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JP3878792B2 - Protruded substrate, method of manufacturing the same, and flat display - Google Patents

Protruded substrate, method of manufacturing the same, and flat display Download PDF

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JP3878792B2 JP2000153543A JP2000153543A JP3878792B2 JP 3878792 B2 JP3878792 B2 JP 3878792B2 JP 2000153543 A JP2000153543 A JP 2000153543A JP 2000153543 A JP2000153543 A JP 2000153543A JP 3878792 B2 JP3878792 B2 JP 3878792B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、プラズマディスプレイ、電界放出型ディスプレイ等の平面型ディスプレイに内蔵されるスペーサや、配線基板用の絶縁基板、光ファイバや光部品間を接続するためのフェルール、各種封止部材等として好適な磁器組成物および磁器を用いた突起付き基板、さらには平面型ディスプレイに関する。
【0002】
【従来技術】
近年、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel、PDP)や、プラズマアドレス液晶パネル(Plasma Adress Liquid Crystal、PALC)、電界放出型ディスプレイ(Field Emission Display、以下FEDという)等、一対の平行に対向する基板間をスペーサ(突起)によって隔間した構造の平面型ディスプレイが開発されている。
【0003】
上記の平面型ディスプレイには、ディスプレイ内を真空状態に保つ必要があり、前記基板が外部の大気圧によりたわむことを防止するために、ガラス基板等の絶縁基板表面に所定の高さからなる複数のスペーサ(突起)を形成した突起付き基板が好適に用いられている。
【0004】
電界放出型ディスプレイ用パネルは、前記一対の基板のうち、一方の基板に複数の電子放出素子を形成して電子線を発生させて加速させ、これによって他の基板に形成した蛍光体を発光するものであるが、電子放出素子と蛍光体間の異常放電を防止するため、また、電子線の電流密度や加速状態を制御して、所望の輝度を得るためには、前記一対の基板の間隔を500μm以上離間するための高さの高いスペーサを形成する必要がある。
【0005】
一方、上記平面型ディスプレイの1種であるプラズマディスプレイパネルにおいて、基板表面にスペーサを形成する方法としては、従来、例えば、アルカリほう珪酸ガラスからなるガラス基板表面に、PbOを含有するガラスに、ガラスの軟化点の向上、熱膨張率の調整、または顔料として、ZrO、SiO等のセラミックフィラーを添加し、さらにアクリル系バインダーや分散剤等からなる有機樹脂および有機溶剤を添加、混合してペーストを作製し、このペーストを所定の基板表面に印刷塗布して突起状の成形体を形成するか、あるいは成形型により突起状の成形体を有する基板を形成し、これを、基板が熱変形しない温度、例えば、550℃に加熱し突起を焼成して、厚み40μm、高さ150μm程度のスペーサを一体形成することが行われていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記FEDのように基板表面に高さの高いスペーサを作製する方法として、上述したガラスと、セラミックフィラーと、有機樹脂を含有するスペーサ用成形体を焼成する方法では、前記スペーサの焼成収縮により該スペーサを精度良く形成することができず、また、基板との間に大きな焼成収縮差が生じ、スペーサが変形したり、基板からスペーサが剥離するという問題があった。
【0007】
即ち、スペーサ用成形体の焼成時に基板は殆ど収縮しないため、基板と、焼成時に収縮するスペーサとの間に大きな収縮差が生じる。このとき、スペーサの高さが低い場合には絶縁基板の拘束力によってスペーサの収縮が抑制されるが、特に、厚み200μm以下で、高さが500μm以上の高いスペーサを基板表面に形成する電界放出型ディスプレイ(FED)の場合には、基板の拘束力よりもスペーサの収縮力が勝ってスペーサの収縮を抑制することができず、スペーサが基板から剥離したり、変形するという問題があった。
【0008】
そこで、FEDでは、ガラスや焼成後のセラミックス等を切削加工によりスペーサ形状に加工して、基板表面に貼り付けることによりスペーサを形成しているが、寸法および位置精度が低く、工程上手間のかかるものであり、また、スペーサの厚み、間隔の微細化には不向きであった。
【0009】
また、FEDでは、電子放出素子から放出された電子が該素子近傍に存在するスペーサ壁面に衝突してスペーサ壁面が帯電する結果、電子放出素子から放出された電子線が屈曲して、電子線を正面板の所定の位置に精度良く到達させることができず、表示画像がゆがんでしまったり、電子放出素子とスペーサとの間で異常放電が生じて蛍光体に到達する電子線の密度が低下して、所望の輝度を得ることができないという問題があった。
【0010】
本発明は、上記課題に対してなされたものであり、焼成による収縮を抑制できる磁器を突起として用いた突起付き基板、さらには、厚み、間隔の微細化が可能であり、焼成に伴うスペーサの変形やスペーサの剥離を防止できるとともに、スペーサの帯電を防止できるスペーサ付基板を備えた平面型ディスプレイを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題に対して検討した結果、PbOおよび/またはBiを含有するガラスに対して、金属Siおよび/または金属Snと、ZnOおよび/またはSnOを添加した混合物を、成形後、酸化雰囲気下にて焼成することにより、前記金属の少なくとも一部が酸化して体積膨張する結果、全体として磁器の収縮を抑制でき、スペーサの変形や剥離を生じず、微細な厚みのスペーサを精度良く形成できること、また、前記ZnOおよび/またはSnOが前記ガラス中のPbOまたはBiが解離し、PbOまたはBiが前記金属の酸化に伴って還元されるとともに磁器外に蒸発、揮散することを防止できることから、磁器密度を高め、スペーサの強度を高めることができることを見いだした。
【0012】
すなわち、本発明の磁器組成物は、少なくともPbOおよび/またはBi2O3を含有するガラスと、フィラーとして、金属Siおよび/または金属Snと、ZnOおよび/またはSnO2を含有し、TiOを含有しないことを特徴とするものである。
【0013】
ここで、前記突起の15〜450℃における平均線膨張係数が3〜9×10-6/℃であること、前記突起の厚みが200μm以下で、かつ高さが300μm以上であること、前記突起が、前記基板表面にその厚み方向に所定間隔を置いて略平行に複数形成されていることが望ましい。
【0014】
さらに、本発明の突起付き基板の製造方法は、(a)少なくともPbOおよび/またはBiを含有するガラスと、金属Siおよび/または金属Snと、ZnOおよび/またはSnOを含有するペーストを作製する工程と、(b)基板表面に前記(a)工程で得られたペーストを塗布形成して突起状の成形体を形成する工程と、(c)前記(b)工程によって得られた基板を酸化雰囲気中にて焼成して、前記成形体中の前記金属Siおよび/または金属Snの少なくとも一部を酸化させる工程とを具備することを特徴とするものである。
【0015】
ここで、前記ガラス100重量部に対して、前記金属Siおよび/または金属Snを総量で5〜70重量部と、前記ZnOおよび/またはSnOを5〜50重量部との割合で含有すること、前記金属Siおよび/または金属Snが平均粒径6μm以下の粉末からなることが望ましい。
【0016】
さらに、本発明の平面型ディスプレイは、所定の間隔で離間して平行に形成された2枚の基板間に複数の突起を配設した平面型ディスプレイであって、前記突起が上記磁器からなることを特徴とするものである。
【0017】
ここで、前記突起の25℃における体積固有抵抗値が1×108〜1×1014Ω・cmであることが望ましい。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明を構成する磁器組成物は、PbOおよび/またはBiを含有するガラスと、フィラーとして、金属Siおよび/または金属Snと、ZnOおよび/またはSnOとを含有するものである。
【0019】
上記成分のうち、ガラスとしては、具体的には、PbO−SiO−B系ガラスやBi−B系ガラス、B−PbO−ZnO系ガラス、PbO−ZnO系ガラスの群から選ばれる少なくとも1種が使用可能である。
【0020】
また、ガラスの軟化温度は、370〜850℃、特に低温焼成化の点で、370〜430℃であることが望ましく、さらに、緻密な磁器を形成する点で上記ガラスの平均粒径が5μm以下、特に3μm以下であることが望ましい。
【0021】
上記構成によれば、上記金属Siおよび/または金属Snの特定の金属は、酸化雰囲気中、例えば、350〜490℃の温度に加熱することによって体積膨張を伴って酸化するものであることから、これによってガラス粉末が焼成により収縮しても、全体的に磁器の焼成による収縮を低減することができる。例えば金属Siは、大気中での酸化開始温度が約450℃である。なお、本発明における酸化開始温度とはTG−DTA曲線においてガラスの軟化に伴う吸熱と金属の酸化に伴う発熱との両方が起こるとともに重量増加が見られる最低温度の意である。
【0022】
また、上記特定の金属は、効率的な体積膨張および磁器における導電性の制御の点で、上記ガラス100重量部に対して、総量で5〜70重量部、特に30〜60重量部であることが望ましく、平均粒径が6μm以下、特に2μm以下、また、ペーストの粘度調整の点で0.5〜6μm、特に0.8〜3μm、さらに1〜2μmであることが望ましい。さらに、上記金属はガラス粒子表面に被覆されたものであってもよい。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明の磁器組成物は、PbOおよび/またはBi2O3を含有するガラスと、フィラーとして、金属Siおよび/または金属Snと、ZnOおよび/またはSnO2とを含有し、TiOを含有しないものである。
【0024】
なお、上記ZnOおよび/またはSnOの添加量は、ガラス中のPbOおよびBi成分の総量100重量部に対して、総量で10〜150重量部、特に20〜100重量部、また、ガラスの総量100重量部に対して、総量で5〜50重量部、特に10〜30重量部であることが望ましい。
【0025】
なお、磁器の焼成による収縮率を2%以下、特に1%以下、さらに0.5%以下、さらには0.3%以下とするため、また、磁器を1000℃以下、特に500℃以下、さらに450〜480℃、さらには460〜480℃で、相対密度を65%以上、特に70%以上、さらには75%以上に高めるため、全体として、前記ガラスが50〜75重量%と、前記金属の総量が3〜35重量%と、前記ZnOおよび/またはSnOの含有量が3〜35重量%との割合で含有されることが望ましい。
【0026】
また、ZnOおよび/またはSnOはガラス粒子または金属粒子表面に被覆されたものであってもよいが、製造の容易性およびコストの点で、平均粒径が0.05〜10μm、特に0.1〜3μm、さらに0.5〜2μmの粉末であることが望ましい。
【0027】
さらに、上述した組成物に対して、例えば平均粒径0.05〜10μmのTiOを前記特定の金属100重量部に対して16〜600重量部、前記ガラス100重量部に対して5〜50重量部の割合で添加することにより、スペーサの焼成温度を5℃以上、特に10℃以上、さらに20℃以上、さらには30℃以上低下させることができることから、スペーサと焼結一体化される背面板あるいは正面板上に形成される電子放出素子や蛍光体等を同時焼成する場合でもこれらが焼成により変質、劣化することを防止できる。
【0028】
さらにまた、磁器強度向上のため、熱膨張率制御のため、着色のため、誘電率制御のため、抵抗率制御のために、さらに、SiO、ZrO、Al等のセラミックフィラーや、SiO−Al−MgO系(ガラス軟化点760℃、熱膨張係数2.8×10-6/℃)等のガラス等の他の無機フィラーを望ましくは総量で30重量%以下、特に20重量%以下の比率で添加することもできる。
【0029】
次に、上記組成物を用いて磁器を作製するには、例えば、球状、針状、不定形、中空状等の粉末状の上記組成物に対して、所望により有機バインダを添加、混合後、プレス成形、ロール成形、押出成形、射出成形、鋳込み成形等の公知の成形方法によって成形体を作製する。
【0030】
そして、該成形体を酸化雰囲気中にて焼成することによって、成形体中のガラスが焼結して収縮するとともに、特定の金属の少なくとも表面が酸化して体積膨張する結果、焼成後の磁器の寸法変化率を小さくすることができる。なお、特定金属全部が酸化することもできるが、一部を金属として残存させると磁器に導電性を付与することができる。
【0031】
次に、上記方法によって得られた磁器について説明する。上記構成の磁器は、PbOおよび/またはBiを含有するガラスと、原料として添加した金属Siおよび/または金属Snが酸化して形成された金属酸化物およびその残部である金属と、ZnOおよび/またはSnOとを含有するものである。なお、磁器中には、上記成分に加えて、Zn、Al、Cu、Mg等の金属およびこれらが焼成により酸化した酸化物、TiO、ZrO、SiO等の他のセラミックフィラー、SiO−Al−MgO等の高軟化点ガラス等の他の無機質フィラーが含有されていてもよい。
【0032】
ここで、磁器の体積固有抵抗値を1×108〜1×1014Ω・cmの範囲内とする場合には、磁器中の金属含有量は34重量%以下、特に1.5〜34重量%、金属の粒子径が5.9μm以下、特に0.3〜5.9μm、さらに0.3〜3μmであることが望ましい。
【0033】
上記磁器は、焼成による収縮を抑制できることから、例えば、光ファイバコネクタ用のフェルールや寸法精度の高い配線基板用の絶縁基板、さらには封着部材として使用可能であり、特に基板表面に突起を形成するような突起付き基板の突起として、さらにこれを具備する平面型ディスプレイとして好適に使用できる。
【0034】
次に、本発明の平面型ディスプレイの一例であるフィールドエミッションディスプレイ(FED)についての概略断面図である図1を基に説明する。図1において、平面型ディスプレイ1は、所定間隔離間して平行に形成された背面板2と正面板3との2枚の基板間の所定位置にスペーサ4が配設されている。
【0035】
背面板2は、石英ガラス、ソーダライムガラス、低ソーダガラス、鉛アルカリケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス基板、アルミナ、シリカ等のセラミック基板、Si基板等が使用可能であるが、特にナトリウムおよび鉛成分の少ない低ソーダガラスが望ましい。
【0036】
次に、上記方法によって得られた磁器について説明する。
本発明の磁器は、PbOおよび/またはBi2O3を含有するガラスと、原料として添加した金属Siおよび/または金属Snが酸化して形成された金属酸化物およびその残部である金属と、ZnOおよび/またはSnO2とを含有し、TiOを含有しないするものである。なお、磁器中には、上記成分に加えて、Zn、Al、Cu、Mg等の金属およびこれらが焼成により酸化した酸化物、TiO2、ZrO2、SiO2等の他のセラミックフィラー、SiO2−Al2O3−MgO等の高軟化点ガラス等の他の無機質フィラーが含有されていてもよい。
【0037】
スペーサ4は、リブ状、格子状、柱状、枠状等からなり、例えば、リブ状である場合には、所定間隔離間して平行に形成されることが望ましい。また、スペーサ4は、機械的強度、絶縁基板との接着性、材質の長期化学的安定性の点で鉛ガラス(PbO−B−SiO)、ビスマス系ガラス(Bi−B)等が用いられるが、本発明によれば、スペーサ4は、ガラスを主成分とする焼結体中に金属Siおよび/または金属Snが分散してなることが大きな特徴であり、これにより、スペーサ4に25℃での体積固有抵抗率が1×108〜1×1014Ω・cmの導電性を付与することができ、スペーサ4が帯電することを防止できる。
【0038】
ここで、前記金属のうち、導電性付与効果、酸化開始温度、金属の酸化による体積膨張率の増加率、さらに、ガラスとのなじみ、接着性の点で金属Siが最適である。なお、前記金属Siまたは金属Sn以外に、金属としてZn、Al、Cu、Mgの群から選ばれる少なくとも1種を含有してもよく、また、これらの一部が酸化した酸化物が含有されていてもよい。また、上記金属が酸化により形成された酸化物のうち、例えばSnO、ZnO、CuO等は導電性を高める効果がある。
【0039】
また、スペーサ4内には、所望により、セラミックフィラーとして、TiO、ZrO、ZnO、SnO、SiO、BN、Al等が用いられ、前記ガラス歪点の調整して、焼成持のスペーサの変形を防止する効果、スペーサ4の熱膨張係数の制御、着色等の作用をなす。
【0040】
さらに、本発明によれば、スペーサ4の厚み200μm以下、特に100μm以下、高さ500μm以上、特に1500μm以上の場合であってもスペーサ4が焼成により収縮して変形、剥離することなく微細なスペーサを形成でき、かつスペーサ間の間隔が400μm以上、特に5mm以下、さらに1mm以下の微細間隔のスペーサを形成可能である。
【0041】
なお、スペーサ4の厚みは、強度および小型化、ディスプレイの輝度の向上の点で100〜200μm、スペーサ4の高さは、電子放出素子と蛍光体との間で短絡放電を生じず、蛍光体に到達する電子線密度を所望量に制御する点で500〜4000μmであることが望ましい。
【0042】
さらに、背面板2または正面板3とスペーサ4との間は、スペーサ4の焼成によって強固に接合され、一体化しており、他方の基板とは接着剤等により接着、固定されている。
【0043】
なお、製造工程で、スペーサ付基板を再度加熱、冷却する場合においてもスペーサ4がクラック等の欠陥を生成しないために、スペーサ4の15〜450℃における平均熱膨張係数が7〜9×10-6/℃、特に7.5〜8.2×10-6/℃であることが望ましい。
【0044】
一方、背面板2の表面には、電子放出素子6が形成されている。電子放出素子6の具体的な構造は、例えば、所定間隔離間して平行に配設された複数本のライン状の正電極層および負電極層が交差するように形成され、正電極層および負電極層の交点に絶縁体を介装するMIM型構造や、正電極層と負電極層とを絶縁層間を介在させて所定間隔離間させる表面電導型、正電極層と負電極層との間に絶縁体を介装し正電極層および絶縁体を所定の位置にて一部切り欠くとともに該切り欠き部にて突起状の絶縁体を配設した電界放出型等が好適に使用できる。
【0045】
上記正電極層および負電極層としては、銀、アルミニウム、ニッケル、白金、金、パラジウムの群から選ばれる少なくとも1種の金属または合金や、アモルファスシリコン、ポリシリコン、グラファイト等を用いることができ、また、絶縁体としては、Si、Ti、Ga、W、Al、Pdの群から選ばれる少なくとも1種の酸化物や窒化物等の化合物を主体とするものが好適に使用できる。
【0046】
また、背面板2と電子放出素子6との間には電子放出素子6への不純物の拡散を防止するためにシリカや窒化ケイ素等からなる拡散防止層7が形成されている。
【0047】
他方、正面板3のスペーサ4形成側の表面には、蛍光体8が被着形成されている。蛍光体8は赤(R)、緑(G)、青(B)の少なくとも3色のいずれかを発光する少なくとも3種類の蛍光体8を1組として複数組が規則的に配列しており、各蛍光体8と対向する位置にそれぞれ前記電子放出素子6が形成され、電子放出素子6から電子ビームを放出して対向する位置の蛍光体8に該電子ビームを衝突させることによって蛍光体8を発光させる。
【0048】
また、図1によれば、正面板3と蛍光体8との間には、電子放出素子6から蛍光体8に向かって放出される電子ビームを加速するため透明なITO(インジウム−錫酸化物)膜10が形成されているが、本発明はこれに限られるものではなく、前記電子ビームを加速するためおよび蛍光体8の散乱した発光を反射して発光輝度を高めるために、ITO膜に代えて正面板3表面に形成した蛍光体8表面に、例えば100〜300nmのアルミニウム、銀、ニッケル、白金等の金属箔等の金属層からなるメタルバック(図示せず)を被着形成することが望ましい。
【0049】
さらに、正面板3の蛍光体8を形成した表面側の蛍光体8形成部以外の部分には、平面型ディスプレイ1における色のにじみを防止して表示画面のコントラストを高めシャープな画像を得るために、例えば、鉄、ニッケル、銅、マンガン等の酸化物と低融点ガラスとの混合物や金属クロム、グラファイト等からなる黒色または暗色のブラックマトリックス11が被着形成される。
【0050】
また、背面板2および正面板3との外周部には枠体12を配設し、フリットガラス等の接着剤によって背面板2および正面板3と枠体12が接着され、封止されることによって平面型ディスプレイ1を作製することができる。さらに、背面板2の端部には平面型ディスプレイ1中を真空とするためのガス排気口13が設けられており、ガス排気口13にて平面型ディスプレイ内が真空封止されている。
【0051】
なお、図1によれば、スペーサ4は蛍光体8のR、G、Bの3つを1組として各組毎に配設されているが、本発明はこれに限られるものではなく、各蛍光体8毎に配設されていてもよく、また前記蛍光体8の複数組毎に配設されていてもよい。
【0052】
また、本発明は図1に示すFEDに限定されるものではなく、例えばプラズマディスプレイパネル(PDP)やプラズマアドレス液晶パネル(PALC)等のディスプレイ内を真空もしくは所定気圧のガスにて封止した平面型ディスプレイについてはいずれも好適に適応できる。
【0053】
<製造方法>
次に、上述したFEDを作製する方法について説明する。まず、上述した材料からなる背面板を作製し、所定形状にカットし、背面板の一方の表面にスパッタリング法、CVD法、イオンビーム法、蒸着法、MBE法等によって拡散防止層を被着形成した後、その表面にフォトリソグラフィー法等により電子放出素子の電極を、マスク等を施し、スパッタリング法、蒸着法、イオンビーム法、CVD法、MBE法等の公知の薄膜形成法によって電子放出素子の絶縁体を形成して電子放出素子を形成する。
【0054】
一方、平均粒径0.5〜6μmのガラスに対して、クロム、モリブデン、鉄、シリコン、ジルコン、亜鉛、銅、アルミニウム、錫の群から選ばれる少なくとも1種の金属、およびZnOおよび/またはSnOを、また、所望により、アクリル系等のバインダ、可塑剤、分散剤等の有機樹脂、有機溶剤とを添加、混練してペーストを作製する。
【0055】
なお、前記金属は、球状、不定形状、中空状、フレーク状等の粉末状または繊維状等の形状からなり、平均粒径0.5〜6μm、特に0.8〜3.0μm、さらに1.0〜2.0μmであることが焼結体中に金属を残存させる点、および金属の比表面積を高め、金属の酸化による体積膨張効果を促進する点で望ましい。
【0056】
また、前記金属の添加量は、焼成収縮抑制効果の点、前述のスペーサ用ペーストの分散性を向上させる点、およびスペーサの強度向上の点で、ガラス100重量部に対して、上記特定金属を総量で5〜70重量部、特に20〜60重量部であることが望ましく、さらに、ZnOおよび/またはSnOの添加量はスペーサの緻密化、スペーサ強度の向上の点で、5〜50重量部、特に10〜30重量部であることが望ましい。さらに、上記ペーストに、所望により、例えばZrO、Al、SiO等の他のフィラーを添加する。
【0057】
そして、該ペーストを用いて絶縁基板表面に、例えば、厚み100〜200μm、高さ500〜4000μmスペーサ用成形体を間隔400μm以上にて複数本作製する。
【0058】
そして、該ペーストを用いて前述の背面板の表面に前記スペーサ用成形体を複数本作製する。本発明によれば、例えば、厚み100〜200μm、高さ500〜4000μmスペーサ用成形体をピッチ400μm以上にて作製することが可能である。
【0059】
スペーサ用成形体の具体的な形成方法としては、(a)前記ペーストを複数回印刷塗布してスペーサ用成形体を形成する方法、(b)ゴム、金属、セラミックス等からなる成形型内に前記スペーサ用ペーストを充填し、前記成形型を絶縁性基板上に当接した後、該成形型を抜き取る方法、(c)絶縁性基板表面に前記ペーストを用いて所望の厚みのシートを形成し、該シートの表面にスペーサ形状の溝が形成された剛性の高い平板状の成形型を配置して押圧した後、該成形型を抜きとる方法、(d)前記シート表面にスペーサ形状の溝が形成された剛性が高いロール状の成形型を配置し、押圧しながら回転移動させ、スペーサ用成形体を形成する方法、(e)サンドブラスト法、(f)スペーサを別途形成し、加工してガラスフリット等の接着剤により背面板の所定の位置に接着する方法等が使用可能である。
【0060】
上記スペーサ用成形体の形成方法としては、特に高さ1000μm以上の高いスペーサを容易に形成できるとともに、スペーサの気孔率を所定の範囲内とするための方法(b)、または上記以外の方法として、前記基板表面に樹脂層を形成してスペーサ形状の突起が形成された上記成形型にて、押圧、離型して溝を形成した後、該溝内に上述したスペーサ形成用のスラリーを充填して硬化し、前記樹脂層を除去する方法が好適である。
【0061】
この後、スペーサ用成形体が形成された基板を、例えば、420〜480℃で焼成することによって背面板とスペーサとを一体化させた突起付き基板を作製する。
【0062】
上記焼成を大気や酸素等の酸化雰囲気下にて行えば、スペーサ用成形体中のガラスは焼結して収縮するが、前記金属が表面より酸化して体積膨張することにより、全体としてスペーサ用成形体の焼成収縮が抑制され、寸法変化率の小さいスペーサを作製することができ、変形や絶縁基板からの剥離のない寸法精度の高いスペーサを形成することができる。
【0063】
また、本発明によれば、上述したようにZnOおよび/またはSnOを添加することにより、スペーサの相対密度を65%以上、特に68%以上、さらに70%以上に向上させることができることから、スペーサと焼結一体化される背面板あるいは正面板上に形成される電子放出素子や蛍光体等を同時焼成する場合でもこれらが焼成により変質、劣化することを防止できるとともに、スペーサの耐荷重(強度)を1MPa以上、特に1.5MPa以上、さらに2MPa以上と高めることができる。
【0064】
一方、上述した材料からなる正面板を作製し、所定形状に加工した後、正面板の一方の表面にスクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の公知の印刷法等の印刷法、ロールコータ法等のペースト塗布法や蒸着法等によりITO膜を被着形成した後、所定形状のブラックマトリックスをフォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の公知の印刷法により被着形成する。
【0065】
次に、上記正面板のブラックマトリックスによって囲まれた領域の所定の位置にフォトリソグラフィ法や、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法、インクジェット法等により蛍光体ペーストを被着形成する。また、上記ITO膜を形成しない場合には、所望により、正面板表面に樹脂ペーストを用いてフォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法にて樹脂層を形成した後、所定の位置に蒸着法等によってメタルバックを被着形成し、さらにメタルバック表面に樹脂層を形成する。
【0066】
さらに、蛍光体ペースト、または該ペーストおよび樹脂層を400〜600℃、特に450〜500℃で熱処理して蛍光体中の有機物成分および樹脂層を揮散、除去することにより正面板を形成する。
【0067】
他方、背面板および正面板の外周に配設され、ディスプレイ内部を封止するための枠体を作製する。
【0068】
そして、背面板の外周部に枠体を配置してフリットガラス等の接着剤により貼り合わせた後、該枠体の頂部、および上述のスペーサを焼結一体化した背面板のスペーサ頂部にフリットガラス等の接着剤を塗布し、正面板の蛍光体形成面を前記スペーサの頂部が前記蛍光体形成部以外の所定の位置に配設されるように位置合わせして貼り合わせる。
【0069】
さらに、背面板の端部には予めディスプレイ内部とのガスをやり取りするためのガス排気口を形成しておき、外部のガス排気管と接続する。そして、前記枠体に設けられたガス排気管に真空ポンプを接続してパネル内を10-4Pa程度に真空減圧しながら400〜500℃に加熱して、接着剤を正面板、背面板および枠体間で固着させて、ガス排気口を封止することに本発明の平面型ディスプレイを作製することができる。
【0070】
なお、上記平面型ディスプレイの製造方法においては、背面板側にスペーサを一体的に形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、正面板側にスペーサを一体的に形成してもよい。また、この場合には正面板表面に予め蛍光体を形成した後、スペーサを形成することが望ましい。
【0071】
【実施例】
下記2種類のガラスA,Bを準備した。ガラスA:PbO−SiO−B(軟化点が410℃)ガラスB:Bi−B(軟化点が420℃)上記2種のガラス100重量部に対して、表1、表2に示す金属と平均粒径2μmのZnOまたはSnOを表1、表2に示す割合で添加し、ジルコニアボールを用いたボールミルにて、IPA(イソプロピルアルコール)中で18時間湿式混合を行った。
【0072】
そして、得られた混合粉体100重量部に対して、バインダ、重合開始剤、分散剤を合量で42重量部となるように添加し、カルビトール溶剤中で混粘してぺーストを作製し、シリコーンゴム型に前記ペーストを充填して十分に脱泡した後、ホウケイ酸ガラス製の絶縁基板表面に当接して、真空封止し、110℃で30分間熱処理を行い、シリコーンゴム型を抜き取ることによりスペーサ用成形体を形成した。
得られた成形体は、レーザー変位計(キーエンス社製LC−2440/2400)を用いて成形体スペーサの厚みと高さの測定を行い、測定精度内でシリコーンゴム型と同サイズであることを確認した。
【0073】
なお、前記シリコーンゴム型は、凹部の深さ(スペーサの高さ)が1200μm、凹部幅(スペーサの厚み)が200μm、凹部(スペーサ)の長さが8cm、凹部間の距離(スペーサ間距離)が800μmのものを使用した。
【0074】
さらに、該成形体を大気中、450℃、15分間焼成し、上記と同様にレーザー変位計にてスペーサの高さを測定し、スペーサ用成形体の高さに対するスペーサの高さに対する比率((スペーサの高さ/スペーサ用成形体の高さ)×100(%))を寸法変化率である収縮率として算出した。
【0075】
また、得られたスペーサ付基板のスペーサ端部に他の平板を載置し、スペーサ高さ方向に両基板を圧縮する力を負荷して、スペーサが破断する荷重Fを測定し、スペーサの総断面積Sに対する圧力P(F/S)をスペーサ強度として算出した。
【0076】
また、スペーサの外観を実体顕微鏡にて観察し、剥がれや反り、曲がり、切れの有無を判定し、無いものは良好として表1、表2に示した。
【0077】
さらに、スペーサの一部を粉砕してX線回折測定を行い、構成成分を確認した。なお、試料No.1を除くいずれの試料についても、前記金属の酸化物が存在することを確認した。さらにまた、スペーサの一部について絶縁計にて体積固有抵抗値(表では抵抗と記載)を測定した。結果は表1、表2に示した。
【0078】
【表1】

Figure 0003878792
【0079】
【表2】
Figure 0003878792
【0080】
表1、2から、所定の金属を添加しない試料No.1、20では、焼成による収縮率が大きく絶縁基板から剥離してしまった。また、ZnOまたはSnOを添加しない試料No.8では、スペーサが緻密化せず、スペーサ強度が低くなった。
【0081】
これに対して、本発明に従い、特定の金属およびZnOまたはSnOを添加した試料No.2〜7、9〜19、21〜38では、スペーサの焼成収縮率が小さく、絶縁基板から剥離することなく形成することができ、かつスペーサ強度を1MPa以上、特に1.5MPa以上、さらに2MPa以上と高めることができた。
【0082】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明を構成する磁器組成物は、原料中に特定の金属を添加して焼成により酸化させることにより、焼成による収縮を抑制でき、高いスペーサであっても変形や絶縁基板からの剥離のないスペーサを精度良く作製することができるとともに、ZnOまたはSnOを添加することによって、ガラス中のPbOまたはBi成分がPbOまたはBiとして解離することを防止できることから、ガラス中のPbOまたはBiが特定の金属の酸化によって還元され磁器外部に蒸発、揮散することを防止してボイドの発生を抑制して磁器密度を高めることができる。
【0083】
また、スペーサ中に特定の金属が残存するため、スペーサに導電性を付与することができ、スペーサ表面での帯電を防止することができる。
【0088】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明の磁器組成物は、原料中に特定の金属を添加して焼成により酸化させることにより、焼成による収縮を抑制でき、高いスペーサであっても変形や絶縁基板からの剥離のないスペーサを精度良く作製することができるとともに、ZnOまたはSnO2を添加し、TiOを含有しないことによって、ガラス中のPbOまたはBi2O3成分がPbOまたはBi2O3として解離することを防止できることから、ガラス中のPbOまたはBi2O3が特定の金属の酸化によって還元され磁器外部に蒸発、揮散することを防止してボイドの発生を抑制して磁器密度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のスペーサ付基板を用いて構成された平面型ディスプレイの一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1:平面型ディスプレイ
2:背面板
3:正面板
4:スペーサ
6:電子放出素子
7:拡散防止層
8:蛍光体
10:ITO膜
11:ブラックマトリックス
12:枠体
13:ガス排気口[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention includes, for example, a spacer incorporated in a flat display such as a plasma display and a field emission display, an insulating substrate for a wiring board, a ferrule for connecting between optical fibers and optical components, various sealing members, etc. The present invention relates to a porcelain composition suitable as a substrate, a substrate with protrusions using the porcelain, and a flat display.
[0002]
[Prior art]
In recent years, a pair of parallel facing substrates such as a plasma display panel (PDP), a plasma addressed liquid crystal panel (PALC), a field emission display (hereinafter referred to as FED), etc. A flat panel display having a structure in which a space is separated by a spacer (protrusion) has been developed.
[0003]
In the above flat display, it is necessary to keep the inside of the display in a vacuum state, and in order to prevent the substrate from being bent due to an external atmospheric pressure, a plurality of surfaces having a predetermined height on the surface of an insulating substrate such as a glass substrate are provided. A substrate with a projection on which a spacer (projection) is formed is preferably used.
[0004]
In the field emission display panel, a plurality of electron-emitting devices are formed on one of the pair of substrates to generate and accelerate an electron beam, thereby emitting a phosphor formed on the other substrate. However, in order to prevent abnormal discharge between the electron-emitting device and the phosphor, and to obtain a desired luminance by controlling the current density and acceleration state of the electron beam, the distance between the pair of substrates is It is necessary to form a spacer having a high height for separating the spacers by 500 μm or more.
[0005]
On the other hand, in a plasma display panel that is one type of the above flat display, as a method of forming spacers on the substrate surface, conventionally, for example, glass containing PbO on a glass substrate surface made of alkali borosilicate glass, glass ZrO as an improvement in softening point, adjustment of thermal expansion coefficient, or pigment 2 , SiO 2 Add a ceramic filler, etc., and then add and mix an organic resin and organic solvent consisting of an acrylic binder, dispersant, etc. to make a paste, and then apply this paste to a predetermined substrate surface by printing and forming a projection Forming a substrate or forming a substrate having a projection-shaped molded body with a molding die, heating the substrate to a temperature at which the substrate does not thermally deform, for example, 550 ° C., and firing the projection to obtain a thickness of 40 μm and a height A spacer of about 150 μm has been formed integrally.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, as a method for producing a spacer having a high height on the substrate surface as in the FED, in the method for firing the above-described glass, ceramic filler, and spacer molded body containing an organic resin, the spacer is subjected to firing shrinkage. Therefore, the spacer cannot be formed with high accuracy, and there is a problem that a large firing shrinkage difference is generated between the spacer and the spacer is deformed or the spacer is peeled off from the substrate.
[0007]
That is, since the substrate hardly shrinks during firing of the spacer molded body, a large shrinkage difference occurs between the substrate and the spacer that shrinks during firing. At this time, when the height of the spacer is low, the contraction of the spacer is suppressed by the restraining force of the insulating substrate. In particular, the field emission for forming a high spacer having a thickness of 200 μm or less and a height of 500 μm or more on the substrate surface. In the case of the type display (FED), the contraction force of the spacer is greater than the restraining force of the substrate, and the contraction of the spacer cannot be suppressed, and there is a problem that the spacer is peeled off or deformed.
[0008]
Therefore, in FED, glass and ceramics after firing are processed into a spacer shape by cutting and affixed to the substrate surface to form the spacer. In addition, it is not suitable for miniaturization of spacer thickness and interval.
[0009]
In the FED, the electrons emitted from the electron-emitting device collide with the spacer wall surface existing in the vicinity of the device and the spacer wall surface is charged. As a result, the electron beam emitted from the electron-emitting device is bent, It is impossible to accurately reach a predetermined position on the front plate, the display image is distorted, or abnormal discharge occurs between the electron-emitting device and the spacer, resulting in a decrease in the density of electron beams reaching the phosphor. Thus, there is a problem that a desired luminance cannot be obtained.
[0010]
The present invention has been made to solve the above problems, and is provided with a substrate having a protrusion using a porcelain capable of suppressing shrinkage due to firing as a protrusion, and further, the thickness and interval can be reduced. An object of the present invention is to provide a flat display including a substrate with a spacer that can prevent deformation and separation of the spacer and can prevent the spacer from being charged.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
As a result of examining the above problems, the present inventors have found that PbO and / or Bi. 2 O 3 For glass containing Si and / or Sn and ZnO and / or SnO 2 After the molding, the mixture is fired in an oxidizing atmosphere, and as a result, at least a part of the metal is oxidized and volume-expanded. As a result, the shrinkage of the porcelain can be suppressed as a whole, and the spacer is deformed or peeled off. In addition, the spacer having a fine thickness can be formed with high accuracy, and the ZnO and / or SnO. 2 Is PbO or Bi in the glass 2 O 3 Dissociates and PbO or Bi 2 O 3 Has been found to be able to increase the density of the porcelain and increase the strength of the spacer since it can be reduced along with the oxidation of the metal and can be prevented from evaporating and volatilizing out of the porcelain.
[0012]
That is, the porcelain composition of the present invention contains at least PbO and / or Bi2O3, and contains, as fillers, metal Si and / or metal Sn, ZnO and / or SnO2, and TiO2. 2 It is characterized by not containing.
[0013]
Here, the average linear expansion coefficient at 15 to 450 ° C. of the protrusion is 3 to 9 × 10. -6 / ° C., the thickness of the projections is 200 μm or less and the height is 300 μm or more, and a plurality of the projections are formed on the surface of the substrate substantially in parallel at a predetermined interval in the thickness direction. It is desirable.
[0014]
Furthermore, the manufacturing method of the board | substrate with a protrusion of this invention is (a) At least PbO and / or Bi. 2 O 3 Containing glass, metal Si and / or metal Sn, ZnO and / or SnO 2 (B) a step of forming a protrusion-shaped molded body by applying and forming the paste obtained in the step (a) on the substrate surface; and (c) the step (b). And baking the substrate obtained in the above in an oxidizing atmosphere to oxidize at least a part of the metal Si and / or the metal Sn in the molded body.
[0015]
Here, the total amount of the metal Si and / or metal Sn is 5 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the glass, and the ZnO and / or SnO. 2 It is desirable that the metal Si and / or the metal Sn is made of a powder having an average particle size of 6 μm or less.
[0016]
Furthermore, the flat display of the present invention is a flat display in which a plurality of protrusions are disposed between two substrates formed in parallel and spaced apart at a predetermined interval, and the protrusions are made of the above porcelain. It is characterized by.
[0017]
Here, the volume resistivity value of the protrusion at 25 ° C. is 1 × 10. 8 ~ 1x10 14 It is desirable that it is Ω · cm.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The porcelain composition constituting the present invention contains PbO and / or Bi. 2 O 3 Containing glass, as filler, metal Si and / or metal Sn, ZnO and / or SnO 2 It contains.
[0019]
Among the above components, as the glass, specifically, PbO—SiO 2 -B 2 O 3 Glass and Bi 2 O 3 -B 2 O 3 Glass, B 2 O 3 At least one selected from the group of -PbO-ZnO glass and PbO-ZnO glass can be used.
[0020]
Further, the softening temperature of the glass is preferably 370 to 850 ° C., particularly 370 to 430 ° C. in terms of low-temperature baking, and the average particle size of the glass is 5 μm or less in terms of forming dense porcelain. In particular, it is desirable that it is 3 μm or less.
[0021]
According to the above configuration, the specific metal of the metal Si and / or the metal Sn is oxidized with volume expansion by heating to a temperature of 350 to 490 ° C. in an oxidizing atmosphere, for example. Thereby, even if the glass powder shrinks due to firing, shrinkage due to firing of the porcelain can be reduced as a whole. For example, metal Si has an oxidation start temperature of about 450 ° C. in the atmosphere. The oxidation start temperature in the present invention means the lowest temperature at which an endotherm accompanying the softening of the glass and an exotherm accompanying the oxidation of the metal occur in the TG-DTA curve and an increase in weight is observed.
[0022]
The specific metal is 5 to 70 parts by weight, particularly 30 to 60 parts by weight in total with respect to 100 parts by weight of the glass in terms of efficient volume expansion and control of conductivity in the porcelain. The average particle size is preferably 6 μm or less, particularly 2 μm or less, and 0.5 to 6 μm, particularly 0.8 to 3 μm, and more preferably 1 to 2 μm in terms of adjusting the viscosity of the paste. Further, the metal may be coated on the glass particle surface.
[0023]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The porcelain composition of the present invention contains glass containing PbO and / or Bi2O3, and contains, as a filler, metal Si and / or metal Sn, ZnO and / or SnO2, and TiO2. 2 It does not contain.
[0024]
The above ZnO and / or SnO 2 The addition amount of PbO and Bi in the glass 2 O 3 The total amount is 10 to 150 parts by weight, particularly 20 to 100 parts by weight, and the total amount of glass is 100 to 50 parts by weight, and the total amount is 5 to 50 parts by weight, especially 10 to 30 parts by weight. Part is desirable.
[0025]
In order to set the shrinkage ratio due to firing of the porcelain to 2% or less, particularly 1% or less, further 0.5% or less, further 0.3% or less, the porcelain is 1000 ° C. or less, particularly 500 ° C. or less, In order to increase the relative density to 65% or more, particularly 70% or more, further 75% or more at 450 to 480 ° C., more preferably 460 to 480 ° C., the glass as a whole is 50 to 75% by weight, The total amount is 3 to 35% by weight, ZnO and / or SnO 2 The content of is desirably contained in a proportion of 3 to 35% by weight.
[0026]
ZnO and / or SnO 2 May be coated on the surface of glass particles or metal particles, but in terms of ease of production and cost, the average particle size is 0.05 to 10 μm, particularly 0.1 to 3 μm, and further 0.5 A powder of ˜2 μm is desirable.
[0027]
Furthermore, for the composition described above, for example, TiO having an average particle size of 0.05 to 10 μm. 2 Is added at a ratio of 16 to 600 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the specific metal and 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the glass, so that the firing temperature of the spacer is 5 ° C. or more, particularly 10 ° C. As described above, since the temperature can be further lowered by 20 ° C. or more, and further by 30 ° C. or more, even when the electron-emitting device or the phosphor formed on the back plate or the front plate to be sintered and integrated with the spacer is simultaneously fired. These can be prevented from being altered or deteriorated by firing.
[0028]
Furthermore, in order to improve porcelain strength, for controlling the thermal expansion coefficient, for coloring, for controlling the dielectric constant, for controlling the resistivity, further for SiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 Such as ceramic filler, SiO 2 -Al 2 O 3 -MgO system (glass softening point 760 ° C., thermal expansion coefficient 2.8 × 10 -6 Other inorganic fillers such as glass such as glass can be added in a total amount of preferably 30% by weight or less, particularly 20% by weight or less.
[0029]
Next, in order to produce a porcelain using the above composition, for example, an organic binder is optionally added to the powdery composition such as a spherical shape, a needle shape, an indeterminate shape, and a hollow shape, and after mixing, A molded body is produced by a known molding method such as press molding, roll molding, extrusion molding, injection molding, or casting.
[0030]
Then, by firing the molded body in an oxidizing atmosphere, the glass in the molded body is sintered and contracted, and at least the surface of a specific metal is oxidized and volume-expanded. The dimensional change rate can be reduced. In addition, although all the specific metals can be oxidized, if a part is left as a metal, electroconductivity can be provided to the porcelain.
[0031]
Next, the porcelain obtained by the above method will be described. The porcelain having the above-described structure is made of PbO and / or Bi. 2 O 3 A metal oxide formed by oxidizing metal Si and / or metal Sn added as a raw material and the remaining metal, ZnO and / or SnO 2 It contains. In the porcelain, in addition to the above components, metals such as Zn, Al, Cu, Mg, and oxides obtained by firing these oxides, TiO 2 , ZrO 2 , SiO 2 Other ceramic fillers such as SiO 2 -Al 2 O 3 -Other inorganic fillers, such as high softening point glass, such as MgO, may be contained.
[0032]
Here, the volume resistivity of the porcelain is 1 × 10 8 ~ 1x10 14 In the case of Ω · cm, the metal content in the porcelain is 34% by weight or less, particularly 1.5 to 34% by weight, and the metal particle size is 5.9 μm or less, particularly 0.3 to 5. It is desirable that it is 9 micrometers, and also 0.3-3 micrometers.
[0033]
Since the above porcelain can suppress shrinkage due to firing, it can be used, for example, as a ferrule for an optical fiber connector, an insulating substrate for a wiring substrate with high dimensional accuracy, and further as a sealing member. As a projection of the substrate with the projection, it can be suitably used as a flat display having the projection.
[0034]
Next, a description will be given based on FIG. 1 which is a schematic sectional view of a field emission display (FED) which is an example of the flat display according to the present invention. In FIG. 1, the flat display 1 is provided with a spacer 4 at a predetermined position between two substrates of a back plate 2 and a front plate 3 which are formed in parallel at a predetermined interval.
[0035]
As the back plate 2, a glass substrate such as quartz glass, soda lime glass, low soda glass, lead alkali silicate glass, borosilicate glass, ceramic substrate such as alumina or silica, Si substrate, etc. can be used. And low soda glass with low lead content is desirable.
[0036]
Next, the porcelain obtained by the above method will be described.
The porcelain of the present invention comprises a glass containing PbO and / or Bi2O3, a metal oxide formed by oxidation of metal Si and / or metal Sn added as a raw material and the remaining metal, ZnO and / or SnO2 and TiO 2 It does not contain. In the porcelain, in addition to the above components, metals such as Zn, Al, Cu, and Mg, oxides thereof oxidized by firing, other ceramic fillers such as TiO2, ZrO2, and SiO2, SiO2-Al2O3-MgO Other inorganic fillers such as high softening point glass, etc. may be contained.
[0037]
The spacer 4 is formed in a rib shape, a lattice shape, a column shape, a frame shape, or the like. For example, in the case of a rib shape, it is desirable that the spacer 4 be formed in parallel with a predetermined interval. The spacer 4 is made of lead glass (PbO-B) in terms of mechanical strength, adhesion to an insulating substrate, and long-term chemical stability of the material. 2 O 3 -SiO 2 ), Bismuth-based glass (Bi-B) 2 O 3 However, according to the present invention, the spacer 4 is characterized in that metal Si and / or metal Sn is dispersed in a sintered body mainly composed of glass. The spacer 4 has a volume resistivity of 1 × 10 at 25 ° C. 8 ~ 1x10 14 Conductivity of Ω · cm can be imparted and the spacer 4 can be prevented from being charged.
[0038]
Here, among the metals, metal Si is most suitable in terms of conductivity imparting effect, oxidation start temperature, increase rate of volume expansion coefficient due to metal oxidation, familiarity with glass, and adhesion. In addition to the metal Si or metal Sn, the metal may contain at least one selected from the group consisting of Zn, Al, Cu, and Mg, and an oxide in which some of these are oxidized is contained. May be. Of the oxides formed by oxidation of the metal, for example, SnO 2 , ZnO, CuO, and the like have an effect of increasing conductivity.
[0039]
Further, in the spacer 4, as desired, as a ceramic filler, TiO 2 , ZrO 2 ZnO, SnO 2 , SiO 2 , BN, Al 2 O 3 Etc. are used, and the glass strain point is adjusted to prevent deformation of the burning spacer, control of the thermal expansion coefficient of the spacer 4, coloring, and the like.
[0040]
Furthermore, according to the present invention, even when the spacer 4 has a thickness of 200 μm or less, particularly 100 μm or less, and a height of 500 μm or more, particularly 1500 μm or more, the spacer 4 is shrunk by firing and deforms and does not peel off. In addition, it is possible to form spacers having a fine interval of 400 μm or more, particularly 5 mm or less, and further 1 mm or less.
[0041]
The spacer 4 has a thickness of 100 to 200 μm from the viewpoint of strength and downsizing and an improvement in display brightness, and the spacer 4 has a height of no short-circuit discharge between the electron-emitting device and the phosphor. In view of controlling the electron beam density reaching the desired amount to 500 to 4000 μm, it is desirable.
[0042]
Further, the back plate 2 or the front plate 3 and the spacer 4 are firmly joined and integrated by firing the spacer 4, and are bonded and fixed to the other substrate by an adhesive or the like.
[0043]
In addition, even when the substrate with spacers is heated and cooled again in the manufacturing process, the spacers 4 do not generate defects such as cracks, so that the average thermal expansion coefficient of the spacers 4 at 15 to 450 ° C. is 7 to 9 × 10. -6 / ° C, especially 7.5 to 8.2 × 10 -6 / ° C is desirable.
[0044]
On the other hand, an electron-emitting device 6 is formed on the surface of the back plate 2. The specific structure of the electron-emitting device 6 is, for example, formed such that a plurality of line-like positive electrode layers and negative electrode layers arranged in parallel with a predetermined distance therebetween intersect, and the positive electrode layer and the negative electrode layer An MIM type structure in which an insulator is interposed at the intersection of electrode layers, a surface conductive type in which a positive electrode layer and a negative electrode layer are separated by a predetermined distance with an insulating layer interposed therebetween, and between a positive electrode layer and a negative electrode layer A field emission type or the like in which an insulator is interposed and the positive electrode layer and the insulator are partially cut out at a predetermined position and a protruding insulator is provided at the cutout portion can be suitably used.
[0045]
As the positive electrode layer and the negative electrode layer, at least one metal or alloy selected from the group of silver, aluminum, nickel, platinum, gold, palladium, amorphous silicon, polysilicon, graphite, and the like can be used. Moreover, as an insulator, what mainly has at least 1 sort (s) of oxides, nitrides, etc. selected from the group of Si, Ti, Ga, W, Al, and Pd can be used conveniently.
[0046]
Further, a diffusion prevention layer 7 made of silica, silicon nitride, or the like is formed between the back plate 2 and the electron emitter 6 in order to prevent diffusion of impurities into the electron emitter 6.
[0047]
On the other hand, a phosphor 8 is deposited on the surface of the front plate 3 on the spacer 4 formation side. A plurality of sets of phosphors 8 are regularly arranged with at least three types of phosphors 8 emitting at least one of red (R), green (G), and blue (B) as one set, The electron-emitting device 6 is formed at a position facing each phosphor 8, and an electron beam is emitted from the electron-emitting device 6 and collides with the phosphor 8 at a position facing the phosphor 8. Make it emit light.
[0048]
Further, according to FIG. 1, transparent ITO (indium-tin oxide) is interposed between the front plate 3 and the phosphor 8 in order to accelerate the electron beam emitted from the electron-emitting device 6 toward the phosphor 8. ) The film 10 is formed, but the present invention is not limited to this. In order to accelerate the electron beam and reflect the scattered light emitted from the phosphor 8 to increase the light emission luminance, the ITO film is formed. Instead, a metal back (not shown) made of a metal layer such as a metal foil of 100 to 300 nm of aluminum, silver, nickel, platinum or the like is deposited on the surface of the phosphor 8 formed on the front plate 3 surface. Is desirable.
[0049]
Further, in order to obtain a sharp image on the portion of the front plate 3 other than the phosphor 8 forming portion on the surface side where the phosphor 8 is formed, by preventing color bleeding in the flat display 1 and increasing the contrast of the display screen. Further, for example, a black or dark black matrix 11 made of a mixture of an oxide such as iron, nickel, copper, or manganese and a low-melting glass, or metallic chromium or graphite is deposited.
[0050]
Further, a frame body 12 is disposed on the outer peripheral portion of the back plate 2 and the front plate 3, and the back plate 2, the front plate 3 and the frame body 12 are bonded and sealed with an adhesive such as frit glass. Thus, the flat display 1 can be manufactured. Further, a gas exhaust port 13 for evacuating the flat display 1 is provided at an end of the back plate 2, and the inside of the flat display is vacuum-sealed by the gas exhaust port 13.
[0051]
According to FIG. 1, the spacers 4 are arranged for each of the three groups of R, G, and B of the phosphor 8, but the present invention is not limited to this, It may be arranged for each phosphor 8 or may be arranged for each of a plurality of sets of the phosphors 8.
[0052]
Further, the present invention is not limited to the FED shown in FIG. 1, and is a plane in which a display such as a plasma display panel (PDP) or a plasma addressed liquid crystal panel (PALC) is sealed with a vacuum or a gas at a predetermined atmospheric pressure. Any type display can be suitably applied.
[0053]
<Manufacturing method>
Next, a method for manufacturing the above-described FED will be described. First, a back plate made of the above-described material is prepared, cut into a predetermined shape, and a diffusion prevention layer is formed on one surface of the back plate by sputtering, CVD, ion beam, vapor deposition, MBE, etc. After that, the surface of the electron-emitting device is masked by a photolithography method or the like on the surface, and the electron-emitting device is formed by a known thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, an ion beam method, a CVD method, or an MBE method. An insulator is formed to form an electron-emitting device.
[0054]
On the other hand, for glass having an average particle size of 0.5 to 6 μm, at least one metal selected from the group consisting of chromium, molybdenum, iron, silicon, zircon, zinc, copper, aluminum, and tin, and ZnO and / or SnO 2 If necessary, an acrylic binder or the like, an organic resin such as a plasticizer or a dispersant, and an organic solvent are added and kneaded to prepare a paste.
[0055]
In addition, the said metal consists of shapes, such as spherical shape, indefinite shape, a hollow shape, powder shape, such as flake shape, or fiber shape, and an average particle diameter of 0.5-6 micrometers, Especially 0.8-3.0 micrometers, Furthermore, 1. The thickness of 0 to 2.0 μm is desirable in that the metal remains in the sintered body and the specific surface area of the metal is increased to promote the volume expansion effect due to metal oxidation.
[0056]
Further, the amount of the metal added is that the specific metal is added to 100 parts by weight of the glass in terms of suppressing the firing shrinkage, improving the dispersibility of the spacer paste, and improving the strength of the spacer. The total amount is preferably 5 to 70 parts by weight, more preferably 20 to 60 parts by weight, and further ZnO and / or SnO. 2 The amount of addition is preferably 5 to 50 parts by weight, particularly 10 to 30 parts by weight, from the viewpoint of densification of the spacer and improvement of the spacer strength. Furthermore, for example, ZrO may be added to the paste as desired. 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 And other fillers are added.
[0057]
Then, a plurality of spacer molded bodies having a thickness of 100 to 200 μm and a height of 500 to 4000 μm are formed on the surface of the insulating substrate using the paste at intervals of 400 μm or more.
[0058]
Then, a plurality of the spacer moldings are produced on the surface of the back plate using the paste. According to the present invention, for example, a spacer molded body having a thickness of 100 to 200 μm and a height of 500 to 4000 μm can be produced at a pitch of 400 μm or more.
[0059]
As a specific method for forming the spacer molded body, (a) a method of forming the spacer molded body by printing and applying the paste a plurality of times, and (b) the mold in a mold made of rubber, metal, ceramics, etc. After filling the spacer paste, the mold is brought into contact with the insulating substrate, and then the mold is removed. (C) A sheet having a desired thickness is formed on the surface of the insulating substrate using the paste. (D) A method for removing a spacer-shaped groove on the surface of the sheet after placing and pressing a rigid plate-shaped mold having a spacer-shaped groove formed on the surface of the sheet and pressing it. A roll-shaped mold having a high rigidity is placed and rotated while pressing to form a spacer molding, (e) a sandblasting method, (f) a spacer is separately formed, processed, and processed into a glass frit Contact And a method of bonding at a predetermined position of the back plate can be used by the agent.
[0060]
As a method for forming the spacer molded body, a method (b) for making it possible to easily form a high spacer having a height of 1000 μm or more and making the porosity of the spacer within a predetermined range, or a method other than the above After forming the groove by pressing and releasing with the above-mentioned mold in which the resin layer is formed on the substrate surface and the spacer-shaped protrusion is formed, the above-described slurry for forming the spacer is filled in the groove Then, a method of curing and removing the resin layer is preferable.
[0061]
Then, the board | substrate with a protrusion which integrated the backplate and the spacer is produced by baking the board | substrate with which the molded object for spacers was formed, for example at 420-480 degreeC.
[0062]
If the firing is performed in an oxidizing atmosphere such as air or oxygen, the glass in the spacer molded body sinters and shrinks, but the metal oxidizes from the surface and expands in volume. Baking shrinkage of the molded body is suppressed, a spacer with a small dimensional change rate can be manufactured, and a spacer with high dimensional accuracy without deformation or peeling from the insulating substrate can be formed.
[0063]
Moreover, according to the present invention, as described above, ZnO and / or SnO. 2 Is added to the spacer, the relative density of the spacer can be improved to 65% or more, particularly 68% or more, and further 70% or more. Therefore, the spacer is formed on the back plate or the front plate to be integrated with the spacer. Even when the electron-emitting device and the phosphor are simultaneously fired, they can be prevented from being altered or deteriorated by firing, and the load resistance (strength) of the spacer is increased to 1 MPa or more, particularly 1.5 MPa or more, and further 2 MPa or more. Can do.
[0064]
On the other hand, after producing a front plate made of the above-described material and processing it into a predetermined shape, a printing method such as a known printing method such as a screen printing method, a gravure printing method, an offset printing method, roll, etc. on one surface of the front plate After an ITO film is deposited by a paste application method such as a coater method or a vapor deposition method, a black matrix having a predetermined shape is applied by a known printing method such as a photolithography method, a screen printing method, a gravure printing method, or an offset printing method. It forms.
[0065]
Next, the phosphor paste is applied to a predetermined position of the area surrounded by the black matrix on the front plate by a photolithography method, a screen printing method, a gravure printing method, a printing method such as an offset printing method, an ink jet method or the like. Form. If the ITO film is not formed, a resin layer is formed on the front plate surface by a printing method such as a photolithography method, a screen printing method, a gravure printing method, and an offset printing method, if desired. Thereafter, a metal back is deposited on the predetermined position by vapor deposition or the like, and a resin layer is further formed on the metal back surface.
[0066]
Further, the phosphor paste or the paste and resin layer are heat-treated at 400 to 600 ° C., particularly 450 to 500 ° C., and the organic component and the resin layer in the phosphor are volatilized and removed to form a front plate.
[0067]
On the other hand, a frame body that is disposed on the outer periphery of the back plate and the front plate and seals the inside of the display is produced.
[0068]
And after arrange | positioning a frame to the outer peripheral part of a backplate, and bonding together with adhesives, such as frit glass, it is frit glass on the top of this frame, and the spacer top of the backplate which integrated the above-mentioned spacer by sintering. The phosphor forming surface of the front plate is aligned and bonded so that the top of the spacer is disposed at a predetermined position other than the phosphor forming portion.
[0069]
Furthermore, a gas exhaust port for exchanging gas with the inside of the display is formed in advance at the end of the back plate, and connected to an external gas exhaust pipe. Then, a vacuum pump is connected to the gas exhaust pipe provided in the frame body, and the inside of the panel is -Four The flat display of the present invention is manufactured by heating to 400 to 500 ° C. while reducing the pressure to about Pa to fix the adhesive between the front plate, the back plate and the frame, and sealing the gas exhaust port. can do.
[0070]
In the above flat display manufacturing method, the spacer is integrally formed on the back plate side. However, the present invention is not limited to this, and the spacer may be integrally formed on the front plate side. Good. In this case, it is desirable to form a spacer after forming the phosphor on the front plate surface in advance.
[0071]
【Example】
The following two types of glasses A and B were prepared. Glass A: PbO-SiO 2 -B 2 O 3 (Softening point is 410 ° C.) Glass B: Bi 2 O 3 -B 2 O 3 (Softening point is 420 ° C.) With respect to 100 parts by weight of the above two types of glasses, the metals shown in Tables 1 and 2 and ZnO or SnO having an average particle diameter of 2 μm 2 Were added in the proportions shown in Tables 1 and 2, and wet mixed in IPA (isopropyl alcohol) for 18 hours in a ball mill using zirconia balls.
[0072]
Then, with respect to 100 parts by weight of the obtained mixed powder, a binder, a polymerization initiator, and a dispersing agent are added so that the total amount is 42 parts by weight, and mixed in a carbitol solvent to produce a paste. Then, after filling the silicone rubber mold with the paste and sufficiently defoaming, it is in contact with the surface of the insulating substrate made of borosilicate glass, vacuum-sealed, and heat-treated at 110 ° C. for 30 minutes. By extracting, a molded article for spacer was formed.
The obtained molded body was measured for the thickness and height of the molded body spacer using a laser displacement meter (LC-2440 / 2400, manufactured by Keyence Corporation), and was confirmed to be the same size as the silicone rubber mold within the measurement accuracy. confirmed.
[0073]
The silicone rubber mold has a recess depth (spacer height) of 1200 μm, a recess width (spacer thickness) of 200 μm, a recess (spacer) length of 8 cm, and a distance between the recesses (inter-spacer distance). Of 800 μm was used.
[0074]
Further, the compact is fired in the atmosphere at 450 ° C. for 15 minutes, and the height of the spacer is measured with a laser displacement meter in the same manner as described above, and the ratio of the spacer height to the height of the spacer compact (( The height of the spacer / the height of the molded article for spacer) × 100 (%)) was calculated as the shrinkage rate, which is the dimensional change rate.
[0075]
In addition, another flat plate is placed on the spacer end of the obtained substrate with spacers, a force is applied to compress both the substrates in the spacer height direction, the load F at which the spacer breaks is measured, and the total spacers are measured. The pressure P (F / S) with respect to the cross-sectional area S was calculated as the spacer strength.
[0076]
Further, the appearance of the spacer was observed with a stereomicroscope, and the presence / absence of peeling, warping, bending, or cutting was judged.
[0077]
Furthermore, a part of the spacer was crushed and X-ray diffraction measurement was performed to confirm the constituent components. Sample No. It was confirmed that the oxide of the metal was present in any sample except 1. Furthermore, the volume specific resistance value (described as “resistance” in the table) was measured for a part of the spacer with an insulation meter. The results are shown in Tables 1 and 2.
[0078]
[Table 1]
Figure 0003878792
[0079]
[Table 2]
Figure 0003878792
[0080]
From Tables 1 and 2, sample no. In Nos. 1 and 20, the shrinkage ratio due to firing was large and the film was peeled off from the insulating substrate. ZnO or SnO 2 Sample No. without addition of In No. 8, the spacer was not densified and the spacer strength was low.
[0081]
In contrast, according to the present invention, certain metals and ZnO or SnO 2 Sample No. to which 2 to 7, 9 to 19, and 21 to 38, the firing shrinkage rate of the spacer is small, it can be formed without peeling from the insulating substrate, and the spacer strength is 1 MPa or more, particularly 1.5 MPa or more, and further 2 MPa or more. I was able to increase.
[0082]
【The invention's effect】
As described in detail above, the porcelain composition constituting the present invention can suppress shrinkage due to firing by adding a specific metal to the raw material and oxidizing it by firing. Can be manufactured with high accuracy, and ZnO or SnO 2 By adding PbO or Bi in the glass. 2 O 3 Component is PbO or Bi 2 O 3 Can be prevented from dissociating as PbO or Bi in the glass. 2 O 3 Can be reduced by oxidation of a specific metal and evaporated and volatilized outside the porcelain, thereby suppressing the generation of voids and increasing the porcelain density.
[0083]
Further, since a specific metal remains in the spacer, conductivity can be imparted to the spacer and charging on the spacer surface can be prevented.
[0088]
【The invention's effect】
As described above in detail, the porcelain composition of the present invention can suppress shrinkage due to firing by adding a specific metal to the raw material and oxidizing it by firing. A spacer without peeling can be produced with high accuracy, and ZnO or SnO2 is added, and TiO 2 is added. 2 By not containing PbO or Bi2O3 in the glass can be prevented from dissociating as PbO or Bi2O3, PbO or Bi2O3 in the glass is reduced by oxidation of a specific metal and evaporated and volatilized outside the porcelain. This can prevent the generation of voids and increase the porcelain density.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a flat display configured using a substrate with spacers of the present invention.
[Explanation of symbols]
1: Flat panel display
2: Back plate
3: Front plate
4: Spacer
6: Electron emitting device
7: Diffusion prevention layer
8: Phosphor
10: ITO film
11: Black matrix
12: Frame
13: Gas exhaust port

Claims (10)

基板表面に突起を一体に形成してなる突起付き基板であって、前記突起がPbOおよび/またはBiを含有するガラスと、金属Siおよび/または金属Snと、該金属の酸化物と、ZnOおよび/またはSnOとを含有し、TiO を含有しない磁器からなることを特徴とする突起付き基板。A substrate with protrusions formed by integrally forming protrusions on a substrate surface, wherein the protrusions include glass containing PbO and / or Bi 2 O 3 , metal Si and / or metal Sn, and an oxide of the metal , ZnO and / or SnO 2 and comprising a porcelain containing no TiO 2 . 前記磁器は、25℃における体積固有抵抗値が1×10〜1×1014Ω・cmである請求項1に記載の突起付き基板。The porcelain, with projections substrate according to claim 1, volume resistivity at 25 ° C. is 1 × 10 8 ~1 × 10 14 Ω · cm. 前記突起の15〜450℃における平均線膨張係数が3〜9×10-6/℃であることを特徴とする請求項1または2に記載の突起付き基板。3. The substrate with protrusions according to claim 1, wherein an average linear expansion coefficient at 15 to 450 ° C. of the protrusions is 3 to 9 × 10 −6 / ° C. 3. 前記突起の厚みが200μm以下で、かつ高さが300μm以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の突起付き基板。  The substrate with protrusions according to claim 1, wherein the protrusion has a thickness of 200 μm or less and a height of 300 μm or more. 前記突起が、前記基板表面にその厚み方向に所定間隔を置いて略平行に複数形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の突起付き基板。  5. The substrate with protrusions according to claim 1, wherein a plurality of the protrusions are formed on the surface of the substrate substantially in parallel with a predetermined interval in the thickness direction. (a)PbOおよび/またはBiを含有するガラスと、金属Siおよび/または金属Snと、ZnOおよび/またはSnOを含有し、TiO を含有しないペーストを作製する工程と、(b)基板表面に前記(a)工程で得られたペーストを塗布形成して突起状の成形体を形成する工程と、(c)前記(b)工程によって得られた基板を酸化雰囲気中にて焼成して、前記成形体中の前記金属の少なくとも一部を酸化させる工程とを具備することを特徴とする突起付き基板の製造方法。(A) producing a paste containing PbO and / or Bi 2 O 3 , metal Si and / or metal Sn, ZnO and / or SnO 2 and not TiO 2 ; A step of applying and forming the paste obtained in the step (a) on the surface of the substrate to form a protrusion-shaped molded body, and a step (c) firing the substrate obtained in the step (b) in an oxidizing atmosphere. And the process of oxidizing at least one part of the said metal in the said molded object is comprised, The manufacturing method of the board | substrate with a protrusion characterized by the above-mentioned. 前記(a)工程における前記ペーストが、前記ガラス100重量部に対して、前記金属Siおよび/または金属Snを総量で5〜70重量部、前記ZnOおよび/またはSnOを5〜50重量部の割合で含有するものであることを特徴とする請求項6に記載の突起付き基板の製造方法。The paste in the step (a) is 5 to 70 parts by weight of the total amount of the metal Si and / or metal Sn and 5 to 50 parts by weight of the ZnO and / or SnO 2 with respect to 100 parts by weight of the glass. The method for manufacturing a substrate with protrusions according to claim 6, wherein the substrate is contained in a proportion. 前記金属Siおよび/または金属Snが平均粒径6μm以下の粉末からなることを特徴とする請求項7に記載の突起付き基板の製造方法。  The method for manufacturing a substrate with protrusions according to claim 7, wherein the metal Si and / or the metal Sn is made of powder having an average particle diameter of 6 μm or less. 所定の間隔で離間して平行に形成された2枚の基板間に複数の突起を配設した平面型ディスプレイであって、前記突起がPbOおよび/またはBiを含有するガラスと、金属Siおよび/または金属Snと、該金属の酸化物と、ZnOおよび/またはSnOとを含有し、TiO を含有しない磁器からなることを特徴とする平面型ディスプレイ。A flat display in which a plurality of protrusions are disposed between two substrates formed in parallel and spaced apart at a predetermined interval, wherein the protrusions include glass containing PbO and / or Bi 2 O 3 and metal A flat display comprising a porcelain containing Si and / or metal Sn, an oxide of the metal, ZnO and / or SnO 2 and not containing TiO 2 . 前記磁器は、25℃における体積固有抵抗値が1×10〜1×1014Ω・cmであることを特徴とする請求項9に記載の平面型ディスプレイ。10. The flat display according to claim 9, wherein the porcelain has a volume resistivity value at 25 ° C. of 1 × 10 8 to 1 × 10 14 Ω · cm.
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