JP4109861B2 - 真空処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、および光起電力デバイス等における堆積膜形成やエッチング等に用いられる、高周波電力を用いた真空処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他の各種エレクトロニクス素子、および光学素子に用いる堆積膜形成方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、およびプラズマＣＶＤ法等が多数知られており、そのための装置も実用に付されている。
【０００３】
中でも、プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電子写真用水素化アモルファスシリコン堆積膜の形成等に好適なものとして、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も各種提案されている。
【０００４】
ここで、図４を参照して、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成装置について説明する。図４は、電源としてＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による従来の堆積膜形成装置、具体的には電子写真用光受容部材の形成装置の一例を示す模式的な構成図である。
【０００５】
この装置は大別すると、堆積装置２１００、原料ガス供給装置２２００、反応容器２１０１内を減圧にするための排気装置（不図示）から構成されている。堆積装置２１００の反応容器２１０１内には、円筒状基体２１１２、基体加熱用ヒーター２１１３ａを内蔵した基体支持体２１１３、および原料ガス導入管２１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス２１１５が反応容器２１０１の一部を構成するカソード電極２１１１に接続されている。カソード電極２１１１は碍子２１２０によりアース電位から絶縁されており、基体支持体２１１３を通してアース電位に維持されるアノード電極を兼ねた円筒状基体２１１２との間に高周波電圧が印加可能となっている。
【０００６】
原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等の原料ガスを収容する複数のガスボンベ２２２１〜２２２６と、ガスボンベバルブ２２３１〜２２３６と、ガス流入バルブ２２４１〜２２４６およびガス流出バルブ２２５１〜２２５６と、マスフローコントローラー２２１１〜２２１６とから構成され、各原料ガスのボンベは補助バルブ２２６０を有する原料ガス配管２１１６を介して反応容器２１０１内のガス導入管２１１４に接続されている。
【０００７】
このように構成された堆積膜形成装置を用いたシリコンを主成分とする堆積膜の形成は、例えば以下のように行なわれる。
【０００８】
まず、反応容器２１０１内に円筒状基体２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器２１０１内を排気する。続いて、基体支持体２１１３に内蔵された基体加熱用ヒーター２１１３ａにより円筒状基体２１１２の温度を２００℃〜３５０℃の所定の温度に制御する。
【０００９】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１０１内に流入させる際には、ガスボンベバルブ２２３１〜２２３６および反応容器２１０１のリークバルブ２１１７が閉じていることを確認し、また、ガス流入バルブ２２４１〜２２４６、ガス流出バルブ２２５１〜２２５６、および補助バルブ２２６０が開いていることを確認して、まずメインバルブ２１１８を開いて反応容器２１０１および原料ガス配管内２１１６を排気する。
【００１０】
次に、真空計２１１９の読みが約７×１０-1Ｐａになった時点で補助バルブ２２６０およびガス流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じる。
【００１１】
その後、ガスボンベバルブ２２３１〜２２３６を開いてガスボンベ２２２１〜２２２６より各ガスを導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。
【００１２】
次に、ガス流入バルブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。
【００１３】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。
【００１４】
円筒状基体２１１２が所定の温度になったところで、ガス流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ２２２１〜２２２６から所定のガスを原料ガス導入管２１１４を介して反応容器２１０１内に導入する。次にマスフローコントローラー２２１１〜２２１６のうち、所定のマスフローコントローラーによって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器２１０１内の圧力が所定の値になるように、真空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開口量を調整する。
【００１５】
反応容器２１０１内の内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５およびカソード２１１１を通じて反応容器２１０１内にＲＦ電力を導入し、円筒状基体２１１２をアノードとして作用させてグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって、反応容器２１０１内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体２１１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成される。
【００１６】
所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、ガス流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じて反応容器２１０１内へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層を形成することができる。
【００１７】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外のガス流出バルブ２２５１〜２２５６はすべて閉じられていることは言うまでもなく、また、それぞれのガスが、反応容器２１０１内およびガス流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１０１に至る配管内に残留することを避けるために、ガス流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を一旦高真空にすることで配管内を排気する操作を、必要に応じて行う。
【００１８】
なお、形成膜の膜厚や膜質の均一化を図るために、層形成を行なっている間は、円筒状基体２１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効である。さらに、上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うまでもない。
【００１９】
このような、上記のＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による従来の堆積膜形成装置および形成方法に加え、近年、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法（以下、「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法」という。）が注目を浴びており、これを用いた各種堆積膜形成の開発も積極的に進められている。これは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである。例えば特開平６−２８７７６０には、アモルファスシリコン系の電子写真用光受容部材の形成に用いられ、周波数が３０ＭＨｚ以上、３００ＭＨｚ以下の高周波電力を用いる堆積膜形成装置および方法が開示されている。また、図５に示すような、複数の電子写真用光受容部材を同時に形成でき、生産性の極めて高い堆積膜形成装置の開発も進められている。
【００２０】
図５は、従来の他の堆積膜形成装置を示す図であり、同図（ａ）はその概略縦断面図、同図（ｂ）はその切断線Ａ−Ａ'に沿う概略断面図である。
【００２１】
図５に示す装置では、反応容器３０１の側面には排気管３１１が一体的に形成され、排気管３１１の他端は不図示の排気装置に接続されている。表面に堆積膜が形成される６本の円筒状基体３０５が、反応容器３０１の中心部を取り囲むように、かつ互いに平行に配置されている。各円筒状基体３０５は回転軸３０８によって保持され、発熱体３０７によって加熱されるようになっている。モータ３０９を駆動すると、減速ギア３１０を介して回転軸３０８が回転し、円筒状基体３０５がその母線方向中心軸のまわりを自転するようになっている。
【００２２】
６本の円筒状基体３０５により囲まれた成膜空間３０６には、原料ガスが原料ガス供給手段３１２より供給される。ＶＨＦ電力はＶＨＦ電源３０３よりマッチングボックス３０４を経てカソード電極３０２より成膜空間３０６に供給される。この際、回転軸３０８を通してアース電位に維持された円筒状基体３０５がアノード電極として作用する。
【００２３】
このような装置を用いた堆積膜形成は、概略以下のような手順により行うことができる。
【００２４】
まず、反応容器３０１内に円筒状基体３０５を設置し、不図示の排気装置により排気管３１１を通して反応容器３０１内を排気する。続いて、発熱体３０７により円筒状基体３０５を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００２５】
円筒状基体３０５が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段３１２を介して、原料ガスを反応容器３０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器３０１内の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源３０３よりマッチングボックス３０４を介してカソード電極３０２へ所定のＶＨＦ電力を供給する。これにより、カソード電極３０２とアノード電極を兼ねた円筒状基体３０５との間にＶＨＦ電力が導入され、円筒状基体３０５で囲まれた成膜空間３０６にグロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体３０５上に堆積膜が形成される。
【００２６】
所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の電子写真用光受容層が形成される。
【００２７】
堆積膜形成中、回転軸３０８を介して円筒状基体３０５をモータ３０９により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体表面全周に渡って堆積膜が形成される。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来の堆積膜形成装置および方法により、良好な堆積膜形成、即ち真空処理がなされる。しかしながら、このような真空処理を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質化、低コスト化が実現可能な真空処理方法が求められるようになっている。
【００２９】
例えば、電子写真装置の場合、コピースピードの向上、高画質化、低価格化の要求は非常に強く、これらを実現するためには感光体特性、具体的には帯電能や感度等の向上、画像上に白点あるいは黒点で現れる感光体中構造欠陥に起因する画像欠陥の抑制、及び感光体生産コストの低下が不可欠となっている。また、近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置、カラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に為されるため、画像濃度むらの低減が従来以上に強く求められるようになっている。
【００３０】
このような感光体特性の向上、感光体生産コストの低下を目指し、堆積膜積層構成の最適化等も為されているが、同時に、真空処理方法の面での改善も強く望まれている。
【００３１】
このような状況下において、前述した従来の真空処理方法においても、真空処理特性の向上、真空処理コストの低下に関して、まだ改善の余地が残されているのが現状である。
【００３２】
すでに述べたように、ＶＨＦ帯、あるいはその近傍の周波数の高周波電力を用いてプラズマを生成して真空処理を施すことにより、真空処理速度の向上、真空処理特性の向上が達成可能であり、そのための鋭意研究がなされている。しかしながら、このような周波数帯の高周波電力を用いた場合、反応容器中での高周波電力の波長が反応容器、高周波電極、基板、あるいは基板ホルダー等と同程度の長さとなり、反応容器中で高周波電力が定在波を形成しやすくなり、この定在波によって反応容器中では場所ごとに電力の強弱が生じ、プラズマ特性が異なってしまう。この結果、広い範囲で真空処理特性をより一層均一化させることは難しかった。
【００３３】
このような問題を解決するための手段として、複数の異なる周波数の高周波電力を反応容器中に同時に供給することが考えられる。これによって、反応容器中には、各々の周波数に応じた異なる波長の定在波が複数形成されることとなるが、これらは同時に供給されているので、これら複数の定在波が合成され、結果として明確な定在波が形成されなくなる。このような考えに基づけば、異なる複数の高周波電力の周波数はどのような値であっても定在波抑制効果は得られる。たとえば、特開昭６０−１６０６２０号公報においては、１０ＭＨｚ以上の高周波電力と１ＭＨｚ以下の高周波電力を同一の電極に供給する構成のプラズマリアクタ装置が開示されており、また、特開平９−３２１０３１号公報においては、ＵＨＦ帯（３００ＭＨｚ以上、１ＧＨｚ以下）の高周波電力と、それと２倍以上異なる周波数を有する高周波電力とを同時に印加する構成のプラズマ処理装置が開示されている。
【００３４】
これらの技術を用いることによって、反応容器中の高周波電力の定在波は抑制され、真空処理の均一性が向上するものと考えられる。
【００３５】
しかしながら、本発明者らは、たとえば特開昭６０−１６０６２０号公報に開示された技術を用いて真空処理特性の均一性に関する実験を行った結果、確かにあるレベルまでは真空処理特性の均一性は向上できるものの、近年要求されている均一性のレベルを得るには至らなかった。また、特開平９−３２１０３１号公報に開示された技術を用いて実験を行った結果も同様に、近年要求されている均一性のレベルを得るには至らなかった。即ち、電界強度的には均一化されているはずの電力供給方法をもってしても、実際の真空処理においては、ある程度の不均一性が残ってしまうことが明らかとなった。
【００３６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、真空処理速度の向上および真空処理特性の向上を達成し、更には真空処理特性の均一性を極めて高いレベルとし、また、真空処理コストの低減が可能な真空処理方法を提供することにある。
【００３７】
【課題を解決するための手段】
本願発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、同一の電極に周波数が異なる複数の高周波電力を供給し、それらの周波数の関係を変化させることによって、真空処理の均一化を図る効果が顕著に変化することを見出した。そして、それらの周波数を所定の関係とすることで、真空処理速度の向上、真空処理特性の向上、真空処理特性の均一性の向上、および真空処理コストの低減化を同時に実現することができることを見出し、本願発明を完成させるに至った。
【００３８】
すなわち、本発明の真空処理方法は、反応容器中に被処理物を設置し、互いに異なる周波数を有する少なくとも２つの高周波電力を同一の高周波電極に同時に供給することにより、該高周波電極から前記反応容器内に導入された高周波電力によって前記反応容器内にプラズマを生起させて前記被処理物を処理する真空処理方法において、前記高周波電力として、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
の２つの条件を満たす、周波数ｆ１を有する高周波電力と周波数ｆ２を有する高周波電力とを少なくとも用いることを特徴とする。
【００３９】
このように構成された本発明の真空処理方法によれば、高い真空処理速度を維持しながら、真空処理特性の向上、真空処理コストの低減を実現し、同時に真空処理特性の均一性を著しく向上させることが可能である。
【００４０】
この周波数の関係にある際に均一化効果が顕著に得られるメカニズムについては、現段階では明らかにはなっていないが、おおよそ以下のような作用によるものと考えられる。
【００４１】
たとえば、特開昭６０−１６０６２０号公報に具体的に示されているような周波数関係の場合、すなわち、１０ＭＨｚ以上の高周波電力（以下、「高周波数電力という。」と１ＭＨｚ以下の高周波電力（以下、「低周波数電力」という）とを同時に処理容器内に導入した場合、高周波数電力による電界定在波と低周波数電力による電界定在波とが互いに合成され、高周波電界的には処理容器内での電界定在波を抑制することは可能である。
【００４２】
しかしながら、このように高周波数電力と低周波数電力との周波数が１桁以上も異なってしまうと、高周波数電力による原料ガスの分解の仕方と低周波数電力による原料ガスの分解の仕方が異なってしまい、その結果、生成される活性種の種類、比率が異なってしまう。このため、電界強度的には均一化がなされていても、高周波数電力定在波の腹部分では高周波数電力の周波数に応じた種類、比率の活性種が多く生成され、低周波数電力定在波の腹部分では低周波数電力の周波数に応じた種類、比率の活性種が多く生成されてしまう。その結果、活性種の種類、比率に空間的な分布が生じてしまい、真空処理特性に不均一化をもたらしてしまうものと考えられる。
【００４３】
これに対し、周波数ｆ１とｆ２との関係をｆ２／ｆ１≧０.１の関係に維持することで、このような周波数の違いによる生成活性種の種類、比率の違いは実用上問題となるレベルでなくなるものと考えられる。
【００４４】
また、周波数ｆ１と周波数ｆ２とが互いに近すぎると、各々の定在波の節位置と腹位置とが近くなるため、十分な電界定在波抑制効果が得られなくなってしまう。そのため、周波数ｆ１とｆ２との関係を０．９≧ｆ２／ｆ１の関係に維持することも必要であると考えられる。
【００４５】
また、周波数ｆ１が２５０ＭＨｚよりも高くなると、電力の進行方向での減衰が顕著となり、異なる周波数をもつ高周波電力間での減衰率のずれが顕著となってしまい、十分な均一化効果が得られなくなってしまうものと考えられる。さらに、周波数ｆ２が３０ＭＨｚよりも小さくなると、真空処理速度が急激に低下してしまい、真空処理コストの点から好ましくない。
【００４６】
以上のような理由から、周波数ｆ１，ｆ２を、本発明の範囲、すなわち、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１＞ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
とすることで、真空処理速度を高く維持しながらも、真空処理特性の向上、すなわち真空処理特性の均一性を向上させる効果を顕著に得られるものと推察される。
【００４８】
さらに、前記周波数ｆ１と前記周波数ｆ２とが、
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ＞０．５
の条件を満たす構成とすることにより、本発明による上記の効果を一層顕著に得ることが可能になる。
【００４９】
なお、本発明において、互いに異なる周波数を上記の関係に設定する対象の高周波電力は、真空処理に影響を及ぼすレベル以上の電力を有するものに限られ、真空処理に実質上影響を及ぼさない低電力の高周波電力、例えば高調波等の周波数は上記の関係に制限されるものではない。
【００５０】
また、必要に応じて、更に他の周波数の電力を同時に供給しても良い。たとえば、真空処理中のバイアス効果を高めるために、本発明の範囲の高周波電力に加えて、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数の電力を同時に供給することができる。このように、更なる電力を供給する場合には、その電力を加えることで真空処理特性の均一性が損なわれない程度の電力とする必要がある。
【００５１】
本発明において、このような反応容器中への高周波電力の導入は、同一の電極から行う必要がある。各々異なった周波数の高周波電力を各々別の電極から供給した場合、各電極上には電極ごとに供給された高周波電力の周波数に依存した波長の定在波が生じてしまう。この結果、電極近傍に生起するプラズマの特性は、この定在波に応じた形状をもってしまい、生成活性種の種類・比率や、電極に入射するイオンのエネルギーが位置によって異なってしまうため、電極上に付着する膜の構造が電極上の位置に依存して異なってしまう。このため、電極上において剥れ易い膜構造の部分が生じたり、あるいは、膜の構造が位置的に変化する領域が生じ、その領域での内部応力の違いが生じたりして、付着膜が剥れやすい部分が生じてしまい、剥れた膜が被処理物上に付着して欠陥を生じさせやすくなってしまう。このような問題を回避するために、本発明では周波数の異なる複数の高周波電力を同一の電極に供給する必要がある。このようにすることにより、電極上においても定在波は抑制され、上述したような問題が効果的に抑制される。
【００５２】
また、本発明においては、前記高周波電極の最長部の長さをＬｅとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜λ2／２
の条件を満たす構成とすることが好ましい。このような条件とすることで、最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置とを高周波電極上の全領域において互いにずらすことが可能となり、真空処理特性の均一性が向上するものと考えられる。
【００５３】
このような効果は、前記Ｌｅと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす構成とすることにより、更に顕著に得ることができる。これは、上述したような最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置との互いのずれをより大きくすることが可能になるためであると推測される。
【００５４】
なお、反応容器中での高周波電力の波長は、たとえば周知のプローブ法を用いて知ることができる。具体的には、まず、反応容器中にプローブを挿入した状態でプラズマを生成させる。このとき、高周波電力は単一の周波数とする。この状態でプローブ位置を反応容器中で移動し、反応容器中の電子密度、電子温度の分布を測定する。プラズマ生成条件が、供給する高周波電力の増加に伴って電子密度が増加する、いわゆるパワーリミット条件の場合には、電子密度において高周波電力の定在波に応じた分布が測定される。電子密度が最も低いところが定在波の節位置に相当し、電子密度が最も高いところが定在波の腹位置に相当する。この定在波の節位置と腹位置とから定在波の波長が求められ、その波長を２倍することによって供給した高周波電力の反応容器中での波長を知ることができる。プラズマ生成条件が、供給する原料ガス量の増加に伴って電子密度が増加する、いわゆるフローリミット条件の場合には、電子温度において高周波電力の定在波に応じた分布が測定される。電子温度が最も低いところが定在波の節位置に相当し、電子温度が最も高いところが定在波の腹位置に相当する。この定在波の節位置と腹位置とから定在波の波長が求められ、その波長を２倍することによって供給した高周波電力の反応容器中での波長を知ることができる。このような反応容器中での高周波電力の波長を知る手段としては、プローブ法のほかにもマイクロ波法、光計測法等、周知のプラズマ診断法を用いることも可能である。
【００５５】
また、反応容器中の堆積膜特性の変化から反応容器中での高周波電力の波長を知ることも可能である。この場合、反応容器中に設置した基板上に堆積膜を形成し、その膜特性、たとえば電気特性や光学的特性の位置依存性を従来から公知の方法（例えば、電気伝導率測定、ＣＰＭ(Constant Photocurrent Method)、可視光吸収測定、あるいは赤外線吸収測定）で評価する。これによって、膜特性の等間隔で周期的な位置依存性が確認される。その周期が定在波の波長であり、その長さを２倍することによって、反応容器中での高周波電力の波長が求められる。
【００５６】
本発明は更に、前記被処理物の導電性部分の最長部分の長さをＬｓとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜λ2／２
の条件を満たす構成とすることにより、より顕著な効果を得ることが可能である。これは、高周波電極より反応容器中に供給された高周波電力が反応容器中を伝播し、その一部が被処理物の導電性部分上に伝播してしまうことに起因するものと考えられる。このようにして被処理物上に伝播した高周波電力は、電極の場合と同様に、被処理物の導電性部部分上において各々の波長に応じた電界定在波を生じる。従って、上記の条件とすることで、最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置とを被処理物上の全領域にわたって互いにずらすことが可能となり、真空処理特性の均一性が向上するものと考えられる。
【００５７】
このような効果は、前記Ｌｓと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす場合に、更に顕著に得ることができる。これは、上述したような最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置との互いのずれをより大きくすることが可能になるためと推測される。
【００５８】
また、本発明は、少なくとも一部が導電性部材で構成されたホルダー上に前記被処理物を設置し、前記ホルダーの導電性部分の最長部分の長さをＬｈとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜λ2／２
の条件を満たす構成とすることにより、より顕著な効果を得ることが可能である。これは、高周波電極より反応容器中に供給された高周波電力が反応容器中を伝播し、その一部がホルダーの導電性部分上に伝播してしまうことに起因するものと考えられる。この結果、被処理物上に高周波電力が重畳した場合と同様の作用によって、真空処理特性の均一性が向上するものと考えられる。
【００５９】
このような効果は、前記Ｌｈと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす場合に、更に顕著に得ることができる。これは、上述したような最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置との互いのずれをより大きくすることが可能になるためと推測される。
【００６０】
なお、ここでホルダーの長さとは、電気的に導通のあるホルダー部位のうち、距離が最も離れた部位間の長さをさす。たとえば、導電性のホルダーが２分割されており、その間に基体が設置されている場合でも、基体が導電性を有していれば、分割された２つのホルダーは電気的に導通状態にあるので、これら２つのホルダー間で最も離れた部位間の距離をホルダー長さとする。
【００６１】
たとえば、図６（ａ）に示す構成の場合、導電性のホルダー５０１は下部ホルダー５０２と上部ホルダー５０３とに分割されており、各々の長さはＬ１，Ｌ２であるが、基体５０４が導電性の場合、下部ホルダー５０２と上部ホルダー５０３とは導通状態となるので、ホルダー長はＬ０となる。
【００６２】
また、図６（ｂ）に示す構成のように、導電性を有するホルダー５１１が、互いに導通状態にある第１のホルダー５１２と第２ホルダー５１３とで構成されている場合には、基体５１４の導通性の有無に関わらず、ホルダー長はＬ０となる。
【００６３】
さらに、本発明では、前記高周波電極が棒状に形成されている構成としてもよい。電極の形状が、実質的に一次元として扱うことが可能な棒状形状である場合には、電力が進行方向に対して横方向に回りこむことが実質的に無いので、電力の横方向への回りこみによる二次的な定在波が生じすることがなく、本発明の効果をより顕著に得ることが可能になる。
【００６４】
また、本発明においては、前記被処理物が円筒状または円柱状に形成されている構成としてもよい。被処理物が円筒状または円柱状に形成されている場合には、被処理物上の高周波電力の反射端は被処理物の両端に限定される。そのため、多くの反射端が存在し、それに応じた多くの定在波が生じる場合に比べ、定在波の腹位置での電界強度が高く、他の周波数の電力によって生じる定在波の節位置、すなわち電界強度の低い部分を効果的に補うことが可能となるため、本発明の効果をより顕著に得ることが可能になる。
【００６５】
さらに、本発明は、前記被処理物の表面に堆積膜を形成する場合に、特に顕著な効果を得ることが可能である。本発明においては、電極上を含め反応容器中の全領域の電界分布を均一化するため、膜付着を生ずる部位の全領域にわたって、局所的な膜構造の変化が効果的に抑制される。この結果、内部応力の局所的な変化に起因して生じうる膜剥れが効果的に抑制され、したがって、剥れた膜が被処理物上へ付着することによって生じる被処理物上の欠陥が大幅に低減される。
【００６６】
また、本発明は、前記被処理物の表面に電子写真用感光体用堆積膜を形成する場合に、より効果的である。電子写真用感光体用堆積膜を形成するには、大面積の堆積膜を形成することが必要であり、さらにその全領域にわたって構造欠陥が存在しない必要がある。その一方で、電子写真感光体形成では一般的に数十μｍもの厚さの堆積膜形成を行うため、反応容器壁面への膜付着も多くなり、壁面に付着した膜に膜剥れが生じやすい。さらには、構造欠陥が生じた場合、電子写真感光体では他のデバイスのように、構造欠陥の存在する部分のみを不良として扱い、他の領域は良品として扱うといったことができず、大面積にわたって形成した全体の堆積膜が不良となってしまう。このため、電子写真感光体形成においては、構造欠陥が生じた際にコストへ与える影響が非常に大きく、本発明によって構造欠陥をも効果的に抑制することは、生産コストを低減させる上で極めて効果的となる。
【００６７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００６８】
図１は本発明の真空処理方法を行うことができるアモルファスシリコン系感光体製造装置の一例を示した概略図であり、同図（ａ）はその概略断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の切断線Ａ−Ａ'に沿う概略断面図である。
【００６９】
図１に示す装置では、反応容器１０１の側面には排気管１１１が一体的に形成され、排気管１１１の他端は不図示の排気装置に接続されている。堆積膜の形成される６本の円筒状基体１０５が、ホルダー１０６に載置された状態で、反応容器１０１の中心部を取り囲むように、かつ互いに平行に配置されている。各円筒状基体１０５は回転軸１０８によって保持され、発熱体１０７によって加熱されるようになっている。モータ１０９を駆動すると、減速ギア１１０を介して回転軸１０８が回転し、円筒状基体１０５がその母線方向中心軸のまわりを自転するようになっている。
【００７０】
反応容器１０１内には原料ガスが原料ガス供給手段１１２より供給される。また、２つの高周波電源１０３，１１３より異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス１０４を経て高周波電極１０２に同時に供給され、高周波電極１０２より反応容器１０１内にそれらの高周波電力が導入される。このとき、回転軸１０８を通してアース電位に維持された円筒状基体１０５および反応容器１０１の壁面が、アノード電極として作用する。
【００７１】
各高周波電源１０３，１１３には、たとえば高周波電源１０３の発振周波数をｆ１とし、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２とした場合、互いの発振周波数の関係を、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
とすることが可能である電源を用いる。
【００７２】
なお、図１の装置においては、上記の範囲を満たす２つの異なる周波数の高周波電力を出力可能な２つの電源を用いているが、本発明においては２つ以上の異なる周波数の高周波電力が供給可能であればよく、高周波電源が３つ以上であってもよい。また、あらかじめ複数の周波数を合成した高周波電力が出力可能な電源を用いた場合には、電源の数は１つであってもかまわない。いずれにしても、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電力を同一の電極に同時に供給可能な構成であり、２つの異なる周波数ｆ１、ｆ２の関係が、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
とすることが可能な構成とする。
【００７３】
また、本発明において、高周波電極１０２の長さをＬｅとし、高周波電源１０３，１１３より供給される高周波電力の反応容器１０１中での波長を各々λ1、λ2（λ1＜λ2）としたとき、これらＬｅ、λ1、λ2の関係を、好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜λ2／２
より好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
とすることで、真空処理特性をより顕著に均一化させる効果を得ることができる。
【００７４】
更に、円筒状基体１０５の長さをＬｓとしたとき、好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜λ2／２
より好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
とすることで、真空処理特性をより顕著に均一化させる効果を得ることができる。
【００７５】
また、ホルダー１０６の長さをＬｈとしたとき、好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜λ2／２
より好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
とすることで、真空処理特性をより顕著に均一化させる効果を得ることができる。
【００７６】
カソード電極１０２の形状としては、特に制限はないが、真空処理特性をより顕著に均一化させる効果を得るためには、図１に示したような棒状、あるいは線状であることが好ましく、また、膜剥がれ防止の観点から、可能な限り曲面により構成されていることが好ましく、特に、円柱状、円筒状が好ましい。
【００７７】
カソード電極１０２の表面は、膜の密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダストを抑制する目的から、粗面化されていることが望ましい。粗面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基準とする１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５μｍ以上２００μｍ以下の範囲が好ましい。
【００７８】
さらに、膜の密着性向上の観点から、高周波電極１０２の表面はセラミックス材で被覆されていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に制限はないが、例えばＣＶＤ法、溶射等の表面コーティング法により、高周波電極１０２の表面をコーティングしてもよい。コーティング法の中でも溶射は、コスト面から、あるいはコーティング対象物の大きさや形状の制限を受けにくいため好ましい。
【００７９】
また、高周波電極１０２の外部をパイプ形状等のセラミック部材により覆う構成とすることも効果的である。具体的なセラミック材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。高周波電極１０２の表面を被覆するセラミックス材の厚さは特に制限はないが、耐久性及び均一性を増すため、また、高周波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１０ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００８０】
さらに、高周波電極１０２に加熱または冷却手段を設けることにより、高周波電極１０２の表面における膜の密着性を更に高め、膜剥れの防止をより効果的に達成できる。この場合、高周波電極１０２を加熱するか冷却するかは、堆積する膜材料、堆積条件に応じて適宜決定する。具体的な加熱手段としては、発熱体であれば特に制限はない。具体的にはシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱輻射ランプ発熱体、液体、気体等を媒体とした熱交換手段による発熱体等が挙げられる。また、具体的な冷却手段としては、吸熱体であれば特に制限はない。例えば、液体・気体等を冷却媒体として流すことができる冷却コイル、冷却板、冷却筒等が挙げられる。
【００８１】
このような装置を用いた堆積膜形成は、概略以下のような手順により行なうことができる。
【００８２】
まず、反応容器１０１内に円筒状基体１０５を設置し、不図示の排気装置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気する。続いて、発熱体１０７により円筒状基体１０５を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００８３】
円筒状基体１０５が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段１１２を介して原料ガスを反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したことを確認した後、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
の２つの関係を満たす、周波数ｆ１を有する高周波電力と周波数ｆ２を有する高周波電力とを各高周波電源１０３，１１３よりマッチングボックス１０４を介して高周波電極１０２へ供給する。これにより、反応容器１０１内に２つの異なる周波数の高周波電力が導入され、反応容器１０１内にグロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。
【００８４】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００８５】
堆積膜形成中、回転軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体表面全周に渡って堆積膜が形成される。
【００８６】
【実施例】
以下、本発明の真空処理方法について実施例を示して更に詳しく説明する。ただし、本発明の範囲は、これらの実施例により何ら制限されるものではない。
【００８７】
（第１の実施例）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、高周波電源１０３の発振周波数を１００ＭＨｚとし、高周波電源１１３の発振周波数を１０ＭＨｚ（参考例）、２７ＭＨｚ、５４ＭＨｚ、６８ＭＨｚ、９０ＭＨｚとした各々の条件で、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に以下の表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、および表面層からなるアモルファスシリコン系感光体を１ロットあたり６本で５ロット分（合計３０本）作製した。なお、高周波電源１０３の出力は全出力の９５％、高周波電源１１３の出力は全出力の５％とした。
【００８８】
高周波電極１０２はＳＵＳ（ステンレス鋼）製で長さ４５ｃｍ、直径２０ｍｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。このアルミナ製のパイプにブラスト加工を施し、このパイプの表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。円筒状基体１０５は、高周波電極１０２を中心とする円周上に等間隔に６本配置した。
【００８９】
高周波電源１０３，１１３から出力された各高周波電力は、各々別々の同軸線路によりマッチングボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４内で各々の電力が合成された後、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、マッチングボックス１０４内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【００９０】
円筒状基体１０５を載置するホルダー１０６は、長さ４５０ｍｍのアルミニウム製であり、表面にはブラスト加工が施されている。円筒状基体１０５はホルダー１０６の中央に載置されており、円筒状基体１０５の端部からホルダー１０６の端部までの距離は上部、下部ともに４６ｍｍである。
【００９１】
原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、その端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体１０５が成す配置円の内側である。原料ガス供給手段１１２は、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一の円周上に等間隔に３本配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【００９２】
本実施例での感光体の作製手順は、概略以下の通りとした。
【００９３】
まず、基体ホルダー１０６に保持された円筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反応容器１０１中に流量が５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＡｒガスを供給しながら発熱体１０７により円筒状基体１０５を２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【００９４】
次いで、Ａｒガスの供給を停止し、反応容器１０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、下記の表１に示した電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源１０３の出力を全出力の９５％、高周波電源１１３の出力を全出力の５％とした状態で、全出力を表１に示した電力に設定し、マッチングボックス１０４を介して高周波電極１０２へ高周波電力を供給した。高周波電極１０２より反応容器１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを励起解離することにより、円筒状基体１０５上に電荷注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して電荷注入阻止層の形成を終えた。同様の操作を複数回繰り返すことによって、光導電層、表面層を順次形成した。
【００９５】
【表１】
【００９６】
これに対し、第１の比較例として、高周波電源１１３の発振周波数を７ＭＨｚ、９５ＭＨｚとする以外は実施例１と同様にして、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなるアモルファスシリコン系感光体を１ロットあたり６本で５ロット分（合計３０本）作製した。なお、高周波電源１０３の出力は全出力の９５％、高周波電源１１３の出力は全出力の５％とした。
【００９７】
このようにして作製された第１の実施例および第１の比較例のアモルファスシリコン系感光体を、テスト用に改造したキヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置し、感光体の特性評価を行った。評価項目は、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００９８】
− 画像濃度むら −
まず、現像器位置での暗部電位が一定値となるように主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した。次いで、キャノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピ−したときに得られたコピー画像上の全領域における反射濃度の最高値と最低値との差により評価した。評価結果は、全感光体の平均値とした。従って、数値が小さいほど良好である。
【００９９】
− 帯電能 −
複写機の主帯電器に一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を測定する。従って、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であることを示す。帯電能測定は感光体母線方向全領域にわたって行い、その中の最低暗部電位により評価した。評価結果は全感光体の平均値とした。従って、数値が大きいほど良好である。
【０１００】
− 光メモリー −
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように主帯電器の電流値を調整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノン製ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台に置き、その上に前記のキヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を重ねておいたときのコピー画像において、中間調コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定することにより行った。光メモリー測定は感光体母線方向全領域にわたって行い、その中の最大反射濃度差により評価した。評価結果は全感光体の平均値とした。従って、数値が小さいほど良好である。
【０１０１】
− 画像欠陥 −
キャノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。従って、数値が小さいほど良好である。
【０１０２】
これらの評価結果を表２に示す。
【０１０３】
【表２】
【０１０４】
表２において、評価結果は、第１の比較例において高周波電源１１３の発振周波数を７ＭＨｚとしたときの評価結果を基準とした。
【０１０５】
画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１０６】
また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を◎、１０％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満２.５％以上の向上を〇、２.５％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１０７】
光メモリーに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１０８】
画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１０９】
表２に示した結果からわかるように、高周波電源１１３の発振周波数ｆ２を９０ＭＨｚ≧ｆ２≧３０ＭＨｚとした本実施例において、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」いずれの項目においても本発明の真空処理特性をより顕著に均一化させるという効果が認められ、特に９０ＭＨｚ≧ｆ２＞５０ＭＨｚの範囲において顕著に効果が認められた。
【０１１０】
即ち、高周波電源１０３の発振周波数をｆ１、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２としたときに、０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１の関係において真空処理特性を顕著に均一化させる良好な特性が得られ、０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ＞ ０．５の関係において特に良好な結果が得られた。
【０１１１】
また、本実施例で作製された電子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等が無い、極めて良好なものであった。
【０１１２】
（第２の実施例）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、高周波電源１０３の発振周波数を２５０ＭＨｚとし、高周波電源１１３の発振周波数を１４０ＭＨｚとして、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に表３に示す条件でアモルファスシリコン膜を形成した。
【０１１３】
円筒状基体１０５の表面には、電気特性を評価するためのＣｒ製の２５０μｍ幅のギャップを有する櫛形電極を蒸着したガラス基板（コーニング＃７０５９製）を電気特性評価基板として設置した。電気特性評価基板は、円筒状基体１０５の軸方向の全領域にわたって、櫛形電極が軸方向に１ｃｍ間隔となるように設置した。
【０１１４】
高周波電極１０２はＳＵＳ（ステンレス鋼）製で直径２０ｍｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。このアルミナ製パイプにブラスト加工を施し、このパイプの表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。本実施例では、このように構成された高周波電極１０２の長さが３０ｃｍ、３５ｃｍ、４０ｃｍ、４５ｃｍ，５０ｃｍ，５５ｃｍ、６０ｃｍである場合の７条件について、アモルファスシリコン膜の形成を行った。
【０１１５】
高周波電源１０３，１１３から出力された高周波電力は、各々別々の同軸線路により、マッチングボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４内で各々の電力が合成された後、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、マッチングボックス１０４内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１１６】
円筒状基体１０５は高周波電極１０２を中心とする円周上に等間隔に６本配置した。また、円筒状基体１０５を載置するホルダー１０６は、長さ４５０ｍｍのアルミニウム製であり、表面はブラスト加工が施されている。円筒状基体１０５はホルダー１０６の上端から２０ｍｍ、ホルダー１０６の下端から７２ｍｍの位置に載置した。
【０１１７】
原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、その端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体１０５が成す配置円の内側である。原料ガス供給手段１１２は、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一の円周上に等間隔で３本配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１１８】
このような装置構成において、アモルファスシリコン膜の形成に先立って、高周波電力の反応容器１０１中での波長を測定した。高周波電源１０３の出力値を８００Ｗとし、高周波電源１１３の出力値を０Ｗとする以外は表３に示す条件で反応容器１０１中にプラズマを生起させた。このとき、高周波電極１０２の長さは６０ｃｍとした。プラズマを生起させた状態で反応容器１０１中にプローブを挿入し、円筒状基体１０５およびホルダー１０６の表面から２ｃｍの位置の電子温度を円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向に１ｃｍ間隔で測定した。円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向で電子温度の分布が得られ、電子温度の局所的な落ち込みが１２ｃｍ間隔で確認された。この結果、周波数２５０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長が２４ｃｍであることがわかった。この結果を基に周波数１４０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長を計算すると４３ｃｍとなる。
【０１１９】
次に、概略以下の手順によって、高周波電極１０２の長さをそれぞれ３０ｃｍ、３５ｃｍ、４０ｃｍ、４５ｃｍ、５０ｃｍ、５５ｃｍ、６０ｃｍとした場合ごとに、各々５ロットのアモルファスシリコン膜の形成を行った。
【０１２０】
まず、表面に電気特性評価基板を取り付けた円筒状基体１０５を基体ホルダー１０６に保持させた状態で反応容器１０１内の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反応容器１０１中に流量が５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＡｒガスを供給しながら、発熱体１０７により円筒状基体１０５の表面に取り付けられた電気特性評価基板の表面温度が２５０℃になるよう加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【０１２１】
次いで、Ａｒガスの供給を停止し、反応容器１０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、下記の表３に示した流量の原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が表３に示した条件で安定したことを確認した後、高周波電源１０３，１１３の出力値を各々表３に示した値に設定し、マッチングボックス１０４を介して高周波電極１０２へ高周波電力を供給した。高周波電極１０２より反応容器１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを励起解離させることにより、円筒状基体１０５上に設置された電気特性評価基板上にアモルファスシリコン膜を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して、アモルファスシリコン膜の形成を終えた。
【０１２２】
【表３】
【０１２３】
これに対し、第２の比較例として、高周波電源１１３の発振周波数を２０ＭＨｚとする以外は実施例２と同様にして、表３に示す条件でアモルファスシリコン膜の形成を行った。
【０１２４】
このようにして形成された、第２の実施例および第２の比較例のアモルファスシリコン膜に関して、以下の評価法により光感度むらを評価した。
【０１２５】
− 光感度むら −
電気特性評価基板上に得られた堆積膜の（（光導電率σｐ）／（暗導電率σｄ））を測定することにより評価を行った。光導電率σｐは、１ｍＷ／ｃｍ2の強度のＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）を照射したときの導電率とした。したがって、光感度の値が大きいほど堆積膜特性が良好であることを示す。各ロットごとに（最大光感度）／（最小光感度）を求め、その平均値を評価結果とした。
【０１２６】
評価結果を表４に示す。
【０１２７】
【表４】
【０１２８】
表４において、本実施例による形成膜の評価結果は、高周波電極１０２の長さごとに、第２の比較例において高周波電源１１３の発振周波数を２０ＭＨｚとしたときの評価結果を基準とし、光感度むらが１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１２９】
表４に示した結果から、反応容器中に導入する高周波電力のうち、反応容器中での波長が最も短いものをλ1、最も長いものをλ2、高周波電極の長さをＬｅとしたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜λ2／２
を満たす場合に本発明の効果が顕著に得られ、さらには、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
を満たす場合に本発明の効果をより顕著に得られることがわかった。
【０１３０】
（第３の実施例）
本実施例では、図２に示す堆積膜形成装置を用い、高周波電源１０３の発振周波数を１８０ＭＨｚとし、高周波電源１１３の発振周波数を１００ＭＨｚ、１２０ＭＨｚ、１４０ＭＨｚ、および１６０ＭＨｚとした場合において、表５に示す条件でアモルファスシリコン系感光体を形成した。
【０１３１】
図２に示す装置においては、ホルダー１０６の軸方向に、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の２本の円筒状基体１０５を重ねて設置した。そして、このように２本の円筒状基体１０５が軸方向に重ねて設置された１２本のホルダー１０６を、高周波電極１０２を中心とする同一に円周上に等間隔に配置した。各ホルダー１０６は、モータ１０９および減速ギア１１０により自転可能な回転軸１０８に保持されている。
【０１３２】
本実施例において用いたホルダー１０６は長さ７２２ｍｍのアルミニウム製のものであり、その表面にはブラスト加工が施されている。円筒状基体１０５は、ホルダー１０６の上端から３ｍｍの位置とホルダー１０６の下端から３ｍｍの位置との間に載置した。
【０１３３】
高周波電極１０２はＳＵＳ製で直径２０ｍｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。このアルミナ製パイプにはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。本実施例では、高周波電極１０２の上部および下部は、反応容器１０１の上壁及び下壁に一体的に設けられたアルミニウム製の円筒を外部導体、高周波電極１０２を内部導体とする同軸構造とした。高周波電極１０２の実質的な長さは、上記の同軸構造の上部端部と下部端部との間の長さとなり、本実施例ではその長さを６０ｃｍとした。また、高周波電極１０２と円筒状基体１０５との相対的な位置関係は、上記構造の上部と下部とで同じになるようにした。
【０１３４】
なお、図２に示す装置では、反応容器１０１内を排気するための３本の排気管１１１が反応容器１０１の底部に設けられている。図２に示す装置のその他の構成は、図１の装置と同様である。
【０１３５】
高周波電源１０３，１１３から出力された高周波電力は、各々別々の同軸線路により、マッチングボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４内で各々の電力が合成された後、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、マッチングボックス１０４内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１３６】
原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は各円筒状基体１０５が成す配置円の内側であり、３本の原料ガス供給手段１１２を円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一円周上に等間隔に配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１３７】
まず、このように構成された装置の反応容器１０１中での高周波電力の波長を測定した。具体的には、高周波電源１０３の出力値を下記の表５中に示した総出力値とし、高周波電源１１３の出力値を０Ｗとする以外は表５中に示した光導電層条件で反応容器１０１中にプラズマを生起させた。プラズマを生起させた状態で反応容器１０１中にプローブを挿入し、円筒状基体１０５およびホルダー１０６の表面から２ｃｍの位置の電子温度を円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向に１ｃｍ間隔で測定した。これにより円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向に関する電子温度の分布が得られ、電子温度の局所的な落ち込みが１６．７ｃｍ間隔で確認された。この結果、周波数１８０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長が３３．４ｃｍであることがわかった。この結果に基づいて周波数１００ＭＨｚ、１２０ＭＨｚ、１４０ＭＨｚ、１６０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長を計算すると、各々６０ｃｍ、５０ｃｍ、４３ｃｍ、３８ｃｍとなる。
【０１３８】
次に、第１の実施例と同様の手順により、アモルファスシリコン系感光体を各条件ごとに５ロット分（合計で１２０本）形成した。
【０１３９】
【表５】
【０１４０】
これに対し、第３の比較例として、高周波電源１１３の発振周波数を１３.５６ＭＨｚとする以外は本実施例と同様にして、表５に示す条件でアモルファスシリコン系感光体の形成を行った。
【０１４１】
本実施例および第３の比較例により形成されたアモルファスシリコン系感光体を、テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６０３０に設置し、第１の実施例と同様の具体的評価手段により、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目に関して評価を行った。
【０１４２】
評価結果を表６に示す。
【０１４３】
【表６】
【０１４４】
表６においては、第３の比較例において高周波電源１１３の発振周波数を１３.５６ＭＨｚとしたときの評価結果を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１４５】
また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を◎、１０％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満２．５％以上の向上を〇、２．５％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１４６】
光メモリーに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１４７】
画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１４８】
表６からわかるように、高周波電源１１３の発振周波数が１００ＭＨｚ〜１６０ＭＨｚの本実施例の全条件において、即ち、高周波電源１０３の発振周波数をｆ１、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２とした場合に、０．９≧ｆ２／ｆ１＞０．５の関係を満たす本実施例の全条件において良好な結果が得られた。
【０１４９】
また、円筒状基体１０５の長さ（３５８ｍｍの長さの基体を２本、軸方向に重ねているので７１６ｍｍ）をＬｓとした場合に、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜λ2／２
を満たすときに本発明の効果が顕著に得られ、さらには、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜０．９×λ2／２
を満たすときに本発明の効果が更に顕著に得られることが確認された。
【０１５０】
また、本実施例により作製された電子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等が無い、極めて良好なものであった。
【０１５１】
（第４の実施例）
本実施例においても、図２に示す堆積膜形成装置を用い、高周波電源１０３の発振周波数を２１０ＭＨｚとし、高周波電源１１３の発振周波数を１１０ＭＨｚとして、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に、表７に示す条件で電荷輸送層、電荷発生層、および表面層からなるアモルファスシリコン系感光体を形成した。なお、高周波電源１０３の出力は全出力の９５％、高周波電源１１３の出力は全出力の５％とした。
【０１５２】
本実施例においては、１本のホルダー１０６に対して直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状基体１０５を１本載置する構成とした。また、ホルダー１０６の長さは、４０ｃｍ、４５ｃｍ、５０ｃｍ、５５ｃｍ、６０ｃｍ、６５ｃｍの６条件とした。円筒状基体１０５は、ホルダー１０６の長さに関わらず、ホルダー１０６の上端から２ｃｍの位置に円筒状基体１０５の上端が位置するように、ホルダー１０６上に載置した。したがって、円筒状基体１０５の下端とホルダー１０６の下端との距離は、ホルダー１０６の各条件の長さ、４０ｃｍ、４５ｃｍ、５０ｃｍ、５５ｃｍ、６０ｃｍ、６５ｃｍに応じて、各々２.２ｃｍ、７.２ｃｍ、１２.２ｃｍ、１７.２ｃｍ、２２.２ｃｍ、２７.２ｃｍとなる。また、ホルダー１０６はアルミニウム製であり、その表面にはブラスト加工が施されている。
【０１５３】
高周波電極１０２はＳＵＳ製で直径２０ｍｍ、長さ７０ｃｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。アルミナ製パイプにはブラスト加工を施し、表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１５４】
高周波電源１０３，１１３から出力された高周波電力は、各々別々の同軸線路によりマッチングボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４内で各々の電力が合成された後、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、マッチングボックス１０４内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１５５】
原料ガス供給手段１１２には、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体１０５が成す配置円の内側であり、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一円周上に等間隔に３本の原料ガス供給手段１１２を配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１５６】
まず、このように構成された装置における反応容器１０１中での高周波電力の波長を測定した。具体的には、高周波電源１０３の出力値を下記の表７中に示した総出力値とし、高周波電源１１３の出力値を０Ｗとする以外は表７中に示した電荷発生層条件で反応容器１０１中にプラズマを生起させた。プラズマを生起させた状態で反応容器１０１中にプローブを挿入し、円筒状基体１０５およびホルダー１０６の表面から２ｃｍの位置の電子温度を円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向に１ｃｍ間隔で測定した。これにより、円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向で電子温度の分布が得られ、電子温度の局所的な落ち込みが１４.３ｃｍ間隔で確認された。この結果、周波数２１０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長が２８.６ｃｍであることがわかった。この結果に基づいて周波数１１０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長を計算すると５４.６ｃｍとなる。
【０１５７】
次に、第１の実施例と同様の手順により、アモルファスシリコン系感光体をホルダー１０６の各長さ条件ごとに、１ロットあたり６本で５ロット分（合計３０本）形成した。
【０１５８】
【表７】
【０１５９】
これに対し、第４の比較例として、高周波電源１１３の発振周波数を１０ＭＨｚとする以外は本実施例と同様にして、表７に示す条件でアモルファスシリコン系感光体の形成を行った。
【０１６０】
本実施例および第４の比較例により形成されたアモルファスシリコン系感光体を、テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６０３０に設置し、第１の実施例と同様の具体的評価手段により、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目に関して評価を行った。
【０１６１】
評価結果を表８に示す。
【０１６２】
【表８】
【０１６３】
表８においては、第４の比較例において高周波電源１１３の発振周波数を１０ＭＨｚとしたときの評価結果を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１６４】
また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を◎、１０％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満２．５％以上の向上を〇、２．５％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１６５】
光メモリーに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１６６】
画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１６７】
表８からわかるように、本実施例では、全条件において第４の比較例と比較して良好な結果が得られた。また、ホルダー長をＬｈとした場合に、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜λ2／２
を満たすときに本発明の効果が顕著に得られ、さらには、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜０．９×λ2／２
を満たすときに本発明の効果が更に顕著に得られることが確認された。
【０１６８】
また、本実施例により作製された電子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等が無く、極めて良好なものであった。
【０１６９】
（第５の実施例）
本実施例においては、図３に示す堆積膜形成装置を用い、直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に表９に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、および表面層からなるアモルファスシリコン系感光体を形成した。
【０１７０】
図３に示す装置は、３つの高周波電源４０３，４１３，４２３と、各高周波電源用のマッチングボックス４０４，４１４，４２４とを有している。図３に示す装置のその他の構成は、排気管１１１の構成を除いて図１に示した装置と同様である。図３の装置では、反応容器１０１内を排気するための３本の排気管１１１が反応容器１０１の底部に設けられている。
【０１７１】
高周波電源４０３，４１３，４２３からそれぞれ出力された高周波電力は、各高周波電源用のマッチングボックス４０４，４１４，４２４を経て互いに合成されて、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、各マッチングボックス４０４，４１４，４２４内には、他の高周波電力が各々の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１７２】
本実施例においては、高周波電源４０３から出力される高周波電力の周波数を１０５ＭＨｚ、高周波電源４１３から出力される高周波電力の周波数を８０ＭＨｚ、高周波電源４２３から出力される高周波電力の周波数を６０ＭＨｚとした。ホルダー１０６は長さ５０ｃｍのアルミニウム製であり、表面にはブラスト加工が施されている。
【０１７３】
高周波電極１０２はＳＵＳ製で直径２０ｍｍ、長さ６０ｃｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。アルミナ製のパイプにはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１７４】
原料ガス供給手段１１２には、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体１０５が成す配置円の内側であり、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一円周上に３本の原料ガス供給手段１１２を等間隔に配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１７５】
このような構成の装置を用い、概略以下の手順で感光体の形成を行った。
【０１７６】
まず、基体ホルダー１０６に保持された円筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反応容器１０１中に流量が５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＡｒガスを供給しながら発熱体１０７により円筒状基体１０５を２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【０１７７】
次いで、Ａｒガスの供給を停止し、反応容器１０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、下記の表９に示す条件で、電荷注入阻止層形成に用いるための原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源４０３，４１３，４２３の出力を各々所定の値に設定することで、マッチングボックス４０４，４１４，４２４を介して高周波電極１０２へ高周波電力を供給した。高周波電極１０２より反応容器１０１内に放射された高周波電力によって原料ガスを励起解離することにより、円筒状基体１０５上に電荷注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行われた後、本実施例では放電を止めず、連続的にガス流量、電力を変化させて、次の層である第一の光導電層の形成条件に設定を変更した。このとき、ガス流量、電力を連続的に変化させる時間は１０分とした。所定の膜厚の第一の光導電層が形成された後、連続的にガス流量を変化させて、次の層である第二の光導電層の形成条件に設定を変更した。このとき、ガス流量、電力を連続的に変化させる時間は５分とした。所定の膜厚の第二の光導電層が形成された後、連続的にガス流量、電力、圧力を変化させて、次の層である表面層の形成条件に設定を変更した。このとき、ガス流量、電力を連続的に変化させる時間は１５分とした。そして、所定の膜厚の表面層を形成した。
【０１７８】
【表９】
【０１７９】
これに対し、第５の比較例として、高周波電源４０３のみから高周波電力を出力し、高周波電源４１３、４２３からの出力を行わない点を除いては本実施例と同様にして、表９に示す条件でアモルファスシリコン系感光体の形成を行った。なお、本比較例において、高周波電源４０３からの出力値は、本実施例における高周波電源４０３、４１３、４２３からの出力値の和、すなわち総出力量と同じになるように設定した。
【０１８０】
本実施例および第５の比較例により形成されたアモルファスシリコン系感光体を、テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＧＰ６０５に設置し、第１の実施例と同様の具体的評価手段により、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目に関して評価を行った。
【０１８１】
評価結果を表１０に示す。
【０１８２】
【表１０】
【０１８３】
表１０においては、第５の比較例の評価結果を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１８４】
また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を◎、１０％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満２．５％以上の向上を〇、２．５％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１８５】
光メモリーに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１８６】
画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１８７】
表１０からわかるように、本実施例により作製したアモルファスシリコン系感光体は、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の評価項目すべてにおいて、第５の比較例により作製した感光体よりも良好であり、本発明の効果が確認された。
【０１８８】
また、本実施例により作製された電子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等が無く、極めて良好なものであった。
【０１８９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の真空処理方法は、同一の高周波電極に同時に供給する、互いに異なる周波数を有する高周波電力として、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
の２つの条件を満たす、周波数ｆ１を有する高周波電力と周波数ｆ２を有する高周波電力とを少なくとも用いているので、真空処理速度を高く維持しながらも、真空処理特性の向上を達成し、さらには真空処理特性の均一性を極めて高いレベルとすることができる。また、被処理物表面への異物の付着を効果的に抑制できるため、良品率の向上を実現することができ、真空処理のコストの低減を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理方法を行う堆積膜形成装置の一実施形態を示す図である。
【図２】本発明の真空処理方法を行う、他の堆積膜形成装置を示す図である。
【図３】本発明の真空処理方法を行う、さらに他の堆積膜形成装置を示す図である。
【図４】従来の堆積膜形成装置の一例を示す図である。
【図５】従来の堆積膜形成装置の他の例を示す図である。
【図６】堆積膜形成装置に備えられたホルダーの長さの定義について説明するための図である。
【符号の説明】
１０１ 反応容器
１０２ 高周波電極
１０３，１１３，４０３，４１２，４２３ 高周波電源
１０４，４０４，４１４，４２４ マッチングボックス
１０５ 円筒状基体
１０６ ホルダー
１０７ 発熱体
１０８ 回転軸
１０９ モータ
１１０ 減速ギア
１１１ 排気管
１１２ 原料ガス供給手段
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、および光起電力デバイス等における堆積膜形成やエッチング等に用いられる、高周波電力を用いた真空処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他の各種エレクトロニクス素子、および光学素子に用いる堆積膜形成方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、およびプラズマＣＶＤ法等が多数知られており、そのための装置も実用に付されている。
【０００３】
中でも、プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電により分解し、基板上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電子写真用水素化アモルファスシリコン堆積膜の形成等に好適なものとして、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も各種提案されている。
【０００４】
ここで、図４を参照して、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成装置について説明する。図４は、電源としてＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による従来の堆積膜形成装置、具体的には電子写真用光受容部材の形成装置の一例を示す模式的な構成図である。
【０００５】
この装置は大別すると、堆積装置２１００、原料ガス供給装置２２００、反応容器２１０１内を減圧にするための排気装置（不図示）から構成されている。堆積装置２１００の反応容器２１０１内には、円筒状基体２１１２、基体加熱用ヒーター２１１３ａを内蔵した基体支持体２１１３、および原料ガス導入管２１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス２１１５が反応容器２１０１の一部を構成するカソード電極２１１１に接続されている。カソード電極２１１１は碍子２１２０によりアース電位から絶縁されており、基体支持体２１１３を通してアース電位に維持されるアノード電極を兼ねた円筒状基体２１１２との間に高周波電圧が印加可能となっている。
【０００６】
原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等の原料ガスを収容する複数のガスボンベ２２２１〜２２２６と、ガスボンベバルブ２２３１〜２２３６と、ガス流入バルブ２２４１〜２２４６およびガス流出バルブ２２５１〜２２５６と、マスフローコントローラー２２１１〜２２１６とから構成され、各原料ガスのボンベは補助バルブ２２６０を有する原料ガス配管２１１６を介して反応容器２１０１内のガス導入管２１１４に接続されている。
【０００７】
このように構成された堆積膜形成装置を用いたシリコンを主成分とする堆積膜の形成は、例えば以下のように行なわれる。
【０００８】
まず、反応容器２１０１内に円筒状基体２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器２１０１内を排気する。続いて、基体支持体２１１３に内蔵された基体加熱用ヒーター２１１３ａにより円筒状基体２１１２の温度を２００℃〜３５０℃の所定の温度に制御する。
【０００９】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１０１内に流入させる際には、ガスボンベバルブ２２３１〜２２３６および反応容器２１０１のリークバルブ２１１７が閉じていることを確認し、また、ガス流入バルブ２２４１〜２２４６、ガス流出バルブ２２５１〜２２５６、および補助バルブ２２６０が開いていることを確認して、まずメインバルブ２１１８を開いて反応容器２１０１および原料ガス配管内２１１６を排気する。
【００１０】
次に、真空計２１１９の読みが約７×１０-1Ｐａになった時点で補助バルブ２２６０およびガス流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じる。
【００１１】
その後、ガスボンベバルブ２２３１〜２２３６を開いてガスボンベ２２２１〜２２２６より各ガスを導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。
【００１２】
次に、ガス流入バルブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。
【００１３】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。
【００１４】
円筒状基体２１１２が所定の温度になったところで、ガス流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ２２２１〜２２２６から所定のガスを原料ガス導入管２１１４を介して反応容器２１０１内に導入する。次にマスフローコントローラー２２１１〜２２１６のうち、所定のマスフローコントローラーによって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器２１０１内の圧力が所定の値になるように、真空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開口量を調整する。
【００１５】
反応容器２１０１内の内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５およびカソード２１１１を通じて反応容器２１０１内にＲＦ電力を導入し、円筒状基体２１１２をアノードとして作用させてグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって、反応容器２１０１内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体２１１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成される。
【００１６】
所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、ガス流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じて反応容器２１０１内へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層を形成することができる。
【００１７】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外のガス流出バルブ２２５１〜２２５６はすべて閉じられていることは言うまでもなく、また、それぞれのガスが、反応容器２１０１内およびガス流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１０１に至る配管内に残留することを避けるために、ガス流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を一旦高真空にすることで配管内を排気する操作を、必要に応じて行う。
【００１８】
なお、形成膜の膜厚や膜質の均一化を図るために、層形成を行なっている間は、円筒状基体２１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効である。さらに、上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うまでもない。
【００１９】
このような、上記のＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による従来の堆積膜形成装置および形成方法に加え、近年、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法（以下、「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法」という。）が注目を浴びており、これを用いた各種堆積膜形成の開発も積極的に進められている。これは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである。例えば特開平６−２８７７６０には、アモルファスシリコン系の電子写真用光受容部材の形成に用いられ、周波数が３０ＭＨｚ以上、３００ＭＨｚ以下の高周波電力を用いる堆積膜形成装置および方法が開示されている。また、図５に示すような、複数の電子写真用光受容部材を同時に形成でき、生産性の極めて高い堆積膜形成装置の開発も進められている。
【００２０】
図５は、従来の他の堆積膜形成装置を示す図であり、同図（ａ）はその概略縦断面図、同図（ｂ）はその切断線Ａ−Ａ'に沿う概略断面図である。
【００２１】
図５に示す装置では、反応容器３０１の側面には排気管３１１が一体的に形成され、排気管３１１の他端は不図示の排気装置に接続されている。表面に堆積膜が形成される６本の円筒状基体３０５が、反応容器３０１の中心部を取り囲むように、かつ互いに平行に配置されている。各円筒状基体３０５は回転軸３０８によって保持され、発熱体３０７によって加熱されるようになっている。モータ３０９を駆動すると、減速ギア３１０を介して回転軸３０８が回転し、円筒状基体３０５がその母線方向中心軸のまわりを自転するようになっている。
【００２２】
６本の円筒状基体３０５により囲まれた成膜空間３０６には、原料ガスが原料ガス供給手段３１２より供給される。ＶＨＦ電力はＶＨＦ電源３０３よりマッチングボックス３０４を経てカソード電極３０２より成膜空間３０６に供給される。この際、回転軸３０８を通してアース電位に維持された円筒状基体３０５がアノード電極として作用する。
【００２３】
このような装置を用いた堆積膜形成は、概略以下のような手順により行うことができる。
【００２４】
まず、反応容器３０１内に円筒状基体３０５を設置し、不図示の排気装置により排気管３１１を通して反応容器３０１内を排気する。続いて、発熱体３０７により円筒状基体３０５を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００２５】
円筒状基体３０５が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段３１２を介して、原料ガスを反応容器３０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器３０１内の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源３０３よりマッチングボックス３０４を介してカソード電極３０２へ所定のＶＨＦ電力を供給する。これにより、カソード電極３０２とアノード電極を兼ねた円筒状基体３０５との間にＶＨＦ電力が導入され、円筒状基体３０５で囲まれた成膜空間３０６にグロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体３０５上に堆積膜が形成される。
【００２６】
所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の電子写真用光受容層が形成される。
【００２７】
堆積膜形成中、回転軸３０８を介して円筒状基体３０５をモータ３０９により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体表面全周に渡って堆積膜が形成される。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来の堆積膜形成装置および方法により、良好な堆積膜形成、即ち真空処理がなされる。しかしながら、このような真空処理を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質化、低コスト化が実現可能な真空処理方法が求められるようになっている。
【００２９】
例えば、電子写真装置の場合、コピースピードの向上、高画質化、低価格化の要求は非常に強く、これらを実現するためには感光体特性、具体的には帯電能や感度等の向上、画像上に白点あるいは黒点で現れる感光体中構造欠陥に起因する画像欠陥の抑制、及び感光体生産コストの低下が不可欠となっている。また、近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置、カラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に為されるため、画像濃度むらの低減が従来以上に強く求められるようになっている。
【００３０】
このような感光体特性の向上、感光体生産コストの低下を目指し、堆積膜積層構成の最適化等も為されているが、同時に、真空処理方法の面での改善も強く望まれている。
【００３１】
このような状況下において、前述した従来の真空処理方法においても、真空処理特性の向上、真空処理コストの低下に関して、まだ改善の余地が残されているのが現状である。
【００３２】
すでに述べたように、ＶＨＦ帯、あるいはその近傍の周波数の高周波電力を用いてプラズマを生成して真空処理を施すことにより、真空処理速度の向上、真空処理特性の向上が達成可能であり、そのための鋭意研究がなされている。しかしながら、このような周波数帯の高周波電力を用いた場合、反応容器中での高周波電力の波長が反応容器、高周波電極、基板、あるいは基板ホルダー等と同程度の長さとなり、反応容器中で高周波電力が定在波を形成しやすくなり、この定在波によって反応容器中では場所ごとに電力の強弱が生じ、プラズマ特性が異なってしまう。この結果、広い範囲で真空処理特性をより一層均一化させることは難しかった。
【００３３】
このような問題を解決するための手段として、複数の異なる周波数の高周波電力を反応容器中に同時に供給することが考えられる。これによって、反応容器中には、各々の周波数に応じた異なる波長の定在波が複数形成されることとなるが、これらは同時に供給されているので、これら複数の定在波が合成され、結果として明確な定在波が形成されなくなる。このような考えに基づけば、異なる複数の高周波電力の周波数はどのような値であっても定在波抑制効果は得られる。たとえば、特開昭６０−１６０６２０号公報においては、１０ＭＨｚ以上の高周波電力と１ＭＨｚ以下の高周波電力を同一の電極に供給する構成のプラズマリアクタ装置が開示されており、また、特開平９−３２１０３１号公報においては、ＵＨＦ帯（３００ＭＨｚ以上、１ＧＨｚ以下）の高周波電力と、それと２倍以上異なる周波数を有する高周波電力とを同時に印加する構成のプラズマ処理装置が開示されている。
【００３４】
これらの技術を用いることによって、反応容器中の高周波電力の定在波は抑制され、真空処理の均一性が向上するものと考えられる。
【００３５】
しかしながら、本発明者らは、たとえば特開昭６０−１６０６２０号公報に開示された技術を用いて真空処理特性の均一性に関する実験を行った結果、確かにあるレベルまでは真空処理特性の均一性は向上できるものの、近年要求されている均一性のレベルを得るには至らなかった。また、特開平９−３２１０３１号公報に開示された技術を用いて実験を行った結果も同様に、近年要求されている均一性のレベルを得るには至らなかった。即ち、電界強度的には均一化されているはずの電力供給方法をもってしても、実際の真空処理においては、ある程度の不均一性が残ってしまうことが明らかとなった。
【００３６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、真空処理速度の向上および真空処理特性の向上を達成し、更には真空処理特性の均一性を極めて高いレベルとし、また、真空処理コストの低減が可能な真空処理方法を提供することにある。
【００３７】
【課題を解決するための手段】
本願発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、同一の電極に周波数が異なる複数の高周波電力を供給し、それらの周波数の関係を変化させることによって、真空処理の均一化を図る効果が顕著に変化することを見出した。そして、それらの周波数を所定の関係とすることで、真空処理速度の向上、真空処理特性の向上、真空処理特性の均一性の向上、および真空処理コストの低減化を同時に実現することができることを見出し、本願発明を完成させるに至った。
【００３８】
すなわち、本発明の真空処理方法は、反応容器中に被処理物を設置し、互いに異なる周波数を有する少なくとも２つの高周波電力を同一の高周波電極に同時に供給することにより、該高周波電極から前記反応容器内に導入された高周波電力によって前記反応容器内にプラズマを生起させて前記被処理物を処理する真空処理方法において、前記高周波電力として、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
の２つの条件を満たす、周波数ｆ１を有する高周波電力と周波数ｆ２を有する高周波電力とを少なくとも用いることを特徴とする。
【００３９】
このように構成された本発明の真空処理方法によれば、高い真空処理速度を維持しながら、真空処理特性の向上、真空処理コストの低減を実現し、同時に真空処理特性の均一性を著しく向上させることが可能である。
【００４０】
この周波数の関係にある際に均一化効果が顕著に得られるメカニズムについては、現段階では明らかにはなっていないが、おおよそ以下のような作用によるものと考えられる。
【００４１】
たとえば、特開昭６０−１６０６２０号公報に具体的に示されているような周波数関係の場合、すなわち、１０ＭＨｚ以上の高周波電力（以下、「高周波数電力という。」と１ＭＨｚ以下の高周波電力（以下、「低周波数電力」という）とを同時に処理容器内に導入した場合、高周波数電力による電界定在波と低周波数電力による電界定在波とが互いに合成され、高周波電界的には処理容器内での電界定在波を抑制することは可能である。
【００４２】
しかしながら、このように高周波数電力と低周波数電力との周波数が１桁以上も異なってしまうと、高周波数電力による原料ガスの分解の仕方と低周波数電力による原料ガスの分解の仕方が異なってしまい、その結果、生成される活性種の種類、比率が異なってしまう。このため、電界強度的には均一化がなされていても、高周波数電力定在波の腹部分では高周波数電力の周波数に応じた種類、比率の活性種が多く生成され、低周波数電力定在波の腹部分では低周波数電力の周波数に応じた種類、比率の活性種が多く生成されてしまう。その結果、活性種の種類、比率に空間的な分布が生じてしまい、真空処理特性に不均一化をもたらしてしまうものと考えられる。
【００４３】
これに対し、周波数ｆ１とｆ２との関係をｆ２／ｆ１≧０.１の関係に維持することで、このような周波数の違いによる生成活性種の種類、比率の違いは実用上問題となるレベルでなくなるものと考えられる。
【００４４】
また、周波数ｆ１と周波数ｆ２とが互いに近すぎると、各々の定在波の節位置と腹位置とが近くなるため、十分な電界定在波抑制効果が得られなくなってしまう。そのため、周波数ｆ１とｆ２との関係を０．９≧ｆ２／ｆ１の関係に維持することも必要であると考えられる。
【００４５】
また、周波数ｆ１が２５０ＭＨｚよりも高くなると、電力の進行方向での減衰が顕著となり、異なる周波数をもつ高周波電力間での減衰率のずれが顕著となってしまい、十分な均一化効果が得られなくなってしまうものと考えられる。さらに、周波数ｆ２が３０ＭＨｚよりも小さくなると、真空処理速度が急激に低下してしまい、真空処理コストの点から好ましくない。
【００４６】
以上のような理由から、周波数ｆ１，ｆ２を、本発明の範囲、すなわち、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１＞ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
とすることで、真空処理速度を高く維持しながらも、真空処理特性の向上、すなわち真空処理特性の均一性を向上させる効果を顕著に得られるものと推察される。
【００４８】
さらに、前記周波数ｆ１と前記周波数ｆ２とが、
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ＞０．５
の条件を満たす構成とすることにより、本発明による上記の効果を一層顕著に得ることが可能になる。
【００４９】
なお、本発明において、互いに異なる周波数を上記の関係に設定する対象の高周波電力は、真空処理に影響を及ぼすレベル以上の電力を有するものに限られ、真空処理に実質上影響を及ぼさない低電力の高周波電力、例えば高調波等の周波数は上記の関係に制限されるものではない。
【００５０】
また、必要に応じて、更に他の周波数の電力を同時に供給しても良い。たとえば、真空処理中のバイアス効果を高めるために、本発明の範囲の高周波電力に加えて、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度の周波数の電力を同時に供給することができる。このように、更なる電力を供給する場合には、その電力を加えることで真空処理特性の均一性が損なわれない程度の電力とする必要がある。
【００５１】
本発明において、このような反応容器中への高周波電力の導入は、同一の電極から行う必要がある。各々異なった周波数の高周波電力を各々別の電極から供給した場合、各電極上には電極ごとに供給された高周波電力の周波数に依存した波長の定在波が生じてしまう。この結果、電極近傍に生起するプラズマの特性は、この定在波に応じた形状をもってしまい、生成活性種の種類・比率や、電極に入射するイオンのエネルギーが位置によって異なってしまうため、電極上に付着する膜の構造が電極上の位置に依存して異なってしまう。このため、電極上において剥れ易い膜構造の部分が生じたり、あるいは、膜の構造が位置的に変化する領域が生じ、その領域での内部応力の違いが生じたりして、付着膜が剥れやすい部分が生じてしまい、剥れた膜が被処理物上に付着して欠陥を生じさせやすくなってしまう。このような問題を回避するために、本発明では周波数の異なる複数の高周波電力を同一の電極に供給する必要がある。このようにすることにより、電極上においても定在波は抑制され、上述したような問題が効果的に抑制される。
【００５２】
また、本発明においては、前記高周波電極の最長部の長さをＬｅとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜λ2／２
の条件を満たす構成とすることが好ましい。このような条件とすることで、最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置とを高周波電極上の全領域において互いにずらすことが可能となり、真空処理特性の均一性が向上するものと考えられる。
【００５３】
このような効果は、前記Ｌｅと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす構成とすることにより、更に顕著に得ることができる。これは、上述したような最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置との互いのずれをより大きくすることが可能になるためであると推測される。
【００５４】
なお、反応容器中での高周波電力の波長は、たとえば周知のプローブ法を用いて知ることができる。具体的には、まず、反応容器中にプローブを挿入した状態でプラズマを生成させる。このとき、高周波電力は単一の周波数とする。この状態でプローブ位置を反応容器中で移動し、反応容器中の電子密度、電子温度の分布を測定する。プラズマ生成条件が、供給する高周波電力の増加に伴って電子密度が増加する、いわゆるパワーリミット条件の場合には、電子密度において高周波電力の定在波に応じた分布が測定される。電子密度が最も低いところが定在波の節位置に相当し、電子密度が最も高いところが定在波の腹位置に相当する。この定在波の節位置と腹位置とから定在波の波長が求められ、その波長を２倍することによって供給した高周波電力の反応容器中での波長を知ることができる。プラズマ生成条件が、供給する原料ガス量の増加に伴って電子密度が増加する、いわゆるフローリミット条件の場合には、電子温度において高周波電力の定在波に応じた分布が測定される。電子温度が最も低いところが定在波の節位置に相当し、電子温度が最も高いところが定在波の腹位置に相当する。この定在波の節位置と腹位置とから定在波の波長が求められ、その波長を２倍することによって供給した高周波電力の反応容器中での波長を知ることができる。このような反応容器中での高周波電力の波長を知る手段としては、プローブ法のほかにもマイクロ波法、光計測法等、周知のプラズマ診断法を用いることも可能である。
【００５５】
また、反応容器中の堆積膜特性の変化から反応容器中での高周波電力の波長を知ることも可能である。この場合、反応容器中に設置した基板上に堆積膜を形成し、その膜特性、たとえば電気特性や光学的特性の位置依存性を従来から公知の方法（例えば、電気伝導率測定、ＣＰＭ(Constant Photocurrent Method)、可視光吸収測定、あるいは赤外線吸収測定）で評価する。これによって、膜特性の等間隔で周期的な位置依存性が確認される。その周期が定在波の波長であり、その長さを２倍することによって、反応容器中での高周波電力の波長が求められる。
【００５６】
本発明は更に、前記被処理物の導電性部分の最長部分の長さをＬｓとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜λ2／２
の条件を満たす構成とすることにより、より顕著な効果を得ることが可能である。これは、高周波電極より反応容器中に供給された高周波電力が反応容器中を伝播し、その一部が被処理物の導電性部分上に伝播してしまうことに起因するものと考えられる。このようにして被処理物上に伝播した高周波電力は、電極の場合と同様に、被処理物の導電性部部分上において各々の波長に応じた電界定在波を生じる。従って、上記の条件とすることで、最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置とを被処理物上の全領域にわたって互いにずらすことが可能となり、真空処理特性の均一性が向上するものと考えられる。
【００５７】
このような効果は、前記Ｌｓと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす場合に、更に顕著に得ることができる。これは、上述したような最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置との互いのずれをより大きくすることが可能になるためと推測される。
【００５８】
また、本発明は、少なくとも一部が導電性部材で構成されたホルダー上に前記被処理物を設置し、前記ホルダーの導電性部分の最長部分の長さをＬｈとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜λ2／２
の条件を満たす構成とすることにより、より顕著な効果を得ることが可能である。これは、高周波電極より反応容器中に供給された高周波電力が反応容器中を伝播し、その一部がホルダーの導電性部分上に伝播してしまうことに起因するものと考えられる。この結果、被処理物上に高周波電力が重畳した場合と同様の作用によって、真空処理特性の均一性が向上するものと考えられる。
【００５９】
このような効果は、前記Ｌｈと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす場合に、更に顕著に得ることができる。これは、上述したような最も高い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置と、最も低い周波数を有する高周波電力に起因する定在波の節位置との互いのずれをより大きくすることが可能になるためと推測される。
【００６０】
なお、ここでホルダーの長さとは、電気的に導通のあるホルダー部位のうち、距離が最も離れた部位間の長さをさす。たとえば、導電性のホルダーが２分割されており、その間に基体が設置されている場合でも、基体が導電性を有していれば、分割された２つのホルダーは電気的に導通状態にあるので、これら２つのホルダー間で最も離れた部位間の距離をホルダー長さとする。
【００６１】
たとえば、図６（ａ）に示す構成の場合、導電性のホルダー５０１は下部ホルダー５０２と上部ホルダー５０３とに分割されており、各々の長さはＬ１，Ｌ２であるが、基体５０４が導電性の場合、下部ホルダー５０２と上部ホルダー５０３とは導通状態となるので、ホルダー長はＬ０となる。
【００６２】
また、図６（ｂ）に示す構成のように、導電性を有するホルダー５１１が、互いに導通状態にある第１のホルダー５１２と第２ホルダー５１３とで構成されている場合には、基体５１４の導通性の有無に関わらず、ホルダー長はＬ０となる。
【００６３】
さらに、本発明では、前記高周波電極が棒状に形成されている構成としてもよい。電極の形状が、実質的に一次元として扱うことが可能な棒状形状である場合には、電力が進行方向に対して横方向に回りこむことが実質的に無いので、電力の横方向への回りこみによる二次的な定在波が生じすることがなく、本発明の効果をより顕著に得ることが可能になる。
【００６４】
また、本発明においては、前記被処理物が円筒状または円柱状に形成されている構成としてもよい。被処理物が円筒状または円柱状に形成されている場合には、被処理物上の高周波電力の反射端は被処理物の両端に限定される。そのため、多くの反射端が存在し、それに応じた多くの定在波が生じる場合に比べ、定在波の腹位置での電界強度が高く、他の周波数の電力によって生じる定在波の節位置、すなわち電界強度の低い部分を効果的に補うことが可能となるため、本発明の効果をより顕著に得ることが可能になる。
【００６５】
さらに、本発明は、前記被処理物の表面に堆積膜を形成する場合に、特に顕著な効果を得ることが可能である。本発明においては、電極上を含め反応容器中の全領域の電界分布を均一化するため、膜付着を生ずる部位の全領域にわたって、局所的な膜構造の変化が効果的に抑制される。この結果、内部応力の局所的な変化に起因して生じうる膜剥れが効果的に抑制され、したがって、剥れた膜が被処理物上へ付着することによって生じる被処理物上の欠陥が大幅に低減される。
【００６６】
また、本発明は、前記被処理物の表面に電子写真用感光体用堆積膜を形成する場合に、より効果的である。電子写真用感光体用堆積膜を形成するには、大面積の堆積膜を形成することが必要であり、さらにその全領域にわたって構造欠陥が存在しない必要がある。その一方で、電子写真感光体形成では一般的に数十μｍもの厚さの堆積膜形成を行うため、反応容器壁面への膜付着も多くなり、壁面に付着した膜に膜剥れが生じやすい。さらには、構造欠陥が生じた場合、電子写真感光体では他のデバイスのように、構造欠陥の存在する部分のみを不良として扱い、他の領域は良品として扱うといったことができず、大面積にわたって形成した全体の堆積膜が不良となってしまう。このため、電子写真感光体形成においては、構造欠陥が生じた際にコストへ与える影響が非常に大きく、本発明によって構造欠陥をも効果的に抑制することは、生産コストを低減させる上で極めて効果的となる。
【００６７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００６８】
図１は本発明の真空処理方法を行うことができるアモルファスシリコン系感光体製造装置の一例を示した概略図であり、同図（ａ）はその概略断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の切断線Ａ−Ａ'に沿う概略断面図である。
【００６９】
図１に示す装置では、反応容器１０１の側面には排気管１１１が一体的に形成され、排気管１１１の他端は不図示の排気装置に接続されている。堆積膜の形成される６本の円筒状基体１０５が、ホルダー１０６に載置された状態で、反応容器１０１の中心部を取り囲むように、かつ互いに平行に配置されている。各円筒状基体１０５は回転軸１０８によって保持され、発熱体１０７によって加熱されるようになっている。モータ１０９を駆動すると、減速ギア１１０を介して回転軸１０８が回転し、円筒状基体１０５がその母線方向中心軸のまわりを自転するようになっている。
【００７０】
反応容器１０１内には原料ガスが原料ガス供給手段１１２より供給される。また、２つの高周波電源１０３，１１３より異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス１０４を経て高周波電極１０２に同時に供給され、高周波電極１０２より反応容器１０１内にそれらの高周波電力が導入される。このとき、回転軸１０８を通してアース電位に維持された円筒状基体１０５および反応容器１０１の壁面が、アノード電極として作用する。
【００７１】
各高周波電源１０３，１１３には、たとえば高周波電源１０３の発振周波数をｆ１とし、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２とした場合、互いの発振周波数の関係を、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
とすることが可能である電源を用いる。
【００７２】
なお、図１の装置においては、上記の範囲を満たす２つの異なる周波数の高周波電力を出力可能な２つの電源を用いているが、本発明においては２つ以上の異なる周波数の高周波電力が供給可能であればよく、高周波電源が３つ以上であってもよい。また、あらかじめ複数の周波数を合成した高周波電力が出力可能な電源を用いた場合には、電源の数は１つであってもかまわない。いずれにしても、少なくとも２つの異なる周波数の高周波電力を同一の電極に同時に供給可能な構成であり、２つの異なる周波数ｆ１、ｆ２の関係が、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
とすることが可能な構成とする。
【００７３】
また、本発明において、高周波電極１０２の長さをＬｅとし、高周波電源１０３，１１３より供給される高周波電力の反応容器１０１中での波長を各々λ1、λ2（λ1＜λ2）としたとき、これらＬｅ、λ1、λ2の関係を、好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜λ2／２
より好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
とすることで、真空処理特性をより顕著に均一化させる効果を得ることができる。
【００７４】
更に、円筒状基体１０５の長さをＬｓとしたとき、好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜λ2／２
より好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
とすることで、真空処理特性をより顕著に均一化させる効果を得ることができる。
【００７５】
また、ホルダー１０６の長さをＬｈとしたとき、好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜λ2／２
より好ましくは、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
とすることで、真空処理特性をより顕著に均一化させる効果を得ることができる。
【００７６】
カソード電極１０２の形状としては、特に制限はないが、真空処理特性をより顕著に均一化させる効果を得るためには、図１に示したような棒状、あるいは線状であることが好ましく、また、膜剥がれ防止の観点から、可能な限り曲面により構成されていることが好ましく、特に、円柱状、円筒状が好ましい。
【００７７】
カソード電極１０２の表面は、膜の密着性を向上し、膜剥れを防止し、成膜中のダストを抑制する目的から、粗面化されていることが望ましい。粗面化の具体的な程度としては、２．５ｍｍを基準とする１０点平均粗さ（Ｒｚ）で５μｍ以上２００μｍ以下の範囲が好ましい。
【００７８】
さらに、膜の密着性向上の観点から、高周波電極１０２の表面はセラミックス材で被覆されていることが効果的である。被覆の具体的手段に特に制限はないが、例えばＣＶＤ法、溶射等の表面コーティング法により、高周波電極１０２の表面をコーティングしてもよい。コーティング法の中でも溶射は、コスト面から、あるいはコーティング対象物の大きさや形状の制限を受けにくいため好ましい。
【００７９】
また、高周波電極１０２の外部をパイプ形状等のセラミック部材により覆う構成とすることも効果的である。具体的なセラミック材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。高周波電極１０２の表面を被覆するセラミックス材の厚さは特に制限はないが、耐久性及び均一性を増すため、また、高周波電力吸収量、製造コストの面から１μｍ〜１０ｍｍが好ましく、１０μｍ〜５ｍｍがより好ましい。
【００８０】
さらに、高周波電極１０２に加熱または冷却手段を設けることにより、高周波電極１０２の表面における膜の密着性を更に高め、膜剥れの防止をより効果的に達成できる。この場合、高周波電極１０２を加熱するか冷却するかは、堆積する膜材料、堆積条件に応じて適宜決定する。具体的な加熱手段としては、発熱体であれば特に制限はない。具体的にはシース状ヒーターの巻付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱輻射ランプ発熱体、液体、気体等を媒体とした熱交換手段による発熱体等が挙げられる。また、具体的な冷却手段としては、吸熱体であれば特に制限はない。例えば、液体・気体等を冷却媒体として流すことができる冷却コイル、冷却板、冷却筒等が挙げられる。
【００８１】
このような装置を用いた堆積膜形成は、概略以下のような手順により行なうことができる。
【００８２】
まず、反応容器１０１内に円筒状基体１０５を設置し、不図示の排気装置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気する。続いて、発熱体１０７により円筒状基体１０５を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００８３】
円筒状基体１０５が所定の温度となったところで、原料ガス供給手段１１２を介して原料ガスを反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したことを確認した後、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
の２つの関係を満たす、周波数ｆ１を有する高周波電力と周波数ｆ２を有する高周波電力とを各高周波電源１０３，１１３よりマッチングボックス１０４を介して高周波電極１０２へ供給する。これにより、反応容器１０１内に２つの異なる周波数の高周波電力が導入され、反応容器１０１内にグロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。
【００８４】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００８５】
堆積膜形成中、回転軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体表面全周に渡って堆積膜が形成される。
【００８６】
【実施例】
以下、本発明の真空処理方法について実施例を示して更に詳しく説明する。ただし、本発明の範囲は、これらの実施例により何ら制限されるものではない。
【００８７】
（第１の実施例）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、高周波電源１０３の発振周波数を１００ＭＨｚとし、高周波電源１１３の発振周波数を１０ＭＨｚ（参考例）、２７ＭＨｚ、５４ＭＨｚ、６８ＭＨｚ、９０ＭＨｚとした各々の条件で、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に以下の表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、および表面層からなるアモルファスシリコン系感光体を１ロットあたり６本で５ロット分（合計３０本）作製した。なお、高周波電源１０３の出力は全出力の９５％、高周波電源１１３の出力は全出力の５％とした。
【００８８】
高周波電極１０２はＳＵＳ（ステンレス鋼）製で長さ４５ｃｍ、直径２０ｍｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。このアルミナ製のパイプにブラスト加工を施し、このパイプの表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。円筒状基体１０５は、高周波電極１０２を中心とする円周上に等間隔に６本配置した。
【００８９】
高周波電源１０３，１１３から出力された各高周波電力は、各々別々の同軸線路によりマッチングボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４内で各々の電力が合成された後、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、マッチングボックス１０４内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【００９０】
円筒状基体１０５を載置するホルダー１０６は、長さ４５０ｍｍのアルミニウム製であり、表面にはブラスト加工が施されている。円筒状基体１０５はホルダー１０６の中央に載置されており、円筒状基体１０５の端部からホルダー１０６の端部までの距離は上部、下部ともに４６ｍｍである。
【００９１】
原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、その端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体１０５が成す配置円の内側である。原料ガス供給手段１１２は、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一の円周上に等間隔に３本配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【００９２】
本実施例での感光体の作製手順は、概略以下の通りとした。
【００９３】
まず、基体ホルダー１０６に保持された円筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反応容器１０１中に流量が５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＡｒガスを供給しながら発熱体１０７により円筒状基体１０５を２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【００９４】
次いで、Ａｒガスの供給を停止し、反応容器１０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、下記の表１に示した電荷注入阻止層形成に用いる原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源１０３の出力を全出力の９５％、高周波電源１１３の出力を全出力の５％とした状態で、全出力を表１に示した電力に設定し、マッチングボックス１０４を介して高周波電極１０２へ高周波電力を供給した。高周波電極１０２より反応容器１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを励起解離することにより、円筒状基体１０５上に電荷注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して電荷注入阻止層の形成を終えた。同様の操作を複数回繰り返すことによって、光導電層、表面層を順次形成した。
【００９５】
【表１】
これに対し、第１の比較例として、高周波電源１１３の発振周波数を７ＭＨｚ、９５ＭＨｚとする以外は実施例１と同様にして、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなるアモルファスシリコン系感光体を１ロットあたり６本で５ロット分（合計３０本）作製した。なお、高周波電源１０３の出力は全出力の９５％、高周波電源１１３の出力は全出力の５％とした。
【００９７】
このようにして作製された第１の実施例および第１の比較例のアモルファスシリコン系感光体を、テスト用に改造したキヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置し、感光体の特性評価を行った。評価項目は、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００９８】
− 画像濃度むら −
まず、現像器位置での暗部電位が一定値となるように主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した。次いで、キャノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピ−したときに得られたコピー画像上の全領域における反射濃度の最高値と最低値との差により評価した。評価結果は、全感光体の平均値とした。従って、数値が小さいほど良好である。
【００９９】
− 帯電能 −
複写機の主帯電器に一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を測定する。従って、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であることを示す。帯電能測定は感光体母線方向全領域にわたって行い、その中の最低暗部電位により評価した。評価結果は全感光体の平均値とした。従って、数値が大きいほど良好である。
【０１００】
− 光メモリー −
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように主帯電器の電流値を調整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノン製ゴーストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台に置き、その上に前記のキヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を重ねておいたときのコピー画像において、中間調コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定することにより行った。光メモリー測定は感光体母線方向全領域にわたって行い、その中の最大反射濃度差により評価した。評価結果は全感光体の平均値とした。従って、数値が小さいほど良好である。
【０１０１】
− 画像欠陥 −
キャノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。従って、数値が小さいほど良好である。
【０１０２】
これらの評価結果を表２に示す。
【０１０３】
【表２】
表２において、評価結果は、第１の比較例において高周波電源１１３の発振周波数を７ＭＨｚとしたときの評価結果を基準とした。
【０１０５】
画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１０６】
また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を◎、１０％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満２.５％以上の向上を〇、２.５％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１０７】
光メモリーに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１０８】
画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１０９】
表２に示した結果からわかるように、高周波電源１１３の発振周波数ｆ２を９０ＭＨｚ≧ｆ２≧３０ＭＨｚとした本実施例において、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」いずれの項目においても本発明の真空処理特性をより顕著に均一化させるという効果が認められ、特に９０ＭＨｚ≧ｆ２＞５０ＭＨｚの範囲において顕著に効果が認められた。
【０１１０】
即ち、高周波電源１０３の発振周波数をｆ１、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２としたときに、０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１の関係において真空処理特性を顕著に均一化させる良好な特性が得られ、０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ＞ ０．５の関係において特に良好な結果が得られた。
【０１１１】
また、本実施例で作製された電子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等が無い、極めて良好なものであった。
【０１１２】
（第２の実施例）
図１に示す堆積膜形成装置を用い、高周波電源１０３の発振周波数を２５０ＭＨｚとし、高周波電源１１３の発振周波数を１４０ＭＨｚとして、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に表３に示す条件でアモルファスシリコン膜を形成した。
【０１１３】
円筒状基体１０５の表面には、電気特性を評価するためのＣｒ製の２５０μｍ幅のギャップを有する櫛形電極を蒸着したガラス基板（コーニング＃７０５９製）を電気特性評価基板として設置した。電気特性評価基板は、円筒状基体１０５の軸方向の全領域にわたって、櫛形電極が軸方向に１ｃｍ間隔となるように設置した。
【０１１４】
高周波電極１０２はＳＵＳ（ステンレス鋼）製で直径２０ｍｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。このアルミナ製パイプにブラスト加工を施し、このパイプの表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。本実施例では、このように構成された高周波電極１０２の長さが３０ｃｍ、３５ｃｍ、４０ｃｍ、４５ｃｍ，５０ｃｍ，５５ｃｍ、６０ｃｍである場合の７条件について、アモルファスシリコン膜の形成を行った。
【０１１５】
高周波電源１０３，１１３から出力された高周波電力は、各々別々の同軸線路により、マッチングボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４内で各々の電力が合成された後、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、マッチングボックス１０４内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１１６】
円筒状基体１０５は高周波電極１０２を中心とする円周上に等間隔に６本配置した。また、円筒状基体１０５を載置するホルダー１０６は、長さ４５０ｍｍのアルミニウム製であり、表面はブラスト加工が施されている。円筒状基体１０５はホルダー１０６の上端から２０ｍｍ、ホルダー１０６の下端から７２ｍｍの位置に載置した。
【０１１７】
原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、その端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体１０５が成す配置円の内側である。原料ガス供給手段１１２は、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一の円周上に等間隔で３本配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１１８】
このような装置構成において、アモルファスシリコン膜の形成に先立って、高周波電力の反応容器１０１中での波長を測定した。高周波電源１０３の出力値を８００Ｗとし、高周波電源１１３の出力値を０Ｗとする以外は表３に示す条件で反応容器１０１中にプラズマを生起させた。このとき、高周波電極１０２の長さは６０ｃｍとした。プラズマを生起させた状態で反応容器１０１中にプローブを挿入し、円筒状基体１０５およびホルダー１０６の表面から２ｃｍの位置の電子温度を円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向に１ｃｍ間隔で測定した。円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向で電子温度の分布が得られ、電子温度の局所的な落ち込みが１２ｃｍ間隔で確認された。この結果、周波数２５０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長が２４ｃｍであることがわかった。この結果を基に周波数１４０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長を計算すると４３ｃｍとなる。
【０１１９】
次に、概略以下の手順によって、高周波電極１０２の長さをそれぞれ３０ｃｍ、３５ｃｍ、４０ｃｍ、４５ｃｍ、５０ｃｍ、５５ｃｍ、６０ｃｍとした場合ごとに、各々５ロットのアモルファスシリコン膜の形成を行った。
【０１２０】
まず、表面に電気特性評価基板を取り付けた円筒状基体１０５を基体ホルダー１０６に保持させた状態で反応容器１０１内の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反応容器１０１中に流量が５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＡｒガスを供給しながら、発熱体１０７により円筒状基体１０５の表面に取り付けられた電気特性評価基板の表面温度が２５０℃になるよう加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【０１２１】
次いで、Ａｒガスの供給を停止し、反応容器１０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、下記の表３に示した流量の原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が表３に示した条件で安定したことを確認した後、高周波電源１０３，１１３の出力値を各々表３に示した値に設定し、マッチングボックス１０４を介して高周波電極１０２へ高周波電力を供給した。高周波電極１０２より反応容器１０１内に放射された高周波電力によって、原料ガスを励起解離させることにより、円筒状基体１０５上に設置された電気特性評価基板上にアモルファスシリコン膜を形成した。所定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して、アモルファスシリコン膜の形成を終えた。
【０１２２】
【表３】
これに対し、第２の比較例として、高周波電源１１３の発振周波数を２０ＭＨｚとする以外は実施例２と同様にして、表３に示す条件でアモルファスシリコン膜の形成を行った。
【０１２４】
このようにして形成された、第２の実施例および第２の比較例のアモルファスシリコン膜に関して、以下の評価法により光感度むらを評価した。
【０１２５】
− 光感度むら −
電気特性評価基板上に得られた堆積膜の（（光導電率σｐ）／（暗導電率σｄ））を測定することにより評価を行った。光導電率σｐは、１ｍＷ／ｃｍ2の強度のＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）を照射したときの導電率とした。したがって、光感度の値が大きいほど堆積膜特性が良好であることを示す。各ロットごとに（最大光感度）／（最小光感度）を求め、その平均値を評価結果とした。
【０１２６】
評価結果を表４に示す。
【０１２７】
【表４】
表４において、本実施例による形成膜の評価結果は、高周波電極１０２の長さごとに、第２の比較例において高周波電源１１３の発振周波数を２０ＭＨｚとしたときの評価結果を基準とし、光感度むらが１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１２９】
表４に示した結果から、反応容器中に導入する高周波電力のうち、反応容器中での波長が最も短いものをλ1、最も長いものをλ2、高周波電極の長さをＬｅとしたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜λ2／２
を満たす場合に本発明の効果が顕著に得られ、さらには、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
を満たす場合に本発明の効果をより顕著に得られることがわかった。
【０１３０】
（第３の実施例）
本実施例では、図２に示す堆積膜形成装置を用い、高周波電源１０３の発振周波数を１８０ＭＨｚとし、高周波電源１１３の発振周波数を１００ＭＨｚ、１２０ＭＨｚ、１４０ＭＨｚ、および１６０ＭＨｚとした場合において、表５に示す条件でアモルファスシリコン系感光体を形成した。
【０１３１】
図２に示す装置においては、ホルダー１０６の軸方向に、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の２本の円筒状基体１０５を重ねて設置した。そして、このように２本の円筒状基体１０５が軸方向に重ねて設置された１２本のホルダー１０６を、高周波電極１０２を中心とする同一に円周上に等間隔に配置した。各ホルダー１０６は、モータ１０９および減速ギア１１０により自転可能な回転軸１０８に保持されている。
【０１３２】
本実施例において用いたホルダー１０６は長さ７２２ｍｍのアルミニウム製のものであり、その表面にはブラスト加工が施されている。円筒状基体１０５は、ホルダー１０６の上端から３ｍｍの位置とホルダー１０６の下端から３ｍｍの位置との間に載置した。
【０１３３】
高周波電極１０２はＳＵＳ製で直径２０ｍｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。このアルミナ製パイプにはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。本実施例では、高周波電極１０２の上部および下部は、反応容器１０１の上壁及び下壁に一体的に設けられたアルミニウム製の円筒を外部導体、高周波電極１０２を内部導体とする同軸構造とした。高周波電極１０２の実質的な長さは、上記の同軸構造の上部端部と下部端部との間の長さとなり、本実施例ではその長さを６０ｃｍとした。また、高周波電極１０２と円筒状基体１０５との相対的な位置関係は、上記構造の上部と下部とで同じになるようにした。
【０１３４】
なお、図２に示す装置では、反応容器１０１内を排気するための３本の排気管１１１が反応容器１０１の底部に設けられている。図２に示す装置のその他の構成は、図１の装置と同様である。
【０１３５】
高周波電源１０３，１１３から出力された高周波電力は、各々別々の同軸線路により、マッチングボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４内で各々の電力が合成された後、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、マッチングボックス１０４内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１３６】
原料ガス供給手段１１２は、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は各円筒状基体１０５が成す配置円の内側であり、３本の原料ガス供給手段１１２を円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一円周上に等間隔に配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１３７】
まず、このように構成された装置の反応容器１０１中での高周波電力の波長を測定した。具体的には、高周波電源１０３の出力値を下記の表５中に示した総出力値とし、高周波電源１１３の出力値を０Ｗとする以外は表５中に示した光導電層条件で反応容器１０１中にプラズマを生起させた。プラズマを生起させた状態で反応容器１０１中にプローブを挿入し、円筒状基体１０５およびホルダー１０６の表面から２ｃｍの位置の電子温度を円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向に１ｃｍ間隔で測定した。これにより円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向に関する電子温度の分布が得られ、電子温度の局所的な落ち込みが１６．７ｃｍ間隔で確認された。この結果、周波数１８０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長が３３．４ｃｍであることがわかった。この結果に基づいて周波数１００ＭＨｚ、１２０ＭＨｚ、１４０ＭＨｚ、１６０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長を計算すると、各々６０ｃｍ、５０ｃｍ、４３ｃｍ、３８ｃｍとなる。
【０１３８】
次に、第１の実施例と同様の手順により、アモルファスシリコン系感光体を各条件ごとに５ロット分（合計で１２０本）形成した。
【０１３９】
【表５】
これに対し、第３の比較例として、高周波電源１１３の発振周波数を１３.５６ＭＨｚとする以外は本実施例と同様にして、表５に示す条件でアモルファスシリコン系感光体の形成を行った。
【０１４１】
本実施例および第３の比較例により形成されたアモルファスシリコン系感光体を、テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６０３０に設置し、第１の実施例と同様の具体的評価手段により、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目に関して評価を行った。
【０１４２】
評価結果を表６に示す。
【０１４３】
【表６】
表６においては、第３の比較例において高周波電源１１３の発振周波数を１３.５６ＭＨｚとしたときの評価結果を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１４５】
また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を◎、１０％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満２．５％以上の向上を〇、２．５％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１４６】
光メモリーに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１４７】
画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１４８】
表６からわかるように、高周波電源１１３の発振周波数が１００ＭＨｚ〜１６０ＭＨｚの本実施例の全条件において、即ち、高周波電源１０３の発振周波数をｆ１、高周波電源１１３の発振周波数をｆ２とした場合に、０．９≧ｆ２／ｆ１＞０．５の関係を満たす本実施例の全条件において良好な結果が得られた。
【０１４９】
また、円筒状基体１０５の長さ（３５８ｍｍの長さの基体を２本、軸方向に重ねているので７１６ｍｍ）をＬｓとした場合に、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜λ2／２
を満たすときに本発明の効果が顕著に得られ、さらには、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜０．９×λ2／２
を満たすときに本発明の効果が更に顕著に得られることが確認された。
【０１５０】
また、本実施例により作製された電子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等が無い、極めて良好なものであった。
【０１５１】
（第４の実施例）
本実施例においても、図２に示す堆積膜形成装置を用い、高周波電源１０３の発振周波数を２１０ＭＨｚとし、高周波電源１１３の発振周波数を１１０ＭＨｚとして、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に、表７に示す条件で電荷輸送層、電荷発生層、および表面層からなるアモルファスシリコン系感光体を形成した。なお、高周波電源１０３の出力は全出力の９５％、高周波電源１１３の出力は全出力の５％とした。
【０１５２】
本実施例においては、１本のホルダー１０６に対して直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状基体１０５を１本載置する構成とした。また、ホルダー１０６の長さは、４０ｃｍ、４５ｃｍ、５０ｃｍ、５５ｃｍ、６０ｃｍ、６５ｃｍの６条件とした。円筒状基体１０５は、ホルダー１０６の長さに関わらず、ホルダー１０６の上端から２ｃｍの位置に円筒状基体１０５の上端が位置するように、ホルダー１０６上に載置した。したがって、円筒状基体１０５の下端とホルダー１０６の下端との距離は、ホルダー１０６の各条件の長さ、４０ｃｍ、４５ｃｍ、５０ｃｍ、５５ｃｍ、６０ｃｍ、６５ｃｍに応じて、各々２.２ｃｍ、７.２ｃｍ、１２.２ｃｍ、１７.２ｃｍ、２２.２ｃｍ、２７.２ｃｍとなる。また、ホルダー１０６はアルミニウム製であり、その表面にはブラスト加工が施されている。
【０１５３】
高周波電極１０２はＳＵＳ製で直径２０ｍｍ、長さ７０ｃｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。アルミナ製パイプにはブラスト加工を施し、表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１５４】
高周波電源１０３，１１３から出力された高周波電力は、各々別々の同軸線路によりマッチングボックス１０４に供給され、マッチングボックス１０４内で各々の電力が合成された後、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、マッチングボックス１０４内には、各々の高周波電力が他方の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１５５】
原料ガス供給手段１１２には、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体１０５が成す配置円の内側であり、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一円周上に等間隔に３本の原料ガス供給手段１１２を配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１５６】
まず、このように構成された装置における反応容器１０１中での高周波電力の波長を測定した。具体的には、高周波電源１０３の出力値を下記の表７中に示した総出力値とし、高周波電源１１３の出力値を０Ｗとする以外は表７中に示した電荷発生層条件で反応容器１０１中にプラズマを生起させた。プラズマを生起させた状態で反応容器１０１中にプローブを挿入し、円筒状基体１０５およびホルダー１０６の表面から２ｃｍの位置の電子温度を円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向に１ｃｍ間隔で測定した。これにより、円筒状基体１０５およびホルダー１０６の軸方向で電子温度の分布が得られ、電子温度の局所的な落ち込みが１４.３ｃｍ間隔で確認された。この結果、周波数２１０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長が２８.６ｃｍであることがわかった。この結果に基づいて周波数１１０ＭＨｚの高周波電力の反応容器１０１中での波長を計算すると５４.６ｃｍとなる。
【０１５７】
次に、第１の実施例と同様の手順により、アモルファスシリコン系感光体をホルダー１０６の各長さ条件ごとに、１ロットあたり６本で５ロット分（合計３０本）形成した。
【０１５８】
【表７】
これに対し、第４の比較例として、高周波電源１１３の発振周波数を１０ＭＨｚとする以外は本実施例と同様にして、表７に示す条件でアモルファスシリコン系感光体の形成を行った。
【０１６０】
本実施例および第４の比較例により形成されたアモルファスシリコン系感光体を、テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６０３０に設置し、第１の実施例と同様の具体的評価手段により、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目に関して評価を行った。
【０１６１】
評価結果を表８に示す。
【０１６２】
【表８】
表８においては、第４の比較例において高周波電源１１３の発振周波数を１０ＭＨｚとしたときの評価結果を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１６４】
また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を◎、１０％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満２．５％以上の向上を〇、２．５％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１６５】
光メモリーに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１６６】
画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１６７】
表８からわかるように、本実施例では、全条件において第４の比較例と比較して良好な結果が得られた。また、ホルダー長をＬｈとした場合に、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜λ2／２
を満たすときに本発明の効果が顕著に得られ、さらには、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜０．９×λ2／２
を満たすときに本発明の効果が更に顕著に得られることが確認された。
【０１６８】
また、本実施例により作製された電子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等が無く、極めて良好なものであった。
【０１６９】
（第５の実施例）
本実施例においては、図３に示す堆積膜形成装置を用い、直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体１０５上に表９に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、および表面層からなるアモルファスシリコン系感光体を形成した。
【０１７０】
図３に示す装置は、３つの高周波電源４０３，４１３，４２３と、各高周波電源用のマッチングボックス４０４，４１４，４２４とを有している。図３に示す装置のその他の構成は、排気管１１１の構成を除いて図１に示した装置と同様である。図３の装置では、反応容器１０１内を排気するための３本の排気管１１１が反応容器１０１の底部に設けられている。
【０１７１】
高周波電源４０３，４１３，４２３からそれぞれ出力された高周波電力は、各高周波電源用のマッチングボックス４０４，４１４，４２４を経て互いに合成されて、高周波電極１０２から反応容器１０１内へ導入される。なお、各マッチングボックス４０４，４１４，４２４内には、他の高周波電力が各々の高周波電源に流れ込まないようにフィルター回路（不図示）が設けられている。
【０１７２】
本実施例においては、高周波電源４０３から出力される高周波電力の周波数を１０５ＭＨｚ、高周波電源４１３から出力される高周波電力の周波数を８０ＭＨｚ、高周波電源４２３から出力される高周波電力の周波数を６０ＭＨｚとした。ホルダー１０６は長さ５０ｃｍのアルミニウム製であり、表面にはブラスト加工が施されている。
【０１７３】
高周波電極１０２はＳＵＳ製で直径２０ｍｍ、長さ６０ｃｍの円柱形状を有しており、その外部を内径２１ｍｍ、外径２４ｍｍのアルミナ製のパイプで覆う構造とした。アルミナ製のパイプにはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１７４】
原料ガス供給手段１１２には、内径１０ｍｍ、外径１３ｍｍのアルミナ製のパイプからなり、端部が封止され、パイプの側壁上に設けられた直径１．２ｍｍの１０個のガス噴出口より原料ガスを供給可能な構造のものを用いた。原料ガス供給手段１１２の設置位置は円筒状基体１０５が成す配置円の内側であり、円筒状基体１０５の配置円と中心を同じくする同一円周上に３本の原料ガス供給手段１１２を等間隔に配置した。原料ガス供給手段１１２の表面にはブラスト加工を施し、その表面粗さを、２．５ｍｍを基準長とするＲｚで２０μｍとした。
【０１７５】
このような構成の装置を用い、概略以下の手順で感光体の形成を行った。
【０１７６】
まず、基体ホルダー１０６に保持された円筒状基体１０５を反応容器１０１内の回転軸１０８上に設置した。その後、不図示の排気装置により排気管１１１を通して反応容器１０１内を排気した。続いて、回転軸１０８を介して円筒状基体１０５をモータ１０９により１０ｒｐｍの速度で回転させ、更に原料ガス供給手段１１２より反応容器１０１中に流量が５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＡｒガスを供給しながら発熱体１０７により円筒状基体１０５を２５０℃に加熱・制御し、その状態を２時間維持した。
【０１７７】
次いで、Ａｒガスの供給を停止し、反応容器１０１を不図示の排気装置により排気管１１１を通して排気した後、原料ガス供給手段１１２を介して、下記の表９に示す条件で、電荷注入阻止層形成に用いるための原料ガスを導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源４０３，４１３，４２３の出力を各々所定の値に設定することで、マッチングボックス４０４，４１４，４２４を介して高周波電極１０２へ高周波電力を供給した。高周波電極１０２より反応容器１０１内に放射された高周波電力によって原料ガスを励起解離することにより、円筒状基体１０５上に電荷注入阻止層を形成した。所定の膜厚の形成が行われた後、本実施例では放電を止めず、連続的にガス流量、電力を変化させて、次の層である第一の光導電層の形成条件に設定を変更した。このとき、ガス流量、電力を連続的に変化させる時間は１０分とした。所定の膜厚の第一の光導電層が形成された後、連続的にガス流量を変化させて、次の層である第二の光導電層の形成条件に設定を変更した。このとき、ガス流量、電力を連続的に変化させる時間は５分とした。所定の膜厚の第二の光導電層が形成された後、連続的にガス流量、電力、圧力を変化させて、次の層である表面層の形成条件に設定を変更した。このとき、ガス流量、電力を連続的に変化させる時間は１５分とした。そして、所定の膜厚の表面層を形成した。
【０１７８】
【表９】
これに対し、第５の比較例として、高周波電源４０３のみから高周波電力を出力し、高周波電源４１３、４２３からの出力を行わない点を除いては本実施例と同様にして、表９に示す条件でアモルファスシリコン系感光体の形成を行った。なお、本比較例において、高周波電源４０３からの出力値は、本実施例における高周波電源４０３、４１３、４２３からの出力値の和、すなわち総出力量と同じになるように設定した。
【０１８０】
本実施例および第５の比較例により形成されたアモルファスシリコン系感光体を、テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＧＰ６０５に設置し、第１の実施例と同様の具体的評価手段により、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の４項目に関して評価を行った。
【０１８１】
評価結果を表１０に示す。
【０１８２】
【表１０】
表１０においては、第５の比較例の評価結果を基準とし、画像濃度むらに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１８４】
また、帯電能に関しては、１０％以上の向上を◎、１０％未満５％以上の向上を◎〜〇、５％未満２．５％以上の向上を〇、２．５％未満の向上を〇〜△、同等を△、悪化を×で示した。
【０１８５】
光メモリーに関しては、最大反射濃度差が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１８６】
画像欠陥に関しては、直径０．１ｍｍ以上の白点の数が１／４未満まで良化したものを◎、１／４以上１／２未満まで良化したものを◎〜〇、１／２以上３／４未満まで良化したものを〇、３／４以上まで良化したものを〇〜△、同等であったものを△、悪化したものを×で示した。
【０１８７】
表１０からわかるように、本実施例により作製したアモルファスシリコン系感光体は、「画像濃度むら」、「帯電能」、「光メモリー」、「画像欠陥」の評価項目すべてにおいて、第５の比較例により作製した感光体よりも良好であり、本発明の効果が確認された。
【０１８８】
また、本実施例により作製された電子写真感光体を用いて形成された電子写真画像は、画像流れ等が無く、極めて良好なものであった。
【０１８９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の真空処理方法は、同一の高周波電極に同時に供給する、互いに異なる周波数を有する高周波電力として、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
の２つの条件を満たす、周波数ｆ１を有する高周波電力と周波数ｆ２を有する高周波電力とを少なくとも用いているので、真空処理速度を高く維持しながらも、真空処理特性の向上を達成し、さらには真空処理特性の均一性を極めて高いレベルとすることができる。また、被処理物表面への異物の付着を効果的に抑制できるため、良品率の向上を実現することができ、真空処理のコストの低減を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理方法を行う堆積膜形成装置の一実施形態を示す図である。
【図２】本発明の真空処理方法を行う、他の堆積膜形成装置を示す図である。
【図３】本発明の真空処理方法を行う、さらに他の堆積膜形成装置を示す図である。
【図４】従来の堆積膜形成装置の一例を示す図である。
【図５】従来の堆積膜形成装置の他の例を示す図である。
【図６】堆積膜形成装置に備えられたホルダーの長さの定義について説明するための図である。
【符号の説明】
１０１ 反応容器
１０２ 高周波電極
１０３，１１３，４０３，４１２，４２３ 高周波電源
１０４，４０４，４１４，４２４ マッチングボックス
１０５ 円筒状基体
１０６ ホルダー
１０７ 発熱体
１０８ 回転軸
１０９ モータ
１１０ 減速ギア
１１１ 排気管
１１２ 原料ガス供給手段
Claims (12)
- 反応容器中に被処理物を設置し、互いに異なる周波数を有する少なくとも２つの高周波電力を同一の高周波電極に同時に供給することにより、該高周波電極から前記反応容器内に導入された高周波電力によって前記反応容器内にプラズマを生起させて前記被処理物を処理する真空処理方法において、
前記高周波電力として、
２５０ＭＨｚ ≧ ｆ１ ＞ ｆ２ ≧ ３０ＭＨｚ
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ≧ ０．１
の２つの条件を満たす、周波数ｆ１を有する高周波電力と周波数ｆ２を有する高周波電力とを少なくとも用いることを特徴とする真空処理方法。 - 前記周波数ｆ１と前記周波数ｆ２とが、
０．９ ≧ ｆ２／ｆ１ ＞ ０．５
の条件を満たす、請求項１に記載の真空処理方法。 - 前記高周波電極の最長部の長さをＬｅとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜ λ2／２
の条件を満たす、請求項１または２に記載の真空処理方法。 - 前記Ｌｅと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｅ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす、請求項３に記載の真空処理方法。 - 前記被処理物の導電性部分の最長部分の長さをＬｓとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜ λ2／２
の条件を満たす、請求項１から４のいずれか１項に記載の真空処理方法。 - 前記Ｌｓと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｓ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす、請求項５に記載の真空処理方法。 - 少なくとも一部が導電性部材で構成されたホルダー上に前記被処理物を設置し、前記ホルダーの導電性部分の最長部分の長さをＬｈとし、前記高周波電力のうち最も高い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ1とし、前記高周波電力のうち最も低い周波数を有する高周波電力の前記反応容器中での波長をλ2としたとき、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜ λ2／２
の条件を満たす、請求項１から６のいずれか１項に記載の真空処理方法。 - 前記Ｌｈと、前記λ1と、前記λ2とが、
（λ2−λ1）×Ｌｈ／λ2 ＜ ０．９×λ2／２
の条件をさらに満たす、請求項７に記載の真空処理方法。 - 前記高周波電極が棒状に形成されている、請求項１から８のいずれか１項に記載の真空処理方法。
- 前記被処理物が円筒状または円柱状に形成されている、請求項１から９のいずれか１項に記載の真空処理方法。
- 前記被処理物の表面に堆積膜を形成する、請求項１から１０のいずれか１項に記載の真空処理方法。
- 前記被処理物の表面に電子写真用感光体用堆積膜を形成する、請求項１から１０のいずれか１項に記載の真空処理方法。
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| JP3468859B2 (ja) * | 1994-08-16 | 2003-11-17 | 富士通株式会社 | 気相処理装置及び気相処理方法 |
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| KR100226366B1 (ko) * | 1995-08-23 | 1999-10-15 | 아끼구사 나오유끼 | 플라즈마장치 및 플라즈마 처리방법 |
| US5817534A (en) * | 1995-12-04 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers |
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