[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3706903B2 - フレキシブル高感度セラミックスセンサー - Google Patents

フレキシブル高感度セラミックスセンサー Download PDF

Info

Publication number
JP3706903B2
JP3706903B2 JP2000243053A JP2000243053A JP3706903B2 JP 3706903 B2 JP3706903 B2 JP 3706903B2 JP 2000243053 A JP2000243053 A JP 2000243053A JP 2000243053 A JP2000243053 A JP 2000243053A JP 3706903 B2 JP3706903 B2 JP 3706903B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum nitride
ceramic sensor
aluminum foil
electrode
flexible high
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000243053A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002055116A (ja
Inventor
守人 秋山
直広 上野
喜一 池田
一洋 野中
博 立山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2000243053A priority Critical patent/JP3706903B2/ja
Priority to US09/733,924 priority patent/US20020017835A1/en
Publication of JP2002055116A publication Critical patent/JP2002055116A/ja
Priority to US10/237,121 priority patent/US6608427B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3706903B2 publication Critical patent/JP3706903B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/302Sensors

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車のエアバッグシステムに用いられる加速度センサーや高振動数の測定に用いられる振動センサーなどとして有用なフレキシブル高感度セラミックスセンサーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
自動車のエアバッグシステムにおいて衝突加速度を検知する加速度センサーや、ガスタービンの羽翼、高速車両の車輪及びエンジンの異常を検知する振動センサーなどにはセラミックスセンサーが使用されている。
【0003】
しかしながら、これらのセラミックスを素子材料として用いたセンサーは、機械的強度や熱衝撃特性が低く、使用時に破壊するおそれがあるため、これをプラスチックと複合化して強化することが行われているが、このようにするとセンサーの感度が低下するのを免れない。
したがって、セラミックスセンサーの分野においては、機械的、熱的衝撃に対し、安定でしかも高感度のフレキシブルセンサーが要望されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、機械的、熱的衝撃に対し、安定で高感度のフレキシブルなセラミックスセンサーを提供することを目的としてなされたものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、フレキシブルセラミックスセンサーについて、感度をそこなうことなく、その機械的、熱的衝撃に対する強度を向上させる方法について種々研究を重ねた結果、アルミニウム箔上に窒化アルミニウムを単結晶状に成長させて薄膜を形成させたものを素子として用いることにより、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【0006】
すなわち、本発明は、厚さ10〜100μmのアルミニウム箔を基板とし、その上に厚さ0.2〜5μmの窒化アルミニウム単結晶薄膜を形成させ、その表面に電極を付設し、アルミニウム箔と電極間に検出手段を介して電気回路を形成し、かつ全体として柔軟性を有する構造としたことを特徴とするフレキシブル高感度セラミックスセンサーを提供するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
次に添付図面に従って、本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明のセラミックスセンサーの構造の1例を示す斜視図であって、その要部は、アルミニウム箔1とその上に設けられた単結晶化した窒化アルミニウム2から構成されている。
【0008】
このアルミニウム箔の厚さとしては10〜100μmにする必要がある。
【0009】
【0010】
窒化アルミニウムは、比較的低温で薄膜形成しうるので、融点の低いアルミニウムに対して好適に適用できる。
【0011】
本発明のセンサー素子材料とするには、窒化アルミニウムを、アルミニウム箔上に単結晶薄膜として形成することが必要である。これには、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、レーザーアブレーション法のような物理的方法や、ゾルゲル法、MOCVD法のような化学的方法を用いることができるが、比較的低温で単結晶窒化アルミニウムを薄膜状に形成しうるという点でスパッタリング法が有利である。
このようにして形成される窒化アルミニウム単結晶薄膜の厚さとしては、0.2〜5μmの範囲が選ばれる。
【0012】
このようにして形成された窒化アルミニウム単結晶薄膜の表面には、金、銀、白金、銅、アルミニウムなどの導電性材料により電極3が付設される。一方の電極としては、アルミニウム箔1が用いられる。
そして、この電極3とアルミニウム箔1との間に電気回路4を形成すると、窒化アルミニウムに機械的刺激を加えたときに、この回路に電流や電圧の変化が現われるので、この回路中に検出手段5、例えば電流計や電圧計を間挿しておけば、センサーとして機能する。
【0013】
【発明の効果】
本発明は、窒化アルミニウムアルミニウムとを複合させた全く新しい材料をセンサー素子として用いた、機械的、熱的衝撃に対し、安定なフレキシブル高感度セラミックスセンサーである。
【0014】
【実施例】
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
【0015】
実施例
アルミニウム箔(縦15mm、横30mm、厚さ15μm)の一方の表面に、スパッタリング法により、厚さ約1μmの窒化アルミニウム単結晶薄膜を形成した。このものの機械的物性を測定し、その結果を表1に示す。なお、比較のために対応する窒化アルミニウムバルク体の機械的物性も併記した。
【0016】
【表1】
Figure 0003706903
【0017】
次に、この窒化アルミニウム単結晶薄膜上に、長さ20mm、幅10mmの銀めっき層を設け、電極とした。次いで、この電極及びアルミニウム箔に銅線をはんだ付けし、それぞれの端部を電圧計に接続することにより、加速度センサーを作製した。次いで、このようにして得た加速度センサー表面に絶縁板を介在させて1kgの重錘を載置し、経時的に電圧変化を測定して応答曲線を作成し、図2に示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のセラミックスセンサーの1例の斜視図。
【図2】 実施例の加速度センサーの応答曲線グラフ。
【符号の説明】
アルミニウム
窒化アルミニウム
3 電極
4 電気回路
5 検出手段

Claims (1)

  1. 厚さ10〜100μmのアルミニウム箔を基板とし、その上に、厚さ0.2〜5μmの窒化アルミニウム単結晶薄膜を形成させ、その表面に電極を付設し、アルミニウム箔と電極間に検出手段を介して電気回路を形成し、かつ全体として柔軟性を有する構造としたことを特徴とするフレキシブル高感度セラミックスセンサー
JP2000243053A 2000-08-10 2000-08-10 フレキシブル高感度セラミックスセンサー Expired - Lifetime JP3706903B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000243053A JP3706903B2 (ja) 2000-08-10 2000-08-10 フレキシブル高感度セラミックスセンサー
US09/733,924 US20020017835A1 (en) 2000-08-10 2000-12-12 High-sensitivity flexible ceramic sensor
US10/237,121 US6608427B2 (en) 2000-08-10 2002-09-09 High-sensitivity flexible ceramic sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000243053A JP3706903B2 (ja) 2000-08-10 2000-08-10 フレキシブル高感度セラミックスセンサー

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002055116A JP2002055116A (ja) 2002-02-20
JP3706903B2 true JP3706903B2 (ja) 2005-10-19

Family

ID=18733970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000243053A Expired - Lifetime JP3706903B2 (ja) 2000-08-10 2000-08-10 フレキシブル高感度セラミックスセンサー

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20020017835A1 (ja)
JP (1) JP3706903B2 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7007553B2 (en) * 2000-11-06 2006-03-07 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Mechanical quantity sensor element, load sensor element, acceleration sensor element, and pressure sensor element
US20030075936A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer blade equipped with piezoelectric sensors
US7312674B2 (en) * 2002-08-06 2007-12-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Resonator system with a plurality of individual mechanically coupled resonators and method of making same
EP1540819A1 (en) * 2002-09-12 2005-06-15 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Bulk acoustic waver resonator with means for suppression of pass-band ripple in bulk acoustic wave filters
US7538401B2 (en) * 2005-05-03 2009-05-26 Rosemount Aerospace Inc. Transducer for use in harsh environments
US7628309B1 (en) 2005-05-03 2009-12-08 Rosemount Aerospace Inc. Transient liquid phase eutectic bonding
JP4888004B2 (ja) * 2006-09-26 2012-02-29 富士通株式会社 歪みセンサ
DE102013206933A1 (de) * 2013-04-17 2014-10-23 Continental Automotive Gmbh Modulare Aktuatoreinheit für ein Einspritzventil
TWI561217B (en) * 2014-05-06 2016-12-11 Univ Nat Sun Yat Sen Flexible strain sensor, and measuring device with said flexible strain sensor
CN108775956A (zh) * 2018-05-24 2018-11-09 北京科技大学 一种基于压电的无线振动悬臂梁传感器
CN109211428A (zh) * 2018-08-21 2019-01-15 北京印刷学院 温度传感器及制备方法
JP2022083612A (ja) * 2020-11-25 2022-06-06 セイコーエプソン株式会社 圧電駆動装置の異常検知方法、圧電駆動装置、及びロボット
CN112864305A (zh) * 2020-12-24 2021-05-28 广东奥迪威传感科技股份有限公司 一种压电执行器

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4067019A (en) 1976-06-14 1978-01-03 International Business Machines Corporation Impact position transducer for ink jet
JPS5932733B2 (ja) * 1979-07-02 1984-08-10 三菱電機株式会社 加速度検出器
US4835435A (en) 1988-01-19 1989-05-30 Hewlett-Packard Company Simple, sensitive, frequency-tuned drop detector
US5336959A (en) 1988-12-16 1994-08-09 The Whitaker Corporation Impact zone detection device
DE4120681A1 (de) 1990-08-04 1992-02-06 Bosch Gmbh Robert Ultraschallwandler
US5185589A (en) 1991-05-17 1993-02-09 Westinghouse Electric Corp. Microwave film bulk acoustic resonator and manifolded filter bank
JPH05177831A (ja) 1991-12-27 1993-07-20 Rohm Co Ltd インクジェットプリントヘッド及びそれを備える電子機器
US5424716A (en) 1992-10-06 1995-06-13 The Whitaker Corporation Penetration detection system
US5520785A (en) * 1994-01-04 1996-05-28 Motorola, Inc. Method for enhancing aluminum nitride
JP3323343B2 (ja) 1994-04-01 2002-09-09 日本碍子株式会社 センサ素子及び粒子センサ
JPH08148968A (ja) 1994-11-24 1996-06-07 Mitsubishi Electric Corp 薄膜圧電素子
JP2826078B2 (ja) * 1995-04-07 1998-11-18 日本碍子株式会社 圧電/電歪膜型アクチュエータ
JPH09260735A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Nippon Soken Inc 薄膜圧電素子
JP3267151B2 (ja) 1996-04-12 2002-03-18 ミノルタ株式会社 圧電振動部材およびその製造方法
JP3123435B2 (ja) 1996-07-29 2001-01-09 株式会社村田製作所 圧電型電気音響変換器
JP3233041B2 (ja) * 1996-08-13 2001-11-26 株式会社村田製作所 圧電型電気音響変換器
JP2909532B2 (ja) * 1996-10-21 1999-06-23 工業技術院長 高温薄膜型振動センサー
JPH10249768A (ja) * 1997-03-12 1998-09-22 Tokai Rubber Ind Ltd 力センサー
JPH10260090A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Ube Ind Ltd 膜構造物用歪みセンサー
JPH10270766A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Osaka Gas Co Ltd 強誘電体薄膜素子、圧電素子及びその製造方法
JPH1130628A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加速度センサー用バイモルフ型圧電素子とその製造方法
JPH1151957A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Nikon Corp 衝撃センサ及びこれを用いた衝撃検出装置、並びに衝撃センサの製造方法
JPH11211748A (ja) * 1998-01-20 1999-08-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 機械−電気変換子及びその製造方法並びに加速度センサ
JPH11337422A (ja) * 1998-05-29 1999-12-10 Tokai Rubber Ind Ltd 複合酸化物薄膜、該薄膜の接合体とその製法、該接合 体を用いたセンサ
AU1128600A (en) * 1998-11-20 2000-06-13 Joie P. Jones Methods for selectively dissolving and removing materials using ultra-high frequency ultrasound
JP2000171480A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電センサ素子および加速度検出装置および加速度検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20030006678A1 (en) 2003-01-09
US20020017835A1 (en) 2002-02-14
US6608427B2 (en) 2003-08-19
JP2002055116A (ja) 2002-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3706903B2 (ja) フレキシブル高感度セラミックスセンサー
EP1101087B1 (en) Flexible silicon strain gage
KR960011154B1 (ko) SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법
GB2285138A (en) Temperature sensor
US20090146227A1 (en) Capacitive sensor and manufacturing method therefor
JPH06133397A (ja) 圧電センサ
JP2001510562A (ja) セラミックサブストレート上に少なくとも二つの接続接触フィールドを有する電気抵抗体およびその製造方法
US20220137086A1 (en) Acceleration transducer
SE461177B (sv) Anordning foer maetning av termiska egenskaper hos en provsubstans
EP0716293A1 (en) Radiation-sensitive detector
JP2003502617A (ja) 液体の物理的性質を測定するためのセンサー装置
US6309695B1 (en) Process for the preparation of a thick film resistor useful for making strain gauge
US11655145B2 (en) MEMS vibrator and MEMS oscillator
JP2011089859A (ja) 温度センサ
EP4143454A1 (en) Force sensing device, vehicle braking device incorporating such a force sensing device, and method of production thereof
JPH08237067A (ja) 迅速加熱可能で消費電力の少ない調温制御発信器用共振器
WO2003083423A1 (en) Method for producing stress impedance effect element and that element
JPH0862242A (ja) 加速度センサ
JPH0650829A (ja) 高速動圧力の測定装置
JPH0810202B2 (ja) ガス検知方法
JP2020517925A (ja) 膜レジスタ及び薄膜センサ
JP6015517B2 (ja) 温度センサ
JPS62266419A (ja) 媒体の流速を測定する装置およびその製造法
EP1335194A1 (en) Flexible silicon strain gage
JP2753494B2 (ja) サーミスタ素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050523

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3706903

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term