JP3774724B2 - 発光体基板および画像表示装置、並びに該画像表示装置を用いた情報表示再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、電界放出型電子放出素子や表面伝導型電子放出素子などの電子放出素子を用いた画像表示装置、および、その画像表示装置に用いる発光体基板に関する。特に、同一基板面上に高電位が印加される電極と低電位が印加される電極が狭い間隔を置いて配置されている発光体基板、および、それを用いたテレビジョンなどの情報表示再生装置に関する。

従来から電界放出型電子放出素子や表面伝導型電子放出素子などの電子放出素子を多数備えた基板と、電子放出素子から放出された電子が照射されることにより発光する蛍光体などの発光体を備えた発光体基板と、を対向するように配置して所謂フラットパネルディスプレイなどの画像表示装置を形成する試みがなされている。

このような画像表示装置を構成する発光体基板は、一般に、透明な絶縁性基板上に、蛍光体などの発光体と、この発光体を被う（或いは発光体と上記透明な基板との間に配置された）アノード電極とを備える。アノード電極は、薄い導電膜から構成され、発光体を被う様に配置される場合には「メタルバック」と呼ばれる。尚、アノード電極の役割は、電子放出素子から放出された電子を加速させながら引き寄せ、アノード電極に接する発光体に電子を照射させることにある。また、表示画像をより鮮明にする等のために、「ブラックマトリクス」や「ブラックストライプ」などと呼ばれる光吸収層を更に備える場合もある。光吸収層を備える場合には、光吸収層に設けられた開口内に発光体が配置される。

上記したフラットパネルディスプレイにおいては、輝度が高く、高精細な画像を得るために、電子放出素子が配置された基板と発光体基板との間隔を１ｍｍから１０ｍｍに維持し、そして、両基板間（典型的にはアノード電極と電子放出素子間）に１０ｋＶ以上３０ｋＶ以下の電圧が印加されることが好ましい。

このような狭い間隔に高い電圧を印加する場合においては、アノード電極の周囲での放電の発生を抑制するため等の目的で、アノード電極をとり囲む様に、アノード電極に印加される電位よりも低い電位が印加される導電膜を配置することが提案されている（特許文献１〜５参照）。

そして、その中には、アノード電極と、アノード電極をとり囲む様に配置された導電膜との間の電位を安定させるために、アノード電極と導電膜との間に抵抗膜を配置するものもある。

また、アノード電極と電子放出素子との間での放電の発生を抑制するため等の目的でアノード電極を複数の導電膜から構成することが提案されている（特許文献６、７参照）。
特開２００１−２５０４９４号公報 特開２００２−１００３１３号公報 特開２００２−１５０９７９号公報 特開２００３−３３１７６０号公報 特開平１０−０９７８３５号公報 特開２００２−１７５７６４号公報 特開２００３−２２９０７４号公報

しかしながら、上記従来の手法においては、アノード電極と、発光体層とアノード電極との積層体をとり囲む様に配置された導電膜との間において放電が発生してしまう場合や、あるいは、その構造が複雑になってしまう場合があった。

そこで、本発明では、発光体層とアノード電極との積層体をとり囲む様に配置された導電膜と、アノード電極との間における絶縁耐圧の確保を、より簡単な構造により達成することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するためになされた発明であって、電子線の照射によって発光する発光体と、前記発光体に積層された第１導電膜と、該第１導電膜の外周と間隔を置いて配置され且つ該外周を囲む様に配置された第２導電膜と、を備えたフェイスプレートと、電子放出素子が配置されたリアプレートと、を具備する画像表示装置であって、前記第２導電膜は、前記第１導電膜の前記外周に対向する端部を有し、前記端部の先端の少なくとも一部が誘電体膜で覆われており、前記フェイスプレートと前記リアプレートとの間隔をＨ［μｍ］としたときに、前記誘電体膜が、前記第１導電膜から離れる方向に、前記先端からＬ≧０．０２５×Ｈ＋１５で定義されるＬ［μｍ］まで前記第２導電膜を覆っていることを特徴とする画像表示装置である。

また、本発明は、「前記誘電体膜が、前記端部の先端の全てを覆っていること」をもその特徴とするものである。

また、本発明は、電子線の照射によって発光する発光体と、該発光体に積層された第１導電膜と、該第１導電膜の外周と間隔を置き、且つ、前記第１導電膜の外周を囲むように配置された第２導電膜と、を備えたフェイスプレートと、
電子放出素子が配置されたリアプレートと、前記フェイスプレートと前記リアプレートとの間に、前記第１導電膜と前記第２導電膜を跨いで配置されたスペーサと、を具備する画像表示装置であって、前記第２導電膜は、前記第１導電膜の前記外周に対向する端部を有し、前記端部の先端の少なくとも一部が誘電体膜で覆われており、前記誘電体膜が、前記スペーサと前記第２導電膜との間の領域外に配置されていることを特徴とするものである。

そして、また、本発明の画像表示装置は、「前記第１導電膜の前記外周が四角形状であり、前記第２導電膜が前記第１導電膜の前記外周を構成する４辺の各々に対向し、且つ、前記第１導電膜の前記外周と間隔を置いて配置されることを満たすこと」、「前記第２導電膜に印加される電位が前記第１導電膜に印加される電位よりも低いこと」、「前記第２導電膜が閉環状の導電膜であること」、「前記発光体は、前記フェイスプレート上に配置された複数の開口を有する光吸収層の該複数の開口の各々に配置されており、前記発光体と前記光吸収層とが前記第１導電膜によって覆われていること」、「前記第１導電膜の前記第２導電膜に対向する端部が、誘電体膜によって覆われていること」、「前記誘電体膜の抵抗値が１０ ^８ Ωｍ以上であること」、「前記誘電体膜が、低融点ガラスまたはポリイミドを含むこと」、「前記第１導電膜は、抵抗を介して並列に接続した複数の導電膜を含むこと」、「前記第１導電膜の前記外周に対向する前記第２導電膜の端部の厚さが、前記第２導電膜の平均膜厚よりも薄いこと」、「前記第２導電膜は、複数の導電性膜を積層することで形成されており、前記第１導電膜の前記外周に対向する前記第２導電膜の端部は、階段状に形成されていること」、「前記第２導電膜と前記第１導電膜との間に、電子を捕獲するための電子捕獲構造体が配置されていること」、「前記第１導電膜に印加される電位と前記電子放出素子に印加される電位との差が５ｋＶ以上３０ｋＶ以下であり、前記第２導電膜に印加される電位と前記電子放出素子に印加される電位との差が１ｋＶ以下であること」、「前記画像表示装置は、更に、前記第１導電膜に接続する配線と、該配線と接続する電源を有しており、該配線は、前記第２導電膜と交差せずに、前記画像表示装置の外部に導出されていること」をも特徴とするものである。

さらに、また、本発明は情報表示再生装置であって、受信した放送信号に含まれる映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも１つを出力する受信器と、該受信器に接続された上記した画像表示装置とを少なくとも備える情報表示再生装置であることを特徴とするものである。

本発明によれば、アノード電極とアノード電極を囲む導電膜との間に抵抗膜を配置しなくても、アノード電極とアノード電極を囲む導電膜との間の絶縁耐圧を十分に確保できる。その結果、部材を減らすことができるので、コスト削減につながる。

以下、本発明の実施の形態について、図１（ｂ）、図１（ｃ）、図６、図７、図１０を用いて以下に具体的に説明する。尚、各図において共通する符号の部材は同一の部材を指す。

本発明の発光体基板を用いた画像表示装置を構成する気密容器１００の一例の模式図を図６に示す。尚、図６は、気密容器１００の内部がわかる様に、一部を省いて示している。また、図７には、図６で示した画像表示装置の一部の断面模式図を示す。また、図１（ｂ）は、図７において点線で囲まれたＡ部を拡大した模式図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）において点線で囲まれた部分を拡大した模式図である。

図６および図７中、１００１は多数の電子放出素子１１０１を配置したリアプレートである。各電子放出素子１１０１は、Ｘ方向配線１１０３の１つとＹ方向配線１１０２の１つとに接続されている。尚、図６では、電子放出素子１１０１として表面伝導型電子放出素子を用いた例を示した。しかしながら、本発明の画像表示装置においては、適用することのできる電子放出素子に基本的に制限はない。適用可能な電子放出素子としては、ＭＩＭ型電子放出素子や、ＭＩＳ型電子放出素子や、表面伝導型電子放出素子や、電界放出型電子放出素子を用いることができる。電界放出型電子放出素子としては、金属や半導体からなる円錐状や四角錘状の電子放出体を備えた電界放出型電子放出素子（いわゆるスピント型の電界放出型電子放出素子）や、カーボンナノチューブやグラファイトナノファイバーなどのナノサイズの直径を備えるカーボンファイバーを電子放出体として用いた電界放出型電子放出素子が好ましく用いることができる。

図６および図７中、１００２は透明な絶縁性基板から構成されるフェイスプレートである。フェイスプレートとしては、典型的には、ガラス基板を用いる。フェイスプレートは、横縦比が４：３あるいは１６：９の画像を表示できるように、その外周が実質的に４角形状のもの、特には長方形状のものを用いることが好ましい。

フェイスプレート１００２上には、発光体領域（１３１、１３２、１３３（図１０を用いて後述する））を含む発光体１２０１と、アノード電極１２０２と、第２導電膜１２０４が、少なくとも、配置される。そして、アノード電極１２０２と発光体１２０１は重なる様に配置される。発光体１２０１およびアノード電極１２０２もまた、横縦比が４：３あるいは１６：９の画像を表示できるように、その外周が実質的に４角形状のもの、特には長方形状のものを用いることが好ましい。このため、アノード電極１２０２の外周も、実質的な４角形状を備えることが好ましい。

ここで示す例においては、アノード電極１２０２は、発光体１２０１上に配置されるため、薄膜状の導電膜から構成される。このような発光体上に配置されるアノード電極は、所謂「メタルバック」に相当する。

アノード電極（メタルバック）１２０２の機能としては、電子放出素子１１０１から放出された電子を発光体１２０１に衝突させること、及び、発光体からリアプレート側に放射された発光をフェースプレート１００２側に反射すること等が挙げられる。そのため、メタルバック１２０３は、金属光沢をもつ導電膜すなわち金属膜が好適に使用される。ここで、電子は、メタルバック１２０２を透過して発光体１２０１を励起するため、メタルバック１２０３によりエネルギーを損失する。このエネルギー損失を小さくするために、エネルギー損失の少ないアルミニウム膜をメタルバックに用いることが好ましい。アルミニウム膜で形成されるメタルバック１２０３の作成方法としては、ＣＲＴの分野では公知技術であるフィルミング工程を用いる事ができる。アルミニウム膜の膜厚は実用的には１０ｎｍ以上１μｍ以下であるが、この範囲に限定されるものではない。

メタルバック１２０２は、発光体１２０１を被うことが好ましい。このため、発光体１２０１とメタルバック１２０２からなる積層体が、フェイスプレート１００２上に配置される。

また、本発明においては、アノード電極に相当する部材を「第１導電膜」と呼ぶことができる。そのため、上記した例においては、メタルバック１２０３が「第１導電膜」となる。

第１導電膜１２０２と対向するリアプレート１００１（電子放出素子１１０１や、配線１１０３、１１０２）との間で放電が起こると、両者の間に形成された静電容量により蓄積された電荷に応じた大電流が流れ、画像表示装置に致命的なダメージを与えてしまう。この電流は、画像表示装置の表示面積に比例して大きくなる。そこで、第１導電膜（メタルバック１２０２）は、抵抗を介して並列に接続した複数の導電膜から構成されることが好ましい。第１導電膜を構成する各々の導電膜の面積を小さくすることにより、１つの導電膜とリアプレート１００１との間の静電容量を小さくすることができ、結果、放電電流を小さくすることが可能となり、画像表示装置の放電ダメージを緩和することができる。

尚、本発明では、少なくとも、発光体１２０１と、アノード電極（第１導電膜）１２０２と、第２導電膜１２０４とを備えたフェイスプレート１００２を、「発光体基板」と呼ぶ。

１００３はフェイスプレート１００２とリアプレート１００１との間に配置された側壁であり、フェイスプレート１００２とリアプレート１００１と側壁１００３とを気密に接着し、内部を真空に維持することで気密容器１００が形成される。そして気密容器１００内部は減圧状態（真空状態）に維持される。気密容器１００内部は、好ましくは１０^−７Ｐａ以上の真空度に維持される。しかしながら、用いる電子放出素子の種類などによっては、真空度を上記の値よりも下げることもできる。

また、図１０は、気密容器１００内部において、リアプレート１００１側からフェイスプレート１００２側を見た際の模式図である。尚、この図では、理解を容易にするためメタルバック（第１導電膜）１２０２の領域は斜線で示している。尚、図１（ｂ）は、図７のＡ部の拡大図であるとともに、図１０の線ｂ−ｂ’を通る断面の模式図でもある。

ここで示す例においては、図１０に示すように、発光体１２０１は、赤色を発光する発光体領域１３１と、緑色を発光する発光体領域１３２と、青色を発光する発光体領域１３３とを備えている。そして、各色の発光体領域（１３１〜１３２）間には、「ブラックマトリクス」あるいは「ブラックストライプ」などと呼ばれる光吸収部材（典型的には黒色部材）１２０３が配置されている。尚、各発光体領域は、典型的には、複数の蛍光体粒子で構成することができる。そして、フェイスプレート１００２上に、赤色発光体領域１３１と緑色発光体領域１３２と青色発光体領域１３３とが、予め決められた周期で繰り返し配置されている。本発明においては、発光体１２０１は、実質的に、外周が四角形状に構成されることが好ましい。

光吸収部材（典型的には黒色部材）１２０３は必ずしも必要ではないが、表示画像をより高品位なものにするために設けることが好ましい。尚、図１０に示す例においては、光吸収部材１２０３は、格子状に形成してあり、所謂「ブラックマトリクス」の構造を採用している。換言すると図１０に示す例は、フェイスプレート１００２上に、上記した発光体領域（１３１〜１３３）が配置される領域に対応する開口部が格子状に多数形成された光吸収部材１２０３と、各開口部に上記した発光体領域（１３１〜１３３）が配置されている構造である。尚、上記した「ブラックストライプ」の形態を採用した場合は、光吸収部材１２０３が、Ｘ方向またはＹ方向のどちらか一方に伸びた形状に形成される。つまり、発光体領域（１３１〜１３３）は、Ｘ方向（あるいはＹ方向）には光吸収部材１２０３によって分離されてはいるが、Ｙ方向（あるいはＸ方向）には光吸収部材１２０３によって分離されていない形態となる。光吸収部材１２０３としては、例えば、カーボンブラックや黒色顔料を含有した低融点ガラスなどを用いることができる。また、発光体１２０１は、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法にて形成することができる。

本発明においては、光吸収部材１２０３を導電性材料で構成することもできる。そのような場合においては、メタルバック１２０２の電位と実質的に同等の電位に光吸収部材１２０３の電位が維持される。そのため、メタルバック１２０２及び光吸収部材１２０３が、アノード電極として機能する。このような場合は、アノード電極に相当する第１導電膜が、メタルバック１２０２と光吸収部材１２０３とから構成される事となる。勿論、光吸収部材１２０３を絶縁体で構成すれば、アノード電極として機能する部材はメタルバック１２０２になるので、メタルバック１２０２が第１導電膜となる。

メタルバック１２０２は１μｍ未満の非常に薄い膜（典型的には５０ｎｍ〜４００ｎｍ）であるため、光吸収部材１２０３を導電性材料で構成すれば、メタルバックの電位をメタルバック全面に渡って均一性高く維持することができるので好ましい。また、メタルバック１２０２は、作成方法の関係上、その周辺部の形状が規定しにくい場合がある。そのため、フォトリソグラフィー法などを用いて形成することのできる光吸収部材１２０３を導電性材料で構成することで、アノード電極の端部形状を高精度に制御／規定することができる。その結果、気密容器１００の画像表示領域内の電場の制御性や、画像表示装置の製造における再現性を高めることができる。光吸収部材１２０３を導電性材料で構成する場合は、その材料としては、銀などの金属粒子と低融点ガラスとを含む導電性ペーストや、カーボンブラックなどを用いることができる。更に光吸収層としての機能を向上させるために、黒色顔料を含有させる場合もある。

光吸収部材１２０３は図１０で示す例においては、その面積がメタルバック１２０２の面積よりも大きい場合を示したが、必ずしも光吸収部材１２０３の面積がメタルバック１２０２の面積よりも大きい必要はない。しかし、光吸収部材１２０３は、メタルバック１２０３よりも膜厚を厚く形成するため、上記したように、光吸収部材１２０３を導電性材料で形成した場合には、電源１００６からメタルバック１２０２へ電位を供給するための高圧端子１００５との安定な接続体として機能させることもできる。そのため、光吸収部材１２０３の面積をメタルバック１２０２の面積よりも大きく形成すれば（光吸収部材１２０３の外周よりも内側にメタルバック１２０２の外周が配置されるようにすれば）、光吸収部材１２０３のメタルバック１２０２で覆われていない部分の一部を、アノード電極（第１導電膜）へ電位を供給するための高圧端子１００５との接続部として用いることができる。尚、高圧端子１００５との接続部は、図１０においては、左下の部分の突起部である。このように、図１０では、左下に突起部があるが、このような突起部の面積は、アノード電極の面積に比べてわずかである。従って、このような形態のアノード電極も、実質的に、四角形状の外周を備えるアノード電極と言う事が出来る。

本発明の画像表示装置においては、電源１００６から高圧端子１００５を介して第１導電膜（アノード電極）にアノード電圧（Ｖａ）を印加する（図６参照）。アノード電圧（Ｖａ）の実用的な範囲としては、リアプレート１００１上の電子放出素子１１０１に印加される電位を基準として、典型的には、５ｋＶ以上３０ｋＶ以下、好ましくは１０ｋＶ以上２５ｋＶ以下の範囲から適宜選択される。

そして、本発明においては、第１導電膜の外側の領域での放電を抑制するために、第１導電膜の外周を囲むように、第２導電膜１２０４が配置される（図１０参照）。更に、本発明においては、第２導電膜１２０４は、第１導電膜（アノード電極）とは直接接続しないように設計される。即ち、第１導電膜と第２導電膜１２０４とが間隔を置いて配置される。上記間隔に相当する領域１２０９は、少なくとも第２導電膜１２０４および第１導電膜（アノード電極）によって覆われず（導電膜によって覆われず）、好ましくは、一般に絶縁性が高い部材であるフェイスプレート１００２の表面が露出する。第１導電膜と第２導電膜との間隔は、好ましくは０.５ｍｍ以上１０ｍｍ以下、さらに好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定される。

第２導電膜１２０４の電位は、アノード電極の電位（アノード電圧）よりもリアプレート１００１の表面電位に近いように設定される。即ち、アノード電圧よりも、第２導電膜１２０４の電圧は低く設定される。そして、好ましくは、画像表示装置を駆動する際に、電子放出素子１１０１に印加される電位と第２導電膜１２０４に印加される電位との差が１ｋＶ以下に設定される。そして、典型的には、電子放出素子を駆動する際に印加する電圧の範囲（典型的には−５０Ｖ以上＋５０Ｖ以下）に入っていればよい。更には、簡便さから、ＧＮＤ電位に規定するのがより好ましい。この様に設定することで、第２導電膜１２０４の外側の電界強度は、第１導電膜が正射影される領域（画像表示領域）よりも著しく電界強度を弱めることができる。したがって、第１導電膜（アノード電極）をフェイスプレート１００２側からリアプレート１００１側に向けて正射影した際に含まれる領域の外側にある放電要因（異物・突起など）による放電を防ぐことができる。

本発明においては、図１０に示す様に、第２導電膜１２０４は、アノード電極の四角形状の外周を構成する４辺の夫々に沿うように配置された閉環状（閉ループ状）の導電膜で構成されることが最も好ましい。そのため、閉環状の第２導電膜１２０４は、アノード電極の外周からの距離が実質的に一定になるように、アノード電極の外周と実質的に相似な４角形状の内周を備えることが好ましい。そして、第２導電膜１２０４の外周も、第２導電膜１２０４の内周形状と相似な四角形状を備えることが好ましい。そして、第２導電膜の四角形状の内周と、第１導電膜（アノード電極）の四角形状の外周とが適切な距離を隔てて配置される。従って、この場合においては、第１導電膜の外周と、第２導電膜の外周とが、実質的に相似となる。

尚、図１０では、帯状の第２導電膜１２０４が、第１導電膜（メタルバック１２０２）の四角形状の外周を完全に取り囲む様に、四角形状の内周を備える様に形成した例を示した。しかしながら、本発明においては、例えば、図１４に示す様に、環状の第２導電膜１２０４は、四角形状の内周の４隅において、接続していない（隙間を設けている）構成であっても良い。この様な場合は、第２導電膜が、４つの帯状の導電膜の夫々が、第１導電膜（アノード電極）の四角形状の外周を構成する各々の辺に沿って、配置されることになる。尚、上記４隅に隙間を設ける場合には、アノード電極側から、フェイスプレートの外周が見通せない構成とすることが、フェイスプレート上での電位の安定性の観点（放電抑制の観点）から好ましい。この様に、本発明においては、第２導電膜１２０４は、図１４に示す様に環状であることが好ましく、更には、図１０に示す様に閉環状（閉ループ状）であることが特に好ましい。尚、ここでは、隙間が４隅に配置される場合を示したが、隙間は４隅に限られるものではない。

さらに、本発明における第２導電膜の別の態様としては、図１２や図１３に示す様に、アノード電極の四角形状の外周を構成する４辺のうち、少なくとも、対向する２辺を間に挟むように、第２導電膜１２０４を配置することもできる。即ち、アノード電極の対向する２辺の夫々に沿うように配置された２つの帯状の導電膜によって第２導電膜１２０４を構成し、その２つの帯状の導電膜の間に、アノード電極が挟まれる様に配置する。尚、この場合においても、アノード電極と２つの帯状の導電膜との間は導電性膜によって接続しない（間隙を設ける）。また、図１２や図１３の構成を採用した場合においては、フェイスプレート１００２の表面の平面内において、第２導電膜１２０４に印加される電位によって形成される等電位線（第２導電膜１２０４を通る等電位線）によって、アノード電極の外周が取り囲まれるようにする。

図１２や図１３に示す様な場合においては、フェイスプレート上での電位の安定性の観点（放電抑制の観点）から、上記したアノード電極の外周を構成する４辺のうち、帯状の導電膜に挟まれる、対向する２辺のそれぞれの長さＬ１（Ｗ１）よりも、２つの帯状の導電膜の各々の長さＬ２（Ｗ２）が長く設定されることが好ましい。そして、２つの帯状の導電膜の各々の長さＬ２（Ｗ２）は、フェイスプレート１００２の四角形状の外周を構成する対向２辺のうちの、帯状の導電膜近傍に位置する２辺の各々の長さＬ３（Ｗ３）よりも短く設定されることが好ましい。

尚、本発明においては、上述したように、複数の導電膜から第２導電膜１２０４を構成した場合においては、複数の導電膜の各々に印加する電位は実効的に等しく設定する。

図１０、図１２〜図１４を用いて説明した様に、本発明においては、第２導電膜１２０４によって、少なくとも、アノード電極が挟まれる。尚、第２導電膜１２０４の長さは、アノード電極の外周の１辺の長さ、アノード電極と第２導電膜１２０４との距離、アノード電極に印加される電位と第２導電膜１２０４に印加される電位などに応じて適宜設定される。しかしながら、本発明においては、図１０、図１２〜図１４のいずれの構成を採用した場合においても、フェイスプレート１００２の表面の平面内において、第２導電膜１２０４に印加される電位によって形成される等電位線（第２導電膜１２０４を通る等電位線）によって、アノード電極の外周が取り囲まれる。

第２導電膜１２０４は導電性材料で形成されていれば良いが、例えば、銀などの金属粒子および低融点ガラスからなる導電性ペーストや、カーボンブラックなどを用いることができる。光吸収部材１２０３を導電性材料で形成する場合においては、光吸収部材１２０３と同じ材料で、光吸収部材１２０３と同時に形成することが可能である。なお第２導電膜１２０４は、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法にて形成することができる。

尚、前述したように、光吸収部材１２０１を導電性の材料で形成した場合には、第１導電膜（アノード電極）が、メタルバック１２０２と光吸収部材１２０１とで構成されることになる。そのため、導電性の光吸収部材１２０１の面積がメタルバック１２０２の面積よりも大きい場合（メタルバック１２０２の外周が光吸収部材１２０１の外周の内側に位置する場合）には、図１０に示す様に、第２導電膜１２０４が、光吸収部材１２０１の外周を囲む様に形成される。また、光吸収部材１２０１を十分な絶縁性を備えた材料で形成する場合においては、光吸収部材１２０１を第２導電膜１２０４の下にまで延在させる形態であっても良い。即ちこの形態においては、光吸収部材１２０１上において、第１導電膜（メタルバック１２０２）と第２導電膜１２０４とが、間隔を置いて配置されることになる。

しかしながら、一般に、フェースプレートを構成するガラス基板の絶縁性は高い。そのため、光吸収部材１２０１によって第１導電膜（メタルバック）と第２導電膜１２０４との間の絶縁性を確保するよりも、図１０、図１２〜図１４に示す様に、第２導電膜１２０４を、光吸収部材１２０１の外周を囲む様に、且つ、光吸収部材１２０１の外周と間隔を空けて形成する方が、第１導電膜の外部での放電を抑制する観点からは好ましい。

また、上記したメタルバック１２０２や光吸収部材１２０１以外にフェースプレート１００２上に、アノード電極に相当する導電性部材（アノード電圧が印加される導電性部材）を設けた場合には、本発明においては、そのアノード電極に相当する導電性部材も含めて、「第１導電膜」と呼ぶことができる。

例えば、上記した発光体基板の構成に加えて、発光体１２０１及び光吸収部材１２０１からなる層と、フェースプレート（ガラス基板）１００２との間に、よりアノード電位を安定にするため等の目的で、ＩＴＯや酸化スズなどの透明導電膜を設ける構成も挙げられる。この様な透明導電膜は、スパッタ法や真空蒸着法などの気相プロセスや、微粒子分散溶液のスプレー塗布、スピン塗布、ディッピング、スリットコート、ゾルゲル法などの液相プロセスを用いて形成することができる。上記透明導電膜を上記メタルバック１２０２の代わりにアノード電極として形成した場合には、メタルバックのような光反射層の機能を透明導電膜に持たせることはできなくなるが、構成が単純になり製造コストを少なくすることができる。

この様に、本発明におけるアノード電極（「第１導電膜」）は、メタルバック１２０２や光吸収部材１２０１のみに限定されるものではない。

そして、本発明においては、第２導電膜１２０４の、第１導電膜（アノード電極）に対向する端部が、誘電体膜１２０５で覆われる。

第２導電膜１２０４の端部を覆う誘電体膜１２０５について、図７のＡ部を拡大した図１（ｂ）、図１（ｃ）を用いて以下に詳細に説明する。尚、図１（ａ）は、図１（ｂ）に示した構造から、誘電体膜１２０５を省いた場合を示している。さらに図１（ｂ）の破線で囲んだ領域の拡大図が図１（ｃ）であり、誘電体膜１２０５の効果を示すために、電子の軌跡を矢印で図示してある。

尚、図１（ｂ）、図１（ｃ）では、説明を簡略にするために、第１導電膜（アノード電極）を符号１２０３で表している。つまり、光吸収部材１２０３を導電性の膜で構成し、図１０に示す様な、光吸収部材１２０３の外周の内側にメタルバック１２０２の外周が配置される形態の場合を示している。勿論、前述したように、本発明においては、第１導電膜（アノード電極）は、メタルバック１２０２で構成される場合や、メタルバック１２０２と光吸収部材１２０１とから構成される場合、あるいは、更に他の部材を備える場合などがある。いずれにしても、図１（ａ）、図１（ｂ）では第１導電膜については、第１導電膜（アノード電極）の第２導電膜１２０４側の端部のみを模式的に表している。

本発明における誘電体膜１２０５の機能としては、真空中における、第１導電膜（アノード電極）と第２導電膜１２０４との間の放電（特には沿面放電）の発生を抑制することが挙げられる。

誘電体膜１２０５がない場合（図１（ａ）参照）における、真空中における沿面放電は、（１）第１導電膜（アノード電極）１２０３よりも電位の低い第２導電膜１２０４からの電子放出、（２）放出された電子が誘電体１００２を照射することによる誘電体１００２表面の正帯電、（３）誘電体の電位上昇による、第２導電膜１２０４からの更なる電子放出、の繰り返しにより発生すると考えられる。

すなわち、第２導電膜１２０４からの電界放出電子が、誘電体１００２表面（沿面部）を多重散乱しながら第１導電膜１２０３に向かう現象（二次電子雪崩；Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ａｖａｌａｎｃｈｅ）によって、誘電体１００２表面が正に帯電し、第２導電膜１２０４近傍の電界強度がさらに強くなる、という正帰還を繰り返し放電に至ると考えている。ここで、第２導電膜１２０４からの電界電子放出量は、第２導電膜１２０４表面の電界強度により決まると推測される。

図１（ａ）中の破線は、アノード電極１２０３に印加する電位よりも低い電位を第２導電膜１２０４に印加した際に形成される等電位線を模式的に示している。誘電体（１００２）上に電極（１２０３、１２０４）が配置されたような構造だと、電極の端部近傍で等電位線の間隔が狭くなる（電界強度が強くなる）。その結果、図１（ａ）の１点鎖線の円で囲まれた領域である、電界集中部１４０１が形成されてしまう。このような形状により、平均電界強度（第１導電膜（アノード電極）１２０３と第２導電膜１２０４の電位差を第１導電膜と第２導電膜との距離で除した数値）に対して、電界集中部１４０１がどの程度の電界強度になるかという、所謂電界増倍係数βが１００〜１０００以上にいたる場合もある。

また上述のような電界増倍係数βを大きくする要因として、第２導電膜１２０４の第１導電膜１２０３に対向する端部の平面形状が挙げられる。図１６（ａ）、図１６（ｂ）、図１６（ｃ）に、第２導電膜１２０４の端部形状に凹凸が存在するときの様子を示す。尚、図１６（ｃ）は図１６（ｂ）の点線で囲まれた領域の拡大模式図である。第２導電膜１２０４は、当該個所で放電したときに断線することを防ぐなどの理由から、好ましくは、厚膜プロセスが用いられる。厚膜プロセスの中でも、スクリーン印刷法がペーストの仕様効率や作業の容易性から好適に用いられる。しかしながらスクリーン印刷法などの方法では、図１６（ｂ）に示すように、第２導電膜１２０４の第１導電膜１２０３に対向する端部が凹凸形状になる場合がある。このような場合において、第１導電膜１２０３の電位よりも低い電位を第２導電膜１２０４に印加した際の電位分布を図１６（ｃ）に示す。図１６（ｃ）中、点線は等電位線を模式的に示しており、第２導電膜１２０４の端部に、第１導電膜に向かった凸部が存在すると、その凸部先端近傍で等電位線の間隔が狭くなる（電界強度が強くなる）。これに対し、図１７（ａ）、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）に示すように、第２導電膜１２０４を積層した複数の導電性膜（１２０７、１２０８）で形成することにより、電界集中を防ぐ構造を用いることができる。このような構成によれば、第２導電膜１２０４の第１導電幕１２０３側の端部を階段状に形成される。さらに、例えば、図１７（ａ）における導電性膜１２０７の、第１導電膜１２０３側の端部に凹凸がでないようなプロセスで作製することにより、図１７（ｃ）に示すような等電位線を形成することができる。その結果、図１６(ｃ)に示したような電界集中を防ぐことができる。導電性膜１２０７の作製プロセスとしては、薄膜プロセスが挙げられる。マスク成膜法やフォトリソグラフィー法などが好適に使用できる。このような平面状の凹凸による電界集中の度合いは、ほぼ凸形状先端の曲率半径ｒと凸形状の長さｈの比（ｈ／ｒ）によりあらわされる。そのため、第２導電膜１２０４の第１導電膜１２０３側の端部は、いずれの場所においても、好ましくはｈ／ｒが１００以下、更に好ましくはｈ／ｒが１０以下であることが好ましい。この範囲にあると、電界集中を緩和することができる。

本発明においては、第２導電膜１２０４の、第１導電膜（メタルバック１２０２）に対向する端部を誘電体膜１２０５で覆うことにより、以下の２つの理由で、上記した放電（特には沿面放電）の発生を抑制するものである。

（１）誘電体膜１２０５がない場合（図１（ａ）参照）に形成される電界集中部１４０１を覆い、当該個所の電界強度を緩和することができるとともに、電界集中部１４０１からの電子放出を防ぐことができる。

（２）誘電体膜１２０５を設けることで新たに形成された三重点（第２導電膜１２０４と誘電体膜１２０５と真空とが交わる点）１４０２から何らかの理由で電子が放出しても、放出した電子が誘電体膜１２０５に衝突するまでの電子の飛程が短い（図１（ｃ）参照）ことから誘電体膜１２０５表面は負帯電するので、前述した「（１）電界電子放出の発生→（２）誘電体が正帯電することで電界強度が増加する→（３）更なる電界電子放出の発生」という正帰還の働きを抑制することができる。

上記した放電の抑制効果を発現させるため、誘電体膜１２０５の材料としては、体積抵抗率が大きい誘電体材料であり、そのものの絶縁耐圧が高い材料が好適に使用できる。

誘電体膜１２０５の体積抵抗率としては、実用的には、１０^８Ωｍ以上のものが好適に使用でき、更に好ましくは１０^１２Ωｍのものを用いることができる。誘電体膜１２０５の体積抵抗率が、１０^８Ωｍ以上であることにより、実質上電界集中部１４０１部分の電界電子放出を防ぐことができる。

また、電界集中部１４０１は、第２導電膜の、第１導電膜（アノード電極）に対向する端部の先端のみでなく、その近傍にも生じる。そのため、図１（ｂ）に示す様に、第２導電膜の、第１導電膜（アノード電極）に対向する端部の先端から距離Ｌまで、誘電体膜１２０５で第２導電膜１２０４の表面を覆うことが重要である。

本発明者らが鋭意検討を行った結果、電界強度が大きくなる領域は、対向する基板（電子放出素子が配置されるリアプレート１００１）との距離に大きく左右されることを見出した。その結果、積層幅Ｌ（μｍ）とし（図１（ｂ）参照）、フェイスプレート１００２リアプレート１００１との距離をＨ（μｍ）としたときに、
Ｌ≧０．０２５×Ｈ＋１５
を満たすことにより、第２導電膜の、第１導電膜（アノード電極）に対向する端部の電界強度の強い部分を、実効的に誘電体膜１２０５で覆うことができる。その結果、電界電子放出を防ぎ、放電を著しく抑制できる。

また、誘電体膜１２０５の厚さｄ（図１（ｃ）参照）は、電子が衝突しうる厚さが必要なため、成膜の再現性などの観点から、実用的には、１μｍ以上の膜厚であることが好ましい。

上記ペーストを塗布する方法としては、スクリーン印刷法やディスペンサーで塗布する方法などを採用することができる。また、上記ペーストとしては、特に低融点ガラスを含有したペーストが好ましい。低融点ガラスを含有することで、誘電体膜１２０５作成時の焼成温度を下げることができ、容易に誘電体膜１２０５を形成することができる。また、誘電体膜１２０５のほかの形成方法として、ガラスなどの成型済みの誘電体を第２導電膜上に固定或いは接着するような方法でもよい。また、誘電体膜１２０５として、エポキシやポリイミドなどの樹脂を用いても良い。特にポリイミドは、耐圧に優れるので好ましい。また、誘電体膜１２０５の作成において、フォトリソグラフィー法を用いれば、放電を抑制するための誘電体膜１２０５の形状を、高精度に形成することができるので好ましい。

また、図１０に示したように、第２導電膜１２０４の第１導電膜側の端部は、全て、誘電体膜１２０５で覆われていることが、第２導電膜１２０４と第１導電膜との間の耐圧を向上するために好ましい。しかしながら、本発明は、第２導電膜１２０４の、第１導電膜側の端部の一部が、誘電体膜１２０５で覆われていない形態を排除するものではない。誘電体膜１２０５が存在しない場合（図１（ａ）に示した形態）に比べ、第２導電膜１２０４と第１導電膜との間の耐圧が実効的に向上する程度に、誘電体膜１２０５によって第２導電膜１２０４の第１導電膜（アノード電極）側の端部を覆えばよい。

また、図８のように、第１導電膜（アノード電極）１２０３の、第２導電膜１２０４側の端部を、誘電体膜１２０５で覆ったり（図８（ａ）参照）、第１導電膜（アノード電極）１２０３の端部から第２導電膜１２０４の端部までの全域を誘電体膜１２０５で覆ってもよい（図８（ｂ）参照）。しかしながら、誘電体膜は形成方法にもよるが、種々の材料が含まれる可能性が高いため、第１導電膜（アノード電極）１２０３と第２導電膜１２０４との間（図１０で示した間隙１２０９）を誘電体膜で埋めてしまうよりも、一般に絶縁性が高い部材であるガラス基板１００２の表面を露出させることが好ましい。

第１導電膜（アノード電極）の第２導電膜１２０４側の端部は、第２導電膜から電界放出された電子が、集中的に照射する可能性の高い個所であるために局所的に温度が上昇し易い。そのため、第１導電膜の第２導電膜側の端部を誘電体膜１２０５で覆うことにより、電子照射個所を拡散することができ、温度上昇を防ぐことができるため、耐圧が向上する。

また、図９に示すように、第２導電膜１２０４を誘電体膜１２０５で完全に覆うような構造でもよい。誘電体膜１２０５で第２導電膜の表面（少なくとも、第２導電膜の第１導電膜側の端部、及び、その反対側の端部）を覆えば、前述した新たな三重点１４０２も誘電体膜１２０５で覆うことができるので一層の放電の抑制効果が期待できる。またこの場合においても、前述のＬの値を満たすことが好ましい。

また、図１５（ａ）に示すように、第２導電膜１２０４のうち誘電体膜１２０５を配置する部分の膜厚が局所的に厚かったり、切り立った形状になっていると、誘電体膜１２０５を形成する際に、被覆性が悪くなる恐れがある。そのため、第２導電膜１２０４のうち第１導電膜（アノード電極）側の端部の膜厚は、第２導電膜１２０４の平均膜厚よりも薄くすることが好ましい。上記のような第２導電膜の構造を実現するために、図１５（ｂ）に示す様に、第２導電膜１２０４を複数の導電性膜（１２０７、１２０８）を積層することにより形成し、第２導電膜１２０４のうち第１導電膜側の端部を、薄い導電性膜（１２０７）にて形成することにより、被覆性良く誘電体膜１２０５を第２導電膜１２０４の端部に形成することができる。この様な構成は、例えば、１層目の導電性膜（１２０７）の外周の内側（アノード電極１２０３からより遠い部分）に２層目の導電性膜（１２０８）を積層することで、第２導電膜１２０４の第１導電膜（アノード電極）１２０３側の端部を階段状（アノード電極から離れるに従って膜厚が厚くなる構成）に形成することができる。この様な構成は、例えば、１層目１２０７は例えばスパッタ法などの真空成膜技術を採用して薄膜状に形成し、２層目１２０８を印刷法やディスペンサーを用いる方法などを採用して厚膜状に形成することで実現することができる。尚、ここでは、第２導電膜１２０４を２層で形成する場合を説明したが、第２導電膜１２０４は２層以上の導電性膜から形成することもできる。

つぎに、第１導電膜１２０３をアノード電圧を発生する高圧電源１００６に接続する方法を図５（ａ）、図５（ｂ）を用いて説明する。尚、ここでは、説明を簡略にするために、第１導電膜を符号１２０３で表している。前述したように、第１導電膜は、メタルバック１２０２で構成される場合や、メタルバック１２０２と光吸収部材１２０１とから構成される場合、あるいは、更に他の部材を備える場合などがある。いずれにしても、図５（ａ）、図５（ｂ）では、第１導電膜（アノード電極）１２０３については、第１導電膜の第２導電膜１２０４側の端部のみを模式的に表している。

第１導電膜１２０３から高圧電源１００６まで導く配線１４０３は、気密容器１００内において、第２導電膜１２０４と交差しないように配置することが好ましい。真空容器１００の内部は、その寸法が限られており、高圧電源１００６と第１導電膜（アノード電極）とを接続する配線１４０３を、第２導電膜１２０４と交差するような構造にすると、配線１４０３と第２導電膜１２０４との間の放電が懸念されるためである。第１導電膜１２０３から高圧電源１００６まで導く配線１４０３を第２導電膜１２０４と交差しないように配置する具体的な方法としては、第１導電膜１２０３に接続した配線を、フェイスプレート１００２に設けた穴から気密容器１００の外部まで引き出す場合（図５（ａ）参照）、或いは、リアプレート１００１に設けた穴から気密容器１００の外部まで引き出す場合（図５（ｂ）参照）などを採用することができる。尚、配線１４０３を通したあと、フェイスプレート１００２もしくはリアプレート１００１に開けられた穴は、低融点ガラスフリットなどでふさぐ必要がある。

また、本発明の画像表示装置においては、図６に示した構造に加え、スペーサと呼ばれる大気圧支持部材を設けることができる。以下においては、上記した画像表示装置に、さらに、平板状のスペーサを配置した画像表示装置について、図２（ａ）、図２（ｂ）を用いて具体的に説明する。

図２（ａ）は、スペーサを備えた画像表示装置における、発光体基板（フェイスプレート）の構造ならびにスペーサ１００４の端部の構造に注目して、リアプレート１００１側から発光体基板側を見た際の一部平面模式図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ−ｂ’線における断面模式図である。また、図２（ｃ）は、図２（ａ）のｃ−ｃ’線における断面模式図であるが、リアプレート１００１は省略している。尚、ここでは、説明を簡略にするために、第１導電膜（アノード電極）を符号１２０３で表している。前述したように、第１導電膜は、メタルバック１２０２で構成される場合や、メタルバック１２０２と光吸収部材１２０１とから構成される場合、あるいは、更に他の部材を備える場合などがある。いずれにしても、図２（ａ）、図２（ｂ）では第１導電膜については、第１導電膜の第２導電膜１２０４側の端部のみを模式的に表している。

図２（ａ）、図２（ｂ）において、１００４がスペーサであり、主な目的としては、リアプレート１００１とフェイスプレート１００２の間を真空に保った際に、リアプレート１００１とフェイスプレート１００２とが対向する方向に印加される大気圧を支持するために設けられる。スペーサ１００４としては、平板状のガラスもしくはセラミックスで形成されたものが好適に用いられる。その長手方向における両端部（図２（ａ）、図２（ｂ）では一方の端部のみ示している）は、第２導電膜１２０４の第１導電膜１２０３に対向する端部よりも外側（アノード電極から離れる側）に配置されるのが好ましい。

スペーサ１００４の端部には、スペーサをフェースプレート及び又はリアプレートに固定するための接着剤や固定部材（１３０１）等が配置される場合がある。このような接着剤や固定部材は、放電要因となる場合がある。また、スペーサ端部には鋭角な角部などが存在するため、一般に放電しやすい形状である。そのため、これらの構造（スペーサの端部、固定部材）を電界強度が弱い領域である、第２導電膜の正射影される領域の外側の領域に配置することにより、上記の構造物（スペーサの端部、固定部材）からの放電を抑制することができる。

つぎに、図２中のアノード電極１２０３および第２導電膜１２０４については、図１０などを用いて既に説明した構成と同様の構成とする。また、誘電体膜１２０５はスペーサ１００４の配置されるところには開口を設けることが好ましい（即ちスペーサとフェースプレート１００２との間の領域には、誘電体膜１２０５は配置しないことが好ましい）。その開口の幅Ｗ（μｍ）は、実用的な範囲として、スペーサ１００４の幅Ｗ’＋１μｍ以上５０μｍ以下に設定されることが好ましい。尚、スペーサの幅Ｗ’（μｍ）は、実用的な範囲として、５０μｍ以上３００μｍ以下に設定される。

スペーサ１００４の第２導電膜と対向する表面の電位と、第２導電膜のスペーサと対向する表面の電位との差が大きいと、スペーサ１００４と第２導電膜１２０４との間での電界集中が起こり，放電が生じる場合がある。そのため、スペーサ１００４の第２導電膜１０２４と対向する表面の電位と、第２導電膜１２０４のスペーサ１００４と対向する表面の電位とを略同電位とすることが好ましい。したがって、スペーサ１００４が第２導電膜１２０４に接触することにより、スペーサ１００４に第２導電膜１２０４の電位を給電でき、電界集中およびそれに伴う放電を防ぐことができる。

しかしながら、誘電体膜１２０５で第２導電膜１２０４の表面をすべて覆ってしまうとスペーサ１００４が第２導電膜１２０４に電気的に接触できないため、給電するのが困難になる。そこで、スペーサ１００４と第２導電膜１２０４との間の領域には誘電体膜１２０５を配置しない構成とすることにより、スペーサ１００４と第２導電膜１２０４とを接触させることができる。その結果、スペーサ１００４の第２導電膜１２０４と対向する表面の電位と、第２導電膜１２０４のスペーサ１００４と対向する表面の電位とを略同電位とすることができる（図２（ａ）、図２（ｂ）参照）。また、誘電体膜１２０４がない部分にスペーサ１００４が配置されるため（図２（ａ）参照）、スペーサ１００４が、前述した誘電体膜１２０５の機能と同様に機能（第２導電膜からの電子放出を抑制する機能）を果たすことができ、誘電体膜１２０５がない部分における耐圧が損なわれることを抑制することができる。尚、ここでは、スペーサ１００４と第２導電膜１２０４とを直接接続する構成を示したが、スペーサ１００４と第２導電膜１２０４とを直接接触させずに、スペーサ１００４の第２導電膜１２０４と対向する表面に、第２導電膜１２０４の電位と実質的に同じ電位を印加する構成を採用しても良い。

また、本発明においては、さらに、スペーサ１００４の有無にかかわらず、本発明の特徴である誘電体膜１２０５に加えて、電子を捕獲するための構造である電子捕獲構造体１２０６を設けると、第１導電膜と第２導電膜との間の絶縁耐圧（沿面耐圧）を一層向上することができる。

本発明の電子捕獲構造について図３および図４を用いて説明する。電子捕獲構造の機能としては、第１導電膜１２０３と第２導電膜１２０４（誘電体膜１２０５）との間の基板表面の二次電子雪崩を防ぐことである。二次電子雪崩を防ぐためには、基板表面の二次電子放出係数を実質的に１以下にすることが効果的である。具体的には、電子の飛程を短くすることで電子の得るエネルギーを小さくすることができれば、二次電子放出係数を１より小さくできるので、雪崩的に電子が増えていくことを防ぐことができる。この様な電子の飛程を短くする構造として、誘電体からなる構造物を採用することができる。具体的には、第１導電膜（アノード電極）１２０３と第２導電膜１２０４との間における平均的な電界勾配の方向に対して垂直に近い表面を備える誘電体を採用することができる。このような構造物が存在すると、電子が十分加速される前に誘電体に再突入させることができる。その結果、雪崩的に電子が増えていくことを防ぐことができる。このような機能を備える構造（電子捕獲構造）を第１導電膜１２０３と第２導電膜１２０４（誘電体膜１２０５）との間のフェイスプレート表面に設けることにより、第１導電膜１２０３と第２導電膜１２０４との間の沿面耐圧の向上を図ることができる。そのため、第１導電膜１２０３と第２導電膜１２０４との間に、凸状の誘電体からなる構造物（電子捕獲構造体）１２０６を設けることが好ましい（図３（ａ）参照）。

電子捕獲構造体１２０６は凸状の構造物であり、その側壁部分が、第１導電膜１２０３と第２導電膜１２０４とを結ぶ面（フェイスプレート１００２平面）に対して、垂直に近い面を備えている。このような側壁を備えることで、側壁に電子が照射されることで発生した二次電子は、すぐに再度、側壁に再突入する割合が増える。そのため電子の飛程を小さくすることができるため、実質上、二次電子放出係数を１以下とすることができ、第１導電膜１２０３と第２導電膜１２０４（誘電体膜１２０５）との間における二次電子雪崩を抑えることができる。

また、図３（ｂ）のように、基板と平行な面で電子捕獲構造体１２０６を切断してみたときに、フェイスプレート１００２に近い位置の断面積の方が、フェイスプレート１００２から離れた位置の断面積よりも小さくすることで、電子捕獲構造体１２０６の側壁で発生した二次電子は、電子捕獲構造体１２０６を乗り越えにくくなる。即ち、電子捕獲部材１２０６近傍で発生した二次電子は、電子捕獲構造１２０６のくぼみから脱出しにくく、好適に電子捕獲することができる。その結果、図３（ａ）の構造に比べ、電子捕獲構造体１２０６による電子捕獲効果（二次電子の発生の抑制効果）を大きくでき、更に沿面耐圧を向上できる。

以上述べたことからもわかる様に、本発明における電子捕獲構造体１２０６に必要な構成としては、電子が乗り越えにくくなるようにある一定以上の高さが必要である。その高さとしては、実用的な範囲として、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

また、電子捕獲構造体１２０６の第２導電膜１２０４側の壁面（側壁）がフェイスプレート１００２平面となす角度が、図３（ａ）、図３（ｂ）に示す様に、垂直から鋭角（電子捕獲構造体１２０６がオーバーハングした形状）になるような構造であることが好ましい。

上記した構造を得る方法としては、低融点ガラスを含むペーストを、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法で作製することが挙げられる。

特にフォトリソグラフィー法で作製した場合には、上記のようなオーバーハングした形状を高精度に形成することができる。また、他の作成方法として、ガラスなどの誘電体材料を用いてあらかじめ電子捕獲構造体１２０６を作製しておき、接着剤などでフェースプレート１００２上に固定する方法をとることもできる。

また、電子捕獲構造体１２０６を配置する位置については、アノード電極１２０３と第２導電膜１２０４との間のフェースプレート１００２表面上であればどこにあっても所定の効果は得られるが、第２導電膜１２０４から電界放出電子が発生することを考えると、第２導電膜１２０４により近い個所に配置されるのが好ましい。また、第２導電膜１２０４が第１導電膜１２０３を囲むように形成されている場合には、電子捕獲構造体１２０６も第１導電膜１２０３を囲むように形成しているのがこのましい。即ち、第２導電膜１２０４の第１導電膜側の端部に沿って、電子捕獲構造体１２０６を配置することが好ましい。

また、前述したように、画像表示装置内にスペーサ１００４を設ける場合においては、図４に示す様に、上記電子捕獲構造体１２０６は、スペーサ１００４とフェースプレート１００２との間に配置することが好ましい。この様な構造とすれば、図２（ａ）及び図２（ｂ）を用いて示した様に、誘電体膜１２０５を、スペーサとフェースプレート１００２との間に配置しない場合においてスペーサ１００４近傍で二次電子雪崩が起こるのを抑制し、第１導電膜１２０３と第２導電膜１２０４との間の沿面耐圧を向上することができる。

しかしながら、第１導電膜１２０３や第２導電膜１２０４の厚みよりも電子捕獲構造体１２０６が厚い（高い）と、スペーサ１００４が第１導電膜１２０３や第２導電膜１２０４に接触しにくくなるため、電子捕獲構造１２０６は第１導電膜１２０３及び第２導電膜１２０４と実質的に同じ高さか、それ以下であることが好ましい。

また、図６を用いて説明した本発明の気密容器（画像表示装置）１００を用いて、情報表示再生装置を構成することができる。

具体的には、テレビジョン放送などの放送信号を受信する受信装置と、受信した信号を選曲するチューナーと、選曲した信号に含まれる映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも１つを、気密容器（画像表示装置）１００に出力して表示および／あるいは再生させる。この構成によりテレビジョンなどの情報表示再生装置を構成することができる。勿論、放送信号がエンコードされている場合には、本発明の情報表示再生装置はデコーダーも含むことができる。また、音声信号については、別途設けたスピーカーなどの音声再生手段に出力して、気密容器（画像表示装置）１００に表示される映像情報や文字情報と同期させて再生する。

また、映像情報または文字情報を気密容器（画像表示装置）１００に出力して表示および／あるいは再生させる方法としては、例えば以下のように行うことができる。まず、受信した映像情報や文字情報から、気密容器（画像表示装置）１００の各画素に対応した画像信号を生成する。そして生成した画像信号を、気密容器（画像表示装置）１００の駆動回路に入力する。そして、駆動回路に入力された画像信号に基づいて、駆動回路から気密容器（画像表示装置）１００内の各電子放出素子に印加する電圧を制御して、画像を表示する。

ここで述べた画像表示装置の構成は、本発明を適用可能な画像表示装置の一例であり、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。また、本発明の画像表示装置は、テレビ会議システムやコンピュータ等の表示装置等としても用いることができる。

本発明の画像表示装置は、テレビジョン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピュータ等の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プリンタとしての画像形成装置等としても用いることができる。

以下、具体的な実施例を挙げて本発明をより詳しく説明する。

［実施例１］
本実施例は、図１および図１０に示される、発光体基板の例である。図１０は、本実施例のフェイスプレート（発光体基板）を発光体などが形成されている面をみた平面模式図である。

まず、フェイスプレート１００２の透明基板として、ソーダライムガラスを用いた。厚さ２．８ｍｍのソーダライムガラスを洗浄し、フォトリソグラフィー法により格子状に導電性のブラックマトリクス１２０３を形成した。従って、開口（発光体領域）が格子状に配列される。このため、本実施例においては、ブラックマトリクス１２０３がアノード電極の一部を担う。

ブラックマトリクス１２０３の材料としては感光性カーボンブラックを使用し、フォトリソグラフィー法で厚さ５マイクロメートルにて作製した。繰り返しパターンのピッチは横方向（Ｘ方向）が２００マイクロメートル、縦方向（Ｙ方向）が６００マイクロメートルとした。ブラックマトリクスの線幅は縦方向（Ｙ方向）が５０マイクロメートルとし、縦方向を３００マイクロメートルとした。また、ブラックマトリクス１２０３と同時に、第２導電膜１２０４も形成した。ブラックマトリクス１２０３の外周はブラックマトリクスの開口が存在する個所から２ｍｍ外側までとし、第２導電膜１２０４はブラックマトリクス１２０３の外周から２ｍｍの間隔を置いて、幅２ｍｍで、かつブラックマトリクス１２０３をとり囲うように形成した。

次に、ブラックマトリクスの開口部分（発光体領域１３１、１３２、１３３）に、図１０のような配列で各色の蛍光体層を充填した。スクリーン印刷法により、Ｒ・Ｇ・Ｂの三色の蛍光体を３回に分けてブラックマトリクスの開口部に厚さ１０マイクロメートルになるように作製した。

また蛍光体はＣＲＴの分野で用いられているＰ２２の蛍光体を用いた。蛍光体としては、赤色（Ｐ２２−ＲＥ３；Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋）、青色（Ｐ２２−Ｂ２；ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、緑色（Ｐ２２−ＧＮ４；ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）のものを用いた。

次に、誘電体膜１２０５を形成した。誘電体膜１２０５としては、酸化鉛を含有した低融点ガラスフリットを主成分とした誘電体ペーストを用い、スクリーン印刷法にて厚さ１０マイクロメートルになるように形成した。

誘電体膜１２０５は、第２導電膜１２０４のブラックマトリクス側端部から、ブラックマトリクス１２０３側に向かって５００マイクロメートル延在させた。そして、さらに、第２導電膜１２０４のブラックマトリクス側端部から、ブラックマトリクス１２０３から離れる方向に５００マイクロメートルの範囲に渡って、第２導電膜１２０４を覆うように誘電体膜を配置した。また、誘電体膜１２０５は、第２導電膜１４０４の端部を全て覆うように形成した。

上記配置になるように誘電体ペーストを塗布後、大気中で４５０℃にて焼成した。なお、使用した誘電体ペーストの焼成後の体積抵抗率を、テストピースを作製することにより測定した結果、１０^１２Ωｍ程度であった。

次に、ブラウン管の製造技術として公知であるフィルミング工程により、樹脂膜をブラックマトリクス及び蛍光体上に作製した。そして、その後に、アルミニウムの蒸着膜を樹脂膜上に堆積させた。そして、最後に樹脂層を熱分解除去させる事により、厚さ１００ｎｍのメタルバック１２０２をブラックマトリクス１２０３及び蛍光体上に作製した。尚、メタルバック１２０２の外周は、ブラックマトリクス１２０３の外周よりも内側に配置されるように形成した。このようにして、本実施例においては、ブラックマトリクス１２０３とメタルバック１２０２とがアノード電極を構成する。

次に、上記のように作製したフェイスプレート１００２（発光体基板）の、アノード電極（１２０２、１２０３）と第２導電膜１２０４との間の耐圧を評価した。評価方法としては、図１１に示す様に、先ず、上記のようにして形成したフェイスプレート１００２と、電界研磨した金属板で構成される対向基板とを間隔を空けて対向させ、真空チャンバ中にて５×１０^−４［Ｐａ］以下に排気した。そして、アノード電極１２０３に高圧電源、第２導電膜１２０４および対向基板にＧＮＤ電位を給電して、放電現象を観察した。観察方法は、放電による電流計測および発光の観測で行った。

本実施例のフェイスプレートの耐圧を評価したところ、アノード電圧が２０ｋＶでは一定時間以上放電せず安定しており、その後徐々に電圧を上昇させたところ３１ｋＶにて放電した。

上記のように、本実施例の発光体基板によれば、高電圧を印加し得る信頼性の高い発光体基板を得ることができた。

［実施例２］
本実施例では、図３（ａ）に示される、電子捕獲構造１２０６を用いた例を示す。電子捕獲構造１２０６以外は実施例１と同様の方法で作製した。

電子捕獲構造１２０６は、実施例１中の誘電体膜１２０５を形成するのと同時に形成し、材料は酸化鉛を含有した低融点ガラスフリットを主成分とした誘電体ペーストをもちい、幅１００マイクロメートル・厚さ１０マイクロメートルの誘電体で形成された凸部を形成した。

このようにして作製したフェイスプレートを実施例１と同様な方法で耐圧評価したところ、アノード電圧が２０ｋＶで一定時間以上放電せず安定しており、その後徐々に電圧を上昇させたところ３５ｋＶにて放電した。このように本実施例の発光体基板によれば、高電圧を印加し得る、信頼性の高い発光体基板を得ることができた。

［実施例３］
本実施例では、図８に示される、アノード電極１２０３の端部にも誘電体膜１２０５を被覆した例を示す。アノード電極１２０３側に誘電体膜１２０５を設けた以外は実施例１と同様の方法で作製した。

アノード電極１２０３の、第２導電膜１２０４側の端部に積層した誘電体膜１２０５は、実施例１中の誘電体膜１２０５を形成するのと同時に形成した。材料は酸化鉛を含有した低融点ガラスフリットを主成分とした誘電体ペーストをもちい、スクリーン印刷法で形成した。アノード電極１２０３側に形成した誘電体膜１２０５は、アノード電極１２０３の、第２導電膜１２０４側の端部から、第２導電膜側に５００マイクロメートル延在させた。また、アノード電極１２０３の、第２導電膜１２０４側の端部から、第２導電膜から離れる方向に５００マイクロメートルに渡って積層した。また、厚さは１０マイクロメートルとした。

このようにして作製したフェイスプレートを実施例１と同様な方法で耐圧評価したところ、アノード電圧が２０ｋＶで一定時間以上放電せず安定しており、その後徐々に電圧を上昇させたところ３２ｋＶにて放電した。このように本実施例の発光体基板によれば、高電圧を印加し得る、信頼性の高い発光体基板を得ることができた。

［実施例４］
本実施例では、図１（ｂ）で示した発光体基板を使用して、図６に示す気密容器１００を形成し、この気密容器を用いた画像表示装置を作製した。

フェイスプレート１００２の構造は実施例１と同様にして、図１０に示したものと同様に形成した。ただし本実施例において、誘電体膜１２０５は、第２導電膜１２０４のブラックマトリクス１２０３側端部から、ブラックマトリクス１２０３側に向かって１００マイクロメートル延在させた。そして、さらに、第２導電膜１２０４のブラックマトリクス側端部から、ブラックマトリクス１２０３から離れる方向に６５マイクロメートルの範囲に渡って、第２導電膜１２０４を覆うように誘電体膜を配置した。また、誘電体膜１２０５は、第２導電膜１４０４のブラックマトリクス１２０３側の端部を全て覆うように形成した。

このようにして用意したフェイスプレート１００２と、表面伝導型電子放出素子１１０１を多数配列したリアプレート１００１とを対向させ、側壁１００３をフェイスプレート１００２とリアプレート１００１との間に挟むように設けた。尚、フェイスプレート１００２とリアプレート１００１の間隔を２ｍｍとした。ここで、側壁１００３で囲まれた真空容器のサイズは７０ｍｍ×５０ｍｍとし、間隔規定を行う部材がなくてもフェイスプレート１００２とリアプレート１００１の間隔はおよそ２ｍｍであった。なお、表面伝導型電子放出素子１１０１を含むリアプレート１００１の作成方法は省略する。

そして、側壁１００３とフェイスプレート１００２とを接着材で接合し、また側壁１００３とリアプレート１００１とを接着材で接合することで図６に示す気密容器１００を形成した。尚、側壁１００３とフェイスプレート１００２とリアプレート１００１との接着（封着）は、真空雰囲気中で行い、接着材としてインジウムを用いた。

以上のようにして形成した気密容器１００に駆動回路を接続して画像表示装置を構成し、耐圧評価を行った。耐圧評価は、リアプレート１００１の列方向配線１１０２及び行方向配線１１０３をＧＮＤ電位に規定し、フェイスプレート１００２上の第２導電膜１２０４もＧＮＤ電位に規定した。このような状態でアノード電極１２０３を高圧電源に接続し、１５ｋＶにて駆動させたところ、一定時間以上放電しないことを確認した。

その後、列方向配線１１０２および行方向配線１１０３を介して、表面伝導型電子放出素子の駆動信号を印加し、アノード電圧１２ｋＶで画像を表示したところ、明るくコントラストの大きい良好な画像を長期に渡って安定に表示することができた。

尚、再び、列方向配線１１０２および行方向配線１１０３をＧＮＤ電位に接続して、アノードに印加するアノード電圧を徐々に上昇させていった結果、３０ｋＶにて放電が発生した。

このように、本実施例によれば、安定して高電圧が印加できる画像表示装置を得ることができた。

尚、誘電体膜１２０５が第２導電膜１２０４を覆う長さ（前述のＬ）だけを本実施例よりも長くして、本実施例と同様に、アノード電圧を徐々に上昇させて放電が開始する電圧を測定した。その結果、誘電体膜１２０５が第２導電膜１２０４を覆う長さに関わらず、いずれの場合においても、３０ｋＶで放電が観測された。

［実施例５］
本実施例では、誘電体膜１２０５は、第２導電膜１２０４のブラックマトリクス側端部から、ブラックマトリクス１２０３側に向かって１００マイクロメートル延在させた。そして、さらに、第２導電膜１２０４のブラックマトリクス側端部から、ブラックマトリクス１２０３から離れる方向に３０マイクロメートルの範囲に渡って、第２導電膜１２０４を覆うように誘電体膜を配置した。また、誘電体膜１２０５は、第２導電膜１４０４のブラックマトリクス側端部を全て覆うように形成した。また、誘電体膜１２０５の寸法以外は実施例４と同様にして画像表示装置を形成した。

作製した画像表示装置を、実施例４と同様に、列方向配線１１０２および行方向配線１１０３をＧＮＤ電位に接続して耐圧評価を行ったところ、１５ｋＶにて、一定時間以上放電しないことを確認した。また、アノード電圧１２ｋＶで画像を表示したところ、明るくコントラストの大きい良好な画像を長期に渡って安定に表示することができた。

尚、再び列方向配線１１０２および行方向配線１１０３をＧＮＤ電位に接続して、アノード電圧を徐々に印加していった結果、２５ｋＶにて放電が発生した。

このように、本実施例によれば、安定して高電圧が印加できる画像表示装置を得ることができた。

［実施例６］
本実施例では、フェイスプレート１００２とリアプレート１００１との間に平板状のスペーサ１００４を配置した気密容器１００を形成し、この気密容器を用いた画像表示装置を作成した。

フェイスプレート１００２の構造は、実施例１と同様にして、図１０に示したものと同様に形成した。但し、本実施例においては、スペーサ１００４を用いたため、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示す様に、第２導電膜１２０４とスペーサ１００４とが接触できるように、スペーサ１００４と第２導電膜１２０４との間には誘電体膜１２０５を設けなかった。具体的には、スペーサ１００４と第２導電膜１２０４とが接触できるように、４００マイクロメートルのスリットを誘電体膜１２０５に設けた。なお、使用した誘電体ペーストの焼成後の体積抵抗率を、テストピースを作製することにより測定した結果、１０^８Ωｍ程度であった。

このようにして用意したフェイスプレート１００２と、表面伝導型電子放出素子１１０１を多数配列したリアプレート１００１とを対向させ、側壁１００３をフェイスプレート１００２とリアプレート１００１との間に挟むように設けた。尚、フェイスプレート１００２とリアプレート１００１の間にはスペーサ１００４を配置することで、その間隔を２ｍｍとした。スペーサはその厚みを２００マイクロメートルとし、スペーサ１００４はリアプレート１００１に接着材１３０１で固定した（図２（ｂ）参照）。スペーサ１００４の位置はあらかじめフェイスプレート１００２の誘電体膜１２０５のスリット部にくるように配置した。なお、表面伝導型電子放出素子１１０１を含むリアプレート１００１の作成方法、およびスペーサの作成方法は省略する。また真空容器１００の形成方法は実施例４と同様とした。

以上のようにして形成した気密容器１００に駆動回路を接続して画像表示装置を構成し、耐圧評価を行った。耐圧評価は、リアプレート１００１の列方向配線１１０２及び行方向配線１１０３をＧＮＤ電位に規定し、フェイスプレート１００２上の第２導電膜１２０４もＧＮＤ電位に規定した。このような状態でアノード電極１２０３を高圧電源に接続し、１５ｋＶにて駆動させたところ、一定時間以上放電しないことを確認した。

その後、列方向配線１１０２および行方向配線１１０３を介して、表面伝導型電子放出素子の駆動信号を印加し、アノード電圧１２ｋＶで画像を表示したところ、明るくコントラストの大きい良好な画像を長期に渡って安定に表示することができた。

尚、再び、列方向配線１１０２および行方向配線１１０３をＧＮＤ電位に接続して、アノード電圧を徐々に印加していった結果、２５ｋＶにて放電が発生した。

このように、本実施例によれば、安定して高電圧が印加できる画像表示装置を得ることができた。

［実施例７］
本実施例では、図１７に示す第２導電膜１２０４が２種類の導電性膜（１２０７，１２０８）により形成されたフェイスプレート１００２を用いて作製した画像表示装置の例を示す。なお、第２導電膜１２０４が２種類の導電性膜から形成されていること以外は、実施例６と同様な方法で作製した。

第２導電膜１２０４を形成する方法として、まず導電性膜１２０７をマクク成膜にて厚さ１００ｎｍのアルミニウムにより形成した。その際に平面からみた凹凸は、図１６（Ｃ）の凸形状の寸法の定義（曲率半径ｒ、凸長さｈ）としたときに、すべての部分でｈ/ｒが１０以下になっていることを確認した。次に導電性膜１２０８としてスクリーン印刷法にて厚さ１０μｍの銀ペーストにより作製した。作製した導電性部材１２０８を観察してみると、図１７のように平面形状に凹凸が見受けられ、そのｈ/ｒはもっとも大きいもので２００程度のものが見受けられた。

次に誘電体膜を、スペーサ１００４が配置される部分に４００マイクロメートルのスリットを設けた状態で、誘電体１２０５を作製した。ここで、誘電体１２０５が設けられていないところで、第２導電膜が露出している部分の平面状の凹凸が、導電性部材１２０７によりほぼフラットに形成されているため、当該個所で電界集中が起こりにくいことが推測できた。

このようなフェイスプレート１００２をもちいて、実施例６と同様な画像表示装置を作製し、実施例４と同様に、列方向配線１１０２および行方向配線１１０３をＧＮＤ電位に接続して耐圧評価を行ったところ、１５ｋＶにて、一定時間以上放電しないことを確認した。また、アノード電圧１２ｋＶで画像を表示したところ、明るくコントラストの大きい良好な画像を長期に渡って安定に表示することができた。

尚、再び列方向配線１１０２および行方向配線１１０３をＧＮＤ電位に接続して、アノード電圧を徐々に印加していった結果、２５ｋＶにて放電が発生した。

このように、本実施例によれば、安定して高電圧が印加できる画像表示装置を得ることができた。

［参考例］
誘電体膜１２０５を設けないこと以外は、実施例１の方法と同様に作成した発光体基板を用意した（図１（ａ）参照）。このように作製した発光体基板を実施例１と同様な方法で耐圧評価したところ、１２ｋＶで放電が発生した。

本発明の誘電体膜を備えた発光体基板を説明するための断面模式図である。 本発明の誘電体膜を備えた画像表示装置を説明するための断面模式図である。 本発明の電子捕獲構造を備えた発光体基板を説明するための断面模式図である。 本発明の電子捕獲構造を備えた画像表示装置を説明するための断面模式図である。 本発明の発光体基板におけるアノード電極に電位を給電するための構造を説明するための断面模式図である。 本発明の発光体基板を適用した画像表示装置の斜視模式図である。 本発明の発光体基板を適用した画像表示装置の断面模式図である。 本発明の誘電体膜を備えた別の発光体基板を説明するための断面模式図である。 本発明の誘電体膜を備えた別の発光体基板を説明するための断面模式図である。 本発明の発光体基板を説明する平面模式図である。 本発明の発光体基板の耐圧評価方法を示す断面模式図である。 本発明の発光体基板における第２導電膜の構成例を説明する平面模式図である。 本発明の発光体基板における第２導電膜の別の構成例を説明する平面模式図である。 本発明の発光体基板における第２導電膜の別の構成例を説明する平面模式図である。 本発明の誘電体膜を備えた発光体基板を説明するための断面模式図である。 本発明の第２導電膜の平面形状を示す平面模式図である。 本発明の２種類の導電性部材で形成された第２導電膜を示す平面模式図である。

符号の説明

１００１ リアプレート
１００２ フェイスプレート
１００３ 側壁
１００４ スペーサ
１００５ 高圧導入部
１００６ 高圧電源
１２０４ 第２導電膜
１２０５ 誘電体膜
１２０６ 電子捕獲構造
１４０１ 電界集中部
１４０２ 新たにできた三重点

Claims (18)

1. 電子線の照射によって発光する発光体と、該発光体に積層された第１導電膜と、該第１導電膜の外周と間隔を置き、且つ、前記第１導電膜の外周を囲むように配置された第２導電膜と、を備えたフェイスプレートと、
   電子放出素子が配置されたリアプレートと、
   を具備する画像表示装置であって、
   前記第２導電膜は、前記第１導電膜の前記外周に対向する端部を有し、
   前記端部の先端の少なくとも一部が誘電体膜で覆われており、
   前記フェイスプレートと前記リアプレートとの間隔をＨ［μｍ］としたときに、
   前記誘電体膜が、前記第１導電膜から離れる方向に、前記先端から下記式で定義されるＬ［μｍ］まで前記第２導電膜を覆っていることを特徴とする画像表示装置。
   Ｌ≧０．０２５×Ｈ＋１５
2. 前記誘電体膜が、前記端部の先端の全てを覆っていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 電子線の照射によって発光する発光体と、該発光体に積層された第１導電膜と、該第１導電膜の外周と間隔を置き、且つ、前記第１導電膜の外周を囲むように配置された第２導電膜と、を備えたフェイスプレートと、
   電子放出素子が配置されたリアプレートと、
   前記フェイスプレートと前記リアプレートとの間に、前記第１導電膜と前記第２導電膜を跨いで配置されたスペーサと、
   を具備する画像表示装置であって、
   前記第２導電膜は、前記第１導電膜の前記外周に対向する端部を有し、
   前記端部の先端の少なくとも一部が誘電体膜で覆われており、
   前記誘電体膜が、前記スペーサと前記第２導電膜との間の領域外に配置されていることを特徴とする画像表示装置。
4. 前記第１導電膜の前記外周が四角形状であり、
   前記第２導電膜が前記第１導電膜の前記外周を構成する４辺の各々に対向し、且つ、前記第１導電膜の前記外周と間隔を置いて配置されることを満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像表示装置。
5. 前記第２導電膜に印加される電位が前記第１導電膜に印加される電位よりも低いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の画像表示装置。
6. 前記フェイスプレート上において、前記第２導電膜に印加される電位によって形成される前記第２導電膜を通る等電位線が、前記第１導電膜の前記外周を囲むことを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
7. 前記第２導電膜が閉環状の導電膜であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像表示装置。
8. 前記発光体は、前記フェイスプレート上に配置された複数の開口を有する光吸収層の該複数の開口の各々に配置されており、前記発光体と前記光吸収層とが前記第１導電膜によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の画像表示装置。
9. 前記第１導電膜の前記第２導電膜に対向する端部が、誘電体膜によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の画像表示装置。
10. 前記誘電体膜の抵抗値が１０^８Ωｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の画像表示装置。
11. 前記誘電体膜が、低融点ガラスまたはポリイミドを含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の画像表示装置。
12. 前記第１導電膜は、抵抗を介して並列に接続した複数の導電膜を含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の画像表示装置。
13. 前記第１導電膜の前記外周に対向する前記第２導電膜の端部の厚さが、前記第２導電膜の平均膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の画像表示装置。
14. 前記第２導電膜は、複数の導電性膜を積層することで形成されており、前記第１導電膜の前記外周に対向する前記第２導電膜の端部は、階段状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の画像表示装置。
15. 前記第２導電膜と前記第１導電膜との間に、電子を捕獲するための電子捕獲構造体が配置されていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の画像表示装置。
16. 前記第１導電膜に印加される電位と前記電子放出素子に印加される電位との差が５ｋＶ以上３０ｋＶ以下であり、前記第２導電膜に印加される電位と前記電子放出素子に印加される電位との差が１ｋＶ以下であることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の画像表示装置。
17. 前記画像表示装置は、更に、前記第１導電膜に接続する配線と、該配線と接続する電源を有しており、該配線は、前記第２導電膜と交差せずに、前記画像表示装置の外部に導出されていることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の画像表示装置。
18. 受信した放送信号に含まれる映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも１つを出力する受信器と、該受信器に接続された画像表示装置とを少なくとも備える情報表示再生装置であって、前記画像表示装置が請求項１乃至１７のいずれかに記載の画像表示装置。

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