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JP3631380B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、特に埋め込み配線技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の高速化のために配線の低抵抗化が求められている。しかし、最小デザイン・ルールで形成されるライン/スペースの配線の膜厚を厚くすることは配線間の容量を増加させるので好ましくない。このように、配線の抵抗を減少させることと配線間の容量を増加させないようにすることは一般的に相反することといえる。
【0003】
一方、新しい配線の形成手段としてダマシン(DAMASCENE)技術がある。これは、絶縁膜を先に形成し、その後に配線パターンとなる溝を先に形成した絶縁膜に形成し、この溝の中にダマシン法により配線材料(例えばアルミなどの金属材料など)を埋め込み形成するものである。このダマシン法による配線の埋め込みにはCMP(Chemical Mechanical Polishing)法などの平坦化法が用いられている。
【0004】
図12(a)〜(d)を用いて、デュアルダマシン法を用いた従来の配線形成工程について説明する。
まず、図12(a)に示すように、シリコン基板201上に層間絶縁膜202を介して形成された下層配線203上に平坦な層間絶縁膜204(SiO 膜)を形成する。続いて、配線用溝205(深さは例えば0.5μm)をSiO 膜204に形成する。次に、図12(b)に示すように、全面にレジストを塗布してリソグラフィ法を用いて露光し、コンタクトホール部が開孔されたレジストパターン206を形成する。続いて、このレジストパターン206をマスクにして下地のSiO 膜204のエッチングを行い、コンタクトホール207を形成する。次に、図12(c)に示すように、レジスト膜を剥離した後、全面に配線用の金属膜208を堆積する。次に、図12(d)に示すように、CMP法によりコンタクトホールと配線用溝の両方に配線用の金属膜を埋め込み形成する。
【0005】
図13は、デュアルダマシン法で形成した配線の長さ方向の断面構造を示したものである。コンタクト部209にも配線材料が埋め込まれているが、配線部208は均一な膜厚となっている。
【0006】
しかし、ダマシン法を用いた配線形成技術でも、配線抵抗及び配線間容量の低減を同時に実現することは困難である。すなわち、配線膜厚は配線間容量の増大が最も問題となる最小ピッチにおける配線容量と配線抵抗の関係から決められているが、集積化が進んで配線がより微細化された場合、配線間容量の上昇を抑えつつ配線抵抗を低下させることは困難である。
【0007】
上記問題を解決する一つの方法として、異なった配線深さを持つ配線構造とその製造方法も提案されている(特開平9−321046)。図14を用いてその製造方法を簡単に説明する。
【0008】
まず、図14(a)に示すように、層間絶縁膜222及び下層配線223が形成されたシリコン基板221上に層間絶縁膜224を形成した後、レジストパターン225をマスクとして層間絶縁膜224に溝226、227及び228を形成する。次に、図14(b)に示すように、レジストパターン229をマスクとして層間絶縁膜224をエッチングし、コンタクト孔230、配線用溝231及び232を形成する。次に、図14(c)に示すように全面に配線材料233を形成した後、図14(d)に示すように配線材料をコンタクト孔及び配線用溝に選択的に埋め込み、配線235(コンタクト部234を介して下層配線223に接続される)、配線236、237及び238を形成する。
【0009】
しかし、図14に示した例では、同一の配線層に膜厚の異なる配線を形成してはいるが、各配線235〜238それぞれの膜厚は同一である。したがって、隣接する配線間容量を減らすためには、膜厚の厚い配線と薄い配線を交互に形成するといった構成をとるしかなく、配線間容量を減らしながら配線抵抗を低減することは困難であった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
このように、動作速度の高速化等の観点から、同一の配線層に膜厚の異なる配線を形成するといった提案もなされているが、個々の配線の膜厚はいずれも一定であり、配線の自由度という点で十分とはいえず、そのため配線の抵抗を減少させるとともに配線間の容量を低減するといったことは困難であった。
【0011】
本発明は上記従来の課題に対してなされたものであり、配線抵抗の低減及び配線間容量の低減を同時に達成することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板上の所望の層に形成された配線の該配線よりも上層側又は下層側に形成された導電部との接続領域を除いた配線領域が連続する同一配線中で複数の異なる膜厚を有していることを特徴とする。
【0013】
このように、本発明では連続する同一配線中に膜厚の異なる領域が存在しているため、周囲の配線等との関係に応じて膜厚の異なる領域を適宜配置することができ、配線の抵抗を減少させるとともに配線間の容量を低減することが可能となる。
【0014】
なお、本発明において、上層側又は下層側に形成された導電部との接続領域を除いた配線領域において同一配線中に膜厚の異なる領域が存在するとしたのは、接続領域では上下の配線間を接続するための導電領域が存在し、このような領域では本来の配線部とは膜厚が異なっている(膜厚が厚くなっている)ため、このような領域は本発明でいうところの配線から除く趣旨である。
【0015】
また、本発明は、前記複数の膜厚を有する少なくとも2本の配線が同一層において隣接して形成され、隣接する一方の配線の膜厚の薄い部分と他方の配線の膜厚の厚い部分とが少なくとも一部の領域において対応するように形成されていることを特徴とする。
【0016】
このように複数本の配線が同一の配線層において隣接して形成されている場合、膜厚の薄い部分と厚い部分とが向き合うように構成すれば、配線間の容量をより効果的に低減することができる。
【0017】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、配線予定領域に対応した領域の第1及び第2の絶縁膜に第1の配線用溝を形成する工程と、この第1の配線用溝の一部を所定のマスク材で覆うとともに該マスク材で覆われていない部分の第1の絶縁膜を第2の絶縁膜をエッチングマスクとしてエッチングすることにより、前記マスク材で覆われていない部分の第1の配線用溝をさらに深くした第2の配線用溝を形成する工程と、前記第1の配線用溝及び第2の配線用溝に配線材料を埋め込む工程とを有することを特徴とする。
【0018】
本発明によれば、第2の配線用溝は第1の配線用溝をさらにエッチングすることによって形成される。通常のリソグラフィ工程を考えると、第1の配線用溝と第2の配線用溝との間で生じるマスク合わせずれを考慮して、例えば第2の配線用溝に対する開口パターン幅を第1の配線用溝のパターン幅よりも広くする。したがって、例えば図14の従来例に示すように第2の配線用溝は2段階の溝幅を持って形成される、言い換えると2段階に形成される分配線幅が広くなり、配線の高密度化を達成することが困難になる。本発明では、第2の配線用溝を形成する際に第1の配線用溝の形成工程でパターニングされた第2の絶縁膜をエッチングマスクとして用いているため、第2の配線用溝の幅を第1の配線用溝と同一の幅にすることができる。したがって、前述した配線抵抗及び配線間容量の低減を図ることができるという効果以外にも、配線幅を一定にすることができるため配線の高密度化を達成できるという効果も同時に得ることができる。
【0019】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、配線予定領域の一部に対応した領域の第1及び第2の絶縁膜に第1の配線用溝を形成する工程と、配線予定領域の他の部分に対応した領域の第2の絶縁膜を除去する工程と、残置している第2の絶縁膜をエッチングマスクとして第1の絶縁膜エッチングすることにより、第1の配線用溝をさらに深くした第2の配線用を形成するとともに前記第2の絶縁膜を除去した領域に第3の配線用溝を形成する工程と、前記第2の配線用溝及び第3の配線用溝に配線材料を埋め込む工程とを有することを特徴とする。
【0020】
本発明でも、第2の配線用溝を形成する際に第1の配線用溝の形成工程でパターニングされた第2の絶縁膜をエッチングマスクとして用いているため、配線幅を一定にすることができ、先に述べた効果と同様の効果を得ることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
図1(a)は、本発明の実施形態における基本的な配線構造を示したものであり、1本の連続的に繋がった配線に配線膜厚A(例えば0.5μmの膜厚に相当)の領域と配線膜厚B(例えば1.0μmの膜厚に相当)の領域が存在することを示している。層間絶縁膜に2種類の深さを持つ溝を形成し、この溝内に同一配線材料を同時に埋め込むことによって2種類の膜厚を持つ配線が形成される。膜厚の厚い領域は図1(a)に示すように単数でも複数でもよい。また、図1(b)に示すように、1本の配線中に3以上の配線膜厚の領域(膜厚A、膜厚B、膜厚C)が存在していてもよい。
【0022】
図2は、デュアルダマシン法を用いて、膜厚Aの領域(深さAの溝)を形成した後、コンタクトホールの形成と同時に膜厚Bの領域(深さBの溝)を形成することができることを示したものである。この場合、膜厚Bの領域はコンタクト部の深さとほぼ同じ深さかそれよりもやや深く形成される。
【0023】
(実施形態1)
次に、図3(a)〜(e)を用いて、上述したような1本の配線中に複数の膜厚を有する配線を形成するための製造工程の一例を説明する。なお、図では膜厚が厚い領域と薄い領域が左右に描かれているが、これらは連続して繋がった1本の配線中に形成されているものとする。
【0024】
まず、図3(a)に示すように、Si基板101上にトランジスタ、必要なコンタクト及び配線(図示せず)を形成した後、全面に層間絶縁膜として例えばTEOS−SiO 膜102を、800nm程度の膜厚でCVD法等により堆積する。必要であれば800℃程度の熱処理を行って層間絶縁膜102のデンシファイを行ってもよい。この層間絶縁膜102はその表面が平坦化されているようにする。平坦化にはCMP法を用いても良いし、他の平坦化手法、例えばBPSG膜の熱メルトによる平坦化手法、SOG等の塗布膜を用いた平坦化手法を用いてもよく、さらにはこれらの平坦化法を組み合わせても良い。
【0025】
次に、SiO 膜102の表面にSi 膜103を例えばLP−CVD法で膜厚50nm程度堆積する。このSi 膜103は、配線用溝を追加エッチングで深くする時のエッチングストッパーとしての役割と、CMP時のCMPストッパーの役割を果たす。仮にCMP時にSiO 膜102がCMP時のストッパー膜として十分使えるようなCMP条件があれば、このSi 膜103の膜厚をさらに薄くすることも可能である。また、Si 膜103としてカーボンを含む膜を用いても良い。カーボンを含む膜の場合、エッチング選択比やCMP時の選択比を大きくすることができる。
【0026】
次に、溝パターンが形成されたレジスト膜(図示せず)をマスクとして用い、RIE法によりSi 膜103及びSiO 膜102をエッチングして配線用溝104を形成する。この時の溝の深さ(将来は配線の膜厚となる)は、Si 膜103の表面から例えば400nm程度とする。
【0027】
次に、図3(b)に示すように、配線溝の深さをさらに深くしたい領域が開口パターンとなっているレジスト膜105を形成し、このレジスト膜105とSi 膜103をマスクにして例えばRIE法を用いた追加エッチングを行い、配線用溝106を形成する。この配線用溝126の深さは例えばSi 膜103表面から700nm程度とする。このエッチングの際には、SiO 膜102のエッチング速度に比べてSi 膜103のエッチング速度が10倍程度以上遅いエッチング条件を選択する。すなわち、エッチング選択比が10以上あるようなエッチング条件を用いるようにする。
【0028】
このようにSi 膜103をエッチングマスクとして用い、レジスト膜105の開口パターン幅を先に形成した配線用溝104の配線幅よりも広くしておけば、配線用溝106の配線幅を配線用溝104の配線幅と等しくすることができる。配線用溝104のエッジとレジスト膜105の開口パターンのエッジの間隔は、例えばレジストパターンの加工寸法誤差とオーバーレイ(Overlay)誤差で決められる。例えば、0.25μmルールの場合には100nm程度の間隔を離しておき、0.15μmルールの場合には60nm程度離しておくようにする。
【0029】
なお、SiO 膜102よりも下層側の導電領域(配線等)との接続をとる場合、下層側の導電領域の上部のレジスト膜105に開口パターンを形成しておき、配線用溝106を形成するときに同時に導電領域に達する開口(コンタクトホール)を形成するようにしてもよい。
【0030】
次に、図3(c)に示すように、レジスト膜105を剥離した後、全面に配線材料となる金属膜107を堆積する。金属膜107としては例えばアルミニウム膜を用いることができるが、Ti膜及びTiN膜を介してアルミニウム膜を堆積する積層膜構造にしても良い。また、金属膜105としてはCu膜やW膜等を用いてもよく、さらに金属膜以外にポリシリコン膜やポリサイド膜を用いることも可能である。また、金属膜の形成には、例えばスパッタ法、CVD法或いはメッキ法、さらにはこれらを組み合わせて用いることも可能である。深い溝の中に金属膜等を埋め込み形成するためには、一般的にはCVD法を用いることが望ましい。
【0031】
次に、図3(d)に示すように、全面をCMP法を用いて研磨し、配線用溝106及び先に形成した配線用溝104に金属膜107を選択的に埋め込み(下層側の導電領域に達するコンタクトホールが形成されている場合には、このコンタクトホール内にも選択的に埋め込まれる)、膜厚の薄い配線領域108a及び膜厚の厚い配線領域108bを形成する。この時、SiO 膜102表面のSi 膜103をCMPのポリッシングストッパーとして用いることができ、Si 膜103表面よりも金属膜表面がへこむように金属膜を埋め込むことにより、隣接する配線間のショートを防止することができる。
【0032】
次に、図3(e)に示すように、その後に形成される上層側の配線(図示せず)との間の配線間容量を減らすため及び配線間のショートを防止するためにSi 膜103を除去し(そのまま残してもおいても良い)、さらに層間絶縁膜(図示せず)を堆積して次の配線工程へと進む。
【0033】
なお、図3(b)の工程でSi 膜103の表面に小さな段差が生じるようであれば、図3(c)の工程で金属膜107を全面に堆積する前にSi 膜103を剥離しておいても良い。この場合には、Si 膜103はポリッシングストッパーとしては使えなくなるので、CMP時の金属膜107とSiO 膜102のポリッシング選択比を向上させるような条件を選択する必要がある。例えば、金属膜のポリッシング速度がSiO 膜のポリッシング速度に比べて5倍程度以上速い条件を用いるようにする。
【0034】
このように、本実施形態によれば、同一配線中に配線膜厚の厚い領域と薄い領域を設けているため、膜厚の厚い領域の作用によりトータルの配線抵抗を減少させることができるとともに、配線間容量を減らしたい領域では配線膜厚を薄くすることにより配線間容量を低減することができる。
【0035】
(実施形態2)
次に、図4(a)〜(f)を用いて、第2の実施形態に係る製造工程の一例を説明する。なお、図では膜厚が厚い領域と薄い領域が左右に描かれているが、図3に示した第1の実施形態と同様、これらは連続して繋がった1本の配線中に形成されているものとする。また、第1の実施形態の構成要素と対応する構成要素には同一番号を付し、第1の実施形態と対応する事項については詳細な説明は省略する。
【0036】
まず、図4(a)に示すように、第1の実施形態と同様に、全面に層間絶縁膜として平坦化したTEOS−SiO 膜102を800nm程度形成する。続いて、SiO 膜102の表面にSi 膜103を例えば50nm程度堆積する。その後、配線領域の一部に配線溝パターンが形成されたレジスト膜(図示せず)をマスクとして用い、SiO 膜102に配線用溝104を形成する。この時の溝の深さは、Si 膜103の表面から例えば200nm程度とする。
【0037】
次に、図4(b)に示すように、配線領域の他の部分に溝パターンが形成されたレジスト膜105をマスクとして用い、SiO 膜102に対して選択的にSi 膜103をエッチングする。
【0038】
次に、図4(c)に示すように、レジスト膜105を剥離した後、Si 膜103をマスクにして例えばRIE法によりSiO 膜102を例えば500nm程度エッチングし、配線用溝106a及び106bを形成する。このエッチングにおいては、SiO 膜102のエッチング速度に比べてSi 膜103のエッチング速度が10倍程度以上遅いエッチング条件を用いる。配線用溝の深さは、例えばSi 膜103表面からそれぞれ500nm及び700nm程度とする。
【0039】
次に、図4(d)に示すように、全面に配線材料となる金属膜107を堆積する。さらに、図4(e)に示すように、全面をCMP法を用いて研磨し、配線用溝106a及び106bに金属膜107を選択的に埋め込み、膜厚の薄い配線領域108a及び膜厚の厚い配線領域108bを形成する。この時、SiO 膜102表面のSi 膜103をCMPのポリッシングストッパーとして用いる。
【0040】
次に、図4(f)に示すように、その後に形成される上層側の配線(図示せず)との間の配線間容量を減らすためにSi 膜103を除去し(そのまま残してもおいても良い)、さらに層間絶縁膜(図示せず)を堆積して次の配線工程へと進む。
【0041】
(実施形態3)
次に、図5(a)〜(e)を用いて、第3の実施形態に係る製造工程の一例を説明する。なお、図では膜厚が厚い領域と薄い領域が左右に描かれているが、図3に示した第1の実施形態と同様、これらは連続して繋がった1本の配線中に形成されているものとする。また、第1の実施形態の構成要素と対応する構成要素には同一番号を付し、第1の実施形態と対応する事項については詳細な説明は省略する。
【0042】
まず、図5(a)に示すように、第1の実施形態と同様に、全面に層間絶縁膜として平坦化したTEOS−SiO 膜102を800nm程度形成する。続いて、SiO 膜102の表面にSi 膜103を例えば50nm程度堆積する。その後、配線領域の一部に配線溝パターンが形成されたレジスト膜(図示せず)をマスクとして用い、SiO 膜102に配線用溝104を形成する。この時の溝の深さは、Si 膜103の表面から例えば400nm程度とする。
【0043】
次に、図5(b)に示すように、配線領域全体に開口パターンが形成されたレジスト膜105をマスクとして用い、SiO 膜102及びSi 膜103をエッチングして配線用溝106a及び106bを形成する。このとき、配線用溝106bに対応するレジスト膜の開口パターン幅は、配線用溝104のパターン幅よりも広くなるようにしておく。これにより、配線用溝104と配線用溝106aとのマスク合わせが多少ずれても両者を良好に接続することができる。
【0044】
次に、図5(c)に示すように、全面に配線材料となる金属膜107を堆積する。さらに、図5(d)に示すように、全面をCMP法を用いて研磨し、配線用溝106a及び106bに金属膜107を選択的に埋め込み、膜厚の薄い配線領域108a及び膜厚の厚い配線領域108bを形成する。この時、SiO 膜102表面のSi 膜103をCMPのポリッシングストッパーとして用いる。
【0045】
次に、図5(e)に示すように、その後に形成される上層側の配線(図示せず)との間の配線間容量を減らすためにSi 膜103を除去し(そのまま残してもおいても良い)、さらに層間絶縁膜(図示せず)を堆積して次の配線工程へと進む。
【0046】
(実施形態4)
図6は本発明の第4の実施形態を示したものであり、DRAM部とロジック部が同一チップ内に形成された「混載DRAMチップ」に本発明を適用した例である。すなわち、ロジック部のように低い配線抵抗が要求される領域に対して本発明を適用したものである。
【0047】
DRAM部のビット線121は最小ピッチで配線が形成され、配線間容量を減らすためにビット線121の膜厚を例えば250nm程度としている。一方、ロジック部では、配線抵抗を下げるために、膜厚250nm程度の配線領域122と膜厚500nm程度の配線領域123が少なくとも1本の配線中に混在して設けられている。また、従来はDRAM部のビット線を例えばW膜で形成していたが、これを例えばアルミ配線(Al−Cu)に変更し、ロジック部で用いるアルミ配線と同時に形成している。
【0048】
このように、ロジック部には膜厚の薄い領域122と膜厚の厚い領域123を設けるとともに、DRAM部ではロジック部の配線膜厚の薄い領域122と同じ膜厚の配線121を形成することにより、ロジック部では配線抵抗を低減でき、DRAM部では配線間容量を低減でき、混載DRAM素子の高性能化を達成することができる。また、DRAMとロジック部の配線の製造プロセスを共用化することができ、両者の接続部における設計制約を緩和することができる。
【0049】
(実施形態5)
図7〜図11は、本発明の第5の実施形態の製造工程を順を追って示した図であり、各図(a)は平面構成を示した図、各図(b1)は各図(a)のX1−X1’断面図、各図(b2)は各図(a)のX2−X2’断面図、各図(c)は各図(a)のY−Y’断面図である。
【0050】
本実施形態では、同一配線層における同一配線に薄い配線膜厚(例えば400nm程度)の領域と深い配線膜厚(例えば700nm程度)の領域を交互に設けるとともに、隣接する一方の配線の膜厚の薄い部分と他方の配線の膜厚の厚い部分とが対応するように配置されているものである。このような構成にすることにより、配線抵抗を低下させながら同時に隣接する配線間の容量を低下させることができる。なお、基本的な製造工程は図3に示した第1の実施形態とほぼ同様であり、第1の実施形態と対応する事項については詳細な説明は省略する。
【0051】
まず、図7に示すように、Si基板(図示せず)上にトランジスタ、必要なコンタクト及び配線(図示せず)を形成した後、全面に層間絶縁膜として平坦化されたTEOS−SiO 膜141を800nm程度の膜厚で形成する。続いて、SiO 膜141の表面にSi 膜142を50nm程度堆積する。次に、溝パターンが形成されたレジスト膜(図示せず)をマスクとして用い、RIE法によりSi 膜142とSiO 膜141をエッチングし、SiO 膜141に配線用溝143を形成する。この時の溝の深さは、Si 膜142の表面から400nm程度とする。
【0052】
次に、図8に示すように、配線用溝の深さをさらに深くしたい領域が開口パターンとなっているレジスト膜144を形成し、このレジスト膜144とSi 膜142をマスクにして例えばRIE法を用いた追加エッチングを行い、配線用溝145を形成する。この配線用溝145の深さは例えばSi 膜142表面から700nm程度とする。このエッチングの際には、SiO 膜141のエッチング速度に比べてSi 膜142のエッチング速度が10倍程度以上遅いエッチング条件を選択する。
【0053】
このようにして、一本の連続した配線用溝の所望の領域に浅い配線溝の領域と深い配線溝の領域が交互に形成される。また、隣接する配線間では配線溝の浅い領域と深い領域とが互いに向き合うような位置関係となっており、配線間容量を低減することができる。
【0054】
次に、図9に示すように、レジスト膜144を剥離した後、全面に配線材料となる金属膜146を堆積する。さらに全面をCMP法を用いて研磨し、配線用溝145及び先に形成した配線用溝143に金属膜146を選択的に埋め込み、膜厚の薄い配線領域147a及び膜厚の厚い配線領域147bを形成する。このとき、図10に示すように、Si 膜142表面よりも金属膜表面がへこむように金属膜を埋め込むことにより、隣接する配線間のショートを防止することができる。
【0055】
次に、図11に示すように、その後に形成される上層側の配線(図示せず)との間の配線間容量を減らすためにSi 膜142を除去し、さらに層間絶縁膜148を堆積して次の配線工程へと移る。
【0056】
なお、配線長方向の膜厚の薄い領域と厚い領域のパターンのピッチは、配線抵抗と配線間容量の関係で決めることができ、例えばピッチ2.0μm程度から10μm程度に適宜設定すればよい。通常は、配線幅方向に隣接して形成された各配線の配線ピッチの10倍から20倍程度に上記パターンピッチを設定することが望ましい。
【0057】
また、上記の例では隣接する配線間で配線膜厚の薄い領域と厚い領域とが互いに向き合うような位置関係となっているが、配線領域全体で必ずしもこのような位置関係を満たしている必要はなく、例えば配線の端部では膜厚の薄い領域どうしが向き合っているようにしてもよい。隣接する配線間で配線膜厚の薄い領域と厚い領域とが互いに向き合うような位置関係となっている領域の割合は、各配線で例えば50%以上となっているようにすることが好ましい。また、配線端部の膜厚及び該膜厚の配線領域の長さを適当に選択する(配線の終端処理を行う)ことにより、特に高周波でのマッチング特性を向上させることができる。
【0058】
以上のように、本実施形態によれば、隣接する配線との関係を考慮して所定のピッチで配線膜厚を変えることができ、隣接する配線間の容量を低減しながら配線抵抗の低減をはかることができる。
【0059】
以上本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。
【0060】
【発明の効果】
本発明によれば、周囲の配線等との関係に応じて膜厚の異なる領域を適宜配置することにより、配線抵抗及び配線間容量を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る基本構成の一例を示した図。
【図2】本発明の実施形態に係る基本構成の他の例を示した図。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る製造工程を示した工程断面図。
【図4】本発明の第2の実施形態に係る製造工程を示した工程断面図。
【図5】本発明の第3の実施形態に係る製造工程を示した工程断面図。
【図6】本発明の第4の実施形態を示した断面図。
【図7】本発明の第5の実施形態に係る製造工程の一部を示した図。
【図8】本発明の第5の実施形態に係る製造工程の一部を示した図。
【図9】本発明の第5の実施形態に係る製造工程の一部を示した図。
【図10】本発明の第5の実施形態に係る製造工程の一部を示した図。
【図11】本発明の第5の実施形態に係る製造工程の一部を示した図。
【図12】従来技術の製造工程の一例を示した図。
【図13】従来技術における配線とコンタクト部の構成例を示した図。
【図14】従来技術の製造工程の他の例を示した図。
【符号の説明】
101…シリコン基板
102、141…SiO
103、142…SiN膜
104、106、106a、106b、143、145…配線用溝
105、144…レジスト膜
107、146…金属膜
108a、108b、121、122、123、147a、147b…配線
148…層間絶縁膜

Claims (4)

  1. 半導体基板上の所望の層に形成された配線の該配線よりも上層側又は下層側に形成された導電部との接続領域を除いた配線領域が連続する同一配線中で複数の異なる膜厚を有し、
    前記複数の異なる膜厚を有する配線は、絶縁膜に形成された複数の異なる深さの溝に埋め込み形成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 半導体基板上の所望の層に形成された配線の該配線よりも上層側又は下層側に形成された導電部との接続領域を除いた配線領域が連続する同一配線中で複数の異なる膜厚を有し、
    前記複数の膜厚を有する少なくとも2本の配線が同一層において隣接して形成され、隣接する一方の配線の膜厚の薄い部分と他方の配線の膜厚の厚い部分とが少なくとも一部の領域において対応するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
  3. 半導体基板上に形成された第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、配線予定領域に対応した領域の第1及び第2の絶縁膜に第1の配線用溝を形成する工程と、この第1の配線用溝の一部を所定のマスク材で覆うとともに該マスク材で覆われていない部分の第1の絶縁膜を第2の絶縁膜をエッチングマスクとしてエッチングすることにより、前記マスク材で覆われていない部分の第1の配線用溝をさらに深くした第2の配線用溝を形成する工程と、前記第1の配線用溝及び第2の配線用溝に配線材料を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 半導体基板上に形成された第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、配線予定領域の一部に対応した領域の第1及び第2の絶縁膜に第1の配線用溝を形成する工程と、配線予定領域の他の部分に対応した領域の第2の絶縁膜を除去する工程と、残置している第2の絶縁膜をエッチングマスクとして第1の絶縁膜エッチングすることにより、第1の配線用溝をさらに深くした第2の配線用を形成するとともに前記第2の絶縁膜を除去した領域に第3の配線用溝を形成する工程と、前記第2の配線用溝及び第3の配線用溝に配線材料を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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