JP3818087B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit device Download PDFInfo
- Publication number
- JP3818087B2 JP3818087B2 JP2001167996A JP2001167996A JP3818087B2 JP 3818087 B2 JP3818087 B2 JP 3818087B2 JP 2001167996 A JP2001167996 A JP 2001167996A JP 2001167996 A JP2001167996 A JP 2001167996A JP 3818087 B2 JP3818087 B2 JP 3818087B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bist
- circuit
- test
- state detection
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
内部回路の良否を自己検査するBIST回路を備えた半導体集積回路およびそれを用いた半導体検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来技術では、BIST回路のPASS/FAIL判定は、FAILフラグおよびENDフラグの両方を観測していた。FAILフラグはLからH、またはHからLに信号が変化するとFAILと判定し、ENDフラグは所定の位置で変化しなかったらFAILと判定している。
【0003】
この判定方法では、BIST回路がテストモードに入ったかどうかは上記FAILフラグとENDフラグでは観測できない。すなわち、図5のタイミングチャートのように、BIST回路がテストモードに入らなかった場合、FAILフラグが変化せず、所定のENDフラグの位置までテストを実施しなければテストが終了できない。
【0004】
また、BIST回路が複数種類のテストをすることができる場合、それら複数種類の動作を規定する設定状態(アルゴリズム、パターン)を外部から観測できないため、BIST回路内部に未検出故障が存在すると、BIST回路の動作を規定する設定状態(アルゴリズム、パターン)を変えようとしても、意図した状態にならない場合があり、正しくテストされない(テスト項目が洩れる)可能性がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
BISTテストはテスト回路をLSI内部に組み込むことにより、良否を自己検査するものであるが、従来構成では、無駄なテスト時間の発生および、テスト項目を洩らしてしまう可能性を有していた。
【0006】
整理すると、以下の2つの課題を有することになる。
(1)回路の故障やBISTテストモード設定不具合によりBISTテストモードに入らなかった場合、FAILフラグは変化しないため、所定のENDフラグの位置まで進まなければテストが終了しないという問題があった。
(2)BIST回路内部に未検出故障回路があった場合、テスト設定状態が意図したものと異なり、正しくテストされていない可能性があり、必要なテスト項目を全て行っていなかったという問題点があった。
【0007】
そこで、本発明は上記従来の問題点を解決する半導体集積回路装置および半導体検査方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体検査装置は以下の手段を講じる。
【0009】
第1に、BIST回路がテストモードに入ったことを検知するBIST状態検知回路を設ける。これにより、BIST状態検知回路の信号を外部信号として出力し、テストモードに入っていない場合、テストを終了させることができる。
【0010】
第2に、BISTの動作を規定する設定状態によりBIST状態検知フラグの外部出力タイミングを変える遅延調整回路を設ける。これにより、BIST内部に未検出故障があり、その影響で正しくテストされない場合、そのチップを不良品として判定できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)
以下、本発明の第1の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0012】
図1は本発明の半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
【0013】
BIST回路1は半導体回路内部にテスト対象のパターンを発生させるパターン発生回路2、テスト対象のテスト内容を設定するモード設定回路3と、テスト結果を比較する比較回路4を備えている。
【0014】
BIST回路1によるテストは、モード設定回路3により規定されたテストを実施するために、パターン発生回路2でテストパターンを発生し、テスト対象となる半導体回路内部のテスト対象回路6を自己テストし、比較回路4により期待値比較を行い検査装置7にその判定結果を認識させる。
【0015】
BIST状態検知回路5は、BIST回路1のBIST状態を検知するもので、テストモードであるか否かを検知し、その結果を外部(検査装置7)へ出力するよう構成されている。具体的には、BIST状態検知回路5は、BIST回路1内部のBIST設定レジスタ9の信号を観測する。
【0016】
図3は上記構成によるBIST状態検知フラグの様子を示すタイミングチャートである。
【0017】
BIST回路1がテストモードに入ると、BIST状態検知回路5はBIST回路1がテストモードであることを認知し、BIST状態検知フラグ13(Hレベル)を外部(検査装置7)へ出力する。BIST回路1がテストモードに入っていない場合、BISTテストを終了させる。
【0018】
すなわち、BIST回路1によるテストを開始後、BIST回路1がテストモードに入っていなければ(状態検知フラグがHレベル出力されていなければ)、所定のENDフラグが立つ前にテストを終了させ、無駄な検査時間を使うことなく検査が可能となる。
【0019】
(実施形態2)
次いで、本発明の第2の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0020】
図2は本発明の半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
【0021】
BIST回路1およびBIST状態検知回路5の動作は実施形態1と同様であり、本実施形態の特徴は、BIST状態検知フラグ8を外部(検査装置7)へ出力するタイミングを変化させる機能を追加したことにある。
【0022】
BIST回路1が複数種類のテストをできる仕様であるとき、テストの種類に応じたBIST回路1の動作を規定するように、BISTモード設定レジスタ10に設定されている。BIST状態検知回路5は、BISTモード設定レジスタ10の信号を観測し、その信号状態に応じてBIST状態検知回路5内部にある遅延調整回路11により信号を遅延させ、BIST状態検知信号フラグ8の出力タイミングを変化させる。
【0023】
そして、検査装置7は、上記出力タイミングを参照することにより、BIST回路が現在どの種類のテストを行っているかを判定し、所望のテストが実施していない場合はそのデバイスのテストを終了させる。
【0024】
すなわち、図4に示すように、異なるテスト設定状態が3つある場合、BISTモード設定レジスタ10に設定された状態に応じて、BIST状態検知フラグ8の出力開始位置を14、15、16のように変化させることにより、現在行っているテスト設定状態を検査回路に認識させることが可能となる。
【0025】
例えば、メモリのBISTテストの場合、図4の14をマーチテスト表に、15をメモリマーチテスト裏に、16をチェッカーテストに割り当てることにより、BIST回路で行っているテストの内容を検査回路7に認識させることができる。
【0026】
これにより、“メモリBIST回路内部に回路不良があった場合、BIST設定レジスタの値が変化しないことがあり、メモリの異なるテスト(マーチの表、裏等)に対して同じパターンがパターン発生器から発生され同一のテストを2回行うため、テストの一方が未検査項目となり、市場不良の原因となりうる”という従来の課題を解決できる。
【0027】
【発明の効果】
本発明は、BIST状態検知回路を設けることにより、FAILした場合、BIST状態に入らずにFAILしたか、内部回路の故障によりFAILしたかの切り分けが容易となり、量産試験時に、BIST状態に入らずにFAILした場合、BISTテストをストップさせ、無駄な検査時間を省くことができる優れた半導体検査を実現することができる。
【0028】
また、BISTの動作を規定する設定状態に応じてBIST状態検知フラグの出力開始タイミングを変化させることにより、現在行っているテスト設定状態を検査回路に認識させることが可能となる。その結果、BIST内部に未検出故障があり、その影響で正しくテストされない場合、そのチップを不良品として判定できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1における半導体集積回路装置の構成を示すブロック図
【図2】本発明の実施形態2における半導体集積回路装置の構成を示すブロック図
【図3】本発明の実施形態1におけるBIST状態検知フラグの様子を示すタイミングチャート
【図4】本発明の実施形態2におけるBIST状態検知フラグの様子を示すタイミングチャート
【図5】従来のBIST回路におけるフラグの様子を示すタイミングチャート
【符号の説明】
1 BIST回路
2 パターン発生回路
3 モード設定回路
4 比較回路
5 BIST状態検知回路
6 テスト対象回路(内部回路)
7 検査装置
8 BIST状態検知フラグ
9 BIST状態設定レジスタ
10 BISTモード設定レジスタ
11 遅延調整回路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit including a BIST circuit that self-inspects the quality of an internal circuit and a semiconductor inspection method using the same.
[0002]
[Prior art]
In the prior art, in the PASS / FAIL determination of the BIST circuit, both the FAIL flag and the END flag are observed. The FAIL flag is determined to be FAIL when the signal changes from L to H or from H to L, and the END flag is determined to be FAIL if the signal does not change at a predetermined position.
[0003]
In this determination method, whether the BIST circuit has entered the test mode cannot be observed with the FAIL flag and the END flag. That is, as shown in the timing chart of FIG. 5, when the BIST circuit does not enter the test mode, the FAIL flag does not change, and the test cannot be completed unless the test is performed up to the predetermined END flag position.
[0004]
Further, when the BIST circuit can perform a plurality of types of tests, the setting state (algorithm, pattern) that defines the plurality of types of operations cannot be observed from the outside, so that if there is an undetected failure in the BIST circuit, Even if an attempt is made to change the setting state (algorithm, pattern) that defines the operation of the circuit, the intended state may not be achieved, and there is a possibility that the test will not be performed correctly (test items may be leaked).
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the BIST test, a test circuit is incorporated in the LSI to self-inspect the quality. However, the conventional configuration has a possibility of generating unnecessary test time and leaking test items.
[0006]
When arranged, it has the following two problems.
(1) When the BIST test mode is not entered due to a circuit failure or a BIST test mode setting failure, the FAIL flag does not change, and therefore, there is a problem that the test is not completed unless the position reaches a predetermined END flag.
(2) If there is an undetected fault circuit in the BIST circuit, the test setting state may be different from the intended one, and the test may not be performed correctly, and all necessary test items have not been performed. there were.
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device and a semiconductor inspection method that solve the above-mentioned conventional problems.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the semiconductor inspection apparatus of the present invention takes the following means.
[0009]
First, a BIST state detection circuit that detects that the BIST circuit has entered the test mode is provided. Thereby, the signal of the BIST state detection circuit is output as an external signal, and when the test mode is not entered, the test can be terminated.
[0010]
Second, a delay adjustment circuit is provided that changes the external output timing of the BIST state detection flag according to a setting state that defines the operation of the BIST. Thereby, when there is an undetected failure in the BIST and the test is not correctly performed due to the influence, the chip can be determined as a defective product.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(Embodiment 1)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0012]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device of the present invention.
[0013]
The BIST circuit 1 includes a
[0014]
The test by the BIST circuit 1 is to generate a test pattern in the
[0015]
The BIST state detection circuit 5 detects the BIST state of the BIST circuit 1, detects whether or not the test mode is in effect, and outputs the result to the outside (inspection apparatus 7). Specifically, the BIST state detection circuit 5 observes the signal of the BIST setting register 9 in the BIST circuit 1.
[0016]
FIG. 3 is a timing chart showing the state of the BIST state detection flag configured as described above.
[0017]
When the BIST circuit 1 enters the test mode, the BIST state detection circuit 5 recognizes that the BIST circuit 1 is in the test mode, and outputs the BIST state detection flag 13 (H level) to the outside (inspection apparatus 7). If the BIST circuit 1 is not in the test mode, the BIST test is terminated.
[0018]
That is, after the test by the BIST circuit 1 is started, if the BIST circuit 1 is not in the test mode (if the state detection flag is not output at H level), the test is terminated before the predetermined END flag is set, and useless Inspection is possible without using a long inspection time.
[0019]
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0020]
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor integrated circuit device of the present invention.
[0021]
The operations of the BIST circuit 1 and the BIST state detection circuit 5 are the same as in the first embodiment, and the feature of this embodiment is that a function for changing the timing of outputting the BIST state detection flag 8 to the outside (inspection apparatus 7) is added. There is.
[0022]
When the BIST circuit 1 has specifications that allow a plurality of types of tests, the BIST mode setting register 10 is set so as to define the operation of the BIST circuit 1 according to the type of test. The BIST state detection circuit 5 observes the signal of the BIST mode setting register 10, delays the signal by the
[0023]
Then, the inspection device 7 determines which type of test the BIST circuit is currently performing by referring to the output timing, and terminates the test of the device if the desired test is not performed.
[0024]
That is, as shown in FIG. 4, when there are three different test setting states, the output start position of the BIST state detection flag 8 is set to 14, 15, 16 in accordance with the state set in the BIST mode setting register 10. By changing to, it is possible to make the inspection circuit recognize the current test setting state.
[0025]
For example, in the case of a memory BIST test, 14 in FIG. 4 is assigned to the march test table, 15 is assigned to the back of the memory march test, and 16 is assigned to the checker test. Can be recognized.
[0026]
As a result, “If there is a circuit failure in the memory BIST circuit, the value of the BIST setting register may not change, and the same pattern is generated from the pattern generator for different tests of the memory (front, back, etc.). Since the same test is generated twice, one of the tests becomes an uninspected item, which can cause a market failure. ”
[0027]
【The invention's effect】
By providing a BIST state detection circuit, the present invention makes it easy to determine whether a FAIL has occurred without entering the BIST state or has failed due to a failure of an internal circuit, and does not enter the BIST state during a mass production test. In the case of FAIL, the BIST test can be stopped, and an excellent semiconductor inspection that can save useless inspection time can be realized.
[0028]
Further, by changing the output start timing of the BIST state detection flag in accordance with the setting state that defines the operation of BIST, it is possible to make the test circuit recognize the currently performed test setting state. As a result, when there is an undetected failure in the BIST and the test is not correctly performed due to the influence, the chip can be determined as a defective product.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a timing chart showing a state of a BIST state detection flag in
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
7 Inspection Device 8 BIST State Detection Flag 9 BIST State Setting Register 10 BIST
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001167996A JP3818087B2 (en) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001167996A JP3818087B2 (en) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002368099A JP2002368099A (en) | 2002-12-20 |
JP3818087B2 true JP3818087B2 (en) | 2006-09-06 |
Family
ID=19010294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001167996A Expired - Fee Related JP3818087B2 (en) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3818087B2 (en) |
-
2001
- 2001-06-04 JP JP2001167996A patent/JP3818087B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002368099A (en) | 2002-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6928593B1 (en) | Memory module and memory component built-in self test | |
JP2002032998A (en) | Fault analyzing device for semiconductor memory | |
US20100107026A1 (en) | Semiconductor device having built-in self-test circuit and method of testing the same | |
JPH09166646A (en) | Semiconductor device | |
JP3818087B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US7634702B2 (en) | Integrated circuit apparatus having improved test circuit and method of testing the integrated circuit apparatus | |
EP1738375B1 (en) | Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories | |
JPH095402A (en) | Semiconductor memory test device | |
JP2000090693A (en) | Memory test device | |
US8531200B2 (en) | Semiconductor device for performing test operation and method thereof | |
JP2006292646A (en) | Method for testing lsi | |
JP2007248421A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH05119122A (en) | Formation of test pattern of scanning circuit | |
JP3043716B2 (en) | Semiconductor device test result determination circuit and test result determination method | |
JP2006064607A (en) | Ic tester | |
KR20000011796A (en) | Memory testing apparatus | |
JP4644966B2 (en) | Semiconductor test method | |
JP2003344488A (en) | Memory pause test method and test circuit for semiconductor integrated circuit | |
JP2004069642A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
KR20070017339A (en) | Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories | |
JPH03209699A (en) | Pattern memory circuit with self-checking circuit | |
JPH08136622A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH05281307A (en) | Semiconductor circuit | |
JP2003302451A (en) | Burn-in test determination device | |
JP2006030079A (en) | Lsi test device and lsi test method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040315 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050701 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060605 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |