JP4108641B2 - 配線基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、チップオンフィルム（ＣＯＦ）に用いられるテープキャリア基板のような配線基板の製造方法、特に配線基板の導体配線上に形成された突起電極の形成方法に関する。

フィルム基材を使用したパッケージモジュールの一種として、ＣＯＦ（Chip On Film）が知られている。図１４は、ＣＯＦの一例の一部を示す断面図である。ＣＯＦは、柔軟な絶縁性のテープキャリア基板２０の上に半導体素子２１が搭載され、封止樹脂２２により保護された構造を有し、フラットパネルディスプレイの駆動用ドライバーとして主に使用されている。テープキャリア基板２０は、主たる要素として、絶縁性のフィルム基材２３とその面上に形成された導体配線２４を含む。必要に応じて導体配線２４上には、金属めっき被膜２５および絶縁樹脂であるソルダーレジスト２６の層が形成される。一般的に、フィルム基材２３としてはポリイミドが、導体配線２４としては銅が使用される。

また、テープキャリア基板２０上の導体配線２４と半導体素子２１上の電極パッド２７は、突起電極２８を介して接続されている。この突起電極２８は、あらかじめテープキャリア基板２０上の導体配線２４に対して形成しておく方法と、半導体素子２１上の電極パッド２７に対して形成しておく方法のいずれかにより設けられる。

テープキャリア基板２０上の導体配線２４に対して突起電極２８を形成するためには、例えば特許文献１に記載されたような方法が用いられる。その製造方法の工程について、図１５を参照して説明する。図１５（ａ１）〜（ｆ１）は、従来例の製造工程におけるフィルム基材の一部を示す平面図である。図１５（ａ２）〜（ｆ２）は、各々図１５（ａ１）〜（ｆ１）に対応する断面図である。各断面図は、図１５（ａ１）のＣ−Ｃに対応する位置で示されている。この製造工程は、金属めっきにより突起電極を形成する場合の例である。

まず、導体配線２４が形成されたフィルム基材２３（図１５（ａ１））に対し、フォトレジスト２９を全面に形成する（図１５（ｂ１））。次に、突起電極形成用の露光マスク３０を用い、その光透過領域３０ａを通してフォトレジスト２９を露光する（図１５（ｃ１））。次に、フォトレジスト２９を現像して開口パターン２９ａを形成し（図１５（ｄ１））、開口パターン２９ａを通して金属めっきを施す（図１５（ｅ１））。フォトレジスト２９を剥離すれば、図１５（ｆ１）に示すように、導体配線２４に突起電極２８が形成されたテープキャリア基板２０が得られる。突起電極２８は、図１５（ｆ１）に示すように、長方形のフィルム基材１の４辺に沿って配置されているのが一般的であるが、各辺に対して一列ではなく、複数列に配列されている場合もある。

以上のようにテープキャリア基板２０の導体配線２４に突起電極２８を形成する場合、フィルム基材１の特性上、露光マスク３０の位置合わせが困難である。露光マスク３０の位置合わせにずれがあると良好な突起電極２８を形成することができないため、一般的には、半導体素子２１上の電極パッド２７に突起電極２８を形成する。一方、テープキャリア基板２０上の導体配線２４に突起電極２８を形成する方法は、半導体素子２１上の電極パッド２７に突起電極１８を形成する方法に比べ、工程数を低減し製造コストを低減できる利点がある。
特開２００１−１６８１２９号公報

しかしながら、上述のような従来例の方法により形成された突起電極２８は、その形状が良好ではなかった。図１６に、上述の製造工程により作製されたテープキャリア基板の断面図を示す。図１６（ａ）は、導体配線２４の長手方向の断面図であり、図１５（ｆ２）と同様の図である。図１６（ｂ）は、（ａ）のＤ−Ｄ断面、すなわち導体配線２４を横切る方向の断面を示す。

図１６に示されるように、突起電極２８は、導体配線２４の上面に接合された状態に形成される。したがって突起電極２８は、導体配線２４上面の微小な面積の接合のみにより保持されている。そのため、横方向の力が加わると、突起電極２８が導体配線２４の上面から剥離し易い。例えば、半導体素子２１上の電極パッド２７（図１４参照）と接続された状態で、半導体素子２１とテープキャリア基板２０との間に横方向の力が加わると、突起電極２８が導体配線２４から剥離する惧れがあり、半導体素子の実装後の接続状態の安定性に問題がある。

また、突起電極２８は、図１５（ｄ１）に示した微小な面積の開口パターン２９ａを通して、導体配線２４の上面のみにめっきにより形成されるので、突起電極２８の上面は平坦になる。突起電極２８の上面が平坦であると、以下のように、半導体素子２１上の電極パッド２７との接続を行う際に障害を生じる。

第１に、突起電極２８と電極パッド２７との位置合わせにずれがあると、突起電極２８は、接続されるべき電極パッド２７に隣接する電極パッド２７と位置が重なり易いことである。その結果、不適当な電極パッド２７と接続される惧れがある。

第２に、電極パッド２７との接続に際して、電極パッド２７の表面に形成されている自然酸化膜の破砕が困難なことである。通常、電極パッド２７の酸化膜を突起電極２８の当接により破砕して、酸化されていない金属部分との電気的接続を得るが、突起電極２８の上面が平坦であると、酸化膜の破砕が困難である。

第３に、図１７に示すように半導体素子２１とテープキャリア基板２０の間に樹脂層２２を介在させた状態で、突起電極２８と電極パッド２７とを接続する処理が困難なことである。すなわち、半導体素子２１の実装に際して、突起電極２８の頂面により樹脂層２２を排除して、突起電極２８と電極パッド２７を接触させるが、突起電極２８の上面が平坦であると、樹脂層２２を排除する作用が十分に働かない。

さらに、図１５に示した従来例の方法により突起電極２８を形成する場合、突起電極形成用の露光マスク３０と導体配線２４の位置合わせ精度が悪いと、フォトレジスト２９に形成された開口パターン２９ａが導体配線２４に重なり合う面積が小さくなる。その結果、図１８に示すように、導体配線２４上に形成された突起電極２８について、設計したサイズを確保することができない。このような突起電極２８のサイズ不良は、今後のＣＯＦの多出力化に伴う電極バッド２７の狭ピッチ化によって、さらに、深刻な問題となる。

なお、以上に説明した問題はテープキャリア基板の場合に顕著であるが、各種の配線基板に共通の問題である。

以上の問題を考慮して本発明は、導体配線上に形成された突起電極が、横方向に加わる力に対して実用的に十分な強さで保持され、半導体素子実装後に十分な接続の安定性が得られる配線基板を提供することを目的とする。

また、本発明は、半導体素子の電極パッドとの接続に好適な形状の突起電極を有する配線基板の製造方法、及びその配線基板を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の配線基板の製造方法は、長辺側に複数の第１の導体配線が形成され、短辺側に前記第１の導体配線の幅よりも大きい幅を有する第２の導体配線が形成された長方形の絶縁性基材を用意する工程と、前記絶縁性基材の表面側にフォトレジスト層を形成する工程と、前記絶縁性基材の長辺側に対応する部分の光透過領域が前記複数の第１の導体配線を横切るように連続した長孔形状を有し、前記絶縁性基材の短辺側に対応する部分の光透過領域が前記第２の導体配線に対し個別の開口部を有した露光マスクを前記フォトレジストに対向させる工程と、前記露光マスクの光透過領域を通して露光し、前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、前記第１の導体配線および前記第２の導体配線の前記開口部内に露出した部分に金属めっきを施して突起電極を形成する工程と、前記フォトレジストを除去する工程とを含む。
本発明の半導体装置の製造方法は、長辺側に複数の第１の導体配線が形成され、短辺側に第１の導体配線の幅よりも大きい幅を有する第２の導体配線が形成された長方形の絶縁性基材を用意する工程と、前記絶縁性基材の表面側にフォトレジストを形成する工程と、前記絶縁性基材の長辺側に対応する部分の光透過領域が前記複数の第１の導体配線を横切るように連続した長孔形状を有し、前記絶縁性基材の短辺側に対応する部分の光透過領域が前記第２の導体配線に対し個別の開口部を有した露光マスクを前記フォトレジストに対向させる工程と、前記露光マスクの光透過領域を通して露光し、前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、前記第１の導体配線および前記第２の導体配線の前記開口部内に露出した部分に金属めっきを施して突起電極を形成する工程と、前記フォトレジストを除去する工程と、前記第１及び第２の導体配線上に半導体素子を配置して、前記突起電極と前記半導体素子の電極パッドとを電気的に接続する工程とを含む。

本発明の製造方法により製造された配線基板によれば、導体配線上に形成された突起電極が、導体配線の上面だけではなく両側面にも接合されているので、横方向に加わる力に対して実用的に十分な強さで保持され、半導体素子実装後に十分な接続の安定性が得られる。また、突起電極の形状が、半導体素子の電極パッドとの接続に好適である。すなわち、突起電極の導体配線の上面からの厚みが、導体配線の側面からの横方向の厚みよりも大きいことにより、配線基板のうねり等による導体配線と半導体素子との間のショートを抑制し、かつ、隣接する導体配線上の突起電極とのショートを回避する効果が得られる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。なお、以下の実施の形態ではテープキャリア基板の場合を例として説明するが、他の配線基板の場合にも同様に各実施の形態の思想を適用可能である。

（参考の形態）
図１および図２を参照して、参考の形態におけるテープキャリア基板の構造について説明する。図１は、テープキャリア基板の一部を示す斜視図である。図２（ａ）はテープキャリア基板の一部を示す平面図、（ｂ）は断面で示した正面図、（ｃ）は（ｂ）におけるＡ−Ａ断面図である。

図１に示すように、フィルム基材１の上には、複数本の導体配線２が整列して設けられ、各導体配線２上に突起電極３が形成されている。突起電極３の平面形状は、図２（ａ）に示すように、導体配線２を横切って導体配線２の両側の領域に亘っている。導体配線２の幅方向における突起電極３の断面形状は、図２（ｃ）に示すように、導体配線２の上面および両側面に接合され、中央部が両側よりも高くなった中高形状である。また突起電極３は、導体配線２の両側部でフィルム基材１の面に接するように形成されている。導体配線２の長さ方向における突起電極３の断面は、図２（ｂ）に示すように、実質的に長方形である。

突起電極３を上述のような形状とすることにより、突起電極３は、実用的に十分な強さで導体配線２上に保持される。すなわち、突起電極３は、導体配線２の上面だけではなく両側面にも接合されているので、横方向に加わる力に対する安定性が十分である。

また、突起電極３の上面が平坦ではなく中高であることにより、半導体素子の電極パッドとの接続に好適である。第１に、突起電極３と電極パッドとの位置合わせにずれがあっても、上面が平坦である場合と比べて、突起電極３は隣接する不適当な電極パッドと接続され難い。第２に、電極パッドとの接続に際して、電極パッドの表面に形成された酸化膜を、突起電極３の凸状の上面により容易に破砕することができ、酸化されていない内部と良好な電気的接続が得られる。第３に、半導体素子とテープキャリア基板の間に樹脂層を介在させた状態で、突起電極３と電極パッドとを接続する際に、突起電極３の頂面により樹脂層を容易に排除することができる。

なお、以上の効果を得るためには、突起電極３が導体配線２の両側部でフィルム基材１の面に接するように形成されていることは、必須ではない。但し、そのような構成を有する場合に、横方向に加わる力に対して最も安定して導体配線２に保持される。また、導体配線２の長さ方向における突起電極３の断面が実質的に長方形であることも必須ではないが、そのような構造は、半導体素子の電極パッドとの接続性能が最も良好であり、しかも製造が容易である。

図２（ｃ）に示すように、突起電極３の導体配線２の上面からの厚みは、導体配線２の側面からの横方向の厚みよりも大きい。このような形状は必須ではないが、テープキャリア基板６のうねり等による導体配線２と半導体素子２１との間のショートを抑制し、かつ、隣接する導体配線２上の突起電極３とのショートを回避するために効果的である。この形状は、後述のめっきを用いた製造方法により形成される。

フィルム基材１としては、一般的な材料であるポリイミドを用いることができる。他の条件に応じて、ＰＥＴ、ＰＥＩ等の絶縁フィルム材料を用いても良い。導体配線２は、通常、厚みが３〜２０μｍの範囲で、銅を用いて形成する。必要に応じて、フィルム基材１と導体配線２の間に、エポキシ系の接着剤を介在させてもよい。

突起電極３の厚みは通常、３〜２０μｍの範囲である。突起電極３の材料としては、例えば銅を用いることができる。銅を用いる場合、突起電極３と導体配線２に金属めっきを施すことが望ましい。例えばニッケルめっきを内層とし、金めっきを外層として施す。あるいは、錫、（ニッケル＋パラジウム）、ニッケルのみ、金のみのめっきを施す場合もある。突起電極３と導体配線２に金属めっきを施す場合、突起電極３と導体配線２の間にはめっきを施さない。突起電極３に金属めっきを施さない場合は、突起電極３として、例えば金、あるいはニッケルを用い、突起電極３と導体配線２の間にニッケルめっきを施す。

（実施の形態１）
図３を参照して、本実施の形態の前提となるテープキャリア基板の製造方法について説明する。図３（ａ１）〜（ｆ１）は、テープキャリア基板における突起電極を形成する製造工程を示し、半導体素子搭載部の平面図である。図３（ａ２）〜（ｆ２）は各々、図３（ａ１）〜（ｆ１）の拡大断面図である。各断面図は、図３（ａ１）におけるＢ−Ｂに相当する位置での断面を示す。

まず、図３（ａ１）に示すように、複数の導体配線２が表面に整列して形成されたフィルム基材１を用意する。このフィルム基材１の全面に、図３（ｂ１）に示すように、フォトレジスト４を形成する。次に図３（ｃ１）に示すように、フィルム基材１に形成されたフォトレジスト４の上部に、突起電極形成用の露光マスク５を対向させる。露光マスク５の光透過領域５ａは、複数の導体配線２の整列方向に、複数の導体配線２を横切るように連続した長孔形状を有する。

露光マスク５の光透過領域５ａを通して露光し、現像することにより、図３（ｄ１）に示すように、フォトレジスト４に、導体配線２を横切る長孔状パターン４ａが開口される。それにより長孔状パターン４ａ中に、導体配線２の一部が露出する。次に、フォトレジスト４の長孔状パターン４ａを通して、導体配線２の露出した部分に金属めっきを施して、図３（ｅ１）に示すように突起電極３を形成する。次に、フォトレジスト４を除去すれば、図３（ｆ１）に示すように、導体配線２に突起電極３が形成されたテープキャリア基板６が得られる。

以上のように、フォトレジスト４に形成された長孔状パターン４ａを通して導体配線２の露出した部分に金属めっきを施すことにより、図２に示したような形状の突起電極３を、容易に形成することができる。これは、図３（ｅ１）の工程で、導体配線２の上面のみでなく側面も露出しており、導体配線２の露出面全体に亘ってめっきが形成されるからである。

フォトレジスト４の長孔状パターン４ａは、図３（ｄ１）に示されるように複数本の導体配線２に跨って連続した形状でなくともよい。すなわち、少なくとも導体配線２の両側の所定範囲の領域を含む形状であれば、複数の導体配線２にそれぞれ対応する長孔が離散的に配置されたパターンを用いることもできる。但し、複数本の導体配線２に跨って連続した長孔状パターンであれば、露光マスク５の光透過領域５ａを、図３（ｃ１）に示したような連続した長孔とすることができるので、作成が容易である。長孔状パターン４ａは、各々の導体配線２の両側に亘る範囲に形成される限り、その長手方向が導体配線２に対して多少の角度を持っていても問題ないが、導体配線２の長手方向に対して直交していることが最も合理的である。

また、フォトレジスト４に長孔状パターン４ａを形成して金属めっきを施すことにより、導体配線２に対する突起電極３の位置精度を、容易に確保することができる。すなわち、導体配線２に対する長孔状パターン４ａの位置ずれが許容範囲内であれば、導体配線２と長孔状パターン４ａが必ず交わり、導体配線２が露出するからである。金属めっきは導体配線２の上面および側面に成長するので、長孔状パターン４ａの位置ずれにかかわらず、一定の形状・寸法に形成され、設計された条件を満足することができる。したがって、露光マスク５の位置合わせに厳密な精度を必要とせず、調整が容易である。

突起電極３を銅で形成する場合、金属めっきの一例としては、めっき液として硫酸銅を用い、０．３〜５Ａ／ｄｍ²の条件で電解めっきを行う。電解めっきは、突起電極３を図２（ｃ）に示したような断面形状で十分な厚みで形成するために好適である。

次に、上述の製造方法を実施する際に発生する、露光マスク５の位置ずれに起因する問題を解決する方法について説明する。まず、半導体素子の電極パッドとテープキャリア基板６の導体配線２の相互の配置関係について、図４〜図６を参照して説明する。

図４は、半導体素子の一例を示す平面図である。半導体素子２１の面に形成された電極パッドの配置が示される。半導体素子７の長辺方向に配列された電極パッドを８ａで示し、短辺方向に配列された電極パッドを８ｂで示す。電極パッド８ａは、電極パッド８ｂに比べて多数、高密度に配置されている。Ｃ１は、半導体素子７の中心（半導体素子中心と記す）を示す。Ｄは、電極パッド８ａの端縁とＣ１との間の距離である。Ｓ１は、電極パッド８ａの端縁と電極パッド８ｂの側縁の間の間隔である。Ｌ１は電極パッド８ａの長さ、Ｗ１は電極パッド８ａの幅である。

図５は、テープキャリア基板の製造に用いられる、導体配線２が形成されたフィルム基材１の一部を示す平面図である。Ｃ２は、半導体素子７が搭載されるべき領域の中心（半導体素子搭載部中心と記す）を示す。ｄは、導体配線２の端縁と半導体素子搭載部中心Ｃ２の間の距離である。

図６は、上述の製造方法により、導体配線２上に突起電極３が形成されたテープキャリア基板６の半導体搭載部を示す平面図である。この図における突起電極３は、図３（ｃ１）における露光マスク５が導体配線２に対して位置ずれの無い状態で形成された場合を示す。Ｌ２は突起電極３の長さ、Ｗ２は突起電極３の幅である。

導体配線２の長さ方向への露光マスク５の位置ずれを考慮すると、半導体素子中心Ｃ１から電極パッド８ａまでの距離Ｄよりも、半導体素子搭載部中心Ｃ２から導体配線２までの距離ｄを短くすることが望ましい。また、電極パッド８ａの長さＬ１よりも、突起電極３の長さＬ２を長くすることが望ましい。そうすれば、露光マスク５の位置ずれに起因して、形成された突起電極３の位置が導体配線２の長さ方向にずれても、電極パッド８ａと突起電極３が対向する面積を十分な大きさに確保可能である。

また、図７は、図６と同様、上述の製造方法により、導体配線２上に突起電極３が形成されたテープキャリア基板６の半導体搭載部を示す平面図である。この図における突起電極３は、図３（ｃ１）における露光マスク５が導体配線２に対してフィルム基材１の短辺方向に位置ずれした状態で形成された場合を示す。Ｓ２は、フィルム基材１の長辺方向に配列された導体配線２上の突起電極３の端縁と、短辺方向に配列された導体配線２の側縁の間の間隔である。

図７に示す状態の場合、突起電極３の大きさは全て設計した寸法を満足できるが、導体配線２と露光マスク５の位置ずれの方向に起因して、図４に示す間隔Ｓ１と図７に示す間隔Ｓ２に相違を生じている。つまり、露光マスク５がフィルム基材１の短辺方向に位置ずれした場合、フィルム基材１の長辺方向に配置された導体配線２上では、突起電極３の位置が導体配線２の長手方向に移動するのに対して、フィルム基材１の短辺方向に配置された導体配線２上では、突起電極３の位置が移動しないからである。この問題を、本実施の形態に基づいて解決する方法を図８および９に示す。

図８は、図３（ｃ１）の工程で用いる露光マスク５のパターンを変更した露光マスク９を示す。この露光マスク９は、フィルム基材１の長辺に対応する部分の光透過領域９ａが連続した長孔形状を有すのに対して、短辺に対応する部分の光透過領域９ｂは、個別の開口が配置された離散的形状を有する。併せて、図９に示すように導体配線１０ａ、１０ｂが形成されたフィルム基材１を用いる。この形態では、フィルム基材１の長辺方向に配列された導体配線１０ａに比べて、短辺方向に配列された導体配線１０ｂは幅が広い。

上述の露光マスク９を用いて、上述の導体配線１０ａ、１０ｂの上にフォトレジストの開口パターンを形成し金属めっきを施せば、設計したサイズの突起電極３が得られ、かつ図４に示す間隔Ｓ１と図７に示す間隔Ｓ２を同一にできる。すなわち、図８の露光マスク９がフィルム基材１の短辺方向に位置ずれした場合、図９のフィルム基材１の短辺方向に配置された導体配線１０ｂ上では、露光マスク９の光透過領域９ｂが幅方向に移動し、形成される突起電極３の位置が図９に示すように移動する。しかも、導体配線１０ｂが幅広に形成されているので、移動量が許容範囲内であれば、所定のサイズで突起電極３が形成される。その移動量は、フィルム基材１の長辺方向に配置された導体配線１０ａ上で、突起電極３の位置が導体配線１０ａの長手方向に移動する量と同等である。その結果、Ｓ１とＳ２が同一になる。

図１０は、図３（ｃ１）に示した工程に対応し、別の形態の露光マスク１１を用いる場合を示す。この形態では、露光マスク１１には、図３（ｃ１）における露光マスク５の光透過領域５ａに対応する位置に、光遮断領域１１ａが形成されている。この露光マスク１１は、フォトレジスト４がネガ型の場合に適用する。露光マスク１１に関する他の条件は、図３（ｃ１）の露光マスク５と同様である。

（参考の形態）
図１１を参照して、他の参考の形態におけるテープキャリア基板の構造およびその製造方法について説明する。この参考の形態では、フィルム基材１上に形成された導体配線１２は、先端部１２ａが他の基端部１２ｂよりも細くなった形状を有する。これは、以下の理由による。

すなわち、図３（ｅ）に示した電解金属めっきによる突起電極３の形成時には、導体配線２の幅方向にも銅めっき層が成長する。そのため、隣接する導体配線２から幅方向に成長する銅めっき層どうしが短絡する惧れがある。それを回避するために導体配線２の相互間隔を広くすれば、導体配線２の密度が低下し、半導体装置の小型化の障害となる。

そこでこの参考の形態のように、導体配線１２の先端部１２ａを細くし、この細い部分に突起電極３を形成すれば、導体配線１２の幅方向に銅めっき層が成長した際に、隣接する銅めっき層間で短絡が発生する惧れが軽減される。

（実施の形態２）
図１２を参照して、実施の形態２における半導体装置の製造方法について説明する。テープキャリア基板８は、上述の実施の形態に記載されたように、フィルム基材１の上に配置された複数本の導体配線２に各々突起電極３が形成され、突起電極３は図２に示したような形状を有する。すなわち、導体配線２を横切って導体配線２の両側の領域に亘り、導体配線２の幅方向における断面形状が、導体配線２の上面および両側面に接合された形状である。また、導体配線２の幅方向における断面形状は、中央部が両側よりも高くなった中高である。テープキャリア基板８上に実装された半導体素子２１は、その電極パッド２７に突起電極３が接続され、テープキャリア基板８と半導体素子２１の間には、封止樹脂２２が充填されている。

この半導体装置の製造に際しては、上述の実施の形態における製造方法により作製されたテープキャリア基板８上に半導体素子２１を搭載し、ボンディングツール１３により押圧する。その際、ボンディングツール１３を介して超音波を印加することが望ましい。それにより、突起電極３の凸状に形成された先端が、電極パッド２７の表面層の酸化膜に当接して振動するための、酸化膜を破砕する効果が顕著になる。

また、図１３に示すような方法により、半導体素子２１をテープキャリア基板８上に実装することもできる。すなわち図１３（ａ）に示すように、テープキャリア基板８の突起電極３が形成された領域を覆って封止樹脂１４を充填する。次に、半導体素子２１とテープキャリア基板８を対向させ、両者を互いに向かって押圧して、図１３（ｂ）に示すように、電極パッド２７に突起電極３を当接させる。その際、中高で凸状である突起電極３の上面により、封止樹脂１４が両脇に効果的に排除されて、突起電極３と電極パッド２７を容易に当接させることができる。

本発明の製造方法により製造された配線基板によれば、導体配線上に形成された突起電極が、横方向に加わる力に対して実用的に十分な強さで保持され、半導体素子実装後に十分な接続の安定性が得られる。また、突起電極の形状が、半導体素子の電極パッドとの接続に好適であるので、チップオンフィルム（ＣＯＦ）に用いられるテープキャリア基板として有用である。

参考の形態におけるテープキャリア基板の一部を示す斜視図 （ａ）は同テープキャリア基板の一部を示す平面図、（ｂ）は断面で示した正面図、（ｃ）は（ｂ）におけるＡ−Ａ断面図 実施の形態１におけるテープキャリア基板の製造方法を示し、（ａ１）〜（ｆ１）は、突起電極を形成する製造工程における、フィルム基材上の半導体素子搭載部の平面図、（ａ２）〜（ｆ２）は各々、（ａ１）〜（ｆ１）の拡大断面図 半導体素子の一例を示す平面図 テープキャリア基板の製造に用いられる、導体配線が形成されたフィルム基材を示す平面図 実施の形態１の製造方法により製造されたテープキャリア基板の一例の半導体搭載部を示す平面図 実施の形態１の製造方法により製造されたテープキャリア基板の他の例の半導体搭載部を示す平面図 実施の形態１における露光マスクの一例を示す平面図 実施の形態１における変形例の導体配線が設けられたテープキャリア基板を示す平面図 実施の形態１における他の例の露光マスクを用いる露光工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は拡大断面図 他の参考の形態におけるテープキャリア基板を示す平面図 実施の形態２における半導体装置の製造方法を示す断面図 実施の形態２における半導体装置の製造方法の他の例を示す断面図 従来例のＣＯＦの一部を示す断面図 従来例のテープキャリア基板の製造工程を説明するための図であり、（ａ１）〜（ｆ１）はフィルム基材の一部を示す平面図、（ａ２）〜（ｆ２）は各々その断面図 図１５の製造工程により作製されたテープキャリア基板の一部を示す断面図 図１６のテープキャリア基板に半導体素子を実装する様子を示す断面図 図１５の製造工程の課題を説明するためにテープキャリア基板の一部を示す平面図

符号の説明

１、２３ フィルム基材
２、１２、２４ 導体配線
３、２８ 突起電極
４、２９ フォトレジスト
４ａ 長孔状パターン
５、９、１１、３０ 露光マスク
５ａ、９ａ、１１ａ、３０ａ 光透過領域
６、２０ テープキャリア基板
７、２１ 半導体素子
８ａ、８ｂ 電極パッド
１０ａ、１０ｂ 導体配線
１２ａ 先端部
１２ｂ 基端部
１３ ボンディングツール
１４、２２ 封止樹脂
２５ 金属めっき被膜
２６ ソルダーレジスト
２７ 電極パッド
２９ａ 開口パターン

Claims (2)

1. 長辺側に複数の第１の導体配線が形成され、短辺側に前記第１の導体配線の幅よりも大きい幅を有する第２の導体配線が形成された長方形の絶縁性基材を用意する工程と、
   前記絶縁性基材の表面側にフォトレジスト層を形成する工程と、
   前記絶縁性基材の長辺側に対応する部分の光透過領域が前記複数の第１の導体配線を横切るように連続した長孔形状を有し、前記絶縁性基材の短辺側に対応する部分の光透過領域が前記第２の導体配線に対し個別の開口部を有した露光マスクを前記フォトレジストに対向させる工程と、
   前記露光マスクの光透過領域を通して露光し、前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、
   前記第１の導体配線および前記第２の導体配線の前記開口部内に露出した部分に金属めっきを施して突起電極を形成する工程と、
   前記フォトレジストを除去する工程とを含む配線基板の製造方法。
2. 長辺側に複数の第１の導体配線が形成され、短辺側に第１の導体配線の幅よりも大きい幅を有する第２の導体配線が形成された長方形の絶縁性基材を用意する工程と、
   前記絶縁性基材の表面側にフォトレジストを形成する工程と、
   前記絶縁性基材の長辺側に対応する部分の光透過領域が前記複数の第１の導体配線を横切るように連続した長孔形状を有し、前記絶縁性基材の短辺側に対応する部分の光透過領域が前記第２の導体配線に対し個別の開口部を有した露光マスクを前記フォトレジストに対向させる工程と、
   前記露光マスクの光透過領域を通して露光し、前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、
   前記第１の導体配線および前記第２の導体配線の前記開口部内に露出した部分に金属めっきを施して突起電極を形成する工程と、
   前記フォトレジストを除去する工程と、
   前記第１及び第２の導体配線上に半導体素子を配置して、前記突起電極と前記半導体素子の電極パッドとを電気的に接続する工程とを含む半導体装置の製造方法。

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