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JP4119412B2 - 集積回路装置及びその試験方法 - Google Patents

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JP4119412B2 JP2004278100A JP2004278100A JP4119412B2 JP 4119412 B2 JP4119412 B2 JP 4119412B2 JP 2004278100 A JP2004278100 A JP 2004278100A JP 2004278100 A JP2004278100 A JP 2004278100A JP 4119412 B2 JP4119412 B2 JP 4119412B2
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Description

この発明は、集積回路装置及びその試験方法に関するものであり、例えば不揮発性の半導体記憶装置の1つであるTC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリ及びその試験方法に関するものである。
近年、不揮発性の半導体記憶装置の1つである強誘電体メモリとして、TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリが注目されている。TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリは、セルトランジスタ(T)のソースとドレインとの間に強誘電体キャパシタ(C)の下部電極と上部電極とをそれぞれ接続し、これをユニットセル(メモリセル)とし、このユニットセルが複数直列に接続された構成をもつ。
TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいては、以下のような疲労試験が行われている。図22に、TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおける疲労試験の概要を示す。このTC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリは、8個のユニットセルを直列接続したユニットブロック(メモリセルブロック)を備えている。
ここでは、強誘電体キャパシタC1の疲労試験として、強誘電体キャパシタC1の両端に交互にストレス電圧を印加する場合を示している。各信号の状態は、このユニットブロックを選択するブロック選択信号BSが“ハイレベル(以下、Hと記す)”、ワード線WL0、WL2〜WL7に供給される電圧が“H”、ワード線WL1に供給される電圧が“ローレベル(以下、Lと記す)”の状態で、ビット線BLとプレート線PLとの間にそれぞれストレス電圧を印加している。すなわち、ビット線BLに“H”または“L”の電圧を供給し、プレート線PLにはビット線と異なる“L”または“H”の電圧を供給する。
ワード線WL0、WL2〜WL7の電圧が“H”であるため、セルトランジスタT0、T2〜T7がオンして、強誘電体キャパシタC0、C2〜C7の両端は短絡している。このため、強誘電体キャパシタC0、C2〜C7の各々の両端は、同電位でありストレス電圧がかかっていない。試験対象となる強誘電体キャパシタC1は、ワード線WLの電圧が“L”であり、セルトランジスタT1がオフしている。このため、強誘電体キャパシタC1の一方のノードbにはビット線BLの電圧が印加され、他方のノードcにはプレート線PLの電圧が印加された状態となる。この状態で、ビット線BLの電圧とプレート線PLの電圧を、交互に“H”と“L”に切り換える。これにより、試験対象となる強誘電体キャパシタC1の両端に印加される高電圧と低電圧の方向が入れ替わり、疲労試験が実行される(例えば、特許文献1参照)。
前述した従来の試験方法では、アクティブサイクル中はアドレスがラッチされ、試験対象のユニットセルが固定されているため、比較的寄生容量の大きなビット線BLやプレート線PLの電圧を変化させる必要がある。例えば、記憶容量が32MビットのTC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリでは、ユニットセルが直列に接続された構成を持たない強誘電体メモリに比べて、プレート線PLの容量が大きく削減されている。しかし、それでもプレート線PLは数100fF程度の容量をもつ。さらに、ビット線BLも200〜300fF程度の容量をもっている。このような比較的寄生容量の大きいプレート線PL及びビット線BLの充放電には時間がかかるため、加速試験で高電圧を与える試験では電圧を設定する時間が長くなり、試験時間が非常に長くなってしまう。例えば、図22に示した試験方法を用いた疲労試験では、プレート線PLとビット線BLの充放電、及び強誘電体キャパシタの分極反転に、約600〜700fFの電荷が必要となる。プレート線PL及びビット線BLにおける1回の電圧変化の時間を約1μsとして、10の10乗回のストレス電圧を印加する疲労試験を行った場合、1つのサンプルの疲労試験に要する時間は約24時間となる。
特開2002−313100号公報
この発明は、TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリのメモリセルが含む強誘電体キャパシタにストレス電圧を与える試験において、試験時間を短縮することができるTC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリを有する集積回路装置及びその試験方法を提供する。
この発明の一実施形態によれば、ワード線がゲートに接続されたセルトランジスタと、前記セルトランジスタのソースとドレインとの間に一端と他端の電極がそれぞれ接続された強誘電体キャパシタとを有するメモリセルを備え、前記メモリセルが複数個直列に接続されたメモリセルブロックと、前記メモリセルブロック内の複数個のメモリセルが含む前記セルトランジスタに接続された複数のワード線を、アクティブサイクル期間中にアドレス信号に基づいて順次選択するワード線選択回路と、前記ワード線選択回路により前記セルトランジスタに接続された複数の前記ワード線が順次選択されている期間、前記メモリセルブロック内の複数個直列に接続された前記メモリセルが含む前記セルトランジスタが形成する電流通路の一端と他端との間に一定電圧を印加する駆動回路とを具備し、前記ワード線選択回路は、前記ワード線を選択する際、前記アドレス信号に基づいて選択されるワード線と直前に選択されていたワード線とを一定期間重複して選択することを特徴とする集積回路装置が提供される。
この発明の他の実施形態によれば、ワード線がゲートに接続されたセルトランジスタと、前記セルトランジスタのソースとドレインとの間に一端と他端の電極がそれぞれ接続された強誘電体キャパシタとを有するメモリセルを備え、前記メモリセルが複数個直列に接続されたメモリセルブロックを備えた集積回路装置の試験方法において、前記メモリセルブロック内の第1メモリセルが含む第1セルトランジスタをオフ状態にすると共に、前記第1メモリセル以外のメモリセルが含むセルトランジスタをオン状態にするステップと、前記第1セルトランジスタに隣接する第2セルトランジスタをオフ状態にし、前記第1セルトランジスタと前記第2セルトランジスタとを一定期間重複してオフ状態するステップと、前記第1セルトランジスタと前記第2セルトランジスタとを一定期間重複してオフ状態にした後、前記第1セルトランジスタをオン状態にするステップと、前記第1セルトランジスタをオフ状態にしてから、前記第1セルトランジスタをオン状態にするまでの期間、前記メモリセルブロック内の複数個直列に接続された前記メモリセルが含む前記セルトランジスタが形成する電流通路の一端と他端との間に一定電圧を印加するステップとを具備することを特徴とする集積回路装置の試験方法が提供される。
この発明によれば、TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリのメモリセルが含む強誘電体キャパシタにストレス電圧を与える試験において、試験時間を短縮することができるTC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリを有する集積回路装置及びその試験方法を提供できる。
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
[第1の実施の形態]
まず、この発明の第1の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリについて説明する。
図1は、第1の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリの構成を示すブロック図である。この強誘電体メモリは、図1に示すように、制御回路11、テスト回路12、第1ロウアドレスバッファ回路13、第2ロウアドレスバッファ回路14、ワード線選択回路15、デコーダ及び駆動回路16、カラムアドレスバッファ回路17、カラム選択回路及びセンスアンプ18、及びメモリセルアレイ19から構成されている。
メモリセルアレイ19は、以下のような構成を有している。セルトランジスタのソースに強誘電体キャパシタの一端の電極が接続され、前記セルトランジスタのドレインに前記強誘電体キャパシタの他端の電極が接続されてユニットセル(メモリセル)が形成される。ユニットセルは、セルトランジスタのソースまたはドレインにて複数個直列に接続されてユニットブロック(メモリセルブロック)が形成されている。ここでは、ユニットセルが8個直列に接続されてユニットブロックが形成されているものとする。さらに、このユニットブロックが複数配置されてメモリセルアレイ19を形成している。
制御回路11は、テスト回路12、第1ロウアドレスバッファ回路13、第2ロウアドレスバッファ回路14、カラムアドレスバッファ回路17、デコーダ及び駆動回路16、カラム選択回路及びセンスアンプ18の各々の動作を制御する。例えば、制御回路11は、外部から入力される、チップイネーブル信号/CE、アウトプットイネーブル信号/OE、及びライトイネーブル信号/WEなどの信号に応じて、この強誘電体メモリを特定のテストモードに設定するためのテストエントリー信号TENTをテスト回路12へ出力する。ここでは、特定のテストモードとして、メモリセルが含む強誘電体キャパシタにストレス電圧を与える疲労試験の動作モードに設定するものとする。
テスト回路12は、制御回路11からテストエントリー信号TENTを受け取り、このテストエントリー信号TENTに従って、疲労試験の実行を指示するためのストレステスト信号STESTを、制御回路11、第2ロウアドレスバッファ回路14、ワード線選択回路15、デコーダ及び駆動回路16、及びカラム選択回路及びセンスアンプ18へ出力する。
制御回路11は、ストレステスト信号STESTを受け取り、疲労試験時に、プレート線PLの電圧を設定するテスト信号TWEをデコーダ及び駆動回路16へ出力し、またビット線BLの電圧を設定するテスト信号TOEをカラム選択回路及びセンスアンプ18へ出力する。制御回路11は、またアドレス信号のラッチを初期化するラッチ初期化信号RINT、アドレス信号のラッチ状態を制御するアドレスラッチ信号RAT、このアドレスラッチ信号RATの反転信号であるアドレスラッチ信号BRATを、第1ロウアドレスバッファ回路13、第2ロウアドレスバッファ回路14、及びカラムアドレスバッファ回路17へ出力する。
第1ロウアドレスバッファ回路13には、外部から入力されるロウアドレス信号RAdd(A0、A1、…、A9)のうちのA3−A9と、前述したようにラッチ初期化信号RINT、アドレスラッチ信号RAT、BRATが入力される。ロウアドレス信号RAdd(A3−A9)は、メモリセルアレイ19内の特定のユニットブロックを指定する。第1ロウアドレスバッファ回路13は、ロウアドレス信号RAdd(A3−A9)をラッチした後、ロウアドレス信号ARi、BARi(i=3、4、…、9)をデコーダ及び駆動回路16へ出力する。
第2ロウアドレスバッファ回路14は、ロウアドレス信号RAddをラッチしないノンラッチ機能を持つ。第2ロウアドレスバッファ回路14には、ロウアドレス信号RAdd(A0−A2)が入力される。ロウアドレス信号RAdd(A0−A2)は、ユニットブロック内の特定のワード線を指定する。第2ロウアドレスバッファ回路14は、ストレステスト信号STESTにより疲労試験の実行が指示されたとき、ロウアドレス信号RAddをラッチせずに、ロウアドレス信号RAddに対応したロウアドレス信号ARi、BARi(i=0、1、2)をワード線選択回路15へ出力する。
ワード線選択回路15は、ロウアドレス信号ARi、BARi(i=0、1、2)に応じてワード線を選択し、ワード線を選択するワード線駆動信号WLDi(i=0、1、…、7)を、デコーダ及び駆動回路16へ出力する。さらに、ワード線選択回路15は、ストレステスト時、選択するワード線を切り換えるときに、ワード線を非選択状態(“H”状態)にするときのタイミングを、通常動作時に比べて一定時間遅くなるように設定する。すなわち、ワード線選択回路15は、疲労試験時と通常動作時におけるワード線の駆動タイミングを変えて、疲労試験時におけるワード線の切り換え時に全てのセルトランジスタがオン状態にならないように、一定期間、複数のワード線を同時に選択状態(“L”状態)に設定する。
デコーダ及び駆動回路16は、ワード線駆動信号WLDi(i=0、1、…、7)に基づいてワード線WL0〜WL7を駆動する。デコーダ及び駆動回路16は、また、第1ロウアドレスバッファ回路13からロウアドレス信号ARi、BARi(i=3、4、…、9)を受け取り、これらロウアドレス信号ARi、BARiをデコードしてブロック選択線BS、プレート線PLを駆動する。
また、カラムアドレスバッファ回路17には、外部よりカラムアドレス信号CAdd(A10、…)が入力され、また制御回路11からはラッチ初期化信号RINT、アドレスラッチ信号RAT、BRATが入力される。これらの入力により、カラムアドレスバッファ回路17は、カラムアドレス信号CAddをラッチした後、カラムアドレス信号ACkと、このカラムアドレス信号ACkの反転信号であるカラムアドレス信号BACkをカラム選択回路及びセンスアンプ18へ出力する。カラム選択回路及びセンスアンプ18は、カラムアドレス信号ACk、BACk、ストレステスト信号STEST、テスト信号TOE、及びビット線入力電圧VBLに基づいてビット線BLを駆動する。
以下に、制御回路11、第1ロウアドレスバッファ回路13、第2ロウアドレスバッファ回路14、ワード線選択回路15、デコーダ及び駆動回路16の回路構成の一例について説明する。
図2(a)、図2(b)、図2(c)は、制御回路11の構成を示す回路図である。この制御回路11は、図2(a)に示すチップイネーブル信号バッファ部、図2(b)に示すアウトプットイネーブル信号バッファ部、及び図2(c)に示すライトイネーブル信号バッファ部を含む。
チップイネーブル信号バッファ部では、図2(a)に示すように、外部からチップイネーブル信号/CEが入力され、ラッチ初期化信号RINT、及びアドレスラッチ信号RAT、BRATが出力される。アウトプットイネーブル信号バッファ部では、図2(b)に示すように、外部入力のアウトプットイネーブル信号/OE、さらに前記ラッチ初期化信号RINT、ストレステスト信号STESTが入力され、内部信号OE、テスト信号TOEが出力される。ライトイネーブル信号バッファ部では、図2(c)に示すように、外部からライトイネーブル信号/WE、ラッチ初期化信号RINT、ストレステスト信号STESTが入力され、内部信号WE、テスト信号TWEが出力される。
図3は、第1ロウアドレスバッファ回路13及びカラムアドレスバッファ回路17の構成を示す回路図である。
第1ロウアドレスバッファ回路13には、前述したように、ロウアドレス信号RAdd(A3−A9)と、ラッチ初期化信号RINT、アドレスラッチ信号RAT、BRATが入力される。第1ロウアドレスバッファ回路13は、ロウアドレス信号RAdd(A3−A9)に基づいてロウアドレス信号ARi、BARi(i=3、4、…、9)を出力する。
カラムアドレスバッファ回路17には、カラムアドレス信号CAdd(A10、…)と、ラッチ初期化信号RINT、アドレスラッチ信号RAT、BRATが入力される。カラムアドレスバッファ回路17は、カラムアドレス信号CAdd(A10、…)に基づいてユニットブロックのビット線の選択を指示するカラムアドレス信号ACk、BACkを出力する。
第1ロウアドレスバッファ回路13及びカラムアドレスバッファ回路17は、ラッチ初期化信号RINTが“H”のときに活性化され、アドレスラッチ信号RATが“L”で、アドレスラッチ信号BRATが“H”のとき、ロウアドレス信号RAdd(またはカラムアドレス信号CAdd)をラッチしない非ラッチ状態となる。これにより、ロウアドレス信号RAdd(またはカラムアドレス信号CAdd)に応じたロウアドレス信号ARi、BARi(またはカラムアドレス信号ACk、BACk)が出力される。また、アドレスラッチ信号RATが“H”で、アドレスラッチ信号BRATが“L”のとき、ロウアドレス信号RAdd(またはカラムアドレス信号CAdd)をラッチするラッチ状態となり、アドレスラッチ信号RATが“L”から“H”になったときの状態がラッチされる。
図4は、第2ロウアドレスバッファ回路14の構成を示す回路図である。この第2ロウアドレスバッファ回路14は、図3に示した第1ロウアドレスバッファ回路(ノーマルバッファ部14A)に、ノンラッチバッファ部14Bと、切り換え部14Cを追加した構成を有している。ノーマルバッファ部14Aは、図3に示した第1ロウアドレスバッファ回路13の構成と同様である。ノンラッチバッファ部14Bは、ストレステスト信号STESTが“H”のときに活性化され、ロウアドレス信号RAddに応じたロウアドレス信号ARi、BARi(i=0、1、2)を出力する。切り換え部14Cは、ノーマルバッファ部14Aの出力とノンラッチバッファ部14Bの出力とを切り換える働きをしている。通常動作時、すなわちストレステスト信号STESTが“L”のとき、ノーマルバッファ部14Aの出力をロウアドレス信号ARi、BARi(i=0、1、2)として出力し、疲労試験時、すなわちストレステスト信号STESTが“H”のとき、ノンラッチバッファ部14Bに出力をロウアドレス信号ARi、BARiとして出力する。なお、前述したように、第2ロウアドレスバッファ回路14には8本のワード線を選択するロウアドレス信号A0−A2が入力され、第1ロウアドレスバッファ回路13にはロウアドレス信号A3−A9が入力されている。
第2ロウアドレスバッファ回路14では、通常動作時に、ストレステスト信号STESTが“L”となり、アドレスラッチ信号RAT、BRATによりラッチされたロウアドレス信号ARi、BARi(i=0、1、2)が出力される。疲労試験時には、ストレステスト信号STESTが“H”となり、アドレスラッチ信号RAT、BRATの状態にかかわらず、ロウアドレス信号RAddに対応したアドレス信号ARi、BARiが出力される。
図5は、ワード線選択回路15の構成を示す回路図である。図5に示すワード線選択回路15には、ロウアドレス信号ARi、BARi(i=0、1、2)として、A0/BA0、A1/BA1、A2/BA2が入力される。ワード線選択回路15は、ロウアドレス信号に基づいてワード線を選択するワード線駆動信号WLDiを、デコーダ及び駆動回路16へ出力する。さらに、ワード線選択回路15は、ストレステスト信号STESTが“H”のとき、すなわち疲労試験時に、ワード線駆動信号WLDiを遅延させる遅延回路15Aを備えている。これにより、ワード線選択回路15では、通常の読み出しや書き込み動作時におけるワード線の選択タイミングと比べて、選択状態にあったワード線が“L”から“H”へ立ち上がるタイミングが一定時間遅くなるように設定されている。
また、図6(a)〜図6(d)にデコーダ及び駆動回路16の回路構成を示す。デコーダ及び駆動回路16には、ロウアドレス信号ARi、BARi(i=3、4、…、9)、ワード線駆動信号WLDi(i=0、1、…、7)、ストレステスト信号STEST、テスト信号TWE、ブロック選択駆動信号BSDRV、プレート線駆動信号PLDRVが入力される。これにより、デコーダ及び駆動回路16は、ブロック選択線BS、ワード線WL、及びプレート線PLに駆動信号を出力する。
次に、図7を参照して第1の実施形態における強誘電体メモリの動作の概要を説明する。図7は、第1の実施形態の強誘電体メモリの動作の概要を示す図である。この図7は、TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおける1つのユニットブロックとストレス電圧の印加状態を示している。
セルトランジスタT0のソース及びドレインに、強誘電体キャパシタC0の一端及び他端の電極がそれぞれ接続され、ユニットセルが形成されている。同様に、セルトランジスタT1〜T7のソース及びドレインに、強誘電体キャパシタC1〜C7の一端及び他端の電極がそれぞれ接続され、ユニットセルがそれぞれ形成されている。これらユニットセルがソースまたはドレインにて8個直列に接続されて、ユニットブロックが形成されている。さらに、セルトランジスタT0〜T7のゲートには、ワード線WL0〜WL7がそれぞれ接続されている。
セルトランジスタT0及び強誘電体キャパシタC0からなるユニットセルは、ブロック選択トランジスタTbを介してビット線BLに接続されている。ブロック選択トランジスタTbのゲートには、ブロック選択信号BSが入力される。ブロック選択トランジスタTbは、ブロック選択線BSによりこのユニットブロックを選択あるいは非選択の状態に設定する。さらに、セルトランジスタT7及び強誘電体キャパシタC7からなるユニットセルは、プレート線PLに接続されている。
まず、ブロック選択線BSを“H”として、ブロック選択トランジスタTbをオン状態にし、ユニットブロックを選択する。また、試験対象のユニットセルに接続されたワード線WL0を“L”として、セルトランジスタT0をオフ状態(選択状態)にする。さらに、残りのワード線WL1〜WL7を“H”として、セルトランジスタT1〜T7をオン状態(非選択状態)にする。この状態で、プレート線PLとビット線BLとの間にストレス電圧を印加する。すなわち、ビット線BLを高電圧(例えば“H”)とし、プレート線PLを低電圧(例えば“L”)とする。
前述したように、ワード線WL0が“L”になると、セルトランジスタT0がオフとなり、強誘電体キャパシタC0の両端は開放される。ここで、ビット線BLに“H”を印加し、プレート線PLに“L”を印加した状態では、強誘電体キャパシタC0の両端には“H”(BL側)と“L”(PL側)によるストレス電圧が印加される。このとき、ワード線WL1〜WL7で選択される強誘電体キャパシタC1〜C7の両端は、セルトランジスタT1〜T7がオンしているため、短絡している。したがって、強誘電体キャパシタC1〜C7の両端の電圧は、プレート線PLの電圧“L”と同電位となり、強誘電体キャパシタC1〜C7にはストレス電圧がかからない。
次に、ワード線WL1を“L” として、セルトランジスタT1をオフ状態(選択状態)にする。その後、ワード線WL0を“H”として、セルトランジスタT0をオン状態(非選択状態)にする。これにより、試験対象のユニットセルを、ワード線WL1が接続されたユニットセルに変更する。すなわち、ストレス電圧が印加されるキャパシタをキャパシタC0からC1に変更する。これにより、いままでストレス電圧が掛かっていた強誘電体キャパシタC0の両端は、セルトランジスタT0がオンすることによって“H”(ビット線BLの電位と同電位)となる。以上により、強誘電体キャパシタC0へのストレス電圧の印加が終了する。
また、試験対象である強誘電体キャパシタC1では、強誘電体キャパシタC0側のノードbが“L”から“H”となるが、ノードcは“L”のままであるため、強誘電体キャパシタC1にストレス電圧が印加される。強誘電体キャパシタC2からC7の状態は変化せず、ストレス電圧が掛からない状態を保っている。
このように、1つのアクティブサイクル中において、“L”とするワード線をWL0、WL1、WL2、…、WL7と順次切り換えることにより、ストレス電圧を印加する強誘電体キャパシタをC0、C1、C2、…、C7と順次切り換える。すなわち、ストレス電圧を印加するユニットセルを順次切り換える。
このようなワード線の切り換えによる強誘電体キャパシタの分極反転は、プレート線PLやビット線BLの充放電に比べて、1/4程度の電荷を充放電することで行えるため、疲労試験における充放電時間を大きく短縮できる。これにより、疲労試験に要する時間を短縮することができる。
なお、第1の実施形態では、チップイネーブル信号/CE=“L”のアクティブサイクル中に、ロウアドレス信号をラッチしないバッファ回路を設けているため、外部から入力するロウアドレス信号によりワード線WL0〜WL7を任意に選択できる。これを用いて、ワード線をWL0、WL1、WL2、…、WL7と順次切り換える。さらに、疲労試験時には、ワード線の駆動タイミングを通常動作時と異なる駆動タイミングに変えて、ワード線の切り換え時に全てのセルトランジスタがオン状態にならないように設定している。
図8に、前記第1の実施形態の強誘電体メモリの通常動作時におけるユニットセルの選択状態の概念図を示す。この例では、ロウデコーダRDC0〜RDC127の128個のうち、ロウデコーダRDC1が選択されている。さらに、ロウデコーダRDC1における8本のワード線WL0〜WL7のうち、ワード線WL0が選択されている。カラムデコーダでは、センスアンプSA0〜SA63の64個のうち、センスアンプSA1に接続されていたビット線対BL、/BLが選択されている。図8中の太線が選択されているワード線WL0とビット線対BL、/BLを示し、斜線を入れたブロックが、選択されているロウデコーダRDC1、センスアンプSA1、及びユニットセルを示している。
図9に、前記第1の実施形態の強誘電体メモリの疲労試験時におけるユニットセルの選択状態の概念図を示す。疲労試験時には、ロウデコーダRDC0〜RDC127の128個すべてのロウデコーダと、すべてのビット線対BL、/BLが選択され、さらにロウデコーダRDC0〜RDC127の各々内の8本のワード線を、ワード線WL0からWL7まで一本づつ順番に選択する。この図9では、すべてのワード線WL0を選択している状態を示す。但し、疲労試験時はセンスアンプSA0〜SA63は非活性状態となる。
次に、前記第1の実施形態の強誘電体メモリの疲労試験について詳細に説明する。
図10は、第1の実施形態の強誘電体メモリの疲労試験における動作波形を示すタイミングチャートである。従来はチップイネーブル信号/CEが“L”であるアクティブサイクル時に選択ワード線が固定されていたのに対して、第1の実施形態では、ユニットブロックにおける8本のワード線の電圧は外部から入力されるロウアドレス信号で選択できる。強誘電体キャパシタへのストレス電圧となるビット線BL及びプレート線PLへの電圧印加タイミングは、外部から入力されるアウトプットイネーブル信号/OE及びライトイネーブル信号/WEの駆動タイミングで制御している。
図10に示す第1サイクルでは、ビット線BLが“H”、プレート線PLが“L”になるように、それぞれアウトプットイネーブル信号/OEを“H”、ライトイネーブル信号/WEを“L”に設定する。8本のワード線WL0〜WL7の選択(“L”)または非選択(“H”)は、例えばA0、A1、A2の3ビットのアドレスで制御される。チップイネーブル信号/CEが“L”のアクティブ時に、ワード線WL0〜WL7のうち、1つのワード線が選択される、すなわち、アクティブ時に、ワード線WL0〜WL7のうちの1つのワード線が“L”となる。これにより、“L”となったワード線に接続されたユニットセルが試験対象となる。
ワード線の選択は、WL0、WL1、WL2、WL3、…、WL6、WL7の順か、WL7、WL6、WL5、WL4、…、WL1、WL0の順のように、直列接続されたユニットセルに対して、必ず端から順番に選択していく必要がある。例えば、ワード線をWL0、WL1、WL2、…のように順番に選択することによって、図7に示したようにビット線BLの電圧“H”が、ノードa、ノードb、ノードc、…の順で順番に伝わり、強誘電体キャパシタに対して、C0、C1、C2、…の順で順番にストレス電圧が印加できる。
第2サイクルでは、ビット線BLが“L”、プレート線PLが“H”になるように、アウトプットイネーブル信号/OEを“L”、ライトイネーブル信号/WEを“H”に設定する。第3サイクルでは、ビット線BLが“H”、プレート線PLが“L”になるように、アウトプットイネーブル信号/OEを“H”、ライトイネーブル信号/WEを“L”に設定する。このように、アクティブサイクルごとに、ビット線BLとプレート線PLの電圧が順次交互に、“H”と“L”が繰り返されるように設定していく。それぞれのアクティブサイクルにおいて、ワード線WL0〜WL7を順番に切り換えて選択するのは、第1サイクルと同様である。
ワード線選択回路15におけるワード線の選択タイミングは、通常の読み出し動作時や書き込み動作時の選択タイミングと比べて、選択状態にあったワード線が“L”から“H”へ立ち上がるタイミングを少し遅らせている。このため、ワード線の切り換えタイミングは、次に選択されたワード線WLが“L”になった後でも、1つ前に選択されていたワード線WLが、一定期間“L”の状態に保たれる。すなわち、選択されるワード線と1つ前に選択されたワード線を一時的に重複して選択状態(“L”)に設定する。
なお、通常の動作では、ワード線のアドレスを切り換えたとき、選択されていたワード線が非選択状態となるタイミングと、非選択のワード線が選択状態となるタイミングがほぼ同時に起こる。この実施形態では、このような状態が起きると、セルトランジスタのしきい値電圧を少し低めに設定しておいた場合、非選択状態(“H”)になろうとするワード線が少し高い電圧になったとき、このワード線に接続しているセルトランジスタはオン状態となり、一方、選択状態(“L”)になろうとするワード線が少し低い電圧になったとき、このワード線に接続しているセルトランジスタもまだオン状態であり、これにより2つのセルトランジスタがオン状態となる可能性がある。この場合、試験対象外のセルトランジスタは非選択状態でオン状態になっているので、8つのセルトランジスタが全てオン状態となる。
このように、全てのセルトランジスタがオン状態になると、ビット線BLとプレート線PLがショートすることになり、リーク電流が流れ、電圧変動を起こしてしまう。これにより、無駄な電流消費が生じるだけでなく、ビット線BLやプレート線PLの高電圧設定に時間が掛かり、試験効率がますます悪くなってしまう。そこで、8つのセルトランジスタのうち、1つのセルトランジスタは必ずオフ状態にするため、一時的に2つのセルトランジスタがオフ状態になるように、ワード線の駆動タイミングを設定している。
さらに、第1の実施形態では、ユニットブロックの8つのメモリセルにストレス電圧を印加した後、全てのワード線WL0〜WL7を“H”とし、ビット線BLを“L”とし、さらにプレート線PLを“L”にしている。これは、それぞれのワード線で選択されるメモリセルへのストレス電圧印加時間を均等にするためであると同時に、ビット線BLとプレート線PLを“L”にすることにより、“H”レベルのビット線BLまたはプレート線PLを急速に放電する効果もある。これにより、さらに疲労試験に要する時間を短縮することができる。
次に、前記第1の実施形態の強誘電体メモリのダイナミックインプリント試験について説明する。
図11及び図12は、第1の実施形態の強誘電体メモリのダイナミックインプリント試験における動作波形を示すタイミングチャートである。
この試験は、ストレス電圧が印加される強誘電体キャパシタの分極を反転させずに、同じ電界のストレス電圧を繰り返し与える試験である。図11では、試験対象のユニットセルのビット線BL側に高電圧(例えば“H”)を、プレート線PL側に低電圧(例えば“L”)を印加する場合の動作波形を示している。この動作では、ビット線BLに“H”を印加するため、アウトプットイネーブル信号/OEで電圧印加タイミングを制御している。第1サイクル中に、プレート線PLは“L”に、ビット線BLは“H”に設定され、ユニットブロック分の8個のユニットセルに対して順次1個づつストレス電圧を印加する。
第1サイクルで、8個のユニットセル(強誘電体キャパシタ)に対してストレス電圧の印加が終了すると、一度、ビット線BLの電圧を“L”に落とすと共に、全てのワード線の電圧を“H”にする。続いて、第2サイクルにおけるストレス電圧の印加を、第1サイクルと同様に行う。同様に、第3サイクル、第4サイクル、第5サイクル、…と繰り返す。
このダイナミックインプリント試験の場合も、ワード線をWL0、WL1、…、WL7の順番か、その逆のWL7、WL6、…、WL0の順番に選択していくことにより、全てのユニットセルに順番に、ダイナミックインプリント時におけるストレス電圧を印加することができる。
図12は、試験対象のユニットセルのビット線BL側に低電圧を、プレート線PL側に高電圧を印加する場合の動作波形を示している。この動作では、プレート線PLに“H”を印加するため、ライトイネーブル信号/WEで電圧印加タイミングを制御している。その他の動作は、図11にて示した動作と同様である。
以上説明したように第1の実施の形態では、1つのアクティブサイクル中にプレート線とビット線への印加電圧を固定しておき、メモリセルを1つずつ順次選択して、選択したメモリセルへストレス電圧を印加している。これは、1つのアクティブサイクル中にメモリセルの選択を固定しておき、プレート線とビット線への印加電圧を交互に変える試験方法に比べて、プレート線及びビット線の充放電時間を削減できるため、試験時間を短縮することができる。また、ストレス電圧を印加するメモリセル(試験対象セル)の切り換え時には、2つのワード線を一時的に重複して選択することにより、すなわち2つのワード線を重複して“L”に設定することにより、プレート線PLとビット線BLとの間が短絡するのを防止している。また、1ユニットブロック分のユニットセルに対するストレス電圧の印加が終了した後、ビット線BLとプレート線PLを共に“L”にすると共にし、全てのワード線を“H”(非選択状態)にして初期化している。これにより、それぞれのワード線で選択されるユニットセルへのストレス電圧印加時間を均等にできる。
[第2の実施の形態]
次に、この発明の第2の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリについて説明する。この第2の実施形態でも前記第1の実施形態と同様に、充放電に比較的時間のかかるビット線BL及びプレート線PLの駆動回数を少なくし、充放電に時間がかからず駆動時間の短いワード線を順番に切り換えて試験対象セル(強誘電体キャパシタ)にストレス電圧を印加することにより、疲労試験に要する時間の短縮を図っている。
図13は、第2の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリの構成を示すブロック図である。第2の実施形態における前記第1の実施形態と異なる部分は、ワード線選択回路21にテスト信号TOE及びテスト信号TWEが入力され、これらテスト信号TOE及びTWEでワード線駆動信号WLDiの出力が制御されていることである。図14に、第2の実施形態におけるワード線選択回路21の回路図を示す。ワード線選択回路21は、ストレステスト信号STESTが“H”のとき、すなわち疲労試験時に、テスト信号TOE及びテスト信号TWEによりワード線駆動信号WLDiの出力を制御するテストワード線制御回路15Bを備えている。ビット線BLとプレート線PLへの電圧印加タイミングを、アウトプットイネーブル信号/OEとライトイネーブル信号/WEの駆動タイミングで行うのは第1の実施形態と同様であり、その他の構成は前記第1の実施形態と同様である。
図15は、第2の実施形態の強誘電体メモリの疲労試験における動作波形を示すタイミングチャートである。図10に示した第1の実施形態の動作と異なるところは、疲労試験中にチップイネーブル信号/CEは“L”に固定したままで、アウトプットイネーブル信号/OEとライトイネーブル信号/WE、及び1ユニットブロック分のアドレスの遷移で試験を行うことができる点である。試験対象セルへのストレス電圧の印加は、第1の実施形態と同様に行うことができる
図15と図7を参照して第2の実施形態の動作の概要を説明する。チップイネーブル/CEが“L”のアクティブ状態において、先頭アドレスを設定してから、アウトプットイネーブル信号/OEを“H”にしてビット線BLに高電圧(例えば“H”)を印加する。また、ライトイネーブル信号/WEは“L”のままで、プレート線PLには低電圧(例えば“L”(=接地電位))が印加される。ここで、ブロック選択線BSが“H”、ワード線WL0が“L”の選択状態となり、ワード線WL0がゲートであるセルトランジスタT0に並列接続されている強誘電体キャパシタC0にストレス電圧が印加される。このとき、ワード線WL1〜WL7は“H”の非選択状態であり、セルトランジスタT1〜T7はオンしているため、残りの強誘電体キャパシタC1〜C7にはストレス電圧が掛からない。
次に、ロウアドレス信号を切り換えて、ワード線の選択をワード線WL0からワード線WL1に切り換えると、ワード線WL1はすぐに“H”から“L”に切り換わり、その後、一定時間後にワード線WL0が“L”から“H”に切り換わる。これにより、ストレス電圧の掛かる強誘電体キャパシタがC0からC1に変更される。さらに、ロウアドレス信号を順次切り換えることにより、ワード線の選択をWL2、WL3、…、WL7の順番で切り換えて、ストレス電圧が印加される試験対象の強誘電体キャパシタをC2、C3、…、C7の順番で切り換える。1ユニットブロック分の強誘電体キャパシタを切り換えた時点で、全てのワード線WL0〜WL7を“H”(非選択状態)にすると共に、アウトプットイネーブル信号/OEを“L”に戻す。全てのワード線WL0〜WL7を“H”にすることにより全てのセルトランジスタT0〜T7がオンし、またアウトプットイネーブル信号/OEとライトイネーブル信号/WEを共に“L”にすることによりビット線BLとプレート線PLが“L”となる。これにより、ビット線BLとプレート線PLとがユニットブロックを介してショートされる。以上により、1サイクル目が終了する。
次に、2サイクル目は、また先頭アドレスを設定後、今度はライトイネーブル信号/WEを“H”にしてプレート線PLに高電圧(例えば“H”)を印加する。また、アウトプットイネーブル信号/OEは“L”のままで、ビット線BLには低電圧(例えば“L”(=接地電位))が印加される。
1サイクル目と同様、1ユニットブロック分のロウアドレス信号を遷移し、ストレス電圧を印加する強誘電体キャパシタを切り換える。1ユニットブロック分の切り換えが終了したら、一旦、ライトイネーブル信号/WEとアウトプットイネーブル信号/OEを共に“L”にすると共にし、全てのワード線を“H”(非選択状態)にして初期化する。以上の動作によって、第1の実施形態と同様に、それぞれのワード線で選択される試験対象セルへのストレス電圧印加時間を均等にできる。これにより、疲労試験に要する試験時間を短縮することができる。その後、同様に順次以降のサイクルに進んでいく。
次に、前記第2の実施の形態の強誘電体メモリのダイナミックインプリント試験について説明する。
図16及び図17は、第2の実施の形態の強誘電体メモリのダイナミックインプリント試験における動作波形を示すタイミングチャートである。
図16は、試験対象のユニットセルのビット線BL側に高電圧(例えば“H”)を、プレート線PL側に低電圧(例えば“L”)を印加する場合の動作波形を示す。図17は、試験対象のユニットセルのビット線BL側に低電圧を、プレート線PL側に高電圧を印加する場合の動作波形を示している。
これら2つのダイナミックインプリント試験は、疲労試験中にチップイネーブル信号/CEは“L”に固定したままで、アウトプットイネーブル信号/OEとライトイネーブル信号/WEの制御、及び1ユニットブロック分のアドレス遷移により試験を行うことができる。試験対象のユニットセルへのストレス電圧の印加は、図11及び図12に示した第1の実施形態と同様に行うことができる。
以上説明したように第2の実施形態では、前記第1の実施形態と同様に、1つのアクティブサイクル中にプレート線とビット線への印加電圧を固定しておき、メモリセルを1つずつ順次選択してメモリセルへストレス電圧を印加している。これは、1つのアクティブサイクル中にメモリセルの選択を固定しておき、プレート線とビット線への印加電圧を交互に変える試験方法に比べて、プレート線及びビット線の充放電時間を削減できるため、試験時間を短縮することができる。また、ストレス電圧を印加するメモリセル(試験対象セル)の切り換え時には、2つのワード線を一時的に重複して選択することにより、すなわち2つのワード線を重複して“L”に設定することにより、プレート線PLとビット線BLとの間が短絡するのを防止している。また、1ユニットブロック分のユニットセルに対するストレス電圧の印加が終了した後、ビット線BLとプレート線PLを共に“L”にすると共にし、全てのワード線を“H”(非選択状態)にして初期化している。これにより、それぞれのワード線で選択されるユニットセルへのストレス電圧印加時間を均等にできる。
さらに、第2の実施形態では、チップイネーブル信号/CEは“L”に固定したままで、アウトプットイネーブル信号/OEとライトイネーブル信号/WEの制御、及び1ユニットブロック分のアドレス遷移により試験を行うことができるため、外部入力信号の制御を簡素化することができる。
[第3の実施の形態]
次に、この発明の第3の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリについて説明する。この第3の実施形態でも前記実施形態と同様に、充放電に比較的時間のかかるビット線BL及びプレート線PLの駆動回数を少なくし、充放電に時間がかからず駆動時間の短いワード線を順番に切り換えて試験対象セル(強誘電体キャパシタ)にストレス電圧を印加することにより、疲労試験に要する時間の短縮を図っている。
図18は、第3の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリの構成を示すブロック図である。
第3の実施形態において、前記第1の実施形態と異なる部分を以下に述べる。第1の実施形態では、ロウアドレス信号A0〜A2が入力される第2ロウアドレスバッファ回路はノンラッチ機能付きのアドレスバッファであったが、この第3の実施形態における第2ロウアドレスバッファ回路34では、図19に示すように通常のアドレスバッファ回路が用いられ、アドレスラッチ信号RTA、BRATが、アドレスラッチ信号RAT2、BRAT2に置き換えられている。さらに、制御回路31では、図2(a)に示したチップイネーブル信号/CEを受け取るチップイネーブルバッファを変更し、図20に示すように、ストレステスト信号STESTで制御されるアドレスラッチ信号RAT2、BRAT2の出力回路を追加している。このように構成された第2ロウアドレスバッファ回路34及び制御回路31を用いることにより、ストレステスト信号STESTが“H”のとき、すなわち疲労試験時に、ロウアドレス信号RAddがラッチされないようにする。
ビット線BLとプレート線PLへの電圧印加タイミングを、アウトプットイネーブル信号/OEとライトイネーブル信号/WEの駆動タイミングで行うのは第1の実施形態と同様であり、その他の構成及び効果は前記第1の実施形態と同様である。
[第4の実施の形態]
次に、この発明の第4の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリについて説明する。この第4の実施形態でも前記実施形態と同様に、充放電に時間がかからず駆動時間の短いワード線を順番に切り換えて試験対象セル(強誘電体キャパシタ)にストレス電圧を印加することにより、疲労試験に要する時間の短縮を図っている。
図21は、第4の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリの構成を示すブロック図である。
第4の実施形態において、前記第2の実施形態と異なる部分を以下に述べる。第2の実施形態では、ロウアドレス信号A0〜A2が入力される第2ロウアドレスバッファ回路はノンラッチ機能付きのアドレスバッファであったが、前記第3の実施形態と同様に、この第4の実施形態における第2ロウアドレスバッファ回路34では、図19に示したように通常のアドレスバッファ回路が用いられ、アドレスラッチ信号RTA、BRATが、アドレスラッチ信号RAT2、BRAT2に置き換えられている。制御回路31では、図2(a)に示したチップイネーブル信号/CEを受け取るチップイネーブルバッファを変更し、図20に示したように、ストレステスト信号STESTで制御されるアドレスラッチ信号RAT2、BRAT2の出力回路を追加している。さらに、ワード線選択回路21は、前記第2の実施形態と同様に、図14に示した回路に変更する。
このように構成された第2ロウアドレスバッファ回路34及び制御回路31を用いることにより、ストレステスト信号STESTが“H”のとき、すなわち疲労試験時に、ロウアドレス信号RAddがラッチされないようにする。さらに、第4の実施形態では、ワード線選択回路21を用いることにより、チップイネーブル信号/CEは“L”に固定したままで、アウトプットイネーブル信号/OEとライトイネーブル信号/WEの制御、及び1ユニットブロック分のアドレス遷移により試験を行うことができるため、外部入力信号の制御を簡素化することができる。
ビット線BLとプレート線PLへの電圧印加タイミングを、アウトプットイネーブル信号/OEとライトイネーブル信号/WEの駆動タイミングで行うのは第1の実施形態と同様であり、その他の構成及び効果は前記第1の実施形態と同様である。
以下に、この発明の実施形態の効果について記しておく。TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリのメモリセルが含む強誘電体キャパシタにストレス電圧を与える試験において、従来は試験対象セルを固定し、プレート線もしくはビット線の電位を変化させて強誘電体キャパシタにストレス電圧を与えていた。しかし、このような試験方法では、比較的容量が大きいプレート線もしくはビット線を充放電するため、電圧変更の時間を長めに設定する必要があった。この発明の実施形態では、比較的容量の小さいワード線を順番に切り換え、比較的容量の大きいプレート線もしくはビット線の電圧変化回数を減らすことによって、電圧変更の時間設定を従来の試験方法に比べて短く設定することが可能となる。この結果、本発明の実施形態の試験方法を用いることによって、従来の試験方法に比べて試験時間を1/3程度に短縮することができる。さらに、メモリセルの微細化による強誘電体メモリの大容量化に伴い、メモリセルサイズが縮小し大容量化されることによって、ビット線容量及びプレート線容量が増加する。この場合、本発明の実施形態の試験方法を用いることによる試験時間の短縮効果は大きくなり、従来の試験方法を用いた場合に比べて1/4〜1/5の時間短縮が見込まれる。
また、前述した各実施形態はそれぞれ、単独で実施できるばかりでなく、適宜組み合わせて実施することも可能である。さらに、前述した各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、各実施形態において開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせにより、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
この発明の第1の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリの構成を示すブロック図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリにおける制御回路の構成を示す回路図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリにおける第1ロウアドレスバッファ回路及びカラムアドレスバッファ回路の構成を示す回路図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリにおける第2ロウアドレスバッファ回路の構成を示す回路図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリにおけるワード線選択回路の構成を示す回路図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリにおけるデコーダ及び駆動回路の構成を示す回路図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリの動作の概要を示す図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリの通常動作時におけるユニットセルの選択状態を示す概念図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリの疲労試験時におけるユニットセルの選択状態を示す概念図である。 第1の実施形態の強誘電体メモリの疲労試験における動作波形を示すタイミングチャートである。 第1の実施形態の強誘電体メモリのダイナミックインプリント試験における動作波形を示すタイミングチャートである。 第1の実施形態の強誘電体メモリの他のダイナミックインプリント試験における動作波形を示すタイミングチャートである。 この発明の第2の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリの構成を示すブロック図である。 第2の実施形態の強誘電体メモリにおけるワード線選択回路の構成を示す回路図である。 第2の実施形態の強誘電体メモリの疲労試験における動作波形を示すタイミングチャートである。 第2の実施形態の強誘電体メモリのダイナミックインプリント試験における動作波形を示すタイミングチャートである。 第2の実施形態の強誘電体メモリの他のダイナミックインプリント試験における動作波形を示すタイミングチャートである。 この発明の第3の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリの構成を示すブロック図である。 第3の実施形態の強誘電体メモリにおける第2ロウアドレスバッファ回路の構成を示す回路図である。 第3の実施形態の強誘電体メモリにおける制御回路のチップイネーブルバッファ部の構成を示す回路図である。 この発明の第4の実施形態の集積回路装置が有する強誘電体メモリの構成を示すブロック図である。 従来のTC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおける疲労試験の概要を示す図である。
符号の説明
11…制御回路、12…テスト回路、13…第1ロウアドレスバッファ回路、14…第2ロウアドレスバッファ回路、15…ワード線選択回路、16…デコーダ及び駆動回路、17…カラムアドレスバッファ回路、18…カラム選択回路及びセンスアンプ、19…メモリセルアレイ、C0〜C7…強誘電体キャパシタ、T0〜T7…セルトランジスタ、WL0〜WL7…ワード線。

Claims (4)

  1. ワード線がゲートに接続されたセルトランジスタと、前記セルトランジスタのソースとドレインとの間に一端と他端の電極がそれぞれ接続された強誘電体キャパシタとを有するメモリセルを備え、前記メモリセルが複数個直列に接続されたメモリセルブロックと、
    前記メモリセルブロック内の複数個のメモリセルが含む前記セルトランジスタに接続された複数のワード線を、アクティブサイクル期間中にアドレス信号に基づいて順次選択するワード線選択回路と、
    前記ワード線選択回路により前記セルトランジスタに接続された複数の前記ワード線が順次選択されている期間、前記メモリセルブロック内の複数個直列に接続された前記メモリセルが含む前記セルトランジスタが形成する電流通路の一端と他端との間に一定電圧を印加する駆動回路とを具備し、
    前記ワード線選択回路は、前記ワード線を選択する際、前記アドレス信号に基づいて選択されるワード線と直前に選択されていたワード線とを一定期間重複して選択することを特徴とする集積回路装置。
  2. ワード線がゲートに接続されたセルトランジスタと、前記セルトランジスタのソースとドレインとの間に一端と他端の電極がそれぞれ接続された強誘電体キャパシタとを有するメモリセルを備え、前記メモリセルが複数個直列接続されたメモリセルブロックと、
    前記メモリセルブロック内の前記セルトランジスタに接続されたワード線を指定するアドレス信号をラッチし、前記アドレス信号を出力する第1アドレスバッファ回路と、
    前記アドレス信号をラッチせず、前記アドレス信号を出力する第2アドレスバッファ回路と、
    前記第1アドレスバッファ回路及び前記第2アドレスバッファ回路から出力された前記アドレス信号を受け取り、書き込みあるいは読み出しを行う通常動作時には前記第1アドレスバッファ回路から出力された前記アドレス信号を出力し、前記メモリセルに対してテストを行うテストモード時には前記第2アドレスバッファ回路から出力された前記アドレス信号を出力する切り換え回路と、
    前記切り換え回路から出力された前記アドレス信号に基づいて前記セルトランジスタに接続された前記ワード線を選択するワード線選択回路と、
    前記第2アドレスバッファ回路から出力された前記アドレス信号に基づいて前記ワード線選択回路により前記ワード線が選択される期間、前記メモリセルブロック内の複数個直列に接続された前記メモリセルが含む前記セルトランジスタが形成する電流通路の一端と他端との間に一定電圧を印加する駆動回路とを具備し、
    前記ワード線選択回路は、前記ワード線を選択する際、前記アドレス信号に基づいて選択されるワード線と直前に選択されていたワード線とを一定期間重複して選択することを特徴とする集積回路装置。
  3. 前記アクティブサイクル期間中、外部から入力される前記アドレス信号をラッチせず前記ワード線選択回路に出力するアドレスバッファ回路をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の集積回路装置。
  4. ワード線がゲートに接続されたセルトランジスタと、前記セルトランジスタのソースとドレインとの間に一端と他端の電極がそれぞれ接続された強誘電体キャパシタとを有するメモリセルを備え、前記メモリセルが複数個直列に接続されたメモリセルブロックを備えた集積回路装置の試験方法において、
    前記メモリセルブロック内の第1メモリセルが含む第1セルトランジスタをオフ状態にすると共に、前記第1メモリセル以外のメモリセルが含むセルトランジスタをオン状態にするステップと、
    前記第1セルトランジスタに隣接する第2セルトランジスタをオフ状態にし、前記第1セルトランジスタと前記第2セルトランジスタとを一定期間重複してオフ状態するステップと、
    前記第1セルトランジスタと前記第2セルトランジスタとを一定期間重複してオフ状態にした後、前記第1セルトランジスタをオン状態にするステップと、
    前記第1セルトランジスタをオフ状態にしてから、前記第1セルトランジスタをオン状態にするまでの期間、前記メモリセルブロック内の複数個直列に接続された前記メモリセルが含む前記セルトランジスタが形成する電流通路の一端と他端との間に一定電圧を印加するステップと、
    を具備することを特徴とする集積回路装置の試験方法。
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