JP3614746B2 - 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3614746B2 JP3614746B2 JP2000056355A JP2000056355A JP3614746B2 JP 3614746 B2 JP3614746 B2 JP 3614746B2 JP 2000056355 A JP2000056355 A JP 2000056355A JP 2000056355 A JP2000056355 A JP 2000056355A JP 3614746 B2 JP3614746 B2 JP 3614746B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical
- laser element
- light
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 134
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の異なるフォーマットを有する光ディスクを単一の光ピックアップ装置で再生するために用いられる半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、光ディスクの中で最も大きな市場を形成しているＣＤ（コンパクトディスク）において、その再生装置には、波長７８０ｎｍ〜８００ｎｍ帯の近赤外半導体レーザ素子が用いられている。一方、今後、急速な普及が期待される、より高記録密度の光記録媒体であるＤＶＤ（ディジタルビデオディスク）の記録・再生には、小さな光スポット径を必要とするため、より短波長の６３５ｎｍ〜６８０ｎｍ帯の赤色半導体レーザ素子が用いられている。これら規格の異なる２種類の光ディスクに対して、１台の装置で記録・再生を可能にすることが要求されており、そのための光ピックアップ装置が、例えば、特開平１０−３２０８１５号公報に記載されている。図８に、従来の光ピックアップ装置の構成を示す。
【０００３】
以下、図８を参照して、従来の光ピックアップ装置の動作原理について説明する。
【０００４】
ＣＤの記録・再生には、波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子１０１が用いられる。半導体レーザ素子１０１から光ディスク１０６の面に対して垂直方向に出射された出射光束１１６は、回折格子１１５により３つの光束に分岐され、光軸上に配置されたコリメータレンズ１０３により発散光束から平行光束に変換され、波長偏向フィルタ１０９を透過して、対物レンズ１０５により光ディスク１０６上に集光される。
【０００５】
光ディスク１０６からの反射光束は、対物レンズ１０５により発散光束から平行光束に変換され、再び波長偏向フィルタ１０９を透過し、コリメータレンズ１０３で集光光束に変換された後、ホログラム素子１１１に入射される。ホログラム素子１１１で分岐された光束は受光素子１１３で電気信号として検出され、この検出信号に基づいて、ＣＤの再生およびフォーカス／トラッキングサーボが行われる。
【０００６】
一方、ＤＶＤの記録・再生には、波長６３５ｎｍ（または６５０ｎｍ）の半導体レーザ素子１０２が用いられる。半導体レーザ素子１０２から光ディスク１０６の面に対して平行方向に出射された出射光束１１７は、光軸上に配置されたコリメータレンズ１０４により発散光束から平行光束に変換され、偏光ビームスプリッタおよび１／４波長板１０８を透過し、波長偏向フィルタ１０９により光路を４５°偏向するように反射された後、対物レンズ１０５により光ディスク１０６上に集光される。
【０００７】
光ディスク１０６からの反射光束は、対物レンズ１０５により発散光束から平行光束に変換され、再び波長偏向フィルタ１０９により光路を４５°偏向するように反射された後、１／４波長板１０８で偏光方向が変換される。このため、続いて偏光ビームスプリッタ１０７に入射する光束は、光路を４５°偏向するように反射され、その後、検出レンズ１１０で集光され、シリンドリカルレンズ１１２を通り、受光素子１１４で電気信号として検出される。この検出信号に基づいて、ＤＶＤの再生およびフォーカス／トラッキングサーボが行われる。
【０００８】
なお、上記構成においては、波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子を搭載しているため、ＣＤ−Ｒの記録・再生にも対応可能となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８に示すような従来の光ピックアップ装置では、発光波長の異なる２つの半導体レーザ素子１０１、１０２や、それらから出射される各々の光束に対応する複数の受光素子１１３、１１４をはじめ、ホログラム素子１１１、シリンドリカルレンズ１１２、波長偏向フィルタ１０９等、多くの光学部品から構成されているため、装置の小型化が困難である。
【００１０】
また、各光学部品が離散的に配置されているため、多くの位置調整および固定が必要であり、組立に多大な時間とコストを要するといった問題があった。
【００１１】
よって、本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、フォーマットの異なる各種の光ディスクに対する記録・再生が可能な小型かつ低コストの半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る半導体レーザ装置は、一の発振波長の第１の半導体レーザ素子と前記一の発振波長より短い発振波長の第２の半導体レーザ素子および複数の受光素子が一つの基板上に集積された受発光集積基板と、光学素子とを有し、前記受発光集積基板が筐体内に配置され、前記光学素子が前記筐体の上に載置され、前記第１及び第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが反射された反射戻り光を前記受光素子で受光するように構成された半導体レーザ装置であって、前記光学素子は、前記受発光集積基板における前記第１及び第２の半導体レーザ素子からの出射ビームの光路中に配置され、前記第１の半導体レーザ素子の反射戻り光を分岐するための第１の回折格子および前記第２の半導体レーザ素子の反射戻り光を分岐するための第２の回折格子が上面に形成されたホログラム素子と、前記第１の半導体レーザ素子の上部に配置された波長偏向フィルタおよび前記第２の半導体レーザ素子の上部に配置された反射ミラーが一体に形成された複合プリズムとを有し、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームは、前記光学素子内に入射した後、そのまま透過して出射され、かつ前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームは、前記光学素子内に入射した後、前記光学素子内に設けられた前記反射ミラーによって、その光路を曲げられた後に出射されて、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過する距離よりも、前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過する距離が長くなるように光路を設定することにより、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過して集光手段に至る空気換算距離Ｌ１と、前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過して前記集光手段に至る空気換算距離Ｌ２とが略同一となるようにしたことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、２つの半導体レーザ素子と複数の受光素子とが受発光集積基板に集積されているので、小型かつ低コストの半導体レーザ装置を提供することができる。また、光ディスクからの戻り光を効率よく分岐して受光素子へと導くことが可能になるとともに、２つの出射ビームが光学素子を透過する距離を変えることで、光学素子を通過した後における２つの出射ビームの空気換算距離をほぼ同一に揃えることができる。
集光手段に対する２つの半導体レーザ素子からの空気換算距離がほぼ等しいので、同一の集光手段（例えば、コリメータレンズ等）を採用することが可能になり、光学構成が容易になる。
【００１４】
なお、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記ホログラム素子における前記受発光集積基板と対向する下面には、前記第１の半導体レーザ素子からの出射光を回折する第３の回折格子が設けられ、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームは前記第３の回折格子で回折された後、前記光学素子をそのまま透過して出射されることが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記集光手段は、前記第１の半導体レーザ素子または前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームを平行光束に変換する機能を有することが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記空気換算距離Ｌ１と前記空気換算距離Ｌ２との差が±５０μｍ以内であることが好ましい。
【００２１】
また、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記第１の半導体レーザ素子の発振波長が７８０ｎｍ帯で、前記第２の半導体レーザ素子の発振波長が６５０ｎｍ帯であることが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、ＣＤフォーマットの光ディスクとＤＶＤフォーマットの光ディスクに対応することが可能になる。
【００３３】
さらに、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記第１の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子とが１チップに集積されていることが好ましい。
【００３４】
この構成によれば、複数の半導体レーザ素子を１チップに集積することで、部品点数を削減した半導体レーザ装置を実現でき、したがって光ピックアップ装置を小型化することが可能になる。
【００３５】
さらに、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記光学素子は前記受発光集積基板上に載置されていることが好ましい。
【００３６】
この構成によれば、光学素子を受発光集積基板上に載置することで、受発光集積基板が保護される半導体レーザ装置を実現でき、したがって光ピックアップ装置の信頼性を高めることができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３８】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態について、図１から図５を用いて説明する。
【００３９】
図１は、本発明の第１の実施形態による半導体装置を用いた光ピックアップ装置の概略構成図である。
【００４０】
図１において、半導体レーザ装置１からの出射光は、コリメータレンズ２により発散光束から平行光束に変換された後、対物レンズ３へ入射し、対物レンズ３により光ディスク４上へと集光される。光ディスク４からの反射光は、前述した経路を逆に辿り、半導体レーザ装置１へ戻り光として入射する。
【００４１】
次に、半導体レーザ装置１の構成について説明する。
【００４２】
図２は、本実施形態による半導体レーザ装置１の構成を示す断面図であり、図３（ａ）は、図２に示す半導体レーザ装置１のシリコン基板８を光ディスク４側から見た平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すシリコン基板８を線分Ａ−Ａ’に沿って切った断面図である。
【００４３】
図２および図３において、受光素子７ａ、７ｂが形成されたシリコン基板８上には２つの凹部８１、８２が形成され、その凹部の底面８１ａ、８２ａには、ＣＤフォーマットディスクにレーザビームを照射するための波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子５と、ＤＶＤフォーマットディスクにレーザビームを照射するための波長６５０ｎｍの半導体レーザ素子６とがそれぞれ配置されている。さらに、シリコン基板８は、筐体９内に配置されるとともに、回折格子１４、１５、１６が形成されたホログラム素子１０により封止されている。ホログラム素子１０の上部にはさらに、反射ミラー１２と波長偏向フィルタ１３とが一体に形成された複合プリズム１１が配置されている。
【００４４】
なお、図３において、シリコン基板８として、（１００）面から＜０−１１＞方向を軸として＜１００＞方向に５°以上１５°以下回転させた面（以下、この面を傾斜面αという）、より好ましくは９．７°回転させた面を主面とするのがよい。このような構成によれば、水酸化カリウム系のエッチング液を使用して、異方性エッチングによりシリコン基板８の凹部８１を形成したときに、凹部８１の一側面８１ｂに傾斜面αである凹部８１の底面８１ａと４０°以上５０°以下の角度を有する（１１１）面を形成することができる。
【００４５】
したがって、凹部８１の底面８１ａに波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子５を配置すれば、凹部８１の一側面８１ｂが反射ミラーとなって、出射ビームをシリコン基板８に対してほぼ垂直上方へ取り出すことが可能になる。
【００４６】
なお、ここで、＜０−１１＞方向とは、
【００４７】
【数１】
【００４８】
を表す。すなわち、“−１”は“１バー”を表す。
【００４９】
また、シリコン基板８としては、傾斜面αに限らず、例えば（００１）面から＜−１１０＞方向を軸として＜００１＞方向に５°以上１５°以下回転させた面や、（０１０）面から＜−１０１＞方向を軸として＜０１０＞方向に５°以上１５°以下回転させた面を用いてもよい。すなわち、（１００）面と等価な面から＜０−１１＞方向と等価な方向を軸として＜１００＞方向と等価な方向に５°以上１５°以下回転させた面をシリコン基板８の主面として用いればよい。
【００５０】
次に、このように構成された半導体レーザ装置１の動作について説明する。
【００５１】
図１に示す光ディスク４がＣＤフォーマットに対応する場合、半導体レーザ素子５が発光し、その出射ビームは凹部８１の一側面８１ｂで反射し上部へ取り出され、回折格子１５へ入射する。この入射した光は回折格子１５で回折を受け、０次回折光と±１次回折光が発生する。次に、これら３つの光は、回折格子１４、波長偏向フィルタ１３を透過し、半導体レーザ装置１から出射されて、図１に示す光ディスク４上に集光される。また、光ディスク４から半導体レーザ装置１へと入射する戻り光は、波長偏向フィルタ１３を透過した後、回折格子１４へ入射し、その±１次回折光が受光素子７ａに導かれ、光電流信号として外部に取り出される。この光電流信号に対して所定の増幅／演算を施すことにより、各種のサーボ信号（フォーカス／トラッキング誤差信号）ならびに再生信号が検出される。
【００５２】
一方、光ディスク４がＤＶＤフォーマットに対応する場合、半導体レーザ素子６が発光し、その出射ビームは凹部８２の一側面８２ｂで反射し上部へ取り出され、回折格子１６を透過して複合プリズム１１へと入射する。複合プリズム１１に入射した光は反射ミラー１２で反射され、さらに波長偏向フィルタ１３で反射され、半導体レーザ装置１から出射されて、図１に示す光ディスク４上に集光される。また、光ディスク４から半導体レーザ装置１へと入射する戻り光は、波長偏向フィルタ１３で反射された後、反射ミラー１２を介して回折格子１６へと入射する。回折格子１６へと入射した光は回折を受け、その±１次回折光が多数の領域に分割された受光素子７ｂに導かれ、光電流信号として外部に取り出される。この光電流信号に対して所定の増幅／演算を施すことにより、各種のサーボ信号ならびに再生信号が検出される。
【００５３】
図４は、半導体レーザ装置１内の半導体レーザ素子５、６からの出射ビームが半導体レーザ装置１外へ出射されるまでの光路長を示す図である。なお、半導体レーザ素子５、６からの出射ビームの光路長について、半導体レーザ装置１を３つの領域に分割して説明する。
【００５４】
図４において、第１の領域は、複合プリズム１１の領域であり、第２の領域はホログラム素子１０の領域であり、第３の領域は、半導体レーザ素子５、６の発光点からホログラム素子１０の下面に至る領域である。
【００５５】
ここで、波長７８０ｎｍに対する、第１の領域での屈折率をｎ１、第２の領域での屈折率をｎ２、第３の領域での屈折率をｎ３とする。また、波長６５０ｎｍに対する、第１の領域での屈折率をｎ１’、第２の領域での屈折率をｎ２’、第３の領域での屈折率をｎ３’とする。さらに、半導体レーザ素子５および半導体レーザ素子６からの出射ビームが半導体レーザ装置１外へ出射されるまでの光路の空気換算距離を、それぞれＬ１およびＬ２とすると、Ｌ１とＬ２は、
Ｌ１＝（ａ＋ｂ）／ｎ３＋ｃ／ｎ２＋ｄ／ｎ１
Ｌ２＝（ａ＋ｅ＋ｆ）／ｎ３’＋ｇ／ｎ２’＋ｈ／ｎ１’
で与えられる。
【００５６】
ここで、本実施形態においては、各領域における屈折率ならびに光路長ｅを調整することで、Ｌ１＝Ｌ２を満足させることができ、それにより半導体レーザ装置１を外から見た場合、半導体レーザ素子５と６を一つの光源として扱うことができる。
【００５７】
以上のように、本実施形態においては、半導体レーザ素子５および半導体レーザ素子６から集光手段としてのコリメータレンズ２までの空間換算距離がほぼ等しくなるので、光ピックアップ装置の特性を劣化させずに、図１に示すように、単一のコリメータレンズ２のみで光ピックアップ装置を構成することができ、光学構成を非常に簡素かつ小型にすることが可能になる。また、２つの半導体レーザ素子とそれに対応した受光素子とを集積することで、さらに光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００５８】
なお、本実施形態において、空気換算距離Ｌ１とＬ２を同一にするために、屈折率の波長分散と光路長ｅを調整するとして説明したが、図５に示すように、半導体レーザ素子５と半導体レーザ素子６の出射ビームの光路中に配置した光学素子の長さ、例えば、半導体レーザ素子６の出射ビームの光路におけるホログラム素子１０の厚みをｇからｇ’に変えて、空気換算距離Ｌ１とＬ２が同一になるように調整することもできる。
【００５９】
また、本実施形態においては、集光手段として、コリメータレンズ２と対物レンズ３を使用する無限光学系を有する光ピックアップ装置の構成について例示し説明したが、本発明を、対物レンズのみを集光手段として使用する有限光学系を有する光ピックアップ装置に適応することもできる。この場合、コリメータレンズが不要となるので、さらに光ピックアップ装置を小型化することができ、かつその組立調整が容易になる。
【００６０】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について、図１、図６および図７を用いて説明する。なお、第１の実施形態と同一の機能を有する素子については同一の符号を付記する。
【００６１】
図６は、本発明の第２の実施形態による半導体レーザ装置１の構成を示す断面図であり、図７は、図６に示す半導体レーザ装置１のシリコン基板８を光ディスク４側から見た平面図である。
【００６２】
図６において、半導体レーザ素子５および６は、対応する受光素子７ａおよび７ｂが形成されたシリコン基板８上にヒートシンク１８を介して配置されている。さらに、受光素子７ａ、７ｂ上にはマイクロプリズム１７が配置されている。なお、本実施形態による半導体レーザ装置１を用いた光ピックアップ装置は、図１に示す光ピックアップ装置において、図２に示した半導体レーザ装置１を、図６および図７に示す半導体レーザ装置１に置き換えた構成をとる。
【００６３】
次に、以上のように構成された半導体レーザ装置１およびそれを用いた光ピックアップ装置の動作について説明する。
【００６４】
図１に示す光ディスク４がＣＤフォーマットに対応する場合、半導体レーザ素子５が発光し、その出射ビームは、マイクロプリズム１７の斜面１７ａで反射し、シリコン基板８に対してほぼ垂直上方へと立ち上がり、半導体レーザ装置１外へと出射され、コリメータレンズ２で平行光束に変換された後、対物レンズ３により光ディスク４上に集光される。また、光ディスク４からの反射光は、前述した経路を逆に辿り、マイクロプリズム１７の斜面１７ａへと入射すると、その一部の光がマイクロプリズム１７中に入射して、シリコン基板８面とマイクロプリズム１７の内部上面１７ｂとの間で反射しながら、複数の領域に分割された受光素子７ａに到達し、受光素子１７ａにより光電流信号として外部に取り出される。この光電流信号に対して所定の増幅／演算を施すことにより、各種のサーボ信号ならびに再生信号が検出される。
【００６５】
一方、図１に示す光ディスク４がＤＶＤフォーマットに対応する場合、半導体レーザ素子６が発光し、上述した動作と同様にして、受光素子７ｂにより取り出された光電流信号に基づいて、各種のサーボ信号ならびに再生信号が検出される。
【００６６】
本実施形態によれば、２つの半導体レーザ素子５および６から集光手段であるコリメータレンズ２までの空気換算距離がほぼ等しくなるので、光ピックアップ装置の特性を劣化させずに、図１に示すように、単一のコリメータレンズ２のみで光ピックアップ装置を構成することができ、光学構成を非常に簡素かつ小型にすることが可能になる。また、２つの半導体レーザ素子とそれに対応した受光素子とを集積することで、さらに光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体レーザ装置および光ピックアップ装置によれば、２つの半導体レーザ素子と複数の受光素子とが受発光集積基板に集積されているので、小型かつ低コストの半導体レーザ装置を提供することができる。
【００６８】
また、集光手段に対する２つの半導体レーザ素子からの空気換算距離がほぼ等しいので、同一の集光手段（例えば、コリメータレンズ等）を採用することが可能になり、光学構成が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体レーザ装置を用いた光ピックアップ装置の概略構成図
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体レーザ装置の構成を示す断面図
【図３】図２に示す半導体レーザ装置のシリコン基板８を光ディスク４側から見た平面図（ａ）、およびそのシリコン基板８を線分Ａ−Ａ’に沿って切った断面図（ｂ）
【図４】本発明の第１の実施形態による半導体レーザ装置内の各半導体レーザ素子から半導体レーザ装置外部までの光路長を示す図
【図５】本発明の第１の実施形態の変形例による半導体レーザ装置内の各半導体レーザ素子から半導体レーザ装置外部までの光路長を示す図
【図６】本発明の第２の実施形態による半導体レーザ装置の構成を示す断面図
【図７】図６に示す半導体レーザ装置のシリコン基板８を光ディスク４側から見た平面図
【図８】従来の光ピックアップ装置の構成図
【符号の説明】
１ 半導体レーザ装置
２ コリメータレンズ
３ 対物レンズ
４ 光ディスク
５ 波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子
６ 波長６５０ｎｍの半導体レーザ素子
７ａ 半導体レーザ素子５に対応した受光素子
７ｂ 半導体レーザ素子６に対応した受光素子
８シリコン基板
８１、８２ 凹部
８１ａ、８２ａ 凹部の底面
８１ｂ、８２ｂ 凹部の一側面
９ 筐体
１０ ホログラム素子
１１ 複合プリズム
１２ 反射ミラー
１３ 波長偏向フィルタ
１４、１５、１６ 回折格子
１７ マイクロプリズム
１７ａ マイクロプリズム１７の斜面
１７ｂ マイクロプリズム１７の内部上面
１８ ヒートシンク
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の異なるフォーマットを有する光ディスクを単一の光ピックアップ装置で再生するために用いられる半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、光ディスクの中で最も大きな市場を形成しているＣＤ（コンパクトディスク）において、その再生装置には、波長７８０ｎｍ〜８００ｎｍ帯の近赤外半導体レーザ素子が用いられている。一方、今後、急速な普及が期待される、より高記録密度の光記録媒体であるＤＶＤ（ディジタルビデオディスク）の記録・再生には、小さな光スポット径を必要とするため、より短波長の６３５ｎｍ〜６８０ｎｍ帯の赤色半導体レーザ素子が用いられている。これら規格の異なる２種類の光ディスクに対して、１台の装置で記録・再生を可能にすることが要求されており、そのための光ピックアップ装置が、例えば、特開平１０−３２０８１５号公報に記載されている。図８に、従来の光ピックアップ装置の構成を示す。
【０００３】
以下、図８を参照して、従来の光ピックアップ装置の動作原理について説明する。
【０００４】
ＣＤの記録・再生には、波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子１０１が用いられる。半導体レーザ素子１０１から光ディスク１０６の面に対して垂直方向に出射された出射光束１１６は、回折格子１１５により３つの光束に分岐され、光軸上に配置されたコリメータレンズ１０３により発散光束から平行光束に変換され、波長偏向フィルタ１０９を透過して、対物レンズ１０５により光ディスク１０６上に集光される。
【０００５】
光ディスク１０６からの反射光束は、対物レンズ１０５により発散光束から平行光束に変換され、再び波長偏向フィルタ１０９を透過し、コリメータレンズ１０３で集光光束に変換された後、ホログラム素子１１１に入射される。ホログラム素子１１１で分岐された光束は受光素子１１３で電気信号として検出され、この検出信号に基づいて、ＣＤの再生およびフォーカス／トラッキングサーボが行われる。
【０００６】
一方、ＤＶＤの記録・再生には、波長６３５ｎｍ（または６５０ｎｍ）の半導体レーザ素子１０２が用いられる。半導体レーザ素子１０２から光ディスク１０６の面に対して平行方向に出射された出射光束１１７は、光軸上に配置されたコリメータレンズ１０４により発散光束から平行光束に変換され、偏光ビームスプリッタおよび１／４波長板１０８を透過し、波長偏向フィルタ１０９により光路を４５°偏向するように反射された後、対物レンズ１０５により光ディスク１０６上に集光される。
【０００７】
光ディスク１０６からの反射光束は、対物レンズ１０５により発散光束から平行光束に変換され、再び波長偏向フィルタ１０９により光路を４５°偏向するように反射された後、１／４波長板１０８で偏光方向が変換される。このため、続いて偏光ビームスプリッタ１０７に入射する光束は、光路を４５°偏向するように反射され、その後、検出レンズ１１０で集光され、シリンドリカルレンズ１１２を通り、受光素子１１４で電気信号として検出される。この検出信号に基づいて、ＤＶＤの再生およびフォーカス／トラッキングサーボが行われる。
【０００８】
なお、上記構成においては、波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子を搭載しているため、ＣＤ−Ｒの記録・再生にも対応可能となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８に示すような従来の光ピックアップ装置では、発光波長の異なる２つの半導体レーザ素子１０１、１０２や、それらから出射される各々の光束に対応する複数の受光素子１１３、１１４をはじめ、ホログラム素子１１１、シリンドリカルレンズ１１２、波長偏向フィルタ１０９等、多くの光学部品から構成されているため、装置の小型化が困難である。
【００１０】
また、各光学部品が離散的に配置されているため、多くの位置調整および固定が必要であり、組立に多大な時間とコストを要するといった問題があった。
【００１１】
よって、本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、フォーマットの異なる各種の光ディスクに対する記録・再生が可能な小型かつ低コストの半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る半導体レーザ装置は、一の発振波長の第１の半導体レーザ素子と前記一の発振波長より短い発振波長の第２の半導体レーザ素子および複数の受光素子が一つの基板上に集積された受発光集積基板と、光学素子とを有し、前記受発光集積基板が筐体内に配置され、前記光学素子が前記筐体の上に載置され、前記第１及び第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが反射された反射戻り光を前記受光素子で受光するように構成された半導体レーザ装置であって、前記光学素子は、前記受発光集積基板における前記第１及び第２の半導体レーザ素子からの出射ビームの光路中に配置され、前記第１の半導体レーザ素子の反射戻り光を分岐するための第１の回折格子および前記第２の半導体レーザ素子の反射戻り光を分岐するための第２の回折格子が上面に形成されたホログラム素子と、前記第１の半導体レーザ素子の上部に配置された波長偏向フィルタおよび前記第２の半導体レーザ素子の上部に配置された反射ミラーが一体に形成された複合プリズムとを有し、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームは、前記光学素子内に入射した後、そのまま透過して出射され、かつ前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームは、前記光学素子内に入射した後、前記光学素子内に設けられた前記反射ミラーによって、その光路を曲げられた後に出射されて、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過する距離よりも、前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過する距離が長くなるように光路を設定することにより、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過して集光手段に至る空気換算距離Ｌ１と、前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過して前記集光手段に至る空気換算距離Ｌ２とが略同一となるようにしたことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、２つの半導体レーザ素子と複数の受光素子とが受発光集積基板に集積されているので、小型かつ低コストの半導体レーザ装置を提供することができる。また、光ディスクからの戻り光を効率よく分岐して受光素子へと導くことが可能になるとともに、２つの出射ビームが光学素子を透過する距離を変えることで、光学素子を通過した後における２つの出射ビームの空気換算距離をほぼ同一に揃えることができる。
集光手段に対する２つの半導体レーザ素子からの空気換算距離がほぼ等しいので、同一の集光手段（例えば、コリメータレンズ等）を採用することが可能になり、光学構成が容易になる。
【００１４】
なお、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記ホログラム素子における前記受発光集積基板と対向する下面には、前記第１の半導体レーザ素子からの出射光を回折する第３の回折格子が設けられ、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームは前記第３の回折格子で回折された後、前記光学素子をそのまま透過して出射されることが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記集光手段は、前記第１の半導体レーザ素子または前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームを平行光束に変換する機能を有することが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記空気換算距離Ｌ１と前記空気換算距離Ｌ２との差が±５０μｍ以内であることが好ましい。
【００２１】
また、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記第１の半導体レーザ素子の発振波長が７８０ｎｍ帯で、前記第２の半導体レーザ素子の発振波長が６５０ｎｍ帯であることが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、ＣＤフォーマットの光ディスクとＤＶＤフォーマットの光ディスクに対応することが可能になる。
【００３３】
さらに、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記第１の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子とが１チップに集積されていることが好ましい。
【００３４】
この構成によれば、複数の半導体レーザ素子を１チップに集積することで、部品点数を削減した半導体レーザ装置を実現でき、したがって光ピックアップ装置を小型化することが可能になる。
【００３５】
さらに、本発明に係る前記半導体レーザ装置において、前記光学素子は前記受発光集積基板上に載置されていることが好ましい。
【００３６】
この構成によれば、光学素子を受発光集積基板上に載置することで、受発光集積基板が保護される半導体レーザ装置を実現でき、したがって光ピックアップ装置の信頼性を高めることができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３８】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態について、図１から図５を用いて説明する。
【００３９】
図１は、本発明の第１の実施形態による半導体装置を用いた光ピックアップ装置の概略構成図である。
【００４０】
図１において、半導体レーザ装置１からの出射光は、コリメータレンズ２により発散光束から平行光束に変換された後、対物レンズ３へ入射し、対物レンズ３により光ディスク４上へと集光される。光ディスク４からの反射光は、前述した経路を逆に辿り、半導体レーザ装置１へ戻り光として入射する。
【００４１】
次に、半導体レーザ装置１の構成について説明する。
【００４２】
図２は、本実施形態による半導体レーザ装置１の構成を示す断面図であり、図３（ａ）は、図２に示す半導体レーザ装置１のシリコン基板８を光ディスク４側から見た平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すシリコン基板８を線分Ａ−Ａ’に沿って切った断面図である。
【００４３】
図２および図３において、受光素子７ａ、７ｂが形成されたシリコン基板８上には２つの凹部８１、８２が形成され、その凹部の底面８１ａ、８２ａには、ＣＤフォーマットディスクにレーザビームを照射するための波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子５と、ＤＶＤフォーマットディスクにレーザビームを照射するための波長６５０ｎｍの半導体レーザ素子６とがそれぞれ配置されている。さらに、シリコン基板８は、筐体９内に配置されるとともに、回折格子１４、１５、１６が形成されたホログラム素子１０により封止されている。ホログラム素子１０の上部にはさらに、反射ミラー１２と波長偏向フィルタ１３とが一体に形成された複合プリズム１１が配置されている。
【００４４】
なお、図３において、シリコン基板８として、（１００）面から＜０−１１＞方向を軸として＜１００＞方向に５°以上１５°以下回転させた面（以下、この面を傾斜面αという）、より好ましくは９．７°回転させた面を主面とするのがよい。このような構成によれば、水酸化カリウム系のエッチング液を使用して、異方性エッチングによりシリコン基板８の凹部８１を形成したときに、凹部８１の一側面８１ｂに傾斜面αである凹部８１の底面８１ａと４０°以上５０°以下の角度を有する（１１１）面を形成することができる。
【００４５】
したがって、凹部８１の底面８１ａに波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子５を配置すれば、凹部８１の一側面８１ｂが反射ミラーとなって、出射ビームをシリコン基板８に対してほぼ垂直上方へ取り出すことが可能になる。
【００４６】
なお、ここで、＜０−１１＞方向とは、
【００４７】
【数１】
を表す。すなわち、“−１”は“１バー”を表す。
【００４９】
また、シリコン基板８としては、傾斜面αに限らず、例えば（００１）面から＜−１１０＞方向を軸として＜００１＞方向に５°以上１５°以下回転させた面や、（０１０）面から＜−１０１＞方向を軸として＜０１０＞方向に５°以上１５°以下回転させた面を用いてもよい。すなわち、（１００）面と等価な面から＜０−１１＞方向と等価な方向を軸として＜１００＞方向と等価な方向に５°以上１５°以下回転させた面をシリコン基板８の主面として用いればよい。
【００５０】
次に、このように構成された半導体レーザ装置１の動作について説明する。
【００５１】
図１に示す光ディスク４がＣＤフォーマットに対応する場合、半導体レーザ素子５が発光し、その出射ビームは凹部８１の一側面８１ｂで反射し上部へ取り出され、回折格子１５へ入射する。この入射した光は回折格子１５で回折を受け、０次回折光と±１次回折光が発生する。次に、これら３つの光は、回折格子１４、波長偏向フィルタ１３を透過し、半導体レーザ装置１から出射されて、図１に示す光ディスク４上に集光される。また、光ディスク４から半導体レーザ装置１へと入射する戻り光は、波長偏向フィルタ１３を透過した後、回折格子１４へ入射し、その±１次回折光が受光素子７ａに導かれ、光電流信号として外部に取り出される。この光電流信号に対して所定の増幅／演算を施すことにより、各種のサーボ信号（フォーカス／トラッキング誤差信号）ならびに再生信号が検出される。
【００５２】
一方、光ディスク４がＤＶＤフォーマットに対応する場合、半導体レーザ素子６が発光し、その出射ビームは凹部８２の一側面８２ｂで反射し上部へ取り出され、回折格子１６を透過して複合プリズム１１へと入射する。複合プリズム１１に入射した光は反射ミラー１２で反射され、さらに波長偏向フィルタ１３で反射され、半導体レーザ装置１から出射されて、図１に示す光ディスク４上に集光される。また、光ディスク４から半導体レーザ装置１へと入射する戻り光は、波長偏向フィルタ１３で反射された後、反射ミラー１２を介して回折格子１６へと入射する。回折格子１６へと入射した光は回折を受け、その±１次回折光が多数の領域に分割された受光素子７ｂに導かれ、光電流信号として外部に取り出される。この光電流信号に対して所定の増幅／演算を施すことにより、各種のサーボ信号ならびに再生信号が検出される。
【００５３】
図４は、半導体レーザ装置１内の半導体レーザ素子５、６からの出射ビームが半導体レーザ装置１外へ出射されるまでの光路長を示す図である。なお、半導体レーザ素子５、６からの出射ビームの光路長について、半導体レーザ装置１を３つの領域に分割して説明する。
【００５４】
図４において、第１の領域は、複合プリズム１１の領域であり、第２の領域はホログラム素子１０の領域であり、第３の領域は、半導体レーザ素子５、６の発光点からホログラム素子１０の下面に至る領域である。
【００５５】
ここで、波長７８０ｎｍに対する、第１の領域での屈折率をｎ１、第２の領域での屈折率をｎ２、第３の領域での屈折率をｎ３とする。また、波長６５０ｎｍに対する、第１の領域での屈折率をｎ１’、第２の領域での屈折率をｎ２’、第３の領域での屈折率をｎ３’とする。さらに、半導体レーザ素子５および半導体レーザ素子６からの出射ビームが半導体レーザ装置１外へ出射されるまでの光路の空気換算距離を、それぞれＬ１およびＬ２とすると、Ｌ１とＬ２は、
Ｌ１＝（ａ＋ｂ）／ｎ３＋ｃ／ｎ２＋ｄ／ｎ１
Ｌ２＝（ａ＋ｅ＋ｆ）／ｎ３’＋ｇ／ｎ２’＋ｈ／ｎ１’
で与えられる。
【００５６】
ここで、本実施形態においては、各領域における屈折率ならびに光路長ｅを調整することで、Ｌ１＝Ｌ２を満足させることができ、それにより半導体レーザ装置１を外から見た場合、半導体レーザ素子５と６を一つの光源として扱うことができる。
【００５７】
以上のように、本実施形態においては、半導体レーザ素子５および半導体レーザ素子６から集光手段としてのコリメータレンズ２までの空間換算距離がほぼ等しくなるので、光ピックアップ装置の特性を劣化させずに、図１に示すように、単一のコリメータレンズ２のみで光ピックアップ装置を構成することができ、光学構成を非常に簡素かつ小型にすることが可能になる。また、２つの半導体レーザ素子とそれに対応した受光素子とを集積することで、さらに光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００５８】
なお、本実施形態において、空気換算距離Ｌ１とＬ２を同一にするために、屈折率の波長分散と光路長ｅを調整するとして説明したが、図５に示すように、半導体レーザ素子５と半導体レーザ素子６の出射ビームの光路中に配置した光学素子の長さ、例えば、半導体レーザ素子６の出射ビームの光路におけるホログラム素子１０の厚みをｇからｇ’に変えて、空気換算距離Ｌ１とＬ２が同一になるように調整することもできる。
【００５９】
また、本実施形態においては、集光手段として、コリメータレンズ２と対物レンズ３を使用する無限光学系を有する光ピックアップ装置の構成について例示し説明したが、本発明を、対物レンズのみを集光手段として使用する有限光学系を有する光ピックアップ装置に適応することもできる。この場合、コリメータレンズが不要となるので、さらに光ピックアップ装置を小型化することができ、かつその組立調整が容易になる。
【００６０】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について、図１、図６および図７を用いて説明する。なお、第１の実施形態と同一の機能を有する素子については同一の符号を付記する。
【００６１】
図６は、本発明の第２の実施形態による半導体レーザ装置１の構成を示す断面図であり、図７は、図６に示す半導体レーザ装置１のシリコン基板８を光ディスク４側から見た平面図である。
【００６２】
図６において、半導体レーザ素子５および６は、対応する受光素子７ａおよび７ｂが形成されたシリコン基板８上にヒートシンク１８を介して配置されている。さらに、受光素子７ａ、７ｂ上にはマイクロプリズム１７が配置されている。なお、本実施形態による半導体レーザ装置１を用いた光ピックアップ装置は、図１に示す光ピックアップ装置において、図２に示した半導体レーザ装置１を、図６および図７に示す半導体レーザ装置１に置き換えた構成をとる。
【００６３】
次に、以上のように構成された半導体レーザ装置１およびそれを用いた光ピックアップ装置の動作について説明する。
【００６４】
図１に示す光ディスク４がＣＤフォーマットに対応する場合、半導体レーザ素子５が発光し、その出射ビームは、マイクロプリズム１７の斜面１７ａで反射し、シリコン基板８に対してほぼ垂直上方へと立ち上がり、半導体レーザ装置１外へと出射され、コリメータレンズ２で平行光束に変換された後、対物レンズ３により光ディスク４上に集光される。また、光ディスク４からの反射光は、前述した経路を逆に辿り、マイクロプリズム１７の斜面１７ａへと入射すると、その一部の光がマイクロプリズム１７中に入射して、シリコン基板８面とマイクロプリズム１７の内部上面１７ｂとの間で反射しながら、複数の領域に分割された受光素子７ａに到達し、受光素子１７ａにより光電流信号として外部に取り出される。この光電流信号に対して所定の増幅／演算を施すことにより、各種のサーボ信号ならびに再生信号が検出される。
【００６５】
一方、図１に示す光ディスク４がＤＶＤフォーマットに対応する場合、半導体レーザ素子６が発光し、上述した動作と同様にして、受光素子７ｂにより取り出された光電流信号に基づいて、各種のサーボ信号ならびに再生信号が検出される。
【００６６】
本実施形態によれば、２つの半導体レーザ素子５および６から集光手段であるコリメータレンズ２までの空気換算距離がほぼ等しくなるので、光ピックアップ装置の特性を劣化させずに、図１に示すように、単一のコリメータレンズ２のみで光ピックアップ装置を構成することができ、光学構成を非常に簡素かつ小型にすることが可能になる。また、２つの半導体レーザ素子とそれに対応した受光素子とを集積することで、さらに光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体レーザ装置および光ピックアップ装置によれば、２つの半導体レーザ素子と複数の受光素子とが受発光集積基板に集積されているので、小型かつ低コストの半導体レーザ装置を提供することができる。
【００６８】
また、集光手段に対する２つの半導体レーザ素子からの空気換算距離がほぼ等しいので、同一の集光手段（例えば、コリメータレンズ等）を採用することが可能になり、光学構成が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体レーザ装置を用いた光ピックアップ装置の概略構成図
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体レーザ装置の構成を示す断面図
【図３】図２に示す半導体レーザ装置のシリコン基板８を光ディスク４側から見た平面図（ａ）、およびそのシリコン基板８を線分Ａ−Ａ’に沿って切った断面図（ｂ）
【図４】本発明の第１の実施形態による半導体レーザ装置内の各半導体レーザ素子から半導体レーザ装置外部までの光路長を示す図
【図５】本発明の第１の実施形態の変形例による半導体レーザ装置内の各半導体レーザ素子から半導体レーザ装置外部までの光路長を示す図
【図６】本発明の第２の実施形態による半導体レーザ装置の構成を示す断面図
【図７】図６に示す半導体レーザ装置のシリコン基板８を光ディスク４側から見た平面図
【図８】従来の光ピックアップ装置の構成図
【符号の説明】
１ 半導体レーザ装置
２ コリメータレンズ
３ 対物レンズ
４ 光ディスク
５ 波長７８０ｎｍの半導体レーザ素子
６ 波長６５０ｎｍの半導体レーザ素子
７ａ 半導体レーザ素子５に対応した受光素子
７ｂ 半導体レーザ素子６に対応した受光素子
８シリコン基板
８１、８２ 凹部
８１ａ、８２ａ 凹部の底面
８１ｂ、８２ｂ 凹部の一側面
９ 筐体
１０ ホログラム素子
１１ 複合プリズム
１２ 反射ミラー
１３ 波長偏向フィルタ
１４、１５、１６ 回折格子
１７ マイクロプリズム
１７ａ マイクロプリズム１７の斜面
１７ｂ マイクロプリズム１７の内部上面
１８ ヒートシンク
Claims (5)
- 一の発振波長の第１の半導体レーザ素子と前記一の発振波長より短い発振波長の第２の半導体レーザ素子および複数の受光素子が一つの基板上に集積された受発光集積基板と、光学素子とを有し、前記受発光集積基板が筐体内に配置され、前記光学素子が前記筐体の上に載置され、前記第１及び第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが反射された反射戻り光を前記受光素子で受光するように構成された半導体レーザ装置であって、
前記光学素子は、前記受発光集積基板における前記第１及び第２の半導体レーザ素子からの出射ビームの光路中に配置され、前記第１の半導体レーザ素子の反射戻り光を分岐するための第１の回折格子および前記第２の半導体レーザ素子の反射戻り光を分岐するための第２の回折格子が上面に形成されたホログラム素子と、前記第１の半導体レーザ素子の上部に配置された波長偏向フィルタおよび前記第２の半導体レーザ素子の上部に配置された反射ミラーが一体に形成された複合プリズムとを有し、
前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームは、前記光学素子内に入射した後、そのまま透過して出射され、
かつ前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームは、前記光学素子内に入射した後、前記光学素子内に設けられた前記反射ミラーによって、その光路を曲げられた後に出射されて、前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過する距離よりも、前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過する距離が長くなるように光路を設定することにより、
前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過して集光手段に至る空気換算距離Ｌ１と、前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームが前記光学素子を透過して前記集光手段に至る空気換算距離Ｌ２とが略同一となるようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記ホログラム素子における前記受発光集積基板と対向する下面には、前記第１の半導体レーザ素子からの出射光を回折する第３の回折格子が設けられ、
前記第１の半導体レーザ素子からの出射ビームは前記第３の回折格子で回折された後、前記光学素子をそのまま透過して出射される請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 前記集光手段は、前記第１の半導体レーザ素子または前記第２の半導体レーザ素子からの出射ビームを平行光束に変換する機能を有する請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
- 前記空気換算距離Ｌ１と前記空気換算距離Ｌ２との差が±５０μｍ以内である請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
- 前記第１の半導体レーザ素子の発振波長が７８０ｎｍ帯で、前記第２の半導体レーザ素子の発振波長が６５０ｎｍ帯である請求項１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056355A JP3614746B2 (ja) | 2000-03-01 | 2000-03-01 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| US09/793,675 US6747939B2 (en) | 2000-03-01 | 2001-02-26 | Semiconductor laser device and optical pickup device using the same |
| DE60116438T DE60116438T2 (de) | 2000-03-01 | 2001-02-27 | Halbleiterlaservorrichtung und diese verwendende optische Abtastvorrichtung |
| EP01301787A EP1130582B1 (en) | 2000-03-01 | 2001-02-27 | Semiconductor laser device and optical pickup device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056355A JP3614746B2 (ja) | 2000-03-01 | 2000-03-01 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244542A JP2001244542A (ja) | 2001-09-07 |
| JP3614746B2 true JP3614746B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=18577322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000056355A Expired - Fee Related JP3614746B2 (ja) | 2000-03-01 | 2000-03-01 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6747939B2 (ja) |
| EP (1) | EP1130582B1 (ja) |
| JP (1) | JP3614746B2 (ja) |
| DE (1) | DE60116438T2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6606174B1 (en) * | 1998-09-30 | 2003-08-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device |
| JP3385363B2 (ja) * | 2000-05-11 | 2003-03-10 | 北海道大学長 | レーザ溶接方法、レーザ溶接装置及びレーザ溶接用ガスシールド装置 |
| JP3849523B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2006-11-22 | ティアック株式会社 | 光ピックアップ及び光ディスク装置 |
| JP2003229627A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Hitachi Ltd | 光デバイスの実装方法及び光ヘッド装置 |
| KR20050008767A (ko) * | 2002-06-03 | 2005-01-21 | 소니 가부시끼 가이샤 | 2파장 광소자 |
| JP2005038586A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| US20050180482A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-18 | Osowski Mark L. | Very low cost surface emitting laser diode arrays |
| TWI276094B (en) * | 2004-03-12 | 2007-03-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical reading/writing device |
| TWI302307B (en) * | 2004-04-09 | 2008-10-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical reading/writing system |
| TWI302308B (en) * | 2004-04-23 | 2008-10-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical reading/writing system |
| TWI273586B (en) * | 2004-06-11 | 2007-02-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical recording/reproducing system |
| TWI275084B (en) | 2004-07-09 | 2007-03-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical reading/recording system |
| TWI260616B (en) * | 2004-07-09 | 2006-08-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical reading/recording system |
| TWI284895B (en) * | 2004-07-16 | 2007-08-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical reading/recording system |
| US20070019407A1 (en) * | 2004-10-14 | 2007-01-25 | Tae-Sun Song | Two dimensional optical scanning apparatus and image display apparatus using the same |
| TWI329869B (en) * | 2004-11-05 | 2010-09-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Semiconductor laser assembly and optical pickup device using the same |
| CN100370527C (zh) * | 2004-11-06 | 2008-02-20 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 半导体激光装置及采用该半导体激光装置的光学拾取装置 |
| TWI287222B (en) * | 2004-11-12 | 2007-09-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Optical pickup device |
| US7481545B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-01-27 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of forming and mounting an angled reflector |
| KR101944150B1 (ko) | 2012-06-18 | 2019-01-30 | 에보니크 데구사 게엠베하 | 메티오닌의 발효적 생산을 위한 재조합 미생물 |
| WO2014049382A2 (en) | 2012-09-26 | 2014-04-03 | Metabolic Explorer | Ethylenediamine fermentative production by a recombinant microorganism |
| EP2747323A1 (en) | 2012-12-21 | 2014-06-25 | Alcatel Lucent | Method of deriving data symbols from an optical polarization division multiplexed signal |
| CN112909730B (zh) * | 2019-11-19 | 2023-07-28 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
| JP2022047685A (ja) | 2020-09-14 | 2022-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04139628A (ja) | 1990-09-28 | 1992-05-13 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
| US5233187A (en) | 1991-01-22 | 1993-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-wavelength light detecting and/or emitting apparatuses having serially arranged grating directional couplers |
| JP2853776B2 (ja) | 1991-01-24 | 1999-02-03 | 松下電子工業株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US5287376A (en) | 1992-12-14 | 1994-02-15 | Xerox Corporation | Independently addressable semiconductor diode lasers with integral lowloss passive waveguides |
| JP3309470B2 (ja) | 1993-03-10 | 2002-07-29 | 松下電器産業株式会社 | 光情報記録再生装置 |
| US5748658A (en) | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
| US5625609A (en) * | 1995-03-13 | 1997-04-29 | International Business Machines Corporation | Multiple data layer optical disk drive system with fixed aberration correction and optimum interlayer spacing |
| JPH09320098A (ja) | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Sony Corp | 光ピックアップ装置および複合光学装置 |
| JPH10134388A (ja) | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | レーザビーム出射装置 |
| JPH10283652A (ja) | 1997-02-24 | 1998-10-23 | Hoetron Inc | 異なった波長の２個の半導体レーザを用いた光学ヘッド |
| JPH10320815A (ja) | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Yamaha Corp | 光ピックアップ装置 |
| JP3687939B2 (ja) | 1997-05-22 | 2005-08-24 | パイオニア株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| JP3638210B2 (ja) * | 1998-06-15 | 2005-04-13 | シャープ株式会社 | ホログラムレーザユニット及びそれを使用した光ピックアップ装置 |
| JP2000020288A (ja) | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Fujitsu Ltd | 記憶媒体上の再生可能なデータの処理 |
| JP3169917B2 (ja) | 1998-12-17 | 2001-05-28 | 松下電子工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
2000
- 2000-03-01 JP JP2000056355A patent/JP3614746B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-26 US US09/793,675 patent/US6747939B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-27 DE DE60116438T patent/DE60116438T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-27 EP EP01301787A patent/EP1130582B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001244542A (ja) | 2001-09-07 |
| US6747939B2 (en) | 2004-06-08 |
| EP1130582A2 (en) | 2001-09-05 |
| US20010019530A1 (en) | 2001-09-06 |
| DE60116438D1 (de) | 2006-03-30 |
| EP1130582A3 (en) | 2003-06-18 |
| DE60116438T2 (de) | 2006-09-14 |
| EP1130582B1 (en) | 2006-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3614746B2 (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| JP2000353332A (ja) | 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置 | |
| JP3844290B2 (ja) | ホログラムレーザおよび光ピックアップ | |
| JP2002100070A (ja) | 互換型光ピックアップ装置 | |
| JP2004227746A (ja) | 光ピックアップ装置および半導体レーザ装置 | |
| JP3026279B2 (ja) | 記録再生装置用レーザモジュール | |
| JP3677200B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| US6298028B1 (en) | Optical head and information recording and reproducing apparatus using it | |
| JP2004103225A (ja) | ２波長光源モジュールを採用した光ピックアップ | |
| JP3520675B2 (ja) | 光ピックアップ | |
| JP2006172605A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2001273670A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2000099978A (ja) | 光ピックアップ | |
| JP3668422B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP4149234B2 (ja) | ホログラムレーザおよびそれを備える光ピックアップ装置 | |
| JP2506972B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2001256661A (ja) | ホログラムレーザおよびそれを用いた光ピックアップ | |
| KR100211820B1 (ko) | 광 픽업 장치 | |
| JPH11203707A (ja) | 半導体集積発光装置および光学ピックアップ装置 | |
| KR100575633B1 (ko) | 이종 광디스크 겸용 광픽업 조정방법과 그에 적합한광픽업 장치 | |
| JP2001076376A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| KR20000066585A (ko) | 광출력모듈 및 이를 채용한 호환형 광픽업장치 | |
| JPH08221794A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| KR100211819B1 (ko) | 광 픽업 장치 | |
| KR19980058055A (ko) | 광 픽업 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040402 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040524 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040720 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040830 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040922 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041019 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041027 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071112 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |