JP3807254B2 - 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 121
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims description 73
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 43
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 23
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 20
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 231
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 2
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002515 CoAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002551 Fe-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017103 Fe—Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017135 Fe—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に、いわゆるスピンバルブ構成による巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係わる。
【０００２】
【従来の技術】
磁気抵抗効果素子による磁気センサや、これを感磁部とする磁気ヘッドは、大きな線形密度で、例えば磁気記録媒体からの記録信号磁界を読み取る変換器として、広く一般に用いられている。
従来の通常一般の磁気抵抗効果素子は、その抵抗が、素子の磁化方向と素子中を流れるセンス電流の通電方向とのなす角度の余弦の２乗に比例して変化する異方性磁気抵抗効果を利用するものである。
【０００３】
これに対し、最近では、センス電流の流れている素子の抵抗変化が、非磁性層を介する磁性層間での伝導電子のスピン依存性と異層界面でのスピン依存性散乱により発生する、ＧＭＲ効果、なかんずくスピンバルブ効果による磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子が用いられる方向にある。
このスピンバルブ効果による磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子（以下ＳＶ型ＧＭＲ素子とういう）は、異方性磁気抵抗効果におけるよりも抵抗変化が大きく、感度の高い磁気センサ、磁気ヘッドを構成することができる。
【０００４】
ところで、磁気記録媒体における記録密度が、５０Ｇｂ／ｉｎｃｈ2 程度までの記録密度においては、センス電流を薄膜面内方向とするいわゆるＣＩＰ（Current In-Plane) 構成を採ることができるが、更に高記録密度化されて、例えば１００Ｇｂ／ｉｎｃｈ2 が要求されてくると、トラック幅が０．１μｍ程度が要求され、この場合、ＣＩＰ構成では、現在の素子作製におけるパターニング技術として最新のドライプロセスを利用しても、このような素子の形成に限界があること、また、ＣＩＰ構成では、低抵抗化の必要性から電流通路の断面積を大きくする必要があって、狭小なトラック幅とすることに限界がある。
【０００５】
これに対してＳＶ型ＧＭＲ素子において、その膜面に対して垂直方向にセンス電流を通ずるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane：面垂直通電) 構成によるＧＭＲ素子の提案がなされている。
ＣＰＰ型のＭＲ素子としては、トンネル電流を利用したＴＭＲ素子が検討され、最近ではスピンバルブ素子あるいは多層膜型素子についての検討がなされている（例えば特表平１１−５０９９５６号，特開２０００−３０２２２号，特開２０００−２２８００４号，第２４回日本応用磁気学会講演概要集２０００，ｐ．４２７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したようにＣＰＰ構成のＭＲ素子は、膜面に垂直方向にセンス電流の通電を行うものであることから、従来の膜面に沿う方向を通電方向とするＣＩＰ構成のスピンバルブの膜構成への適用では充分な感度が得られない。これは、ＣＩＰにおいては、そのセンス電流が、主としてスピンバルブ型の膜構成における電気伝導層や、その界面に平行に流れることによって、その際に起こるスピン依存散乱による抵抗変化を利用しているのに対して、ＣＰＰ構成とするときは、膜面に垂直方向を通電方向とすることからこの効果が有効に働かないことに因る。
【０００７】
これに対してスピンバルブ構成における自由層を厚くすると、抵抗変化が改善されるという報告がある（上記日本応用磁気学会講演概要集参照）。
しかしながら、伝導電子がスピンを保存できる距離には限界があることから、自由層を厚くすることによる改善を充分に図ることができない。
更に、磁気ヘッドとしての感度を上げるには、自由層の飽和磁化Ｍｓと膜厚ｔの積、Ｍｓ×ｔの値を小さくする必要があることから、自由層の膜厚を大きくすることのみでは、現状では本質的な解決策となっていない。
【０００８】
本発明は、ＣＰＰ構成において、素子抵抗の増加を図って感度の高い磁気抵抗効果素子を提供するものであり、これによって、例えば長時間の動画処理への適用に対する高記録密度化、記録，再生ビットの微小化、したがってこの微小領域からの信号の読み出しを高感度に行うことができる磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、更に磁気メモリ（ＭＲＡＭ：Magnetical Random Access Memory)用電磁変換素子すなわちメモリ素子を提供するに至った。
【０００９】
本発明による磁気抵抗効果素子は、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、この積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とするＣＰＰ型のいわゆるスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果素子（ＳＶＧＭＲ素子）であって、上記積層構造部の自由層が、フラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または／および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切る高抵抗層が配置され、磁気抵抗効果素子の面積抵抗が４０ｍΩ・μｍ２を超え７００ｍΩ・μｍ２以下とされたことを特徴とする。
【００１０】
この抵抗層の配置位置は、具体的には上述した積層構造部の各構成膜間の界面以外、すなわち積層構造部の積層方向の両主面、あるいは、自由層、固定層、反強磁性層内にこれら層面に沿って通電通路の全域に渡って配置する。
【００１１】
また、本発明による磁気抵抗効果型磁気センサは、上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成とするものである。
【００１２】
また、本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、その感磁部として上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成を有するものである。
【００１３】
更に、本発明による磁気メモリは、ビット線と、ワード線と、これらビット線とワード線の交差点に対応して配置されたメモリ素子とを有し、そのメモリ素子が、上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成とするものである。
【００１４】
本発明によるＣＰＰ型のＳＶ型ＧＭＲは、抵抗変化率を保持しつつ、ＣＰＰ型構成において、素子抵抗を十分高めることができ、抵抗変化量の向上、感度の向上が図られたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明による磁気抵抗効果素子について説明する。
この磁気抵抗効果素子は、前述したように、ＣＰＰ型のＳＶ型ＧＭＲであり、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、この固定層の磁化を固定する反強磁性層と、自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部において、センス電流の通電通路を全面的に横切って高抵抗層が配置された構成とするものである。
また、自由層に磁気的に結合してフラックスガイド層が配置される構造とするときは、その内部または／およびこのフラックスガイド層の自由層とは反対側の面に、センス電流の通電通路を全面的に横切って高抵抗層が配置することができる。
【００１６】
この高抵抗層の配置層数は、１層以上例えば複数層配置することができるが、高抵抗層の総和が大きくなり過ぎると、動作時に発熱によって例えば磁気抵抗効果型磁気ヘッドへの適用に問題が生じることから、使用態様、目的に応じて選定される。
ＣＰＰ型ＧＭＲ素子の素子抵抗としては、７００ｍΩ・μｍ２以下とする。
【００１７】
この本発明によるＳＶ型ＧＭＲ素子の実施形態例を、先ず、図１〜図４で示す実施形態について説明する。これら図１〜図４において各Ａ図は、本発明実施形態の対象となるＳＶ型ＧＭＲの基本的構成を示す図で、各Ｂ図は、この構成において、高抵抗層Ｒの配置可能位置を模式的に示したものである。したがって、各Ｂ図において、全高抵抗層Ｒの配置を必要とするものではなく、いずれか１層以上を配置するものとする。
【００１８】
図１Ａは、いわゆるボトム型構成による場合を例示したものであり、この場合、第１の電極３１上に、それぞれ導電性を有する反強磁性層１、固定層２、非磁性層３、自由層４との積層構造部１０が形成され、自由層４上に第２の電極３２が配置された構成を有するＳＶ型ＧＭＲ素子を示す。
本発明においては、例えばこの構成によるＳＶ型ＧＭＲ素子において、図１Ｂで示すように、この積層構造部１０の両主面、すなわち図１Ｂにおいて反強磁性層１の下面と、自由層４の上面とに、高抵抗層Ｒ01およびＲ02を配置することができる。また、各反強磁性層１、固定層２、自由層４内に、層面の全域に沿って高抵抗層Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ4 を配置することができる。
【００１９】
また、図２に示す実施形態においては、図２Ａに示すように、図１における固定層２が、２層の強磁性層２１および２２が、非磁性介在層２３を介して積層された積層フェリ磁性層構造、いわゆるシンセティック構成とした場合で、この場合は、図２Ｂに示すように、強磁性層２１および２２内に、高抵抗層Ｒ21, Ｒ22を配置することができる。
【００２０】
図３に示す実施形態においては、図３Ａに示すように、自由層４を共通とする第１の反強磁性層１ａ、第１の固定層２ａ、第１の非磁性層３ａによるいわゆるボトム型ＳＶ型ＧＭＲによる第１の積層構造部１０ａと、この第１の積層構造部の自由層４を共通としてこの上に、第２の非磁性層３ｂ、第２の固定層２ｂ、第２の反強磁性層１ｂが積層されたいわゆるトップ型ＳＶ型ＧＭＲによる第２の積層構造部１０ｂとが積層されたいわゆるデュアル型構成とした場合である。
この場合においても、図３Ｂに示すように、積層構造部１０ａおよび１０ｂの、第１および第２の反強磁性層１ａおよび１ｂの各固定層２ａおよび２ｂとの界面とは反対側の下面および上面に高抵抗層Ｒ01およびＲ02を配置することができると共に、各第１および第２の反強磁性層１ａおよび１ｂに高抵抗層Ｒ1aおよびＲ1b、第１および第２の固定層２ａおよび２ｂに高抵抗層Ｒ2aおよびＲ2bを配置することができる。
【００２１】
また、図４に示す実施形態においては、図３で示したデュアル型構成において、その第１および第２の固定層２ａおよび２ｂを、それぞれ２層の強磁性層２１ａ，２２ａ、および２１ｂ，２２ｂが、非磁性介在層２３ａおよび２３ｂを介して積層されたシンセティック構成とした場合で、この場合は、図４Ｂに示すように、固定層２ａおよび２ｂの各強磁性層２１ａ，２２ａ、および２１ｂ, ２２ｂ内に高抵抗層Ｒ21a ，Ｒ22a 、およびＲ21b Ｒ22b を配置することができる。
【００２２】
上述した各例において、第１および第２の電極３１および３２間に、センス電流の通電を行ってＣＰＰ構成とするものである。
尚、図２〜図４において、図１と対応する部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
また、図４において、図３と対応する部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２３】
更に、本発明ＳＶ型ＧＭＲ素子、あるいはこれを感磁部として用いた磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、導電性のフラックスガイド層を有するフラックスガイド構造とすることができる。
この場合の実施形態を、図５〜図８に例示する。
【００２４】
このフラックスガイド構造においては、自由層にフラックスガイド層８１を磁気的に結合させ、このフラックスガイド層８１の前方端を、検出磁界が導入される前方面８０、すなわち例えば磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体との対接面、あるいは例えば浮上型磁気ヘッドにおいてはそのＡＢＳ（Air Bearing Surface)となる前方面に臨ませる構成とする。
【００２５】
このフラックスガイド構造によれば、磁気抵抗効果素子本体の積層構造部１０，１０ａ，１０ｂを、前方面８０から後退させた位置に配置して、フラックスガイド層８１によって検出磁界を自由層に導入させる構成とすることから、磁気抵抗効果素子本体が、例えば磁気記録媒体との接触による摩耗、あるいは摩擦熱によって、寿命の低下や、ノイズの発生を回避できるものである。
【００２６】
図５に示した例では、相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間に、図１Ｂで説明したＳＶ型ＧＭＲ素子本体の積層構造部１０を、前方面８０より奥行き方向に後退させて配置し、この積層構造部１０の自由層４の少なくとも一部上例えば全面上に跨がって、フラックスガイド層８１が形成され、その前方端を前方面８０に臨ましめて検出信号磁界を、このフラックスガイド層８１を通じて自由層４に導入させる構成とした場合である。
【００２７】
この場合においては、図１Ｂと同様の構造に、フラックスガイド層８１中に、または／およびフラックスガイド層８１の自由層４とは反対側の面に、高抵抗層Ｒf ，Ｒf0をセンス電流の実質的通電路を全面的に横切って配置することができる。
そして、この場合、積層構造部１０にセンス電流の通電がなされるように、フラックスガイド層８１と第２の磁気シールド兼電極４２との間に積層構造部１０上に対応する部分に第２の電極３２を限定的に介在させる。
第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間の他部には、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の絶縁材５２が充填される。
図５において、図１Ｂと対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２８】
また、図６に示した例では、相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間に、図２Ｂで説明したシンセティック構造の積層構造部１０を、前方面８０より奥行き方向に後退させて配置し、この積層構造部１０の自由層４の少なくとも一部上例えば全面上に跨がって、フラックスガイド層８１が形成され、その前方端を前方面８０に臨ましめて検出信号磁界を、このフラックスガイド層８１を通じて自由層４に導入させる構成とした場合である。
図６において図２Ｂおよび図５と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２９】
また、図７に示した例では、相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間に、図３Ｂで説明した積層構造部１０ａおよび１０ｂ構成によるデュアル型構成とした場合であるが、この場合においては各積層構造部１０ａおよび１０ｂにそれぞれ第１および第２の自由層４ａおよび４ｂが設けられた構造とされ、両者間にフラックスガイド層８１を配置した構造とした場合である。
【００３０】
この場合、自由層４ａおよび４ｂの、第１および第２の非磁性層３ａおよび３ｂとの界面とは反対側のフラックスガイド層８１側にセンス電流の通電路を全面的に横切って高抵抗層ＲfaおよびＲfbを設けることができる。また、この場合においても、フラックスガイド層８１内にセンス電流の通電路を全面的に横切って高抵抗層Ｒf を設けることができる。
図７において図３Ｂおよび図６と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３１】
また、図８に示した例では、相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間に、図４Ｂで説明したシンセティック構造の積層構造部１０ａおよび１０ｂ構成によるデュアル型構成とした場合である。
図８において図４Ｂおよび図７と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３２】
そして、図９に模式図を示すように、例えば上述した図１〜図４による各積層構造部１０、１０ａ、１０ｂを有するＧＭＲ素子２０に対して、その自由層に、検出磁界が与えられない状態（以下無磁界状態という）で検出磁界方向と交叉する方向の磁化状態を設定するための安定化バイアスを与えるための例えば着磁のなされる硬磁性層５０を、ＧＭＲ素子２０を挟んでその両側に配置する。
尚、例えば図５〜図８で説明したフラックスガイド構造においては，ＧＭＲ素子とこれに結合されたフラックスガイド層とを含んでその両側に同様の例えば硬磁性層５０が配置される。
【００３３】
また、固定層２、２ａ、２ｂとこれと強磁性交換結合する反強磁性層１、１ａ、１ｂの磁化の向きは、上述した自由層４、４ａ、４ｂにおける無磁界状態での磁化の向きと交叉する方向に設定される。
そして、積層構造部に対して、センス電流Ｉｓおよびバイアス磁界と垂直方向に検出磁界が印加され、この検出外部磁界による抵抗変化をセンス電流によって電気的出力として取り出す。
【００３４】
上述した各ＳＶ型ＧＭＲにおける反強磁性層１，１ａ，１ｂは、ＰｔＭｎ，ＮｉＭｎ，ＰｄＰｔＭｎ，Ｉｒ−Ｍｎ，Ｒｈ−Ｍｎ，Ｆｅ−Ｍｎ，Ｎｉ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｆｅ酸化物等によって構成することができる。
【００３５】
また、固定層２の強磁性層は、例えばＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉやこれら２以上の合金による強磁性層、もしくは異なる組成の組み合わせ例えばＦｅとＣｒの各強磁性層によることができる。
【００３６】
自由層４，４ａ，４ｂは、例えばＣｏＦｅ膜、ＮｉＦｅ膜、ＣｏＦｅＢ膜、あるいはこれらの積層膜例えばＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ、またはＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ構成とすることによってより大きなＭＲ比と軟磁気特性を実現することができる。
【００３７】
また、非磁性層３、３ａ、３ｂ、積層フェリ磁性層構造とする非磁性介在層２３、２３ａ、２３ｂ等の非磁性層は、例えばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔや、Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ａｇ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｉｒによって構成することができる。
【００３８】
フラックスガイド層８１は、軟磁性の例えばＣｏＦｅ膜、ＮｉＦｅ膜、ＣｏＦｅＢ膜、あるいはこれらの積層膜例えばＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ、またはＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ、あるいはＣｏ−Ａｌ−Ｏ、またはＦｅ−Ａｌ−Ｏなどの高透磁率グラニュラー材料によって構成することができる。
【００３９】
本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、例えば図１０に斜視図を示すように、アルチック（ＡｌＴｉＣ）等による基板５１上に、磁気シールド兼電極層４２が形成され、この上に、図９で説明したように、ＧＭＲ素子２０とその両側に、安定化バイアス印加用の硬磁性層５０が配置され、この上に磁気シールド兼電極層４２が配置される。そして、両磁気シールド兼電極４１および４２間には、例えばＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁層５２が充填されて成る。
この構成において、両磁気シールド兼電極層４１および４２間に、センス電流Ｉｓを通電する。すなわちＧＭＲ素子２０の積層構造部の積層方向に沿ってセンス電流Ｉｓを通電する。
【００４０】
図１０の例では、その感磁部すなわちＧＭＲ素子２０が磁気記録媒体との対接ないしは対向面となる前方面８０、例えば浮上型磁気ヘッドにおいてはそのＡＢＳに臨んで配置形成した場合である。
【００４１】
図１１に示す例においては、前述しフラックスガイド構造とした場合で、ＧＭＲ素子２０を、前方面８０から奥行き方向に後退した位置に配置し、このＧＭＲ素子２０の前方に磁気的に結合する磁束ガイド層を配置し、その前方端面を、前方面８０に臨んで配置する構成として、磁気記録媒体からの記録情報による磁束導入層を配置したいわゆるフラックスガイド構造とした場合である。
【００４２】
また、図１０および図１１においては、磁気シールド兼電極２３および２４を用いた構成を示したが、電極と磁気シールド層とを別構成にして重ね合わせた構成とすることもできる。
【００４３】
また、この磁気ヘッドは再生磁気ヘッドであることから磁気記録再生ヘッドを構成する場合には、図１０および図１１の第２の磁気シールド兼電極４２上に、例えば従来周知の磁気誘導型の薄膜記録ヘッドを積層形成して記録再生ヘッドを構成することができる。
【００４４】
図１２は、本発明のＣＰＰ型のＳＶ型ＧＭＲ素子を用いて構成した本発明による磁気メモリの６０の一実施形態の一例の概略構成を示す斜視図であり、図１３は、その回路構成を示す。
この磁気メモリ６０は、ワード線（ＷＬ）６１とビット線（ＢＬ）６２の交差点に対応してメモリセルが配置され、このメモリセルが多数マトリクス状に配置されて構成される。
メモリセルは、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３と非晶質シリコン膜から成るダイオード６４とを有する。これらＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３およびダイオード６４は直列に配置され、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３がワード線６１に接続され、ダイオード６４がビット線６２に接続されている。ダイオード６４により規制されて、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３を流れる電流Ｉｓがワード線６１からビット線６２に向かうように流れる。
【００４５】
この構成により、ワード線６１を流れる電流ＩW による電流磁場とビット線６２を流れる電流ＩB による電流磁場との合成磁場により、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３の磁化自由層の磁化の向きを反転させて、この磁化の向きを１または０という情報として記録することができる。
【００４６】
一方、記録された情報の読み出しは、巨大磁気抵抗効果を利用してＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３を流れるセンス電流ＩS の大きさから磁化自由層の磁化の向き即ち情報の内容を読み取るようにする。
選択されたメモリセルにはワード線６１とビット線６２の両方の電流磁場が印加されることにより磁化自由層の磁化の向きが反転するが、選択されないメモリセルにはワード線６１あるいはビット線６２のいずれか一方の電流磁場が印加されるだけで磁化の向きが反転するには至らない。これにより、選択されたメモリセルにのみ記録を行うことができる。
【００４７】
次に、本発明によるＳＶ型ＧＭＲ素子の実施例を挙げて説明する。
〔実施例１〕
この実施例においては、図２Ａで示したシンセティック構成によるＳＶ型ＧＭＲ素子を基本構成とし、その第１の電極３１上に、厚さ５ｎｍのＴａによる下地層（図示せず）を形成し、この上に積層構造部１０を形成し、更に、この上に同様に厚さ５ｎｍのＴａによる保護層（図示せず）を配置した構成で、その膜構成は、Ｔａ５／ＰｔＭｎ２０／ＣｏＦｅ２／Ｒｕ０．９／ＣｏＦｅ２／Ｃｕ３／ＣｏＮｉＦｅ６／Ｔａ５（この表記方法は、各層の構成材料の積層状態を示し、記号／は各層の界面を示す。また、各数値は各層の厚さ（ｎｍ）を表示したものであり、以下同様の表記方法をとる。）とした（下記表１の試料１）。
【００４８】
そして、この基本構成において、自由層４上にのみ、高抵抗層Ｒを配置した場合、すなわち図２Ｂで示した高抵抗層Ｒ02のみを配置した場合で、この高抵抗層Ｒ02を厚さ１ｎｍのＣｏ72Ｆｅ8 Ｂ20（添字は原子％）によって構成した。
すなわち、この例では、それぞれ厚さ３００ｎｍのＣｕによる第１および第２電極３１および３２間に、Ｔａ５／ＰｔＭｎ２０／ＣｏＦｅ２／Ｒｕ０．９／ＣｏＦｅ２／Ｃｕ３／ＣｏＮｉＦｅ６／ＣｏＦｅＢ１／Ｔａ５の積層構造（下記表１の試料２）とした場合である。
【００４９】
この構成による積層構造部１０を、１０ｋＯｅの磁場中で、２７０℃で４時間のアニールを施した。
この積層構造部の両面に、厚さ３００ｎｍの電極層を成膜した。
そして、このＧＭＲ素子を、０．１μｍ×０．１μｍサイズにパターニングした。
【００５０】
〔実施例２〜７〕
これら実施例２〜７においては、実施例１における構成と同様の構成によるの、その高抵抗層Ｒ02の構成を、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＣ（下記表１の試料３）、厚さ２ｎｍのＣｏＦｅＯ（下記表１の試料４）、厚さ１ｎｍのＴａ−Ｏ（下記表１の試料５）、厚さ２ｎｍのＴａ−Ｏとし、自由層４を厚さ６ｎｍのＣｏＦｅとし（下記表１の試料６）、高抵抗層Ｒ02を厚さ２ｎｍのＮｉ−Ｏ（下記表１の試料７）、厚さ２ｎｍのＦｅ−Ｏ（下記表２の試料８）とした。
【００５１】
〔実施例８〜１１〕
これら実施例８〜１１においては、上述した図２の構造による試料１の構成において、そのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２１の中央の図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ22のみを設けて、この高抵抗層Ｒ22を、それぞれ厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＢ（下記表１の試料９）、ＣｏＦｅＯ（下記表１の試料１０）、ＣｏＦｅＡｌ（下記表１の試料１１）、ＣｏＦｅＳｉ（下記表１の試料１２）とした。
【００５２】
〔実施例１２〕
この実施例においては、上述した図２の構造による試料１の構成において、そのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２１および２２の各中央の図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ21およびＲ22を設けて、高抵抗層Ｒ21として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＢを配置し、また高抵抗層Ｒ22として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯを配置した（下記表１の試料１３）構成とした。
【００５３】
〔実施例１３〕
この実施例においても、上述した図２の構造による試料１の構成を基本構成とするものであるが、この場合そのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２１の中央の図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ21のみを設けて、この高抵抗層Ｒ21として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯを配置し、自由層４を厚さ６ｎｍのＣｏＦｅとた（下記表１の試料１４）構成とした。
【００５４】
〔実施例１４〕
この実施例においても、上述した図２の構造による試料１の構成を基本構成とするものであるが、この場合そのそのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２２の中央の図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ22のみを設けて、この高抵抗層Ｒ22として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯを配置し、自由層４を厚さ６ｎｍのＣｏＦｅとした（下記表１の試料１５）構成とした。
〔実施例１５〕
この実施例においても、上述した図２の構造による試料１の構成を基本構成とするものであるが、この場合そのそのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２２のＣｏＦｅを３ｎｍとし、非磁性層３側に片寄った位置に図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ22を設けて、この高抵抗層Ｒ22として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯを配置し、更に、抵抗層Ｒ02として厚さ２ｎｍのＣｏＦｅＯを配置した（下記表１の試料１６）構成とした。
【００５５】
表１に、上述した各試料１〜１６についての、素子抵抗、抵抗変化量の測定結果を示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】
表１によって明らかなように、本発明による試料２〜１６は、試料１の高抵抗層を設けない場合に比し格段に抵抗変化量が増大していることが分かる。
【００５８】
したがって、この抵抗変化量の大きい本発明によるＳＶ型ＧＭＲ素子を用いて、磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成するときは、外部磁界の検出を、大きな検出出力ないしは再生出力として取り出すことができる。
また、磁気メモリを構成するときは、安定して、確実な動作を行うことができる。
【００５９】
上述したように、本発明においては、自由層上もしくは自由層内、あるいは固定層内に高抵抗層Ｒを設けるものであるが、この高抵抗層の構成材料は、高抵抗層が配置される自由層、あるいは固定層とは異なる高抵抗材料による。
自由層としては、一般に、Ｃｏ、ＣｏＦｅ合金、Ｎｉ、ＮｉＦｅ合金をベースとする材料によって構成されるものである。
【００６０】
これに対し高抵抗層材料としては、遷移金属であって安定な酸化膜形成ができる材料より選定される。
また、自由層、固定層において、非磁性を通過して来た電子のダウンスピンを保存し、スピン依存散乱を可能にする材料より選定される。
【００６１】
この高抵抗層材料としては、例えばＣｏＦｅＢ合金、ＣｏＦｅＡｌ合金、ＣｏＦｅＣ合金、ＣｏＦｅＯ合金、ＣｏＦｅＳｉ合金、ＮｉＦｅＢ合金、ＮｉＦｅＡｌ合金、ＮｉＦｅＣ合金、ＮｉＦｅＳｉ合金、ＮｉＦｅＯ合金、ＣｏＮｉＦｅＢ合金、ＣｏＮｉＦｅＡｌ合金、ＣｏＮｉＦｅＣ合金、ＣｏＮｉＦｅＳｉ合金、ＣｏＮｉＦｅＯ合金、ＣｏＢ基合金、ＣｏＡｌ基合金、ＣｏＣ基合金、ＣｏＳｉ基合金、ＣｏＯ基合金、ＮｉＢ基合金、ＮｉＡｌ基合金、ＮｉＣ基合金、ＮｉＳｉ基合金、ＮｉＯ基合金、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒおよびこれらの酸化物、窒化物が挙げられ、これらの薄膜層を、自由層上もしくは自由層内、あるいは固定層内に薄膜状に分布させることにより、ＳＶ型ＧＭＲ素子の、素子抵抗を効果的に高めることができ、抵抗変化量を飛躍的に向上できた。
【００６２】
そして、上述したＣｏＦｅＢ合金、ＣｏＦｅＡｌ合金、ＣｏＦｅＳｉ合金の合金組成としては、３０＜Ｃｏ＜９０原子％、１０＜Ｆｅ＜５０原子％、２＜Ｂ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ＜３０原子％の範囲が望ましい。
また、ＣｏＦｅＯ合金の酸素濃度として、１０＜Ｏ＜６７原子％が望ましい。
ＮｉＦｅ系およびＣｏＮｉＦｅ系、Ｃｏ系、Ｎｉ系合金についても、同様に，合金組成として、３０＜Ｎｉ、ＮｉＣｏ、Ｃｏ＜９０原子％、１０＜Ｆｅ＜５０原子％、２＜Ｂ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ＜３０原子％が望ましい。
Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒの酸化物および窒化物については、アモルファス状素子を有しており、大気中に放置されても安定であることが特徴である。
【００６３】
尚、例えば自由層内の抵抗層として例えばＮｉＦｅＯであるとき、自由層としては抵抗層と組成が近いＮｉＦｅによって構成することが望ましいが、この場合は、自由層の非磁性層のＣｕとの界面においては、Ｃｏを含む例えばＣｏＦｅを介在させることが望ましい。
【００６４】
磁気ヘッドを設計するに際して必要なこととして、抵抗の変化量ｄＲが大きいことが挙げられる。このｄＲを向上させるには、ＳＶ型ＧＭＲ素子の抵抗を高めるか、ＭＲ比を増加させるかである。
【００６５】
高抵抗層を挿入すると、ＭＲ比（ｄＲ／Ｒ）が低下することなく、高抵抗層が挿入されないＳＶ型ＧＭＲ素子と、そのＭＲ比は同等の値を示した。したがって、高抵抗層を挿入することによって素子抵抗の増加を図った分、ｄＲ値が増加する結果となった。
【００６６】
この高抵抗層は、前述したように複数層、挿入することができるが、前述した実施例におけるように、０．１μｍ×０．１μｍのサイズにおいては、高抵抗層の厚さの総和が４ｎｍ以上となると素子抵抗が大きくなり過ぎ、必要なセンス電流を通電したときの発熱が大きくなって磁気抵抗効果が低下し、ノイズも大きくなってくることから、例えばこのサイズにおいては、７０Ω以下、すなわち７０Ω×０．１μｍ×０．１μｍ＝０．７Ω・μｍ2 以下が実用上望ましい。
例えば、表１で示す試料１７は、試料１の構成において、高抵抗層Ｒ02として厚さ４ｎｍのＣｏＦｅＢ層を介在させて、Ｔａ5 ／ＰｔＭｎ20／ＣｏＦｅ2 ／Ｒｕ9 ／ＣｏＦｅ2 ／Ｃｕ3 ／ＣｏＮｉＦｅ6 ／ＣｏＦｅＢ4 ／Ｔａ5 とした場合で、この場合、素子抵抗は７０Ωを超える値となり、この場合、ノイズが大となった。
また、試料１８は、高抵抗層Ｒ22として厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯ層を、また、高抵抗層Ｒ01として厚さ３ｎｍのＣｏＦｅＯ層とした場合で、素子抵抗は７０Ωを超える値となり、この場合、ノイズが大となった。
【００６７】
上述したように、本発明によるＣＰＰ型のＳＶ型ＧＭＲは、ＣＰＰ型構成とするにも拘わらず素子の抵抗を高めたことができるものであり、抵抗変化率を保持したまま、抵抗変化量の向上が図られた。
【００６８】
尚、本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリは、上述した例に限定されるものではなく、使用目的、使用態様に応じて、本発明構成において、種々の変形変更を行い得ることはいうまでもない。
【００６９】
【発明の効果】
本発明によれば、磁気抵抗効果素子をＣＰＰ構成とする場合の、素子抵抗の減少を補償し得、高い素子抵抗を得ることができるようにして抵抗変化量を高めたことから、例えば長時間の動画処理への適用に対する高記録密度化、記録，再生ビットの微小化、したがってこの微小領域からの信号の読み出しを高感度に行うことができる磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成することができるものである。
【００７０】
また、磁気メモリにおいても、高密度および高精度化を図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＡおよびＢは、磁気抵抗効果素子の一構成の断面図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図２】ＡおよびＢは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図３】ＡおよびＢは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図４】ＡおよびＢは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図５】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図６】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図７】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図８】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図９】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの概略断面図である。
【図１０】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの他の一例の概略断面図である。
【図１１】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの他の一例の概略断面図である。
【図１２】本発明による磁気メモリの概略構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明による磁気メモリの回路構成の概略図である。
【符号の説明】
１・・・反強磁性層、１ａ・・・第１の反強磁性層、１ｂ・・・第２の反強磁性層、２・・・固定層、２ａ・・・第１の固定層、２ｂ・・・第２の固定層、３・・・非磁性層、４・・・自由層、３・・・非磁性層、３ａ・・・第１の非磁性層、３ｂ・・・第２の非磁性層、１０，１０ａ，１０ｂ・・・積層構造部、２０・・・ＧＭＲ素子、２１，２２，２１ａ，２２ａ，２１ｂ，２２ｂ・・・強磁性層、２３，２３ａ，２３ｂ・・・非磁性介在層、３１・・・第１の電極、３２・・・第２の電極、４１・・・第１の磁気シールド兼電極、４２・・・第２の磁気シールド兼電極、５１・・・基板、５２・・・絶縁材、６０・・・ 薄膜磁気メモリ、６１・・・ワード線、６２・・・ビット線、６３・・・ＣＰＰ型ＧＭＲ素子、６４・・・ダイオード、８０・・・前方面、８１・・・フラックスガイド層、Ｒ，Ｒ01，Ｒ02，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ2a，Ｒ2b，Ｒ4 ，Ｒ21, Ｒ21a ，Ｒ21b,Ｒ21b ，Ｒ22，Ｒ22a ，Ｒ22b ，Ｒf,Ｒfa, Ｒfb，Ｒf0・・・高抵抗層、
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に、いわゆるスピンバルブ構成による巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係わる。
【０００２】
【従来の技術】
磁気抵抗効果素子による磁気センサや、これを感磁部とする磁気ヘッドは、大きな線形密度で、例えば磁気記録媒体からの記録信号磁界を読み取る変換器として、広く一般に用いられている。
従来の通常一般の磁気抵抗効果素子は、その抵抗が、素子の磁化方向と素子中を流れるセンス電流の通電方向とのなす角度の余弦の２乗に比例して変化する異方性磁気抵抗効果を利用するものである。
【０００３】
これに対し、最近では、センス電流の流れている素子の抵抗変化が、非磁性層を介する磁性層間での伝導電子のスピン依存性と異層界面でのスピン依存性散乱により発生する、ＧＭＲ効果、なかんずくスピンバルブ効果による磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子が用いられる方向にある。
このスピンバルブ効果による磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子（以下ＳＶ型ＧＭＲ素子とういう）は、異方性磁気抵抗効果におけるよりも抵抗変化が大きく、感度の高い磁気センサ、磁気ヘッドを構成することができる。
【０００４】
ところで、磁気記録媒体における記録密度が、５０Ｇｂ／ｉｎｃｈ2 程度までの記録密度においては、センス電流を薄膜面内方向とするいわゆるＣＩＰ（Current In-Plane) 構成を採ることができるが、更に高記録密度化されて、例えば１００Ｇｂ／ｉｎｃｈ2 が要求されてくると、トラック幅が０．１μｍ程度が要求され、この場合、ＣＩＰ構成では、現在の素子作製におけるパターニング技術として最新のドライプロセスを利用しても、このような素子の形成に限界があること、また、ＣＩＰ構成では、低抵抗化の必要性から電流通路の断面積を大きくする必要があって、狭小なトラック幅とすることに限界がある。
【０００５】
これに対してＳＶ型ＧＭＲ素子において、その膜面に対して垂直方向にセンス電流を通ずるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane：面垂直通電) 構成によるＧＭＲ素子の提案がなされている。
ＣＰＰ型のＭＲ素子としては、トンネル電流を利用したＴＭＲ素子が検討され、最近ではスピンバルブ素子あるいは多層膜型素子についての検討がなされている（例えば特表平１１−５０９９５６号，特開２０００−３０２２２号，特開２０００−２２８００４号，第２４回日本応用磁気学会講演概要集２０００，ｐ．４２７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したようにＣＰＰ構成のＭＲ素子は、膜面に垂直方向にセンス電流の通電を行うものであることから、従来の膜面に沿う方向を通電方向とするＣＩＰ構成のスピンバルブの膜構成への適用では充分な感度が得られない。これは、ＣＩＰにおいては、そのセンス電流が、主としてスピンバルブ型の膜構成における電気伝導層や、その界面に平行に流れることによって、その際に起こるスピン依存散乱による抵抗変化を利用しているのに対して、ＣＰＰ構成とするときは、膜面に垂直方向を通電方向とすることからこの効果が有効に働かないことに因る。
【０００７】
これに対してスピンバルブ構成における自由層を厚くすると、抵抗変化が改善されるという報告がある（上記日本応用磁気学会講演概要集参照）。
しかしながら、伝導電子がスピンを保存できる距離には限界があることから、自由層を厚くすることによる改善を充分に図ることができない。
更に、磁気ヘッドとしての感度を上げるには、自由層の飽和磁化Ｍｓと膜厚ｔの積、Ｍｓ×ｔの値を小さくする必要があることから、自由層の膜厚を大きくすることのみでは、現状では本質的な解決策となっていない。
【０００８】
本発明は、ＣＰＰ構成において、素子抵抗の増加を図って感度の高い磁気抵抗効果素子を提供するものであり、これによって、例えば長時間の動画処理への適用に対する高記録密度化、記録，再生ビットの微小化、したがってこの微小領域からの信号の読み出しを高感度に行うことができる磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、更に磁気メモリ（ＭＲＡＭ：Magnetical Random Access Memory)用電磁変換素子すなわちメモリ素子を提供するに至った。
【０００９】
本発明による磁気抵抗効果素子は、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、この積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とするＣＰＰ型のいわゆるスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果素子（ＳＶＧＭＲ素子）であって、上記積層構造部の自由層が、フラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または／および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切る高抵抗層が配置され、磁気抵抗効果素子の面積抵抗が４０ｍΩ・μｍ２を超え７００ｍΩ・μｍ２以下とされたことを特徴とする。
【００１０】
この抵抗層の配置位置は、具体的には上述した積層構造部の各構成膜間の界面以外、すなわち積層構造部の積層方向の両主面、あるいは、自由層、固定層、反強磁性層内にこれら層面に沿って通電通路の全域に渡って配置する。
【００１１】
また、本発明による磁気抵抗効果型磁気センサは、上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成とするものである。
【００１２】
また、本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、その感磁部として上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成を有するものである。
【００１３】
更に、本発明による磁気メモリは、ビット線と、ワード線と、これらビット線とワード線の交差点に対応して配置されたメモリ素子とを有し、そのメモリ素子が、上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成とするものである。
【００１４】
本発明によるＣＰＰ型のＳＶ型ＧＭＲは、抵抗変化率を保持しつつ、ＣＰＰ型構成において、素子抵抗を十分高めることができ、抵抗変化量の向上、感度の向上が図られたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明による磁気抵抗効果素子について説明する。
この磁気抵抗効果素子は、前述したように、ＣＰＰ型のＳＶ型ＧＭＲであり、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、この固定層の磁化を固定する反強磁性層と、自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部において、センス電流の通電通路を全面的に横切って高抵抗層が配置された構成とするものである。
また、自由層に磁気的に結合してフラックスガイド層が配置される構造とするときは、その内部または／およびこのフラックスガイド層の自由層とは反対側の面に、センス電流の通電通路を全面的に横切って高抵抗層が配置することができる。
【００１６】
この高抵抗層の配置層数は、１層以上例えば複数層配置することができるが、高抵抗層の総和が大きくなり過ぎると、動作時に発熱によって例えば磁気抵抗効果型磁気ヘッドへの適用に問題が生じることから、使用態様、目的に応じて選定される。
ＣＰＰ型ＧＭＲ素子の素子抵抗としては、７００ｍΩ・μｍ２以下とする。
【００１７】
この本発明によるＳＶ型ＧＭＲ素子の実施形態例を、先ず、図１〜図４で示す実施形態について説明する。これら図１〜図４において各Ａ図は、本発明実施形態の対象となるＳＶ型ＧＭＲの基本的構成を示す図で、各Ｂ図は、この構成において、高抵抗層Ｒの配置可能位置を模式的に示したものである。したがって、各Ｂ図において、全高抵抗層Ｒの配置を必要とするものではなく、いずれか１層以上を配置するものとする。
【００１８】
図１Ａは、いわゆるボトム型構成による場合を例示したものであり、この場合、第１の電極３１上に、それぞれ導電性を有する反強磁性層１、固定層２、非磁性層３、自由層４との積層構造部１０が形成され、自由層４上に第２の電極３２が配置された構成を有するＳＶ型ＧＭＲ素子を示す。
本発明においては、例えばこの構成によるＳＶ型ＧＭＲ素子において、図１Ｂで示すように、この積層構造部１０の両主面、すなわち図１Ｂにおいて反強磁性層１の下面と、自由層４の上面とに、高抵抗層Ｒ01およびＲ02を配置することができる。また、各反強磁性層１、固定層２、自由層４内に、層面の全域に沿って高抵抗層Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ4 を配置することができる。
【００１９】
また、図２に示す実施形態においては、図２Ａに示すように、図１における固定層２が、２層の強磁性層２１および２２が、非磁性介在層２３を介して積層された積層フェリ磁性層構造、いわゆるシンセティック構成とした場合で、この場合は、図２Ｂに示すように、強磁性層２１および２２内に、高抵抗層Ｒ21, Ｒ22を配置することができる。
【００２０】
図３に示す実施形態においては、図３Ａに示すように、自由層４を共通とする第１の反強磁性層１ａ、第１の固定層２ａ、第１の非磁性層３ａによるいわゆるボトム型ＳＶ型ＧＭＲによる第１の積層構造部１０ａと、この第１の積層構造部の自由層４を共通としてこの上に、第２の非磁性層３ｂ、第２の固定層２ｂ、第２の反強磁性層１ｂが積層されたいわゆるトップ型ＳＶ型ＧＭＲによる第２の積層構造部１０ｂとが積層されたいわゆるデュアル型構成とした場合である。
この場合においても、図３Ｂに示すように、積層構造部１０ａおよび１０ｂの、第１および第２の反強磁性層１ａおよび１ｂの各固定層２ａおよび２ｂとの界面とは反対側の下面および上面に高抵抗層Ｒ01およびＲ02を配置することができると共に、各第１および第２の反強磁性層１ａおよび１ｂに高抵抗層Ｒ1aおよびＲ1b、第１および第２の固定層２ａおよび２ｂに高抵抗層Ｒ2aおよびＲ2bを配置することができる。
【００２１】
また、図４に示す実施形態においては、図３で示したデュアル型構成において、その第１および第２の固定層２ａおよび２ｂを、それぞれ２層の強磁性層２１ａ，２２ａ、および２１ｂ，２２ｂが、非磁性介在層２３ａおよび２３ｂを介して積層されたシンセティック構成とした場合で、この場合は、図４Ｂに示すように、固定層２ａおよび２ｂの各強磁性層２１ａ，２２ａ、および２１ｂ, ２２ｂ内に高抵抗層Ｒ21a ，Ｒ22a 、およびＲ21b Ｒ22b を配置することができる。
【００２２】
上述した各例において、第１および第２の電極３１および３２間に、センス電流の通電を行ってＣＰＰ構成とするものである。
尚、図２〜図４において、図１と対応する部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
また、図４において、図３と対応する部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２３】
更に、本発明ＳＶ型ＧＭＲ素子、あるいはこれを感磁部として用いた磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、導電性のフラックスガイド層を有するフラックスガイド構造とすることができる。
この場合の実施形態を、図５〜図８に例示する。
【００２４】
このフラックスガイド構造においては、自由層にフラックスガイド層８１を磁気的に結合させ、このフラックスガイド層８１の前方端を、検出磁界が導入される前方面８０、すなわち例えば磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体との対接面、あるいは例えば浮上型磁気ヘッドにおいてはそのＡＢＳ（Air Bearing Surface)となる前方面に臨ませる構成とする。
【００２５】
このフラックスガイド構造によれば、磁気抵抗効果素子本体の積層構造部１０，１０ａ，１０ｂを、前方面８０から後退させた位置に配置して、フラックスガイド層８１によって検出磁界を自由層に導入させる構成とすることから、磁気抵抗効果素子本体が、例えば磁気記録媒体との接触による摩耗、あるいは摩擦熱によって、寿命の低下や、ノイズの発生を回避できるものである。
【００２６】
図５に示した例では、相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間に、図１Ｂで説明したＳＶ型ＧＭＲ素子本体の積層構造部１０を、前方面８０より奥行き方向に後退させて配置し、この積層構造部１０の自由層４の少なくとも一部上例えば全面上に跨がって、フラックスガイド層８１が形成され、その前方端を前方面８０に臨ましめて検出信号磁界を、このフラックスガイド層８１を通じて自由層４に導入させる構成とした場合である。
【００２７】
この場合においては、図１Ｂと同様の構造に、フラックスガイド層８１中に、または／およびフラックスガイド層８１の自由層４とは反対側の面に、高抵抗層Ｒf ，Ｒf0をセンス電流の実質的通電路を全面的に横切って配置することができる。
そして、この場合、積層構造部１０にセンス電流の通電がなされるように、フラックスガイド層８１と第２の磁気シールド兼電極４２との間に積層構造部１０上に対応する部分に第２の電極３２を限定的に介在させる。
第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間の他部には、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の絶縁材５２が充填される。
図５において、図１Ｂと対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２８】
また、図６に示した例では、相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間に、図２Ｂで説明したシンセティック構造の積層構造部１０を、前方面８０より奥行き方向に後退させて配置し、この積層構造部１０の自由層４の少なくとも一部上例えば全面上に跨がって、フラックスガイド層８１が形成され、その前方端を前方面８０に臨ましめて検出信号磁界を、このフラックスガイド層８１を通じて自由層４に導入させる構成とした場合である。
図６において図２Ｂおよび図５と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２９】
また、図７に示した例では、相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間に、図３Ｂで説明した積層構造部１０ａおよび１０ｂ構成によるデュアル型構成とした場合であるが、この場合においては各積層構造部１０ａおよび１０ｂにそれぞれ第１および第２の自由層４ａおよび４ｂが設けられた構造とされ、両者間にフラックスガイド層８１を配置した構造とした場合である。
【００３０】
この場合、自由層４ａおよび４ｂの、第１および第２の非磁性層３ａおよび３ｂとの界面とは反対側のフラックスガイド層８１側にセンス電流の通電路を全面的に横切って高抵抗層ＲfaおよびＲfbを設けることができる。また、この場合においても、フラックスガイド層８１内にセンス電流の通電路を全面的に横切って高抵抗層Ｒf を設けることができる。
図７において図３Ｂおよび図６と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３１】
また、図８に示した例では、相対向する第１および第２の磁気シールド兼電極４１および４２間に、図４Ｂで説明したシンセティック構造の積層構造部１０ａおよび１０ｂ構成によるデュアル型構成とした場合である。
図８において図４Ｂおよび図７と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３２】
そして、図９に模式図を示すように、例えば上述した図１〜図４による各積層構造部１０、１０ａ、１０ｂを有するＧＭＲ素子２０に対して、その自由層に、検出磁界が与えられない状態（以下無磁界状態という）で検出磁界方向と交叉する方向の磁化状態を設定するための安定化バイアスを与えるための例えば着磁のなされる硬磁性層５０を、ＧＭＲ素子２０を挟んでその両側に配置する。
尚、例えば図５〜図８で説明したフラックスガイド構造においては，ＧＭＲ素子とこれに結合されたフラックスガイド層とを含んでその両側に同様の例えば硬磁性層５０が配置される。
【００３３】
また、固定層２、２ａ、２ｂとこれと強磁性交換結合する反強磁性層１、１ａ、１ｂの磁化の向きは、上述した自由層４、４ａ、４ｂにおける無磁界状態での磁化の向きと交叉する方向に設定される。
そして、積層構造部に対して、センス電流Ｉｓおよびバイアス磁界と垂直方向に検出磁界が印加され、この検出外部磁界による抵抗変化をセンス電流によって電気的出力として取り出す。
【００３４】
上述した各ＳＶ型ＧＭＲにおける反強磁性層１，１ａ，１ｂは、ＰｔＭｎ，ＮｉＭｎ，ＰｄＰｔＭｎ，Ｉｒ−Ｍｎ，Ｒｈ−Ｍｎ，Ｆｅ−Ｍｎ，Ｎｉ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｆｅ酸化物等によって構成することができる。
【００３５】
また、固定層２の強磁性層は、例えばＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉやこれら２以上の合金による強磁性層、もしくは異なる組成の組み合わせ例えばＦｅとＣｒの各強磁性層によることができる。
【００３６】
自由層４，４ａ，４ｂは、例えばＣｏＦｅ膜、ＮｉＦｅ膜、ＣｏＦｅＢ膜、あるいはこれらの積層膜例えばＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ、またはＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ構成とすることによってより大きなＭＲ比と軟磁気特性を実現することができる。
【００３７】
また、非磁性層３、３ａ、３ｂ、積層フェリ磁性層構造とする非磁性介在層２３、２３ａ、２３ｂ等の非磁性層は、例えばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔや、Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ａｇ，Ｒｕ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｉｒによって構成することができる。
【００３８】
フラックスガイド層８１は、軟磁性の例えばＣｏＦｅ膜、ＮｉＦｅ膜、ＣｏＦｅＢ膜、あるいはこれらの積層膜例えばＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ、またはＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ、あるいはＣｏ−Ａｌ−Ｏ、またはＦｅ−Ａｌ−Ｏなどの高透磁率グラニュラー材料によって構成することができる。
【００３９】
本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、例えば図１０に斜視図を示すように、アルチック（ＡｌＴｉＣ）等による基板５１上に、磁気シールド兼電極層４２が形成され、この上に、図９で説明したように、ＧＭＲ素子２０とその両側に、安定化バイアス印加用の硬磁性層５０が配置され、この上に磁気シールド兼電極層４２が配置される。そして、両磁気シールド兼電極４１および４２間には、例えばＡｌ2 Ｏ3 等の絶縁層５２が充填されて成る。
この構成において、両磁気シールド兼電極層４１および４２間に、センス電流Ｉｓを通電する。すなわちＧＭＲ素子２０の積層構造部の積層方向に沿ってセンス電流Ｉｓを通電する。
【００４０】
図１０の例では、その感磁部すなわちＧＭＲ素子２０が磁気記録媒体との対接ないしは対向面となる前方面８０、例えば浮上型磁気ヘッドにおいてはそのＡＢＳに臨んで配置形成した場合である。
【００４１】
図１１に示す例においては、前述しフラックスガイド構造とした場合で、ＧＭＲ素子２０を、前方面８０から奥行き方向に後退した位置に配置し、このＧＭＲ素子２０の前方に磁気的に結合する磁束ガイド層を配置し、その前方端面を、前方面８０に臨んで配置する構成として、磁気記録媒体からの記録情報による磁束導入層を配置したいわゆるフラックスガイド構造とした場合である。
【００４２】
また、図１０および図１１においては、磁気シールド兼電極２３および２４を用いた構成を示したが、電極と磁気シールド層とを別構成にして重ね合わせた構成とすることもできる。
【００４３】
また、この磁気ヘッドは再生磁気ヘッドであることから磁気記録再生ヘッドを構成する場合には、図１０および図１１の第２の磁気シールド兼電極４２上に、例えば従来周知の磁気誘導型の薄膜記録ヘッドを積層形成して記録再生ヘッドを構成することができる。
【００４４】
図１２は、本発明のＣＰＰ型のＳＶ型ＧＭＲ素子を用いて構成した本発明による磁気メモリの６０の一実施形態の一例の概略構成を示す斜視図であり、図１３は、その回路構成を示す。
この磁気メモリ６０は、ワード線（ＷＬ）６１とビット線（ＢＬ）６２の交差点に対応してメモリセルが配置され、このメモリセルが多数マトリクス状に配置されて構成される。
メモリセルは、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３と非晶質シリコン膜から成るダイオード６４とを有する。これらＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３およびダイオード６４は直列に配置され、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３がワード線６１に接続され、ダイオード６４がビット線６２に接続されている。ダイオード６４により規制されて、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３を流れる電流Ｉｓがワード線６１からビット線６２に向かうように流れる。
【００４５】
この構成により、ワード線６１を流れる電流ＩW による電流磁場とビット線６２を流れる電流ＩB による電流磁場との合成磁場により、ＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３の磁化自由層の磁化の向きを反転させて、この磁化の向きを１または０という情報として記録することができる。
【００４６】
一方、記録された情報の読み出しは、巨大磁気抵抗効果を利用してＣＰＰ型ＧＭＲ素子６３を流れるセンス電流ＩS の大きさから磁化自由層の磁化の向き即ち情報の内容を読み取るようにする。
選択されたメモリセルにはワード線６１とビット線６２の両方の電流磁場が印加されることにより磁化自由層の磁化の向きが反転するが、選択されないメモリセルにはワード線６１あるいはビット線６２のいずれか一方の電流磁場が印加されるだけで磁化の向きが反転するには至らない。これにより、選択されたメモリセルにのみ記録を行うことができる。
【００４７】
次に、本発明によるＳＶ型ＧＭＲ素子の実施例を挙げて説明する。
〔実施例１〕
この実施例においては、図２Ａで示したシンセティック構成によるＳＶ型ＧＭＲ素子を基本構成とし、その第１の電極３１上に、厚さ５ｎｍのＴａによる下地層（図示せず）を形成し、この上に積層構造部１０を形成し、更に、この上に同様に厚さ５ｎｍのＴａによる保護層（図示せず）を配置した構成で、その膜構成は、Ｔａ５／ＰｔＭｎ２０／ＣｏＦｅ２／Ｒｕ０．９／ＣｏＦｅ２／Ｃｕ３／ＣｏＮｉＦｅ６／Ｔａ５（この表記方法は、各層の構成材料の積層状態を示し、記号／は各層の界面を示す。また、各数値は各層の厚さ（ｎｍ）を表示したものであり、以下同様の表記方法をとる。）とした（下記表１の試料１）。
【００４８】
そして、この基本構成において、自由層４上にのみ、高抵抗層Ｒを配置した場合、すなわち図２Ｂで示した高抵抗層Ｒ02のみを配置した場合で、この高抵抗層Ｒ02を厚さ１ｎｍのＣｏ72Ｆｅ8 Ｂ20（添字は原子％）によって構成した。
すなわち、この例では、それぞれ厚さ３００ｎｍのＣｕによる第１および第２電極３１および３２間に、Ｔａ５／ＰｔＭｎ２０／ＣｏＦｅ２／Ｒｕ０．９／ＣｏＦｅ２／Ｃｕ３／ＣｏＮｉＦｅ６／ＣｏＦｅＢ１／Ｔａ５の積層構造（下記表１の試料２）とした場合である。
【００４９】
この構成による積層構造部１０を、１０ｋＯｅの磁場中で、２７０℃で４時間のアニールを施した。
この積層構造部の両面に、厚さ３００ｎｍの電極層を成膜した。
そして、このＧＭＲ素子を、０．１μｍ×０．１μｍサイズにパターニングした。
【００５０】
〔実施例２〜７〕
これら実施例２〜７においては、実施例１における構成と同様の構成によるの、その高抵抗層Ｒ02の構成を、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＣ（下記表１の試料３）、厚さ２ｎｍのＣｏＦｅＯ（下記表１の試料４）、厚さ１ｎｍのＴａ−Ｏ（下記表１の試料５）、厚さ２ｎｍのＴａ−Ｏとし、自由層４を厚さ６ｎｍのＣｏＦｅとし（下記表１の試料６）、高抵抗層Ｒ02を厚さ２ｎｍのＮｉ−Ｏ（下記表１の試料７）、厚さ２ｎｍのＦｅ−Ｏ（下記表２の試料８）とした。
【００５１】
〔実施例８〜１１〕
これら実施例８〜１１においては、上述した図２の構造による試料１の構成において、そのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２１の中央の図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ22のみを設けて、この高抵抗層Ｒ22を、それぞれ厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＢ（下記表１の試料９）、ＣｏＦｅＯ（下記表１の試料１０）、ＣｏＦｅＡｌ（下記表１の試料１１）、ＣｏＦｅＳｉ（下記表１の試料１２）とした。
【００５２】
〔実施例１２〕
この実施例においては、上述した図２の構造による試料１の構成において、そのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２１および２２の各中央の図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ21およびＲ22を設けて、高抵抗層Ｒ21として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＢを配置し、また高抵抗層Ｒ22として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯを配置した（下記表１の試料１３）構成とした。
【００５３】
〔実施例１３〕
この実施例においても、上述した図２の構造による試料１の構成を基本構成とするものであるが、この場合そのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２１の中央の図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ21のみを設けて、この高抵抗層Ｒ21として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯを配置し、自由層４を厚さ６ｎｍのＣｏＦｅとた（下記表１の試料１４）構成とした。
【００５４】
〔実施例１４〕
この実施例においても、上述した図２の構造による試料１の構成を基本構成とするものであるが、この場合そのそのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２２の中央の図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ22のみを設けて、この高抵抗層Ｒ22として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯを配置し、自由層４を厚さ６ｎｍのＣｏＦｅとした（下記表１の試料１５）構成とした。
〔実施例１５〕
この実施例においても、上述した図２の構造による試料１の構成を基本構成とするものであるが、この場合そのそのシンセティック構成による固定層２の強磁性層２２のＣｏＦｅを３ｎｍとし、非磁性層３側に片寄った位置に図２Ｂにおける高抵抗層Ｒ22を設けて、この高抵抗層Ｒ22として、厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯを配置し、更に、抵抗層Ｒ02として厚さ２ｎｍのＣｏＦｅＯを配置した（下記表１の試料１６）構成とした。
【００５５】
表１に、上述した各試料１〜１６についての、素子抵抗、抵抗変化量の測定結果を示す。
【００５６】
【表１】
表１によって明らかなように、本発明による試料２〜１６は、試料１の高抵抗層を設けない場合に比し格段に抵抗変化量が増大していることが分かる。
【００５８】
したがって、この抵抗変化量の大きい本発明によるＳＶ型ＧＭＲ素子を用いて、磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成するときは、外部磁界の検出を、大きな検出出力ないしは再生出力として取り出すことができる。
また、磁気メモリを構成するときは、安定して、確実な動作を行うことができる。
【００５９】
上述したように、本発明においては、自由層上もしくは自由層内、あるいは固定層内に高抵抗層Ｒを設けるものであるが、この高抵抗層の構成材料は、高抵抗層が配置される自由層、あるいは固定層とは異なる高抵抗材料による。
自由層としては、一般に、Ｃｏ、ＣｏＦｅ合金、Ｎｉ、ＮｉＦｅ合金をベースとする材料によって構成されるものである。
【００６０】
これに対し高抵抗層材料としては、遷移金属であって安定な酸化膜形成ができる材料より選定される。
また、自由層、固定層において、非磁性を通過して来た電子のダウンスピンを保存し、スピン依存散乱を可能にする材料より選定される。
【００６１】
この高抵抗層材料としては、例えばＣｏＦｅＢ合金、ＣｏＦｅＡｌ合金、ＣｏＦｅＣ合金、ＣｏＦｅＯ合金、ＣｏＦｅＳｉ合金、ＮｉＦｅＢ合金、ＮｉＦｅＡｌ合金、ＮｉＦｅＣ合金、ＮｉＦｅＳｉ合金、ＮｉＦｅＯ合金、ＣｏＮｉＦｅＢ合金、ＣｏＮｉＦｅＡｌ合金、ＣｏＮｉＦｅＣ合金、ＣｏＮｉＦｅＳｉ合金、ＣｏＮｉＦｅＯ合金、ＣｏＢ基合金、ＣｏＡｌ基合金、ＣｏＣ基合金、ＣｏＳｉ基合金、ＣｏＯ基合金、ＮｉＢ基合金、ＮｉＡｌ基合金、ＮｉＣ基合金、ＮｉＳｉ基合金、ＮｉＯ基合金、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒおよびこれらの酸化物、窒化物が挙げられ、これらの薄膜層を、自由層上もしくは自由層内、あるいは固定層内に薄膜状に分布させることにより、ＳＶ型ＧＭＲ素子の、素子抵抗を効果的に高めることができ、抵抗変化量を飛躍的に向上できた。
【００６２】
そして、上述したＣｏＦｅＢ合金、ＣｏＦｅＡｌ合金、ＣｏＦｅＳｉ合金の合金組成としては、３０＜Ｃｏ＜９０原子％、１０＜Ｆｅ＜５０原子％、２＜Ｂ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ＜３０原子％の範囲が望ましい。
また、ＣｏＦｅＯ合金の酸素濃度として、１０＜Ｏ＜６７原子％が望ましい。
ＮｉＦｅ系およびＣｏＮｉＦｅ系、Ｃｏ系、Ｎｉ系合金についても、同様に，合金組成として、３０＜Ｎｉ、ＮｉＣｏ、Ｃｏ＜９０原子％、１０＜Ｆｅ＜５０原子％、２＜Ｂ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ＜３０原子％が望ましい。
Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒの酸化物および窒化物については、アモルファス状素子を有しており、大気中に放置されても安定であることが特徴である。
【００６３】
尚、例えば自由層内の抵抗層として例えばＮｉＦｅＯであるとき、自由層としては抵抗層と組成が近いＮｉＦｅによって構成することが望ましいが、この場合は、自由層の非磁性層のＣｕとの界面においては、Ｃｏを含む例えばＣｏＦｅを介在させることが望ましい。
【００６４】
磁気ヘッドを設計するに際して必要なこととして、抵抗の変化量ｄＲが大きいことが挙げられる。このｄＲを向上させるには、ＳＶ型ＧＭＲ素子の抵抗を高めるか、ＭＲ比を増加させるかである。
【００６５】
高抵抗層を挿入すると、ＭＲ比（ｄＲ／Ｒ）が低下することなく、高抵抗層が挿入されないＳＶ型ＧＭＲ素子と、そのＭＲ比は同等の値を示した。したがって、高抵抗層を挿入することによって素子抵抗の増加を図った分、ｄＲ値が増加する結果となった。
【００６６】
この高抵抗層は、前述したように複数層、挿入することができるが、前述した実施例におけるように、０．１μｍ×０．１μｍのサイズにおいては、高抵抗層の厚さの総和が４ｎｍ以上となると素子抵抗が大きくなり過ぎ、必要なセンス電流を通電したときの発熱が大きくなって磁気抵抗効果が低下し、ノイズも大きくなってくることから、例えばこのサイズにおいては、７０Ω以下、すなわち７０Ω×０．１μｍ×０．１μｍ＝０．７Ω・μｍ2 以下が実用上望ましい。
例えば、表１で示す試料１７は、試料１の構成において、高抵抗層Ｒ02として厚さ４ｎｍのＣｏＦｅＢ層を介在させて、Ｔａ5 ／ＰｔＭｎ20／ＣｏＦｅ2 ／Ｒｕ9 ／ＣｏＦｅ2 ／Ｃｕ3 ／ＣｏＮｉＦｅ6 ／ＣｏＦｅＢ4 ／Ｔａ5 とした場合で、この場合、素子抵抗は７０Ωを超える値となり、この場合、ノイズが大となった。
また、試料１８は、高抵抗層Ｒ22として厚さ１ｎｍのＣｏＦｅＯ層を、また、高抵抗層Ｒ01として厚さ３ｎｍのＣｏＦｅＯ層とした場合で、素子抵抗は７０Ωを超える値となり、この場合、ノイズが大となった。
【００６７】
上述したように、本発明によるＣＰＰ型のＳＶ型ＧＭＲは、ＣＰＰ型構成とするにも拘わらず素子の抵抗を高めたことができるものであり、抵抗変化率を保持したまま、抵抗変化量の向上が図られた。
【００６８】
尚、本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリは、上述した例に限定されるものではなく、使用目的、使用態様に応じて、本発明構成において、種々の変形変更を行い得ることはいうまでもない。
【００６９】
【発明の効果】
本発明によれば、磁気抵抗効果素子をＣＰＰ構成とする場合の、素子抵抗の減少を補償し得、高い素子抵抗を得ることができるようにして抵抗変化量を高めたことから、例えば長時間の動画処理への適用に対する高記録密度化、記録，再生ビットの微小化、したがってこの微小領域からの信号の読み出しを高感度に行うことができる磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成することができるものである。
【００７０】
また、磁気メモリにおいても、高密度および高精度化を図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＡおよびＢは、磁気抵抗効果素子の一構成の断面図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図２】ＡおよびＢは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図３】ＡおよびＢは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図４】ＡおよびＢは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図５】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図６】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図７】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図８】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図９】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの概略断面図である。
【図１０】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの他の一例の概略断面図である。
【図１１】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの他の一例の概略断面図である。
【図１２】本発明による磁気メモリの概略構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明による磁気メモリの回路構成の概略図である。
【符号の説明】
１・・・反強磁性層、１ａ・・・第１の反強磁性層、１ｂ・・・第２の反強磁性層、２・・・固定層、２ａ・・・第１の固定層、２ｂ・・・第２の固定層、３・・・非磁性層、４・・・自由層、３・・・非磁性層、３ａ・・・第１の非磁性層、３ｂ・・・第２の非磁性層、１０，１０ａ，１０ｂ・・・積層構造部、２０・・・ＧＭＲ素子、２１，２２，２１ａ，２２ａ，２１ｂ，２２ｂ・・・強磁性層、２３，２３ａ，２３ｂ・・・非磁性介在層、３１・・・第１の電極、３２・・・第２の電極、４１・・・第１の磁気シールド兼電極、４２・・・第２の磁気シールド兼電極、５１・・・基板、５２・・・絶縁材、６０・・・ 薄膜磁気メモリ、６１・・・ワード線、６２・・・ビット線、６３・・・ＣＰＰ型ＧＭＲ素子、６４・・・ダイオード、８０・・・前方面、８１・・・フラックスガイド層、Ｒ，Ｒ01，Ｒ02，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ2a，Ｒ2b，Ｒ4 ，Ｒ21, Ｒ21a ，Ｒ21b,Ｒ21b ，Ｒ22，Ｒ22a ，Ｒ22b ，Ｒf,Ｒfa, Ｒfb，Ｒf0・・・高抵抗層、
Claims (9)
- 少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、
該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする巨大磁気抵抗効果素子であって、
上記積層構造部の自由層がフラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または／および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切る高抵抗層が配置され、磁気抵抗効果素子の面積抵抗が４０ｍΩ・μｍ２を超え７００ｍΩ・μｍ２以下とされたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 請求項１に記載の磁気抵抗効果素子にあって、上記積層構造部の構成層間の界面以外の位置に、上記センス電流の通路を横切って高抵抗層が配置されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
- 上記積層構造部の上記高抵抗層は、上記自由層内、該自由層の上記非磁性層との接合面とは反対側の面、上記固定層を構成する強磁性層内、上記反強磁性層内、該反強磁性層の上記固定層との接合面とは反対側の面の、いずれか１つ以上に配置されることを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果素子。
- 磁気抵抗効果素子を具備する磁気抵抗効果型磁気センサであって、
上記磁気抵抗効果素子は、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする巨大磁気抵抗効果素子であって、
上記積層構造部の自由層がフラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または／および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切る高抵抗層が配置され、上記磁気抵抗効果素子の面積抵抗が４０ｍΩ・μｍ ２ を超え７００ｍΩ・μｍ ２ 以下とされたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気センサ。 - 請求項４に記載の磁気抵抗効果型磁気センサにあって、上記積層構造部の構成層間の界面以外の位置に、上記センス電流の通路を横切る高抵抗層が配置されたことを特徴とする磁気抵抗効果型センサ。
- 上記積層構造部の上記高抵抗層は、上記自由層内、該自由層の上記非磁性層との接合面とは反対側の面、上記固定層を構成する強磁性層内、上記反強磁性層内、該反強磁性層の上記固定層との接合面とは反対側の面の、いずれか１つ以上に配置されることを特徴とする請求項５に記載の磁気抵抗効果型磁気センサ。
- 第１および第２の磁気シールド間に、磁気抵抗効果素子が配置されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、
上記磁気抵抗効果素子が、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする巨大磁気抵抗効果素子であって、
上記積層構造部の自由層がフラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または／および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切る高抵抗層が配置され、上記磁気抵抗効果素子の面積抵抗が４０ｍΩ・μｍ ２ を超え７００ｍΩ・μｍ ２ 以下とされたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 請求項７に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにあって、上記積層構造部の構成層間の界面以外の位置に、上記センス電流の通路を横切る高抵抗層が配置されたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
- 上記積層構造部の上記高抵抗層は、上記自由層内、該自由層の上記非磁性 層との接合面とは反対側の面、上記固定層を構成する強磁性層内、上記反強磁性層内、該反強磁性層の上記固定層との接合面とは反対側の面の、いずれか１つ以上に配置されることを特徴とする請求項８に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。」
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001162856A JP3807254B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US10/157,306 US7035058B2 (en) | 2001-05-30 | 2002-05-29 | Magneto-resistive effect element, magnetic sensor using magneto-resistive effect, magnetic head using magneto-resistive effect and magnetic memory |
| US11/127,828 US7502208B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-05-12 | Magneto-resistive effect element, magnetic sensor using magneto-resistive effect, magnetic head using magneto-resistive effect and magnetic memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001162856A JP3807254B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002359412A JP2002359412A (ja) | 2002-12-13 |
| JP3807254B2 true JP3807254B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=19005917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001162856A Expired - Lifetime JP3807254B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7035058B2 (ja) |
| JP (1) | JP3807254B2 (ja) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6937446B2 (en) * | 2000-10-20 | 2005-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element, magnetic head and magnetic recording and/or reproducing system |
| EP2264725B1 (en) * | 2002-12-13 | 2016-11-23 | Japan Science and Technology Agency | Magnetic apparatus with magnetic thin film |
| JP2004363527A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-12-24 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法 |
| US6999339B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-02-14 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit including sensor to sense environmental data, method of compensating an MRAM integrated circuit for the effects of an external magnetic field, MRAM integrated circuit, and method of testing |
| US6865109B2 (en) * | 2003-06-06 | 2005-03-08 | Seagate Technology Llc | Magnetic random access memory having flux closure for the free layer and spin transfer write mechanism |
| KR100548997B1 (ko) * | 2003-08-12 | 2006-02-02 | 삼성전자주식회사 | 다층박막구조의 자유층을 갖는 자기터널 접합 구조체들 및이를 채택하는 자기 램 셀들 |
| TWI250651B (en) * | 2003-08-12 | 2006-03-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Magnetic tunnel junction and memory device including the same |
| JP2005223193A (ja) | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、およびハードディスク装置 |
| US7221545B2 (en) * | 2004-02-18 | 2007-05-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High HC reference layer structure for self-pinned GMR heads |
| US7190560B2 (en) | 2004-02-18 | 2007-03-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Self-pinned CPP sensor using Fe/Cr/Fe structure |
| US7564657B2 (en) | 2004-03-25 | 2009-07-21 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device, thin film magnetic head, head gimbal assembly and magnetic disk unit exhibiting superior magnetoresistive effect |
| JP4953569B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2012-06-13 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 薄膜磁気抵抗素子並びに薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサ |
| US7352540B1 (en) * | 2004-12-20 | 2008-04-01 | Storage Technology Corporation | Giant magneto-resistive (GMR) transducer having separation structure separating GMR sensor from head-tape interface |
| JP4134080B2 (ja) | 2005-04-04 | 2008-08-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 |
| JP2007088415A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-04-05 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置 |
| JP2007081280A (ja) | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
| KR100706806B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2007273504A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気ランダムアクセスメモリ |
| US20080003956A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Paul Stanley Rutkowski | Apparatus and method for FM transmitting audio at optimal power levels |
| JP4921897B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | 磁気センサー |
| US7914915B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-03-29 | The United States of America as represented by the Secretary of the Commerce, The National Institutes of Standards and Technology | Highly charged ion modified oxide device and method of making same |
| WO2008143118A1 (ja) | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Alps Electric Co., Ltd. | トンネル型磁気検出素子 |
| US7978439B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-07-12 | Headway Technologies, Inc. | TMR or CPP structure with improved exchange properties |
| US20090122450A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Headway Technologies, Inc. | TMR device with low magnetostriction free layer |
| FR2929041B1 (fr) * | 2008-03-18 | 2012-11-30 | Crocus Technology | Element magnetique a ecriture assistee thermiquement |
| KR101766899B1 (ko) | 2010-04-21 | 2017-08-10 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 |
| US8570691B2 (en) * | 2011-04-07 | 2013-10-29 | HGST Netherlands B.V. | TMR sensor film using a tantalum insertion layer and systems thereof |
| CN102487124B (zh) * | 2011-09-19 | 2014-07-23 | 中国科学院物理研究所 | 纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法 |
| EP3022569A4 (en) * | 2013-07-19 | 2017-01-11 | InvenSense, Inc. | Application specific integrated circuit with integrated magnetic sensor |
| US9368550B2 (en) | 2013-07-19 | 2016-06-14 | Invensense, Inc. | Application specific integrated circuit with integrated magnetic sensor |
| JP6202282B2 (ja) * | 2015-02-17 | 2017-09-27 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| US9831422B2 (en) | 2015-10-21 | 2017-11-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel junction |
| US10050192B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-08-14 | Imec Vzw | Magnetic memory device having buffer layer |
| US9607635B1 (en) | 2016-04-22 | 2017-03-28 | International Business Machines Corporation | Current perpendicular-to-plane sensors having hard spacers |
| JP6271654B1 (ja) * | 2016-08-05 | 2018-01-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリ |
| US9747931B1 (en) | 2016-08-16 | 2017-08-29 | International Business Machines Corporation | Tunnel magnetoresistive sensor having stabilized magnetic shield and dielectric gap sensor |
| US9947348B1 (en) | 2017-02-28 | 2018-04-17 | International Business Machines Corporation | Tunnel magnetoresistive sensor having leads supporting three-dimensional current flow |
| JP2018147916A (ja) * | 2017-03-01 | 2018-09-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 磁気記憶素子、磁気記憶装置、電子機器、および磁気記憶素子の製造方法 |
| US9997180B1 (en) | 2017-03-22 | 2018-06-12 | International Business Machines Corporation | Hybrid dielectric gap liner and magnetic shield liner |
| JP6962103B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-11-05 | Tdk株式会社 | 積層体、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、センサ、高周波フィルタ及び発振素子 |
| US11763972B2 (en) * | 2018-08-12 | 2023-09-19 | HeFeChip Corporation Limited | Magnetic tunnel junction element with a robust reference layer |
| US10803889B2 (en) | 2019-02-21 | 2020-10-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus with data reader sensors more recessed than servo reader sensor |
| US11074930B1 (en) | 2020-05-11 | 2021-07-27 | International Business Machines Corporation | Read transducer structure having an embedded wear layer between thin and thick shield portions |
| US11114117B1 (en) | 2020-05-20 | 2021-09-07 | International Business Machines Corporation | Process for manufacturing magnetic head having a servo read transducer structure with dielectric gap liner and a data read transducer structure with an embedded wear layer between thin and thick shield portions |
| KR20220127581A (ko) * | 2021-03-11 | 2022-09-20 | 삼성전자주식회사 | 멤리스터 소자, 이를 포함하는 시냅스 소자 및 뉴로모픽 프로세서 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| US5549978A (en) * | 1992-10-30 | 1996-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| US5764567A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with nonferromagnetic interface layer for improved magnetic field response |
| US5966012A (en) * | 1997-10-07 | 1999-10-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with improved fixed and free ferromagnetic layers |
| US6072718A (en) * | 1998-02-10 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory devices having multiple magnetic tunnel junctions therein |
| US6153320A (en) * | 1999-05-05 | 2000-11-28 | International Business Machines Corporation | Magnetic devices with laminated ferromagnetic structures formed with improved antiferromagnetically coupling films |
| US6219208B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve sensor with self-pinned layer specular reflector |
| JP2001222803A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-17 | Tdk Corp | 磁気変換素子および薄膜磁気ヘッド |
| US6269018B1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Magnetic random access memory using current through MTJ write mechanism |
| US6331944B1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Magnetic random access memory using a series tunnel element select mechanism |
-
2001
- 2001-05-30 JP JP2001162856A patent/JP3807254B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-05-29 US US10/157,306 patent/US7035058B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-05-12 US US11/127,828 patent/US7502208B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7035058B2 (en) | 2006-04-25 |
| JP2002359412A (ja) | 2002-12-13 |
| US20030011944A1 (en) | 2003-01-16 |
| US7502208B2 (en) | 2009-03-10 |
| US20050201021A1 (en) | 2005-09-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040928 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041129 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051227 |
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