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JP4185208B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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JP4185208B2 JP07484699A JP7484699A JP4185208B2 JP 4185208 B2 JP4185208 B2 JP 4185208B2 JP 07484699 A JP07484699 A JP 07484699A JP 7484699 A JP7484699 A JP 7484699A JP 4185208 B2 JP4185208 B2 JP 4185208B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は一対の基板間に液晶層が保持された液晶表示装置に関するものであり、特に各画素毎にスイッチ素子が配置されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力の特性を生かして各種分野で利用されている。中でも、各画素毎にスイッチ素子を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、TV表示、OA用のディスプレイ装置として、更には車載用のディスプレイ装置として急激に普及している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このような液晶表示装置、特に車載用のディスプレイ装置にあっては、装置の低廉化を達成するためにフレームメモリなど用いることなく簡易的に画像処理を行なうことが求められている。
【0004】
例えば、表示画像の一部を拡大して表示する場合(ズーム機能)、一水平走査線の映像信号を、表示装置の複数の装置走査線の表示画素に割り付ける技術が知られている。
【0005】
しかしながら、本発明者の誠意研究の結果、上記した手法による表示、即ち複数の走査線を同時に選択した場合に表示輝度が部分的に異なる、そして特に高精細化に伴い顕著になることが解った。
【0006】
この発明は、上記した技術課題に基づくものであって、複数の走査線を同時に選択する駆動を行なった場合であっても、良好な表示品位が確保できる液晶表示装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1の発明は、複数本の信号線と、この信号線に略直交する複数本の走査線と、前記信号線と前記走査線との交点近傍に配置されるスイッチ素子と、前記スイッチ素子に接続される画素電極と、前記画素電極に液晶層を介して配置される対向電極と、を備えた表示パネルと、前記信号線に信号電圧を供給する信号線駆動回路と、前記走査線に走査パルスを供給する走査線駆動回路と、前記信号線駆動回路及び前記走査線駆動回路のそれぞれに制御信号を供給する制御回路と、を備えた液晶表示装置において、前記表示パネルは、前記信号線、前記走査線、前記スイッチ素子、及び前記画素電極を含むアレイ基板と、前記対向電極を含む対向基板との間に前記液晶層が保持され、前記アレイ基板は、前記走査線と略平行に、前記画素電極と絶縁膜を介して配置される複数本の補助容量線を含み、前記走査線駆動回路は、一の前記走査線と、前記一の走査線と隣接する他の前記走査線であって前記他の走査線に電気的に接続される一の前記画素電極を介して配置される前記他の走査線のそれぞれに略同一のタイミングで前記スイッチ素子を導通状態と成すと共に、前記一の走査線に接続される前記スイッチ素子を、前記他の走査線に接続される前記スイッチ素子よりも所定期間だけ先に非導通状態と成す第1及び第2の走査パルスを供給することを特徴とする液晶表示装置にある。
【0008】
この発明によれば、複数の走査線を同時に選択する駆動を行なった場合であっても、スイッチ素子の導通期間の一部を再書込みに利用することができるので良好な表示品位が確保できる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の具体例の説明に先立ち、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置における表示不良の原因について図1乃至3を参照して説明する。
この液晶表示装置1は、複数本の信号線Sx (x=1,2,…)と、この信号線Sx に直交配置される複数本の走査線Gy (y=1,2,…)と、信号線Sx 及び走査線Gy 近傍に配置されるスイッチ素子としての薄膜トランジスタ(TFT)を介して配置される画素電極Px,y 、この画素電極Px,y に対して液晶層LCを介して配置される対向電極Cを含む。また、画素電位Vex,y の変動を補償するため、この画素電極Px,y との間で補助容量Csを形成する走査線Gy と略平行に配置される補助容量線Ay を含む。
【0010】
そして、この走査線Gy には夫々順次走査パルスVGy が印加され、TFTが導通状態の間、画素電極Px,y には対応する映像信号Vsig が書込まれ、次のフレームで走査パルスVGy が印加されるまでの間、液晶容量CLCに所定の電荷が保持され、これに基づいて表示が成される。
【0011】
ここで、画素電極Pm,n を例にとり、以下に詳細に説明する。尚、液晶容量をCLC、補助容量をCsとして示す。また、TFTのゲート・ソース間の寄生容量をCgs1 、画素電極Px,y とこの画素電極Px,y とTFTを介して接続される走査線Gy との寄生容量をCgs2 、画素電極Px,y と隣接する他の走査線Gy-1 との間の寄生容量をCgs3 として示す。
【0012】
走査パルスVGn が印加された走査線Gn に接続される画素電極Pm,n には、映像信号Vsig に基づいて所定の電圧が書込まれ、走査パルスVG のOFFに伴い画素電位Vem,n は寄生容量Cgs1 ,Cgs2 の影響による電荷の再配分により、レベルシフトする。ここでは、TFTがnチャネル動作であるため、画素電位Vem,n は図2に示すように負側にレベルシフトする。
【0013】
このレベルシフト量をΔVpとすると、このレベルシフト量ΔVpは次式で示される。尚、ここでΔVGは走査パルスの振幅を示す。
ΔVp={(Cgs1 +Cgs2 )/(CLC+Cs+Cgs1 +Cgs2 +Cgs3 )}ΔVG…(1)
ところで、簡易的な拡大表示を達成するため、所定の周期毎に隣接する一対の走査線を同時選択し、隣接する表示画素に同一の映像信号に基づく表示を行なう場合、例えば走査線Gn ,Gn+1 に同時に走査パルスVGn ,VGn+1 を印加する場合について説明する。
【0014】
この場合、走査線Gn に接続される画素電極Pm,n の画素電位Vem,n は、上式(1) の通りレベルシフトするが、走査線Gn+1 に接続される画素電極Pm,n+1 の画素電位Vem,n+1 は、画素電極Pm,n+1 に隣接する走査線Gn にも走査パルスVGn+1 と同一のタイミングで走査パルスVGn が印加されることから、そのシフト量ΔVp’は次式で示されるものとなる。
【0015】
ΔVpm,n+1 ={(Cgs1 +Cgs2 +Cgs3 )/(CLC+Cs+Cgs1 +Cgs2 +Cgs3 )}ΔVg…(2)
この(1) 及び(2) 式から解るように、同時に走査パルスVGn ,VGn+1 が印加される走査線Gn ,Gn+1 に隣接した画素電極Pm,n+1 は、他の画素電極Pに比べて画素電位Vem,n+1 のシフト量が大きく、表示不良をきたす。
【0016】
以下に、本発明について具体例を参照して説明する。
図4はこの具体例の液晶表示装置の概略斜視図、図5はアレイ基板の一部概略正面図、図6は液晶表示装置の一部概略断面図である。
【0017】
この液晶表示装置1は、有効表示領域が9:16のアスペクト比、対角7インチサイズで、画素数が横1440×縦234 、カラー表示絵素数が横480 ×縦234 である。そして、この液晶表示装置1は、液晶パネル100と、この液晶パネル100に映像信号Vsig を供給するXドライバ201−1,…,201−4と、この液晶パネル100に走査パルスVGを供給するYドライバ301−1,301−2と、それぞれを制御するコントロールIC401とを含む。
【0018】
液晶パネル100は、図6に示すように、アレイ基板141と対向基板161との間に配向膜171,173を介して配置されるTN(ツイステッド・ネマチック)液晶から成る液晶層181と、それぞれの基板外表面に配置される偏光板191,193と備えたノーマリ・ホワイトモードである。
【0019】
アレイ基板141は、0.7mm厚のガラス基板101上に配置される234 本の走査線Gy (y=1,2,…,234)と、この走査線Gy に絶縁膜113を介して直交配置される1440本の信号線Sx (x=1,2,…,1440 )と、走査線Gy と信号線Sx に囲まれるITOから成る画素電極Px,y を含む。そして、信号線Sx と走査線Gy との交点近傍には、走査線Gに接続されるゲート電極111、信号線Sx に接続されるドレイン電極125、画素電極Px,y に接続されるソース電極123を含み、活性層に非晶質シリコン(a- Si:H)115が用いられた逆スタガ型のTFTを含む。このa−Si:H115とソース及びドレイン電極123,125との間にはオーミックコンタクトを得るためのn+型のa−Si:Hがオーミックコンタクト層117,119として配置されている。
【0020】
また、アレイ基板141は、走査線Gy と略平行に画素電極Px,y と絶縁膜113を介して配置される補助容量線Ay を含み、これにより補助容量Csが形成される。
【0021】
対向基板161は、画素電極Pと信号線S及び走査線Gとの間隙、またTFTを遮光する遮光膜153、この上に配置されるカラーフィルタ155、このカラーフィルタ155上に配置される対向電極Cを備えて構成される。
【0022】
Xドライバ201−1は、図7に示すように、シフトレジスタ211と、R,G,Bのアナログ映像信号DATA−R,G,Bを伝送するビデオバス221と、シフトレジスタ211出力に基づいてアナログ映像信号DATA−R,G,Bをサンプリングするサンブリング部231と、サンプリング結果に基づいて映像信号Vsig を出力する出力バッファ241とを含む。
【0023】
Yドライバ301は、図8に示すように、複数のフリップフロップ303がカスケード接続されたシフトレジスタ311と、制御信号OE1,OE2,OE3を電送する制御信号バス321,323,325及びフリップフロップ303の一出力と一つの制御信号OE1,OE2,OE3とを入力とするANDゲート327とから成る論理回路部329と、ANDゲート327の出力に接続されるバッファ331とから構成される。
【0024】
コントロールIC401は、図9に示すように、外部から入力される同期信号に基づいてXドライバ201−1,…,201−4に水平スタート信号STH及び水平クロック信号CPHを供給し、またYドライバ301−1,301−2に垂直スタート信号STV及び垂直クロック信号CPVを供給するタイミング信号供給部411と、制御信号OE1,OE2,OE3を生成する制御信号供給部421とを備えて構成される。
【0025】
この制御信号供給部421は、同図に示すように、タイミング信号供給部411で生成されるCPVネーブル信号VEN、走査パルス立ち下がりタイミング信号GCK、ロード信号LD、設定信号P1,P2,P3、走査設定信号DBL及び削りタイミング信号CKAに基づいて、図10に示す制御信号OE1,OE2,OE3を生成するよう構成されている。
【0026】
詳しくは、走査設定信号DBLが第1乃至3AND回路431,433,435にそれぞれ入力され、この第1乃至3AND回路431,433,435の出力を1ビットシフトレジスタ441,443,445は削りタイミング信号CKAに基づいてOR回路451,453,455に転送する。また、このOR回路451,453,455には、AND−OR回路461,463,465、カウンタ471,473,475及び1ビットシフトレジスタ481,483,485を介して制御信号がそれぞれ入力される。そして、各OR回路451,453,455の出力はNAND回路491,493,495の一入力に導かれ、また有効走査期間の間ハイレベルを成すCPVイネーブル信号VENとの論理輪に基づいて制御信号OE1,OE2,OE3を出力するよう構成されている。
【0027】
次に、この液晶表示装置1の動作について説明する。
まず、コントロールIC401は、外部から入力される同期信号及び制御信号に基づいてXドライバ201−1,…,201−4に水平スタート信号STH及び水平クロック信号CPHを供給し、またYドライバ301−1,301−2に垂直スタート信号STV及び垂直クロック信号CPVを供給する。ここで、外部からの制御信号が各走査線Gy を順次走査する順次走査を指示する場合、コントロールIC401は図10に示す垂直スタート信号STV及び垂直クロック信号CPVをYドライバ301−1,301−2に供給する。
【0028】
タイミング信号供給部411は、外部から入力される制御信号に基づいて常にローレベルに設定される走査設定信号DBLを出力し、これに基づいて制御信号供給部421は図10に示す制御信号OE1,OE2,OE3を生成する。
【0029】
Yドライバ301−1,301−2は、コントロールIC401から供給される垂直スタート信号STV、垂直クロック信号CPV、制御信号OE1,OE2,OE3に基づいて、図10に示すように走査パルスVGy を各走査線Gy に順次出力する。
【0030】
次に、外部からの制御信号が表示画像の拡大を指示する場合、詳しくは3水平走査期間の内の一水平走査期間に2走査線を同時選択する場合を例にとり説明する。この場合、コントロールIC401は図11に示す垂直スタート信号STV及び垂直クロック信号CPVをYドライバ301−1,301−2に供給する。また、タイミング信号供給部411は、2走査線を同時選択する直前の水平走査期間の間ハイレベルに設定される走査設定信号DBLを出力し、これに基づいて制御信号供給部421は図11に示す制御信号OE1,OE2,OE3を生成する。
【0031】
そして、Yドライバ301−1,301−2は、垂直スタート信号STV、垂直クロック信号CPV、制御信号OE1,OE2,OE3に基づいて、図11に示すように、3水平走査期間の間の内の1水平走査期間は同一のタイミングで隣接する一対の走査線Gy ,Gy+1 に走査パルスVGy ,VGy+1 を供給するよう動作する。例えば、第1水平走査期間では走査線G1 に走査パルスVG1 が、第2水平走査期間では走査線G2及びG3に走査パルスVG2 ,VG3 が、第3水平走査期間では走査線G4に走査パルスVG4 が出力される。そして、この3水平走査期間を1周期として順次動作が繰返される。
【0032】
ところで、この実施例によれば、走査パルスVG2 は走査パルスVG3 よりも制御信号OE2に基づいて早く立ち下がる、詳しくは、走査パルスVG2 の後段に5μsec の削り期間tが設定され、走査パルスVG3 よりも5μsec 早く立ち下がる。
【0033】
これにより、走査線G2 及びG3 に囲まれる画素電極Pm,3 の画素電位Vem,3 は、走査パルスVG2 の立ち下がりの影響により選択期間中に次式で示されるレベルシフト量ΔVp''だけ負側にレベルシフトする。
【0034】
ΔVp''= {(Cgs3 )/(CLC+Cs+Cgs1 +Cgs2 +Cgs3 )}ΔVg…(3)
しかしながら、走査線G3 に接続される画素電極Pm,3 の画素電位Vem,3 は、5μsec の間に再書込みされ、この選択期間の間に再び映像信号Vsig に対応する電圧に書込まれる。従って、画素電極Pm,3 の画素電位Vem,3 は走査パルスVG3 の立ち下がりに同期した画素電位Vem,3 のレベルシフト量は、同時に選択された画素電極Pm,2 の画素電位Vem,2 に生じるレベルシフト量ΔVpと等しくなり、これにより同時選択される走査線G2 ,G3 に接続される画素電位Vem,2 ,Vem,3 は略等しく設定されることとなり、同様の表示状態が確保される。
【0035】
この実施例によれば、液晶容量CLC(電圧無印加状態)が0.2 pFであるのに対して補助容量Csが0.3 pFと2倍以下、更には1.5倍以下であるにも係わらず、良好な表示状態を確保することができた。また、このように補助容量Csが小さいことにより、十分な開口率を達成でき、光利用効率の高い表示装置が実現できた。
【0036】
ところで、この実施例では走査パルスVGのパルス幅が約63 μsec であるのに対して削り期間tを5μsec に設定したが、3〜15μsec であることが望ましい。この削り期間tが3μsec よりも小さいと、再書き込みが不十分となり従来のように局所的に表示不良が発生してしまう。また、この削り期間tが15μsec を越えると、画素電極Pへの書き込み自体が不十分となる恐れがある。
【0037】
しかしながら、この削り期間tは、走査パルスVGのパルス幅にも依存し、書き込み不足が生じないためには走査パルスVGのパルス幅に対して削り期間tが20%を越えない範囲であることが望ましい。また、逆に再書き込み不足が生じないためには走査パルスVGのパルス幅に対して削り期間tが5%を下回らない範囲であることが望ましい。
【0038】
この実施例は、3水平走査期間の内の一水平走査期間に2走査線を同時選択する例を示したが、この繰返し周期は拡大率等に合わせて適宜選択できる。また、同時選択される走査線数についても同様に種々選定することができるものであり、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【0039】
また、本発明において、隣接する他の走査線との間の寄生容量Cgs3 が小さいほど、また補助容量Csが大きいほど、削り期間t、換言すれば再書込み期間を短くすることができる。
【0040】
従って、開口率との関係ではあるが、図13に示すように補助容量線を画素電極と他の走査線との間に介在させる補助容量線シールド構造、図14に示すようにTFTをゲート電極上に配置するTFT・オン・ゲート構造により信号線を画素電極と他の走査線との間に介在させる信号線シールド構造、図示しないが走査線を延在させて等により画素電極と他の走査線との間の寄生容量を低減する走査線シールド構造、あるいは他のシールド配線を画素電極と他の走査線との間に介在させる等のシールド構造の採用が有効である。中でも、TFT・オン・ゲート構造の採用は、他の不所望な寄生容量の大幅な増大がないためレベルシフト量も増大しないことから、この発明において有効な構造である。
また、プロセスの増大を招くものの、補助容量線を透明電極で構成する等して大きな補助容量Csを形成することも有効である。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば複数の走査線を同時に選択する駆動を行なった場合であっても、良好な表示品位が確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明するための液晶表示装置の等価回路図。
【図2】本発明の原理を説明するための走査パルス及び画素電位を示す図。
【図3】本発明の原理を説明するための他の走査パルス及び画素電位を示す図。
【図4】実施形態に係わる液晶表示装置の概略斜視図。
【図5】実施形態に係わるアレイ基板の一部概略正面図。
【図6】実施形態に係わる液晶パネルの一部概略断面図。
【図7】実施形態に係わるXドライバの概略構成図。
【図8】実施形態に係わるYドライバの概略構成図。
【図9】実施形態に係わるコントロールICの概略構成図。
【図10】実施形態に係わる駆動波形を示す図。
【図11】実施形態に係わる他の駆動波形を示す図。
【図12】実施形態に係わる走査パルス及び画素電位を示す図。
【図13】実施形態に係わる他のアレイ基板の一部概略正面図。
【図14】実施形態に係わる他のアレイ基板の一部概略正面図。
【符号の説明】
1…液晶表示装置
100…液晶パネル
201-1,201-2,201-3,201-4…Xドライバ
301-1,301-2…Yドライバ
401…コントロールIC
Sx …信号線
Gy …走査線
Ay …補助容量線
Px,y …画素電極

Claims (7)

  1. 複数本の信号線と、この信号線に略直交する複数本の走査線と、前記信号線と前記走査線との交点近傍に配置されるスイッチ素子と、前記スイッチ素子に接続される画素電極と、前記画素電極に液晶層を介して配置される対向電極と、を備えた表示パネルと、
    前記信号線に信号電圧を供給する信号線駆動回路と、
    前記走査線に走査パルスを供給する走査線駆動回路と、
    前記信号線駆動回路及び前記走査線駆動回路のそれぞれに制御信号を供給する制御回路と、を備えた液晶表示装置において、
    前記表示パネルは、前記信号線、前記走査線、前記スイッチ素子、及び前記画素電極を含むアレイ基板と、前記対向電極を含む対向基板との間に前記液晶層が保持され、
    前記アレイ基板は、前記走査線と略平行に、前記画素電極と絶縁膜を介して配置される複数本の補助容量線を含み、
    前記走査線駆動回路は、一の前記走査線と、前記一の走査線と隣接する他の前記走査線であって前記他の走査線に電気的に接続される一の前記画素電極を介して配置される前記他の走査線のそれぞれに略同一のタイミングで前記スイッチ素子を導通状態と成すと共に、
    前記一の走査線に接続される前記スイッチ素子を、前記他の走査線に接続される前記スイッチ素子よりも所定期間だけ先に非導通状態と成す第1及び第2の走査パルスを供給することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記走査線駆動回路は、複数のフリップフロップがカスケード接続されるシフトレジスタと、各前記フリップフロップの出力と前記制御回路からの制御信号とを入力とし前記第1又は第2の走査パルスを出力する論理回路部とを含むことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  3. 前記所定期間は、3μsec 以上、15μsec 以下に設定されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  4. 前記画素電極と対向電極との間の電圧無印加状態の液晶容量に対して、前記画素電極と前記補助容量線との間の補助容量は2倍以下であることを特徴とする請求項記載の液晶表示装置。
  5. 前記補助容量線は、前記一の画素電極と前記一の走査線との間に配置されることを特徴とする請求項記載の液晶表示装置。
  6. 前記スイッチ素子は、前記走査線をゲート電極とし、前記信号線から延在されるドレイン電極、前記画素電極に接続されるソース電極を含む薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項記載の液晶表示装置。
  7. 前記ドレイン電極は、前記一の画素電極と前記一の走査線との間に延在することを特徴とする請求項記載の液晶表示装置。
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