JP3706903B2 - フレキシブル高感度セラミックスセンサー - Google Patents
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車のエアバッグシステムに用いられる加速度センサーや高振動数の測定に用いられる振動センサーなどとして有用なフレキシブル高感度セラミックスセンサーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
自動車のエアバッグシステムにおいて衝突加速度を検知する加速度センサーや、ガスタービンの羽翼、高速車両の車輪及びエンジンの異常を検知する振動センサーなどにはセラミックスセンサーが使用されている。
【0003】
しかしながら、これらのセラミックスを素子材料として用いたセンサーは、機械的強度や熱衝撃特性が低く、使用時に破壊するおそれがあるため、これをプラスチックと複合化して強化することが行われているが、このようにするとセンサーの感度が低下するのを免れない。
したがって、セラミックスセンサーの分野においては、機械的、熱的衝撃に対し、安定でしかも高感度のフレキシブルセンサーが要望されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、機械的、熱的衝撃に対し、安定で高感度のフレキシブルなセラミックスセンサーを提供することを目的としてなされたものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、フレキシブルセラミックスセンサーについて、感度をそこなうことなく、その機械的、熱的衝撃に対する強度を向上させる方法について種々研究を重ねた結果、アルミニウム箔上に窒化アルミニウムを単結晶状に成長させて薄膜を形成させたものを素子として用いることにより、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【0006】
すなわち、本発明は、厚さ10〜100μmのアルミニウム箔を基板とし、その上に厚さ0.2〜5μmの窒化アルミニウム単結晶薄膜を形成させ、その表面に電極を付設し、アルミニウム箔と電極間に検出手段を介して電気回路を形成し、かつ全体として柔軟性を有する構造としたことを特徴とするフレキシブル高感度セラミックスセンサーを提供するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
次に添付図面に従って、本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明のセラミックスセンサーの構造の1例を示す斜視図であって、その要部は、アルミニウム箔1とその上に設けられた単結晶化した窒化アルミニウム2から構成されている。
【0008】
このアルミニウム箔の厚さとしては10〜100μmにする必要がある。
【0009】
【0010】
窒化アルミニウムは、比較的低温で薄膜形成しうるので、融点の低いアルミニウムに対して好適に適用できる。
【0011】
本発明のセンサー素子材料とするには、窒化アルミニウムを、アルミニウム箔上に単結晶薄膜として形成することが必要である。これには、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、レーザーアブレーション法のような物理的方法や、ゾルゲル法、MOCVD法のような化学的方法を用いることができるが、比較的低温で単結晶窒化アルミニウムを薄膜状に形成しうるという点でスパッタリング法が有利である。
このようにして形成される窒化アルミニウム単結晶薄膜の厚さとしては、0.2〜5μmの範囲が選ばれる。
【0012】
このようにして形成された窒化アルミニウム単結晶薄膜の表面には、金、銀、白金、銅、アルミニウムなどの導電性材料により電極3が付設される。一方の電極としては、アルミニウム箔1が用いられる。
そして、この電極3とアルミニウム箔1との間に電気回路4を形成すると、窒化アルミニウムに機械的刺激を加えたときに、この回路に電流や電圧の変化が現われるので、この回路中に検出手段5、例えば電流計や電圧計を間挿しておけば、センサーとして機能する。
【0013】
【発明の効果】
本発明は、窒化アルミニウムとアルミニウムとを複合させた全く新しい材料をセンサー素子として用いた、機械的、熱的衝撃に対し、安定なフレキシブル高感度セラミックスセンサーである。
【0014】
【実施例】
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
【0015】
実施例
アルミニウム箔(縦15mm、横30mm、厚さ15μm)の一方の表面に、スパッタリング法により、厚さ約1μmの窒化アルミニウム単結晶薄膜を形成した。このものの機械的物性を測定し、その結果を表1に示す。なお、比較のために対応する窒化アルミニウムバルク体の機械的物性も併記した。
【0016】
【表1】
【0017】
次に、この窒化アルミニウム単結晶薄膜上に、長さ20mm、幅10mmの銀めっき層を設け、電極とした。次いで、この電極及びアルミニウム箔に銅線をはんだ付けし、それぞれの端部を電圧計に接続することにより、加速度センサーを作製した。次いで、このようにして得た加速度センサー表面に絶縁板を介在させて1kgの重錘を載置し、経時的に電圧変化を測定して応答曲線を作成し、図2に示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のセラミックスセンサーの1例の斜視図。
【図2】 実施例の加速度センサーの応答曲線グラフ。
【符号の説明】
1 アルミニウム箔
2 窒化アルミニウム
3 電極
4 電気回路
5 検出手段
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車のエアバッグシステムに用いられる加速度センサーや高振動数の測定に用いられる振動センサーなどとして有用なフレキシブル高感度セラミックスセンサーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
自動車のエアバッグシステムにおいて衝突加速度を検知する加速度センサーや、ガスタービンの羽翼、高速車両の車輪及びエンジンの異常を検知する振動センサーなどにはセラミックスセンサーが使用されている。
【0003】
しかしながら、これらのセラミックスを素子材料として用いたセンサーは、機械的強度や熱衝撃特性が低く、使用時に破壊するおそれがあるため、これをプラスチックと複合化して強化することが行われているが、このようにするとセンサーの感度が低下するのを免れない。
したがって、セラミックスセンサーの分野においては、機械的、熱的衝撃に対し、安定でしかも高感度のフレキシブルセンサーが要望されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、機械的、熱的衝撃に対し、安定で高感度のフレキシブルなセラミックスセンサーを提供することを目的としてなされたものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、フレキシブルセラミックスセンサーについて、感度をそこなうことなく、その機械的、熱的衝撃に対する強度を向上させる方法について種々研究を重ねた結果、アルミニウム箔上に窒化アルミニウムを単結晶状に成長させて薄膜を形成させたものを素子として用いることにより、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【0006】
すなわち、本発明は、厚さ10〜100μmのアルミニウム箔を基板とし、その上に厚さ0.2〜5μmの窒化アルミニウム単結晶薄膜を形成させ、その表面に電極を付設し、アルミニウム箔と電極間に検出手段を介して電気回路を形成し、かつ全体として柔軟性を有する構造としたことを特徴とするフレキシブル高感度セラミックスセンサーを提供するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
次に添付図面に従って、本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明のセラミックスセンサーの構造の1例を示す斜視図であって、その要部は、アルミニウム箔1とその上に設けられた単結晶化した窒化アルミニウム2から構成されている。
【0008】
このアルミニウム箔の厚さとしては10〜100μmにする必要がある。
【0009】
【0010】
窒化アルミニウムは、比較的低温で薄膜形成しうるので、融点の低いアルミニウムに対して好適に適用できる。
【0011】
本発明のセンサー素子材料とするには、窒化アルミニウムを、アルミニウム箔上に単結晶薄膜として形成することが必要である。これには、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、レーザーアブレーション法のような物理的方法や、ゾルゲル法、MOCVD法のような化学的方法を用いることができるが、比較的低温で単結晶窒化アルミニウムを薄膜状に形成しうるという点でスパッタリング法が有利である。
このようにして形成される窒化アルミニウム単結晶薄膜の厚さとしては、0.2〜5μmの範囲が選ばれる。
【0012】
このようにして形成された窒化アルミニウム単結晶薄膜の表面には、金、銀、白金、銅、アルミニウムなどの導電性材料により電極3が付設される。一方の電極としては、アルミニウム箔1が用いられる。
そして、この電極3とアルミニウム箔1との間に電気回路4を形成すると、窒化アルミニウムに機械的刺激を加えたときに、この回路に電流や電圧の変化が現われるので、この回路中に検出手段5、例えば電流計や電圧計を間挿しておけば、センサーとして機能する。
【0013】
【発明の効果】
本発明は、窒化アルミニウムとアルミニウムとを複合させた全く新しい材料をセンサー素子として用いた、機械的、熱的衝撃に対し、安定なフレキシブル高感度セラミックスセンサーである。
【0014】
【実施例】
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
【0015】
実施例
アルミニウム箔(縦15mm、横30mm、厚さ15μm)の一方の表面に、スパッタリング法により、厚さ約1μmの窒化アルミニウム単結晶薄膜を形成した。このものの機械的物性を測定し、その結果を表1に示す。なお、比較のために対応する窒化アルミニウムバルク体の機械的物性も併記した。
【0016】
【表1】
【0017】
次に、この窒化アルミニウム単結晶薄膜上に、長さ20mm、幅10mmの銀めっき層を設け、電極とした。次いで、この電極及びアルミニウム箔に銅線をはんだ付けし、それぞれの端部を電圧計に接続することにより、加速度センサーを作製した。次いで、このようにして得た加速度センサー表面に絶縁板を介在させて1kgの重錘を載置し、経時的に電圧変化を測定して応答曲線を作成し、図2に示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のセラミックスセンサーの1例の斜視図。
【図2】 実施例の加速度センサーの応答曲線グラフ。
【符号の説明】
1 アルミニウム箔
2 窒化アルミニウム
3 電極
4 電気回路
5 検出手段
Claims (1)
- 厚さ10〜100μmのアルミニウム箔を基板とし、その上に、厚さ0.2〜5μmの窒化アルミニウム単結晶薄膜を形成させ、その表面に電極を付設し、アルミニウム箔と電極間に検出手段を介して電気回路を形成し、かつ全体として柔軟性を有する構造としたことを特徴とするフレキシブル高感度セラミックスセンサー。
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US20030075936A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-04-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer blade equipped with piezoelectric sensors |
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US5520785A (en) * | 1994-01-04 | 1996-05-28 | Motorola, Inc. | Method for enhancing aluminum nitride |
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JPH10249768A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-22 | Tokai Rubber Ind Ltd | 力センサー |
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JPH11211748A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 機械−電気変換子及びその製造方法並びに加速度センサ |
JPH11337422A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Tokai Rubber Ind Ltd | 複合酸化物薄膜、該薄膜の接合体とその製法、該接合 体を用いたセンサ |
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JP2000171480A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電センサ素子および加速度検出装置および加速度検出方法 |
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