JP4054634B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、デジタルオーディオのような、PCから一定の送受信周波数でデータをダウンロード・アップロードするためのシリアル送受信手段(USB制御回路)と、データ伸長処理などを行うデジタル信号処理回路(DSP回路)で処理したデータを一定の送受信周波数でシリアル送受信を行うI/F回路と、を搭載した半導体装置に好適な回路構成、クロック制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、周辺装置として携帯可能なデジタルオーディオプレーヤなどの需要が急増している。このような周辺装置は、主制御部となるマクロコントローラユニット(MCU)、外部メモリに蓄えられたオーディオデータを書込み/読出しするためのFlashメモリコントローラ、外部メモリから読み出したデータをデコード/デクリプト処理するためのDSP回路、DSP回路で処理したデータをADC/DACシステムへオーディオ出力するI/F回路(SAI回路:Serial Audio Interface)、PCと接続しFlashメモリなどの外部メモリへデータをダウンロード/アップロードするためのUSBコントローラを兼ね備えている。
【0003】
この周辺装置では、音楽データの再生、著作権保護、ダウンロード、表示を行い、DSP回路部では、音楽データの再生におけるデータデコードとそのデータ出力、イコライザ/ボリューム制御を行う。
【0004】
この周辺装置は携帯可能であるがゆえに、電池で駆動される。従って、電池消耗を抑えるためにこれらの周辺機能を1チップ化し、消費電流を小さく抑える必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のように多機能化、DSP回路の動作周波数高速化はデジタルオーディオプレーヤのハイパフォーマンスを実現するためには不可欠であり、多機能化によるゲート規模の増加、動作周波数の高速化によって消費電流が増加してしまう。
【0006】
DSP回路でデコード処理されたデータをチップ外部のDACシステムへ出力するためのオーディオ用クロックのクロック発生回路は、MPEG1 LAYER3、MPEG2 LAYER3、MPEG2.5に対応するため、専用の周波数が決められている。USB回路では、12MHzのシリアル通信を行うため、内部の制御回路では48MHzの固定クロックを必要としている。したがって、クロック系統は少なくとも2系統以上必要となり、PLL、OSC発振回路で消費する電流が大きくなる。
【0007】
従って、周辺装置全体(デジタルオーディオプレーヤ全体)として更なる低消費電力化が求められる。特にDSP回路を使用して音楽データの再生動作をしている間はDSP回路部が非常に高い周波数で動作するために電池の消耗が激しい。従って、消費電力が改善された半導体装置が望まれていた。
【0008】
この発明は、消費電力を低減することが出来る半導体装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、統一規格で決められた周波数のクロックを送受信クロックとして使用するデータ送受信回路を複数搭載した半導体装置において、データ送受信回路別に、OSC発振回路、クロック発生回路を設け、複数のデータ送受信回路内部のOSC発振回路及びクロック発生回路の電源供給をデータ送受信回路毎に別個に遮断することにより、当該データ送受信回路へのクロックの供給を停止させるようにしている。
【0010】
【発明の実施形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0011】
[第1の実施の形態]
図1は本発明の第1の実施の形態における半導体装置1001の概略構成図である。この半導体装置は主に、PCからデータをダウンロード・アップロードするため、USB制御部1002とクロックを生成するクロック生成部(1005−1008)と、DSP回路1004と、主制御部(MCU)を含む外部メモリI/F回路などの周辺回路1003と、DSP回路によって処理されたデータをチップ外部のDAC1012、ADC1013システムへ入出力するシリアルI/F回路(SAI回路)1009によって構成されている。
【0012】
本半導体装置はその制御をMCU回路によって行い、例えば音楽再生動作は、MCUとその他周辺回路1003に含まれる外部メモリI/F回路から入力されるデータをMCU回路の制御の下にDSP回路1004へ転送し、DSP回路でデータを高速に処理したあとSAI回路1009から外部のDAC1012システムへ出力する、という動作を行う。
【0013】
DSP回路1004は非常に高速動作を要求されており、DSP回路1004のみ閾値の低いトランジスタを生成して高速動作を実現している。
【0014】
クロック発生回路は2系統備えられており、メインクロック用のOSC0クロック生成部(1005、1006)と、オーディオクロック用OSC2クロック生成部(1007、1008)にわかれる。これらのクロック生成部は、それぞれ外部に発振子1010、1011を接続して、または、直接クロックを入力して使用する。
【0015】
OSC0クロック発生部の構成を図2に示す。
OSC0クロック発生部は、OSC0発振回路2001、PLL0(2002)、分周回路(2003−2007)、OSC0クロック制御回路2008から構成される。OSC0発振回路2001から出力されたクロック信号(clockosc0:8MHz)はPLL0(2002)の入力に接続され、30倍に逓倍される。30倍に逓倍された240MHzのクロックから、分周回路により60MHz、30MHz、15MHz、7.5MHz、48MHzのクロック信号を生成する。
【0016】
生成されたクロックはそれぞれ、DSP回路(60MHz)、USB制御部(30MHz)、MCUとその他の周辺回路(30MHz、15MHz、7.5MHz)で使用される。OSC0発振回路2001、PLL0(2002)は、MCU回路の供給クロックを生成しているため、通常動作時に必ず動作させる必要がある。停止させるのはチップ全体の停止モード時のみである。
【0017】
OSC2クロック発生部(図3参照)は、OSC2発振回路3001、PLL2(3002、3003)、分周回路(3004−3007)、ODC2クロック制御回路3008から構成される。OSC2クロック入力端子から入力されたクロック信号(clockosc2: 16.9344MHz又は11.2896MHz)は、原振のままSAI回路1009で使用するか、PLL2(3002、3003)、分周回路(3004−3007)を介して生成した複数の周波数のなかから選択して使用する。出力する周波数は原振が16.9344MHzの発振子を使用して、18.432MHz、12.288MHzを生成する。また、11.2896MHzの発振子を使用して、12.288MHz、8.192MHzのクロック信号を生成する。
【0018】
この実施の形態ではOSC2クロック発生部にPLLを2個使用しているが、1個で構成することも可能である。生成されたクロックはSAI回路1009及び外部ADC/DAC1012、1013システムのクロックとして使用される。
【0019】
このようにメインクロック用のOSC0クロック生成部(1005、1006)とオーディオクロック用のOSC2クロック生成部(1007、1008)の回路をOSC発振回路も含めて分離することで、オーディオ用クロックを一時使用しない場合にOSC2発振回路3001、OSC2系PLL2(3002、3003)、その周りの分周回路(3004−3007)をパワーダウンさせることができるため消費電流を大幅に削減できる。
【0020】
OSC0クロック発生部1005、OSC2クロック発生部1008は図2のマルチプレクサ(2009−2013)、図3のマルチプレクサ(3009、3010)部分で、外部リセット信号resnからOSC0制御回路2008で生成されたクロック切換え信号seloscによって出力するクロックを切換える構成になっている。外部リセット前後のクロック波形を図4に示す。
【0021】
リセット中、OSC0制御回路により外部リセット信号(resn)によって生成されたselosc信号により、各クロック(図2中のclk7p5、clk15、clk30、clkdsp、clkusb、clkadc、clkdac)はOSC0,OSC2の源振クロックを選択する。リセット中は半導体装置1001内部の各回路をイニシャライズするためにクロック入力が必要であるが、PLLから出力した高速のクロックを全回路に同時に与えるとクロック動作による電流を消費することになるため、また、分周回路をリセットするため、周波数の低いOSC0、OSC2の原振を利用しリセット中のイニシャライズ時の電流を抑えている。
【0022】
リセット解除後は、周波数の高いPLLからのクロックへ切り換るが、リセット解除後初期のパワーを削減するためにゲート規模の大きく、クロック周波数の高いDSP回路のクロックはハード的に停止させる(その後にソフト制御によりクロック供給可能)。
【0023】
本半導体装置には、様々な機能が搭載されており、各機能のクロックをクロック発生部の出力から分岐させているために、常時、または一時的に使用しない機能があればそのクロックをソフト的に停止させることができる。
【0024】
クロックをソフト的に停止させる回路構成図を図5に示す。図中のMCU回路部5009からクロック制御レジスタ部5010に書込みを行うことでクロックGatedブロック(5005−5007)を制御し、クロック発生部で生成したクロックを停止制御する。ただし、MCU回路部5009、クロック制御レジスタ部5010の供給クロックは常時動作する(MCU部、クロック制御レジスタ部などのクロック停止制御に関しては後に述べる)。クロックGatedブロック内の回路は、図6(a)のようにラッチ回路6001とAND素子6002から構成される。クロックGatedブロック(5005−5007)と各回路(5008、5011、5012)の間のクロック信号には、その間にクロック波形の立ち上がり時間、立ち下がり時間(クロックスキュー)を短くするため、また、同一クロックにおいて各FFまでのクロック発生回路部からの到達時間の差(クロックスキュー)を縮めるために多数のクロック用ドライバを挿入している。従って、動作させる必要のないクロックを停止させることにより、その回路のゲート駆動による消費電流を削減できるほか、その機能のクロックドライバの消費する電流も削減できる。
【0025】
図6(b)は、クロックGatedブロックの中の回路の別の例を示したもので、ラッチ回路+OR素子で構成しており、”High”レベルでクロックを停止させたい場合に有効である。
【0026】
本発明の半導体装置のもつパワー制御モードには大きくわけて、通常動作モードの他にHALT、STOP、SLEEPモードがある。HALTモードではMCU部内のクロックが停止し、その他のクロックは動作する。MCUのクロックが停止するために半導体装置内部でのデータ転送はできないが各機能単体では動作可能なモードである。
【0027】
STOPモードでは、MCU部内のクロックが停止するほか、クロック発生部の全クロックが停止する。半導体装置内部の全クロックが停止するが、DSP回路部の電源はON状態のため、リーク電流が残留する。
【0028】
SLEEPモードでは、STOPモードと同様の停止制御のほかにDSP回路の電源を遮断する。STOPモードで残留しているDSP回路部でのリーク電流を遮断する。
【0029】
消費電流の大きさでは SLEEP < STOP < HALT の順になる。
【0030】
ここでは、本発明に関係するクロックを停止制御するSTOP/SLEEPモードのうち、STOPモードの停止回路はSLEEPモードに含まれるため、SLEEPモードを説明する。
【0031】
SLEEPモードの説明のため、DSP回路のPower制御回路構成を図7に示す。図5でも示したクロック発生部7001、クロックGatedブロック7002でDSP回路部のクロックを生成し、MCU部からのレジスタ書込みでソフト的にクロック制御レジスタ・DSP制御レジスタ7003でDSP回路部用クロックの停止制御およびDSPのパワーダウン制御を行う。DSP回路7005の内部はDSPをパワーダウンするためのPMOSのスイッチ素子7004があり、DSP回路の本体7006の電源供給を制御する。DSP回路の本体7006だけは高速化のためトランジスタ閾値を下げている。DSP回路の本体7006は電源が遮断され、その出力信号は不定電圧レベル状態となるため貫通電流防止回路7008を付加している。
【0032】
貫通電流防止回路例を図8に示す。DSP回路のパワーダウンによってdspout0,dspout1が電圧レベル不定になるために、パワーダウンにする前にwrpをレジスタ制御によって予め”1”にしておき、wrpdspout0,wrpdspout1が不定にならないようにしている。dspout0はDSP回路パワーダウン時”0”にしたい信号に、dspout1はDSPパワーダウン時”1”にしたい信号に使用する。
【0033】
SLEEPモードへの移行手順を図9に示す。
先ず、DSP制御レジスタのRSTDSPNビットに“0”を書き込む。rstdspn信号が“Low”レベルとなり、DSP回路はRESET状態となる。次に同レジスタのWRPDSPビットに“1”を書き込む。
【0034】
WRPDSPビットを“1”にすることでwrpdsp信号が“1”となり、DSP回路の全出力に接続された貫通電流防止回路が働き、DSP回路の出力が中間電位(フローティング)でも貫通電流が発生しないように設定される。次に同レジスタのSLPDSPビットに“1”を書き込む。これによりslpdsp信号が“1”になり、DSP回路へ供給されている電源は遮断され、低消費電力化が実現される。slpdsp信号が“1”になることでも貫通電流防止回路が働くようになっている。これは、通常仕様ではありえないが、チップのデバッグ中、ソフトのバグによってWRPDSPビットを設定せずにslpdspを“1”に設定し、貫通電流によってトランジスタが破壊するのを防ぐためである。
【0035】
DSPのパワーダウンが完了後、チップ全体のクロックを停止する設定をするが、その前にSLEEPモードから復帰するための外部割込みを有効にする設定をおこなう。その後、MCU部にあるSTOPレジスタに“1”を書込み、stopack信号が“1”となることで(図5)、SLEEPモードへ入り、全クロックが停止する。
【0036】
次に、SLEEPモードからの復帰の手順を示す。
SLEEPモードからの復帰は、外部リセット、または、SLEEPモードへ移行するまえに設定により許されている外部割込みによって起こる。
【0037】
外部リセットの場合は、リセットによってDSP制御レジスタのRSTDSPNビットは“0”(DSP回路リセット状態)、WRPDSPビットは“0”、SPLDSPビットは“0”(DSP回路電源供給状態)となり、電源供給された状態に移行する。
【0038】
外部割込みによる復帰の場合は、外部割込み信号を受けるとMCU部よりstopackがデアサートされ、OSC0発振回路、OSC0クロック発生部が動作開始する。OSC0クロック発生部は、OSC発振回路、PLLが安定するまではクロックが出力されない回路になっており、クロックが安定したあと各回路へクロックが供給される。その後DSP回路を使用する場合は、DSP制御レジスタのSLPDSPビットに“0”を書き込む(DSP電源PowerOn)、DSP回路部の電源が安定するまで、タイマなどを利用してWAITする。同レジスタのWRPDSPビットに“0”を書込み、同レジスタRSTDSPNビットを“1”にすることでリセット解除をおこなう。あとは、DSP内部の設定を行ってDSP回路の動作開始になる。
【0039】
このようにDSPのPower制御をソフト制御にすることで、回路設計段階では見積もりにくいDSP回路部のPowerOn時の電源安定時間を実デバイス評価によるデータから決められる利点や、この制御を他の製品に流用した場合のPowerOn時の電源安定時間の変化があっても回路変更をする必要がない利点などがある。
【0040】
[第2の実施の形態]
第1の実施の形態では、USB回路10002のクロック、DSP回路部10004のクロック、MCUとその他周辺回路のクロックは、OSC0クロック発生部10005で生成したクロックを供給し、SAI回路のクロックをOSC2クロック発生部10008で供給したが、第2の実施の形態のようにDSP回路部10004のクロック、MCUとその他周辺回路のクロックにOSC2クロック発生部10008で生成したクロックを供給し、OSC0クロック発生部をUSB専用にする構成もある。
【0041】
USBはPCと接続し、ダウンロード・アップロードする場合にしか使用しないため、USBに供給するクロックの発生部をこのように独立させることで、USBを使用しない場合にOSC0発振回路10006、OSC0クロック発生部10005を停止させることができ、大幅な消費電流削減ができる。USBを使用しない場合とは、デジタルオーディオプレーヤをPCとの接続をはずして、音楽再生する場合などにあたる。
【0042】
尚、本発明は、前述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能である。例えば、第1の実施の形態における図7のDSP回路のPower制御回路中のPowerON/OFFのスイッチ素子7004はPMOSによる構成であるが、図11のようにNMOS12004で構成することも可能であり、PMOSのリーク量よりもNMOSのリーク量の方が小さい場合に消費電流を低減させる効果がある。また、レイアウトパターン面積も小さくすることが可能である。
【0043】
また、図7のDSP回路のPower制御回路中のPowerON/OFFのスイッチ素子7004はPMOSのみによる構成であるが、図12のように電源側をPMOS13004、GND側をNMOS13012で構成することも可能である。この場合、レイアウト面積は大きくなるが、PMOS、NMOS片方で構成するよりもリーク電流を小さくすることが可能である。
【0044】
更に、第1の実施の形態における図8の貫通電流防止回路は、図13のようなトランスファゲートとラッチ回路を組み合わせて実現することも可能である。
【0045】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の半導体装置によれば、統一規格で決められた周波数のクロックを送受信クロックとして使用するデータ送受信回路を複数搭載した半導体装置において、前記データ送受信回路別に、OSC発振回路、クロック発生回路を設け、前記複数のデータ送受信回路内部のOSC発振回路及びクロック発生回路の電源供給をデータ送受信回路毎に別個に遮断することにより、当該データ送受信回路へのクロックの供給を停止させる構成としたので、消費電力の増加を抑制することが可能であり、高速動作のデジタル信号処理回路など多数の回路を搭載した半導体装置全体の消費電力を低減することが可能な半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における半導体装置の概略構成図である。
【図2】OSC0クロック発生部の構成図である。
【図3】OSC2クロック発生部の構成図である。
【図4】外部リセット時のクロック動作波形図である。
【図5】クロックGated制御の説明図である。
【図6】クロックGated制御回路の一例を示す図である。
【図7】DSP回路のPower制御回路の構成図である。
【図8】貫通電流防止回路例1である。
【図9】SLEEPモードへの移行手順を示す図である。
【図10】本発明第2の実施の形態におけるの半導体装置の概略構成図である。
【図11】DSP回路のPower制御回路の別の構成例を示す図である。
【図12】DSP回路のPower制御回路の別の構成例を示す図である。
【図13】貫通電流防止回路例2である。
【符号の説明】
1001 半導体装置
1002 USB制御部
1003 周辺回路
1004 DSP回路
1005 OSC0クロック発生部
1006 OSC0発信回路
1007 OSC2発信回路
1008 OSC2クロック発生部
1009 SAI回路
1010、1011 発振子
1012 DAC
1013 ADC
Claims (8)
- 統一規格で決められた周波数のクロックに基づいて動作するデータ送受信回路を含む複数のデータ送受信回路を搭載した半導体装置において、
前記データ送受信回路別に、発振回路及び該発振回路からのクロックに基づき対応するデータ送受信回路へ供給するためのクロック信号を出力するクロック発生回路を設け、
前記半導体装置には、前記複数のデータ送受信回路へのクロック信号の供給を個別に停止するよう制御するクロック制御部と、
前記複数のデータ送受信回路の1つであるデジタル信号処理回路に対する電源電圧の供給を遮断する電源電圧遮断回路と、を設け、
前記クロック発生回路は前記発振回路からのクロックをPLL回路によって逓倍し、該逓倍されたクロックを分周回路にて分周することで半導体装置内部の回路で必要なクロック周波数を有するクロック信号を生成するクロック生成回路と、 前記データ送受信回路に対するリセット時には前記発振回路からのクロックを選択的に出力し、該データ送受信回路に対するリセットの解除後には前記クロック生成回路にて生成されたクロックを選択的に出力する選択回路と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 統一規格で決められた周波数のクロックに基づいて動作するデータ送受信回路を含む複数のデータ送受信回路を搭載した半導体装置において、
前記データ送受信回路別に、発振回路及び該発振回路からのクロックに基づき対応するデータ送受信回路へ供給するためのクロック信号を出力するクロック発生回路を設け、
前記半導体装置には、前記複数のデータ送受信回路へのクロック信号の供給を個別に停止するよう制御するクロック制御部と、
前記複数のデータ送受信回路の1つであるデジタル信号処理回路に対する電源電圧の供給を遮断する電源電圧遮断回路と、
前記デジタル信号処理回路の出力に接続されるインターフェース回路に貫通電流防止回路と、
を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、前記デジタル信号処理回路の出力に接続されるインターフェース回路に貫通電流防止回路を設けたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項2または請求項3記載の半導体装置において、前記デジタル信号処理回路の電源遮断時に同時に前記貫通電流防止回路を動作させるように制御することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置において、前記リセットの解除後で、前記選択回路にて前記データ送受信回路の各々へ供給するクロックとして前記データ生成回路からのクロックに切換えた際に、前記デジタル信号処理回路へのクロックの供給を停止することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置において、前記リセットの解除後に、前記データ送受信回路それぞれの機能別にクロックの供給を停止可能としたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置において、前記クロック制御部は、前記複数のデータ送受信回路各々に対応するクロック停止信号をそれぞれ出力するレジスタと、前記クロック停止信号に応じて、対応するデータ送受信回路における前記クロック発生回路から出力されるクロックの供給を停止するゲート回路と、を設けたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体装置において、前記デジタル信号処理回路は、他のデータ送受信回路のトランジスタより閾値の低いトランジスタにて構成されたものであることを特徴とする半導体装置。
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