JP3933497B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置をはじめとするフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）が広く利用されつつある。また、電子ペーパーと呼ばれるタイプのさらに薄い表示装置の開発も進んでいる。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶分子の配向方向が電界に応答して変化するのに伴う、液晶層の光学的な特性の変化を利用して表示を行う。液晶層への電界の印加は、典型的には、液晶層を介して互いに対向する一対の電極間に電圧を印加することによって行なわれる。この液晶層に電界を印加するための電極の構造は、液晶表示装置の仕様によって種々の形態をとる。
【０００４】
反射型のアクティブマトリクス型液晶表示装置を例に、典型的な電極構造を説明する。アクティブマトリクス型液晶表示装置において、液晶層に電界を印加する電極は、典型的には、アクティブマトリクス基板に設けられた画素電極と、画素電極と対向するように設けられた対向電極である。
【０００５】
反射型液晶表示装置は、液晶層に入射した周囲光を液晶層で変調した後、反射することによって表示を行うための反射層を備えるが、画素電極に反射層を兼ねさせたものもある。すなわち、反射率の高い金属を用いて画素電極を形成することによって、反射機能を備えた画素電極（「反射画素電極」と呼ばれることもある。）を得ることができる。この反射電極は、例えば、散乱反射（拡散反射）特性（例えば特許第３１８７３６９号公報）や再帰反射特性（例えば特願２０００−０９６０７５号）を有するように、その表面形状は種々の形状に加工される。
【０００６】
また、透過型液晶表示装置においては、画素電極は典型的には透明電極であり、液晶層の層面に対して平行な平坦な層として形成されるが、液晶表示装置の視野角特性等を改善するために、液晶分子を多様な方向に配向させる方法の１つとして、画素電極の表面形状を制御し、形状効果あるいは斜め電界効果を利用する方法がある。
【０００７】
上述した液晶表示装置の画素電極は、アクティブマトリクス基板に形成されており、その表面形状は、所定の表面形状を有する層間絶縁層を形成し、その上に画素電極を形成することによって制御されていた。また、画素電極とアクティブ素子との電気的な接続は、層間絶縁層中に形成されたコンタクトホールを介して行なわれていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来の液晶表示装置には以下の問題があった。まず、図１１（ａ）から（ｄ）を参照しながら、従来の方法によって製造された再帰反射特性を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の問題点を説明する。
【０００９】
図１１（ａ）に示すように、ガラス基板１１０１上にゲート電極・半導体層（チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を含む）１１０２と、ソース電極１１０３と、ドレイン電極１１０４と、接続電極１１０５とを有する基板１１０７を用意する。ゲート電極・半導体層１１０２、ソース電極１１０３およびドレイン電極１１０４はＴＦＴを構成している。ＴＦＴのゲート電極およびソース電極１１０３にはそれぞれ走査線および信号線（いずれも不図示）が接続されている。接続電極１１０５はドレイン電極１１０４に電気的に接続されており、後に説明するコンタクトホール内で画素電極と接続される。なお、接続電極１１０５を省略し、ドレイン電極１１０４上にコンタクトホールを設けてドレイン電極１１０４と画素電極とを直接接続することもできる。
【００１０】
次に、図１１（ｂ）に示すように、基板１１０７上に、例えば米国特許第４，６０１，８６１号に記載されている方法で形成された再帰反射層用下地膜１１０８を基板１１０７に貼り付ける。再帰反射用下地膜は絶縁材料（典型的には樹脂）で形成されている。
【００１１】
その後、フォトリソグラフィ法等を用いて、図１１（ｃ）に示すように、接続電極１１０５の位置にあわせてコンタクトホール１１０９を形成する。すなわち、再帰反射層用下地膜１１０８に形成したコンタクトホール１１０９内に接続電極１１０５の一部を露出させる。
【００１２】
次に、図１１（ｄ）に示すように、コンタクトホール１１０９内において接続電極１１０５と接続された画素電極１１１０を形成する。画素電極１１１０の形成は、例えば金属材料（例えばＡｌ）をマスク蒸着することによって行うことができる。あるいは、基板１１０７のほぼ全面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ法等を用いて、所定の形状にパターニングしても良い。画素電極１１１０は再帰反射層としても機能する再帰反射画素電極である。
【００１３】
このようにして作製された再帰反射画素電極を有するアクティブマトリクス基板と別途作製された対向基板とを所定の間隙をあけて貼り合せることによって、液晶セルが得られる。対向基板は、例えばガラス基板上にＲ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）のカラーフィルタと必要に応じて設けられるブラックマトリクスとを備えるカラーフィルタ（ＣＦ）層と、その上に例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で形成された対向電極とを有する。液晶セルの間隙に、例えば散乱型液晶層（例えば高分子分散型液晶）を形成することによって、再帰反射型液晶表示装置が得られる。
【００１４】
理想的な再帰反射特性を得るためには、再帰反射層（再帰反射面）の表面形状は、図１２（ａ）および（ｂ）に模式的に示すように、基板１１０１の面（表示面に平行）に対して互いに異なる方向に傾斜した２種類の面が、規則正しく、繰り返し形成されていることが必要である。しかしながら、上述の従来の方法によって形成された画素電極１１１０は、コンタクトホール１１０９内に平坦部を有し、理想的な再帰反射層の凹凸構造とは異なる形状となる。
【００１５】
さらに、理想的な再帰反射層が有する規則的な凹凸構造においては、図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、凹凸構造の深さＬ（最頂部１１０１と最底部１１０２との高さの差）が、ピッチＰをルート６倍し３で割ったものに等しい（Ｌ＝ＳＱＲＴ（６）＊Ｐ／３）。従って、理想的な再帰反射特性を得るためには、再帰反射層用下地膜１１０８の厚さは、凹凸構造の深さＬよりも大きいことが必要となる。すなわち、再帰反射用下地膜１１０８の下に形成されている接続電極１１０５と再帰反射用下地膜１１０８上に形成される画素電極（再帰反射層を兼ねる）１１１０とを電気的に接続するためのコンタクトホール１１０９の深さは、凹凸構造の深さＬよりも大きくなることになる。
【００１６】
一般に深さが１μｍ以上のコンタクトホール１１０９の内面全体を薄膜堆積プロセスを用いて金属材料（画素電極１１１０を形成する材料）で確実に被覆することは難しい。電気的な接続を十分に確保できるように、金属材料でコンタクトホール１１０９の内面を被覆するためには、コンタクトホール１１０９の内面にテーパ（傾斜）をつける必要が生じる。しかしながら、コンタクトホール１１０９の内面にテーパをつけると、コンタクトホール１１０９のサイズ（基板１１０１の表面へ射影したときの面積）が大きくなってしまうので、他の領域と表面形状が異なる領域の面積が増加することになる。
【００１７】
ここで、図１３（ａ）および（ｂ）を参照しながら、従来の製造方法で作製した再帰反射画素電極の問題をさらに詳細に説明する。
【００１８】
図１３（ａ）に示した再帰反射画素電極１１１０ａは、層間絶縁層１１０８ａに形成されたコンタクトホール１１０９内において、接続電極１１０５と接続されている。従って、コンタクトホール１１０９の近傍およびその内部（「コンタクトホール部」ということもある。）において、反射電極１１１０ａの表面形状が所定の形状１１１０ａＲと大きく異なっている。なお、本明細書において、画素電極と接続電極（ドレイン電極）とが接続された部分をコンタクト部と称し、コンタクト部をコンタクトホール内に形成した構成においては、コンタクトホールを含む、他の領域と表面形状が異なる部分をコンタクトホール部と称することにする。
【００１９】
再帰反射画素電極１１１０ａの表面の表示面（基板面）に対する傾斜角Φの分布をみると、図１３（ａ）の下側に模式的に示したように、コンタクトホール１１０９の近傍において傾斜角Φが急激に変化しており、再帰反射電極１１１０ａの理想的な表面の傾斜角ΦＲから大きく崩れている。また、コンタクトホール１１０９の中央に平坦部（Φ＝０°）の領域が形成されている。
【００２０】
このように、コンタクトホール１１０９内で画素電極１１１０ａと接続電極１１０５とを電気的に接続すると、画素電極１１１０ａの表面形状が所定の形状から大きく崩れるので、所定の再帰反射特性が得られない。このことは、事実上、表示の有効面積を減少させてしまうことになり、コントラスト比を低下させる等、表示品位を低下させる原因となる。
【００２１】
図１３（ｂ）に示すように、再帰反射画素電極１１１の凹凸面の最底部（図１２中の１１０２）を含む領域に、図１３（ａ）に示したコンタクトホール１１０９よりも小さなコンタクトホール１１０９を形成すると、平坦部（傾斜角Φ＝０°）の占める割合は減少するが、コンタクトホール１１０９の近傍における傾斜角の変化は大きく、十分な再帰反射特性が得られない。
【００２２】
上記の問題は、再帰反射層を利用する反射型表示装置だけなく、散乱反射層を利用する反射型表示装置においても問題になる。
【００２３】
例えば、特許第３１８７３６９号公報には、散乱反射層の表面に形成される凹凸の形状をその表面の基板面に対する傾き角で規定しているが、このように散乱反射層の表面の形状を最適に設計しても、上述の従来の方法で製造する限り、コンタクトホール上の散乱反射層の形状は設計した形状から崩れていまい、所定の散乱反射特性が得られないことになる。
【００２４】
図１４（ａ）に模式的に示すように、コンタクトホール１１０９内に形成された散乱反射電極１１１０ｃの表面形状は殆ど平坦（Φ＝０）で、コンタクトホール１１０９の近傍においては傾斜角Φが急峻に変化し、理想的な散乱反射特性を有する表面形状１１１０ｃＲと大きく異なる。その結果、所定の散乱反射特性が得られないという問題が発生する。
【００２５】
また、上述の反射型液晶表示装置に限られず、透過型液晶表示装置においても、例えば、開口率の向上等のために、透明な層間絶縁層１１０８ｄ上に透明な画素電極１１１０ｄが形成されることがある。このような構成においては、図１４（ｂ）に示すように、画素電極１１１０ｄと接続電極１１０５との接続を確実にするために、コンタクトホール１１０９の内面にテーパ（Φ≦４５°）を形成すると、コンタクトホール１１０９の近傍で傾斜角Φが他の領域と異なることとなるので、液晶分子の配向が他の領域と異なり、表示品位の低下を招くことがある。
【００２６】
さらに、透過型液晶表示装置においても、液晶分子の配向方向を制御するために、画素電極の表面に凹凸を形成する場合があり、この場合にも、画素電極の表面形状がコンタクトホールの近傍で所定の形状から崩れると、表示品位の低下を招く。
【００２７】
また、上述の問題は、例示したアクティブマトリクス型液晶表示装置に限られず、単純マトリクス型液晶表示装置においても発生することがある。また、液晶層以外の電気光学効果を有する表示媒体層を有する表示装置にも起こり得る。
【００２８】
本発明は上記諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、電極が層間絶縁層を介して回路要素と互いに電気的に接続された構造を有する表示装置の表示品位を向上することを目的とする。また、本発明の他の目的は、そのような表示装置を効率的に製造する方法を提供することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
本発明による表示装置の製造方法は、基板と、前記基板上に設けられた回路要素と、前記回路要素上に設けられ、層間絶縁層および前記層間絶縁層中に設けられた層間接続部を有する層間膜と、前記層間膜上に設けられた再帰反射特性を有する電極とを有し、前記電極と前記回路要素とが前記層間接続部を介して電気的に接続された、表示装置の製造方法であって、（ａ）前記層間絶縁層と、前記層間絶縁層中に設けられた前記層間接続部とを有する前記層間膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後に、均一な凹凸形状の表面を有するマスタを押し付けることにより、前記層間絶縁層および前記層間接続部に前記マスタの均一な凹凸形状を転写して、前記層間絶縁層および前記層間接続部の表面形状を均一な凹凸形状に加工する工程と、（ｃ）前記層間膜上に前記電極を形成する工程と、を包含することを特徴とし、そのことによって上記目的が達成される。なお、本明細書において、回路要素とは、能動素子（ＴＦＴやＭＩＭ）や受動素子（抵抗素子や容量素子）などの回路素子および配線や電極を含むものとする。
【００４２】
工程（ａ）および（ｂ）は、前記回路要素が設けられた前記基板上以外の場所で実行され、工程（ａ）および（ｂ）の後で前記層間膜を前記回路要素が形成された前記基板に転写する工程を包含してよい。
【００４３】
工程（ａ）から（ｃ）は、前記回路要素が設けられた前記基板上で実行されてもよい。
【００４４】
工程（ａ）は、あなを有する層間絶縁層を形成する工程と、前記あなに導電性材料を充填することによって前記層間接続部を形成する工程とを包含してもよい。前記回路要素は導電層を含む場合、前記導電材料を充填する工程は、前記導電層によって生成される電界を利用して行ってもよい。電界を利用する方法として、例えば、電解重合、電着（電気めっき）や電析を用いることができる。また、前記導電性材料を充填する工程は、インクジェット法で行なわれてもよい。
【００４５】
工程（ａ）は、導電性材料を用いて層間接続部を形成する工程と、前記層間接続部以外の領域に前記層間絶縁層を形成する工程を包含してもよい。前記層間接続部の形成はフォトリソグラフィプロセスを用いて実行されてもよい。前記層間接続部の形成はディスペンサを用いて実行されてもよい。
【００４６】
前記層間絶縁層および前記層間接続部は、樹脂を含む材料から形成されてもよい。
【００４７】
ある実施形態において、工程（ｂ）は、前記層間膜を加熱した状態で実行される。前記層間接続部は、前記層間絶縁層よりも熱膨張係数が小さい材料で形成されていることが好ましい。
【００４８】
前記樹脂は熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂であってもよい。前記層間接続部は、前記層間絶縁層よりも硬化収縮が小さい樹脂を含む材料で形成されることが好ましい。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明による実施形態の表示装置およびその製造方法を説明する。以下では、反射型液晶表示装置を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５０】
本発明による実施形態の反射型液晶表示装置の反射画素電極構造を図１（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。図１（ａ）は再帰反射画素電極の構造を模式的に示す断面図であり、図１（ｂ）は散乱反射画素電極の構造を模式的に示す図である。
【００５１】
以下の説明においては、図１１に示した従来の製造方法で作製されたアクティブマトリクス基板の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ名称を使用し、その説明を省略する。
【００５２】
図１（ａ）に示すように、本発明の実施形態による再帰反射画素電極１１２ａの表面形状は実質的に均一であり、所定の形状を有しており、実質的に均一な再帰反射特性を有している。すなわち、反射画素電極１１２ａの下地膜（再帰反射層用下地膜）である層間膜１０９は、反射画素電極１１２ａと接続電極１０５とを電気的に接続する層間接続部１１１ａと層間絶縁層１０８ａとを有するが、その表面形状は実質的に均一であり、層間接続部１１１ａと層間絶縁層１０８ａの表面は実質的に連続して、所定の表面形状を構成している。
【００５３】
反射画素電極１１２ａの表面の表示面（基板面）に対する傾斜角Φの分布をみると、図１（ａ）の下側に示したように、傾斜角Φが異なる２種類の面が規則正しく形成されていることがわかる。すなわち、画素電極１１２ａの表面の形状は、層間絶縁層１０８ａ上においても層間接続部１１１ａ上においても所定の形状を維持している。
【００５４】
また、図１（ｂ）に示すように、本発明の実施形態による散乱反射電極１１２ｂの表面形状も実質的に均一であり、所定の形状を有しており、実質的に均一な散乱反射特性を有している。すなわち、反射画素電極１１２ｂの下地膜である層間膜１０９は、反射画素電極１１２ｂと接続電極１０５とを電気的に接続する層間接続部１１１ｂと層間絶縁層１０８ｂとを有するが、その表面形状は実質的に均一であり、層間接続部１１１ｂと層間絶縁層１０８ｂの表面は実質的に連続して、所定の表面形状を構成している。
【００５５】
反射画素電極１１２ｂの表面の表示面に対する傾斜角Φの分布をみると、図１（ｂ）の下側に示したように、傾斜角Φが規則正しく変化していることが分かる。すなわち、画素電極１１２ｂの表面の形状は、層間絶縁層１０８ｂ上においても層間接続部１１１ａ上においても所定の形状を維持しており、傾斜角Φは規則正しく周期的に変化している。
【００５６】
なお、散乱反射特性を有する反射膜の表面形状は、図１（ｂ）に示した例に限られず、種々の形状であってよい。特に、凹凸の周期が一定していると、光の干渉によって表示品位が低下することがあるので、むしろ、凹凸の周期はランダムな方が好ましい。本発明の実施形態によると、反射電極１１２ｂの全体に亘って均一にランダムな凹凸形状を得ることができる。従来の製造方法によると、コンタクトホールを形成することによる形状の歪みが周期的に現れるため、光の干渉によって表示品位が低下することがあったが、本発明によると、光の干渉を抑制した良好な散乱反射特性を有する反射電極を形成することができる。
【００５７】
再帰反射電極または散乱反射電極の表面形状が実質的に均一であるということは、反射電極の再帰反射特性または散乱反射特性が、層間接続部上および層間絶縁層上において実質的に同じであり、それらの違いが表示品位に影響を与えないことを言う。以下に、層間接続部上の反射電極の表面形状の崩れの評価方法について説明する。
【００５８】
図１３および図１４を参照しながら説明したように、従来の方法で形成した反射電極の傾斜角Φの分布において、コンタクトホール部での傾斜角（Φｃと表記する）が理想的な傾斜角ΦＲ（コンタクトホール部以外の領域の傾斜角はΦＲに近い）と大きく異なっている。ΦｃとΦＲとの差が大きいほど、その領域の光学特性は所定の光学特性（設計した光学特性（反射特性））からずれてしまい、ΦｃとΦＲとの差が小さければ小さいほど所定の光学特性に近い光学特性が得られる。傾斜角ΦＲとΦｃとの差が小さいということは、とりもなおさずそれぞれの部分、すなわちコンタクト部とそれ以外の部分の基板面に垂直な面における断面積の差が小さいということを示している。
【００５９】
ここで、従来の方法によって形成されたコンタクト構造よりも所望の光学特性に近い光学特性を得るために必要な表面形状を上記断面積の差に基づいて評価する方法を説明する。好ましい表面形状を特徴付ける断面積の差の条件は、所望する電極の表面形状により異なるので、以下では、表面形状に応じて２つの場合に分けて説明する。
【００６０】
まず、平坦は表面形状の画素電極について、好ましい表面形状を特徴付ける断面積の条件を説明する。
【００６１】
図１４（ｂ）に示したように、層間絶縁層１１０８ｄにコンタクトホール１１０９を形成した場合、コンタクト部１４０１を含むコンタクトホール部１４０２において、画素電極１１１０ｄの表面の傾斜角Φｃが他の部分（すなわち理想的な表面形状を）と異なる。
【００６２】
基板面に平行な面内に（ｘ、ｙ）座標をとり、第１座標（ｘ１，ｙ１）から第２座標（ｘ２，ｙ１）（ただしｘ１＜ｘ２とする）に至るコンタクトホール部１４０２の断面積を考える。ここでは、コンタクトホール部１４０２の断面積は、その部分の層間絶縁層１１０８ｄの断面積で近似して考える。
【００６３】
層間膜（層間絶縁層と層間接続部を有する）が理想的な表面形状１１１０ｄＲを有する場合、図１４（ｂ）から明らかなように、第１座標から第２座標に至る層間膜（図１４および図１５中では、層間接続部を省略し、層間絶縁層と同じ参照符号で示す。）の断面積（理想的な断面積ＳＲと呼ぶ）は、（ｘ２−ｘ１）と層間膜１１０８ｄの厚さｄとの積で表される。
【００６４】
これに対し、コンタクトホール１１０９を形成した場合のコンタクトホール部の断面積Ｓｃは、少なくともコンタクト部１４０１の幅と厚さｄとの積の分だけ、理想的な場合の断面積ＳＲよりも小さくなる（Ｓｃ＜ＳＲ）。図１４（ｂ）に示したように、コンタクトホール１１０９が傾斜した側面を有する場合には、側面含む区間の断面積、すなわち｛（コンタクトホール部１４０２の幅−コンタクト部１４０１の幅）×厚さｄ｝／２の分だけ、Ｓｃは理想的な断面積ＳＲよりさらに小さくなる。
【００６５】
傾斜角Φ９０°の側面を有するコンタクトホール１１０９を形成し、且つ、断線を発生させずに画素電極１１１０ｄを形成することは困難であるので、従来の方法によって形成されたコンタクトホール部１４０２の断面積Ｓｃは、理想的な断面積ＳＲの２分の１未満（Ｓｃ＜ＳＲ／２）となり、理想的な断面積ＳＲとの差は理想的な断面積ＳＲの２分の１超（ＳＲ−Ｓｃ＞ＳＲ／２）となってしまう。本発明によると、理想的な断面積を有するコンタクト部（層間接続部）を形成することができるが、少なくとも、理想的な断面積ＳＲとの差がＳＲ／２以下の断面積を有するコンタクト部（層間接続部）を形成すれば（ＳＲ−Ｓｃ≦ＳＲ／２）、従来よりも表示品位が優れた表示装置が得られる。本発明の効果を顕著に得るためには、理想的な断面積ＳＲとの差がＳＲ／４以下のコンタクト部を形成すことが好ましい（ＳＲ−Ｓｃ≦ＳＲ／４）。
【００６６】
次に、図１３や図１４（ａ）に示したように凹凸形状の表面を有する画素電極について、好ましい表面形状を特徴付ける断面積の条件を図１５（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。
【００６７】
図１５（ａ）は、従来の方法によって形成された、コンタクト部１５０１を有するコンタクトホール部１５０２の断面構造を模式的に示しており、図１５（ｂ）はコンタクトホール部１５０２を含まない部分の断面構造（理想的な断面構造と等価）を模式的に示している。図１５（ａ）および（ｂ）において、層間絶縁層（層間膜）１５０８の厚さＤ（ｘ、ｙ）は、凹凸形状を反映する部分の厚さＬ（ｘ、ｙ）と凹凸形状を反映しない部分の厚さδとしてあらわしている（Ｄ（ｘ，ｙ）＝Ｌ（ｘ，ｙ）＋δ）。
【００６８】
コンタクトホール１５０９を形成すると、コンタクトホール部の断面積Ｓｃ（Ｄ（ｘ、ｙ）をｘ１〜ｘ２の範囲で積分した面積）は、少なくとも、コンタクト部１５０１上の層間膜１５０８の厚さδを有する部分（コンタクト部１５０１の幅×δ）分だけ、理想的な断面積ＳＲよりも小さくなる。すなわち、上述と同様の理由から、従来の方法によると、（ＳＲ−Ｓｃ）の値を（コンタクト部１５０１の幅×δ）以下にはできない。本発明によると、理想的な断面積を有するコンタクト部（層間接続部）を形成することができるが、少なくとも、理想的な断面積ＳＲとの差が（コンタクト部１５０１の幅×δ）以下の断面積を有するコンタクト部（層間接続部）を形成すれば、従来よりも表示品位が優れた表示装置が得られる。本発明の効果を顕著に得るためには、理想的な断面積ＳＲとの差が（コンタクト部１５０１の幅×δ）／２以下のコンタクト部を形成することが好ましい。
【００６９】
勿論、上記いずれの場合においても、（ＳＲ−Ｓｃ）の値ができるだけ小さいことが好ましく、理想的には（ＳＲ−Ｓｃ）が零のコンタクト部（層間接続部）を形成することが好ましいが、量産性や表示品位を考慮して、ある程度のずれは許容される。
【００７０】
次に、本発明の実施形態による表示装置の製造方法を説明する。上述した電極構造を有する表示装置は、以下に説明する製造方法を用いて効率良く製造することができる。
【００７１】
図１１を参照しながら説明した従来の製造方法では、再帰反射層用下地膜を形成した後、すなわち所定の表面形状を有する下地膜を形成した後、下地膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホール内に露出された接続電極と反射電極との接続を行っていた。これに対し、本発明による表示装置の製造方法は、（ａ）層間絶縁層と、層間絶縁層中に設けられた層間接続部とを有する層間膜を形成した後、（ｂ）少なくとも反射電極が設けられる領域の層間膜の表面形状を所定の形状に加工し、その後、（ｃ）層間膜上に反射電極を形成する。すなわち、層間接続部は、再帰反射層用下地膜の一部であり、その表面は層間絶縁層の表面とともに所定の形状に加工されるので、層間膜の表面およびその上に形成される反射電極の表面の形状は、実質的に均一になる。
【００７２】
図２を参照しながら、本発明の実施形態による再帰反射電極を備える表示装置の製造方法を説明する。
【００７３】
図２（ａ）に示すように、ガラス基板２０１上にゲート電極・半導体層（チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を含む）２０２と、ソース電極２０３と、ドレイン電極２０４と、接続電極２０５とを有する基板２０７を用意する。
【００７４】
次に、図２（ｂ）に示すように、層間絶縁層２１０と、層間絶縁層２１０中に形成された層間接続部２１１を有する層間膜２０９を基板２０７上に設ける。層間接続部２１１は接続電極２０５に対して複数設けても良い。
【００７５】
続いて、図２（ｃ）に示すように、層間膜２０９の表面を所定の表面形状に加工し、再帰反射層用下地膜２０８を得る。
【００７６】
その後、図２（ｄ）に示すように、反射電極２１２を層間膜２０９上に形成する。反射電極２１２の形成は、図１１（ｄ）を参照しながら説明したように、種々の公知の方法で実行され得る。
【００７７】
なお、層間膜２０９は、基板２０７上で形成しても良いし、予め作製された層間膜２０９を基板上２０７に配置してもよい。また、層間膜２０９の表面形状を所定の形状に加工した後で基板２０７上に配置してもよい。すなわち、層間接続部２１１を有する再帰反射層用下地膜２０８を形成した後で、基板２０７上に配置してもよい。勿論、層間接続部２１１は、接続電極２０５に対応するように、画素ピッチに応じたピッチで形成される。更に、反射電極または反射電極を形成するための反射導電膜を層間膜上に形成した後で、基板２０７上に配置してもよい。また、延性を有する材料を用いて反射導電層を形成する場合には、層間膜２０９上に反射導電層（あるいは反射電極）を形成した後、その表面を所定の形状に加工することもできる。層間膜２０９の具体的な作製方法については後に詳述する。
【００７８】
次に、図３から図８を参照しながら、アクティブマトリクス型反射基板とそれを用いた表示装置の製造方法を具体的に説明する。
【００７９】
まず、図３および図４を参照しながら、アクティブマトリクス型液晶表示装置の一例を説明する。
【００８０】
液晶表示装置３００は、液晶パネル３０１と、液晶パネル３０１内のスイッチング素子を選択的に駆動するためのゲートドライブ回路３０２、液晶パネル３０１内の各画素電極に信号を与えるソースドライブ回路３０３、ゲートドライバ３０４およびソースドライバ３０５を有している。
【００８１】
液晶パネル３０１は、図４に示すように、一対の絶縁基板４０１および４０２と、これらの基板４０１および４０２の間に設けられた液晶層４０３とを備えている。絶縁基板４０１は透明基板であり、典型的には、ガラス基板である。
【００８２】
基板４０１の液晶層４０３側（内側）には複数の画素電極４０４がマトリクス状に配置されており、画素電極４０４およびもう一方の基板（対向基板）４０２の内側に形成された共通透明電極４０５とにより、所定の画素の液晶層４０３に所定の電圧が印加され、液晶分子の配向変化を利用した表示が可能となる。ここでは、画素電極４０４は反射電極であり、その表面形状は所定の形状を有しているが、図４中では簡単のために平坦に図示している。
【００８３】
画素電極４０４は、基板４０１上に形成された薄膜トランジスタ４０６および信号配線４０７を介してソースドライバ回路３０３に接続されている。薄膜トランジスタ４０６のスイッチング動作は、基板４０１に形成された走査配線（不図示）によって制御される。この走査配線はゲートドライバ回路３０２に接続されている。
【００８４】
一方、対向基板４０２の液晶層４０３側には、ブラックマトリクス４０８、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）からなるカラーフィルタ４０９、および共通透明電極４０５が設けられている。
【００８５】
基板４０１と対向基板４０２の最も液晶層４０３側には配向処理を施した配向膜層４１０が形成される。また、基板４０１と対向基板４０２との間隙は、スペーサ４１１によって保持され、液晶層４０３の厚さを規定している。
【００８６】
次に、液晶パネル３０１に用いられるアクティブマトリクス基板の例を図５（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。図５（ａ）は公知の単位画素領域のレイアウトを示しており、図５（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ’断面図を示している。
【００８７】
ガラス等の基板上に複数の走査配線５０１と、走査配線５０１に交差する複数の信号配線５０２とが設けられている。走査配線５０１と信号配線５０２とは絶縁層５０３を挟んで異なる層（レイヤー）に形成されている。走査配線５０１と信号配線５０２とで囲まれた領域内には画素電極（不図示）との電気的導通を実現するための接続電極５０４が、例えば透明導電膜で形成される。接続電極５０４は、走査配線５０１と信号配線５０２とが交差する部分の近傍に形成された薄膜トランジスタ５０５を介して信号配線５０２からの信号を受け取る。接続電極５０４の下には、走査配線５０１に平行な補助容量配線５０６が形成されており、画素電極との間に補助容量を形成する。
【００８８】
薄膜トランジスタ５０５は、走査配線５０１から延びる支線（ゲート電極５０７）と、ゲート電極５０７を覆うゲート絶縁膜５０３と、ゲート絶縁膜５０３を介してゲート電極５０７と重なり合っている真性半導体層５０８と、真性半導体層５０８上に形成された不純物添加半導体層５０９と、不純物添加半導体層５０９を介して真性半導体層５０８のソース／ドレイン領域に接続されるソース電極５１０およびドレイン電極５１１を備えている。ソース電極５１０は信号配線５０２から延設されており、信号配線５０２と一体的に形成される。ドレイン電極５１１は薄膜トランジスタ５０５のドレイン領域と接続電極５０４とを電気的に接続するための導電部材であり、例えば、金属膜をパターニングすることによって、信号配線５０２およびソース電極５１０と同時に形成される。ここでドレイン電極５１１と接続電極５０４とは特別分けて形成する必要はなく、ドレイン電極５１０と接続電極５０４とを一体化して形成することも可能である。すなわち信号配線５０２、ソース電極５１０、ドレイン電極５１１および接続電極５０４は、同じ膜を例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって形成される。
【００８９】
ソース電極５１０とドレイン電極５１１との間は、真性半導体層５０８のチャネル領域を介して接続されており、チャネル領域の導通状態はゲート電極５０７の電位によって制御される。薄膜トランジスタ５０５がｎチャネル型である場合、ゲート電極５０７の電位をトランジスタの反転閾値以上に増加させれば、薄膜トランジスタ５０５はオン状態になる。このときソース電極５１０とドレイン電極５１１とは電気的に導通するため、信号配線５０２と接続電極５０４との間に電流が流れる。
【００９０】
次に、図６および図７を参照しながら、再帰反射電極の形成方法の例を説明する。まず、図２で説明した層間膜２０９を転写可能な膜として形成する例を説明する。
【００９１】
土台となるベース膜６０１上に、緩衝作用のある層６０２、離型作用のある層６０３、再帰反射層用下地膜となる層６０４、離型作用のある層６０５、緩衝作用のある層６０６、保護層６０７をこの順に形成した多層膜６０８を作製する。再帰反射層用下地膜（図２中の層間膜２０９）となる層６０４は、前述したように、絶縁性材料から形成されている層間絶縁層６０９と導電性材料から形成されている層間接続部６１０とを有している。層間接続部６１０はそれぞれの画素の接続電極に対応するように、規則的に形成されている。多層膜６０８を構成する各層は公知の転写用膜と同様の材料を用いて同様の方法で作製することができる。
【００９２】
この転写可能な多層膜６０８を転写することによって、図２中の層間膜２０９が得られる。その後、後述する型押し等の方法によって、層間膜２０９の表面を所定の形状に加工することによって、再帰反射層用下地膜２０８が得られる。
【００９３】
次に、図７を参照しながら、再帰反射層用下地膜２０８を転写可能な膜として形成する例を説明する。
【００９４】
まず、緩衝層７０２、離型層７０３を形成した土台となるベース膜７０１上に、絶縁層７０９（図２中の層間絶縁層２１０に対応）を形成する。この絶縁層７０９のうち、導電部（図２中の層間接続部２１１に対応）を形成する部分の絶縁層を例えばフォトリソグラフィ法等を用いて除去し、導電部７１０を形成する。なお、絶縁層７０９と導電部７１０の形成順序はこれに限られず、先に導電部７１０を形成してから、絶縁層７０９を形成してもよい。この方法については後述する。
【００９５】
上述のようにして得られた再帰反射層用下地膜を形成するための層間膜７０９’（図２中の層間膜２０９に対応）に、再帰反射パターンのマスタ７１１を用いて表面を所定の形状に加工することによって、再帰反射層用下地膜７０４を形成する。再帰反射機能を有する表面形状を形成するための方法として、層間膜７０９’を熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂を用いて形成しておき、この層間膜７０９’に、マスタ（型）７１１を押し付けながら、層間膜７０９’を構成する樹脂を硬化させる方法がある。
【００９６】
このようにして得られた再帰反射層用下地膜７０４上に、離型層７０５、緩衝層７０６、保護層７０７をこの順に形成し、転写用の再帰反射層用下地膜７０８が得られる。
【００９７】
この転写用の再帰反射層用下地膜７０８は、図２に示したように、アクティブマトリクス基板２０７に対し、接続電極２０５上に導電部７１０（層間接続部２１１に対応）が重なるように位置合わせをして、貼り付けられる。このようにして作製された再帰反射層用下地膜７０８を用いると、アクティブマトリクス基板２０７のドレインと画素電極との電気的な接続が容易になるとともに、再帰反射機能を有する表面を無駄なく利用することが可能となる。
【００９８】
上述したように形成された再帰反射電極を有するアクティブマトリクス基板を用いて、例えば、図８に示したようなアクティブマトリクス型再帰反射パネル８１２を作製することができる。
【００９９】
再帰反射パネル８１２は、一対の絶縁基板８０１および８０２と、これらの基板８０１および８０２の間に設けられた液晶層８０３とを備えている。
【０１００】
基板８０１の液晶層８０３側には複数の再帰反射画素電極８０４がマトリクス状に配置されており、画素電極８０４およびもう一方の基板（対向基板）８０２の内側に形成された共通透明電極８０５とにより、所定の画素の液晶層８０３に所定の電圧が印加される。再帰反射画素電極８０４は、基板８０１上に形成された薄膜トランジスタ８０６を介して信号配線８０７に接続されている。
【０１０１】
一方、対向基板８０２の液晶層８０３側には、ブラックマトリクス８０８、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）からなるカラーフィルタ８０９、および共通透明電極８０５が設けられている。
【０１０２】
基板８０１と対向基板８０２の最も液晶層８０３側には配向処理を施した配向膜層８１０が形成される。また、基板８０１と対向基板８０２との間隙は、スペーサ８１１によって保持され、液晶層８０３の厚さを規定している。
【０１０３】
液晶層８０３としては、散乱型液晶表示モード、特に前方散乱型表示モードを採用することが好ましい。具体的には、液晶性モノマーとネマチック液晶、光反応開始剤等を混合した材料を空隙に入れておき、紫外光等を照射することにより電圧無印加時には透明で、電圧を印加すると散乱（前方散乱）する前方散乱型液晶層が形成される。
【０１０４】
本実施形態のアクティブマトリクス型再帰反射装置では、反射画素電極８０４の全ての領域について良好な再帰反射特性を得ることができるので、明るくかつコントラスト比の高い表示を実現できる。
【０１０５】
なお、本実施形態では、反射画素電極に再帰反射特性を付与したが、マスタ（型）７１１の形状を変えることによって、例えば、散乱反射特性を付与することができる。
【０１０６】
次に、再帰反射電極（再帰反射層用下地膜）を形成する方法を更に詳細に説明する。
【０１０７】
先ず、層間接続部（図２中の参照符号２１１）を画素ピッチに対応するように形成した後で、層間絶縁層（図２中の参照符号２１０）を形成する方法について説明する。
【０１０８】
層間接続部を形成する導電性材料としては、導電性樹脂を使用する。ここでいう導電性樹脂とは、絶縁性樹脂に導電性材料を分散させた導電性材料分散樹脂や、高分子そのものが導電性を有する有機導電性化合物を用いても構わない。導電性材料分散樹脂に用いられる絶縁性のマトリクス樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂類、オレフィン類、ポリアミドあるいはポリイミド、ポリエステル、フェノール樹脂類、エポキシ樹脂類、ポリウレタン類等が上げられる。また、導電性分散材料としては、カーボン（Ｃ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）等の種々の導電性金属、あるいはそれら金属の合金等を微粒子にしたものが使用できる。また、有機導電性化合物としては、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピオール等が使用できる。
【０１０９】
マトリクス樹脂としてアクリル樹脂等の光硬化性の樹脂を用いると、フォトリソグラフィ法を利用したパターニングが可能であり、製造工程を簡略化することができる。なお、レーザアブレーションなどの方法を用いてパターニングしてもよい。導電性樹脂材料を用いて、画素ピッチに応じて、複数の導電部（層間接続部）を形成する。このとき、１つの接続電極上に少なくとも導電部の少なくとも１つの導電部が接触するように形成する。また、その厚みは、前述したように作製する再起反射電極の表面形状のピッチをルート６倍しさらに３分の１倍した値、つまり再起反射電極の表面形状の最大深さ以上になるようにする。なお、フォトリソグラフィ法を用いる代わりに、ディスペンサ等のパターン塗布装置を用いて、所定の位置に導電部を形成することもできる。
【０１１０】
フォトリソグラフィ法を利用して導電部を形成した場合は、導電部の表面を再帰反射機能を有する形状に加工するための型押し工程は、熱硬化性または熱可塑性を利用して行うことになり、他の方法で導電部を形成した場合は、表面形状の加工に、熱硬化性および光硬化性のいずれか一方を利用してもよいし、両方を組み合わせてもよい。
【０１１１】
次に、上述のようにして、所定のパターンに形成された複数の導電部の隙間を絶縁性樹脂で埋める。この際、導電性樹脂と絶縁性樹脂を必ずしも同じタイプの樹脂を使用する必要はないものの、以降の熱履歴によるストレスや薬液等の耐プロセス性を考慮すると、同じタイプの樹脂を使用する方が好ましい。
【０１１２】
層間膜の表面に型押しすることよって再帰反射形状を作製する場合、その形状を固定するために、光硬化性および／または熱硬化性を利用するので、層間膜を構成する樹脂は硬化収縮を起こす。このとき、導電部を形成する樹脂と層間絶縁層を形成する樹脂の特性が極端に違うと、この境界で表面形状が崩れ、所望の再帰反射特性が得られ無いことがある。また、導電部の硬化収縮が層間絶縁層よりも大きいと、導電部の表面が層間絶縁層の表面よりも低くなり、これらの上に形成される電極との電気的な接続が不安定になることがあるので、導電部は層間絶縁層よりも硬化収縮の小さい材料で形成されることが好ましい。
【０１１３】
また、型押しによる表面形状の固定を樹脂の熱可塑性を利用して行なう場合や、熱硬化性を利用する場合は、特に冷却時の条件に注意する必要がある。同程度の熱膨張係数を持った材料の組み合わせにおいても、樹脂の熱膨張係数は大きいので急速な冷却を行うと収縮により形状が崩れてしまうばかりではなく、亀裂を生じてしまうことがある。従って、冷却はなるべく時間をかけて型押しされた状態のまま行うことが好ましい。また、使用する導電性樹脂材料および絶縁性樹脂材料の熱膨張係数は同程度（一方が他方の１０倍以下）のものが好ましい。熱膨張係数が異なる材料を用いる場合には、導電性樹脂材料の方が絶縁性樹脂材料よりも熱膨張係数が小さいことが好ましい。導電部の表面が層間絶縁層の表面よりも低いと、これらの上に形成される電極との電気的な接続が不安定になることがある。例えば、アクリル系樹脂をベースに微粒子カーボンを分散させた導電性樹脂と、アクリル系絶縁性樹脂の熱膨張係数は、それぞれ、２×１０^-5および５×１０^-5（ｃｍ／ｃｍ・℃）であり、好適に用いることができる。
【０１１４】
薄膜トランジスタが形成された基板上に再帰反射層用下地膜を転写した後、洗浄、乾燥、焼成、塗布等、種々の公知のプロセスを経て、再帰反射電極を有するＴＦＴ液晶表示装置が完成することになる。従って、再帰反射層用下地膜はこれらのプロセスに対する耐性を有する必要がある。特に、再帰反射層用下地膜に要求される特性としては、膨潤率（吸水率）が低いこと、加熱により形状が変化しないこと、真空プロセスにおいて形状が変化しないこと、種々の溶剤に対して形状が変化しないこと等が挙げられる。吸水率については、プロセス環境を制御しておくことはもちろんのことではあるものの、０．５質量％以下、好ましくは０．２％質量以下であることが好ましい。耐熱温度（形状を保持するための温度）は、２００℃以上であることが好ましく、少なくとも１５０℃以上は必要である。再帰反射層用下地膜が経る真空プロセスは、例えば、液晶材料の真空注入工程であり、１０^-3トール（ｔｏｒｒ）オーダーの真空度で形状が変化しなければよい。また、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類に対する耐性を有していることが好ましい。
【０１１５】
次に、図９を参照しながら、再帰反射層用下地膜を形成する他の方法を説明する。
【０１１６】
ベース膜９０１上に、緩衝層９０２、離型層９０３を形成した後、その上に、導電部９１０を形成するためのあな（開口部）を有する絶縁層９０９を形成する。
【０１１７】
絶縁層９０９の開口部に、インクジェット法を用いて導電性樹脂材料を充填する。このようにして、絶縁層９０９と導電部９１０が同一層に存在する再帰反射層用下地膜が得られる。この上に、さらに、離型層９０５、緩衝層９０６、保護層９０７を形成し、転写用膜９０８を作製する。以後のプロセスは、上述したのと同様の方法によって実行される。
【０１１８】
勿論、上記の形成方法は転写用膜の形成だけでなく、アクティブマトリクス基板上に直接再帰反射層用下地膜を形成する場合にも適用できる。また、導電部を形成するためのあなが形成された絶縁層９０９をアクティブマトリクス基板に転写してから、導電性材料をあなに充填しても良い。
【０１１９】
再帰反射層用下地膜を形成するための他の方法を図１０を参照しながら説明する。
【０１２０】
ベース膜１００１上に、緩衝層１００２、離型層１００３を形成した後、その上に、導電部１０１０を形成するためのあな（開口部）を有する絶縁層１００９を形成する。
【０１２１】
絶縁層１００９の開口部に導電材料を充填することなく、この上に、離型層１００５、緩衝層１００６、保護層１００７を形成し、転写用膜１００８を作製する。
【０１２２】
次に、絶縁層１００９をアクティブマトリクス基板１０１２上に転写する。
【０１２３】
絶縁層１００９が転写されたアクティブマトリクス基板１０１２を導電性樹脂を混入した電解重合液に浸し、信号配線１０１４から、トランジスタ素子１０１５、ドレイン電極１０１６を介して接続電極１０１７に電圧を印加する。そうすると、絶縁層１００９から露出されている接続電極１０１７上に導電材料が電解重合によって形成され、導電部１０１０が形成される。このようにして、層間接続部と層間絶縁層とを有する層間膜が得られる。また、電解重合に限られず、電着（電気めっき）や電析などの、電界を利用して導電材料を堆積する方法を用いることができる。
【０１２４】
電界を利用して導電材料を堆積する方法を用いると、ドレイン電極１０１６あるいはコンタクト用の接続電極１０１７の表面から導電材料が堆積されるので、導電材料とドレイン電極１０１６あるいは接続電極１０１７との電気的な導通が確実に得られるといった利点がある。電界を利用する堆積方法は、アクティブマトリクス基板上にコンタクト部を形成する場合に特に有効である。
【０１２５】
このあと、モールド１０１８を用いて型押し法によって、層間膜の表面形状を所定の形状に加工することによって、再帰反射層用下地膜が形成される。
【０１２６】
なお、再帰反射画素電極を形成する実施形態を例示したが、形成する表面形状を変えるだけで、例えば散乱反射画素電極を形成することができる。さらに、反射電極に限られず、透明電極を形成してもよい。また、層間膜上に形成される電極は画素電極に限られず、液晶層などの表示媒体層に電圧を印加する電極であって、層間膜の下部に形成される回路要素と電気的に接続される電極であればよい。
【０１２７】
【発明の効果】
本発明によると、電極が層間絶縁層を介して回路要素と互いに電気的に接続された構造を有する表示装置の表示品位を向上することができる。特に、再帰反射型表示装置や散乱反射型表示装置の表示品位を効果的に向上することができる。また、本発明によると、上述の表示装置を効率的に製造する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施形態の反射型液晶表示装置の反射画素電極構造を模式的に示す図であり、（ａ）は再帰反射画素電極の構造を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は散乱反射画素電極の構造を模式的に示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態の表示装置の製造方法における再帰反射画素電極の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図３】本発明による実施形態の液晶表示装置３００を模式的に示す上面図である。
【図４】液晶表示装置３００の液晶パネル３０１の模式的な断面図である。
【図５】液晶パネル３０１に用いられるアクティブマトリクス基板の画素構造を模式的に示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】本発明による実施形態の反射型液晶表示装置の製造に用いられる転写可能な下地膜を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態の反射型液晶表示装置の製造に用いられる転写可能な再帰反射層用下地膜の作製方法を説明するための模式的な断面図である。
【図８】本発明による実施形態のアクティブマトリクス型再帰反射液晶パネルの模式的な断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による実施形態の反射型液晶表示装置の製造に用いられる他の転写可能な下地膜の作製方法を説明するための模式的な断面である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による実施形態の反射型液晶表示装置の製造方法における、再帰反射用下地膜の形成方法を説明するための模式的な断面である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、再帰性反射電極を形成する従来の方法を説明するための断面図である。
【図１２】理想的な再帰反射層の構造を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’断面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、従来の方法で形成された再帰反射電極のコンタクト部近傍の断面形状と傾斜角度変化を示す図である。
【図１４】（ａ）は、従来の方法で形成された散乱反射電極のコンタクト部近傍の断面形状と傾斜角度変化を示す図であり、（ｂ）は、従来の方法で形成された透明な画素電極のコンタクト部近傍の断面形状と傾斜角度変化を示す図である。
【図１５】（ａ）は、従来の方法によって形成された、コンタクト部１５０１を有するコンタクトホール部１５０２の断面構造を模式的に示す図であり、（ｂ）はコンタクトホール部１５０２を含まない部分の断面構造（理想的な断面構造と等価）を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１０５、２０５ 接続電極
１０８ 層間絶縁層（再帰反射層用下地膜）
１０９ 層間膜
１１１ａ、１１１ｂ、２１１ 層間接続部
１１２ａ、２１２ｂ 画素電極
２０１ 基板
２０２ 半導体・ゲート電極
２０３ ソース電極
２０４ ドレイン電極
２０７ アクティブマトリクス基板
２０８ 再帰反射層用下地膜
２０９ 層間膜
２１０ 層間絶縁層
２１１ 層間接続部

Claims (14)

1. 基板と、前記基板上に設けられた回路要素と、前記回路要素上に設けられ、層間絶縁層および前記層間絶縁層中に設けられた層間接続部を有する層間膜と、前記層間膜上に設けられた再帰反射特性を有する電極とを有し、前記電極と前記回路要素とが前記層間接続部を介して電気的に接続された、表示装置の製造方法であって、
   （ａ）前記層間絶縁層と、前記層間絶縁層中に設けられた前記層間接続部とを有する前記層間膜を形成する工程と、
   （ｂ）工程（ａ）の後に、均一な凹凸形状の表面を有するマスタを押し付けることにより、前記層間絶縁層および前記層間接続部に前記マスタの均一な凹凸形状を転写して、前記層間絶縁層および前記層間接続部の表面形状を均一な凹凸形状に加工する工程と、
   （ｃ）前記層間膜上に前記電極を形成する工程と、
   を包含する、表示装置の製造方法。
2. 工程（ａ）および（ｂ）は、前記回路要素が設けられた前記基板上以外の場所で実行され、工程（ａ）および（ｂ）の後で前記層間膜を前記回路要素が形成された前記基板に転写する工程を包含する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 工程（ａ）から（ｃ）は、前記回路要素が設けられた前記基板上で実行される、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
4. 工程（ａ）は、あなを有する層間絶縁層を形成する工程と、前記あなに導電性材料を充填することによって前記層間接続部を形成する工程とを包含する、請求項１から３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
5. 前記回路要素は導電層を含み、前記導電材料を充填する工程は、前記導電層によって生成される電界を利用して行なわれる、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記導電性材料を充填する工程は、インクジェット法で行なわれる、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
7. 工程（ａ）は導電性材料を用いて層間接続部を形成する工程と、前記層間接続部以外の領域に前記層間絶縁層を形成する工程を包含する、請求項１から３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
8. 前記層間接続部の形成はフォトリソグラフィプロセスを用いて実行される、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記層間接続部の形成はディスペンサを用いて実行される、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記層間絶縁層および前記層間接続部は、樹脂を含む材料から形成される、請求項１から９のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
11. 工程（ｂ）は、前記層間膜を加熱した状態で実行される、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記層間接続部は、前記層間絶縁層よりも熱膨張係数が小さい材料で形成されている、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記樹脂は熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂である、請求項１０から１２のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
14. 前記層間接続部は、前記層間絶縁層よりも硬化収縮が小さい樹脂を含む材料で形成される、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。

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