JP3617575B2 - Vacuum exhaust system - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体製造用の真空チャンバを真空にするために用いる真空排気システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の真空排気システムを図8を参照して説明する。
真空チャンバ10は、例えばエッチング装置や化学気相成長装置(CVD)等の半導体製造装置のプロセスチャンバであり、この真空チャンバ10は、配管14を通じて真空ポンプ12に接続されている。真空ポンプ12は、真空チャンバ10からのプロセスガスを大気圧まで昇圧するためのもので、従来は油回転式ポンプが、現在はドライポンプが主に使用されている。
【0003】
真空チャンバ10が必要とする真空度が、ドライポンプ12の到達真空度よりも高い場合には、ドライポンプの上流側にさらにターボ分子ポンプ等の超高真空ポンプが配備されることもある。プロセスガスはプロセスの種類により毒性や爆発性があるので、真空ポンプ12の下流には排ガス処理装置22が配備されている。大気圧まで昇圧されたプロセスガスのうち、上記のような大気に放出できないものは、ここで吸着、分解、吸収等の処理を行い、無害なガスのみが放出される。なお、配管14には必要に応じて適所にバルブが設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の真空排気システムにおいては、以下のような欠点がある
▲1▼ プロセスガス又は反応副生成物のガス中に腐食性がある場合には、そのガスによって真空ポンプが腐食し、寿命が短縮されるという欠点がある。
例えば、Siをエッチングする場合に、代表的なプロセスガスであるCF4 とO2 を使用すると、プロセスチャンバからは、CF4 とO2 の残ガスとともにSiF4 ,F2 ,CO,CO2 の副生成物が真空ポンプにより排出される。このうち、特にF2 が強い腐食性があり(プロセス上の理由からFラジカルが含まれている)、真空ポンプを腐食する。
【0005】
▲2▼ また、反応副生成物の中に昇華温度の高い物質がある場合、そのガスを真空ポンプが排気するので、昇圧途上でガスが固形化し、真空ポンプ内に析出して故障の原因になる。
例えば、アルミニウムのエッチングを行うために、代表的なプロセスガスであるBCl3 ,Cl2 を使用すると、プロセスチャバからは、BCl3 ,Cl2 のプロセスガスの残ガスとAlCl3 の反応副生成物が真空ポンプにより排気される。このAlCl3 は、吸気側では分圧が低いので析出しないが、加圧排気する途中での分圧が上昇し、真空ポンプ内で析出して真空ポンプの故障の原因となる。これは、SiNの成膜を行うCVD装置から生じる(NH4)2SiF6やNH4Cl等の反応副生成物の場合も同様である。
【0006】
▲3▼ さらに、反応副生成物の中に、高温で反応性のあるガスが含まれている場合に、そのガスが真空ポンプ内で反応して、真空ポンプの故障の原因になる。
例えば、タングステンの成膜を行うプラズマCVD装置において、代表的なプロセスガスであるWF6 ,SiH4 を用いると、プロセスチャンバからは、WF6 ,SiH4 の残ガスとHF,H2 の生成副産物が排出される。真空ポンプの中において圧力と温度が上昇するに伴い、WF6 とSiH4 が反応してWが析出し、真空ポンプの故障の原因となる。
【0007】
▲4▼ トラップされたプロセスガスが、再利用されずに捨てられるのでランニングコストが高い。特に、SiH4 のようなガスは高価であり、再利用するのが望ましいが、前記従来の方法では、トラップ中に複数種類のガスが混在するので、分離する作業に多くの手間を要する。
【0008】
▲5▼ すべてのガスを排ガス処理装置に導入して処理を行なうので、処理装置の規模が大きくなり、膨大な設備コストが必要となるとともに、処理工程も複雑になり、ランニングコストも高くなる。
【0009】
これらのうち、▲1▼については耐腐食性の真空ポンプの開発、▲2▼については、真空ポンプの温度を上げる、或いはポンプ内に不活性気体を注入し分圧を下げて析出しないようにする等の対策が施されているが、これらの改善策は、真空ポンプ側のみの改良であり、真空排気システム全体として捉えていないので、充分な効果を奏していない。また▲4▼、▲5▼については全く考慮すらされていない。
【0010】
本発明は以上の欠点に鑑みてなされたものであり、真空ポンプの長寿命化、排ガス処理装置の小容量化によって、運転の信頼性の向上、設備や運転コストの低減を図ることができる真空排気システムを提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、プロセスチャンバと該チャンバを排気するための真空ポンプとを連通する排気配管に、該プロセスチャンバからの排ガスの所定の活性成分と反応してこれを不活性化する犠牲材料を配した反応トラップが設けられていることを特徴とする真空排気システムである。
これにより、排ガス中に存在する活性成分が真空ポンプに流入する前に犠牲材料と反応し、より不活性な物質に変換されるので、この成分が真空ポンプを腐食させたり、真空ポンプ中で他の成分と反応して詰まりを生じるなどの事態が防止される。
【0012】
そして、前記犠牲材料が通気性を有して形成され、該通気性を持つ犠牲材料が上記排気配管の流路を塞ぐように配されていることを特徴とするものである。この場合、犠牲材料は真空ポンプの上流側に配置されており、気体の流速が大きいので、通気性をある程度大きくする必要がある。
【0013】
そして、前記犠牲材料と真空ポンプの間に、上記所定の活性成分と犠牲材料の反応による生成物を排ガス中から除去する除去機構を設けたことを特徴とするものである。これにより、犠牲材料との反応による生成物が真空ポンプに到達する前に除去されるので、真空ポンプが清浄な状態で維持される。
また、この真空排気システムは、前記除去機構が低温トラップであることを特徴とするものである。これにより、凝固点が比較的高い反応生成物が凝結してトラップされ、除去される。
【0014】
また、前記真空ポンプは、排気経路に潤滑油を用いないドライポンプであることが好ましい。このような真空ポンプは、構成部材が潤滑油で覆われておらず、露出しているので、排ガスに含まれる腐食性成分の影響を受けやすいので、本発明が特に有用である。
【0015】
また、前記反応トラップが前記排気配管中に着脱自在に取り付けられていることが好ましい。これにより、反応トラップの交換が容易であり、また、犠牲材料の補給作業を反応トラップを排気配管から外した状態で行なうことができる。
【0016】
また、前記反応トラップが前記排気配管中に2系統並列にかつ選択的に導通可能に接続されていることが好ましく、これを切り換えて用いることにより、犠牲材料の補給や交換の作業を排気ラインを停止させることなく行なうことができる。
【0017】
また、前記反応トラップの前後の差圧を測定するセンサが設けられていることが好ましく、このセンサの指示によって、反応トラップ中の犠牲材料の減少度合いや、あるいは詰まりの状態などを判断することができる。
【0018】
また、前記犠牲材料がC,Si,Sからなるグループの少なくとも1つを含むものであることが好ましく、前記犠牲材料が金属であることが好ましい。
【0019】
【実施例】
以下、図面を用いて本発明の実施例について説明する。
図1は本発明に関連する基本的な実施例であって、真空チャンバ10と真空ポンプ12を繋ぐ排気配管14に反応トラップ16がバルブ18,20を介して設けられている。真空ポンプ12の下流側には、排ガス処理装置22が設けられている。
【0020】
反応トラップ16は、図2に示すように、筒状構造のケーシング24の内側に、犠牲材料26を収容する容器28が設けられて構成されており、天板30に流入口32が、ケーシング24外面に流出口34が設けられている。この容器28は、図3(a)に示すように、通気性を有するようにメッシュ状素材から構成された2つの筒36,38と、これらの間の空間の上面を覆う天板40と、容器の下側全面を覆う底板42からなっている。
【0021】
犠牲材料26は、やはり、通気性を有するように、粒状、粉体状、針状、不定形の塊状、繊維状、あるいは焼結体として形成されている。犠牲材料の素材は、排ガス中の処理したい成分と反応性が高く、しかも安定で加工が容易であるような素材を選択する。半導体製造工程において問題となるのは処理対象のガスがフッ素を含む場合が多いが、この場合は、C,Si,Sあるいはこれらの混合物が挙げられる。また、真空ポンプを構成する素材と同一又は類似の金属は、犠牲材料として有用である。
【0022】
流入口32と流出口34には、それぞれ排気配管接続用のフランジ44,46が設けられており、容器28の内側空間には流入口32が連通し、これはバルブ18を介して真空チャンバ10に接続されている。また、容器28の外側空間、つまりケーシング24の内側空間は上記の流出口34に連通しており、これはバルブ20を介して真空ポンプ12に接続されている。また、ケーシング24の天板30は取り外し可能になっており、これにより犠牲材料26の補給や交換、又はケーシング24内部の洗浄等が容易になっている。
【0023】
図3(b)及び(c)は、犠牲材料26を収容する容器の他の例を示すもので、(b)は内側の筒38を短くして底部48,50もメッシュで構成している。従って、容器28を通気する面積が大きいので、反応効率も高く、圧力損失も少ない。図3(c)は、外側の筒36の上側部分を通気性の無い筒板52で形成して、下方側のみガスを流通させるようにしている。これにより、犠牲材料26が排ガスとの反応によって容器から失われてしまう場合に、容器28の上部の犠牲材料が降下して順次下部に供給され、反応が続行される。
【0024】
図4は、他の実施例であって、ケーシング24の下部に下側が細いテーパ部54が設けられている。これは、犠牲材料26と排ガスとの反応で固体の生成物ができる場合に、これをテーパ部54に落として適宜下部の排出口56より排出するものである。この場合、生成物の捕捉率を向上させるためには、ガスの下降流れを利用することが好ましく、従って、図3(c)の形式の犠牲材料容器28と組み合わせることが有利である。
【0025】
図5(a)は、さらに他の実施例を示すもので、筒状のケーシング60の内部に、通気性を有するように板状に成形した犠牲材料62を取り付けたものである。この板状犠牲材料62は、メッシュ状のものを一層あるいは複数層重ねたもの、粒状、粉体状、針又は棒状の部材を焼結等させたもの、板状部材に穴を形成したもの等が、状況に応じて適宜選択可能である。また、図5(b)は、板状の犠牲材料62を間にガス流路となる隙間64を形成して層状に配置したものである。これは、上記のような加工が難しい場合に好適に用いられる。
【0026】
図6は、この発明の基本的な実施例であり、図1の実施例の下流に低温トラップ70,72を設けたものである。これにより、排ガス中の成分が犠牲材料と反応してできた生成物及び/又は犠牲材料と反応せずに残存する成分を真空ポンプ12の前に除去するものである。この例では、温度の異なる2つのトラップ70,72を設けているので、凝固点の異なる元素を分離してトラップすることができ、これを再生して用いる場合には便利である。
【0027】
図7は、他の実施例であり、それぞれバルブ18,20を有する反応トラップ16を2系統設けることにより、反応トラップ16の交換や犠牲材料の補給を、排気ラインを止めることなく行なうことができるようにしたものである。また、この例では反応トラップ16の前後に差圧センサ74を設け、このセンサ74の指示によって、反応トラップ中の犠牲材料の減少度合いや、あるいは詰まりの状態などを判断することができるようになっている。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、排ガス中に存在する活性成分を、これが真空ポンプに流入する前に犠牲材料と反応させ、より不活性な物質に変換するので、この成分が真空ポンプを腐食させたり、真空ポンプ中で他の成分と反応して詰まりを生じるなどの事態が防止される。従って、真空ポンプの長寿命化、排ガス処理装置の省容量化によって、運転の信頼性の向上、設備や運転コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に関連する一実施例の真空排気システムの全体構成を示す図である。
【図2】この発明の要部である反応トラップの具体的構成を示す図である。
【図3】犠牲材料容器の構成例を示す図である。
【図4】反応トラップの他の実施例を示す図である。
【図5】反応トラップのさらに他の実施例を示す図である。
【図6】この発明の真空排気システムの基本的な実施例を示す図である。
【図7】 真空排気システムのさらに他の実施例を示す図である。
【図8】従来の真空排気システムの全体構成を示す図である。
【符号の説明】
10 プロセス(真空)チャンバ
12 真空ポンプ
14 排気配管
16 反応トラップ
26,62 犠牲材料
74 差圧センサ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an evacuation system used to evacuate a vacuum chamber for semiconductor manufacturing, for example.
[0002]
[Prior art]
A conventional evacuation system will be described with reference to FIG.
The
[0003]
When the degree of vacuum required by the
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The conventional vacuum exhaust system as described above has the following disadvantages: (1) If the process gas or reaction by-product gas is corrosive, the gas will corrode the vacuum pump, There is a disadvantage that the lifetime is shortened.
For example, in the case of etching Si, when CF 4 and O 2 which are typical process gases are used, SiF 4 , F 2 , CO, and CO 2 together with the residual gas of CF 4 and O 2 from the process chamber. By-products are discharged by a vacuum pump. Of these, F 2 is particularly corrosive (contains F radicals for process reasons) and corrodes the vacuum pump.
[0005]
(2) Also, if there is a substance with a high sublimation temperature in the reaction by-product, the gas is exhausted by the vacuum pump, so the gas solidifies during the pressurization and precipitates in the vacuum pump, causing a failure. Become.
For example, when BCl 3 and Cl 2 , which are typical process gases, are used to etch aluminum, the process gas from the process chamber is a residual gas of BCl 3 and Cl 2 and a reaction byproduct of AlCl 3 . Is evacuated by a vacuum pump. This AlCl 3 does not precipitate because the partial pressure is low on the intake side, but the partial pressure increases during pressurized exhaust, and precipitates in the vacuum pump, causing a failure of the vacuum pump. The same applies to reaction by-products such as (NH 4 ) 2 SiF 6 and NH 4 Cl produced from a CVD apparatus for forming a SiN film.
[0006]
{Circle around (3)} Further, when a reactive gas is contained in the reaction by-product at a high temperature, the gas reacts in the vacuum pump, causing a failure of the vacuum pump.
For example, when a typical process gas WF 6 or SiH 4 is used in a plasma CVD apparatus for forming a tungsten film, a residual gas of WF 6 or SiH 4 and a by-product of HF and H 2 are generated from the process chamber. Is discharged. As pressure and temperature rise in the vacuum pump, WF 6 and SiH 4 react to precipitate W, which causes a failure of the vacuum pump.
[0007]
(4) Since the trapped process gas is discarded without being reused, the running cost is high. In particular, a gas such as SiH 4 is expensive and desirably reused. However, in the conventional method, since a plurality of kinds of gases are mixed in the trap, a lot of labor is required for the separation work.
[0008]
(5) Since all gases are introduced into the exhaust gas treatment apparatus for treatment, the scale of the treatment apparatus becomes large, enormous equipment costs are required, the treatment process becomes complicated, and the running cost increases.
[0009]
Of these, (1) is the development of a corrosion-resistant vacuum pump, and (2) is not deposited by raising the temperature of the vacuum pump or injecting an inert gas into the pump to lower the partial pressure. Although such measures are taken, these improvement measures are improvements only on the side of the vacuum pump, and are not considered as the entire vacuum exhaust system, and thus are not sufficiently effective. Further, (4) and (5) are not even considered at all.
[0010]
The present invention has been made in view of the above drawbacks, and a vacuum capable of improving operational reliability and reducing equipment and operating costs by extending the life of a vacuum pump and reducing the capacity of an exhaust gas treatment device. It aims to provide an exhaust system.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, a sacrificial material that reacts with a predetermined active component of the exhaust gas from the process chamber and inactivates it is disposed in an exhaust pipe that communicates the process chamber with a vacuum pump for exhausting the chamber. An evacuation system characterized in that a reaction trap is provided.
As a result, the active component present in the exhaust gas reacts with the sacrificial material before flowing into the vacuum pump and is converted into a more inert substance, so that this component corrodes the vacuum pump or other components in the vacuum pump. This prevents the occurrence of clogging by reacting with other ingredients.
[0012]
Then, the sacrificial material is formed with a breathable, the sacrificial material having a vent temper is characterized in that it is arranged so as to close the flow path of the exhaust pipe. In this case, since the sacrificial material is disposed on the upstream side of the vacuum pump and the gas flow rate is large, it is necessary to increase the air permeability to some extent.
[0013]
Then, between the sacrificial material and the vacuum pump, in which a product by the reaction of the predetermined active ingredient and the sacrificial material, characterized in that a removing mechanism for removing from the flue gas. Thereby, the product due to the reaction with the sacrificial material is removed before reaching the vacuum pump, so that the vacuum pump is kept clean.
Further, the vacuum exhaust system, the removal mechanism is characterized in that a cold trap. Thereby, the reaction product having a relatively high freezing point is condensed and trapped and removed.
[0014]
Further, the vacuum pump is preferably the exhaust path is a dry pump using no lubricant. In such a vacuum pump, since the constituent members are not covered with the lubricating oil and exposed, the present invention is particularly useful because it is easily affected by the corrosive components contained in the exhaust gas.
[0015]
Moreover , it is preferable that the reaction trap is detachably attached to the exhaust pipe . This makes it easy to replace the reaction trap, and the sacrificial material can be replenished with the reaction trap removed from the exhaust pipe.
[0016]
Further, it is preferable that the reaction trap is connected in a conducting the two systems in parallel and selectively to the exhaust pipe, by using switching this, the exhaust line work replenishment or replacement of the sacrificial material This can be done without stopping.
[0017]
In addition , a sensor for measuring the differential pressure before and after the reaction trap is preferably provided, and by the instruction of this sensor, it is possible to determine the degree of reduction of the sacrificial material in the reaction trap or the state of clogging. it can.
[0018]
Further, the sacrificial material is C, Si, is preferably one containing at least one of the group consisting of S, it is preferred that the sacrificial material is a metal.
[0019]
【Example】
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a basic embodiment related to the present invention , and a
[0020]
As shown in FIG. 2, the
[0021]
The
[0022]
The
[0023]
FIGS. 3B and 3C show another example of a container for storing the
[0024]
FIG. 4 shows another embodiment in which a
[0025]
FIG. 5A shows still another embodiment, in which a
[0026]
Figure 6 is a basic embodiment of the invention, is provided with a
[0027]
FIG. 7 shows another embodiment. By providing two reaction traps 16 each having
[0028]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the active component present in the exhaust gas reacts with the sacrificial material before it flows into the vacuum pump and is converted into a more inert substance. Can be prevented from clogging or clogging by reacting with other components in the vacuum pump. Therefore, by extending the life of the vacuum pump and saving the capacity of the exhaust gas treatment device, it is possible to improve operation reliability and reduce equipment and operating costs.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an evacuation system according to an embodiment related to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration of a reaction trap which is a main part of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a sacrificial material container.
FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of a reaction trap.
FIG. 5 is a view showing still another embodiment of a reaction trap.
6 is a diagram showing a basic embodiment of the evacuation system of the present invention.
7 is a diagram showing still another embodiment of the vacuum exhaust system.
FIG. 8 is a diagram showing an overall configuration of a conventional evacuation system.
[Explanation of symbols]
10 Process (vacuum)
16
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