JP3767622B2 - 半導体素子の接続構造、液晶表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
に示すように、環状のバンプによって囲まれる領域内の接合剤の中に空間33を形成したり、図7に示すように、個々のバンプ28,29の間やバンプ列の外側に空間33を形成したりすることができる。
このICの形状は、図2において、L×W=7.7mm×2.8mmであり、バンプ数は約200個であり、バンプサイズは80μm×120μmである。
(2)ACF32:CP8530(ソニーケミカル株式会社製)
(3)ACFの加熱温度:180〜230℃(中心温度=200〜210℃)
IC7を高温に加熱された加圧ヘッドで押し付けることによりACFを加圧及び加熱する場合には、その加圧ヘッドの温度を260〜360℃(中心温度=300℃程度)とすることにより、上記のACFの温度が得られる。
(4)加圧ヘッドの加圧力:12kgf〜20kgf
(5)加圧ヘッドの加圧時間:10秒
以上の(1)〜(5)の条件の下に液晶駆動用IC7を基板13上に接合したところ、図2に示すような複数の空間33がACF32の内部に形成された。
2 下部筐体
3 制御回路基板
4 本体基板
5 液晶表示装置
6 半導体駆動用出力端子
7 液晶駆動用IC(半導体素子)
8 液晶パネル
9 バックライトユニット
10 キーボード
11 シールドケース
12 弾性体コネクタ
13 第1液晶用基板
14 第2液晶用基板
18,19 透明電極
21 半導体入力用端子
28 出力用バンプ
29 入力用バンプ
31 接着層
32 ACF(接合剤)
33 空間
Claims (8)
- 複数のバンプを具備する半導体素子が基板に接続されてなる半導体素子の接続構造において、
前記半導体素子と前記基板とは接着層を介して接合されてなり、
前記接着層は前記半導体素子と前記基板との間に複数の空間を具備し、前記空間の大きさは前記バンプの大きさよりも大きく、前記空間と前記空間の間において前記半導体素子と前記基板とが接合されてなることを特徴とする半導体素子の接続構造。 - 請求項1に記載の半導体素子の接続構造において、
半導体素子は列状に並べられた複数のバンプを有し、
上記空間は、前記バンプ列の間、前記バンプ列の外側及び個々の前記バンプの間又はそれらの少なくともいずれか1つの領域内に形成されてなることを特徴とする半導体素子の接続構造。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体素子の接続構造において、前記接着層は、樹脂フィルム及び前記樹脂フィルム中に分散された導電粒子を有する異方性導電膜を含むことを特徴とする半導体素子の接続構造。
- 液晶を挟んで互いに対向する一対の基板を備え、複数のバンプを具備する半導体素子が一方の前記基板に接続されてなる液晶表示装置において、
前記半導体素子と前記基板とは接着層を介して接合されてなり、
前記接着層は前記半導体素子と前記基板との間に複数の空間を具備し、前記空間の大きさは前記バンプの大きさよりも大きく、前記空間と前記空間の間において前記半導体素子と前記基板とが接合されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項4に記載の液晶表示装置において、
半導体素子は列状に並べられた複数のバンプを有し、
上記空間は、前記バンプ列の間、前記バンプ列の外側及び個々の前記バンプの間又はそれらの少なくともいずれか1つの領域内に形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項4又は請求項5に記載の液晶表示装置において、前記接着層は、樹脂フィルム及び前記樹脂フィルム中に分散された導電粒子を有する異方性導電膜を含むことを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項4乃至6のいずれか1項に記載の液晶表示装置と、
前記液晶表示装置に接続される半導体駆動用出力端子と、
を備えることを特徴とする電子機器。 - 複数のバンプを具備する半導体素子と、前記半導体素子が接続される基板と、前記基板に接続される半導体駆動用出力端子とを備える電子機器において、
前記半導体素子と前記基板とは接着層を介して接合されてなり、
前記接着層は前記半導体素子と前記基板との間に複数の空間を具備し、前記空間の大きさは前記バンプの大きさよりも大きく、前記空間と前記空間の間において前記半導体素子と前記基板とが接合されてなることを特徴とする電子機器。
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JP2004278998A JP3767622B2 (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | 半導体素子の接続構造、液晶表示装置及び電子機器 |
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