JP4153884B2 - 試験装置及び試験方法 - Google Patents
試験装置及び試験方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4153884B2 JP4153884B2 JP2004069545A JP2004069545A JP4153884B2 JP 4153884 B2 JP4153884 B2 JP 4153884B2 JP 2004069545 A JP2004069545 A JP 2004069545A JP 2004069545 A JP2004069545 A JP 2004069545A JP 4153884 B2 JP4153884 B2 JP 4153884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- memory
- test
- data
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
102 タイミング発生器
104 パターン発生器
106 波形整形器
108 論理比較器
110 不良解析メモリ
112 不良救済解析器
120 被試験メモリ
202 AFMアドレスフォーマッタ
204 AFM制御部
206 AFM
208 CMM
302 MUX
304 セレクタ
402 論理積回路
404 論理和回路
406 DFF
408 MUX
Claims (10)
- 被試験メモリを試験する試験装置であって、
前記被試験メモリに供給するアドレス信号及びデータ信号、並びに前記被試験メモリが前記アドレス信号及び前記データ信号に応じて出力すべき期待値信号を発生するパターン発生器と、
前記被試験メモリが前記アドレス信号及び前記データ信号に応じて出力した出力信号と前記期待値信号とを比較して、前記出力信号と前記期待値信号とが一致する場合にパスデータを発生し、前記出力信号と前記期待値信号とが一致しない場合にフェイルデータを発生する論理比較器と、
前記アドレス信号が示すアドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目であるか否かを示す情報を出力するクリアマーク出力部と、
前記アドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目であることを示す情報を前記クリアマーク出力部が出力する場合には、前記パスデータ及び前記フェイルデータを上書き動作により前記アドレスに格納し、前記アドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目でないことを示す情報を前記クリアマーク出力部が出力する場合には、前記フェイルデータのみを重ね書きするリードモディファイライト動作により前記アドレスに格納するアドレスフェイルメモリと
を備え、
前記クリアマーク出力部は、
前記アドレスフェイルメモリのアドレス幅より小さいアドレス幅をもち、前記アドレスフェイルメモリのアドレス幅のビット数の容量をもち、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報を、前記アドレス毎に保持するクリアマークメモリ
を有する試験装置。 - 前記クリアマークメモリは、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目である場合には、前記アドレスに対応づけて論理値0のデータを保持し、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目でない場合には、前記アドレスに対応づけて論理値1のデータを保持し、
当該試験装置は、
前記アドレスフェイルメモリに前記アドレス信号が供給されることによって前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスから読み出されたデータと、前記クリアマークメモリに前記アドレス信号が供給されることによって読み出された、前記アドレスに対応づけて前記クリアマークメモリに保持されているデータとの論理積演算を行い、演算結果を出力する論理積回路と、
前記論理比較器が発生した論理値0の前記パスデータまたは論理値1の前記フェイルデータと、前記論理積回路の演算結果との論理和の演算結果を出力する論理和回路と
をさらに備え、
前記アドレスフェイルメモリは、前記アドレスに、前記論理和回路の演算結果を格納する
請求項1に記載の試験装置。 - 前記アドレスフェイルメモリに格納された前記パスデータ及び前記フェイルデータに基づいて、前記被試験メモリの不良救済解析を行う不良救済解析器
をさらに備え、
前記クリアマークメモリは、前記不良救済解析器による不良救済解析に並行してクリアされ、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であることを示す情報を保持する
請求項1または請求項2に記載の試験装置。 - 前記クリアマークメモリは、データクリアに要する時間が前記アドレスフェイルメモリより短い
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の試験装置。 - 前記クリアマークメモリは、前記アドレス信号のうちの上位ビットが示すアドレスに保持している複数ビットの1ワードデータを読み出し、
前記クリアマーク出力部は、
前記アドレス信号のうちの前記上位ビット以外の下位ビットに基づいて、前記クリアマークメモリが読み出した前記複数ビットのうちの1ビットを選択し、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報として出力するセレクタ
をさらに有する請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の試験装置。 - 被試験メモリを試験する試験方法であって、
前記被試験メモリにアドレス信号及びデータ信号を供給する段階と、
前記被試験メモリが前記アドレス信号及び前記データ信号に応じて出力した出力信号を、前記被試験メモリが前記アドレス信号及び前記データ信号に応じて出力すべき期待値信号と比較し、前記出力信号と前記期待値信号とが一致する場合にパスデータを発生し、前記出力信号と前記期待値信号とが一致しない場合にフェイルデータを発生する段階と、
アドレスフェイルメモリのアドレス幅より小さいアドレス幅をもち、前記アドレスフェイルメモリのアドレス幅のビット数の容量をもち、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報を、前記アドレス毎に保持するクリアマークメモリから、前記アドレス信号が示すアドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目であるか否かを示す情報を出力する段階と、
前記アドレス信号が示すアドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目である場合には、前記パスデータ及び前記フェイルデータを上書き動作により前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスに格納し、前記アドレスについての前記被試験メモリに対する試験が1回目でない場合には、前記フェイルデータのみを重ね書きするリードモディファイライト動作により前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスに格納する段階と
を備え試験方法。 - 前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報を、前記アドレス毎にクリアマークメモリに保持する段階
をさらに備える請求項6に記載の試験方法。 - 前記クリアマークメモリに保持する段階は、
前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目である場合には、前記アドレスに対応づけて論理値0のデータを前記クリアマークメモリに保持し、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目でない場合には、前記アドレスに対応づけて論理値1のデータを前記クリアマークメモリに保持する段階
を有し、
前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスに格納する段階は、
前記アドレスフェイルメモリに前記アドレス信号が供給されることによって前記アドレスフェイルメモリの前記アドレスから読み出されたデータと、前記クリアマークメモリに前記アドレス信号が供給されることによって読み出された、前記アドレスに対応づけて前記クリアマークメモリに保持されているデータとの論理積演算を行い、演算結果を出力する論理積段階と、
論理値0の前記パスデータまたは論理値1の前記フェイルデータと、前記論理積段階の演算結果との論理和の演算結果を出力する論理和段階と、
前記アドレスに、前記論理和段階の演算結果を前記アドレスフェイルメモリに格納する段階と
を有する請求項7に記載の試験方法。 - 前記アドレスフェイルメモリに格納された前記パスデータ及び前記フェイルデータに基づいて、前記被試験メモリの不良救済解析を行う不良救済解析段階と、
前記不良救済解析段階の不良救済解析に並行して前記クリアマークメモリをクリアし、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であることを示す情報を保持する段階と
をさらに備える請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の試験方法。 - 前記アドレス信号のうちの上位ビットが示すアドレスに前記クリアマークメモリが保持している複数ビットの1ワードデータを読み出す段階と、
前記アドレス信号のうちの前記上位ビット以外の下位ビットに基づいて、前記クリアマークメモリから読み出した前記複数ビットのうちの1ビットを選択し、前記被試験メモリの前記アドレスについての試験が1回目であるか否かを示す情報として出力する段階と
をさらに備える請求項6乃至請求項9のいずれかに記載の試験方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004069545A JP4153884B2 (ja) | 2004-03-11 | 2004-03-11 | 試験装置及び試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004069545A JP4153884B2 (ja) | 2004-03-11 | 2004-03-11 | 試験装置及び試験方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005259265A JP2005259265A (ja) | 2005-09-22 |
JP4153884B2 true JP4153884B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=35084824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004069545A Expired - Fee Related JP4153884B2 (ja) | 2004-03-11 | 2004-03-11 | 試験装置及び試験方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4153884B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4939427B2 (ja) | 2007-03-23 | 2012-05-23 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置及び電子デバイス |
KR101096138B1 (ko) | 2007-10-09 | 2011-12-20 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | 시험 장치 및 시험 방법 |
CN114255155B (zh) * | 2022-02-24 | 2022-07-26 | 荣耀终端有限公司 | 一种图形处理器测试方法和电子设备 |
-
2004
- 2004-03-11 JP JP2004069545A patent/JP4153884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005259265A (ja) | 2005-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8201037B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit | |
US7657801B2 (en) | Test apparatus, program, and test method | |
JPH0434109B2 (ja) | ||
JPWO2008001543A1 (ja) | 半導体試験装置および半導体メモリの試験方法 | |
JP4402093B2 (ja) | 半導体試験装置および半導体メモリの試験方法 | |
JP3871384B2 (ja) | 半導体メモリ試験装置用不良解析メモリ | |
US20130051158A1 (en) | Integrated circuit, testing apparatus for integrated circuit, and method of testing integrated circuit | |
JP4098264B2 (ja) | 試験装置及び試験方法 | |
KR100486310B1 (ko) | 메모리 시험장치 및 메모리 시험방법 | |
JP4130811B2 (ja) | 試験装置及び試験方法 | |
KR19980032494A (ko) | 메모리 시험장치 | |
JP4153884B2 (ja) | 試験装置及び試験方法 | |
JP4981918B2 (ja) | 試験装置及び試験方法 | |
JP2008082976A (ja) | Fbm生成装置、fbm生成方法 | |
US7730371B2 (en) | Testing device, testing method, computer program product, and recording medium | |
JP4119417B2 (ja) | 試験装置及び試験方法 | |
JP4956597B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
JP2007257684A (ja) | メモリ試験装置 | |
JP2003297100A (ja) | 半導体装置 | |
JP4679428B2 (ja) | 試験装置および試験方法 | |
JP2002050193A (ja) | メモリ試験方法・メモリ試験装置 | |
JP2003004810A (ja) | 半導体デバイス試験装置 | |
JP2006079678A (ja) | メモリテスト回路およびメモリテスト方法 | |
JP4423407B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
JP2002062340A (ja) | 半導体試験装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080422 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |