[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3613424B2 - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3613424B2
JP3613424B2 JP27743696A JP27743696A JP3613424B2 JP 3613424 B2 JP3613424 B2 JP 3613424B2 JP 27743696 A JP27743696 A JP 27743696A JP 27743696 A JP27743696 A JP 27743696A JP 3613424 B2 JP3613424 B2 JP 3613424B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
crystal
superconductor
solvent
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP27743696A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10101490A (ja
Inventor
稔 田上
シン ヤオ
淳 神原
融 塩原
昭二 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Superconductivity Technology Center
Original Assignee
International Superconductivity Technology Center
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Superconductivity Technology Center filed Critical International Superconductivity Technology Center
Priority to JP27743696A priority Critical patent/JP3613424B2/ja
Priority to US08/938,600 priority patent/US6034036A/en
Priority to EP97116719A priority patent/EP0834606A3/en
Publication of JPH10101490A publication Critical patent/JPH10101490A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3613424B2 publication Critical patent/JP3613424B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/225Complex oxides based on rare earth copper oxides, e.g. high T-superconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/729Growing single crystal, e.g. epitaxy, bulk

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
この発明は、高い臨界温度(90K以上)を示す超電導特性の優れたRE123系酸化物結晶(超電導体)を大気雰囲気下において製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来技術とその課題】
近年、臨界温度が液体窒素温度を超える酸化物超電導体の発見によって超電導応用技術がより身近なものとして捕らえられるようになり、高い温度で安定した超電導特性を発揮する材料の開発にしのぎがけずられている。
中でも、123系酸化物であるY−Ba−Cu−O系超電導体(Y:Ba:Cuのモル比が1:2:3の酸化物系材料)では、その製造法の工夫によって大きな臨界電流密度を達成することに成功しており、“磁場との相互作用で大きな電磁力を発生することができる超電導体”の力を利用したベアリング,フライホイ−ル,搬送装置等への応用研究が盛んに行われるようになった。
また、Y123系酸化物超電導体のほか、種々の希土類元素(RE:以降、REはLa Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上を意味するものとする)をY(イットリウム)に代わる構成成分としたRE123系酸化物においても次々と優れた超電導特性が確認され、これらについてもより優れた超電導体応用設備の開発につながるものとして多方面からの研究がなされている。
【0003】
ところで、従来、このようなY123系酸化物超電導体やRE123系酸化物超電導体の製造方法としては 「フラックス法」 や 「溶融凝固法」 等が多く適用されていた。
なお、「フラックス法」とは、酸化物の混合体からなる原料組成物(フラックス:溶媒)の比較的均一な過飽和溶液(融液)から徐々に温度を下げ、溶解度限を切った溶液から酸化物超電導体結晶を晶出させる方法であり、「溶融凝固法」とは、原料組成物(フラックス)を目的酸化物の包晶温度以上に加熱して固相と液相の混合状態とし、その状態から徐々に温度を下げることによって包晶反応を惹起させ酸化物超電導体結晶を作製する方法である。
【0004】
また、量産体制に適していて工業的に有利であるとして 「FZ法(フロ−ティングゾ−ンメルト法)」, 「一方向凝固法」, 「結晶引上げ法」 といった単結晶育成法の採用も試みられ、量産手段として特に有利であると考えられた「結晶引上げ法」 が注目されてもいる。
この 「結晶引上げ法」 は連続的に単結晶を作製する方法の代表的なもので、るつぼ内に溶融状態で保持した原料組成物の溶液(融液)面に種結晶を浸漬し、溶液/結晶粒界での包晶反応によって種結晶上に超電導単結晶を成長させながら徐々にかつ連続的に溶液から引き上げて酸化物超電導体単結晶を作製する方法である。
【0005】
なお、図1は、 「結晶引上げ法」 による単結晶の作製方法を示す概要説明図である。
この 「結晶引上げ法」 によって例えばY123系酸化物の単結晶を作製する場合には、イットリア製のるつぼ1(るつぼ材質はマグネシア,アルミナ,安定化ジルコニア等の耐食性に富む耐火材料であればイットリア製に限らない)に溶質となるYの供給源としてY−Ba−Cu−O系酸化物{高温相YBaCu(Y211)の結晶)2を装入し、その上に“Ba:Cuのモル比が一般には3:5(Ba/Cu=0.57) となるように炭酸バリウムと酸化銅を混合し仮焼した溶媒の溶液(融液)”3を満たして液相表面の温度を960〜1010℃の間に保持し、この液面に耐火材料製の種結晶棒4を近づけ、その先端に取付けた結晶成長の種となるマグネシア単結晶上にプラズマ蒸着法を用いて成膜したY123の薄膜(種結晶)5を接触させる。次に、種結晶棒4を100rpm 程度の回転数で回転させながら上方向に0.2mm /hr 程度の速度で引き上げると、YBaCu7−x 結晶5を種として成長したYBaCu7−x 単結晶6が連続的に引き上げられることとなる。
【0006】
RE123系酸化物の単結晶を「結晶引上げ法」によって作製する場合も上記Y123系酸化物の単結晶を製作する場合とほぼ同様であるが、この場合には当然のことながら種結晶として目的とするRE系酸化物が用いられ、またRE溶質の供給源としては高温相であるRE422(RE4Ba2Cu210)又はRE211組成のRE−Ba−Cu−O系酸化物をるつぼ中に装入するか、あるいは RE23 製のるつぼを使用してRE溶質の供給源とするのが通常である。
【0007】
しかしながら、前記各方法で作成された123系酸化物超電導体は、Y123系のものでは比較的良好な超電導性能を示すものの、RE123系のものは十分に高い臨界温度を示さないという問題が指摘されていた。
【0008】
なお、これは、希土類元素(RE)のイオン半径が比較的大きくてBaのイオン半径に近いために、溶融原料を冷却・凝固させて超電導相を生成させる際にREとBaとの相互置換が起こってしまい、得られるRE123結晶の化学組成が狙いとする“xの値が0〜0.05の123相の組成から外れることに起因した現象であると考えられた。
【0009】
即ち、図2はイオン半径の比較的大きいRE(La,Nd,Sm,Pm,Eu,Gd を含む酸化物の大気中における「 12RE23 −BaO−CuO三元系状態図」を示しているが、この図2に示されるように、RE123相から右上方へ延びる線に沿った“幅を有する固溶域”が存在している。この固溶域は、大気雰囲気中ではRE123相からずれたRE1+x Ba2-X Cu3y ( x>0, 6.0<y<7.2 )相が安定となるために存在するものである。このように、イオン半径の比較的大きいREを含む酸化物では、この固溶域の存在から分かるように大気雰囲気中で超電導相の凝固生成を図った場合にはREとBaの相互置換が起こる。
【0010】
そして、図3に示すように、RE123系酸化物超電導体の超電導特性はREとBaの置換量xにより変化し、置換量xの多いものほど臨界温度は大きく低下してしまい、逆に置換量xの少ないものほど(即ちRE123酸化物に近い組成のものほど)高い臨界温度を示す。
このように、原料の溶融状態からこれを冷却・凝固させて超電導相を生成させる段階(核生成,成長の段階)でREとBaの相互置換が起きることが高い臨界温度の達成を阻む大きな原因と考えられた。
【0011】
そこで、雰囲気中の酸素含有量を低くコントロ−ルしながら原料フラックスの溶融・凝固を行って結晶を成長させる「OCMG法(低酸素雰囲気下における溶融凝固法)」が提案された。
しかし、このOCMG法により作製された123系酸化物超電導体は、低酸素分圧雰囲気下でのBaの置換量の幅が狭くなり置換量の少ないRE123が得られやすく、臨界温度の高いRE123が得られるものの、コントロ−ルされた低酸素雰囲気下において作製しなければならないという、製造上極めて不利な問題を伴うものであった。
【0012】
このようなことから、本発明が目的としたのは、REとBa間の相互置換量が極力小さくて90K以上の臨界温度を有すると共に超電導転移幅ΔTの狭い優れた超電導特性を示すRE123系酸化物超電導体を、格別な雰囲気制御を要しない大気雰囲気下において安定に製造できる手段を確立することであった。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究を行った結果、次のような新規知見を得ることができた。
即ち、従来、結晶引上げ法を含めて原料を溶融・冷却・凝固させてY123系酸化物超電導相を生成させる方法では、YとBaとの間の相互置換がないこともあって、フラックスとしては包晶反応(Y211+BaCu→Y123)であることから分かるるつぼ内のマスバランスを考えて通常はBa:Cuのモル比が3:5(Ba/Cu=0.57) 程度のものが使用されていたが、RE123系酸化物超電導相の育成においてもこれに習ってBa:Cuのモル比が3:5(Ba/Cu=0.57) 程度のフラックスを用いるのが常であった。
しかも、フラックスの「Ba/Cu」比率が小さくてCuリッチであるほど溶質(RE)の溶解度が大きくなってRE123系酸化物結晶の成長速度が大きくなるとして、使用するフラックスは「Ba/Cu」比率を更に小さくしてCuリッチを強化する傾向が強まっていた。
しかるに、RE123系酸化物超電導相の大気雰囲気下での育成では、前述したようにREとBaの相互置換による幅を持った固溶域が存在しているので“REとBaの相互置換が起きているRE123”が生成しやすいためと考えられるが、得られるRE123系酸化物超電導体は臨界温度等の超電導特性が十分でなく、この超電導特性の劣化傾向は前記「Ba/Cu」比率を小さくして結晶成長速度の向上を図ったものほど著しい結果となった。
【0014】
そのため、この現象について種々観点からの検討を重ねている中で、RE123系の場合には、従来の思想とは全く逆に、フラックスの「Ba/Cu」比率を高い方向に持って行ってBaリッチにすると“得られるRE123系酸化物超電導体”の超電導特性が著しく改善されるという思いも掛けない現象を発見した。
【0015】
そこで、この現象の解明を目指した本発明者等は、高度な技術と多大な時間,労力を駆使して、これまでは未知だった詳細なREO1.5RE)−BaO−CuO三元系状態図の作成に成功した。
そして、この三元系状態図を基に検討を重ねたところ、RE123系酸化物超電導体溶融原料が冷却されて行く過程の“超電導相と液相が平衡して存在する領域”における結晶組成と液相組成(溶融フラックス組成)との間には緊密で明確な関連があり、「液相組成が決まれば必然的に結晶の組成も決まること」や「液相組成とBa−Cu−O溶媒組成との関係」をも明確に確認することができた。
つまり、溶媒組成の調整により“得られるRE123系酸化物超電導体におけるREとBaとの相互置換量”を制御できることを見出したのである。
【0016】
従って、予め大気雰囲気下での超電導相と液相が平衡し存在する領域における結晶組成と液相組成の関係(タイライン)及び液相組成と溶媒組成との関係を把握しておけば、大気雰囲気中でRE123そのもの、あるいは“目的として狙う置換量”を有するRE123超電導相を育成できる溶媒組成を割り出せることになる。
そして、この組成の溶媒と希土類元素を含む材料とを用い、溶融,冷却,凝固によってRE123系酸化物超電導相を結晶化させるようにすれば、REとBaとの相互置換量が極めて小さいRE123系酸化物超電導体結晶を大気雰囲気下で製造できることになる。
【0017】
なお、これら知見に基づいて重ねられた更なる検討により、先に述べたように「製造するRE123系酸化物超電導体のREとBaとの相互置換量を抑制して優れた超電導特性を確保するためには、 超電導体結晶が晶出する液相(溶融フラックスあるいは溶融原料)の“Ba/Cu”比率をこれまで適用されていた領域よりも高い方向に持って行ってBaリッチにすることが適切である」ということが“初めて詳細が明らかとなった状態図”からも再確認された上、液相の「Ba/Cu」比率を高めてBaリッチとすることにより懸念される“結晶成長速度への悪影響”も、例えば 「結晶引上げ法」 を適用する場合には引上げ速度等の条件調整が比較的自在に行えることから実際上はそれほど問題とはならず、また 「フラックス法」 等の結晶引上げ法以外の方法を適用する場合でも、結晶成長速度はやや遅くはなるものの超電導特性の向上効果はこれを相殺してなお余りあるものであるとの結論を得た。
【0018】
本発明は、上記知見事項等に基づいて、更には「酸化物超電導体単結晶の育成法の中でも“結晶引上げ法”が効率の良い量産体制に適していて工業的に有利である上、フラックス(溶融原料)の成分調整もより容易である」との考えをも取り入れて完成されたものであり、次に示すRE123系酸化物超電導体の製造方法を提供するものである。
【0019】
1 溶質供給源となる“希土類元素 La Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上を構成元素として含む材料”とBa−Cu−O溶媒を溶融・冷却・凝固して結晶化させることによりRE123系酸化物超電導体(REは La Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上)を製造するに際して、予め大気雰囲気下において“溶媒組成と液相組成及びそれから晶出するRE123系酸化物超電導体の結晶組成との関係”を調査しておき、この調査結果に基づいて溶媒組成を調整することによりREとBaとの相互置換量を制御して結晶化させることを特徴とする、高い臨界温度を有する酸化物超電導体を大気雰囲気下において製造する方法。
2 希土類元素 La Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上を構成元素として含む材料とBa−Cu−O溶媒を混合した原料を溶融し、結晶引上げ法によりRE123系酸化物超電導単結晶(REは La Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上)を製造するに際して、予め大気雰囲気下において“前記原料溶融部の組成及び平衡液相組成とそれから晶出するRE123系酸化物超電導体の結晶組成との関係”を調査しておき、この調査結果に基づいて原料の平均組成を“超電導相と液相とが平衡して共存する領域”に設定すると共に、前記原料溶融物中の「Ba/Cu」比を調整することによりREとBaとの相互置換量を制御して結晶化させることを特徴とする、高い臨界温度を有する酸化物超電導体を大気雰囲気下において製造する方法。
3 製造するRE123系超電導体がRE1+x Ba2-x Cu37-d ( 0≦x≦0.05)なる結晶組成を有するものである、前記 1 )又は 2 )項に記載の高い臨界温度を有する酸化物超電導単結晶体を大気雰囲気下において製造する方法。
4 溶媒中の「Ba/Cu」比を「3/5」〜「1/1」の間に調整する、前記 1 )又は 3 )項に記載の高い臨界温度を有する酸化物超電導単結晶体を大気雰囲気下において製造する方法。
5 原料溶融物中の「Ba/Cu」比を「3/5」〜「1/1」の間に調整する、前記 2 )又は 3 )項に記載の高い臨界温度を有する酸化物超電導単結晶体を大気雰囲気下において製造する方法。
【0020】
ここで、本発明法が対象とするRE123系酸化物超電導体としては、REがNd,La,Sm,Pm,Eu,Gd 1種あるいは2種以上である化学式「 RE1+x Ba2-x Cu37-d 」で表される結晶系の超電導体の何れであっても良い。このNd,La,Sm,Pm,Eu及びGdはイオン半径が大きくてBaのイオン半径に近く、Baとの相互置換を起こしやすいので、本発明法を適用することの効果は著しい。
【0021】
また、本発明法により「 RE1+x Ba2−x Cu7−d 」超電導体を製造するに当っては、該式のxの値が「0≦x≦0.05」の範囲内に収まるものを狙いとするのが良く、これによってより優れた超電導特性を有する材料を得ることができる。
【0022】
更に、前記式のxの値をより小さいものに規制するためには、溶融した溶媒あるいは全原料中の「Ba/Cu」比を「3/5」〜「1/1」に調整するのが良く、これによってxの値をより小さく抑えることができ、より優れた超電導特性を有する材料が得られる。
【0023】
そして、本発明法で言う「溶融原料(溶融フラックス)を冷却・凝固して結晶化させることによりRE123系酸化物超電導体を晶出させる方法」も、その手法が格別に限定されるものではなく、 「結晶引上げ法」 や 「フラックス法」 等の液相を介してRE123超電導相を作成する手法の何れをも対象とすることができ、更には 「溶融凝固法」, 「FZ法」, 「一方向凝固法」 等を適用できる可能性もある。
【0024】
次に、本発明を実施例によってその効果と共により具体的に説明する。
【実施例】
この実施例では、本発明法に従ったNd123系酸化物超電導体の製造例について説明する。
Nd123系酸化物超電導体結晶の作成に先立って、まず、大気雰囲気下において“ Nd1+x Ba2−x Cu7−d 結晶の組成”と“これと平衡する液相組成及び溶媒組成”との関係を調べた。
調査には Nd,BaCO,CuO粉末を原料とし、これをマグネシアるつぼで溶融・長時間保持したものを急冷する方法を採用した。
【0025】
図4は、上記調査で得た「大気雰囲気下における Nd1+x Ba2−x Cu7−d 結晶組成と液相組成との関係」を立体三元平衡状態図として表したもので、図5はそのうちの“ある一定温度部位”の要部を示す詳細図である。
この調査結果(状態図:例えば図5)から、超電導相と液相が平衡し存在する領域における大気雰囲気中での結晶組成と液相組成の関係(タイライン)が分かる。
また、溶質供給源に Nd(ネオジア)るつぼを用いた場合、るつぼ内における原料の組成は Ndと溶媒組成を結んだ直線上に表われるが、この直線と液相面(平衡液相組成を結んだ曲線)との交点がこの溶媒組成を用いた時の平衡液相組成となることを知ることができる。即ち、溶媒組成と液相組成の関係を知ることができる。従って、タイラインを考慮することにより溶媒組成と晶出するRE123の組成との関係が分かる。
そして、この状態図より、Ba/Cu=0.74(Ba:Cuがほぼ3:4)のフラックスを用いることでRE123に近い組成(x=0.02)の結晶を育成できることが分かる。
【0026】
そこで、この調査結果を基にして、基本的には図1で示したのと同様の結晶引上げ法によってNd123系酸化物超電導体単結晶の育成を試みた。
即ち、“るつぼ”としてNd供給源をも兼ねた Nd製るつぼを用い、この中にBaCO及びCuOの粉末を「Ba:Cu」の比がほぼ3:4(Ba/Cu=0.74)となるように混合し仮焼した溶媒を充填して加熱・溶融し、この溶液(融液)を大気雰囲気下で育成温度1060℃に保持した。
そして、種結晶として“MgO単結晶上にプラズマ蒸着法によって成膜されたNd123の薄膜”を用い、これを溶液表面に浸漬して回転速度120rpm で回転させることでその近傍の Ndるつぼより供給された溶質Ndを含む溶液を冷却・凝固させながら結晶を成長させ、この状態のまま上方に0.2mm/hrで連続的に引上げを行い(溶液引上げを行い)単結晶を製造した。
【0027】
この際、本発明例としての“前記予備調査の結果を基にBa/Cu=0.74のフラックスを用いた製造試験”と、比較例としての“従来のY123系超電導体単結晶の育成に習って採用されていたBa/Cu=0.57のフラックスを用いた製造試験”を実施した。
【0028】
続いて、得られた各単結晶に対し、常法通り340℃で200時間の酸素フロ−中での熱処理(アニ−ル)を行った。
そして、上記熱処理を施した各単結晶から試料を切り出して、誘導結合プラズマ発分析(ICP)によりNdとBaとの相互置換量( Nd1+x Ba2-x Cu37-d 結晶におけるxの値)を調べたところ、本発明法に従って製造されたNd123系超電導体は置換量xが 0.015となっていて状態図より予測されたx=0.02とほぼ等しく、置換量(固溶度)の厳しい制御を図れたことが確認された。
これに対して、比較例(従来例)であるBa/Cu=0.57(Ba:Cu=3:5)のフラックスを用いて得られた試料ではx=0.065 という高い相互置換量を示した。
【0029】
また、前記熱処理を施した各単結晶から試料を切り出して超電導特性の調査も行ったが、その結果を図6に示す。
図6に示される結果からも、Ba/Cu=0.74のフラックスを用い製造された本発明例に係るNd123超電導体の臨界温度は約95Kであり、比較例であるBa/Cu=0.57フラックスを用いた場合よりも優れているばかりか、超電導転移幅ΔTも比較例のものでは 1.5Kもあるのに対して本発明例に係るNd123超電導体では 0.5Kと狭く、本発明例で得られるNd123超電導体は非常に優れた超電導特性を有していることが分かる。
【0030】
なお、この実施例ではNd123超電導体の結晶引上げ法の例を説明したが、フラックス法,溶融凝固法等といった他の手法を適用する場合にも、またNd以外のRE(La,Sm,Pm,Eu,Gd を適用したRE123系超電導体を製造する場合にも本発明法の適用が有効であることも確認済である。
【0031】
【効果の総括】
以上に説明した如く、この発明によれば、90K以上の臨界温度を有すると共に超電導転移幅ΔTの狭い優れた超電導特性を示すRE123系酸化物超電導体を大気雰囲気下で安定製造できるようになるなど、産業上極めて有用な効果がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
【図1】「結晶引上げ法」 によるY123系酸化物単結晶の作製方法を示す概要説明図である。
【図2】RE−BaO−CuO三元状態図である。
【図3】RE1+x Ba2−x Cu7−d 超電導体のxの値と臨界温度との関係を説明したグラフである。
【図4】大気雰囲気下における Nd1+x Ba2−x Cu7−d 結晶組成と液相組成との関係を立体三元平衡状態図として表したものである。
【図5】図4に係る三元平衡状態図の“ある一定温度部位”の主要部詳細図である。
【図6】実施例で得たNd123超電導体の超電導特性の調査結果を示すグラフである。
【符号の説明】
1 るつぼ
2 Y−Ba−Cu−O系酸化物結晶(Y211)
3 溶媒
4 種結晶棒
5 種結晶
6 YBaCu7−x 単結晶

Claims (5)

  1. 希土類元素 La Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上を構成元素として含む材料とBa−Cu−O溶媒を溶融・冷却・凝固して結晶化させることによりRE123系酸化物超電導体(REは La Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上)を製造するに際して、予め大気雰囲気下において“溶媒組成とそれから晶出するRE123系酸化物超電導体の結晶組成との関係”を調査しておき、この調査結果に基づいて溶媒組成を調整することにより希土類元素(RE)とBaとの相互置換量を制御して結晶化させることを特徴とする、高い臨界温度を有する酸化物超電導体を大気雰囲気下において製造する方法。
  2. 希土類元素 La Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上を構成元素として含む材料とBa−Cu−O溶媒を混合した原料を溶融し、結晶引上げ法によりRE123系酸化物超電導単結晶体(REは La Nd Sm Pm Eu Gd の1種又は2種以上)を製造するに際して、予め大気雰囲気下において“前記原料溶融物の組成及び平衡液相組成とそれから晶出するRE123系酸化物超電導体の結晶組成との関係”を調査しておき、この調査結果に基づいて全原料の平均組成を“超電導相と液相とが平衡して共存する領域”に設定すると共に、前記原料溶融物中の「Ba/Cu」比を調整することにより希土類元素(RE)とBaとの相互置換量を制御して結晶化させることを特徴とする、高い臨界温度を有する酸化物超電導単結晶体を大気雰囲気下において製造する方法。
  3. 製造するRE123系超電導体がRE1+x Ba2-x Cu37-d ( 0≦x≦0.05)なる結晶組成を有するものである、請求項1又は2に記載の高い臨界温度を有する酸化物超電導単結晶体を大気雰囲気下において製造する方法。
  4. 溶媒中の「Ba/Cu」比を「3/5」〜「1/1」の間に調整する、請求項1又は3に記載の高い臨界温度を有する酸化物超電導単結晶体を大気雰囲気下において製造する方法。
  5. 原料溶融物中の「Ba/Cu」比を「3/5」〜「1/1」の間に調整する、請求項2又は3に記載の高い臨界温度を有する酸化物超電導単結晶体を大気雰囲気下において製造する方法。
JP27743696A 1996-09-27 1996-09-27 酸化物超電導体の製造方法 Expired - Lifetime JP3613424B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27743696A JP3613424B2 (ja) 1996-09-27 1996-09-27 酸化物超電導体の製造方法
US08/938,600 US6034036A (en) 1996-09-27 1997-09-25 Method of manufacturing oxide superconductors
EP97116719A EP0834606A3 (en) 1996-09-27 1997-09-25 Method of manufacturing oxide superconductors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27743696A JP3613424B2 (ja) 1996-09-27 1996-09-27 酸化物超電導体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10101490A JPH10101490A (ja) 1998-04-21
JP3613424B2 true JP3613424B2 (ja) 2005-01-26

Family

ID=17583545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27743696A Expired - Lifetime JP3613424B2 (ja) 1996-09-27 1996-09-27 酸化物超電導体の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6034036A (ja)
EP (1) EP0834606A3 (ja)
JP (1) JP3613424B2 (ja)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1332513C (en) * 1987-04-02 1994-10-18 Yoshihiro Nakai Superconductor and method of manufacturing the same
JP2707499B2 (ja) * 1987-11-26 1998-01-28 住友電気工業株式会社 酸化物超電導体の製造方法
SE8802173D0 (sv) * 1988-06-10 1988-06-10 Astra Ab Pyrimidine derivatives
JPH02188500A (ja) * 1989-01-18 1990-07-24 Nec Corp 酸化物単結晶育成方法
JP2550253B2 (ja) * 1990-12-14 1996-11-06 新日本製鐵株式会社 酸化物高温超電導体の製造方法
JP2963604B2 (ja) * 1993-07-27 1999-10-18 財団法人国際超電導産業技術研究センター ReBa2Cu3Oy結晶を融液から作製する方法
DE69423082T2 (de) * 1993-12-27 2000-06-08 International Superconductivity Technology Center, Tokio/Tokyo Supraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
EP0834606A3 (en) 2000-03-22
JPH10101490A (ja) 1998-04-21
EP0834606A2 (en) 1998-04-08
US6034036A (en) 2000-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tanaka et al. Single crystal growth of superconducting La2-xSrxCuO4 by the TSFZ method
Shigematsu et al. Growth of single crystals of Bi-Sr-Ca-Cu-O
US5407907A (en) Method of preparing metal oxide crystal
JP3613424B2 (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JP2733899B2 (ja) レアア−ス・ガリウム・ペロブスカイト単結晶の育成方法
JP3725197B2 (ja) 超電導酸化物結晶の製造方法
JPH10265221A (ja) 酸化物超電導体の製造方法
Demianets et al. Growth of high-temperature superconductor crystals from flux
JPH0471876B2 (ja)
JP3205646B2 (ja) Sm系123結晶の作製法
Nakamura et al. Crystal growth of SmBa2Cu3O7− x under low oxygen partial pressure
JP2852405B2 (ja) Bi▲下2▼(Sr,Ca)▲下3▼ Cu▲下2▼ O▲下8▼単結晶の溶液引き上げ法による製造方法
Sasaura et al. Growth instability in LnSrGaO4 (Ln: Pr, Nd) crystal pulling
JPH0818910B2 (ja) 酸化物超電導単結晶の製造方法
JP2833640B2 (ja) Pr123結晶の作製法
RU2051210C1 (ru) Высокотемпературный сверхпроводящий материал и способ его получения
Tagami et al. Fabrication and growth rate estimation of PrBa2Cu3O7− δ single crystal by the modified top seeded crystal pulling method
JPS6156200B2 (ja)
Suzuki et al. Liquid phase epitaxy growth of Ln–Ba–Cu–O (Ln= Yb, Er, Pr) films using BaZrO3 crucibles
JPH085752B2 (ja) テルビウムアルミネート単結晶とその製造方法
JPH05306198A (ja) 基板結晶材料及びその製造方法
JPH0230617A (ja) 酸化物超伝導体の作製方法
JPH06321693A (ja) 酸化物超電導材料の製造方法
Mochiku Preparation of Single Crystals
JPH11130596A (ja) Re123系単結晶、re123系超電導性単結晶、超電導電子デバイス基板及び酸化物単結晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040316

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040514

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041019

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041021

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071105

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071105

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071105

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081105

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105

Year of fee payment: 5

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101105

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111105

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105

Year of fee payment: 8

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105

Year of fee payment: 9

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term