る力率改善回路を示す回路構成図である。
【図22】第4の実施の形態に係る力率改善回路の動作を説明するための図である。
【図23】第4の実施の形態に係る力率改善回路の各部における信号のタイミングチャートである。
【図24】従来の力率改善回路を示す回路構成図である。
【図25】従来の力率改善回路の各部における信号のタイミングチャートである。
【符号の説明】
Vac1 交流電源
B1 全波整流回路
10,10a,11,100 制御回路
Q1,Q1n スイッチ
RL 負荷
R1〜R10 抵抗
L1 昇圧リアクトル
SL1 可飽和リアクトル
C1 平滑コンデンサ
C2 スナバコンデンサ
C6,C7 コンデンサ
S1 スイッチ
5d L1の補助巻線
12 起動電源部
13 通常動作電源部
D1〜D7 ダイオード
R 電流検出抵抗
111 誤差増幅器
112 乗算器
113 誤差増幅器
114 発振器(OSC)
115 電圧制御発振器(VCO)
115a ヒステリシスコンパレータ
115b,115c コンパレータ
116 PWMコンパレータ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a power factor correction circuit used for a switching power supply with high efficiency, low noise, and high power factor.
[0002]
[Prior art]
FIG. 24 shows a circuit configuration diagram of a conventional power factor correction circuit (Patent Document 1). In the power factor correction circuit shown in FIG. 24, a series circuit including a boost reactor L1, a switch Q1 including a MOSFET, and a current detection resistor R is provided at both ends of the output of the full-wave rectifier circuit B1 that rectifies the AC power supply voltage of the AC power supply Vac1. Is connected. A series circuit composed of a diode D1 and a smoothing capacitor C1 is connected to both ends of the switch Q1, and a load RL is connected to both ends of the smoothing capacitor C1. The switch Q1 is turned on / off by PWM control of the
[0003]
The current detection resistor R detects an input current flowing through the full-wave rectifier circuit B1.
[0004]
The
[0005]
In the
[0006]
In the
[0007]
The
[0008]
That is, the
[0009]
Next, the operation of the power factor correction circuit configured as described above will be described with reference to the timing chart shown in FIG. FIG. 25 shows the voltage Q1v across the switch Q1, the current Q1i flowing through the switch Q1, and the current D1i flowing through the diode D1.
[0010]
First, time t 31 , The switch Q1 is turned on, and the current Q1i flows from the full-wave rectifier circuit B1 to the switch Q1 via the boost reactor L1. This current is the time t 32 It increases linearly over time. Note that time t 31 To time t 32 Then, the current D1i flowing through the diode D1 becomes zero.
[0011]
Next, time t 32 , The switch Q1 changes from the on state to the off state. At this time, the voltage Q1v of the switch Q1 rises due to the excitation energy induced in the boost reactor L1. Also, time t 32 ~ Time t 33 Then, since the switch Q1 is OFF, the current Q1i flowing through the switch Q1 becomes zero. Note that time t 32 To time t 33 Then, the current D1i flows through L1 → D1 → C1, and power is supplied to the load RL.
[0012]
[Patent Document 1]
JP 2000-37072 (FIG. 1)
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the step-up type power factor correction circuit shown in FIG. 24, when the switch Q1 is turned on or off, an overlapping portion of the voltage Q1v of the switch Q1 and the current Q1i occurs, and a large switching loss occurs due to the overlapping portion. was there.
[0014]
Further, when the switch Q1 is turned on (for example, time t 31 , T 33 , T 35 ), A spike current RC due to diode recovery flows in a path of C1 → D1 → Q1. Further, when the switch Q1 is turned off (for example, time t 32 , T 34 , T 36 ) Generates a spike voltage SP due to the inductance of the wiring.
[0015]
During the recovery time, the loss of the switch Q1 increases because the diode D1 is in a short state. Further, since a CR absorber composed of a resistor and a capacitor is added to suppress the spike voltage when the switch Q1 is OFF, the loss due to the CR absorber has also increased.
[0016]
Moreover, the spike voltage and spike current generate noise. In order to reduce this noise, the size of the noise filter is increased, which hinders the reduction in size and efficiency of the switching power supply.
[0017]
An object of the present invention is to provide a power factor correction circuit that enables zero current switching and zero voltage switching of a switch, and that can be reduced in size, efficiency, and noise.
[0018]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration in order to solve the above problems. The invention of
[0021]
[0022]
Claim 3 In the invention, the step-up reactor and the saturable reactor are formed of an integrated reactor wound and integrated on the same core.
[0023]
[0024]
Claim 5 In the invention, the control means performs a zero current switch when the main switch is turned on and a zero voltage switch when the main switch is turned off.
[0025]
Claim 6 In the invention, the control means controls the switching frequency of the main switch according to the AC power supply voltage value of the AC power supply.
[0026]
Claim 7 In the invention, the control means amplifies an error between the output voltage and a reference voltage to generate a first error voltage signal, and a first error voltage of the first error voltage generation means. Multiplication output voltage generating means for multiplying the signal and the rectified voltage of the rectifier circuit to generate a multiplied output voltage; current detection means for detecting an input current flowing through the rectifier circuit; and input detected by the current detection means A second error voltage generation unit configured to amplify an error between a voltage corresponding to the current and a multiplication output voltage of the multiplication output voltage generation unit to generate a second error voltage signal; and the rectification voltage value of the rectifier circuit according to the rectification voltage value Frequency control means for generating a frequency control signal in which the switching frequency of the main switch is changed, and the pulse width is controlled based on the second error voltage signal of the second error voltage generation means and generated by the frequency control means Pulse width control means for generating a pulse signal in which the switching frequency of the main switch is changed according to the frequency control signal, and applying the pulse signal to the main switch to control the output voltage to a predetermined voltage. It is characterized by having.
[0027]
[0028]
Claim 9 In the invention, the control means stops the switching operation of the main switch when the AC power supply voltage is less than the lower limit set voltage.
[0029]
[0030]
[0031]
[0032]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of a power factor correction circuit according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
[0033]
(First embodiment)
In the power factor correction circuit according to the first embodiment, a saturable reactor is connected in series with the main switch, and ZCS (zero current switch) is performed when the main switch is turned on, so that loss due to recovery of the rectifier diode can be reduced. The switching operation with high efficiency and low noise is performed by reducing the current and gradually changing the current.
[0034]
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a power factor correction circuit according to the first embodiment. In FIG. 1, a full-wave rectifier circuit B1 is connected to an AC power supply Vac1, rectifies an AC power supply voltage from the AC power supply Vac1, and outputs it to the positive output terminal P1 and the negative output terminal P2.
[0035]
Between the positive-side output terminal P1 and the negative-side output terminal P2 of the full-wave rectifier circuit B1, a boosting winding 5a (number of turns n1) and a winding winding 5b (number of turns n2) wound around the boosting reactor L1 and a diode A first series circuit comprising D1, a smoothing capacitor C1, and a current detection resistor R (corresponding to the current detection means of the present invention) is connected.
[0036]
The switch Q1 (main switch) is connected between the positive output terminal P1 and the negative output terminal P2 of the full-wave rectifier circuit B1, and includes a boost winding 5a of the boost reactor L1, a saturable reactor SL1, and a MOSFET. A second series circuit comprising a current detection resistor R is connected. A diode D5 is connected in parallel to both ends of the switch Q1. The diode D5 may be a parasitic diode of the switch Q1.
[0037]
A diode D2 is connected between a connection point between the switch Q1 and the saturable reactor SL1 and the smoothing capacitor C1.
[0038]
The switch Q1 is turned on / off by PWM control of the
[0039]
The current detection resistor R detects an input current flowing through the full-wave rectifier circuit B1.
[0040]
The
[0041]
FIG. 2 is a structural diagram of a saturable reactor provided in the power factor correction circuit according to the first embodiment. A saturable reactor SL1 shown in FIG. 2 has a mouth-shaped core (iron core) 20, and a winding 6 is wound around a
[0042]
The saturable reactor SL1 uses the saturation characteristic of the
[0043]
Further, the magnetic flux B is saturated with respect to the constant positive magnetic field H. The magnetic field H is generated in proportion to the magnitude of the current i. In the saturable reactor SL1 having the
[0044]
Next, the operation of the power factor correction circuit according to the first embodiment configured as described above will be described.
[0045]
First, when the switch Q1 is turned on, a current flows in the order of Vac1->B1->5a->SL1->Q1->R->B1-> Vac1 due to the voltage obtained by rectifying the AC power supply voltage Vi. At this time, a voltage is applied to the saturable reactor SL1 having a high impedance, and the current flowing through the switch Q1 becomes zero. The switch Q1 is turned on with zero current. For this reason, the switch Q1 performs a ZCS operation.
[0046]
Next, when the saturable reactor SL1 is saturated, the impedance of the saturable reactor SL1 becomes substantially zero, so the voltage of the saturable reactor SL1 disappears and the voltage moves to the boost reactor L1. With this voltage, the current flowing through the switch Q1 increases linearly.
[0047]
Next, when the switch Q1 is turned off, a current flows in the order of 5a → 5b → D1 → C1 → R → B1
[0048]
Similarly, the voltage of the switch Q1 rises due to the energy stored in the saturable reactor SL1. Further, due to the energy stored in the saturable reactor SL1, a current flows in the order of SL1, D2, C1, R, B1, Vac1, 5a, and SL1. That is, the energy stored in the saturable reactor SL1 via the diode D2 is regenerated to the load RL.
[0049]
The regeneration time (time Tr during which current flows through the diode D2) depends on the voltage generated in the winding 5b of the boost reactor L1, and when this voltage is high, the regeneration time is shortened. Therefore, as the connection point between the boosting winding 5a and the winding winding 5b of the boosting reactor L1, that is, the tap position is closer to the input side (the number of windings of the winding winding 5b is increased), the regeneration time is shortened. However, in this case, since the input current increases with respect to the output current and the on width of the switch Q1 decreases, the regeneration time needs to be an appropriate value depending on the input and output conditions.
[0050]
Next, at the time when regeneration is completed, after the current of the diode D2 becomes zero and the reverse characteristic is restored, the ZCS operation can be continued by turning on the switch Q1 again. Further, since the
[0051]
As described above, according to the power factor correction circuit according to the first embodiment, since the saturable reactor SL1 is connected in series with the switch Q1, the spike current due to diode recovery does not flow when the switch Q1 is turned on. For this reason, noise is reduced and the noise filter is also downsized, so that the switching power supply can be downsized and highly efficient.
[0052]
Further, by using the saturable reactor SL1 to perform ZCS when the switch Q1 is turned on, switching loss and switching noise can be reduced, so that high efficiency and low noise can be achieved. Moreover, the energy stored in the saturable reactor SL1 can be regenerated to the load RL, and the power loss can be reduced to increase the efficiency.
[0053]
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a circuit configuration diagram showing a power factor correction circuit according to the second embodiment. The power factor correction circuit according to the second embodiment shown in FIG. 4 causes ZCS to be performed when the switch Q1 is turned on, simultaneously collects the charge of the snubber capacitor C2, and ZVS (zero voltage switch) when the switch Q1 is turned off. Thus, the loss due to the recovery of the rectifier diode is reduced, and the change in current is moderated, so that the switching operation with high efficiency and low noise is performed.
[0054]
That is, by charging the snubber capacitor C2 through the diode D3 when the switch Q1 is turned off, the rise of the voltage of the switch Q1 is moderated to reduce the loss when the switch Q1 is turned off and the generation of noise is also reduced. Further, when the switch Q1 is turned on, the voltage generated in the saturable reactor SL1 regenerates the electric charge of the snubber capacitor C2 to the load.
[0055]
For this reason, in the power factor correction circuit shown in FIG. 4, a snubber capacitor C2 is added to moderate the rise of the voltage when the switch Q1 is turned off, and the energy stored in the snubber capacitor C2 when the switch Q1 is turned on. The auxiliary winding 6b is further provided in the saturable reactor SL1 to regenerate the load RL.
[0056]
In FIG. 4, the saturable reactor SL1 has a main winding 6a (number of turns n3) and an auxiliary winding 6b (number of turns n4). The main winding 6a of the saturable reactor SL1 is a boosting winding of the boosting reactor L1. The connection point between 5a and the winding 5b is connected between one end of the main terminal of the switch Q1. Note that the turn ratio between the number of turns n3 of the main winding 6a and the number of turns n4 of the auxiliary winding 6b is preferably 2: 1, for example.
[0057]
A third series circuit including a diode D3 and a snubber capacitor C2 is connected in parallel with the switch Q1. A fourth series circuit including a diode D4 and an auxiliary winding 6b of the saturable reactor SL1 is connected between a connection point between the diode D3 and the snubber capacitor C2 and one end of the diode D1. A diode D2 is connected between the connection point of the main winding 6a of the saturable reactor SL1, the switch Q1, and the anode of the diode D3 and the smoothing capacitor C1.
[0058]
The other configuration shown in FIG. 4 is the same as that shown in FIG. 1, and the same reference numerals are given to the same parts, and detailed description thereof is omitted.
[0059]
FIG. 5 is a structural diagram of a reactor in which a saturable reactor and a boost reactor are integrated. The reactor shown in FIG. 5 has a Japanese character-shaped
[0060]
On the
[0061]
Next, the operation of the power factor correction circuit according to the second embodiment configured as described above will be described with reference to timing charts shown in FIGS. FIG. 6 is a timing chart of the AC power supply voltage waveform and the rectified output current waveform of the power factor correction circuit according to the second embodiment. FIG. 7 is a timing chart of signals in each part of the power factor correction circuit according to the second embodiment. FIG. 8 is a timing chart of signals at various parts when the switch Q1 of the power factor correction circuit according to the second embodiment is turned on. FIG. 9 is a timing chart of signals at various parts when the switch Q1 of the power factor correction circuit according to the second embodiment is turned off.
[0062]
In FIG. 6, the AC power supply voltage Vi and the rectified output current I 0 Is shown. In FIG. 7, the detail of the A section of FIG. 6 is shown. 7 to 9 show the input current Ii flowing through the AC power supply, the voltage Q1v across the switch Q1, the current Q1i flowing through the switch Q1, the current D1i flowing through the diode D1, and the current D2i flowing through the diode D2. The Q1 control signal Q1g indicates a signal applied to the gate of the switch Q1.
[0063]
First, time t 2 (T 21 ), When the switch Q1 is turned on, a current flows in the order of Vac1, B1, 5a, 6a, Q1, R, B1, and Vac1 by the voltage obtained by rectifying the AC power supply voltage Vi. For this reason, a voltage is applied to the saturable reactor SL1 having a high impedance, and the current Q1i flowing through the switch Q1 becomes zero. For this reason, since the switch Q1 is turned on with zero current, a ZCS operation is performed. As can be seen from FIG. 8, after the switch Q1 is turned on, the current rises and the ZCS operation is achieved.
[0064]
At the same time, when the saturable reactor SL1 is unsaturated (time t 21 To time t 22 ), A voltage is generated in the auxiliary winding 6b of the saturable reactor SL1. Due to the voltage generated in the auxiliary winding 6b, the electric charge stored in the snubber capacitor C2 flows in the order of C2, 6b, D4, C1, and C2. At this time, voltage resonance is generated by the leakage inductor and the snubber capacitor C2 between the main winding 6a and the auxiliary winding 6b, and the current D4i flowing through the diode D4 rises in a sine wave shape due to this voltage resonance. Further, the voltage Vc of the snubber capacitor C2 2 Falls in a sine wave shape at time t 22 At zero.
[0065]
Next, time t 22 When the saturable reactor SL1 is saturated, the impedance of the saturable reactor SL1 becomes substantially zero, so that the voltage of the saturable reactor SL1 disappears and the voltage moves to the boost reactor L1. With this voltage, the current Q1i flowing through the switch Q1 increases linearly.
[0066]
Next, time t 3 (Time t 31 ), When the switch Q1 is turned off, the current D1i is changed to the time t at 5a → 5b → D1 → C1 → R → B1
[0067]
At the same time, time t 3 (Time t 31 ), The current flows in the order of 5a → 6a → D3 → C2 → R → B1 → Vac1 → B1 → 5a due to the energy stored in the saturable reactor SL1. Therefore, the snubber capacitor C2 is charged and the time t 31 To time t 32 , The voltage Vc of the snubber capacitor C2 2 Rises slowly from zero. Also, time t 31 To time t 32 , The voltage Q1v of the switch Q1 also rises gradually from zero. For this reason, the switch Q1 becomes a ZVS operation. As can be seen from FIG. 9, after the switch Q1 is turned off, the voltage gradually rises and the ZVS operation is achieved.
[0068]
Next, the voltage Vc of the snubber capacitor C2 2 When (the same voltage as the voltage Q1v of the switch Q1) becomes equal to the output voltage (the voltage of the smoothing capacitor C1) (time t 32 ), The current D2i flows in the order of 6a->D2->C1->R->B1->Vac1->5a-> 6a due to the energy stored in the saturable reactor SL1. That is, the energy stored in the saturable reactor SL1 via the diode D2 is regenerated to the load RL.
[0069]
Regeneration time (time Tr = t during which the current D2i flows in the diode D2 33 -T 32 ) Depends on the voltage generated in the winding 5b of the boost reactor L1, and when this voltage is high, the regeneration time is shortened.
[0070]
Next, at the time when the regeneration is completed, after the current D2i of the diode D2 becomes zero and the reverse characteristic is restored, when the switch Q1 is turned on again, the ZCS operation can be continued. Further, since the
[0071]
Thus, according to the power factor correction circuit according to the second embodiment, ZCS is performed when the switch Q1 is turned on, and at the same time, the charge of the snubber capacitor C2 is collected, and ZVS is performed when the switch Q1 is turned off. As a result, the loss due to recovery of the rectifier diode can be reduced, and the change in current can be moderated, whereby a highly efficient and low noise switching operation can be performed.
[0072]
That is, by charging the snubber capacitor C2 through the diode D3 when the switch Q1 is turned off, the rise of the voltage of the switch Q1 can be moderated to reduce the loss when the switch Q1 is turned off and also reduce the generation of noise. it can. Further, when the switch Q1 is turned on, the electric charge of the snubber capacitor C2 can be regenerated to the load by the voltage generated in the saturable reactor SL1.
[0073]
(Third embodiment)
The power factor correction circuit according to the third embodiment differs from the power factor correction circuit according to the first embodiment only in the configuration of the
[0074]
(First embodiment)
In the first embodiment, the switching frequency of the main switch is set to the lower limit frequency (for example, 20 KHz) when the AC power supply voltage is equal to or lower than the lower limit setting voltage, and the switching frequency of the main switch is set to when the AC power supply voltage is higher than the upper limit setting voltage An upper limit frequency (for example, 100 KHz) is set, and when the AC power supply voltage is in the range from the lower limit set voltage to the upper limit set voltage, the switching frequency of the main switch is gradually changed from the lower limit frequency to the upper limit frequency.
[0075]
FIG. 10 is a circuit diagram showing a first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment. FIG. 11 is a timing chart of the AC power supply voltage waveform and the switching frequency in the first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment. FIG. 11 shows that when the AC power supply voltage Vi changes from zero to the maximum value, the switching frequency f of the switch Q1 changes from zero to, for example, 100 KHz.
[0076]
FIG. 12 shows a switching waveform of 100 KHz in the A part (the AC power supply voltage Vi is near the maximum value) of the timing chart shown in FIG. FIG. 13 shows a switching waveform of 20 KHz in the B part (the part where the AC power supply voltage Vi is low) of the timing chart shown in FIG.
[0077]
The other configuration shown in FIG. 10 is the same as the configuration shown in FIG. 1, and therefore, the same parts are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.
[0078]
The
[0079]
The VCO 115 (corresponding to the frequency control means of the present invention) is a triangular wave signal (in the frequency control signal of the present invention) in which the switching frequency f of the switch Q1 is changed according to the voltage value of the full-wave rectified voltage from the full-wave rectifier circuit B1. And has a voltage frequency conversion characteristic in which the switching frequency f of the switch Q1 increases as the full-wave rectified voltage from the full-wave rectifier circuit B1 increases.
[0080]
FIG. 14 is a detailed circuit configuration diagram of the VCO provided in the first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment. In the
[0081]
In the
[0082]
Therefore, as shown in FIG. 16, the AC power supply voltage Vi is set to the lower limit setting voltage E. B In the following cases, the switching frequency f of the switch Q1 is set to the lower limit frequency f. 12 (For example, 20 KHz), and the AC power supply voltage Vi is the upper limit setting voltage (V Z + E B ) In the above case, the switching frequency f of the switch Q1 is set to the upper limit frequency f. 11 (For example, 100 KHz), the AC power supply voltage Vi is the lower limit setting voltage E B To the upper limit setting voltage (V Z + E B ), The switching frequency f of the switch Q1 is set to the lower limit frequency f. 12 To upper limit frequency f 11 Gradually change until.
[0083]
In the PWM comparator 116 (corresponding to the pulse width control means of the present invention), the triangular wave signal from the
[0084]
Further, when the output voltage of the smoothing capacitor C1 reaches the reference voltage E1 and the feedback signal FB decreases, the
[0085]
Note that the maximum value and the minimum value of the voltage of the triangular wave signal from the
[0086]
Next, the operation of the first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS. Here, only the operation of the
[0087]
First, the
[0088]
Next, the
[0089]
On the other hand, the
[0090]
Here, using the timing chart of FIG. 15, the AC power supply voltage Vi is near the maximum value (for example, at time t 2 ~ T 3 , Time t 6 ~ T 7 14), the Zener diode ZD shown in FIG. 14 breaks down, so that the voltage Ea applied to the input terminal a is the breakdown voltage V of the Zener diode ZD. Z And control power supply voltage E B And the total voltage (V Z + E B ), That is, the upper limit set voltage is set. For this reason, the AC power supply voltage Vi is set to the upper limit setting voltage (V Z + E B In the above case, the switching frequency f of the switch Q1 is set to the upper limit frequency f by the
[0091]
Next, a portion where the AC power supply voltage Vi is low (for example, time t 0 ~ T 1 , Time t 4 ~ T 5 ), The control power supply E shown in FIG. B Current flows through the Zener diode ZD to the resistor R2, the voltage Ea applied to the input terminal a is the control power supply voltage E B That is, the lower limit set voltage is set. For this reason, the AC power supply voltage Vi is lower than the lower limit setting voltage E. B In the following cases, the switching frequency f of the switch Q1 is set to the lower limit frequency f by the
[0092]
Furthermore, the range of the AC power supply voltage Vi near the maximum value and the low portion (for example, time t 1 ~ T 2 , Time t 3 ~ T 4 , Time t 5 ~ T 6 ), The voltage Ea applied to the input terminal a is equal to the total voltage (V Z + E B ) And control power supply voltage E B And gradually change in the range. For this reason, the AC power supply voltage Vi is lower than the lower limit setting voltage E. B To the upper limit setting voltage (V Z + E B ), The switching frequency f of the switch Q1 is the lower limit frequency f. 12 To upper limit frequency f 11 It gradually changes until.
[0093]
Next, the AC power supply voltage Vi is near the maximum value (for example, the time t 2 ~ T 3 , Time t 6 ~ T 7 ), The
[0094]
On the other hand, a portion where the AC power supply voltage Vi is low (for example, time t 0 ~ T 1 , Time t 4 ~ T 5 ), The
[0095]
Further, the range of the AC power supply voltage Vi near the maximum value and the low portion (for example, time t 1 ~ T 2 , Time t 3 ~ T 4 , Time t 5 ~ T 6 ), The
[0096]
As described above, according to the first example, the effect of the power factor correction circuit according to the first embodiment can be obtained, and the switching frequency f of the switch Q1 is changed according to the AC power supply voltage Vi, thereby changing the AC power supply. By reducing the switching frequency f in the portion where the voltage Vi is low, as shown in FIG. 13, the on-time of the switch Q1 becomes longer, the current increases, and power can be supplied to the load RL. Further, since the number of times of switching is reduced, the switching loss can be reduced.
[0097]
In particular, as the switching frequency f of the switch Q1, for example, 100 kHz is set as the upper limit frequency, the frequency that cannot be heard by humans, for example, 20 kHz is set as the lower limit frequency, and the switching frequency f is proportional to the AC power supply voltage Vi for other portions. It can be reduced, and the frequency becomes lower than the audible frequency, and no unpleasant noise is generated.
[0098]
Further, since the magnetic flux is proportional to the current, the boosting reactor is set even when the maximum frequency of the AC power supply voltage Vi (the current is also maximum) is set to the maximum frequency and the other portions are changed in proportion to the AC power supply voltage Vi. The magnetic flux of L1 does not exceed the maximum value, and the boost reactor L1 is not increased in size, and the switching loss can be reduced.
[0099]
Further, since the switching frequency f of the switch Q1 is in the range from the lower limit frequency to the upper limit frequency, the generated noise is also dispersed with respect to the frequency, so that the noise can be reduced. Therefore, it is possible to provide a power factor correction circuit that can be reduced in size, efficiency, and noise.
[0100]
(Second embodiment)
FIG. 18 is a timing chart of the AC power supply voltage waveform of the second example of the power factor correction circuit according to the third embodiment and the switching frequency that varies depending on the VCO.
[0101]
In the first embodiment shown in FIG. 15, when the AC power supply voltage Vi reaches a low portion, the
[0102]
(Third embodiment)
In the third embodiment, the switching frequency of the main switch is set to the lower limit frequency (for example, 20 KHz) when the AC power supply voltage is lower than the set voltage, and the switching frequency of the main switch is set to the upper limit when the AC power supply voltage exceeds the set voltage. The frequency is set (for example, 100 KHz).
[0103]
FIG. 19 is a detailed circuit configuration diagram of the VCO of the third example of the power factor correction circuit according to the third embodiment. In the
[0104]
The emitter of the transistor TR1 is grounded, and the collector of the transistor TR1 is connected to the base of the transistor TR2, one end of the resistor R4, and one end of the resistor R5 via the resistor R3. The other end of the resistor R4 is the power source V B And the other end of the resistor R5 is grounded. The emitter of the transistor TR2 is a power source V through a resistor R6. B The collector of the transistor TR2 is grounded via a capacitor C.
[0105]
In order to give hysteresis to the
[0106]
The
[0107]
Next, the operation of the third example of the power factor correction circuit according to the third embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS. Here, only the operation of the
[0108]
First, the
[0109]
Here, using the timing chart of FIG. 20, when the AC power supply voltage Vi exceeds the set voltage (for example, time t 2 ~ T 3 , Time t 5 ~ T 6 ), The transistor TR1 is turned on by the H level from the
[0110]
On the other hand, when the AC power supply voltage Vi is equal to or lower than the set voltage (for example, time t 0 ~ T 2 , Time t 3 ~ T 5 ) Since the H level is not output from the
[0111]
Next, when the AC power supply voltage Vi exceeds the set voltage (for example, time t 2 ~ T 3 , Time t 5 ~ T 6 ), The
[0112]
On the other hand, when the AC power supply voltage Vi is equal to or lower than the set voltage (for example, time t 0 ~ T 2 , Time t 3 ~ T 5 ), The
[0113]
As described above, according to the third embodiment, when the AC power supply voltage is equal to or lower than the set voltage, the switching frequency of the switch Q1 is set to the lower limit frequency, and when the AC power supply voltage exceeds the set voltage, the switching frequency of the switch Q1 is set. Even if the upper limit frequency is set, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
[0114]
In the third embodiment, the power factor correction circuit is obtained by changing the
[0115]
(Fourth embodiment)
Next, a power factor correction circuit according to a fourth embodiment will be described. In the power factor correction circuits according to the first to third embodiments, a normally-off type MOSFET or the like is used as the main switch. This normally-off type switch is a switch that is turned off when the power is turned off.
[0116]
On the other hand, normally-on type switches such as SIT (static induction transistor) are switches that are turned on when the power is turned off. This normally-on type switch has a high switching speed, a low on-resistance, and is an ideal element when used in a power conversion device such as a switching power supply, and can be expected to reduce switching loss and achieve high efficiency.
[0117]
However, in the normally-on type switching element, when the power is turned on, the switch is in an on state, so that the switch is short-circuited. For this reason, normally-on type switches cannot be activated and cannot be used for anything other than special purposes.
[0118]
Therefore, the power factor correction circuit according to the fourth embodiment has the configuration of the power factor correction circuit according to the first embodiment, and uses an normally-on type switch for the switch Q1. Added a configuration that eliminates the power-on problem by using the voltage due to the voltage drop of the inrush current limiting resistor inserted to reduce the inrush current of the capacitor when turning on as the reverse bias voltage of the normally-on type switch. It is characterized by that.
[0119]
FIG. 21 is a circuit configuration diagram showing a power factor correction circuit according to the fourth embodiment. The power factor correction circuit shown in FIG. 21 has the configuration of the power factor correction circuit according to the first embodiment shown in FIG. 1, and rectifies the AC power supply voltage input from the AC power supply Vac1 by the full-wave rectification circuit B1. Then, the obtained voltage is converted into another DC voltage and output, and an inrush current limiting resistor R1 is connected between the negative output terminal P2 of the full-wave rectifier circuit B1 and the current detection resistor R. Has been.
[0120]
A normally-on type switch Q1n such as SIT is connected to the positive-side output terminal P1 of the full-wave rectifier circuit B1 via the boost winding 5a of the boost reactor L1 and the saturable reactor SL1, and the switch Q1n is connected to the
[0121]
A switch S1 is connected to both ends of the inrush current limiting resistor R1. The switch S1 is a semiconductor switch such as a normally-off type MOSFET or BJT (bipolar junction transistor), and is ON-controlled by a short circuit signal from the
[0122]
A starting
[0123]
When the AC power supply Vac1 is turned on, the
[0124]
After the charging of the smoothing capacitor C1 is completed, the
[0125]
One end of the auxiliary winding 5d provided in the boost reactor L1 is connected to one end of the switch Q1n, one end of the capacitor C7, and the
[0126]
The
[0127]
Next, the operation of the power factor correction circuit according to the fourth embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS.
[0128]
In FIG. 23, Vac1 indicates the AC power supply voltage of the AC power supply Vac1, the input current indicates the current flowing through the AC power supply Vac1, the R1 voltage indicates the voltage generated in the inrush current limiting resistor R1, and the C1 voltage Indicates the voltage of the smoothing capacitor C1, the C6 voltage indicates the voltage of the capacitor C6, and the control signal indicates a signal output from the terminal b of the
[0129]
First, time t 0 When the AC power supply Vac1 is applied (turned on), the AC power supply voltage of the AC power supply Vac1 is full-wave rectified by the full-wave rectification circuit B1. At this time, the normally-on type switch Q1n is in the on state, and the switch S1 is in the off state. For this reason, the voltage from the full-wave rectifier circuit B1 is applied to the inrush current limiting resistor R1 through the smoothing capacitor C1 ((1) in FIG. 22).
[0130]
The voltage generated in the inrush current limiting resistor R1 is stored in the capacitor C6 via the diode D6 and the resistor R2 ((2) in FIG. 22). Here, the terminal f side of the capacitor C6 has, for example, a zero potential, and the terminal g side of the capacitor C6 has, for example, a negative potential. For this reason, the voltage of the capacitor C6 becomes a negative voltage (reverse bias voltage) as shown in FIG. The negative voltage of the capacitor C6 is supplied to the
[0131]
Then, when the voltage of the capacitor C6 becomes the threshold voltage THL of the switch Q1n (time t in FIG. 23). 1 ), The
[0132]
Then, the smoothing capacitor C1 is charged by the voltage from the full-wave rectifier circuit B1 ((4) in FIG. 22), the voltage of the smoothing capacitor C1 rises, and the charging of the smoothing capacitor C1 is completed.
[0133]
Next, time t 2 The
[0134]
In addition, a voltage is also generated in the auxiliary winding 5d that is electromagnetically coupled to the boost reactor L1, and the generated voltage is supplied to the
[0135]
Next, time t 3 , A -15V control signal is output from the terminal b to the gate of the switch Q1n. Therefore, time t 3 When the switch Q1n is turned off, the current D2i flows to the smoothing capacitor C1 through the diode D2, and power is supplied to the load RL. Further, the current D1i flows to the smoothing capacitor C1 through the diode D1 by the energy stored in the boost reactor L1, and power is supplied to the load RL.
[0136]
Also, time t 3 When a short circuit signal is output from the
[0137]
Note that time t 3 When the AC power supply Vac1 is turned on (time t 0 For example, a time that is approximately five times or more the time constant (τ = C1 · R1) between the smoothing capacitor C1 and the inrush current limiting resistor R1. Thereafter, the switch Q1n repeats the switching operation by on / off. After the switch Q1n starts the switching operation, the switch Q1n operates in the same manner as the operation of the switch Q1 of the power factor correction circuit according to the first embodiment shown in FIG.
[0138]
As described above, according to the power factor correction circuit according to the fourth embodiment, the effects of the first embodiment can be obtained, and the
[0139]
In the fourth embodiment, a normally-on circuit as shown in FIG. 21 is added to the configuration of the first embodiment. For example, the present invention is not limited to the configuration of the second embodiment shown in FIG. A normally-on circuit as shown in FIG. 21 may be added, or a normally-on circuit as shown in FIG. 21 may be added to the configuration of the third embodiment.
[0140]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when the switch is on, the ZCS operation is performed, and when the switch is off, the ZVS operation is performed, so that the switching loss is reduced and the efficiency is improved. Further, the switching noise can be reduced, the filter can be downsized, and the boost reactor and the saturable reactor can be integrated. As a result, it is possible to provide a step-up power factor correction circuit that is small, low noise, and highly efficient.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing a power factor correction circuit according to a first embodiment.
FIG. 2 is a structural diagram of a saturable reactor provided in the power factor correction circuit according to the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram illustrating a BH characteristic of a saturable reactor provided in the power factor correction circuit according to the first embodiment.
FIG. 4 is a circuit configuration diagram showing a power factor correction circuit according to a second embodiment.
FIG. 5 is a structural diagram of a reactor in which a saturable reactor and a boost reactor are integrated.
FIG. 6 is a timing chart of an AC power supply voltage waveform and a rectified output current waveform of the power factor correction circuit according to the second embodiment.
FIG. 7 is a signal timing chart in each part of the power factor correction circuit according to the second embodiment;
FIG. 8 is a timing chart of signals at various parts when a switch Q1 of the power factor correction circuit according to the second embodiment is turned on.
FIG. 9 is a timing chart of signals at various parts when the switch Q1 of the power factor correction circuit according to the second embodiment is turned off.
FIG. 10 is a circuit configuration diagram showing a first example of a power factor correction circuit according to the third embodiment;
FIG. 11 is a timing chart of an AC power supply voltage waveform and a switching frequency in the first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment.
12 is a diagram showing a switching waveform of 100 KHz in a part A of the timing chart shown in FIG. 11. FIG.
13 is a diagram showing a switching waveform of 20 KHz in a B part of the timing chart shown in FIG. 11. FIG.
FIG. 14 is a detailed circuit configuration diagram of a VCO provided in the first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment;
FIG. 15 is a timing chart of an AC power supply voltage waveform of the first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment, a voltage input to the hysteresis comparator, and a switching frequency that varies depending on the voltage.
FIG. 16 is a diagram showing the VCO characteristics of the first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment;
FIG. 17 is a diagram illustrating a state in which the pulse frequency of the PWM comparator is changed in accordance with the change in the frequency of the VCO in the first example of the power factor correction circuit according to the third embodiment.
FIG. 18 is a timing chart of the switching frequency that varies depending on the AC power supply voltage waveform of the second example of the power factor correction circuit according to the third embodiment and the voltage input to the hysteresis comparator.
FIG. 19 is a detailed circuit configuration diagram of a VCO of a third example of the power factor correction circuit according to the third embodiment;
FIG. 20 is a timing chart of an AC power supply voltage waveform, a capacitor voltage, and a switching frequency that varies depending on the voltage in the third example of the power factor correction circuit according to the third embodiment;
FIG. 21 is a circuit configuration diagram showing a power factor correction circuit according to a fourth embodiment.
FIG. 22 is a diagram for explaining the operation of the power factor correction circuit according to the fourth embodiment;
FIG. 23 is a signal timing chart in each part of the power factor correction circuit according to the fourth embodiment;
FIG. 24 is a circuit configuration diagram showing a conventional power factor correction circuit.
FIG. 25 is a timing chart of signals in each part of a conventional power factor correction circuit.
[Explanation of symbols]
Vac1 AC power supply
B1 Full-wave rectifier circuit
10, 10a, 11, 100 Control circuit
Q1, Q1n switch
RL load
R1-R10 resistance
L1 Boost reactor
SL1 Saturable reactor
C1 smoothing capacitor
C2 snubber capacitor
C6 and C7 capacitors
S1 switch
5d L1 auxiliary winding
12 Start-up power supply
13 Normal operation power supply
D1-D7 diode
R Current detection resistor
111 Error amplifier
112 multiplier
113 Error amplifier
114 Oscillator (OSC)
115 Voltage controlled oscillator (VCO)
115a Hysteresis comparator
115b, 115c comparator
116 PWM comparator
Claims (12)
前記整流回路の一方の出力端と他方の出力端との間に接続され、前記昇圧リアクトルに巻回された昇圧巻線及び巻き上げ巻線と第1ダイオードと平滑コンデンサとからなる第1直列回路と、
前記整流回路の一方の出力端と他方の出力端との間に接続され、前記昇圧リアクトルの昇圧巻線と可飽和リアクトルと前記主スイッチとからなる第2直列回路と、
前記主スイッチと前記可飽和リアクトルとの接続点と前記平滑コンデンサとの間に接続された第2ダイオードと、
前記主スイッチをオン/オフ制御することにより前記平滑コンデンサの出力電圧を所定電圧に制御する制御手段と、
前記主スイッチに並列に接続され、第3ダイオードとスナバコンデンサとからなる第3直列回路とを備え、
前記可飽和リアクトルは、補助巻線をさらに備え、
前記第3ダイオードと前記スナバコンデンサとの接続点と前記第1ダイオードの一端との間に接続され、第4ダイオードと前記可飽和リアクトルの補助巻線とからなる第4直列回路と、
を有することを特徴とする力率改善回路。 A power factor correction circuit that inputs the rectified voltage obtained by rectifying the AC power supply voltage of the AC power supply with a rectifier circuit through a boosting reactor and turns it on / off by the main switch to improve the input power factor and convert it to a DC output voltage. Because
A first series circuit which is connected between one output end of the rectifier circuit and the other output end, and which includes a step-up winding and a winding winding wound around the step-up reactor, a first diode and a smoothing capacitor; ,
A second series circuit connected between one output end of the rectifier circuit and the other output end, and comprising a boost winding of the boost reactor, a saturable reactor, and the main switch;
A second diode connected between a connection point between the main switch and the saturable reactor and the smoothing capacitor;
Control means for controlling the output voltage of the smoothing capacitor to a predetermined voltage by on / off controlling the main switch ;
A third series circuit connected in parallel to the main switch and comprising a third diode and a snubber capacitor;
The saturable reactor further includes an auxiliary winding,
A fourth series circuit connected between a connection point of the third diode and the snubber capacitor and one end of the first diode, and comprising a fourth diode and an auxiliary winding of the saturable reactor;
A power factor correction circuit comprising:
前記出力電圧と基準電圧との誤差を増幅して第1誤差電圧信号を生成する第1誤差電圧生成手段と、 First error voltage generating means for amplifying an error between the output voltage and a reference voltage to generate a first error voltage signal;
この第1誤差電圧生成手段の第1誤差電圧信号と前記整流回路の整流電圧とを乗算して乗算出力電圧を生成する乗算出力電圧生成手段と、 Multiplication output voltage generation means for generating a multiplication output voltage by multiplying the first error voltage signal of the first error voltage generation means and the rectification voltage of the rectifier circuit;
前記整流回路に流れる入力電流を検出する電流検出手段と、 Current detection means for detecting an input current flowing in the rectifier circuit;
この電流検出手段で検出された入力電流に応じた電圧と前記乗算出力電圧生成手段の乗算出力電圧との誤差を増幅して第2誤差電圧信号を生成する第2誤差電圧生成手段と、 Second error voltage generation means for amplifying an error between a voltage corresponding to the input current detected by the current detection means and the multiplication output voltage of the multiplication output voltage generation means to generate a second error voltage signal;
前記整流回路の整流電圧値に応じて前記主スイッチのスイッチング周波数を変化させた周波数制御信号を生成する周波数制御手段と、 Frequency control means for generating a frequency control signal in which the switching frequency of the main switch is changed according to the rectified voltage value of the rectifier circuit;
前記第2誤差電圧生成手段の第2誤差電圧信号に基づきパルス幅を制御し且つ前記周波数制御手段で生成された前記周波数制御信号に応じて前記主スイッチのスイッチング周波数を変化させたパルス信号を生成し、パルス信号を前記主スイッチに印加して前記出力電圧を所定電圧に制御するパルス幅制御手段と、 A pulse width is generated based on the second error voltage signal of the second error voltage generation means, and the switching frequency of the main switch is changed according to the frequency control signal generated by the frequency control means. Pulse width control means for applying a pulse signal to the main switch to control the output voltage to a predetermined voltage;
を有することを特徴とする請求項6記載の力率改善回路。The power factor correction circuit according to claim 6, further comprising:
前記主スイッチは、ノーマリオンタイプのスイッチからなり、 The main switch is a normally-on type switch,
前記制御手段は、前記交流電源がオンされたときに前記突入電流制限抵抗に発生した電圧により前記主スイッチをオフさせ、前記平滑コンデンサが充電された後、前記主スイッチをオン/オフさせるスイッチング動作を開始させることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項記載の力率改善回路。 The control means turns off the main switch by a voltage generated in the inrush current limiting resistor when the AC power source is turned on, and turns on / off the main switch after the smoothing capacitor is charged. 10. The power factor correction circuit according to claim 1, wherein the power factor correction circuit is started.
前記制御手段は、前記主スイッチのスイッチング動作を開始させた後、前記半導体スイッチをオンさせることを特徴とする請求項10又は請求項11記載の力率改善回路。 12. The power factor correction circuit according to claim 10, wherein the control unit turns on the semiconductor switch after starting the switching operation of the main switch.
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