JP4088711B2 - 光電変換素子及びその製造方法、並びに光センサ及び太陽電池 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 claims description 65
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 claims description 64
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 59
- 150000004032 porphyrins Chemical group 0.000 claims description 50
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 24
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 6
- 125000002228 disulfide group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical group N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- HZRURKXIKYPPNX-UHFFFAOYSA-N 5-[2-[2-[20-[2-[2-(3,5-dihydroxyphenyl)ethenyl]phenyl]-21,23-dihydroporphyrin-2-yl]phenyl]ethenyl]benzene-1,3-diol Chemical compound OC=1C=C(C=CC2=C(C=CC=C2)C=2C=C3NC2C(=C2C=CC(=N2)C=C2C=CC(N2)=CC=2C=CC(N2)=C3)C3=C(C=CC=C3)C=CC3=CC(=CC(=C3)O)O)C=C(C1)O HZRURKXIKYPPNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 10
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 7
- AGBQKNBQESQNJD-SSDOTTSWSA-N (R)-lipoic acid Chemical compound OC(=O)CCCC[C@@H]1CCSS1 AGBQKNBQESQNJD-SSDOTTSWSA-N 0.000 description 6
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QRSCCPSBHPQENA-UHFFFAOYSA-N CCCCC(C1=CC=CC=C1)=C(C1=CC(C(O[SiH](C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)=C(CCCC)C2=CC=CC=C2)=CC(C2=C(C(C3=CC(C(O[SiH](C4=CC=CC=C4)C4=CC=CC=C4)=C(CCCC)C4=CC=CC=C4)=CC(C(O[SiH](C4=CC=CC=C4)C4=CC=CC=C4)=C(CCCC)C4=CC=CC=C4)=C3)=C(C=C3)N=C3C=C(C=C3)NC3=CC(C=C3)=NC3=C3)NC3=C2)=C1)O[SiH](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound CCCCC(C1=CC=CC=C1)=C(C1=CC(C(O[SiH](C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)=C(CCCC)C2=CC=CC=C2)=CC(C2=C(C(C3=CC(C(O[SiH](C4=CC=CC=C4)C4=CC=CC=C4)=C(CCCC)C4=CC=CC=C4)=CC(C(O[SiH](C4=CC=CC=C4)C4=CC=CC=C4)=C(CCCC)C4=CC=CC=C4)=C3)=C(C=C3)N=C3C=C(C=C3)NC3=CC(C=C3)=NC3=C3)NC3=C2)=C1)O[SiH](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 QRSCCPSBHPQENA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- AGBQKNBQESQNJD-UHFFFAOYSA-N alpha-Lipoic acid Natural products OC(=O)CCCCC1CCSS1 AGBQKNBQESQNJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LWARHPCBBSHZCD-UHFFFAOYSA-N butyl-[3-[butyl(diphenyl)silyl]oxy-5-ethenylphenoxy]-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(CCCC)OC(C=C(C=C)C=1)=CC=1O[Si](CCCC)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LWARHPCBBSHZCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 235000019136 lipoic acid Nutrition 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229960002663 thioctic acid Drugs 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 5
- -1 butyldiphenylsiloxy Chemical group 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N Boron trifluoride etherate Chemical compound FB(F)F.CCOCC KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 3
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 3
- ZLDMZIXUGCGKMB-UHFFFAOYSA-N 3,5-dibromobenzaldehyde Chemical compound BrC1=CC(Br)=CC(C=O)=C1 ZLDMZIXUGCGKMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLISOBUNKGBQCL-UHFFFAOYSA-N 3-[ethoxy(dimethyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(C)CCCN GLISOBUNKGBQCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007341 Heck reaction Methods 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical group C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003935 benzaldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- VEPTXBCIDSFGBF-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;fluoride;trihydrate Chemical compound O.O.O.[F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VEPTXBCIDSFGBF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CCHJADPEZVGYJL-UHFFFAOYSA-N 3,5-bis[[butyl(diphenyl)silyl]oxy]benzaldehyde Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(CCCC)OC(C=C(C=O)C=1)=CC=1O[Si](CCCC)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CCHJADPEZVGYJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAQLHRYUDBKTJG-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC(O)=CC(C=O)=C1 HAQLHRYUDBKTJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007239 Wittig reaction Methods 0.000 description 1
- YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical compound [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001720 action spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical class Br* 0.000 description 1
- GTXRYQGMNAPQDP-UHFFFAOYSA-N butyl-chloro-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(CCCC)C1=CC=CC=C1 GTXRYQGMNAPQDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005100 correlation spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000012458 free base Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- JNMIXMFEVJHFNY-UHFFFAOYSA-M methyl(triphenyl)phosphanium;iodide Chemical compound [I-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C)C1=CC=CC=C1 JNMIXMFEVJHFNY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N palladium(II) acetate Substances [Pd].CC(O)=O.CC(O)=O LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FIKAKWIAUPDISJ-UHFFFAOYSA-L paraquat dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].C1=C[N+](C)=CC=C1C1=CC=[N+](C)C=C1 FIKAKWIAUPDISJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002165 photosensitisation Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBVXKDJEZKEASM-UHFFFAOYSA-M tetraoctylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCC[N+](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)CCCCCCCC QBVXKDJEZKEASM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換素子及びその製造方法、並びに光センサ及び太陽電池に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光電変換素子は、光センサや太陽電池の主要部分を成すものである。
【0003】
光センサとしては、これまで、ケイ素SiやゲルマニウムGeなどの無機半導体材料を用いた半導体光センサが最もよく知られている。これらの半導体材料では、半導体のバンドギャップエネルギーよりも大きなエネルギーをもつフォトンが吸収されると、価電子帯の電子が伝導帯に励起され、価電子帯には正孔が発生する。半導体光センサは、上記の光吸収にともなう電荷キャリア濃度の変化を電気的特性、例えば抵抗値の変化として検出するものである。
【0004】
半導体光センサは、バンドギャップエネルギーよりも大きなエネルギーをもつフォトンにはすべて応答するので、特定の波長の光にのみ応答する選択性をもたせるには、光学フィルタ等の補助手段が必要になる。
【0005】
特定の波長の光に対する選択性をセンサ自身に持たせ得るものとして、有機材料、例えば有機色素を用いた光センサも知られている。例えば、有機薄膜を用いた光電変換素子は、基板上に有機分子を蒸着又は塗布することで形成され、原理的に大きな出力電圧が期待されるため、これまで光センサー等の用途に向け開発されてきた。
【0006】
しかし、有機薄膜の形成が困難であるため、センサ作製が難しく、作製されたセンサの感度も十分ではない。更に、そのような膜においては色素同士が近接して存在しているため、エキシマを生成して失活するなど、色素同士の相互作用による消光が生じ、入射したフォトンが有効に利用できないという問題点がある。更に、有機薄膜は内部抵抗が大きいため、大きな電流を取り出すことができないという問題点もある。
【0007】
太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置の1種である。太陽電池は、化石燃料に代わるエネルギー源として注目され、半導体のpn接合を利用する太陽電池や、酸化チタンTiO2などの半導体層に吸着された色素の光増感作用を利用する色素増感型太陽電池等が知られている。
【0008】
しかし、現状における太陽電池は、製造コストの高さ、光電変換効率の低さなど改善すべき点が多い。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
光電変換素子を効果的に動作させる上で最も重要な点は、光エネルギーを吸収して生じた電子と陽イオン(又は正孔)をいかに効率よく分離するかということと、分離された電荷キャリアをいかにすみやかに外部へ電流として取り出すかということである。
【0010】
そのような観点からいま最も注目されている物質の一つに、デンドリマー構造を有する高分子がある。例えば、コア(中心部)にポルフィリン構造を有し、デンドロン部位の外表面にカルボキシレートやアンモニウムなどのイオン性官能基を有するデンドリマーポルフィリンの外表面に、ビオロゲンなどの電子受容性分子を捕捉させたものは、コアのポルフィリン部位が光で励起されると、デンドロン部位を介してコアから電子受容体までの長距離の電子移動が起こり、電荷分離の状態を与え、この電荷分離の状態は長い寿命をもつ(R.Sadamotoら,J.Am.Chem.Soc.(1996),118,3978)。
【0011】
更に、カチオン性表面を有する球状デンドリマーのコアに亜鉛ポルフィリンを導入したものを光励起エネルギー供与体、アニオン性表面を有する球状デンドリマーのコアにフリーベースポルフィリンを導入したものを光励起エネルギー受容体として、デンドリマー間で光励起エネルギーの授受を行わせた報告もなされている(N.Tomiokaら,Angew.Chem.Int.Ed.(1998),37,1531-1534、相田卓三,化学と工業(1999),52,955-958)。
【0012】
これらの例のように、分子鎖を介して長距離の電子移動や光励起エネルギー移動を起こさせる試みは種々報告されているが、それを外部へ電流として取り出したという成功例は少なく、満足できる電流値も得られていない(H.Imahoriら,J.Phys.Chem.B(2000),104,1253-1260)。
【0013】
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、新しい構成を有する光電変換素子及びその製造方法、並びにその光電変換素子を用いた光センサ及び太陽電池を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、電子供与体として働く光吸収性のデンドリマー構造体と、電子受容体として働く金属微粒子との集合体からなる光電変換層を有する光電変換素子及びその製造方法、並びにその光電変換素子を電荷分離層として用いた光センサ及び太陽電池に係わるものであって、
前記デンドリマー構造体が、光吸収性のあるポルフィリン構造又はフタロシアニン構 造の分子又は原子団をコア部に有すると共に、金、白金、パラジウム及び銀からなる群 より選ばれた少なくとも1種の微粒子である前記金属微粒子と結合するジスルフィド基 を表面に有する
ことを特徴とするものである。
【0015】
本発明によれば、まずデンドリマーの光吸収性のある部位である前記コア部が光励起される。この光励起されたコア部から、デンドロン部位の電子鎖を貫通して、電子がデンドリマー外部に長距離移動する。そして電子は前記電子受容体として働く前記金属微粒子にまで到達できる。
【0016】
即ち、前記光吸収性の物質がデンドリマー構造を有するため、光吸収によって電荷分離した電子が、集電体として機能する前記金属微粒子にまで到達できる。
【0017】
前記デンドロン部位によって前記光吸収性のある部位と前記金属微粒子の間に距離がつくられるので、逆電子移動が抑えられることにより、電荷分離状態の長寿命化が達成される。そのため、前記金属微粒子による自己消光を防ぐことができ、電荷分離状態が熱的に失活することが少ない。
【0018】
また、前記デンドロン部位によって前記光吸収性のある部位同士も隔てられるので、前記光吸収性物質同士の相互作用によって消光が起こることもない。
【0019】
更に、前記電子受容体が前記金属微粒子であるため、前記金属微粒子同士又は/及び前記金属微粒子と電極との接触を通じて、電子はすみやかに外部へ電流として導き出される。また前記金属微粒子の表面プラズモンによる増強効果によって前記光吸収性物質の光吸収が増強され、電荷分離が促進される。
【0020】
従って、高感度、高出力、低内部抵抗の前記光電変換素子を作製できる。
【0021】
また、前記光吸収性の物質を適切に選択することで、特定の波長の光にのみ選択的に応答する光センサを光学フィルタなしに作製できる。
【0022】
前記光電変換素子を太陽電池の電荷分離層として用いた場合、従来の色素増感型太陽電池で用いられてきた半導体電極が不要になり、フレキシブルな形状の太陽電池を実現できる。また、デンドリマー/金属ナノ微粒子複合膜は多孔質膜であり、電解質との接触面積が大きく取れるため、高効率なセルが得られる。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明において、前記金属微粒子がナノサイズ(特に10nm以下)の粒径を有するのがよい。
【0026】
また、一対の電極層間に、前記光電変換層と電解質層とが積層して配置されているのがよい。
【0027】
本発明において、前記デンドリマー構造体と前記金属微粒子とを集合させて前記光電変換層を形成するのがよい。そのとき、前記電極層上に前記金属微粒子を付着させる工程と、前記デンドリマー構造体を付着させる工程とを順次少なくとも1回行うのがよい。
【0028】
また、前記金属微粒子と結合可能な官能基を支持体の表面に導入した後、前記金属微粒子及び前記デンドリマー構造体を付着させる工程を行うのがよい。
【0029】
本発明において、前記デンドリマー構造体と前記金属微粒子との自己集合によって前記光電変換層が形成されるので、光電変換素子の作製が簡単で、膜厚や積層構造の制御が簡単である。
【0030】
以下、本発明に基づく実施の形態を図面参照下に具体的に説明する。
【0031】
図1は、本発明の実施の形態の一例として、電極周辺での光吸収性のデンドリマー構造体1と金属微粒子2との集合体の構造を示す光電変換層主要部の概略断面図である。図1(a)では、第1層目に金属微粒子2の層、第2層目にデンドリマー構造体1の層、第3層目に金属微粒子2の層というように、両者が規則正しく配列されている。図1(b)では、配列に乱れがあり粒子間に比較的多くの隙間が形成されている。いずれの状態が形成されるのかということは、デンドリマー構造体1と金属微粒子2の大きさの違い、化学的性質、集合体の形成方法等に依存する。
【0032】
後述の作製方法に従い、デンドリマー構造体1がメソ-テトラキス(3,5-ビス(3′,5′-ジヒドロキシスチリル)フェニル)ポルフィリン(4)のヒドロキシル基がチオクト酸でエステル化されたポルフィリン(5)であり、金属微粒子2が金のナノ粒子である集合体を作製した場合には、デンドリマー構造体1の粒径がおおよそ2nm、金属微粒子2の粒径がおおよそ4nmであるので、図1(b)のような構造をとっているものと思われる。
【0033】
この場合、チオクト酸には金の微粒子と化学的な親和性をもつジスルフィド基があるため、デンドリマー構造体1と金属微粒子2の間に拡大図に示したような結びつきが形成される。
【0034】
上記の例のようにデンドリマー構造体1と金属微粒子2が化学的な親和性を有することが肝要であり、その結果、図1に示した集合体は、本質的に重要な構造上の特徴をもつ。
【0035】
第1の特徴は、デンドリマー構造体1は金属微粒子2に取り囲まれ、デンドリマー構造体1を電子供与体、金属微粒子2を電子受容体とする電子移動が起こりやすい配置が形成されていることである。
【0036】
第2の特徴は、デンドリマー構造体1に比べやや大きい金属微粒子2同士は互いに接触しており、金属微粒子2同士及び金属微粒子2と金属電極4との接触を通じて、電子の流路が形成されていることである。
【0037】
このため、デンドリマー構造体1が光を吸収すると、励起された電子は、分子鎖を介して電子受容体である金属微粒子2にまで到達し、さらに金属微粒子2同士及び金属微粒子2と金属電極4との接触を通じてすみやかに外部へ電流として導き出される。
【0038】
従って、電荷分離状態が熱的に失活したり、光吸収性物質同士の相互作用によって消光が起こることがない。
【0039】
また金属微粒子による表面プラズモンによる増強効果により色素の光吸収が増強され、電荷分離が促進される。光電変換層に入射した光は、デンドリマー構造体1によって吸収されるまで、金属微粒子2に反射されながら光電変換層内を進むので、光の利用効率は高い。
【0040】
なお、金属微粒子2が金属電極4の支持体5、例えばガラス基板と接触する場合には、金属微粒子2と支持体5の両者に親和性をもつ物質3によって、支持体5の表面を前処理しておくのがよい。例えば、金属微粒子2が金の微粒子であり、支持体5がガラス基板である場合には、ガラス基板を3-アミノプロピルジメチルエトキシシランの溶液で加熱処理し、ガラス基板上にアミノ基を導入しておくのである。
【0041】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【0042】
実施例1
以下、デンドリマーポルフィリンの合成とデンドリマーポルフィリン/金属ナノ微粒子複合膜の作製について、順を追って説明する。
【0043】
まず、<工程1〜工程5>でデンドリマーポルフィリンを合成する。図2と3は、合成の反応フロー図である。
【0044】
<工程1 Wittig反応による3,5-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)スチレン(1)の合成と精製>
3,5-ジヒドロキシベンズアルデヒドと2当量のブチルクロロジフェニルシラン CH3CH2CH2CH2SiCl(C6H5)2とを、過剰量のイミダゾールの存在下に乾燥塩化メチレン中で反応させることにより、ほぼ100%の収率で定量的に3,5-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)ベンズアルデヒドを得た。
【0045】
上記ベンズアルデヒド誘導体(18.87g、29.58mmol)をアルゴン雰囲気下で乾燥テトラヒドロフラン50mLに溶解した。この溶液を、三方コック付き300mL二口フラスコ(ラバーセプタム付き)内のアルゴン雰囲気下に乾燥テトラヒドロフラン135ml中でヨウ化メチルトリフェニルホスホニウム(CH3)(C6H5)3PIとカリウムtert−ブトキシドとを予め反応させておいた溶液に滴下した。90分間室温で撹拌した後、溶媒を留去し、ヘキサンで抽出したものをシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製して、3,5-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)スチレン(1)(15.95g)を得た(収率88%)。
【0046】
<工程2 Heck反応による3,5-ビス(3′,5′-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)スチリル)ベンズアルデヒド(2)の合成と精製>
(パラジウムPd触媒の調製)
酢酸パラジウム(II)(0.90g、4.0mmol)とトリス(o-トリル)ホスフィン(1.60g、5.26mmol)をアルゴン雰囲気下に乾燥トルエン100mL中で反応させることにより、黄色針状結晶として目的のパラジウム触媒を得た。
【0047】
(Heck反応)
減圧下で乾燥した後、残留する空気をアルゴンで置換した三方コック付き50mL円筒形一口フラスコに、3,5-ジブロモベンズアルデヒド(1.06g、4.0mmol)、3,5-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)スチレン(1)(6.13g、10.0mmol)、炭酸ナトリウム(1.06g、10.0mmol)、上記パラジウム触媒8.1mg、2,6-ジ-tert-ブチル-p-クレゾール(0.44g、2.0mmol)、無水N,N-ジメチルアセトアミド5.0mLを入れ、3回アルゴン置換を繰り返した。そして130℃にて24時間反応させた後、1.5M塩酸25mL/エーテル250mLで溶媒抽出した。
【0048】
エーテル層を脱イオン水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濾過、溶媒留去し、約8gの粘稠な生成物を得た。この生成物をヘキサンとジクロロメタンとの混合溶媒(ヘキサンの体積分率30%)を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離し、四番目のフラクションとして1.04gの標記アルデヒドを得た。このフラクションには、まだ、3,5-ジブロモベンズアルデヒドの2つの臭素のうち、一方の臭素のみが置換された副生物が含まれていたので、さらに分取ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)にて精製し、0.75gの純粋な3,5-ビス(3′,5′-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)スチリル)ベンズアルデヒド(2)を得た(収率14%)。
【0049】
<工程3 メソ-テトラキス(3,5-ビス(3′,5′-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)スチリル)フェニル)ポルフィリン(3)の合成と精製>
よく乾燥し残留する空気をアルゴンで置換した三方コック付き100mL二口ナス形フラスコに、3,5-ビス(3′,5′-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)スチリル)ベンズアルデヒド(2)(0.75g、0.565mmol)を入れ、更にアルゴンで置換した後、ピロール(0.039mL、0.565mmol)と溶媒として脱気したクロロホルム56.5mLを加え、ベンズアルデヒド誘導体(2)を溶解させた。そこにボロントリフルオリドジエチルエーテラート(ジエチルエーテル-三フッ化ホウ素)BF3O(C2H5)2(26.4mg)を加え、室温で1時間反応させた。その後、p-クロルアニル(テトラクロロ-p-ベンゾキノン)(104.2mg)を加え、さらに1時間撹拌した。
【0050】
反応後、クロロホルムを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィで生成物を分離し、ポルフィリンの蛍光を有する最初のフラクションを分取した(0.67g)。さらにこの粗生成物を分取GPCにて精製することにより、最大の分子量を与えるフラクションが目的のポルフィリンであるとして、ポルフィリン(3)(0.58g)を回収した(収率75%)。
【0051】
<工程4 メソ-テトラキス(3,5-ビス(3′,5′-ジヒドロキシスチリル)フェニル)ポルフィリン(4)の合成と精製>
メソ-テトラキス(3,5-ビス(3′,5′-ビス(ブチルジフェニルシロキシ)スチリル)フェニル)ポルフィリン(3)とフッ化テトラブチルアンモニウム三水和物(0.59g、0.11mmol)を三方コック付き200mL二口ナス形フラスコに入れ、空気をアルゴンで置換した後、乾燥テトラヒドロフラン30mLを加え10時間反応させた。
【0052】
生じた黒色微結晶を濾過し、エーテル、塩化水素の0.1Mエーテル溶液、脱イオン水50mLを順次用いてよく洗浄した後、メタノール50mLに溶解させた。濾過後、溶媒を留去し、減圧下で乾燥することで、メソ-テトラキス(3,5-ビス(3′,5′-ジヒドロキシスチリル)フェニル)ポルフィリン(4)(134.6mg)を得た(収率76%)。
【0053】
<工程5 メソ-テトラキス(3,5-ビス(3′,5′-ジヒドロキシスチリル)フェニル)ポルフィリン(4)とチオクト酸とのエステル化反応による、ジスルフィド基が導入されたデンドリマーポルフィリン(5)の合成と精製>
予め乾燥した三方コック付き200mL二口ナス形フラスコにメソ-テトラキス(3,5-ビス(3′,5′-ジヒドロキシスチリル)フェニル)ポルフィリン(4)(134.6mg、0.078mmol)を入れ、さらに2時間真空乾燥を行った。その後、アルゴン気流下でチオクト酸(別名リポ酸)(284.2mg、1.38mmol)、ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)(489.9mg、2.37mmol)、4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)(53.7mg、0.44mmol)をすばやく加え、更に真空脱気して残留空気をアルゴンで置換した後、乾燥トルエン22mLと乾燥テトラヒドロフラン10mLとの混合溶媒を加え室温で撹拌した。
【0054】
3日後、サンプルを取りシリカゲル薄層クロマトグラフィ(TLC)にて分析した。生成物と思われる低極性のポルフィリンに加え、少量の原料が見られたため、更にチオクト酸(56.8mg)、DCC(98.0mg)、DMAP(10.7mg)を溶解した乾燥テトラヒドロフラン20mLを加え、さらに3日間反応させた。
【0055】
反応混合物をアルゴン雰囲気下でメタノール中に滴下することでポルフィリン成分を沈殿させた。このテトラヒドロフランへの溶解とメタノール中での沈殿生成の操作を繰り返すことで、生成物を精製した。減圧乾燥して赤紫色のガラス状固体、ジスルフィド基が導入されたデンドリマーポルフィリン(5)(320.1mg)を得た(収率87%)。
【0056】
上記のガラス状固体のGPC分析では、ごくわずかの高分子量成分(おそらくは二量体)の存在が認められたが、きれいな単峰性ピークのクロマトグラムが得られ、チオクト酸基が完全に導入されたことがわかった。
【0057】
図4は、分取GPCをリサイクルGPCとして働かせ、分離操作後の流出成分を再び試料導入口に戻すことにより、同一試料に対して分離操作を繰り返し行った場合のクロマトグラムである。粗生成物中には、デンドリマーポルフィリン(5)よりわずかに早く流出する不純物が含まれている。この不純物とデンドリマーポルフィリン(5)の分離は、1回目の分離操作では不十分であるが、分離操作を繰り返すごとに良くなり、3回目の分離操作で両者は完全に分離する。ここでは、3回目の分離操作で、不純物に遅れて流出するデンドリマーポルフィリン(5)を分取した。不純物はわずかで、純度良く化合物(デンドリマーポルフィリン(5))が合成されたことを示している。
【0058】
また、このガラス状固体の 1H NMR分光法(一次元通常測定、二次元 1H−1H COSY(Correlation Spectroscopy)測定)によるスペクトルから、デンドリマーポルフィリン(5)の構造が確認された(図5及び6)。図5は、吸収スペクトル全体を示す。図6は、デンドリマーポルフィリンの構造を確認する上で特に重要な、デンドロン部位に含まれる水素原子H(1)〜H(6)による6.7〜8.3ppmの吸収スペクトルの拡大図である。
【0059】
また、このガラス状固体の紫外可視光吸収スペクトルを測定し、ポルフィリン構造の存在を示すSoret帯の吸収を確認した(図7)。
【0060】
次にデンドリマーポルフィリン/金属ナノ微粒子複合膜の作製について説明する。
【0061】
<工程6 金ナノ微粒子の調製>
ドデシルアミンによって安定化された金ナノ微粒子のコロイド溶液はLeffらによる報告(D.V.Leffら、Langmuir(1996),12,4723-30)に従って調製した。
【0062】
蒸留水20mLに塩化金(III)AuCl3160mgを溶解し、激しく撹拌しながら臭化テトラオクチルアンモニウム639mgをトルエン20mLに溶かした溶液を加えた。トルエン層がオレンジ色になり、水層が無色になるまで撹拌した。さらにドデシルアミン1178mgをトルエン20mLに溶かした溶液を上記の溶液に加えたところ、トルエン層がオレンジ色から赤色に変化した。激しく撹拌しながら、テトラヒドロホウ酸ナトリウム(水素化ホウ素ナトリウム)NaBH4221mgを水15mLに溶かした水溶液をこの溶液に加えた。トルエン層の色は直ちに濃い紫色に変化した。
【0063】
一晩室温で撹拌後、トルエン層を分離し、エタノール40mLを加えた。この混合溶液を−18℃のフリーザー中にて一晩静置し、沈殿物を0.45μmの孔径を有するナイロンフィルターで濾過し、トルエン17.5mLに再溶解した。
【0064】
この溶液に対し分別再沈殿の操作を繰り返し行った。分別再沈殿の操作手順は、
1.エタノール40mLの添加
2.−18℃のフリーザー中にて一晩静置
3.遠心分離による沈殿物の分離
である。
【0065】
上記の操作を繰り返して沈殿物を4つのフラクションに分割し、ちょうど良い粒径を示すフラクション2をセンサ作製に使用した。フラクション2のTEM(透過型電子顕微鏡)測定で、金ナノ微粒子は平均3.9nm(±1.2nm)の粒径の結晶であることがわかった。
【0066】
<工程7 デンドリマーポルフィリン/金属ナノ微粒子複合膜の作製とキャラクタリゼーション>
複合膜は、図9に示したくし形電極10をパターニングしたBK7ガラス(ホウケイ酸ガラス7番)のガラス基板11上に積層した。
【0067】
電極構造は、ガラス基板11上の厚さ5nmのTi吸着層の上に厚さ95nmの金層を積層し、10μmの電極幅、10μmの間隔で、1800μmのオーバーラップからなる。複合膜作製前に、ガラス基板をアセトン、2-プロパノールで洗浄し、さらに酸素プラズマ(30W、0.24mbar、4分間)にて処理した。3-アミノプロピルジメチルエトキシシラン50μLをトルエン5mLに溶かした溶液に、洗浄したガラス基板を浸漬して30分間60℃に加熱し、ガラス基板上にアミノ基を導入した。
【0068】
この基板をトルエンで洗浄後、<工程6>で調製した金ナノ微粒子の溶液に15分間浸漬した。金微粒子溶液の濃度は波長514nmの光の吸光度が0.4であった。次にデンドリマーポルフィリン(5)10mgをトルエン5mLに溶かした溶液に15分間浸漬した。
【0069】
ガラス基板を2つの溶液に上記の順序で交互に浸漬する操作を14回繰り返した。金微粒子のプラズモン吸収である波長514nmの光の吸光度を測定することにより、サイクルごとに積層の度合いを調べた(図8)。
【0070】
AFM(原子間力顕微鏡)のタッピングモードの測定より、孔径約60nmの多孔質の膜が形成されていることがわかった。膜抵抗は1.6MΩであった。タッピングモードとは、AFMの測定方法の一つで、探針をつけたカンチレバーをピエゾ素子の共振周波数近傍(約50〜500kHz)で振動させ、サンプル表面を断続的に軽く触れながら(タップしながら)走査することにより、表面形状を測定する方法で、表面のダメージが少ない測定方法である。
【0071】
デンドリマー構造体1と金属微粒子2が化学的な親和性を有するため、上記のように電極層上に前記金属微粒子を付着させる工程とデンドリマー構造体を付着させる工程とを交互に行うことにより、自己集合的に薄膜を形成させることができる。
【0072】
デンドリマー構造体1と金属微粒子2との自己組織化を利用するので、素子の作製が簡単で、膜厚や積層構造の制御が簡単である。自己組織化により簡単に三次元に光吸収物質が組織化された十分な光吸収特性を有する膜が作製できる。
【0073】
実施例2
前記くし形電極上に形成されたデンドリマーポルフィリン/金属ナノ微粒子複合膜の光センサとしての機能を調べた。
【0074】
両電極間に微少電流(約20nA)を流しながら、150Wキセノンランプによる白色光を照射したところ、著しく抵抗の減少が見られた。これは光照射によりデンドリマーポルフィリン・金微粒子間に電荷分離が生じ、それが電流のキャリアとなったためと考えられる。
【0075】
モノクロメーターによって単色光を選別し、単色光の波長を変化させながら、光照射によって流れる電流値の変化を記録したアクションスペクトルでは、ほぼポルフィリン錯体の吸収に伴う光電流が観測され、ポルフィリン色素が有効に機能していることがわかる。
【0076】
これらのことから、このデンドリマーポルフィリン/金属ナノ微粒子複合膜が光センサとして有効であることがわかった。
【0077】
実施例3
図10は、デンドリマー/金属ナノ微粒子複合膜34を用いた光電池の主要部概略断面図である。
【0078】
前項のくし形電極同様、BK7ガラス基板36上のTi吸着層の上に厚さ95nmの金層35を一面に積層した。複合膜作製前に、ガラス基板36をアセトン、2-プロパノールで洗浄し、さらに酸素プラズマ(30W、0.24mbar、4分間)にて処理した。
【0079】
洗浄したガラス基板を<工程6>で調製した金ナノ微粒子の溶液に15分間浸漬した。金微粒子溶液の濃度は波長514nmの吸光度0.4であった。次にデンドリマーポルフィリン10mgをトルエン5mLに溶かした溶液に15分間浸漬した。
【0080】
この操作を14回繰り返した。このガラス板に厚さ0.3mmのコの字形スペーサ37(内側寸法 20mm×5mm)を乗せ、その上にさらに白金のメッシュ状電極32をパターニングしたガラス基板31を乗せてしっかりと挟むことでセルを作製した。そのセルに電解液33としてメチルビオロゲン(10mM)の0.1M硫酸ナトリウム溶液をアルゴン雰囲気下で封入することで光電池セルを作製した。
【0081】
このセルに、基準電極として塩化カリウム飽和水溶液に浸した銀・塩化銀電極を加えて、3電極式のボルタンメトリー測定を行った。デンドリマーポルフィリンのソーレー帯の吸収に相当する429nmの単色光(6mW)を照射しながら、基準電極に対する金電極の電位を−200mVから700mVに掃引したところ、−200mVのバイアス電位において6mA/cm2もの光電流が観測された。
【0082】
これは金電極上でこれまで報告されている値660nA(H.Imahoriら,J.Phys.Chem.B(2000),104,1253-1260)に比べ際だって大きく、この系の有用性を示唆するものである。
【0083】
本実施例では、ポルフィリン構造に亜鉛イオンは導入されていない。ポルフィリン構造への亜鉛イオンの導入は、酢酸亜鉛で飽和させたメタノール溶液にガラス基板を浸漬する事で可能である。ポルフィリン構造に亜鉛イオンを導入すると、変換効率は一層向上すると思われる。
【0084】
本発明に基づく光電変換素子を太陽電池の電荷分離層として用いた場合、従来の色素増感型太陽電池で用いられてきた半導体電極が不要になり、フレキシブルな形状の太陽電池を実現できる。また、デンドリマー/金属ナノ微粒子複合膜34は多孔質膜であり、電解質との接触面積が大きく取れるため、高効率なセルが得られる。
【0085】
以上、本発明を実施の形態及び実施例に基づいて説明したが、本発明はこれらの例に何ら限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。
【0086】
【発明の作用効果】
本発明によれば、光吸収性の物質がデンドリマー構造を有するため、光吸収によって電荷分離した電子が、集電体として機能する金属微粒子にまで到達できる。
【0087】
即ち、まずデンドリマーの光吸収性のある部位であるコア部が光励起される。この光励起されたコア部から、デンドロン部位の電子鎖を貫通して、電子がデンドリマー外部に長距離移動する。そして電子は電子受容体として働く金属微粒子にまで到達できる。
【0088】
デンドロン部位によって光吸収性のある部位と金属微粒子の間に距離がつくられるので、逆電子移動が抑えられることにより、電荷分離状態の長寿命化が達成される。そのため、金属微粒子による自己消光を防ぐことができ、電荷分離状態が熱的に失活することが少ない。
【0089】
また、デンドロン部位によって光吸収性のある部位同士も隔てられるので、光吸収性物質同士の相互作用によって消光が起こることもない。
【0090】
更に、電子受容体が金属微粒子であるため、金属微粒子同士又は/及び金属微粒子と電極との接触を通じて、電子はすみやかに外部へ電流として導き出される。また金属微粒子の表面プラズモンによる増強効果によって光吸収性物質の光吸収が増強され、電荷分離が促進される。
【0091】
従って、高感度、高出力、低内部抵抗の光電変換素子を作製できる。
【0092】
また、光吸収性の物質を適切に選択することで、特定の波長の光にのみ選択的に応答する光センサを光学フィルタなしに作製できる。
【0093】
本発明に基づく光電変換素子を太陽電池の電荷分離層として用いた場合、従来の色素増感型太陽電池で用いられてきた半導体電極が不要になり、フレキシブルな形状の太陽電池を実現できる。また、電解質との接触面積が大きく取れるため、高効率なセルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例としての光電変換層主要部の概略断面図である。
【図2】同、デンドリマーポルフィリン合成の反応フロー図である。
【図3】同、デンドリマーポルフィリン合成の反応フロー図である。
【図4】同、ガラス状固体のリサイクルGPCによるクロマトグラムである。
【図5】同、ガラス状固体がデンドリマーポルフィリン(5)であることを示す二次元 1H−1H COSY測定によるNMRスペクトルである。
【図6】同、ガラス状固体がデンドリマーポルフィリン(5)であることを示す二次元 1H−1H COSY測定によるNMRスペクトルである(6.7〜8.3ppm領域の拡大図)。
【図7】同、ガラス状固体にポルフィリン構造が存在することを示す紫外可視光吸収スペクトル図である。
【図8】同、光電変換層の光吸収スペクトルを積層回数毎に示す紫外可視光吸収スペクトル図である。
【図9】本発明の実施の形態の一例の光センサに用いられるくし形電極の概略平面図(a)と概略斜視図(b)である。
【図10】本発明の実施の形態の一例の光電池の概略断面図である。
【符号の説明】
1…デンドリマー構造体、2…金属微粒子、3…金属親和性物質、
4…金属電極、5…ガラス基板、10…くし形電極、11…ガラス基板、
12…端子、31…ガラス基板、32…白金電極、33…電解液、
34…デンドリマーポルフィリン/金ナノ微粒子複合膜、35…金電極層、
36…BK7ガラス基板、37…コの字形スペーサ
Claims (11)
- 電子供与体として働く光吸収性のデンドリマー構造体と、電子受容体として働く金属微粒子との集合体からなる光電変換層を有する光電変換素子であって、
前記デンドリマー構造体が、光吸収性のあるポルフィリン構造又はフタロシアニン構 造の分子又は原子団をコア部に有すると共に、金、白金、パラジウム及び銀からなる群 より選ばれた少なくとも1種の微粒子である前記金属微粒子と結合するジスルフィド基 を表面に有する
ことを特徴とする光電変換素子。 - 前記金属微粒子がナノサイズの粒径を有する、請求項1に記載した光電変換素子。
- 一対の電極層間に、前記光電変換層と電解質層とが積層して配置されている、請求項1に記載した光電変換素子。
- 請求項1に記載した光電変換素子の製造方法であって、前記デンドリマー構造体と前記金属微粒子とを集合させて光電変換層を形成する、光電変換素子の製造方法。
- 電極層上に前記金属微粒子を付着させる工程と、前記デンドリマー構造体を付着させる工程とを順次少なくとも1回行う、請求項4に記載した光電変換素子の製造方法。
- 前記金属微粒子と結合可能な官能基を支持体の表面に導入した後、前記金属微粒子及び前記デンドリマー構造体を付着させる工程を行う、請求項5に記載した光電変換素子の製造方法。
- 請求項2又は3に記載した光電変換素子を製造する、請求項4に記載した光電変換素子の製造方法。
- 請求項1に記載した光電変換素子を電荷分離層として用いた光センサ。
- 前記光電変換素子が請求項2又は3に記載した光電変換素子である、請求項8に記載した光センサ。
- 請求項1に記載した光電変換素子を電荷分離層として用いた太陽電池。
- 前記光電変換素子が請求項2又は3に記載した光電変換素子である、請求項10に記載した太陽電池。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002267509A JP4088711B2 (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 光電変換素子及びその製造方法、並びに光センサ及び太陽電池 |
US10/527,474 US20060065300A1 (en) | 2002-09-13 | 2003-09-12 | Photoelectric conversion element, process for producing the same, light sensor and solar cell |
EP03795437A EP1538679A1 (en) | 2002-09-13 | 2003-09-12 | Photoelectric conversion element, process for producing the same, light sensor and solar cell |
PCT/JP2003/011741 WO2004025738A1 (ja) | 2002-09-13 | 2003-09-12 | 光電変換素子及びその製造方法、並びに光センサ及び太陽電池 |
AU2003264428A AU2003264428A1 (en) | 2002-09-13 | 2003-09-12 | Photoelectric conversion element, process for producing the same, light sensor and solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002267509A JP4088711B2 (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 光電変換素子及びその製造方法、並びに光センサ及び太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004103521A JP2004103521A (ja) | 2004-04-02 |
JP4088711B2 true JP4088711B2 (ja) | 2008-05-21 |
Family
ID=31986702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002267509A Expired - Fee Related JP4088711B2 (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 光電変換素子及びその製造方法、並びに光センサ及び太陽電池 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060065300A1 (ja) |
EP (1) | EP1538679A1 (ja) |
JP (1) | JP4088711B2 (ja) |
AU (1) | AU2003264428A1 (ja) |
WO (1) | WO2004025738A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8592680B2 (en) | 2004-08-11 | 2013-11-26 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive devices |
KR100990291B1 (ko) | 2004-12-28 | 2010-10-26 | 삼성전자주식회사 | 덴드리머를 이용하는 메모리소자 |
US8866007B2 (en) * | 2006-06-07 | 2014-10-21 | California Institute Of Technology | Plasmonic photovoltaics |
JP5388046B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2014-01-15 | ローム株式会社 | 光検出器 |
JP2009099476A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sony Corp | 色素増感光電変換素子およびその製造方法 |
US8350144B2 (en) * | 2008-05-23 | 2013-01-08 | Swaminathan Ramesh | Hybrid photovoltaic cell module |
AU2010235273A1 (en) * | 2009-04-06 | 2011-11-10 | Ensol As | Photovoltaic cell |
WO2011027830A1 (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | 国立大学法人北海道大学 | 光電変換装置、光検出装置、及び光検出方法 |
JP2014175175A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Univ Of Tokyo | 電極基板、電極基板を用いた電池、および電極基板の製造方法 |
WO2018181492A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 国立大学法人横浜国立大学 | 水素検出用素子、水素検出用素子の製造方法および水素検出装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140871A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Mitsubishi Chem Corp | 光電変換素子 |
JP2000336171A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | ホール伝導性を有する超分岐高分子 |
US6913713B2 (en) * | 2002-01-25 | 2005-07-05 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic fibers |
JP2001320068A (ja) * | 2000-05-01 | 2001-11-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透明光電変換素子、及びこれを用いた光電池、光センサー並びに窓ガラス |
JP4135323B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2008-08-20 | 松下電工株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
-
2002
- 2002-09-13 JP JP2002267509A patent/JP4088711B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-12 EP EP03795437A patent/EP1538679A1/en not_active Withdrawn
- 2003-09-12 WO PCT/JP2003/011741 patent/WO2004025738A1/ja active Application Filing
- 2003-09-12 US US10/527,474 patent/US20060065300A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-12 AU AU2003264428A patent/AU2003264428A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060065300A1 (en) | 2006-03-30 |
EP1538679A1 (en) | 2005-06-08 |
WO2004025738A1 (ja) | 2004-03-25 |
AU2003264428A1 (en) | 2004-04-30 |
AU2003264428A8 (en) | 2004-04-30 |
JP2004103521A (ja) | 2004-04-02 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |