JP3999059B2 - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板を処理する基板処理システム及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）の表面に塗布されたレジストを剥離する処理工程として，チャンバー内に収納したウェハにオゾンガスと蒸気の混合処理流体を供給して，混合処理流体によってレジストを酸化させることにより水溶性に変質させ，純水により除去するものが知られている。かような基板処理を行うシステムは複数のチャンバーを備え，１つのオゾンガス発生器からオゾンガスを供給管によって分岐させて各チャンバーに供給する構成となっている。オゾンガス発生器は，酸素と窒素とを混合した含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような，処理流体を１つの供給源から分岐させて複数のチャンバーに供給する構成の一般的なシステムにおいては，各チャンバーへのウェハの搬入出などにより，他のチャンバーで処理しているウェハに影響を及ぼす心配があった。例えば，１つの供給源から２つのチャンバーに処理流体を分岐させて供給するシステムでは，一方のチャンバーにおいてウェハの搬入出などを行うと，他方のチャンバーに供給させる処理流体の圧力や流量が変動し，レジスト水溶化処理の均一性が悪化するため，その後のレジスト除去処理や，エッチング処理全体の均一性，信頼性が悪化する問題があった。
【０００４】
従って，本発明の目的は，複数のチャンバーにオゾンガスを供給する場合であっても，安定した流量及びオゾン濃度のオゾンガスを発生させることができる基板処理システム及び基板処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明によれば，含酸素気体中で放電することにより，オゾンガスを発生させるオゾンガス発生器と，基板をそれぞれ収納する複数のチャンバーを備え，前記各チャンバー内にオゾンガスを供給して，前記各チャンバー内の基板をそれぞれ処理する基板処理システムであって，前記オゾンガス発生器に供給する含酸素気体の流量を調整する気体流量調整部と，前記気体流量調整部を制御する制御部を備え，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて前記制御部によって前記含酸素気体の流量を制御することにより，前記複数のチャンバーに供給するオゾンガスの全流量を制御する構成としたことを特徴とする，基板処理システムが提供される。この基板処理システムにあっては，各チャンバー内で行うそれぞれの工程に応じた流量と安定したオゾン濃度を有するオゾンガスを発生させることができる。即ち，各チャンバーに供給するオゾンガスの圧力，流量及びオゾン濃度を安定したものとすることにより，各チャンバーにおけるレジスト水溶化処理の均一性が向上し，ひいてはエッチング処理の均一性，信頼性が向上する。
【０００６】
前記気体流量調整部は，前記オゾンガス発生器に供給する酸素の流量を調整する酸素流量調整部と，前記オゾンガス発生器に供給する窒素の流量を調整する窒素流量調整部から構成され，前記含酸素気体は，前記酸素及び窒素を混合したものであることが好ましい。
【０００７】
なお，含酸素気体中で放電することにより，オゾンガスを発生させるオゾンガス発生器と，基板をそれぞれ収納する複数のチャンバーを備え，前記各チャンバー内にオゾンガスを供給して，前記各チャンバー内の基板をそれぞれ処理する基板処理システムであって，発生させたオゾンガスの一部を前記複数のチャンバーに供給せずに排出する排出路と，前記排出路を開閉する開閉弁を制御する制御部を備え，前記制御部によって前記開閉弁の開閉を制御することにより，前記複数のチャンバーに対するオゾンガスの供給を制御する構成としたことを特徴とする，基板処理システムが併せて提供される。この基板処理システムにあっては，発生させたオゾンガスのうち余分な量を排出するので，各チャンバー内で行うそれぞれの工程に応じた流量のオゾンガスを供給するとともに，安定したオゾン濃度を有するオゾンガスを発生させることができる。従って，各チャンバーに安定した圧力，流量及びオゾン濃度のオゾンガスを供給できる。
【０００８】
前記制御部によって前記オゾンガス発生器も制御する構成とし，前記制御部によって前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することにより，前記オゾンガス発生器が発生させるオゾンガス中のオゾン濃度を制御する構成とすることが好ましい。
【０００９】
さらに，前記オゾンガス発生器によって発生させたオゾンガスの濃度を検出するオゾン濃度検出部を備え，前記制御部は，前記オゾン濃度検出部の検出に応じて前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することが好ましい。この場合，フィードバック制御によりオゾン濃度を常に所定値に維持することができる。
【００１０】
前記オゾンガス発生器を２以上備え，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，前記オゾンガス発生器の稼働台数を制御することとしても良い。
【００１１】
さらに，前記各チャンバーに供給するオゾンガスの流量のバランスを調整する複数のオゾンガス流量調整部を備えることが好ましい。これにより，各チャンバーに供給するオゾンガスの圧力及び流量のバランスを調整することができる。また，前記各チャンバーに供給されるオゾンガスの流量をそれぞれ検出する複数のオゾンガス流量検出部を備えることが好ましい。さらにまた，前記各チャンバーに，流量調整部を設けた排気管をそれぞれ備えることが好ましい。これにより，各チャンバー内の圧力を調整することができる。
【００１２】
また，本発明によれば，オゾンガス発生器によって含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させ，前記オゾンガスを複数のチャンバー内に供給し，前記各チャンバー内に収納した基板をそれぞれ処理する基板処理方法であって，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて前記オゾンガス発生器に供給する含酸素気体の流量を制御することにより，前記複数のチャンバーに供給するオゾンガスの全流量を制御することを特徴とする，基板処理方法が提供される。
【００１３】
なお，オゾンガス発生器によって含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させ，前記オゾンガスを複数のチャンバー内に供給し，前記各チャンバー内に収納した基板をそれぞれ処理する基板処理方法であって，前記発生させたオゾンガスのうち，オゾンガスを使用しない工程を行うチャンバーに供給する分のオゾンガスを，前記オゾンガスを使用しない工程を行うチャンバーに供給せずに排出することにより，オゾンガスを使用する処理を行うチャンバーに供給するオゾンガスの流量を制御することを特徴とする，基板処理方法が併せて提供される。
【００１４】
この基板処理方法にあっては，前記オゾンガス発生器によって発生させたオゾンガスの濃度を検出し，前記検出されたオゾンガスの濃度に応じて前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することが好ましい。なお，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，オゾンガス発生器の稼働台数を変化させることとしても良い。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハに対して，ウェハの表面に塗布されたレジストを水溶化して剥離する処理を施す基板処理システムに基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板処理システム１の平面図である。図２は，その側面図である。この基板処理システム１は，ウェハＷに洗浄処理及びレジスト水溶化処理を施す処理部２と，処理部２に対してウェハＷを搬入出する搬入出部３から構成されている。
【００１６】
搬入出部３は，複数枚，例えば２５枚の略円盤形状のウェハＷを所定の間隔で略水平に収容可能な容器（キャリアＣ）を載置するための載置台６が設けられたイン・アウトポート４と，載置台６に載置されたキャリアＣと処理部２との間でウェハＷの受け渡しを行うウェハ搬送装置７が備えられたウェハ搬送部５と，から構成されている。
【００１７】
ウェハＷはキャリアＣの一側面を通して搬入出され，キャリアＣの側面には開閉可能な蓋体が設けられている。また，ウェハＷを所定間隔で保持するための棚板が内壁に設けられており，ウェハＷを収容する２５個のスロットが形成されている。ウェハＷは表面（半導体デバイスを形成する面）が上面（ウェハＷを水平に保持した場合に上側となっている面）となっている状態で各スロットに１枚ずつ収容される。
【００１８】
イン・アウトポート４の載置台６上には，例えば，３個のキャリアを水平面のＹ方向に並べて所定位置に載置することができるようになっている。キャリアＣは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート４とウェハ搬送部５との境界壁８側に向けて載置される。境界壁８においてキャリアＣの載置場所に対応する位置には窓部９が形成されており，窓部９のウェハ搬送部５側には，窓部９をシャッター等により開閉する窓部開閉機構１０が設けられている。
【００１９】
この窓部開閉機構１０は，キャリアＣに設けられた蓋体もまた開閉可能であり，窓部９の開閉と同時にキャリアＣの蓋体も開閉する。窓部９を開口してキャリアＣのウェハ搬入出口とウェハ搬送部５とを連通させると，ウェハ搬送部５に配設されたウェハ搬送装置７のキャリアＣへのアクセスが可能となり，ウェハＷの搬送を行うことが可能な状態となる。
【００２０】
ウェハ搬送部５に配設されたウェハ搬送装置７は，Ｙ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。また，ウェハ搬送装置７は，ウェハＷを把持する取出収納アーム１１を有し，この取出収納アーム１１はＸ方向にスライド自在となっている。こうして，ウェハ搬送装置７は，載置台６に載置された全てのキャリアＣの任意の高さのスロットにアクセスし，また，処理部２に配設された上下２台のウェハ受け渡しユニット１６，１７にアクセスして，イン・アウトポート４側から処理部２側へ，逆に処理部２側からイン・アウトポート４側へウェハＷを搬送することができるように構成されている。
【００２１】
上記処理部２は，搬送手段である主ウェハ搬送装置１８と，ウェハ搬送部５との間でウェハＷの受け渡しを行うためにウェハＷを一時的に載置するウェハ受け渡しユニット１６，１７と，４台の基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５と，レジストを水溶化処理する基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆとを備えている。
【００２２】
また，処理部２には，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆに供給するオゾンガスを発生させるオゾンガス発生器４２が設置されたオゾンガス発生ユニット２４と，基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５に送液する所定の処理液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット２５とが配設されている。処理部２の天井部には，各ユニット及び主ウェハ搬送装置１８に，清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６が配設されている。
【００２３】
上記ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６からのダウンフローの一部は，ウェハ受け渡しユニット１６，１７と，その上部の空間を通ってウェハ搬送部５に向けて流出する構造となっている。これにより，ウェハ搬送部５から処理部２へのパーティクル等の侵入が防止され，処理部２の清浄度が保持される。
【００２４】
上記ウェハ受け渡しユニット１６，１７は，いずれもウェハ搬送部５との間でウェハＷを一時的に載置するものであり，これらウェハ受け渡しユニット１６，１７は上下２段に積み重ねられて配置されている。この場合，下段のウェハ受け渡しユニット１７は，イン・アウトポート４側から処理部２側へ搬送するようにウェハＷを載置するために用い，上段のウェハ受け渡しユニット１６は，処理部２側からイン・アウトポート４側へ搬送するウェハＷを載置するために用いることができる。
【００２５】
上記主ウェハ搬送装置１８は，Ｘ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。また，主ウェハ搬送装置１８は，ウェハＷを把持する搬送アーム１８ａを有し，この搬送アーム１８ａはＹ方向にスライド自在となっている。こうして，主ウェハ搬送装置１８は，ウェハ搬送部５に配設されたウェハ搬送装置７と，基板洗浄ユニット１２〜１５，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆの全てのユニットにアクセス可能に配設されている。
【００２６】
各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５は，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆにおいてレジスト水溶化処理が施されたウェハＷに対して，洗浄処理及び乾燥処理を施す。なお，基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５は，上下２段で各段に２台ずつ配設されている。図１に示すように，基板洗浄ユニット１２，１３と基板洗浄ユニット１４，１５とは，その境界をなしている壁面２７に対して対称な構造を有しているが，対称であることを除けば，各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５は概ね同様の構成を備えている。
【００２７】
一方，各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆは，ウェハＷの表面に塗布されているレジストを水溶化する処理を行う。基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆは，図２に示すように，上下方向に３段で各段に２台ずつ配設されている。左段には基板処理ユニット２３ａ，２３ｃ，２３ｅが上からこの順で配設され，右段には基板処理ユニット２３ｂ，２３ｄ，２３ｆが上からこの順で配設されている。図１に示すように，基板処理ユニット２３ａと基板処理ユニット２３ｂ，基板処理ユニット２３ｃと基板処理ユニット２３ｄ，基板処理ユニット２３ｅと基板処理ユニット２３ｆは，その境界をなしている壁面２８に対して対称な構造を有しているが，対称であることを除けば，各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆは概ね同様の構成を備えている。また，基板処理ユニット２３ａと基板処理ユニット２３ｂの配管系統，基板処理ユニット２３ｃと基板処理ユニット２３ｄの配管系統，基板処理ユニット２３ｅと基板処理ユニット２３ｆの配管系統は，同様の構成を備えている。以下に，基板処理ユニット２３ａ，２３ｂを例として，その配管系統と構造について詳細に説明することとする。
【００２８】
図３は，基板処理ユニット２３ａ，２３ｂの配管系統を示す概略構成図である。基板処理ユニット２３ａ，２３ｂには，ウェハＷを収納するチャンバー３０Ａ，３０Ｂがそれぞれ備えられている。チャンバー３０Ａ，３０Ｂには，蒸気をチャンバー３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ供給する蒸気供給管３８ａ，３８ｂ（以下,「主供給管３８ａ，３８ｂ」という）を介して，１つの蒸気発生器４０が接続されている。
【００２９】
また，主供給管３８ａ，３８ｂには，含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させる１つのオゾンガス発生器４２と，１つの窒素供給源４３とが，供給切換手段４１ａ，４１ｂを介して，それぞれ接続されている。オゾンガス発生器４２は，前述のオゾンガス発生ユニット２４内に設置されている。供給切換手段４１ａ，４１ｂは，主供給管３８ａ，３８ｂの連通・遮断と流量調整をそれぞれ行う流量調整弁５０ａ，５０ｂと，オゾンガス発生器４２によって発生させたオゾンガスをチャンバー３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ供給するオゾンガス供給管５１の連通・遮断と流量調整を行う流量調整弁５２ａ，５２ｂと，窒素供給源４３から窒素（Ｎ２）をチャンバー３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ供給する窒素供給管５３の連通・遮断を行う切換弁５４ａ，５４ｂとをそれぞれ具備している。
【００３０】
オゾンガス供給管５１は，オゾンガス発生器４２に接続するオゾンガス主供給管６０と，供給切換手段４１ａ，４１ｂにおいて主供給管３８ａ，３８ｂにそれぞれ介設するオゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂから構成される。オゾンガス主供給管６０には，フィルター６４と，オゾンガス発生器４２によって発生させたオゾンガス中のオゾン（Ｏ３）の濃度を検出するオゾン濃度検出器６５が，オゾンガス発生器４２側からこの順に介設されている。オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂには，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給されるオゾンガスの流量をそれぞれ検出するフローメーター６６ａ，６６ｂと，前述の流量調整弁５２ａ，５２ｂが，オゾンガス発生器４２側からそれぞれこの順に介設されている。
【００３１】
流量調整弁５２ａ，５２ｂは，連通させたときに各フローメーター６６ａ，６６ｂが検出する流量が同じになるように，流量調整量のバランスが予め設定される。従って，流量調整弁５２ａ，５２ｂを双方とも開くと，オゾンガス主供給管６０から送出された流体は，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂに同じ流量で流入して，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給される。例えば，オゾンガス主供給管６０から８リットル／ｍｉｎ程度で送出された流体は，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂにそれぞれ４リットル／ｍｉｎ程度で流入する。
【００３２】
窒素供給管５３は，供給切換手段４１ａ，４１ｂにおいてオゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂにそれぞれ介設する分岐路を備え，各分岐路には，大流量部と小流量部を切換可能な流量切換弁６８，６８と，前述の切換弁５４ａ，５４ｂが，窒素供給源４３側からこの順にそれぞれ介設されている。
【００３３】
なお，流量調整弁５０ａ，５０ｂを調節して，流量調整量のバランスを調整することにより，蒸気発生器４０において発生して主供給管３８ａ，３８ｂを通過する蒸気が，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給されるようになる。また，流量切換弁６８，６８の大流量部又は小流量部を調節して，流量調整量のバランスを調整することにより，Ｎ２ガス供給源４３からＮ２ガス供給管５３，主供給管３８ａ，３８ｂを通過するオゾンガスが，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給されるようになる。
【００３４】
一方，チャンバー３０Ａ，３０Ｂにおける主供給管３８ａ，３８ｂの接続部と対向する部位には，排出管７０ａ，７０ｂがそれぞれ接続されている。この排出管７０ａ，７０ｂは合流して排出管７０ｃとなり，ミストトラップ７１に接続されている。また，排出管７０ａ，７０ｂには，圧力調整手段である排気切換部７２，７２がそれぞれ介設されている。
【００３５】
各排気切換部７２は，分岐管７６，７７を備え，分岐管７６，７７には，開放時には小量の排気を行う第１の排気流量調整弁８１，開放時には大量の排気を行う第２の排気流量調整弁８２がそれぞれ介設されている。この分岐管７６，７７における排気流量調整弁８１，８２の下流側は合流して再び排出管７０ａ又は７０ｂとなっている。また，分岐管７７における排気流量調整弁８２の上流側と，分岐管７６，７７の合流部分の下流側を接続する分岐管８５が設けられており，分岐管８５には，通常では閉鎖状態を維持し，緊急時，例えばチャンバー３０Ａ，３０Ｂ内の圧力が過剰に上昇する場合などに開放する第３の排気切換弁８６が介設されている。
【００３６】
ミストトラップ７１は，排出された処理流体を冷却し，排出流体を，オゾンガスを含む気体と液体とに分離して，液体を排液管９０から排出する。分離したオゾンガスを含む気体は，排気管９１によってオゾンキラー９２に送出され，オゾンガス成分を酸素に熱分解され，冷却装置９３によって冷却された後，排気管９４によって排気される。
【００３７】
前述のように，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する蒸気の流量は流量調整弁５０ａ，５０ｂによって調整され，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給するオゾンガスの流量は，流量調整弁５２ａ，５２ｂによって調整される。また，蒸気，オゾンガス，又は蒸気とオゾンガスとの混合流体等の雰囲気によるチャンバー３０Ａ，３０Ｂ内の圧力は，各排気切換部７２，７２によって，チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内から排気する流量を調節することにより，制御される。
【００３８】
なお，チャンバー３０Ａ，３０Ｂには，リークセンサ９５，９５がそれぞれ取り付けられて，チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内の処理流体の洩れを監視できるようになっている。
【００３９】
チャンバー３０Ａ，３０Ｂは同様の構成を有するので，次に，一方のチャンバー３０Ａを代表して構成を説明する。図４に示すように，チャンバー３０Ａは，ウェハＷを収納する容器本体１００と，ウェハＷを前述の主ウェハＷ搬送装置１８から受け取り，容器本体１００に受け渡す蓋体１０１とで主要部が構成されている。また，蓋体１０１を支持する図示しないシリンダ機構が備えられており，シリンダの駆動によって，ウェハＷを主ウェハＷ搬送装置１８から受け取る際には容器本体１００に対して蓋体１０１を離間し，ウェハＷ処理中は容器本体１００に対して蓋体１０１を密着させる。容器本体１００と蓋体１０１を密着させると，容器本体１００と蓋体１０１の間には，密閉された処理空間Ｓ１が形成される。
【００４０】
容器本体１００は，円盤状のベース１００ａと，ベース１００ａの周縁部から上方に起立する円周壁１００ｂを備えている。ベース１００ａの内部にはヒータ１０５が内蔵されており，ベース１００ａの上面には，ウェハＷより小径の円形状の下プレート１１０が隆起している。下プレート１１０上面は円周壁１００ｂの上面より下方位置に形成されている。円周壁１００ｂと下プレート１１０の間には，凹溝１００ｃが形成されている。
【００４１】
下プレート１１０の周囲４箇所には，容器本体１００に収納されたウェハＷ下面の周縁４箇所に対してそれぞれ当接する，図示しない４つの支持部材が設けられている。これら４つの支持部材によって，ウェハＷは収納位置に安定的に支持される。支持部材によって収納位置に支持されたウェハＷ下面と下プレート１１０上面との間には，約１ｍｍ程度の高さの隙間Ｇが形成される。なお，支持部材の材質はＰＴＦＥ等の樹脂である。
【００４２】
円周壁１００ｂの上面には，同心円状に二重に設けられた周溝にそれぞれ嵌合されるＯリング１１５ａ，１１５ｂが備えられている。これにより，円周壁１００ｂ上面と蓋体１０１下面を密着させ，処理空間Ｓ１を密閉することができる。
【００４３】
円周壁１００ｂには，チャンバー３０Ａ内に処理流体を導入する供給口１２０が設けられ，収納位置に支持されたウェハＷの中心を中心として供給口１２０に対向する位置には，排出口１２１が設けられている。供給口１２０には主供給管３８ａが，また，排出口１２１には，排出管７０ａが接続している。
【００４４】
供給口１２０は凹溝１００ｃの上部側に，排出口１２１は凹溝１００ｃの底部側に開口している。このように，供給口１２０を排出口１２１より上側に設けることにより，供給口１２０から導入される処理流体を，処理空間Ｓ１内に淀み無く円滑に供給することができる。また，処理流体を処理空間Ｓ１内から排出する場合に，チャンバー３０Ａ内に処理流体が残存することを防止する。なお，供給口１２０及び排出口１２１は，ウェハＷの周囲において前述の４つの支持部材の間に設置され，支持部材が処理流体の円滑な導入及び排出を妨げないように配置されている。
【００４５】
蓋体１０１は，内部にヒータ１２５が内蔵された基体１０１ａと，基体１０１ａの下面の中心を中心として対向する２箇所に垂下される，図示しない一対の保持部材から構成されている。保持部材は，基体１０１ａの内方側に折曲される断面略Ｌ字状に形成されている。図示しないシリンダ機構によって蓋体１０１を下降させると，蓋体１０１が容器本体１００に対して近接方向に移動して保持部材が容器本体１００の凹溝１００ｃ内に進入すると共に，ウェハＷを容器本体１００の支持部材に受け渡す構成となっている。
【００４６】
図３に示す蒸気発生器４０は，タンク１３０内に貯留した純水（ＤＩＷ）を図示しないヒータによって加熱して蒸気を発生させる。タンク内は約１２０℃程度に温度調節され加圧状態に維持される。なお，主供給管３８ａ，３８ｂにおける蒸気発生器４０から供給切換手段４１ａ，４１ｂまでの間には，主供給管３８ａ，３８ｂの形状に沿って管状に設置される温度調節器１３６がそれぞれ備えられ，蒸気発生器４０から送出される蒸気は，主供給管３８ａ，３８ｂを供給切換手段４１ａ，４１ｂまで通過する間，温度調節される。
【００４７】
タンク１３０内に純水を供給する純水供給管１４０には，流量調整弁Ｖ２が介設されており，純水供給源１４１が接続されている。この純水供給源１４１における流量調整弁Ｖ２の下流側には，前述の窒素供給管５３からの分岐管１４２を介して前述の窒素供給源４３が接続されている。この分岐管１４２には流量調整弁Ｖ３が介設されている。この場合，両流量調整弁Ｖ２，Ｖ３は共に連通及び遮断動作を同様に行えるようになっている。
【００４８】
タンク１３０内から純水を排液するドレン管１４５には，流量調整弁Ｖ３と連動するドレン弁ＤＶが介設されており，下流端にはミストトラップ１４８が備えられている。また，タンク１３０には，タンク１３０内の圧力が異常に上昇した際に蒸気をタンク１３０から排出して圧力を下降させるための逃がし路１５０が接続されており，ドレン管１４５のドレン弁ＤＶの下流側に，逃がし路１５０の下流端が接続されている。逃がし路１５０には，流量調整弁Ｖ４，開閉弁Ｖ５が介設されると共に，この流量調整弁Ｖ４の上流側から分岐して開閉弁Ｖ５の下流側に接続する分岐管１５３が接続され，この分岐管１５３にリリーフ弁ＲＶが介設されている。ミストトラップ１４８は，ドレン管１４５から排液された純水及び逃がし路１５０から排出された蒸気を冷却して，液体にして排液管１５４から排液する。
【００４９】
蒸気発生器４０内の純水は，一定の出力で稼働するヒータによって加熱される。また，前述のように，蒸気発生器４０において発生した蒸気が，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給されるように，流量調整弁５０ａ，５０ｂの流量調整量が予め設定される。例えば，蒸気発生器４０において発生させる蒸気の流量を５とすると，蒸気を同時に各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する場合は，蒸気発生器４０において発生させた流量５の蒸気のうち，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに，流量５に対して２の比率の流量で蒸気をそれぞれ供給し，残りの１の比率の流量の蒸気は，タンク１３０内から逃がし路１５０によって排出する。そのため，蒸気を同時に各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する場合は，１の比率の流量の蒸気が逃がし路１５０を通過するように流量調整弁Ｖ４の流量調整を行い，各流量調整弁５０ａ，５０ｂ，及び逃がし路１５０に介設された開閉弁Ｖ５を開く。
【００５０】
また，蒸気を片方のチャンバー３０Ａ又は３０Ｂのみに供給する場合，例えばチャンバー３０Ａ（又は３０Ｂ）でウェハＷの搬入を行い，同時にチャンバー３０Ｂ（又は３０Ａ）でオゾンガスと蒸気を用いるレジスト水溶化処理を行うような場合は，蒸気発生器４０において発生させた流量５の蒸気のうち，チャンバー３０Ａ又は３０Ｂにのみ，流量５に対して２の比率の流量の蒸気を供給し，残りの３の比率の流量の蒸気は，逃がし路１５０によって排出する。そのため，蒸気を片方のチャンバー３０Ａ又は３０Ｂにのみ供給する場合は，流量５に対して３の比率の流量の蒸気が逃がし路１５０を通過するように流量調整弁Ｖ４の流量調整を行い，一方の流量調整弁５０ａ又は５０ｂと，開閉弁Ｖ５とを開く。
【００５１】
蒸気をチャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれにも供給しない場合は，蒸気発生器４０において発生させた流量５の蒸気を，すべて逃がし路１５０によって排出する。そのため，各流量調整弁５０ａ，５０ｂを閉じ，開閉弁Ｖ５及び流量調整弁Ｖ４を開く。
【００５２】
なお，逃がし路１５０によって排出された蒸気は，ドレン管１４５を通過してミストトラップ１４８に送出される。また，タンク１３０内の圧力が過剰に上昇するなどの異常時には，リリーフ弁ＲＶ１を開いて，蒸気をタンク１３０内から逃がし路１５０，分岐管１５３，逃がし路１５０，ドレン管１４５の順に通過させて排出する。
【００５３】
上記のように，蒸気発生器４０において発生させた蒸気を，流量調整弁Ｖ４によって流量調整しながら逃がし路１５０によって排出することにより，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する蒸気の流量を調整することができる。この場合，例えば，蒸気を同時に供給するチャンバーの数が変更しても，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で蒸気が供給されるバランスに予め設定された流量調整弁５０ａ，５０ｂの流量調整量を変更する必要は無く，開閉を行うだけでよい。このように各流量調整弁５０ａ，５０ｂによって流量調整を行う場合や，ヒータの出力を制御して流量調整を行う場合と比較して，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する蒸気の流量調整が容易である。従って，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する蒸気の流量を，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂで行う工程に応じて，正確に調整することができ，レジズト水溶化処理の均一性，信頼性を向上させることができる。
【００５４】
図５に示すように，オゾンガス発生器４２には，酸素供給管１８０を介して酸素供給源１８１が接続され，酸素供給管１８０に介設する窒素供給管１８２を介して窒素供給源１８３が接続されている。酸素供給管１８０には，酸素供給管１８０の連通・遮断を行う開閉弁１８５と，オゾンガス発生器４２に供給する酸素（Ｏ２）の流量を調整する酸素流量調整部としてのマスフローコントローラ１８８と，窒素供給管１８２が，酸素供給源１８１側からこの順に介設されている。窒素供給管１８２には，窒素供給管１８２の連通・遮断を行う開閉弁１９０と，オゾンガス発生器４２に供給する窒素（Ｎ２）の流量を調整する窒素流量調整部としてのマスフローコントローラ１９１が，窒素供給源１８３側からこの順に介設されている。酸素供給源１８１から送出される酸素と，窒素供給源１８３から送出される窒素は，マスフローコントローラ１８８，１９１によってそれぞれ流量調整された後，合流して，酸素及び窒素を混合した含酸素気体となり，酸素供給管１８０を通過してオゾンガス発生器４２に供給される。そして，オゾンガス発生器４２において放電が行われることにより，含酸素気体中の酸素の一部がオゾンとなる。これにより，含酸素気体はオゾンが含有されたオゾンガスとなり，オゾンガス主供給管６０に送出される。本実施の形態において，オゾンガス発生器４２に供給する含酸素気体の流量を調整する含酸素気体流量調整部は，マスフローコントローラ１８８，１９１によって構成されている。
【００５５】
基板処理ユニット２３ａ及び２３ｂの処理に関する情報を処理するユニット側ＣＰＵ２００は，流量調整弁５２ａ，５２ｂの開閉を検知する機能を有する。また，ユニット側ＣＰＵ２００は，マスフローコントローラ１８８，１９１及びオゾンガス発生器４２を制御する制御部としてのＣＰＵ２０１に対して，基板処理ユニット２３ａ及び２３ｂの処理に関する情報とともに，流量調整弁５２ａ，５２ｂの開閉の情報を送信する。
【００５６】
ＣＰＵ２０１は，送信された流量調整弁５２ａ，５２ｂのそれぞれの開閉状況から，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに必要なオゾンガスの全流量を計算して，算出した全流量のオゾンガスを発生させるために必要な酸素及び窒素が供給されるように，マスフローコントローラ１８８，１９１を制御する。従って，オゾンガス発生器４２は，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに必要な全流量のオゾンガスを発生させることができる。チャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれかのみにオゾンガスを供給する場合は，発生させるオゾンガスの流量は，１つのチャンバーに供給する流量，例えば約４リットル／ｍｉｎ程度である。チャンバー３０Ａ，３０Ｂの双方に同時にオゾンガスを供給する場合は，発生させるオゾンガスはチャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれかのみに供給する場合の２倍の流量，例えば約８リットル／ｍｉｎ程度であり，流量調整弁５２ａ，５２ｂの流量調整量のバランスが予め設定されていることにより，チャンバー３０Ａ，３０Ｂにはそれぞれ同じ流量，即ち約４リットル／ｍｉｎ程度で供給される。
【００５７】
さらに，ＣＰＵ２０１は，オゾン濃度検出器１６５の濃度検出値を検知する機能と，オゾンガス発生器４２の放電圧を制御する機能を有し，濃度検出値をフィードバック信号としてオゾンガス発生器４２の放電圧を制御する。これにより，オゾンガス中のオゾン濃度がフィードバック制御される。従って，オゾンガス発生器４２に供給する含酸素気体の流量を変化させたり，酸素及び窒素の混合比を変化させても，これら流量，混合比，及びオゾンガス発生器４２内の含酸素気体の圧力の変化に，放電圧の変化を追従させて，安定したオゾン濃度のオゾンガスを発生させることができる。
【００５８】
以上のようなＣＰＵ２０１の制御により，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給するオゾンガスの圧力及び流量を所望の値とし，オゾン濃度を安定したものとする。これにより，チャンバー３０Ａ，３０Ｂで同時にオゾンガスを供給する状況で処理されたウェハＷも，チャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれかのみでオゾンガスを供給する状況で処理されたウェハＷも，レジスト水溶化処理が均質に施される。従って，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂにおけるレジスト水溶化処理の均一性，信頼性を向上させることができる。
【００５９】
図６に示すように，ミストトラップ７１は，チャンバー３０Ａ，３０Ｂから排出したオゾンガスと蒸気の混合排出流体を冷却する冷却部２１０と，冷却部２１０によって冷却されて混合排出流体中から液化したオゾン水を貯留するタンク２１１を備えている。
【００６０】
図７に示すように，冷却部２１０は，内管２１３と内部に内管２１３を通過させた外管２１４とから構成される二重管２１５を，複数段，例えば６段に縦方向に積み重なるように巻回した構成となっている。外管２１４は冷却水を通過させ，内管２１３に通過させる混合排出流体を冷却水によって冷却する。巻回した二重管２１５の上端部には内管２１３が突出しており，前述の排出管７０ｃが接続している。二重管２１５の上端部にて外管２１４が内管２１３の囲繞を開始する先端部分には，二重管２１５の下方から外管２１４内を上昇する冷却水を排出する冷却水排出管２２１が設けられている。また，外管２１４の下端部にも内管２１３が突出しており，内管２１３の下流端はタンク２１１の天井部に接続し，さらに，天井部をタンク２１１の内部に向かって貫通するように設けられている。二重管２１５の下端部にて外管２１４が内管２１３の囲繞を終了する末端部分には，外管２１４内に冷却水を導入する冷却水導入管２２２が設けられている。
【００６１】
冷却水排出管２２１及び冷却水導入管２２２には，図６に示す冷却水供給源２３１，冷却水回収源２３２が接続されており，外管２１４に冷却水を循環供給する。冷却水供給源２３１，冷却水回収源２３２は，冷却装置９３にも冷却水を循環供給する。
【００６２】
排出管７０ｃから内管２１３に導入されたオゾンガス，蒸気，窒素などの排出流体は，外管２１４を通過する冷却水によって冷却され，排出流体中の蒸気は液化してオゾンガス中に含有される酸素，窒素，オゾン等のオゾン含有気体と分離される。ここで，オゾンの一部が気体として分離されずに，蒸気から液化した純水中に溶け込むため，冷却された混合排出流体はオゾン水とオゾン含有気体に分離される。
【００６３】
タンク２１１には，前述の内管２１３の下流端と前述の排気管９１が，天井部を貫通して設けられている。また，前述の排液管９０と気体供給口２３０が，タンク２１１の底部を貫通して設けられている。気体供給口２３０には，気体供給源２３２が接続されている。さらに，タンク２１１内の液面位置を計測する液面計２３３が設けられている。排気管９１は，巻回した二重管２１５に囲まれた空間を通って冷却部２１０の上方に突出し，オゾンキラー９２に接続されている。
【００６４】
タンク２１１の内部には，内管２１３からオゾン水とオゾン含有気体が導入される。タンク２１１の上部に貯留されたオゾン含有気体は，排気管９１によってタンク２１１からオゾンキラー９２に送出される。タンク２１１の下部に貯留されたオゾン水は，気体供給口２３０から供給される空気等の気体によってバブリングされ，オゾン水中に溶存していたオゾンが気体となってオゾン水から除去される。これにより，オゾン水中のオゾンの濃度を，バブリング前の約１５ｐｐｍ程度から排出基準濃度の５ｐｐｍ以下に低下させることができる。こうして，オゾン水を排出基準濃度以下にした後，排液管９０から排液する。この場合，純水などで希釈したり，オゾン分解作用のある薬品等を混入して濃度を低下させる方法と比較して，安価なランニングコストで排液の有害性を低減できる。
【００６５】
次に，上記のように構成された基板処理システム１におけるウェハＷの処理工程を説明する。まず，イン・アウトポート４の載置台６に載置されたキャリアＣから取出収納アーム１１によって一枚ずつウェハＷが取り出され，取出収納アーム１１によって取り出したウェハＷをウェハ受け渡しユニット１７に搬送する。すると，主ウェハ搬送装置１８がウェハ受け渡しユニット１７からウェハＷを受け取り，主ウェハ搬送装置１８によって各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆに適宜搬入する。そして，各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆにおいて，ウェハＷの表面に塗布されているレジストが水溶化される。所定のレジスト水溶化処理が終了したウェハＷは，搬送アーム１８ａによって各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆから適宜搬出される。その後，ウェハＷは，搬送アーム１８ａによって各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５に適宜搬入され，ウェハＷに付着している水溶化されたレジストを除去する洗浄処理が純水等により施される。これにより，ウェハＷに塗布されていたレジストが剥離される。各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５は，ウェハＷに対して洗浄処理を施した後，必要に応じて薬液処理によりパーティクル，金属除去処理を行った後，乾燥処理を行い，その後，ウェハＷは再び搬送アーム１８ａによって受け渡しユニット１７に搬送される。そして，受け渡しユニット１７から取出収納アーム１１にウェハＷが受け取られ，取出収納アーム１１によって，レジストが剥離されたウェハＷがキャリアＣ内に収納される。
【００６６】
次に，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆの動作態様について，基板処理ユニット２３ａを代表して説明する。まず，容器本体１００に対して蓋体１０１を離間させた状態で，主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム１８ａを蓋体１０１の下方に移動させると，蓋体１０１の図示しない保持部材が，搬送アーム１８ａからウェハＷを受け取る。次に，図示しないシリンダを駆動して蓋体１０１を下降させると，蓋体１０１が容器本体１００に対して近接方向に移動して保持部材が容器本体１００の凹溝１００ｃ内に進入すると共に，保持部材に支持されたウェハＷを容器本体１００の支持部材１１１に受け渡す。ウェハＷ下面と下プレート１１０上面との間には隙間Ｇが形成される。ウェハＷを支持部材１１１に受け渡した後，更に蓋体１０１が下降すると，蓋体１０１が容器本体１００の円周壁１００ｂの上面に当接すると共に，Ｏリング１１５ａ，１１５ｂを圧接して容器本体１００を密閉する。このようにして，チャンバー３０ＡにウェハＷを搬入する（ウェハ搬入工程）。
【００６７】
ウェハ搬入工程の後，蓋体１０１を容器本体１００に密閉した状態において，ヒータ１０５，１２５の作動により，チャンバー３０Ａ内の雰囲気及びウェハＷを昇温させる（昇温工程）。これにより，ウェハＷのレジスト水溶化処理を促進させることができる。
【００６８】
チャンバー３０Ａ内の雰囲気及びウェハＷが十分に昇温すると，ユニット側ＣＰＵ２００からＣＰＵ２０１に対して十分に昇温した旨の情報が送信され，ＣＰＵ２０１は，チャンバー３０Ａに対してオゾンガスの供給を開始する判断を行う。そして，ユニット側ＣＰＵ２００から流量調整弁５２ａに送信される制御信号により，流量調整弁５２ａが開かれ，オゾンガス発生器４２から，オゾンガス主供給管６０，オゾンガス分岐供給管６１ａ，流量調整弁５２ａ，主供給管３８ａを介してチャンバー３０Ａ内に所定濃度のオゾンガスが供給される。オゾンガスは，流量調整弁５２ａの流量調整量に応じた流量で，チャンバー３０Ａ内に供給される。なお，流量調整弁５２ａの流量調整量は，予め流量調整弁５２ｂとのバランスによって調整されている。さらに，排気切換部７２の第１の排気流量調整弁８１を開放した状態とし，チャンバー３０Ａ内からの排出管７０ａによる排気流量を第１の排気流量調整弁８１によって調整する。このように，チャンバー３０Ａ内を排出管７０ａによって排気しながらオゾンガスを供給することにより，チャンバー３０Ａ内の圧力を一定に保ちながらチャンバー３０Ａ内をオゾンガス雰囲気にする。この場合，チャンバー３０Ａ内の圧力は，大気圧より高い状態，例えばゲージ圧０．２Ｍｐａ程度に保つ。このとき，ヒータ１０５，１２５の加熱によって，チャンバー３０Ａ内の雰囲気及びウェハＷの温度が維持される。排出管７０ａによって排気したチャンバー３０Ａ内の雰囲気は，ミストトラップ７１に排出される。このようにして，チャンバー３０Ａ内に所定濃度のオゾンガスを充填する（オゾンガス充填工程）。
【００６９】
なお，チャンバー３０Ａに対して供給するオゾンガスは，ＣＰＵ２０１によるマスフローコントローラ１８８，１９１及びオゾンガス発生器４２の制御によって，流量及びオゾン濃度が制御されている。先ず，ユニット側ＣＰＵ２００の送信により検知した流量調整弁５２ａ，５２ｂのそれぞれの開閉状況に基づき，マスフローコントローラ１８８，１９１の流量調整量が制御され，オゾンガス発生器４２に供給する含酸素気体の全流量が制御される。これにより，オゾンガス発生器４２によって発生させるオゾンガスの全流量が制御される。また，ＣＰＵ２０１，オゾンガス発生器４２，オゾン濃度検出器１６５から構成されるフィードバック系により，オゾン濃度が所定値にフィードバック制御される。発生したオゾンガスは，流量調整弁５２ａが開いているオゾンガス分岐供給管６１ａからチャンバー３０Ａに供給される。一方，チャンバー３０Ｂには，流量調整弁５２ｂが閉じているためオゾンガス分岐供給管６１ｂからオゾンガスが供給されることは無い。チャンバー３０Ａには，チャンバー３０Ｂ内の処理状況に関わらず，常に所望の値の流量，例えば４リットル／ｍｉｎで，所望の値のオゾン濃度を有するオゾンガスが供給される。
【００７０】
オゾンガスを充填後，チャンバー３０Ａ内にオゾンガスと蒸気とを同時にチャンバー３０Ａ内に供給して，ウェハＷのレジスト水溶化処理を行う。排出管７０ａに介設された排気切換部７２の第１の排気流量調整弁８１を開放した状態とし，チャンバー３０Ａ内を排気しながらオゾンガスと蒸気を同時に供給する。蒸気発生器４０から供給される蒸気は，温度調節器１３６によって所定温度，例えば約１１５℃程度に温度調節されながら主供給管３８ａを通過し，供給切換手段４１においてオゾンガスと混合してチャンバー３０Ａ内に供給される。この場合も，チャンバー３０Ａ内の圧力は，大気圧よりも高い状態，例えばゲージ圧０．２Ｍｐａ程度に保たれている。また，ヒータ１０５，１２５の加熱により，チャンバー３０Ａ内の雰囲気及びウェハＷの温度を維持する。このようにして，チャンバー３０Ａ内に充填したオゾンガスと蒸気の混合処理流体によってウェハＷの表面に塗布されたレジストを酸化させる（レジスト水溶化工程）。
【００７１】
なお，レジスト水溶化工程において，オゾンガスは，流量調整弁５２ａの流量調整量に応じた流量で，主供給管３８ａを介してチャンバー３０Ａ内に供給される。蒸気は，流量調整弁５０ａの流量調整量に応じた流量で，主供給管３８ａを介してチャンバー３０Ａ内に供給される。この場合，流量調整弁５２ａの流量調整量は，予め流量調整弁５２ｂとのバランスによって調整されており，流量調整弁５０ａの流量調整量は，予め流量調整弁５０ｂ及び流量調整弁Ｖ４とのバランスによって調整されている。一方，排気切換部７２の第１の排気流量調整弁８１を開放した状態とし，チャンバー３０Ａ内からの排出管７０ａによる排気流量を第１の排気流量調整弁８１によって調整する。このように，チャンバー３０Ａ内を排出管７０ａによって排気しながらオゾンガス及び蒸気を所定流量で供給することにより，チャンバー３０Ａ内の圧力を一定に保ちながらチャンバー３０Ａ内にオゾンガスと蒸気の混合処理流体を供給する。
【００７２】
レジスト水溶化処理中は，主供給管３８ａから混合処理流体の供給を続け，排出管７０ａから混合処理流体の排出を続ける。混合処理流体は，ウェハＷの上面，下面（隙間Ｇ），周縁に沿って，排出口１２１及び排出管７０ａに向かって流れる。なお，主供給管３８ａから混合処理流体の供給を止めると共に，排出管７０ａからの排出を止め，チャンバー３０Ａ内の圧力を一定に保ちながらチャンバー３０Ａ内を満たす混合処理流体によってウェハＷのレジスト水溶化処理を行ってもよい。
【００７３】
この場合も，チャンバー３０Ａに対して供給するオゾンガスは，ＣＰＵ２０１によるマスフローコントローラ１８８，１９１，オゾンガス発生器４２の制御によって，流量及びオゾン濃度が制御され，チャンバー３０Ａには，チャンバー３０Ｂ内の処理状況に関わらず，常に所望の値の流量及びオゾン濃度を有するオゾンガスが供給される。さらに，オゾンガスが一定の流量で供給されることにより，チャンバー３０Ａ内の圧力が所定値に維持される。これにより，チャンバー３０Ｂ内の処理状況に関わらず，チャンバー３０Ａ内の圧力，ウェハＷの周囲を流れる混合処理流体の流量，混合処理流体中のオゾン濃度を所望の値とすることが可能である。例えば，チャンバー３０Ａ，チャンバー３０Ｂで同時にレジスト水溶化処理を行う状況で処理されたウェハＷも，チャンバー３０Ａ，チャンバー３０Ｂでそれぞれレジスト水溶化工程，ウェハＷ搬入工程を行う状況で処理されたウェハＷも，レジスト水溶化処理が均質に施される。
【００７４】
所定のレジスト水溶化処理が終了した後，まず，流量調整弁５０ａ，５２ａを閉じて，切換弁５４ａを開き，流量切換弁６８を大流量部側に切り換えて窒素供給源４３から大量の窒素をチャンバー３０Ａ内に供給すると共に，排出管７０ａに介設された排気切換部７２の第２の排気流量調整弁８２を開放した状態にする。そして，チャンバー３０Ａ内を排気しながら窒素供給源４３から窒素を供給する。これにより，主供給管３８ａ，チャンバー３０Ａ，排出管７０ａの中を窒素によってパージすることができる。排出されたオゾンガスは，排出管７０ａによってミストトラップ７１に排出される。このようにして，チャンバー３０Ａからオゾンガスと蒸気の混合処理流体を排出する（排出工程）。
【００７５】
その後，図示しないシリンダを作動させて蓋体１０１を上方に移動させると，凹溝１００ｃ内に収納されていた保持部材が再びウェハＷの対向する両側緑部に当接して支持部材１１１からウェハＷを受け取り，蓋体１０１が容器本体１００から離間した状態にする。この状態で，主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム１８ａを蓋体１０１の下方に進入させ，保持部材にて支持されているウェハＷを受け取り，チャンバー３０Ａ内からウェハＷを搬出する（ウェハ搬出工程）。
【００７６】
一方，基板処理ユニット２３ｂにおいては，基板処理ユニット２３ａにおけるオゾンガス充填工程又はレジスト水溶化工程中に，オゾンガス充填工程又はレジスト水溶化工程を行う場合と，基板処理ユニット２３ａにおけるウェハ搬入工程，排出工程又はウェハ搬出工程中に，オゾンガス充填工程又はレジスト水溶化工程を行う場合が考えられる。即ち，前者は，２つのチャンバー３０Ａ，３０Ｂにオゾンガスを同時に供給する場合であり，後者は，チャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれか一方のみにオゾンガスを供給する場合である。
【００７７】
例えば，基板処理ユニット２３ａにおいてチャンバー３０Ａ内にオゾンガスが充填されるオゾンガス充填工程が行われる間，基板処理ユニット２３ｂにおいてウェハ搬入工程が行われる場合，流量調整弁５２ａは開かれ，流量調整弁５２ｂは閉じられる。オゾンガス発生器４２は，１つのチャンバー３０Ａに供給する流量でオゾンガスを発生させ，オゾンガスは，オゾンガス主供給管６０，オゾンガス分岐供給管６１ａを約４リットル／ｍｉｎ程度の流量で通過し，主供給管３８ａを通ってチャンバー３０Ａ内に供給される。
【００７８】
次に，例えば，基板処理ユニット２３ａにおいてレジスト水溶化工程が行われ，チャンバー３０Ａ内にオゾンガスと蒸気が供給される間に，基板処理ユニット２３ｂにおいてオゾンガス充填工程を開始する場合，流量調整弁５２ｂが開かれ，ユニット側ＣＰＵ２００からＣＰＵ２０１に流量調整弁５２ａ，５２ｂが共に開く情報が伝達され，ＣＰＵ２０１は，この開閉情報に応じて，マスフローコントローラ１８８，１９１の各流量調整を行い，含酸素気体の流量を前述の１チャンバー供給時の約２倍に増加させる。オゾンガスは，オゾンガス主供給管６０を約８リットル／ｍｉｎ程度の流量で通過し，流量調整弁５２ａ，５２ｂが開かれているため，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂに対して，それぞれ同じ流量に，例えば約４リットル／ｍｉｎ程度の流量に分岐して流入する。そして，主供給管３８ａ，３８ｂを介して各チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内にオゾンガスが同じ流量で供給される。このようにして，１つのチャンバー３０Ａに対する供給から２つのチャンバー３０Ａ，３０Ｂに対する供給に切り替えられる。
【００７９】
その後，基板処理ユニット２３ａにおいてレジスト水溶化工程が終了し，排出工程を開始する際は，流量調整弁５２ａを閉じ，ユニット側ＣＰＵ２００からＣＰＵ２０１に流量調整弁５２ａを閉じる情報が伝達され，ＣＰＵ２０１は，この情報に応じて，マスフローコントローラ１８８，１９１の各流量調整を行い，含酸素気体の流量を前述の２チャンバー供給時の約半分に減少させる。オゾンガスは，オゾンガス主供給管６０を約４リットル／ｍｉｎ程度の流量で通過し，流量調整弁５２ａが閉じているため，オゾンガス分岐供給管６１ｂのみに約４リットル／ｍｉｎ程度の流量に流入する。そして，主供給管３８ｂを介してチャンバー３０Ｂ内にオゾンガスが供給される。このようにして，１つのチャンバー３０Ｂに対する供給に切り替えられる。
【００８０】
なお，含酸素気体の流量を変更したり，酸含酸素気体中の酸素の濃度を変化させても，オゾンガスがオゾンガス主供給管６０を通過する際，オゾン濃度検出器１６５によってオゾン濃度が検出され，ＣＰＵ２０１が検出値に基づいてオゾンガス発生器４２の放電圧を制御するので，所定濃度のオゾンガスを発生させることができる。以上のように，２チャンバー供給と１チャンバーを切り替えても，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに，それぞれの工程に応じてオゾンガスが所望の流量及びオゾン濃度で供給される。
【００８１】
かかる基板処理システム１にあっては，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内で行うそれぞれの工程に応じた流量と安定したオゾン濃度を有するオゾンガスを発生させることができる。即ち，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内に供給するオゾンガスの圧力，流量及びオゾン濃度を安定したものとすることにより，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂにおけるレジスト水溶化処理の均一性が向上する。従って，その後の各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５における洗浄処理によるレジスト剥離の均一性，信頼性，及び基板処理システム１における処理を含めたエッチング処理全体の均一性，信頼性が向上する。
【００８２】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【００８３】
含酸素気体は，酸素及び窒素を混合したものに限定されず，酸素を含む気体であれば良い。例えば，酸素と空気を混合したものであっても良い。
【００８４】
オゾンガス発生器４２の放電圧の制御は，ＣＰＵ２０１，オゾンガス発生器４２，オゾン濃度検出器１６５から構成されるフィードバック系によるものに限定されない。例えば，含酸素ガス流量を急に変動させる際などに，オゾン濃度の変動が大きい場合や，オゾン濃度が安定するまでに時間がかかる場合にあっては，マスフローコントローラ１８８，１９１の流量変更や，流量調整弁５２ａ，５２ｂの開閉や，放電圧の変更などのタイミングを互いにずらすことにより，変動の少ない条件によって制御しても良い。
【００８５】
蒸気発生器４０において発生させる蒸気と，各チャンバー３０Ａ又は３０Ｂに供給する蒸気の比率は，本実施の形態において説明した５：２に限定されない。例えば，１つの蒸気発生器４０から３台以上の複数のチャンバーに蒸気を導入する場合は，チャンバーの台数に応じて蒸気発生器４０において発生させる蒸気の流量を増加させ，比率を適宜設定する。
【００８６】
本実施の形態においては，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆのうち，基板処理ユニット２３ａ，２３ｂに備えたチャンバー３０Ａ，３０Ｂに１つのオゾンガス主供給管６０を接続した場合を説明したが，３個以上のチャンバー，例えば，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆにそれぞれ備えたチャンバー３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆの６個に対して，１つのオゾンガス主供給管６０を接続しても良い。このように，最大で６個のチャンバーにオゾンガスを供給する場合も，各チャンバー３０Ａ〜３０Ｆに，それぞれの工程に応じて所望の流量及びオゾン濃度でオゾンガスを供給することができる。
【００８７】
さらに，６個のチャンバー３０Ａ〜３０Ｆに対して１つのオゾンガス主供給管６０を接続する場合は，図８に示すように，２個のオゾンガス発生器２４０，２４１を備え，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，オゾンガス発生器２４０，２４１のいずれかのみによって，又は両方を組み合わせてオゾンガスを発生させることとしても良い。この基板処理システムにおいて，酸素供給管１８０の下流端は，供給管１８０ａ，１８０ｂの２股に分岐しており，それぞれオゾンガス発生器２４０，２４１に接続している。一方，オゾンガス供給管５１の上流端も２股に分岐しており，それぞれオゾンガス発生器２４０，２４１に接続している。また，開閉弁２４２が供給管１８０ａに介設されている。オゾンガス発生器２４０，２４１は，それぞれ３つのチャンバーに同時に供給する流量のオゾンガスを発生させる能力がある。
【００８８】
オゾンガス供給管５１は，オゾンガス主供給管６０と，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６２ｅ，６２ｆから構成される。オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６２ｅ，６２ｆには，フローメーター６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄ，６６ｅ，６６ｆと，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆに供給するオゾンガスの流量をそれぞれ調整するオゾンガス流量調整部としての流量調整弁５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ，５２ｆが，それぞれオゾンガス発生器４２側からこの順に介設されている。なお，流量調整弁５２ａ〜５２ｆは，連通させたときに各フローメーター６６ａ〜６６ｆが検出する流量が同じになるように，流量調整量のバランスが予め設定される。オゾンガス分岐供給管６１ａ〜６２ｆは，各チャンバー３０Ａ〜３０Ｆに備えられる主供給管３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ，３８ｅ，３８ｆにそれぞれ接続されている。
【００８９】
ＣＰＵ２０１は，１つのオゾンガス発生器４２を制御する場合と同様に，オゾン濃度検出器１６５の検出に基づいてオゾンガス発生器２４０，２４１の放電圧を制御する。さらに，ＣＰＵ２０１は，ユニット側ＣＰＵ２００の送信情報より検知した，オゾンガス供給が行われるチャンバーの稼働台数に応じて，開閉弁２４２の開閉及びオゾンガス発生器２４１の放電開始・停止を制御する。オゾンガスを供給するチャンバーが３台以下の場合は，開閉弁２４２を閉じ，オゾンガス発生器２４１を停止させ，オゾンガス発生器２４０のみを稼働させてオゾンガスを発生させる。オゾンガスを供給するチャンバーが４台以上の場合は，開閉弁２４２を開き，オゾンガス発生器２４０，２４１の双方を稼働させてオゾンガスを発生させる。このようにして，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，オゾンガス発生器の稼働台数を変化させることにより，一台のオゾンガス発生器がオゾンガスを供給できるチャンバーの台数以上にチャンバーの台数を増加させても，十分な流量のオゾンガスを発生させることができる。
【００９０】
図９に示すように，発生させたオゾンガスの一部をチャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給せずに排出する排出路としてのブローオフライン２４５ａ，２４５ｂを備えてもよい。この場合，余分なオゾンガスを排出することにより，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂには，それぞれの工程に応じて所望の流量及びオゾン濃度でオゾンガスを供給することができる。ブローオフライン２４５ａは，切換開閉弁２４６ａを介してオゾンガス分岐供給管６１ａに介設されている。ブローオフライン２４５ｂは，切換開閉弁２４６ｂを介してオゾンガス分岐供給管６１ｂに介設されている。切換開閉弁２４６ａ及び２４６ｂは，ユニット側ＣＰＵ２００によって，ブローオフライン２４５ａ又は２４６ｂを連通させて各チャンバー３０Ａ，３０Ｂにそれぞれオゾンガスを供給する状態と，ブローオフライン２４５ａ又は２４６ｂとオゾンガス分岐供給管６１ａ又は６１ｂとを接続してオゾンガスを排出する状態とにそれぞれ切り換えを制御される。また，ブローオフライン２４５ａ，２４５ｂには，流量調整弁２４８ａ，２４８ｂと，フローメーター２５０ａ，２５０ｂがそれぞれこの順に介設され，下流側は合流してオゾンキラー９２に接続されている。なお，ブローオフライン２４５ａ，２４５ｂの材質はフッ素樹脂である。
【００９１】
流量調整弁５２ａ，５２ｂは，流量調整弁５２ａ，５２ｂを双方とも開いた状態のときに，オゾンガス発生器４２において発生した蒸気が，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給されるように，流量調整量のバランスが調節される。また，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに対して供給するオゾンガスは，ＣＰＵ２０１によるオゾンガス発生器４２の制御によってオゾン濃度が制御されている。この第２の実施の形態において，制御部は，切換開閉弁２４６ａ，２４６ｂを切換制御するユニット側ＣＰＵ２００と，オゾンガス発生器４２を制御するＣＰＵ２０１によって構成されている。
【００９２】
この第２の実施の形態においては，前述の実施の形態と異なり，ＣＰＵ２０１によるマスフローコントローラ１８８，１９１の制御を行う必要はない。即ち，オゾンガス発生器４２に供給する含酸素気体の全流量は一定であるため，オゾンガス発生器４２が発生させるオゾンガスの全流量は一定であり，例えば約８リットル／ｍｉｎ程度である。また，オゾンガスを同時に供給するチャンバーの数を変更しても，ユニット側ＣＰＵ２００による流量調整弁５２ａ，５２ｂの開閉を行う必要は無く，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で蒸気が供給されるバランスに予め設定された所定の流量調整量にして開いておく。この場合，フローメーター６６ａ，６６ｂ，２５０ａ，２５０ｂが検出する流量が同じになるように，即ち，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂ，ブローオフライン２４５ａ，２４５ｂに，互いに同じ流量のオゾンガスが分岐して流入するように，流量調整弁５２ａ，５２ｂ，２４８ａ，２４８ｂの流量調整量のバランスが予め設定される。
【００９３】
この基板処理システム１にあっては，ユニット側ＣＰＵ２００の送信により検知したチャンバー３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの処理工程に応じて，切換開閉弁２４６ａ，２４６ｂの切換制御を行うことにより，オゾンガスのチャンバー３０Ａ又は３０Ｂへの供給と排出を切り換える。チャンバー３０Ａ，３０Ｂの双方で，オゾンガスを使用する工程を行う場合は，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに同時にオゾンガスを供給するので，切換開閉弁２４６ａ，２４５ｂをオゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂ側にそれぞれ切り換える。すると，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂに流入したオゾンガスは，流量調整弁５２ａ，５２ｂの流量調整量のバランスが予め設定されていることにより，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに同じ流量で供給される。一方，チャンバー３０Ｂではオゾンガスを使用しない工程，例えばウェハ搬入工程を行い，チャンバー３０Ａではオゾンガスを使用する工程，例えばオゾンガス充填工程を行う場合は，チャンバー３０Ａのみにオゾンガスを供給するので，切換開閉弁２４６ａをオゾンガス分岐供給管６１ａ側に切り換え，切換開閉弁２４６ｂをブローオフライン２４５ｂ側に切り換える。すると，オゾンガス分岐供給管６１ａに流入したオゾンガスはチャンバー３０Ａに供給され，オゾンガス分岐供給管６１ｂに流入したオゾンガスは，チャンバー３０Ｂに供給されずに，余分に発生したオゾンガスとして，ブローオフライン２４５ｂによって排出される。ここで，流量調整弁５２ａ，２４８ｂを双方とも開き，流量調整弁５２ｂ，２４８ａを双方とも閉じた状態のときに，オゾンガス分岐供給管６１ａ，ブローオフライン２４５ｂに，互いに同じ流量のオゾンガスが分岐して流入するように，流量調整弁５２ａ，２４８ｂの流量調整量のバランスが予め設定されているので，オゾンガス分岐供給管６１ａには所望の流量のオゾンガスが流入する。このように，発生させたオゾンガスのうち，オゾンガスを使用しない工程を行うチャンバー３０Ｂに供給する分のオゾンガスを，チャンバー３０Ｂに供給せずに排出することにより，オゾンガスを使用する処理を行うチャンバー３０Ａに供給するオゾンガスの流量を制御することができる。これにより，チャンバー３０Ａには，チャンバー３０Ｂにオゾンガスが供給されるか否かに関わらず，即ちチャンバー３０Ｂの処理状況に関わらず，所望の流量のオゾンガスが供給される。チャンバー３０Ｂにオゾンガスを供給する場合においても同様である。また，本発明の実施の形態において説明した場合と同様に，ＣＰＵ２０１，オゾンガス発生器４２，オゾン濃度検出器１６５から構成されるフィードバック系により，オゾン濃度が所定値にフィードバック制御される。こうして，チャンバー３０Ａ，３０Ｂには，互いの処理状況に関わらず，常に所望の値の流量，例えば４リットル／ｍｉｎで，所望の値のオゾン濃度を有するオゾンガスが供給される。
【００９４】
勿論，本発明の実施の形態において説明した酸素及び窒素の流量調整によるオゾンガスの流量調整と，ブローオフライン２４５ａ，２４５ｂによるオゾンガスの流量調整とを，双方実施可能な構成としても良い。
【００９５】
【発明の効果】
本発明の基板処理システム及び基板処理方法によれば，各チャンバー内で行うそれぞれの工程に応じた流量と安定したオゾン濃度を有するオゾンガスを発生させることができる。各チャンバーにおけるレジスト水溶化処理の均一性が向上する。従って，レジスト剥離及びエッチング処理の均一性，信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる基板処理システムの概略平面図である。
【図２】基板処理システムの概略側面図である。
【図３】基板処理装置の配管系統を示す概略断面図である。
【図４】チャンバーの縦断面図である。
【図５】オゾンガス発生器周辺の配管系統を示す概略断面図である。
【図６】ミストトラップ周辺の配管系統を示す概略断面図である。
【図７】ミストトラップの縦断面図である。
【図８】別の実施の形態にかかるオゾンガス発生器周辺の配管系統を示す概略断面図である。
【図９】別の実施の形態にかかるオゾンガス発生器周辺の配管系統を示す概略断面図である。
【符号の説明】
Ｃ キャリア
Ｗ ウェハ
１８ 主ウェハ搬送装置
２３ａ〜２３ｆ 基板処理ユニット
３０Ａ，３０Ｂ チャンバー
３８ 主供給管
４０ 蒸気発生器
４１ａ，４１ｂ 供給切換手段
４２ オゾンガス発生器
４３ 窒素供給源
５１ オゾンガス供給管
５２ａ，５２ｂ 流量調整弁
６０ オゾンガス主供給管
６１ａ，６１ｂ オゾンガス分岐供給管
６５ オゾン濃度検出器
６６ａ，６６ｂ フローメーター
７１ ミストトラップ
１８１ 酸素供給源
１８３ 窒素供給源
１８８，１９１ マスフローコントローラ
２００ ユニット側ＣＰＵ
２０１ ＣＰＵ
２４５ａ，２４５ｂ ブローオフライン
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板を処理する基板処理システム及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）の表面に塗布されたレジストを剥離する処理工程として，チャンバー内に収納したウェハにオゾンガスと蒸気の混合処理流体を供給して，混合処理流体によってレジストを酸化させることにより水溶性に変質させ，純水により除去するものが知られている。かような基板処理を行うシステムは複数のチャンバーを備え，１つのオゾンガス発生器からオゾンガスを供給管によって分岐させて各チャンバーに供給する構成となっている。オゾンガス発生器は，酸素と窒素とを混合した含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような，処理流体を１つの供給源から分岐させて複数のチャンバーに供給する構成の一般的なシステムにおいては，各チャンバーへのウェハの搬入出などにより，他のチャンバーで処理しているウェハに影響を及ぼす心配があった。例えば，１つの供給源から２つのチャンバーに処理流体を分岐させて供給するシステムでは，一方のチャンバーにおいてウェハの搬入出などを行うと，他方のチャンバーに供給させる処理流体の圧力や流量が変動し，レジスト水溶化処理の均一性が悪化するため，その後のレジスト除去処理や，エッチング処理全体の均一性，信頼性が悪化する問題があった。
【０００４】
従って，本発明の目的は，複数のチャンバーにオゾンガスを供給する場合であっても，安定した流量及びオゾン濃度のオゾンガスを発生させることができる基板処理システム及び基板処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明によれば，含酸素気体中で放電することにより，オゾンガスを発生させるオゾンガス発生器と，基板をそれぞれ収納する複数のチャンバーを備え，前記各チャンバー内にオゾンガスを供給して，前記各チャンバー内の基板をそれぞれ処理する基板処理システムであって，前記オゾンガス発生器に供給する含酸素気体の流量を調整する気体流量調整部と，前記気体流量調整部を制御する制御部を備え，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて前記制御部によって前記含酸素気体の流量を制御することにより，前記複数のチャンバーに供給するオゾンガスの全流量を制御する構成としたことを特徴とする，基板処理システムが提供される。この基板処理システムにあっては，各チャンバー内で行うそれぞれの工程に応じた流量と安定したオゾン濃度を有するオゾンガスを発生させることができる。即ち，各チャンバーに供給するオゾンガスの圧力，流量及びオゾン濃度を安定したものとすることにより，各チャンバーにおけるレジスト水溶化処理の均一性が向上し，ひいてはエッチング処理の均一性，信頼性が向上する。
【０００６】
前記気体流量調整部は，前記オゾンガス発生器に供給する酸素の流量を調整する酸素流量調整部と，前記オゾンガス発生器に供給する窒素の流量を調整する窒素流量調整部から構成され，前記含酸素気体は，前記酸素及び窒素を混合したものであることが好ましい。
【０００７】
なお，含酸素気体中で放電することにより，オゾンガスを発生させるオゾンガス発生器と，基板をそれぞれ収納する複数のチャンバーを備え，前記各チャンバー内にオゾンガスを供給して，前記各チャンバー内の基板をそれぞれ処理する基板処理システムであって，発生させたオゾンガスの一部を前記複数のチャンバーに供給せずに排出する排出路と，前記排出路を開閉する開閉弁を制御する制御部を備え，前記制御部によって前記開閉弁の開閉を制御することにより，前記複数のチャンバーに対するオゾンガスの供給を制御する構成としたことを特徴とする，基板処理システムが併せて提供される。この基板処理システムにあっては，発生させたオゾンガスのうち余分な量を排出するので，各チャンバー内で行うそれぞれの工程に応じた流量のオゾンガスを供給するとともに，安定したオゾン濃度を有するオゾンガスを発生させることができる。従って，各チャンバーに安定した圧力，流量及びオゾン濃度のオゾンガスを供給できる。
【０００８】
前記制御部によって前記オゾンガス発生器も制御する構成とし，前記制御部によって前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することにより，前記オゾンガス発生器が発生させるオゾンガス中のオゾン濃度を制御する構成とすることが好ましい。
【０００９】
さらに，前記オゾンガス発生器によって発生させたオゾンガスの濃度を検出するオゾン濃度検出部を備え，前記制御部は，前記オゾン濃度検出部の検出に応じて前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することが好ましい。この場合，フィードバック制御によりオゾン濃度を常に所定値に維持することができる。
【００１０】
前記オゾンガス発生器を２以上備え，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，前記オゾンガス発生器の稼働台数を制御することとしても良い。
【００１１】
さらに，前記各チャンバーに供給するオゾンガスの流量のバランスを調整する複数のオゾンガス流量調整部を備えることが好ましい。これにより，各チャンバーに供給するオゾンガスの圧力及び流量のバランスを調整することができる。また，前記各チャンバーに供給されるオゾンガスの流量をそれぞれ検出する複数のオゾンガス流量検出部を備えることが好ましい。さらにまた，前記各チャンバーに，流量調整部を設けた排気管をそれぞれ備えることが好ましい。これにより，各チャンバー内の圧力を調整することができる。
【００１２】
また，本発明によれば，オゾンガス発生器によって含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させ，前記オゾンガスを複数のチャンバー内に供給し，前記各チャンバー内に収納した基板をそれぞれ処理する基板処理方法であって，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて前記オゾンガス発生器に供給する含酸素気体の流量を制御することにより，前記複数のチャンバーに供給するオゾンガスの全流量を制御することを特徴とする，基板処理方法が提供される。
【００１３】
なお，オゾンガス発生器によって含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させ，前記オゾンガスを複数のチャンバー内に供給し，前記各チャンバー内に収納した基板をそれぞれ処理する基板処理方法であって，前記発生させたオゾンガスのうち，オゾンガスを使用しない工程を行うチャンバーに供給する分のオゾンガスを，前記オゾンガスを使用しない工程を行うチャンバーに供給せずに排出することにより，オゾンガスを使用する処理を行うチャンバーに供給するオゾンガスの流量を制御することを特徴とする，基板処理方法が併せて提供される。
【００１４】
この基板処理方法にあっては，前記オゾンガス発生器によって発生させたオゾンガスの濃度を検出し，前記検出されたオゾンガスの濃度に応じて前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することが好ましい。なお，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，オゾンガス発生器の稼働台数を変化させることとしても良い。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハに対して，ウェハの表面に塗布されたレジストを水溶化して剥離する処理を施す基板処理システムに基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板処理システム１の平面図である。図２は，その側面図である。この基板処理システム１は，ウェハＷに洗浄処理及びレジスト水溶化処理を施す処理部２と，処理部２に対してウェハＷを搬入出する搬入出部３から構成されている。
【００１６】
搬入出部３は，複数枚，例えば２５枚の略円盤形状のウェハＷを所定の間隔で略水平に収容可能な容器（キャリアＣ）を載置するための載置台６が設けられたイン・アウトポート４と，載置台６に載置されたキャリアＣと処理部２との間でウェハＷの受け渡しを行うウェハ搬送装置７が備えられたウェハ搬送部５と，から構成されている。
【００１７】
ウェハＷはキャリアＣの一側面を通して搬入出され，キャリアＣの側面には開閉可能な蓋体が設けられている。また，ウェハＷを所定間隔で保持するための棚板が内壁に設けられており，ウェハＷを収容する２５個のスロットが形成されている。ウェハＷは表面（半導体デバイスを形成する面）が上面（ウェハＷを水平に保持した場合に上側となっている面）となっている状態で各スロットに１枚ずつ収容される。
【００１８】
イン・アウトポート４の載置台６上には，例えば，３個のキャリアを水平面のＹ方向に並べて所定位置に載置することができるようになっている。キャリアＣは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート４とウェハ搬送部５との境界壁８側に向けて載置される。境界壁８においてキャリアＣの載置場所に対応する位置には窓部９が形成されており，窓部９のウェハ搬送部５側には，窓部９をシャッター等により開閉する窓部開閉機構１０が設けられている。
【００１９】
この窓部開閉機構１０は，キャリアＣに設けられた蓋体もまた開閉可能であり，窓部９の開閉と同時にキャリアＣの蓋体も開閉する。窓部９を開口してキャリアＣのウェハ搬入出口とウェハ搬送部５とを連通させると，ウェハ搬送部５に配設されたウェハ搬送装置７のキャリアＣへのアクセスが可能となり，ウェハＷの搬送を行うことが可能な状態となる。
【００２０】
ウェハ搬送部５に配設されたウェハ搬送装置７は，Ｙ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。また，ウェハ搬送装置７は，ウェハＷを把持する取出収納アーム１１を有し，この取出収納アーム１１はＸ方向にスライド自在となっている。こうして，ウェハ搬送装置７は，載置台６に載置された全てのキャリアＣの任意の高さのスロットにアクセスし，また，処理部２に配設された上下２台のウェハ受け渡しユニット１６，１７にアクセスして，イン・アウトポート４側から処理部２側へ，逆に処理部２側からイン・アウトポート４側へウェハＷを搬送することができるように構成されている。
【００２１】
上記処理部２は，搬送手段である主ウェハ搬送装置１８と，ウェハ搬送部５との間でウェハＷの受け渡しを行うためにウェハＷを一時的に載置するウェハ受け渡しユニット１６，１７と，４台の基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５と，レジストを水溶化処理する基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆとを備えている。
【００２２】
また，処理部２には，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆに供給するオゾンガスを発生させるオゾンガス発生器４２が設置されたオゾンガス発生ユニット２４と，基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５に送液する所定の処理液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット２５とが配設されている。処理部２の天井部には，各ユニット及び主ウェハ搬送装置１８に，清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６が配設されている。
【００２３】
上記ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６からのダウンフローの一部は，ウェハ受け渡しユニット１６，１７と，その上部の空間を通ってウェハ搬送部５に向けて流出する構造となっている。これにより，ウェハ搬送部５から処理部２へのパーティクル等の侵入が防止され，処理部２の清浄度が保持される。
【００２４】
上記ウェハ受け渡しユニット１６，１７は，いずれもウェハ搬送部５との間でウェハＷを一時的に載置するものであり，これらウェハ受け渡しユニット１６，１７は上下２段に積み重ねられて配置されている。この場合，下段のウェハ受け渡しユニット１７は，イン・アウトポート４側から処理部２側へ搬送するようにウェハＷを載置するために用い，上段のウェハ受け渡しユニット１６は，処理部２側からイン・アウトポート４側へ搬送するウェハＷを載置するために用いることができる。
【００２５】
上記主ウェハ搬送装置１８は，Ｘ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。また，主ウェハ搬送装置１８は，ウェハＷを把持する搬送アーム１８ａを有し，この搬送アーム１８ａはＹ方向にスライド自在となっている。こうして，主ウェハ搬送装置１８は，ウェハ搬送部５に配設されたウェハ搬送装置７と，基板洗浄ユニット１２〜１５，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆの全てのユニットにアクセス可能に配設されている。
【００２６】
各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５は，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆにおいてレジスト水溶化処理が施されたウェハＷに対して，洗浄処理及び乾燥処理を施す。なお，基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５は，上下２段で各段に２台ずつ配設されている。図１に示すように，基板洗浄ユニット１２，１３と基板洗浄ユニット１４，１５とは，その境界をなしている壁面２７に対して対称な構造を有しているが，対称であることを除けば，各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５は概ね同様の構成を備えている。
【００２７】
一方，各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆは，ウェハＷの表面に塗布されているレジストを水溶化する処理を行う。基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆは，図２に示すように，上下方向に３段で各段に２台ずつ配設されている。左段には基板処理ユニット２３ａ，２３ｃ，２３ｅが上からこの順で配設され，右段には基板処理ユニット２３ｂ，２３ｄ，２３ｆが上からこの順で配設されている。図１に示すように，基板処理ユニット２３ａと基板処理ユニット２３ｂ，基板処理ユニット２３ｃと基板処理ユニット２３ｄ，基板処理ユニット２３ｅと基板処理ユニット２３ｆは，その境界をなしている壁面２８に対して対称な構造を有しているが，対称であることを除けば，各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆは概ね同様の構成を備えている。また，基板処理ユニット２３ａと基板処理ユニット２３ｂの配管系統，基板処理ユニット２３ｃと基板処理ユニット２３ｄの配管系統，基板処理ユニット２３ｅと基板処理ユニット２３ｆの配管系統は，同様の構成を備えている。以下に，基板処理ユニット２３ａ，２３ｂを例として，その配管系統と構造について詳細に説明することとする。
【００２８】
図３は，基板処理ユニット２３ａ，２３ｂの配管系統を示す概略構成図である。基板処理ユニット２３ａ，２３ｂには，ウェハＷを収納するチャンバー３０Ａ，３０Ｂがそれぞれ備えられている。チャンバー３０Ａ，３０Ｂには，蒸気をチャンバー３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ供給する蒸気供給管３８ａ，３８ｂ（以下,「主供給管３８ａ，３８ｂ」という）を介して，１つの蒸気発生器４０が接続されている。
【００２９】
また，主供給管３８ａ，３８ｂには，含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させる１つのオゾンガス発生器４２と，１つの窒素供給源４３とが，供給切換手段４１ａ，４１ｂを介して，それぞれ接続されている。オゾンガス発生器４２は，前述のオゾンガス発生ユニット２４内に設置されている。供給切換手段４１ａ，４１ｂは，主供給管３８ａ，３８ｂの連通・遮断と流量調整をそれぞれ行う流量調整弁５０ａ，５０ｂと，オゾンガス発生器４２によって発生させたオゾンガスをチャンバー３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ供給するオゾンガス供給管５１の連通・遮断と流量調整を行う流量調整弁５２ａ，５２ｂと，窒素供給源４３から窒素（Ｎ２）をチャンバー３０Ａ，３０Ｂにそれぞれ供給する窒素供給管５３の連通・遮断を行う切換弁５４ａ，５４ｂとをそれぞれ具備している。
【００３０】
オゾンガス供給管５１は，オゾンガス発生器４２に接続するオゾンガス主供給管６０と，供給切換手段４１ａ，４１ｂにおいて主供給管３８ａ，３８ｂにそれぞれ介設するオゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂから構成される。オゾンガス主供給管６０には，フィルター６４と，オゾンガス発生器４２によって発生させたオゾンガス中のオゾン（Ｏ３）の濃度を検出するオゾン濃度検出器６５が，オゾンガス発生器４２側からこの順に介設されている。オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂには，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給されるオゾンガスの流量をそれぞれ検出するフローメーター６６ａ，６６ｂと，前述の流量調整弁５２ａ，５２ｂが，オゾンガス発生器４２側からそれぞれこの順に介設されている。
【００３１】
流量調整弁５２ａ，５２ｂは，連通させたときに各フローメーター６６ａ，６６ｂが検出する流量が同じになるように，流量調整量のバランスが予め設定される。従って，流量調整弁５２ａ，５２ｂを双方とも開くと，オゾンガス主供給管６０から送出された流体は，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂに同じ流量で流入して，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給される。例えば，オゾンガス主供給管６０から８リットル／ｍｉｎ程度で送出された流体は，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂにそれぞれ４リットル／ｍｉｎ程度で流入する。
【００３２】
窒素供給管５３は，供給切換手段４１ａ，４１ｂにおいてオゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂにそれぞれ介設する分岐路を備え，各分岐路には，大流量部と小流量部を切換可能な流量切換弁６８，６８と，前述の切換弁５４ａ，５４ｂが，窒素供給源４３側からこの順にそれぞれ介設されている。
【００３３】
なお，流量調整弁５０ａ，５０ｂを調節して，流量調整量のバランスを調整することにより，蒸気発生器４０において発生して主供給管３８ａ，３８ｂを通過する蒸気が，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給されるようになる。また，流量切換弁６８，６８の大流量部又は小流量部を調節して，流量調整量のバランスを調整することにより，Ｎ２ガス供給源４３からＮ２ガス供給管５３，主供給管３８ａ，３８ｂを通過するオゾンガスが，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給されるようになる。
【００３４】
一方，チャンバー３０Ａ，３０Ｂにおける主供給管３８ａ，３８ｂの接続部と対向する部位には，排出管７０ａ，７０ｂがそれぞれ接続されている。この排出管７０ａ，７０ｂは合流して排出管７０ｃとなり，ミストトラップ７１に接続されている。また，排出管７０ａ，７０ｂには，圧力調整手段である排気切換部７２，７２がそれぞれ介設されている。
【００３５】
各排気切換部７２は，分岐管７６，７７を備え，分岐管７６，７７には，開放時には小量の排気を行う第１の排気流量調整弁８１，開放時には大量の排気を行う第２の排気流量調整弁８２がそれぞれ介設されている。この分岐管７６，７７における排気流量調整弁８１，８２の下流側は合流して再び排出管７０ａ又は７０ｂとなっている。また，分岐管７７における排気流量調整弁８２の上流側と，分岐管７６，７７の合流部分の下流側を接続する分岐管８５が設けられており，分岐管８５には，通常では閉鎖状態を維持し，緊急時，例えばチャンバー３０Ａ，３０Ｂ内の圧力が過剰に上昇する場合などに開放する第３の排気切換弁８６が介設されている。
【００３６】
ミストトラップ７１は，排出された処理流体を冷却し，排出流体を，オゾンガスを含む気体と液体とに分離して，液体を排液管９０から排出する。分離したオゾンガスを含む気体は，排気管９１によってオゾンキラー９２に送出され，オゾンガス成分を酸素に熱分解され，冷却装置９３によって冷却された後，排気管９４によって排気される。
【００３７】
前述のように，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する蒸気の流量は流量調整弁５０ａ，５０ｂによって調整され，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給するオゾンガスの流量は，流量調整弁５２ａ，５２ｂによって調整される。また，蒸気，オゾンガス，又は蒸気とオゾンガスとの混合流体等の雰囲気によるチャンバー３０Ａ，３０Ｂ内の圧力は，各排気切換部７２，７２によって，チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内から排気する流量を調節することにより，制御される。
【００３８】
なお，チャンバー３０Ａ，３０Ｂには，リークセンサ９５，９５がそれぞれ取り付けられて，チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内の処理流体の洩れを監視できるようになっている。
【００３９】
チャンバー３０Ａ，３０Ｂは同様の構成を有するので，次に，一方のチャンバー３０Ａを代表して構成を説明する。図４に示すように，チャンバー３０Ａは，ウェハＷを収納する容器本体１００と，ウェハＷを前述の主ウェハＷ搬送装置１８から受け取り，容器本体１００に受け渡す蓋体１０１とで主要部が構成されている。また，蓋体１０１を支持する図示しないシリンダ機構が備えられており，シリンダの駆動によって，ウェハＷを主ウェハＷ搬送装置１８から受け取る際には容器本体１００に対して蓋体１０１を離間し，ウェハＷ処理中は容器本体１００に対して蓋体１０１を密着させる。容器本体１００と蓋体１０１を密着させると，容器本体１００と蓋体１０１の間には，密閉された処理空間Ｓ１が形成される。
【００４０】
容器本体１００は，円盤状のベース１００ａと，ベース１００ａの周縁部から上方に起立する円周壁１００ｂを備えている。ベース１００ａの内部にはヒータ１０５が内蔵されており，ベース１００ａの上面には，ウェハＷより小径の円形状の下プレート１１０が隆起している。下プレート１１０上面は円周壁１００ｂの上面より下方位置に形成されている。円周壁１００ｂと下プレート１１０の間には，凹溝１００ｃが形成されている。
【００４１】
下プレート１１０の周囲４箇所には，容器本体１００に収納されたウェハＷ下面の周縁４箇所に対してそれぞれ当接する，図示しない４つの支持部材が設けられている。これら４つの支持部材によって，ウェハＷは収納位置に安定的に支持される。支持部材によって収納位置に支持されたウェハＷ下面と下プレート１１０上面との間には，約１ｍｍ程度の高さの隙間Ｇが形成される。なお，支持部材の材質はＰＴＦＥ等の樹脂である。
【００４２】
円周壁１００ｂの上面には，同心円状に二重に設けられた周溝にそれぞれ嵌合されるＯリング１１５ａ，１１５ｂが備えられている。これにより，円周壁１００ｂ上面と蓋体１０１下面を密着させ，処理空間Ｓ１を密閉することができる。
【００４３】
円周壁１００ｂには，チャンバー３０Ａ内に処理流体を導入する供給口１２０が設けられ，収納位置に支持されたウェハＷの中心を中心として供給口１２０に対向する位置には，排出口１２１が設けられている。供給口１２０には主供給管３８ａが，また，排出口１２１には，排出管７０ａが接続している。
【００４４】
供給口１２０は凹溝１００ｃの上部側に，排出口１２１は凹溝１００ｃの底部側に開口している。このように，供給口１２０を排出口１２１より上側に設けることにより，供給口１２０から導入される処理流体を，処理空間Ｓ１内に淀み無く円滑に供給することができる。また，処理流体を処理空間Ｓ１内から排出する場合に，チャンバー３０Ａ内に処理流体が残存することを防止する。なお，供給口１２０及び排出口１２１は，ウェハＷの周囲において前述の４つの支持部材の間に設置され，支持部材が処理流体の円滑な導入及び排出を妨げないように配置されている。
【００４５】
蓋体１０１は，内部にヒータ１２５が内蔵された基体１０１ａと，基体１０１ａの下面の中心を中心として対向する２箇所に垂下される，図示しない一対の保持部材から構成されている。保持部材は，基体１０１ａの内方側に折曲される断面略Ｌ字状に形成されている。図示しないシリンダ機構によって蓋体１０１を下降させると，蓋体１０１が容器本体１００に対して近接方向に移動して保持部材が容器本体１００の凹溝１００ｃ内に進入すると共に，ウェハＷを容器本体１００の支持部材に受け渡す構成となっている。
【００４６】
図３に示す蒸気発生器４０は，タンク１３０内に貯留した純水（ＤＩＷ）を図示しないヒータによって加熱して蒸気を発生させる。タンク内は約１２０℃程度に温度調節され加圧状態に維持される。なお，主供給管３８ａ，３８ｂにおける蒸気発生器４０から供給切換手段４１ａ，４１ｂまでの間には，主供給管３８ａ，３８ｂの形状に沿って管状に設置される温度調節器１３６がそれぞれ備えられ，蒸気発生器４０から送出される蒸気は，主供給管３８ａ，３８ｂを供給切換手段４１ａ，４１ｂまで通過する間，温度調節される。
【００４７】
タンク１３０内に純水を供給する純水供給管１４０には，流量調整弁Ｖ２が介設されており，純水供給源１４１が接続されている。この純水供給源１４１における流量調整弁Ｖ２の下流側には，前述の窒素供給管５３からの分岐管１４２を介して前述の窒素供給源４３が接続されている。この分岐管１４２には流量調整弁Ｖ３が介設されている。この場合，両流量調整弁Ｖ２，Ｖ３は共に連通及び遮断動作を同様に行えるようになっている。
【００４８】
タンク１３０内から純水を排液するドレン管１４５には，流量調整弁Ｖ３と連動するドレン弁ＤＶが介設されており，下流端にはミストトラップ１４８が備えられている。また，タンク１３０には，タンク１３０内の圧力が異常に上昇した際に蒸気をタンク１３０から排出して圧力を下降させるための逃がし路１５０が接続されており，ドレン管１４５のドレン弁ＤＶの下流側に，逃がし路１５０の下流端が接続されている。逃がし路１５０には，流量調整弁Ｖ４，開閉弁Ｖ５が介設されると共に，この流量調整弁Ｖ４の上流側から分岐して開閉弁Ｖ５の下流側に接続する分岐管１５３が接続され，この分岐管１５３にリリーフ弁ＲＶが介設されている。ミストトラップ１４８は，ドレン管１４５から排液された純水及び逃がし路１５０から排出された蒸気を冷却して，液体にして排液管１５４から排液する。
【００４９】
蒸気発生器４０内の純水は，一定の出力で稼働するヒータによって加熱される。また，前述のように，蒸気発生器４０において発生した蒸気が，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給されるように，流量調整弁５０ａ，５０ｂの流量調整量が予め設定される。例えば，蒸気発生器４０において発生させる蒸気の流量を５とすると，蒸気を同時に各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する場合は，蒸気発生器４０において発生させた流量５の蒸気のうち，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに，流量５に対して２の比率の流量で蒸気をそれぞれ供給し，残りの１の比率の流量の蒸気は，タンク１３０内から逃がし路１５０によって排出する。そのため，蒸気を同時に各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する場合は，１の比率の流量の蒸気が逃がし路１５０を通過するように流量調整弁Ｖ４の流量調整を行い，各流量調整弁５０ａ，５０ｂ，及び逃がし路１５０に介設された開閉弁Ｖ５を開く。
【００５０】
また，蒸気を片方のチャンバー３０Ａ又は３０Ｂのみに供給する場合，例えばチャンバー３０Ａ（又は３０Ｂ）でウェハＷの搬入を行い，同時にチャンバー３０Ｂ（又は３０Ａ）でオゾンガスと蒸気を用いるレジスト水溶化処理を行うような場合は，蒸気発生器４０において発生させた流量５の蒸気のうち，チャンバー３０Ａ又は３０Ｂにのみ，流量５に対して２の比率の流量の蒸気を供給し，残りの３の比率の流量の蒸気は，逃がし路１５０によって排出する。そのため，蒸気を片方のチャンバー３０Ａ又は３０Ｂにのみ供給する場合は，流量５に対して３の比率の流量の蒸気が逃がし路１５０を通過するように流量調整弁Ｖ４の流量調整を行い，一方の流量調整弁５０ａ又は５０ｂと，開閉弁Ｖ５とを開く。
【００５１】
蒸気をチャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれにも供給しない場合は，蒸気発生器４０において発生させた流量５の蒸気を，すべて逃がし路１５０によって排出する。そのため，各流量調整弁５０ａ，５０ｂを閉じ，開閉弁Ｖ５及び流量調整弁Ｖ４を開く。
【００５２】
なお，逃がし路１５０によって排出された蒸気は，ドレン管１４５を通過してミストトラップ１４８に送出される。また，タンク１３０内の圧力が過剰に上昇するなどの異常時には，リリーフ弁ＲＶ１を開いて，蒸気をタンク１３０内から逃がし路１５０，分岐管１５３，逃がし路１５０，ドレン管１４５の順に通過させて排出する。
【００５３】
上記のように，蒸気発生器４０において発生させた蒸気を，流量調整弁Ｖ４によって流量調整しながら逃がし路１５０によって排出することにより，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する蒸気の流量を調整することができる。この場合，例えば，蒸気を同時に供給するチャンバーの数が変更しても，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で蒸気が供給されるバランスに予め設定された流量調整弁５０ａ，５０ｂの流量調整量を変更する必要は無く，開閉を行うだけでよい。このように各流量調整弁５０ａ，５０ｂによって流量調整を行う場合や，ヒータの出力を制御して流量調整を行う場合と比較して，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する蒸気の流量調整が容易である。従って，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給する蒸気の流量を，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂで行う工程に応じて，正確に調整することができ，レジズト水溶化処理の均一性，信頼性を向上させることができる。
【００５４】
図５に示すように，オゾンガス発生器４２には，酸素供給管１８０を介して酸素供給源１８１が接続され，酸素供給管１８０に介設する窒素供給管１８２を介して窒素供給源１８３が接続されている。酸素供給管１８０には，酸素供給管１８０の連通・遮断を行う開閉弁１８５と，オゾンガス発生器４２に供給する酸素（Ｏ２）の流量を調整する酸素流量調整部としてのマスフローコントローラ１８８と，窒素供給管１８２が，酸素供給源１８１側からこの順に介設されている。窒素供給管１８２には，窒素供給管１８２の連通・遮断を行う開閉弁１９０と，オゾンガス発生器４２に供給する窒素（Ｎ２）の流量を調整する窒素流量調整部としてのマスフローコントローラ１９１が，窒素供給源１８３側からこの順に介設されている。酸素供給源１８１から送出される酸素と，窒素供給源１８３から送出される窒素は，マスフローコントローラ１８８，１９１によってそれぞれ流量調整された後，合流して，酸素及び窒素を混合した含酸素気体となり，酸素供給管１８０を通過してオゾンガス発生器４２に供給される。そして，オゾンガス発生器４２において放電が行われることにより，含酸素気体中の酸素の一部がオゾンとなる。これにより，含酸素気体はオゾンが含有されたオゾンガスとなり，オゾンガス主供給管６０に送出される。本実施の形態において，オゾンガス発生器４２に供給する含酸素気体の流量を調整する含酸素気体流量調整部は，マスフローコントローラ１８８，１９１によって構成されている。
【００５５】
基板処理ユニット２３ａ及び２３ｂの処理に関する情報を処理するユニット側ＣＰＵ２００は，流量調整弁５２ａ，５２ｂの開閉を検知する機能を有する。また，ユニット側ＣＰＵ２００は，マスフローコントローラ１８８，１９１及びオゾンガス発生器４２を制御する制御部としてのＣＰＵ２０１に対して，基板処理ユニット２３ａ及び２３ｂの処理に関する情報とともに，流量調整弁５２ａ，５２ｂの開閉の情報を送信する。
【００５６】
ＣＰＵ２０１は，送信された流量調整弁５２ａ，５２ｂのそれぞれの開閉状況から，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに必要なオゾンガスの全流量を計算して，算出した全流量のオゾンガスを発生させるために必要な酸素及び窒素が供給されるように，マスフローコントローラ１８８，１９１を制御する。従って，オゾンガス発生器４２は，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに必要な全流量のオゾンガスを発生させることができる。チャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれかのみにオゾンガスを供給する場合は，発生させるオゾンガスの流量は，１つのチャンバーに供給する流量，例えば約４リットル／ｍｉｎ程度である。チャンバー３０Ａ，３０Ｂの双方に同時にオゾンガスを供給する場合は，発生させるオゾンガスはチャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれかのみに供給する場合の２倍の流量，例えば約８リットル／ｍｉｎ程度であり，流量調整弁５２ａ，５２ｂの流量調整量のバランスが予め設定されていることにより，チャンバー３０Ａ，３０Ｂにはそれぞれ同じ流量，即ち約４リットル／ｍｉｎ程度で供給される。
【００５７】
さらに，ＣＰＵ２０１は，オゾン濃度検出器１６５の濃度検出値を検知する機能と，オゾンガス発生器４２の放電圧を制御する機能を有し，濃度検出値をフィードバック信号としてオゾンガス発生器４２の放電圧を制御する。これにより，オゾンガス中のオゾン濃度がフィードバック制御される。従って，オゾンガス発生器４２に供給する含酸素気体の流量を変化させたり，酸素及び窒素の混合比を変化させても，これら流量，混合比，及びオゾンガス発生器４２内の含酸素気体の圧力の変化に，放電圧の変化を追従させて，安定したオゾン濃度のオゾンガスを発生させることができる。
【００５８】
以上のようなＣＰＵ２０１の制御により，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給するオゾンガスの圧力及び流量を所望の値とし，オゾン濃度を安定したものとする。これにより，チャンバー３０Ａ，３０Ｂで同時にオゾンガスを供給する状況で処理されたウェハＷも，チャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれかのみでオゾンガスを供給する状況で処理されたウェハＷも，レジスト水溶化処理が均質に施される。従って，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂにおけるレジスト水溶化処理の均一性，信頼性を向上させることができる。
【００５９】
図６に示すように，ミストトラップ７１は，チャンバー３０Ａ，３０Ｂから排出したオゾンガスと蒸気の混合排出流体を冷却する冷却部２１０と，冷却部２１０によって冷却されて混合排出流体中から液化したオゾン水を貯留するタンク２１１を備えている。
【００６０】
図７に示すように，冷却部２１０は，内管２１３と内部に内管２１３を通過させた外管２１４とから構成される二重管２１５を，複数段，例えば６段に縦方向に積み重なるように巻回した構成となっている。外管２１４は冷却水を通過させ，内管２１３に通過させる混合排出流体を冷却水によって冷却する。巻回した二重管２１５の上端部には内管２１３が突出しており，前述の排出管７０ｃが接続している。二重管２１５の上端部にて外管２１４が内管２１３の囲繞を開始する先端部分には，二重管２１５の下方から外管２１４内を上昇する冷却水を排出する冷却水排出管２２１が設けられている。また，外管２１４の下端部にも内管２１３が突出しており，内管２１３の下流端はタンク２１１の天井部に接続し，さらに，天井部をタンク２１１の内部に向かって貫通するように設けられている。二重管２１５の下端部にて外管２１４が内管２１３の囲繞を終了する末端部分には，外管２１４内に冷却水を導入する冷却水導入管２２２が設けられている。
【００６１】
冷却水排出管２２１及び冷却水導入管２２２には，図６に示す冷却水供給源２３１，冷却水回収源２３２が接続されており，外管２１４に冷却水を循環供給する。冷却水供給源２３１，冷却水回収源２３２は，冷却装置９３にも冷却水を循環供給する。
【００６２】
排出管７０ｃから内管２１３に導入されたオゾンガス，蒸気，窒素などの排出流体は，外管２１４を通過する冷却水によって冷却され，排出流体中の蒸気は液化してオゾンガス中に含有される酸素，窒素，オゾン等のオゾン含有気体と分離される。ここで，オゾンの一部が気体として分離されずに，蒸気から液化した純水中に溶け込むため，冷却された混合排出流体はオゾン水とオゾン含有気体に分離される。
【００６３】
タンク２１１には，前述の内管２１３の下流端と前述の排気管９１が，天井部を貫通して設けられている。また，前述の排液管９０と気体供給口２３０が，タンク２１１の底部を貫通して設けられている。気体供給口２３０には，気体供給源２３２が接続されている。さらに，タンク２１１内の液面位置を計測する液面計２３３が設けられている。排気管９１は，巻回した二重管２１５に囲まれた空間を通って冷却部２１０の上方に突出し，オゾンキラー９２に接続されている。
【００６４】
タンク２１１の内部には，内管２１３からオゾン水とオゾン含有気体が導入される。タンク２１１の上部に貯留されたオゾン含有気体は，排気管９１によってタンク２１１からオゾンキラー９２に送出される。タンク２１１の下部に貯留されたオゾン水は，気体供給口２３０から供給される空気等の気体によってバブリングされ，オゾン水中に溶存していたオゾンが気体となってオゾン水から除去される。これにより，オゾン水中のオゾンの濃度を，バブリング前の約１５ｐｐｍ程度から排出基準濃度の５ｐｐｍ以下に低下させることができる。こうして，オゾン水を排出基準濃度以下にした後，排液管９０から排液する。この場合，純水などで希釈したり，オゾン分解作用のある薬品等を混入して濃度を低下させる方法と比較して，安価なランニングコストで排液の有害性を低減できる。
【００６５】
次に，上記のように構成された基板処理システム１におけるウェハＷの処理工程を説明する。まず，イン・アウトポート４の載置台６に載置されたキャリアＣから取出収納アーム１１によって一枚ずつウェハＷが取り出され，取出収納アーム１１によって取り出したウェハＷをウェハ受け渡しユニット１７に搬送する。すると，主ウェハ搬送装置１８がウェハ受け渡しユニット１７からウェハＷを受け取り，主ウェハ搬送装置１８によって各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆに適宜搬入する。そして，各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆにおいて，ウェハＷの表面に塗布されているレジストが水溶化される。所定のレジスト水溶化処理が終了したウェハＷは，搬送アーム１８ａによって各基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆから適宜搬出される。その後，ウェハＷは，搬送アーム１８ａによって各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５に適宜搬入され，ウェハＷに付着している水溶化されたレジストを除去する洗浄処理が純水等により施される。これにより，ウェハＷに塗布されていたレジストが剥離される。各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５は，ウェハＷに対して洗浄処理を施した後，必要に応じて薬液処理によりパーティクル，金属除去処理を行った後，乾燥処理を行い，その後，ウェハＷは再び搬送アーム１８ａによって受け渡しユニット１７に搬送される。そして，受け渡しユニット１７から取出収納アーム１１にウェハＷが受け取られ，取出収納アーム１１によって，レジストが剥離されたウェハＷがキャリアＣ内に収納される。
【００６６】
次に，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆの動作態様について，基板処理ユニット２３ａを代表して説明する。まず，容器本体１００に対して蓋体１０１を離間させた状態で，主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム１８ａを蓋体１０１の下方に移動させると，蓋体１０１の図示しない保持部材が，搬送アーム１８ａからウェハＷを受け取る。次に，図示しないシリンダを駆動して蓋体１０１を下降させると，蓋体１０１が容器本体１００に対して近接方向に移動して保持部材が容器本体１００の凹溝１００ｃ内に進入すると共に，保持部材に支持されたウェハＷを容器本体１００の支持部材１１１に受け渡す。ウェハＷ下面と下プレート１１０上面との間には隙間Ｇが形成される。ウェハＷを支持部材１１１に受け渡した後，更に蓋体１０１が下降すると，蓋体１０１が容器本体１００の円周壁１００ｂの上面に当接すると共に，Ｏリング１１５ａ，１１５ｂを圧接して容器本体１００を密閉する。このようにして，チャンバー３０ＡにウェハＷを搬入する（ウェハ搬入工程）。
【００６７】
ウェハ搬入工程の後，蓋体１０１を容器本体１００に密閉した状態において，ヒータ１０５，１２５の作動により，チャンバー３０Ａ内の雰囲気及びウェハＷを昇温させる（昇温工程）。これにより，ウェハＷのレジスト水溶化処理を促進させることができる。
【００６８】
チャンバー３０Ａ内の雰囲気及びウェハＷが十分に昇温すると，ユニット側ＣＰＵ２００からＣＰＵ２０１に対して十分に昇温した旨の情報が送信され，ＣＰＵ２０１は，チャンバー３０Ａに対してオゾンガスの供給を開始する判断を行う。そして，ユニット側ＣＰＵ２００から流量調整弁５２ａに送信される制御信号により，流量調整弁５２ａが開かれ，オゾンガス発生器４２から，オゾンガス主供給管６０，オゾンガス分岐供給管６１ａ，流量調整弁５２ａ，主供給管３８ａを介してチャンバー３０Ａ内に所定濃度のオゾンガスが供給される。オゾンガスは，流量調整弁５２ａの流量調整量に応じた流量で，チャンバー３０Ａ内に供給される。なお，流量調整弁５２ａの流量調整量は，予め流量調整弁５２ｂとのバランスによって調整されている。さらに，排気切換部７２の第１の排気流量調整弁８１を開放した状態とし，チャンバー３０Ａ内からの排出管７０ａによる排気流量を第１の排気流量調整弁８１によって調整する。このように，チャンバー３０Ａ内を排出管７０ａによって排気しながらオゾンガスを供給することにより，チャンバー３０Ａ内の圧力を一定に保ちながらチャンバー３０Ａ内をオゾンガス雰囲気にする。この場合，チャンバー３０Ａ内の圧力は，大気圧より高い状態，例えばゲージ圧０．２Ｍｐａ程度に保つ。このとき，ヒータ１０５，１２５の加熱によって，チャンバー３０Ａ内の雰囲気及びウェハＷの温度が維持される。排出管７０ａによって排気したチャンバー３０Ａ内の雰囲気は，ミストトラップ７１に排出される。このようにして，チャンバー３０Ａ内に所定濃度のオゾンガスを充填する（オゾンガス充填工程）。
【００６９】
なお，チャンバー３０Ａに対して供給するオゾンガスは，ＣＰＵ２０１によるマスフローコントローラ１８８，１９１及びオゾンガス発生器４２の制御によって，流量及びオゾン濃度が制御されている。先ず，ユニット側ＣＰＵ２００の送信により検知した流量調整弁５２ａ，５２ｂのそれぞれの開閉状況に基づき，マスフローコントローラ１８８，１９１の流量調整量が制御され，オゾンガス発生器４２に供給する含酸素気体の全流量が制御される。これにより，オゾンガス発生器４２によって発生させるオゾンガスの全流量が制御される。また，ＣＰＵ２０１，オゾンガス発生器４２，オゾン濃度検出器１６５から構成されるフィードバック系により，オゾン濃度が所定値にフィードバック制御される。発生したオゾンガスは，流量調整弁５２ａが開いているオゾンガス分岐供給管６１ａからチャンバー３０Ａに供給される。一方，チャンバー３０Ｂには，流量調整弁５２ｂが閉じているためオゾンガス分岐供給管６１ｂからオゾンガスが供給されることは無い。チャンバー３０Ａには，チャンバー３０Ｂ内の処理状況に関わらず，常に所望の値の流量，例えば４リットル／ｍｉｎで，所望の値のオゾン濃度を有するオゾンガスが供給される。
【００７０】
オゾンガスを充填後，チャンバー３０Ａ内にオゾンガスと蒸気とを同時にチャンバー３０Ａ内に供給して，ウェハＷのレジスト水溶化処理を行う。排出管７０ａに介設された排気切換部７２の第１の排気流量調整弁８１を開放した状態とし，チャンバー３０Ａ内を排気しながらオゾンガスと蒸気を同時に供給する。蒸気発生器４０から供給される蒸気は，温度調節器１３６によって所定温度，例えば約１１５℃程度に温度調節されながら主供給管３８ａを通過し，供給切換手段４１においてオゾンガスと混合してチャンバー３０Ａ内に供給される。この場合も，チャンバー３０Ａ内の圧力は，大気圧よりも高い状態，例えばゲージ圧０．２Ｍｐａ程度に保たれている。また，ヒータ１０５，１２５の加熱により，チャンバー３０Ａ内の雰囲気及びウェハＷの温度を維持する。このようにして，チャンバー３０Ａ内に充填したオゾンガスと蒸気の混合処理流体によってウェハＷの表面に塗布されたレジストを酸化させる（レジスト水溶化工程）。
【００７１】
なお，レジスト水溶化工程において，オゾンガスは，流量調整弁５２ａの流量調整量に応じた流量で，主供給管３８ａを介してチャンバー３０Ａ内に供給される。蒸気は，流量調整弁５０ａの流量調整量に応じた流量で，主供給管３８ａを介してチャンバー３０Ａ内に供給される。この場合，流量調整弁５２ａの流量調整量は，予め流量調整弁５２ｂとのバランスによって調整されており，流量調整弁５０ａの流量調整量は，予め流量調整弁５０ｂ及び流量調整弁Ｖ４とのバランスによって調整されている。一方，排気切換部７２の第１の排気流量調整弁８１を開放した状態とし，チャンバー３０Ａ内からの排出管７０ａによる排気流量を第１の排気流量調整弁８１によって調整する。このように，チャンバー３０Ａ内を排出管７０ａによって排気しながらオゾンガス及び蒸気を所定流量で供給することにより，チャンバー３０Ａ内の圧力を一定に保ちながらチャンバー３０Ａ内にオゾンガスと蒸気の混合処理流体を供給する。
【００７２】
レジスト水溶化処理中は，主供給管３８ａから混合処理流体の供給を続け，排出管７０ａから混合処理流体の排出を続ける。混合処理流体は，ウェハＷの上面，下面（隙間Ｇ），周縁に沿って，排出口１２１及び排出管７０ａに向かって流れる。なお，主供給管３８ａから混合処理流体の供給を止めると共に，排出管７０ａからの排出を止め，チャンバー３０Ａ内の圧力を一定に保ちながらチャンバー３０Ａ内を満たす混合処理流体によってウェハＷのレジスト水溶化処理を行ってもよい。
【００７３】
この場合も，チャンバー３０Ａに対して供給するオゾンガスは，ＣＰＵ２０１によるマスフローコントローラ１８８，１９１，オゾンガス発生器４２の制御によって，流量及びオゾン濃度が制御され，チャンバー３０Ａには，チャンバー３０Ｂ内の処理状況に関わらず，常に所望の値の流量及びオゾン濃度を有するオゾンガスが供給される。さらに，オゾンガスが一定の流量で供給されることにより，チャンバー３０Ａ内の圧力が所定値に維持される。これにより，チャンバー３０Ｂ内の処理状況に関わらず，チャンバー３０Ａ内の圧力，ウェハＷの周囲を流れる混合処理流体の流量，混合処理流体中のオゾン濃度を所望の値とすることが可能である。例えば，チャンバー３０Ａ，チャンバー３０Ｂで同時にレジスト水溶化処理を行う状況で処理されたウェハＷも，チャンバー３０Ａ，チャンバー３０Ｂでそれぞれレジスト水溶化工程，ウェハＷ搬入工程を行う状況で処理されたウェハＷも，レジスト水溶化処理が均質に施される。
【００７４】
所定のレジスト水溶化処理が終了した後，まず，流量調整弁５０ａ，５２ａを閉じて，切換弁５４ａを開き，流量切換弁６８を大流量部側に切り換えて窒素供給源４３から大量の窒素をチャンバー３０Ａ内に供給すると共に，排出管７０ａに介設された排気切換部７２の第２の排気流量調整弁８２を開放した状態にする。そして，チャンバー３０Ａ内を排気しながら窒素供給源４３から窒素を供給する。これにより，主供給管３８ａ，チャンバー３０Ａ，排出管７０ａの中を窒素によってパージすることができる。排出されたオゾンガスは，排出管７０ａによってミストトラップ７１に排出される。このようにして，チャンバー３０Ａからオゾンガスと蒸気の混合処理流体を排出する（排出工程）。
【００７５】
その後，図示しないシリンダを作動させて蓋体１０１を上方に移動させると，凹溝１００ｃ内に収納されていた保持部材が再びウェハＷの対向する両側緑部に当接して支持部材１１１からウェハＷを受け取り，蓋体１０１が容器本体１００から離間した状態にする。この状態で，主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム１８ａを蓋体１０１の下方に進入させ，保持部材にて支持されているウェハＷを受け取り，チャンバー３０Ａ内からウェハＷを搬出する（ウェハ搬出工程）。
【００７６】
一方，基板処理ユニット２３ｂにおいては，基板処理ユニット２３ａにおけるオゾンガス充填工程又はレジスト水溶化工程中に，オゾンガス充填工程又はレジスト水溶化工程を行う場合と，基板処理ユニット２３ａにおけるウェハ搬入工程，排出工程又はウェハ搬出工程中に，オゾンガス充填工程又はレジスト水溶化工程を行う場合が考えられる。即ち，前者は，２つのチャンバー３０Ａ，３０Ｂにオゾンガスを同時に供給する場合であり，後者は，チャンバー３０Ａ，３０Ｂのいずれか一方のみにオゾンガスを供給する場合である。
【００７７】
例えば，基板処理ユニット２３ａにおいてチャンバー３０Ａ内にオゾンガスが充填されるオゾンガス充填工程が行われる間，基板処理ユニット２３ｂにおいてウェハ搬入工程が行われる場合，流量調整弁５２ａは開かれ，流量調整弁５２ｂは閉じられる。オゾンガス発生器４２は，１つのチャンバー３０Ａに供給する流量でオゾンガスを発生させ，オゾンガスは，オゾンガス主供給管６０，オゾンガス分岐供給管６１ａを約４リットル／ｍｉｎ程度の流量で通過し，主供給管３８ａを通ってチャンバー３０Ａ内に供給される。
【００７８】
次に，例えば，基板処理ユニット２３ａにおいてレジスト水溶化工程が行われ，チャンバー３０Ａ内にオゾンガスと蒸気が供給される間に，基板処理ユニット２３ｂにおいてオゾンガス充填工程を開始する場合，流量調整弁５２ｂが開かれ，ユニット側ＣＰＵ２００からＣＰＵ２０１に流量調整弁５２ａ，５２ｂが共に開く情報が伝達され，ＣＰＵ２０１は，この開閉情報に応じて，マスフローコントローラ１８８，１９１の各流量調整を行い，含酸素気体の流量を前述の１チャンバー供給時の約２倍に増加させる。オゾンガスは，オゾンガス主供給管６０を約８リットル／ｍｉｎ程度の流量で通過し，流量調整弁５２ａ，５２ｂが開かれているため，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂに対して，それぞれ同じ流量に，例えば約４リットル／ｍｉｎ程度の流量に分岐して流入する。そして，主供給管３８ａ，３８ｂを介して各チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内にオゾンガスが同じ流量で供給される。このようにして，１つのチャンバー３０Ａに対する供給から２つのチャンバー３０Ａ，３０Ｂに対する供給に切り替えられる。
【００７９】
その後，基板処理ユニット２３ａにおいてレジスト水溶化工程が終了し，排出工程を開始する際は，流量調整弁５２ａを閉じ，ユニット側ＣＰＵ２００からＣＰＵ２０１に流量調整弁５２ａを閉じる情報が伝達され，ＣＰＵ２０１は，この情報に応じて，マスフローコントローラ１８８，１９１の各流量調整を行い，含酸素気体の流量を前述の２チャンバー供給時の約半分に減少させる。オゾンガスは，オゾンガス主供給管６０を約４リットル／ｍｉｎ程度の流量で通過し，流量調整弁５２ａが閉じているため，オゾンガス分岐供給管６１ｂのみに約４リットル／ｍｉｎ程度の流量に流入する。そして，主供給管３８ｂを介してチャンバー３０Ｂ内にオゾンガスが供給される。このようにして，１つのチャンバー３０Ｂに対する供給に切り替えられる。
【００８０】
なお，含酸素気体の流量を変更したり，酸含酸素気体中の酸素の濃度を変化させても，オゾンガスがオゾンガス主供給管６０を通過する際，オゾン濃度検出器１６５によってオゾン濃度が検出され，ＣＰＵ２０１が検出値に基づいてオゾンガス発生器４２の放電圧を制御するので，所定濃度のオゾンガスを発生させることができる。以上のように，２チャンバー供給と１チャンバーを切り替えても，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに，それぞれの工程に応じてオゾンガスが所望の流量及びオゾン濃度で供給される。
【００８１】
かかる基板処理システム１にあっては，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内で行うそれぞれの工程に応じた流量と安定したオゾン濃度を有するオゾンガスを発生させることができる。即ち，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂ内に供給するオゾンガスの圧力，流量及びオゾン濃度を安定したものとすることにより，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂにおけるレジスト水溶化処理の均一性が向上する。従って，その後の各基板洗浄ユニット１２，１３，１４，１５における洗浄処理によるレジスト剥離の均一性，信頼性，及び基板処理システム１における処理を含めたエッチング処理全体の均一性，信頼性が向上する。
【００８２】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【００８３】
含酸素気体は，酸素及び窒素を混合したものに限定されず，酸素を含む気体であれば良い。例えば，酸素と空気を混合したものであっても良い。
【００８４】
オゾンガス発生器４２の放電圧の制御は，ＣＰＵ２０１，オゾンガス発生器４２，オゾン濃度検出器１６５から構成されるフィードバック系によるものに限定されない。例えば，含酸素ガス流量を急に変動させる際などに，オゾン濃度の変動が大きい場合や，オゾン濃度が安定するまでに時間がかかる場合にあっては，マスフローコントローラ１８８，１９１の流量変更や，流量調整弁５２ａ，５２ｂの開閉や，放電圧の変更などのタイミングを互いにずらすことにより，変動の少ない条件によって制御しても良い。
【００８５】
蒸気発生器４０において発生させる蒸気と，各チャンバー３０Ａ又は３０Ｂに供給する蒸気の比率は，本実施の形態において説明した５：２に限定されない。例えば，１つの蒸気発生器４０から３台以上の複数のチャンバーに蒸気を導入する場合は，チャンバーの台数に応じて蒸気発生器４０において発生させる蒸気の流量を増加させ，比率を適宜設定する。
【００８６】
本実施の形態においては，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆのうち，基板処理ユニット２３ａ，２３ｂに備えたチャンバー３０Ａ，３０Ｂに１つのオゾンガス主供給管６０を接続した場合を説明したが，３個以上のチャンバー，例えば，基板処理ユニット２３ａ〜２３ｆにそれぞれ備えたチャンバー３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆの６個に対して，１つのオゾンガス主供給管６０を接続しても良い。このように，最大で６個のチャンバーにオゾンガスを供給する場合も，各チャンバー３０Ａ〜３０Ｆに，それぞれの工程に応じて所望の流量及びオゾン濃度でオゾンガスを供給することができる。
【００８７】
さらに，６個のチャンバー３０Ａ〜３０Ｆに対して１つのオゾンガス主供給管６０を接続する場合は，図８に示すように，２個のオゾンガス発生器２４０，２４１を備え，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，オゾンガス発生器２４０，２４１のいずれかのみによって，又は両方を組み合わせてオゾンガスを発生させることとしても良い。この基板処理システムにおいて，酸素供給管１８０の下流端は，供給管１８０ａ，１８０ｂの２股に分岐しており，それぞれオゾンガス発生器２４０，２４１に接続している。一方，オゾンガス供給管５１の上流端も２股に分岐しており，それぞれオゾンガス発生器２４０，２４１に接続している。また，開閉弁２４２が供給管１８０ａに介設されている。オゾンガス発生器２４０，２４１は，それぞれ３つのチャンバーに同時に供給する流量のオゾンガスを発生させる能力がある。
【００８８】
オゾンガス供給管５１は，オゾンガス主供給管６０と，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６２ｅ，６２ｆから構成される。オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６２ｅ，６２ｆには，フローメーター６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄ，６６ｅ，６６ｆと，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆに供給するオゾンガスの流量をそれぞれ調整するオゾンガス流量調整部としての流量調整弁５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ，５２ｆが，それぞれオゾンガス発生器４２側からこの順に介設されている。なお，流量調整弁５２ａ〜５２ｆは，連通させたときに各フローメーター６６ａ〜６６ｆが検出する流量が同じになるように，流量調整量のバランスが予め設定される。オゾンガス分岐供給管６１ａ〜６２ｆは，各チャンバー３０Ａ〜３０Ｆに備えられる主供給管３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ，３８ｅ，３８ｆにそれぞれ接続されている。
【００８９】
ＣＰＵ２０１は，１つのオゾンガス発生器４２を制御する場合と同様に，オゾン濃度検出器１６５の検出に基づいてオゾンガス発生器２４０，２４１の放電圧を制御する。さらに，ＣＰＵ２０１は，ユニット側ＣＰＵ２００の送信情報より検知した，オゾンガス供給が行われるチャンバーの稼働台数に応じて，開閉弁２４２の開閉及びオゾンガス発生器２４１の放電開始・停止を制御する。オゾンガスを供給するチャンバーが３台以下の場合は，開閉弁２４２を閉じ，オゾンガス発生器２４１を停止させ，オゾンガス発生器２４０のみを稼働させてオゾンガスを発生させる。オゾンガスを供給するチャンバーが４台以上の場合は，開閉弁２４２を開き，オゾンガス発生器２４０，２４１の双方を稼働させてオゾンガスを発生させる。このようにして，オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，オゾンガス発生器の稼働台数を変化させることにより，一台のオゾンガス発生器がオゾンガスを供給できるチャンバーの台数以上にチャンバーの台数を増加させても，十分な流量のオゾンガスを発生させることができる。
【００９０】
図９に示すように，発生させたオゾンガスの一部をチャンバー３０Ａ，３０Ｂに供給せずに排出する排出路としてのブローオフライン２４５ａ，２４５ｂを備えてもよい。この場合，余分なオゾンガスを排出することにより，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂには，それぞれの工程に応じて所望の流量及びオゾン濃度でオゾンガスを供給することができる。ブローオフライン２４５ａは，切換開閉弁２４６ａを介してオゾンガス分岐供給管６１ａに介設されている。ブローオフライン２４５ｂは，切換開閉弁２４６ｂを介してオゾンガス分岐供給管６１ｂに介設されている。切換開閉弁２４６ａ及び２４６ｂは，ユニット側ＣＰＵ２００によって，ブローオフライン２４５ａ又は２４６ｂを連通させて各チャンバー３０Ａ，３０Ｂにそれぞれオゾンガスを供給する状態と，ブローオフライン２４５ａ又は２４６ｂとオゾンガス分岐供給管６１ａ又は６１ｂとを接続してオゾンガスを排出する状態とにそれぞれ切り換えを制御される。また，ブローオフライン２４５ａ，２４５ｂには，流量調整弁２４８ａ，２４８ｂと，フローメーター２５０ａ，２５０ｂがそれぞれこの順に介設され，下流側は合流してオゾンキラー９２に接続されている。なお，ブローオフライン２４５ａ，２４５ｂの材質はフッ素樹脂である。
【００９１】
流量調整弁５２ａ，５２ｂは，流量調整弁５２ａ，５２ｂを双方とも開いた状態のときに，オゾンガス発生器４２において発生した蒸気が，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で供給されるように，流量調整量のバランスが調節される。また，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに対して供給するオゾンガスは，ＣＰＵ２０１によるオゾンガス発生器４２の制御によってオゾン濃度が制御されている。この第２の実施の形態において，制御部は，切換開閉弁２４６ａ，２４６ｂを切換制御するユニット側ＣＰＵ２００と，オゾンガス発生器４２を制御するＣＰＵ２０１によって構成されている。
【００９２】
この第２の実施の形態においては，前述の実施の形態と異なり，ＣＰＵ２０１によるマスフローコントローラ１８８，１９１の制御を行う必要はない。即ち，オゾンガス発生器４２に供給する含酸素気体の全流量は一定であるため，オゾンガス発生器４２が発生させるオゾンガスの全流量は一定であり，例えば約８リットル／ｍｉｎ程度である。また，オゾンガスを同時に供給するチャンバーの数を変更しても，ユニット側ＣＰＵ２００による流量調整弁５２ａ，５２ｂの開閉を行う必要は無く，各チャンバー３０Ａ，３０Ｂに等しい流量で蒸気が供給されるバランスに予め設定された所定の流量調整量にして開いておく。この場合，フローメーター６６ａ，６６ｂ，２５０ａ，２５０ｂが検出する流量が同じになるように，即ち，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂ，ブローオフライン２４５ａ，２４５ｂに，互いに同じ流量のオゾンガスが分岐して流入するように，流量調整弁５２ａ，５２ｂ，２４８ａ，２４８ｂの流量調整量のバランスが予め設定される。
【００９３】
この基板処理システム１にあっては，ユニット側ＣＰＵ２００の送信により検知したチャンバー３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの処理工程に応じて，切換開閉弁２４６ａ，２４６ｂの切換制御を行うことにより，オゾンガスのチャンバー３０Ａ又は３０Ｂへの供給と排出を切り換える。チャンバー３０Ａ，３０Ｂの双方で，オゾンガスを使用する工程を行う場合は，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに同時にオゾンガスを供給するので，切換開閉弁２４６ａ，２４５ｂをオゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂ側にそれぞれ切り換える。すると，オゾンガス分岐供給管６１ａ，６１ｂに流入したオゾンガスは，流量調整弁５２ａ，５２ｂの流量調整量のバランスが予め設定されていることにより，チャンバー３０Ａ，３０Ｂに同じ流量で供給される。一方，チャンバー３０Ｂではオゾンガスを使用しない工程，例えばウェハ搬入工程を行い，チャンバー３０Ａではオゾンガスを使用する工程，例えばオゾンガス充填工程を行う場合は，チャンバー３０Ａのみにオゾンガスを供給するので，切換開閉弁２４６ａをオゾンガス分岐供給管６１ａ側に切り換え，切換開閉弁２４６ｂをブローオフライン２４５ｂ側に切り換える。すると，オゾンガス分岐供給管６１ａに流入したオゾンガスはチャンバー３０Ａに供給され，オゾンガス分岐供給管６１ｂに流入したオゾンガスは，チャンバー３０Ｂに供給されずに，余分に発生したオゾンガスとして，ブローオフライン２４５ｂによって排出される。ここで，流量調整弁５２ａ，２４８ｂを双方とも開き，流量調整弁５２ｂ，２４８ａを双方とも閉じた状態のときに，オゾンガス分岐供給管６１ａ，ブローオフライン２４５ｂに，互いに同じ流量のオゾンガスが分岐して流入するように，流量調整弁５２ａ，２４８ｂの流量調整量のバランスが予め設定されているので，オゾンガス分岐供給管６１ａには所望の流量のオゾンガスが流入する。このように，発生させたオゾンガスのうち，オゾンガスを使用しない工程を行うチャンバー３０Ｂに供給する分のオゾンガスを，チャンバー３０Ｂに供給せずに排出することにより，オゾンガスを使用する処理を行うチャンバー３０Ａに供給するオゾンガスの流量を制御することができる。これにより，チャンバー３０Ａには，チャンバー３０Ｂにオゾンガスが供給されるか否かに関わらず，即ちチャンバー３０Ｂの処理状況に関わらず，所望の流量のオゾンガスが供給される。チャンバー３０Ｂにオゾンガスを供給する場合においても同様である。また，本発明の実施の形態において説明した場合と同様に，ＣＰＵ２０１，オゾンガス発生器４２，オゾン濃度検出器１６５から構成されるフィードバック系により，オゾン濃度が所定値にフィードバック制御される。こうして，チャンバー３０Ａ，３０Ｂには，互いの処理状況に関わらず，常に所望の値の流量，例えば４リットル／ｍｉｎで，所望の値のオゾン濃度を有するオゾンガスが供給される。
【００９４】
勿論，本発明の実施の形態において説明した酸素及び窒素の流量調整によるオゾンガスの流量調整と，ブローオフライン２４５ａ，２４５ｂによるオゾンガスの流量調整とを，双方実施可能な構成としても良い。
【００９５】
【発明の効果】
本発明の基板処理システム及び基板処理方法によれば，各チャンバー内で行うそれぞれの工程に応じた流量と安定したオゾン濃度を有するオゾンガスを発生させることができる。各チャンバーにおけるレジスト水溶化処理の均一性が向上する。従って，レジスト剥離及びエッチング処理の均一性，信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる基板処理システムの概略平面図である。
【図２】基板処理システムの概略側面図である。
【図３】基板処理装置の配管系統を示す概略断面図である。
【図４】チャンバーの縦断面図である。
【図５】オゾンガス発生器周辺の配管系統を示す概略断面図である。
【図６】ミストトラップ周辺の配管系統を示す概略断面図である。
【図７】ミストトラップの縦断面図である。
【図８】別の実施の形態にかかるオゾンガス発生器周辺の配管系統を示す概略断面図である。
【図９】別の実施の形態にかかるオゾンガス発生器周辺の配管系統を示す概略断面図である。
【符号の説明】
Ｃ キャリア
Ｗ ウェハ
１８ 主ウェハ搬送装置
２３ａ〜２３ｆ 基板処理ユニット
３０Ａ，３０Ｂ チャンバー
３８ 主供給管
４０ 蒸気発生器
４１ａ，４１ｂ 供給切換手段
４２ オゾンガス発生器
４３ 窒素供給源
５１ オゾンガス供給管
５２ａ，５２ｂ 流量調整弁
６０ オゾンガス主供給管
６１ａ，６１ｂ オゾンガス分岐供給管
６５ オゾン濃度検出器
６６ａ，６６ｂ フローメーター
７１ ミストトラップ
１８１ 酸素供給源
１８３ 窒素供給源
１８８，１９１ マスフローコントローラ
２００ ユニット側ＣＰＵ
２０１ ＣＰＵ
２４５ａ，２４５ｂ ブローオフライン
Claims (11)
- 含酸素気体中で放電することにより，オゾンガスを発生させるオゾンガス発生器と，基板をそれぞれ収納する複数のチャンバーを備え，前記各チャンバー内にオゾンガスを供給して，前記各チャンバー内の基板をそれぞれ処理する基板処理システムであって，
前記オゾンガス発生器に供給する含酸素気体の流量を調整する気体流量調整部と，前記気体流量調整部を制御する制御部を備え，
オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて前記制御部によって前記含酸素気体の流量を制御することにより，前記複数のチャンバーに供給するオゾンガスの全流量を制御する構成としたことを特徴とする，基板処理システム。 - 前記気体流量調整部は，前記オゾンガス発生器に供給する酸素の流量を調整する酸素流量調整部と，前記オゾンガス発生器に供給する窒素の流量を調整する窒素流量調整部から構成され，前記含酸素気体は，前記酸素及び窒素を混合したものであることを特徴とする，請求項１に記載の基板処理システム。
- 前記制御部によって前記オゾンガス発生器も制御する構成とし，
前記制御部によって前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することにより，前記オゾンガス発生器が発生させるオゾンガス中のオゾン濃度を制御する構成としたことを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板処理システム。 - 前記オゾンガス発生器によって発生させたオゾンガスの濃度を検出するオゾン濃度検出部を備え，
前記制御部は，前記オゾン濃度検出部の検出に応じて前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することを特徴とする，請求項３に記載の基板処理システム。 - 前記オゾンガス発生器を２以上備え，
オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，前記オゾンガス発生器の稼働台数を制御することを特徴とする，請求項３又は４に記載の基板処理システム。 - 前記各チャンバーに供給するオゾンガスの流量のバランスを調整する複数のオゾンガス流量調整部を備えることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理システム。
- 前記各チャンバーに供給されるオゾンガスの流量をそれぞれ検出する複数のオゾンガス流量検出部を備えることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理システム。
- 前記各チャンバーに，流量調整部を設けた排気管をそれぞれ備えることを特徴とする，請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理システム。
- オゾンガス発生器によって含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させ，前記オゾンガスを複数のチャンバー内に供給し，前記各チャンバー内に収納した基板をそれぞれ処理する基板処理方法であって，
オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて前記オゾンガス発生器に供給する含酸素気体の流量を制御することにより，前記複数のチャンバーに供給するオゾンガスの全流量を制御することを特徴とする，基板処理方法。 - 前記オゾンガス発生器によって発生させたオゾンガスの濃度を検出し，前記検出されたオゾンガスの濃度に応じて前記オゾンガス発生器の放電圧を制御することを特徴とする，請求項９に記載の基板処理方法。
- オゾンガスを供給するチャンバーの数に応じて，オゾンガス発生器の稼働台数を変化させることを特徴とする，請求項９又は１０に記載の基板処理方法。
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