JP3977955B2 - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3977955B2 JP3977955B2 JP03036299A JP3036299A JP3977955B2 JP 3977955 B2 JP3977955 B2 JP 3977955B2 JP 03036299 A JP03036299 A JP 03036299A JP 3036299 A JP3036299 A JP 3036299A JP 3977955 B2 JP3977955 B2 JP 3977955B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- gas
- heater substrate
- current
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 32
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 175
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 66
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 59
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 57
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 16
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 101100068379 Caenorhabditis elegans gip-2 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被測定ガス中の特定成分(NO,NO2 等の窒素酸化物(NOx )、O2 、HC、CO、CO2 、H2 等)の濃度を検出するガスセンサに関し、詳しくは、その特定成分濃度を検出する検知素子本体を活性化するためにヒータを備えたガスセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、ジルコニアプレート等の固体電解質層等を介して一対の多孔質電極を配設し、両電極間に電流を通電することによって酸素イオンを陰極から陽極へ移動させる酸素イオンポンプセルが考えられている。この酸素イオンポンプセルの陰極として、NOx を分解する触媒として作用するものを使用すれば、その陰極が配置された雰囲気中のNOx 濃度を、上記陽極−陰極間の通電状態(例えば、両極間に流れる電流)に基づいて検出することができる。また、このような原理でNOx を検出するNOx センサでは、次のようにして測定精度を向上させることが考えられている。例えば、被測定ガス中の酸素濃度を他の酸素イオンポンプセルによって検出し、更に他の酸素イオンポンプセルによってその酸素濃度を所定値に調整してから上記雰囲気に被測定ガスを流入させたり、ヒータによって酸素イオンポンプセルを活性化したりすることが考えられている。なお、検知素子本体にヒータを添付する場合は、白金電極等からなるヒータパターンを内蔵したヒータ基板をアルミナを主成分とするセラミックスによって構成し、そのヒータ基板を検知素子本体に隣接配置している。
【0003】
また、酸素イオンポンプセルを利用した他のガスセンサ(例えばO2 センサ)や、酸素イオンポンプセル以外の機構による検知素子本体を備えた他のガスセンサにおいても、検知素子本体にヒータ基板を隣接配置し、その検知素子本体を活性化することが考えられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、一般的に知られるNOx センサのゲインは、通常200ppm/μA程度と比較的小さい。これに対して、ヒータ基板からの漏れ電流は0.15μA(約30ppm相当)にも達することがあり、NOx 濃度の検出精度に大きな影響を及ぼす可能性がある。
【0005】
ヒータ基板の焼結は、一般的にアルミナにジルコニア等の焼結助剤を添加して行われるが、この焼結助剤がヒータ基板のセラミックスの絶縁性を低下させているものと考えられる。そこで、この焼結助剤を添加しなければヒータ基板からの漏れ電流をもっと小さく抑制できる可能性があるが、焼結助剤を添加しない場合は焼結温度を高くする必要があり、次のような課題が生じる。すなわち、ヒータパターンとしては一般的に白金電極が使用されるが、例えば焼結温度が1600℃以上の高温であった場合、パターンを構成する白金粒子が成長し過ぎて粒子間に隙間が空き、ヒータパターンの導通不良等が発生する可能性がある。そこで、従来は、高純度アルミナに2wt%程度の焼結助剤を添加することにより、1580℃以下程度の範囲でヒータ基板の焼結が行えるようにしていた。
【0006】
このように、従来では、ヒータパターンの導通不良の発生を抑制しつつヒータ基板からの漏れ電流を抑制することは極めて困難であった。そこで、本発明は、ヒータパターンの導通不良の発生を抑制しつつヒータ基板からの漏れ電流を抑制し、延いてはガスセンサの検出精度を向上させることを目的としてなされた。
【0007】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記目的を達するためになされた請求項1記載の発明は、被測定ガス中の特定成分濃度を検出する検知素子本体と、通電に応じて発熱して上記検知素子本体を活性化するヒータパターンを内蔵して焼結されたセラミックス製のヒータ基板と、を備えたガスセンサであって、上記ヒータ基板のセラミックスが、重量比で99%以上のアルミナを含有し、セラミックス材料としての上記アルミナが、平均粒径0.2〜0.5μmで、その80%以上がαアルミナの単結晶であり、焼結助剤の含有量が重量比で1%未満であることを特徴としている。
【0008】
本願出願人は、1580℃以下程度の温度範囲で焼結可能なセラミックス材料を種々検討し、実験を繰り返した結果、重量比で99%以上のアルミナを含有した材料が、敢えて焼結助剤を添加しなくても焼結可能なことを発見した。そこで、本発明では、ヒータ基板を構成するセラミックスとして、重量比で99%以上のアルミナを含有したものを使用している。このため、本発明のヒータ基板は、焼結助剤を添加しなくても1580℃以下程度の温度範囲で焼結することができる。従って、焼結助剤の必要な従来のヒータ基板に比べてセラミックスの絶縁性を向上させ、ヒータ基板からの漏れ電流を良好に抑制することができる。よって、ガスセンサの検出精度を向上させることができる。また、ヒータ基板を構成するセラミックスは1580℃以下程度の温度範囲で焼結可能であるので、ヒータパターンの導通不良の発生も良好に抑制することができる。
【0009】
また、本発明では、セラミックス材料としてのアルミナの単結晶率が80%以上である。このようなセラミックス材料は、焼結助剤を敢えて添加しなくても1580℃以下程度の温度範囲で極めて良好に焼結することができる。このため、ヒータ基板自身の強度に関わる信頼性とヒータパターンの導通に関わる信頼性とを、同時にかつ良好に確保することができる。また、焼結助剤の含有量が重量比で1%未満であるので、前述のように漏れ電流を良好に抑制することができる。従って、本発明では、上記効果に加えて、ヒータ基板自身の強度に関わる信頼性とヒータパターンの導通に関わる信頼性とを、一層良好に確保することができるといった効果が生じる。
【0010】
なお、焼結助剤の含有量を1wt%未満としたのは、この程度の焼結助剤は不純物として自然に、または、他のアルミナ材料との混合によって混じる可能性があるためで、焼結助剤は全く含まれなくてもよい。この場合も、前述の温度範囲で極めて良好に焼結することができ、同様の効果が生じる。
【0011】
更に、本発明では、セラミックス材料としてのアルミナが、平均粒径0.2〜0.5μmで、その80%以上がαアルミナの単結晶である。このようなセラミックス材料は、上記説明したセラミックス材料の中でも、焼結助剤を敢えて添加しなくても1440〜1580℃程度の温度範囲で特に良好に焼結することができる。このため、ヒータ基板自身の強度に関わる信頼性とヒータパターンの導通に関わる信頼性とを、同時にかつ一層良好に確保することができる。従って、本発明では、上記効果に加えて、ヒータ基板自身の強度に関わる信頼性とヒータパターンの導通に関わる信頼性とを、一層良好に確保することができるといった効果が生じる。
【0012】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の構成に加え、上記ヒータ基板の電気伝導率(940℃)が、0.1×10-4S/m以下であることを特徴としている。
本発明では、ヒータ基板の電気伝導率(940℃)を0.1×10-4S/m以下としている。このため、ヒータパターンからセラミックス材料を介して漏れ出す漏れ電流を良好に抑制することができる。従って、本発明では、請求項1記載の発明の効果に加えて、ヒータ基板からの漏れ電流を一層良好に抑制し、検出精度を向上させることができるといった効果が生じる。
【0013】
請求項3記載の発明は、請求項1記載の構成に加え、上記ヒータ基板が、1580℃以下の温度で焼結されたことを特徴としている。
本発明では、ヒータ基板が1580℃以下の温度で焼結されているので、ヒータパターンに導通不良が発生する可能性が極めて低い。従って、本発明では、請求項1記載の発明の効果に加えて、ヒータパターンの導通に関して一層高い信頼性を確保することができるといった効果が生じる。
【0014】
なお、本発明では、好ましくはヒータ基板を1300〜1580℃の範囲で焼結するとよい。自動車用内燃機関等でこの種のガスセンサを使用する場合は、通常1200℃程度までの温度範囲で使用される。そこで、余裕をみて1300℃以上の温度でヒータ基板を焼結しておけば、使用中にもその強度を良好に確保することができる。従って、この場合、ヒータ基板自身の強度に関わる信頼性を一層良好に向上させることができる。
【0015】
請求項4記載の発明は、請求項1記載の構成に加え、検出する上記特定成分が、NOx であることを特徴としている。
すなわち、本発明では、請求項1記載の発明を、被測定ガス中のNOx 濃度を検出するNOx センサに適用している。前述のように、NOx センサでは、ゲインが小さいためにヒータパターンからの漏れ電流を抑制する要請が極めて強い。従って、本発明では、請求項1記載の発明の漏れ電流抑制に関わる効果が一層顕著に発揮される。
【0016】
請求項5記載の発明は、請求項1記載の構成に加え、検出する上記特定成分が、O2 であることを特徴としている。
すなわち、本発明では、請求項1記載の発明を、被測定ガス中のO2 濃度を検出するO2 センサに適用している。O2 センサは極めて多種の用途に使用され、その需要も大きい。従って、本発明では、請求項1記載の発明のあらゆる効果が一層顕著に発揮される。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面と共に説明する。図1は、本発明が適用されたガスセンサ1の長手方向の縦断面を模式的に示す説明図である。なお、本実施の形態のガスセンサ1は、例えば自動車の排ガス中に含まれる窒素酸化物濃度の測定のために用いられるNOxセンサである。また、この排ガス中に含まれる窒素酸化物(NOx )は、その殆どが一酸化窒素(NO)であるので、ここでは、NO濃度の測定について説明する。
【0018】
図1に示すように、ガスセンサ1は、被測定ガスとしての自動車の排ガスが、第1拡散通路3,第1室5,及び第2拡散通路7を順次経由して第2室9へ至るように、ジルコニアシート11,13,15とアルミナ絶縁層17,19とを積層して構成されている。また、これらの積層によって構成される検知素子本体20の隣接位置には、その検知素子本体20を加熱して活性化させるためのヒータ基板30が配設されている。
【0019】
ヒータ基板30に最も近接して配置されたジルコニアシート11の両面には、そのジルコニアシート11に第1酸素イオンポンプセル(以下、酸素イオンポンプセルを単にポンプセルという)21を構成すべく多孔質電極21a,21bが設けられている。第1拡散通路3,第1室5,及びアルミナ絶縁層17を挟んでジルコニアシート11に積層されたジルコニアシート13には第2拡散通路7が形成され、その第2拡散通路7近傍のジルコニアシート13の両面には、酸素濃度測定セル23を構成すべく多孔質電極23a,23bが設けられている。更に、アルミナ絶縁層19及び第2室9を挟んでジルコニアシート13に積層されたジルコニアシート15には、第2室9との対向面及びアルミナ絶縁層19との対向面に、第2ポンプセル25を構成すべく多孔質電極25a及び25bが設けられている。なお、第1拡散通路3及び第2拡散通路7は、拡散抵抗を有する拡散抵抗部を意味する。また、ヒータ基板30は、白金製のヒータパターン31を内蔵すると共に後述のアルミナを用いて焼結されたセラミックス製基板である。
【0020】
ここで、酸素濃度測定セル23の一対の多孔質電極23a,23b間には一定の微小電流が流され、多孔質電極23b側に酸素が汲み出される構成とすることにより、多孔質電極23bの周囲に酸素基準室が形成され、これを自己生成基準極として用いている。このような自己生成基準極とする利点は、基準となる酸素濃度が大気中の酸素濃度の変化に影響され難いことである。
【0021】
第2拡散通路7は第1拡散通路3と離間して設けられている。このようにすることにより、第2室9へ流入しつつある被測定ガスの酸素濃度を正確に制御することができるため、第2ポンプ電流(第2ポンプセル25に流れる電流)のオフセット成分の酸素濃度依存性及びNOの解離率の酸素濃度依存性を小さくすることができる。また、第1ポンプセル21の第1室5側の多孔質電極21bは、第1室5の長手方向の長さに対して短く、かつ、第2拡散通路7に対向する部分を避けて形成されている。このようにすることにより、第1ポンプセル21の作動の影響を極力減らして、第2室9へ流入しつつある被測定ガスの酸素濃度を一層正確に制御することができる。
【0022】
上記の各多孔質電極21a〜25bは、白金、パラジウム、ロジウム、金、銀、銅等の金属を主成分とし、ジルコニアシート11〜15と同じ成分を含む材料から構成されている。また、各多孔質電極21a〜25bは各ジルコニアシート11〜15を図1の右方向に延伸して配線形成され、他端部において測定用回路に接続するための端子(図示省略)が設けられて電気的に接続されている。
【0023】
次に、このガスセンサ1の基本的な動作について、図1を参照して説明する。ガスセンサ1では、酸素濃度測定セル23で第1室5から第2室9に流入しつつある被測定ガス中の酸素濃度を監視する。そして、酸素濃度測定セル23の出力電圧Vsmが目標電圧(例えばVs=450mV)に近づくように、第1ポンプセル21にポンプ電圧V1を印加して、第1室5内の酸素を汲み出しまたは汲み入れつつ、第1室5の一酸化窒素(NO)及び酸素(O2 )を下記式(2),(3)に示すように解離する。
【0024】
2NO → N2+ O2 …(2)
O2+4e- → 2O2- …(3)
つまり、第1室5にてNOが一部解離する程度、すなわち、第1室5内の被測定ガス中のNOの解離率αが0.5%以上(例えば2〜20%の範囲内)となるように、第1ポンプセル21の作動をコントロールして第2室9へのガス流入口近傍の酸素濃度を制御し、NOとO2 を解離するのである。そして、このときの第1ポンプセル21に流れる電流(第1ポンプ電流)Ip1を測定する。
【0025】
次に、このようにして所定の解離率αでNOを解離した後の被測定ガスを、第2拡散通路7から第2室9に送り、第2ポンプセル25によって被測定ガス中の残余のO2 及びNOを解離し、解離により生じた酸素イオンを第2ポンプセル25により汲み出す。このときの第2ポンプセル25に流れる電流(第2ポンプ電流)Ip2を測定する。
【0026】
このとき汲み出される酸素イオンは、第1室5から第2室9に導入された被測定ガス中のO2 及びNOが解離されて生成した酸素イオンであるので、第1室5から第2室9に導入されたO2 量は第2ポンプ電流Ip2のオフセット成分(NO量がゼロであるときの第2ポンプ電流Ip2)として現れ、残りが第1室5で解離されずに第2室9に導入されたNO量に対応した電流となる。
【0027】
そして、このようにして測定した第1ポンプ電流Ip1及び第2ポンプ電流Ip2の両電流を用いて、後に詳述する手法にて、NO濃度を検出するのである。
次に、被測定ガス中のNO濃度を検出するために用いる下記式(1)について説明する。
【0028】
NO濃度=(Ip2−Ip2offset)×A/(1−α/100)…(1)
但し、α :第1室5のNOの解離率(%)
A :NO濃度に対応する電流信号をNO濃度に換算する係数
Ip2:第2ポンプセル25の電流
Ip2offset :第2ポンプセル25の電流中のオフセット成分
NO濃度 :被測定ガス中のNO濃度
本実施の形態では、酸素濃度測定セル23の出力電圧Vsmが目標電圧Vs(例えば450mV)となるように、第1ポンプセル21を制御し、そのときの第1ポンプ電流Ip1を測定する。すなわち、第1室5にて所定の解離率αでNOが解離する酸素濃度となるように第1ポンプセル21の多孔質電極21a,21b間に電圧を加える。このときの第1ポンプ電流Ip1は第1室5におけるNOの解離率αに対応した値となる。
【0029】
また、第1室5で解離されずに第2室9に流入した残りのNO及びO2 が、第2ポンプセル25の多孔質電極25a上で解離されるので、第2ポンプ電流Ip2が第2室9におけるNO及びO2 の解離によって生じた酸素イオン量に対応した値となる。つまり、第2ポンプ電流Ip2には、NO濃度に対応した電流だけでなく、酸素濃度に対応したオフセット電流も含まれている。従って、第2室9におけるNO濃度のみに対応した電流は、第2ポンプ電流Ip2とオフセット電流Ip2ofsettとの差(Ip2−Ip2offset)で表される。
【0030】
ここで、被測定ガス中のNO濃度を1とすれば第2室9に流入するNO濃度は、(1−α/100)であるので、上記第2ポンプセル25における電流の差(Ip2−Ip2offset)を、第2室9に流入したNO濃度で割ったもの{(Ip2−Ip2offset)/(1−α/100)}が、全NO濃度に対応した電流値になる。
【0031】
従って、この電流値に、所定の変換係数(電流値をNO濃度に変換する係数)Aをかけることにより全NO濃度を求めることができるのである。つまり、上述した式(1)を用いることにより、NO濃度を求めることができる。
次に、上述したガスセンサ1を用い、上記式(1)を利用して、被測定ガス中のNO濃度を測定する方法の手順を、順を追って説明する。
【0032】
(1)予め、実験により、例えば図2に示すマップM1のように、酸素濃度測定セル23の設定電圧(目標電圧)Vsをパラメータとして、第1ポンプ電流Ip1と被測定ガス中の酸素濃度(O2 濃度)との関係を求めておく。
具体的には、NOの影響を排除するために、被測定ガス中にO2 のみを含有するガスを用いて、上記関係を求めておく。
【0033】
(2)同様に、予め、実験により、例えば図3に示すマップM2のように、酸素濃度測定セル23の設定電圧(目標電圧)Vsをパラメータとしてオフセット電流Ip2offsetと被測定ガス中の酸素濃度(O2 濃度)との関係を求めておく。具体的には、NOの影響を排除するために、被測定ガス中にO2 のみを含有するガスを用いて、上記関係を求めておく。つまり、ここでは、第2ポンプ電流Ip2を測定すれば、それがオフセット電流Ip2offsetとなる。
【0034】
(3)また、予め、実験により、例えば図4に示すマップM3のように、酸素濃度測定セル23の設定電圧(目標電圧)Vsをパラメータとして、ゲイン(GIp2 )と被測定ガス中の酸素濃度(O2 濃度)との関係を求めておく。
このゲインはNO濃度の検出のために用いられる乗数であり、実験的に求められる目標電圧Vs及び酸素濃度の関数である。すなわち、このゲインとは、NOの解離率が0%の場合における変換係数(電流をNO濃度に変換する係数)Aに、NOの解離率αを勘案して得られる値であり、一定の電流値の変化に対応するNO濃度の変化を示すものである。
【0035】
なお、このゲインとは、NOに対応した電流をNO濃度で割った値(例えばμA/ppmの単位の値)で示される感度の逆数である。
具体的には、上記関係を求めるには、次のようにして行う。
NO濃度と酸素濃度とが既知の被測定ガスを用いると、第2ポンプ電流Ip2と酸素濃度とNO濃度との間に、図6に示す様な関係が得られる。従って、この図6に基づいて、あるNO濃度(例えば200ppm)において、ある酸素濃度における電流差(Ip2−Ip2offset)が、真にNO濃度に対応した電流値となる。そこで、その電流差(例えば(Ip2−Ip2offset)μA)をそのときのNO濃度(例えば200ppm)で割ると感度が求まり、その逆数がゲインGIp2 となる。よって、このようにして得られたゲインを用い、上記図4に示すように、ゲインGIp2 と目標電圧Vsと酸素濃度からなるマップM3を作成しておくのである。
【0036】
(4)次に、上述したマップM1〜M3を用いて行われる実際のNO濃度の測定方法について説明する。
・先ず、NO濃度が未知の被測定ガスの雰囲気中に、ガスセンサ1を配置し、被測定ガスを、第1拡散通路3を介して第1室5に導入する。
【0037】
・第1室5に導入された被測定ガスは、前述したように、酸素濃度測定セル23における目標電圧Vsを実現する第1ポンプセル21の働きにより、所定のNOの解離率α(0.5%以上)となるように、NO及びO2 が解離され、その解離量に対応した第1ポンプ電流Ip1が流れる。先ず、このときの第1ポンプ電流Ip1が測定される。
【0038】
・また、第2室9には、第1室5から第2拡散通路7を介して被測定ガスが流入するが、この被測定ガス中には、第1室5にて解離されずに残ったO2 及びNOが含まれている。従って、前述のような第2ポンプセル25の働きにより、残りのNO及びO2 が解離され、それに対応した第2ポンプ電流Ip2が流れる。そして、このときの第2ポンプ電流Ip2が測定される。
【0039】
・次に、前述のようにして測定された第1ポンプ電流Ip1を用い、上記図2のマップM1から、目標電圧Vsに対応した被測定ガス中の酸素濃度を求める。
・次に、マップMIから得られた酸素濃度を用い、上記図3のマップM2から、目標電圧Vsに対応したオフセット電流Ip2offsetを求める。
【0040】
・同様に、マップMIから得られた酸素濃度を用い、上記図4のマップM3から、目標電圧Vsに対応したゲインA/(1−α/100)を求める。
・そして、以上のようにして得られた、第2ポンプ電流Ip2、オフセット電流Ip2offset、ゲインA/(1−α/100)を、上記式(1)に代入することにより、NO濃度を測定することができる。
【0041】
ところが、このようにして得られるガスセンサ1のゲインは、図4に示すように200ppm/μA程度と比較的小さい。これに対して、ヒータ基板30として従来から使用されている周知のヒータ基板を使用した場合、そこからの漏れ電流は0.15μA(約30ppm相当)にも達することがある。この漏れ電流は、従来のヒータ基板はジルコニア等の焼結助剤を添加して焼結されており、この焼結助剤がヒータ基板の絶縁性を低下させているために大きくなっているものと考えられる。このような大きい漏れ電流が発生すると、NO濃度の検出精度に大きな影響を及ぼす可能性がある。
【0042】
そこで、本実施の形態のガスセンサ1では、ヒータ基板30を構成するセラミックス材料として、「スミコランダム」(商品名:住友化学工業製)の品番AA−04を使用した。このセラミックス材料は、高純度のアルミナ(ほぼ100%)によって構成され、その殆どがαアルミナの単結晶の微細粒子であり(単結晶率は少なくとも80%以上)、平均粒径が0.2〜0.5μmで分散性も良好なため、焼結助剤を添加しなくても1580℃以下程度の温度範囲で極めて良好に焼結することができる。従って、焼結助剤の必要な従来のヒータ基板に比べてセラミックスの絶縁性を向上させ、ヒータ基板30からの漏れ電流を良好に抑制することができる。よって、ガスセンサ1の検出精度を向上させることができる。また、ヒータ基板30を構成するセラミックスは1580℃以下程度の温度範囲で焼結可能であるので、ヒータパターン31として白金電極を使用しても導通不良等が発生しない。
【0043】
このように、本実施の形態では、ヒータ基板30を構成するセラミックスとして「スミコランダム」を使用して、焼結助剤を添加することなく1440〜1580℃の範囲の温度で焼結を行っている。このため、ヒータパターン31に導通不良が発生している可能性が極めて低く、その導通に関して極めて高い信頼性を確保することができると共に、その焼結も極めて良好に行ってヒータ基板30自身の強度に関わる信頼性も確保することができる。
【0044】
なお、ヒータ基板を構成するアルミナの単結晶率と、そのセラミックスの1580℃以下における焼結性との関係を表すデータとして、図7に示すデータが挙げられる。図7に示すように、単結晶率が80%未満であると焼結温度が1580℃以上と高く、ヒータパターン31として白金電極を使用すると導通不良が発生する可能性がある。また、単結晶率が80%以上であると焼結温度が1440℃以下と低く、ヒータパターン31の導通に関して極めて高い信頼性を確保できる。なお、図7に示す焼結性は、いずれも焼結助剤を添加しない場合である。
【0045】
【実施例】
次に、本実施の形態の効果を検証するため、実施例としてのガスセンサ1を比較例と共に実際に製造し、特性の比較を行った。先ず、実施例及び比較例におけるヒータ基板30の製造方法を説明する。
【0046】
[実施例]
スミコランダム(AA−04)1kg、イオネット(S−20)7.5g、トルエン270g、MEK(メチルエチルケトン)410g、ナイロン玉石2kg、をそれぞれ秤量し、ポリポット中に入れた。ポリポットを回転機にて90rpmの回転数で20時間回転した後、バインダーとして、BM−SZ(商品名:積水化学工業製:物質名ポリビニルブチラール)140g及びDBP(ジブチルフタレート)70gをトルエン210g及びMEK320gで15時間以上溶解させたものを入れ、更に25時間回転させた。その後、脱泡し、シート状にキャスティングしたものを、ヒータ用アルミナ材料とした。
【0047】
[比較例]
アルミナ(AKP−22)9.8kg、共沈ジルコニア(5.4YH)0.2kg、イオネット(S−20)2700g、MEK4100g、アルミナ玉石30kg、をそれぞれ秤量し、トロンメル(アルミナ製)に入れた。トロンメルを80rpmにて20時間回転させた後、バインダーとして、BH−SZ1800g及びDBP600gをトルエン2100g及びMEK3200gで15時間以上溶解させたものを入れ、更に20時間回転させた。その後、脱泡し、シート状にキャスティングしたものをヒータ用アルミナ材料とした。
【0048】
この結果、図8に示す絶縁抵抗と温度との関係からも明らかなように、本実施例では、比較例に比べて絶縁性が約50倍に向上した。また、ヒータ基板30の表面からの漏れ電流も、表1に示すように比較例の約1/100となり、ガスセンサ1の検出精度を極めて良好に向上させることができた。但し、表1における電気伝導率は、940℃において測定したものである。
【0049】
【表1】
【0050】
なお、本発明は上記実施の形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。例えば、酸素基準室として自己生成基準極を用いる代わりに大気を導入してもよく、第2ポンプセルの1対の多孔質電極をそのジルコニアシートの両面に形成してもよい。また、前述の検知素子本体20を用いてNOx 濃度の測定を行う場合には、検知素子本体20の片側または両側にヒータ基板30を配置して検出部の温度を550〜900℃の範囲の所定の温度にコントロールすることが望ましい。
【0051】
つまり、図5に示すように、第1室におけるNOの解離率は、素子温度により変化するので、変化があまり大きくない温度領域、例えば700℃〜850℃の範囲、好ましくは770℃〜820℃の範囲を使用することが好ましい。また、ヒータ基板30を構成するセラミックスとしては、「スミコランダム」に限らず、アルミナの純度及び単結晶率,平均粒径において同様の特性を有するものが使用できることはいうまでもない。この場合も、上記実施例と同様の作用・効果が生じる。
【0052】
更に、上記実施の形態では本発明をNOx センサに適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明は、被測定ガス中のNOx 以外の種々の特定成分(例えば、O2 、HC、CO、CO2 、H2 等)の濃度を検出するガスセンサにも同様に適用できる。但し、前述のように、NOx センサでは、ゲインが小さいためにヒータパターンからの漏れ電流を抑制する要請が極めて強い。従って、本発明をNOx センサに適用した場合、本発明の漏れ電流抑制に関わる効果が一層顕著に発揮される。一方、O2 センサは極めて多種の用途に使用され、その需要も大きい。従って、本発明をO2 センサに適用すれば、本発明のあらゆる効果が一層顕著に発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明が適用されたガスセンサの縦断面を示す説明図である。
【図2】 酸素濃度測定セルの目標電圧と第1ポンプ電流と酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図3】 酸素濃度測定セルの目標電圧とオフセット電流と酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図4】 酸素濃度測定セルの目標電圧とゲインと酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図5】 素子温度と第1室におけるNO解離率との関係を示すグラフである。
【図6】 NO濃度と第2ポンプ電流と酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図7】 アルミナの単結晶率と焼結温度との関係を示すグラフである。
【図8】 実施例及び比較例の絶縁抵抗と温度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1…ガスセンサ 3…第1拡散通路 5…第1室
7…第2拡散通路 9…第2室 11,13,15…ジルコニアシート
20…検知素子本体 21…第1酸素イオンポンプセル
21a,21b,23a,23b,25a,25b…多孔質電極
23…酸素濃度測定セル 25…第2酸素イオンポンプセル
30…ヒータ基板 31…ヒータパターン
Claims (5)
- 被測定ガス中の特定成分濃度を検出する検知素子本体と、
通電に応じて発熱して上記検知素子本体を活性化するヒータパターンを内蔵して焼結されたセラミックス製のヒータ基板と、
を備えたガスセンサであって、
上記ヒータ基板のセラミックスが、重量比で99%以上のアルミナを含有し、
セラミックス材料としての上記アルミナが、平均粒径0.2〜0.5μmで、その80%以上がαアルミナの単結晶であり、焼結助剤の含有量が重量比で1%未満であることを特徴とするガスセンサ。 - 上記ヒータ基板の電気伝導率(940℃)が、0.1×10 -4 S/m以下であることを特徴とする請求項1記載のガスセンサ。
- 上記ヒータ基板が、1580℃以下の温度で焼結されたことを特徴とする請求項1記載のガスセンサ。
- 検出する上記特定成分が、NO x であることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。
- 検出する上記特定成分が、O 2 であることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03036299A JP3977955B2 (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03036299A JP3977955B2 (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | ガスセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000230919A JP2000230919A (ja) | 2000-08-22 |
JP3977955B2 true JP3977955B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=12301764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03036299A Expired - Fee Related JP3977955B2 (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | ガスセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3977955B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3916945B2 (ja) | 2001-12-12 | 2007-05-23 | 株式会社デンソー | ガスセンサ素子 |
JP4050593B2 (ja) | 2002-11-01 | 2008-02-20 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ素子及びこれを用いたガスセンサ |
JP4865572B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2012-02-01 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ素子、ガスセンサ及びNOxセンサ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04249089A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Noritake Co Ltd | セラミックスヒーター |
JP3583890B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2004-11-04 | 日本碍子株式会社 | ガスセンサ及びガスセンサの制御方法 |
JP3835022B2 (ja) * | 1998-11-04 | 2006-10-18 | 株式会社デンソー | ガスセンサ素子 |
JP3096281B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2000-10-10 | 株式会社リケン | 積層型セラミックガスセンサ |
JP4034900B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2008-01-16 | 日本特殊陶業株式会社 | ヒータ付き酸素センサ及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-02-08 JP JP03036299A patent/JP3977955B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000230919A (ja) | 2000-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1167957B1 (en) | NOx sensor | |
US6303011B1 (en) | Gas sensor | |
US6638416B2 (en) | Hydrogen sensing process | |
JPH11201942A (ja) | 窒素酸化物センサ | |
WO1998012550A1 (fr) | Capteur de gaz | |
CN1221490A (zh) | 测定混合气体中可氧化组份浓度的传感器 | |
JP3587290B2 (ja) | NOxガスセンサ | |
JP3372186B2 (ja) | ガスセンサの補正方法及びガス濃度測定システム | |
WO2004003536A1 (ja) | 抵抗型酸素センサとそれを使った酸素センサ装置及び空燃比制御システム | |
EP1358925B1 (en) | NOx-decomposing electrode and NOx concentration-measuring apparatus | |
US20210247354A1 (en) | Ammonia detector | |
JP3977955B2 (ja) | ガスセンサ | |
US6949175B2 (en) | Gas sensing element | |
JP2002243692A (ja) | 窒素酸化物ガスセンサ | |
JP4153238B2 (ja) | 電気化学的酸素ポンプセルおよびそれを用いた窒素酸化物検知装置 | |
JPH1172476A (ja) | 窒素酸化物ガスセンサ | |
JP2002195978A (ja) | ガス検知素子およびそれを用いたガス検出装置 | |
JP3583301B2 (ja) | ガスセンサ | |
US6797138B1 (en) | Gas senior design and method for forming the same | |
JP4516168B2 (ja) | ガス濃度測定方法 | |
JP3635191B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP3943262B2 (ja) | NOxガス濃度測定装置及びNOxガス濃度測定方法 | |
JP2002005883A (ja) | 窒素酸化物ガスセンサ | |
JP2935963B2 (ja) | NOx濃度検出装置およびこれに用いるNOxセンサ | |
JP4213939B2 (ja) | ガス検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070622 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |