JP3733769B2 - 液晶装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の技術分野に属し、より詳細には、液晶素子を電気光学素子として画像等の表示を行う電気光学装置に含まれる各画素部の構成の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気光学素子を含んだ画素部をマトリクス状に配置して形成される電気光学装置として、例えば、各画素部毎に形成された画素電極により電圧を印加して駆動される液晶層を備えるアクティブマトリクス型の液晶表示装置が一般に広く知られている。
【０００３】
この液晶表示装置は、当該液晶表示装置に含まれる複数の画素部毎に、上記画素電極に駆動電圧を印加して夫々の画素部毎に液晶素子を駆動するスイッチング素子を備えており、更に当該スイッチング素子としては、小型化の必要性等に起因して、いわゆる薄膜トランジスタ（以下、単にＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称する。）が用いられることが多い。
【０００４】
ここで、当該薄膜トランジスタの構成として代表的なものには、例えば、ポリシリコン層等の薄膜半導体層にドナーイオン又はアクセプタイオンを注入することにより当該薄膜半導体層内にドレイン領域、ソース領域及びチャネル領域を形成し、当該ドレイン領域についてはドレイン電極を介して上記画素電極に接続され、一方ソース領域はソース電極を介してデータ信号が供給されるデータ線に接続され、更に、チャネル領域には、ゲート絶縁膜を介してその直上に形成されているゲート電極（走査線）から走査信号が印加されるように形成されたものがある。
【０００５】
そして、当該走査信号によりチャネル領域に電子又は正孔が通過するためのチャネルが形成され、当該チャネルによりソース領域に供給されているデータ信号がドレイン領域に伝送され、更にドレイン電極を介して画素電極に当該データ信号が印加されて液晶素子が駆動されるのである。
【０００６】
ここで、上記ドレイン領域、ドレイン電極及び画素電極は、相互に層間絶縁膜を挟んで薄膜化されて形成されるので、ドレイン領域とドレイン電極及びドレイン電極と画素電極を夫々電気的に導通させるためには、夫々の領域又は電極が形成されている層の間を接続するいわゆる層間コンタクトが必要である。
【０００７】
このとき、従来の液晶表示装置においては、ドレイン領域とドレイン電極を第１の層間コンタクトで接続した上で、当該ドレイン電極を画素部の中心方向に延長し、当該延長した位置に当該ドレイン電極と画素電極とを接続する第２の層間コンタクトを形成する構成が一般的であった。
【０００８】
これは、上記第１の層間コンタクトの真上に第２の層間コンタクトを形成すると、当該層間コンタクトをフォトリソグラフィ技術により形成する場合のウエットエッチングの際に当該ウエットエッチングのためのエッチング液がドレイン領域まで浸透して当該ドレイン領域が侵食されてしまうことがあるためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の各層間コンタクトの配置によると、第１の層間コンタクトが画素部内において実際の表示に関る領域に近い位置に形成されることとなるため、液晶の配向性に悪影響を与える場合があるという問題点があった。
【００１０】
すなわち、当該第１の層間コンタクトは、画素電極にデータ信号を印加するためのものであるため、液晶駆動時には必然的に画素電極と同電位となるが、この場合には結果として当該第１の層間コンタクトの近辺の液晶に対して横方向から電圧を印加することとなり、これにより当該近辺の液晶の配向性が乱されてしまうのである。
【００１１】
そして、このことは、液晶の配向の非連続面を示すいわゆるディスクリネーションラインが画素部内のより中心方向に形成されることとなり、結果として画素部としての開口率が低下してしまうという問題点に繋がる。
【００１２】
更に、この画素部の開口率の低下は、液晶表示装置としての輝度の低下に繋がるものであり、このような場合に極力開口率を増大させる必要がある。
【００１３】
そこで、本発明は、上記の各問題点に鑑みて為されたもので、その課題は、複数の画素部を有する電気光学装置における開口率を増大させることが可能な電気光学装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１の基板上に配置された複数の走査線と、複数のデータ線と、各前記走査線と各前記データ線に接続されて前記走査線と前記データ線の交差部の近傍に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、第２の基板上に前記画素電極と対向配置された対向電極と、前記第１と第２の基板の間に配置された液晶とを有する液晶装置であって、
前記スイッチング素子は、当該スイッチング素子上に配置された第１絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して当該第１絶縁膜上に形成された第１電極に接続されてなり、
当該第１電極は、前記第１絶縁膜及び前記第１電極上に配置された第２絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して当該第２絶縁膜上に形成された前記画素電極に接続されてなり、
前記第２コンタクトホールは前記交差部の近傍であって、前記第１コンタクトホールよりも前記画素電極の中心に対して遠い周辺側に配置されており、且つ前記スイッチング素子に接続されるデータ線と前記第１コンタクトホールとの間に配置されていることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、画素電極と第１電極を接続する第２コンタクトホールが、第１電極とスイッチング素子を接続する第１コンタクトホールよりも画素電極の周辺側に配置されているので、液晶の駆動特性に影響を及ぼす第２コンタクトホールが画素部の中心から離れた位置に形成されていることにより、当該第２コンタクトホールの存在が当該液晶の駆動特性に与える影響を低減することができる。
【００１６】
また、本発明は、上記の発明の構成に加えて、前記第２コンタクトホールは、前記第１電極における平坦部分上に形成されている。
【００１７】
よって、当該第２コンタクトホールを小型化しても第１電極との間で十分な電気的導通が取れることとなり、第２コンタクトホールの存在が液晶の駆動特性に与える影響を更に低減することができる。
【００１８】
更に、本発明は、上記の各発明の構成に加えて、前記スイッチング素子は薄膜化されたトランジスタ素子であり、当該トランジスタ素子のドレイン領域が前記第１コンタクトホールを介して前記第１電極に接続されて構成されている。
【００１９】
よって、液晶素子を用いた電気光学素子において、当該液晶の配向の連続性に与える第２コンタクトホールの影響を低減して画素部における開口率を向上させることができる。
【００２０】
更にまた、本発明は、上記の各発明の構成に加えて、前記トランジスタ素子に含まれる半導体層が前記走査線と絶縁され且つ当該走査線と複数回交差することにより複数個のトランジスタが直列接続されて当該トランジスタ素子が形成されている。
【００２１】
よって、液晶素子を駆動するためにスイッチング素子のドレイン領域に印加することが必要なドレイン電圧を低減することができ、トランジスタ素子のいわゆるオフ電流を低減することができる。
【００２２】
また、半導体層が走査線と複数回交差することにより形成される複数のチャネル領域を有するトランジスタ素子であっても第２コンタクトホールが液晶素子の配向の連続性に与える影響を低減して開口率を向上させることができる。
【００２３】
更に、本発明は、上記の各発明の構成に加えて、少なくとも、前記走査線、前記データ線、前記スイッチング素子、前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールが不透明体により形成されていると共に、当該各不透明体により前記電気光学装置に外部から入射する光を遮光する遮光領域が形成されており、更に前記液晶素子における液晶の非連続面を示す非連続面線が当該遮光領域内に形成されて構成される。
【００２４】
よって、各不透明体により非連続面線を遮光する遮光膜が形成されているので、スイッチング素子等が形成されている基板に液晶を挟んで対向する対向基板上に遮光膜を形成する必要がなく、より高開口率化することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に本発明に好適な実施の形態について説明する。
【００２６】
なお、以下に説明する各実施形態は、液晶の配向性を電気的に変化させることにより画像等を表示する液晶表示装置内の液晶パネルに対して本発明を適用した場合の実施の形態である。
【００２７】
（Ｉ）第１実施形態
先ず、本発明の第１実施形態について、図１乃至図６を用いて説明する。
【００２８】
なお、図１は液晶パネルの画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示し、図２は第１実施形態に係るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板中の一の画素部及びその近傍の構成を模式的に示す平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ’断面図（図３（ａ））、Ｂ−Ｂ’断面図（図３（ｂ））及びＣ−Ｃ’断面図（図３（ｃ））を夫々模式的に示す断面図であり、図４はＴＦＴアレイ基板上の２次元的な配線レイアウト等を周辺回路と共に示す平面図であり、図５はＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図６は対向基板を含めて示す図５のＨ−Ｈ’断面図である。
【００２９】
ここで、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて示している。
【００３０】
始めに、複数の上記画素部の概要構成について、図１を用いて説明する。
【００３１】
図１に示すように、第１実施形態における液晶パネルの画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部内には、画素電極９を制御するためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号を供給するデータ線６が当該ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。
【００３２】
このとき、データ線６に書き込まれる画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給してもよいし、或いは相隣接する複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにすることもできる。
【００３３】
一方、ＴＦＴ３０のゲート電極には、走査線３が電気的に接続されており、予め設定された所定のタイミングで、走査線３にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。
【００３４】
更に、画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレイン電極に電気的に接続されており、薄膜スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで当該画素電極９に供給される。
【００３５】
そして、当該画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎにより、対向基板（詳細は後述する。）に形成された対向電極（詳細は後述する。）との間で当該画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに対応した電圧が一定期間保持され、この電圧が液晶に印加されることとなる。
【００３６】
そして、当該画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに対応した電圧が印加された液晶は、当該印加された電圧のレベルにより分子集合の配向性や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００３７】
このとき、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、一方ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶パネルからは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００３８】
ここで、上記保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、上記画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。そして、画素電極９に印加された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに対応する電圧は、上記ソース電極の電圧が印加された時間よりも約３桁程度長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。
【００３９】
この構成により、上記画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶パネルが実現できる。
【００４０】
なお、蓄積容量７０を形成する方法としては、容量を形成するための配線である図示しない容量線を用いてもよいし、本第１実施形態の如く前段の走査線３との間で容量を形成してもよい。
【００４１】
次に、本発明に係る一の画素部及びその近傍の具体的な構成について、図２及び図３を用いて詳説する。
【００４２】
先ず、図２に示すように、液晶パネルのＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９が設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６及び走査線３が設けられている。
【００４３】
このうち、データ線６は、コンタクトホール５を介して、ポリシリコン膜からなると共にＴＦＴ３０を形成する半導体層１のうちの後述するソース領域に電気的に接続されている。
【００４４】
一方、画素電極９は、第２コンタクトホールとしてのコンタクトホール８、島状に形成された第１電極としての金属電極１５及び第１コンタクトホールとしてのコンタクトホール１１を介して半導体層１のうちの後述するドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４５】
また、半導体層１のうち後述のチャネル領域Ｃ１及びＣ２（図２中右下りの斜線の領域。本第１実施形態においては、ＴＦＴ３０としては、いわゆるデュアルゲート型のＴＦＴ３０が形成されている。）に対向するように走査線３（ゲート電極）が配置されている。
【００４６】
ここで、上記画素電極９、金属電極１５及びドレイン領域は、相互に異なる層に形成されると共に、夫々が後述する層間絶縁膜により絶縁されており、更に画素電極９と金属電極１５とがコンタクトホール８を用いて接続され、金属電極１５とドレイン領域とがコンタクトホール１１を用いて接続されている。
【００４７】
そして、第１実施形態の画素部においては、コンタクトホール１１が形成されている部分から、金属電極１５を、当該コンタクトホール１１に対して画素電極９の中心（すなわち、画素部の中心）と反対方向（すなわち、画素電極９の中心から遠い周辺部の方向。図２においては、左方向）に延長して形成し、当該延長した金属電極１５の部分上にコンタクトホール８を形成している。
【００４８】
この構成により、液晶に接することとなるコンタクトホール８が画素部の中心から離れた位置にあるので、第１実施形態の画素部におけるディスクリネーションラインＤＬとしては、開口部Ｒから離れた図２に点線で示す位置に形成される。
【００４９】
なお、対向基板２０における開口部Ｒ以外の部分は、外光の漏れ込み等を防止するために、いわゆるブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されている。
【００５０】
更に、第１実施形態の画素部においては、前段の走査線３の一部を対応するデータ線６の下部に（図２において下方に）延長して形成することにより、蓄積容量７０を構成する一の容量電極７０ａとしている。
【００５１】
同様に、半導体層１の一部をデータ線６の下部及び前段の走査線３の下部に（図２において上方及び左方に）延長して形成することにより、蓄積容量７０を構成する他の容量電極７０ｂとしている。
【００５２】
次に、図２に示す各部の断面構造について図３を用いて説明すると、先ず、図２中Ａ−Ａ鋳f面については、図３（ａ）に示すように、液晶パネルは、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。
【００５３】
このとき、ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００５４】
そして、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９が設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された図示しない配向膜が設けられている。
【００５５】
ここで、画素電極９としては、例えば、ＩＴＯ膜（インジウム・ティン・オキサイド膜）などの透明導電性薄膜が用いられている。また配向膜としては、例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜が用いられている。
【００５６】
一方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された図示しない配向膜が設けられている。
【００５７】
このとき、対向電極２１としては、例えば、画素電極９と同様にＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜が用いられており、配向膜は、同様にポリイミド薄膜などの有機薄膜が用いられている。
【００５８】
なお、対向基板２０には、所定の大きさ及び膜厚を有する上記ブラックマトリクス（遮光膜）が形成されている。
【００５９】
更にＴＦＴアレイ基板１０上には、図３に示すように、各画素電極９に対応する位置に、当該画素電極９をスイッチング制御する上記ＴＦＴ３０が設けられている。
【００６０】
ここで、当該ＴＦＴ３０内には、上記半導体層１に対してドナー又はアクセプタとしてのイオンを注入する等の方法により上記ドレイン領域Ｄとソース領域Ｓが形成されている。
【００６１】
そして、当該ドレイン領域Ｄがコンタクトホール１１、金属電極１５及びコンタクトホール８を介して画素電極９に接続されている。
【００６２】
また、当該ソース領域Ｓがコンタクトホール５を介してデータ線６に接続されている。
【００６３】
更に、ドレイン領域Ｄ及びソース領域Ｓの上には、チャネル領域Ｃ１及びＣ２と走査線３（ゲート電極）との間を絶縁するゲート絶縁膜１２が形成されている。
【００６４】
更にまた、金属電極１５又はデータ線６とゲート絶縁膜１２との間には第１層間絶縁膜１３が形成されており、コンタクトホール５及び１１は、当該ゲート絶縁膜１２及び第１層間絶縁膜１３を貫通して夫々ドレイン領域Ｄ又はソース領域Ｓに到達するように構成されている。
【００６５】
また、上記第１層間絶縁膜１３の上には、画素電極９と金属電極１５又はデータ線６とを絶縁するための第２層間絶縁膜１４が形成されている。そして、コンタクトホール８は、当該第２層間絶縁膜１４を貫通して金属電極１５に到達するように形成されている。
【００６６】
ここで、当該第２層間絶縁膜１４は、画素電極９と金属電極１５又はデータ線６とを絶縁すると共に、画素電極９を平坦に形成するためＴＦＴ３０が形成されている領域を平坦化させる平坦化膜の機能をも担っている。
【００６７】
なお、第１層間絶縁膜１３又は第２層間絶縁膜１４の材料としては、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等が用いられる。
【００６８】
この図３（ａ）においては、上述したように、金属電極１５が画素部の中心方向と反対方向に延長して形成されており、当該延長された部分にコンタクトホール８が形成されている。
【００６９】
一方、画素電極９と対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材５２（図５及び図６参照）により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【００７０】
この液晶層５０は、画素電極９からの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態を採るように封入されている。より具体的に液晶層５０は、例えば、一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。
【００７１】
また、シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００７２】
次に、図２中Ｂ−Ｂ’断面図については、図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されている半導体層１の一部に、ポリシリコンからなるチャネル領域Ｃ１が形成されており、当該チャネル領域Ｃ１の上部にはゲート絶縁膜１２を挟んで走査線３が配置されている。
【００７３】
この構成により、ＴＦＴ３０の動作時においては、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが印加されたタイミングにおいてチャネル領域Ｃ１（及びＣ２）に電子又は正孔が誘起され（すなわち、ＴＦＴ３０がオン状態となり）、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをドレイン領域Ｄに伝送することとなる。
【００７４】
一方、走査線３上に形成されている第１層間絶縁膜１３上には上述した金属電極１５が形成されており、その上の第２層間絶縁膜１４中にコンタクトホール８が形成され、更に当該第２層間絶縁膜１４上の画素部に対応する位置に画素電極９が形成されている。
【００７５】
なお、図３（ｂ）においては、対向基板２０の構成については、上記図３（ａ）に示す場合と同様であるので、記載を省略している。
【００７６】
次に、図２中Ｃ−Ｃ’断面図については、図３（ｃ）に示すように、半導体層１の一部がデータ線６下に延長されており、これが蓄積容量７０を構成する一の容量電極７０ｂとなっている。
【００７７】
一方、ゲート絶縁膜１２を挟んで当該容量電極７０ｂ上には、前段の走査線３を延長することにより形成された容量電極７０ａが積層されている。
【００７８】
そして、これら容量電極７０ａと７０ｂとでゲート絶縁膜１２を挟むことで、当該ゲート絶縁膜１２を誘電体膜とした蓄積容量７０が形成されるのである。
【００７９】
なお、容量電極７０ｂは、前段の走査線３自体の下まで延長されており、この部分でも、間にゲート絶縁膜１２を挟んで当該容量電極７０ｂと走査線３とで蓄積容量７０が形成されている。
【００８０】
このように広い面積を有する蓄積容量７０を形成することにより、上述したように、データ線６から印加された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに対応する電圧を、その印加時間よりも約３桁程度長い時間だけ保持することが可能となる。
【００８１】
なお、図３（ｃ）においても、対向基板２０の構成については、上記図３（ａ）に示す場合と同様であるので、記載を省略している。
【００８２】
次に、図４を用いて、第１実施形態の液晶パネルにおけるＴＦＴアレイ基板１０上の２次元的レイアウトの一例を、当該ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられる周辺回路と共に示す。
【００８３】
図４に示すように、上述した画素部を複数個マトリクス上に含む画像表示領域の周辺のＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線６を駆動するデータ線駆動回路１０１、走査線３を駆動する走査線駆動回路１０４、配線１０５、データ線６にプリチャージ信号を供給するプリチャージ回路１０８が、ＴＦＴアレイ基板１０内の周辺回路として設けられている。
【００８４】
このうち、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、複数のデータ線６及び走査線３に各々電気的に接続されている。そして、データ線駆動回路１０１には、図示しない制御回路から即時表示可能な形式に変換された上記画像信号が入力される。
【００８５】
その後、上記走査線駆動回路１０４がパルス的に走査線３に順番に上記走査信号を送出するのに対応して、データ線駆動回路１０１が上記画像信号に応じた信号電圧をデータ線６に送る。
【００８６】
このとき、データ線駆動回路１０１に加えて、データ線駆動回路からの駆動信号に応じて画像信号線からの画像信号をサンプリングするサンプリング回路（図示せず）を設けるように構成してもよい。
【００８７】
一方、プリチャージ回路１０８は、プリチャージを行うように、即ち、データ線６に対し画像信号の電圧を小さな負荷で書き込めるようにデータ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して夫々供給するように構成されている。
【００８８】
また、複数の画素部を含む画像表示領域の周囲には、遮光用の周辺見切り５３が形成されている。この周辺見切り５３は、ＴＦＴアレイ基板１０上の表示領域と表示領域周辺の非表示領域とを区分するための遮光膜である。
【００８９】
なお、画像表示領域を構成する複数の画素部のうち、図４中最上段の一行を構成する蓄積容量７０のドレイン領域Ｄに接続されていない他端は、定電位線７１を介して走査線駆動回路１０４に接続されており、常に定電位に保持されている。
【００９０】
次に、以上説明したように構成された液晶パネルの実際の全体構成を、図５及び図６を用いて説明する。
【００９１】
なお、図５はＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図６は対向基板２０を含めて示す図５のＨ−Ｈ’断面図である。
【００９２】
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して遮光性の周辺見切り５３が設けられている。
【００９３】
一方、シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
【００９４】
このとき、走査線３に供給される走査信号の遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。
【００９５】
また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。より具体的には、例えば、奇数列のデータ線６には画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線６には当該画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。
【００９６】
このようにデータ線６を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路１０１の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。
【００９７】
更に、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下に図示しないプリチャージ回路１０８（図４参照）が設けられている。
【００９８】
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【００９９】
そして、図６に示すように、図５に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１００】
以上説明したように、第１実施形態の液晶パネルによれば、画素電極９とドレイン領域Ｄとを接続する金属電極１５と当該画素電極９とを接続するコンタクトホール８が、コンタクトホール１１に対して画素部内の周辺部となる領域に形成されているので、液晶層５０の配向性に影響を及ぼすコンタクトホール８が画素部の中心から離れた位置に形成されていることにより、ディスクリネーションラインＤＬが画素部の周縁に近い部位に形成されることとなり、液晶層５０の配向性が乱れる領域を極限化して画素部の開口率を向上させることができる。
【０１０１】
また、コンタクトホール８が金属電極１５における平坦部分上に形成されているので、当該コンタクトホール８を小型化しても金属電極１５との間で十分な電気的導通が取れることとなり、従って、コンタクトホール８を小型化してディスクリネーションラインＤＬを更に画素部の外側に移行させることができ、画素部の開口率を更に向上させることができる。
【０１０２】
更に、ＴＦＴ３０が二つのチャネル領域Ｃ１及びＣ２を有しているので、チャネル領域が一つの場合に比して液晶層５０を駆動するためにドレイン領域Ｄに印加することが必要なドレイン電圧を低減することができ、ＴＦＴ３０のいわゆるオフ電流を低減することができる。
【０１０３】
更にまた、複数のチャネル領域Ｃ１及びＣ２を有するＴＦＴ３０であってもコンタクトホール８が液晶層５０の配向性の均一性に与える影響を低減して開口率を向上させることができる。
【０１０４】
更に、複数のチャネル領域Ｃ１及びＣ２が半導体層１を平面内で折り曲げて配置することにより形成されているので、複数のチャネル領域Ｃ１及びＣ２、ドレイン領域Ｄ及びソース領域Ｓが相互に近接して形成されていることとなり、ＴＦＴ３０が占める画素部内の領域を極小化することができるので、画素部における開口率を更に向上させることができる。
【０１０５】
（II）第２実施形態
次に本発明に係る他の実施形態である第２実施形態について、図７及び図８を用いて説明する。
【０１０６】
なお、図７は第２実施形態に係るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板中の一の画素部及びその近傍の構成を模式的に示す平面図であり、図８は図７のＡ−Ａ’断面図（図８（ａ））、Ｂ−Ｂ’断面図（図８（ｂ））及びＣ−Ｃ’断面図（図８（ｃ））を夫々模式的に示す断面図である。
【０１０７】
上述の第１実施形態においては、ＴＦＴ３０としてデュアルゲート型のＴＦＴを用いた場合の各素子の配置例について説明したが、本第２実施形態では、ＴＦＴとして三つのチャネル領域を備えたいわゆるトリプルゲート型のＴＦＴを用いる。
【０１０８】
また、図７及び図８において、上記第１実施形態と同様の部材については、同様の部材番号を付して細部の説明は省略する。
【０１０９】
更に、第２実施形態においては、画素部における素子の配置以外の構成（液晶パネルとしての二次元配置等）及び動作は第１実施形態と同様であるので、これも細部の説明は省略する。
【０１１０】
先ず、図７に示すように、第２実施形態のＴＦＴ３０’は、半導体層１を走査線３の下を三回横切るように折り曲げて配置することにより、三つのチャネル領域Ｃ１、Ｃ２及びＣ３（図７中右下りの斜線の領域）を形成している。
【０１１１】
従って、ＴＦＴ３０’では、ドレイン領域Ｄ、チャネル領域Ｃ１、Ｃ２及びＣ３並びにソース領域Ｓが相互に半導体層１で接続される構成となっている。
【０１１２】
そして、ドレイン領域Ｄは、コンタクトホール１１を介して島状の金属電極１５に接続されており、更に金属電極１５がコンタクトホール８を介して画素電極９に接続されている。
【０１１３】
このとき、第２実施形態の画素部においては、第１実施形態と同様に、コンタクトホール１１が形成されている部分から、金属電極１５を、当該コンタクトホール１１に対して画素電極９の中心と反対方向（図７においては、左方向）に延長して形成し、当該延長した金属電極１５の部分上にコンタクトホール８が形成されている。この場合、コンタクトホール８はチャネル領域Ｃ２とチャネル領域Ｃ３とを接続する半導体層１の上方に形成されている。
【０１１４】
この構成により、第１実施形態と同様に、液晶に接することとなるコンタクトホール８が画素部の中心から離れた位置に形成されているので、第２実施形態の画素部におけるディスクリネーションラインＤＬとしては、その開口部から離れた図７に点線で示す位置に形成される。
【０１１５】
更に、第２実施形態の画素部においては、第１実施形態と同様に、前段の走査線３の一部を対応する延長して形成することにより、蓄積容量７０を構成する一の容量電極７０ａとし、更に、半導体層１の一部を延長して形成することにより、蓄積容量７０を構成する他の容量電極７０ｂとしている。
【０１１６】
次に、図７に示す各部の断面構造について図８を用いて説明すると、先ず、図７中Ａ−Ａ’断面図については、図８（ａ）に示すように、ドレイン領域Ｄはコンタクトホール１１、金属電極１５及びコンタクトホール８を介して画素電極９に接続されている。
【０１１７】
また、ソース領域Ｓはコンタクトホール５を介してデータ線６に接続されている。
【０１１８】
そして、図８（ａ）においては、島状の金属電極１５が画素部の中心方向と反対方向に延長して形成されており、当該延長された部分にコンタクトホール８が形成されている。
【０１１９】
なお、図８（ａ）においては、対向基板２０の構成については、上記第１実施形態に示す場合と同様であるので、記載を省略している。
【０１２０】
次に、図７中Ｂ−Ｂ’断面図については、図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されている半導体層１の一部にチャネル領域Ｃ２が形成されており、当該チャネル領域Ｃ２の上部にはゲート絶縁膜１２を挟んで走査線３が配置されている。
【０１２１】
一方、走査線３上に形成されている第１層間絶縁膜１３上には上述した金属電極１５が形成されており、その上の第２層間絶縁膜１４中にコンタクトホール８が形成され、更に当該第２層間絶縁膜１４上の画素部に対応する位置に画素電極９が形成されている。
【０１２２】
なお、図８（ｂ）においては、対向基板２０の構成については、上記第１実施形態に示す場合と同様であるので、記載を省略している。
【０１２３】
次に、図７中Ｃ−Ｃ’断面図については、図８（ｃ）に示すように、半導体層１の一部がデータ線６下に延長されており、これが蓄積容量７０を構成する一の容量電極７０ｂとなっている。
【０１２４】
一方、ゲート絶縁膜１２を挟んで当該容量電極７０ｂ上には、前段の走査線３を延長することにより形成された容量電極７０ａが積層されている。
【０１２５】
そして、これら容量電極７０ａと７０ｂとでゲート絶縁膜１２を挟むことで、当該ゲート絶縁膜１２を誘電体膜とした蓄積容量７０が形成されている。
【０１２６】
なお、容量電極７０ｂは、前段の走査線３自体の下まで延長されており、この部分でも、間にゲート絶縁膜１２を挟んで当該容量電極７０ｂと走査線３とで蓄積容量７０が形成されている。
【０１２７】
なお、図８（ｃ）においても、対向基板２０の構成については、上記第１実施形態に示す場合と同様であるので、記載を省略している。
【０１２８】
以上説明したように、第２実施形態の液晶パネルによれば、第１実施形態の液晶パネルの有する効果と同様の効果が奏されると共に、これに加えて、チャネル領域が一つのＴＦＴ３０’について三つ形成されているので、チャネル領域が一つ又は二つの場合に比して液晶層５０を駆動するためにドレイン領域Ｄに印加することが必要なドレイン電圧を更に低減することができ、ＴＦＴ３０のいわゆるオフ電流を更に低減することができる。
【０１２９】
更にまた、三つのチャネル領域Ｃ１乃至Ｃ３を有するＴＦＴ３０’であってもコンタクトホール８が液晶層５０の配向性の均一性に与える影響を低減して開口率を向上させることができる。
【０１３０】
更に、複数のチャネル領域Ｃ１乃至Ｃ３が半導体層１を平面内で折り曲げて配置することにより形成されているので、複数のチャネル領域Ｃ１乃至Ｃ３、ドレイン領域Ｓ及びソース領域Ｓが相互に近接して形成されていることとなり、ＴＦＴ３０が占める画素部内の領域を極小化することができるので、画素部における開口率を更に向上させることができる。
【０１３１】
（III）第３実施形態
次に本発明に係る他の実施形態である第３実施形態について、図９及び図１０を用いて説明する。
【０１３２】
なお、図９は第３実施形態に係るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板中の一の画素部及びその近傍の構成を模式的に示す平面図であり、図９は図８のＡ−Ａ’断面図（図９（ａ））、Ｂ−Ｂ’断面図（図９（ｂ））及びＣ−Ｃ’断面図（図９（ｃ））を夫々模式的に示す断面図である。
【０１３３】
上述の第２実施形態においては、ＴＦＴ３０としてトリプルゲート型のＴＦＴ３０’を用いたた場合の各素子の配置例について説明したが、本第３実施形態では、ＴＦＴとして第１実施形態と同様の二つのチャネル領域を有するデュアルゲート型のＴＦＴを用いると共に、ＴＦＴアレイ基板１０上に上記データ線、走査線、ＴＦＴ及び各コンタクトホール（夫々は、不透明な材料により形成されている。）を用いていわゆる遮光膜を形成し、当該遮光膜により上記ディスクリネーションラインを含む画質に悪影響を及ぼす領域を遮光する素子配置とした例である。
【０１３４】
また、図９及び図１０において、上記第１実施形態又は第２実施形態と同様の部材については、同様の部材番号を付して細部の説明は省略する。
【０１３５】
更に、第３実施形態においては、画素部における素子の配置以外の構成（液晶パネルとしての二次元配置等）及び動作は第１実施形態又は第２実施形態と同様であるので、これも細部の説明は省略する。
【０１３６】
先ず、図９に示すように、第３実施形態のＴＦＴ３０’’は、走査線３の一部をコンタクトホール８の下に延長すると共に、当該延長部分及び他の走査線３の部分の下に半導体層１が配置されるように当該半導体層１を直角に折り曲げて配置することにより、二つのチャネル領域Ｃ１及びＣ２（図９中右下りの斜線の領域）を形成している。
【０１３７】
従って、ＴＦＴ３０’’は、ドレイン領域Ｄ、チャネル領域Ｃ１及びＣ２並びにソース領域Ｓが相互に半導体層１で接続される構成となっている。
【０１３８】
そして、ドレイン領域Ｄは、コンタクトホール１１を介して島状の金属電極１５に接続されており、更に金属電極１５がコンタクトホール８を介して画素電極９に接続されている。
【０１３９】
このとき、第３実施形態の画素部においては、第１実施形態又は第３実施形態と同様に、コンタクトホール１１が形成されている部分から、金属電極１５を、当該コンタクトホール１１に対して画素電極９の中心と反対方向（図９においては、左方向）に延長して形成し、当該延長した金属電極１５の部分上にコンタクトホール８が形成されている。この場合、コンタクトホール８はチャネル領域Ｃ２の上方に形成される。
【０１４０】
従って、第３実施形態のコンタクトホール８の下に走査線３の延長部分が存在することとなるので、結果としてコンタクトホール８の深さが上記第１実施形態又は第２実施形態の場合よりも浅くなり、よって、コンタクトホール８自体の平面的な大きさも小型化されている。
【０１４１】
この構成により、第１実施形態又は第２実施形態と同様に、液晶に接することとなるコンタクトホール８が画素部の中心から離れた位置に形成されているので、第３実施形態の画素部におけるディスクリネーションラインＤＬとしては、その開口部から離れた図９に点線で示す位置に形成される。
【０１４２】
なお、図９に示す構成では、上述のようにコンタクトホール８を小型化すると共に更に図９中左方向の位置に形成できるので、ディスクリネーションラインＤＬも更に左方向の位置に形成されることとなり、更に高開口率化を図れることとなる。
【０１４３】
更に、第３実施形態の画素部においては、第１実施形態又は第２実施形態と同様に、前段の走査線３の一部を対応する延長して形成することにより、蓄積容量７０を構成する一の容量電極７０ａとし、更に、半導体層１の一部を延長して形成することにより、蓄積容量７０を構成する他の容量電極７０ｂとしている。
【０１４４】
次に、図９に示す各部の断面構造について図１０を用いて説明すると、先ず、図９中Ａ−Ａ’断面図については、図１０（ａ）に示すように、ドレイン領域Ｄはコンタクトホール１１、金属電極１５及びコンタクトホール８を介して画素電極９に接続されている。
【０１４５】
また、ソース領域Ｓはコンタクトホール５を介してデータ線６に接続されている。
【０１４６】
そして、図１０（ａ）においては、島状の金属電極１５が画素部の中心方向と反対方向に延長して形成されており、当該延長された部分にコンタクトホール８が形成されている。
【０１４７】
また、ＴＦＴ３０’’ついては、第１実施形態又は第２実施形態と異なり、低濃度のドーピングが施されたドーピング領域Ｃ１’がチャネル領域Ｃ１とドレイン領域Ｄとの間に形成されており、従って、第３実施形態のＴＦＴ３０’’は、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造となっている。
【０１４８】
なお、図１０（ａ）においては、対向基板２０の構成については、上記第１実施形態又は第２実施形態に示す場合と同様であるので、記載を省略している。
【０１４９】
次に、図９中Ｂ−Ｂ’断面図については、図１０（ｂ）に示すように、コンタクトホール８の直下にチャネル領域Ｃ１が形成されており、当該チャネル領域Ｃ１とコンタクトホール８の間の層には、チャネル領域Ｃ１に対してゲート絶縁膜１２を挟んで走査線３が配置されていると共に、金属電極１５が形成されている。
【０１５０】
また、チャネル領域Ｃ１が形成されている層と同じ層内には、次段の画素部における蓄積容量７０を構成する容量電極７０ｂと、データ線６の下に形成される容量電極７０ｂに繋がる半導体層１が形成されている。
【０１５１】
なお、図１０（ｂ）においては、対向基板２０の構成については、上記第１実施形態又は第２実施形態に示す場合と同様であるので、記載を省略している。
【０１５２】
次に、図９中Ｃ−Ｃ’断面図については、図１０（ｃ）に示すように、半導体層１の一部がデータ線６下に延長されており、これが蓄積容量７０を構成する一の容量電極７０ｂとなっている。
【０１５３】
一方、ゲート絶縁膜１２を挟んで当該容量電極７０ｂ上には、前段の走査線３を延長することにより形成された容量電極７０ａが積層されている。
【０１５４】
そして、これら容量電極７０ａと７０ｂとでゲート絶縁膜１２を挟むことで、当該ゲート絶縁膜１２を誘電体膜とした蓄積容量７０が形成されている。
【０１５５】
なお、容量電極７０ｂは、前段の走査線３自体の下まで延長されており、この部分でも、間にゲート絶縁膜１２を挟んで当該容量電極７０ｂと走査線３とで蓄積容量７０が形成されている。
【０１５６】
なお、図１０（ｃ）においても、対向基板２０の構成については、上記第１実施形態又は第２実施形態に示す場合と同様であるので、記載を省略している。
【０１５７】
以上説明したように、第３実施形態の液晶パネルによれば、上記第１実施形態又は第２実施形態の液晶パネルの有する効果と同様の効果が奏されると共に、上記データ線、走査線、ＴＦＴ及び各コンタクトホールを用いてＴＦＴアレイ基板１０上に遮光膜を形成し、当該遮光膜により上記ディスクリネーションラインＤＬを含む画質に悪影響を及ぼす領域を遮光し、且つディスクリネーションラインＤＬが更に画素部内の周縁部に形成されることとなるので、対向基板側に遮光膜を形成する必要がなく、より高開口率化を図ることができる。
【０１５８】
なお、上述した各実施形態のＴＦＴアレイ基板１０上に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を更に形成してもよい。
【０１５９】
また、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
【０１６０】
更に、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、 ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などを所定の方向で配置することもできる。
【０１６１】
ここで、以上説明した各実施形態における液晶パネルは、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３枚の液晶パネルがＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。
【０１６２】
従って、各実施形態では、対向基板２０にカラーフィルタは設けられていない。
【０１６３】
しかしながら、画素電極９に対向する開口部Ｒとなっている領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に各実施形態における液晶パネルを適用できる。
【０１６４】
更に、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。
【０１６５】
更にまた、対向基板２０上に何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶表示装置が実現できる。
【０１６６】
また、各画素に設けられるＴＦＴとしては、ポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、これ以外にアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても本発明は有効である。
【０１６７】
更に、いわゆるセルフアライン型のＴＦＴやオフセット型のＴＦＴに対しても本発明は有効である。
【０１６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電気光学素子の駆動特性に影響を及ぼす第２コンタクトホールが画素部の中心から離れた位置に形成されているので、当該第２コンタクトホールの存在が当該電気光学素子の駆動特性に与える影響を低減することができる。
【０１６９】
より具体的には、液晶素子の配向の連続性に影響を与える第２コンタクトホールが画素部の中心から離れて形成されているので、当該影響を低減して画素部における開口率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態における画像形成領域を構成するマトリクス状の複数の画素部に設けられた各種素子、配線等の等価回路図である。
【図２】第１実施形態に係るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板中の一の画素部及びその近傍の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】図２の各部の断面図であり、（ａ）は図２のＡ−Ａ’断面を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’断面を模式的に示す断面図であり、（ｃ）は図２のＣ−Ｃ’断面を模式的に示す断面図である。
【図４】ＴＦＴアレイ基板上の２次元的な配線レイアウト等を周辺回路と共に示す平面図である。
【図５】ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図６】対向基板を含めて示す図５のＨ−Ｈ’断面図である。
【図７】第２実施形態に係るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板中の一の画素部及びその近傍の構成を模式的に示す平面図である。
【図８】図７の各部の断面図であり、（ａ）は図７のＡ−Ａ’断面を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は図７のＢ−Ｂ’断面を模式的に示す断面図であり、（ｃ）は図７のＣ−Ｃ’断面を模式的に示す断面図である。
【図９】第３実施形態に係るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板中の一の画素部及びその近傍の構成を模式的に示す平面図である。
【図１０】図９の各部の断面図であり、（ａ）は図９のＡ−Ａ’断面を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は図９のＢ−Ｂ’断面を模式的に示す断面図であり、（ｃ）は図９のＣ−Ｃ’断面を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１…半導体層
３…走査線（ゲート電極）
５、８、１１…コンタクトホール
６…データ線（ソース電極）
９…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１２…ゲート絶縁膜
１３…第１層間絶縁膜
１４…第２層間絶縁膜
１５…金属電極
２０…対向基板
２１…対向電極
３０、３０’、３０’’…ＴＦＴ
５０…液晶層
５２…シール材
５３…見切り
７０…蓄積容量
７１…定電位線
７０ａ、７０ｂ…容量電極
１０１…データ線駆動回路
１０４…走査線駆動回路
１０８…プリチャージ回路
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３…チャネル領域
Ｃ１’…ドーピング領域
ＤＬ…ディスクリネーションライン
Ｒ…開口部
Ｄ…ドレイン領域
Ｓ…ソース領域

Claims (4)

1. 第１の基板上に配置された複数の走査線と、複数のデータ線と、各前記走査線と各前記データ線に接続されて前記走査線と前記データ線の交差部の近傍に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、第２の基板上に前記画素電極と対向配置された対向電極と、前記第１と第２の基板の間に配置された液晶とを有する液晶装置であって、
   前記スイッチング素子は、当該スイッチング素子上に配置された第１絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを介して当該第１絶縁膜上に形成された第１電極に接続されてなり、
   当該第１電極は、前記第１絶縁膜及び前記第１電極上に配置された第２絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して当該第２絶縁膜上に形成された前記画素電極に接続されてなり、
   前記第２コンタクトホールは前記交差部の近傍であって、前記第１コンタクトホールよりも前記画素電極の中心に対して遠い周辺側に配置されており、且つ前記スイッチング素子に接続されるデータ線と前記第１コンタクトホールとの間に配置されていることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、前記第２コンタクトホールは、前記第１電極における平坦部分上に形成されていることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は２に記載の液晶装置において、前記スイッチング素子は薄膜化されたトランジスタ素子であり、当該トランジスタ素子のドレイン領域が前記第１コンタクトホールを介して前記第１電極に接続されていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３に記載の液晶装置において、前記トランジスタ素子に含まれる半導体層が前記走査線と絶縁され且つ当該走査線と複数回交差することにより複数個のトランジスタが直列接続されて当該トランジスタ素子が形成されていることを特徴とする液晶装置。

Images