JP3938680B2 - 液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の属する技術分野】
本発明は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）やワードプロセッサ等の表示部に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００１】
【従来の技術】
従来の液晶表示装置は、所定のセルギャップを保持するために、基板間に分散して配置されたほぼ同一粒径のプラスチックビーズ等の球状スペーサを有している。しかし、両基板を貼り合わせる前に球状スペーサを一方の基板上に散布する際、基板全面に均一に分布させるのは困難である。球状スペーサが均一に分布していない液晶表示装置は、基板面が加圧された際にセルギャップの変動が生じやすい。
【０００２】
これに対して、特開昭５６−１４０３２４号公報、特開昭６３−８２４０５号公報、特開平４−９３９２４号公報、及び特開平５−１９６９４６号公報等には、カラーフィルタ（ＣＦ）基板上の画素領域端部にＣＦ樹脂層を複数積層し、柱状スペーサを形成する方法が開示されている。
【０００３】
図６７は、従来のＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置のＣＦ基板の構成を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）の２画素について示している。また、図６８は、図６７のＷ−Ｗ線で切断したＣＦ基板の断面を示している。図６７及び図６８に示すように、ガラス基板１０４上には、画素領域端部を遮光する遮光膜（ＢＭ）１０２が形成されている。ＢＭ１０２で画定された各画素領域には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇがそれぞれ形成されている。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ上には、液晶の配向を規制する線状の突起（土手）１０８が画素領域端辺に対して斜めに形成されている。Ｒ、Ｇの画素間の間隙部には柱状スペーサ１０６が形成されている。
【０００４】
図６９は、図６７のＸ−Ｘ線で切断した柱状スペーサ１０６近傍の断面を示している。なお、図６９では突起１０８の図示は省略している。図６９に示すように、柱状スペーサ１０６は、ＢＭ１０２上に順に積層されたＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、青（Ｂ）、共通電極１１０及びレジスト層１０９で形成されている。
【０００５】
次に、従来のＣＦ基板の製造方法について説明する。図７０は従来のＣＦ基板の製造工程を示しており、図７１は図７０のＹ−Ｙ線で切断した断面を示している。また、図７２は、図７０のＺ−Ｚ線で切断した断面を示している。まず、図７０及び図７１に示すように、ガラス基板１０４上にクロム（Ｃｒ）等を全面に成膜してパターニングし、ＢＭ１０２を形成する。次に、赤色の顔料が分散された感光性レジスト（以下「Ｒレジスト」という）を全面に塗布してパターニングし、Ｒを表示する画素領域及び柱状スペーサ１０６形成領域にＣＦ樹脂層Ｒを形成する。同様に、Ｇを表示する画素領域及び柱状スペーサ１０６形成領域にＣＦ樹脂層Ｇを形成し、Ｂを表示する画素領域（図示せず）及び柱状スペーサ１０６形成領域にＣＦ樹脂層Ｂを形成する。図７１に示すように、各ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂは、ＢＭ１０２の幅の１／３程度がＢＭ１０２に重なっており、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ間には深さ１〜２μｍの溝状の隙間が生じている隙間部１１２が形成されている。図７２に示すように、柱状スペーサ形成領域１０６’には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順に積層されている。
【０００６】
次に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等をＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上の全面に成膜して共通電極１１０を形成する。次に、ポジ型ノボラック系レジストを全面に塗布してパターニングし、突起１０８とレジスト層１０９を同時に形成し、図６７乃至図６９に示すＣＦ基板が完成する。
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図７０及び図７１に示すように、従来のＣＦ基板は、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇを順次形成すると、柱状スペーサ形成領域１０６’に隣接してＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ間に深さ１〜２μｍの隙間部１１２が形成される。このため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ上の全面に青色の顔料が分散された感光性レジスト（以下「Ｂレジスト」という）を塗布すると、Ｂレジストのレベリング（平坦化）作用により、相対的に高さの高い柱状スペーサ形成領域１０６’から隙間部１０２にＢレジストが流れ込む。その結果、柱状スペーサ形成領域１０６’のＣＦ樹脂層Ｂが薄い膜厚で形成されてしまう。同様の理由で、柱状スペーサ形成領域１０６’のレジスト層１０９も薄い膜厚で形成されてしまう。したがって、所望のセルギャップが得られる柱状スペーサ１０６を形成するためには、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ等を厚膜化しなければならないという問題が生じている。
【０００８】
特開平１０−１０４６３９号公報には、柱状スペーサの周囲に、最初あるいは２番目に形成するＣＦ樹脂層により堰を作成し、当該堰によってレジストの流れ込みをせき止めて柱状スペーサの高さを高くする方法が開示されている。しかし上記の方法では、柱状スペーサ及びその周囲に配置される堰をともにＢＭ上に形成する必要がある。このため、ＢＭの幅が狭いと、堰がある分だけ柱状スペーサの太さは短くならざるを得ず、パネルの指押し等に対抗できる圧縮強度を得ることができなくなるおそれが生じる。柱状スペーサの太さを稼ぐためにはＢＭ外にはみ出して形成せざるを得ず、この場合には開口率が低下してしまうという問題が生じる。
【０００９】
本発明の目的は、所望のセルギャップが容易に得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、輝度の高い液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、前記基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域と、セルギャップを保持するために前記画素領域端部に配置された柱状スペーサと、前記画素領域に形成されるとともに、少なくとも前記柱状スペーサの周囲で、隣接する前記画素領域間に隙間が生じないように形成された複数のカラーフィルタ樹脂層とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図１乃至図４４を用いて説明する。本実施の形態では、柱状スペーサの周囲に隙間部を形成しないようにすることで、ＣＦ樹脂層及びレジスト層が柱状スペーサ形成領域から流れ出すのを防いでいる。また、本実施の形態では、ＣＦ樹脂層及びレジスト層を減圧乾燥させることにより、当該ＣＦ樹脂層及びレジスト層が柱状スペーサ形成領域から流れ出すのを防いでいる。以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について実施例１−１乃至１−６を用いてより具体的に説明する。
【００１２】
（実施例１−１）
まず、実施例１−１による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図１乃至図１４を用いて説明する。図１は、本実施例による液晶表示装置の概略構成を示している。液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴＦＴ基板２とカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成されたＣＦ基板４とを対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封入した構造を有している。
【００１３】
図２は、ＴＦＴ基板２上に形成された素子の等価回路を示している。ＴＦＴ基板２上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン６が互いに平行に複数形成され、それらにほぼ直角に交差して図中上下方向に延びるドレインバスライン８が互いに平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン６とドレインバスライン８とで囲まれた各領域が、ＴＦＴ基板２側の画素領域となる。各画素領域にはＴＦＴ１０と画素電極１２が形成されている。各ＴＦＴ１０のドレイン電極は隣接するドレインバスライン８に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン６に接続され、ソース電極は画素電極１２に接続されている。各画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン６と平行に蓄積容量バスライン１４が形成されている。これらのＴＦＴ１０や画素電極１２、各バスライン６、８、１４は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００１４】
一方、図示は省略しているが、ＣＦ基板４上には、ＣＦ基板４側の画素領域を画定するＢＭが形成されている。また、ＣＦ基板４側の各画素領域には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかが形成されている。
【００１５】
図１に戻り、液晶を封止してＣＦ基板４と対向配置されたＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスライン６を駆動するドライバＩＣが実装されたゲート駆動回路１６と、複数のドレインバスライン８を駆動するドライバＩＣが実装されたドレイン駆動回路１８とが設けられている。これらの駆動回路１６、１８は、制御回路２０から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン６あるいはドレインバスライン８に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の基板面には偏光板２２が配置され、偏光板２２のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット２４が取り付けられている。ＣＦ基板４のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板２２とクロスニコルに配置された偏光板２６が貼り付けられている。
【００１６】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の構成について説明する。図３は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｇの２画素について示している。図４は、図３に示すＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図３及び図４に示すように、ＣＦ基板４は、ガラス基板２８上に低反射Ｃｒ等からなるＢＭ３０を有している。ＢＭ３０上には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇが、ＣＦ樹脂層Ｒの図中右端辺とＣＦ樹脂層Ｇの図中左端辺とが接するように形成されている。このため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ間には図６７及び図６８に示すような隙間部１１２が形成されない。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ上には液晶の配向を規制する線状の突起３２が形成されている。画素領域間（図３では中央）には柱状スペーサ３４が形成されている。なお、図４では、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ上に形成された共通電極４０の図示は省略している。
【００１７】
図５は、図３に示すＢ−Ｂ線で切断した柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図５に示すように、柱状スペーサ３４は、ＢＭ３０上に順に積層されたＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂと、その上層に形成されたレジスト層３３等で構成されている。レジスト層３３は突起３２と同一の形成材料で形成されている。
【００１８】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について、図６乃至図１４を用いて説明する。図６乃至図１２は、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であり、図４と同一の断面を示している。まず、図６に示すように、透明なガラス基板２８上に、例えば低反射Ｃｒを全面に成膜し、低反射Ｃｒ膜３１を形成する。次に、図７に示すように、例えばポジ型ノボラック系レジストを低反射Ｃｒ膜３１上の全面に塗布してプリベークし、例えば膜厚１．２μｍのレジスト層３６を形成する。次に、図８に示すように、露光用マスク（フォトマスク）３８を用いてレジスト層３６を露光する。次に、図９に示すように、露光されたレジスト層３６を現像してポストベークし、レジストパターン３７を形成する。次に、図１０に示すように、レジストパターン３７をエッチングマスクとして用いてエッチングする。次に、図１１に示すように、レジストパターン３７を剥離してＢＭ３０を形成する。
【００１９】
次に、ＢＭ３０が形成されたガラス基板２８上の全面に、例えば感光性顔料分散型のＲレジストを膜厚１．５μｍに塗布する。続いて、塗布直後のＲレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図１２及び図１３に示すようにＲの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。ＣＦ樹脂層Ｒは、ＢＭ３０の幅の１／２程度がＢＭ３０に重なるように形成される。
【００２０】
次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、Ｇの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｇを形成する。ＣＦ樹脂層Ｇは、ＣＦ樹脂層Ｇの左端辺がＣＦ樹脂層Ｒの右端辺に接するように形成される。したがって、両端辺の間には図６７及び図６８に示す隙間部１１２が形成されない。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇと同様の工程で、Ｂの画素領域（図示せず）と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。
【００２１】
図１４は、図１３のＣ−Ｃ線で切断した柱状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図である。図１４に示すように、ＢＭ３０上の柱状スペーサ形成領域３４’には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順に積層されている。
【００２２】
次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて、塗布直後の当該レジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形成する。以上の工程を経て、図３及び図４に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が完成する。
【００２３】
本実施例の液晶表示装置用基板の製造方法によれば、図６７及び図６８に示す従来のＣＦ基板の隙間部１１２は形成されない。このため、ＣＦ樹脂層Ｂやレジスト層３３が柱状スペーサ形成領域３４’から隙間部１１２に流れ込むことがないので、ＣＦ樹脂層Ｂやレジスト層３３のレベリング性を低下させることができる。また、本実施例によれば、柱状スペーサを構成するＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ及びレジスト層３３を塗布直後に減圧乾燥させているため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ及びレジスト層３３のレベリング性を低下させることができる。したがって、所望の高さの柱状スペーサ３４を形成することができる。
【００２４】
（実施例１−２）
次に、実施例１−２による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１５及び図１６を用いて説明する。図１５は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｇの２画素について示している。なお、図３に示す実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図１５に示すように、ＣＦ基板４は、柱状スペーサ３４から距離Ｌ（例えば５０μｍ）の範囲内のみに、ＣＦ樹脂層Ｒの右端辺とＣＦ樹脂層Ｇの左端辺とが接する実施例１−１と同様の構造が形成されている。すなわち、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ間の隙間部４２は、柱状スペーサ３４から距離Ｌの範囲内では形成されていない。
【００２５】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図１６を用いて説明する。まず、図６乃至図１１に示す実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法と同様の工程でＢＭ３０を形成する。次に、ＢＭ３０が形成されたガラス基板２８上の全面に、例えば感光性顔料分散型のＲレジストを１．５μｍの膜厚に塗布する。続いて、塗布直後のＲレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図１６に示すようにＲの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。ＣＦ樹脂層Ｒは、柱状スペーサ形成領域３４’から距離Ｌの範囲内で、ＢＭ３０の幅の１／２程度がＢＭ３０に重なるように形成され、当該範囲外の隙間部４２では、ＢＭ３０の幅の１／３程度がＢＭ３０に重なるように形成される。
【００２６】
次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、図１６に示すようなＧの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｇを形成する。このとき、柱状スペーサ形成領域３４’から距離Ｌの範囲内で、ＣＦ樹脂層Ｇの左端辺とＣＦ樹脂層Ｒの右端辺との間には、図６７及び図６８に示す隙間部１１２が形成されないようにする。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇと同様の工程で、Ｂの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。
【００２７】
次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形成する。以上の工程を経て、図１５に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が完成する。
【００２８】
本実施例によれば、上記実施例１−１と同様の効果を奏することができる。また、柱状スペーサ３４周辺のみで、例えばＣＦ樹脂層Ｒ右端辺とＣＦ樹脂層Ｇ左端辺とが接するようにすればよいため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成が上記実施例１−１に比較して容易になる。
【００２９】
（実施例１−３）
次に、実施例１−３による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１７乃至図２２を用いて説明する。図１７は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｇの２画素について示している。図１８は、図１７のＤ−Ｄ線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。なお、図３に示す実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図１７及び図１８に示すように、ＢＭ３０上には、ＢＭ３０をパターニングする際に用いられた例えば膜厚１．２μｍのポジ型ノボラック系のレジストパターン３７が、剥離されずに残存している。ＣＦ樹脂層ＲはＢＭ３０の幅（レジストパターン３７の幅）の１／３程度がレジストパターン３７に重なるように形成されており、ＣＦ樹脂層ＧはＢＭ３０の幅の１／３程度がレジストパターン３７に重なるように形成されている。
【００３０】
図１９は、図１７に示すＥ−Ｅ線で切断した柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図１９に示すように、柱状スペーサ３４は、ＢＭ３０上に順に積層されたレジストパターン３７、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ、共通電極４０及びレジスト層３３で構成されている。レジスト層３３は突起３２と同一の形成材料で形成されている。
【００３１】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図２０乃至図２２を用いて説明する。図２０は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図２１は図２０のＦ−Ｆ線で切断した断面を示す工程断面図である。まず、図６乃至図１０に示す工程により、ガラス基板２８上にＢＭ３０を形成する。次に、ＢＭ３０上のレジストパターン３７を剥離せずに、ガラス基板２８上の全面に、例えば感光性顔料分散型のＲレジストを１．５μｍの膜厚に塗布する。続いて、塗布直後のＲレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図２０及び図２１に示すようなＲの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。ＣＦ樹脂層Ｒは、ＢＭ３０の幅の１／３程度がレジストパターン３７に重なるように形成される。
【００３２】
次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、Ｇの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｇを形成する。ＣＦ樹脂層Ｇは、ＢＭ３０の幅の１／３程度がレジストパターン３７に重なるように形成される。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇと同様の工程で、Ｂの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。
【００３３】
図２２は、図２０のＧ−Ｇ線で切断した柱状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図である。図２２に示すように、ＢＭ３０上の柱状スペーサ形成領域３４’には、レジストパターン３７、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順に積層される。
【００３４】
次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形成する。以上の工程を経て、図１７及び図１８に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が完成する。
【００３５】
本実施例によれば、上記実施例１−１と同様の効果を奏することができる。また、例えばＣＦ樹脂層Ｒ右端辺とＣＦ樹脂層Ｇ左端辺との間に隙間が生じないようにＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇを形成する必要がないため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成が上記実施例１−１に比較して容易になる。さらに、ＢＭ３０をパターニングする際に用いたレジストパターン３７を剥離せずに残存させているため、レジストパターン３７の剥離工程が不要になり上記実施例１−１に比較して製造工程を簡略化できる。
【００３６】
（実施例１−４）
次に、実施例１−４による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図２３乃至図３０を用いて説明する。図２３は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｇの２画素について示している。図２４は、図２３のＩ−Ｉ線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。なお、図３に示す実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図２３及び図２４に示すように、ＢＭ３０上には、ＢＭ３０をパターニングする際に用いられた例えば膜厚１．２μｍのポジ型ノボラック系のレジストパターン３７が、剥離されずに残存している。また、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇは、ＣＦ樹脂層Ｒの図中右端辺とＣＦ樹脂層Ｇの図中左端辺との間に隙間が生じないように形成されている。このため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ間には図６７及び図６８に示す隙間部１１２が形成されない。
【００３７】
図２５は、図２３に示すＪ−Ｊ線で切断した柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図２５に示すように、柱状スペーサ３４は、ＢＭ３０上に順に積層されたレジストパターン３７、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ、共通電極４０及びレジスト層３３で構成されている。レジスト層３３は突起３２と同一の形成材料で形成されている。
【００３８】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図２６乃至図２８を用いて説明する。図２６は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図２７は図２６のＫ−Ｋ線で切断した断面を示す工程断面図である。まず、図６乃至図１０に示す工程により、ガラス基板２８上にＢＭ３０を形成する。次に、ＢＭ３０上のレジストパターン３７を剥離せずに、ガラス基板２８上の全面に、例えば感光性顔料分散型のＲレジストを１．５μｍの膜厚に塗布する。続いて、塗布直後のＲレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図２６及び図２７に示すようにＲの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。ＣＦ樹脂層Ｒは、ＢＭ３０の幅の１／２程度がレジストパターン３７に重なるように形成される。
【００３９】
次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、Ｇの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｇを形成する。ＣＦ樹脂層Ｇは、ＢＭ３０の幅の１／２程度がレジストパターン３７に重なり、ＣＦ樹脂層Ｇの左端辺とＣＦ樹脂層Ｒの右端辺との間に隙間が生じないように形成される。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇと同様の工程で、Ｂの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。
【００４０】
図２８は、図２６のＬ−Ｌ線で切断した柱状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図である。図２８に示すように、ＢＭ３０上の柱状スペーサ形成領域３４’には、レジストパターン３７、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順に積層されている。
【００４１】
次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形成する。以上の工程を経て、図２３及び図２４に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が完成する。
【００４２】
本実施例によれば、上記実施例１−１と同様の効果を奏することができる。また、ＢＭ３０をパターニングする際に用いたレジストパターン３７を剥離せずに残存させているため、レジストパターン３７の剥離工程が不要になり、上記実施例１−１に比較して製造工程を簡略化できる。
【００４３】
図２９は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示している。図２９に示すように、本変形例では、ＢＭ３０及びその上層に残存するレジストパターン３７に代えて、例えば膜厚１．２μｍ程度の樹脂ＢＭ４４が形成されている。
【００４４】
本変形例の液晶表示装置用基板の製造方法について図３０を用いて簡単に説明する。まず、ガラス基板２８上の全面に黒色樹脂層を塗布してパターニングし、樹脂ＢＭ４４を形成する。次に、ガラス基板２８上の全面に、例えば感光性顔料分散型のＲレジストを１．５μｍの膜厚に塗布してパターニングし、図３０に示すようにＲの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、Ｇの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｇを形成し、Ｂの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。その後、上記実施の形態と同様の工程を経て本変形例による液晶表示装置用基板が完成する。本変形例によっても上記実施例１−４と同様の効果を奏することができる。
【００４５】
（実施例１−５）
次に、実施例１−５による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図３１乃至図３６を用いて説明する。図３１は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をＢ、Ｒの２画素について示している。図３２は、図３１のＭ−Ｍ線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。なお、図３に示す実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図３１及び図３２に示すように、本実施例による液晶表示装置用基板は、各画素領域端部に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれか２層を積層して形成された色重ねＢＭ４６を有している。
【００４６】
図３３は、図３１に示すＮ−Ｎ線で切断した柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図３３に示すように、柱状スペーサ３４は、順に積層されたＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒ、Ｇ、共通電極４０及びレジスト層３３で構成されている。レジスト層３３は突起３２と同一の形成材料で形成されている。
【００４７】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図３４及び図３５を用いて説明する。図３４は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図３５は図３４のＯ−Ｏ線で切断した断面を示す工程断面図である。まず、ガラス基板２８上に、例えば感光性顔料分散型のＢレジストを膜厚１．５μｍに塗布する。続いて、塗布直後のＢレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図３４及び図３５に示すように、Ｂの画素領域、柱状スペーサ形成領域３４’及び所定の色重ねＢＭ４６形成領域にＣＦ樹脂層Ｂを形成する。次に、ＣＦ樹脂層Ｂと同様の工程で、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇをこの順に形成する。図３５に示すように、画素領域端部には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかが２層積層された色重ねＢＭ４６が形成される。
【００４８】
図３６は、図３４のＰ−Ｐ線で切断した柱状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図である。図３６に示すように、柱状スペーサ形成領域３４’には、ＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒ、Ｇがこの順に積層されている。
【００４９】
次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。続いて塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形成する。以上の工程を経て、図３１及び図３２に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が完成する。
【００５０】
本実施例によれば、上記実施例１−１と同様の効果を奏することができる。また、例えばＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇを画素領域端部で積層して形成すればよいため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成が上記実施例１−１に比較して容易になる。
【００５１】
（実施例１−６）
次に、実施例１−６による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図３７乃至図４２を用いて説明する。図３７は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｂの２画素について示している。図３８は、図３７のＱ−Ｑ線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。なお、図３に示す実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５２】
図３７及び図３８に示すように、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板２９上に形成された図中左右方向に延びるゲートバスライン６を有している。また、ゲートバスライン６にゲート絶縁膜６６を介して交差して図中上下方向に延びるドレインバスライン８が形成されている。両バスライン６、８により、画素領域が画定されている。画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン６に平行な蓄積容量バスライン１４が画素領域を横断して形成されている。ゲートバスライン６とドレインバスライン８との交差位置近傍には画素領域毎に図２に示したＴＦＴ１０（図３７では図示せず）が形成されている。
【００５３】
ＴＦＴ基板２には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが画素領域毎に形成されている（ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造）。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には、液晶の配向を規制する線状の突起３２が画素領域端辺に対して斜めに形成されている。
【００５４】
図３９は、図３７に示すＲ−Ｒ線で切断した柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図３９に示すように、柱状スペーサ３４は、順に積層されたＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒ、Ｇと、その上層に形成されたレジスト層３３等で構成されている。レジスト層３３は突起３２と同一の形成材料で形成されている。
【００５５】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図４０乃至図４２を用いて説明する。図４０は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図４１は図４０のＳ−Ｓ線で切断した断面を示す工程断面図である。まず、ガラス基板２９上に、ゲートバスライン６及び蓄積容量バスライン１４、ゲート絶縁膜６６、ドレインバスライン８を順に形成する。
【００５６】
次に、基板全面に例えば感光性顔料分散型のＢレジストを１．５μｍの膜厚に塗布する。続いて、塗布直後のＢレジストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図４０及び図４１に示すようなＢの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。ＣＦ樹脂層Ｂは、ドレインバスライン８の幅の１／２程度がドレインバスライン８に重なるように形成される。
【００５７】
次に、ＣＦ樹脂層Ｂと同様の工程で、Ｒの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。ＣＦ樹脂層Ｒは、右端辺がＣＦ樹脂層Ｂの左端辺に接するように形成される。したがって、両端辺の間には図６７及び図６８に示すような隙間部１１２が形成されない。次に、ＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒと同様の工程で、Ｇの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｇを形成する。
【００５８】
図４２は、図４０のＴ−Ｔ線で切断した柱状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図である。図４２に示すように、柱状スペーサ形成領域３４’には、ＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒ、Ｇがこの順に積層されている。
【００５９】
次に、ＩＴＯ等を全面に成膜してパターニングし、画素電極１２を形成する。次に、画素電極１２上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成し、減圧乾燥により当該レジスト層を強制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形成する。以上の工程を経て、図３７及び図３８に示すような本実施例による液晶表示装置用基板のＴＦＴ基板２が完成する。
【００６０】
本実施例によれば、ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造のＴＦＴ基板２であっても、上記実施例１−１と同様の効果を奏することができる。
【００６１】
以下、本実施の形態による液晶装置用基板を用いた場合の効果について具体的に説明する。図４３及び図４４は、本実施の形態の各実施例による液晶表示装置用基板の効果を説明する図である。
【００６２】
図４３は、本実施の形態の実施例１−１乃至１−６による液晶表示装置用基板の製造方法において、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂを３層積層した場合の各柱状スペーサ形成領域３４’に形成される構造物の高さを示している。横軸は構造物を形成する各実施例を表しており、縦軸は構造物の高さ（μｍ）を表している。また、図中の破線は、図７２に示す従来の柱状スペーサ形成領域１０６’の構造物の高さｈｂ’（１．７０μｍ）を表している。図４３に示すように、図１４に示した実施例１−１での構造物の高さｈ１’は従来の構造物の高さｈｂ’より０．１８μｍ高い１．８８μｍであり、図示は省略した実施例１−２での構造物の高さｈ２’は従来の構造物の高さｈｂ’より０．１０μｍ高い１．８０μｍである。また、図２２に示した実施例１−３での構造物の高さｈ３’は従来の構造物の高さｈｂ’より０．６０μｍ高い２．３０μｍであり、図２８に示した実施例１−４での構造物の高さｈ４’は従来の構造物の高さｈｂ’より０．６５μｍ高い２．３５μｍである。図３６に示した実施例１−５での構造物の高さｈ５’は従来の構造物の高さｈｂ’より０．０８μｍ高い１．７８μｍであり、図４２に示した実施例１−６での構造物の高さｈ６’は従来の構造物の高さｈｂ’より０．０８μｍ高い１．７８μｍである。
【００６３】
すなわち、最も顕著な効果を有する実施例１−４の構造物の高さｈ４’は、従来の構造物の高さｈｂ’より０．６５μｍ高く形成でき、最も効果の小さい実施例１−５及び実施例１−６の構造物の高さｈ５’、ｈ６’においても、従来の構造物の高さｈｂ’よりも０．０８μｍ高く形成できる。
【００６４】
図４４は、本実施例１−１乃至１−６による液晶表示装置用基板の各柱状スペーサ３４の高さを示している。横軸は柱状スペーサ３４を形成する各実施例を表しており、縦軸は柱状スペーサ３４の高さ（μｍ）を表している。また、図中の破線は、図６９に示す従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂ（２．４５μｍ）を表している。図４４に示すように、図５に示した実施例１−１での柱状スペーサ３４の高さｈ１は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．２０μｍ高い２．６５μｍであり、図示は省略した実施例１−２での柱状スペーサ３４の高さｈ２は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．１０μｍ高い２．５５μｍである。また、図１９に示した実施例１−３での柱状スペーサ３４の高さｈ３は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．６０μｍ高い３．０５μｍであり、図２５に示した実施例１−４での柱状スペーサ３４の高さｈ４は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．６５μｍ高い３．１０μｍである。図３３に示した実施例１−５での柱状スペーサ３４の高さｈ５は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．１０μｍ高い２．５５μｍであり、図３９に示した実施例１−６での柱状スペーサ３４の高さｈ６は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．１０μｍ高い２．５５μｍである。
【００６５】
すなわち、最も顕著な効果を有する実施例１−４の柱状スペーサ３４の高さｈ４は、従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．６５μｍ高く形成でき、最も効果の小さい実施例１−５及び実施例１−６の柱状スペーサ３４の高さｈ５、ｈ６においても、従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂよりも０．１０μｍ高く形成できる。
【００６６】
本実施の形態では、ＭＶＡモードの液晶表示装置を例に挙げて説明したが、他のモードの液晶表示装置にも適用できる。ただし、例えばＴＮモードの液晶表示装置には、液晶の配向を規制する突起３２が形成されないため、本実施の形態による液晶表示装置用基板の柱状スペーサ３４のように最上層のレジスト層３３が形成されない。このため、柱状スペーサ３４の最上層になる共通電極４０と、対向する基板の画素電極１２とが短絡しないようにする必要がある。
【００６７】
また、柱状スペーサ３４を構成するＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ、樹脂ＢＭ４４、レジスト層３３等の各樹脂層の膜厚（高さ）は、変更することができる。各樹脂層の膜厚を変更することにより柱状スペーサ３４の高さを調整できるため、所望のセルギャップを得ることができる。
【００６８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、所望のセルギャップを容易に得ることができる。
【００６９】
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図４５乃至図６６を用いて説明する。
液晶表示装置のセルギャップは、基板に散布された球状スペーサ等により保持されている。しかし、表示画素領域内に球状スペーサがあると、球状スペーサ周囲で光漏れや配向不良（ドメイン）が発生し、液晶表示装置の表示品質が低下する。このため、これに代わる技術として、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法でパターニングすることにより、基板上の任意の位置に柱状スペーサを形成する方法が用いられている。ＢＭにより遮光された遮光部のみに柱状スペーサを形成することによって上記のような問題が解決される。また、スピンコート法等により樹脂を均一の膜厚に塗布できるため、高さ精度に優れた柱状スペーサが形成できる。このため、柱状スペーサが用いられた液晶表示装置では、均一で高精度なセルギャップが得られる。柱状スペーサの形成材料の一つに光硬化性のアクリル樹脂系ネガ型感光性レジストがある。
【００７０】
図４５は、ＣＦ基板４側に柱状スペーサ７０が形成された液晶表示装置の断面を示している。図４５に示すように、液晶表示装置は、ＣＦ基板４とＴＦＴ基板２とを貼り合わせ、両基板間に液晶ＬＣを封入して形成されている。ＣＦ基板４は、ガラス基板２８上に画素領域端部を遮光するＢＭ３０を有している。各画素領域には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上の全面には共通電極４０が形成されている。
【００７１】
一方、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板２９上の各画素領域に形成された画素電極１２を有している。ＣＦ基板４のＢＭ３０上には、ＣＦ基板４とＴＦＴ基板２との間のセルギャップを保持するための柱状スペーサ７０が形成されている。
【００７２】
ＣＦ基板４は、例えば以下のようにして製造される。図４６及び図４７は、ＣＦ基板４の製造工程を示す工程断面図である。まず、ガラス基板２８上にＣｒ等を成膜してパターニングし、ＢＭ３０を形成する。次いで、例えば顔料分散型ネガ型感光性アクリルレジストを塗布してパターニングし、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂをストライプ状に形成する。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上の全面にＩＴＯ等の透明導電膜を成膜して共通電極４０を形成する。
【００７３】
次に、ネガ型感光性アクリルレジストを所望のセルギャップに基づいた膜厚で塗布してレジスト層４８を形成し、９０℃程度でプリベークしてレジスト層４８を乾燥させる。次に、図４６に示すように、大型の露光用マスク３８を用いたプロキシミティ方式の露光により、レジスト層４８をＣＦ基板４表面側（図中上方）からの紫外線で一括露光する。その後現像し、２２０℃程度で焼成することにより、図４７に示すようなＣＦ基板４上の所望の位置及び高さに形成された柱状スペーサ７０が完成する。
【００７４】
柱状スペーサ７０は通常、基板面に垂直方向に見て、ＣＦ基板４上のＢＭ３０あるいはＴＦＴ基板２上の金属配線等に重なる位置、すなわち表示領域外に形成される。これにより、柱状スペーサ７０の周囲に生じる液晶の配向不良領域は遮光されるため、表示品質の低下を防止することができる。ところで、近年の液晶表示用装置の高精細でかつ開口率を高めたパターン設計により、ＢＭ３０や金属配線の線幅はますます微細化してきている。このため、柱状スペーサ７０をＢＭ３０や金属配線に重なる位置に形成するには、柱状スペーサ７０の寸法を小さくする必要がある。
【００７５】
しかしながら、プロキシミティ方式の露光でネガ型感光性レジストを用いた場合の解像度は、露光ギャップにより異なるが通常１０μｍ程度である。例えば、幅１５μｍの柱状スペーサ７０を形成する場合、ＣＦ基板４と露光用マスク３８の位置合わせ精度を考慮すると線幅２０μｍ以上のＢＭ３０上に形成する必要がある。ステッパ（投影露光装置）を用いることにより解像度を１０μｍ以下にすることも可能であるが、タクトが長くなり生産性が低下してしまうという問題が生じる。本実施の形態の目的は、高精細でかつ開口率を高めたパターン設計がされていても、柱状スペーサを容易に形成できる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００７６】
本実施の形態では、ＢＭ３０に開口部を設け、ＢＭ３０上に塗布した光硬化性を有するネガ型レジストを背面露光により露光して、柱状スペーサ７０を自己整合的に形成する。こうすることにより、ＣＦ基板４と露光用マスク３８との位置合わせが不要になり、またコンタクト方式の露光と同程度の解像度が得られる。このため、狭い線幅のＢＭ３０が形成されていても、当該ＢＭ３０上に柱状スペーサ７０を形成できる。
【００７７】
以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について実施例２−１及び２−２を用いてより具体的に説明する。
（実施例２−１）
まず、実施例２−１による液晶表示装置用基板及び及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図４８乃至図５７を用いて説明する。図４８は、本実施例による液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。図４８に示すように、液晶表示装置は、ＣＦ基板４とＴＦＴ基板２とを貼り合わせ、両基板間に液晶ＬＣを封入して形成されている。ＣＦ基板４は、ガラス基板２８上に画素領域端部を遮光するＢＭ５０を有している。ＢＭ５０は、少なくともネガ型感光性レジストの感光波長を透過する開口部５２を有している。各画素領域には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には共通電極４０が形成されている。
【００７８】
一方、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板２９上に、各画素領域に形成された画素電極１２を有している。ＢＭ５０の開口部５２上には、ＣＦ基板４とＴＦＴ基板２との間のセルギャップを保持するための柱状スペーサ７０が形成されている。
【００７９】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の製造方法について図４９乃至図５５を用いて説明する。図４９、図５１及び図５４は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示しており、図５０、図５２、図５３及び図５５は図４９のａ−ａ線で切断した断面を示す工程断面図である。
【００８０】
まず、ガラス基板２８上の全面にＣｒを成膜して、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、図４９及び図５０に示すように開口部５２を有するＢＭ５０を形成する。次に、図５１及び図５２に示すように、顔料分散型ネガ型感光性アクリルレジスト等のＲレジストを塗布してパターニングし、ＣＦ樹脂層Ｒを形成する。続いて同様に、ＣＦ樹脂層Ｇ、Ｂを形成する。このとき、ＢＭ５０の開口部５２にはＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されないようにする。次に、ＩＴＯ等の透明導電膜を成膜して共通電極４０を形成する。
【００８１】
次に、共通電極４０上の全面に、ネガ型感光性アクリルレジストを塗布してプリベークし、ネガレジスト層５４を形成する。次に、図５３に示すように、高圧水銀ランプ（図示せず）によって紫外線を基板裏面（図中下方）から照射する。次に、感光したネガレジスト層５４を現像すると、図５４及び図５５に示すように、開口部５２上に柱状スペーサ７０が形成される。次いでクリーンオーブンを用いて２２０℃で焼成する。
【００８２】
以上の工程で製造されたＣＦ基板４と、対向して配置されるＴＦＴ基板２との対向面に液晶の配向を制御する配向膜（図示せず）を形成し、両基板間に液晶ＬＣを封入して偏光板（図示せず）を貼付し、図４８に示す液晶表示用装置が完成する。
【００８３】
本実施例では、ＢＭ３０に開口部５２を設け、ネガ型感光性レジストを背面露光により露光して柱状スペーサ７０を自己整合的に形成している。このため、ＣＦ基板４と露光用マスク３８との位置合わせが不要である。プロキシミティ方式の露光と同等以上のタクトで露光処理を行うことができ、またコンタクト方式の露光と同程度の解像度で、位置精度の高い柱状スペーサ７０が得られる。したがって、高精細でかつ開口率を高めたＢＭ３０のパターン設計がされていても、当該ＢＭ３０上に柱状スペーサ７０を容易に形成できる。
【００８４】
図５６は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す断面図である。図５６に示すように、本変形例の液晶表示装置用基板は、Ｃｒで形成されたＢＭ５０に代えて黒色樹脂で形成された樹脂ＢＭ５６を有している。ＢＭ５０より樹脂ＢＭ５６の方がより厚い膜厚を有しているので、柱状スペーサ７０と開口部５２の内壁面７２との接触面積が増加する。このため、配向膜をラビングする際に基板面方向に力が加えられても、柱状スペーサ７０を剥がれ難くすることができる。
【００８５】
なお、本実施例の構造では、柱状スペーサ７０が透明なネガ型感光性レジストで形成されると、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置では開口部５２から光が透過して、表示画面のコントラストが低下してしまう。これを防止するため、柱状スペーサ７０の形成材料として焼成後の光透過率の低い着色ネガ型レジスト等を用いれば光漏れを抑えることができる。また、図５７に示すように、透明なネガ型レジストを用いても、ＴＦＴ基板２側で柱状スペーサ７０と重なる領域にバスライン等の金属配線５８やＢＭを形成するようにすれば光漏れを防ぐことができる。ノーマリーブラックモードの液晶表示装置では、画素領域端部からの光漏れがないため、柱状スペーサ７０を透明なネガ型レジストで形成してもよい。
【００８６】
（実施例２−２）
次に、実施例２−２による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図５８乃至図６６を用いて説明する。図５８は、本実施例による液晶表示装置用基板の概略構成を示す断面図である。図５８（ａ）はＴＦＴ基板２の蓄積容量バスライン１４上に形成された柱状スペーサ３５の構成を示しており、図５８（ｂ）はＴＦＴ基板２の蓄積容量バスライン１４上に形成された他の柱状スペーサ３５’の構成を示している。本実施例によるＴＦＴ基板２は、ＣＦ−ｏｎ―ＴＦＴ構造を有している。図５８（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板２８表面からの高さが互いに異なる柱状スペーサ３５、３５’を有している。
【００８７】
図５８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板２８上に形成された蓄積容量バスライン１４を有している。蓄積容量バスライン１４は、柱状スペーサ３５の形成領域近傍に開口部５３’を有している。蓄積容量バスライン１４上にはゲート絶縁膜６６が形成されている。ゲート絶縁膜６６上には、ドレインバスライン８と蓄積容量電極６０とが形成されている。蓄積容量電極６０上には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。蓄積容量電極６０及びＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂは、柱状スペーサ３５の形成領域近傍に開口部５３を有している。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には、平坦化膜６８が形成されている。平坦化膜６８は、開口部５３上で開口されている。平坦化膜６８上及び開口部５３を介したゲート絶縁膜６６上には画素電極１２が形成されている。開口部５３の画素電極１２上には柱状スペーサ３５が形成されている。
【００８８】
一方、図５８（ｂ）に示すように、他の柱状スペーサ３５’の形成領域では、柱状スペーサ３５の形成領域と異なり、平坦化膜６８が開口部５３上で開口されていない。このため、柱状スペーサ３５、３５’の各底面は、ガラス基板２８表面からの高さが互いに異なっている。
【００８９】
次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図５９乃至図６６を用いて説明する。図５９、図６１及び図６３は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図であり、図６０、図６２、図６４乃至図６６は図５９のｂ−ｂ線で切断した断面を示す工程断面図である。
【００９０】
まず、図５９及び図６０に示すように、ガラス基板２８上の全面にＣｒ、Ａｌ等を成膜してパターニングし、開口部５３’を有する蓄積容量バスライン１４とゲートバスライン６とを形成する。
【００９１】
次に、基板全面にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）及びＳｉＮを連続成膜し、上層のＳｉＮをパターニングしてチャネル保護膜を形成する。次に、図６１及び図６２に示すように、例えばＡｌ、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）を成膜して、ａ−Ｓｉと下層のＳｉＮとともにパターニングし、開口部５３’上に開口部５３が位置する蓄積容量電極６０を形成する。同時に、ドレインバスライン８、ドレイン電極６２及びソース電極６４を形成する。
【００９２】
次に、図６３及び図６４に示すように、例えば顔料分散型ネガ型感光性レジストを全面に塗布してパターニングし、開口部５３上で開口されたＣＦ樹脂層Ｒを形成する。続いて同様の工程で、開口部５３上で開口されたＣＦ樹脂層Ｇ、Ｂをそれぞれ形成する。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂは、図６３中上下方向にストライプ状に延びて形成される。
【００９３】
次に、図６５（ａ）、（ｂ）に示すように、例えば透明アクリルレジストを全面に塗布して平坦化膜６８を形成する。次に、図６５（ａ）に示すように、平坦化膜６８は、所定のコンタクトホール（図示せず）を開口するとともに、任意の開口部５３の上方を開口する。次に、ＩＴＯ等の透明導電膜を成膜してパターニングし、画素電極１２を形成する。
【００９４】
次に、図６６（ａ）、（ｂ）に示すように、ネガ型感光性レジストを全面に塗布してネガレジスト層５５を形成する。このとき、開口部５３上で平坦化膜６８が開口された領域と他の領域とでは、ネガレジスト層５５のガラス基板２８表面からの高さが異なっている。次に、プリベークによりネガレジスト層５５を乾燥させた後、当該ネガレジスト層５５が感光する紫外線を基板裏面（図中下方）から照射する。ゲートバスライン６、ドレインバスライン８、蓄積容量バスライン１４及びＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ等が遮光層となり紫外線を反射あるいは吸収するため、これらの金属層やＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂの上層のネガレジスト層５５は感光しない。一方、下層に金属層やＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されていない開口部５３上のネガレジスト層５５は、基板裏面より照射された紫外線により感光する。現像処理後、２２０℃程度のポストベークで焼成して、柱状スペーサ３５、３５’を形成する。以上の工程を経て、図５８（ａ）、（ｂ）に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００９５】
本実施例では、ガラス基板２８表面からの高さの異なる柱状スペーサ３５、３５’を任意の位置に任意の配置密度で同時に形成することができる。本実施例によるＴＦＴ基板２を用いて形成された液晶表示パネルは、通常は高さの高い方の柱状スペーサ３５’がセルギャップを保持しているが、液晶表示パネルのパネル表面が加圧されてセルギャップが狭くなると高さの低い方の柱状スペーサ３５もセルギャップを保持するようになる。このため、本実施例による液晶表示装置用基板は、実施例２−１と同様の効果を奏することができるとともに、耐加圧性が向上する。
【００９６】
また、液晶表示パネル周囲の温度が低下すると、液晶が収縮して体積が減少する。従来の液晶表示装置では、同一高さの柱状スペーサが高い配置密度で形成されているため、セルギャップ内の容積を減少させるのは困難である。このため、セルギャップ内の圧力が低下して低温発泡が生じやすくなる。これに対し、本実施例の液晶表示装置では、任意の配置密度で形成された高さの高い柱状スペーサ３５’のみでセルギャップを維持しており、通常時において、高さの低い柱状スペーサ３５は対向基板面に接触していない。温度低下等により液晶体積が減少すると、パネル基板面の一部が高さの低い柱状スペーサ３５の位置まで降りてきてセルギャップ内の容積を減少させることができる。こうすることにより、低温発泡の発生を抑制することができる。
【００９７】
また、本実施例では、柱状スペーサ３５、３５’がＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上に形成されていない。このため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成材料は、柱状スペーサ３５、３５’の形成材料のようにパネル表面の指押し等に対抗できるだけの圧縮強度を必要としないので、その分、材料の選定が容易になる。
【００９８】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、
前記基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域と、
セルギャップを保持するために前記画素領域端部に配置された柱状スペーサと、
前記画素領域に形成されるとともに、少なくとも前記柱状スペーサの周囲で、隣接する前記画素領域間に隙間が生じないように形成された複数のカラーフィルタ樹脂層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【００９９】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板において、
前記柱状スペーサは、前記カラーフィルタ樹脂層を複数積層して形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１００】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数のカラーフィルタ樹脂層は、隣接する前記画素領域間で互いの端辺が接するように形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０１】
（付記４）
付記１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数のカラーフィルタ樹脂層は、隣接する前記画素領域間で積層されて形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０２】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記カラーフィルタ樹脂層上に形成され、前記液晶を配向規制する線状の突起をさらに有し、
前記柱状スペーサは、前記突起の形成層を有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０３】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素領域端部を遮光する遮光膜をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０４】
（付記７）
付記６記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光膜は、金属で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０５】
（付記８）
付記７記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光膜の上層には、当該遮光膜をパターニングする際に用いられたレジスト層が残存していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０６】
（付記９）
付記６記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光膜は、黒色樹脂で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１０７】
（付記１０）
基板上の第１の画素領域及び柱状スペーサ形成領域に第１のカラーフィルタ樹脂層を形成し、
前記第１の画素領域に隣接する第２の画素領域及び前記柱状スペーサ形成領域に、少なくとも前記柱状スペーサ形成領域の周囲で前記第１のカラーフィルタ樹脂層との間に隙間が生じないように第２のカラーフィルタ樹脂層を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【０１０８】
（付記１１）
付記１０記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記第２のカラーフィルタ樹脂層は、端辺が前記第１のカラーフィルタ樹脂層の端辺に接するように形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【０１０９】
（付記１２）
付記１０又は１１に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記画素領域を画定するための遮光膜形成層を前記基板上に成膜し、
前記遮光膜形成層上にレジストを塗布し、
前記レジストをパターニングしてレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記遮光膜形成層をエッチングして遮光膜を形成し、
前記レジストパターン上に前記カラーフィルタ樹脂層を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【０１１０】
（付記１３）
付記１０乃至１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記カラーフィルタ樹脂層は減圧乾燥されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【０１１１】
（付記１４）
基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域と、
前記画素領域端部に形成され、所定の領域で開口された複数の開口部を有する遮光層と、
セルギャップを保持するために前記複数の開口部に配置され、光硬化性レジストで形成された複数の柱状スペーサと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１２】
（付記１５）
付記１４記載の液晶表示装置用基板において、
前記光硬化性レジストは着色レジストであること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１３】
（付記１６）
付記１４又は１５に記載の液晶表示装置用基板において、
前記開口部は、少なくとも前記光硬化性レジストの感光波長を有する光を透過させること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１４】
（付記１７）
付記１４乃至１６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の柱状スペーサは、複数の異なる高さで形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０１１５】
（付記１８）
一対の基板と、前記一対の基板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記基板の一方に、付記１乃至９又は付記１４乃至１７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
【０１１６】
（付記１９）
複数の開口部を有する遮光層を基板上に形成する工程と、
前記遮光層上に光硬化性レジストを塗布する工程と、
前記光硬化性レジストを前記基板の裏面から露光して、前記開口部上に柱状スペーサを自己整合的に形成する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【０１１７】
（付記２０）
付記１９記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
複数の高さの前記柱状スペーサを同時に形成するために、前記複数の開口部上において前記基板面からの高さが異なる前記光硬化性レジスト表面を形成する工程をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【０１１８】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、所望のセルギャップが容易に得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置のＴＦＴ基板側の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の製造方法を示す断面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の製造方法を示す断面図である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の変形例の構成を示す断面図である。
【図３０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の変形例の製造方法を示す断面図である。
【図３１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図３３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図３４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図３９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図４０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の効果を説明する図である。
【図４４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の効果を説明する図である。
【図４５】本発明の第２の実施の形態の前提となる従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４６】本発明の第２の実施の形態の前提となる従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４７】本発明の第２の実施の形態の前提となる従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４８】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４９】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図５０】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図５２】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５３】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５４】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図５５】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５６】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の変形例を示す図である。
【図５７】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の変形例を示す図である。
【図５８】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図５９】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図６０】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図６２】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６３】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図６４】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６５】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６６】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６７】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図６８】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図６９】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図７０】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す図である。
【図７１】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す断面図である。
【図７２】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
２ ＴＦＴ基板
４ ＣＦ基板
６ ゲートバスライン
８ ドレインバスライン
１０ ＴＦＴ
１２ 画素電極
１４ 蓄積容量バスライン
１６ ゲート駆動回路
１８ ドレイン駆動回路
２０ 制御回路
２２、２６ 偏光板
２４ バックライトユニット
２８、２９ ガラス基板
３０、５０ ＢＭ
３１ 低反射Ｃｒ膜
３２ 突起
３３、３６、４８ レジスト層
３４、３５、７０ 柱状スペーサ
３４’ 柱状スペーサ形成領域
３７ レジストパターン
３８ 露光用マスク
４０ 共通電極
４２ 隙間部
４４、５６ 樹脂ＢＭ
４６ 色重ねＢＭ
５２、５３ 開口部
５４、５５ ネガレジスト層
５８ 金属配線
６０ 蓄積容量電極
６２ ドレイン電極
６４ ソース電極
６６ ゲート絶縁膜
６８ 平坦化膜
７２ 内壁面

Claims (3)

1. 基板上の第１の画素領域及び柱状スペーサ形成領域に第１のカラーフィルタ樹脂層を形成し、
   前記第１の画素領域に隣接する第２の画素領域及び前記柱状スペーサ形成領域に、少なくとも前記柱状スペーサ形成領域の周囲で前記第１のカラーフィルタ樹脂層との間に隙間が生じないように第２のカラーフィルタ樹脂層を形成し、
   前記画素領域を画定するための遮光膜形成層を前記基板上に成膜し、
   前記遮光膜形成層上にレジストを塗布し、
   前記レジストをパターニングしてレジストパターンを形成し、
   前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記遮光膜形成層をエッチングして遮光膜を形成し、
   前記レジストパターン上に前記カラーフィルタ樹脂層を形成すること
   を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
2. 請求項１記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
   前記第２のカラーフィルタ樹脂層は、端辺が前記第１のカラーフィルタ樹脂層の端辺に接するように形成されること
   を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
   前記カラーフィルタ樹脂層は減圧乾燥されること
   を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。

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