JP3896905B2 - 光通信装置 - Google Patents
光通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3896905B2 JP3896905B2 JP2002176524A JP2002176524A JP3896905B2 JP 3896905 B2 JP3896905 B2 JP 3896905B2 JP 2002176524 A JP2002176524 A JP 2002176524A JP 2002176524 A JP2002176524 A JP 2002176524A JP 3896905 B2 JP3896905 B2 JP 3896905B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- optical
- light
- wdm
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4255—Moulded or casted packages
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4256—Details of housings
- G02B6/4257—Details of housings having a supporting carrier or a mounting substrate or a mounting plate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4256—Details of housings
- G02B6/4262—Details of housings characterised by the shape of the housing
- G02B6/4265—Details of housings characterised by the shape of the housing of the Butterfly or dual inline package [DIP] type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4215—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4274—Electrical aspects
- G02B6/4277—Protection against electromagnetic interference [EMI], e.g. shielding means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、各々の1本の光ファイバに一種類の波長帯λ1の送信光と、二種類の波長帯λ2、λ3の受信光を伝搬させる光ファイバをM本用いて双方向伝搬する多チャンネル(Mチャンネル)光通信系において、λ1波長帯の送信光を送信するM個の発光素子(LD)とλ2、λ3波長帯の受信光を受光するM個のλ2受光素子(PD)、M個のλ3受光素子(PD)を一つのパッケージに纏めて収納した多チャンネル双方向光通信装置にかかる。このMチャンネル双方向光通信系はMチャンネル、M本の光ファイバがあり、端末の光送受信モジュールはM個の発光素子、2M個の受光素子をも備えなければならない。つまり3M個の光素子を備える必要があるが、そのような多数の光素子を一つの容器に収容したものは類例がない。3M個の光素子を収納するには空間的な配置に工夫が必要である。
【0002】
1本の光ファイバによって送信光と受信光を双方向に伝搬する光送受信器について説明する。光送受信モジュールにおいて光路の終端部近くで発光素子(Laser Diode;LD)と受光素子(Photodiode;PD)に光を分配しなければならない。そのために様々な分配機構が提案されている。LD系とPD系の分配機構に望まれるのは、分配のロスが少ないとか光学的クロストーク、電磁的クロストークや電気的クロストークが小さいということである。
【0003】
光学的クロストークというのは、送信側の強烈なLDの光が受信側の鋭敏なPDに入り受信信号にノイズを発生させることである。双方向同時送受信器の場合、送信波長λ1と、受信波長λ2は相違する。しかしPDは1.0〜1.6μm帯に感度のあるInGaAs受光層をもつものを用いるからLD光にも感度がある。だから光学的クロストークを排除する必要がある。
【0004】
電気的クロストークも問題である。それは送信側の強い駆動電流がパッケージを流れるものである。電磁的クロストークは電磁波となって空間を伝搬し受信側に電気ノイズを発生させることである。これも充分に抑制できるということがデバイスに要求される。電磁的クロストークも送受信間では問題となる。高速のパルス信号を扱うのでLDやその駆動線路、回路からは電磁波が発生し、それがPDに入り混信を引き起こす可能性がある。電磁的なクロストークも抑制しなければならない。従来の送受信モジュールは1チャンネル分のものであったが、ここでは多チャンネルのものを問題にする。多チャンネルといっても二波長(λ1、λ2)を使う送受信モジュールのように単純でなく、三波長(λ1、λ2、λ3)を使う複雑な多チャンネル光通信系を対象とする。
【0005】
【従来の技術】
LD/PDの分配機構については幾つかの類型がある。図8に示すように光ファイバ85端とLD86を直線上に配置し両者の中間に波長選択多層膜からなるWDM(Wavelength Division Multiplexer)87を光路に対し45度の角度をなすように設置し、それに対して90度の方向にPD88を配置し、LD光はWDM87をそのまま通過し光ファイバ85へ入り、光ファイバ85からの光はWDMで反射されてPD88に入るようにしたものがある。
【0006】
波長分離にはWDMを使うが、これは屈折率の異なる2種類以上の透明の誘電体を多数枚重ねた光学的素子で、ある特定の波長(λ1)は(反射率が0で)100%近く透過し、それとは別の特定の波長(λ2)は(透過率が0で)100%近く反射するというものである。その他の波長に対しては有限の反射率と有限の透過率をもつ。そのような空間伝搬する光をWDMで45゜反射し、あるいは透過させることによって波長分離する装置は多数提案されている。
【0007】
▲1▼ 小楠正大、富岡多寿子、大島茂「レセプタクル形双方向波長多重光モジュールI」1996年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会C−208、p208
【0008】
にそのようなものが提案されている。これは光路が空間になりPD、LDは別々のモジュールとなるからPDやLD間のクロストークを減らすことができる。それは利点であるが分離した素子を組み合わせたものであり、嵩高いものになる。
【0009】
基板の上にY分岐した導波路を設けて光路を分離するというものもある。Si基板にY分岐をもつ光導波路を設け始端を光ファイバに、二つの終端にLDとPDを接続し、分岐点に波長選択フィルタを設けたものである。LDからの光を波長選択フィルタが光ファイバ側へ通し、光ファイバからの光を波長選択フィルタは選択的にPDに入射するようにしている。そのようにして双方向同時通信を可能にしている。これも1チャンネルのものであり、LDが一つPDが一つで、1.3μm光をLDが発生し、1.55μm光をPDが受信するようになっている。たとえば
【0010】
▲2▼ 栗林昌樹、磯野秀樹、国兼達郎、大森康弘、江森俊行「石英系光導波路を用いたWDM内蔵光双方向モジュール」1993年電子情報通信学会秋季大会C−158、p4−238
【0011】
はそれにあたる。1.3μm光を発生するLDと、1.55μm光を受信するPDのためのY分岐導波路を用いた光送受信モジュールを提案している。SiベンチにSiO2とGeO2ドープSiO2よりなる光導波路を形成し、それをY分岐させたものである。Y分岐にWDMフィルタを設け波長によって光は二つの分岐の何れかに分配されるようにしている。Y分岐の良い点は発光素子も受光素子も同じ高さの平面に設けることができ、光学的なクロストークが少ないことなどである。
【0012】
しかし分岐の曲率をあまり大きくできないから、ある程度の光路長が必要でありデバイスが大きくなるという難点がある。しかも横にPDとLDを並べるから広い面積を必要とする。1組のPD/LDならまだしも、複数のPD/LD組を持つ送受信器をY分岐で作製すると大型の装置になってしまう。多チャンネルの場合特にその欠陥は顕著になる。
【0013】
あるいは基板平面に逆y分岐光導波路を作製し、終端にPD、分岐点にWDM、yの左分枝に光ファイバ、右分枝にLDを配置し、受信光である1.55μm光は光ファイバからPDへ直進し、LDから出た送信光である1.3μm光はWDMで反射して導波路へ出てゆくようになっている。
【0014】
3番目のタイプは、光ファイバ或いは直線導波路を平面基板の上に形成して光ファイバ・導波路の終端に発光素子(LD)を設置し、光ファイバ・導波路の中間点に上向き斜めにWDMを設けて導波路の少し右にPDを設けた光路上下分離型である。例えば
【0015】
▲3▼ 宇野智昭、西川透、光田昌弘、東門元二、松井康、「表面実装型LD/PD集積化モジュール」1997年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C−3−89、p408
【0016】
は前方を切り欠き後方がV溝を有する高い段部になったSi基板の前方に、V溝を切ったガラス基板をV溝が同一直線上にくるよう接着し、ガラス基板のV溝とSi基板のV溝に共通の光ファイバを取り付け、光ファイバ終端部にLDを設置し、ガラス基板の中間部で光ファイバを斜めに切ってWDMを差し込み光ファイバのすぐ上のガラス基板面にPDを固定した構造のLD/PDモジュールを提案している。光ファイバの延長上にLDが、光ファイバのすぐ上にPDがあり光路を上下に分離している。
【0017】
PDはLDより少し高い位置にしなければならないから、Si基板だけでは難しくガラス基板を別にSi基板に接合して高さの違いを与えている。WDMからPDまでの距離が短いから、PDは光ファイバに接触しており高さが違うといっても光ファイバの半径〜直径程度の違いである。上下に光路を分岐しているがLDとPDはほぼ同じ高さにあるといえる。
【0018】
▲4▼ 特開2001−203419「発光装置」も本出願人になるものであるが、光路上下分岐型のLD/PDモジュールを提案している。Siベンチ上に長手方向に伸びるSiO2光導波路を形成し終端部においてSiベンチを少し切りとりその凹部にLDを取り付け、中間部にWDMフィルタを斜め上向きに差し込み光導波路のすぐ上にPDを付けている。これはPD用の光路をWDMによって上へ持ち上げているがWDMからの光路が短いのでPDはSiベンチのすぐ上に固定されている。PDとLDの高さの違いは光導波路の厚みの程度か、その半分程度である。これも上下に光路を分岐しているがLDとPDはほぼ同じ高さにあるといえる。
【0019】
▲5▼ 特開平11−218651号「光送受信モジュール」も本出願人になるものであるが、送信部と受信部が上下に分離しており間にグランドメタライズ面を挟む構造になっている。図9に張り合わせ基板部分の断面図を示す。貫通穴を有し裏面にグランド面Gを有する第1基板95には光導波路96、WDM97、LD98を設け送信部とし、貫通穴を有し裏面にグランド面Gを有する第2基板99には穴直下にPD102とその近傍にAMP103を設け受信部とする。貫通穴が一致するよう第1基板と第2基板の裏面同士を張り合わせる。光導波路96には光ファイバ105を突き合わせ結合する。
【0020】
LDの送信光λ1は光導波路、WDMを通って光ファイバに入る。光ファイバからの受信光λ2はWDMで下向き反射され貫通穴を通りPDに入る。グランド面GはPD系とLD系に共通に接続される。グランド面が丁度二つの基板の張り合わせ面にあるからLDからの電磁ノイズがPDに入るのを防止することができる。これはWDMが光路を上下に分離するものであり、PDまでの光路が長いのでPDが光導波路を形成した基板面から離隔したものである。グランド面によってLDからの電磁波がPDやAMPへ入るのを防ぐものである。LD面とPD面が違うから光学的クロストークはほぼ完全に抑えられる。PDとLDの間にグランド面があるので電磁クロストークや電気クロストークも抑制できる。巧妙な素子構造になっている。
【0021】
これは加入者側の光送受信モジュールとして開発されたので、LDは一つ、PDも一つ、光導波路は1本である。多数のLD/PD対を搭載するという必要性はない。複数のLD/PD対を搭載するため実装容積を節減してデバイスを小型化するという思想はない。それに送信部と受信部の間にグランド面を配置すると、それがアンテナとなってかえって受信系が送信系のノイズを拾い易くなるという欠点があることがわかってきた。また基板を張り合わせるがSi基板は電気を通すから薄いSiO2絶縁膜だけが電気的絶縁をすることになり受信系と送信系の電気的クロストークを低減できないという問題もあった。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
これまでは多数のLD/PDモジュールを含む多チャンネルという要求がなかったので1対のLD/PDを含むモジュールの提案がなされており、1つであれば容積を削減する必要がないから横方向に並べても上下方向に並べても同じようなものであった。ところが、これからは多チャンネルのLD/PDモジュールというものが必要とされる。それだけでなく1チャンネルにおいても受信装置がデジタルとアナログというように二つ要求される場合もある。つまり1チャンネルだけでも1LD・2PDの3素子が必要で、それがMチャンネルあるから3Mの光素子を一つのパッケージに収納することが強く望まれるということになる。特に局側においては多数の加入者を相手にするから、そのような多チャンネルの光送受信モジュールはこれから強く要望されることになろう。
【0023】
多チャンネル、3素子であるから、一つ一つの素子が占有する容積をできるだけ削減し小型のモジュールとする必要がある。さらに電気的、電磁的、光学的クロストークを低減したいという強い要望もある。
【0024】
どうして多チャンネルの光送受信モジュールが必要になってきたのか?本発明は1本の光ファイバを使って同時双方向送受信をする光通信システムを目的にする。そのようなものでも光ファイバの接続について幾つかの種類がある。
【0025】
はじめに検討されていたものは、16の加入者に対し局から1本の光ファイバを敷設し、加入者群の近くで1:16の分岐素子を用いて16加入者に分割するというものである。加入者の数をNとすると、局と分岐を結ぶ光ファイバはN/16本で済む。それは必要な光ファイバの長さを減らすことができるという長所がある。これを用いると、16の加入者(ONU)に対して、局は一つの送受信モジュールを持てば良いことになる。ところが1:16の分岐素子そのものを制御する必要があるから制御系統が複雑になりシステムの拡張性に欠けるという恨みがある。
【0026】
そこで、よりスッキリと分岐素子を用いないで、局と各加入者1軒を直接に各1本の光ファイバで接続するという、より単純なシステムが検討され始めている。分岐を使わないから、局と加入者を結ぶ光ファイバの数はN本である。これは加入者1軒について独立の光ファイバを用いるから様々の付加機能を与える余地があり有望である。反面、光ファイバを多用するだけでなく局側の送受信モジュールの数もN個必要になり、局側の装置も肥大する。
【0027】
そのような場合、局側の光送受信モジュールは一つの装置に4個、8個、16個、…というように複数のLD/PD対を含むようにすれば、局側に備えなければならない光送受信モジュールの数がN/4個、N/8個、N/16個、…というように減少する。局側の装置としては多数のチャンネルを備えた送受信モジュールが望ましいということになる。そのような訳で局側のLD/PDモジュールとして多チャンネルのものが新たに要求され始めた。
【0028】
さらに加入者側からはデジタル信号を送信するだけであるが、局側からはデジタル信号とアナログ信号を送るというようなデジタル・アナログ混合の光通信システムが要望される可能性もある。電話・ファクシミリなどはデジタル信号で、テレビ放送はアナログ信号で伝送するという場合、局側から加入者へ送る下り信号は(加入者側からいえば受信光)デジタル・アナログの二種類になる。だから加入者はLD(λ1)+PD(λ2)+PD(λ3)を備えた1チャンネルの3素子型(LD・2PD)光送受信モジュールが必要である。本発明はそれも含むのであるが局側のM個の3素子型光送受信モジュールを主な対象とする。容積低減、クロストーク低減の要望は局側の装置においてより強い。
【0029】
複数のLD/2PDを効率的に収容できる小型で多チャンネルの光送受信モジュールを提供することが本発明の第1の目的である。複数のLD/PDを収容した場合、1チャンネル当たりのコストを低減できる光送受信モジュールを提供することが本発明の第2の目的である。多数のLD/PDを一つのデバイスに収納しても、LD・PD間、PD・PD間の光学的、電気的、電磁的クロストークが大きくならないようにクロストークを抑制できる光送受信モジュールを提供することが本発明の第3の目的である。
【0030】
【課題を解決するための手段】
本発明は、容器を上中下3階構造にして、中階に光ファイバコネクタ、光導波路付きSi基板、第1WDM1、第2WDM2、λ1発振LD、LD用リードピンを保有させ、上階にλ2受信PD1と、PD用リードピンを保有させ、下階にλ3受信PD2と、PD用リードピンを保有させ、容器には透光性樹脂を充填し、中階のLDからの送信光λ1は光導波路を伝搬し第1WDM1、第2WDM2を透過し光ファイバへ入り、光ファイバからの受信光λ2は第1WDM1によって上へ反射させλ2受信PD1に入射させ、光ファイバからの受信光λ3は第2WDM2によって反射されて1階のλ3受信用PD2に入射するようにさせる。
【0031】
上容器、中容器には受信光を通す床穴を穿孔しておく。光路を二つのWDMによって上下方向に分けWDMによって反射された受信光λ2、λ3は上、下の床穴を通り光導波路から離隔したPD1、PD2に入射する。LDとPD1、PD2は容器床板で遮断されており光学的クロストークを抑制できる。その効果は絶大である。
【0032】
中階のLDと下階、上階のPDはSi容器でなく絶縁性の容器によって隔てられるから電気的なクロストークも下げることができる。また中階の送信器(LD)部分と、上階、下階の受信器(PD、AMP)部分の電気配線が容器内では全く分離しているから電気的クロストーク低減に効果的である。送信器(LD)部分と受信器(PD、AMP)部分の中間にグランド面がないので電磁的なクロストークも防止できる。
【0033】
先述のように電磁気学の一般常識と違って送信部と受信部の間にグランド面を入れると、それがアンテナになってかえって電磁的クロストークを増進することがあり、本発明はそのような問題をさけるためにグランド面を間に差し挟まないようになっている。
【0034】
上階、下階に波長の異なる受信光(λ2、λ3)のためのPD1、PD2を配置している。中階に送信光のためのLDを配置している。二つのWDM1、WDM2によって、そのようなことを可能にする。送信光λ1だけは空間を伝搬しないが、λ2、λ3の受信光は空間伝搬する。空間伝搬するために容器内には透明の樹脂を充填しておく。単に不活性ガスとすると界面での反射が大きくなり望ましくない。だから反射、屈折損失を減らすために透明樹脂を満たす。透明樹脂は柔軟性のあるシリコーン樹脂などが望ましい。それは外部からの機械的な衝撃を緩和するという好都合の作用もある。
【0035】
全体をさらに不透明、硬質の樹脂(例えばエポキシ)によってモールドして一つのまとまりあるデバイスとする。本発明は光導波路、WDMを含むLD部分を中階に、2種類のPD部分を上階、下階に配置して、WDM1、WDM2により受信光を上下方向に反射している。3つの素子(LD・2PD)が上下に配置される。だから横方向には幅をとらない。同じ構造物(LD・2PD)を幾らでも側方に平行に並列させることができる。だから多チャンネルのLD・2PD光送受信モジュールとして最適である。
【0036】
【発明の実施の形態】
本発明は、上中下3階構造の容器を用い、中階を送信系に、下階、上階を受信系に振り分ける。送信系には光ファイバコネクタ、光導波路付きSi基板、WDM1、WDM2、LD、LD用リードピンを保有させる。上階のλ2用受信系にはλ2受信PDだけ、あるいはλ2用PDとその信号を増幅する増幅器、PD用リードピンを保有させる。
【0037】
下階のλ3用受信系にはλ3受信PDだけ、あるいはλ3用PDとその信号を増幅する増幅器、PD用リードピンを保有させる。光導波路を伝わる受信光λ2、λ3はWDM1によって上へ、WDM2によって下へ反射しPD1、PD2に入射させる。3階構造のパッケージの光素子を含む部分は透光性樹脂によって被覆して反射や散乱を低減する。その上を硬質不透明外殻樹脂によって被覆する。
【0038】
LD、PD1、PD2と波長λ1、λ2、λ3の配分によって6つの類型がありうる。例えば利用する波長を1.3μm帯、1.4μm帯、1.55μm帯の3つとしても、それをλ1、λ2、λ3のどれに対応させるかで6通りある。本発明はそのどれにも適用することができる。
【0039】
波長を様々に変えると混乱するので、ここでは発光素子LDの発振するものをλ1、受光素子PD1の受光する波長をλ2、受光素子PD2が受光する波長をλ3ということにする。λ2を選択反射するのが第1WDM1、λ3を選択反射するのが第2WDM2であるとする。
【0040】
λ1、λ2、λ3がそれぞれ1.3μm帯、1.4μm帯、1.55μm帯のどれかに対応する。多チャンネルであるから1.3μm帯といっても少しづつ波長の異なるM個の光素子が用いられるのである。1.55μm帯も同様で少しづつ波長の異なるM個の光素子を使う。WDM1、WDM2の誘電体多層膜構造もそれに応じて複雑になる。しかし二つのWDMで、そのような3つの波長帯を分離することが可能である。
【0041】
[上階] λ2光を受信するλ2用PD1をM個とメタライズパターン、リードピンを設ける。PD1の信号を前置増幅する前置増幅器(AMP1)を近接させて設けることもできる。さらに電源安定用コンデンサやその他の電気素子を設けることもできる。これらのPD1、AMP1、電気素子はメタライズパターンとワイヤで接続される。Mチャンネルあるので、受光素子は二つのサフィックスを付けて、PD1a、PD1b、…、PD1Mと書くことができる。
【0042】
[中階] λ1を発振するLDをM個、M個の第1WDM1、M個の第2WDM2、M本の光導波路、M本のV溝を設けたSiベンチ、リードピン等を設ける。LDとリードピンはワイヤによって接続される。M個の発光素子はサフィックスを付けてLDa、LDb、…、LDMと表現することができる。第1WDMは、WDM1a、WDM1b、WDM1c、…、WDM1MというようにM個あって横一直線に並ぶ。λ2を選択反射するといってもλ2が少しづつチャンネルによって違うから厳密にはWDM1も異なる。しかしチャンネルによる波長の相違が僅かな場合は一つの共通のWDM1を全体のチャンネルに共通に利用できるということもある。第2WDM2についても同様である。
【0043】
[下階] λ3光を受信するλ3用PD2をM個とメタライズパターン、リードピンを設ける。PD2の信号を前置増幅する前置増幅器(AMP2)を近接させて設けることもできる。さらに電源安定用コンデンサやその他の電気素子を設けることもできる。これらのPD2、AMP2、電気素子はメタライズパターンとワイヤで接続される。Mチャンネルあるので、受光素子は二つのサフィックスを付けて、PD2a、PD2b、PD2c、…、PD2Mと書くことができる。
【0044】
[透光性樹脂] WDM1、WDM2で反射されたλ2、λ3は空間伝搬する。上中下の容器の空間は透光性樹脂によって隙間なく満たす。それにより光ファイバや導波路と空間の境界での反射や散乱を減らすようにする。透明であることと、光ファイバ(屈折率1.43程度)と屈折率が近似しているのが条件になる。例えばシリコーン樹脂やアクリレート樹脂である。これらは反射を減らすだけでなく硬化後も弾性がありPD、LD、AMPなどのデバイス、ワイヤなどを外部衝撃力から保護する作用もある。
【0045】
[基板] 光導波路、WDM、LDを設ける基板は、Siベンチ(Si基板)が最適であるが、セラミック基板やポリマーの基板も用いることができる。
【0046】
[容器] 上容器、中容器、下容器はリードフレームを樹脂でインサート成形して作ることができる。そうするとメタライズ配線を印刷形成する手間を省くことができる。樹脂としては液晶ポリマーを用いることができる。低コストの容器を構成することができる。しかし上容器、下容器としてセラミック容器を用いることもできる。その場合、メタライズ配線パターンはセラミック容器面に印刷、蒸着し、リードピンは容器の周辺部のメタライズに鑞付けする。それは封止性に優れ高性能であるが高コストになる。以後の説明では簡単のため、容器はリードフレーム・樹脂一体型のものとして説明する。
【0047】
[光導波路] ポリマーを用いた光導波路が容易に製作でき低コストになる。しかし基板がSiベンチの場合、石英系の導波路を形成してもよい。SiO2クラッドとGeO2・SiO2コアの組み合わせによる石英導波路である。石英系導波路の方がポリマー導波路より低損失という利点がある。本発明は何れの場合も適用することができる。
【0048】
[LD、PD1、PD2の数M] 本発明は一つ或いは複数の光送受信モジュールを含む。送受信モジュールの数をMとすると、M≧1というように書ける。複数のMは4の倍数とするのが便利である。M=4、M=8、M=12、M=24等である。Mは送受信する光ファイバの数に等しくチャンネル数に等しい。本発明はPD1、LD、PD2を上中下階に配分し横方向には占有面積が狭くなっているから複数組のLD・2PDを狭い空間に効率よく配列させ小型の素子とすることができる。だから特に多チャンネルの光通信装置として好適である。
【0049】
光通信系は局側と加入者側を光ファイバによってつないだものである。λ1(1.3μm)が加入者から局への光信号の波長、λ2(1.48μm)、λ3(1.55μm)が局から加入者への光信号の波長という場合が一般である。しかし、それは加入者側から見たものである。局側では波長の関係は反対になる。だから、上のように下りが1.48μm、1.55μmの場合、局側に設けるモジュールの場合は、λ1が1.55μmに、λ2が1.48μmに、λ3が1.3μmになる。ただし、その場合においてLDが二つ、PDが一つということになる。それは本発明の枠外の構造となる。
【0050】
しかし加入者側が2LD・PDの装置だとすれば、局側は1LD・2PDの装置なり多チャンネルの局側の装置として有効である。
加入者側の数がNであるとする。加入者側の場合は多くの場合、送信、受信手段が一つだけあれば良いのだからM=1の送受信モジュールとなる。その場合は、送信光(LD光;1.3μm)がλ1に、第1受信光(PD2;デジタル1.48μm)がλ2、第2受信光(PD2;アナログ1.55μm)がλ3となる。そのシステムのためM=1の送受信モジュールがN個必要になる。しかし多チャンネルがより好ましいこともある。M=4、8、16などの多チャンネルが要求されることもある。
【0051】
[リードフレーム] 上容器も下容器も樹脂とリードフレームを一体成形した複合容器である。PDはリードフレームの上に載せるのであってSiベンチの上に載せない。導波路のWDMによって反射された受信光は床穴を通ってPDに入射するが床穴はSiベンチに穿孔するのではなく金属薄板のリードフレームに穿孔するのだから配線部分とともに一挙瞬時に成形でき穴形成のための工程というものはない。
【0052】
前述の従来例▲5▼特開平11−218651号はSi基板にドリルで貫通穴を開ける必要があり、それは時間のかかる工程となる。Siは硬いし機械穿孔は簡単ではない。ドライエッチングによってSiにそのように深い貫通穴を開けることはできない。穴造形の点で本発明は極めて有利である。
【0053】
[光学的クロストーク] 単位LD/PD対当たりの容積を節減できるというだけではなくて、光学的クロストークの抑制、電気的クロストークの低減という点でも意義多い構造である。3階構造になり、LDの強い光からPD1、PD2が中階、上階パッケージ床によって遮断されているので光学的クロストークを減らすことができる。Siは1〜1.6μmの光を通すから光学的クロストークには無力である。パッケージは不透明なので光学的クロストーク遮断に最適である。
【0054】
[電気的クロストーク] またLDとPD1、PD2が横方向にも離れ縦方向にも離隔し中間にあるのは樹脂パッケージ(絶縁体)であるから電気的クロストークも減らすことができる。従来例▲5▼特開平11−218651号はSiベンチがLDとPDの間に介在するがSiは半導体で電流をかなり流すので電気的なクロストークがかなり大きい。本発明はSiベンチよりも樹脂パッケージを主に用いPD・LDが樹脂パッケージによって隔てられているから電気的なクロストークを減らすことができる。
【0055】
[電磁的クロストーク] またLDとPDが横方向にも離れ縦方向にも離隔しグランド、電源電圧全て分離されているから電磁的クロストークも減らすことができる。▲5▼特開平11−218651号はPDを取り付けたSiベンチと、LDを取り付けたSiベンチを、その間にグランドメタライズ面を介在させて裏面同士を張り付けている。グランドはLD回路、PD回路に共通のグランドである。グランドで両回路を仕切る構造だから電磁波をシールドできるはずである。
【0056】
しかし必ずしもそうではなく抵抗が大きく薄いグランド面は真のグランドではなくアンテナのように働く。LDの電波を受けてグランド電位が変動する。PD側のグランドがLD側の電圧変動に追随して変化する。そのためPD側のAMPやPDに電位が揺らいでしまいノイズが入るということが分かってきた。むしろLDとPDの間に広いグランド面がない方が良いのである。本発明の場合はLDとPDの間に広いグランド面が存在しないからアンテナになる部分がなくLDからの電磁波をPDが感受しないようになっている。そのために容器内部ではPD回路とLD回路は別々の回路になっている。外部でグランドを接続するが外部の電源インピーダンスは低いので外部回路を通じてLDからPD側へノイズが入るということはない。こういう訳で電磁的クロストークをも減らすことができる。
【0057】
【実施例】
[実施例1;上階PD1、中階LD、下階PD2構造(図1〜4)]
図1はPD1を上階に、導波路・LDを中階に、PD2を下階に配置した実施例1にかかるLD/PDモジュールの縦断面図を示す。図2はWDM2で反射され中階から下階のPD2に入る光線λ3の経路を示すための縦断面図である。図3はWDM1で反射され中階から上階のPD1に入る光線λ2の経路を示すための縦断面図である。
パッケージが上中下三階になっており下容器3、中容器1、上容器2を重ねた構造となっている。これは4チャンネルのものであるが、8チャンネル、16チャンネル、1チャンネルなど任意である。
【0058】
中容器1は底板5、前壁6、後壁8、側壁9、9よりなる上部の開口した容器である。中容器1の内部が中階Bである。底板5の半ばに凹部がありSiベンチ4が収納される。Siベンチ4は矩形状のSi単結晶の板である。Siベンチ上面中間部には光導波路Ga、Gb、Gc、Gdが設けられる。これは樹脂による光導波路でありフッ素化ポリイミドを用いたものである。不純物を添加して屈折率の差を与えてコア・クラッドの導波路構造とする。樹脂による光導波路は安価で簡単に作製できる。
【0059】
もちろんSi基板の表面を酸化してSiO2の光導波路とすることもできる。誘電体導波路は製造工程が複雑でコスト高であるが損失が少ないという利点がある。図1は光軸方向に切った縦断面図であるから光導波路Gは1本しか現れないが、実際には図2のように4本の光導波路Ga、Gb、Gc、Gdが設けられる。4本に限らず、8本、16本…など4の倍数の(M本の)光導波路を設けてもよい。図2、図3にはM=4の例を具体的に示している。Siベンチ4には光導波路Ga、Gb、Gc、Gdが形成され、光導波路の終端には半導体レーザLDa、LDb、LDc、LDdを含む4チャンネルの送信系が構成されている。
【0060】
Siベンチ4の光導波路Ga、Gb、Gc、Gdの前端部にはV溝Va、Vb、Vc、Vdがエッチングによって形成される。中容器1の前壁6を貫いて光コネクタ7が設けられる。光コネクタ(MTコネクタ)7は4本の光ファイバFBa、FBb、FBc、FBdを含むテープファイバの終端を保持している。光ファイバは光コネクタ7の後方で短く切断されている。
【0061】
光ファイバFBa、FBb、FBc、FBdの切断端部がSiベンチ4のそれぞれのV溝Va、Vb、Vc、Vdの中に埋め込まれ固定される。光ファイバの数、光導波路の数、V溝の数などは全て等しい。Siベンチ4の光導波路の後端部には4チャンネル分の半導体レーザLDa、LDb、LDc、LDdが設けられる。LDの数も4個(M=4)である。
【0062】
中容器1の内部である中階Bにおいては、半導体レーザLDa、LDb、LDc、LDdと光導波路Ga、Gb、Gc、Gd、光ファイバFBa、FBb、FBc、FBdの軸心を厳密に合わせる必要があるからSiベンチ4を用いている。中容器1は後壁8を貫くように多数のリードピン10がインサート成形されている。半導体レーザLDの電極(カソード、アノード)は対応するリードピン10とワイヤ12によって接続される。ここでは半導体レーザLDa、LDb、LDc、LDdは4つあり、必要なリードピン10、ワイヤ12は8本であるが図1では代表して一つだけ示している。光導波路Ga、Gb、Gc、Gdの中間部には二つの波長選択フィルタWDM1、WDM2が設けられる。
【0063】
半導体レーザLDに近いWDM1は上向き30度に傾斜しており、光ファイバを伝搬してきた受信光のうちλ2を上向きに反射し、LDのλ1光はそのまま透過させる。λ2光は上階Aの受光素子PD1によって受光される。
【0064】
ファイバFBに近いWDM2は下向き30度に傾斜しており、光ファイバを伝搬してきた受信光のうちλ3を下向きに反射し、LDのλ1光はそのまま透過させる。λ3光は下階Cの受光素子PD2によって受光される。λ3は赤外光でありSiベンチ4はλ3に対し透明なので孔を不要とする。しかし中容器1の底板5は不透明だからλ3を通すため、通し穴Ja、Jb、Jc、Jdを穿っている。それとは別に透明樹脂50を通すための通し穴47、48が中容器1の底板5に設けてある。
【0065】
上容器2も上部の開口した樹脂製の矩形容器である。上容器2の内部が上階Aである。上容器2は前壁16、後壁18、底板15、側壁19、19などを持つ。底板15の上に多数のメタライズパターン22が印刷されている。メタライズパターン22の適当な電極パッドの上に、中階Bの光導波路の第1WDM1から選択反射されたλ2を受信する4(M=4)チャンネルの受光素子PD1a、PD1b、PD1c、PD1dが設けられる。ここでは裏面入射型の受光素子を受光層が上にくるように取り付けたものを示している。上面入射型の受光素子をエピダウンで固定してもよい。
【0066】
中階Bからの光を通すために、上容器2の底板15には通し穴Ha、Hb、Hc、Hdが穿ってある。受光素子PD1a、PD1b、PD1c、PD1dに隣接して光電流を前置増幅するAMP1a、AMP1b、AMP1c、AMP1dが設けられる。またその周辺にノイズをカットするための電気素子20が取り付けられる。上容器2の側壁19、19には多数のリードピン23、24が挿通固定されている。リードピン23、24に続いて底板15の上には多数のメタライズパターン22が設けられる。メタライズ22とリードピン23、24はワイヤ25、26によって適当に接続されているが、ここでは詳細な接続は省略している。
【0067】
受光素子PD1と対応するAMP1とはワイヤ29によって接続されている。電気素子20とこれらPD1、AMP1ともワイヤで接続しているが、それも図示を略した。これらのリードピンは、リードフレームとパッケージをインサート成形で一体に成形することによって設けられる。底板15には樹脂の通し穴27、28がいくつか穿孔されている。後に述べるが、これは透明樹脂50を通して中階B、下階Cの空間も透明樹脂によって充たすようにするためのものである。
【0068】
下容器3も上部の開口した樹脂製の矩形容器である。下容器3の内部が下階Cである。下容器3は前壁36、後壁38、底板35、側壁39、39などを持つ。底板35の上に多数のメタライズパターン42が印刷されている。メタライズパターン42の適当な電極パッドの上に、中階Bの光導波路の第2WDM2から選択反射されたλ3を受信する4(M=4)チャンネルの受光素子PD2a、PD2b、PD2c、PD2dが設けられる。ここでは上面入射型の受光素子を受光層が上にくるように取り付けたものを示している。裏面入射型の受光素子をエピダウンで固定してもよい。
【0069】
先述のように、中階Bからの下向きλ3光を通すために、中容器1の底板5には通し穴Ja、Jb、Jc、Jdが穿ってある。受光素子PD2a、PD2b、PD2c、PD2dに隣接して光電流を前置増幅するAMP2a、AMP2b、AMP2c、AMP2dが設けられる。また、その周辺にノイズをカットするための電気素子40が取り付けられる。下容器3の側壁39、39には多数のリードピン43、44が挿通固定されている。リードピン43、44に続いて底板35の上には多数のメタライズパターン42が設けられる。
【0070】
メタライズ42とリードピン43、44はワイヤ45、46によって適当に接続されているが、ここでは詳細な接続は省略している。受光素子PD2と対応するAMP2とはワイヤ49によって接続されている。電気素子40とこれらPD2、AMP2ともワイヤで接続しているが、それも図示を略した。これらリードピンは、リードフレームとパッケージをインサート成形で一体に成形することによって設けられる。
【0071】
中容器1を下容器3に重ね、上容器2を中容器1にかぶせて接着剤によって3つの容器を接合する。3階建て構造がはじめてできる。中階Bの光導波路Ga、Gb、Gc、Gdのすぐ上に対応する第1受光素子PD1a、PD1b、PD1c、PD1dが並ぶ。中階Bの光導波路Ga、Gb、Gc、Gdのすぐ下に対応する第2受光素子PD2a、PD2b、PD2c、PD2dが並ぶ。
【0072】
第1WDM1の上向き反射光の軌跡上にPD1a、PD1b、PD1c、PD1dが丁度位置するようになっている。第2WDM2の下向き反射光の軌跡上にPD2a、PD2b、PD2c、PD2dが丁度位置するようになっている。コネクタ7は中容器1の穴によって挟まれる。
【0073】
上容器2(上階A)に低屈折率の透光性樹脂50を注入する。例えばシリコーン系の透明樹脂(熱硬化性、紫外線硬化性)、アクリレート系の透明樹脂(熱硬化性、紫外線硬化性)である。これは流動状態のものであるから上容器2の底板15の通し穴27、28を通って中階B(中容器1の内部)へも入り込み中階Bを隈なく満たす。さらに中容器1の底板5の通し穴47、48を通って下容器3の内部へ侵入し下階Cを隈なく充たす。
【0074】
上階Aでは、第1受光素子PD1a、PD1b、PD1c、PD1d、第1増幅器AMP1a、AMP1b、AMP1c、AMP1d、ワイヤ29、メタライズ22などが透光性樹脂50に密に接触する。中階BではSiベンチ4、光導波路Ga、Gb、Gc、Gd、半導体レーザLDa、LDb、LDc、LDd、WDM1、WDM2、ワイヤ12、リードピン10などが透光性樹脂50に密に接触する。下階Cでは、第2受光素子PD2a、PD2b、PD2c、PD2d、第2増幅器AMP2a、AMP2b、AMP2c、AMP2d、ワイヤ49、メタライズ42などが透光性樹脂50に密に接触する。
【0075】
透光性樹脂50は熱によって、あるいは紫外線によって硬化する樹脂である。硬化した透光性樹脂50は光ファイバ(石英ガラス)とよく似た屈折率(1.4〜1.5)をもつので光ファイバ端面での反射減衰を小さくできる。
【0076】
これまでの工程によって、3階構造の素子ができたが、上容器2、中容器1、下容器3を包囲するように外郭樹脂52によってトランスファモールドする。この外郭樹脂52は透明でなく機械的にも堅牢であって水分を通さないようなものがよい。例えばエポキシ樹脂とする。
【0077】
図4は樹脂パッケージした後の光通信装置の斜視図である。樹脂パッケージ52によって全体が覆われているが後方へLD用リードピン10が平行に突出している。それは中階BのLD用のリードフレームの一部である。上方(上階A)左右両側にはPD1用リードピン23、24が突き出ている。下方(下階C)左右両側にはPD2用リードピン43、44が突き出ている。
【0078】
素子の前面には光コネクタ7が見える。光コネクタ7の前面には光ファイバFBa、FBb、FBc、FBdの端部が面一に現れている。光ファイバのピッチは0.25mm(250μm)である。4つの光ファイバを光コネクタに貫通させているから光ファイバの広がりは、250×3+125=875μmである。光コネクタ7の両側のガイドピン11によって、光ファイバを有する別の光コネクタに着脱する。このデバイスの横幅は10mm、長手方向の寸法(奥行き)は35mm、厚さは6mmである。
【0079】
3階建ての送受信モジュールの作用を述べる。中階BにMチャンネルの送信部があり、上階Aに4チャンネルのλ2受信部があり、下階Cに4チャンネルのλ3受信部がある。
【0080】
中階BのMチャンネルの半導体レーザLDa、LDb、LDc、LDdから波長λ1の送信光が発振され光導波路Ga、Gb、Gc、Gdを伝わり、光ファイバFBa、FBb、FBc、FBdへと伝送されてゆく。
【0081】
反対に、光ファイバFBa、FBb、FBc、FBdから伝送されてきたλ2受信光は第1WDM1によって上方へ選択反射されて穴Ha、Hb、Hc、Hdを通過し、それぞれ対応する受光素子PD1a、PD1b、PD1c、PD1dに入射し光電流に変換される。光電流はすぐに直近の対応する前置増幅器AMP1a、AMP1b、AMP1c、AMP1dによって増幅されてリードピンを通じ外部回路へ出てゆく。
【0082】
光ファイバFBa、FBb、FBc、FBdから伝送されてきたλ3受信光は第2WDM2によって下方へ選択反射されて穴Ja、Jb、Jc、Jdを通過し、それぞれ対応する受光素子PD2a、PD2b、PD2c、PD2dに入射し光電流に変換される。光電流はすぐに直近の対応する前置増幅器AMP2a、AMP2b、AMP2c、AMP2dによって増幅されてリードピンを通じ外部回路へ出てゆく。
【0083】
[実施例1の製造方法]
実施例1の4チャンネル光送受信モジュールの製造工程を述べる。1.5mm×7.5mm×厚さ1mmのSi基板4の上に、250μmピッチで直線状のポリマー光導波路Ga、Gb、Gc、Gdを形成する。実際には、厚み1mmの(直径20cm〜30cmの)円板状のSiウエハの上にその大きさのチップ単位を想定してウエハプロセスによって光導波路、V溝や段部、メタライズを形成し、そのあと1.5mm×7.5mmのサイズに切断する。
【0084】
スピンコート法によって透明の導波路用樹脂をSiウエハに塗布する。クラッド材樹脂を10μm厚みに、コア材樹脂5μm厚みに成膜する。フォトリソグラフィとドライエッチングによってコアの線路幅を6.5μmとなるようにする。その上に10μm厚みのクラッド材樹脂を塗布しクラッド/コア/クラッドの3重構造とする。コアは高さ5μm、幅6.5μmの矩形断面コアとなる。
【0085】
光導波路Ga、Gb、Gc、Gdの途中には、導波路を横切るように幅20μmの斜溝を前後2本ダイシング加工する。斜溝法線は導波路に対して±30度傾斜している。これらは、第1WDM1、第2WDM2を挿入固定すべき溝である。導波路の終端部を低い段部としメタライズする。ここまでをウエハプロセスによって行い、ダイシングによって1.5mm×7.5mm×1mmのSiベンチに切り出す。
【0086】
個々のSiベンチになってから、導波路の終端部に1.3μm帯半導体レーザLDa、LDb、LDc、LDdをAuSn半田によって固定する。標識に従って半導体レーザLDa、LDb、LDc、LDdを実装するから調芯しないが光導波路Ga、Gb、Gc、Gdと結合する。導波路途中の二つの斜溝にはWDM1、WDM2を挿入固定する。WDM1、WDM2はポリマー基板の上に誘電体多層膜を積層したものである。WDM1は30傾斜して入射した1.3μm光を透過し、1.48μm光を反射するような特性のWDMである。WDM2は30度傾斜して入射した1.3μm光を透過し、1.55μm光を反射するような特性のWDMである。
【0087】
中容器1は配線パターンを有するリードフレームと液晶ポリマーを金型によってインサート成形したものである。中容器1の大きさは5mm×25mm×1.5mmである。中容器1の底板には樹脂を通すための穴と、光を通すための通し穴、Siベンチを戴置するための窪み等が造形されている。中容器1の底板の窪部にSiベンチ4を埋め込んで固定する。
【0088】
上容器2も配線パターンを有するリードフレームと液晶ポリマーを金型によってインサート成形したものである。このリードフレームにはPD1、AMP1の配線が形成されており、0.1mmφの床穴Ha、Hb、Hc、Hdが穿孔されている。金属薄板だからピンや配線、穴はパンチ加工で一度に作られる。上容器2の大きさは5mm×25mm×1.5mmである。
【0089】
上容器2のリードフレームの配線の上にPD1、AMP1を実装する。必要によっては、ノイズ除去用のコンデンサ、コイル、抵抗を銀ペーストによってリードフレーム上に実装することもある。ここではコンデンサを図示しているが、これらは必須ではない。25μmφのAuワイヤによってリードフレームの配線パターンとPD1、AMP1などの電極がワイヤボンデイングされる。
【0090】
下容器3も配線パターンを有するリードフレームと液晶ポリマーを金型によってインサート成形したものである。このリードフレームにはPD2、AMP2の配線が形成されている。下容器3の大きさは5mm×25mm×1.5mmである。
【0091】
下容器3のリードフレームの配線の上にPD2、AMP2を実装する。必要によっては、ノイズ除去用のコンデンサ、コイル、抵抗を銀ペーストによってリードフレーム上に実装することもある。ここではコンデンサを図示しているが、これらは必須ではない。25μmφのAuワイヤによってリードフレームの配線パターンとPD2、AMP2などの電極がワイヤボンディングされる。
【0092】
下容器3に固定した受光素子群PD2の上に予めマーク(標識)を付けておく。また中容器1のSiベンチにも標識(マーク)を付けておく。中容器1のSiベンチマークと、下容器3のPD2マークを顕微鏡を通し画像処理して、上下面に紫外線硬化樹脂を塗布し下容器3と中容器1を位置合わせして接合固定する。中容器1と上容器2も同様にして接合固定する。そうして3階の積層容器構造ができる。
【0093】
最終的にはトランスファモールドして樹脂封止され所望の形状に成形される。図4のような外形の素子が完成する。その素子の大きさ(リードを含まない)は10mm×35mm×6mmである。
【0094】
[実施例2;M=8;PD1/LD/PD2(図5〜7)]
本発明は省スペースに優れ多チャンネルにおいて、その利点がはっきりするのでM=8の場合を図5、6、7に示す。基本的な構造はM=4の実施例1と同様である。
【0095】
図5は上容器2の平面図である。上容器2は底板15、前壁16、後壁18、側壁19、19を有し、底板にはリードピン23、24、メタライズパターンなどが形成してある。図5ではメタライズパターンの詳細は省略してある。底板15のメタライズの上に8つの受光素子PD1a、PD1b、…、PD1hが設けられる。それらの光信号を増幅するAMP1a、AMP1b、…、AMP1hも近接して実装される。それ以外にも電気素子20が取り付けられる。それらの光素子、AMP、電気素子20などはワイヤによって接続される。
【0096】
図6は中容器1の平面図である。中容器1は底板5、前壁6、後壁8、側壁9、9などを有する。底板5は中央に凹部をもち、樹脂の通し穴をもつ。中央凹部には矩形状のSiベンチ4が収容される。Siベンチ4は前述のようにSiウエハの段階で、フォトリソグラフィ、蒸着、CVD法などによって、V溝、光導波路、メタライズ配線、斜溝などが設けられている。それを切り出して個々のSiベンチとする。Siベンチ4には8本のV溝Va、…、Vh、8本の光導波路Ga、…、Gh、第1WDM1、第2WDM2、8個の半導体レーザLDa、…、LDhなどが実装されている。8本の光ファイバのテイルを有するMTコネクタ7が前壁6の穴に挿通固定されている。光ファイバのテイルがV溝にそれぞれ固定される。LDやメタライズパターンとリードフレーム10がワイヤで接続されている。
【0097】
図7は下容器3の平面図である。下容器3は底板35、前壁36、後壁38、側壁39、39を有し、底板にはリードピン43、44、メタライズパターンなどが形成してある。図7ではメタライズパターンの詳細は省略してある。底板35のメタライズの上に8つの受光素子PD2a、PD2b、…、PD2hが設けられる。それらの光信号を増幅するAMP2a、AMP2b、…、AMP2hも近接して実装される。それ以外にも電気素子40が取り付けられる。それらの光素子、AMP、電気素子40などはワイヤによって接続される。
【0098】
これらの上容器2、中容器1、下容器3が上下に積み重ねられて接着され透明樹脂50を注入し、さらに外殻樹脂52で一体の素子とする。それは実施例1と同様である。
【0099】
【発明の効果】
本発明は上中下3階建て構造となっておりPD1、PD2とLDを異なる階に振り分け上中下3層に分配配置することができる。PD1、PD2とLDが上下に離れるので電気的クロストーク、光学的クロストーク、電磁的クロストークを減らすことができる。また横方にPDとLDを配置する場合に比べて占有面積が少なくなり、より小型の素子にすることができる。PD1/LD/PD2の組が一つでなくて複数である場合上下配分によって容積を低減できて特に有用である。モジュール数Mが4、8、16…などの素子を作ることができる。多チャンネルの光通信装置としてきわめて有望である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1にかかる光通信装置の上容器(PD1側)、中容器(光導波路・LD側)、下容器(PD2側)を組み合わせた状態の軸線に平行な面で切った縦断面図。
【図2】4チャンネル用光通信装置である実施例1において中容器の第2WDM2から反射されたλ3受信光が下容器のPD2に入射することを示すための下容器PD2を横切る断面で切った断面図。
【図3】実施例1において中容器の第1WDM1から反射されたλ2受信光が上容器のPD1に入射することを示すための上容器PD1を横切る断面で切った断面図。
【図4】実施例1の光通信装置において上容器、中容器、下容器を組み合わせ樹脂封止してデバイスとして完成した状態の斜視図。
【図5】8チャンネル用光通信装置である実施例2における上容器の平面図。
【図6】8チャンネル用光通信装置である実施例2における中容器の平面図。
【図7】8チャンネル用光通信装置である実施例2における下容器の平面図。
【図8】WDMを中心に3方向に離隔して、光ファイバ、LD、PDを設けた従来例にかかる光送受信モジュールの平面図。
【図9】特開平11−218651号が提案した光送受信モジュールの縦断面図。
【符号の説明】
1 中容器
2 上容器
3 下容器
4 Siベンチ
5 中容器底板
6 中容器前壁
7 光コネクタ
8 中容器後壁
9 中容器側壁
10 中容器リードピン
11 ガイドピン
12 ワイヤ
15 上容器底板
16 上容器前壁
18 上容器後壁
19 上容器側壁
20 電気素子
22 メタライズパターン
23 上容器リードピン
24 上容器リードピン
25 ワイヤ
26 ワイヤ
27 樹脂通し穴
28 樹脂通し穴
29 ワイヤ
35 下容器底板
36 下容器前壁
38 下容器後壁
39 下容器側壁
40 電気素子
42 メタライズパターン
43 下容器リードピン
44 下容器リードピン
45、46 ワイヤ
47、48 樹脂通し穴
49 ワイヤ
50 透明樹脂
52 外殻樹脂
85 光ファイバ
86 LD
87 WDM
88 PD
95 第1基板
96 光導波路
97 WDM
98 LD
99 第2基板
102 PD
103 AMP
105 光ファイバ
Ga、Gb、Gc、Gd 光導波路
FBa、FBb、FBc、FBd 光ファイバ
AMP1a、AMP1b、AMP1c、AMP1d 上容器の第1前置増幅器
AMP2a、AMP2b、AMP2c、AMP2d 下容器の第2前置増幅器
PD1a、PD1b、PD1c、PD1d 上容器の第1受光素子
PD2a、PD2b、PD2c、PD2d 下容器の第2受光素子
LDa、LDb、LDc、LDd 中容器の発光素子
λ1 第1波長
λ2 第2波長
λ3 第3波長
WDM1 λ1を通しλ2を反射する第1波長選択フィルタ
WDM2 λ1を通しλ3を反射する第2波長選択フィルタ
Ha、Hb、Hc、Hd 上容器に穿孔された受信光通し穴
Ja、Jb、Jc、Jd 中容器に穿孔された受信光通し穴
Claims (6)
- 一つの送信光λ1と二つの受信光λ2、λ3を送受信するためのMチャンネルの装置であって、リードピンを有しλ2受信光を通す通し穴を穿孔してありM個(M≧1)のλ2受信用受光素子(PD1)を実装した上容器と、M本のV溝とM本の平行な光導波路と光導波路の半ばに設けられλ1を透過しλ2を反射する第1波長選択素子WDM1と、光導波路の半ばに設けられλ1を透過しλ3を反射する第2波長選択素子WDM2と光導波路終端に設けられ送信光λ1を発生するM個の発光素子(LD)を有するSiベンチと、SiベンチのV溝に保持されるM本の光ファイバ端部をもつ光コネクタとリードピンを有しλ3受信光を通す通し穴を穿孔してあり前記Siベンチを保持する中容器と、リードピンを有しM個(M≧1)のλ3受信用受光素子(PD2)を実装した下容器とを含み、上容器、中容器、下容器を上下に組み合わせ一体とし、上容器、中容器、下容器は不透明かつ絶縁体であり、透光性樹脂を充填してあり、上容器内の第1受光素子PD1の電気配線、中容器内の発光素子の電気配線、下容器内の第2受光素子PD2の電気配線は相互に分離され、光ファイバから入射し光導波路を伝搬する第1受信光λ2は第1WDM1によって反射され透光性樹脂の存在する空間と通し穴を通り上容器内にある第1受光素子PD1に入射し、光ファイバから入射し光導波路を伝搬する第2受信光λ3は第2WDM2によって反射され、通し穴と透光性樹脂の存在する空間を通り下容器内にある第2受光素子PD2に入射し、半導体レーザLDから生じた送信光λ1はWDM1、WDM2を透過して光ファイバへ入るようにしてあることを特徴とする光通信装置。
- 上容器、又は下容器においてM個の受光素子(PD)の近傍に、PDの光電流を増幅するM個の増幅器(AMP)を設けた事を特徴とする請求項1に記載の光通信装置。
- 下容器、中容器および上容器がリードフレームと一体成形された樹脂製の容器である事を特徴とする請求項1又は2に記載の光通信装置。
- 下容器、中容器および上容器が配線パターンが描かれリードピンが接合されたセラミック容器であることを特徴とする請求項1または2に記載の光通信装置。
- 光導波路がポリマーによって形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光通信装置。
- 光導波路が石英系の導波路である事を特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の光通信装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002176524A JP3896905B2 (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 光通信装置 |
US10/444,384 US6843607B2 (en) | 2002-06-18 | 2003-05-23 | Three-storied optical communications module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002176524A JP3896905B2 (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 光通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004020973A JP2004020973A (ja) | 2004-01-22 |
JP3896905B2 true JP3896905B2 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=29728097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002176524A Expired - Fee Related JP3896905B2 (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 光通信装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6843607B2 (ja) |
JP (1) | JP3896905B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3750649B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2006-03-01 | 住友電気工業株式会社 | 光通信装置 |
JP4461272B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2010-05-12 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 波長分離素子および光モジュール |
JP4343737B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2009-10-14 | 日本電信電話株式会社 | 集積型受光回路及びその作製方法並びにアレイ受光部品 |
JP2006201313A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Fuji Xerox Co Ltd | 光伝送装置及び光モジュール |
US7171066B1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-01-30 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical module and optical transmission device |
KR20070050216A (ko) * | 2005-11-10 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | 양방향 광 송수신기 |
EP1967878A4 (en) * | 2005-12-28 | 2009-12-23 | Omron Corp A Corp Of Japan | OPTICAL MODULE |
JP2007187742A (ja) | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 光コネクタおよび基板 |
JP2009020275A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光通信モジュール |
JP4911026B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-04-04 | 日立電線株式会社 | 光伝送アセンブリ |
CN102654608B (zh) * | 2011-03-02 | 2014-04-16 | 四川飞阳科技有限公司 | 基于平面光波导的单纤双向阵列组件和器件及其制作方法 |
KR101434395B1 (ko) * | 2011-09-21 | 2014-09-02 | 한국전자통신연구원 | 양방향 광 송수신 장치 |
KR101307249B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2013-09-11 | 주식회사 한택 | 양방향 광모듈 |
JP5952096B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-07-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光半導体装置 |
JP2014032393A (ja) | 2012-07-13 | 2014-02-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学デバイス、光学デバイスを製造する方法、及び光学デバイス組立方法 |
JP6268883B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-01-31 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
EP3324229B1 (en) * | 2016-09-14 | 2019-12-18 | Technology Research Association for Future Additive Manufacturing | Semiconductor laser module and additive manufacturing device |
JP6943660B2 (ja) * | 2017-07-14 | 2021-10-06 | 株式会社エンプラス | 光レセプタクルおよび光モジュール |
DE102017119810B4 (de) * | 2017-08-29 | 2019-05-09 | fos4X GmbH | Optoelektrischer Chip |
US10416401B2 (en) * | 2017-11-30 | 2019-09-17 | Dicon Fiberoptics, Inc. | In-line uni-directional optical tap detector |
US11569396B2 (en) * | 2020-11-04 | 2023-01-31 | Texas Instruments Incorporated | Optical sensor package with optically transparent mold compound |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61226713A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Hitachi Ltd | 光波長多重伝送用光モジユ−ル |
EP0234280A1 (de) * | 1986-01-31 | 1987-09-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Lichtweiche eines Kommunikationssystemes, mit drei Lichtanschlüssen |
DE59009661D1 (de) * | 1990-06-27 | 1995-10-19 | Siemens Ag | Sende- und Empfangsmodul für eine bidirektionale optische Nachrichten- und Signalübertragung. |
EP0723170A3 (en) * | 1995-01-19 | 1997-04-23 | Sumitomo Electric Industries | Optical composite module and assembly method |
JP2001066473A (ja) | 1995-08-03 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デバイスおよびその製造方法 |
US6406196B1 (en) * | 1995-08-03 | 2002-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method for producing the same |
JPH10293219A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 光導波路カプラの構造 |
US6332719B1 (en) * | 1997-06-25 | 2001-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical transmitter/receiver apparatus, method for fabricating the same and optical semiconductor module |
JP3277876B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2002-04-22 | 住友電気工業株式会社 | 光送受信モジュ−ル |
WO1999057594A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Infineon Technologies Ag | Bidirektionales optisches modul für mehrkanal-anwendung |
JP3637228B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2005-04-13 | 住友電気工業株式会社 | 光送受信モジュール |
JP2000241642A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信モジュール |
JP2000249874A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-14 | Nhk Spring Co Ltd | 光送受信モジュール |
JP2000347050A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Nhk Spring Co Ltd | 光送受信モジュール |
JP4582489B2 (ja) | 2000-01-21 | 2010-11-17 | 住友電気工業株式会社 | 発光装置 |
JP3750649B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2006-03-01 | 住友電気工業株式会社 | 光通信装置 |
JP4066665B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2008-03-26 | 住友電気工業株式会社 | パラレル送受信モジュール |
JP4036008B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2008-01-23 | 住友電気工業株式会社 | パラレル送受信モジュール |
JP2004153149A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
-
2002
- 2002-06-18 JP JP2002176524A patent/JP3896905B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-23 US US10/444,384 patent/US6843607B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030231841A1 (en) | 2003-12-18 |
JP2004020973A (ja) | 2004-01-22 |
US6843607B2 (en) | 2005-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3750649B2 (ja) | 光通信装置 | |
JP3896905B2 (ja) | 光通信装置 | |
JP4036008B2 (ja) | パラレル送受信モジュール | |
JP4066665B2 (ja) | パラレル送受信モジュール | |
US7106980B2 (en) | Optical receiver | |
JP3637228B2 (ja) | 光送受信モジュール | |
CN110703391B (zh) | 具有气密光启动器及外部阵列波导光栅的光发射次模块 | |
JP3937911B2 (ja) | 光送受信モジュール及びこれを用いた光通信システム | |
US7153037B2 (en) | Multichannel optical communications module | |
US6236669B1 (en) | LD/PD module and LED/PD module | |
US20090317035A1 (en) | Optical module,optical transmission system, and fabrication method for optical module | |
JP2000241642A (ja) | 光送受信モジュール | |
CN219039427U (zh) | 多通道光收发组件及光模块 | |
US20050248822A1 (en) | Optical transmission/reception module | |
JP3890999B2 (ja) | 光送信モジュール | |
US6824313B2 (en) | Optical receiver module | |
US20230314740A1 (en) | Optical semiconductor module and manufacturing method of the same | |
KR101220303B1 (ko) | 광 파워 감시 모듈 | |
JP2003185888A (ja) | 光通信モジュール | |
KR101216732B1 (ko) | 박막형 가요성 인쇄회로기판을 이용한 광 파워 감시 모듈, 및 그 제조 방법 | |
CN113805289B (zh) | 一种光模块 | |
KR101769034B1 (ko) | 광학 엔진 | |
JP2009008952A (ja) | 光モジュール | |
JPH0372306A (ja) | 導波路型波長多重送受信モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130105 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140105 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |