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JP3964245B2 - 有機発光素子および前記素子を用いた発光装置 - Google Patents

有機発光素子および前記素子を用いた発光装置 Download PDF

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JP3964245B2 JP2002091526A JP2002091526A JP3964245B2 JP 3964245 B2 JP3964245 B2 JP 3964245B2 JP 2002091526 A JP2002091526 A JP 2002091526A JP 2002091526 A JP2002091526 A JP 2002091526A JP 3964245 B2 JP3964245 B2 JP 3964245B2
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Description

【0001】
【発明の属する分野】
本発明は、陽極と、陰極と、電界を加えることで発光が得られる有機化合物を含む層(以下、「有機化合物層」と記す)と、を有する有機発光素子に関する。一般に、電界を加えることにより生じる有機化合物の発光には、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光があるが、本発明では特に、三重項励起状態からの発光が生じうる有機化合物を用いた有機発光素子に関する。なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子として有機発光素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。また、有機発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム(FPC:Flexible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または有機発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【0002】
【従来の技術】
有機発光素子は、電界を加えることにより発光する素子である。その発光機構は、電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中で再結合して、励起状態の分子(以下、「分子励起子」と記す)を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われている。
【0003】
このような有機発光素子において、通常、有機化合物層は1μmを下回るほどの薄膜で形成される。また、有機発光素子は、有機化合物層そのものが光を放出する自発光型の素子であるため、従来の液晶ディスプレイに用いられているようなバックライトも必要ない。したがって、有機発光素子は極めて薄型軽量に作製できることが大きな利点である。
【0004】
また、例えば100〜200nm程度の有機化合物層において、キャリアを注入してから再結合に至るまでの時間は、有機化合物層のキャリア移動度を考えると数十ナノ秒程度であり、キャリアの再結合から発光までの過程を含めてもマイクロ秒以内のオーダーで発光に至る。したがって、非常に応答速度が速いことも特長の一つである。
【0005】
さらに、有機発光素子はキャリア注入型の発光素子であるため、直流電圧での駆動が可能であり、ノイズが生じにくい。駆動電圧に関しては、まず有機化合物層の厚みを100nm程度の均一な超薄膜とし、また、有機化合物層に対するキャリア注入障壁を小さくするような電極材料を選択し、さらにはヘテロ構造(二層構造)を導入することによって、5.5Vで100cd/m2の十分な輝度が達成された(文献1:C. W. Tang and S. A. VanSlyke, "Organic electroluminescent diodes", Applied Physics Letters, vol. 51, No.12, 913-915 (1987))。
【0006】
こういった薄型軽量・高速応答性・直流低電圧駆動などの特性から、有機発光素子は次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されている。また、自発光型であり視野角が広いことから、視認性も比較的良好であり、携帯機器の表示画面に用いる素子として有効と考えられている。
【0007】
ところで、有機発光素子において見られる発光は、分子励起子が基底状態に戻る際の発光現象であることは先に述べたが、有機化合物が形成する分子励起子の種類としては、一重項励起状態(S*)と三重項励起状態(T*)が可能である。また、有機発光素子におけるその統計的な生成比率は、S*:T*=1:3であると考えられている(文献2:城戸淳二、「月刊ディスプレイ別冊 有機ELディスプレイ
基礎から最新情報まで」(テクノタイムズ社)、p. 28-29 )。
【0008】
しかしながら、一般的な有機化合物は室温において、三重項励起状態(T*)からの発光は観測されず、通常は一重項励起状態(S*)からの発光のみが観測される。有機化合物の基底状態は通常、一重項基底状態(S0)であるため、T*→S0遷移(燐光過程)は強度の禁制遷移となり、S*→S0遷移(蛍光過程)は許容遷移となるからである。
【0009】
すなわち、一重項励起状態(S*)のみが通常は発光に寄与するのであり、このことは有機発光素子においても同様である。したがって、有機発光素子における内部量子効率(注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合)の理論的限界は、S*:T*=1:3であることを根拠に25%とされていた。
【0010】
また、発生した光は全て外部に放出されるわけではなく、一部の光は有機発光素子構成材料(有機化合物層材料、電極材料)や基板材料固有の屈折率が原因で取り出すことができない。発生した光のうち外部に取り出される率は光の取り出し効率と呼ばれるが、ガラス基板を有する有機発光素子において、その取り出し効率は約20%程度と言われている。
【0011】
以上の理由から、注入したキャリアが全て分子励起子を形成したとしても、その注入キャリア数に対して最終的に外部に取り出せるフォトンの割合(以下、「外部量子効率」と記す)の理論的限界は、25%×20%=5%と言われていた。すなわち、全てのキャリアが再結合したとしても、そのうちの5%しか光として取り出せない計算になる。
【0012】
ところが近年、三重項励起状態(T*)から基底状態に戻る際に放出されるエネルギー(以下、「三重項励起エネルギー」と記す)を発光に変換できる有機発光素子が相次いで発表され、その発光効率の高さが注目されている(文献3:D. F. O'Brien, M. A. Baldo, M. E. Thompson and S. R. Forrest, "Improved energy transfer in electrophosphorescent devices", Applied Physics Letters, vol. 74, No. 3, 442-444 (1999))(文献4:Tetsuo TSUTSUI, Moon-Jae YANG, Masayuki YAHIRO, Kenji NAKAMURA, Teruichi WATANABE, Taishi TSUJI, Yoshinori FUKUDA, Takeo WAKIMOTO and Satoshi MIYAGUCHI, "High Quantum Efficiency in Organic Light-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Triplet Emissive Center", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 38, pp. L1502-L1504 (1999))。
【0013】
文献3では白金を中心金属とする有機金属錯体(以下、「白金錯体」と記す)を、文献4ではイリジウムを中心金属とする有機金属錯体(以下、「イリジウム錯体」と記す)を用いており、いずれの有機金属錯体も第3遷移系列元素を中心金属として導入していることが特徴であると言える。その中には、先に述べた外部量子効率の理論的限界値5%をゆうに越えるものも存在する。
【0014】
文献3および文献4に示されるとおり、三重項励起エネルギーを発光に変換できる有機化合物(以下、「三重項発光材料」と記す)を用いた有機発光素子は、従来よりも高い外部量子効率を達成できる。そして、外部量子効率が高くなれば発光輝度も向上する。したがって、三重項発光材料を用いた有機発光素子は、高輝度発光・高発光効率を達成するための手法として、今後の開発において大きなウェートを占めるものと考えられる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、白金もしくはイリジウムは共にいわゆる貴金属であるため、それらを用いた白金錯体やイリジウム錯体も高価であり、将来的にコスト低減の弊害になることが予想される。また、稀少金属であるため、大量生産の際、供給にも難がある。
【0016】
また、前記白金錯体や前記イリジウム錯体は、中心金属と配位子のベンゼン環とが直接σ結合している有機金属錯体であり、合成に要する時間も長く収率も悪いため、生産性がよいとは言えない。生産性の観点からは、有機発光素子でよく用いられるトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、「Alq3」と記す)のような、ウェルナー型錯体の方が一般的には有効と考えられる。
【0017】
さらに、前記イリジウム錯体の発光色は緑色、すなわち可視光領域の中では中間に位置する波長である。前記白金錯体はドーパントとして用いると比較的色純度のよい赤色に発光するが、濃度が低い場合はホスト材料も光ってしまうため色純度が悪くなり、濃度が高い場合は濃度消光のため発光効率が落ちてしまうという欠点がある。つまり、色純度の高い赤色や青色の高効率発光は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる有機発光素子からは得られていない。
【0018】
したがって将来的に、赤、緑、青の発光色を用いてフルカラーのフラットパネルディスプレイを作製することを考えると、白金錯体やイリジウム錯体と同様に高い外部量子効率で、なおかつ色純度の高い赤色発光および青色発光を呈する材料を、より安価な原料を用いて大量に生産することを達成しなければならない。
【0019】
以上のことから、既存の白金やイリジウムを用いた有機金属錯体以外に、三重項発光材料の開発が必要不可欠な状況にある。
【0020】
そこで本発明では、三重項発光材料を、従来よりも安価に提供することを課題とする。またそれを用いて、従来よりも発光効率が高く、安価に作製できる有機発光素子を提供することを課題とする。
【0021】
さらに、本発明を実施することで得られる発光効率の高い有機発光素子を用いて、明るく消費電力が少ない上に安価な発光装置、および前記発光装置を用いた電気器具を提供することを課題とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】
三重項励起エネルギーを発光に変換する方法として、フォトルミネッセンスの分野では重原子効果がよく知られている。重原子効果とは、発光物質の分子内に重原子を導入するか、もしくは発光物質が溶解している溶媒等の周辺環境に重原子を存在させることにより、スピン−軌道相互作用が大きくなり、禁制遷移(T*→S0)である燐光発光が促進される現象である。なおここでは、重原子とは、多くの原子核荷重(原子番号、すなわち原子核の正電荷の数に相当する)を保有している原子のことを指す。
【0023】
白金やイリジウムは大きなスピン−軌道相互作用を発現できる重原子であり、効果的に燐光を促進させることができる。その点においては、前記白金錯体や前記イリジウム錯体は極めて有効な三重項発光材料であると言える。
【0024】
しかしながら、重原子効果の効力は、各原子固有の値であるスピン−軌道結合定数で決定されるため、重原子効果を引き起こすために用いる原子はかなり限定されてしまう。そして、それら重原子を含む原材料等は、高価なものが多いと言える。
【0025】
そこで、重原子を用いることなく、三重項励起エネルギーを発光に変換する手法が望ましい。概念的には、三重項励起状態から基底状態への遷移が許容遷移になればよい。すなわち、基底状態が三重項状態であれば、三重項励起エネルギーを発光に変換することができると考えられる。例えば酸素分子のように、最高被占分子軌道(Highest Occupied Molecular Orbital:HOMO)が縮重していれば基底状態は三重項状態になる。
【0026】
通常の炭化水素化合物ではそのような状態は見られないが、金属錯体の中心金属のエネルギー準位において、三重項状態を形成することは可能である。その例として、常磁性金属を中心金属とする複核錯体(2個の中心金属を有する金属錯体)が挙げられる。
【0027】
常磁性金属を中心金属とする複核錯体においては、しばしば、常磁性金属の不対電子が錯体内においてカップリングし、強磁性的ないしは反強磁性的な相互作用が生じる現象が見られる。強磁性的相互作用の場合は、それらの電子は三重項状態にあると考えられる。また、反強磁性的相互作用の場合は一重項状態であるが、ある温度以上では三重項状態となる(文献5:基礎錯体工学研究会/偏、「錯体化学 基礎と最新の話題」(講談社)、p.48-49)。
【0028】
このようにして形成された三重項状態の電子が発光に寄与することにより、三重項励起エネルギーを発光に変換することは可能になると考えられる。そこで本発明者は、複核錯体を有機発光素子の発光材料として適用することに着目した。
【0029】
また、特に複数の中心金属が近接してクラスター状態となることにより、総原子核荷重がより増大し、実質的に重原子効果と同等の効果を引き起こす可能性もあると本発明者は考えている。このことも、複核錯体に着目した理由である。
【0030】
さらに、複核錯体を用いると、中心金属の組み合わせを変えることにより励起エネルギー状態は変化するため、発光色をある程度変化させることができると考えられる。すなわち、配位子を変更させることなく、発光色のチューニングが可能になるというメリットがある。
【0031】
このような背景から、本発明では、発光性の配位子を持たせた複核錯体を有機発光素子に用いる。なお、本発明では合成上の簡便さ・生産性の良さからウェルナー型錯体を用いるが、中心金属と配位子の炭素原子とが直接結合している有機金属錯体を用いた方が、特性に関しては向上すると考えられる。このことは、前記イリジウム錯体において顕著に見られる。
【0032】
本発明で用いる複核錯体は、以下に示す一般式(1)〜(4)で表すことができる。
【0033】
【化5】
Figure 0003964245
【0034】
【化6】
Figure 0003964245
【0035】
【化7】
Figure 0003964245
【0036】
【化8】
Figure 0003964245
【0037】
ただし、一般式(1)において、M1およびM2は、2価の金属イオンないしは2価のオキソ金属イオンを表す。また、Xはベンゼン環またはベンゼン環からなる縮合環であり、置換基を有していても良い。R1は水素またはアルキル基を表す。R2〜R11はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素またはアルキル基を表す。
【0038】
一般式(2)においては、M1およびM2は、2価の金属イオンないしは2価のオキソ金属イオンを表す。R1は水素またはアルキル基またはアルコキシル基またはアリール基を表す。R2〜R11はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素またはアルキル基を表す。
【0039】
一般式(3)においては、M1およびM2は、2価の金属イオンないしは2価のオキソ金属イオンを表す。R1は水素またはアルキル基を表す。また、X1およびX2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ベンゼン環またはベンゼン環からなる縮合環であり、置換基を有していても良い。
【0040】
一般式(4)においては、M1およびM2は、2価の金属イオンないしは2価のオキソ金属イオンを表す。R1およびR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素またはアルキル基またはアルコキシル基またはアリール基を表す。
【0041】
【発明の実施の形態】
まず、本発明で開示した複核錯体の合成法について述べる。この系統の複核錯体の合成法は確立されている(文献6:Mitsunori TANAKA, Michiyo KITAOKA, Hisashi OKAWA, and Sigeo KIDA, "Binuclear Metal Complexes. XV. Copper(II) and Nickel(II) Complexes of Binucleating Ligands Derived From 3-Formyl-salicylic Acid and Diamines", Bull. Chem. Soc. Jpn., vol. 49(9), 2469-2473 (1976))。文献6では、3−ホルミルサリチル酸とジアミンを反応させることにより、複核錯体の配位子を形成し、それに中心金属の原料を作用させて複核錯体の合成を行っている。
【0042】
本発明の複核錯体を合成する際においても、上記の手法を適用すればよい。例えば、一般式(2)であれば、3−ホルミルサリチル酸誘導体と、1,2−シクロヘキサンジアミン誘導体を反応させることにより、一般式(2)の配位子が得られる。一般式(2)をより一般化したものが一般式(1)であるが、同様の反応で合成可能である。
【0043】
また、一般式(4)であれば、3−ホルミルサリチル酸誘導体と、1,2−フェニレンジアミン誘導体を反応させることにより、一般式(4)の配位子が得られる。一般式(4)をより一般化したものが一般式(3)であるが、同様の反応で合成可能である。
【0044】
次に、一般式(1)〜(4)において、中心金属および置換基の導入に関する説明を記載する。
【0045】
本発明で開示した複核錯体の配位子は、シクロヘキシレン基やフェニレン基を用いることにより、いずれも平面状に配位する傾向を強くすることができる。特に、シクロヘキシレン基を有する場合(一般式(1)および(2))では、シス型の1,2−シクロヘキサンジアミン誘導体を原料として用いることで、平面配位の傾向を強くすることができる。
【0046】
したがって、例えば中心金属として亜鉛のように四面体配位しやすいものを選択しても、平面状に配位することが可能である。つまり、M1およびM2は、2価の金属イオンであれば配位可能である。ただし、M1およびM2としては平面配位の傾向が強い金属イオンが好ましく、コバルト、ニッケル、銅などの第9族〜第11族元素が好適である。
【0047】
また、M1およびM2が2価のオキソ金属イオン(MO2+)の場合も可能である。この場合、オキソ金属イオンの酸素原子が、配位子からなる平面より突き出た分子構造になる。オキソ金属イオンの形成に好適な元素として、チタン、バナジウム、モリブデンなどの第4族〜第6族元素が好ましい。
【0048】
なお、本発明で開示した有機化合物は、無置換体の場合、様々な有機溶媒に対して溶解性に乏しい。したがって、スピンコートなどの湿式法による成膜や、再結晶法による精製などを考慮し、分子の溶解性を向上させるためにアルキル基やアルコキシル基を導入してもよい。また、発光波長を長波長側にシフトさせる目的で、アリール基を導入してもよい。
【0049】
以下では、有機発光素子を作製する際の形態について述べる。本発明で開示した有機化合物を有機発光素子の発光材料として使用する場合、大きく分けて二通りの分類が考えられる。一つは、図1(a)に代表されるような、発光層としての使用法である。もう一つは、図1(b)に代表されるような、ドーパントとしての使用法である。
【0050】
なお、図1(a)では、本発明で開示した有機化合物を電子輸送性発光層として用いている(シングルへテロ構造)が、正孔輸送層と電子輸送層の間に発光層として設けてもよい(ダブルへテロ構造)。また、図1(b)では、本発明で開示した有機化合物を電子輸送層にドープしているが、正孔輸送層にドープしてもよい。さらに、図1では陽極を基板上に設けているが、陰極を基板上に設ける構造でもよい。
【0051】
ここで、一般式(1)および(2)で表される有機化合物は、シクロヘキサンの部位は非平面であるが、先に述べたとおり、配位子の中心金属への配位部分は平面状である。また、一般式(3)および(4)で表される有機化合物は、全体に渡り平面状である。したがって、本発明で開示した有機化合物は、全体的に平面性の高い分子構造となっている。
【0052】
このように分子の平面性が高い場合は分子間相互作用が強く、単一の層として成膜した場合、濃度消光により発光特性が低下する可能性が高い。そこで、図1(a)のような発光層としての使用法よりも、図1(b)のようなドーパントとしての使用法がより好ましい。
【0053】
【実施例】
[実施例1]
本実施例では、発明の実施の形態において一般式(1)で表される複核錯体を具体的に例示する。
【0054】
下記式(5)で表される有機化合物は、中心金属として一分子当たり2個のニッケルを用いた複核錯体である。下記式(5)の複核錯体は、ニッケル原子間の磁気的相互作用はないと考えられるが、中心金属が近接してクラスター状態となることにより、総原子核荷重がより増大し、実質的に重原子効果と同等の効果を引き起こす可能性を考慮したものである。
【0055】
【化9】
Figure 0003964245
【0056】
また、下記式(6)で表される有機化合物は、中心金属としてM1サイトに2価の銅イオンを、M2サイトに2価のオキソバナジウムイオンを導入した複核錯体である。下記式(6)の複核錯体は、金属間に強磁性的相互作用が働くため、三重項励起エネルギーを発光に変換する効率が向上すると考えられる。
【0057】
【化10】
Figure 0003964245
【0058】
[実施例2]
本実施例では、発明の実施の形態において一般式(3)で表される複核錯体を具体的に例示する。
【0059】
下記式(7)で表される有機化合物は、中心金属として一分子当たり2個のニッケルを用いた複核錯体である。下記式(7)の複核錯体は、ニッケル原子間の磁気的相互作用はないと考えられるが、中心金属が近接してクラスター状態となることにより、総原子核荷重がより増大し、実質的に重原子効果と同等の効果を引き起こす可能性を考慮したものである。
【0060】
【化11】
Figure 0003964245
【0061】
また、下記式(8)で表される有機化合物は、中心金属としてM1サイトに2価の銅イオンを、M2サイトに2価のオキソバナジウムイオンを導入した複核錯体である。下記式(8)の複核錯体は、金属間に強磁性的相互作用が働くため、三重項励起エネルギーを発光に変換する効率が向上すると考えられる。
【0062】
【化12】
Figure 0003964245
【0063】
[実施例3]
発明の実施の形態で示した一般式(1)〜(4)で表される有機化合物は、有機発光素子において、発光層、もしくは発光層におけるドーパントとして用いることができるが、先に述べたとおり、濃度消光の防止の観点からはドーパントとして用いることが好ましい。そこで本実施例では、ドーパントとして用いる際の素子構成を示す。
【0064】
図2に、その代表的な素子構造、およびバンドダイアグラムを示す。図2は素子構造であり、基板201上に、陽極202、正孔注入層203、正孔輸送層204、正孔ブロッキング層205、電子輸送層206、および陰極207を順次積層したものである。本発明の有機化合物は、ドーパント208として正孔輸送層204に添加している。なお、ここでは基板が陽極に接する構造であるが、逆に基板が陰極に接する構造としてもよい。
【0065】
ここで、図2で示した素子を具体的に例示する。まず、ガラス基板201上に、陽極202としてインジウム錫酸化物(ITO)をスパッタリングにより成膜する。さらに、ポリスチレンスルホン酸(以下、「PSS」と記す)をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン(以下、「PEDOT」と記す)の水溶液をスピンコートにより成膜し、ベークすることにより正孔注入層203とする。
【0066】
正孔輸送層204としては、励起エネルギーが大きいためホストとしての汎用性が高い、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(以下、「PVK」と記す)を用いる。したがって、一般式(1)のアルキル置換体(溶解性を向上させるため)とPVKとを同一の溶媒に溶解させ、スピンコートにより成膜すればよい。このとき、一般式(1)のアルキル置換体がドーパント208となる。
【0067】
次に、正孔輸送層204におけるキャリアの再結合率を高めるため、正孔ブロッキング層205として、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(以下、「TAZ」と記す)を、真空蒸着にて成膜する。さらに、電子輸送層206として、Alq3を真空蒸着により成膜する。最後に、Al:Li合金を真空蒸着により成膜し、陰極207とすればよい。
【0068】
本実施例のように、高分子材料中に本発明の有機化合物を分散させることによって、有機EL素子を作製することも可能となる。
【0069】
[実施例4]
本実施例では、本発明で開示した有機発光素子を含む発光装置について説明する。図3は、本発明の有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型発光装置の断面図である。
【0070】
なお、能動素子としてここでは薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)を用いているが、MOSトランジスタを用いてもよい。また、TFTとしてトップゲート型TFT(具体的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型TFT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。
【0071】
図3(a)において、301は基板であり、ここでは基板側から光を取り出すため、可視光を透過する基板を用いる。具体的には、ガラス基板、石英基板、結晶化ガラス基板もしくはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いればよい。なお、基板301とは、表面に設けた絶縁膜も含めるものとする。
【0072】
基板301の上には画素部311および駆動回路312が設けられている。まず、画素部311について説明する。
【0073】
画素部311は画像表示を行う領域である。基板上には複数の画素が存在し、各画素には有機発光素子に流れる電流を制御するためのTFT(以下、「電流制御TFT」と記す)302、画素電極(陽極)303、有機化合物層304および陰極305が設けられている。なお、図3(a)では電流制御TFTしか図示していないが、電流制御TFTのゲートに加わる電圧を制御するためのTFT(以下、「スイッチングTFT」と記す)を設けている。
【0074】
電流制御TFT302は、ここではpチャネル型TFTを用いることが好ましい。nチャネル型TFTとすることも可能であるが、図3のように有機発光素子の陽極に電流制御TFTを接続する場合は、pチャネル型TFTの方が消費電力を押さえることができる。ただし、スイッチングTFTはnチャネル型TFTでもpチャネル型TFTでもよい。
【0075】
また、電流制御TFT302のドレインには画素電極303が電気的に接続されている。本実施例では、画素電極303の材料として仕事関数が4.5〜5.5eVの導電性材料を用いるため、画素電極303は有機発光素子の陽極として機能する。画素電極303として代表的には、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物(ITOなど)のような、光透過性の材料を用いればよい。画素電極303の上には有機化合物層304が設けられている。
【0076】
さらに、有機化合物層304の上には陰極305が設けられている。陰極305の材料としては、仕事関数が2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。陰極305として代表的には、アルカリ金属元素もしくはアルカリ土類金属元素を含む導電膜、アルミニウムを含む導電膜、あるいはその導電膜にアルミニウムや銀などを積層したもの、を用いればよい。
【0077】
また、画素電極303、有機化合物層304、および陰極305からなる層は、保護膜306で覆われている。保護膜306は、有機発光素子を酸素および水から保護するために設けられている。保護膜306の材料としては、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、もしくは炭素(具体的にはダイヤモンドライクカーボン)を用いる。
【0078】
次に、駆動回路312について説明する。駆動回路312は画素部311に伝送される信号(ゲート信号およびデータ信号)のタイミングを制御する領域であり、シフトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイッチ(トランスファゲート)もしくはレベルシフタが設けられている。図3(a)では、これらの回路の基本単位としてnチャネル型TFT307およびpチャネル型TFT308からなるCMOS回路を示している。
【0079】
なお、シフトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイッチ(トランスファゲート)もしくはレベルシフタの回路構成は、公知のものでよい。また図3では、同一の基板上に画素部311および駆動回路312を設けているが、駆動回路312を設けずにICやLSIを電気的に接続することもできる。
【0080】
また、図3では電流制御TFT302に画素電極(陽極)303が電気的に接続されているが、陰極が電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。その場合、画素電極を陰極305と同様の材料で形成し、陰極を画素電極(陽極)303と同様の材料で形成すればよい。その場合、電流制御TFTはnチャネル型TFTとすることが好ましい。
【0081】
ところで、図3(a)に示した発光装置は、画素電極303を形成した後に配線309を形成する工程で作製されたものを示してあるが、この場合、画素電極303が表面荒れを起こす可能性がある。有機発光素子は電流駆動型の素子であるため、画素電極303の表面荒れにより、特性が悪くなることも考えられる。
【0082】
そこで、図3(b)に示すように、配線309を形成した後に画素電極303を形成する発光装置も考えられる。この場合、図3(a)の構造に比べて、画素電極303からの電流の注入性が向上すると考えられる。
【0083】
また、図3においては、正テーパー型の土手状構造310によって、画素部311に設置されている各画素を分離している。この土手状構造を、例えば逆テーパー型のような構造にすることにより、土手状構造が画素電極に接しない構造をとることもできる。その一例を図4に示す。
【0084】
図4では、配線を利用して分離部を兼ねた、配線および分離部310を設けた。図4で示されるような配線および分離部310の形状(ひさしのある構造)は、配線を構成する金属と、前記金属よりもエッチレートの低い材料(例えば金属窒化物)とを積層し、エッチングすることにより形成することができる。この形状により、画素電極303や配線と、陰極305とが、ショートすることを防ぐことができる。なお、図4においては、通常のアクティブマトリクス型の発光装置と異なり、画素上の陰極305をストライプ状(パッシブマトリクスの陰極と同様)にする構造になる。
【0085】
また、図5(a)は、導電性高分子材料を正孔注入領域として用いる場合に有効な電極構造を、アクティブマトリクス型の発光装置に導入した例である。断面図を図5(a)に、各画素の電極構造の上面図を図5(b)にそれぞれ示す。すなわち、各画素513において、陽極が全面に成膜されているのではなく、ストライプ状になっており、そのストライプ状電極503の間にスリットが形成されている構造である。
【0086】
このような構造に直接有機化合物層を成膜してしまうと、電極の存在しないスリットの部分は発光しない。しかしながら、導電性高分子514を図5(a)のようにコーティングすることにより、画素の全面が発光する。つまり、導電性高分子514は、正孔注入領域であると同時に、電極の役割も果たしているとも言える。
【0087】
図5のような発光装置のメリットとしては、陽極503として、透明なものを使用する必要がないことである。スリットの開口率が8〜9割程度あれば、十分な発光が取り出せる。また、平らな面を形成する導電性高分子514によって、有機化合物層に対する電界の加わり方は均一となり、絶縁破壊等も起こりにくくなる。
【0088】
次に、図3(b)に示したアクティブマトリクス型発光装置の外観を図6に示す。なお、図6(a)には上面図を示し、図6(b)には図6(a)をP−P'で切断した時の断面図を示す。また、図3の符号を引用する。
【0089】
図6(a)において、601は画素部、602はゲート信号側駆動回路、603はデータ信号側駆動回路である。また、ゲート信号側駆動回路602およびデータ信号側駆動回路603に伝送される信号は、入力配線604を介してTAB(Tape Automated Bonding)テープ605から入力される。なお、図示しないが、TABテープ605の代わりに、TABテープにIC(集積回路)を設けたTCP(Tape Carrier Package)を接続してもよい。
【0090】
このとき、606は図3(b)に示した発光装置の上方に設けられるカバー材であり、樹脂からなるシール材607により接着されている。カバー材606は酸素および水を透過しない材質であれば、いかなるものを用いてもよい。本実施例では、カバー材606は図6(b)に示すように、プラスチック材606aと、前記プラスチック材606aの表面および裏面に設けられた炭素膜(具体的にはダイヤモンドライクカーボン膜)606b、606cからなる。
【0091】
さらに、図6(b)に示すように、シール材607は樹脂からなる封止材608で覆われ、有機発光素子を完全に密閉空間609に封入するようになっている。密閉空間609は不活性ガス(代表的には窒素ガスや希ガス)、樹脂または不活性液体(例えばパーフルオロアルカンに代表される液状のフッ素化炭素)を充填しておけばよい。さらに、吸湿剤や脱酸素剤を設けることも有効である。
【0092】
また、本実施例に示した発光装置の表示面(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的には、円偏光板が用いられている。ただし、有機化合物層から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ることを防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。
【0093】
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。
【0094】
[実施例5]
本実施例では、本発明で開示した有機発光素子を含む発光装置の例として、アクティブマトリクス型発光装置を例示するが、実施例4とは異なり、能動素子が形成されている基板とは反対側から光を取り出す構造(以下、「上方出射」と記す)の発光装置を示す。図7にその断面図を示す。
【0095】
なお、能動素子としてここでは薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)を用いているが、MOSトランジスタを用いてもよい。また、TFTとしてトップゲート型TFT(具体的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型TFT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。
【0096】
本実施例において、基板701、画素部に形成された電流制御TFT702、および駆動回路712に関しては、実施例4と同様の構成でよい。
【0097】
電流制御TFT702のドレインに接続されている第一電極703であるが、本実施例では陽極として用いるため、仕事関数がより大きい導電性材料を用いることが好ましい。その代表例として、ニッケル、パラジウム、タングステン、金、銀などの金属が挙げられる。本実施例では、第一電極703は光を透過しないことが好ましいが、それに加えて、光の反射性の高い材料を用いることがさらに好ましい。
【0098】
第一電極703の上には有機化合物層704が設けられている。さらに、有機化合物層704の上には第二電極705が設けられており、本実施例では陰極とする。その場合、第二電極705の材料としては、仕事関数が2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。代表的には、アルカリ金属元素もしくはアルカリ度類金属元素を含む導電膜、アルミニウムを含む導電膜、あるいはその導電膜にアルミニウムや銀などを積層したもの、を用いればよい。ただし、本実施例は上方出射であるため、第二電極705が光透過性であることが大前提である。したがって、これらの金属を用いる場合は、20nm程度の超薄膜であることが好ましい。
【0099】
また、第一電極703、有機化合物層704、および第二電極705からなる層は、保護膜706で覆われている。保護膜706は、有機発光素子を酸素および水から保護するために設けられている。本実施例では、光を透過するものであればいかなるものを用いてもよい。
【0100】
なお、図7では電流制御TFT702に第一電極(陽極)703が電気的に接続されているが、陰極が電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。その場合、第一電極を陰極の材料で形成し、第二電極を陽極の材料で形成すればよい。このとき、電流制御TFTはnチャネル型TFTとすることが好ましい。
【0101】
さらに、707はカバー材であり、樹脂からなるシール材708により接着されている。カバー材707は酸素および水を透過しない材質で、かつ、光を透過する材質であればいかなるものを用いてもよい。本実施例ではガラスを用いる。密閉空間709は不活性ガス(代表的には窒素ガスや希ガス)、樹脂または不活性液体(例えばパーフルオロアルカンに代表される液状のフッ素化炭素)を充填しておけばよい。さらに、吸湿剤や脱酸素剤を設けることも有効である。
【0102】
なお、ゲート信号側駆動回路およびデータ信号側駆動回路に伝送される信号は、入力配線713を介してTAB(Tape Automated Bonding)テープ714から入力される。なお、図示しないが、TABテープ714の代わりに、TABテープにIC(集積回路)を設けたTCP(Tape Carrier Package)を接続してもよい。
【0103】
また、本実施例に示した発光装置の表示面(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的には、円偏光板が用いられている。ただし、有機化合物層から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ることを防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。
【0104】
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。
【0105】
[実施例6]
本実施例では、本発明で開示した有機発光素子を含む発光装置の例として、パッシブマトリクス型発光装置を例示する。図8(a)にはその上面図を示し、図8(b)には図8(a)をP−P'で切断した時の断面図を示す。
【0106】
図8(a)において、801は基板であり、ここではプラスチック材を用いる。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、PES(ポリエチレンサルファイル)、PC(ポリカーボネート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)もしくはPEN(ポリエチレンナフタレート)を板状、もしくはフィルム上にしたものが使用できる。
【0107】
802は酸化導電膜からなる走査線(陽極)であり、本実施例では酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加した酸化物導電膜を用いる。また、803は金属膜からなるデータ線(陰極)であり、本実施例ではビスマス膜を用いる。また、804はアクリル樹脂からなるバンクであり、データ線803を分断するための隔壁として機能する。走査線802とデータ線803は両方とも、ストライプ状に複数形成されており、互いに直交するように設けられている。なお、図8(a)では図示していないが、走査線802とデータ線803の間には有機化合物層が挟まれており、交差部805が画素となる。
【0108】
そして、走査線802およびデータ線803はTABテープ807を介して外部の駆動回路に接続される。なお、808は走査線802が集合してなる配線群を表しており、809はデータ線803に接続された接続配線806の集合からなる配線群を表す。また、図示していないが、TABテープ807の代わりに、TABテープにICを設けたTCPを接続してもよい。
【0109】
また、図8(b)において、810はシール材、811はシール材810によりプラスチック材801に貼り合わされたカバー材である。シール材810としては光硬化樹脂を用いていればよく、脱ガスが少なく、吸湿性の低い材料が望ましい。カバー材としては基板801と同一の材料が好ましく、ガラス(石英ガラスを含む)もしくはプラスチックを用いることができる。ここではプラスチック材を用いる。
【0110】
次に、画素領域の構造の拡大図を図8(c)に示す。813は有機化合物層である。なお、図8(c)に示すように、バンク804は下層の幅が上層の幅よりも狭い形状になっており、データ線803を物理的に分断できる。また、シール材810で囲まれた画素部814は、樹脂からなる封止材815により外気から遮断され、有機化合物層の劣化を防ぐ構造となっている。
【0111】
以上のような構成からなる本発明の発光装置は、画素部814が走査線802、データ線803、バンク804および有機化合物層813で形成されるため、非常に簡単なプロセスで作製することができる。
【0112】
また、本実施例に示した発光装置の表示面(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的には、円偏光板が用いられている。ただし、有機化合物層から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ることを防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。
【0113】
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。
【0114】
[実施例7]
本実施例では、実施例6で示した発光装置にプリント配線板を設けてモジュール化した例を示す。
【0115】
図9(a)に示すモジュールは、基板901(ここでは、画素部902、配線903a、 903bを含む)にTABテープ904が取り付けられ、前記TABテープ904を介してプリント配線板905が取り付けられている。
【0116】
ここで、プリント配線板905の機能ブロック図を図9(b)に示す。プリント配線板905の内部には少なくともI/Oポート(入力もしくは出力部)906、 909、データ信号側駆動回路907およびゲート信号側回路908として機能するICが設けられている。
【0117】
このように、基板面に画素部が形成された基板にTABテープが取り付けられ、そのTABテープを介して駆動回路としての機能を有するプリント配線版が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では特に駆動回路外付け型モジュールと呼ぶことにする。
【0118】
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。
【0119】
[実施例8]
本実施例では、実施例4、実施例5、もしくは実施例6に示した発光装置にプリント配線板を設けてモジュール化した例を示す。
【0120】
図10(a)に示すモジュールは、基板1001(ここでは、画素部1002、データ信号側駆動回路1003、ゲート信号側駆動回路1004、配線1003a、 1004aを含む)にTABテープ1005が取り付けられ、そのTABテープ1005を介してプリント配線板1006が取り付けられている。プリント配線板1006の機能ブロック図を図10(b)に示す。
【0121】
図10(b)に示すように、プリント配線板1006の内部には少なくともI/Oポート1007、 1010、コントロール部1008として機能するICが設けられている。なお、ここではメモリ部1009を設けてあるが、必ずしも必要ではない。またコントロール部1008は、駆動回路の制御、映像データの補正などをコントロールするための機能を有した部位である。
【0122】
このように、有機発光素子の形成された基板にコントローラーとしての機能を有するプリント配線板が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では特にコントローラー外付け型モジュールと呼ぶことにする。
【0123】
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。
【0124】
[実施例9]
本実施例では、有機発光素子を、デジタル時間階調表示により駆動する発光装置の例を示す。本実施例の発光装置は、デジタル時間階調表示により均一な像を得ることができ、非常に有用である。
【0125】
有機発光素子を用いた画素の、回路構成を図11(a)に示す。Trはトランジスタ、Csはストレージキャパシタを表す。この回路においては、ゲート線が選択されると、電流がソース線からTr1に流れ、その信号に対応する電圧がCsに蓄積される。そして、Tr2のゲートおよびソース間の電圧(Vgs)により制御される電流が、Tr2および有機発光素子に流れることになる。
【0126】
Tr1が選択されたあとは、Tr1はオフ状態となり、Csの電圧(Vgs)が保持される。したがって、Vgsに依存するだけの電流を流し続けることができる。
【0127】
このような回路を、デジタル時間階調表示により駆動するチャートを図22(b)に示す。すなわち、1フレームを複数のサブフレームに分割するわけだが、図11(b)では、1フレームを6つのサブフレームに分割する6ビット階調とした。この場合、それぞれのサブフレーム発光期間の割合は、32:16:8:4:2:1となる。
【0128】
本実施例におけるTFT基板の駆動回路の概要を図11(c)に示す。ゲートドライバおよびソースドライバは同じ基板上に設けられている。本実施例では、画素回路およびドライバは、デジタル駆動するように設計されているため、TFT特性のばらつきの影響を受けることなく、均一な像を得ることができる。
【0129】
[実施例10]
上記実施例で述べた本発明の発光装置は、低消費電力で安価であるという利点を有する。したがって、前記発光装置が表示部等として含まれる電気器具は、従来よりも低い消費電力で動作可能であり、なおかつ安価に提供できる電気器具となる。特に電源としてバッテリーを使用する携帯機器のような電気器具に関しては、低消費電力化が便利さに直結する(電池切れが起こりにくい)ため、極めて有用である。
【0130】
また、前記発光装置は、自発光型であることから液晶表示装置のようなバックライトは必要なく、有機化合物層の厚みも1μmに満たないため、薄型軽量化が可能である。したがって、前記発光装置が表示部等として含まれる電気器具は、従来よりも薄型軽量な電気器具となる。このことも、特に携帯機器のような電気器具に関して、便利さ(持ち運びの際の軽さやコンパクトさ)に直結するため、極めて有用である。さらに、電気器具全般においても、薄型である(かさばらない)ことは運送面(大量輸送が可能)、設置面(部屋などのスペース確保)からみても有用であることは疑いない。
【0131】
なお、前記発光装置は自発光型であるために、液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広いという特徴を持つ。したがって、前記発光装置を表示部として有する電気器具は、表示の見やすさの点でも大きなメリットがある。
【0132】
すなわち、本発明の発光装置を用いた電気器具は、薄型軽量・高視認性といった従来の有機発光素子の長所に加え、低消費電力・低コストという特長も保有しており、極めて有用である。
【0133】
本実施例では、本発明の発光装置を表示部として含む電気器具を例示する。その具体例を図12および図13に示す。なお、本実施例の電気器具に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した素子のいずれを用いてもよい。また、本実施例の電気器具に含まれる発光装置の形態は、図3〜図11のいずれの形態を用いても良い。
【0134】
図12(a)は有機発光素子を用いたディスプレイであり、筐体1201a、支持台1202a、表示部1203aを含む。本発明の発光装置を表示部1203aとして用いたディスプレイを作製することにより、薄く軽量で、安価なディスプレイを実現できる。よって、輸送が簡便になり、設置の際の省スペースが可能となる上に、価格も抑えることができる。
【0135】
図12(b)はビデオカメラであり、本体1201b、表示部1202b、音声入力部1203b、操作スイッチ1204b、バッテリー1205b、受像部1206bを含む。本発明の発光装置を表示部1202bとして用いたビデオカメラを作製することにより、消費電力が少なく、軽量なビデオカメラを実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。
【0136】
図12(c)はデジタルカメラであり、本体1201c、表示部1202c、接眼部1203c、操作スイッチ1204cを含む。本発明の発光装置を表示部1202cとして用いたデジタルカメラを作製することにより、消費電力が少なく、軽量なデジタルカメラを実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。
【0137】
図12(d)は記録媒体を備えた画像再生装置であり、本体1201d、記録媒体(CD、LD、またはDVDなど)1202d、操作スイッチ1203d、表示部(A)1204d、表示部(B)1205dを含む。表示部(A)1204dは主として画像情報を表示し、表示部(B)1205dは主として文字情報を表示する。本発明の発光装置をこれら表示部(A)1204dや表示部(B)1205dとして用いた画像再生装置を作製することにより、消費電力が少なく軽量な上に、安価な画像再生装置を実現できる。なお、この記録媒体を備えた画像再生装置には、CD再生装置、ゲーム機器なども含む。
【0138】
図12(e)は携帯型(モバイル)コンピュータであり、本体1201e、表示部1202e、受像部1203e、操作スイッチ1204e、メモリスロット1205eを含む。本発明の発光装置を表示部1202eとして用いた携帯型コンピュータを作製することにより、消費電力が少なく、薄型軽量な携帯型コンピュータを実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。なお、この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを再生したりすることができる。
【0139】
図12(f)はパーソナルコンピュータであり、本体1201f、筐体1202f、表示部1203f、キーボード1204fを含む。本発明の発光装置を表示部1203fとして用いたパーソナルコンピュータを作製することにより、消費電力が少なく、薄型軽量なパーソナルコンピュータを実現できる。特に、ノートパソコンのように持ち歩く用途が必要な場合、電池の消費量や軽さの点で大きなメリットとなる。
【0140】
なお、上記電気器具はインターネットなどの電子通信回線や電波などの無線通信を通じて配信される情報を表示することが多くなってきており、特に動画情報を表示する機会が増えている。有機発光素子の応答速度は非常に速く、そのような動画表示に好適である。
【0141】
次に、図13(a)は携帯電話であり、本体1301a、音声出力部1302a、音声入力部1303a、表示部1304a、操作スイッチ1305a、アンテナ1306aを含む。本発明の発光装置を表示部1304aとして用いた携帯電話を作製することにより、消費電力が少なく、薄型軽量な携帯電話を実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも楽になる上にコンパクトな本体にできる。
【0142】
図13(b)は音響機器(具体的には車載用オーディオ)であり、本体1301b、表示部1302b、操作スイッチ1303b、1304bを含む。本発明の発光装置を表示部1302bとして用いた音響機器を作製することにより、消費電力が少なく、軽量な音響機器を実現できる。また、本実施例では車載用オーディオを例として示すが、家庭用オーディオに用いても良い。
【0143】
なお、図12〜図13で示したような電気器具において、さらに光センサを内蔵させ、使用環境の明るさを検知する手段を設けることで、使用環境の明るさに応じて発光輝度を変調させるような機能を持たせることは有効である。使用者は、使用環境の明るさに比べてコントラスト比で100〜150の明るさを確保できれば、問題なく画像もしくは文字情報を認識できる。すなわち、使用環境が明るい場合は画像の輝度を上げて見やすくし、使用環境が暗い場合は画像の輝度を抑えて消費電力を抑えるといったことが可能となる。
【0144】
また、本発明の発光装置を光源として用いた様々な電気器具も、低消費電力での動作や薄型軽量化が可能であるため、非常に有用と言える。代表的には、液晶表示装置のバックライトもしくはフロントライトといった光源、または照明機器の光源として本発明の発光装置を含む電気器具は、低消費電力の実現や薄型軽量化が可能である。
【0145】
したがって、本実施例に示した図12〜図13の電気器具の表示部を、全て液晶ディスプレイにする場合においても、その液晶ディスプレイのバックライトもしくはフロントライトとして本発明の発光装置を用いた電気器具を作製することにより、消費電力が少なく、薄くて軽量な電気器具が達成できる。
【0146】
【発明の効果】
本発明を実施することで、消費電力が少ない上に、安価な発光装置を得ることができる。さらに、そのような発光装置を光源もしくは表示部に用いることで、明るく消費電力が少ない上に、安価な電気器具を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機発光素子の構造を示す図。
【図2】有機発光素子の構造を示す図。
【図3】発光装置の断面構造を示す図。
【図4】発光装置の断面構造を示す図。
【図5】発光装置の断面構造を示す図。
【図6】発光装置の上面構造および断面構造を示す図。
【図7】発光装置の上面構造および断面構造を示す図。
【図8】発光装置の上面構造および断面構造を示す図。
【図9】発光装置の構成を示す図。
【図10】発光装置の構成を示す図。
【図11】発光装置の構成を示す図。
【図12】電気器具の具体例を示す図。
【図13】電気器具の具体例を示す図。

Claims (4)

  1. 陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層と、を有する有機発光素子において、前記有機化合物層は、下記の一般式(2)で表される有機化合物を含むことを特徴とする有機発光素子。
    Figure 0003964245
    M1およびM2は、ニッケルまたは銅を表す。R1は水素を表す。R2〜R11はそれぞれ水素を表す。)
  2. 請求項1に記載の有機発光素子において、前記一般式(2)で表される有機化合物は、前記有機化合物層に対するドーパントとして用いられていることを特徴とする有機発光素子。
  3. 請求項1または請求項2に記載の有機発光素子を用いたことを特徴とする発光装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
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