[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4036209B2 - Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4036209B2
JP4036209B2 JP2004126931A JP2004126931A JP4036209B2 JP 4036209 B2 JP4036209 B2 JP 4036209B2 JP 2004126931 A JP2004126931 A JP 2004126931A JP 2004126931 A JP2004126931 A JP 2004126931A JP 4036209 B2 JP4036209 B2 JP 4036209B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
period
voltage
line
turned
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004126931A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005309150A (en
Inventor
徳郎 小澤
利幸 河西
栄二 神田
陵一 野澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004126931A priority Critical patent/JP4036209B2/en
Priority to US11/092,580 priority patent/US7649515B2/en
Publication of JP2005309150A publication Critical patent/JP2005309150A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4036209B2 publication Critical patent/JP4036209B2/en
Priority to US12/630,873 priority patent/US8698714B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404Matrix technologies
    • G09G2300/0417Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0242Compensation of deficiencies in the appearance of colours
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/04Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043Preventing or counteracting the effects of ageing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、有機発光ダイオード素子のような電流駆動型素子を駆動する電子回路、電子
回路の駆動方法、電気光学装置および電子機器に関する。
The present invention relates to an electronic circuit for driving a current-driven element such as an organic light-emitting diode element, a driving method for the electronic circuit, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

近年、液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス
素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード(Organic Light Emitting D
iode、以下適宜「OLED素子」と略称する)素子が注目されている。このOLED素子
は、自発光型であるために視野角依存性が少なく、また、バックライトや反射光が不要で
あるために低消費電力化や薄型化に向いているなど、表示パネルとして優れた特性を有し
ている。
ここで、OLED素子は、液晶素子のように電圧保持性を有さず、電流が途絶えると、
発光状態が維持できなくなる電流型の被駆動素子である。このため、OLED素子をアク
ティブ・マトリクス方式で駆動する場合、書込期間(選択期間)において、画素の階調に
応じた電圧を駆動トランジスタのゲートに書き込んで、当該電圧をゲート容量などにより
保持し、当該ゲート電圧に応じた電流を駆動トランジスタがOLED素子に流し続ける構
成が一般的となっている。
In recent years, organic light-emitting diodes (Organic Light Emitting D), called organic electroluminescence elements and light-emitting polymer elements, are the next-generation light-emitting devices that can replace liquid crystal elements.
Iode (hereinafter abbreviated as “OLED element” where appropriate) is drawing attention. Since this OLED element is a self-luminous type, it has less viewing angle dependence, and since it does not require a backlight or reflected light, it is suitable for low power consumption and thinning. It has characteristics.
Here, the OLED element does not have voltage holding property like the liquid crystal element, and when the current is interrupted,
This is a current-type driven element that cannot maintain the light emission state. Therefore, when an OLED element is driven by an active matrix method, a voltage corresponding to the gradation of the pixel is written to the gate of the driving transistor in the writing period (selection period), and the voltage is held by a gate capacitance or the like. In general, the driving transistor keeps a current corresponding to the gate voltage flowing through the OLED element.

ところで、この構成では、駆動トランジスタのしきい値電圧特性がばらつくことによっ
て、画素毎に、OLED素子の明るさが相違して表示品位が低下する、という問題が指摘
されている。このため、近年では、書込期間において、当該駆動トランジスタをダイオー
ド接続させるとともに、駆動トランジスタからデータ線に定電流を流し、これによって、
当該駆動トランジスタのゲートに、OLED素子に流すべき電流に応じた電圧を書き込む
ようにプログラミングして、駆動トランジスタのしきい値電圧特性のばらつきを補償する
技術が提案されている(例えば、特許文献1および2参照)。
米国特許第6229506号公報(FIG.2参照) 特開2003−177709号公報(図3参照)
By the way, in this configuration, there is a problem that the display voltage is deteriorated because the brightness of the OLED element is different for each pixel due to the variation of the threshold voltage characteristics of the driving transistor. For this reason, in recent years, during the writing period, the drive transistor is diode-connected, and a constant current is passed from the drive transistor to the data line.
There has been proposed a technique that compensates for variations in threshold voltage characteristics of a drive transistor by programming the gate of the drive transistor so as to write a voltage corresponding to the current to be passed through the OLED element (for example, Patent Document 1). And 2).
US Pat. No. 6,229,506 (see FIG. 2) Japanese Patent Laying-Open No. 2003-177709 (see FIG. 3)

しかしながら、この技術では、例えば駆動トランジスタがnチャネル型である場合に、
OLED素子に流すべき電流が小さくなるように設定するとき、書込期間では、当該駆動
トランジスタのゲート電圧が低く、当該駆動トランジスタのソース・ドレイン間の電流が
流れにくい状態となるので、書込期間内に、当該駆動トランジスタのゲートに目的とする
電圧を書き込むことができない、といった問題が新たに指摘された。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、駆動トラ
ンジスタのゲートに、被駆動素子に流すべき電流に応じた電圧を迅速に書き込むことが可
能な電子回路、その駆動方法、当該電子回路を用いた電気光学装置、および、電子機器を
提供することにある。
However, in this technique, for example, when the driving transistor is an n-channel type,
When the current to be passed through the OLED element is set to be small, the gate voltage of the driving transistor is low in the writing period, and the current between the source and drain of the driving transistor is difficult to flow. In addition, a problem was pointed out that the target voltage could not be written to the gate of the drive transistor.
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is an electronic circuit capable of quickly writing a voltage corresponding to a current to be supplied to a driven element to a gate of a driving transistor, An object is to provide a driving method thereof, an electro-optical device using the electronic circuit, and an electronic apparatus.

上記目的を達成するために本発明に係る電子回路の駆動方法は、電源線および接地線の間で被駆動素子に流れる電流をゲート電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間をオンまたはオフする第1のスイッチング素子と、一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子と、一端が前記電源線に接続され、他端が前記容量素子の他端に接続された第2のスイッチング素子とを備える電子回路の駆動方法であって、前記電源線および前記接地線の間の電圧を初期電圧として、前記第1および第2のスイッチング素子をオンさせた後、前記第1および第2のスイッチング素子をオフさせる第1のステップと、前記電源線および前記接地線の間の電圧をゼロとするとともに、前記容量素子の他端に対し、前記被駆動素子に流すべき電流に応じた電圧を印加する第2のステップと、前記電源線および前記接地線の間の電圧を所定の電源電圧として、保持されたゲート電圧にしたがった電流を、前記駆動トランジスタが前記被駆動素子に流す第3のステップとを備えることを特徴とする。この方法によれば、第1のステップにおける第1のスイッチング素子のオンオフによって、容量素子の一端および駆動トランジスタのゲート(ノードA)には、当該駆動トランジスタのしきい値に応じた電圧が保持される。次に、第2のステップにおいて、容量素子の他端は、被駆動素子に流すべき電流に応じた電圧の印加によって初期電圧から変化し、この電圧変化に応じた分だけ、ノードAの電圧も変化して保持される。第3のステップにおいては、変化後におけるノードAの電圧に応じた電流が被駆動素子に流れるが、このとき流れる電流は、駆動トランジスタのしきい値特性がキャンセルされている。また、第1のステップにおける容量素子の保持は、被駆動素子に電流を強制的に流すことによって行われるので、時間を要しない。さらに、第2のステップでは、被駆動素子に流すべき電流に応じた電圧を容量素子の他端に印加するのであって、駆動トランジスタのゲートに直接印加しないので、当該電圧の書き込みに要する時間を短縮化することができる。 In order to achieve the above object, a driving method of an electronic circuit according to the present invention includes a driving transistor that controls a current flowing through a driven element between a power line and a ground line according to a gate voltage, and a gate of the driving transistor. A first switching element that turns on or off between the drain, a capacitive element having one end connected to the gate of the driving transistor , one end connected to the power supply line, and the other end connected to the other end of the capacitive element; A method of driving an electronic circuit comprising a connected second switching element , wherein the first and second switching elements are turned on using a voltage between the power supply line and the ground line as an initial voltage. the a first step of the first and second off the switching element, a voltage with a zero between the power supply line and the ground line, the capacitor element To the other end, a second step of applying the voltage according to the current to be supplied to the driven element, as the voltage a predetermined power supply voltage between the power supply line and the ground line, the holding gate voltage Therefore, the driving transistor includes a third step for causing the driving transistor to flow through the driven element. According to this method, the voltage corresponding to the threshold value of the driving transistor is held at one end of the capacitive element and the gate (node A) of the driving transistor by turning on and off the first switching element in the first step. The Next, in the second step, the other end of the capacitive element is changed from the initial voltage by application of a voltage corresponding to the current to be supplied to the driven element, and the voltage of the node A is also increased by the amount corresponding to this voltage change. Change and hold. In the third step, a current corresponding to the voltage of the node A after the change flows to the driven element, and the threshold current characteristic of the driving transistor is canceled for the current flowing at this time. In addition, since the holding of the capacitor element in the first step is performed by forcing a current to flow through the driven element, no time is required. Furthermore, in the second step, a voltage corresponding to the current to be passed through the driven element is applied to the other end of the capacitive element, and is not applied directly to the gate of the driving transistor. It can be shortened.

この駆動方法では、前記第1のステップにおいて、前記第1および第2のスイッチング素子をオンさせ前記被駆動素子に電流を流した後前記第1および第2のスイッチング素子をオフさせて、前記駆動トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧を、前記容量素子の一端および前記駆動トランジスタのゲートに保持させても良い。この方法において、第1のスイッチング素子をオンさせたときに、被駆動素子に比較的小さい電流を流すことにより、ノードAに、駆動トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧を保持させることができる第1のステップは、被駆動素子に流すべき電流に応じた電圧を容量素子の他端に印加する第2のステップの前に、第2のステップとは独立して、第2のステップ以上の時間で実行することが可能である。 In this driving method, in the first step, after flowing the current to the first and second of said driven element to the switching element is turned on, turns off the first and second switching elements, A voltage corresponding to the threshold voltage of the driving transistor may be held at one end of the capacitive element and the gate of the driving transistor. In this method, when the first switching element is turned on, a voltage corresponding to the threshold voltage of the driving transistor can be held at the node A by flowing a relatively small current through the driven element. . In the first step, before the second step of applying a voltage corresponding to the current to be supplied to the driven element to the other end of the capacitor, the second step is equal to or higher than the second step. It is possible to run in time.

上記目的を達成するために本発明に係る電子回路は、電源線および接地線の間で被駆動素子に流れる電流をゲート電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間にて第1の期間においてオンし、前記第1の期間後の第2の期間の開始タイミングまでにオフする第1のスイッチング素子と、一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子と、前記第1の期間においてオンして、前記電源線に前記容量素子の他端を接続する一方、前記第2の期間、および、この第2の期間後の第3の期間においてオフする第2のスイッチング素子と、前記被駆動素子に流すべき電流に応じた電圧が印加される信号線と前記容量素子の他端との間にて、前記第2の期間においてオンし、前記第3の期間においてオフする第3のスイッチング素子とを備え、前記電源線および前記接地線の電圧は、前記第1の期間では初期電圧であり、前記第2の期間ではゼロであり、前記第3の期間では所定の電源電圧であることを特徴とする。この電子回路によれば、駆動トランジスタのしきい値特性に依存させないで被駆動素子に電流を流すことができるとともに、当該電流に応じた電圧の書き込みに要する時間を短縮化することができる。 To achieve the above object, an electronic circuit according to the present invention includes a drive transistor that controls a current flowing through a driven element between a power supply line and a ground line according to a gate voltage, and a gate and a drain of the drive transistor. A first switching element that is turned on in the first period and turned off by the start timing of the second period after the first period; a capacitor element having one end connected to the gate of the driving transistor; The second period is turned on in the first period and the other end of the capacitor element is connected to the power line, while the second period is turned off in the third period after the second period. Between the switching element, a signal line to which a voltage corresponding to a current to be passed through the driven element is applied, and the other end of the capacitor element, and is turned on in the second period, In There a third switching element off, the voltage of the power supply line and the ground line, in the first period is the initial voltage, said second time period is zero, in the third period It is a predetermined power supply voltage . According to this electronic circuit, a current can be passed through the driven element without depending on the threshold characteristics of the driving transistor, and the time required for writing a voltage corresponding to the current can be shortened.

この電子回路において、記第1および第2のスイッチング素子は、同一導電型のトランジスタであって、それらのゲートが共通の制御線に接続され構成が好ましい電子回路への配線数を削減することができる。 In this electronic circuit, before Symbol first and second switching elements is a same conductivity type transistors, configured to their gates Ru is connected to a common control line is preferred. The number of wiring to the electronic circuit can be reduced.

お、上記電子回路において、前記被駆動素子は電気光学素子であることが好ましく、特に、有機発光ダイオード素子であることが望ましい。 Na us, in the electronic circuit, it is preferable that the driven element is an electro-optical element, in particular, it is desirable that the organic light emitting diode device.

上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、順次選択されると走査線と、電気光学素子に流すべき電流に応じた電圧が印加されるデータ線との交差に対応して画素回路を有する電気光学装置であって、前記画素回路は、前記走査線毎に設けられた電源線と、接地線との間で前記電気光学素子に流れる電流をゲート電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間にて、前記走査線が選択されるよりも前の第1の期間においてオンし、前記第1の期間後の、前記走査線が選択される第2の期間の開始タイミングまでにオフする第1のスイッチング素子と、一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子と、前記第1の期間においてオンして、前記電源線に前記容量素子の他端を接続する一方、前記第2の期間、および、この第2の期間後であって再び前記第1の期間に移行するまでの第3の期間においてオフする第2のスイッチング素子と、前記データ線と前記容量素子の他端との間にて、前記第2の期間においてオンし、前記第3の期間においてオフする第3のスイッチング素子とを備え、前記電源線および前記接地線の電圧は、前記第1の期間では初期電圧であり、前記第2の期間ではゼロであり、前記第3の期間では所定の電源電圧であることを特徴とする。この電気光学装置によれば、駆動トランジスタのしきい値特性に依存しない電流を電気光学素子に流すことができるとともに、当該電流に応じた電圧の書き込みに要する時間を短縮化することができる。また、本発明に係る電子機器としては、この電気光学装置を有することが望ましい。 In order to achieve the above object, the electro-optical device according to the present invention includes a pixel corresponding to an intersection of a scanning line and a data line to which a voltage corresponding to a current to be passed through the electro-optical element is applied when sequentially selected. An electro-optical device having a circuit, wherein the pixel circuit controls a current flowing in the electro-optical element between a power supply line provided for each scanning line and a ground line in accordance with a gate voltage. And the gate and drain of the driving transistor are turned on in a first period before the scanning line is selected , and after the first period, the scanning line is selected . A first switching element that is turned off by the start timing of the period 2, a capacitive element having one end connected to the gate of the driving transistor, and turned on in the first period to connect the capacitive element to the power supply line other While connecting, the second period, and, a second switching element is turned off in the third period until the shift to the second again even after the period of the first period, the data line And the other end of the capacitor element, and a third switching element that is turned on in the second period and turned off in the third period, and the voltage of the power line and the ground line is The initial voltage is in the first period, zero in the second period, and a predetermined power supply voltage in the third period . According to this electro-optical device, a current that does not depend on the threshold characteristics of the driving transistor can flow through the electro-optical element, and the time required to write a voltage corresponding to the current can be shortened. In addition, it is desirable that the electronic apparatus according to the present invention includes this electro-optical device.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。ま
た、図2は、同電気光学装置の画素回路の構成を示す図である。
まず、図1に示されるように、電気光学装置10では、複数本の走査線102が横方向
(X方向)に延接される一方、複数本のデータ線(信号線)112が図において縦方向(
Y方向)に延設されている。そして、これらの走査線102とデータ線112との交差の
各々に対応するように画素回路(電子回路)200がそれぞれ設けられている。
ここで説明の便宜上、本実施形態では、走査線102の本数(行数)を「360」とし
、データ線の本数(列数)を「480」として、画素回路200が、縦360行×横48
0列のマトリクス状に配列する構成を想定する。ただし、本発明をこの配列に限定する趣
旨ではない。
なお、画素回路200には、後述するOLED素子が含まれ、このOLED素子への電
流を画素回路200毎に制御することによって、所定の画像が階調表示される。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a pixel circuit of the electro-optical device.
First, as shown in FIG. 1, in the electro-optical device 10, a plurality of scanning lines 102 are extended in the horizontal direction (X direction), while a plurality of data lines (signal lines) 112 are vertically arranged in the drawing. direction(
(Y direction). A pixel circuit (electronic circuit) 200 is provided so as to correspond to each intersection of the scanning line 102 and the data line 112.
Here, for convenience of explanation, in the present embodiment, the number of scanning lines 102 (number of rows) is “360”, the number of data lines (number of columns) is “480”, and the pixel circuit 200 is 360 rows × horizontal. 48
Assume a configuration in which they are arranged in a matrix of 0 columns. However, the present invention is not intended to be limited to this arrangement.
Note that the pixel circuit 200 includes an OLED element to be described later, and a predetermined image is displayed in gradation by controlling the current to the OLED element for each pixel circuit 200.

また、図1においては、X方向に延設されるのは走査線102のみであるが、本実施形
態では、走査線102のほかにも、図2に示されるように、制御線104、106および
108がそれぞれ行毎にX方向に延設されている。このため、走査線102、制御線10
4、106および108が1組となって、1行分の画素回路200に兼用されている。
In FIG. 1, only the scanning line 102 is extended in the X direction. However, in the present embodiment, in addition to the scanning line 102, as shown in FIG. And 108 extend in the X direction for each row. Therefore, the scanning line 102 and the control line 10
4, 106 and 108 are used as a set and are also used for the pixel circuit 200 for one row.

Yドライバ14は、1水平走査期間毎に1行ずつ走査線102を選択するとともに、選
択した走査線102に対して、Hレベルの走査信号を供給するとともに、この選択に同期
した各種制御信号を、制御線104、106および108に、それぞれ供給するものであ
る。すなわち、Yドライバ14は、走査線102、制御線104、106および108に
対し、行毎に、走査信号や制御信号をそれぞれ供給するものである。
ここで、説明の便宜上、i行目(iは、1≦i≦360を満たす整数であり、行を一般
化して説明するためのもの)の走査線102に供給される走査信号をGWRT−iと表記
する。同様に、i行目の制御線104、106および108に供給される制御信号をGS
ET−i、GINI−iおよびGEL−iと、それぞれ表記する。
The Y driver 14 selects the scanning line 102 row by row for each horizontal scanning period, supplies an H level scanning signal to the selected scanning line 102, and outputs various control signals synchronized with the selection. , Are supplied to the control lines 104, 106 and 108, respectively. That is, the Y driver 14 supplies a scanning signal and a control signal to the scanning line 102 and the control lines 104, 106, and 108 for each row.
Here, for convenience of explanation, the scanning signal supplied to the scanning line 102 of the i-th row (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ 360 and used for generalizing the row) is represented by GWRT-i. Is written. Similarly, the control signal supplied to the control lines 104, 106 and 108 in the i-th row is changed to GS.
Denoted as ET-i, GINI-i, and GEL-i, respectively.

一方、Xドライバ16は、Yドライバ14によって選択された走査線102に対応する
1行分の画素回路、すなわち、選択された行に位置する1〜480列の画素回路200の
各々に、当該画素回路200のOLED素子に流すべき電流(すなわち、画素の階調)に
応じた電圧のデータ信号を、1〜480列目のデータ線112を介して、それぞれ供給す
るものである。ここで、データ信号は、電圧が高いほど、画素が明るくなるように指定し
、反対に、電圧が低いほど、画素が暗くなるように指定する。
なお、説明の便宜上、j列目(jは、1≦j≦480を満たす整数であり、列を一般化
して説明するためのもの)のデータ線112に供給されるデータ信号をX−jと表記する
On the other hand, the X driver 16 applies the pixel circuit for one row corresponding to the scanning line 102 selected by the Y driver 14, that is, to each of the pixel circuits 200 of 1 to 480 columns located in the selected row. A data signal having a voltage corresponding to a current (that is, pixel gradation) to be passed through the OLED element of the circuit 200 is supplied via the data lines 112 in the 1st to 480th columns. Here, the data signal specifies that the pixel is brighter as the voltage is higher, and conversely, the pixel is specified as darker as the voltage is lower.
For convenience of explanation, a data signal supplied to the data line 112 in the j-th column (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ 480 and generalizing the column) is represented by X−j. write.

すべての画素回路200には、OLED素子の電源となる高位側電圧VELが電源線1
14を介してそれぞれ供給される。また、すべての画素回路200は、本実施形態におい
て電圧基準の電位Gndに電源線118を介して共通接地されている。
なお、画素の最低階調である黒色を指定するデータ信号X−jの電圧はGndよりも高
く、画素の最高階調である白色を指定するデータ信号X−jの電圧はVELよりも低く設定
される。換言すれば、データ信号X−jの電圧範囲は、電源電圧の内に収まるように設定
されている。
一方、本実施形態において、画素回路200には、初期電圧VINIが給電線116を介
してそれぞれ供給される。ここで、初期電圧VINIとは、本実施形態では、データ信号X
−jがとりうる電圧範囲の最低値、すなわち、画素の最低階調を指定するデータ信号電圧
に略一致する。
制御回路12は、Yドライバ14およびXドライバ16に、それぞれクロック信号(図
示省略)などを供給して両ドライバを制御するとともに、Xドライバ16に、階調を画素
毎に規定する画像データを供給する。
In all the pixel circuits 200, a high voltage VEL serving as a power source of the OLED element is supplied with the power supply line 1
14, respectively. In addition, all the pixel circuits 200 are commonly grounded to the voltage reference potential Gnd via the power supply line 118 in this embodiment.
Note that the voltage of the data signal X-j that specifies black, which is the lowest gradation of the pixel, is higher than Gnd, and the voltage of the data signal X-j that specifies white, which is the highest gradation of the pixel, is lower than V EL. Is set. In other words, the voltage range of the data signal Xj is set to be within the power supply voltage.
On the other hand, in the present embodiment, the pixel circuit 200 is supplied with the initial voltage V INI via the feeder line 116. Here, the initial voltage V INI is the data signal X in the present embodiment.
It substantially coincides with the lowest value of the voltage range that −j can take, that is, the data signal voltage that specifies the lowest gradation of the pixel.
The control circuit 12 supplies the Y driver 14 and the X driver 16 with clock signals (not shown), respectively, to control both drivers, and supplies the X driver 16 with image data that defines the gradation for each pixel. To do.

本実施形態において、マトリクス状に配列する画素回路200は、すべて共通の構成で
ある。そこで、画素回路200の構成を、i行j列に位置するもので代表して説明する。
図2に示されるように、画素回路200は、nチャネル型の駆動トランジスタ210と
、第1〜第4のスイッチング素子として機能するnチャネル型のトランジスタ211、2
12、213、214と、容量素子として機能する容量220と、電気光学素子たるOL
ED素子230とを有する。
このうち、トランジスタ214の一端(ドレイン)は、電源線114に接続される一方
、トランジスタ214の他端(ソース)は、駆動トランジスタ210のドレイン、および
、トランジスタ211の一端(ドレイン)に、それぞれ接続されている。ここで、トラン
ジスタ214のゲートは、i行目の制御線108に接続されている。このため、トランジ
スタ214は、制御信号GEL-iがHレベルであればオンし、Lレベルであればオフするこ
とになる。
In the present embodiment, the pixel circuits 200 arranged in a matrix form all have a common configuration. Therefore, the configuration of the pixel circuit 200 will be described as a representative example of the pixel circuit located in i rows and j columns.
As shown in FIG. 2, the pixel circuit 200 includes an n-channel driving transistor 210 and n-channel transistors 211 and 2 that function as first to fourth switching elements.
12, 213, 214, a capacitor 220 that functions as a capacitor, and an OL that is an electro-optic element
And an ED element 230.
Among these, one end (drain) of the transistor 214 is connected to the power supply line 114, and the other end (source) of the transistor 214 is connected to the drain of the driving transistor 210 and one end (drain) of the transistor 211, respectively. Has been. Here, the gate of the transistor 214 is connected to the control line 108 in the i-th row. For this reason, the transistor 214 is turned on when the control signal G EL-i is at the H level, and is turned off when the control signal G EL-i is at the L level.

駆動トランジスタ210のソースは、OLED素子230の陽極に接続される一方、当
該OLED素子230の陰極は、電源の低位側電圧Gndに接地されている。このため、
OLED素子230は、電源の高位側電圧VELおよび低位側電圧Gndの間の経路に、
駆動トランジスタ210およびトランジスタ214とともに電気的に介挿された構成とな
っている。
駆動トランジスタ210のゲートは、容量220の一端およびトランジスタ211のソ
ースにそれぞれ接続されている。なお、説明の便宜上、容量220の一端(駆動トランジ
スタ210のゲート)をノードAとする。このノードAには、図2において破線で示され
るように、容量が寄生する。この容量はノードAとOLED素子230の陰極の間に寄生
する容量であり、駆動トランジスタのゲート容量、OLED素子230の容量、ノードA
と陰極の間にある配線の寄生容量などに起因する容量を含んでいる。
The source of the driving transistor 210 is connected to the anode of the OLED element 230, while the cathode of the OLED element 230 is grounded to the lower voltage Gnd of the power source. For this reason,
The OLED element 230 is in a path between the high voltage VEL and the low voltage Gnd of the power supply.
The driving transistor 210 and the transistor 214 are electrically inserted together.
The gate of the driving transistor 210 is connected to one end of the capacitor 220 and the source of the transistor 211. For convenience of explanation, one end of the capacitor 220 (the gate of the driving transistor 210) is a node A. As shown by a broken line in FIG. 2, a capacitance is parasitic on this node A. This capacitance is a parasitic capacitance between the node A and the cathode of the OLED element 230. The gate capacitance of the driving transistor, the capacitance of the OLED element 230, the node A
And capacitance due to the parasitic capacitance of the wiring between the cathode and the cathode.

トランジスタ211は、駆動トランジスタ210のドレインおよびゲート間に電気的に
介挿されるとともに、トランジスタ211のゲートは、i行目の制御線104に接続され
ている。このため、トランジスタ211は、制御信号GSET-iがHレベルとなったときに
オンして、駆動トランジスタ210をダイオードとして機能させる。
一方、トランジスタ212の一端(ドレイン)は、給電線116に接続される一方、そ
の他端(ソース)は、トランジスタ213の一端(ドレイン)および容量220の他端に
それぞれ接続されている。このトランジスタ212のゲートは、i行目の制御線106に
接続されている。このため、トランジスタ212は、制御信号GINI-iがHレベルとなっ
たときにオンすることになる。
さらに、トランジスタ213の他端(ソース)は、j列目のデータ線112に接続され
、そのゲートは、i行目の走査線102に接続されている。このため、トランジスタ21
3は、走査信号GWRT-iがHレベルとなったときにオンして、j列目のデータ線112に
供給されるデータ信号X−j(の電圧)を容量220の他端に印加することになる。
ここで、説明の便宜上、容量の他端(トランジスタ212のソース、トランジスタ21
3のドレイン)をノードBとする。
The transistor 211 is electrically inserted between the drain and gate of the driving transistor 210, and the gate of the transistor 211 is connected to the control line 104 in the i-th row. Therefore, the transistor 211 is turned on when the control signal G SET-i becomes the H level, and causes the driving transistor 210 to function as a diode.
On the other hand, one end (drain) of the transistor 212 is connected to the power supply line 116, while the other end (source) is connected to one end (drain) of the transistor 213 and the other end of the capacitor 220. The gate of the transistor 212 is connected to the i-th control line 106. For this reason, the transistor 212 is turned on when the control signal G INI-i becomes H level.
Further, the other end (source) of the transistor 213 is connected to the data line 112 in the j-th column, and the gate thereof is connected to the scanning line 102 in the i-th row. Therefore, the transistor 21
3 is turned on when the scanning signal G WRT-i becomes the H level, and the data signal Xj (voltage) supplied to the data line 112 in the j-th column is applied to the other end of the capacitor 220. It will be.
Here, for convenience of explanation, the other end of the capacitor (the source of the transistor 212, the transistor 21
3) is referred to as node B.

なお、マトリクス型に配列する画素回路200は、ガラス等の透明基板に、走査線10
2やデータ線112とともに形成されている。このため、駆動トランジスタ210や、ト
ランジスタ211、212、213、214は、ポリシリコンプロセスによるTFT(薄
膜トランジスタ)によって構成される。また、OLED素子230は、基板上において、
ITO(酸化錫インジウム)などの透明電極膜を陽極(個別電極)とし、アルミニウムや
リチウムなどの単体金属膜またはこれらの積層膜を陰極(共通電極)として、発光層を挟
持した構成となっている。
Note that the pixel circuits 200 arranged in a matrix type are formed on a transparent substrate such as glass on the scanning line 10.
2 and the data line 112 are formed. For this reason, the driving transistor 210 and the transistors 211, 212, 213, and 214 are configured by TFTs (thin film transistors) using a polysilicon process. Further, the OLED element 230 is on the substrate.
A transparent electrode film such as ITO (indium tin oxide) is used as an anode (individual electrode), and a single metal film such as aluminum or lithium or a laminated film thereof is used as a cathode (common electrode) to sandwich a light emitting layer. .

次に、電気光学装置10の動作について説明する。図3は、電気光学装置10の動作を
説明するためのタイミングチャートである。
まず、Yドライバ14は、図3に示されるように、1垂直走査期間(1F)の開始時か
ら、1行目、2行目、3行目、…、360行目の走査線102を、順番に1本ずつ1水平
走査期間(1H)毎に選択して、選択した走査線102の走査信号のみをHレベルとし、
他の走査線への走査信号をLレベルとする。
ここで、i行目の走査線102が選択されて、走査信号GWRT-iがHレベルとなる1水
平走査期間(1H)に着目して、当該水平走査期間およびその前後の動作について、図3
とともに、図4〜図8を参照して説明する。
Next, the operation of the electro-optical device 10 will be described. FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device 10.
First, as shown in FIG. 3, the Y driver 14 scans the scanning lines 102 in the first row, the second row, the third row,..., The 360th row from the start of one vertical scanning period (1F). Select one line at a time in one horizontal scanning period (1H), and set only the scanning signal of the selected scanning line 102 to the H level.
The scanning signal to other scanning lines is set to L level.
Here, focusing on one horizontal scanning period (1H) in which the scanning line 102 in the i-th row is selected and the scanning signal G WRT-i is at the H level, the horizontal scanning period and the operations before and after the horizontal scanning period are shown in FIG. 3
A description will be given with reference to FIGS.

図3に示されるように、走査信号GWRT−iがHレベルに変化するタイミングよりも
期間Tiだけ先行したタイミングt1から、i行j列における画素回路200の書込動作
の事前準備が開始する。一方、走査信号GWRT−iがHレベルから再びLレベルに変化
すると、書き込んだ電圧に基づく発光が開始する。
このため、i行j列の画素回路200の動作については、大別すると、タイミングt1
から走査信号GWRT−iがHレベルに変化するまでの第1の期間(1)、走査信号GW
RT−iがHレベルとなる第2の期間、および、走査信号GWRT−iがLレベルに変化
した後の第3の期間、の3つにわけることができる。
これらの第1〜第3の期間については、その動作内容に着目して、それぞれ初期化期間
(1)、書込期間(2)および発光期間(3)と称することにする。このうち、初期化期
間(1)については、本実施形態では、さらに3つの期間(1a)、(1b)および(1
c)とに分けることができる。
以下、これらの期間の動作について順を追って説明することにする。
As shown in FIG. 3, the preparation for the writing operation of the pixel circuit 200 in the i-th row and the j-th column starts from the timing t1 that precedes the timing at which the scanning signal GWRT-i changes to the H level by the period Ti. On the other hand, when the scanning signal GWRT-i changes from the H level to the L level again, light emission based on the written voltage starts.
For this reason, the operation of the pixel circuit 200 of i rows and j columns is roughly divided into timings t1.
Scan signal GW during the first period (1) from when the scan signal GWRT-i changes to the H level.
The period can be divided into a second period in which RT-i is at the H level and a third period after the scanning signal GWRT-i has changed to the L level.
These first to third periods are referred to as an initialization period (1), a writing period (2), and a light emission period (3), respectively, paying attention to the operation contents. Of these, regarding the initialization period (1), in the present embodiment, three more periods (1a), (1b) and (1)
c).
Hereinafter, the operation during these periods will be described in order.

まず、タイミングt1の前において、走査信号GWRT-i、制御信号GSET-i、GINI−
iおよびGEL-iいずれもLレベルである。そして、タイミングt1に至ると、初期化期間
(1)のうち、最初の期間(1a)となり、Yドライバ14は、制御信号GSET−i、
GINI−iおよびGEL−iをいずれもHレベルとする。このため、画素回路200で
は、図4に示されるように、Hレベルの制御信号GSET-iによりトランジスタ211がオ
ンするので、駆動トランジスタ210がダイオードとして機能する。また、Hレベルの制
御信号GEL-iによりトランジスタ214もオンする。
したがって、期間(1a)において、画素回路200では、電流が電源線114→トラ
ンジスタ214→駆動トランジスタ210→OLED素子230→接地Gndという経路
にて流れるので、ノードAは、この電流に応じた電圧、詳細には、当該電流を流す駆動ト
ランジスタ210のゲート電圧となる。
一方、制御信号GINI−iは、初期化期間(1)の全域にわたってHレベルとなって
、トランジスタ212をオンさせる。このため、ノードBは、初期化期間(1)にわたっ
て初期電圧VINIに固定されるので、容量220からみてノードBの反対側に位置するノ
ードAでは、その電圧状態が保持されることになる。したがって、期間(1a)において
ノードAは、OLED素子230に流れた電流に応じた電圧に保持されることになる。
First, before the timing t1, the scanning signal G WRT-i , the control signals G SET-i , GINI-
Both i and G EL-i are at the L level. When the timing t1 is reached, the first period (1a) of the initialization period (1) is reached, and the Y driver 14 controls the control signal GSET-i,
Both GINI-i and GEL-i are set to the H level. For this reason, in the pixel circuit 200, as shown in FIG. 4, the transistor 211 is turned on by the control signal G SET-i at the H level, so that the driving transistor 210 functions as a diode. Further, the transistor 214 is also turned on by the H level control signal G EL-i .
Therefore, in the period (1a), in the pixel circuit 200, the current flows through the path of the power supply line 114 → the transistor 214 → the driving transistor 210 → the OLED element 230 → the ground Gnd, so that the node A has a voltage corresponding to the current, Specifically, this is the gate voltage of the driving transistor 210 through which the current flows.
On the other hand, the control signal GINI-i is at the H level over the entire initialization period (1) to turn on the transistor 212. For this reason, since the node B is fixed to the initial voltage V INI over the initialization period (1), the voltage state is maintained at the node A located on the opposite side of the node B as viewed from the capacitor 220. . Therefore, the node A is held at a voltage corresponding to the current flowing through the OLED element 230 in the period (1a).

なお、この期間(1a)では、OLED素子230に電流が流れるので、当該OLED
素子230が発光する。ただし、この期間(1a)は、表示の単位期間である1垂直走査
期間(1F)と比較して、無視できる程度に短く設定されるので、期間(1a)での発光
は、後述する発光期間(3)における発光、すなわち、OLED素子230に目的とする
電流が流れることによる発光に影響を与えることはない。
In this period (1a), since a current flows through the OLED element 230, the OLED
The element 230 emits light. However, since this period (1a) is set to be negligibly short as compared with one vertical scanning period (1F) which is a unit period of display, light emission in the period (1a) is a light emission period described later. The light emission in (3), that is, the light emission due to the flow of the target current to the OLED element 230 is not affected.

次に、初期化期間(1)の期間(1b)開始タイミングに至ると、Yドライバ14は、
制御信号GEL−iをLレベルに復帰させる一方、制御信号GSET−i、GINI−i
をともにHレベルに維持する。このため、画素回路200では、図5に示されるように、
トランジスタ214がオフするので、OLED素子230の電流経路は遮断される。ただ
し、トランジスタ211のオンが継続するので、駆動トランジスタ210が引き続きダイ
オードとして機能する。このため、ノードAは、駆動トランジスタ210のしきい値電圧
thnに向かって自己補償的に徐々に移行する。
そして、期間(1b)の終了タイミングでは、ノードAは、しきい値電圧Vthnにほぼ
一致することになる。
Next, when the start timing of the period (1b) of the initialization period (1) is reached, the Y driver 14
While the control signal GEL-i is returned to the L level, the control signals GSET-i and GINI-i
Are both kept at the H level. Therefore, in the pixel circuit 200, as shown in FIG.
Since the transistor 214 is turned off, the current path of the OLED element 230 is cut off. However, since the transistor 211 is kept on, the driving transistor 210 continues to function as a diode. Therefore, the node A gradually shifts in a self-compensating manner toward the threshold voltage V thn of the driving transistor 210.
Then, at the end timing of the period (1b), the node A substantially matches the threshold voltage V thn .

続いて、初期化期間(1)の期間(1c)の開始タイミングにおいて、Yドライバ14
は、制御信号GSET−iをLレベルに復帰させる。このため、画素回路200では、図
6に示されるように、駆動トランジスタ210のダイオード接続が解除されるので、ノー
ドAの電圧がVthnに確定することになる。
Subsequently, at the start timing of the period (1c) of the initialization period (1), the Y driver 14
Returns the control signal GSET-i to L level. For this reason, in the pixel circuit 200, as shown in FIG. 6, the diode connection of the driving transistor 210 is released, so that the voltage of the node A is determined to be V thn .

次に、書込期間(2)において、Yドライバ14は、制御信号GINI−iをLレベル
に復帰させる一方、走査信号GWRT−iをHレベルとする。このため、図7に示される
ように、トランジスタ212がオフし、トランジスタ213がオンする。
また、書込期間(2)において、Xドライバ16は、i行j列の画素の階調に応じた電
圧のデータ信号X−jをj列目のデータ線112に供給する。上述したように、画素の最
低階調を指定するデータ信号X−jの電圧がVINIであり、画素が明るく指定するにつれ
て、データ信号X−jの電圧が高くなるので、データ信号X−jの電圧は(VINI+ΔV
)として表すことができる。
なお、ΔVは、初期電圧VINIからの電圧変化(上昇)分であって、画素を最低階調の
黒色に指定する場合にはゼロであり、明るい階調を指定するにつれて次第に高くなる。し
たがって、ノードBは、初期化期間(1)から書込期間(2)にかけて、ΔVだけ変動す
る。
Next, in the writing period (2), the Y driver 14 returns the control signal GINI-i to the L level and sets the scanning signal GWRT-i to the H level. Therefore, as shown in FIG. 7, the transistor 212 is turned off and the transistor 213 is turned on.
In the writing period (2), the X driver 16 supplies the data signal Xj having a voltage corresponding to the gradation of the pixel in the i row and the j column to the data line 112 in the j column. As described above, the voltage of the data signal X-j that specifies the lowest gradation of the pixel is V INI , and the voltage of the data signal X-j increases as the pixel specifies brighter. The voltage of (V INI + ΔV
).
Note that ΔV is a voltage change (rise) from the initial voltage V INI , and is zero when the pixel is designated as the lowest gradation black, and gradually increases as the bright gradation is designated. Therefore, the node B varies by ΔV from the initialization period (1) to the writing period (2).

一方、書込期間(2)において、画素回路200では、トランジスタ211がオフであ
るので、ノードAは、駆動トランジスタ210のゲート容量のみによって保持されること
になる。このため、ノードAは、ノードBにおける電圧変化分ΔVを容量220と駆動ト
ランジスタ210のゲート容量との容量比で配分した分だけ、初期化期間(1)の電圧V
thnから上昇することになる。
詳細には、容量220のサイズをCaとし、駆動トランジスタ210のゲート容量をC
bとしたときに、ノードAは、電圧Vthnから、{ΔV・Ca /(Ca+Cb)}だ
け上昇するので、結果的に、ノードAの電圧Vgは、次式のように表すことができる。
Vg=Vthn+ΔV・Ca /(Ca+Cb)……(a)
On the other hand, in the writing period (2), since the transistor 211 is off in the pixel circuit 200, the node A is held only by the gate capacitance of the driving transistor 210. Therefore, the node A has a voltage V in the initialization period (1) corresponding to the distribution of the voltage change ΔV at the node B by the capacitance ratio of the capacitor 220 and the gate capacitance of the driving transistor 210.
It will rise from thn.
Specifically, the size of the capacitor 220 is Ca, and the gate capacitance of the driving transistor 210 is C.
When b is set, the node A rises from the voltage Vthn by {ΔV · Ca / (Ca + Cb)}. As a result, the voltage Vg of the node A can be expressed as the following equation.
Vg = Vthn + ΔV · Ca / (Ca + Cb) (a)

そして、発光期間(3)に至ると、Yドライバ14は、走査信号GWRT−iをLレベ
ルとする一方、制御信号GEL-iをHレベルとする。
このため、画素回路200では、図8に示されるように、トランジスタ213がオフす
るが、容量220における電圧保持状態は変化しないので、ノードAは、電圧Vgに維持
される。一方、トランジスタ214がオンするので、OLED素子230には、電圧Vg
に応じた電流IELが、上記電流経路にて流れることになる。これにより、OLED素子2
30は、当該電流IELに応じた明るさで発光し続けることになる。
In the light emission period (3), the Y driver 14 sets the scanning signal GWRT-i to the L level and sets the control signal G EL-i to the H level.
For this reason, in the pixel circuit 200, as shown in FIG. 8, the transistor 213 is turned off, but the voltage holding state in the capacitor 220 does not change, so the node A is maintained at the voltage Vg. On the other hand, since the transistor 214 is turned on, the voltage Vg is applied to the OLED element 230.
The current I EL corresponding to the current flows in the current path. Thereby, the OLED element 2
No. 30 continues to emit light with brightness according to the current I EL .

発光期間(3)において、OLED素子230に流れる電流IELは、駆動トランジスタ
210のソース・ドレイン間の導通状態によって定まり、当該導通状態は、ノードAの電
圧で設定される。ここで、駆動トランジスタ210のソースからみたゲートの電圧は、ノ
ードAの電圧Vgそのものであるので、電流IELは、次のように示される。
EL=(β/2)(Vg−Vthn2 ……(b)
なお、この式においてβは、駆動トランジスタ210の利得係数である。
In the light emission period (3), the current I EL flowing through the OLED element 230 is determined by the conduction state between the source and drain of the driving transistor 210, and the conduction state is set by the voltage of the node A. Here, since the gate voltage viewed from the source of the driving transistor 210 is the voltage Vg of the node A itself, the current I EL is expressed as follows.
I EL = (β / 2) (Vg−V thn ) 2 (b)
In this equation, β is a gain coefficient of the driving transistor 210.

ここで、式(b)に式(a)を代入して整理すると、
EL=(β/2){ΔV・Ca /(Ca+Cb)}2 ……(c)
となる。この式(c)に示されるように、OLED素子230に流れる電流IELは、駆
動トランジスタ210のしきい値Vthnに依存することなく、初期電圧VINIからの変化分
ΔVのみによって定まることになる(容量Ca、Cbおよび利得係数βは、固定値である
)。
Here, by substituting equation (a) into equation (b),
I EL = (β / 2) {ΔV · Ca / (Ca + Cb)} 2 (c)
It becomes. As shown in the equation (c), the current I EL flowing through the OLED element 230 is determined only by the change ΔV from the initial voltage V INI without depending on the threshold value V thn of the driving transistor 210. (Capacitances Ca and Cb and gain coefficient β are fixed values).

発光期間(3)が予め指定された期間だけ継続すると、Yドライバ14は、制御信号G
EL−iをLレベルにする。これにより、トランジスタ214がオフするので、電流経路
が遮断される結果、OLED素子230は消灯することになる。
ここで、Yドライバ14は、1行目から360行目までに対応する制御信号GEL-1〜G
EL-360のHレベル期間が同一となるように制御する。換言すれば、すべてのOLED素子
230に対して、1垂直走査期間において発光期間(3)の占める割合が一定になるよう
に制御する。このため、発光期間(3)が長くすると、画面全体が明るくなる一方、短く
すると、画面全体が暗くすることができる。
なお、発光期間(3)の最長は、1垂直走査期間(1F)のうち、初期化期間(1)お
よび書込期間(2)を除いた期間の全域である。このため、i行目でいえば、制御信号G
EL−iは、走査信号GWRT−iがHレベルからLレベルに変化するタイミングから、
1垂直走査期間(1F)経過して、再びi行目の走査線102が選択されるタイミングよ
り期間Tiだけ先行したタイミングt1までの期間でHレベルをとることができる。
When the light emission period (3) continues for a predetermined period, the Y driver 14 controls the control signal G
Set EL-i to L level. As a result, the transistor 214 is turned off. As a result, the current path is interrupted, so that the OLED element 230 is turned off.
Here, the Y driver 14 controls the control signals G EL-1 to G G corresponding to the first to 360th rows.
Control the EL-360 so that the H level period is the same. In other words, control is performed so that the proportion of the light emission period (3) is constant in one vertical scanning period for all the OLED elements 230. For this reason, when the light emission period (3) is lengthened, the entire screen is brightened, while when it is shortened, the whole screen can be darkened.
The longest light emission period (3) is the entire period excluding the initialization period (1) and the writing period (2) in one vertical scanning period (1F). Therefore, in the i-th row, the control signal G
EL-i starts from the timing when the scanning signal GWRT-i changes from the H level to the L level.
After one vertical scanning period (1F) has passed, the H level can be taken in a period up to timing t1 preceding the timing at which the i-th scanning line 102 is selected again by the period Ti.

ここでは、i行j列の画素回路200の動作について説明したが、i行の他の画素につ
いてもすべて初期化期間(1)、書込期間(2)および発光期間(3)の動作が同時並列
的に実行される。
また、i行目について着目して説明したが、1行目から360行目までについては、1
水平走査期間(1H)毎に順番に走査線102が選択されて、当該選択期間において書込
期間(2)の動作が実行される。そして、書込期間(2)の前には初期化期間(1)が、
書込期間(2)の後には発光期間(3)が、それぞれ実行される。例えば、i行目に続く
(i+1)行目については、図3に示されるように、走査信号GWRT-(i+1)がHレベルに
なるタイミングより期間Tiだけ先行したタイミングt2から、初期化期間(1)となり
、この後、走査信号GWRT-(i+1)がHレベルになる期間で書込期間(2)となる。(i+
1)行目の書込期間において、j列目のデータ線112には、(i+1)行j列の画素の
階調に応じた電圧のデータ信号X−jが供給されて、その電圧変化分がノードAに書き込
まれ、この後、発光期間(3)となる。
したがって、初期化期間(1)が隣接する2行以上にわたって並行して実行される場合
もあり得る。同様に、発光期間(3)も隣接する2行以上にわたって並行して実行される
Here, the operation of the pixel circuit 200 in the i row and j column has been described. However, the operations of the initialization period (1), the writing period (2), and the light emission period (3) are simultaneously performed for all the other pixels in the i row. Run in parallel.
In addition, the i-th row has been described with focus on the first row to the 360-th row.
The scanning lines 102 are sequentially selected every horizontal scanning period (1H), and the operation of the writing period (2) is executed in the selection period. Before the writing period (2), the initialization period (1)
After the writing period (2), the light emission period (3) is executed. For example, for the (i + 1) -th row following the i-th row, as shown in FIG. 3, from the timing t2 preceding the timing when the scanning signal G WRT- (i + 1) becomes the H level by the period Ti, Period (1), and then the writing period (2) is the period in which the scanning signal G WRT- (i + 1) is at the H level. (I +
1) During the writing period of the row, the data signal X-j having a voltage corresponding to the gray level of the pixel in the (i + 1) row and j column is supplied to the data line 112 of the j column, and the voltage change amount Is written in the node A, and thereafter, the light emission period (3) is entered.
Therefore, the initialization period (1) may be executed in parallel over two or more adjacent rows. Similarly, the light emission period (3) is also executed in parallel over two or more adjacent rows.

この第1実施形態によれば、初期化期間(1)のうち期間(1a)において、駆動トラ
ンジスタ210をダイオード接続し、OLED素子230に電流を強制的に流すことによ
って、ノードAを、当該電流に応じた電圧とさせる一方、ノードBを初期電圧VINIに固
定させる。このため、ノードAは、なんらかの電圧に直ちに達して保持されることになる
。この後、ダイオード接続を維持した状態で、トランジスタ214をオフさせることによ
り、期間(1b)の終了タイミングまでに、ノードAの電圧をVthnにシフトさせる。そ
して、期間(1c)において、ノードAの電圧をVthnに確定させる。この初期化期間(
1)は、行が選択される書込期間(2)とは無関係な期間であって、時間的に手前の期間
で実行されるので、1垂直走査期間(1F)において、十分に長い期間を確保することが
できる。
次に、書込期間(2)では、データ信号X−jをノードBに印加して容量220の他端
を電圧変化させ、この電圧変化による電荷の再分配によって、駆動トランジスタ210の
ゲートに、OLED素子230に流すべき電流に応じた電圧を書き込んでいる。このため
、初期化期間(1)の確保とあいまって、駆動トランジスタ210のゲートに、OLED
素子230に流すべき電流に応じた電圧を直接書き込む方式と比較して、電圧の書き込み
に要する時間を短縮化することが可能となる。
さらに、発光期間(3)において、OLED素子230に流れる電流は、駆動トランジ
スタ210のしきい値電圧Vthnに依存しない。このため、画素回路200毎に、駆動ト
ランジスタ210のしきい値電圧Vthnがバラついても、OLED素子230に流す電流
を均一に揃えることができる。
したがって、第1実施形態に係る電気光学装置によれば、高解像度化に伴って画素数が
増加しても、データ信号の書き込み時間が短くて済むとともに、OLED素子230に流
れる電流の均一性を確保することが可能となる。
According to the first embodiment, in the period (1a) of the initialization period (1), the drive transistor 210 is diode-connected, and a current is forced to flow through the OLED element 230, whereby the node A is connected to the current A. On the other hand, the node B is fixed to the initial voltage V INI . Therefore, the node A immediately reaches some voltage and is held. After that, the transistor 214 is turned off while maintaining the diode connection, so that the voltage at the node A is shifted to V thn by the end timing of the period (1b). In the period (1c), the voltage of the node A is fixed at V thn . This initialization period (
1) is a period irrelevant to the writing period (2) in which a row is selected, and is executed in a period before the time. Therefore, a sufficiently long period is set in one vertical scanning period (1F). Can be secured.
Next, in the writing period (2), the data signal X-j is applied to the node B to change the voltage of the other end of the capacitor 220, and the charge is redistributed due to this voltage change. A voltage corresponding to the current to be passed through the OLED element 230 is written. For this reason, coupled with the securing of the initialization period (1), the OLED is connected to the gate of the drive transistor 210.
Compared with a method in which a voltage corresponding to a current to be passed through the element 230 is directly written, the time required for writing the voltage can be shortened.
Furthermore, in the light emission period (3), the current flowing through the OLED element 230 does not depend on the threshold voltage V thn of the drive transistor 210. For this reason, even if the threshold voltage V thn of the drive transistor 210 varies for each pixel circuit 200, the current flowing through the OLED element 230 can be made uniform.
Therefore, according to the electro-optical device according to the first embodiment, even when the number of pixels increases as the resolution increases, the writing time of the data signal can be shortened, and the uniformity of the current flowing through the OLED element 230 can be reduced. It can be secured.

なお、第1実施形態に係る画素回路200において、トランジスタ211は、オンする
ことにより駆動トランジスタ210をダイオード接続する機能を有するのに対し、トラン
ジスタ214は、オフすることによって駆動トランジスタ210およびOLED素子23
0の電流経路を遮断する機能を有するものであり、両者の機能は全く異なる。このため、
第1実施形態では、図2に示されるように、トランジスタ211については制御線104
によって、トランジスタ214については制御線108によって、それぞれ独立にオンオ
フ制御する構成とした。
しかしながら、図9に示されるように、例えばトランジスタ214の導電型をpチャネ
ル型に変更することによって、両トランジスタ211、214のチャネル型を互いに異な
らせるとともに、共通の制御線108によってオンオフ制御する構成としても良い。この
ような構成を採用すると、図2の構成と比較して、制御線104が不要となるので、制御
線が1行当たり1本削減される結果、歩留まり向上や、ボトムエミッション型の場合に開
口率を高めた明るい表示が可能となる。
また、トランジスタ211、212をともに同一のチャネル型にすると、トランジスタ
211、212のしきい値電圧が同等となるため、異なるチャネル型で構成した場合と比
して同一の制御信号GINI−iにより動作を確実に制御することができる。例えば、同
一の制御信号GINI−iに対して、一方のトランジスタがオンして、他方のトランジス
タがオフするなどの誤動作を防止することができる。また、同一のチャネル型とすること
により、トランジスタに不純物を注入する際のマージンを設ける必要がなく、トランジス
タ211とトランジスタ212とをより近接して配置することが可能である。したがって
、画素領域におけるトランジスタ占有領域を最小限とできると共に、トランジスタ211
とトランジスタ212とのトランジスタ特性をばらつきなく製造することが可能である。
さらに、駆動トランジスタ210がトランジスタ211とトランジスタ212と同一のチ
ャネル型であれば、同様の効果が得られる。また、同一のチャネル型のみにて構成するこ
とにより、画素回路に供給する信号に対する電源の電圧範囲を最低限とすることができる
ため、信頼性の高い電子回路を実現することができる。
In the pixel circuit 200 according to the first embodiment, the transistor 211 has a function of diode-connecting the driving transistor 210 when turned on, whereas the transistor 214 is turned off and the driving transistor 210 and the OLED element 23 are turned off.
It has a function of cutting off a zero current path, and the functions of both are completely different. For this reason,
In the first embodiment, as shown in FIG.
Thus, the transistor 214 is controlled to be turned on and off independently by the control line 108.
However, as shown in FIG. 9, for example, by changing the conductivity type of the transistor 214 to the p-channel type, the channel types of the transistors 211 and 214 are made different from each other, and the on / off control is performed by the common control line 108. It is also good. When such a configuration is adopted, the control line 104 is not necessary as compared with the configuration of FIG. 2, and as a result, one control line is reduced per row, resulting in an improvement in yield and an opening in the case of the bottom emission type. Bright display with an increased rate is possible.
Further, if the transistors 211 and 212 are both of the same channel type, the threshold voltages of the transistors 211 and 212 are equal, so that the transistors 211 and 212 operate with the same control signal GINI-i as compared with the case of being configured with different channel types. Can be reliably controlled. For example, malfunctions such as one transistor turning on and the other transistor turning off with respect to the same control signal GINI-i can be prevented. In addition, by using the same channel type, it is not necessary to provide a margin for injecting impurities into the transistor, and the transistor 211 and the transistor 212 can be arranged closer to each other. Therefore, the transistor occupation area in the pixel area can be minimized, and the transistor 211
And the transistor 212 can be manufactured without variation.
Further, if the driving transistor 210 is the same channel type as the transistors 211 and 212, the same effect can be obtained. Further, by using only the same channel type, the voltage range of the power supply with respect to the signal supplied to the pixel circuit can be minimized, so that a highly reliable electronic circuit can be realized.

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置について説明する。この第2実施形態
に係る電気光学装置は、第1実施形態における画素回路を図10に示される画素回路20
0に置換したものである。
図2に示される画素回路200は、トランジスタ211、212のオンオフを、それぞ
れ別々の制御信号GSET-i、GINI-iによって独立に制御する構成であったが、図10に示
される画素回路は、制御線106に供給される制御信号GINI-iによって共通に制御する
構成としたものである。
Second Embodiment
Next, an electro-optical device according to a second embodiment of the invention will be described. In the electro-optical device according to the second embodiment, the pixel circuit in the first embodiment is the pixel circuit 20 shown in FIG.
It has been replaced with 0.
The pixel circuit 200 shown in FIG. 2 has a configuration in which ON / OFF of the transistors 211 and 212 is independently controlled by separate control signals G SET-i and G INI-i , but the pixel circuit shown in FIG. Is configured to be commonly controlled by a control signal G INI-i supplied to the control line 106.

図11は、第2実施形態に係る電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャー
トである。
この図に示されるように、第2実施形態では、制御信号GINI-iにしたがってトランジ
スタ211、212のオンオフが共通に制御されるので、初期化期間(1)には、期間(
1c)が含まれない。ただし、図10に示される画素回路200では、期間(1b)の終
了時に、トランジスタ211、212が同時にオフするので、ノードAの電圧は、初期化
期間(1b)の終了と同時に確定することになる。
なお、他の動作については、第1実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
この第2実施形態に係る電気光学装置によれば、図9に示される画素回路と同様に、制
御線104が不要となり、制御線が1行当たり1本削減されるので、歩留まりや開口率を
向上させることができる。
FIG. 11 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device according to the second embodiment.
As shown in this figure, in the second embodiment, since the transistors 211 and 212 are commonly controlled to be turned on and off according to the control signal G INI-i , the initialization period (1) includes a period (
1c) is not included. However, in the pixel circuit 200 shown in FIG. 10, the transistors 211 and 212 are simultaneously turned off at the end of the period (1b), so that the voltage at the node A is determined simultaneously with the end of the initialization period (1b). Become.
Since other operations are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.
According to the electro-optical device according to the second embodiment, similarly to the pixel circuit shown in FIG. 9, the control line 104 is not necessary, and one control line is reduced per row, so that the yield and the aperture ratio are reduced. Can be improved.

<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る電気光学装置について説明する。この第3実施形態
に係る電気光学装置は、第1実施形態における画素回路を図12に示される画素回路20
0に置換したものである。
図12に示される画素回路200は、図10に示した画素回路からトランジスタ214
を取り除いた構成としたものである。したがって、図12に示される画素回路200にお
いて、制御線108は不要となる。
<Third Embodiment>
Next, an electro-optical device according to a third embodiment of the invention will be described. In the electro-optical device according to the third embodiment, the pixel circuit in the first embodiment is the same as the pixel circuit 20 shown in FIG.
It has been replaced with 0.
The pixel circuit 200 illustrated in FIG. 12 is different from the pixel circuit illustrated in FIG.
It is set as the structure which removed. Therefore, the control line 108 is not necessary in the pixel circuit 200 shown in FIG.

図13は、第2実施形態に係る電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャー
トである。
この図に示されるように、第3実施形態では、i行目でいえば、走査信号GWRT−i
がHレベルとなる書込期間(2)よりも手前において、期間Tiだけ制御信号GINI-i
Hレベルとなる初期化期間(1)が設けられている。
この初期化期間(1)では、トランジスタ211、212が同時にオンするので、電流
が(ダイオード接続された)駆動トランジスタ210とOLED素子230とに流れるこ
とになる。そして、初期化期間(1)の終了タイミングにおいて、制御信号GINI-iがL
レベルとなり、トランジスタ211、212が同時にオフするので、第1および第2実施
形態のように、駆動トランジスタ210のダイオード接続を継続することによる自己補償
的なノードAの電圧シフトが発生しない。
FIG. 13 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device according to the second embodiment.
As shown in this figure, in the third embodiment, in the i-th row, the scanning signal GWRT-i
An initialization period (1) in which the control signal G INI-i is at the H level is provided for the period Ti before the writing period (2) at which the is at the H level.
In this initialization period (1), the transistors 211 and 212 are simultaneously turned on, so that a current flows through the drive transistor 210 and the OLED element 230 (diode-connected). At the end timing of the initialization period (1), the control signal G INI-i is L
Since the transistors 211 and 212 are turned off at the same time, the self-compensating voltage shift of the node A due to continuing the diode connection of the driving transistor 210 does not occur as in the first and second embodiments.

このため、初期化期間(1)の終了時においてノードAには、OLED素子230に流
れた電流に応じた電圧であって、駆動トランジスタ210のしきい値電圧Vthnを反映し
た電圧となり、第1および第2実施形態と比較して高くなる。そこで、第3実施形態では
、ノードAの電圧が高くなることに対応して、給電線116を介して供給される初期電圧
INIも高く設定される。
詳細には、初期電圧VINIは、初期化期間(1)から書込期間(2)にかけてノードB
が電圧変化する際の基準電圧であり、この電圧変化に応じた電圧が書込期間(2)におい
てノードAに書き込まれる点は、第1、第2実施形態と同様である。ただし、第3実施形
態では、初期化期間(1)におけるノードAの電圧ポイントが高いので、第1、第2実施
形態と同様に初期化電圧VINIを低く設定しまうと、書込期間(2)においてノードAは
、高い電圧ポイントから上昇するだけとなり、ノードBに低い電圧を書き込んで、低階調
(暗階調)に相当する電流をOLED素子230に流すことができなくなってしまう。そ
こで、第3実施形態では、初期電圧VINIを第1、第2実施形態よりも高く設定し、初期
化期間(1)から書込期間(2)にかけてノードBが電圧上昇するのみならず、下降する
場合もありえる構成としているのである。
そして、この構成において、低階調(暗階調)に相当する電流をOLED素子230に
流す場合には、初期化期間(1)から書込期間(2)にかけてノードBが電圧下降(放電
)し、その下降分に応じた電圧がノードAに書き込まれるので、ノードBの電圧を低くし
て、低階調(暗階調)に相当する電流をOLED素子230に流すことが可能となるので
ある。
なお、第3実施形態における初期電圧VINIは、画素の最低階調(黒色)と最高階調(
白色)との間における中間階調(灰色)を指定するデータ信号の電圧に相当することにな
る。
For this reason, at the end of the initialization period (1), the voltage at the node A is a voltage corresponding to the current flowing through the OLED element 230 and reflecting the threshold voltage V thn of the driving transistor 210. Compared to the first and second embodiments. Therefore, in the third embodiment, the initial voltage V INI supplied via the feeder line 116 is also set high in response to the increase in the voltage at the node A.
Specifically, the initial voltage V INI is applied to the node B from the initialization period (1) to the writing period (2).
Is the reference voltage when the voltage changes, and the voltage corresponding to this voltage change is written to the node A in the writing period (2), as in the first and second embodiments. However, in the third embodiment, since the voltage point of the node A in the initialization period (1) is high, if the initialization voltage V INI is set low as in the first and second embodiments, the writing period (2 ), The node A only rises from a high voltage point, and a low voltage is written to the node B, so that a current corresponding to a low gradation (dark gradation) cannot flow through the OLED element 230. Therefore, in the third embodiment, the initial voltage V INI is set higher than those in the first and second embodiments, and not only does the node B increase in voltage from the initialization period (1) to the writing period (2), The structure may be lowered.
In this configuration, when a current corresponding to a low gradation (dark gradation) is supplied to the OLED element 230, the node B is lowered (discharged) from the initialization period (1) to the writing period (2). Since the voltage corresponding to the decrease is written into the node A, the voltage at the node B can be lowered and a current corresponding to a low gradation (dark gradation) can be supplied to the OLED element 230. is there.
Note that the initial voltage V INI in the third embodiment is the lowest gradation (black) and the highest gradation (black) of the pixel.
This corresponds to the voltage of the data signal designating the intermediate gray level (gray) with the white color.

この第3実施形態に係る電気光学装置によれば、図9や図10に示される画素回路と比
較して、制御線104も不要となるので、制御線が1行当たり1本(図2の画素回路と比
較すると2本)削減されるとともに、画素回路1個当たりのトランジスタ数も1個削減さ
れるので、歩留まりや開口率を、より高めることが可能となる。
ただし、第3実施形態では、トランジスタ214が存在しないので、発光期間(3)を
調整することによる画面全体の輝度調整ができない。また、書込期間(2)においても、
ノードAの電圧に応じた電流がOLED素子230に流れる。
According to the electro-optical device according to the third embodiment, the control line 104 is not necessary as compared with the pixel circuit shown in FIG. 9 or FIG. Compared to the pixel circuit, the number of transistors is reduced by two), and the number of transistors per pixel circuit is also reduced by one, so that the yield and the aperture ratio can be further increased.
However, in the third embodiment, since the transistor 214 does not exist, the brightness of the entire screen cannot be adjusted by adjusting the light emission period (3). Also in the writing period (2),
A current corresponding to the voltage at the node A flows through the OLED element 230.

<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る電気光学装置について説明する。この第4実施形態
に係る電気光学装置は、第1実施形態における画素回路を図14に示される画素回路20
0に置換したものである。
図14に示される画素回路200は、図12に示した画素回路において、電源線114
を1行毎にX方向に延設するとともに、その電圧を、時間的に変化させた構成としたもの
である。すなわち、第4実施形態における電源線114は、走査線102、制御線106
とともに1組となって、1行分の画素回路200に兼用されている。
このような電源線114は、例えばYドライバ14によって駆動される。また、第4実
施形態において、給電線116に印加される初期電圧VINIは、第1、第2実施形態と同
様に、画素の最低階調を指定するデータ信号と一致する電圧である。
<Fourth embodiment>
Next, an electro-optical device according to a fourth embodiment of the invention will be described. In the electro-optical device according to the fourth embodiment, the pixel circuit in the first embodiment is the pixel circuit 20 shown in FIG.
It has been replaced with 0.
A pixel circuit 200 shown in FIG. 14 is similar to the pixel circuit shown in FIG.
Are extended in the X direction for each row, and the voltage is changed with time. That is, the power supply line 114 in the fourth embodiment includes the scanning line 102 and the control line 106.
A set of them is also used as a pixel circuit 200 for one row.
Such a power supply line 114 is driven by, for example, a Y driver 14. In the fourth embodiment, the initial voltage V INI applied to the power supply line 116 is a voltage that matches the data signal that specifies the lowest gradation of the pixel, as in the first and second embodiments.

図15は、第4実施形態に係る電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャー
トである。
この図に示されるように、第4実施形態では、第3実施形態と同様に、i行目でいえば
、走査信号GWRT−iがHレベルとなる書込期間(2)よりも手前の初期化期間(1)
において、制御信号GINI-iが期間TiだけHレベルとなる。
ただし、第4実施形態では、初期化期間において、Yドライバ14は、i行目の電源線
114の電圧VEL-iを初期電圧Viniとする。この初期電圧Viniは、駆動トランジスタ2
10のしきい値電圧VthnおよびOLED素子230のしきい値電圧との和よりも若干高
い程度の電圧である。詳細には、トランジスタ211のオンによってダイオード接続され
た駆動トランジスタ210のドレインに、この初期電圧Viniが印加された場合に、当該
駆動トランジスタ210およびOLED素子230に電流がごくわずかに流れる程度の電
圧である。
FIG. 15 is a timing chart for explaining the operation of the electro-optical device according to the fourth embodiment.
As shown in this figure, in the fourth embodiment, as in the third embodiment, in the i-th row, the initial stage before the writing period (2) in which the scanning signal GWRT-i is at the H level is used. Period (1)
, The control signal G INI-i is at the H level for the period Ti.
However, in the fourth embodiment, during the initialization period, the Y driver 14 sets the voltage V EL-i of the i-th power line 114 to the initial voltage V ini . This initial voltage V ini is equal to the driving transistor 2
This is a voltage that is slightly higher than the sum of the threshold voltage V thn of 10 and the threshold voltage of the OLED element 230. Specifically, when the initial voltage V ini is applied to the drain of the drive transistor 210 that is diode-connected when the transistor 211 is turned on, the voltage is such that a very small amount of current flows through the drive transistor 210 and the OLED element 230. It is.

一方、第4実施形態においても、初期化期間(1)では、ノードBは、トランジスタ2
12のオンにより初期電圧VINIに固定されるので、ノードAには、当該電流に応じた電
圧が保持されることになる。
ここで、初期化期間(1)においてOLED素子230に流れる電流は、第3実施形態
とは異なり、ごくわずかであるので、ノードAに保持される電圧を、ほぼ駆動トランジス
タのしきい値Vthnとさせることができる。
On the other hand, also in the fourth embodiment, in the initialization period (1), the node B is connected to the transistor 2.
Since the initial voltage V INI is fixed by turning on 12, the voltage corresponding to the current is held at the node A.
Here, unlike the third embodiment, the current flowing through the OLED element 230 in the initialization period (1) is very small, so that the voltage held at the node A is approximately equal to the threshold V thn of the driving transistor. It can be made.

次に、書込期間(2)に至ると、Yドライバ14は、電圧VEL-iをGndに落とすとも
に、制御信号GWRT−iをHレベルとする。これにより、トランジスタ213がオンす
るので、ノードBは、ΔVだけ電圧変化し、この変化分を容量比で配分した分だけ、ノー
ドAの電圧が上昇するので、第1実施形態等と同様にして、ノードAにOLED素子23
0に電流を流すためゲート電圧を書き込むことができる。
続いて、発光期間(3)に至ると、Yドライバ14は、電圧VEL-iを電源電圧VELにす
る一方、制御信号GWRT−iをLレベルとする。これにより、第1実施形態等と同様に
、OLED素子230には、ノードAの電圧に応じた電流が流れて、当該電流に応じた明
るさで発光し続けることになる。
そして、発光期間(3)が終了すると、Yドライバ14は、電圧VEL-iをGndに落と
す。これにより、OLED素子230は消灯して、発光期間(3)が調整されることなる
Next, when the writing period (2) is reached, the Y driver 14 drops the voltage V EL-i to Gnd and sets the control signal GWRT-i to the H level. As a result, the transistor 213 is turned on, so that the voltage at the node B changes by ΔV, and the voltage at the node A rises by the amount corresponding to the change by the capacitance ratio. , OLED element 23 at node A
A gate voltage can be written to pass a current through zero.
Subsequently, when the light emission period (3) is reached, the Y driver 14 sets the voltage V EL-i to the power supply voltage V EL and sets the control signal GWRT-i to the L level. As a result, as in the first embodiment and the like, a current corresponding to the voltage of the node A flows through the OLED element 230, and light emission continues at a brightness corresponding to the current.
When the light emission period (3) ends, the Y driver 14 drops the voltage V EL-i to Gnd. Thereby, the OLED element 230 is turned off, and the light emission period (3) is adjusted.

この第4実施形態に係る電気光学装置によれば、第3実施形態と同様に、図9や図10
に示される画素回路と比較して、制御線108が不要となるので、制御線が1行当たり1
本(図2の画素回路と比較すると2本)削減されるとともに、画素回路1個当たりのトラ
ンジスタ数も1個削減されるので、歩留まりや開口率を、より高めることが可能となる。
さらに、第4実施形態によれば、第3実施形態とは異なり、発光期間(3)を調整して、
表示画面全体の明るさを変化させることができる。
なお、第4実施形態では、電源線114を走査線102の1行毎にX方向に延設すると
したが、隣接する複数行毎に1本延設して、複数行の画素回路200にわたって兼用する
構成としても良い。このような構成とすると、配線数が削減することができるので、特に
、開口率の点で有利となる。
According to the electro-optical device according to the fourth embodiment, as in the third embodiment, FIG. 9 and FIG.
Compared with the pixel circuit shown in FIG. 1, the control line 108 is not necessary, so that one control line is provided per row.
Since the number of transistors (two compared with the pixel circuit in FIG. 2) is reduced and the number of transistors per pixel circuit is also reduced by one, the yield and the aperture ratio can be further increased.
Furthermore, according to the fourth embodiment, unlike the third embodiment, the light emission period (3) is adjusted,
The brightness of the entire display screen can be changed.
In the fourth embodiment, the power supply line 114 is extended in the X direction for each row of the scanning line 102. However, one power supply line 114 is extended for each adjacent row and used across the pixel circuits 200 in the plurality of rows. It is good also as composition to do. Such a configuration is advantageous in terms of the aperture ratio because the number of wirings can be reduced.

<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態に係る電気光学装置について説明する。この第5実施形態
に係る電気光学装置は、第1実施形態における画素回路を図16に示される画素回路20
0に置換したものである。
図16に示されるように、第5実施形態における画素回路200は、図14に示した画
素回路において、トランジスタ212の一端(ドレイン)の接続先を、給電線116から
、行毎の電源線114へと変更したものである。
なお、この第5実施形態に係る電気光学装置の動作は、初期化期間(1)において、ノ
ードBが電源線114の初期電圧Viniで固定される点以外、第4実施形態と同様である
ので、その説明については省略する。
この第5実施形態によれば、給電線116が不要となるので、第4実施形態と比較して
、歩留まりや開口率の点で有利となる。
<Fifth Embodiment>
Next, an electro-optical device according to a fifth embodiment of the invention will be described. In the electro-optical device according to the fifth embodiment, the pixel circuit in the first embodiment is the same as the pixel circuit 20 shown in FIG.
It has been replaced with 0.
As illustrated in FIG. 16, the pixel circuit 200 according to the fifth embodiment is different from the pixel circuit illustrated in FIG. 14 in that the connection destination of one end (drain) of the transistor 212 is connected from the power supply line 116 to the power supply line 114 for each row. It has been changed to.
The operation of the electro-optical device according to the fifth embodiment is the same as that of the fourth embodiment except that the node B is fixed at the initial voltage V ini of the power supply line 114 in the initialization period (1). Therefore, the description is omitted.
According to the fifth embodiment, the feeder line 116 is unnecessary, which is advantageous in terms of yield and aperture ratio compared to the fourth embodiment.

本発明は、上述した第1〜第5実施形態に限られず、種々の変形が可能である。
例えば、各実施形態では、単色の画素について階調表示をする構成になっていたが、例
えば図17に示されるように、R(赤)、G(緑)、B(青)に対応させて画素回路20
0R、200G、200Bを配列させるとともに、これらの3画素により1ドットを構成
して、カラー表示を行うとしても良い。そして、カラー表示させる場合、OLED素子2
30R、230G、230Bは、それぞれ赤、緑、青にて発光するように発光層が選択さ
れる。
このようにカラー表示させる構成において、OLED素子230R、230G、230
Bの発光効率が互いに異なる場合には、電源電圧VELおよび初期電圧VINIを色毎に異な
らせる必要もある。
ただし、図17に示されるように、走査線102、制御線104、106および108
については共用することができる。
なお、図17は、第1実施形態(図2参照)を用いてカラー表示とする場合の構成例を
示す図である。図9や、第2実施形態(図10参照)、第3実施形態(図12参照)、第
4実施形態(図14参照)、第5実施形態(図16参照)を用いてカラー表示する構成と
して良いのはもちろんである。
The present invention is not limited to the first to fifth embodiments described above, and various modifications are possible.
For example, in each embodiment, the gradation display is performed for a single pixel, but for example, as shown in FIG. 17, corresponding to R (red), G (green), and B (blue). Pixel circuit 20
In addition to arranging 0R, 200G, and 200B, one dot may be configured by these three pixels to perform color display. And when displaying in color, OLED element 2
The light emitting layers are selected so that 30R, 230G, and 230B emit light in red, green, and blue, respectively.
In the configuration for color display in this way, the OLED elements 230R, 230G, 230
When the luminous efficiencies of B are different from each other, it is necessary to make the power supply voltage V EL and the initial voltage V INI different for each color.
However, as shown in FIG. 17, the scanning line 102 and the control lines 104, 106 and 108.
About can be shared.
FIG. 17 is a diagram showing a configuration example when color display is performed using the first embodiment (see FIG. 2). Color display using FIG. 9, the second embodiment (see FIG. 10), the third embodiment (see FIG. 12), the fourth embodiment (see FIG. 14), and the fifth embodiment (see FIG. 16). Of course it is good.

また、上述した各実施形態においては、図3、図11、図13、図15に示されるよう
に初期化期間(1)と書込期間(2)とを時間的に連続させているが、両者期間を時間的
に隔絶させても構わない。同様に、書込期間(2)と発光期間(2)とを両者期間を時間
的に隔絶させても良い。
さらに、図2、図9、図10、図14および図16の構成においては、発光期間(3)
だけでなく、書込期間(2)においても、制御信号GEL-iをHレベル、または、電圧VEL
-iを電圧VELとすることによって、ノードAの電圧に応じた電流をOLED素子230に
流す構成としても良い。
In each of the embodiments described above, the initialization period (1) and the writing period (2) are temporally continuous as shown in FIG. 3, FIG. 11, FIG. 13, and FIG. Both periods may be separated in time. Similarly, the writing period (2) and the light emission period (2) may be separated in time.
Furthermore, in the configurations of FIGS. 2, 9, 10, 14 and 16, the light emission period (3)
Not only in the writing period (2), the control signal G EL-i is set to the H level or the voltage V EL.
It may be configured such that a current corresponding to the voltage at the node A flows through the OLED element 230 by setting -i to the voltage V EL .

各実施形態では、駆動トランジスタ210をnチャネル型としたが、pチャネル型とし
ても良い。また、トランジスタ211、212、213、214のチャネル型についても
同様である。ただし、図9に示される構成とする場合には、トランジスタ211、214
のチャネル型については、上述したように一方をpチャネル型、他方をnチャネル型とす
る必要がある。また、図10、図12、図14または図16に示される構成とする場合に
は、トランジスタ211、212ついては、共通の制御線106によってオンまたはオフ
を同時制御するため、nまたはpの一方のチャネル型に統一する必要がある。
また、これら各トランジスタを、pチャネル型およびnチャネル型を相補型に組み合わ
せたトランスミッションゲートで構成して、電圧降下をほぼ無視できる程度に抑えても良
い。
くわえて、トランジスタ214のソース側にOLED素子230を接続するのではなく
、トランジスタ214のドレイン側にOLED素子230を接続しても良い。
In each embodiment, the driving transistor 210 is an n-channel type, but may be a p-channel type. The same applies to the channel types of the transistors 211, 212, 213, and 214. However, in the case of the configuration shown in FIG.
As described above, one of the channel types must be a p-channel type and the other must be an n-channel type. In the case of the configuration shown in FIG. 10, FIG. 12, FIG. 14 or FIG. 16, the transistors 211 and 212 are simultaneously controlled to be turned on or off by the common control line 106. It is necessary to unify the channel type.
Further, each of these transistors may be constituted by a transmission gate in which a p-channel type and an n-channel type are combined in a complementary manner, and the voltage drop may be suppressed to a level that can be almost ignored.
In addition, the OLED element 230 may be connected to the drain side of the transistor 214 instead of connecting the OLED element 230 to the source side of the transistor 214.

また、OLED素子230は、電流駆動型素子の一例であり、これに代えて、無機EL
素子や、フィールド・エミッション(FE)素子、LEDなどの他の発光素子、さらには
、電気泳動素子、エレクトロ・クロミック素子などを用いても良い。
The OLED element 230 is an example of a current driven element, and instead of this, an inorganic EL element is used.
Other light emitting elements such as an element, a field emission (FE) element, and an LED, an electrophoretic element, an electrochromic element, and the like may be used.

次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を電子機器に用いた例について説明する。
まず、上述した電気光学装置10を、表示部に適用した携帯電話について説明する。図
18は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話1100は、複数の操作ボタン1102のほか、受話口11
04、送話口1106とともに、表示部として、上述した電気光学装置10を備えるもの
である。
Next, an example in which the electro-optical device according to the above-described embodiment is used in an electronic device will be described.
First, a mobile phone in which the above-described electro-optical device 10 is applied to a display unit will be described. FIG. 18 is a perspective view showing the configuration of this mobile phone.
In this figure, a mobile phone 1100 includes a plurality of operation buttons 1102 and an earpiece 11.
04, together with the mouthpiece 1106, the electro-optical device 10 described above is provided as a display unit.

次に、上述した電気光学装置10を、ファインダに用いたデジタルスチルカメラについ
て説明する。
図19は、このデジタルスチルカメラの背面を示す斜視図である。銀塩カメラは、被写
体の光像によってフィルムを感光させるのに対し、デジタルスチルカメラ1200は、被
写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像
信号を生成・記憶するものである。ここで、デジタルスチルカメラ1200におけるケー
ス1202の背面には、上述した電気光学装置10の表示面が設けられる。この電気光学
装置10は、撮像信号に基づいて表示を行うので、被写体を表示するファインダとして機
能することになる。また、ケース1202の前面側(図19においては裏面側)には、光
学レンズやCCDなどを含んだ受光ユニット1204が設けられている。
Next, a digital still camera using the above-described electro-optical device 10 as a finder will be described.
FIG. 19 is a perspective view showing the back surface of the digital still camera. The silver salt camera sensitizes the film with the optical image of the subject, whereas the digital still camera 1200 generates and stores an imaging signal by photoelectrically converting the optical image of the subject with an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device). To do. Here, the display surface of the electro-optical device 10 described above is provided on the back surface of the case 1202 in the digital still camera 1200. Since the electro-optical device 10 performs display based on the imaging signal, it functions as a finder that displays the subject. A light receiving unit 1204 including an optical lens and a CCD is provided on the front side of the case 1202 (the back side in FIG. 19).

撮影者が電気光学装置10によって表示された被写体像を確認して、シャッタボタン1
206を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板1208のメモリ
に転送・記憶される。また、このデジタルスチルカメラ1200にあって、ケース120
2の側面には、外部表示を行うためのビデオ信号出力端子1212と、データ通信用の入
出力端子1214とが設けられている。
The photographer confirms the subject image displayed by the electro-optical device 10, and the shutter button 1
When 206 is pressed, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1208. In the digital still camera 1200, the case 120
On the second side, a video signal output terminal 1212 for external display and an input / output terminal 1214 for data communication are provided.

なお、電子機器としては、図18の携帯電話や、図19のデジタルスチルカメラの他に
も、テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲ
ーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これら
の各種電子機器の表示部として、上述した電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない
。また、直接画像や文字などを表示する電子機器の表示部に限られず、被感光体に光を照
射することにより間接的に画像もしくは文字を形成するために用いられる印刷機器の光源
として適用してもよい。
In addition to the mobile phone shown in FIG. 18 and the digital still camera shown in FIG. 19, the electronic devices include a TV, a viewfinder type and a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, and a calculator. , Word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices with touch panels, and the like. And it cannot be overemphasized that the electro-optical apparatus mentioned above is applicable as a display part of these various electronic devices. In addition, it is not limited to a display unit of an electronic device that directly displays an image or a character, but is applied as a light source of a printing device that is used to indirectly form an image or a character by irradiating light to the photosensitive member. Also good.

本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention. FIG. 同電気光学装置の画素回路を示す図である。It is a figure which shows the pixel circuit of the same electro-optical apparatus. 同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device. 同画素回路の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the pixel circuit. 同画素回路の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the pixel circuit. 同画素回路の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the pixel circuit. 同画素回路の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the pixel circuit. 同画素回路の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of the pixel circuit. 同画素回路の別の構成を示す図である。It is a figure which shows another structure of the pixel circuit. 本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の画素回路を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a pixel circuit of an electro-optical device according to a second embodiment of the invention. 同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device. 本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の画素回路を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a pixel circuit of an electro-optical device according to a third embodiment of the invention. 同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device. 本発明の第4実施形態に係る電気光学装置の画素回路を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a pixel circuit of an electro-optical device according to a fourth embodiment of the invention. 同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device. 本発明の第5実施形態に係る電気光学装置の画素回路を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a pixel circuit of an electro-optical device according to a fifth embodiment of the invention. 実施形態に係る電気光学装置をカラー化した構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration in which an electro-optical device according to an embodiment is colored. FIG. 同電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。It is a figure which shows the mobile telephone using the same electro-optical apparatus. 同電気光学装置を用いたデジタルスチルカメラを示す図である。It is a figure which shows the digital still camera using the same electro-optical apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

10…電気光学装置、12…制御回路、14…Yドライバ、16…Xドライバ、102
…走査線、104、106、108…制御線、112…データ線、114、118…電源
線、116…給電線、200…画素回路、210…駆動トランジスタ、211、212、
213、214…トランジスタ(それぞれ第1、第2、第3、第4のスイッチング素子)
、220…容量(容量素子)、230…OLED素子(被駆動素子)、1100…携帯電
話機、1200…デジタルスチルカメラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electro-optical apparatus, 12 ... Control circuit, 14 ... Y driver, 16 ... X driver, 102
... Scanning lines 104, 106, 108 ... Control lines, 112 ... Data lines, 114,118 ... Power supply lines, 116 ... Power supply lines, 200 ... Pixel circuits, 210 ... Drive transistors, 211,212,
213, 214 ... Transistors (first, second, third and fourth switching elements, respectively)
220 ... capacitance (capacitance element), 230 ... OLED element (driven element), 1100 ... mobile phone, 1200 ... digital still camera

Claims (8)

電源線および接地線の間で被駆動素子に流れる電流をゲート電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間をオンまたはオフする第1のスイッチング素子と、
一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子と
一端が前記電源線に接続され、他端が前記容量素子の他端に接続された第2のスイッチング素子と
を備える電子回路の駆動方法であって、
前記電源線および前記接地線の間の電圧を初期電圧として、前記第1および第2のスイッチング素子をオンさせた後、前記第1および第2のスイッチング素子をオフさせる第1のステップと、
前記電源線および前記接地線の間の電圧をゼロとするとともに、前記容量素子の他端に対し、前記被駆動素子に流すべき電流に応じた電圧を印加する第2のステップと、
前記電源線および前記接地線の間の電圧を所定の電源電圧として、保持されたゲート電圧にしたがった電流を、前記駆動トランジスタが前記被駆動素子に流す第3のステップと
を備えることを特徴とする電子回路の駆動方法。
A driving transistor for controlling the current flowing through the driven element between the power line and the ground line according to the gate voltage ;
A first switching element that turns on or off between the gate and drain of the driving transistor;
A capacitive element having one end connected to the gate of the driving transistor ;
A second switching element having one end connected to the power supply line and the other end connected to the other end of the capacitive element, and a method for driving an electronic circuit,
A first step of turning off the first and second switching elements after turning on the first and second switching elements using a voltage between the power line and the ground line as an initial voltage ;
A second step of setting a voltage between the power supply line and the ground line to zero and applying a voltage corresponding to a current to be supplied to the driven element to the other end of the capacitive element;
And a third step of causing the driving transistor to flow a current according to a held gate voltage to the driven element using a voltage between the power line and the ground line as a predetermined power supply voltage. To drive an electronic circuit.
前記第1のステップにおいて、
前記第1および第2のスイッチング素子をオンさせ前記被駆動素子に電流を流した後前記第1および第2のスイッチング素子をオフさせて、前記駆動トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧を、前記容量素子の一端および前記駆動トランジスタのゲートに保持させる
請求項1に記載の電子回路の駆動方法。
In the first step,
After passing a current through the said element to be driven by turning on the first and second switching elements, wherein the first and second switching elements are turned off, a voltage corresponding to the threshold voltage of the driving transistor The method for driving an electronic circuit according to claim 1, wherein the capacitor is held at one end of the capacitive element and the gate of the driving transistor.
電源線および接地線の間で被駆動素子に流れる電流をゲート電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間にて第1の期間においてオンし、前記第1の期間後の第2の期間の開始タイミングまでにオフする第1のスイッチング素子と、
一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子と、
前記第1の期間においてオンして、前記電源線に前記容量素子の他端を接続する一方、前記第2の期間、および、この第2の期間後の第3の期間においてオフする第2のスイッチング素子と、
前記被駆動素子に流すべき電流に応じた電圧が印加される信号線と前記容量素子の他端との間にて、前記第2の期間においてオンし、前記第3の期間においてオフする第3のスイッチング素子と
を備え
前記電源線および前記接地線の電圧は、前記第1の期間では初期電圧であり、前記第2の期間ではゼロであり、前記第3の期間では所定の電源電圧である
ことを特徴とする電子回路。
A driving transistor for controlling the current flowing through the driven element between the power line and the ground line according to the gate voltage ;
A first switching element that is turned on in a first period between the gate and drain of the driving transistor and turned off by a start timing of a second period after the first period;
A capacitive element having one end connected to the gate of the driving transistor;
The second period which is turned on in the first period and connected to the other end of the capacitor element to the power supply line , and turned off in the second period and a third period after the second period. A switching element;
A third line that is turned on in the second period and turned off in the third period between a signal line to which a voltage corresponding to a current to be supplied to the driven element is applied and the other end of the capacitive element. and a switching element,
The voltage of the power supply line and the ground line is an initial voltage in the first period, zero in the second period, and a predetermined power supply voltage in the third period. circuit.
前記第1および第2のスイッチング素子は、同一導電型のトランジスタであって、それらのゲートが共通の制御線に接続される
請求項に記載の電子回路。
The electronic circuit according to claim 3 , wherein the first and second switching elements are transistors of the same conductivity type, and their gates are connected to a common control line.
前記被駆動素子は電気光学素子である
請求項3または4に記載の電子回路。
The electronic circuit according to claim 3 , wherein the driven element is an electro-optical element.
前記電気光学素子は有機発光ダイオード素子である
請求項に記載の電子回路。
The electronic circuit according to claim 5 , wherein the electro-optic element is an organic light emitting diode element.
順次選択されると走査線と、電気光学素子に流すべき電流に応じた電圧が印加されるデータ線との交差に対応して画素回路を有する電気光学装置であって、
前記画素回路は、
前記走査線毎に設けられた電源線と、接地線との間で前記電気光学素子に流れる電流をゲート電圧に応じて制御する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間にて、前記走査線が選択されるよりも前の第1の期間においてオンし、前記第1の期間後の、前記走査線が選択される第2の期間の開始タイミングまでにオフする第1のスイッチング素子と、
一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続された容量素子と、
前記第1の期間においてオンして、前記電源線に前記容量素子の他端を接続する一方、前記第2の期間、および、この第2の期間後であって再び前記第1の期間に移行するまでの第3の期間においてオフする第2のスイッチング素子と、
前記データ線と前記容量素子の他端との間にて、前記第2の期間においてオンし、前記第3の期間においてオフする第3のスイッチング素子と
を備え
前記電源線および前記接地線の電圧は、前記第1の期間では初期電圧であり、前記第2の期間ではゼロであり、前記第3の期間では所定の電源電圧である
ことを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device having a pixel circuit corresponding to the intersection of a scanning line and a data line to which a voltage corresponding to a current to be passed through the electro-optical element is applied when sequentially selected,
The pixel circuit includes:
A drive transistor for controlling a current flowing in the electro-optic element between a power supply line provided for each scanning line and a ground line according to a gate voltage ;
The gate is turned on in a first period before the scanning line is selected between the gate and the drain of the drive transistor, and the second scanning line is selected after the first period. A first switching element that is turned off by the start timing of the period;
A capacitive element having one end connected to the gate of the driving transistor;
Turns on in the first period and connects the other end of the capacitive element to the power supply line , shifts to the first period again after the second period and after the second period. A second switching element that is turned off in a third period until
A third switching element that is turned on in the second period and turned off in the third period between the data line and the other end of the capacitor ;
The voltage of the power supply line and the ground line is an initial voltage in the first period, zero in the second period, and a predetermined power supply voltage in the third period. Optical device.
請求項7に記載の電気光学装置を有する電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 7.
JP2004126931A 2004-04-22 2004-04-22 Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus Expired - Lifetime JP4036209B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004126931A JP4036209B2 (en) 2004-04-22 2004-04-22 Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus
US11/092,580 US7649515B2 (en) 2004-04-22 2005-03-29 Electronic circuit, method of driving electronic circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
US12/630,873 US8698714B2 (en) 2004-04-22 2009-12-04 Electronic circuit, method of driving electronic circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004126931A JP4036209B2 (en) 2004-04-22 2004-04-22 Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007234398A Division JP4442666B2 (en) 2007-09-10 2007-09-10 Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005309150A JP2005309150A (en) 2005-11-04
JP4036209B2 true JP4036209B2 (en) 2008-01-23

Family

ID=35135909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004126931A Expired - Lifetime JP4036209B2 (en) 2004-04-22 2004-04-22 Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7649515B2 (en)
JP (1) JP4036209B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8603567B2 (en) * 2002-10-30 2013-12-10 Suntory Holdings Limited Method of manufacturing plant finished product

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW550538B (en) * 2002-05-07 2003-09-01 Au Optronics Corp Method of driving display device
TWI288900B (en) * 2004-04-30 2007-10-21 Fujifilm Corp Active matrix type display device
JP4797336B2 (en) * 2004-05-17 2011-10-19 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
CA2577871A1 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Advance Display Technologies, Inc. Led net display
KR100840116B1 (en) * 2005-04-28 2008-06-20 삼성에스디아이 주식회사 Light Emitting Diode Display
TW200707376A (en) * 2005-06-08 2007-02-16 Ignis Innovation Inc Method and system for driving a light emitting device display
KR100732828B1 (en) * 2005-11-09 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 Pixel and Organic Light Emitting Display Using the same
TWI371018B (en) * 2006-05-09 2012-08-21 Chimei Innolux Corp System for displaying image and driving display element method
JP4882536B2 (en) 2006-06-19 2012-02-22 セイコーエプソン株式会社 Electronic circuit and electronic equipment
JP4259556B2 (en) 2006-09-13 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
JP4259592B2 (en) 2006-09-13 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
TWI442368B (en) 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same
JP2008134625A (en) * 2006-10-26 2008-06-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device and electronic apparatus
KR101373736B1 (en) * 2006-12-27 2014-03-14 삼성디스플레이 주식회사 Display device and driving method thereof
JP5259132B2 (en) * 2006-12-27 2013-08-07 三星ディスプレイ株式會社 Ambient light sensing circuit and flat panel display having the same
ITMI20070100A1 (en) * 2007-01-24 2008-07-25 St Microelectronics Srl PILOT CIRCUIT OF AN OLED DIODE (ORGANIC DIODE AND LIGHT EMISSION), IN PARTICULAR FOR APPLICATION ON AM-OLED DISPLAY
JP5008412B2 (en) * 2007-02-01 2012-08-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Image display device and driving method of image display device
JP4281019B2 (en) * 2007-02-19 2009-06-17 ソニー株式会社 Display device
JP4300492B2 (en) * 2007-03-13 2009-07-22 ソニー株式会社 Display device
JP5257075B2 (en) 2007-06-15 2013-08-07 パナソニック株式会社 Image display device
JP5148951B2 (en) * 2007-08-30 2013-02-20 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Image display device and driving method of image display device
US8599104B2 (en) * 2007-11-13 2013-12-03 Rgb Lights Inc. Modular lighting and video apparatus
JP2009157148A (en) * 2007-12-27 2009-07-16 Seiko Epson Corp Method for driving light-emitting device and light-emitting device, electronic equipment
KR100922065B1 (en) * 2008-06-11 2009-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Pixel and Organic Light Emitting Display Using the same
BRPI0918524A2 (en) * 2008-09-10 2015-12-01 Sharp Kk video device and method for driving it
KR101518742B1 (en) * 2008-09-19 2015-05-11 삼성디스플레이 주식회사 Display device and driving method thereof
KR101282996B1 (en) * 2008-11-15 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro-luminescent display device and driving method thereof
KR101509113B1 (en) * 2008-12-05 2015-04-08 삼성디스플레이 주식회사 Display device and driving method thereof
JP2010175779A (en) * 2009-01-29 2010-08-12 Seiko Epson Corp Driving method of unit circuit and driving method of electrooptical device
BR112012000498A2 (en) 2009-07-10 2020-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha display device
CN102044212B (en) * 2009-10-21 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 Voltage driving pixel circuit, driving method thereof and organic lighting emitting display (OLED)
US9984617B2 (en) * 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
JP5565098B2 (en) * 2010-05-26 2014-08-06 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
JP5655371B2 (en) 2010-05-26 2015-01-21 セイコーエプソン株式会社 Electronic device and driving method thereof
JP5565097B2 (en) 2010-05-26 2014-08-06 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
TW201218163A (en) * 2010-10-22 2012-05-01 Au Optronics Corp Driving circuit for pixels of an active matrix organic light-emitting diode display and method for driving pixels of an active matrix organic light-emitting diode display
JP5982147B2 (en) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
US8922464B2 (en) 2011-05-11 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device and driving method thereof
US8710505B2 (en) 2011-08-05 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6050054B2 (en) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR20130133499A (en) * 2012-05-29 2013-12-09 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and driving method thereof
KR101411619B1 (en) * 2012-09-27 2014-06-25 엘지디스플레이 주식회사 Pixel circuit and method for driving thereof, and organic light emitting display device using the same
KR20140077552A (en) * 2012-12-14 2014-06-24 삼성디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and Driving Method Thereof
KR102218779B1 (en) * 2014-07-04 2021-02-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device
US10375278B2 (en) * 2017-05-04 2019-08-06 Apple Inc. Noise cancellation
KR102174973B1 (en) * 2018-09-11 2020-11-05 (주)실리콘인사이드 Micro led pixel structure control method perfect removing threshold voltage of driving pmos
CN109166522B (en) 2018-09-28 2022-10-18 昆山国显光电有限公司 Pixel circuit, driving method thereof and display device
CN111489698A (en) * 2020-04-24 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate and display device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229506B1 (en) 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JP3594126B2 (en) * 2000-10-13 2004-11-24 日本電気株式会社 Current drive circuit
US6734636B2 (en) 2001-06-22 2004-05-11 International Business Machines Corporation OLED current drive pixel circuit
JP2003073165A (en) 2001-08-30 2003-03-12 Kyocera Corp Zirconia sintered compact for optical connector and its manufacturing method
JP3732477B2 (en) 2001-10-26 2006-01-05 株式会社半導体エネルギー研究所 Pixel circuit, light emitting device, and electronic device
US7456810B2 (en) 2001-10-26 2008-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and driving method thereof
US7071932B2 (en) * 2001-11-20 2006-07-04 Toppoly Optoelectronics Corporation Data voltage current drive amoled pixel circuit
JP2003177709A (en) 2001-12-13 2003-06-27 Seiko Epson Corp Pixel circuit for light emitting element
JP2003195809A (en) 2001-12-28 2003-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd El display device and its driving method, and information display device
JP4144462B2 (en) 2002-08-30 2008-09-03 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
JP3915907B2 (en) 2002-08-30 2007-05-16 カシオ計算機株式会社 Light emission drive circuit, display device, and drive control method thereof
JP3832415B2 (en) 2002-10-11 2006-10-11 ソニー株式会社 Active matrix display device
JP2004286816A (en) 2003-03-19 2004-10-14 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Active matrix type display device and its driving method
JP4484451B2 (en) 2003-05-16 2010-06-16 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Image display device
JP4974471B2 (en) 2004-04-12 2012-07-11 三洋電機株式会社 Organic EL pixel circuit and driving method thereof
TW200540774A (en) 2004-04-12 2005-12-16 Sanyo Electric Co Organic EL pixel circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8603567B2 (en) * 2002-10-30 2013-12-10 Suntory Holdings Limited Method of manufacturing plant finished product

Also Published As

Publication number Publication date
US8698714B2 (en) 2014-04-15
JP2005309150A (en) 2005-11-04
US20100079357A1 (en) 2010-04-01
US20050237273A1 (en) 2005-10-27
US7649515B2 (en) 2010-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4036209B2 (en) Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4033166B2 (en) Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus
US8232936B2 (en) Electronic circuit, method of driving the same, electro-optical device, and electronic apparatus
US8947327B2 (en) Display apparatus, driving method thereof, and electronic system
JP3772889B2 (en) Electro-optical device and driving device thereof
JP4752331B2 (en) Light emitting device, driving method and driving circuit thereof, and electronic apparatus
JP4442666B2 (en) Electronic circuit, driving method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus
KR100627095B1 (en) Pixel circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
US7742027B2 (en) Pixel circuit and display apparatus
US8982016B2 (en) Display device, driving method thereof, and electronic device
JP4797336B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
KR100749110B1 (en) Pixel circuit, method of driving the same, electro-optical device, and electronic apparatus
US20240321209A1 (en) Electro-optical device and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070710

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070910

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070910

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071009

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071022

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4036209

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109

Year of fee payment: 6

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term