JP3830045B2 - 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ光の照射により記録膜の反射率あるいは光学的位相を変化させて記録を行う光学的情報記録媒体、特に相変化光ディスクに関し、また、光学的情報記録媒体を用いて光学的情報の記録・再生を行う光学的情報記録再生装置に関する。

相変化光ディスクでは、結晶−非晶質間で可逆的な状態変化を起こす記録膜に対してレーザ光を照射し、記録膜の反射率あるいは光学的位相を変化させることで情報の記録再生が行われる。情報を記録する際には、ディスク製造直後は非晶質状態にある記録膜に、レーザ光を照射して結晶化させた後（この行程は初期化と呼ばれる）、レーザ光を照射して記録膜を非晶質化させることで記録が行われる。記録膜の代表的な例として、ＧｅＴｅ、ＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等がよく知られている。

相変化光ディスクの記録容量を増加させる技術として、近年、信号処理技術や基板のトラッキング用の案内溝内及び案内溝間の両方に記録を行うランド・グルーブ記録技術、あるいは、光学的な回折限界よりも微小なマークの再生を可能とする超解像再生技術などが試みられている。これらの技術に加えて、レーザ入射面を同一としたまま、記録面の数を増やす多層ディスクも記録容量増加のための選択肢の１つである。特に、記録膜を２層用いる２層ディスクは、ディスクあたりの容量を大幅に増大させることができることから、精力的に研究開発が進められている。

この２層ディスクでは、単純には単層ディスクに比べて容量を最大２倍にまで増大できる可能性がある。実際、赤色の半導体レーザを用いたＤＶＤ−ＲＯＭでは、単層４．７ＧＢ、２層では約２倍の９ＧＢのディスクが商品化されている。

レーザ入射面を同一とする２層ディスクにおいては、図２に示すように、入射面に近い側のディスクをＬ０ディスク１０、入射面から遠い側のディスクをＬ１ディスク２０と定義する。なお、以下では、Ｌ０ディスク、Ｌ１ディスクを、レイヤと称することがある。これらレイヤ１０（２０）では、基板１１（２１）上（下）に誘電体膜１２（２２）、記録膜１３ａ（２３ａ）、誘電体膜１４（２４）、反射膜１５（２５）が設けられている。レイヤ１０とレイヤ２０とは、中間層１６を介してレイヤＬ０中の反射膜１５とレイヤＬ１中の誘電体膜２２とが貼り合されたものである。

このレイヤＬ１に記録された情報を再生するためには、レイヤＬ０が情報の再生に使用される半導体レーザに対して、一定の透過率を有する必要がある。レイヤＬ０の透過率をＴ０、レイヤＬ１単体での反射率をＲ１とすると、２層ディスクにおいてディスクＬ１を再生する際のレイヤＬ１の実効的な反射率はＴ０^２×Ｒ１に低下してしまう。仮に、Ｔ０を０．３（３０％）とすると、レイヤＬ１の実効的な反射率はディスクＬ１単体での反射率の９％にまで低下してしまう。

ディスクＬ１の実効的な反射率を確保するために、ディスクＬ０の透過率は０．５（５０％）程度必要である。ディスクＬ０の透過率を高めすぎると、ディスクＬ０の反射率が低下し、ディスクＬ０に記録された信号の品質が劣化するので、ディスクＬ０、Ｌ１両方について十分な特性を確保するには、ディスクＬ０の透過率は、０．５程度であることが望ましい。

この記録膜構成元素の組み合わせとして、ＩｎＧｅＳｂＴｅ記録膜に関しては、書き換え回数の向上を目的として、例えば特許文献１に記述があるが、ＩｎはＳｂを置換する形ではなく、母組成であるＧｅＳｂＴｅの一部を置換する形、すなわち、（ＧｅＳｂＴｅ）_1-yＩｎ_yとして添加されている（例えば、特許文献１参照）。さらに、特許文献１では、０．０３≦ｙ≦０．３の範囲が好適であるとしているのに対し、後述するように、Ｓｂの一部をＩｎで置換する場合には、より少量のＩｎ添加で顕著に記録特性を改善することができる。
特開平７−２２３３７２号公報

相変化光ディスクに用いられている記録膜１３ａ（２３ａ）は、情報の記録再生を行うレーザ光に対して一定の吸収率を有しているので、０．５程度の透過率を確保するためには、記録膜１３ａ（２３ａ）の膜厚を薄くする必要がある。単層で用いられる相変化記録膜では、記録膜の膜厚は１３〜２５ｎｍの範囲に設定されているのが一般的である。これに対し、透過率０．５程度を確保するためには、従来、記録膜１３ａ（２３ａ）の膜厚を６ｎｍ程度にまで薄くしなければならなかった。しかしながら、記録膜の膜厚を６ｎｍ程度まで薄くした場合には、結晶化速度が低下するために、消去性能が劣化したり、情報の書き換えが可能な繰り返し回数が減少したりするという別の問題が生じる。

従来、記録膜厚が薄くなった場合、消去性能の低下を防止するために、記録膜１３ａ（２３ａ）と誘電体膜１２、１４（２２、２４）の間にＧｅＮあるいはＳｉＮ等に代表される界面層を付加していた。しかしながら、このような界面層の付加は、ディスクの製造工程を煩雑にし、ディスク製造コストを増加させる。

そこで本発明の目的は、界面層を付加することなく、２層ディスクにおいて、一定の透過率を確保しつつ、消去性能に優れ、かつ、繰り返し特性に優れた光学的情報記録媒体を提供することにある。

本発明の一実施形態は、レーザ光照射により記録膜の反射率あるいは光学的位相を変化させて記録を行う光学的情報記録媒体であって、記録膜の組成として （ＧｅＴｅ）_ｘＳｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３を用い、この記録膜の組成比率が０．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８ の範囲で示される成分を主成分とすることを特徴とする。

この一実施形態では、記録膜の膜厚を、６ｎｍ以上１３ｎｍ以下とすることができる。また、情報記録層は、記録膜を、誘電体膜により挟んで形成される。この情報記録層が透明基板上に形成される。情報記録層の、入射光と反対側となる側に反射膜を設けることにより、情報記録層が１層の光学的情報記録媒体が形成される。

情報記録層が２層の光学的情報記録媒体は、次のように構成される。即ち、この２層の光学的情報記録媒体は、
レーザ光が入射される透明な第１の基板と；
この透明な第１の基板上に設けられた第１の情報記録層と；
この第１の情報記録層上に設けられた第１の反射膜と；
この第１の反射膜上に設けられた中間層と；
この中間層上に設けられた第２の情報記録層と；
この第２の情報記録層上に設けられた第２の反射膜
とからなる光学的情報記録媒体であり、
前記第１、第２の情報記録層の各々は、記録膜を、第１の誘電体層と第２の誘電体層とが挟むように構成され、
前記第１、第２の情報記録層の記録膜は、その組成が（ＧｅＴｅ）_xＳｂ_2-yＩｎ_yＴｅ₃で表され、その組成比率が０．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８の範囲で示される成分を主成分とすることにある。

また、本発明の光学的情報記録媒体において、基板としては、例えば、ポリカーボネートやガラスを用いることができる。また、第１、第２の誘電体膜としては、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＴａＯ_x、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂等やこれらの積層膜を用いることができる。また、反射膜としては、膜厚１０ｎｍ前後、８〜１２ｎｍのＡｇやＡｕを用いることができる。

本発明の光学的情報記録再生装置の構成は、前述のいずれかに記載の光学的情報記録媒体を用いて、波長４００〜４３０ｎｍの半導体レーザにより光学的情報の記録あるいは再生が行われることを特徴とする。

本発明に係る光学的情報記録媒体を用いることにより、記録膜厚を低減した場合に、界面層を付加することなく、一定の透過率を確保しつつ、消去性能に優れ、かつ、繰り返し特性に優れた光学的情報記録媒体を提供することが可能となる。特に、記録膜厚が８ｎｍであっても、透過率５０％以上を確保することが可能である。また、本発明にかかる光学的情報記録媒体を用いることにより、波長４００〜４３０ｎｍの半導体レーザを用いた光学的情報の記録再生に対して高いＣ／Ｎを得ることができる。さらに、本発明に係る光学的情報記録媒体を用いることにより、クロス消去特性を改善させ、記録密度を向上させることが可能となる。

図１は本発明の一実施形態に係る光学的情報記録媒体媒体の構成を示す断面図である。図示したとおり、本発明に係る２層の光学的情報記録媒体は、レイヤＬ０（１０）とレイヤＬ１（２０）と、レイヤＬ０とレイヤＬ１とを貼りあわせるための中間層１６とからなる。なお、本発明においては、レイヤＬ０のみで、単層の光学的情報記録媒体とすることもできるが、以下の説明では、２層の光学的記録情報媒体を中心にして説明する。

基板１１（２１）としては、ポリカーボネート（ＰＣ）基板やガラス基板を用いることができる。基板１１（２１）には、情報の記録再生を行うレーザ光のトラッキング用の案内溝が通常形成されている（図示せず）。Ｌ０ディスク１０は、基板１１上に、誘電体膜１２、記録膜１３、誘電体膜１４、反射膜１５を順次積層した構成となっている。

誘電体膜１２、１４としては、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、ＴａＯ_ｘ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２等やそれらの積層膜を用いることができる。記録膜１３には、（ＧｅＴｅ）_ｘＳｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３を主成分として用いる。主成分の比率は９５％以上であることが望ましく、主成分以外にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎ_２、Ｃｏ等の元素を添加しても良い。ディスクＬ０の反射膜１５には、一定の透過率が要求されるため、膜厚８〜１２ｎｍ程度のＡｇ、Ａｕ等が用いられるのが一般的である。必要に応じて、ディスクの機械特性向上や耐久性向上のために、反射膜１３上にさらに誘電体膜を付加してもよい。

２層ディスクでは、レーザ光の入射面は一つであるため、ディスクＬ１は、基板２１上に、反射膜２５、誘電体膜２４、記録膜２３、誘電体膜２２を順次積層した構成となっている。Ｌ１ディスク２０に使用される誘電体膜２２，２４、記録膜２３は、ディスクＬ０と同様の材料を用いることが可能である。

Ｌ１ディスク１０の反射膜１５には、一定の透過率は不要であり、通常の光学的情報記録媒体（ＤＶＤ−ＲＡＭあるいはＤＶＤ−ＲＷ等）でよく用いられている、膜厚１００ｎｍ程度のＡｌ、Ａｇ、あるいはＡｕを主成分とする金属膜を用いればよい。

Ｌ０、Ｌ１ディスク１０、２０を各々スパッタリング法などにより作製した後、紫外線硬化樹脂あるいは透明テープ等を用いて中間層１６を形成し、両ディスクを貼りあわせることで２層ディスクの形態となる。この中間層１６は、ディスクＬ０に記録されたデータがディスクＬ１の再生時にノイズとして混入すること及びディスクＬ１に記録されたデータがディスクＬ０再生時にノイズとして混入することを抑制する役割も果たしている。

また、本発明にかかる光学的情報記録媒体は、波長４００〜４３０ｎｍの半導体レーザを用いた光学的情報の記録再生に対して特に顕著な効果を有するものである。

本発明にかかる光学情報記録装置の構成の１例を図３に示す。ディスク３０上に記録すべき情報（記録情報）はＣＰＵ３１からレーザ駆動装置３２へと送られ、記録を行うレーザのパワーやパルス幅は該記録情報に応じてレーザ駆動装置３２により制御される。また、２層のどちらのレイヤに記録を行うかという選択信号はＣＰＵ３１より供給され、該選択信号に応じて光ヘッド３３の集光位置をレイヤ間で切り替えることとなる。光ヘッド３３から発せられた情報は、再生信号３４、次いでデータ識別器３５を介して再生データとなる。

厚さ０．６ｍｍのＰＣ基板１１を用いて、記録膜１３の厚さを８ｎｍ一定とし、異なる記録膜組成（（ＧｅＴｅ）_ｘＳｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３において、ｘ及びｙを変化させる。）のディスクＬ０を作製し、記録再生評価を行った。いずれのディスクにおいても透過率は０．５（５０％）以上であり、本発明に係る光学的情報記録媒体では、記録膜厚８ｎｍであっても、十分高い透過率を確保することが可能である。ＰＣ基板としては、ピッチ０．４５μｍ、深さ２５ｎｍの案内溝が形成された基板を用い、案内溝内に記録を行った。誘電体膜１２、１４にはＺｎＳ−ＳｉＯ_２、反射膜１５には厚さ１０ｎｍのＡｇを用いた。

線速５．６ ｍ／ｓでディスクを回転させ、クロック周波数６０ＭＨｚ（Ｔ＝１５．１５ｎｓ）において、８Ｔ信号上に３Ｔマークをオーバライトして、８Ｔ信号の消去率を測定した。記録再生には、波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）０．６５の光ヘッドを用いた。記録膜組成と消去率の関係を、次の表１にまとめる。

表１から分かるように、４≦ｘ≦８の範囲において、０．０４≦ｙの場合に、８ｎｍと薄い記録膜に対しても高い消去率（２５ｄＢ以上）を得ることができる。

本実施例は、実施例１と同じＰＣ基板１１上に、記録膜１３の厚さを８ｎｍ一定とし、異なる記録膜組成（ＧｅＴｅ）_ｘＳｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３（においてｘ及びｙを変化）のディスクＬ０を作製し、記録再生評価を行った。線速５．６ｍ／ｓでディスクを回転させ、クロック周波数６０ＭＨｚ（Ｔ＝１５．１５ｎｓ）において、８Ｔ信号を記録して、８Ｔ信号のＣ／Ｎを測定した。

記録再生には、波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）０．６５の光ヘッドを用いた。記録膜組成とＣ／Ｎ及び記録パワーの関係を表２にまとめる。

この表２から分かるように、ｘ≧４の場合に高いＣ／Ｎが得られる。ただし、ｘが大きくなるにつれ、記録に要するパワーも増加し、特にｘ＞８では顕著に記録パワーが増加してしまう。高い記録パワーはレーザへの負荷を増加させ、レーザの品質劣化を加速させてしまうので、記録パワーは低い方が好ましい。記録膜の組成範囲としては、４≦ｘ≦８の範囲が好適である。

実施例１及び実施例２より、（ＧｅＴｅ）_ｘＳｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３において、高い消去率、高いＣ／Ｎ（記録パワーの大幅な増加を伴わずに）が得られる組成範囲は、４≦ｘ≦８，０．０４≦ｙ＜２であることが分かる。

なお、表２に示した（ｘ，ｙ）＝（３．５，０．１）と（４，０．１）の記録膜１３を用いたそれぞれのディスクについて、波長６６０ｎｍの赤色半導体レーザにより記録を行ってＣ／Ｎを評価したところ、両ディスク間でＣ／Ｎの違いはほとんど見られなかった。従って、ｘの値を変化させることでＣ／Ｎに顕著な改善が見られるのは、青紫色半導体レーザ（波長４００〜４３０ｎｍ）を用いた場合である。
［比較例１］

実施例１と同じＰＣ基板上に、記録膜１３の厚さ及び記録膜１３の組成を変化させて（（Ｇｅ_６Ｓｂ_２Ｔｅ_９）_１−ｙＩｎ_ｙ 記録膜１３においてｙを変化させる。）ディスクＬ０を作製し、記録再生評価を行った。誘電体膜１２、１４にはＺｎＳ−ＳｉＯ_２ 、反射膜１５には厚さ１０ｎｍのＡｇを用いた。

本比較例におけるＩｎ添加前の母組成Ｇｅ_６Ｓｂ_２Ｔｅ_９は、本発明においてｘ＝６の場合に相当する。線速５．６ｍ／ｓでディスクを回転させ、クロック周波数６０ＭＨｚ（Ｔ＝１５．１５ｎｓ）において、８Ｔ信号上に３Ｔマークをオーバライトして、８Ｔ信号の消去率を測定した。この録再生には、波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）０．６５の光ヘッドを用いた。記録膜組成と消去率及び透過率の関係を、次の表３にまとめる。ＧｅＳｂＴｅの一部を置換する形でＩｎを添加しても、記録膜厚が薄くなった場合の消去率低下は抑制できないことが表３から分かる。

本実施例は、厚さ０．６ｍｍのＰＣ基板１１を用いて、記録膜１３の厚さを変化させてディスクを作製し、記録再生評価を行った。記録膜１３の組成は（ＧｅＴｅ）_ｘＳｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３において、ｘ＝６、ｙ＝０．１とした。ＰＣ基板１１上にＺｎＳ−ＳｉＯ_２（１２）、記録膜１３、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（１４）、Ａｇ反射膜１５を順次積層した。ＰＣ基板１１としては、ピッチ０．６８ｕｍ、深さ４５ｎｍの案内溝が形成された基板を用い、案内溝内及び案内溝間の平坦部両方に記録（ランド・グルーブ記録）を行った。線速５．６ ｍ／ｓでディスクを回転させ、クロック周波数６０ＭＨｚ（Ｔ＝１５．１５ｎｓ）において、８Ｔ信号上に３Ｔマークをオーバライトして、８Ｔ信号の消去率を測定した。

また、別のトラックにおいて、８Ｔ信号を１００００回繰り返しオーバライトして８Ｔ信号のＣ／Ｎを測定した。さらに、別トラックにおいて、３Ｔ信号をグルーブ（案内溝内）に記録し、３Ｔ信号のキャリア（Ｃ０）を測定した後、隣接するランド（案内溝間の平坦部）に８Ｔ信号を１００回オーバライトし、その後、再度グルーブにおいて３Ｔ信号のキャリア（Ｃ１）を測定することで、クロス消去（Ｃ１−Ｃ０）の測定を行った。

記録再生には、波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）０．６５の光ヘッドを用いた。記録膜厚と消去率、Ｃ／Ｎ、クロス消去の関係を表４にまとめる。この記録膜厚を５ｎｍまで薄くすると、消去率及び繰り返し特性（１００００回オーバライト後の８ＴＣ／Ｎ）が大幅に劣化することから、記録膜厚は６ｎｍ以上であることが望ましい。また、本発明に係る記録膜では、記録膜厚を１５ｎｍまで厚くすると繰り返し特性が劣化することから、好適な記録膜の膜厚範囲は６ｎｍ以上１３ｎｍ以下であることが、次の表４から分かる。

さらに、本発明に係る記録膜は非常に良好なクロス消去特性を有していることが表４から分かる。従って、本発明に係る記録膜は２層ディスクのディスクＬ０への適用にとどまらず、従来の１層タイプの光学的情報記録媒体の記録膜として用いた場合でも、その優れたクロス消去特性により、記録密度の向上が可能であるという顕著な効果を有している。

１層タイプの場合の光学的情報記録媒体の構成例を図４に示す。レーザ光が入射される透明基板４１と該透明基板４１上に形成された情報記録層とを含み、情報記録層は前記透明基板４１上に形成された第１の誘電体膜４２と、この第１の誘電体層４２上に形成された記録膜４３と、この記録膜４３上に形成された第２の誘電体膜４４とからなり、前記第２の誘電体膜４４上には反射膜４５が形成された光学的情報記録媒体である。記録膜の組成は、主成分が（ＧｅＴｅ）_ｘＳｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３で表され、この主成分の組成比率が０．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８の範囲にある。基板として０．６ｍｍ厚の基板を用いる場合には、通常、図４に示すように、紫外線硬化樹脂層や透明テープからなる中間層４６を介して情報記録層が形成されていない基板４７と貼り合わせる構成を取る。

また本発明にかかる記録膜を２層ディスクに適用する場合には、一定の透過率が要求されるディスクＬ０の記録膜として本発明に係る膜厚８ｎｍ程度の記録膜を用い、透過率に制約の無いディスクＬ１の記録膜として本発明に係る膜厚１２ｎｍ程度の記録膜を用いることで、繰り返し特性に優れ、高密度記録が可能な２層ディスクを簡便に実現することが可能となる。本発明に係る記録膜は消去率の膜厚依存が小さいことから、同一組成の記録膜を用いて、膜厚を変化させるのみでディスクＬ０、Ｌ１を作製することができる。

Ｉｎ添加によるクロス消去低減効果をさらに詳細に調べるため、実施例３と同様の測定を行った。この測定において、基板や保護膜、反射膜は実施例３と同一のものを用いた。記録膜は膜厚を１２ｎｍ一定とし、組成を（ＧｅＴｅ）_６Ｓｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３において、ｙ＝０．０２〜０．３の範囲で変化させた。実施例３と同様にクロス消去の測定を行った結果を表５に示す。

表５から分かるように、ＩｎでＳｂを置換する形で所定量（具体的にはｙ≧０．０４）添加することでクロス消去を大幅に低減することが可能である。なお、記録膜の膜厚を８ｎｍとした実施例１の場合には表１に示したように、ｙ＝０．３において消去率が２６ｄＢ程度であったが、記録膜の膜厚を１２ｎｍとした本実施例では、Ｉｎの添加量が多くても消去率はあまり劣化せず、ｙ＝０．４においても消去率は２８ｄＢ程度の高い値が得られた。

なお、本発明に係る光学的情報記録媒体の形態として、０．６ｍｍ厚さの基板（光透過層）を用いた実施例について記述したが、本発明に係る光学的情報記録媒体は、異なる厚さの光透過層、例えば、厚さ０．１ｍｍの光透過層を用いたディスクにも適用することが可能である。

本発明の一実施形態の光学的情報記録媒体の構成を説明する断面図である。 従来例の光学的情報記録媒体の構成例を説明する断面図である。 本発明にかかる光学情報記録装置の構成の１例を示す図である。 １層タイプの場合の光学的情報記録媒体の構成例を示す図である。

符号の説明

１０，２０，３０ ディスク
１１，２１ 基板
１２，１４，２２，２４ 誘電体膜
１３，１３ａ，２３，２３ａ 記録膜
１５，２５ 反射膜
１６ 中間層
３１ ＣＰＵ
３２ レーザ駆動装置
３３ 光ヘッド
３４ 再生信号
３５ データ識別器
４１ 透明基板
４２ 第１の誘電体膜
４３ 記録膜
４４ 第２の誘電体膜
４５ 反射膜
４６ 中間層
４７ 情報記録層が形成されていない基板

Claims (11)

1. レーザ光の照射により記録膜の反射率あるいは光学的位相を変化させて記録を行う光学的情報記録媒体であり、
   前記記録膜はその組成が（ＧｅＴｅ） _x Ｓｂ ₂ −ｙＩｎ _y Ｔｅ ₃ で表され、該組成比率が０．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８の範囲により示される成分を主成分として含有することを特徴とする光学的情報記録媒体。
2. レーザ光の照射により記録膜の反射率あるいは光学的位相を変化させて記録を行う光学的情報記録媒体であり、かつ、前記レーザ光が入射される透明な第１の基板(１１)と、
   この透明な第１の基板上に設けられた第１の情報記録層と、
   この第１の情報記録層上に設けられた第１の反射膜（１５）と、
   この第１の反射膜上に設けられた中間層（１６）と、
   この中間層上に設けられた第２の情報記録層と、
   この第２の情報記録層上に設けられた第２の反射膜（２５）と、
   この第２の反射膜上に設けられた第２の基板（２１）
   とからなる光学的情報記録媒体であり、
   前記第１、第２の情報記録層の各々は、記録膜（１３；２３）を、第１の誘電体層（１ ２；２２）と第２の誘電体層（１４；２４）とが挟むように構成され、
   前記第１、第２の情報記録層の記録膜は、その組成が（ＧｅＴｅ）_xＳｂ_2-yＩｎ_yＴ ｅ₃で表され、その組成比率が０．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８の範囲により示される成分を主成分として含有することを特徴とする光学的情報記録媒体。
3. 前記記録膜の膜厚が６ｎｍ以上１３ｎｍ以下である請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
4. 前記第１の反射膜の厚さが８ｎｍ以上１２ｎｍ以下である請求項３に記載の光学的情報記録媒体。
5. レーザ光の照射により記録膜の反射率あるいは光学的位相を変化させて記録を行う光学的情報記録媒体であり、
   前記レーザ光が入射される透明基板（４１）と、
   この透明基板上に形成された情報記録層であり、前記透明基板上に形成された第１の誘 電体層（４２）と、
   この第１の誘電体層上に形成された記録膜（４３）と、この記録膜上に形成された第２ の誘電体層（４４）とを含む情報記録層と、
   前記第２の誘電体層上に形成された反射膜（４５）とからなる光学的情報記録媒体であ り、
   前記記録膜の組成が（ＧｅＴｅ）_xＳｂ_2-yＩｎ_yＴｅ₃で表され、この組成比率が０ ．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８の範囲により示される成分を主成分として含有することを特徴とする光学的情報記録媒体。
6. 前記記録膜の膜厚が６ｎｍ以上１３ｎｍ以下である請求項５に記載の光学的情報記録媒体。
7. 光学的情報記録媒体と、この光学的情報記録媒体にレーザ光を照射する光学ヘッドと、このレーザ光が前記光学的情報記録媒体の所望の位置に照射されるように前記光学ヘッドを駆動する駆動機構とを備えた光学的情報記録再生装置であり、
   前記光学的情報記録媒体は、
   前記レーザ光が入射される透明な第１の基板（１１）と、
   この透明な第１の基板上に設けられた第１の情報記録層と、
   この第１の情報記録層上に設けられた第１の反射膜（１５）と、
   この第１の反射膜上に設けられた中間層（１６）と、
   この中間層上に設けられた第２の情報記録層と、
   この第２の情報記録層上に設けられた第２の反射膜（２５）と、
   この第２の反射膜上に形成された第２の基板（２１）とからなる光学的情報記録媒体であり、
   前記第１、第２の情報記録層は、記録膜（１３；２３）を、第１の誘電体層（１２；２２）と第２の誘電体層（１４；２４）が挟むことにより構成され、
   前記第１、第２の情報記録層の記録膜は、その組成が（ＧｅＴｅ）_xＳｂ_2-yＩｎ_yＴｅ₃で表され、その組成比率が０．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８の範囲により示される成分を主成分として含有することを特徴とする光学的情報記録再生装置。
8. 前記記録膜の膜厚が６ｎｍ以上１３ｎｍ以下である請求項７に記載の光学的情報記録再生装置。
9. 前記第１の反射膜の厚さが８ｎｍ以上１２ｎｍ以下である請求項８に記載の光学的情報記録再生装置。
10. 光学的情報記録媒体と、この光学的情報記録媒体にレーザ光を照射する光学ヘッドと、このレーザ光が前記光学的情報記録媒体の所望の位置に照射されるように前記光学ヘッドを駆動する駆動機構とを備えた光学的情報記録再生装置であり、
    前記光学的情報記録媒体は、
    前記レーザ光が入射される透明基板（４１）と、
    この透明基板上に形成された情報記録層であり、前記透明基板上に形成された第１の誘電体層（４２）と、
    この第１の誘電体層上に形成された記録膜（４３）と、この記録膜上に形成された第２の誘電体層（４４）とを含む情報記録層と、
    前記第２の誘電体層上に形成された反射膜（４５）とからなる光学的情報記録媒体であり、
    前記記録膜の組成が（ＧｅＴｅ）_xＳｂ_2-yＩｎ_yＴｅ₃で表され、この組成比率が０．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８の範囲により示される成分を主成分として含有することを特徴とする光学的情報記録再生装置。
11. 前記記録膜の膜厚が６ｎｍ以上１３ｎｍ以下である請求項１０に記載の光学的情報記録再生装置。

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