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JP4109869B2 - Method for manufacturing wavelength conversion element - Google Patents

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JP4109869B2
JP4109869B2 JP2002002481A JP2002002481A JP4109869B2 JP 4109869 B2 JP4109869 B2 JP 4109869B2 JP 2002002481 A JP2002002481 A JP 2002002481A JP 2002002481 A JP2002002481 A JP 2002002481A JP 4109869 B2 JP4109869 B2 JP 4109869B2
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JP
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wavelength conversion
output
conversion element
ktp crystal
time
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信一 今井
祐子 河野
良介 吉井
尚 渡部
正一郎 二木
義雄 荒木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長変換素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
本発明者らが発表したレーザー研究20(1992)200や、その他の文献には、KTiOPO4で表されるKTPの結晶をNd:YAGレーザーの2倍高調波発生や光パラメトリック発振に用いると、発生したグリーン光によりKTPに結晶欠陥が生じ、経時的に出力が低下することが開示されている。
【0003】
また、B. Boulanger, IEEE J.Q.E. 35 (1999) 281には低速繰り返しレーザーに対しては効果のあるKTP結晶の対処方法が報告されているが、高速繰り返しレーザーに対しての有効な対策は報告されていない。
【0004】
特開平5−97599号公報には、KTPの結晶育成後に酸素雰囲気中、200℃以上で10から50時間アニールすることによる出力特性の改善が図られることが記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
KTP結晶からなる波長変換素子における発生出力の経時低下の問題は、従来の報告では低速繰り返しレーザーに対しては効果のある対処方法が報告されているが、高速繰り返しレーザーに対しての有効な対策は報告されていない。
【0006】
本発明は、高速繰り返しレーザーに対して長時間に亘って高い出力特性を維持することが可能な波長変換素子の製造方法を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る波長変換素子の製造方法は、KTP結晶からなる波長変換素子に対してこの波長変換素子による波長変換の出力がその使用初期の出力に対して10%以上低下させ、この出力経時劣化の後に、水蒸気および酸素を含む雰囲気中、170℃以上の温度で1時間以上アニールを行うことを特徴とするものである。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る波長変換素子の製造方法を詳細に説明する。
【0009】
まず、KTP結晶を水熱合成法またはフラックス法により育成する。このKTP結晶を例えば次に説明する図1のレーザー光源に波長変換素子として組み込んで連続的にレーザー発振を行う。ここで用いるKTPの結晶形態は、バルク結晶であっても、複数のバルク結晶を併設しても、また分極反転構造であってもよい。
【0010】
図1は、レーザー光源であるNd:YAGレーザーによる2倍高調波発生(SHG)装置である。この装置ではレーザー発振器による基本波の発生と、共振器内の波長変換による2倍高調波の発生を行うものである。第1、第2の共振ミラー1,2の間にそれらミラー1,2の光路に対して45°の角度で傾斜させた第3共振ミラー3が配置されている。これらの共振器ミラー1,2,3は、後述する励起モジュールの駆動により基本波としての波長1.064μmのレーザー発振がなされるため、前記各共振器ミラー1,2,3は前記基本波に対して高反射である特性を有する。これら共振器ミラー1,2,3のうち第2共振ミラー2は、後述するSHGモジュールにより2倍高調波光を共振器内で発生させ、共振器外に出力するために、2倍高調波光(波長;0.532μm)に対して高反射である特性も兼ね、かつ前記第3共振器ミラー3は前記2倍高調波光に対して高透過特性を兼ねている。励起モジュール4は、前記第1、第3の共振ミラー1、3間の光路に配置されている。この励起モジュール4は、Nd:YAG発振器と励起手段とを具備する。Qスイッチ5は、前記励起モジュール4と前記第1共振ミラー1の間に配置されている。KTP結晶からなる波長変換素子が装備されたSHGモジュール6は、前記第2、第3の共振ミラー2、3間の光路に配置されている。
【0011】
このような構成のSHG装置において、励起モジュール4の発振器を発振させ、その励起手段で基本波としての波長1.064μmのレーザー発振を行った後にQスイッチ5を作動することにより前記基本波の発振光がパルス化されて前記第1、第2の共振ミラー1,2間で反射される。このとき、共振器内にはKTP結晶からなる波長変換素子を装備したSHGモジュール6が設けられているため、前記共振器内で発生した基本波は2倍高調波に変換され、前記第3共振器ミラー3により共振器外に2倍高調波出力7として出力される。すなわち、前記励起モジュール4のレーザー発振により発生した波長1.064μmの基本波は、SHGモジュール6の波長変換素子により波長0.532μmの2倍高調波に変換されて共振器外に出力される。
【0012】
前述したKTP結晶からなる波長変換素子により波長1.064μmの基本波を2倍高調波に変換して出力する操作を連続的に行うと、発明者らによるレーザー研究20(1992)200で報告したように前記波長変換素子による2倍高調波出力は経時的に劣化する。これは、KTP結晶内のレーザー光路に結晶欠陥が生じるために引き起こされる。特に、出力の経時的劣化は発振出力のピーク値が高いQスイッチしたレーザー発振器において顕著であり、さらに繰り返し周波数の高い連続励起Qスイッチによる高繰り返しパルスレーザーにおいてより顕著である。
【0013】
このような出力の経時的劣化を生じたKTP結晶からなる波長変換素子をアニールする。
【0014】
前記アニールは、大気雰囲気のような水蒸気および酸素を含む雰囲気中、170℃以上の温度でなされることが好ましい。アニール温度を170℃未満にすると高速繰り返しレーザーに対して長時間に亘って高い出力特性を維持する波長変換素子を得ることが困難になる。なお、アニール温度上限はKTP結晶が融解する温度未満に設定することが好ましい。
【0015】
前記アニールは、170℃以上の温度で1時間以上行うことが好ましい。ただし、前記KTP結晶を水熱合成法により育成した場合には前記温度下でのアニールを1時間以上行えばよいが、前記KTP結晶をフラックス法により育成した場合には前記温度下でのアニールを2時間以上行うことが好ましい。
【0016】
前記アニールは、前記KTP結晶からなる波長変換素子の出力がその変換操作時においてその波長変換素子の使用初期出力に対して10%以上、より好ましくは12%以上低下したときに実行することが望ましい。KTP結晶からなる波長変換素子が十分に経時的劣化されない、つまり使用初期の出力特性に対する低下が10%に満たない時期にアニールを実行すると、高速繰り返しレーザーに対して長時間に亘って高い出力特性を維持する波長変換素子を得ることが困難になる。
【0017】
以上説明したように、本発明によれば出力経時特性が改善されたKTP結晶からなる波長変換素子を製造することができる。すなわち、KTP結晶からなる波長変換素子を例えば波長変換光源として連続運転させると、KTP結晶内の光路に結晶欠陥が生じ、その変換出力が経時的に低下する。この出力劣化が生じたKTP結晶を例えば大気雰囲気のような水蒸気および酸素を含む雰囲気でアニールすることによって、出力経時特性が改善されたKTP結晶からなる波長変換素子を製造することができる。
【0018】
なお、前記KTP結晶からなる波長変換素子が出力の経時的劣化を生じない状態、つまりKTP結晶からなる波長変換素子の使用前の初期状態でアニールを実行しても、殆ど出力経時特性の改善が認められず、本発明のように変換出力が経時的に劣化したKTP結晶からなる波長変換素子に対してアニールを実行することによって、出力経時特性を改善することができる。
【0019】
特に、前記アニール温度を170℃以上で1時間以上に規定したり、アニール前記KTP結晶からなる波長変換素子の出力がその使用初期の出力に対して10%以上、より好ましくは12%以上低下したときに実行したりすることによって、出力経時特性がより一層改善されたKTP結晶からなる波長変換素子を製造することができる。
【0020】
【実施例】
以下、好ましい実施例を前述した図1を参照して詳細に説明する。
【0021】
(実施例1)
水熱合成法により得られたKTP結晶からなる波長変換素子を前述した図1のSHG装置のSHGモジュール6に組み込み、下記条件で2倍高調波を60時間、断続的に出力した。
【0022】
<出力条件>
・波長変換素子上のスポット径;直径2mm、
・パルス周波数;10kHz、
・グリーン出力;60W、
・パルス幅;130ns。
【0023】
このような2倍高調波を60時間、断続的に出力した時の時間と出力の関係を図2に示す。
【0024】
この図2から明らかなようにKTP結晶からなる波長変換素子で2倍高調波を出力すると、その出力は経時的に低下することがわかる。
【0025】
このような出力の経時的劣化(出力が初期出力に対して約36%低下)が生じたKTP結晶からなる波長変換素子を大気雰囲気中、170℃で3時間アニールした。アニール後の波長変換素子を前述した図1のSHG装置のSHGモジュール6に組み込み、前述したのと同様な条件で2倍高調波を60時間、断続的に出力した。このときの時間と出力の関係を図3に示す。
【0026】
図3から明らかなように出力が経時的に劣化されたKTP結晶からなる波長変換素子をアニールすることにより変換出力は初期状態に復帰し、その後の出力経時劣化が殆ど起きず、出力経時特性が顕著に改善されることがわかる。
【0027】
(比較例1)
水熱合成法により得られた新規なKTP結晶からなる波長変換素子を大気雰囲気中、170℃で3時間アニールした。アニール後の波長変換素子を前述した図1のSHG装置のSHGモジュール6に組み込み、実施例1と同様な条件で2倍高調波を60時間、断続的に出力した。このときの時間と出力の関係を図4に示す。
【0028】
図4から明らかなように比較例1の波長変換素子では出力は実施例1(図3)に比べて経時的に低下し、新規なKTP結晶からなる波長変換素子をアニールしても出力経時特性を改善効果が得られないことがわかる。
【0029】
(実施例2)
フラックス法により得られたKTP結晶からなる波長変換素子を前述した図1のSHG装置のSHGモジュール6に組み込み、実施例1と同様な条件で2倍高調波を60時間、断続的に出力した。
【0030】
このような2倍高調波を60時間、断続的に出力した時の時間と出力の関係を図5に示す。
【0031】
この図5から明らかなようにフラックス法により育成したKTP結晶からなる波長変換素子で2倍高調波を出力すると、実施例1のように水熱合成法により育成したKTP結晶からなる波長変換素子に比べてその出力は経時的に大きく低下することがわかる。
【0032】
このような出力の経時的劣化(出力が初期出力に対して約55%低下)が生じたKTP結晶からなる波長変換素子を大気雰囲気中、170℃で4時間アニールした。アニール後の波長変換素子を前述した図1のSHG装置のSHGモジュール6に組み込み、前述したのと同様な条件で2倍高調波を60時間、断続的に出力した。このときの時間と出力の関係を図6に示す。
【0033】
図6から明らかなように出力が経時的に劣化されたKTP結晶からなる波長変換素子をアニールすることによりその変換出力は初期状態に復帰し、当初はやや出力が低下したものの、その後の出力特性は安定し、大幅に出力経時特性が改善されることがわかる。
【0034】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、高速繰り返しレーザーに対して長時間に亘って高い出力特性を維持することができ、波長変換光源等に有用な波長変換素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の波長変換素子が組み込まれる2倍高調波発生(SHG)装置を示す概略図。
【図2】本発明の実施例1における水熱合成法で育成したKTP結晶からなる波長変換素子により2倍高調波を60時間、断続的に出力した時の時間と出力の関係を示す特性図。
【図3】本発明の実施例1におけるアニール後のKTP結晶からなる波長変換素子により2倍高調波を60時間、断続的に出力した時の時間と出力の関係を示す特性図。
【図4】比較例1における水熱合成法で育成した新規なKTP結晶をアニールすることにより得られた波長変換素子により2倍高調波を60時間、断続的に出力した時の時間と出力の関係を示す特性図。
【図5】本発明の実施例2におけるフラックス法で育成したKTP結晶からなる波長変換素子により2倍高調波を60時間、断続的に出力した時の時間と出力の関係を示す特性図。
【図6】本発明の実施例2におけるアニール後のKTP結晶からなる波長変換素子により2倍高調波を60時間、断続的に出力した時の時間と出力の関係を示す特性図。
【符号の説明】
1,2,3…共振ミラー、
4…励起モジュール、
5…Qスイッチ、
6…SHGモジュール、
7…2倍高調波出力。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a wavelength conversion element.
[0002]
[Prior art]
In laser research 20 (1992) 200 published by the present inventors and other documents, when a crystal of KTP represented by KTiOPO 4 is used for second harmonic generation and optical parametric oscillation of an Nd: YAG laser, It is disclosed that the generated green light causes crystal defects in the KTP and the output decreases with time.
[0003]
In addition, B. Boulanger, IEEE JQE 35 (1999) 281 reports a method for dealing with KTP crystals that is effective for slow repetition lasers, but reports on effective countermeasures for fast repetition lasers. Not.
[0004]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-97599 describes that the output characteristics can be improved by annealing for 10 to 50 hours at 200 ° C. or higher in an oxygen atmosphere after KTP crystal growth.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As for the problem of time-dependent decrease in the generated output in the wavelength conversion element made of KTP crystal, the conventional report has reported an effective countermeasure method for the slow repetition laser, but it is an effective countermeasure for the fast repetition laser. Has not been reported.
[0006]
The present invention intends to provide a method for manufacturing a wavelength conversion element capable of maintaining high output characteristics for a long time with respect to a high-speed repetitive laser.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
Method for manufacturing a wavelength conversion element according to the present invention, the output of the wavelength conversion by the wavelength conversion element for the wavelength conversion element made of KTP crystal was reduced by 10% or more of the output of the initial use, the output deterioration with time Thereafter, annealing is performed for 1 hour or more at a temperature of 170 ° C. or higher in an atmosphere containing water vapor and oxygen .
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the manufacturing method of the wavelength conversion element concerning the present invention is explained in detail.
[0009]
First, KTP crystals are grown by a hydrothermal synthesis method or a flux method. For example, the KTP crystal is incorporated as a wavelength conversion element in the laser light source shown in FIG. The crystal form of KTP used here may be a bulk crystal, a plurality of bulk crystals, or a domain-inverted structure.
[0010]
FIG. 1 shows a second harmonic generation (SHG) apparatus using an Nd: YAG laser as a laser light source. In this device, a fundamental wave is generated by a laser oscillator and a double harmonic is generated by wavelength conversion in the resonator. Between the first and second resonant mirrors 1 and 2, a third resonant mirror 3 that is inclined at an angle of 45 ° with respect to the optical path of the mirrors 1 and 2 is disposed. Since these resonator mirrors 1, 2, and 3 perform laser oscillation with a wavelength of 1.064 μm as a fundamental wave by driving an excitation module, which will be described later, the resonator mirrors 1, 2, and 3 have the fundamental wave. On the other hand, it has a characteristic of being highly reflective. Among these resonator mirrors 1, 2, and 3, the second resonant mirror 2 generates double harmonic light in the resonator by an SHG module, which will be described later, and outputs the second harmonic light (wavelength in order to output it outside the resonator). The third resonator mirror 3 also has a high transmission characteristic for the second harmonic light. The excitation module 4 is disposed in the optical path between the first and third resonant mirrors 1 and 3. The excitation module 4 includes an Nd: YAG oscillator and excitation means. The Q switch 5 is disposed between the excitation module 4 and the first resonance mirror 1. The SHG module 6 equipped with a wavelength conversion element made of KTP crystal is disposed in the optical path between the second and third resonant mirrors 2 and 3.
[0011]
In the SHG apparatus configured as described above, the oscillation of the fundamental wave is generated by oscillating the oscillator of the excitation module 4 and oscillating the Q switch 5 after performing laser oscillation with a wavelength of 1.064 μm as the fundamental wave by the excitation means. Light is pulsed and reflected between the first and second resonant mirrors 1 and 2. At this time, since the SHG module 6 equipped with a wavelength conversion element made of a KTP crystal is provided in the resonator, the fundamental wave generated in the resonator is converted into a second harmonic, and the third resonance. The second harmonic output 7 is output outside the resonator by the resonator mirror 3. That is, the fundamental wave having a wavelength of 1.064 μm generated by the laser oscillation of the excitation module 4 is converted to a second harmonic of a wavelength of 0.532 μm by the wavelength conversion element of the SHG module 6 and output outside the resonator.
[0012]
We reported in Laser Research 20 (1992) 200 by the inventors that the wavelength conversion element composed of the KTP crystal converts the fundamental wave with a wavelength of 1.064 μm into a double harmonic and outputs it continuously. Thus, the second harmonic output by the wavelength conversion element deteriorates with time. This is caused by the occurrence of crystal defects in the laser light path in the KTP crystal. In particular, the deterioration of output with time is remarkable in a Q-switched laser oscillator having a high peak value of oscillation output, and more remarkable in a high repetition pulse laser by a continuous excitation Q switch having a high repetition frequency.
[0013]
A wavelength conversion element made of a KTP crystal that has caused such output deterioration with time is annealed.
[0014]
The annealing is preferably performed at a temperature of 170 ° C. or higher in an atmosphere containing water vapor and oxygen such as an air atmosphere. When the annealing temperature is less than 170 ° C., it becomes difficult to obtain a wavelength conversion element that maintains high output characteristics for a long time with respect to a high-speed repetitive laser. The upper limit of the annealing temperature is preferably set below the temperature at which the KTP crystal melts.
[0015]
The annealing is preferably performed at a temperature of 170 ° C. or higher for 1 hour or longer. However, when the KTP crystal is grown by a hydrothermal synthesis method, annealing at the temperature may be performed for 1 hour or longer. However, when the KTP crystal is grown by a flux method, annealing at the temperature is performed. It is preferable to perform for 2 hours or more.
[0016]
The annealing is desirably performed when the output of the wavelength conversion element made of the KTP crystal is reduced by 10% or more, more preferably by 12% or more with respect to the initial use output of the wavelength conversion element during the conversion operation. . When annealing is performed at a time when the wavelength conversion element made of KTP crystal is not sufficiently deteriorated with time, that is, when the deterioration of the output characteristic in the initial stage of use is less than 10%, the high output characteristic over a long time with respect to the high-speed repetitive laser It is difficult to obtain a wavelength conversion element that maintains the above.
[0017]
As described above, according to the present invention, a wavelength conversion element made of a KTP crystal with improved output aging characteristics can be manufactured. That is, when a wavelength conversion element made of a KTP crystal is continuously operated as a wavelength conversion light source, for example, crystal defects occur in the optical path in the KTP crystal, and the conversion output decreases with time. By annealing the KTP crystal in which the output deterioration has occurred in an atmosphere containing water vapor and oxygen such as an air atmosphere, a wavelength conversion element made of a KTP crystal with improved output aging characteristics can be manufactured.
[0018]
Note that even when annealing is performed in a state where the wavelength conversion element made of the KTP crystal does not deteriorate with time, that is, in an initial state before use of the wavelength conversion element made of the KTP crystal, the output temporal characteristics are almost improved. By not performing the annealing on the wavelength conversion element made of the KTP crystal whose conversion output is deteriorated with time as in the present invention, the output temporal characteristics can be improved.
[0019]
In particular, the annealing temperature is regulated to 170 ° C. or more for 1 hour or more, and the output of the wavelength conversion element comprising the annealed KTP crystal is reduced by 10% or more, more preferably 12% or more with respect to the initial output. Sometimes, it is possible to manufacture a wavelength conversion element made of a KTP crystal with further improved output aging characteristics.
[0020]
【Example】
Hereinafter, a preferred embodiment will be described in detail with reference to FIG.
[0021]
(Example 1)
A wavelength conversion element comprising a KTP crystal obtained by the hydrothermal synthesis method was incorporated in the SHG module 6 of the SHG apparatus of FIG. 1 described above, and the second harmonic was intermittently output for 60 hours under the following conditions.
[0022]
<Output conditions>
-Spot diameter on wavelength conversion element; diameter 2mm,
・ Pulse frequency: 10 kHz
・ Green output: 60W
-Pulse width: 130 ns.
[0023]
FIG. 2 shows the relationship between time and output when such a double harmonic is intermittently output for 60 hours.
[0024]
As can be seen from FIG. 2, when a double harmonic is output by a wavelength conversion element made of a KTP crystal, the output decreases with time.
[0025]
A wavelength conversion element made of KTP crystal in which such output deterioration with time (output decreased by about 36% with respect to the initial output) was annealed at 170 ° C. for 3 hours in the air atmosphere. The annealed wavelength conversion element was incorporated in the SHG module 6 of the SHG apparatus of FIG. 1 described above, and the double harmonic was intermittently output for 60 hours under the same conditions as described above. The relationship between time and output at this time is shown in FIG.
[0026]
As is apparent from FIG. 3, the converted output is restored to the initial state by annealing the wavelength conversion element made of the KTP crystal whose output has deteriorated with time. It can be seen that there is a marked improvement.
[0027]
(Comparative Example 1)
A wavelength conversion element comprising a novel KTP crystal obtained by the hydrothermal synthesis method was annealed at 170 ° C. for 3 hours in the air atmosphere. The annealed wavelength conversion element was incorporated into the SHG module 6 of the SHG apparatus of FIG. 1 described above, and double harmonics were intermittently output for 60 hours under the same conditions as in Example 1. FIG. 4 shows the relationship between time and output at this time.
[0028]
As is clear from FIG. 4, the output of the wavelength conversion element of Comparative Example 1 decreases with time as compared with Example 1 (FIG. 3), and the output time-lapse characteristics even when the wavelength conversion element made of a novel KTP crystal is annealed. It can be seen that the improvement effect cannot be obtained.
[0029]
(Example 2)
A wavelength conversion element made of KTP crystal obtained by the flux method was incorporated in the SHG module 6 of the SHG apparatus of FIG. 1 described above, and double harmonics were intermittently output for 60 hours under the same conditions as in Example 1.
[0030]
FIG. 5 shows the relationship between time and output when such a double harmonic is intermittently output for 60 hours.
[0031]
As is apparent from FIG. 5, when a second harmonic is output from the wavelength conversion element made of KTP crystal grown by the flux method, the wavelength conversion element made of KTP crystal grown by the hydrothermal synthesis method as in Example 1 is used. In comparison, it can be seen that the output greatly decreases with time.
[0032]
The wavelength conversion element made of KTP crystal in which such output deterioration with time (output decreased by about 55% with respect to the initial output) was annealed at 170 ° C. for 4 hours in the air atmosphere. The annealed wavelength conversion element was incorporated in the SHG module 6 of the SHG apparatus of FIG. 1 described above, and the double harmonic was intermittently output for 60 hours under the same conditions as described above. FIG. 6 shows the relationship between time and output at this time.
[0033]
As apparent from FIG. 6, the converted output is restored to the initial state by annealing the wavelength conversion element made of the KTP crystal whose output is deteriorated with time, and the output is reduced slightly at first, but the output characteristics thereafter. It can be seen that the output aging characteristics are greatly improved.
[0034]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to maintain a high output characteristic for a long time with respect to a high-speed repetitive laser, and to provide a method for manufacturing a wavelength conversion element useful for a wavelength conversion light source or the like. Can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a second harmonic generation (SHG) apparatus incorporating a wavelength conversion element of the present invention.
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between time and output when a double harmonic is intermittently output for 60 hours by a wavelength conversion element made of a KTP crystal grown by a hydrothermal synthesis method in Example 1 of the present invention. .
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between time and output when a double harmonic is intermittently output for 60 hours by a wavelength conversion element made of an annealed KTP crystal in Example 1 of the present invention.
FIG. 4 shows the time and output when the second harmonic is intermittently output for 60 hours by the wavelength conversion element obtained by annealing the new KTP crystal grown by the hydrothermal synthesis method in Comparative Example 1. The characteristic view which shows a relationship.
FIG. 5 is a characteristic diagram showing a relationship between time and output when a double harmonic is intermittently output for 60 hours by a wavelength conversion element made of a KTP crystal grown by a flux method in Example 2 of the present invention.
FIG. 6 is a characteristic diagram showing a relationship between time and output when a double harmonic is intermittently output for 60 hours by a wavelength conversion element made of an annealed KTP crystal in Example 2 of the present invention.
[Explanation of symbols]
1, 2, 3 ... Resonant mirror,
4 ... Excitation module,
5 ... Q switch,
6 ... SHG module,
7 ... Double harmonic output.

Claims (4)

KTP結晶からなる波長変換素子に対して、この波長変換素子による波長変換の出力がその使用初期の出力に対して10%以上低下させ、この出力経時劣化の後に、水蒸気および酸素を含む雰囲気中、170℃以上の温度で1時間以上アニールを行うことを特徴とする波長変換素子の製造方法。 For the wavelength conversion element made of KTP crystals, reduced by 10% or more with respect to the output Output of the wavelength conversion by the wavelength conversion element of the initial use, after this output deterioration with time in an atmosphere containing water vapor and oxygen, A method for manufacturing a wavelength conversion element, comprising annealing at a temperature of 170 ° C. or higher for 1 hour or longer . 前記水蒸気および酸素を含む雰囲気は、大気雰囲気であることを特徴とする請求項1記載の波長変換素子の製造方法。  The method for manufacturing a wavelength conversion element according to claim 1, wherein the atmosphere containing water vapor and oxygen is an air atmosphere. 前記KTP結晶は、水熱合成法により育成されことを特徴とする請求項1記載の波長変換素子の製造方法。The KTP crystal, the method for manufacturing a wavelength conversion element according to claim 1, wherein the grown by hydrothermal synthesis method. 前記KTP結晶はフラックス法により育成され、かつ前記アニールは水蒸気および酸素を含む雰囲気中、170℃以上の温度で2時間以上なされることを特徴とする請求項1記載の波長変換素子の製造方法。  2. The method for manufacturing a wavelength conversion element according to claim 1, wherein the KTP crystal is grown by a flux method, and the annealing is performed at a temperature of 170 [deg.] C. or more for 2 hours or more in an atmosphere containing water vapor and oxygen.
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