JP3799883B2 - Transflective and reflective liquid crystal devices and electronic equipment using them - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パッシブマトリクス駆動方式、アクティブマトリクス駆動方式、セグメント駆動方式等の液晶装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属し、特に基板の液晶に面する側に半透過反射層や反射層を設けた内面反射方式を採る、反射型表示と透過型表示とを切り換えて表示可能な半透過反射型の液晶装置や反射型表示のみ可能な反射型の液晶装置、更にこのような液晶装置を用いた電子機器の技術分野に属する。
【0002】
【背景技術】
従来、バックライト等の光源を用いることなく、外光を利用して表示を行う反射型液晶装置は、低消費電力化、小型軽量化等の観点から有利であるため、特に携帯性が重要視される携帯電話、腕時計、電子手帳、ノートパソコン等の携帯用電子機器に採用されている。伝統的な反射型液晶装置では、一対の基板間に液晶が挟持されてなる透過型液晶パネルの裏側に反射板を貼り付けて表側から入射される外光を透過型液晶パネル、偏光板等を介して反射板で反射するように構成されている。しかし、これでは、基板等により隔てられた液晶から反射板までの光路が長いため、表示画像における視差が生じ、二重写りとなり、カラー表示の場合には、上述のように長い光路で各色光が混じってしまうため高品位の画像表示を行うことが極めて困難となる。更に、液晶パネルに入射して反射板までを往復する間に外光は減衰するため、基本的に明るい表示を行うことも困難である。
【0003】
そこで、最近では、外光が入射される側と反対側に位置する一方の基板上に配置される表示用電極を反射板から構成して、反射位置を液晶層に近接させる構成を有する内面反射方式の反射型液晶装置が開発されており、具体的には、特開平8―114799号公報に、基板上に反射板を兼ねた画素電極を形成し、その上に高屈折膜と低屈折膜との2つの膜を積層し或いはこれらを交互に多数層積層し、その上に配向膜を形成する技術が開示されている。この技術によれば、反射板上に高屈折膜と低屈折膜との積層体を設けることにより、対向基板側から入射される外光に対する反射率が高められ、明るい反射型表示が行えるとされている。
【0004】
他方、反射型液晶装置の場合には外光を利用して表示を視認可能にしており暗い場所では表示を読みとることができないため、明るい場所で通常の反射型液晶装置と同様に外光を利用すると共に暗い場所で内部の光源により表示を視認可能にした形式の半透過反射型の液晶装置が提案されている。これは、実開昭57−049271号公報に記載されているように、液晶パネルの観察側と反対側の外面に偏光板、半透過反射板、バックライトを順次配置した構成をしている。この液晶装置では、周囲が明るい場合には外光を取り入れて半透過反射板にて反射された光を利用して反射型表示を行い、周囲が暗くなるとバックライトを点灯して半透過反射板を透過させた光により表示を視認可能とした透過型表示を行う。
【0005】
別の半透過反射型の液晶装置としては、反射型表示の明るさを向上させた特開平8−292413号公報に記載されたものがある。この液晶装置は、液晶パネルの観察側と反対側の外面に半透過反射板、偏光板、バックライトを順次配置しているので、液晶セルと半透過反射板の間に偏光板がないため、前述した実開昭57−049271号公報に記載の液晶装置よりも明るい反射型表示が得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平8―114799号公報に記載された画素電極に反射板を兼ねさせる反射型の液晶装置によれば、高い反射率を得るためには、高屈折膜と低屈折膜との2層或いは多層の積層体を画素電極上に設けることが必須とされており、積層構造ひいては装置構成及び製造プロセスが複雑化してしまうという問題点がある。
【0007】
他方、上記特開平8−292413号公報等に記載された半透過反射型の液晶装置では、液晶層と半透過反射板との間に透明基板が介在するため、二重映りや表示のにじみなどが発生してしまう。更にカラーフィルタを組み合わせると、半透過反射板を液晶パネルの後方に配置しているため、液晶層やカラーフィルタと半透過反射板との間に厚い透明基板が介在するため、視差によって二重映りや表示のにじみなどが発生し、十分な発色を得ることができないという問題点がある。
【0008】
これに対し特開平7−318929号公報では、液晶セルの内面に半透過反射膜を兼ねる画素電極を設けた半透過反射型の液晶装置が提案されており、金属膜からなる半透過反射膜上に、ITO膜からなる透明画素電極を絶縁膜を介して重ねた構成を開示している。しかしながら、この液晶装置では、半透過反射膜を兼ねる画素電極に対して或いは透明画素電極が重ねられる半透過反射膜に対して、孔欠陥、凹入欠陥等の微細な欠陥部や微細な開口部を多数設ける必要が有るため、装置構成が複雑化すると共にその製造において特殊な工程が付加的に必要となってしまう。また、開口部が設けられた反射板を兼ねた画素電極を用いるため、電極面に垂直な縦電界となることが想定されている液晶駆動用の電界が開口部の付近において斜めに歪んで、液晶の配向不良を招き、最終的に高品位の画像表示が困難となる。
【0009】
加えて、本願出願人は、特願平10−23656号や特願平10−160866号により夫々、新規な半透過反射型の液晶装置を発明しているが、前者では、開口部が設けられた反射板を兼ねた画素電極を用いるため開口部における電界が斜めに歪んで液晶の配向不良を招く事態が考えられ、後者では、特に反射型表示時において十分な反射率を得ることが出来ず表示が暗くなってしまう事態が考えられる。結果として、表示画像の改善の余地が残されている。
【0010】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、視差による二重映りや表示のにじみなどが発生せず明るく高品位の画像表示が可能である半透過反射型及び反射型の液晶装置並びにこれらを用いた電子機器を提供することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶装置は上記課題を解決するために、透明の第1基板と、該第1基板に対向配置された透明の第2基板と、前記第1及び第2基板間に挟持された液晶と、前記第1基板の前記第2基板に対向する側に配置された反射層と、該反射層上に配置された透明の第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に配置された前記液晶の配向状態を制御する透明電極膜と、該透明電極膜上に配置された透明の第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に配置された配向膜とを備えた液晶装置であって、前記第1絶縁膜の屈折率n2は、前記配向膜の屈折率n1及び前記透明電極膜の屈折率n3よりも夫々小さく設定されており、前記第2絶縁膜の屈折率n4は、前記配向膜の屈折率n1及び前記透明電極膜の屈折率n3よりも夫々小さく設定されており、前記第1絶縁膜の膜厚d2は、50〜100nmの範囲内に設定されており、前記透明電極膜の光学膜厚n3×d3(但し、d3は、透明電極膜の膜厚)が275以下のときには、前記第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4(但し、d4は、第2絶縁膜の膜厚)は、{−0.59×(n3×d3)+200}±80の範囲内に有り、且つ前記透明電極膜の光学膜厚n3×d3が275以上550以下のときには、前記第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4は、{−0.57×(n3×d3)+360}±80の範囲内に有るように、前記第1及び第2絶縁膜、前記透明電極膜及び前記配向膜の屈折率及び膜厚が夫々設定されていることを特徴とする。
また、上記において、前記透明電極は前記第2絶縁膜によって前記反射層と絶縁されていることを特徴とする。
【0012】
本発明の半透過反射型の液晶装置によれば、第1基板上には、半透過反射層、第2絶縁膜、透明電極膜、第1絶縁膜及び配向膜からなる積層体が設けられている。ここで、半透過反射層と透明電極膜とは、第2絶縁膜により相互に絶縁されているので、半透過反射層の平面パターンは、透明電極膜からなる透明電極(画素電極)の平面パターンによる制約を受けない。このため、その透過領域を透過する光源光が通過する液晶部分を基板に垂直な方向の縦電界で駆動することが可能となり、同時に、その反射領域で反射する外光が通過する液晶部分を同じく縦電界で駆動することも可能となる。更に、透明電極膜と配向膜とは、第1絶縁膜により相互に絶縁されているため、透明電極膜からなる透明電極(画素電極)或いはその配線における漏電や短絡などの欠陥が発生する可能性は低減され、全体として装置信頼性が高まる。
【0013】
以上のように構成された半透過反射型の液晶装置によれば、反射型表示時には、第2基板の側から外光が入射すると、透明な第2基板及び液晶を介して、第1基板上に設けられた半透過反射層、第2絶縁膜、透明電極膜、第1絶縁膜及び配向膜からなる積層体により反射され、再び液晶及び第2基板を介して第2基板側から出射される。従って、例えば第2基板の外面に偏光板を配置すれば、半透過反射層の反射領域に対向する透明電極膜部分からなる透明電極を用いて縦電界で液晶の配向状態を制御することにより、反射後に液晶を介して表示光として出射される外光強度を制御できる。他方、透過型表示時には、光源から発せられ、半透過反射層の透過領域を第1基板側から透過する光源光は、該透過領域に対向する透明電極膜部分からなる透明電極によって駆動される液晶部分を通過する。即ち、該透明電極を用いて縦電界で駆動する液晶部分を用いて高品位の透過型表示を行える。このように、反射型表示時でも透過型表示時でも、前述した従来の実開昭57−049271号公報、特開平8−292413号公報等のように液晶層と半透過反射板との間の透明基板の存在により二重映りや表示のにじみなどが発生することはなくなりカラー化した場合にも十分な発色を得ることが可能となり、同時に、縦電界で良好に液晶駆動を行うことが可能となり、従って各ドット内又は各画素内において液晶の配向方向が均一となり、配向方向の乱れに起因する表示品質の劣化を防止できる。
【0014】
本発明の半透過反射型の液晶装置の駆動方式としては、パッシブマトリクス駆動方式、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス駆動方式、TFD(Thin Film Diode)アクティブマトリクス駆動方式、セグメント駆動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。この際、反射型表示と透過型表示とでは液晶セルの電圧−反射率(透過率)特性が異なる場合が多いので、反射型表示時と透過型表示時とで駆動電圧を相異ならせ、各々で最適化した方が好ましい。また、第2基板上には、駆動方式に応じて適宜、複数のストライプ状やセグメント状の透明電極が形成されたり、第2基板のほぼ全面に透明電極が形成されたりする。或いは、第2基板上に対向電極を設けることなく、第1基板上の透明電極間における基板に平行な横電界で駆動してもよい。更に、液晶装置には、表示方式に応じて適宜、第1基板や第2基板の液晶層と反対側に、偏光板や位相差板などが夫々配置される。また透過型表示時に点灯される光源としては、小型の液晶装置用には、LED(Light Emitting Diode)素子、EL(Electro-Luminescence)素子等が適しており、大型の液晶装置用には、導光板を介して側方から光を導入する蛍光管等が適している。
【0015】
本発明の半透過反射型の液晶装置の一の態様では、前記半透過反射層は、前記第2基板に垂直な方向から平面的に見て相互に分断された複数の反射膜からなり、前記透明電極膜は、前記複数の反射膜の間隙に対向する位置及び前記複数の反射膜に対向する位置に設けられている。
【0016】
この態様によれば特に、前述した従来の特開平7−318929号公報に記載された半透過反射型の液晶装置のように、装置構成や製造プロセスの複雑化を招く微細な欠陥部や微細な開口部を多数設けなくても半透過反射層を構成できるため、実用上有利であり、装置信頼性や製造歩留まりを向上させることも可能となる。更にまた、この特開平7−318929号公報や、前述した本願出願人が発明した特願平10−23656号等に記載された半透過反射型の液晶装置のように、開口部が設けられた反射板を兼ねた画素電極によって液晶駆動用の電界が開口部の付近において斜めに歪むこともなくなるため、液晶の配向不良を招くこともなくなり最終的に高品位の画像表示が可能となる。
【0017】
本発明の半透過反射型の液晶装置の他の態様では、前記半透過反射層は、前記第1基板側からの光を透過可能な複数の開口部が設けられた反射膜からなり、前記透明電極膜は、前記開口部に対向しない位置及び前記開口部に対向する位置に設けられている。
【0018】
この態様によれば特に、前述した従来の特開平7−318929号公報或いは本願出願人が発明した特願平10−23656号等に記載された半透過反射型の液晶装置のように、開口部が設けられた反射板を兼ねた画素電極によって液晶駆動用の電界が開口部の付近において斜めに歪むこともなくなるため、液晶の配向不良を招くこともなくなり最終的に高品位の画像表示が可能となる。
【0019】
本発明の半透過反射型の液晶装置の他の態様では、前記光源と前記第1基板との間に位相差板を更に備える。
【0020】
この態様によれば、位相差板を備えるので、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御ができる。より具体的には、第2基板側に設けられる偏光板、位相差板等の光学素子により、反射型表示時における光の波長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低減すると共に、当該光源と第1基板との間に備えられる位相差板により、透過型表示時における光の波長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低減することが可能となる。更にまた、第2基板側に設けられる偏光板、位相差板等の光学素子、液晶層及び半透過反射層における光学特性を反射型表示時におけるコントラストを高める設定とすると共に、この条件下で当該光源と第1基板との間に備えられる位相差板における光学特性を透過型表示時におけるコントラストを高める設定とすることにより、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても高いコントラスト特性を得ることができる。
【0021】
本発明の反射型の液晶装置は上記課題を解決するために、第1基板と、該第1基板に対向配置された透明の第2基板と、前記第1及び第2基板間に挟持された液晶と、前記第1基板の前記第2基板に対向する側に配置された反射層と、該反射層上に配置された透明の第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に配置された透明電極膜と、該透明電極膜上に配置された透明の第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に配置された配向膜とを備える。
【0022】
本発明の反射型の液晶装置によれば、第1基板上には、反射層、第2絶縁膜、透明電極膜、第1絶縁膜及び配向膜からなる積層体が設けられている。ここで、反射層と透明電極膜とは、第2絶縁膜により相互に絶縁されているので、反射層の平面パターンは、透明電極膜からなる透明電極(画素電極)の平面パターンによる制約を受けないため、反射する外光が通過する液晶部分を基板に垂直な方向の縦電界で駆動することが可能となる。更に、透明電極膜と配向膜とは、第1絶縁膜により相互に絶縁されているため、透明電極膜からなる透明電極(画素電極)或いはその配線における漏電や短絡などの欠陥が発生する可能性は低減され、全体として装置信頼性が高まる。
【0023】
以上のように構成された反射型の液晶装置によれば、第2基板の側から外光が入射すると、透明な第2基板及び液晶を介して、第1基板上に設けられた反射層、第2絶縁膜、透明電極膜、第1絶縁膜及び配向膜からなる積層体により反射され、再び液晶及び第2基板を介して第2基板側から出射される。従って、例えば第2基板の外面に偏光板を配置すれば、反射層に対向する透明電極膜部分からなる透明電極を用いて縦電界で液晶の配向状態を制御することにより、反射後に液晶を介して表示光として出射される外光強度を制御できる。このように、液晶層と反射板との間の透明基板の存在により二重映りや表示のにじみなどが発生することはなくなりカラー化した場合にも十分な発色を得ることが可能となり、同時に、前述した従来の特開平8―114799号公報のように高屈折膜と低屈折膜との2層或いは多層の積層体を画素電極上に設けなくとも、高屈折率を得ることが可能となり、積層構造ひいては装置構成及び製造プロセスの単純化を図ることも可能となる。更に、縦電界で良好に液晶駆動を行うことが可能となり、従って各ドット内又は各画素内において液晶の配向方向が均一となり、配向方向の乱れに起因する表示品質の劣化を防止できる。
【0024】
本発明の反射型の液晶装置の駆動方式としては、パッシブマトリクス駆動方式、TFTアクティブマトリクス駆動方式、TFDアクティブマトリクス駆動方式、セグメント駆動方式等の公知の各種駆動方式を採用可能である。また第2基板上には駆動方式に応じて適宜、複数のストライプ状やセグメント状の透明電極が形成されたり、第2基板のほぼ全面に透明電極が形成されたりする。或いは、第2基板上に対向電極を設けることなく、第1基板上の透明電極間における基板に平行な横電界で駆動してもよい。更に、液晶装置には、表示方式に応じて適宜、第1基板や第2基板の液晶層と反対側に、偏光板や位相差板などが夫々配置される。
【0025】
本発明の半透過反射型又は反射型の液晶装置の一の態様では、前記第1絶縁膜の屈折率n2は、前記配向膜の屈折率n1及び前記透明電極膜の屈折率n3よりも夫々小さく設定されており、前記第2絶縁膜の屈折率n4は、前記配向膜の屈折率n1及び前記透明電極膜の屈折率n3よりも夫々小さく設定されており、前記第1絶縁膜の膜厚d2は、50〜100nmの範囲内に設定されており、前記透明電極膜の光学膜厚n3×d3(但し、d3は、透明電極膜の膜厚)が275以下のときには、前記第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4(但し、d4は、第2絶縁膜の膜厚)は、{−0.59×(n3×d3)+200}±80の範囲内に有り、且つ前記透明電極膜の光学膜厚n3×d3が275以上550以下のときには、前記第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4は、{−0.57×(n3×d3)+360}±80の範囲内に有るように、前記第1及び第2絶縁膜、前記透明電極膜及び前記配向膜の屈折率及び膜厚が夫々設定されている。
【0026】
本願発明者の研究及びシュミレーション等によれば、このような液晶に対面する第1基板上における半透過反射層又は反射層、第2絶縁膜、透明電極膜、第1絶縁膜及び配向膜からなる積層体における外光に対する反射率は、波長依存性を有すると共にこれら各膜の屈折率及び膜厚に依存して変化する。そして、人間の視覚上で感度が高く表示画像の明るさを定める上で重要な緑色光に対応する波長550nmの光に対する上記第1基板上の積層体の反射率は、第1絶縁膜の屈折率n2を配向膜の屈折率n1及び透明電極膜の屈折率n3よりも夫々小さく設定すると共に第2絶縁膜の屈折率n4を配向膜の屈折率n1及び透明電極膜の屈折率n3よりも夫々小さく設定し、更に第1絶縁膜の膜厚d2を50〜100nmと設定した場合、当該第1絶縁膜及び配向膜の屈折率や膜厚によらずにほぼ一定しており、主に透明電極膜及び第2絶縁膜の屈折率や膜厚に依存することが判明している。より具体的には、このように設定していると、第2絶縁膜の光学膜厚(即ち、屈折率n4×膜厚d4)を変化させることにより、この積層体の反射率は、約87%を中心に上は約90〜93%で下は約80〜85%で周期的に変動し、該変動の傾向は、透明電極膜の光学膜厚n3×d3が275以下の場合と、275以上且つ550以下の場合とで、相異なる。即ち、このように約87%を中心に変動する反射率を相対的に高くする(変動の中心である約87%よりも高くする)ための第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4の条件を求めると、透明電極膜の光学膜厚n3×d3が275以下のときには、第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4が、{−0.59×(n3×d3)+200}±80の範囲内に有ることが条件となる。また、透明電極膜の光学膜厚n3×d3が275以上550以下のときには、第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4が、{−0.57×(n3×d3)+360}±80の範囲内に有ることが条件となる。しかるに、この態様では、上記積層体の反射率を効率的に高くするためのこれらの条件が満たされるように、第1及び第2絶縁膜、透明電極膜及び配向膜の屈折率及び膜厚が夫々設定されている。
【0027】
以上の結果、この態様によれば特に、第1基板上の上記積層体において液晶を介して入射する外光(特に、波長550nm付近の光)に対する高い反射率が得られ、前述した本願出願人が発明した特願平10−160866号に記載された半透過反射型の液晶装置のように反射型表示時において十分な反射率が得られないという問題点が解消され、最終的に特に反射型表示が明るい高品位の画像表示が可能となる。
【0028】
この態様では、前記透明電極膜の膜厚d3が、30〜270nmに設定されてもよい。
【0029】
このように構成すれば、透明電極膜の膜厚d3が、30〜270nmに設定されているので、第1基板上における半透過反射層又は反射層、第2絶縁膜、透明電極膜、第1絶縁膜及び配向膜からなる積層体における外光に対する反射率を、前述の如き各膜における屈折率や膜厚についての諸条件を満たすことにより、効率的に高めることができる。
【0030】
本発明の半透過反射型又は反射型の液晶装置の他の態様では、前記透明電極膜は、ITO膜からなる。
【0031】
この態様によれば、透明電極膜をITO膜から形成すればよいので、比較的容易な製造プロセス且つ比較的低コストで、第1基板上における半透過反射層又は反射層、第2絶縁膜、透明電極膜、第1絶縁膜及び配向膜からなる積層体における外光に対する反射率を効率的に高めることが可能となる。
【0032】
本発明の半透過反射型又は反射型の液晶装置の他の態様では、前記第1及び第2絶縁膜は夫々、酸化シリコンを主成分とする。
【0033】
この態様によれば、酸化シリコンを主成分とする透明の第1及び第2絶縁膜を形成すればよいので、比較的容易な製造プロセス且つ比較的低コストで、第1基板上における半透過反射層又は反射層、第2絶縁膜、透明電極膜、第1絶縁膜及び配向膜からなる積層体における外光に対する反射率を高められる。
【0034】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の半透過反射型又は反射型の液晶装置を備える。
【0035】
本発明の電子機器によれば、視差による二重映りや表示のにじみがなく、明るい反射型表示と透過型表示とを切り換えて表示することのできる半透過反射型の液晶装置や明るい反射型表示が可能な反射型の液晶装置を用いた携帯電話、腕時計、電子手帳、ノートパソコン等の各種の電子機器を実現できる。
【0036】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【0037】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0038】
(第1実施形態)
先ず、本発明による液晶装置の第1実施形態の構成について、図1及び図2を参照して説明する。第1実施形態は、本発明をパッシブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置に適用したものである。尚、図1は、反射型液晶装置を対向基板上に形成されるカラーフィルタを便宜上取り除いて対向基板側から見た様子を示す図式的平面図であり、図2は、図1のA−A’断面をカラーフィルタを含めて示す反射型液晶装置の図式的断面図である。尚、図1では、説明の便宜上ストライプ状電極を縦横6本づつ図式的に示しているが実際には、多数本の電極が存在しており、図2においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0039】
図1及び図2において、第1実施形態における反射型液晶装置は、第1基板10と、第1基板10に対向配置された透明の第2基板20と、第1基板10及び第2基板20間に挟持された液晶層50と、第1基板10の第2基板20に対向する側(即ち、図2で上側表面)に配置された反射板14と、反射板14上に透明の第2絶縁膜13を介して配置された複数のストライプ状の透明電極11と、透明電極11上に配置された透明の第1絶縁膜12と、第1絶縁膜12上に配置された配向膜15とを備える。更に反射型液晶装置は、第2基板上の第1基板10に対向する側(即ち、図2で下側表面)に配置されたカラーフィルタ23と、カラーフィルタ23上に配置されたカラーフィルタ平坦化膜24と、カラーフィルタ平坦化膜24上に透明電極11と相交差するように配置された複数のストライプ状の透明電極21と、透明電極21上に配置された配向膜25とを備えて構成されている。第1基板10及び第2基板20は、液晶層50の周囲において、シール材31により貼り合わされており、液晶層50は、シール材31及び封止材32により、第1基板10及び第2基板20間に封入されている。
【0040】
第1基板10は、透明でも不透明でもよいため、例えば石英基板や半導体基板等からなり、第2基板20は、可視光に対して透明或いは少なくとも半透明であることが要求されており、例えばガラス基板や石英基板等からなる。
【0041】
透明電極11及び透明電極21は夫々、例えばITO膜などの透明導電性薄膜からなる。
【0042】
反射板14は、例えばアルミニウムを主成分とする反射膜からなり、蒸着やスパッタ等により形成される。
【0043】
配向膜15及び25は夫々、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなり、スピンコート又はフレキソ印刷により形成され、ラビング処理等の所定の配向処理が施されている。
【0044】
液晶層50は、透明電極11及び透明電極21間で電界が印加されていない状態で配向膜15及び25により所定の配向状態をとる。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。
【0045】
シール材31は、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤である。特に、当該反射型液晶装置が対角数インチ程度以下の小型の場合には、シール材中に両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材(スペーサ)が混入される。但し、このようなギャップ材は、当該反射型液晶装置が対角数インチ〜10インチ程度或いはそれ以上の大型の場合には、液晶層50内に混入されてもよい。また、封止材32は、シール材31の注入口を介して液晶を真空注入した後に、当該注入口を封止する樹脂性接着剤等からなる。
【0046】
カラーフィルタ23は、青色光、緑色光及び赤色光を画素毎に夫々透過する色材膜と共に各画素の境界にブラックマスク或いはブラックマトリクスと称される遮光膜が形成されて各画素間の混色を防止するように構成されたデルタ配列、ストライプ配列、モザイク配列、トライアングル配列等の公知のカラーフィルタである。また図1及び図2では省略しているが、シール材52の内側に並行して、例えばカラーフィルタ23中の遮光膜と同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定する額縁としての遮光膜が設けられてもよい。或いはこのような額縁は、反射型液晶装置を入れる遮光性のケースの縁により規定してもよい。
【0047】
第1実施形態では特に、第1基板10上で上層から順に、配向膜15の屈折率n1及び膜厚d1、第1絶縁膜12の屈折率n2及び膜厚d2、透明電極11の屈折率n3及び膜厚d3、並びに第2絶縁膜13の屈折率n4及び膜厚d4は、夫々以下のように設定されている。即ち、第1絶縁膜12の屈折率n2は、配向膜15の屈折率n1及び透明電極11の屈折率n3よりも夫々小さく設定されている(即ち、n2<n1且つn2<n3)。第2絶縁膜13の屈折率n4は、配向膜15の屈折率n1及び透明電極11の屈折率n3よりも夫々小さく設定されている(即ち、n4<n1且つn4<n3)。第1絶縁膜12の膜厚d2は、50〜100nmの範囲内に設定されている。そして、透明電極11の光学膜厚n3×d3が275以下のときには、第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4は、{−0.59×(n3×d3)+200}±80の範囲内に有り、且つ透明電極11の光学膜厚n3×d3が275以上550以下のときには、第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4は、{−0.57×(n3×d3)+360}±80の範囲内に有る。
【0048】
第1絶縁膜12及び第2絶縁膜13は夫々、上述の条件を満たすように、例えば酸化シリコンを主成分としており、液晶の屈折率1.60及び配向膜15の屈折率1.65に対して、第1絶縁膜12及び第2絶縁膜13の屈折率は夫々、例えば1.5以下とされている。このような第1絶縁膜12及び第2絶縁膜13は、例えばにより酸化シリコンから形成される。
【0049】
ここで、第1基板10上における配向膜15、第1絶縁膜12、透明電極11、第2絶縁膜13及び反射板14からなる積層体が液晶層50に面している系における当該積層体の外光に対する反射率と、これら各層の屈折率及び膜厚との関係を求めるためのシュミレーションについて説明する。
【0050】
ここではRouardの方法により以下のシュミレーションを行うことにする。
【0051】
先ず、一般に金属膜や半導体膜などの吸収体の屈折率n*は、次式の如く複素数で表される。
【0052】
n*=n−ik
但し、n、k:吸収体の光学定数
これらの光学定数n、kは、各吸収体に固有のものであり、波長依存性がある。また、成膜条件と膜厚によっても変化する。従って、吸収体並びにその成膜条件及び膜厚が決まれば、経験的、実験的或いはシュミレーションにより一義的に定めることができる。ここでは、第1実施形態における反射板14を構成するアルミニウムについての光学定数n、kを求めるためのチャートの一例を図3に示す。
【0053】
図3において、横軸として光の波長(nm)が示されており、縦軸として光学定数n(左側)及びk(右側)が示されており、実線の曲線が、光学定数nの波長依存性を示す曲線であり、点線の曲線が、光学定数kの波長依存性を示す曲線である。従って、アルミニウムについて、例えば、波長650nm(赤色光)であれば、チャート中矢印で示したように、実線の曲線と波長650nmとの交点をたどることにより、n=1.3が求まり、例えば、波長700nmであれば、チャート中矢印で示したように、点線の曲線と波長700nmとの交点をたどることにより、k=6.8が求まるという具合に、図3に示したチャートを用いて任意の光の波長について光学定数n、kを簡単に求めることが出来る。
【0054】
次に、本実施の形態における第1基板10上における配向膜15、第1絶縁膜12、透明電極11、第2絶縁膜13及び反射板14からなる積層体が液晶層50に面している系における反射板14(吸収体)の光学定数をn、kとし、液晶層50の液晶(媒質)の屈折率をn0とすると、振幅反射率rは、次式で表される。(但し前述のように、上層から順に、配向膜15の屈折率をn1とすると共に膜厚をd1とし、第1絶縁膜12の屈折率をn2とすると共に膜厚をd2とし、透明電極11の屈折率をn3とすると共に膜厚をd3とし、第2絶縁膜13の屈折率をn4とすると共に膜厚をd4とする。)
r=(r1+rae-i θ 1)/(1+r1rae-i θ 1)
但し、
ra=(r2+rbe-i θ 2)/(1+r2rbe-i θ 2)
rb=(r3+rce-i θ 3)/(1+r3rce-i θ 3)
rc=(r4+r5e-i θ 4)/(1+r4r5e-i θ 4)
r1=(n1−n0)/(n1+n0)
r2=(n2−n1)/(n2+n1)
r3=(n3−n2)/(n3+n2)
r4=(n4−n3)/(n4+n3)
r5=(n−n5−ik)/(n+n5−ik)
θ1=4πn1d1/λ
θ2=4πn2d2/λ
θ3=4πn3d3/λ
θ4=4πn4d4/λ
従って、エネルギ反射率R(=反射率)は、各膜の屈折率及び膜厚を代入して上記θ1〜θ4及びr1〜r5を先ず計算し、次にこれらの値を代入してraからrcの値を順次計算し、次にr1とraを代入することによりrを計算し、得られた振幅反射率rにrの共役複素数を乗じることにより得られる。
【0055】
次に、以上の如きシュミレーションを行って得られる、液晶層50に面している配向膜15、第1絶縁膜12、透明電極11、第2絶縁膜13及び反射板14からなる積層体の反射率(R)と第2絶縁膜13の膜厚d4(nm)との関係を図4及び図5に示す。ここでは、人間の視覚上で感度が高く表示画像の明るさを定める上で重要な緑色光に対応する波長550nmの光に対する積層体の反射率(R)を求めることとし、本シュミレーションの条件は以下の通りとする。
【0056】
液晶層50の屈折率no =1.6
配向膜15の屈折率n1 =1.65
第1絶縁膜12の屈折率n2=1.5
透明電極11の屈折率n3 =1.9
第2絶縁膜13の屈折率n4=1.46
配向膜15の膜厚d1 =40(nm)
第1絶縁膜12の膜厚d2 =75(nm)
そして第2絶縁膜13の膜厚d4を、図4及び図5に夫々示すように、0から200nmまで変化させつつ、透明電極11の膜厚d3に関しては図4に示したように60、80、100、120及び140(nm)並びに図5に示したように160、180、200、220及び240(nm)の夫々について、液晶層50に面する積層体の反射率(R)をシミュレーションにより求めることとする。
【0057】
図4及び図5に示すように、第2絶縁膜13の膜厚d4を変化させることにより、この積層体の反射率Rは、約87%を中心値として、上は約90〜93%で下は約80〜85%で三角関数的に周期的に変動する。従って、このような変化特性を考慮して中心値よりも上側に振れる範囲を利用するように透明電極11及び第2絶縁膜13を構成すれば、比較的簡単な構成を用いて極めて効率的に高い反射率を得られることになる。
【0058】
このような観点から本実施形態では次に、反射率Rが87%以上になる第2絶縁膜13の膜厚d4の範囲を、透明電極11の膜厚d2の各値について求めると共に、反射率Rが最大値(極大値)となる第2絶縁膜13の膜厚d4の値を、透明電極11の膜厚d2の各値について求める。例えば、図4では、透明電極11の膜厚d2が100nmの場合には、対応する反射率Rが87%以上となる矢印で示した範囲は、膜厚のバラツキを加味すると、求めるべき第2絶縁膜13の膜厚d4の範囲は、約12〜116nmとなり、求めるべき最大値を与える第2絶縁膜13の膜厚d4は、約61nmとなる。
【0059】
このようにして求めた反射率87%以上を与える第2絶縁膜13の膜厚d4と透明電極11の膜厚d2との関係を図6に示す。尚、図6の上側のグラフは、図4にほぼ対応しており(即ち、透明電極11の膜厚d3が0〜140nmについてのグラフであり)、図6の下側のグラフは、図5にほぼ対応している(即ち、透明電極11の膜厚d3が160〜280nmについてのグラフである)。これらのグラフでは、反射率Rが最大値となるときの透明電極11の膜厚d3及び第2絶縁膜13の膜厚d4の組み合わせを最適値としてプロットしてあり、これらを結ぶ近似線も書き込まれている(以下、最適線と称する)。そして、この最適線の上側には、反射率87%を与える第2絶縁膜13の膜厚d4の上限及びこれに対応する透明電極11の膜厚d3の組み合わせを上限としてプロットしてあり、これらを結ぶ近似線(以下、上限線と称する)も書き込まれている。他方、この最適線の下側には、反射率87%を与える第2絶縁膜13の膜厚d4の下限及びこれに対応する透明電極11の膜厚d3の組み合わせを下限としてプロットしてあり、これらを結ぶ近似線(以下、下限線と称する)も書き込まれている。
【0060】
このようにして得られた透明電極11の膜厚d3と第2絶縁膜13の膜厚d4との関係を更に、光学膜厚の単位に変換して図7に示す。尚、光学膜厚とは、屈折率×膜厚で与えられるものであり、本実施の形態では、透明電極11の屈折率n3=1.9及び第2絶縁膜13の屈折率n4=1.46が与えられているため、簡単な換算により図7に示す関係が求まる。尚、図7の上側のグラフは、図4にほぼ対応しており(即ち、透明電極11の光学膜厚n3×d3が0〜275についてのグラフであり)、図7の下側のグラフは、図5にほぼ対応している(即ち、透明電極11の光学膜厚n3×d3が275〜550nmについてのグラフである)。
【0061】
ここで図7より、上限線、下限線及び最適線の変化傾向は、透明電極11の光学膜厚n3×d3が275以下の場合と275以上且つ550以下の場合とで相異なる。即ち、このように上限線及び下限線を与える第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4を透明電極11の光学膜厚n3×d3に対して求めると、以下のようになる。
【0062】
(a)透明電極11の光学膜厚n3×d3が275以下のとき:
上限線を与える第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4は、
{−0.59×(n3×d3)+200}+80 となり、
下限線を与える第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4は、
{−0.59×(n3×d3)+200}−80 となる。
【0063】
これらの結果を最適線と共に図8の上側のグラフに示す。
【0064】
(b)透明電極11の光学膜厚n3×d3が275以上550以下のとき:
上限線を与える第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4は、
{−0.57×(n3×d3)+360}+80 となり、
下限線を与える第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4は、
{−0.57×(n3×d3)+360}−80 となる。
【0065】
これらの結果を最適線と共に図8の下側のグラフに示す。
【0066】
図8に示したように本シュミレーションによれば、液晶層50に対面する反射層14、第2絶縁膜13、透明電極11、第1絶縁膜12及び配向膜15からなる積層体における外光(特に、波長550nm付近の光)に対する反射率Rは、第1絶縁膜12の屈折率n2を配向膜15の屈折率n1及び透明電極11の屈折率n3よりも夫々小さく設定すると共に第2絶縁膜13の屈折率n4を配向膜15の屈折率n1及び透明電極11の屈折率n3よりも夫々小さく設定し、更に第1絶縁膜12の膜厚d2を50〜100nmと設定した場合、第1絶縁膜12及び配向膜15の屈折率や膜厚によらずにほぼ一定しており、主に透明電極11及び第2絶縁膜13の屈折率や膜厚に依存することが分かる。そして、このような設定下で、反射率(R)をその周期的な変動中心(本例では約87%)よりも高くするための条件が満たされるように、透明電極11及び第2絶縁膜13の屈折率及び膜厚が夫々設定されているため、第1基板10上の積層体において液晶層50を介して入射する外光(特に、波長550nm付近の光)に対し高い反射率が得られる。
【0067】
尚、配向膜15の膜厚d1については、配向膜として良好に機能するように、例えば10〜80nm程度に設定すればよく、透明電極11の膜厚d3については、画素電極として良好に機能するように例えば30〜270nmに設定すればよい。
【0068】
しかも本実施形態によれば、第1基板の外側に設けた反射板により反射する伝統的な反射型液晶装置と比べて、第1基板10の上側における反射板14、第2絶縁膜13、透明電極11、第1絶縁膜12及び配向膜15からなる積層体による多重反射により外光を反射するので、光路が短くなる分だけ表示画像における視差が低減され且つ表示画像における明るさも向上する。
【0069】
加えて、仮に第1基板10上に、第1絶縁膜12を介在させることなく、透明電極11及び配向膜15を形成したのでは、特に、液晶層50中又はシール材31中のギャップ材(スペーサ)より大きなサイズの導電性の異物が液晶層50中に混入した場合に、配向膜15及び25を破って、透明電極11と透明電極21とがショートする、即ち、装置欠陥が発生する可能性が高い。しかしながら、第1実施形態によれば、配向膜15よりも強度が高い第1絶縁膜12の存在により、或いは、配向膜15と第1絶縁膜12との協動によりこのような装置欠陥の発生確率を顕著に低減し得る。
【0070】
また、第1実施形態では上述のように、第1絶縁膜12や第2絶縁膜13は酸化シリコンを主成分とし、反射板14は、アルミニウムを主成分とするので、比較的容易な製造プロセス且つ比較的低コストで反射率の向上を図れる。但し、反射板14の主成分を銀やクロム等の他の金属としても、上述の如き第1実施形態における効果は得られる。
【0071】
以上説明した第1実施形態では、第1絶縁膜12は、好ましくは、平均粒径が50nm以下の無機酸化物粒子を含有する。このように構成すれば、第1絶縁膜12上に形成される配向膜15との接着性が良くなり、比較的容易に当該反射型液晶装置を製造できると共に装置信頼性を高められる。このような無機酸化物粒子は、例えば酸化シリコン粒子、酸化アルミニウム粒子、からなり、例えばゾルゲル法により、このような無機酸化物粒子を酸化シリコン膜中に比較的容易に含有させることができる。
【0072】
以上説明した第1実施形態では、透明電極11の第1基板10上の端子領域に引き出された端子部及び透明電極21の第2基板10上の端子領域に引き出された端子部には、例えばTAB(Tape Automated bonding)基板上に実装されており、透明電極11及び透明電極21に画像信号や走査信号を所定タイミングで供給するデータ線駆動回路や走査線駆動回路を含む駆動用LSIを、異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。或いは、シール材31の外側の第1基板10又は第2基板20上の周辺領域に、このようなデータ線駆動回路や走査線駆動回路を形成して所謂駆動回路内蔵型の反射型液晶装置として構成してもよく、更に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成して所謂周辺回路内蔵型の反射型液晶装置としてもよい。
【0073】
また、第2基板20の外光が入出射する側には、例えば、TN(Twisted Nematic)モード、VA(Vertically Aligned)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。更に、第2基板20上に1画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。更にまた、第2基板20上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、RGB色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【0074】
次に、以上の如く構成された第1実施形態の反射型液晶装置の動作について図2を参照して説明する。
【0075】
図2において、第2基板20の側から外光が入射すると、透明な第2基板20及び液晶層50を介して第1基板10上に設けられた配向膜15、第1絶縁膜12、透明電極11、第2絶縁膜13及び反射板14からなる積層体により多重反射され、再び液晶層50及び第2基板20を介して第2基板20側から出射される。従って、外部回路から透明電極11及び透明電極21に、画像信号及び走査信号を所定タイミングで供給すれば、透明電極11及び透明電極21が交差する個所における液晶層50部分には、行毎又は列毎若しくは画素毎に電界が順次印加される。ここで、例えば第2基板20の外面に偏光板を配置すれば、透明電極11により液晶層50の配向状態を各画素単位で制御することにより、外光を変調し、階調表示が可能となる。
【0076】
(第2実施形態)
次に、本発明による液晶装置の第2実施形態について、図9から図14を参照して説明する。第2実施形態は、本発明を半透過反射型液晶装置に適用したものである。ここに図9は、第2実施形態の構成を示す図式的断面図であるが、図2に示した第1実施形態と同様の構成要素については同様の参照符号を付し、その説明は適宜省略する。
【0077】
図9において、第2実施形態における半透過反射型液晶装置は、第1実施形態における反射板14に変えて半透過反射板111を備えて構成されており、第1実施形態の構成に加えて、第1基板10の液晶層50と反対側に、偏光板107及び位相差板108を備えていると共に第2基板20の液晶層50と反対側に、偏光板105及び位相差板106を備えている。更に、偏光板107の外側には、蛍光管119と蛍光管119からの光を偏光板107から液晶パネル内に導くための導光板118とを備えて構成されている。その他の構成については、第1実施形態の場合と同様である。
【0078】
半透過反射板111はAgやAlなどにより形成され、その表面は第2基板20の側から入射する光を反射する反射面となっている。半透過反射板111には第1基板10側からの光源光を透過するための2μm径の開口部が設けてあり、開口部の総面積は半透過反射板111の総面積に対して約10%の割合とし、開口部をランダムに設けてある。
【0079】
ここで、図10及び図11を参照して、第2実施形態において半透過反射板111上に積層された透明電極11により液晶層50に印加される電界について説明する。図10は、微細な(例えば2μm径の)開口部111a’が設けられた半透過反射板と画素電極とを兼ねる単一層構造の半透過反射電極111’を用いた比較例において、該半透過反射電極111’により液晶層に印加される電界の様子を図式的に示した概念図である。図11は、第2実施形態において半透過反射板111上に積層された透明電極11により液晶層に印加される電界の様子を図式的に示した概念図である。
【0080】
図10に示すように、比較例において単一導電層からなる半透過反射電極111’を利用する場合には、反射型表示時には、開口領域Atを除く非開口領域で反射される外光が通過する液晶部分を非開口領域にある半透過反射電極111’部分により縦電界Fr(基板に垂直な方向の電界)で駆動できる。しかしながら、透過型表示時には、半透過反射電極111’の開口部111a’から入射された光源光が通過する開口領域Atにある液晶部分を、非開口部にある半透過反射電極111’部分により斜め電界Ft’で駆動せなばならない。即ち、透過型表示時には、開口領域Atにおける歪んだ電界により液晶を駆動して表示を行うため、縦電界により液晶を駆動する場合と比較して液晶配向の乱れにより表示品質が劣化してしまう。
【0081】
図11に示すように、これに対し第2実施形態において微少な開口部111aの設けられた半透過反射板111上に積層形成された開口部の設けられていない透明電極11を利用する場合には、反射型表示時には、比較例の場合と同様に非開口領域にある透明電極11部分により縦電界Frで駆動できる。しかも透過型表示時にも、半透過反射電極111の開口部111aから入射された光源光が通過する開口領域Atにおける液晶部分を、開口部111aに対向する透明電極11部分により縦電界Ftで駆動できる。このように半透過反射板111のパターンをどのようにしても透明電極11により液晶層に印加される電界には影響がないので、半透過反射板111における開口パターンや間隙パターンに関係なく、透明電極11から印加される縦電界により各ドット内又は各画素内において液晶の配向方向が均一となり、配向方向の乱れに起因する表示品質の劣化を防止できる。
【0082】
ここで、以上説明した各実施例における半透過反射板111の開口部の各種具体例について図12を参照して説明する。
【0083】
図12(a)に示すように、各画素毎に4つの矩形スロットを4方に配置してもよいし、図12(b)に示すように各画素毎に4つの矩形スロットを横並びに配置してもよいし、図12(c)示すように各画素毎に多数の円形開口を離散配置してもよいし、図12(d)示すように各画素毎に1つの比較的大きな矩形スロットを配置してもよい。このような開口部は、レジストを用いたフォト工程/現像工程/剥離工程で容易に作製することができる。開口部111aの平面形状は図示のほかにも、正方形でもよいし、或いは、多角形、楕円形、不規則形でもよいし、複数の画素に跨って延びるスリット状でもよい。また、反射層を形成するときに同時に開口部を開孔することも可能であり、このようにすれば製造工程数を増やさず済む。また、いずれの形状であっても、開口部の径は、0.01μm以上20μm以下とされ、更に開口部は反射層に対して、5%以上30%以下の面積比で形成されるのが好ましい。
【0084】
或いは、このような半透過反射板111は、第2基板20に垂直な方向から平面的に見て相互に分断されており相互間隙が光透過領域となる複数の反射板から構成されても良し、第1基板10からの光源光を透過可能な、光が透過可能な程度に極薄い金属薄膜又は市販されているハーフミラー、公知の反射偏光子などの半透過反射膜から構成されても良い。このように構成すれば、装置構成や製造プロセスの複雑化を招く微細な欠陥部や微細な開口部を多数設けなくても半透過反射層を構成できるため、実用上有利であり、装置信頼性や製造歩留まりを向上させることも可能となる。
【0085】
再び図9において、蛍光管119と共にバックライトを構成する導光板118は、裏面全体に散乱用の粗面が形成され、或いは散乱用の印刷層が形成されたアクリル樹脂板などの透明体であり、光源である蛍光管119の光を端面にて受けて、図の上面からほぼ均一な光を放出するようになっている。
【0086】
このように第2実施形態では、液晶セルの上側に偏光板105及び位相差板106が配置されており、液晶セルの下側に偏光板107及び位相差板108が配置されているので、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても良好な表示制御ができる。より具体的には、位相差板106により反射型表示時における光の波長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低減する(即ち、位相差板106を用いて反射型表示時における表示の最適化を図る)と共に、位相差板108により透過型表示時における光の波長分散に起因する色付きなどの色調への影響を低減する(即ち、位相差板106により反射型表示時における表示の最適化を図った条件下で、更に、位相差板108により透過型表示時における表示の最適化を図る)ことが可能となる。なお、位相差板106及び108については夫々、液晶セルの着色補償、もしくは視角補償により複数枚位相差板を配置することも可能である。このように位相差板106又は108として、位相差板を複数枚用いれば着色補償或いは視覚補償の最適化をより容易に行える。
【0087】
更にまた、偏光板105、位相差板106、液晶層50及び半透過反射板111における光学特性を反射型表示時におけるコントラストを高める設定とすると共に、この条件下で偏光板107及び位相差板108における光学特性を透過型表示時におけるコントラストを高める設定とすることにより、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても高いコントラスト特性を得ることができる。例えば、反射型表示時には、外光が、偏光板105を通って直線偏光となり、更に位相差板106及び電圧非印加状態(暗表示状態)にある液晶層50部分を通って右円偏光となって半透過反射板111に達し、ここで反射されて進行方向が逆転すると共に左円偏光に変換され、再び電圧非印加状態にある液晶層50部分を通って直線偏光に変換され、偏光板105で吸収される(即ち、暗くなる)ように偏光板105、位相差板106、液晶層50及び半透過反射板111における光学特性が設定される。この時、電圧印加状態(明表示状態)にある液晶層50部分を通る外光は、液晶層50部分を素通りするため、半透過反射板111で反射されて偏光板105から出射される(即ち、明るくなる)。他方で、透過型表示時には、バックライトから発せられ、偏光板107及び位相差板108を介して半透過反射板111を透過する光源光が、上述した反射型表示時における半透過反射板111で反射される左円偏光と同様な光となるように、偏光板107及び位相差板108の光学特性が設定される。すると、反射型表示時と比べて光源及び光路が異なるにも拘わらず、透過型表示時における半透過反射板111を透過する光源光は、反射型表示時における半透過反射板111で反射する外光と同様に電圧非印加状態(暗表示状態)にある液晶層50部分を通って直線偏光に変換され、偏光板105で吸収される(即ち、暗くなる)。この時、電圧印加状態(明表示状態)にある液晶層50部分を通る光は、液晶層50部分を素通りして偏光板105から出射される(即ち、明るくなる)。
【0088】
このように反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても高いコントラスト特性が得られる偏光板105、位相差板106、液晶層50、半透過反射板111、偏光板107及び位相差板108における光学特性についての二つの具体例を図13及び図14に示す。尚、図13及び図14において夫々、積層された5枚の長方形は、上から順に偏光板105、位相差板106、液晶層50等を含む液晶セル、位相差板108及び偏光板107の各層を示し、各長方形に描いた矢印によって軸方向を示している。また図13及び図14に示す例では夫々、液晶セルの上側の位相差板106が2枚の位相差板からなる(以下、第1位相差板106a及び第2位相差板106bとする)ものとし、更に図14に示す例では、液晶セルの下側の位相差板108が2枚の位相差板からなる(第3位相差板108a及び第4位相差板108bとする)ものとする。
【0089】
図13において、偏光板105の吸収軸1301はパネル長手方向に対して左35.5度である。第1位相差板106aの遅延軸方向1302は、パネル長手方向に対して左102.5度であり、そのリターデーションは455nmである。第2位相差板106bの遅延軸方向1303は、パネル長手方向に対して左48.5度であり、そのリターデーションは544nmである。液晶セルの透明基板20側の配向膜のラビング方向1304は、パネル長手方向に対して右37.5度である。液晶セルの透明基板10側のラビング方向1305は、パネル長手方向に対して左37.5度である。液晶は、透明基板20から透明基板10に向って左回りに255度ツイストしている。また、液晶の複屈折Δnとセルギャップdの積は、0.90μmである。位相差板108の遅延軸方向1306は、パネル長手方向に対して右0.5度であり、そのリターデーションは140nmである。偏光板107の吸収軸1307はパネル長手方向に対して左49.5度である。この条件下では、バックライトから発せられた光は、波長560nmの緑色光が、楕円率が0.85の楕円偏光の状態で、液晶セル内に配置された半透過反射板111を通過する。また、その回転方向は右回りであり、偏光板105側から入射し、暗表示状態にある液晶層を通って半透過反射板111で反射した外光とほぼ同一の偏光状態となる。よって、この例の如く光学特性を設定すれば、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても高いコントラスト特性が得られる。
【0090】
図14において、偏光板105の吸収軸1401はパネル長手方向に対して左110度である。第1位相差板106aの遅延軸方向1402は、パネル長手方向に対して左127.5度であり、そのリターデーションは270nmである。第2位相差板106bの遅延軸方向1403は、パネル長手方向に対して左10度であり、そのリターデーションは140nmである。液晶セルの透明基板20側の配向膜のラビング方向1404は、パネル長手方向に対して右51度である。液晶セルの透明基板10側のラビング方向1405は、パネル長手方向に対して左50度である。液晶は、透明基板20から透明基板10に向って右回りに79度ツイストしている。また、液晶の複屈折Δnとセルギャップdの積は、0.24μmである。第3位相差板108aの遅延軸方向1406は、パネル長手方向に対して左100度であり、そのリターデーションは140nmである。第4位相差板108bの遅延軸方向1407は、パネル長手方向に対して左37.5度であり、そのリターデーションは270nmである。偏光板108の吸収軸1408はパネル長手方向に対して左20度である。この条件下では、バックライトから発せられた光は、波長560nmの緑色光を中心とする比較的広い波長範囲で、楕円率が最大0.96という極めて円偏光に近い楕円偏光の状態で液晶セル内に配置された半透過反射板111を通過する。またその回転方向は左回りであり、偏光板105側から入射し、暗表示状態にある液晶層を通って半透過反射板111で反射した外光とほぼ同一の偏光状態となる。よって、この例の如く光学特性を設定すれば、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても高いコントラスト特性が得られる。
【0091】
以上の図13及び図14を参照して説明したように、本発明の液晶装置では、偏光板105及び位相差板106並びに偏光板107及び位相差板108を備えるので、反射型表示と透過型表示とのいずれにおいても良好な色補償と高いコントラスト特性を得ることが可能となる。尚、これらの光学特性の設定については、図13及び図14に例示したものに限られる訳ではなく、実験的又は理論的に若しくはシミュレーション等により、液晶装置の仕様上要求される明るさやコントラスト比に見合った設定とすることができる。
【0092】
第2実施形態では、第1実施形態の場合と同様に、第1絶縁膜12の屈折率n2は、配向膜15の屈折率n1及び透明電極11の屈折率n3よりも夫々小さく設定されており、第2絶縁膜13の屈折率n4は、配向膜15の屈折率n1及び透明電極11の屈折率n3よりも夫々小さく設定されており、第1絶縁膜12の膜厚d2は、50〜100nmの範囲内に設定されており、透明電極11の光学膜厚n3×d3が275以下のときには、第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4は、{−0.59×(n3×d3)+200}±80の範囲内に有り、且つ透明電極11の光学膜厚n3×d3が275以上550以下のときには、第2絶縁膜13の光学膜厚n4×d4は、{−0.57×(n3×d3)+360}±80の範囲内に有る。従って、第2実施形態の半透過反射型液晶装置によれば、その反射型表示時には、第1実施形態の場合と同様に、第1基板10上の積層体において液晶層50を介して入射する外光(特に、波長550nm付近の光)に対する高い反射率が得られる。
【0093】
しかも本実施形態によれば、第1基板の外側に設けた半透過反射板により反射する伝統的な半透過反射型液晶装置と比べて、第1基板10の上側における半透過反射板111、第2絶縁膜13、透明電極11、第1絶縁膜12及び配向膜15からなる積層体による多重反射により外光を反射するので、光路が短くなる分だけ表示画像における視差が低減され且つ表示画像における明るさも向上する。
【0094】
次に、以上の如く構成された第2実施形態の半透過反射型液晶装置の動作について図9を参照して説明する。
【0095】
先ず反射型表示について説明する。この場合には、第1実施形態の場合と同様に、図9において第2基板20の側から外光が入射すると、透明な第2基板20及び液晶層50を介して第1基板10上に設けられた配向膜15、第1絶縁膜12、透明電極11、第2絶縁膜13及び半透過反射板111からなる積層体により多重反射され、再び液晶層50及び第2基板20を介して第2基板20側から出射される。従って、外部回路から透明電極11及び透明電極21に、画像信号及び走査信号を所定タイミングで供給すれば、透明電極11及び透明電極21が交差する個所における液晶層50部分には、行毎又は列毎若しくは画素毎に電界が順次印加される。これにより液晶層50の配向状態を各画素単位で制御することにより、外光を変調し、階調表示が可能となる。
【0096】
次に透過型表示について説明する。この場合には、図9において第1基板10の下側から光源光が入射すると、半透過反射板111の開口部を透過し、液晶層50及び第2基板20を介して第2基板20側から出射される。従って、外部回路から透明電極11及び透明電極21に、画像信号及び走査信号を所定タイミングで供給すれば、透明電極11及び透明電極21が交差する個所における液晶層50部分には、行毎又は列毎若しくは画素毎に電界が順次印加される。これにより液晶層50の配向状態を各画素単位で制御することにより、光源光を変調し、階調表示が可能となる。
【0097】
尚、第1及び第2実施形態において、反射板14や半透過反射板111の液晶層50に面する表面を凹凸に構成して、これらの鏡面感を無くし、散乱面(白色面)に見せるようにしてもよい。また、凹凸による散乱によって視野角を広げてもよい。この凹凸形状は、反射板14や半透過反射板111の下地に感光性のアクリル樹脂等を用いて形成したり、下地の基板自身をフッ酸によって荒らすこと等によって形成することができる。尚、反射板14又は半透過反射板111の凹凸表面上に透明な平坦化膜を形成して、液晶層50に面する表面(配向膜を形成する表面)を平坦化しておくことが液晶の配向不良を防ぐ観点から望ましい。
【0098】
(第3実施形態)
次に、本発明による液晶装置の第3実施形態について、図15から図18を参照して説明する。第3実施形態は、本発明をTFDアクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置に適用したものである。
【0099】
先ず、本実施の形態に用いられるTFD駆動素子付近における構成について図15及び図16を参照して説明する。ここに、図15は、TFD駆動素子を画素電極等と共に模式的に示す平面図であり、図16は、図15のB−B’断面図である。尚、図16においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0100】
図15及び図16において、TFD駆動素子40は、第1基板の他の一例であるTFDアレイ基板10’上に形成された第2絶縁膜13を下地として、その上に形成されており、第2絶縁膜13の側から順に第1金属膜42、絶縁層44及び第2金属膜46から構成され、TFD構造或いはMIM構造を持つ。そして、TFD駆動素子40の第1金属膜42は、TFDアレイ基板10’上に形成された走査線61に接続されており、第2金属膜46は、画素電極62に接続されている。尚、走査線61に代えてデータ線(後述する)をTFDアレイ基板10’上に形成し、画素電極62に接続して、走査線61を対向基板側に設けてもよい。
【0101】
TFDアレイ基板10’は、例えばガラス、プラスチックなどの絶縁性及び透明性を有する基板或いは不透明な半導体基板等からなる。このように本実施形態では、第2絶縁膜13は、TFD素子40の下地膜としても機能するが、第2絶縁膜13とは異なる下地膜専用の絶縁膜を酸化タンタル等から形成しても良いし、或いは、TFDアレイ基板10’の表面状態に問題が無ければ、このような下地膜は省略することも可能である。第1金属膜42は導電性の金属薄膜からなり、例えばタンタル単体又はタンタル合金からなる。絶縁膜44は、例えば化成液中で第1金属膜42の表面に陽極酸化により形成された酸化膜からなる。第2金属膜46は導電性の金属薄膜からなり、例えばクロム単体又はクロム合金からなる。
【0102】
本実施形態では特に、画素電極62は、第2実施形態における透明電極11と同様に、例えばITO膜からなる。即ち、画素電極62は、当該半透過反射型液晶装置における半透過反射板111の上に第2絶縁膜13を介して積層された透明な画素電極として機能する。尚、図15に示すように、本実施形態では、半透過反射板111は、画素毎に島状に形成されており、その間隙が光透過領域として機能するように構成されている。
【0103】
更に、画素電極62、TFD駆動素子40、走査線61等の液晶に面する側(図中上側表面)には、第1実施形態の場合と同様に第1絶縁膜12が設けられており、その上に配向膜15が設けられている。
【0104】
以上、2端子型非線形素子としてTFD駆動素子の幾つかの例について説明したが、ZnO(酸化亜鉛)バリスタ、MSI(Metal Semi-Insulator)駆動素子、RD(Ring Diode)などの双方向ダイオード特性を有する2端子型非線形素子を本実施形態の半透過反射型液晶装置に適用可能である。
【0105】
次に、以上のように構成されたTFD駆動素子を備えて構成される第2実施形態であるTFDアクティブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置の構成及び動作について図17及び図18を参照して説明する。ここに、図17は、液晶素子を駆動回路と共に示した等価回路図であり、図18は、液晶素子を模式的に示す部分破断斜視図である。
【0106】
図17において、TFDアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置は、TFDアレイ基板10’上に配列された複数の走査線61が、Yドライバ回路100に接続されており、その対向基板上に配列された複数のデータ線71が、Xドライバ回路110に接続されている。尚、Yドライバ回路100及びXドライバ回路110は、TFDアレイ基板10’又はその対向基板上に形成されていてもよいし、液晶装置とは独立した外部ICから構成され、所定の配線を経て走査線61やデータ線71に接続されてもよい。
【0107】
マトリクス状の各画素領域において、走査線61は、TFD駆動素子40の一方の端子に接続されており(図15及び図16参照)、データ線71は、液晶層50及び画素電極62を介してTFD駆動素子40の他方の端子に接続されている。従って、各画素領域に対応する走査線61に走査信号が供給され、データ線71にデータ信号が供給されると、当該画素領域におけるTFD駆動素子40がオン状態となり、TFD駆動素子40を介して、画素電極62及びデータ線71間にある液晶層50に駆動電圧が印加される。
【0108】
図18において、半透過反射型液晶装置は、TFDアレイ基板10’と、これに対向配置される透明な第2基板(対向基板)20とを備えている。
【0109】
第2基板20には、走査線61と交差する方向に伸びており短冊状に配列された複数のデータ線71が設けられている。データ線71の下側には、配向膜25が設けられている。データ線71は、例えばITO膜などの透明導電性薄膜からなる。尚、図18では、光源、偏光板等の光学要素については省略している。
【0110】
以上説明したように、第2実施形態のTFDアクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置によれば、画素電極62とデータ線71との間で、各画素電極62における液晶部分に電界を順次印加することにより、各液晶部分の配向状態を制御可能となり、各液晶部分を介して表示光として出射される外光強度や光源光強度を制御できる。ここで第2実施形態の場合と同様に、画素開口領域においては、液晶層50側から順に配向膜15、第1絶縁膜12、画素電極(透明電極)62、第2絶縁膜13及び半透過反射板111が形成されているので、反射型表示時には高い反射率を得ることが出来る。そして、透過型表示時には、縦電界で液晶駆動することにより、液晶の配向状態に優れる。特に、TFD40を介して各画素電極62に電力を供給するため、画素電極62間におけるクロストークを低減でき、より高品位の画像表示が可能となる。
【0111】
(第4実施形態)
次に、本発明による液晶装置の第4実施形態について、図19から図21を参照して説明する。第4実施形態は、本発明をTFTアクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置に適用したものである。図19は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図20は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図21は、図20のC−C’断面図である。尚、図21においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0112】
図19において、第4実施形態のTFTアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶装置では、画素電極62を制御するためのTFT130がマトリクス状に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線135がTFT130のソースに電気的に接続されている。データ線135に書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線135同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、TFT130のゲートに走査線131が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線131にパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極62は、TFT130のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT130を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線135から供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。画素電極62を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極62と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量170を付加する。
【0113】
図20において、TFTアレイ基板上には、マトリクス状の画素電極62(その輪郭62aが図中点線で示されている)が設けられており、画素電極62の縦横の境界に各々沿ってデータ線135、走査線131及び容量線132が設けられている。データ線135は、コンタクトホール5を介してポリシリコン膜等からなる半導体層1aのうちソース領域に電気的接続されている。画素電極62は、コンタクトホール8を介して半導体層1aのうちドレイン領域に電気的接続されている。容量線132は、絶縁膜を介して半導体層1aのうちのドレイン領域から延設された第1蓄積容量電極に対向配置しており、蓄積容量170を構成する。また、半導体層1aのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域1a’に対向するように走査線131が配置されており、走査線131はゲート電極として機能する。このように、走査線131とデータ線135との交差する個所には夫々、チャネル領域1a’に走査線131がゲート電極として対向配置されたTFT130が設けられている。
【0114】
図20に示すように、液晶装置は、第1基板の他の一例を構成するTFTアレイ基板10”と、これに対向配置される透明な第2基板(対向基板)20とを備えている。本実施形態では特に、TFTアレイ基板10”に設けられる画素電極62は、第1実施形態における透明電極11と同様に、例えばITO膜からなる。即ち、画素電極62は、当該半透過反射型液晶装置における半透過反射板111の上に第2絶縁膜13を介して積層された透明な画素電極として機能する。尚、図20に示すように、本実施形態では、半透過反射板111は、画素毎に島状に形成されており、その間隙が光透過領域として機能するように構成されている。画素電極62、TFT130等の液晶に面する側(図中上側表面)には、第1実施形態の場合と同様に第1絶縁膜12及び配向膜15が設けられている。
【0115】
他方、第2基板20には、そのほぼ全面に透明電極の他の一例としての対向電極121が設けられており、各画素の非開口領域に、ブラックマスク或いはブラックマトリクスと称される第2遮光膜122が設けられている。対向電極121の下側には、配向膜25が設けられている。
【0116】
TFTアレイ基板10”には、各画素電極62に隣接する位置に、各画素電極62をスイッチング制御する画素スイッチング用TFT130が設けられている。
【0117】
このように画素電極62と対向電極121とが対面するように配置されたTFTアレイ基板10”と第2基板20との間には、第1実施形態の場合と同様にシール材により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層50が形成される。
【0118】
更に、複数の画素スイッチング用TFT30の下には、第1層間絶縁膜112が設けられている。第1層間絶縁膜112は、TFTアレイ基板10の全面に形成されることにより、TFT30のための下地膜として機能する。
【0119】
図21において、画素スイッチング用TFT130は、コンタクトホール5を介してデータ線135に接続されたソース領域、走査線131にゲート絶縁膜を介して対向配置されたチャネル領域1a’及びコンタクトホール8を介して画素電極62に接続されたドレイン領域を含んで構成されている。データ線131は、Al等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性且つ導電性の薄膜から構成されている。また、その上には、コンタクトホール5及び8が開孔された第2層間絶縁膜114が形成されており、更に、その上には、コンタクトホール8が開孔された第3層間絶縁膜117が形成されている。
【0120】
画素スイッチング用TFT130は、LDD構造、オフセット構造、セルフアライン構造等いずれの構造のTFTであってもよい。更にシングルゲート構造の他、デュアルゲート或いはトリプルゲート以上でTFT130を構成してもよい。
【0121】
以上説明したように、第4実施形態のTFTアクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置によれば、画素電極62と対向電極121との間で、各画素電極62における液晶部分に電界を順次印加することにより、各液晶部分の配向状態を制御可能となり、各液晶部分を介して表示光として出射される外光強度又は光源光強度を制御できる。ここで第2実施形態の場合と同様に、画素開口領域においては、液晶層50側から順に配向膜15、第1絶縁膜12、画素電極(透明電極)62、第2絶縁膜13及び半透過反射板111が形成されているので、反射型表示時には高い反射率を得ることが出来る。そして、透過型表示時には、縦電界で液晶駆動することにより、液晶の配向状態に優れる。特に、TFT130を介して各画素電極62に電力を供給するため、画素電極62間におけるクロストークを低減でき、より高品位の画像表示が可能となる。
【0122】
(第5実施形態)
次に、本発明による反射型液晶装置の第4実施形態について、図22を参照して説明する。第5実施形態は、上述した本発明の第1から第4実施形態の反射型又は半透過反射型の液晶装置を適用した各種の電子機器からなる。
【0123】
先ず、第1から第4実施形態における液晶装置を、例えば図22(a)に示すような携帯電話1000の表示部1001に適用すれば、明るく高コントラストであり、しかも視差が殆ど無く高精細の白黒又はカラー表示を行う省エネルギ型の携帯電話を実現できる。
【0124】
また、図22(b)に示すような腕時計1100の表示部1101に適用すれば、明るく高コントラストであり、しかも視差が殆ど無く高精細の白黒又はカラー表示を行う省エネルギ型の腕時計を実現できる。
【0125】
更に、図22(c)に示すようなパーソナルコンピュータ(或いは、情報端末)1200において、キーボード1202付きの本体1204に開閉自在に取り付けられるカバー内に設けられる表示画面1206に適用すれば、明るく高コントラストであり、しかも視差が殆ど無く高精細の白黒又はカラー表示を行う省エネルギ型の省エネルギ型のパーソナルコンピュータを実現できる。
【0126】
以上図22に示した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などの電子機器にも、第1から第4実施形態の反射型又は半透過反射型の液晶装置を適用可能である。
【0127】
尚、本発明は、以上説明した実施形態に限るものではなく、本発明の要旨を変えない範囲で実施形態を適宜変更して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態であるパッシブマトリクス駆動方式の反射型液晶装置を、対向基板上に形成されるカラーフィルタを便宜上取り除いて対向基板側から見た様子を示す図式的平面図である。
【図2】図1のA−A’断面をカラーフィルタを含めて示す反射型液晶装置の図式的断面図である。
【図3】第1実施形態における反射板を構成するアルミニウムについての光学定数n、kを求めるためのチャートの一例を示す特性図である。
【図4】第1実施形態においてシュミレーションで得られる、透明電極の各膜厚について第2絶縁膜の膜厚と反射率との関係を示す特性図(その1)である。
【図5】第1実施形態においてシュミレーションで得られる、透明電極の各膜厚について第2絶縁膜の膜厚と反射率との関係を示す特性図(その2)である。
【図6】図5及び図6のシュミレーション結果に基づき透明電極の各膜厚毎に最高の反射率を得るための第2絶縁膜の膜厚を示す最適線と共に、高反射率を得るための範囲を示す上限線及び下限線を示す特性図である。
【図7】図6における最適線並びに上限線及び下限線を光学膜厚に換算して示す特性図である。
【図8】図7における最適線並びに上限線及び下限線を直線近似して示す特性図である。
【図9】本発明の第2実施形態であるパッシブマトリクス駆動方式の半透過反射型液晶装置の図式的平面図である。
【図10】比較例において単一層構造の半透過反射電極により液晶層に印加される電界の様子を図式的に示した概念図である。
【図11】第2実施形態において半透過反射板上に積層された透明電極により液晶層に印加される電界の様子を図式的に示した概念図である。
【図12】第2実施形態の半透過反射層に設けられる開口部に係る各種具体例を示す拡大平面図である。
【図13】第2実施形態において好適な光学特性の設定パターンの一例を示す概念図である。
【図14】第2実施形態において好適な光学特性の設定パターンの他の例を示す概念図である。
【図15】本発明の第3実施形態であるTFDアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に用いられるTFD駆動素子を画素電極等と共に模式的に示す平面図である。
【図16】図15のB−B’断面図である。
【図17】第3実施形態の液晶装置の画素部の等価回路を周辺駆動回路と共に示す等価回路図である。
【図18】第3実施形態の液晶装置を模式的に示す部分破断斜視図である。
【図19】本発明の第4実施形態であるTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置の画素部の等価回路図である。
【図20】第4実施形態の液晶装置の画素部の平面図である。
【図21】図20のC−C’断面図である。
【図22】本発明の第5実施形態である各種電子機器の外観図である。
【符号の説明】
10…第1基板
11…透明電極
12…第1絶縁膜
13…第2絶縁膜
14…反射板
15…配向膜
20…第2基板
25…配向膜
31…シール材
32…封止材
111…半透過反射板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to a technical field of a liquid crystal device such as a passive matrix driving method, an active matrix driving method, a segment driving method, and an electronic device using the same, and particularly, a transflective layer or a reflective layer on a side facing a liquid crystal of a substrate. A transflective liquid crystal device capable of switching between a reflective display and a transmissive display, a reflective liquid crystal device capable of only a reflective display, and such a liquid crystal device. It belongs to the technical field of the electronic equipment used.
[0002]
[Background]
Conventionally, reflective liquid crystal devices that display using external light without using a light source such as a backlight are advantageous from the viewpoint of low power consumption, small size, and light weight. It is used in portable electronic devices such as mobile phones, watches, electronic notebooks, and notebook computers. In a traditional reflective liquid crystal device, a reflective plate is attached to the back side of a transmissive liquid crystal panel in which liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and external light incident from the front side is transmitted through the transmissive liquid crystal panel, polarizing plate, etc. It is comprised so that it may reflect with a reflector. However, in this case, since the optical path from the liquid crystal separated by the substrate or the like to the reflecting plate is long, parallax occurs in the display image, resulting in a double image, and in the case of color display, each color light has a long optical path as described above. Therefore, it is very difficult to display a high-quality image. Furthermore, since the external light attenuates while entering the liquid crystal panel and reciprocating up to the reflector, it is basically difficult to perform bright display.
[0003]
Therefore, recently, an inner surface reflection having a configuration in which a display electrode disposed on one substrate located on the opposite side to the side on which external light is incident is configured from a reflection plate and the reflection position is close to the liquid crystal layer. A reflection type liquid crystal device has been developed. Specifically, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-114799, a pixel electrode which also serves as a reflection plate is formed on a substrate, and a high refractive film and a low refractive film are formed thereon. And a technique of laminating a plurality of these films alternately and forming an alignment film thereon. According to this technology, by providing a laminated body of a high refractive film and a low refractive film on a reflecting plate, the reflectance with respect to external light incident from the counter substrate side is increased, and a bright reflective display can be performed. ing.
[0004]
On the other hand, in the case of a reflective liquid crystal device, the display is visible using external light, and the display cannot be read in a dark place, so external light is used in a bright place in the same way as a normal reflective liquid crystal device. In addition, a transflective liquid crystal device of a type in which a display can be visually recognized by an internal light source in a dark place has been proposed. As described in Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-042771, a polarizing plate, a transflective plate, and a backlight are sequentially arranged on the outer surface of the liquid crystal panel opposite to the observation side. In this liquid crystal device, when the surroundings are bright, external light is taken in and reflection type display is performed using the light reflected by the transflective reflector. When the surroundings become dark, the backlight is turned on and the transflective reflector is turned on. A transmissive display in which the display can be visually recognized by the light transmitted through is performed.
[0005]
Another transflective liquid crystal device is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-292413, which improves the brightness of reflective display. In this liquid crystal device, a transflective plate, a polarizing plate, and a backlight are sequentially arranged on the outer surface of the liquid crystal panel opposite to the observation side, so that there is no polarizing plate between the liquid crystal cell and the transflective plate. A reflective display brighter than the liquid crystal device described in Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-042771 is obtained.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to the reflection type liquid crystal device described in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-114799, in which the pixel electrode also serves as a reflector, in order to obtain a high reflectance, the high refractive film and the low
[0007]
On the other hand, in the transflective liquid crystal device described in JP-A-8-292413, a transparent substrate is interposed between the liquid crystal layer and the transflective plate. Will occur. In addition, when a color filter is combined, a transflective plate is placed behind the liquid crystal panel, so a thick transparent substrate is interposed between the liquid crystal layer and the color filter and the transflective plate. There is a problem that blurring of display and the like occur and sufficient color development cannot be obtained.
[0008]
On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-318929 proposes a transflective liquid crystal device in which a pixel electrode that also serves as a transflective film is provided on the inner surface of a liquid crystal cell, on a transflective film made of a metal film. In addition, a configuration in which transparent pixel electrodes made of an ITO film are stacked via an insulating film is disclosed. However, in this liquid crystal device, a minute defect portion such as a hole defect or an indentation defect or a minute opening portion with respect to a pixel electrode that also serves as a semi-transmissive reflective film or a semi-transmissive reflective film on which a transparent pixel electrode is superimposed. Since it is necessary to provide a large number of devices, the configuration of the apparatus is complicated, and a special process is additionally required in the manufacture thereof. In addition, since the pixel electrode that also serves as the reflector provided with the opening is used, the electric field for driving the liquid crystal, which is assumed to be a vertical electric field perpendicular to the electrode surface, is obliquely distorted in the vicinity of the opening, This results in poor alignment of the liquid crystal and finally makes it difficult to display a high-quality image.
[0009]
In addition, the applicant of the present application has invented novel transflective liquid crystal devices according to Japanese Patent Application Nos. 10-23656 and 10-160866, respectively, but the former is provided with an opening. Because the pixel electrode that also functions as a reflector is used, the electric field at the opening may be obliquely distorted, leading to poor alignment of the liquid crystal. In the latter case, sufficient reflectivity cannot be obtained particularly in reflective display. There may be a situation where the display becomes dark. As a result, there is room for improvement in the display image.
[0010]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and transflective and reflective liquid crystal devices capable of displaying bright and high-quality images without generating double reflection due to parallax or display blurring, and the like, and It is an object to provide an electronic device using these.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a liquid crystal device of the present invention has a transparent first substrate, a transparent second substrate disposed opposite to the first substrate, and a liquid crystal sandwiched between the first and second substrates. A reflective layer disposed on the side of the first substrate facing the second substrate, a transparent second insulating film disposed on the reflective layer, and the second layer disposed on the second insulating film A liquid crystal device comprising a transparent electrode film for controlling an alignment state of liquid crystal, a transparent first insulating film disposed on the transparent electrode film, and an alignment film disposed on the first insulating film. , Refractive index n of the first insulating film2Is the refractive index n of the alignment film1And the refractive index n of the transparent electrode filmThreeAnd the refractive index n of the second insulating film.FourIs the refractive index n of the alignment film1And the refractive index n of the transparent electrode filmThreeEach of which is set to be smaller than the thickness d of the first insulating film.2Is set within the range of 50 to 100 nm, and the optical film thickness n of the transparent electrode filmThreeXdThree(However, dThreeIs the film thickness of the transparent electrode film) is 275 or less, the optical film thickness n of the second insulating filmFourXdFour(However, dFourIs the thickness of the second insulating film) is {−0.59 × (nThreeXdThree) +200} ± 80, and the transparent electrode film has an optical film thickness n.ThreeXdThreeIs 275 or more and 550 or less, the optical film thickness n of the second insulating filmFourXdFourIs {−0.57 × (nThreeXdThree) The refractive index and film thickness of the first and second insulating films, the transparent electrode film, and the alignment film are set so as to be in the range of +360} ± 80.
In the above, the transparent electrode is insulated from the reflective layer by the second insulating film.
[0012]
According to the transflective liquid crystal device of the present invention, a laminated body including a transflective layer, a second insulating film, a transparent electrode film, a first insulating film, and an alignment film is provided on the first substrate. Yes. Here, since the transflective layer and the transparent electrode film are insulated from each other by the second insulating film, the planar pattern of the transflective layer is the planar pattern of the transparent electrode (pixel electrode) made of the transparent electrode film. Not subject to restrictions. For this reason, it becomes possible to drive the liquid crystal part through which the light source light transmitted through the transmission region passes by a vertical electric field in a direction perpendicular to the substrate, and at the same time, the liquid crystal part through which the external light reflected by the reflection region passes It is also possible to drive with a vertical electric field. Furthermore, since the transparent electrode film and the alignment film are insulated from each other by the first insulating film, there is a possibility that defects such as leakage or short circuit may occur in the transparent electrode (pixel electrode) made of the transparent electrode film or its wiring. And the overall reliability of the device is increased.
[0013]
According to the transflective liquid crystal device configured as described above, when external light is incident from the second substrate side during the reflective display, the first substrate passes through the transparent second substrate and the liquid crystal. Is reflected by the laminate composed of the transflective layer, the second insulating film, the transparent electrode film, the first insulating film, and the alignment film provided on the substrate, and is emitted from the second substrate side again through the liquid crystal and the second substrate. . Therefore, for example, if a polarizing plate is disposed on the outer surface of the second substrate, by controlling the alignment state of the liquid crystal with a vertical electric field using a transparent electrode composed of a transparent electrode film portion facing the reflective region of the transflective layer, The intensity of external light emitted as display light via the liquid crystal after reflection can be controlled. On the other hand, at the time of transmissive display, the light source light emitted from the light source and transmitted from the first substrate side through the transmissive region of the semi-transmissive reflective layer is liquid crystal driven by a transparent electrode composed of a transparent electrode film portion facing the transmissive region. Go through the part. That is, a high-quality transmissive display can be performed using a liquid crystal portion driven by a vertical electric field using the transparent electrode. As described above, in both the reflective display and the transmissive display, the liquid crystal layer and the transflective plate are interposed between the conventional Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-042771 and Japanese Patent Laid-Open No. 8-292413. Due to the presence of the transparent substrate, there is no occurrence of double reflections or display blurring, and it is possible to obtain sufficient color even when colored, and at the same time, it is possible to drive the liquid crystal well in a vertical electric field. Therefore, the alignment direction of the liquid crystal becomes uniform in each dot or each pixel, and deterioration of display quality due to disorder of the alignment direction can be prevented.
[0014]
As a driving method of the transflective liquid crystal device of the present invention, a known method such as a passive matrix driving method, a TFT (Thin Film Transistor) active matrix driving method, a TFD (Thin Film Diode) active matrix driving method, a segment driving method, or the like is known. Various driving methods can be employed. At this time, since the voltage-reflectance (transmittance) characteristics of the liquid crystal cell are often different between the reflective display and the transmissive display, the drive voltage is different between the reflective display and the transmissive display. It is preferable to optimize with. In addition, on the second substrate, a plurality of striped or segmented transparent electrodes are appropriately formed according to the driving method, or a transparent electrode is formed on almost the entire surface of the second substrate. Or you may drive by a horizontal electric field parallel to the board | substrate between the transparent electrodes on a 1st board | substrate, without providing a counter electrode on a 2nd board | substrate. Further, in the liquid crystal device, a polarizing plate, a retardation plate, and the like are appropriately disposed on the opposite side of the liquid crystal layer of the first substrate and the second substrate depending on the display method. As light sources that are turned on during transmissive display, LED (Light Emitting Diode) elements, EL (Electro-Luminescence) elements, and the like are suitable for small liquid crystal devices. A fluorescent tube that introduces light from the side via a light plate is suitable.
[0015]
In one aspect of the transflective liquid crystal device of the present invention, the transflective layer includes a plurality of reflective films that are separated from each other when viewed in a plan view from a direction perpendicular to the second substrate. The transparent electrode film is provided at a position facing the gap between the plurality of reflection films and a position facing the plurality of reflection films.
[0016]
In particular, according to this aspect, like the above-described transflective liquid crystal device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-318929, a minute defect portion or a minute feature that causes a complicated device configuration or a manufacturing process. Since a transflective layer can be formed without providing a large number of openings, it is practically advantageous and device reliability and manufacturing yield can be improved. Furthermore, an opening is provided as in the transflective liquid crystal device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-318929, Japanese Patent Application No. 10-23656 invented by the applicant of the present application described above, and the like. The electric field for driving the liquid crystal is not distorted obliquely in the vicinity of the opening by the pixel electrode that also serves as the reflection plate, so that no alignment failure of the liquid crystal is caused and finally a high-quality image display becomes possible.
[0017]
In another aspect of the transflective liquid crystal device of the present invention, the transflective layer comprises a reflective film provided with a plurality of openings capable of transmitting light from the first substrate side, and the transparent The electrode film is provided at a position not facing the opening and a position facing the opening.
[0018]
In particular, according to this aspect, the opening portion is provided as in the above-described transflective liquid crystal device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-318929 or Japanese Patent Application No. 10-23656 invented by the applicant of the present application. The pixel electrode that doubles as a reflector prevents the electric field for driving the liquid crystal from being obliquely distorted in the vicinity of the opening, thus preventing the liquid crystal from being poorly aligned and finally displaying a high-quality image. It becomes.
[0019]
In another aspect of the transflective liquid crystal device of the present invention, a retardation plate is further provided between the light source and the first substrate.
[0020]
According to this aspect, since the retardation plate is provided, good display control can be performed in both the reflective display and the transmissive display. More specifically, an optical element such as a polarizing plate and a retardation plate provided on the second substrate side reduces the influence on color tone such as coloring caused by wavelength dispersion of light during reflection display, and The retardation plate provided between the light source and the first substrate can reduce the influence on the color tone such as coloring due to the wavelength dispersion of the light during transmissive display. Furthermore, the optical characteristics of the optical element such as a polarizing plate and a retardation plate provided on the second substrate side, the liquid crystal layer and the transflective layer are set so as to increase the contrast at the time of reflective display. High contrast characteristics can be obtained in both the reflective display and the transmissive display by setting the optical characteristics of the retardation plate provided between the light source and the first substrate to increase the contrast in the transmissive display. Can do.
[0021]
In order to solve the above problems, a reflective liquid crystal device of the present invention is sandwiched between a first substrate, a transparent second substrate disposed opposite to the first substrate, and the first and second substrates. A liquid crystal, a reflective layer disposed on a side of the first substrate facing the second substrate, a transparent second insulating film disposed on the reflective layer, and a second insulating film disposed on the second insulating film; A transparent electrode film; a transparent first insulating film disposed on the transparent electrode film; and an alignment film disposed on the first insulating film.
[0022]
According to the reflective liquid crystal device of the present invention, the laminated body including the reflective layer, the second insulating film, the transparent electrode film, the first insulating film, and the alignment film is provided on the first substrate. Here, since the reflective layer and the transparent electrode film are insulated from each other by the second insulating film, the planar pattern of the reflective layer is restricted by the planar pattern of the transparent electrode (pixel electrode) made of the transparent electrode film. Therefore, it is possible to drive the liquid crystal portion through which the reflected external light passes by a vertical electric field in a direction perpendicular to the substrate. Furthermore, since the transparent electrode film and the alignment film are insulated from each other by the first insulating film, there is a possibility that defects such as leakage or short circuit may occur in the transparent electrode (pixel electrode) made of the transparent electrode film or its wiring. And the overall reliability of the device is increased.
[0023]
According to the reflective liquid crystal device configured as described above, when external light is incident from the second substrate side, the reflective layer provided on the first substrate via the transparent second substrate and the liquid crystal, The light is reflected by the laminate composed of the second insulating film, the transparent electrode film, the first insulating film, and the alignment film, and is emitted again from the second substrate side through the liquid crystal and the second substrate. Therefore, for example, if a polarizing plate is arranged on the outer surface of the second substrate, the orientation state of the liquid crystal is controlled by a vertical electric field using a transparent electrode composed of a transparent electrode film portion facing the reflective layer, so that the liquid crystal is reflected after reflection. Thus, the intensity of external light emitted as display light can be controlled. In this way, due to the presence of the transparent substrate between the liquid crystal layer and the reflecting plate, there is no occurrence of double reflection or display blurring, and sufficient color development can be obtained even when colored, As described above in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-114799, it is possible to obtain a high refractive index without providing a two-layer or multi-layer laminate of a high refractive film and a low refractive film on the pixel electrode. It is also possible to simplify the structure and the device configuration and the manufacturing process. Furthermore, it becomes possible to drive the liquid crystal satisfactorily with a vertical electric field, so that the alignment direction of the liquid crystal becomes uniform in each dot or each pixel, and display quality deterioration due to disturbance of the alignment direction can be prevented.
[0024]
As a driving method of the reflective liquid crystal device of the present invention, various known driving methods such as a passive matrix driving method, a TFT active matrix driving method, a TFD active matrix driving method, and a segment driving method can be adopted. In addition, a plurality of stripe-shaped or segment-shaped transparent electrodes are appropriately formed on the second substrate according to the driving method, or a transparent electrode is formed on almost the entire surface of the second substrate. Or you may drive by a horizontal electric field parallel to the board | substrate between the transparent electrodes on a 1st board | substrate, without providing a counter electrode on a 2nd board | substrate. Further, in the liquid crystal device, a polarizing plate, a retardation plate, and the like are appropriately disposed on the opposite side of the liquid crystal layer of the first substrate and the second substrate depending on the display method.
[0025]
In one aspect of the transflective or reflective liquid crystal device of the present invention, the refractive index n of the first insulating film2Is the refractive index n of the alignment film1And the refractive index n of the transparent electrode filmThreeAnd the refractive index n of the second insulating film.FourIs the refractive index n of the alignment film1And the refractive index n of the transparent electrode filmThreeEach of which is set to be smaller than the thickness d of the first insulating film.2Is set within the range of 50 to 100 nm, and the optical film thickness n of the transparent electrode filmThreeXdThree(However, dThreeIs the film thickness of the transparent electrode film) is 275 or less, the optical film thickness n of the second insulating filmFourXdFour(However, dFourIs the thickness of the second insulating film) is {−0.59 × (nThreeXdThree) +200} ± 80, and the transparent electrode film has an optical film thickness n.ThreeXdThreeIs 275 or more and 550 or less, the optical film thickness n of the second insulating filmFourXdFourIs {−0.57 × (nThreeXdThree) The refractive index and film thickness of the first and second insulating films, the transparent electrode film, and the alignment film are set so as to be within the range of +360} ± 80.
[0026]
According to the researches and simulations of the inventors of the present application, it is composed of a transflective layer or reflective layer, a second insulating film, a transparent electrode film, a first insulating film, and an alignment film on the first substrate facing the liquid crystal. The reflectance with respect to external light in the laminate has wavelength dependency and changes depending on the refractive index and film thickness of each of these films. The reflectance of the laminate on the first substrate with respect to light having a wavelength of 550 nm corresponding to green light, which is highly sensitive to human vision and determines the brightness of the display image, is the refraction of the first insulating film. Rate n2The refractive index n of the alignment film1And the refractive index n of the transparent electrode filmThreeAnd the refractive index n of the second insulating film.FourThe refractive index n of the alignment film1And the refractive index n of the transparent electrode filmThreeAre set smaller than each other, and the thickness d of the first insulating film is further reduced.2Is set to 50 to 100 nm, it is almost constant regardless of the refractive index and film thickness of the first insulating film and the alignment film, and mainly the refractive index and film thickness of the transparent electrode film and the second insulating film. It has been found to depend. More specifically, with this setting, the optical film thickness (that is, the refractive index n) of the second insulating film.FourX Film thickness dFour), The reflectivity of the laminate periodically fluctuates from about 87% to about 90 to 93% and the bottom from about 80 to 85%, with the tendency of the fluctuation being transparent. Optical film thickness n of electrode filmThreeXdThreeIs different between 275 or less and 275 or more and 550 or less. That is, the optical film thickness n of the second insulating film for relatively increasing the reflectance that fluctuates about 87% in this way (higher than about 87%, which is the center of fluctuation).FourXdFourThe optical film thickness n of the transparent electrode filmThreeXdThreeIs less than 275, the optical film thickness n of the second insulating filmFourXdFourIs {−0.59 × (nThreeXdThree) +200} ± 80. Also, the optical film thickness n of the transparent electrode filmThreeXdThreeIs 275 or more and 550 or less, the optical film thickness n of the second insulating filmFourXdFourIs {−0.57 × (nThreeXdThree) +360} ± 80. However, in this aspect, the refractive indexes and film thicknesses of the first and second insulating films, the transparent electrode film, and the alignment film are set so that these conditions for efficiently increasing the reflectance of the laminate are satisfied. Each is set.
[0027]
As a result of the above, according to this aspect, in particular, a high reflectance with respect to external light (particularly light having a wavelength of around 550 nm) incident on the first substrate through the liquid crystal can be obtained. The problem that a sufficient reflectivity cannot be obtained at the time of reflective display as in the transflective liquid crystal device described in Japanese Patent Application No. 10-160866 invented by the Japanese Patent Application No. 10-160866 has been solved. High-quality image display with a bright display becomes possible.
[0028]
In this embodiment, the film thickness d of the transparent electrode filmThreeHowever, it may be set to 30 to 270 nm.
[0029]
With this configuration, the film thickness d of the transparent electrode filmThreeIs set to 30 to 270 nm, so that reflection of external light in the laminate composed of the semi-transmissive reflective layer or reflective layer, the second insulating film, the transparent electrode film, the first insulating film, and the alignment film on the first substrate is performed. The rate can be increased efficiently by satisfying various conditions regarding the refractive index and film thickness of each film as described above.
[0030]
In another aspect of the transflective or reflective liquid crystal device of the present invention, the transparent electrode film is made of an ITO film.
[0031]
According to this aspect, since the transparent electrode film only needs to be formed from the ITO film, the transflective layer or the reflective layer on the first substrate, the second insulating film, and the relatively easy manufacturing process and relatively low cost. It becomes possible to efficiently increase the reflectance with respect to external light in the laminate including the transparent electrode film, the first insulating film, and the alignment film.
[0032]
In another aspect of the transflective or reflective liquid crystal device of the present invention, each of the first and second insulating films contains silicon oxide as a main component.
[0033]
According to this aspect, since it is only necessary to form the transparent first and second insulating films mainly composed of silicon oxide, the transflective reflection on the first substrate can be performed with a relatively easy manufacturing process and at a relatively low cost. The reflectance with respect to the external light in the laminated body which consists of a layer or a reflection layer, a 2nd insulating film, a transparent electrode film, a 1st insulating film, and an orientation film can be raised.
[0034]
In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described transflective or reflective liquid crystal device according to the present invention.
[0035]
According to the electronic apparatus of the present invention, a transflective liquid crystal device or a bright reflective display that can switch between a bright reflective display and a transmissive display without causing double reflection due to parallax or blurring of the display can be displayed. It is possible to realize various electronic devices such as a mobile phone, a wristwatch, an electronic notebook, and a notebook computer using a reflective liquid crystal device that can be used.
[0036]
Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.
[0037]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0038]
(First embodiment)
First, the configuration of the first embodiment of the liquid crystal device according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, the present invention is applied to a reflective liquid crystal device of a passive matrix driving system. FIG. 1 is a schematic plan view showing a state in which the reflective liquid crystal device is viewed from the counter substrate side with the color filter formed on the counter substrate removed for convenience, and FIG. 2 is an AA diagram of FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a reflective liquid crystal device showing a cross section including a color filter. In FIG. 1, for convenience of explanation, the striped electrodes are schematically shown in six vertical and horizontal directions, but in reality, there are a large number of electrodes. In FIG. 2, each layer and each member are illustrated on the drawing. The scale is different for each layer and each member so that the size can be recognized by.
[0039]
1 and 2, the reflective liquid crystal device according to the first embodiment includes a
[0040]
Since the
[0041]
The
[0042]
The
[0043]
Each of the
[0044]
The
[0045]
The sealing
[0046]
The
[0047]
In the first embodiment, in particular, the refractive index n of the
[0048]
The first insulating
[0049]
Here, the laminate in the system in which the laminate composed of the
[0050]
Here, the following simulation is performed by the method of Louard.
[0051]
First, in general, the refractive index n of an absorber such as a metal film or a semiconductor film*Is represented by a complex number as in the following equation.
[0052]
n*= N-ik
Where n and k are optical constants of the absorber
These optical constants n and k are unique to each absorber and have wavelength dependency. It also varies depending on the film forming conditions and the film thickness. Therefore, once the absorber and its film formation conditions and film thickness are determined, it can be uniquely determined by empirical, experimental or simulation. Here, FIG. 3 shows an example of a chart for obtaining optical constants n and k for aluminum constituting the
[0053]
In FIG. 3, the horizontal axis indicates the wavelength of light (nm), the vertical axis indicates the optical constants n (left side) and k (right side), and the solid curve indicates the wavelength dependence of the optical constant n. The dotted curve is a curve showing the wavelength dependence of the optical constant k. Accordingly, for aluminum, for example, if the wavelength is 650 nm (red light), as indicated by the arrow in the chart, n = 1.3 is obtained by tracing the intersection of the solid curve and the wavelength of 650 nm, for example, If the wavelength is 700 nm, as indicated by an arrow in the chart, k = 6.8 can be obtained by following the intersection of the dotted curve and the wavelength of 700 nm. The optical constants n and k can be easily obtained for the wavelength of light.
[0054]
Next, the laminate including the
r = (r1+ Rae-i θ 1) / (1 + r1rae-i θ 1)
However,
ra= (R2+ Rbe-i θ 2) / (1 + r2rbe-i θ 2)
rb= (RThree+ Rce-i θ Three) / (1 + rThreerce-i θ Three)
rc= (RFour+ RFivee-i θ Four) / (1 + rFourrFivee-i θ Four)
r1= (N1-N0) / (N1+ N0)
r2= (N2-N1) / (N2+ N1)
rThree= (NThree-N2) / (NThree+ N2)
rFour= (NFour-NThree) / (NFour+ NThree)
rFive= (N−nFive-Ik) / (n + nFive-Ik)
θ1= 4πn1d1/ Λ
θ2= 4πn2d2/ Λ
θThree= 4πnThreedThree/ Λ
θFour= 4πnFourdFour/ Λ
Therefore, the energy reflectivity R (= reflectance) is calculated by substituting the refractive index and film thickness of each film into the above θ.1~ ΘFourAnd r1~ RFiveIs calculated first, then these values are substituted into raTo rcSequentially compute the values of r1And raR is calculated by substituting, and the obtained amplitude reflectance r is multiplied by the conjugate complex number of r.
[0055]
Next, the reflection of the laminated body composed of the
[0056]
Refractive index n of the
Refractive index n of
Refractive index n of the first insulating
Refractive index n of
Refractive index n of the second insulating
Film thickness d of
Film thickness d of first insulating
The film thickness d of the second insulating
[0057]
As shown in FIGS. 4 and 5, the film thickness d of the second insulating film 13.Four, The reflectance R of this laminate changes periodically in a trigonometric manner with the center value of about 87%, the upper part is about 90 to 93% and the lower part is about 80 to 85%. Therefore, if the
[0058]
From this point of view, in the present embodiment, the film thickness d of the second insulating
[0059]
The film thickness d of the second insulating
[0060]
The film thickness d of the
[0061]
Here, from FIG. 7, the change tendency of the upper limit line, the lower limit line, and the optimum line indicates the optical film thickness n of the transparent electrode 11.ThreeXdThreeIs different from 275 or less and 275 or more and 550 or less. That is, the optical film thickness n of the second insulating
[0062]
(A) Optical film thickness n of the
Optical film thickness n of the second insulating
{−0.59 × (nThreeXdThree) +200} +80
Optical film thickness n of the second insulating
{−0.59 × (nThreeXdThree) +200} −80.
[0063]
These results are shown in the upper graph of FIG. 8 together with the optimum line.
[0064]
(B) Optical film thickness n of the
Optical film thickness n of the second insulating
{−0.57 × (nThreeXdThree) +360} +80
Optical film thickness n of the second insulating
{−0.57 × (nThreeXdThree) +360} −80.
[0065]
These results are shown in the lower graph of FIG.
[0066]
As shown in FIG. 8, according to this simulation, external light (in the laminate including the
[0067]
The film thickness d of the
[0068]
Moreover, according to the present embodiment, the
[0069]
In addition, if the
[0070]
In the first embodiment, as described above, the first insulating
[0071]
In the first embodiment described above, the first insulating
[0072]
In the first embodiment described above, the terminal portion drawn to the terminal region on the
[0073]
In addition, on the side of the
[0074]
Next, the operation of the reflective liquid crystal device of the first embodiment configured as described above will be described with reference to FIG.
[0075]
In FIG. 2, when external light enters from the
[0076]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the liquid crystal device according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the present invention is applied to a transflective liquid crystal device. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the second embodiment. Components similar to those in the first embodiment shown in FIG. Omitted.
[0077]
In FIG. 9, the transflective liquid crystal device according to the second embodiment includes a
[0078]
The
[0079]
Here, the electric field applied to the
[0080]
As shown in FIG. 10, in the comparative example, when the
[0081]
On the other hand, as shown in FIG. 11, in the second embodiment, when using the
[0082]
Here, various specific examples of the opening of the
[0083]
As shown in FIG. 12 (a), four rectangular slots may be arranged for each pixel in four directions, and four rectangular slots are arranged side by side for each pixel as shown in FIG. 12 (b). Alternatively, a large number of circular apertures may be discretely arranged for each pixel as shown in FIG. 12 (c), or one relatively large rectangular slot for each pixel as shown in FIG. 12 (d). May be arranged. Such an opening can be easily produced by a photo process / development process / peeling process using a resist. The planar shape of the opening 111a may be a square shape, a polygonal shape, an elliptical shape, an irregular shape, or a slit shape extending over a plurality of pixels. Further, it is possible to open the opening at the same time when the reflective layer is formed, and in this way, it is not necessary to increase the number of manufacturing steps. In any shape, the diameter of the opening is 0.01 μm or more and 20 μm or less, and the opening is formed with an area ratio of 5% or more and 30% or less with respect to the reflective layer. preferable.
[0084]
Alternatively, such a
[0085]
In FIG. 9 again, the
[0086]
As described above, in the second embodiment, the
[0087]
Furthermore, the optical characteristics of the
[0088]
As described above, the optical properties of the
[0089]
In FIG. 13, the
[0090]
In FIG. 14, the
[0091]
As described with reference to FIGS. 13 and 14, the liquid crystal device of the present invention includes the
[0092]
In the second embodiment, the refractive index n of the first insulating
[0093]
In addition, according to the present embodiment, compared to the traditional transflective liquid crystal device that reflects by the transflective plate provided outside the first substrate, the
[0094]
Next, the operation of the transflective liquid crystal device of the second embodiment configured as described above will be described with reference to FIG.
[0095]
First, the reflective display will be described. In this case, as in the case of the first embodiment, when external light is incident from the
[0096]
Next, transmissive display will be described. In this case, when light source light enters from the lower side of the
[0097]
In the first and second embodiments, the surfaces of the reflecting
[0098]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the liquid crystal device according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the third embodiment, the present invention is applied to a TFD active matrix driving type transflective liquid crystal device.
[0099]
First, the configuration in the vicinity of the TFD driving element used in this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 15 is a plan view schematically showing the TFD drive element together with the pixel electrode and the like, and FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ in FIG. 15. In FIG. 16, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member recognizable on the drawing.
[0100]
15 and 16, the
[0101]
The TFD array substrate 10 'is made of an insulating and transparent substrate such as glass or plastic, or an opaque semiconductor substrate. As described above, in the present embodiment, the second insulating
[0102]
Particularly in the present embodiment, the
[0103]
Further, on the side facing the liquid crystal such as the
[0104]
As described above, several examples of the TFD driving element as the two-terminal type non-linear element have been described. The two-terminal nonlinear element having this can be applied to the transflective liquid crystal device of this embodiment.
[0105]
Next, the configuration and operation of the TFD active matrix drive type reflective liquid crystal device, which is the second embodiment configured by including the TFD drive element configured as described above, will be described with reference to FIGS. To do. FIG. 17 is an equivalent circuit diagram showing the liquid crystal element together with the drive circuit, and FIG. 18 is a partially broken perspective view schematically showing the liquid crystal element.
[0106]
17, in the TFD active matrix driving type liquid crystal device, a plurality of
[0107]
In each matrix pixel region, the
[0108]
18, the transflective liquid crystal device includes a
[0109]
The
[0110]
As described above, according to the TFD active matrix driving type transflective liquid crystal device of the second embodiment, an electric field is sequentially applied to the liquid crystal portion of each
[0111]
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the liquid crystal device according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the fourth embodiment, the present invention is applied to a TFT active matrix driving type transflective liquid crystal device. FIG. 19 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix that constitutes an image display area of the liquid crystal device. FIG. 20 shows data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like. FIG. 21 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups of the TFT array substrate, and FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. In FIG. 21, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing.
[0112]
In the TFT active matrix type transflective liquid crystal device of the fourth embodiment shown in FIG. 19, a plurality of
[0113]
In FIG. 20, a matrix-like pixel electrode 62 (the
[0114]
As shown in FIG. 20, the liquid crystal device includes a
[0115]
On the other hand, the
[0116]
The
[0117]
Thus, the
[0118]
Further, a first
[0119]
In FIG. 21, the
[0120]
The
[0121]
As described above, according to the TFT active matrix driving type transflective liquid crystal device of the fourth embodiment, an electric field is sequentially applied to the liquid crystal portion of each
[0122]
(Fifth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the reflective liquid crystal device according to the present invention will be described with reference to FIG. The fifth embodiment includes various electronic devices to which the above-described reflective or transflective liquid crystal device according to the first to fourth embodiments of the present invention is applied.
[0123]
First, when the liquid crystal device according to the first to fourth embodiments is applied to the
[0124]
Further, when applied to the display unit 1101 of the
[0125]
Further, in a personal computer (or information terminal) 1200 as shown in FIG. 22C, when applied to a
[0126]
In addition to the electronic equipment shown in FIG. 22, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, an electronic notebook, a calculator, a word processor, an engineering workstation (EWS), a video phone, The reflective or transflective liquid crystal device according to the first to fourth embodiments can also be applied to electronic devices such as a POS terminal and a device equipped with a touch panel.
[0127]
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be implemented by appropriately changing the embodiment without departing from the scope of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view showing a passive-matrix-drive-type reflective liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention when viewed from the counter substrate side with the color filter formed on the counter substrate removed for convenience. It is.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a reflective liquid crystal device showing a cross-section A-A ′ of FIG. 1 including a color filter.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing an example of a chart for obtaining optical constants n and k for aluminum constituting the reflector in the first embodiment.
FIG. 4 is a characteristic diagram (part 1) showing a relationship between a film thickness of a second insulating film and a reflectance with respect to each film thickness of a transparent electrode obtained by simulation in the first embodiment.
FIG. 5 is a characteristic diagram (part 2) showing the relationship between the film thickness of the second insulating film and the reflectance for each film thickness of the transparent electrode obtained by simulation in the first embodiment.
6 is a graph for obtaining a high reflectivity together with an optimum line indicating the thickness of the second insulating film for obtaining the highest reflectivity for each film thickness of the transparent electrode based on the simulation results of FIGS. 5 and 6; FIG. It is a characteristic view which shows the upper limit line which shows a range, and a lower limit line.
7 is a characteristic diagram showing the optimum line, upper limit line, and lower limit line in FIG. 6 in terms of optical film thickness. FIG.
FIG. 8 is a characteristic diagram showing a linear approximation of the optimum line and the upper limit line and lower limit line in FIG.
FIG. 9 is a schematic plan view of a passive matrix driving type transflective liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a conceptual diagram schematically showing a state of an electric field applied to a liquid crystal layer by a transflective electrode having a single layer structure in a comparative example.
FIG. 11 is a conceptual diagram schematically showing a state of an electric field applied to a liquid crystal layer by a transparent electrode laminated on a transflective plate in the second embodiment.
FIG. 12 is an enlarged plan view showing various specific examples relating to the opening provided in the transflective layer of the second embodiment.
FIG. 13 is a conceptual diagram illustrating an example of a setting pattern of suitable optical characteristics in the second embodiment.
FIG. 14 is a conceptual diagram showing another example of a setting pattern of suitable optical characteristics in the second embodiment.
FIG. 15 is a plan view schematically showing a TFD drive element used in a TFD active matrix drive type liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention, together with a pixel electrode and the like.
16 is a cross-sectional view along B-B ′ in FIG. 15;
FIG. 17 is an equivalent circuit diagram showing an equivalent circuit of a pixel portion of a liquid crystal device according to a third embodiment together with a peripheral drive circuit.
FIG. 18 is a partially broken perspective view schematically showing a liquid crystal device according to a third embodiment.
FIG. 19 is an equivalent circuit diagram of a pixel portion of a TFT active matrix driving type liquid crystal device according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 20 is a plan view of a pixel portion of a liquid crystal device according to a fourth embodiment.
FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line C-C ′ of FIG. 20;
FIG. 22 is an external view of various electronic devices according to a fifth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
10 ... 1st board
11 ... Transparent electrode
12 ... 1st insulating film
13 ... 2nd insulating film
14 ... Reflector
15 ... Alignment film
20 ... second substrate
25 ... Alignment film
31 ... Sealing material
32 ... Sealing material
111 ... transflective plate
Claims (6)
前記第1絶縁膜の屈折率n2は、前記配向膜の屈折率n1及び前記透明電極膜の屈折率n3よりも夫々小さく設定されており、
前記第2絶縁膜の屈折率n4は、前記配向膜の屈折率n1及び前記透明電極膜の屈折率n3よりも夫々小さく設定されており、
前記第1絶縁膜の膜厚d2は、50〜100nmの範囲内に設定されており、
前記透明電極膜の光学膜厚n3×d3(但し、d3は、透明電極膜の膜厚)が275以下のときには、前記第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4(但し、d4は、第2絶縁膜の膜厚)は、{−0.59×(n3×d3)+200}±80の範囲内に有り、且つ前記透明電極膜の光学膜厚n3×d3が275以上550以下のときには、前記第2絶縁膜の光学膜厚n4×d4は、{−0.57×(n3×d3)+360}±80の範囲内に有るように、前記第1及び第2絶縁膜、前記透明電極膜及び前記配向膜の屈折率及び膜厚が夫々設定されていることを特徴とする液晶装置。A transparent first substrate, a transparent second substrate disposed opposite to the first substrate, a liquid crystal sandwiched between the first and second substrates, and the second substrate of the first substrate facing the second substrate. A reflective layer disposed on the side, a transparent second insulating film disposed on the reflective layer, a transparent electrode film for controlling an alignment state of the liquid crystal disposed on the second insulating film, and the transparent A liquid crystal device comprising a transparent first insulating film disposed on an electrode film, and an alignment film disposed on the first insulating film,
The refractive index n 2 of the first insulating film is set smaller than the refractive index n 1 of the alignment film and the refractive index n 3 of the transparent electrode film,
The refractive index n 4 of the second insulating film is set smaller than the refractive index n 1 of the alignment film and the refractive index n 3 of the transparent electrode film,
Thickness d 2 of the first insulating film is in the range of 50 to 100 nm,
When the optical film thickness n 3 × d 3 (where d 3 is the film thickness of the transparent electrode film) of the transparent electrode film is 275 or less, the optical film thickness n 4 × d 4 (however, d 4 is the thickness of the second insulating film) within the range of {−0.59 × (n 3 × d 3 ) +200} ± 80, and the optical film thickness n 3 × d of the transparent electrode film. When 3 is 275 or more and 550 or less, the optical film thickness n 4 × d 4 of the second insulating film is in a range of {−0.57 × (n 3 × d 3 ) +360} ± 80, The liquid crystal device according to claim 1, wherein the first insulating film, the second insulating film, the transparent electrode film, and the alignment film have respective refractive indexes and film thicknesses.
前記透明電極膜は、前記複数の反射膜の間隙に対向する位置及び前記複数の反射膜に対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶装置。A light source is provided on the opposite side of the first substrate from the liquid crystal, and the reflective layer is composed of a plurality of reflective films that are separated from each other when viewed in a plan view from a direction perpendicular to the second substrate.
3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the transparent electrode film is provided at a position facing a gap between the plurality of reflection films and a position facing the plurality of reflection films.
前記透明電極膜は、前記開口部に対向しない位置及び前記開口部に対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶装置。A light source is provided on the opposite side of the first substrate from the liquid crystal, and the reflective layer is formed of a reflective film provided with a plurality of openings that can transmit light from the first substrate side.
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the transparent electrode film is provided at a position not facing the opening and a position facing the opening.
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