[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4174274B2 - Polyamideimide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic parts, and adhesive for electronic parts - Google Patents

Polyamideimide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic parts, and adhesive for electronic parts Download PDF

Info

Publication number
JP4174274B2
JP4174274B2 JP2002257934A JP2002257934A JP4174274B2 JP 4174274 B2 JP4174274 B2 JP 4174274B2 JP 2002257934 A JP2002257934 A JP 2002257934A JP 2002257934 A JP2002257934 A JP 2002257934A JP 4174274 B2 JP4174274 B2 JP 4174274B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
resin composition
group
component
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002257934A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004091734A5 (en
JP2004091734A (en
Inventor
武志 對比地
倫康 山崎
伸仁 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gun Ei Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Gun Ei Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gun Ei Chemical Industry Co Ltd filed Critical Gun Ei Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP2002257934A priority Critical patent/JP4174274B2/en
Publication of JP2004091734A publication Critical patent/JP2004091734A/en
Publication of JP2004091734A5 publication Critical patent/JP2004091734A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4174274B2 publication Critical patent/JP4174274B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリアミドイミド樹脂、これを含有する樹脂組成物、電子部品用被覆材料及び電子部品用接着剤に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子部品の分野においては、小型化、薄型化、高速化への対応から、耐熱性樹脂の使用への要望が強く、ポリアミドイミド樹脂は耐熱性、電気絶縁性に優れることから、電子部品用の被覆材料、接着剤としてエポキシ樹脂に代わって、広く用いられるようになっている。被覆材料や接着剤は、多くの場合、溶液の状態で用いられ、ポリアミドイミドの溶液を基材に塗布して、加熱により溶剤を除去してポリアミドイミド樹脂層を形成する方法がとられる。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−64508号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ポリアミドイミドはN−メチルピロリドンなど高沸点の窒素含有極性溶媒にしか溶解せず、このような含窒素極性溶媒を用いて形成されたポリアミドイミド樹脂層は耐溶剤性が低下し易いという問題がある。又、高沸点であるので、塗布後の溶剤の除去が困難である。さらに、溶剤の除去が充分でないと、放置が長くなった場合に吸湿による塗膜の白化が生じることがある。又、特に半導体デバイスのダイボンド材のように後工程で高温にさらされる場合、その工程で溶剤が気化してボイドを生じ、これが剥離やクラックの原因になるおそれがある。また、アミドイミド樹脂の硬化にあたっては、250℃以上の高温硬化が必要となり、基材である電子部材の裂劣化を生じさせるおそれがある。また、耐熱性塗料の分野においても生産性の向上や、高温硬化による基材の寸法変動の低下を図るために、硬化温度の低下が望まれている。
【0005】
本発明は、このような問題を解決すべくなされたものであり、耐熱性、溶剤への溶解性に優れる、新規なポリアミドイミド樹脂及びこのポリアミドイミド樹脂を含有する樹脂組成物を提供し、耐熱性と被覆層、接着層の形成性、低温接着性を満足する電子部品用被覆材料及び接着剤を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明のポリアミドイミド樹脂は、下記一般式(I)
【0007】
【化4】

Figure 0004174274
【0008】
[式中、Zは芳香族トリカルボン酸無水物残基である3価の芳香族基、Yは下記一般式(II)で表される芳香族ジアミン残基
【0009】
【化5】
Figure 0004174274
【0010】
(式中、R 、R 及びR は、炭素数1〜9のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、COOR(Rは炭素数1〜6のアルキル基を示す)または水素であり、相互に異なっていても同一でもよく;R 、R は炭素数1〜9のアルキル基または水素であり、相互に異なっていても同一でもよく、Xは−O−、−S−、−SO −、−C(CH−、−CH−、−C(CH)(C)−、または−C(CF−を示し;nは1以上の整数である。)を示す。]で表される繰り返し単位1種以上と、下記一般式(III)
【0011】
【化6】
Figure 0004174274
【0012】
(式中、Zは芳香族トリカルボン酸無水物残基である3価の芳香族基、Yシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基を示す。)で表される繰り返し単位1種以上とを主成分として含有することを特徴とする。
【0013】
又、本発明の樹脂組成物は、前記ポリアミドイミド樹脂からなる(A)成分と、エポキシ樹脂からなる(B)成分とを含有してなることを特徴とする。
又、本発明の電子部品用被覆材料は、前記樹脂組成物を含有することを特徴とする。
又、本発明の電子部品用接着剤は、前記樹脂組成物を含有することを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
まず、ポリアミドイミド樹脂につき説明する。
本発明のポリアミドイミド樹脂は上記一般式(I)で表される繰り返し単位1種以上と、上記一般式(III)で表される繰り返し単位1種以上とを主成分として含有する。
上記一般式(I)及び上記一般式(III)におけるZは芳香族トリカルボン酸無水物残基である3価の芳香族基であり、この芳香族基を有する芳香族トリカルボン酸無水物またはその誘導体としては、例えば、下記式で表される化合物が好ましく用いられる。
【0015】
【化7】
Figure 0004174274
【0016】
(ただし、両式中、Qは水素、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基を示し、Vは−CH−、−CO−、−SO−又は−O−を示す。)
これらの化合物の中では、耐熱性、コスト等の点から、トリメリット酸無水物が好ましく用いられる。
この芳香族トリカルボン酸無水物またはその誘導体の一部を耐熱性の向上、弾性率の向上等、必要に応じてピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ−[2,2,2]−オクト−7−エン−2:3:5:6−テトラカルボン酸二無水物等のテトラカルボン酸二無水物、脂肪族又は芳香族二塩基酸などに5〜50%の範囲で置き換えてもよい。
【0017】
上記一般式(I)におけるYは上記一般式(II)で示されるフェノール性ヒドロキシ基を有する2価の芳香族ジアミン残基である。上記一般式(II)におけるR、R、Rは炭素数1〜9、好ましくは1〜4の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数1〜10、好ましくは1〜4のアルコキシ基、COOR(Rは炭素数1〜6のアルキル基を示す)または水素である。このアルコキシ基におけるアルキル残基は直鎖又は分岐鎖状のいずれでもよい。R、R、Rは相互に異なっていても同一でもよい。
【0018】
このうち、R、R、Rがアルキル基の場合は、ポリアミドイミド樹脂の耐水性が向上する。アルコキシ基又はアルコキシカルボニル基の場合は、このポリアミドイミド樹脂を含有する組成物を電子部品用の被覆材料、接着剤として用いた場合、基材との密着性が向上する。
よって、R、R、Rは用途に応じて適宜選択することが好ましい。
特に、R、R、Rのうち、1つ又は2つが水素で、残りが水素以外であることが、特性上好ましい。この水素以外のものがメチル基であると耐湿性が向上するので好ましい。
【0019】
上記一般式(II)において、 、R 炭素数1〜9、好ましくは1〜4の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基又は水素であり、相互に異なっていても同一でもよい。 、R アルキル基を導入することにより耐水性を向上させることができる。なお、アミノ基の反応性を高く保つ観点から、このアルキル基はメチル基であることが好ましい。
一般式(II)において、Xは−O−、−S−、−SO−、−C(CH−、−CH−、−C(CH)(C)−、または−C(CF−であるが、Xが−CH−であると、ポリアミドイミド合成プロセスが容易になるので好ましい。
【0020】
上記一般式(III)において、Yシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基である。 が非フェノール性芳香族ジアミン残基である場合、この芳香族ジアミンは非フェノール性であれば特に限定されるものではないが、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4´−ジフェニレンジアミン、3,3´−ジフェニレンジアミン、3,4´−ジフェニレンジアミン、各種ビス(アミノフェニル)エーテル、各種ビス(アミノフェニルオキシ)ベンゼン、各種2,2−ビス(アミノフェニルオキシフェニル)プロパンを例示できる。シロキサンジアミン残基である場合、下記一般式(IV)で示されるシロキサンジアミン残基を例示できる。
【0021】
【化8】
Figure 0004174274
【0022】
上記一般式(IV)において、Wは炭素数1〜6,好ましくは3のアルキレン基であり、Wは炭素数1〜10、好ましくは1〜8の非置換又は水素がハロゲン原子で置換された1価の炭化水素基である。Wの具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基等のアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基;これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素などのハロゲン原子で置換したハロゲン置換炭化水素基を例示できる。これらの炭化水素基の中ではメチル基が特に好ましい。uは1〜120の整数であり、特に、1〜80の整数であることが好ましい。uが120より大きいと未硬化物中のポリアミドイミド樹脂が溶剤に充分に溶解しなくなるおそれがある。
【0023】
本発明のポリアミドイミド樹脂においては、上記一般式(I)で表される繰り返し単位と、上記一般式(III)で表される繰り返し単位の比率がモル比で10/90〜90/10であることが好ましい。上記一般式(I)で表される繰り返し単位の比率が10/90未満であると硬化物の架橋密度が低くなり、耐溶剤性、接着性、耐熱性が低下するおそれがあり、又、硬化物の機械強度に支障をきたすおそれがある。上記一般式(I)で表される繰り返し単位の比率が90/10を超えると、基材への接着性や硬化物の低応力化といった改質が不充分となる。又、本発明のポリアミドイミド樹脂の重量平均分子量(GPC法で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて算出)が5,000〜150,000であることが好ましく、20,000〜100,000であることがより好ましい。重量平均分子量が5,000未満であると、硬化物の耐熱性や機械強度に支障をきたすおそれがある。又、150,000より大きいと、ポリアミドイミド樹脂の末端の酸無水物が加水分解して生成するカルボキシル基や、末端のアミノ基の量が減り、エポキシ樹脂との架橋密度が下がって、ポリアミドイミド樹脂の耐溶剤性が低下するおそれがある。
【0024】
本発明のポリアミドイミド樹脂は、前記芳香族トリカルボン酸またはその誘導体と、前記一般式(II)で示した二価の有機基に対応するフェノール性ヒドロキシル基を有する芳香族ジアミンと、前記一般式(III)のYで例示したシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基にそれぞれ対応するシロキサンジアミンまたは非フェノール性芳香族ジアミンとを、脱水縮合させることにより得られる。
【0025】
本発明のポリアミドイミド樹脂は、溶剤中で遊離発生してくる縮合水を反応系から除去しながら加熱縮合合成され、また、このポリアミドイミド樹脂と後述のエポキシ樹脂とを含有する樹脂組成物を電子部品用被膜形成材料、電子部品用接着剤として用いる場合も溶剤に溶解した溶液として用いられるので、ポリアミドイミド樹脂や前記樹脂組成物との相溶性に優れる溶剤を用いることが好ましい。このような溶剤としては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジグライム、トリグライム等のエーテル類;シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、2−オクタノン、アセトフェノン等のケトン類;酢酸ブチル、安息香酸メチル、γ−ブチロラクトン、2−ヒドロキシプロパン酸メチル等のエステル類;ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げられる。これらの中では、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがより好ましく用いられる。これらの中から1種または2種以上を用いることができる。これら溶剤の中では、この溶剤をそのままワニスや接着剤の溶剤として用いることを考慮すると、高揮発性で、低温硬化性を付与でき、滑、効率よく均一系で反応を行うことができることから、γ−ブチロラクトンが最も好ましい。
縮合にあたって、得られるポリアミドイミド樹脂溶液の固形分濃度が1〜40重量%となる範囲で調製することが好ましい。
【0026】
ポリアミドイミド樹脂の合成にあたって、上記の芳香族トリカルボン酸またはその誘導体に対するジアミン成分の割合は、ポリアミドイミド樹脂の分子量調整等の必要に応じて適宜決められるが、通常、カルボキシル基又はその誘導基に対するアミノ基のモル比で0.7〜1.5となるように選定するのが好ましく、高分子量の樹脂を得るためにはこの比率を1.0付近にするのが好ましい。0.7未満及び1.5を超えると成膜性が低下する傾向にある。
反応温度は、80〜210℃であることが好ましく、100〜190℃とすることがより好ましく、120〜180℃であることが特に好ましい。
反応温度が80℃未満では反応時間が長くなり、210℃を超えると、反応中に三次元反応が生じてゲル化が起こるおそれがある。
また、必要に応じて、三級アミン類、アルカリ金属、アルカリ土類金属、錫、亜鉛、チタニウム、コバルト等の金属又は半金属化合物等の触媒の存在下に反応を行ってもよい。
【0027】
次に、本発明の樹脂組成物について説明する。この樹脂組成物は、前記ポリアミドイミド樹脂からなる(A)成分と、エポキシ樹脂からなる(B)成分とを含有してなる。
本発明において用いられるエポキシ樹脂は、その構造や分子量等が特に制限されるものではない。ただし、▲1▼ポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂とを含有する樹脂組成物が低粘度のワニス状態で使用されること、▲2▼ポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂とで架橋構造が形成されること、▲3▼低温、短時間で接着や効果が可能であること、の3点を考慮すると、エポキシ樹脂としては、軟化点が低いものが好ましく、又、1分子中に2個以上のグリシジル基を有するものが好ましい。
エポキシ樹脂の具体例としては、下記一般式(V)で示されるエポキシ樹脂、
【0028】
【化9】
Figure 0004174274
【0029】
(上記式において、Gはグリシジル基を示し、Qは直接結合、メチレン基、ジメチルメチレン基、ジ(トリフルオロメチル)メチレン基、エーテル結合、カルボニル基、チオエーテル結合又はスルホニル基を示し、nは0〜10の数を示す。)、2価のフェノールのジグリシジルエーテル、3価フェノールのトリグリシジルエーテル、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を例示できる。
【0030】
このエポキシ樹脂としては、低温短時間での被膜硬化、あるいは低温短時間、且つ低加重での接着を可能にする点から、25℃における粘度が20Pa・sec以下であるものが好ましく、10Pa・sec以下であるものがより好ましく、5Pa・sec以下であるものが特に好ましい。このような低粘度のエポキシ樹脂を用いると、例えば接着剤として用いる場合、低荷重で接着させても、前記樹脂組成物がその上に塗布された樹脂テープと、接着対象である被着体との濡れ性が良好に確保され、接着性、その他の信頼性を高めることができ、チップ等の被着体を破壊するおそれがない。
なお、エポキシ樹脂が上記一般式(V)で示されるものである場合、25℃における粘度が20Pa・sec以下とするためには、上記一般式(V)におけるxが0〜2、より好ましくは0〜0.1のものが用いられる。
【0031】
本発明の樹脂組成物における(A)成分と(B)成分の配合比は質量比で80/20〜20/80が好ましく、75/25〜25/75がより好ましく、60/40〜40/60が特に好ましい。(A)成分が上記範囲より多いと、特に凹凸構造を有する基材面に対して良好な接着性を示さないおそれがあり、このため、耐溶剤性、耐湿性不良となるおそれがある。また、(B)成分が上記範囲より多いと、耐熱性不良となるおそれがある。
【0032】
本発明の樹脂組成物には、その用途に応じて無機充填材を配合することができる。この無機充填材の具体例としては、結晶シリカ、非結晶シリカ等の天然シリカ、合成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ、炭化珪素、アルミナ等の非導電性粒子、銀粉のような導電性粒子を挙げることができ、これらの1種または2種以上を用いることができる。例えば、半導体デバイスのダイボンド材の場合は、熱伝導性の高いアルミナや銀粉等が好ましく用いられる。無機充填材の配合量は特に制限されるものではなく、用途に応じて適宜選択されるが、組成物全体に対して、通常、85質量%以下(即ち、0〜85質量%)が好ましく、5〜80質量%がより好ましい。
無機充填材の形状も特に制限されるものではなく、球状、破砕物状、無定型等、用途に応じて適宜選択される。
【0033】
エポキシ樹脂は自己縮合型エポキシのようにそれ自体で硬化することも可能であるので、本発明の樹脂組成物は必ずしも硬化剤を必要とするものではないが、エポキシ樹脂の硬化剤を用いることができる。エポキシ樹脂樹脂用硬化剤の具体例としては、フェノール樹脂、鎖無水物類、アミン類、イミダゾール類を挙げることができる。
【0034】
フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;トリスヒドロキシフェニルプロパン型フェノール樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂等のトリスヒドロキシフェニルアルカン型フェノール樹脂;ナフタレン型フェノール樹脂;シクロペンタジエン型フェノール樹脂;フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。
【0035】
酸無水物類の具体例としては、ドデセニル無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等の脂肪族酸無水物;メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキサンジカルボン酸無水物等の脂環式酸無水物;無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテートアンハイドライド、グリセロールトリメリテートアンハイドライド等の芳香族酸無水物等が挙げられる。
【0036】
アミン類としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、プロピレンジアミン、ジプロピレントリアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族アミン;メンタンジアミン、イソホロンジアミン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン、ジアミノジシクロヘキシルメタン、ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、N−アミノエチルピペラジン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカン等の脂環式アミン;メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジエチル時フェニルメタン等の芳香族アミンが挙げられる。
【0037】
イミダゾール類としては、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。硬化剤としてはこれらの中から1種または2種以上を用いることができる。
【0038】
これらの硬化剤の配合量は、硬化剤がフェノール樹脂、酸無水物類またはアミン類である場合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基と、それぞれの硬化剤中の官能性基(フェノール性水酸基、酸無水物基及びアミノ基)との当量比がエポキシ基/硬化剤官能基で0.5〜1.5であることが好ましく、0.6〜1.2であることがより好ましい。なお、官能基が酸無水物基1モルはエポキシ基1モルに対して2当量に相当する。
エポキシ基と硬化剤官能基の当量比が上記範囲内にない場合は、樹脂組成物を硬化させたときの硬化が不充分となり、硬化物の耐熱性、耐湿性に支障をきたすおそれがある。また、前記イミダゾール類はこれらのフェノール樹脂、酸無水物類、アミン類からなる硬化剤の硬化促進剤として併用することができる。
【0039】
イミダゾール類の配合量は、ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して0〜5重量部であることが好ましく、より好ましくは0.05〜5重量部、さらに好ましくは0.1〜1重量部である。イミダゾールの配合量が5重量部より多くなると、樹脂組成物の保存性、硬化物の耐熱性に支障をきたすおそれがある。
【0040】
本発明の樹脂組成物は前述の無機充填材、硬化剤の他、塗工時の作業性、被膜の特性向上のため、必要に応じて消泡剤、レベリング剤等の界面活性剤類;染料、顔料等の着色剤;硬化促進剤、熱安定剤、酸化防止剤、難燃剤、滑剤等を添加することができる。
本発明の樹脂組成物は溶液として好ましく用いられ、この溶液に用いられる溶剤は、ポリアミドイミド樹脂の溶剤として説明した溶剤を用いることができる。樹脂組成物溶液における固形分濃度は10〜70重量%、であることが好ましく、20〜60重量%がより好ましい。
【0041】
ポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂の配合にあたってはポリアミドイミド樹脂溶液に直接エポキシ樹脂を添加してもよく、ポリアミドイミド樹脂を溶解している溶剤と同一の溶剤にエポキシ樹脂を溶解し、ポリアミドイミド樹脂溶液に、このエポキシ樹脂溶液を添加してもよい。
【0042】
本発明の樹脂組成物は電子部品用被覆材料として好適に用いられる。
本発明の樹脂組成物は、例えば、半導体素子や各種電子部品用オーバーコート剤、硬質またはフレキシブル基板分野などにおける層間絶縁膜、表面保護膜、ソルダレジスト層、液状封止剤、耐熱塗料、エナメル線用ワニス、電気絶縁用含浸ワニス、注型ワニス、マイカ、ガラスクロス等の基材と組み合わせたシート用ワニス、MCL積層板用ワニス、摩擦材料用ワニス等として使用する、被覆材料として特に好適に用いられる。
【0043】
また、本発明の樹脂組成物は、例えば半導体デバイスのダイボンド材、各種基板積層用接着剤等の電子部品用接着剤として好適に用いられる。
この接着剤は一方の被着体の被接着面に直接塗布して、塗布面から溶剤を除去した後、他の被着体を重ねて接着してもよいが、接着剤をフィルム状に加工して用いることが好ましい。フィルム状に加工して用いる場合、接着剤の厚みは20〜150μmであることが好ましい。厚みが20μm未満であると、凹凸面に対し充分な平滑性が得られなくなるおそれがあり、150μmを超えると、寸法精度に影響が出るおそれがある。
【0044】
接着剤をフィルム状に加工する方法は特に限定されるものではないが、前記樹脂組成物をコーター等を用いて適当な基材上に塗布し、溶剤を除去する方法を採用することができる。基材としては、例えば離型性に優れるシリコーン樹脂、ポリエステルフィルム、又は離型処理を施したポリエステルフィルム等が用いられる。溶剤除去は、例えば、熱風ヒーター、赤外線ヒーター等を用いて所定の温度・時間で加熱することにより行われる。さらにこれをテープ状に切断して巻き取ればテープ状の接着剤が得られる。ここで必要に応じて基材を除去して、接着剤のみからなるフィルムやテープにしてもよい。
【0045】
フィルムへの加工において、溶剤を除去する際に加熱が充分でないとフィルム中に溶剤が残存し、ボイドが生じ、これが剥離・クラックの原因になる等のおそれがある。逆に加熱が過度であるとポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂の反応が進行してしまい、フィルムの柔軟性又は接着性に支障をきたすおそれがある。また、加熱が急激、即ち一気に溶剤の沸点以上に加熱すると、フィルム中やフィルムの表面にボイドが残存したり、フィルムの厚みが不均一になる等の問題が発生するおそれがある。したがって、溶剤の除去にあたっては、溶剤の沸点未満の温度より段階的に昇温させ、除去することが望ましい。
【0046】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の電子部品用接着剤は電子部品用途に用いられ、特に半導体デバイスのダイボンド材のように耐熱性・接着性が要求される用途においてその性能を発揮する。
接着方法は特に制限されるものではないが、150〜250℃、0.98〜98kPa(0.01〜10kgf/cm)、0.5〜20秒程度の条件で熱圧着することにより広範な被着体、例えばアルミニウム、ニッケル、金、銀、白金、鉄、銅、亜鉛、パラジウム、錫等の金属やこれらの合金や酸化物、ケイ素とその酸化物、窒化ケイ素、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドイミド樹脂とこれらの組成物等に対して良好な接着性を発揮する。
なお、25℃における粘度が20Pa・sec以下、特に10Pa・sec以下のエポキシ樹脂を用いた場合、0.98〜98kPa程度の低荷重での圧着でも良好な接着を与える。
【0047】
より具体的な接着方法として、被着体の間に接着剤フィルムを挟んで熱圧着する、又は一方の被着体に接着剤フィルムを仮圧着し、続いてもう一方の被着体を載せて全体を本圧着する等の方法がとられる。ここで後者の2段階で接着する方法においては、仮圧着は比較的低温で、本圧着は高温で行うことが望ましい。これにより接着剤フィルムは仮圧着では被着体になじむ程度に接着し、本圧着では強固な接着が生成され、またポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂が反応して架橋構造が形成され、耐熱性・耐溶剤性に優れる接着剤層が得られる。
【0048】
この場合、本発明の電子部品用接着剤は、(A)成分と(B)成分とを質量比で80/20〜20/80の配合比で含むため、加熱圧着時にフィルムが十分に軟化して、被接着面との濡れ性が確保される。したがって、表面が平滑な被接着面はもとより、表面が凹凸構造を有する被接着面に対しても優れた接着性を発揮する。このため、ガラス・エポキシ樹脂プリント基板等のガラス繊維が複合された電子部品に対して好適に用いられる。
【0049】
【実施例】
以下に実施例、比較例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0050】
[実施例1]
撹拌機、冷却管、窒素導入管及び温度計を備えた2リットルの四つ口フラスコに、2,2´−メチレンビス[4−メチル−6−(3,5−ジメチル−4−アミノベンジル)フェノール]494g(1.0モル)、4,4′−ジアミノフェニルエーテル80.1g(0.40モル)、α,ω−ビス(γ−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン336.0g(0.40モル)、無水トリメリット酸345.8g(1.8モル)及びγ−ブチロラクトン981.3gを仕込み、170℃まで昇温した後、6時間反応させて、重量平均分子量が30,000の樹脂を得た。得られた樹脂をγ−ブチロラクトンで希釈し、さらに、2−ブタノンオキシム22.8gを添加して、90℃で3時間加熱し、不揮発分40重量%のポリアミドイミド樹脂を得た。
得られたポリアミドイミド樹脂の赤外線吸収スペクトル(IRスペクトル)を図1に示す。また、このポリアミドイミド樹脂を180℃で3時間、250℃で2時間硬化させた硬化物のTgは168℃であった。
【0051】
得られたポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100重量部に対してYDF−170(東都化成(株)製ビスフェノールF型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量約160〜180、25℃における粘度:11.2Pa・sec)50重量部を加え、γ−ブチロラクトンで希釈して、不揮発分40重量%の樹脂組成物を得た。
【0052】
[実施例2]
実施例1で用いたと同様のフラスコに2,2´−メチレンビス{4−メチル−6−(3,5−ジメチル−4−アミノベンジル)フェノール177.8g(0.36モル)、4,4′−ジアミノフェニルエーテル200.2g(1.0モル)、α,ω−ビス(γ−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン336.0g(0.40モル)、無水トリメリット酸345.8g(1.8モル)及びγ−ブチロラクトン981.3gを仕込み、170℃まで昇温した後、6時間反応させて、重量平均分子量が20,000の樹脂を得た。得られた樹脂をγ−ブチロラクトンで希釈し、さらに、2−ブタノンオキシム22.8gを添加して、90℃で3時間加熱し、不揮発分40重量%のポリアミドイミド樹脂を得た。
得られたポリアミドイミド樹脂のIRスペクトルを図2に示す。また、このポリアミドイミド樹脂を180℃で3時間、250℃で2時間硬化させた硬化物のTgは164℃であった。
【0053】
得られたポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100重量部に対して実施例1と同様にYDF−170を50重量部加え、γ−ブチロラクトンで希釈して不揮発分40重量%の樹脂組成物を得た。
【0054】
[実施例3]
実施例1で用いたと同様のフラスコに2,2´−メチレンビス{4−メチル−6−(3,5−ジメチル−4−アミノベンジル)フェノール711.4g(1.44モル)、4,4′−ジアミノフェニルエーテル20.0g(0.10モル)、α,ω−ビス(γ−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン84.0g(0.10モル)、無水トリメリット酸345.8g(1.8モル)及びγ−ブチロラクトン981.3gを仕込み、170℃まで昇温した後、6時間反応させて、重量平均分子量が30,000の樹脂を得た。得られた樹脂をγ−ブチロラクトンで希釈し、さらに、2−ブタノンオキシム22.8gを添加して、90℃で3時間加熱し、不揮発分40重量%のポリアミドイミド樹脂を得た。
得られたポリアミドイミド樹脂のIRスペクトルを図3に示す。また、このポリアミドイミド樹脂を180℃で3時間、250℃で2時間硬化させた硬化物のTgは168℃であった。
【0055】
得られたポリアミドイミド樹脂溶液の樹脂分100重量部に対して実施例1と同様にYDF−170を50重量部加え、γ−ブチロラクトンで希釈して、不揮発分40重量%の樹脂組成物を得た。
【0056】
[実施例4]
YDF−170、5重量部の代わりに、エピコート828(油化シェルエポキシ(株)製ビスフェノールA型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量約189、25℃における粘度:13.6Pa・sec)50重量部を用いた以外は、実施例1と全く同様の操作を行い、不揮発分40重量%の樹脂組成物を得た。
【0057】
[比較例1]
実施例1で得たポリアミドイミド樹脂のγ−ブチロラクトン溶液(不揮発分40重量%)を比較例1の樹脂組成物とした。
【0058】
[比較例2]実施例1において、ジアミン成分として4,4′−ジアミノジフェニルメタン356.4g(1.8モル)のみを用いた以外は、実施例1と全く同様の操作を行い、ポリアミドイミド樹脂溶液を得、これを用いた以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物を得た。
このポリアミドイミド樹脂を180℃で3時間、250℃で2時間硬化させた硬化物のTgは172℃であった。
【0059】
上記の実施例及び比較例で得られたポリアミドイミド樹脂溶液及びポリアミドイミド樹脂組成物の物性を下記の方法で測定した。
(1)ワニス外観:目視にて25℃における樹脂溶液の外観を観察した。
○:濁りなし、△:濁り有り、×:固形化
(2)密着性(クロスカット試験):樹脂組成物溶液をJIS H−4000に規定されたアルミニウム板A1050P(寸法1mm×50mm×150mm)上に塗布した後、190℃で60分加熱硬化し、膜厚が約20μmの塗膜を形成した。得られた塗膜板を用いてJIS D0202に準じて試験し、剥離発生数/総数を調べた。
(3)吸湿後の耐半田クラック性:樹脂組成物溶液をJIS H−4000に規定されたアルミニウム板A1050P(寸法1mm×50mm×150mm)上に塗布した後、190℃で60分加熱硬化し、膜厚が約20μmの塗膜を形成した。得られた塗膜板を121℃/100%/2atmRH雰囲気中に24時間放置する。これを240℃の半田浴に10秒間浸漬し、クラック或いはボイドの発生した塗膜板数/総塗膜板数を測定した。
(4)屈曲性:樹脂組成物溶液をJIS H−4000に規定されたアルミニウム板A1050P(寸法1mm×50mm×150mm)上に塗布した後、190℃で60分加熱硬化し、膜厚が約20μmの塗膜を形成した。得られた塗膜板を塗布面が外側になるように1.0Rで180°折り曲げ、折り曲げ部の亀裂の有無を評価した。
○:亀裂無し、×:亀裂有り
(5)5%重量減少温度:樹脂溶組成物溶液を190℃で60分加熱硬化し塗膜を形成した。得られた塗膜を用いて、TG−DTA法により、5%重量減少温度を測定した。
(6)耐溶剤性:樹脂組成物溶液をJIS H−4000に規定されたアルミニウム板A1050P(寸法1mm×50mm×150mm)上に塗布した後、190℃で60分加熱硬化し、膜厚が約20μmの塗膜を形成した。得られた塗膜板を用いてメチルエチルケトン中に5分間浸漬し、外観上塗膜層が溶解した板数/総板数を測定した。
これらの試験結果を表1に示す。
【0060】
【表1】
Figure 0004174274
【0061】
比較例2の樹脂溶液には濁りが見られた。比較例1の樹脂組成物から得られた塗膜は3割程度に剥離の発生が見られた。耐半田クラック性では比較例2の樹脂組成物から得られた塗膜の全数にクラックまたはボイドの発生が見られた。屈曲性については、比較例1及び比較例2の樹脂組成物からの塗膜にはいずれも亀裂が発生した。また、耐溶剤性試験では比較例2の樹脂組成物からの塗膜の全数において溶解が見られた。また、比較例2も樹脂の5%重量減少温度が260℃と低く、耐熱性に劣ることが分かった。
これに対して、本発明に係る実施例の樹脂組成物はいずれもワニス外観に優れ、塗膜の密着性試験で剥離が見られず、耐半田クラック性試験でもクラックやボイドの発生がない。また、屈曲性試験でも亀裂の発生が見られず、耐溶剤性試験でも膜の溶解が見られない。また、5%重量減少温度はいずれも350℃以上と、耐熱性に優れていることが分かる。
【0062】
【発明の効果】
本発明のポリアミドイミド樹脂は、低温硬化可能なポリアミドイミド樹脂であり、吸湿性、密着性、屈曲性、耐溶剤性及び耐熱性に優れるものである。
また、本発明の被膜形成材料は、上記の優れた特性を有する被膜を形成することができ、半導体素子や各種電子部品用オーバーコート材、リジット又はフレキ基板分野などにおける層間絶縁膜、表面保護膜、ソルダレジスト層、接着層などや、液状封止材、耐熱塗料、エナメル線用ワニス、電気絶縁用含浸ワニス、注型ワニス、マイカ、ガラスクロス等の基材と組み合わせたシート用ワニス、MCL積層板用ワニス、摩擦材料用ワニスに好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1で得られた生成物のIRスペクトルである。
【図2】 実施例2で得られた生成物のIRスペクトルである。
【図3】 実施例3で得られた生成物のIRスペクトルである。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a polyamideimide resin, a resin composition containing the same, a coating material for electronic parts, and an adhesive for electronic parts.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in the field of electronic components, there has been a strong demand for the use of heat-resistant resins because of the reduction in size, thickness and speed, and polyamideimide resin has excellent heat resistance and electrical insulation properties. Instead of epoxy resin, it is widely used as a coating material and adhesive. In many cases, the coating material and the adhesive are used in the form of a solution, and a method of forming a polyamide-imide resin layer by applying a polyamide-imide solution to a substrate and removing the solvent by heating is employed.
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-64508
[Problems to be solved by the invention]
However, polyamideimide can only be dissolved in a high-boiling nitrogen-containing polar solvent such as N-methylpyrrolidone, and the polyamideimide resin layer formed using such a nitrogen-containing polar solvent has a problem that the solvent resistance tends to decrease. There is. Moreover, since it has a high boiling point, it is difficult to remove the solvent after coating. Further, if the removal of the solvent is not sufficient, the coating film may be whitened due to moisture absorption when it is left for a long time. In particular, when exposed to a high temperature in a subsequent process such as a die bond material of a semiconductor device, the solvent is vaporized in the process to generate a void, which may cause peeling or cracking. Further, in curing the amideimide resin, it is necessary to cure at a high temperature of 250 ° C. or more, and there is a risk of causing crack degradation of the electronic member as the base material. Also in the field of heat resistant paints, a reduction in curing temperature is desired in order to improve productivity and reduce dimensional fluctuations of the substrate due to high temperature curing.
[0005]
The present invention has been made to solve such problems, and provides a novel polyamideimide resin excellent in heat resistance and solubility in a solvent, and a resin composition containing the polyamideimide resin. It is an object of the present invention to provide a coating material for an electronic component and an adhesive satisfying the properties, the covering layer, the forming property of the adhesive layer, and the low temperature adhesiveness.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The polyamideimide resin of the present invention has the following general formula (I)
[0007]
[Formula 4]
Figure 0004174274
[0008]
[Wherein Z is a trivalent aromatic group which is an aromatic tricarboxylic acid anhydride residue, and Y 1 is an aromatic diamine residue represented by the following general formula (II):
[Chemical formula 5]
Figure 0004174274
[0010]
(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are each an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, COOR (R represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms) or hydrogen. R 4 and R 5 are each an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms or hydrogen, and may be different or the same, and X is —O— or —S—. , -SO 2 -, - C ( CH 3) 2 -, - CH 2 -, - C (CH 3) (C 2 H 5) -, or -C (CF 3) 2 - shows a; n is 1 or more It is an integer. And one or more repeating units represented by the following general formula (III)
[0011]
[Chemical 6]
Figure 0004174274
[0012]
(Wherein Z represents a trivalent aromatic group which is an aromatic tricarboxylic acid anhydride residue, and Y 2 represents a siloxane diamine residue or a non-phenolic aromatic diamine residue.) It contains more than seeds as a main component.
[0013]
In addition, the resin composition of the present invention is characterized by containing the component (A) composed of the polyamideimide resin and the component (B) composed of an epoxy resin.
Moreover, the coating material for electronic parts of this invention is characterized by containing the said resin composition.
Moreover, the adhesive for electronic components of this invention contains the said resin composition, It is characterized by the above-mentioned.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
First, the polyamideimide resin will be described.
The polyamideimide resin of the present invention contains one or more repeating units represented by the above general formula (I) and one or more repeating units represented by the above general formula (III) as main components.
Z in the general formula (I) and the general formula (III) is a trivalent aromatic group which is an aromatic tricarboxylic acid anhydride residue, and an aromatic tricarboxylic acid anhydride or derivative thereof having this aromatic group For example, a compound represented by the following formula is preferably used.
[0015]
[Chemical 7]
Figure 0004174274
[0016]
(However, in both formulas, Q represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group, and V represents —CH 2 —, —CO—, —SO 2 —, or —O—.)
Among these compounds, trimellitic anhydride is preferably used from the viewpoints of heat resistance and cost.
For this aromatic tricarboxylic acid anhydride or a part of its derivative, pyromellitic dianhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, etc. , Bicyclo- [2,2,2] -oct-7-ene-2: 3: 5: 6-tetracarboxylic dianhydride such as tetracarboxylic dianhydride, aliphatic or aromatic dibasic acid, etc. May be replaced in the range of 5 to 50%.
[0017]
Y 1 in the general formula (I) is a divalent aromatic diamine residue having a phenolic hydroxy group represented by the general formula (II). R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (II) are linear or branched alkyl groups having 1 to 9 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms, and 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms. An alkoxy group, COOR (R represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms) or hydrogen. The alkyl residue in the alkoxy group may be linear or branched. R 1 , R 2 and R 3 may be different from each other or the same.
[0018]
Among these, when R 1 , R 2 and R 3 are alkyl groups, the water resistance of the polyamideimide resin is improved. In the case of an alkoxy group or an alkoxycarbonyl group, when the composition containing this polyamideimide resin is used as a coating material or adhesive for electronic parts, the adhesion to the substrate is improved.
Therefore, it is preferable to select R 1 , R 2 , and R 3 as appropriate according to the application.
In particular, it is preferable in terms of characteristics that one or two of R 1 , R 2 and R 3 are hydrogen and the rest are other than hydrogen. A thing other than hydrogen is a methyl group, since moisture resistance is improved.
[0019]
In the general formula (II), R 4 and R 5 are each a linear or branched alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms, or hydrogen, and may be different or the same. It is possible to improve the water resistance by introducing an alkyl group into R 4, R 5. From the viewpoint of keeping the reactivity of the amino group high, this alkyl group is preferably a methyl group.
In the general formula (II), X represents —O—, —S—, —SO 2 —, —C (CH 3 ) 2 —, —CH 2 —, —C (CH 3 ) (C 2 H 5 ) —, Alternatively, it is —C (CF 3 ) 2 —, and it is preferable that X is —CH 2 — because the polyamideimide synthesis process becomes easy.
[0020]
In the general formula (III), Y 2 is a siloxane diamine residue or a non-phenolic aromatic diamine residue. When Y 2 is a non-phenolic aromatic diamine residue, this aromatic diamine is not particularly limited as long as it is non-phenolic. For example, p-phenylene diamine, m-phenylene diamine, 4, 4 '-Diphenylenediamine, 3,3'-diphenylenediamine, 3,4'-diphenylenediamine, various bis (aminophenyl) ethers, various bis (aminophenyloxy) benzenes, various 2,2-bis (aminophenyl) An example is oxyphenyl) propane . When Y 2 is a siloxane diamine residue can be exemplified by siloxane diamine residue represented by the following general formula (IV).
[0021]
[Chemical 8]
Figure 0004174274
[0022]
In the general formula (IV), W 1 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 3 and W 2 is unsubstituted or substituted with 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 8 carbon atoms, or a hydrogen atom. Monovalent hydrocarbon group. Specific examples of W 2 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, octyl group, Alkyl groups such as decyl group; alkenyl groups such as vinyl group, allyl group, propenyl group and butenyl group; aryl groups such as phenyl group and tolyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenylethyl group; Examples thereof include halogen-substituted hydrocarbon groups in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with halogen atoms such as fluorine, bromine and chlorine. Of these hydrocarbon groups, a methyl group is particularly preferred. u is an integer of 1 to 120, and preferably an integer of 1 to 80. If u is larger than 120, the polyamideimide resin in the uncured product may not be sufficiently dissolved in the solvent.
[0023]
In the polyamideimide resin of the present invention, the ratio of the repeating unit represented by the general formula (I) to the repeating unit represented by the general formula (III) is 10/90 to 90/10 in molar ratio. It is preferable. When the ratio of the repeating unit represented by the above general formula (I) is less than 10/90, the crosslink density of the cured product is lowered, and solvent resistance, adhesion, and heat resistance may be lowered. There is a risk of hindering the mechanical strength of objects. When the ratio of the repeating unit represented by the general formula (I) exceeds 90/10, the modification such as adhesion to the substrate and low stress of the cured product becomes insufficient. Further, the weight average molecular weight (measured by GPC method and calculated using a standard polystyrene calibration curve) of the polyamideimide resin of the present invention is preferably 5,000 to 150,000, and 20,000 to 100,000. It is more preferable that If the weight average molecular weight is less than 5,000, the heat resistance and mechanical strength of the cured product may be hindered. On the other hand, if it is greater than 150,000, the amount of carboxyl groups and terminal amino groups produced by hydrolysis of the terminal acid anhydride of the polyamideimide resin will decrease, and the crosslinking density with the epoxy resin will decrease. The solvent resistance of the resin may be reduced.
[0024]
The polyamideimide resin of the present invention includes the aromatic tricarboxylic acid or a derivative thereof, an aromatic diamine having a phenolic hydroxyl group corresponding to the divalent organic group represented by the general formula (II), and the general formula ( and the corresponding siloxane diamine or non-phenolic aromatic diamine to the illustrated siloxane diamine residue or non-phenolic aromatic diamine residue for Y 2 III), obtained by dehydration condensation.
[0025]
The polyamide-imide resin of the present invention is synthesized by heat condensation while removing condensed water liberated in the solvent from the reaction system, and a resin composition containing this polyamide-imide resin and the epoxy resin described below is converted into an electron. Since it is also used as a solution dissolved in a solvent when used as a film forming material for parts or an adhesive for electronic parts, it is preferable to use a solvent having excellent compatibility with the polyamideimide resin or the resin composition. Examples of such solvents include ethers such as tetrahydrofuran, anisole, diglyme, and triglyme; ketones such as cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 2-octanone, and acetophenone; butyl acetate, methyl benzoate, γ- Examples include esters such as butyrolactone and methyl 2-hydroxypropanoate; cellosolves such as butyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. Among these, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, γ-butyrolactone, and propylene glycol monomethyl ether acetate are more preferably used. One or more of these can be used. Among these solvents, considering that this solvent is used as it is as a solvent for varnish and adhesive, it is highly volatile, can impart low temperature curability, and can smoothly and efficiently react in a uniform system. Most preferred is γ-butyrolactone.
In the condensation, the polyamideimide resin solution to be obtained is preferably prepared so that the solid content concentration is 1 to 40% by weight.
[0026]
In synthesizing the polyamideimide resin, the ratio of the diamine component to the aromatic tricarboxylic acid or derivative thereof is appropriately determined according to the necessity for adjusting the molecular weight of the polyamideimide resin, but usually the amino group with respect to the carboxyl group or derivative group thereof. The molar ratio of the groups is preferably selected to be 0.7 to 1.5, and in order to obtain a high molecular weight resin, this ratio is preferably set to around 1.0. If it is less than 0.7 and exceeds 1.5, the film formability tends to decrease.
The reaction temperature is preferably 80 to 210 ° C, more preferably 100 to 190 ° C, and particularly preferably 120 to 180 ° C.
If the reaction temperature is less than 80 ° C., the reaction time becomes longer, and if it exceeds 210 ° C., a three-dimensional reaction may occur during the reaction and gelation may occur.
If necessary, the reaction may be performed in the presence of a catalyst such as a tertiary amine, an alkali metal, an alkaline earth metal, a metal such as tin, zinc, titanium, cobalt, or a metalloid compound.
[0027]
Next, the resin composition of the present invention will be described. This resin composition contains (A) component which consists of the said polyamideimide resin, and (B) component which consists of an epoxy resin.
The structure and molecular weight of the epoxy resin used in the present invention are not particularly limited. However, (1) a resin composition containing a polyamideimide resin and an epoxy resin is used in a low-viscosity varnish state, (2) a crosslinked structure is formed between the polyamideimide resin and the epoxy resin, 3) Considering three points that adhesion and effect are possible at low temperature and in a short time, the epoxy resin preferably has a low softening point, and has two or more glycidyl groups in one molecule. Those are preferred.
Specific examples of the epoxy resin include an epoxy resin represented by the following general formula (V),
[0028]
[Chemical 9]
Figure 0004174274
[0029]
(In the above formula, G represents a glycidyl group, Q represents a direct bond, methylene group, dimethylmethylene group, di (trifluoromethyl) methylene group, ether bond, carbonyl group, thioether bond or sulfonyl group, and n is 0. And a diglycidyl ether of a divalent phenol, a triglycidyl ether of a trivalent phenol, a phenol novolac type epoxy resin, and a cresol novolac type epoxy resin.
[0030]
The epoxy resin preferably has a viscosity at 25 ° C. of 20 Pa · sec or less from the viewpoint of enabling coating curing at a low temperature in a short time or adhesion at a low temperature in a short time and with a low load. What is below is more preferable and what is 5 Pa * sec or less is especially preferable. When using such a low-viscosity epoxy resin, for example, when used as an adhesive, a resin tape on which the resin composition is applied, and an adherend to be bonded, even when bonded with a low load, This ensures good wettability, improves adhesion and other reliability, and there is no possibility of destroying an adherend such as a chip.
In addition, when an epoxy resin is shown by the said general formula (V), in order to make the viscosity in 25 degreeC into 20 Pa.sec or less, x in the said general formula (V) is 0-2, More preferably The thing of 0-0.1 is used.
[0031]
The blending ratio of the component (A) and the component (B) in the resin composition of the present invention is preferably 80/20 to 20/80, more preferably 75/25 to 25/75, and more preferably 60/40 to 40 /. 60 is particularly preferred. When the component (A) is more than the above range, there is a possibility that good adhesion to a substrate surface having a concavo-convex structure may not be exhibited, and there is a risk of poor solvent resistance and moisture resistance. Moreover, when there are more (B) components than the said range, there exists a possibility of becoming heat resistant defect.
[0032]
In the resin composition of the present invention, an inorganic filler can be blended depending on the application. Specific examples of the inorganic filler include natural silica such as crystalline silica and non-crystalline silica, synthetic high-purity silica, synthetic spherical silica, talc, mica, silicon carbide, non-conductive particles such as alumina, and conductive materials such as silver powder. , And one or more of these may be used. For example, in the case of a die bond material for a semiconductor device, alumina or silver powder having high thermal conductivity is preferably used. The blending amount of the inorganic filler is not particularly limited and is appropriately selected depending on the use, but is usually 85% by mass or less (that is, 0 to 85% by mass) with respect to the entire composition, 5-80 mass% is more preferable.
The shape of the inorganic filler is not particularly limited, and is appropriately selected depending on the application, such as a spherical shape, a crushed material shape, and an amorphous shape.
[0033]
Since the epoxy resin can be cured by itself like a self-condensation type epoxy, the resin composition of the present invention does not necessarily require a curing agent, but an epoxy resin curing agent may be used. it can. Specific examples of the curing agent for epoxy resin resin include phenol resin, chain anhydrides, amines, and imidazoles.
[0034]
Examples of the phenol resin include novolak type phenol resins such as phenol novolak resin and cresol novolak resin; trishydroxyphenyl alkane type phenol resin such as trishydroxyphenylpropane type phenol resin and trishydroxyphenylmethane type resin; naphthalene type phenol resin; cyclopentadiene. Type phenol resin; phenol aralkyl resin and the like.
[0035]
Specific examples of the acid anhydrides include aliphatic acid anhydrides such as dodecenyl succinic anhydride, polyadipic acid anhydride, polyazeline acid anhydride, polysebacic acid anhydride; methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride , Cycloaliphatic anhydrides such as methylhymic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, methylcyclohexanedicarboxylic anhydride; phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyropyric anhydride Examples thereof include aromatic acid anhydrides such as merit acid, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, ethylene glycol bistrimellitic anhydride, and glycerol trimellitate anhydride.
[0036]
Examples of amines include aliphatic amines such as ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, propylenediamine, dipropylenetriamine, diethylaminopropylamine, hexamethylenediamine; menthanediamine, isophoronediamine, bis (4-amino- 3-methylcyclohexyl) methane, diaminodicyclohexylmethane, bis (aminomethyl) cyclohexane, N-aminoethylpiperazine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxaspiro (5 5) Alicyclic amines such as undecane; aromatic amines such as metaphenylenediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, and diaminodiethyl phenylmethane.
[0037]
Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethyl. Examples include imidazole and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole. As the curing agent, one or more of these can be used.
[0038]
When the curing agent is a phenol resin, acid anhydride or amine, the compounding amount of these curing agents is the epoxy group in the epoxy resin and the functional group (phenolic hydroxyl group, acid in each curing agent). (E.g., anhydride group and amino group), the epoxy group / curing agent functional group is preferably 0.5 to 1.5, more preferably 0.6 to 1.2. In addition, 1 mol of functional groups are equivalent to 2 equivalents per mol of epoxy group.
If the equivalent ratio of the epoxy group and the curing agent functional group is not within the above range, curing when the resin composition is cured may be insufficient, which may impair the heat resistance and moisture resistance of the cured product. The imidazoles can be used in combination as a curing accelerator for a curing agent composed of these phenol resins, acid anhydrides, and amines.
[0039]
The blending amount of imidazoles is preferably 0 to 5 parts by weight, more preferably 0.05 to 5 parts by weight, and still more preferably 0.1 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamideimide resin. . If the amount of imidazole is more than 5 parts by weight, the storage stability of the resin composition and the heat resistance of the cured product may be hindered.
[0040]
In addition to the inorganic fillers and curing agents described above, the resin composition of the present invention includes surfactants such as an antifoaming agent and a leveling agent as necessary for improving workability during coating and coating properties; dyes Coloring agents such as pigments; curing accelerators, heat stabilizers, antioxidants, flame retardants, lubricants, and the like can be added.
The resin composition of the present invention is preferably used as a solution, and as the solvent used in this solution, the solvents described as the solvent for the polyamideimide resin can be used. The solid content concentration in the resin composition solution is preferably 10 to 70% by weight, and more preferably 20 to 60% by weight.
[0041]
In blending the polyamideimide resin and the epoxy resin, the epoxy resin may be added directly to the polyamideimide resin solution. The epoxy resin is dissolved in the same solvent that dissolves the polyamideimide resin. This epoxy resin solution may be added.
[0042]
The resin composition of the present invention is suitably used as a coating material for electronic parts.
The resin composition of the present invention includes, for example, an overcoat agent for semiconductor elements and various electronic components, an interlayer insulating film, a surface protective film, a solder resist layer, a liquid sealant, a heat-resistant paint, an enameled wire in the field of hard or flexible substrates, etc. Especially suitable for use as a coating material, used as a varnish for sheet, varnish for MCL laminate, varnish for friction material, etc. It is done.
[0043]
Moreover, the resin composition of this invention is used suitably as adhesives for electronic components, such as the die-bonding material of a semiconductor device, the adhesive agent for various board | substrate lamination, for example.
This adhesive may be applied directly to the adherend surface of one adherend, and after removing the solvent from the coated surface, the other adherend may be stacked and bonded, but the adhesive is processed into a film. And preferably used. When processed into a film and used, the thickness of the adhesive is preferably 20 to 150 μm. If the thickness is less than 20 μm, sufficient smoothness may not be obtained on the uneven surface, and if it exceeds 150 μm, the dimensional accuracy may be affected.
[0044]
The method of processing the adhesive into a film is not particularly limited, but a method of applying the resin composition onto a suitable substrate using a coater or the like and removing the solvent can be employed. As the substrate, for example, a silicone resin excellent in releasability, a polyester film, a polyester film subjected to a release treatment, or the like is used. Solvent removal is performed, for example, by heating at a predetermined temperature and time using a hot air heater, an infrared heater, or the like. Further, if this is cut into a tape and wound up, a tape-shaped adhesive is obtained. Here, if necessary, the substrate may be removed to form a film or tape made of only an adhesive.
[0045]
In processing into a film, if the heating is not sufficient when removing the solvent, the solvent remains in the film and voids may be formed, which may cause peeling or cracking. On the other hand, if the heating is excessive, the reaction between the polyamide-imide resin and the epoxy resin proceeds, which may hinder the flexibility or adhesiveness of the film. In addition, when the heating is suddenly performed, that is, when the heating is performed at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent, there is a possibility that voids remain in the film or on the surface of the film or the film thickness becomes nonuniform. Therefore, when removing the solvent, it is desirable to raise the temperature stepwise from a temperature lower than the boiling point of the solvent.
[0046]
The adhesive for electronic components of the thermosetting resin composition of the present invention is used for electronic components, and exhibits its performance particularly in applications requiring heat resistance and adhesion, such as die bond materials for semiconductor devices.
The bonding method is not particularly limited, but can be extensively performed by thermocompression bonding under conditions of 150 to 250 ° C., 0.98 to 98 kPa (0.01 to 10 kgf / cm 2 ), and about 0.5 to 20 seconds. Substrate, such as aluminum, nickel, gold, silver, platinum, iron, copper, zinc, palladium, tin, etc. and their alloys and oxides, silicon and its oxides, silicon nitride, epoxy resin, phenol resin, Good adhesion to polyamide-imide resins and their compositions.
In addition, when an epoxy resin having a viscosity at 25 ° C. of 20 Pa · sec or less, particularly 10 Pa · sec or less is used, good adhesion is given even by pressure bonding with a low load of about 0.98 to 98 kPa.
[0047]
As a more specific bonding method, an adhesive film is sandwiched between the adherends and thermocompression bonded, or an adhesive film is temporarily bonded to one adherend, and then the other adherend is placed. A method such as main press-bonding the whole is taken. Here, in the latter two-stage bonding method, it is desirable that the temporary pressure bonding is performed at a relatively low temperature and the main pressure bonding is performed at a high temperature. As a result, the adhesive film adheres to the adherend to the extent that it is preliminarily bonded, and a strong bond is generated by the final bonding, and a polyamideimide resin and an epoxy resin react to form a cross-linked structure. An adhesive layer having excellent solvent properties can be obtained.
[0048]
In this case, since the adhesive for electronic components of the present invention includes the component (A) and the component (B) in a mixing ratio of 80/20 to 20/80 by mass ratio, the film is sufficiently softened during thermocompression bonding. Thus, wettability with the adherend surface is ensured. Therefore, it exhibits excellent adhesion not only to the adherend surface having a smooth surface but also to the adherend surface having an uneven structure. For this reason, it is suitably used for electronic components in which glass fibers such as glass / epoxy resin printed circuit boards are combined.
[0049]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
[0050]
[Example 1]
2,2'-methylenebis [4-methyl-6- (3,5-dimethyl-4-aminobenzyl) phenol was added to a 2 liter four-necked flask equipped with a stirrer, a condenser, a nitrogen inlet tube and a thermometer. 494 g (1.0 mol), 4,4′-diaminophenyl ether 80.1 g (0.40 mol), α, ω-bis (γ-aminopropyl) polydimethylsiloxane 336.0 g (0.40 mol) , 355.8 g (1.8 mol) of trimellitic anhydride and 981.3 g of γ-butyrolactone were charged, heated to 170 ° C., and reacted for 6 hours to obtain a resin having a weight average molecular weight of 30,000. . The obtained resin was diluted with γ-butyrolactone, 22.8 g of 2-butanone oxime was further added, and the mixture was heated at 90 ° C. for 3 hours to obtain a polyamideimide resin having a nonvolatile content of 40% by weight.
The infrared absorption spectrum (IR spectrum) of the obtained polyamideimide resin is shown in FIG. Moreover, Tg of the hardened | cured material which hardened this polyamidoimide resin at 180 degreeC for 3 hours and 250 degreeC for 2 hours was 168 degreeC.
[0051]
YDF-170 (trade name of bisphenol F type epoxy resin manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., epoxy equivalent of about 160 to 180, viscosity at 25 ° C .: 11.2 Pa with respect to 100 parts by weight of the resin content of the obtained polyamideimide resin solution -Sec) 50 parts by weight was added and diluted with γ-butyrolactone to obtain a resin composition having a nonvolatile content of 40% by weight.
[0052]
[Example 2]
The same flask as used in Example 1 was charged with 177.8 g (0.36 mol) of 2,2′-methylenebis {4-methyl-6- (3,5-dimethyl-4-aminobenzyl) phenol, 4,4 ′. -Diaminophenyl ether 200.2 g (1.0 mol), α, ω-bis (γ-aminopropyl) polydimethylsiloxane 336.0 g (0.40 mol), trimellitic anhydride 345.8 g (1.8 mol) ) And 981.3 g of γ-butyrolactone, heated to 170 ° C., and reacted for 6 hours to obtain a resin having a weight average molecular weight of 20,000. The obtained resin was diluted with γ-butyrolactone, 22.8 g of 2-butanone oxime was further added, and the mixture was heated at 90 ° C. for 3 hours to obtain a polyamideimide resin having a nonvolatile content of 40% by weight.
The IR spectrum of the obtained polyamideimide resin is shown in FIG. Moreover, Tg of the hardened | cured material which hardened this polyamide imide resin at 180 degreeC for 3 hours and 250 degreeC for 2 hours was 164 degreeC.
[0053]
50 parts by weight of YDF-170 was added in the same manner as in Example 1 to 100 parts by weight of the resin content of the obtained polyamideimide resin solution, and diluted with γ-butyrolactone to obtain a resin composition having a nonvolatile content of 40% by weight. .
[0054]
[Example 3]
In a flask similar to that used in Example 1, 711.4 g (1.44 mol) of 2,2′-methylenebis {4-methyl-6- (3,5-dimethyl-4-aminobenzyl) phenol, 4,4 ′ -Diaminophenyl ether 20.0 g (0.10 mol), α, ω-bis (γ-aminopropyl) polydimethylsiloxane 84.0 g (0.10 mol), trimellitic anhydride 345.8 g (1.8 mol) ) And 981.3 g of γ-butyrolactone, heated to 170 ° C., and reacted for 6 hours to obtain a resin having a weight average molecular weight of 30,000. The obtained resin was diluted with γ-butyrolactone, 22.8 g of 2-butanone oxime was further added, and the mixture was heated at 90 ° C. for 3 hours to obtain a polyamideimide resin having a nonvolatile content of 40% by weight.
The IR spectrum of the obtained polyamideimide resin is shown in FIG. Moreover, Tg of the cured product obtained by curing this polyamideimide resin at 180 ° C. for 3 hours and at 250 ° C. for 2 hours was 168 ° C.
[0055]
50 parts by weight of YDF-170 was added to 100 parts by weight of the resulting polyamideimide resin solution in the same manner as in Example 1 and diluted with γ-butyrolactone to obtain a resin composition having a nonvolatile content of 40% by weight. It was.
[0056]
[Example 4]
Instead of YDF-170 and 5 parts by weight, Epicoat 828 (trade name of bisphenol A type epoxy resin manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., epoxy equivalent of about 189, viscosity at 25 ° C .: 13.6 Pa · sec) 50 parts by weight Except that was used, the same operation as in Example 1 was performed to obtain a resin composition having a nonvolatile content of 40% by weight.
[0057]
[Comparative Example 1]
The γ-butyrolactone solution of polyamideimide resin obtained in Example 1 (nonvolatile content: 40% by weight) was used as the resin composition of Comparative Example 1.
[0058]
[Comparative Example 2] The same procedure as in Example 1 was carried out except that only 356.4 g (1.8 mol) of 4,4'-diaminodiphenylmethane was used as the diamine component in Example 1, and the polyamideimide resin was used. A solution was obtained, and a resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that this was used.
The Tg of the cured product obtained by curing this polyamideimide resin at 180 ° C. for 3 hours and 250 ° C. for 2 hours was 172 ° C.
[0059]
The physical properties of the polyamideimide resin solutions and polyamideimide resin compositions obtained in the above Examples and Comparative Examples were measured by the following methods.
(1) Varnish appearance: The appearance of the resin solution at 25 ° C. was visually observed.
○: No turbidity, Δ: Turbidity, X: Solidification (2) Adhesion (cross-cut test): Resin composition solution on aluminum plate A1050P (dimensions 1 mm × 50 mm × 150 mm) defined in JIS H-4000 Then, it was cured by heating at 190 ° C. for 60 minutes to form a coating film having a thickness of about 20 μm. The obtained coated plate was tested according to JIS D0202, and the number of occurrences of peeling / total number was examined.
(3) Solder crack resistance after moisture absorption: After applying the resin composition solution on an aluminum plate A1050P (dimensions 1 mm × 50 mm × 150 mm) defined in JIS H-4000, heat curing at 190 ° C. for 60 minutes, A coating film having a thickness of about 20 μm was formed. The obtained coated plate is left in an atmosphere of 121 ° C./100%/2 atmRH for 24 hours. This was immersed in a solder bath at 240 ° C. for 10 seconds, and the number of coated plates with cracks or voids / total number of coated plates was measured.
(4) Flexibility: After applying the resin composition solution on an aluminum plate A1050P (size 1 mm × 50 mm × 150 mm) defined in JIS H-4000, the resin composition solution is cured by heating at 190 ° C. for 60 minutes, and the film thickness is about 20 μm. The coating film was formed. The obtained coated plate was bent 180 ° at 1.0 R so that the coated surface was on the outside, and the presence or absence of cracks in the bent portion was evaluated.
(Circle): There is no crack, X: There is a crack (5) 5% weight reduction temperature: The resin solution composition solution was heat-hardened at 190 degreeC for 60 minutes, and the coating film was formed. Using the obtained coating film, 5% weight reduction temperature was measured by TG-DTA method.
(6) Solvent resistance: The resin composition solution was applied on an aluminum plate A1050P (dimensions 1 mm × 50 mm × 150 mm) defined in JIS H-4000 and then cured by heating at 190 ° C. for 60 minutes. A 20 μm coating film was formed. The obtained coated plate was immersed in methyl ethyl ketone for 5 minutes, and the number of plates / total number of plates in which the coated layer was dissolved in appearance was measured.
The test results are shown in Table 1.
[0060]
[Table 1]
Figure 0004174274
[0061]
Turbidity was seen in the resin solution of Comparative Example 2. In the coating film obtained from the resin composition of Comparative Example 1, peeling occurred in about 30%. In the solder crack resistance, cracks or voids were observed in the total number of coating films obtained from the resin composition of Comparative Example 2. Regarding the flexibility, cracks occurred in the coating films from the resin compositions of Comparative Example 1 and Comparative Example 2. In the solvent resistance test, dissolution was observed in the total number of coating films from the resin composition of Comparative Example 2. Further, in Comparative Example 2, it was found that the 5% weight reduction temperature of the resin was as low as 260 ° C. and the heat resistance was poor.
On the other hand, all of the resin compositions of the examples according to the present invention have excellent varnish appearance, no peeling is observed in the coating adhesion test, and no cracks or voids are generated in the solder crack resistance test. In addition, no cracks are observed in the flexibility test, and no dissolution of the film is observed in the solvent resistance test. Further, it can be seen that the 5% weight loss temperature is 350 ° C. or more, and the heat resistance is excellent.
[0062]
【The invention's effect】
The polyamide-imide resin of the present invention is a polyamide-imide resin that can be cured at low temperature, and is excellent in hygroscopicity, adhesion, flexibility, solvent resistance, and heat resistance.
In addition, the film forming material of the present invention can form a film having the above-described excellent characteristics, and is used as an interlayer insulating film and surface protective film in the field of semiconductor devices, overcoat materials for various electronic parts, rigid or flexible substrates, etc. , Solder resist layer, adhesive layer, etc., liquid encapsulant, heat-resistant paint, enameled wire varnish, impregnating varnish for electrical insulation, casting varnish, mica, glass cloth, varnish for sheet, MCL lamination It is suitably used for plate varnishes and friction material varnishes.
[Brief description of the drawings]
1 is an IR spectrum of the product obtained in Example 1. FIG.
2 is an IR spectrum of the product obtained in Example 2. FIG.
FIG. 3 is an IR spectrum of the product obtained in Example 3.

Claims (12)

下記一般式(I)
Figure 0004174274
[式中、Zは芳香族トリカルボン酸無水物残基である3価の芳香族基、Yは下記一般式(II)で表される芳香族ジアミン残基
Figure 0004174274
(式中、R、R及びRは、炭素数1〜9のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、COOR(Rは炭素数1〜6のアルキル基を示す)または水素であり、相互に異なっていても同一でもよく; 、R 炭素数1〜9のアルキル基または水素であり、相互に異なっていても同一でもよく;Xは−O−、−S−、−SO−、−C(CH−、−CH−、−C(CH)(C)−、または−C(CF−を示し;nは1以上の整数である。)を示す。]で表される繰り返し単位1種以上と、下記一般式(III)
Figure 0004174274
(式中、Zは芳香族トリカルボン酸無水物残基である3価の芳香族基、Yはシロキサンジアミン残基または非フェノール性芳香族ジアミン残基を示す。)で表される繰り返し単位1種以上とを主成分として含有するポリアミドイミド樹脂。
The following general formula (I)
Figure 0004174274
[Wherein, Z is a trivalent aromatic group which is an aromatic tricarboxylic acid anhydride residue, and Y 1 is an aromatic diamine residue represented by the following general formula (II)
Figure 0004174274
(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are each an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, COOR (R represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms) or hydrogen. R 4 and R 5 are each an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms or hydrogen, and may be different or the same; X is —O— or —S—. , -SO 2 -, - C ( CH 3) 2 -, - CH 2 -, - C (CH 3) (C 2 H 5) -, or -C (CF 3) 2 - shows a; n is 1 or more It is an integer. And one or more repeating units represented by the following general formula (III)
Figure 0004174274
(Wherein Z represents a trivalent aromatic group which is an aromatic tricarboxylic acid anhydride residue, and Y 2 represents a siloxane diamine residue or a non-phenolic aromatic diamine residue.) Polyamideimide resin containing at least seeds as a main component.
前記一般式(I)で表される繰り返し単位と、前記一般式(III)で表される繰り返し単位の比率が、モル比で10/90〜90/10である請求項1記載のポリアミドイミド樹脂。2. The polyamideimide resin according to claim 1, wherein the ratio of the repeating unit represented by the general formula (I) and the repeating unit represented by the general formula (III) is 10/90 to 90/10 in terms of a molar ratio. . 重量平均分子量が5,000〜150,000である請求項1または2記載のポリアミドイミド樹脂。The polyamide-imide resin according to claim 1 or 2, having a weight average molecular weight of 5,000 to 150,000. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のポリアミドイミド樹脂からなる(A)成分と、エポキシ樹脂からなる(B)成分とを含有してなる樹脂組成物。The resin composition formed by containing (A) component which consists of a polyamide-imide resin of any one of Claims 1-3 , and (B) component which consists of an epoxy resin. 前記(B)成分をなすエポキシ樹脂が1分子中に2個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂を少なくとも含有することを特徴とする請求項4記載の樹脂組成物。The resin composition according to claim 4, wherein the epoxy resin constituting the component (B) contains at least an epoxy resin having two or more glycidyl groups in one molecule. 前記(B)成分をなすエポキシ樹脂の25℃における粘度が20Pa・sec以下であることを特徴とする請求項4または5記載の樹脂組成物。6. The resin composition according to claim 4, wherein the epoxy resin constituting the component (B) has a viscosity at 25 ° C. of 20 Pa · sec or less. 前記(A)成分と前記(B)成分の質量比(A)/(B)が20/80〜80/20であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。The resin according to any one of claims 4 to 6, wherein the mass ratio (A) / (B) of the component (A) and the component (B) is 20/80 to 80/20. Composition. さらに(C)成分として無機充填材を含有する請求項4〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物。Furthermore, the resin composition of any one of Claims 4-7 which contains an inorganic filler as (C) component. さらに(D)成分として、硬化剤を含有する請求項4〜8のいずれか1項に記載の樹脂組成物。Furthermore, the resin composition of any one of Claims 4-8 containing a hardening | curing agent as (D) component. 溶剤として、非含窒素系極性溶媒を含有する請求項4〜9のいずれか1項に記載の樹脂組成物。The resin composition according to any one of claims 4 to 9, which contains a non-nitrogen-containing polar solvent as a solvent. 請求項4〜10のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含有する電子部品用被覆材料。The coating material for electronic components containing the resin composition of any one of Claims 4-10. 請求項4〜10のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含有する電子部品用接着剤。The adhesive for electronic components containing the resin composition of any one of Claims 4-10.
JP2002257934A 2002-09-03 2002-09-03 Polyamideimide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic parts, and adhesive for electronic parts Expired - Fee Related JP4174274B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002257934A JP4174274B2 (en) 2002-09-03 2002-09-03 Polyamideimide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic parts, and adhesive for electronic parts

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002257934A JP4174274B2 (en) 2002-09-03 2002-09-03 Polyamideimide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic parts, and adhesive for electronic parts

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004091734A JP2004091734A (en) 2004-03-25
JP2004091734A5 JP2004091734A5 (en) 2006-08-31
JP4174274B2 true JP4174274B2 (en) 2008-10-29

Family

ID=32062727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002257934A Expired - Fee Related JP4174274B2 (en) 2002-09-03 2002-09-03 Polyamideimide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic parts, and adhesive for electronic parts

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4174274B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10640614B2 (en) 2016-07-28 2020-05-05 3M Innovative Properties Company Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same
US10865330B2 (en) 2016-07-28 2020-12-15 3M Innovative Properties Company Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4084597B2 (en) * 2002-05-07 2008-04-30 群栄化学工業株式会社 Amino group-containing phenol derivatives
JP4609645B2 (en) * 2005-03-07 2011-01-12 信越化学工業株式会社 Primer composition for bonding epoxy resin molding material for semiconductor sealing and semiconductor device
JP4704082B2 (en) * 2005-03-22 2011-06-15 住友電工プリントサーキット株式会社 Adhesive composition and flexible printed wiring board using the same
WO2007046405A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Thermosetting resin composition and use thereof
JP2007211182A (en) * 2006-02-10 2007-08-23 Kyocera Chemical Corp Resin composition, pre-preg, laminated board and metal-plated lamianted board and printed wiring board
US8956732B2 (en) 2006-10-04 2015-02-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polyamideimide resin, adhesive agent, material for flexible substrate, flexible laminate, and flexible print wiring board
JP2008227398A (en) * 2007-03-15 2008-09-25 Sanken Electric Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP5470704B2 (en) * 2007-04-11 2014-04-16 日立化成株式会社 Polyamide resin and resin composition
CN102083886A (en) 2007-09-20 2011-06-01 日本化药株式会社 Primer resin for semiconductor device, and semiconductor device
JP5245526B2 (en) * 2008-05-09 2013-07-24 日立化成株式会社 Insulating resin composition and insulating film with support
JP2010037489A (en) * 2008-08-07 2010-02-18 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive film, and metal foil with resin
JP5509460B2 (en) * 2008-09-22 2014-06-04 住鉱潤滑剤株式会社 Coating composition for forming a high-hardness film excellent in scratch resistance
JP6467784B2 (en) * 2014-05-07 2019-02-13 凸版印刷株式会社 Transfer film and decorative molded products
CN116200035A (en) * 2022-12-27 2023-06-02 镇江东艺机械有限公司 PAI composite material for valve body sealing and preparation method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10640614B2 (en) 2016-07-28 2020-05-05 3M Innovative Properties Company Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same
US10865330B2 (en) 2016-07-28 2020-12-15 3M Innovative Properties Company Segmented silicone polyamide block copolymers and articles containing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004091734A (en) 2004-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6645632B2 (en) Film-type adhesive for electronic components, and electronic components bonded therewith
JP4174274B2 (en) Polyamideimide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic parts, and adhesive for electronic parts
JP4174248B2 (en) Polyimide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic component, and adhesive for electronic component
JP4748292B2 (en) Film adhesive for electronic parts and electronic parts
JP4771100B2 (en) Solvent-free polyimide silicone resin composition and cured product thereof
JP5562574B2 (en) Thermally conductive adhesive
JP3539633B2 (en) Alkoxy-containing silane-modified polyamic acid resin composition and polyimide-silica hybrid cured product
JP5533354B2 (en) Shield film and shield wiring board
TWI391459B (en) Adhesive composition and semiconductor device for epoxy resin molding materials for sealing semiconductor
JP2006213872A (en) Adhesive composition for semiconductor device and adhesive sheet for semiconductor device
JP2002212262A (en) Resin composition for electric insulation, insulating material and manufacturing method thereof
TW201336951A (en) Thermal conductive adhesive composition, and adhesive sheet and thermal conductive dicing and die attach film using the same
JP4022851B2 (en) Manufacturing method of polyimide film with metal and polyimide film with metal obtained by the manufacturing method
JP2002129126A (en) Adhesive composition and adhesive sheet for semiconductor device
WO2015107990A1 (en) Adhesive composition and adhesive film having same, substrate provided with adhesive composition, and semiconductor device and method for manufacturing same
TWI647797B (en) Sealing material with semiconductor sealing substrate, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device
JP4095381B2 (en) Aromatic polyamide resin, resin composition containing the same, coating material for electronic component, and adhesive for electronic component
JP2002275445A (en) Adhesive for printed circuit
JP3978656B2 (en) Metal foil laminate and double-sided metal foil laminate
JP2007194405A (en) Epoxy resin composition for heat conduction
WO1998010009A1 (en) Process for preparing polyimide-containing polyhydric phenol resin, epoxy resin composition comprising the same, and cured product thereof
JP4691401B2 (en) Adhesive composition for semiconductor device and adhesive sheet for semiconductor device
JP2000086742A (en) Epoxy resin composition and electroconductive paste
JP2004059697A (en) Resin composition for coating and circuit board of metal foil laminate
JP2001119129A (en) Cover lay film

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060719

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070709

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070717

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080205

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080324

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080729

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080818

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees