JP4137082B2 - Semiconductor device testing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の試験装置及び試験方法に関し、さらに詳しくは、多種類の信号を入出力するための多数の信号端子を備えた半導体装置を試験するための試験装置及び試験方法に関するものである。 The present invention relates to a test apparatus and test method for a semiconductor device, and more particularly to a test apparatus and test method for testing a semiconductor device having a large number of signal terminals for inputting / outputting various types of signals. is there.
近年、LSIチップの高集積化・多実装化に伴い半導体装置の多ピン化が進み、その端子数は数百ピンに達し、千ピンを超えるような場合もある。例えば、図1(a)に示すように、半導体装置(以下において、単に「IC」とも言う。)1の実装面1aに、例えばハンダボール30がマトリックス状に配列されたボールグリッドアレイ(BGA)型のICにおいては、ハンダボール30即ち端子が、例えば、500ピンを超えるものが製品化されている。ここで、ハンダボール30はそれぞれ電源端子31あるいは入出力信号端子32としての機能を有している。
In recent years, with the increase in integration and mounting of LSI chips, the number of pins of semiconductor devices has increased, and the number of terminals has reached several hundred pins, sometimes exceeding 1,000 pins. For example, as shown in FIG. 1A, a ball grid array (BGA) in which, for example,
このようなICにおける機能試験は、ICを試験ボード上に搭載し、各信号端子を試験信号供給端子に電気的に接続することにより行われるが、IC側の信号端子数が試験ボード上の試験信号供給端子の数を大幅に超過しているため、1個の試験ボードで全ての信号端子を試験することができないという問題を有している。特に、入出力特性等を確認するDC試験(Direct Current Test)では、確実に被測定端子に電気的なコンタクトを必要とするため、大きな問題となっている。 Such a functional test in an IC is performed by mounting the IC on a test board and electrically connecting each signal terminal to a test signal supply terminal, but the number of signal terminals on the IC side is the test on the test board. Since the number of signal supply terminals is greatly exceeded, all the signal terminals cannot be tested with one test board. In particular, in a DC test (Direct Current Test) for confirming input / output characteristics and the like, an electrical contact is surely required for the terminal to be measured, which is a big problem.
なお、上記「DC試験」とは、直流的方法で把握できる現象を測定する試験の総称であり、重要なものにオペレーション電流やスタンバイ電流、基板電流などの電流測定、入出力端子リーク測定、導通試験等がある。このうち、入出力端子リーク試験や導通試験は、直接、被測定端子とコンタクトをとる必要があり、これらの試験端子数がLSIテスタにより一度に試験できる数を超えると、複数回に分けて試験する必要が生じると共に、全ての端子を試験するためには測定冶具等も複数おこさなくてはならなくなるのが実状である。また、DC試験は一時試験(PT)や最終試験(FT)には欠かせない重要な試験であり、AC試験と対を成すものである。そこで、上記のような問題を解決するICの試験方法の一例について、図1から図3を参照して説明する。 The above “DC test” is a general term for tests that measure phenomena that can be grasped by a direct current method. Important things are current measurement such as operation current, standby current, and substrate current, input / output terminal leak measurement, continuity There are tests and the like. Of these, the input / output terminal leak test and continuity test require direct contact with the terminals to be measured. If the number of test terminals exceeds the number that can be tested at once by the LSI tester, the test is divided into multiple tests. In fact, it is necessary to perform a plurality of measuring jigs and the like in order to test all the terminals. The DC test is an important test that is indispensable for the temporary test (PT) and the final test (FT), and is paired with the AC test. An example of an IC test method that solves the above problems will be described with reference to FIGS.
なお、ここでは図1(a)に示したようなIC1の回路機能の試験方法、特に同一機能を有する複数のICを連続して試験する場合について、図2に示すフローチャートを参照して説明する。まず、ステップS21では、図1(b)に示すように、IC1の実装面1a上の電源端子31及び入出力信号端子32を、例えば境界線L1、L2(図中点線)で区画して、便宜的に任意の数の領域R1〜R4を規定する。なお、これらの各領域に含まれる各種の信号端子の数は、それぞれ試験ボード上に設けられた対応する試験信号供給端子の数を超えないように設定される。
Here, a test method of the circuit function of the
また、これらの領域R1〜R4は各々試験対象領域として取り扱われる。ここで、各領域R1〜R4は境界線L1、L2により任意に区画されるため、各領域内の信号端子の配置とその種類は領域毎に異なっている。次いで、IC1を所定の試験ボード上に搭載する。ここで、試験対象となる領域を例えば領域R1とした場合、試験ボードにはこの領域R1に設けられた信号端子の配置及びその種類に対応して試験信号供給端子及び配線が備えられている。 These regions R1 to R4 are each handled as a test target region. Here, since each area | region R1-R4 is arbitrarily divided by the boundary lines L1 and L2, the arrangement | positioning and the kind of the signal terminal in each area | region differ for every area | region. Next, IC1 is mounted on a predetermined test board. Here, when the region to be tested is, for example, region R1, the test board is provided with test signal supply terminals and wirings corresponding to the arrangement and types of signal terminals provided in the region R1.
以下にICの試験ボードへの搭載状態について、図3を参照して詳しく説明する。図3は、図1に示されたIC1を試験ボード2a、2bに搭載したところを、試験ボードの下側から見た場合の透視図である。なお、図1と同等の構成部分には同一の符号を付してその説明を省略する。ステップS22においては、ステップS21で分割し区画した領域のうち図1(b)に示された領域R1が試験対象領域に設定され、ステップS22bでは領域R1用の試験ボード2aが試験装置に装着される。この試験ボード2aは、図3(a)に示されるように、領域R1に備えられた電源端子31及び入出力信号端子32の配置及び種類に応じて試験信号供給端子33が設けられており、ステップS24において、領域R1に備えられた電源端子31及び入出力信号端子32が、配線34により試験ボード2a上の試験信号供給端子33に接続される。なお、ステップS23において、IC1の試験ボード2aへの搭載に先立って、領域R1用の試験プログラムがロードされる。
Hereinafter, the mounting state of the IC on the test board will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 is a perspective view of the
即ち、領域R1における信号端子の配置とその種類に応じて、電源端子31及び入出力信号端子32を対応する試験信号供給端子33に接続するための配線34が成された領域R1専用の試験ボード2aが用いられる。次いで、ステップS25においては、ロードされた領域R1用の試験プログラムに基いて、試験信号供給端子33及び配線34を介して所定の電源電流が電源端子31に、また、入力信号等が所定の入出力信号端子32にそれぞれ印加され、領域R1についての機能試験が行われる。そして、ステップS26では、所定の入出力信号端子32から出力された出力信号により領域R1における機能試験の結果が判定される。ここに於いて、機能が不良であると判定されたICは、ステップS27で不良品として以後の機能試験の対象から除外される。一方、機能が良好であると判定されたICは、試験ボードから離脱され、ステップS28で全てのICの試験が完了したか否かが判断される。
That is, according to the arrangement and type of signal terminals in the region R1, a test board dedicated to the region R1 in which
そして、全てのICの試験が完了していない場合には、ステップS24に戻り、他の未試験のICが同一の試験ボード2a上に搭載されて、ステップS25からステップS26に従って機能試験が繰り返される。一方、領域R1について全てのICの試験が完了した場合には、ステップS29で全領域R1〜R4について機能試験が完了したか否かが判断される。
If all the ICs have not been tested, the process returns to step S24, other untested ICs are mounted on the
ここで、全領域R1〜R4について試験が完了した場合には機能試験を終了する。一方、全領域R1〜R4について試験が完了していない場合には、ステップS22へ戻り、図3(b)に示されるように、例えば次の試験対象領域として領域R2を設定する。そして、ステップS22bで領域R1用の試験ボード2aに代えて領域R2用の試験ボード2bが試験装置に装着され、この領域R2用の試験ボード2bにICを搭載して、領域R2の電源端子31と入出力信号端子32とを配線34により試験信号供給端子33に接続する。そして、領域R2用にロードされた試験プログラムにより、領域R1と同様の機能試験を行う。
Here, when the test is completed for all the regions R1 to R4, the function test is terminated. On the other hand, when the test has not been completed for all the regions R1 to R4, the process returns to step S22, and as shown in FIG. 3B, for example, the region R2 is set as the next test target region. In step S22b, the
このように、ステップS22〜S28の一連の手順が、領域R1から領域R4に対して繰り返し実行される。以上のようにして、従来の多ピン化されたICの機能試験においては、試験対象領域毎に機能試験を繰り返し行うことにより、全ての入出力端子の試験を行っていた。即ち、より具体的には、従来においては試験する半導体装置の信号端子を任意の領域に分割していたため、分割された領域毎に各信号端子の配置と種類が異なっていた。そのため、分割された領域毎に対応する専用の試験ボードを作製し、かつ、各領域毎に対応した専用の試験プログラムを作成しなくてはならず、試験コストが増大していた。 As described above, a series of steps S22 to S28 is repeatedly performed on the region R1 to the region R4. As described above, in the function test of the conventional multi-pin IC, all the input / output terminals are tested by repeatedly performing the function test for each test target area. More specifically, in the prior art, since the signal terminals of the semiconductor device to be tested are divided into arbitrary areas, the arrangement and types of the signal terminals are different for each divided area. Therefore, a dedicated test board corresponding to each divided area has to be produced, and a dedicated test program corresponding to each area has to be created, which increases the test cost.
そしてさらに、分割された領域毎に、試験において使用される試験ボード及び試験プログラムが異なるため、試験対象領域を変更する度に、異なる試験ボードへの乗せ換えや異なる試験プログラムのロードを行わなければならず、試験工程の数が増加するという問題も抱えていた。 Furthermore, since the test board and test program used in the test are different for each divided area, every time the test target area is changed, it is necessary to transfer to a different test board or load a different test program. In addition, there was a problem that the number of test processes increased.
本発明は、上述の問題点を解消するためになされたもので、多数の信号端子を有する半導体装置の機能試験において、その試験工程数及び試験コストの削減を実現するための半導体装置の試験装置及び試験方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and in a functional test of a semiconductor device having a large number of signal terminals, a test apparatus for a semiconductor device for realizing a reduction in the number of test steps and a test cost. And to provide a test method.
本発明の目的は、複数の領域からなる実装面と、非対称な形状を有するパッケージとを備える半導体装置を試験する試験装置であって、前記半導体装置を載置する試験ボードと、前記試験ボード上に形成される複数のボタンスイッチと、を含み、前記複数のボタンスイッチのうち1つは、前記半導体装置を前記試験ボードに載置したときに押圧される位置に配置され、前記半導体装置による押圧に基づき、前記複数の領域のうち試験対象となる領域を特定する信号を出力することを特徴とする試験装置を提供することにより達成される。 An object of the present invention, the mounting surface comprising a plurality of regions, a test apparatus for testing a semiconductor device and a package having a asymmetric shape, and a test board for mounting the semiconductor device, on said test board A plurality of button switches formed, wherein one of the plurality of button switches is disposed at a position to be pressed when the semiconductor device is placed on the test board, and is pressed by the semiconductor device. This is achieved by providing a test apparatus that outputs a signal for specifying a region to be tested among the plurality of regions .
本発明における上記手段によれば、共通の試験ボードと共通の試験プログラムを使って半導体装置の機能試験を行うことができる。これにより、試験対象領域の変更時に該領域に応じて試験ボードを交換したり試験プログラムを新たにロードするという作業を行う必要がなく、半導体装置の順次装着角度を変えて試験ボードに搭載するだけで、全信号端子の良否を簡易に試験でき、試験工程の数及び試験コストの低減を図ることができることとなる。 According to the above means of the present invention, it is possible to perform a function test of a semiconductor device using a common test board and a common test program. This eliminates the need to replace the test board or load a new test program in accordance with the test area when the test target area is changed. Thus, the quality of all signal terminals can be easily tested, and the number of test steps and test costs can be reduced.
本発明によれば、従来より簡易に機能試験を行うことができ、かつ、機能試験を行う際のコストの大幅な低減を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to perform a function test more easily than before, and to significantly reduce the cost when performing the function test.
以下において、本発明の実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
[実施の形態1]
図4は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の実装面における信号端子の配置を示す図である。図4に示されるように、実施の形態1に係る半導体装置(IC)1の実装面においては、試験状態設定(Test Access Port;以下「TAP」とも記す。)端子10a、10b、電源端子(VDD)11a、11b、電源端子(GND)12a、12b、信号入力端子13a、13b、信号出力端子14a、14bが設けられている。
[Embodiment 1]
FIG. 4 is a diagram showing the arrangement of signal terminals on the mounting surface of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, on the mounting surface of the semiconductor device (IC) 1 according to the first embodiment, test state setting (Test Access Port; hereinafter also referred to as “TAP”)
すなわち、図4に示されるように、IC1の実装面を境界線Lによって領域R1,R2に分割すると、実装面上の領域R1内のTAP端子10a、電源端子(VDD)11a、電源端子(GND)12a、信号入力端子13a、信号出力端子14aは、領域R2内のTAP端子10b、電源端子(VDD)11b、電源端子(GND)12b、信号入力端子13b、信号出力端子14bとの間で、IC1の外形中心点15を回転中心として、180度回転移動した場合に実装面上の配置が一致し、かつ、同じ位置にくる端子の種類も一致するように設けられている。即ち、実装面上の端子の配置は、外形中心点15を回転中心として180度の回転対称となっている。
That is, as shown in FIG. 4, when the mounting surface of IC1 is divided into regions R1 and R2 by the boundary line L, the
なお、TAP端子10a、10bは、試験状態制御信号を入力する端子で、領域R1、R2の各領域内に一つずつ設けられ、他の端子と同じように外形中心点15を回転中心として180度回転した時同じ位置になるよう配置されている。次に、本発明の実施の形態1に係る半導体装置に備えられた機能試験回路の構成について、図5を参照して説明する。図5に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置は、TAP端子10a、10bと、TAPコントローラ20aと、スキャン回路23と、領域R1、R2にそれぞれ設けられスキャン回路23から出力される制御信号が入力される入出力端子22a、22bとを有している。なお、TAPコントローラ20aにはテストモードを制御する信号TMSと、テスト用クロック信号TCKとが入力される。
Note that the
そして、スキャン回路23は、TAPコントローラ20aからのクロック信号に基いて、順次入出力端子22a、22bの状態を制御する信号が保持・出力されるフリップフロップ回路21a、21bを有している。このような試験回路を有するICにおいて、試験対象となる領域R1、R2のTAP端子10aあるいはTAP端子10bを介して、試験状態を設定するための制御信号がTAPコントローラ20aに入力されると、試験対象となる領域側の試験回路、例えば領域R1側のみ活性化されて、所定の基準クロックに基いてフリップフロップ回路21aにより各入出力端子22aが順次試験状態に設定され、さらに、他方の非試験対象とされる領域R2の各入出力端子22bについては、内部回路との間に電流経路が生じないような状態、例えば、ハイインピーダンス状態に設定される。
The scan circuit 23 has flip-
また、スキャン回路23により入出力端子22a、22bを介して内部回路に試験信号を印加するスキャンパスの順序についても、二つの領域R1、R2で同じになるように設定されている。図6は、実装面上の任意の領域を試験状態に設定して機能試験を行うための回路をより具体的に示した図である。図6に示されるように、この回路は領域R1に対応して入出力端子22aとバウンダリースキャンレジスタBRaとを備え、領域R2に対応して入出力端子22bとバウンダリースキャンレジスタBRbとを備える。また、テストモードを制御する信号TMSとテスト用クロック信号TCKとが入力される試験制御回路20bを備え、試験制御回路20bとバウンダリースキャンレジスタBRaとの間にはトランスファゲートTG1が、試験制御回路20bとバウンダリースキャンレジスタBRbとの間にはトランスファゲートTG2がそれぞれ備えられる。ここで、トランスファゲートTG1はTAP端子10aに供給された信号により制御され、トランスファゲートTG2はTAP端子10bに供給された信号により制御される。この回路においては、試験制御回路20bからバウンダリースキャンレジスタBRa、BRbへ、テストのための命令信号およびデータ(信号TDI)が供給される。ここで例えば、領域R1が試験対象とされる場合には、TAP端子10aにハイレベルの信号が供給されるためトランスファゲートTG1がオンし、バウンダリースキャンレジスタBRaに信号TDIが伝達される。これにより、領域R1に設けられた入出力端子22aが順次試験状態に設定され、所望の機能試験が行われることになる。一方、この時TAP端子10bにはロウレベルの信号が供給されるため、トランスファゲートTG2はオフし、バウンダリースキャンレジスタBRbに信号TDIは伝達されない。なお、バウンダリースキャンレジスタBRaから出力されたデータなどの信号TDOは、試験制御回路20bに入力される。
Also, the order of scan paths in which the test signal is applied to the internal circuit by the scan circuit 23 via the input /
次に、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の試験方法について、図7に示されるフローチャートを参照しつつ説明する。なお、ここでは特に、同一機能を有する複数のICを連続して試験する場合について説明する。まず最初に、ステップS11では、IC1の実装面上の端子群を例えば境界線Lにより区画して二つの領域R1、R2を規定する。ここで、各領域R1、R2における端子数は、その種類毎に、試験ボードに設けられた試験端子の数を超えないものとされる。 Next, a semiconductor device testing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In particular, a case where a plurality of ICs having the same function are successively tested will be described here. First, in step S11, a terminal group on the mounting surface of IC1 is partitioned by, for example, a boundary line L to define two regions R1 and R2. Here, the number of terminals in each of the regions R1 and R2 does not exceed the number of test terminals provided on the test board for each type.
次に、ステップS12では、試験プログラムがロードされ、ステップS13では、試験対象領域が設定される。そして、ステップS14において、IC1を試験ボード上に搭載する。ここで、試験対象とする領域をいずれの領域に設定していても、実装面上の端子は回転対称に配置されているため、どの領域を試験対象とするかによらず一種類の試験ボードと一つの試験プログラムのみにより、全ての端子についてステップS15における機能試験を行うことができる。 Next, in step S12, a test program is loaded, and in step S13, a test target area is set. In step S14, IC1 is mounted on the test board. Here, regardless of the area to be tested, the terminals on the mounting surface are arranged in a rotationally symmetrical manner, so one type of test board is used regardless of which area is to be tested. With only one test program, the function test in step S15 can be performed for all terminals.
以下において、ICの試験ボードへの搭載状態について、図8を参照して詳しく説明する。図8は、IC1を試験ボード2に搭載した時に、これを試験ボード2の裏側から見た透視図である。図8(a)に示されるように、領域R1を試験対象領域に設定した場合、半導体装置1は、図4に示された領域R1側を図面上方とする向きで試験ボード2に搭載される。そして、領域R1内に設けられた各端子が、試験ボード上の対応する試験端子16に配線17により接続される。
Hereinafter, the mounting state of the IC on the test board will be described in detail with reference to FIG. FIG. 8 is a perspective view of the
次に、ステップS15においては、ロードした全領域共通の試験プログラムに基き、たとえば電源端子(VDD)11aには所定の電源電流が、また、信号入力端子13aには入力信号がそれぞれ試験端子16を介して印加される。そして、ステップS16において、信号出力端子14aから出力される信号により領域R1の機能の良否を判定する。この判定において、不良と判断されたICは、ステップS17において不良品として以後の機能試験の対象から除外される。
Next, in step S15, based on the loaded test program common to all regions, for example, a predetermined power supply current is applied to the power supply terminal (VDD) 11a, and an input signal is applied to the
次いで、試験対象となっていたIC1を試験ボード2から取り外し、次ぎの未試験のICを同一の試験ボード2に搭載して、ステップS14からステップS16に従った機能試験が繰り返される。そして、ステップS18で全てのICに対して領域R1における機能試験が完了したものとされた場合は、ステップS13に戻り、図8(b)に示されるように、次の試験対象領域として領域R2が設定される。次ぎに、ステップS14において共通の試験ボード2に、IC1をその領域R2側を図面の上方にして、すなわちIC1を180度回転させて搭載する。そして、領域R2内の各種端子を配線17により試験端子16に接続して、ステップS15において領域R1の場合と同様な機能試験が行われる。
Next, the
このようにして、ステップS19で全ての領域R1、R2について機能試験が完了したものとされた場合は、機能試験を終了する。このように、本実施の形態1に係る半導体装置とその試験方法によれば、半導体装置の実装面上に信号端子が180度の回転対称となるように設けられ、かつ、半導体装置内部のスキャン回路においてはスキャンパスを通す順序が各領域について同一になるように設定されているため、ICに設けられた端子の数が試験ボードの端子数を超える場合であっても、一つの共通した試験ボード及び試験プログラムを用いて、半導体装置の試験ボードへの搭載角度を180度変えるという簡易な操作により、分割された全ての領域についての機能試験及び全ての入出力端子のDC試験ができ、試験コストを大幅に抑えることができる。そしてさらに、試験工数の削減も図ることができる。 In this way, when it is determined in step S19 that the functional test has been completed for all the regions R1 and R2, the functional test is terminated. As described above, according to the semiconductor device and the test method thereof according to the first embodiment, the signal terminals are provided on the mounting surface of the semiconductor device so as to be 180 degrees rotationally symmetric, and the inside of the semiconductor device is scanned. Since the circuit passes through the scan path in the same order for each area, even if the number of terminals provided in the IC exceeds the number of terminals on the test board, one common test Using the board and test program, a simple operation of changing the mounting angle of the semiconductor device to the test board by 180 degrees enables functional tests for all divided areas and DC tests for all input / output terminals. Costs can be greatly reduced. Further, the number of test steps can be reduced.
[実施の形態2]
図9は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の実装面における信号端子の配置を示す図である。図9に示されるように、実施の形態2に係る半導体装置(IC)1の実装面は、境界線L1、L2によって領域RA〜RDに4分割され、領域RAには試験制御端子9a、電源端子(VDD)11a、電源端子(GND)12a、信号入力端子13a、信号出力端子14aが設けられている。
[Embodiment 2]
FIG. 9 is a diagram showing the arrangement of signal terminals on the mounting surface of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, the mounting surface of the semiconductor device (IC) 1 according to the second embodiment is divided into four regions RA to RD by boundary lines L1 and L2, and the region RA includes a
また、これらの端子は、上記実施の形態1に係る半導体装置の実装面と同様に、IC1の外形中心点15を回転中心として、90度回転移動した場合に回転前後で実装面上の配置が一致し、かつ、同じ位置にくる端子の種類も一致するように設けられている。即ち、実装面上の端子の配置は、外形中心点15を回転中心として90度の回転対称となっている。
In addition, as with the mounting surface of the semiconductor device according to the first embodiment, these terminals are arranged on the mounting surface before and after the rotation when rotated 90 degrees around the outer
図10は、図9に示された半導体装置1が搭載された試験ボード2の構成を示す図である。図10に示されるように、試験ボード2にはIC1の実装面上に設けられた各端子に対応して備えられた端子19bと、試験テスタチャネルと接続されるコネクト端子18bとが備えられており、各々の端子19bとそれらに対応するコネクト端子18bとは配線17bにより接続されている。ここにおいて、試験プログラムに基いた試験信号が試験テスタ(図示していない)からコネクト端子18bに供給され、分割された領域毎に機能試験が実施される。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of the
[実施の形態3]
しかしながら、上記実施の形態1または2に係る半導体装置及びその試験方法においては、以下のような問題がある。
[Embodiment 3]
However, the semiconductor device and the test method thereof according to the first or second embodiment have the following problems.
第一に、上記実施の形態1または2に係る半導体装置は、順次所定の角度回転させて試験ボードに装着することにより、一つの試験プログラムで全ての試験領域を調べることができるので、試験の結果がどの領域のものであるかを区別できず、全ての試験領域について機能試験を行ったか否かについても判別できない。また第二に、実装面上の端子は、外形中心点について回転対称となるように配置されるため、チップ設計時の端子配置に大きな制約が課されるという問題もある。 First, since the semiconductor device according to the first or second embodiment can be sequentially rotated by a predetermined angle and mounted on a test board, all test areas can be examined with one test program. It cannot be distinguished which region the result is, and it cannot be determined whether or not the functional test has been performed for all the test regions. Secondly, since the terminals on the mounting surface are arranged so as to be rotationally symmetric with respect to the center point of the outer shape, there is a problem that a great restriction is imposed on the terminal arrangement at the time of chip design.
そこで、上記第一の問題を解消する半導体装置とその試験方法について、本実施の形態3において説明する。図11は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の実装面における信号端子の配置を示す図である。図11に示されるように、実施の形態3に係る半導体装置(IC)1の実装面は、境界線L1、L2によって領域RA〜RDに分割され、各領域には試験制御端子9a、電源端子(VDD)11a、電源端子(GND)12a、信号入力端子13a、信号出力端子14aが設けられ、かつ、インデックス端子5が備えられる。
Therefore, a semiconductor device and a test method for solving the first problem will be described in the third embodiment. FIG. 11 is a diagram showing the arrangement of signal terminals on the mounting surface of the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 11, the mounting surface of the semiconductor device (IC) 1 according to the third embodiment is divided into regions RA to RD by boundary lines L1 and L2, and each region has a
そして、各領域内の端子は、外形中心点15を回転中心として90度回転移動した場合に実装面上の配置が一致し、かつ、同じ位置にくる端子の種類も一致するように設けられている。即ち、実装面上の端子の配置は、外形中心点15を回転中心として90度の回転対称となっている。ここで、インデックス端子5は、ある領域を他の領域と区別するための領域識別信号を出力する端子で、他の端子と同じように外形中心点15を回転中心として90度回転した時同じ位置にくるよう各領域RA〜RD内に一つずつ配置されている。なお、領域識別信号は分割されたある領域の機能試験の結果が、どの領域のものであるかを認識するためのものである。
The terminals in each region are provided so that the arrangement on the mounting surface matches when rotated 90 degrees with the outer
図12は、領域識別信号生成回路の構成を示す図である。図12に示されるように、この回路は電源ノードNDと、電源ノードNDとインデックス端子5との間に接続された抵抗11Cとを備えるものである。ここで、抵抗11Cの大きさは領域毎に異なるものとされるため、インデックス端子5から出力される領域識別信号の電圧は領域ごとに相違する。従って、領域識別信号の電圧を測定することにより、得られた機能試験の結果がどの領域のものであるかが識別される。
FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of the region identification signal generation circuit. As shown in FIG. 12, this circuit includes a power supply node ND and a resistor 11 </ b> C connected between the power supply node ND and the
図13は、図11に示される半導体装置1を搭載した試験ボード2の構成を示す図である。図13に示されるように、試験ボード2の上には分割された四つの領域RA〜RDのうちの一つの領域RAに含まれた各端子に対応して、電気的コンタクトを得るための端子19bが備えられ、さらに、試験ボード2とテスタチャネル(図示していない)とを接続するためのコネクト端子18が備えられる。そして、端子19bとコネクト端子18とは、配線17bにより接続されている。
FIG. 13 is a diagram showing a configuration of the
このような本実施の形態3に係る半導体装置によれば、上記実施の形態1または2に係る半導体装置と同様な効果を奏するが、さらに、インデックス端子5から出力された領域識別信号により機能試験の対象とされた実装面上の領域を特定することができ、全ての試験領域において機能試験を実施したか否かの判断もすることができるようになる。
According to the semiconductor device according to the third embodiment, the same effect as that of the semiconductor device according to the first or second embodiment is obtained, but further, a function test is performed by the region identification signal output from the
[実施の形態4]
上記実施の形態3に係る半導体装置の実装面上においては、上記のように、インデックス端子5が外形中心点15を対称点として90度の回転対称の位置に配置されているが、必ずしも回転対称の位置に配置される必要はない。そこで以下に、インデックス端子5が、実装面上で非対称に配置されている半導体装置について説明する。
[Embodiment 4]
On the mounting surface of the semiconductor device according to the third embodiment, as described above, the
図14は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の実装面上の端子配置を示す図である。図14に示されるように、実施の形態4に係る半導体装置の実装面上の端子は、上記実施の形態3に係る半導体装置と同様に回転対称となるように配置されるが、インデックス端子5だけは外形中心点15について非対称に配置されている点で相違するものである。すなわち、インデックス端子5については、実装面上の回転対称の位置にある複数の領域RX内に一つずつ設けられるが、それぞれの領域RX内における位置は領域RA〜RDごとに自由に定められる。
FIG. 14 is a diagram showing a terminal arrangement on the mounting surface of the semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 14, the terminals on the mounting surface of the semiconductor device according to the fourth embodiment are arranged so as to be rotationally symmetric as in the semiconductor device according to the third embodiment. The only difference is that the outer
また、図15は、図14に示された半導体装置が搭載された試験ボードの構成を示した図である。なお、図15は図14の領域RAを試験対象としている場合を示している。図15に示されるように、この試験ボードは図13に示された試験ボードと同様な構成を有するが、試験ボード上の領域RXB内にある四つの端子19bが短絡されている点で相違する。従ってこのような試験ボードによれば、半導体装置を90度ずつ回転させて装着することにより実装面上の領域RA〜RDを順次試験してゆくとき、各領域毎に一つずつ設けられたインデックス端子5が、試験ボードの領域RXB内にある四つの端子19bのうちいずれか一つの端子と電気的に接触することとなれば、各領域について同じ試験プログラムによる機能試験を実現することができる。
FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a test board on which the semiconductor device shown in FIG. 14 is mounted. FIG. 15 shows the case where the region RA of FIG. 14 is the test target. As shown in FIG. 15, this test board has the same configuration as the test board shown in FIG. 13, except that the four
なお、上記実施の形態4に係る半導体装置は、インデックス端子5について設計上の自由度を持たせたものであるが、他の端子について設計上の自由度を持たせた半導体装置も同様に考えられる。また、本実施の形態4に係る半導体装置においては、領域RX内にインデックス端子5の代わりに定電位を有する既存の端子を一つずつ備えるものであってもよい。即ち、図16に示されるように、領域RA内の領域RXにはハイレベルに固定された信号出力端子14aが、領域RB内の領域RXには電源端子(VDD)11aが、領域RC内の領域RXにはロウレベルに固定された信号出力端子14aが、領域RD内の領域RXには電源端子(GND)12aがそれぞれ備えられる。ここで、電源端子(VDD)11aの電圧は3.3V、ハイレベルに固定された信号出力端子14aの電圧は2.5V、ロウレベルに固定された信号出力端子14aの電圧は0.4V、電源端子(GND)12aの電圧は0Vとされる。従って、領域RX内にあるこれらの端子の電圧を機能試験時に読み取ることで、試験対象とする領域を識別することができる。
The semiconductor device according to the fourth embodiment has the design freedom for the
なおこの他にも、分割した領域の試験制御に用いられるスキャン回路や分周回路で生成された信号を領域の識別に利用することも考えられる。即ち、たとえば図17に示される既存の分周回路24で生成された信号SAを領域RA内の領域RXに設けた端子に供給し、信号SBを領域RB内の領域RXに設けた端子に供給し、信号SCを領域RC内の領域RXに設けた端子に供給し、信号SDを領域RD内の領域RXに設けた端子に供給することによって、上記と同様な領域の識別が可能となる。
In addition to this, it is also conceivable to use a signal generated by a scan circuit or a frequency dividing circuit used for test control of a divided area for identification of the area. That is, for example, the signal SA generated by the existing
このように、任意の試験領域を試験している時に試験ボードの定められた端子から領域ごとに特有の電気信号が得られれば、領域の識別が可能となる。 As described above, when a specific electrical signal is obtained for each area from a predetermined terminal of the test board when an arbitrary test area is tested, the area can be identified.
[実施の形態5]
上記の実施の形態に係る半導体装置においては、ICチップ内に所定の電圧を有するインデックス端子を設けることによって、分割された領域の識別を可能としたが、このような端子を設ける代わりにICチップやパッケージの形状を利用して領域の識別をすることも考えられる。
[Embodiment 5]
In the semiconductor device according to the above-described embodiment, by providing an index terminal having a predetermined voltage in the IC chip, the divided area can be identified. Instead of providing such a terminal, the IC chip It is also conceivable to identify the region by using the shape of the package.
図18は、パッケージングされた本発明の実施の形態5に係る半導体装置の構成を示す図である。図18に示されるように、この半導体装置のパッケージPKGは、A領域に近接した角だけを残して他の角は全て切り落とされている。そして図19は、図18に示されたパッケージPKGが搭載された試験ボードの構成を示す図である。 FIG. 18 is a diagram showing a configuration of a packaged semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 18, the package PKG of this semiconductor device has all other corners cut off, leaving only the corners close to the A region. FIG. 19 is a diagram showing a configuration of a test board on which the package PKG shown in FIG. 18 is mounted.
図19に示されるように、この試験ボードは図13に示された試験ボードと同様な構成を有するが、搭載されるパッケージPKGの四隅の位置にはスイッチ51aが備えられる。そして、図中Y1―Y2の断面は図20に示され、X1−X2の断面は図21に示される。ここで、図20に示されるように、A領域に近接した角にあるスイッチ51aは、そのボタンスイッチBSがパッケージPKGにより上から押されてオンし、外部入力信号INが試験ボードのコネクト端子18bを介してA領域に供給される。一方、図21に示されるように、D領域に近接した角にあるスイッチ51aは、そのボタンスイッチBSの上にパッケージPKGが載らず上から押されることがないので、オフ状態にあってB領域またはC領域に近接した角にあるスイッチ51aも同様にオフ状態にある。
As shown in FIG. 19, this test board has the same configuration as the test board shown in FIG. 13, but switches 51a are provided at the four corners of the package PKG to be mounted. In FIG. 20, the cross section Y1-Y2 is shown in FIG. 20, and the cross section X1-X2 is shown in FIG. Here, as shown in FIG. 20, the
このようにして、図20に示されたスイッチ51aだけがオンすることによって、A領域の外部入力信号INに対する応答が所定のコネクト端子で測定され、試験対象領域がA領域であるとの識別がなされることとなる。なおここで、外部入力信号INを外部から供給する代わりに、半導体装置内部で用いられる信号を活用することも考えられる。
In this way, when only the
また、上記実施の形態5に係るパッケージPKGは、図18に示されるようにB領域、C領域、D領域のそれぞれに近接した三つの角が切り取られたものであったが、いずれかの領域に近接した一つの角だけを切り取ることによっても、それによりオフするスイッチ51aの位置に応じて試験対象領域を識別することができる。
Further, as shown in FIG. 18, the package PKG according to the fifth embodiment has three corners close to each of the B region, the C region, and the D region. Also by cutting out only one corner close to, it is possible to identify the test target region according to the position of the
[実施の形態6]
本発明の実施の形態6に係る半導体装置は、上記実施の形態3の所で言及した第二の問題、即ち対称性の要求によるチップ設計時の端子配置の大きな制約を解消したものである。ここで図22は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の実装面上における端子配置を示す図である。
[Embodiment 6]
The semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention eliminates the second problem mentioned in the third embodiment, that is, the large limitation of terminal arrangement at the time of chip design due to the requirement of symmetry. FIG. 22 is a diagram showing a terminal arrangement on the mounting surface of the semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention.
図22に示されるように、実装面は境界線Lにより領域RAと領域RBとに分割されるが、各領域RA、RBに含まれる端子の数はいずれも試験ボードで同時に試験できる端子数より少ないものとされる。またこの分割は、各領域RA、RBにインデックス端子5と試験制御端子9aとが少なくとも一つずつ含まれるように設定される。なお、図22に示される半導体装置の実装面に配置された端子の数を種類別に示すと、以下の表1のようになる。
As shown in FIG. 22, the mounting surface is divided into a region RA and a region RB by a boundary line L. The number of terminals included in each region RA and RB is more than the number of terminals that can be simultaneously tested on the test board. There are few things. This division is set so that each of the areas RA and RB includes at least one
表1に示されるように、信号の入力に関してはA領域で合計5つ、B領域で合計6つの端子が存在するが、いずれの領域についても試験ボードによる制限端子数の6以内とされている。以下、信号の出力と電源端子(VDD及びGND)についても同様であることがわかる。なお、図22では領域RAと領域RBとはそれぞれ一続きの領域をなしているが、領域RAまたは領域RBは離散した複数の領域の集合からなるものであっても良い。
As shown in Table 1, there are a total of 5 terminals in the A area and 6 terminals in the B area in terms of signal input, but all areas are within 6 of the limit number of terminals by the test board. . Hereinafter, it is understood that the same applies to the signal output and the power supply terminals (VDD and GND). In FIG. 22, the region RA and the region RB each form a continuous region, but the region RA or the region RB may be composed of a set of a plurality of discrete regions.
図23は図22に示された半導体装置が搭載された従来のA領域試験用ソケットSAの構成を示す図であり、図24は図22に示された半導体装置が搭載された従来のB領域試験用ソケットSBの構成を示す図である。図23及び図24に示されるように、A領域及びB領域試験用ソケットSA、SBにはそれぞれ、半導体装置1の実装面上の端子とコンタクトするための端子63b、63cと、試験ボード(図示していない)とコンタクトするための端子64b、64cとを備え、端子63b、63cと端子64b、64cとは配線65b、65cにより接続される。
FIG. 23 is a diagram showing a configuration of a conventional A region test socket SA on which the semiconductor device shown in FIG. 22 is mounted, and FIG. 24 is a conventional B region on which the semiconductor device shown in FIG. 22 is mounted. It is a figure which shows the structure of test socket SB. As shown in FIG. 23 and FIG. 24, the A region and B region test sockets SA and SB each have
ここで図23と図24とを比較すると、試験ボードとコンタクトする端子64b、64cに接続される半導体装置の端子の種類が異なるため、A領域とB領域とについて機能試験の為の試験プログラムをそれぞれ別個に用意する必要がある。これに対し、図25は本発明の実施の形態6に係るA領域試験用ソケットSAの構成を示し、図26は同じくB領域試験用ソケットSBの構成を示す図である。
Here, comparing FIG. 23 with FIG. 24, since the types of terminals of the semiconductor devices connected to the
ここで図25に示されるA領域試験用ソケットSAは、図23に示されるA領域試験用ソケットSAと同様な構成を有するが、ダミー端子66bが備えられる点で相違する。これは、表1にも示されるようにA領域ではB領域より信号を入力する為の端子が一つ少ないので、その数をそろえる為である。従ってここでは、領域RB内の信号入力端子13aがダミー端子66bとして用いられている。
Here, the A-area test socket SA shown in FIG. 25 has the same configuration as the A-area test socket SA shown in FIG. 23, but is different in that a
また、図26に示されるB領域試験用ソケットSBは、図24に示されるB領域試験用ソケットSBと同様な構成を有するが、ダミー端子66cが備えられる点で相違する。これは、表1にも示されるようにB領域ではA領域より信号を出力する為の端子と電源端子(VDD)とがそれぞれ一つずつ少ないので、それらの数をそろえる為である。従ってここでは、領域RA内の信号出力端子14aと電源端子(VDD)11aとがダミー端子66cとして用いられている。
Further, the B area test socket SB shown in FIG. 26 has the same configuration as the B area test socket SB shown in FIG. 24, but is different in that a
このように、A領域試験用ソケットとB領域試験用ソケットとでダミー端子をそれぞれ設けることにより、双方のソケット上において試験ボードとコンタクトする端子64b、64cの種類とその配置が同一とされる。すなわち、図23に示された従来のA領域試験用ソケットを試験ボードに搭載した場合の構成は図27に示され、図24に示された従来のB領域試験用ソケットを試験ボードに搭載した場合の構成は図28に示されるが、これらの図を比較すると、試験ボード2と試験テスタチャネル(図示していない)との接続関係は、試験対象とする領域によって異なっていることがわかる。従って、従来においては分割した領域毎の試験用ソケットを作成し、同時に分割した領域毎の試験プログラムも作成する必要があった。
Thus, by providing dummy terminals in the A region test socket and the B region test socket, the types and arrangement of the
これに対し、図29は、図25に示されたA領域試験用ソケットSAまたは図26に示されたB領域試験用ソケットSBが搭載された試験ボード2の構成を示す図である。図29に示されるように、本実施の形態6にかかる試験方法によれば、A領域を試験対象とする場合でもB領域を試験対象とする場合でも、試験用ソケットを載せ変えるだけで、試験ボード2と試験テスタチャネルとの接続関係を維持することができるので、一つの試験プログラムで全ての領域について機能試験を実施できる。
On the other hand, FIG. 29 is a diagram showing a configuration of the
以下において、本発明の実施の形態6に係る試験方法について、図30のフローチャートを参照して説明する。まず、ステップS101では、図22に示すように半導体装置1の実装面上の各端子を、例えば境界線Lにより区画して領域A,Bを規定する。なお、各領域A,Bに含まれる端子数は、試験ボードに設けられた端子数を超えないものとされる。
Hereinafter, a test method according to Embodiment 6 of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step S101, as shown in FIG. 22, each terminal on the mounting surface of the
次に、ステップS102で、試験ボードを試験装置に装着する。なお、試験対象を領域A又は領域Bのいずれにする場合であっても、試験ボードとコンタクトするソケットの端子は、図25と図26に示されるように、その配置と種類について不変であるので、同一の試験プログラムで機能試験が実施できる。従って、ステップS103では、試験装置において領域Aと領域Bとに共通の試験プログラムがロードされる。 Next, in step S102, the test board is mounted on the test apparatus. Note that, regardless of whether the test object is the region A or the region B, the terminal of the socket to be in contact with the test board is invariable with respect to its arrangement and type as shown in FIGS. Functional tests can be performed with the same test program. Therefore, in step S103, a common test program is loaded into the area A and the area B in the test apparatus.
次に、ステップS104で、試験対象とする領域を設定する。以下においては、領域Aを初めに試験対象とする場合について説明する。そして、この場合にはステップS105で、図25に示されたA領域試験用ソケットSAが図29に示されるように試験ボードに装着される。そして次ぎのステップS106では、半導体装置をソケットSAを介して試験ボードに搭載する。なお、この状態において、A領域内の各端子が試験ボード上の端子と接続される。 Next, in step S104, an area to be tested is set. In the following, the case where the region A is first tested will be described. In this case, in step S105, the A region test socket SA shown in FIG. 25 is mounted on the test board as shown in FIG. In the next step S106, the semiconductor device is mounted on the test board via the socket SA. In this state, each terminal in area A is connected to a terminal on the test board.
ここにおいて、ステップS107では、上記試験プログラムに基いて試験ボード上の端子からソケットSAを介して、半導体装置の各端子に電源電圧などの各種信号が供給され、A領域についての機能試験が行われる。そして、ステップS108では、半導体装置のA領域から出力される信号により、A領域について半導体装置が良品であるか否かが判断される。 Here, in step S107, various signals such as a power supply voltage are supplied from the terminals on the test board to each terminal of the semiconductor device via the socket SA based on the test program, and a function test for the A region is performed. . In step S108, it is determined whether or not the semiconductor device is non-defective for the A region based on the signal output from the A region of the semiconductor device.
その結果、A領域が不良であると判断された場合は、ステップS109で、試験対象としている半導体装置を不良品として以後の機能試験の対象から除外する。一方、A領域について良品であると判断された場合は、ステップS110で全領域の機能試験が完了しているか否かが判断される。そして、ここではB領域の機能試験がまだ完了していないのでステップS104にもどり、半導体装置1がソケットSAと共に試験ボードから取り外されて、試験対象として新たに領域Bが設定される。
As a result, when it is determined that the area A is defective, in step S109, the semiconductor device to be tested is excluded as a defective product from subsequent functional test targets. On the other hand, if it is determined that the area A is a non-defective product, it is determined in step S110 whether the functional test for all areas has been completed. Here, since the functional test of the B area is not yet completed, the process returns to step S104, the
次に、ステップS105でB領域試験用ソケットSBが試験ボードに装着される。以下A領域の場合と同様にして、B領域について機能試験が実施される。ここで、一般に半導体装置の試験ボードに対する載せ替えは自動ハンドラーで行われていることから、この自動ハンドラーによってA領域試験用ソケットSAをB領域試験用ソケットSBへ載せ替えることとする。 Next, in step S105, the B region test socket SB is mounted on the test board. In the same manner as in the case of the A region, the functional test is performed on the B region. Here, since the automatic mounting of the semiconductor device to the test board is generally performed by the automatic handler, the A area test socket SA is replaced with the B area test socket SB by the automatic handler.
このようにして、全ての試験対象領域について機能試験を終えるまでステップS104からステップS110までを繰り返す。そして、ステップS110で全試験領域の試験が完了したものと判断された場合は、ステップS111で全ての半導体装置について機能試験が行われたか否かが判断され、未試験の半導体装置が残っている場合は次ぎの半導体装置の機能試験に移り、ステップS104に戻る。一方、ステップS111で全半導体装置について機能試験が完了したものと判断された場合は機能試験を終了する。 In this way, steps S104 to S110 are repeated until the functional test is completed for all the test target regions. If it is determined in step S110 that all the test areas have been tested, it is determined in step S111 whether or not a function test has been performed on all semiconductor devices, and untested semiconductor devices remain. In this case, the process proceeds to the next function test of the semiconductor device, and returns to step S104. On the other hand, if it is determined in step S111 that the function test has been completed for all semiconductor devices, the function test is terminated.
なお、上記の試験方法では、ある半導体装置についてその全試験対象領域における機能試験が終了した後に、初めて次ぎの半導体装置の機能試験が行われることになる。従って、一つの試験領域についての試験が完了する度に必要とされるソケットの載せ替えが、時間的あるいはコスト的な負担を招来する場合には、図31のフローチャートに示される方法で試験することも考えられる。 In the above-described test method, after the functional test in all the test target regions is completed for a certain semiconductor device, the next functional test of the semiconductor device is performed for the first time. Therefore, if the socket replacement required every time a test for one test area is completed causes a time or cost burden, test using the method shown in the flowchart of FIG. Is also possible.
即ち、図31に示される試験方法は、機能試験によって一つの領域について良否を判定するステップS208までは上記の試験方法と同様であるが、以下の点で異なるものである。ステップS208である領域について良品であると判断された場合には、その半導体装置がソケットから取り外されると共に、ステップS210で全ての半導体装置について機能試験が完了したか否かが判断され、未試験の半導体装置がある場合にはステップS206に戻って次ぎの新たな半導体装置が同じソケットに搭載される。このようにして、全ての半導体装置についてステップS206からステップS210までが繰り返されることにより、複数ある試験対象領域のうちの一つの領域について機能試験が完了される。 That is, the test method shown in FIG. 31 is the same as the above-described test method up to step S208 for determining pass / fail for one region by the function test, but differs in the following points. If it is determined that the region in step S208 is non-defective, the semiconductor device is removed from the socket, and in step S210, it is determined whether or not the function test has been completed for all the semiconductor devices. If there is a semiconductor device, the process returns to step S206, and the next new semiconductor device is mounted in the same socket. In this way, by repeating steps S206 to S210 for all the semiconductor devices, the functional test is completed for one of a plurality of test target regions.
そして次に、ステップS211で全領域についての機能試験が完了したか否かが判断され、未試験の領域が残っている場合にはステップS204に戻り新たな試験対象領域が設定される。これにより、試験ボード上のソケットがステップS205で新たな試験対象領域に対応したソケットに交換され、全半導体装置についてステップS206からステップS210が繰り返される。このようにして、ステップS211で全領域の機能試験が完了したと判断されると、機能試験を終了する。 Next, in step S211, it is determined whether or not the functional test for all areas has been completed. If an untested area remains, the process returns to step S204 to set a new test target area. As a result, the socket on the test board is replaced with the socket corresponding to the new test target area in step S205, and steps S206 to S210 are repeated for all semiconductor devices. In this way, when it is determined in step S211 that the functional test for all areas has been completed, the functional test is terminated.
ここで、図31に示された試験方法を図30に示された試験方法と比較すると、試験用ソケットの交換頻度が極めて少なくなるという利点はあるが、試験すべき全ての半導体装置の最後の試験対象領域の機能試験が行われるまで半導体装置の全試験領域を考慮した良品確認ができないという不利な点がある。従って、ソケット交換の自動化が可能な場合は、図30に示された試験方法を実施することが望ましい。 Here, when the test method shown in FIG. 31 is compared with the test method shown in FIG. 30, there is an advantage that the replacement frequency of the test socket is extremely low. There is a disadvantage that it is not possible to confirm non-defective products in consideration of the entire test area of the semiconductor device until the functional test of the test target area is performed. Therefore, when the socket replacement can be automated, it is desirable to carry out the test method shown in FIG.
しかしながら、図30あるいは図31に示されたいずれの試験方法においても、図2に示される従来の試験方法、即ち、複数の試験プログラムにより複数の試験ボードを用いて機能試験を行なう方法と比較すると、図25あるいは図26に示されたソケットを用いることで、単一の試験ボードと単一の試験プログラムで試験ボードに設けられた端子数を超えるような多ピン化された半導体装置の機能試験を行うことが可能となる。そして特に、ソケットの交換についても半導体装置の載せ替え同様に自動で交換することとすると、図30に示された試験方法により全試験領域を考慮しての良品判定が飛躍的に早くできるようになり、不良解析などへのフィードバックの向上を実現することができる。 However, in any of the test methods shown in FIG. 30 or FIG. 31, compared with the conventional test method shown in FIG. 2, that is, a method of performing a functional test using a plurality of test boards by a plurality of test programs. By using the socket shown in FIG. 25 or FIG. 26, the function test of the multi-pinned semiconductor device exceeding the number of terminals provided on the test board with a single test board and a single test program. Can be performed. In particular, if the socket is automatically replaced in the same manner as the replacement of the semiconductor device, the non-defective product determination can be made dramatically in consideration of all the test areas by the test method shown in FIG. Therefore, it is possible to improve feedback to failure analysis and the like.
なお、これまでの説明においては、PGA(Pin Grid Array Package)タイプやBGA(Ball Grid Array Package)タイプのパッケージについて行ったが、他のタイプのパッケージについても本発明が適用可能であることは言うまでもない。 In the above description, the PGA (Pin Grid Array Package) type and BGA (Ball Grid Array Package) type packages have been described, but it goes without saying that the present invention can be applied to other types of packages. Yes.
1 半導体装置(IC)
1a 実装面
2、2a、2b 試験ボード
9a 試験制御端子
10a、10b TAP端子
11a、11b 電源端子(VDD)
12a、12b 電源端子(GND)
13a、13b 信号入力端子
14a、14b 信号出力端子
15 外形中心点
16 試験端子
17、17b、34、65b、65c 配線
18b コネクト端子
19b、64b、64c 端子
20a TAPコントローラ
20b 試験制御回路
21a、21b フリップフロップ回路
22a、22b 入出力端子
23 スキャン回路
24 分周回路
30 ハンダボール
31 電源端子
32 入出力信号端子
33 試験信号供給端子
63b、63c ソケット側端子
66b ダミー端子
BRa、BRb バウンダリースキャンレジスタ
TG1、TG2 トランスファゲート
1 Semiconductor device (IC)
12a, 12b Power supply terminal (GND)
13a, 13b
Claims (3)
前記半導体装置を載置する試験ボードと、
前記試験ボード上に形成される複数のボタンスイッチと、を含み、
前記複数のボタンスイッチのうち1つは、前記半導体装置を前記試験ボードに載置したときに押圧される位置に配置され、前記半導体装置による押圧に基づき、前記複数の領域のうち試験対象となる領域を特定する信号を出力することを特徴とする試験装置。 A mounting surface comprising a plurality of regions, a test apparatus for testing a semiconductor device and a package having a asymmetric shape,
A test board for mounting the semiconductor device;
A plurality of button switches formed on the test board,
One of the plurality of button switches is disposed at a position to be pressed when the semiconductor device is placed on the test board, and is a test target in the plurality of regions based on the pressing by the semiconductor device. A test apparatus for outputting a signal for specifying a region .
前記ボタンスイッチからの信号に基づき、前記試験対象とする領域に外部入力信号を供給するコネクト端子を含むことを特徴とする試験装置。A test apparatus comprising: a connect terminal for supplying an external input signal to the area to be tested based on a signal from the button switch.
前記試験ボードに載置される前記半導体装置の向きに応じて、前記半導体装置により押圧されるボタンスイッチが異なることを特徴とする試験装置。2. A test apparatus according to claim 1, wherein a button switch pressed by the semiconductor device is different depending on an orientation of the semiconductor device placed on the test board.
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