JP3839925B2 - シリコンの製造方法 - Google Patents
シリコンの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3839925B2 JP3839925B2 JP22447997A JP22447997A JP3839925B2 JP 3839925 B2 JP3839925 B2 JP 3839925B2 JP 22447997 A JP22447997 A JP 22447997A JP 22447997 A JP22447997 A JP 22447997A JP 3839925 B2 JP3839925 B2 JP 3839925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slag
- silicon
- sio
- silica
- producing silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、珪石を原料として金属シリコンを製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコンは珪石とコークスを混合し、カーボン電極のアークにより溶解還元して製造される。この珪石はSiO2 :99.5%クラスの高純度品が使用されるので世界のなかで産地は限定され、米国、ノルウェー、フランス、南アフリカ、カナダ、ブラジル等で生産されている。製造反応はつぎのごとくである。
SiO2 +2C → Si+2CO
【0003】
シリコン1トン得るのに珪石約2.6トンが必要である。したがって歩留まり60%程度である。電力消費量も大きく、この処理に150、000kWh/トン消費する。電力の単価や排ガス処理費用などが製造原価に大きく反映する。シリコンの輸入価格は80年代後半で200円/kg程度であり、珪石は20円/kg程度である。
【0004】
従来のシリコン製造法においては、珪石を溶解するのにまず高いエネルギーを投入する必要があった。珪石自身は溶融状態でも導電性はなく、アークによる溶解は効率良く進まない。珪石と混合したコークスが電極と放電し、コークスの温度上昇で間接的に珪石が加熱される。また、歩留まりが低い原因として、溶解中のSiOガス発生がある。SiO2 純度が高いと高温ではSiOガス発生し、融体から大量に放出される。
【0005】
以上のように、シリコンの製造工程においてエネルギー原単位の低下や歩留まり向上が求められていた。さらに、天然の珪石鉱山からの高純度珪石を原料に製造が行われてきたが、将来にわたって環境破壊の問題を生じないとは言えず、産業で2次的に発生した物の有効利用は今後ますます求められると考えられる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来の製造方法より投入エネルギーが少なく効率的で、資源の有効利用ができるシリコン製造法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、CaO、Al2 O3 、SiO2 からなるスラグの存在下で、アーク放電を用い珪石を還元することを特徴とするシリコンの製造方法である。ここにおいて還元剤として炭素または一酸化炭素を用いこと、原料のスラグとして化学組成が、CaO:35〜50重量%、Al2 O3 :10〜20重量%、SiO2 :30〜45重量%のものを使用すること、また原料のスラグが、鉄鋼製造工程の高炉で2次的に生成するスラグであることも特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】】
本発明においてはシリコンの原料として従来の高純度珪石に代えて、CaO、Al2 O3 、SiO2 からなる酸化物を用いる。アーク放電を用いると、局部的には2000℃以上の高温が得られ、材料の加熱とこれによる反応促進に有効であるが、導電性の無い材料への適用は非効率である。従来の原料である珪石(SiO2 )は、高純度であるほど導電性が悪くなる。一方、化学組成が、CaO:35〜50重量%、Al2 O3 :10〜20重量%、SiO2 :30〜45重量%の酸化物融体は導電性があり、電極とアーク放電し、温度が効率良く上昇することを見い出した。
【0009】
さらに、この酸化物融体は、融点が1400〜1700℃で、珪石の融点(1728℃)より低い。したがって、溶解に要するエネルギーを少なくできる。CaO、Al2 O3 、SiO2 の組成が上記範囲から外れると融点が高くなり、溶解に過分のエネルギーが必要となるので好ましくない。上記酸化物融体は、鉄鋼製造工程の高炉で2次的に生成するスラグに相当し、これを利用できる。
【0010】
上記組成の酸化物融体は、冷却すると主としてCa2 Al2 SiO7 (Gehlenite)の結晶相が形成される。溶融状態でも、シリコンは酸素以外に、CaやAlと結合しているため、この酸化物融体から放出されるガス量は、珪石溶解の場合に比べ少なくなる。
【0011】
スラグをアーク放電で溶解し、さらに炭素または一酸化炭素と反応させると脱酸が起こる。これによりシリコンが生成する。炭素は高温で還元性が強いので還元剤として適当である。また、融点が高く(3827℃)、導電性があり、アーク放電の電極としても使用できる。一酸化炭素は、炭素とスラグ中の酸素と反応して生成し、炭素と同様に還元作用がある。
【0012】
本発明において原料に高純度の珪石を使用しなくても製品の純度は維持できるが、これはCaやAlはSiより酸化物の生成自由エネルギーが大であるためである。SiO2 の生成自由エネルギーは高温になるとCOの生成自由エネルギーのより小になって炭素で容易に還元されうる。しかしながらAl2 O3 やCaOの生成自由エネルギーはCOの生成自由エネルギーよりずっと大であり炭素による還元は困難である。
【0013】
【実施例】
本実施例では、W合金の非消耗型電極を使ったボタンアーク溶解炉で、同じエネルギー投入で高炉スラグおよび珪石を溶解還元し、シリコンの生成形態および試料減量を比較した。アーク放電の出力は、250Aで30Vで行った。雰囲気はアルゴン、反応時間は5分間で試料7gにGraphiteを0.2g入れ、溶解した。
【0014】
試料の化学組成、融点および結果を表1に示す。反応後の試料を研磨し、反射顕微鏡やEPMAで解析したところ、シリコンの生成はいずれも同程度であった。生成量は、体積比で、初めに用意した試料の2割程度であった。スラグ中のSiO2 含有量が珪石に比べて低いにもかかわらず、同程度のシリコンが生成していることから、本実施例の生成効率が3倍程度高いことがわかる。
【0015】
【表1】
【0016】
試料WSLGを還元して得られたシリコンを図1に示す。このシリコンのEPMA分析例を表2に示す。シリコンは、Graphiteと接して0.1〜0.2mmの帯状にみられ、Gehleniteを主体とするスラグがGraphiteと反応して生成していることがわかる。このシリコンは、炭素:9.8%とAl:0.6%を含んでいる。
【0017】
【表2】
【0018】
本発明法によるシリコン製造法は、従来法に比べ試料減量が少なく効率的であることがわかる。本実施例で使用したスラグは、珪石の1/10の購入価格であった。
【0019】
【発明の効果】
本発明によれば、投入エネルギーが少なく効率的にシリコンを製造できる。また、高炉の副生物であるスラグを利用できるので資源の有効活用に効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】還元反応後の試験の顕微鏡組織を示す写真
Claims (4)
- CaO、Al2 O3 、SiO2 からなるスラグの存在下で、アーク放電を用い珪石を還元することを特徴とするシリコンの製造方法。
- 還元剤として炭素または一酸化炭素を用いることを特徴とする請求項1に記載のシリコンの製造方法。
- 原料のスラグとして化学組成が、CaO:35〜50重量%、Al2 O3 :10〜20重量%、SiO2 :30〜45重量%のものを使用することを特徴とする請求項1または2に記載のシリコンの製造方法。
- 原料のスラグが、鉄鋼製造工程の高炉で2次的に生成するスラグであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のシリコンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22447997A JP3839925B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | シリコンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22447997A JP3839925B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | シリコンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1160229A JPH1160229A (ja) | 1999-03-02 |
JP3839925B2 true JP3839925B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=16814449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22447997A Expired - Fee Related JP3839925B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | シリコンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3839925B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008010744B4 (de) * | 2008-02-20 | 2010-09-30 | CBD Labs Pty Ltd., Double Bay | Reduktion von Siliziumdioxid |
JP5612264B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2014-10-22 | 株式会社アドマテックス | 球状シリカ粉末製造用ケイ素含有合金及びその製造方法、並びに球状シリカ粉末 |
CN104609424A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-05-13 | 东至绿洲环保化工有限公司 | 一种有机硅制作炉 |
CN206372945U (zh) * | 2016-12-09 | 2017-08-04 | 永平县泰达废渣开发利用有限公司 | 一种用于硅渣分离的自动控制系统 |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP22447997A patent/JP3839925B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1160229A (ja) | 1999-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107651691B (zh) | 一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法 | |
BR0211193B1 (pt) | processo de produção de silìcio de qualidade fotovoltáica a partir de silìcio metalúrgico afinado ao oxigênio ou ao cloro e contendo menos de 500 ppm de elementos metálicos. | |
EP3554998B1 (en) | Process for the production of commercial grade silicon | |
Ahmed et al. | Parameters affecting energy consumption for producing high carbon ferromanganese in a closed submerged arc furnace | |
Olsen et al. | SILICOMANGANESE PRODUCTION œ PROCESS UNDERSTANDING | |
JP3839925B2 (ja) | シリコンの製造方法 | |
WO1994011540A1 (en) | Process for producing alloy utilizing aluminum dross | |
CN107267780A (zh) | 一种钒铝合金的生产方法 | |
CN105838971B (zh) | FeV50合金的制备方法 | |
US4363657A (en) | Process for obtaining manganese- and silicon-based alloys by silico-thermal means in a ladle | |
JP2001073021A (ja) | 金属精錬用フラックスおよびその製造方法 | |
JPS63500873A (ja) | バナジウムスラグとその製造法 | |
RU2455379C1 (ru) | Способ выплавки низкоуглеродистых марганецсодержащих сплавов | |
Cao et al. | Effect of Al and MgO on the simultaneous alloying of diamond wire saw silicon waste and Ti-bearing blast furnace slag | |
Lindvall et al. | Recovery of vanadium from V-bearing BOF-slag using an EAF | |
CN113265536A (zh) | 一种硅铁冶金副产物循环再利用的方法 | |
JPS5940209B2 (ja) | 鉱石のリンを除去する方法 | |
CN103667833A (zh) | 一种利用高碳锰铁生产低碳锰铁的方法 | |
GB2094354A (en) | Producing Mn-Fe alloy by carbothermic reduction | |
CN115029555B (zh) | 一种利用工业固废生产制备超低碳硅基多元合金的方法 | |
JPH02239138A (ja) | 製綱スラグの改質方法 | |
RU2148102C1 (ru) | Способ получения ферромарганца | |
CN116656977A (zh) | 一种用硅渣制备硅铝合金的方法 | |
CN108118235A (zh) | 一种用碳化硅冶炼硅铁的方法 | |
WO2013157694A1 (ko) | 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060804 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120811 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 7 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 7 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |