[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3812642B2 - オルガノハロシランの製造方法 - Google Patents

オルガノハロシランの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3812642B2
JP3812642B2 JP2001037174A JP2001037174A JP3812642B2 JP 3812642 B2 JP3812642 B2 JP 3812642B2 JP 2001037174 A JP2001037174 A JP 2001037174A JP 2001037174 A JP2001037174 A JP 2001037174A JP 3812642 B2 JP3812642 B2 JP 3812642B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
metal
reaction
catalyst
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001037174A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002241384A (ja
Inventor
鉄也 犬飼
進 上野
紀夫 篠原
幹夫 荒又
陽一 谷藤
肇 石坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2001037174A priority Critical patent/JP3812642B2/ja
Priority to MYPI20020482A priority patent/MY126255A/en
Priority to US10/074,025 priority patent/US6506923B2/en
Publication of JP2002241384A publication Critical patent/JP2002241384A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3812642B2 publication Critical patent/JP3812642B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12Organo silicon halides
    • C07F7/16Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はオルガノハロシランの工業的製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
アルキルハロシランの合成法に関しては、USP2,380,995においてE.Rochowが銅触媒による金属珪素とアルキルハライドとの直接法を開示して以来、銅触媒の存在下で用いる種々の助触媒に関するもの、反応装置に関するもの、反応時の添加物に関するものなど、数多くの研究者によって、その成果の向上が報告されてきた。オルガノハロシランの工業的合成においては、シリコーン樹脂にもっとも多用されるジオルガノジハロシランの選択性、シランの生成速度及び金属珪素の有効シランへの高転換率が重要とされる。ジオルガノジハロシランの選択性は、生成シラン中の重量比(あるいはモル比)、及びT/D比により評価される。生成オルガノハロシラン中に含まれる物質としては、ジオルガノジハロシラン(D)、トリオルガノハロシラン(M)、オルガノトリハロシラン(T)などがあげられ、オルガノヒドロジハロシラン(H)やオルガノハロジシラン類も生成する。特に、この直接法によるオルガノハロシラン類を原料とするシリコーンの製造業者において、高留分と呼ばれるジシラン類は有効な製品への誘導が少なく殆どが残査として廃棄されている。T/D比とは全生成オルガノハロシラン中のオルガノトリハロシランとジオルガノジハロシランの組成比であり、T/D比が小さいほど好ましい。一方、オルガノハロシランの生成速度は、STY(Space Time Yield)値を用いる。STY値は反応器内に保持される金属珪素重量に対する単位時間当たりの生成粗オルガノハロシランの重量である。これら、生成ジオルガノハロシラン組成の向上あるいはT/D比の低下及びSTY値を向上させるため、触媒、助触媒を中心とした種々の研究がなされてきた。
【0003】
1959年1月24日付のソヴィエト出願明細書第617,569号(発明者証第122,749号)では、金属珪素−銅合金にアンチモンを20〜40ppmを添加した反応が開示されている。このときジメチルジクロロシランの組成は、40%から60%へ向上したことが示されている。また、USP4,500,724においては、200〜3000ppmの錫を含有する銅/亜鉛/錫系触媒を用いることにより、T/Dが0.037に向上したことが示されている。更に、特公平6−92421号公報においては、砒素濃度にして50ppm以上のヒ化銅を用いた反応が開示されている。これら錫、アンチモン、砒素助触媒は、金属珪素−銅からなる反応触体に添加することで反応活性を高め、従って金属珪素の反応率を向上させ得ることが述べられている。
【0004】
1964年6月2日付のソヴィエト出願明細書第903,369号(発明者証第178,817号)では、亜鉛、ビスマス、リン(200ppm)、砒素、錫、鉄から選択された助触媒を用いてジメチルジクロロシランの組成が前述の出願明細書第617,569号(発明者証第122,749号)から72.1%まで向上している。また、1969年11月20日付のソヴィエト出願明細書第1,152,943,号(発明者証237,892号)において、リン、銅、珪素、珪素合金の形態で触体に対して2500〜30000ppmのリンを添加することが示されており、ジメチルジクロロシラン組成は82.3%と改善されている。また、USP4,602,101(特公平5−51596号公報)においては、反応器内で元素状のリンが発生するリン化合物を触体に対して25〜2500ppm添加することが示されている。この特許の場合においては、ロシア特許に比べて反応成績が向上しているものの、発火性のある単体リンの使用など安全性や原材料のコストアップなどの問題があり、これも商業規模の反応器に適しているとは言い難い。また、F.Komitskyら(Silicon for the Chemical Industry IV, Geiranger,Norway(1998)P.217)は、リン化銅の様な形での添加も提案しているが、反応率が低く、リンの有効利用及びリン濃度のコントロールの困難さといった問題があった。USP6,025,513においては、意図的に硼素濃度を制御する触体系を使用することで、合理的に生産性を向上させる方法が開示されている。USP5,059,706においては、気相によりリン化合物を反応器に導入することにより、選択性を向上させる方法が開示されている。USP6,005,130では、オルガノモノホスフィンを導入することにより、選択性を向上させる方法が開示されている。しかしながら、従来のリンを主たる元素とした添加物の類は、活性と組成選択性とにおいて著しいトレードオフ現象がみられるものである。特に、リン由来の酸化物が粉体表面の流動性の悪化を招く等の指摘もあり、従来のリン含有添加物は、商業規模の連続操業においては、メリットが得にくいという特徴を有するものである。それら以外の添加剤としては、L.ROSCH、W.KALCHAUERら(Silicon for the Chemical Industry IV, Sandefjord, Norway,1996)が、モノメチルジクロロシランを導入することにより、活性を向上させる方法を開示している。しかしながら、それは初期のみ有効であり、商業規模の連続操業において持続的に効果を発揮するものとは言い難い。
【0005】
上記の提案にみられるように、従来は触媒を構成する元素に着目した提案が多かった中で、近年全く新しい視点から触媒作用が改善されてきている。特開2000−254506では、大きな歪みエネルギーを有し、熱的に活性な金属銅粉末を使用することにより、また、特開2000−296334では、鱗片状又はフレーク状の形態を有する銅粉末を使用することにより、工業的に有利なオルガノハロシラン製造方法が提案されている。
【0006】
しかしながら、これらオルガノハロシランの合成反応は、流動床、撹拌流動床、固定床の中における気体−固体の不均一反応であり、触体や触媒の粉体としての挙動が、その反応成績に大きく関わってくる。とりわけ、工業的に過剰の銅触媒や助触媒を使用することから、触体中の粉体の凝集が起こり、流動性が悪化し、生産性の低下をまねく場合があった。
【0007】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、有効シランの選択性を低下させることなく、生産速度を大幅に向上させることができるオルガノハロシランの製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、従来の直接法(Direct Method,Rochow法)を実施した場合にみられる現実的欠点を解決するために、即ち、過剰の銅触媒や助触媒を使用することにより、触体中の粉体の凝集が起こり、流動性が悪化し、生産性の低下をまねくという短所を解決することを目的とし、触媒の化学作用とその触媒粉末及びそれを含む触体の流動性のいずれをも良好に満たす触媒システムを構築するため鋭意努力した結果、アトマイズ法により製造された触媒金属粉末を有効量含む触体を使用するオルガノハロシランの製造方法を見出すに至ったものである。
【0009】
具体的には、電解法による樹脂状粉末、スタンピング法・粉砕法による角状粉末・片状粉末、熱処理法による粉末、化学還元粉によるフレーク状あるいは微結晶粉末ではなく、アトマイズ製法による触媒金属粉末を添加するとき、有効シランの生産速度を向上させることを知見したことに基づくものである。
【0010】
本発明者らは、直接法の触媒の機能を設計する上で、触媒粉末の製造方法が触媒粉末及びそれを含む触体の粉体特性を大きく改善すると考えた。本発明は、これを現実のものとするために、特に、球状の粉末を多く含むアトマイズ製法による触媒粉末を直接法に応用したもので、アトマイズ製法による触媒金属粉末を直接法で使用する本発明は、球状粉末を極微量の有効量含む触体を形成し、触体内の粉体流動性を改善し、有効シランの生産速度及びその持続性を向上させる方法であり、従来の改良法である触媒の短寿命の作用による改善処方とは全く異なる発想である。本発明者らは、この着想に基づき種々のアトマイズ製法による触媒金属粉末を体系的に鋭意検討した。その結果、本発明者らは、銅触媒の存在下に、金属珪素と有機ハライドとを反応させて有機ハロシランを合成するに際して、アトマイズ法により製造された触媒金属粉末を極微量の有効量含む触体を使用すると、とりわけ生産速度を向上させる効果を発揮し、しかも有効シラン量の比率を減ずることがなく、かつ有機ハロシランの収率を高めることができるという新知見を得るに至ったものである。
【0011】
従って、本発明は、銅触媒の存在下、金属珪素粒子とオルガノハライドを反応させることにより下記一般式(1)
nmSiX4-n-m (1)
(式中、Rは1価炭化水素基であり、Xはハロゲン原子を示し、n,mはそれぞれ0〜3の整数で、n+m=1〜3を満足する。)
で示されるオルガノハロシランを製造する方法において、金属珪素及び触媒成分からなる触体が、金属珪素粉末と、金属珪素粉末100重量部に対して0.1〜10重量部のアトマイズ法によらない銅触媒と、珪素全量に対して0.01〜5重量%のアトマイズ法により製造された触媒金属粉末とを含むことを特徴とするオルガノハロシランの製造方法を提供する。
【0012】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のオルガノハロシランの製造方法は、銅触媒の存在下、金属珪素粒子とオルガノハライドRXとの反応により、下記一般式(1)
SiX4−n−m (1)
で示されるオルガノハロシランを得るものである。
【0013】
ここで、金属珪素は、通常、珪素の純度が97重量%以上、特に純度が98重量%以上のものを用いることが好ましい。また、金属珪素は粉砕し、適当な粒度を持った粉末として使用することが好ましく、反応器として流動層反応器又は撹拌型反応器を用いる場合は、金属珪素粉末に良好な流動性を持たせるため、金属珪素粉末の粒子径は篩分による重量基準累積分布曲線の50%に相当する粒径として5〜150μmの範囲とすることが好ましい。
【0014】
また、オルガノハライドRXにおいて、Rは1価炭化水素基であり、Xはハロゲン原子であるが、Rは通常炭素数1〜10、特に1〜6の1価炭化水素基であり、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、好ましくはメチル基、フェニル基であり、特に好ましくはメチル基である。Xのハロゲン原子としては、Cl,Brを挙げることができる。オルガノハライドRXとして具体的には、塩化メチル、塩化エチル、塩化プロピル、臭化メチル、臭化エチル、塩化ベンゼン、臭化ベンゼンなどを例示することができる。この中で塩化メチル、塩化ベンゼンが好ましく、特に工業的に最も有用なものは塩化メチルであり、これを用いて製造されるジメチルジクロロシランは多くのシリコーン樹脂の原料として幅広い用途がある。
【0015】
なお、式(1)において、n,mはそれぞれ0〜3の整数で、n+mは〜3の整数であるが、主成分はn=2(Rが1価炭化水素基のもの)、m=0であり、生成オルガノハロシラン中、n=2、m=0のものを80重量%以上、より好ましくは85重量%以上含有するものであることが好ましい。
【0016】
銅触媒としては、銅粉末、スタンピング銅などの単体銅(金属銅)、あるいは酸化第一銅、酸化第二銅、塩化銅等のハロゲン化銅、酢酸銅などの銅化合物など、種々の形態のものを用いることができる。また助触媒として、亜鉛、錫、アンチモン、砒素などの種々の促進剤を用いてもよい。これら助触媒は、単独で用いても銅との合金等の形態で用いてもよく、銅との合金としては、Cu−Zn,Cu−Sn,Cu−Zn−Sn(又はSb,As)などが例示される。また、単独で用いる形態において、助触媒として具体的には、金属亜鉛、塩化亜鉛、酸化亜鉛、酢酸亜鉛の如き亜鉛化合物、金属錫、塩化錫、酸化錫の如き錫化合物、金属アンチモン、塩化アンチモン、酸化アンチモンの如きアンチモン化合物、金属アルミニウム、塩化アルミニウム、酸化アルミニウムの如きアルミニウム化合物、金属リン、三塩化リン、酸化リンの如き無機リン化合物、トリメチルホスフィン、トリフェニルホスフィンの如きモノアルキルホスフィンなどを例示することができる。これら銅触媒、助触媒は、反応器中に単独で仕込んでもよい。
【0017】
銅触媒の配合量は、金属珪素粉末100部(重量部、以下同じ)に対して銅量に換算して0.1〜10部、特に2〜8部とすることが好ましい。また、助触媒の配合量は、その種類、形態等に応じた公知の配合量において適宜選定され、例えば、亜鉛の配合量は金属珪素粉末100部に対して0.05〜1部、錫、アンチモン及び砒素の配合量は金属珪素粉末に対していずれか一種あるいは合計で0.001〜0.05部、好ましくは0.005〜0.01部とするのがよい。
【0018】
本発明においては、上記銅触媒に加えて、上述した通り、有効シランの生産速度を向上させることを目的として、アトマイズ法により製造された触媒金属粉末を使用するものであり、本発明は、アトマイズ法により製造された触媒金属粉末を極微量の有効量含む触体を使用するとき、有効シランの組成を殆ど変化させることなく、大幅に生産速度を増大させることを知見したことに基づくものである。
【0019】
ここで、アトマイズ法により製造された触媒金属粉末で好ましいものは、銅粉末、真鍮粉末、青銅粉末、あるいは銅、亜鉛、スズ、リン、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、クロム、タングステン、モリブデン、硼素、珪素、炭素の元素の中から2つ以上の元素を含む触媒合金粉末等であり、特に好ましくは銅及び銅を50重量%以上、とりわけ70重量%以上含む銅合金である。これらの金属粉末を製造するアトマイズ法としては、ガスアトマイズ法、真空アトマイズ法、水アトマイズ法、遠心アトマイズ法、回転電極法、回転冷却流体法等のいずれかが好ましい。またアトマイズ法により製造された触媒金属粉末としては、BET比表面積又は空気透過式比表面積が0.01〜0.5m/g、特に0.05〜0.3m/gであるものが好適に用いられる。
【0020】
オルガノハロシランの生産性を向上させるには、反応時間、スケール、金属珪素の品位に応じてアトマイズ法により製造された触媒金属粉末の有効量を使用することが望ましく、好ましくは、珪素全量に対して0.01〜5重量%、更に好ましくは、0.05〜3重量%の添加量である。
【0021】
本発明の方法は、固定床反応器、撹拌床反応器、並びに流動床反応器で実施できるが、工学的には連続的な流動床反応器が用いられ、約250〜600℃の温度で反応を行うことができる。
【0022】
この場合、触体の加熱又は触体への触媒活性付与工程において、反応器の触体の流動化に用いる不活性ガスは、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等が例示されるが、経済性の点から、窒素ガスを用いることが好ましい。これらの工程における不活性ガスの流速は触体の流動化開始速度以上であればよいが、特に流動化開始速度の5倍程度が好ましい。不活性ガスの流速をこの範囲より小さくすると触体の均一な流動化が困難となり、一方、不活性ガスの流速をこの範囲より大きくすると、金属珪素粉の飛散が増加し、また不活性ガスのロスや熱のロスが増加するため不利である。また、不活性ガスとオルガノハイドを循環使用することがより好ましい。
【0023】
上述のようにして触体への触媒活性付与を行った後、反応器にオルガノハライドを導入し、オルガノハライドと金属珪素とを気−固接触反応させることにより、オルガノハロシランを得ることができる。オルガノハライドは予め昇温し、ガス化した後、反応器へ送入する。なお、オルガノハライドガスは単独で送入してもよいし、不活性ガスとあわせて触体が流動化する量として算出され、用いる反応器の直径と空塔速度から適宜決定される。
【0024】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例で部は重量部を示す。
【0025】
[比較例1]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を7回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量(ジメチルジクロロシランの収率)の平均値を表1に示す。
【0026】
[比較例2]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0027】
[実施例1]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がCu100%であり、BET比表面積が0.10m/gである金属粉末を0.5部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0028】
[実施例2]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がCu100%であり、BET比表面積が0.10m/gである金属粉末を0.4部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0029】
[実施例3]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がCu90%、Zn10%であり、BET比表面積が0.12m/gである銅合金粉末を0.5部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0030】
[実施例4]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がCu90%、Zn10%であり、BET比表面積が0.12m/gである銅合金粉末を0.4部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0031】
[実施例5]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がCu95%、Sn5%であり、BET比表面積が0.11m/gである銅合金粉末を0.1部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0032】
[実施例6]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がCu95%、Sn5%であり、BET比表面積が0.11m/gである銅合金粉末を0.1部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0033】
[実施例7]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がCu64%、Ni18、Zn18%であり、BET比表面積が0.14m2/gである銅合金粉末を0.5部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0034】
[実施例8]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がCu64%、Ni18、Zn18%であり、BET比表面積が0.14m2/gである銅合金粉末を0.4部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0035】
[実施例9]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がCu97%、Co3%であり、BET比表面積が0.12m/gである銅合金粉末を0.5部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0036】
[実施例10]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がCu97%、Co3%であり、BET比表面積が0.12m/gである銅合金粉末を0.4部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0037】
[実施例11]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がCu91%、Fe4%、Mn5%であり、BET比表面積が0.10m/gである銅合金粉末を0.5部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0038】
[実施例12]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がCu91%、Fe4%、Mn5%であり、BET比表面積が0.10m/gである銅合金粉末を0.4部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0039】
[実施例13]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がSn100%であり、BET比表面積が0.15m/gである金属粉末を0.02部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0040】
[実施例14]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がSn100%であり、BET比表面積が0.15m/gである金属粉末を0.02部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0041】
[実施例15]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がCu85%、P15%であり、BET比表面積が0.09m/gである銅合金粉末を0.3部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0042】
[実施例16]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がCu85%、P15%であり、BET比表面積が0.09m/gである銅合金粉末を0.3部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0043】
[実施例17]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がCu92%、P8%であり、BET比表面積が0.07m/gである銅合金粉末を0.3部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0044】
[実施例18]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がCu92%、P8%であり、BET比表面積が0.07m/gである銅合金粉末を0.3部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0045】
[実施例19]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、金属銅粉よりなる触媒4部、アトマイズ法により製造され、組成がNi90%、P10%であり、BET比表面積が0.13m/gである合金粉末を0.3部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を310℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0046】
[実施例20]
直径75mm、高さ900mmのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪素粉を100部、酸化銅粉よりなる触媒5部を仕込んだ。アトマイズ法により製造され、組成がNi90%、P10%であり、BET比表面積が0.13m/gである合金粉末を0.3部仕込んだ。その後、塩化メチルと窒素との混合ガスを14.4Nl/minで反応器に導入し、反応器内温度を320℃まで上げ、反応を継続した。また、塔内混合物の量が一定となるよう、塔下部より金属珪素粉と触媒を供給した。10時間後反応を停止した。この実験を2回繰り返し行った。使用した金属珪素中の不純物濃度、反応開始から反応終了時までのシラン生産速度の平均値と有効シラン量の平均値を表1に示す。
【0047】
【表1】
Figure 0003812642
a)添加物の珪素に対する濃度を示す。
b)、c)比較例1は7回の実験の平均値であり、比較例2、実施例1〜20は2回の実験の平均値である。
1)アトマイズ法により製造され、組成がCu100%である金属粉末を使用した。
2)アトマイズ法により製造され、組成がCu90%、Zn10%である合金粉末を使用した。
3)アトマイズ法により製造され、組成がCu95%、Sn5%である合金粉末を使用した。
4)アトマイズ法により製造され、組成がCu64%、Ni18%、Zn18%である合金粉末を使用した。
5)アトマイズ法により製造され、組成がCu97%、Co3%である合金粉末を使用した。
6)アトマイズ法により製造され、組成がCu91%、Fe4%、Mn5%である合金粉末を使用した。
7)アトマイズ法により製造され、組成がSn100%である金属粉末を使用した。
8)アトマイズ法により製造され、組成がCu85%、P15%である合金粉末を使用した。
9)アトマイズ法により製造され、組成がCu92%、P8%である合金粉末を使用した。
10)アトマイズ法により製造され、組成がNi90%、P10%である合金粉末を使用した。
【0048】
【発明の効果】
本発明によれば、アトマイズ法により製造された触媒金属粉末を極微量の有効量含む触体を使用することにより、有効シランの選択性を低下させることなく、生産速度を大幅に向上させることができる。

Claims (5)

  1. 銅触媒の存在下、金属珪素粒子とオルガノハライドを反応させることにより下記一般式(1)
    nmSiX4-n-m (1)
    (式中、Rは1価炭化水素基であり、Xはハロゲン原子を示し、n,mはそれぞれ0〜3の整数で、n+m=1〜3を満足する。)
    で示されるオルガノハロシランを製造する方法において、金属珪素及び触媒成分からなる触体が、金属珪素粉末と、金属珪素粉末100重量部に対して0.1〜10重量部のアトマイズ法によらない銅触媒と、珪素全量に対して0.01〜5重量%のアトマイズ法により製造された触媒金属粉末とを含むことを特徴とするオルガノハロシランの製造方法。
  2. アトマイズ法により製造された触媒金属粉末が、アトマイズ法により製造された触媒銅粉末又は触媒銅合金粉末である請求項1記載のオルガノハロシランの製造方法。
  3. アトマイズ法により製造された触媒金属粉末が、ガスアトマイズ法、真空アトマイズ法、水アトマイズ法、遠心アトマイズ法、回転電極法、回転冷却流体法のいずれかのアトマイズ法により製造された触媒金属粉末であることを特徴とする請求項1又は2記載のオルガノハロシランの製造方法。
  4. アトマイズ法により製造された触媒金属粉末が、BET比表面積又は空気透過式比表面積が0.01〜0.5m2/gのものであることを特徴とする請求項1、2又は3記載のオルガノハロシランの製造方法。
  5. 触体が、助触媒として、アトマイズ法によらない金属亜鉛、亜鉛化合物、金属スズ、スズ化合物、金属アンチモン、アンチモン化合物、金属アルミニウム、アルミニウム化合物、金属リン、リン化合物の1種又は2種以上を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のオルガノハロシランの製造方法。
JP2001037174A 2001-02-14 2001-02-14 オルガノハロシランの製造方法 Expired - Lifetime JP3812642B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001037174A JP3812642B2 (ja) 2001-02-14 2001-02-14 オルガノハロシランの製造方法
MYPI20020482A MY126255A (en) 2001-02-14 2002-02-11 Preparation of organohalosilanes
US10/074,025 US6506923B2 (en) 2001-02-14 2002-02-14 Preparation of organohalosilanes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001037174A JP3812642B2 (ja) 2001-02-14 2001-02-14 オルガノハロシランの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002241384A JP2002241384A (ja) 2002-08-28
JP3812642B2 true JP3812642B2 (ja) 2006-08-23

Family

ID=18900343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001037174A Expired - Lifetime JP3812642B2 (ja) 2001-02-14 2001-02-14 オルガノハロシランの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6506923B2 (ja)
JP (1) JP3812642B2 (ja)
MY (1) MY126255A (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7153991B2 (en) * 2000-12-01 2006-12-26 General Electric Company Rochow-Müller direct synthesis using nanosized copper catalyst precursors
US7858818B2 (en) * 2001-01-31 2010-12-28 Momentive Performance Materials Inc. Nanosized copper catalyst precursors for the direct synthesis of trialkoxysilanes
US7339068B2 (en) 2001-01-31 2008-03-04 Momentive Performance Materials Inc. Nanosized copper catalyst precursors for the direct synthesis of trialkoxysilanes
JP4174655B2 (ja) * 2002-04-23 2008-11-05 信越化学工業株式会社 オルガノハロシランの製造方法
US6717004B2 (en) 2002-07-30 2004-04-06 General Electric Company Method for making alkylhalosilanes
WO2005000459A2 (en) * 2003-06-26 2005-01-06 Scm Metal Products, Inc. Catalysts for the production of methylchlorosilances using zinc oxide promoters
NO321276B1 (no) * 2003-07-07 2006-04-18 Elkem Materials Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan
EP1651654A1 (en) * 2003-07-31 2006-05-03 General Electric Company Method for making alkyhalosilanes
JP4434847B2 (ja) * 2003-08-21 2010-03-17 信越化学工業株式会社 フェニルクロロシランの製造方法
JP4407804B2 (ja) 2004-03-18 2010-02-03 信越化学工業株式会社 オルガノハロシランの製造方法
JP4407805B2 (ja) * 2004-03-18 2010-02-03 信越化学工業株式会社 オルガノハロシランの製造方法
FR2887551B1 (fr) * 2005-06-22 2008-02-15 Rhodia Chimie Sa Procede de synthese directe d'alkylhalogenosilanes
KR20120124061A (ko) * 2010-01-26 2012-11-12 다우 코닝 코포레이션 오가노할로실란의 제조 방법
IN2015DN01936A (ja) 2012-08-13 2015-08-07 Dow Corning
EP3068789B1 (en) 2013-11-12 2021-04-07 Dow Silicones Corporation Method for preparing a halosilane
JP6725510B2 (ja) 2014-12-18 2020-07-22 ダウ シリコーンズ コーポレーション アリール官能性シランの製造方法
EP3880686B1 (de) * 2019-06-14 2022-07-06 Wacker Chemie AG Verfahren zur herstellung von methylchlorsilanen mit strukturoptimierten silicium-partikeln
CN113976116B (zh) * 2021-10-25 2024-03-19 有研粉末新材料(合肥)有限公司 一种变速球磨制备三元铜Cu-Cu2O-CuO催化剂及其方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2380995A (en) 1941-09-26 1945-08-07 Gen Electric Preparation of organosilicon halides
SU122749A1 (ru) 1959-01-24 1959-11-30 А.П. Белый Способ получени диметилдихлорсилана
US4500724A (en) 1983-07-28 1985-02-19 General Electric Company Method for making alkylhalosilanes
US4602101A (en) 1985-11-12 1986-07-22 Dow Corning Corporation Method of manufacturing alkylhalosilanes
DE3823308A1 (de) * 1988-07-09 1990-01-11 Bayer Ag Verfahren zur herstellung von organosilanen
DE3841417A1 (de) * 1988-12-08 1990-06-13 Bayer Ag Verfahren zur herstellung von organosilanen
DE3910665A1 (de) 1989-04-03 1990-10-04 Bayer Ag Verfahren zur herstellung von alkylhalogensilanen
JPH0551596A (ja) 1991-08-22 1993-03-02 Kankyo Hozen Kenkyusho:Kk 洗 剤
JPH0692421A (ja) 1992-09-11 1994-04-05 Dainippon Printing Co Ltd 物品の区分け装置
DE69813402T2 (de) 1997-06-27 2004-03-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Herstellung von Alkylhalogensilanen
US6005130A (en) 1998-09-28 1999-12-21 General Electric Company Method for making alkylhalosilanes
JP3743482B2 (ja) 1999-03-11 2006-02-08 信越化学工業株式会社 オルガノハロシラン合成用金属銅触媒及びオルガノハロシランの製造方法並びに金属銅触媒の選定方法
JP3743485B2 (ja) 1999-04-13 2006-02-08 信越化学工業株式会社 オルガノハロシランの製造方法及び金属銅触媒の選定方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020156310A1 (en) 2002-10-24
MY126255A (en) 2006-09-29
JP2002241384A (ja) 2002-08-28
US6506923B2 (en) 2003-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3812642B2 (ja) オルガノハロシランの製造方法
JPH0551596B2 (ja)
JP3346222B2 (ja) アルキルハロシラン製造用触体の製造方法及びアルキルハロシランの製造方法
JP2003531007A (ja) 触体の製造方法
JPH0480740B2 (ja)
JP3743485B2 (ja) オルガノハロシランの製造方法及び金属銅触媒の選定方法
JP3379515B2 (ja) オルガノハロシランの製造方法
JP4407804B2 (ja) オルガノハロシランの製造方法
US6395917B1 (en) Preparation of organohalosilanes
US6288258B1 (en) Preparation of organohalosilanes
JP3362619B2 (ja) アルキルハロシランの製造方法
US6242629B1 (en) Preparation of organohalosilanes
JP4407805B2 (ja) オルガノハロシランの製造方法
JPH04305582A (ja) メチルジクロロシランの収率増加方法
JPH10139785A (ja) アルキルハロシラン類の製造方法
US4965388A (en) Method for preparing organohalosilanes
US7202192B2 (en) Composite catalysts for the direct synthesis of alkylhalosilanes
US7238638B2 (en) Composite copper/tin/alkali metal catalysts for the direct synthesis of alkylhalosilanes
JP4174654B2 (ja) 有機ハロシランの製造方法
JP3729236B2 (ja) アルキルハロシランの製造方法
JP3775491B2 (ja) オルガノハロシランの製造方法
JP2003313192A (ja) オルガノハロシランの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051014

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060523

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3812642

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150609

Year of fee payment: 9

EXPY Cancellation because of completion of term