JP3653778B2 - 垂直磁気ヘッドおよびその製造法 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、垂直磁気ヘッド及び当該ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
良好な適用は一般の商用ビデオ記録であるが、これはデータバックアップ及びコンピュータメモリのような他の分野にも使用できる。
【０００３】
【従来の技術】
ビデオ装置、データバックアップまたはコンピュータメモリ用の磁気記録媒体は、磁場の形で情報を入力される多数のトラックを含む。
【０００４】
情報密度を増加させるためには、ユニット単位長当たりの情報数のみだけでなく、トラック数を増加させる必要がある。これを行なうためには、トラックの幅を減少し、同時にトラックを分離するギャップはトラックが隣接するまで（連続するまで）減少させる。
【０００５】
これらの要求を満たすため、現在市場にはいわゆるメタルインギャップヘッドといわゆるサンドイッチヘッドの２つのタイプが主にある。
【０００６】
図１は２つ目のタイプであるサンドイッチヘッドを示す。このヘッドは、基板の上面にデポジットした磁気層により構成される磁気回路４を支持する基板２を有し、前記磁気回路は非磁性スペーサにより形成されるヘッドギャップ６が分離する２つの磁性部５，７を前方に有する。磁気回路の上で前記ヘッドは更に非磁性の上層２を有する。ヘッドには更に磁気層、基板および上層を通して形成された開口部８と、開口部８を通る導体巻線９を有する。
【０００７】
図１に示すヘッドは基板に直角に向けられた又は同じことになるがそのエッジに平行な記録媒体２０と協働する。
【０００８】
そのようなタイプのヘッドはアクティブな表面が最初の基板の表面に直角である意味において“垂直”であると言うことができる。
【０００９】
【数３】

で示すヘッドギャップの幅は基板に直角であるとみなされ、すなわち同じことになるが記録媒体に平行である。この
【数４】

は媒体のトラックの相対的な幅に相当する。Ｌで示すヘッドギャップの長さはヘッドおよび磁気媒体２０の相対的な移動の方向に数えられる。ヘッドギャップの高さｈに関して、磁気回路を支持する基板の面に平行であるとみなされる。
【００１０】
このようなヘッドは、いわゆる“水平”ヘッドと混同されない。水平ヘッドでは、ヘッドギャップは基板に平行な上側の面と同じレベルにあり、更に記録媒体は前記基板の面に平行に移動する。水平ヘッドは例えばフランス国特許第２，６０４，０２１号に開示されている。
【００１１】
サンドイッチ型の垂直ヘッドと水平ヘッドとの間の基本的な相違の１つは（構造および製造方法における明らかな違いは別である）、後者の水平ヘッドの場合、ヘッドの磨耗の間に影響を受ける寸法はデポジットした磁性材料の厚さにより定まり、一方、トラックの幅に対応するヘッドギャップの幅はリソグラフィにより定まることによることである。図１に示すように、サンドイッチ型の垂直ヘッドでは、デポジットされる磁性材料の厚さによって定められるのはギャップ
【数５】

の幅であり、一方、摩耗はリソグラフィにより調整可能な高さｈに影響する。
【００１２】
図１のように、サンドイッチタイプの垂直ヘッドの実際の実施例は、通常はユニット式の方法で行なわれる多数のマイクロメカニカルであり高温溶接の操作が取り入れられている。
【００１３】
ある種の製造方法は特に北オランダのＹ．Ｓａｋｕｒａｉ氏により発行された「ＪＡＲＥＣＴ」で題名が“Ｒｅｃｅｎｔ ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ｆｏｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”，ｖｏｌ．１０、第１１章、ｐｐ．１２１〜１３３、１９８３年の研究の中に、更にＴａｓ Ｂｏｏｋ社により発行された著者がＦ．Ｊｏｒｇｅｎｓｅｎ氏で題名が“Ｔｈｅ ｃｏｍｐｌｅｔｅ ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ”，第９章、ｐｐ．１９６〜２１６、１９８８年の研究の中に記載されている。
【００１４】
しかし、国際出願ＷＯ ９２／０２０１５ではサンドイッチ型の磁気ヘッドの製造法を提示しており、これにより非常に良く制御された垂直ヘッドのギャップを得ることが可能であるが、このギャップでは幅が読み出しまたは書き込まれるトラックの幅に等しく、磁極部の配列は容易である。これらの磁気ヘッドはヘッド上の磁気媒体との摩擦に関係する不可避の摩擦を生ずる。
【００１５】
図２ａ〜図２ｄはこの周知の方法を図示している。熱酸化法と同じく、一方が基板１６から始まり、幾つかが非等方性である種々のエッチング操作により、基板上に垂直な壁２４が得られている（図２ａ）。基板がシリコンから作られている時、前記壁２４は酸化シリコンすなわち言い換えればシリカから作られている。
【００１６】
磁気層２６は壁２４の両方の側にデポジットされ平面化されている（図２ｂ）。壁２４は非磁性スペーサとして機能しており、基板に対して垂直な幅は
【数６】

で示されている。磁気回路２８はフォトリゾグラフィにより全体の形が定められる（図２ｃ）。
【００１７】
全てのアセンブリは図示していない上層により覆われており、開口部３４がもうけられる（図２ｄ）。２つのノッチ３６が機械加工され、導体巻線３８は開口部３４とノッチ３６の中を通り、磁気回路２８の回りに巻かれている。次に摩擦表面４１が機械加工される。この表面は基板の上面に直角である。このように、スペーサ２４は機械加工された基板のエッジと同じレベルにあり、図示されていない記録媒体に平行である。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の方法はある観点からは十分であるが、この方法では磁性材料を製造することが困難であることによる問題点を有する。このように、磁気回路を製造することで要求される通常の磁気特性を越えて、ヘッドが高周波で動作するとき渦電流に関係する問題点を解決することと、耐摩擦の材料を有することが必要である。これらの条件を満足する磁性材料はカソードスパッタリングなどの蒸着デポジットによって得られる。しかしながら、必然的に薄い層は基板と磁性材料との間に膨張係数の違いにリンクする問題点を有し、これは層が分離することにつながる。
【００１９】
本発明はヘッドギャップのエリアで異なる２つの磁性材料（ひとつの代わりに）によってこの問題点を解決するものである。これらの２つの材料が使用される下での条件を付与する前に、２つの材料を有する磁気ヘッドはすでに周知であるが、これは、水平のものの変形で、本発明が関する垂直のものの変形でない。
【００２０】
２つの磁性材料を有するそのような水平ヘッドはフランス国特許第２，６５８，６４６号（米国特許５，２２４，２６０号に相当する）に開示されている。図３及び図４はこれらのヘッドの２つの変形例を示す。
【００２１】
まず、図３は水平ヘッドの断面を示す。水平ヘッドは下磁気部５０、２つの磁気柱５１，５２、絶縁層５６に埋め込まれる導体巻線５４、２つの磁気コンセントレータ５５，５６及びカソードスパッタリングによってデポジットされた第２の磁気回路６１，６２及び導電性の下層５９上に電気的にデポジットされる第１の磁性材料５７，５８によって構成される２つの上磁極部から構成される。これらの２つの磁極部は非磁性スペーサ６４によって分離される。アセンブリは絶縁層６６に埋め込まれている。記録媒体７０は水平ヘッドとしてヘッドの上部表面に平行である。
【００２２】
図４は他の変形例を示し、同じ符号で類似した構成が示されているが２つの磁性材料は別々に配列されている。電気的にデポジットされた第１の磁性材料５７，５８はスペーサ６４の両側に配置され、第２の磁性材料６１，６２は第１の材料の外側である。また図４には記録媒体７０が摺動される摩擦表面６７が示されている。
【００２３】
図３の変形例で、記録媒体７０に接する磁性材料６１，６２は１μｍに近く、良好な磁性及び機械特性を有する。この変形は記録システムに適切であり、ヘッドに対して摩擦を制限するものである。しかし、他の場合、特に１０μｍ以上のヘッドの摩擦がある回転ドラムに備え付けられているヘッドには適切でない。
【００２４】
図４の変形例で、良好な機械特性を有する第１の磁性材料５７，５８はスペーサ６４の両側上に数ミクロンにわたって、一方良好な磁気特性を表すと共に良好な機械特性を有する第２の磁性材料６１，６２は大部分の摩擦表面を占有している。１０μｍを越える摩擦を許容するために、第２の磁性材料の厚さは１０μｍ以上でなければならない。しかし、そのような厚さにわたっての材料をスパッタリングすることによってデポジットすることは大変困難である。
【００２５】
従って、特に磁気テープ上でのヘッドへの摩擦の問題点は従来例では完全に解決できない。良好な機械及び磁気特性を有する層は大変薄い（図３の変形例のように）、又は厚くて得ることが困難である（図４の変形例のように）。
【００２６】
要求が矛盾するのでこの問題点は解決されない。つまり磁気層がスパッタリングによってデポジット可能であるための薄く、かつ耐摩擦であるために厚くなければならないという矛盾である。しかしながら、本発明はこの問題点を解決することを目的とする。
【００２７】
本発明の目的はこれらの欠点を取り除くことである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、本発明は前記問題点を解決でき、サンドイッチ型垂直ヘッドで、水平ヘッドではないヘッドに２つの磁性材料の技術の適用を提供する。
【００２９】
本発明によれば、スペーサの両側に良好な特性（摩擦、磁気特性、抵抗）を有する磁性材料をデポジットし、薄いフィルム形式でかつ特にカソードスパッタリングの蒸着デポジット工程と結果的に矛盾しないようにしている。厚さは図１と関係して付与された集合体に関してヘッドギャップの幅の方向に向いている。ヘッドが垂直構成を有するので、デポジットされた層の厚さはもはや摩擦に関して不利益を持たない。なぜなら、後者は図１でのギャップの高さに関する方向で、ヘッドの端に垂直な方向で腐食によって明らかになったからである。よって、所定の値は層の厚さを減らすことなしにギャップの高さを付与され得る。そして、本発明は薄くてギャップの高さのある層を有することによって解決される。
【００３０】
磁気回路の厚さを大きくし、磁気抵抗を減らすために、他の磁性材料がデポジットされる。これは、第１のものの機械特性より低い機械、磁気特性を有する。この第２の磁性材料は電気メッキ又は他の手段によってデポジットされる。
【００３１】
そして、面及び端を有する基板と、基板の面に配置された磁気回路及び導体巻線を含む垂直磁気ヘッドであって、前記回路が非磁性スペーサによって分離された２つの磁極部をもつヘッドギャップ領域を有し、前記スペーサが基板の端にそろえられ、前記ヘッドがヘッドギャップ領域の前面で移動する記録媒体と共に機能する垂直磁気ヘッドにおいて、磁気回路は、ヘッドギャップ領域内に第１の磁性材料の薄い層と、該第１の磁性材料の機械特性に対して下位の機械特性を有する第２の磁性材料とからなる層を有し、前記薄い層は蒸着で形成されており、ヘッドギャップ領域の磁極部を基板上で規定する完全な表面上であって、基板の面に対して垂直のスペーサの幅
【数７】

全体にわたって、該スペーサを囲むことに特徴がある。
【００３２】
好ましくは、第１の磁性材料は、鉄及び／又はシリコン及び／又はアルミニウム、コバルト及び／又はニオビウム及び／又はジルコニウムを含むアモルファス、鉄ニッケルあるいは誘導体の１つに基づく混合体によって構成されるグループの範囲内の材料で形成される。
【００３３】
好ましくは、第２の磁性材料が、鉄及び／又はニッケル及び／又はコバルトによる合金であり、例えばCoFeCu，CoNiFeなどである。
【００３４】
また本発明は基板上に配置された非磁性スペーサを基板上に生成し、ヘッドギャップ領域を形成するために少なくとも１つの磁性材料をスペーサの両側にデポジットし、ヘッドギャップ領域の周囲の磁気回路を設けて導体巻線を結合される垂直磁気ヘッドを製造する方法において、基板に対して垂直で全幅
【数８】

にわたってスペーサの両側に第１の磁性材料の薄い層を蒸着し、第１の磁性材料の機械特性に対して下位の機械特性を有する第２の、厚い磁性材料をデポジットする。
【００３５】
好ましくは、第２の磁性材料は電極として第１の磁性材料を用いることによって、あるいは補助の導電層をデポジットすることによってのいずれかで、電気メッキによってデポジットされる。
【００３６】
【実施例】
簡単のために、下記の説明は基板に垂直のギャップを有するヘッドに対してとする。なお、本発明は基板に対して９０°から相違する角度を有するギャップを有するヘッドも明らかに提供する。後者のタイプのヘッドギャップの製造は特に国際出願ＷＯ ９２／０２０１５号に開示されている。
【００３７】
本発明の製造方法の第１の実施例は図５ａ〜図５ｇに示されている。図５ａ〜図５ｆは基板の断面を示し、図５ｇは平面図である。
【００３８】
最初に製造されるものは結晶方向が＜１１０＞の単結晶シリコンである基板８０である。国際出願ＷＯ ９２／０２０１５号に開示された多種のエッチング方法や熱酸化方法によって、酸化シリコン表面８２及び酸化シリコン垂直壁８４が得られる（図５ａ）。基板上の前記壁の高さは図１のヘッドギャップの“幅”
【数９】

となる。
【００３９】
次に第１の磁性材料８６の特にカソードスパッタリングで、蒸着デポジットがなされる（図５ｂ）。この磁性材料は、例えば、「センダスト」（登録商標）という合金で鉄８５％、アルミニウム５．４％及びシリコン９．６％を含む。デポジットされた層８６の厚さは剥離するという問題を防ぐためにトラックの幅（壁８４の高さ）従ってヘッドギャップに等しく、又はそれより小さい。例えば、５μｍの記録トラックに対して、５μｍの高さの壁８４が形成されるが、層８６は厚さ３μｍである。
【００４０】
製造方法は層マスク８８（図５ｃ）をデポジットし、その中に、開口部９０が作られる。開口部は壁８４の領域で、後者の上に位置決めされる。導電電極として第１の磁性材料８６を取り、鉄ニッケルのような第２の磁性材料を電気メッキする。デポジットされた高さは、壁８４の両側上の２つの磁性材料８６，９２の厚さの合計が後者の高さを越える。層マスク８８を除去して、マスクとして第２の材料９２を使用して第１の導電材料８６をエッチングする（図５ｄ）。イオン機械加工が使用される。
【００４１】
アセンブリの上に酸化シリコンなどの絶縁性の非磁性層９４をデポジットされる（図５ｅ）。ＣＶＤ法を採用したプラズマを使用できる。層９４の厚さは記録トラックの幅
【数１０】

より等しいか、わずかに大きい。
【００４２】
アセンブリは絶縁層９４の一般面上で停止されることによって平坦化される（図５ｆ）。壁８４は第１の磁性材料８６によって側面上で被覆された非磁性スペーサをなし、この場合は「センダスト」で、鉄ニッケルなどの第２の磁性材料９２に接している。
【００４３】
図５ｇは平面図であり、スペーサが両側にあり可能な摩擦を決定する高さｈの非磁性スペーサ８４が示されており、回路の２つのブランチＡ，Ｂはマスク８８によって定められる。回路の残りの部分は図示されていないが、同じ層８６，９２から又は磁気層の補足的なデポジットからいずれでも得ることができる。製造は従来の方法で非磁性上層をアセンブリ上に配置し、摩擦表面９６を機械加工し、導体巻線を形成することによって終わりとなり、この操作の全ては周知であり、国際出願ＷＯ ９２／０２０１５号に開示されている。
【００４４】
図６ａ〜図６ｃは本発明に係る製造方法の他の変形例を示す。図５ｂに示すサブ組立部品を用いて始まり、第１の磁性材料８６上に導電性の下層８７をデポジットする（図６ａ）。カソードスパッタリングによってデポジットされた０．１μｍの厚さの鉄ニッケルができる。前の実施例のように、リゾグラフィによって全体又は部分的な磁気回路の形状が定められ、そして第２の磁性材料がデポジットされる。このために、マスク８８をデポジットし（図６ｂ）、そして前記第２の磁性材料を電気メッキし、この場合、層９２を与える電極として層８７を使用する。
【００４５】
そして次の操作は図５ｄ〜図５ｆと同じである。最終的には図６ｃに示すようになり、図５ｆと異なり、下層８７の存在が２つの磁性材料８６と９２を分離している。
【００４６】
この変形は第１の磁性材料が電気メッキの下層として機能できないとき特に有効である。更に補助層８７の使用が磁気層９２の接着を改善できる。
【００４７】
図７ａ〜図７ｃはＣＶＤ法を採用したプラズマ法によって絶縁性の酸化シリコンなど非磁性層８９（図７ａ）を第１の磁性材料８６の上にデポジットする他の変形例を示す。層８９はほぼ０．１μｍの厚さを有する。次に、絶縁層８９の上に導電性の下層８７をデポジットする。
【００４８】
次の工程は変わらず、端子としての下層８７により第２の磁性材料９２の電気メッキを行い（図７ｂ）、絶縁層９４をデポジットし、平坦化する（図７ｃ）。
【００４９】
得られるヘッドは非磁性の絶縁層の存在によって図６ｃのヘッドと異なり、絶縁層８９は２つの磁性材料を分離している。層８９の使用は磁気層で生じる渦電流を減らすことができ、高周波でそのようなヘッドの使用を可能とする。
【００５０】
図８ａ〜図８ｄは本発明に係る他の実施例の製造方法を示す図である。再度最初に製造されるものは結晶方向が＜１００＞の単結晶シリコンである基板８０である。エッチング方法及び熱酸化方法を使用して前記基板に凹部１００がエッチングされ、酸化シリコン層１０２及び、垂直壁１０４が凹部を２つの部分に分ける。壁１０４の高さは明らかにヘッドギャップの幅
【数１１】

に等しく、又はそれ以上である。厚さＬはギャップの長さに等しい。
【００５１】
図５ｂ及び図５ｆに関して開示されたのと類似の操作によって蒸着、及び特にカソードスパッタリングにより、重量８５％の鉄、重量５．４％のアルミニウム及び重量９．６％のシリコンによる合金から形成される「センダスト」（登録商標）などの第１の磁性材料１１０を生じる。層１１０の厚さはギャップの幅である壁１０４の高さに等しく、又は小さい。前記層の厚さは剥離問題を防止するために小さくなっている。例えば５μｍの幅のトラックに対して、３μｍの「センダスト」をデポジットすることができる。次に、マスク１１２がデポジットされ、凹部の上に作られた開口に、電気メッキにより鉄ニッケルなどの第２の磁性材料１１４を生じる（図８ｂ）。厚さの合計は凹部の深さ以上でなければならず、又は言い換えれば壁１０４の高さを越えなければならない。
【００５２】
次に、図５ｄに示す工程に従って、マスク１１２を除去し、第１の磁性材料１１０のエッチングを、マスクとして第２の磁性材料１１４を使用して行い、イオンエッチングを行う。平坦化の後、図８ｃの断面図と図８ｄの平面図に示すアセンブリが得られる。
【００５３】
図９は一方で図６ａ〜図６ｃ及び他方で図７ａ〜図７ｃに関して他のヘッドを示し、絶縁性の非磁性層１２０（０．１μｍの厚さであって、ＣＶＤ法を採用したプラズマによって得られた酸化シリコンなど）及び０．１μｍ厚さの鉄ニッケルなどでカソードスパッタリングによってデポジットされる導電性の層１２２が選択的にもうけられる。後者の層は第２の磁性材料１１４の電気メッキ工程で端子として機能する。
【００５４】
本発明に係る他の製造方法を図１０ａ及び図１０ｂに示す。第２の磁性材料１１４の電気メッキが材料１１０上に直接、又は選択的に１２０で示す層１２２になされた後（図８ｂ）、化学エッチング操作でマスクとして機能する材料のマスク１１２の開口部にデポジットする。この材料は例えば金を電気メッキ的にデポジットすることでできる。この層１３０は２μｍの厚さを有する（図１０ａ）。
【００５５】
マスク１１２を除いた後、第１の磁性材料１１０が化学的にエッチングされる（前記化学エッチングは初期にデポジットされた酸化シリコン１０２に関して良い選択性を有する）。「センダスト」をエッチングするために40mlのH₂SO₄＋40mlのHNO₃＋20mlのCH₃COOH＋10mlのHF＋80mlのH₂Oを混ぜて使用できる。これは図１０ｂに示すサブアセンブリを提供する。このサブアセンブリは前述に示す方法で平坦化され、熱酸化の一般の面１０２上で停止される（図８ｃ）。
【００５６】
図１１ａ〜図１１ｄは本発明に係る他の製造方法を示す。図１１ａに示す第１の工程で、エッチングが基板８０で第１の凹部１４０になされ、熱酸化によって酸化シリコン層１４２を形成する。すでに説明した操作（蒸着、電気メッキ、エッチング、平坦処理）によって、２つの磁性材料１４４，１４６（図１１ｂ、図８ｃに比較して）がデポジットされる。
【００５７】
次に、第２の凹部１５０のエッチングを行い、酸化壁１４３を残す。同じ操作を再度使用し、第２の凹部で２つの磁性材料１５４，１５６をデポジットする（図１１ｄ）。
【００５８】
得られるヘッドで、壁１４３は一方で２つの磁極部１４４，１４６を、他方で磁極部１５４，１５６を分離する。更に、第１の凹部で酸化層１４２は基板８０から材料１４４を完全に絶縁し、一方、図８ｃで示すように、基板と磁性材料は完全に絶縁される（第２の凹部の絶縁はオプションの補助工程であるが）。
【００５９】
次に、図１２は他の変形例を示し、第１及び第２の凹部にオプションの非磁性、絶縁層１６０及び第２の磁性材料の電気メッキに使用される導電性の下層１６２をデポジットする。
【００６０】
本発明に係る製造方法は国際出願ＷＯ ９２／０２０１５号に開示された方法のヘッドの製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来例に係る垂直磁気ヘッドを示す図である。
【図２ａ】 垂直磁気ヘッドを製造する周知の方法の工程を示す図である。
【図２ｂ】 垂直磁気ヘッドを製造する周知の方法の工程を示す図である。
【図２ｃ】 垂直磁気ヘッドを製造する周知の方法の工程を示す図である。
【図２ｄ】 垂直磁気ヘッドを製造する周知の方法によるヘッドの平面図である。
【図３】 第１の従来例における２つの導電材料を有する水平ヘッドを示す図である。
【図４】 第２の従来例における２つの導電材料を有する水平ヘッドを示す図である。
【図５ａ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図５ｂ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図５ｃ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図５ｄ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図５ｅ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図５ｆ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図５ｇ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図６ａ】 本発明による垂直磁気ヘッドの導電下層を示す図である。
【図６ｂ】 本発明による垂直磁気ヘッドの導電下層を示す図である。
【図６ｃ】 本発明による垂直磁気ヘッドの導電下層を示す図である。
【図７ａ】 他の本発明による垂直磁気ヘッドの絶縁層と導電下層を示す図である。
【図７ｂ】 他の本発明による垂直磁気ヘッドの絶縁層と導電下層を示す図である。
【図７ｃ】 他の本発明による垂直磁気ヘッドの絶縁層と導電下層を示す図である。
【図８ａ】 別の本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図８ｂ】 別の本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図８ｃ】 別の本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図８ｄ】 別の本発明による垂直磁気ヘッドを製造する方法の工程を示す図である。
【図９】 本発明による垂直磁気ヘッドの絶縁層と導電下層を示す図である。
【図１０ａ】 マスクとして機能する上層を示す図である。
【図１０ｂ】 マスクとして機能する上層を示す図である。
【図１１ａ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する他の方法の工程を示す図である。
【図１１ｂ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する他の方法の工程を示す図である。
【図１１ｃ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する他の方法の工程を示す図である。
【図１１ｄ】 本発明による垂直磁気ヘッドを製造する他の方法の工程を示す図である。
【図１２】 他の本発明による垂直磁気ヘッドの絶縁層と導電下層を示す図である。
【符号の説明】
２，１６ 基板
４，２８ 磁気回路
５，７ 磁極部
６，２４ 非磁性スペーサ
９，３８ 導体巻線
２０ 記録媒体
８６，１１０，１４４ 第１の磁性材料
９２，１１４，１５６ 第２の磁性材料

Claims (17)

1. 面及び端を有する基板（８０）と、該基板の前記面の上にもうけられる磁気回路と、導体巻線とを有し、
   前記磁気回路は非磁性スペーサにより分離される２つの磁極部をもつヘッドギャップ領域を有し、
   前記スペーサ（８４，１０４，１４３）は前記基板（８０）の前記端と同じ面にあり、
   前記ヘッドギャップ領域で前記基板の前記端に平行に前記ヘッドギャップ領域の前を移動する記録媒体と協働する、サンドイッチ型の垂直磁気ヘッドにおいて、
   前記磁気回路は、前記ヘッドギャップ領域に、第１の磁性材料の薄い層（８６，１１０，１４４）を有し、
   この薄い層は蒸着で形成され、前記スペーサ（８４，１０４，１４３）を、前記基板（８０）の前記面に垂直方向に前記スペーサの全幅
   

   

   にわたって、及び、前記基板上で前記ヘッドギャップ領域の磁極部を定義する全表面上で、囲み、
   前記磁気回路は前記第１の磁性材料の上にデポジットされる第２の磁性材料の厚い層（９２，１１４，１５６）を有し、該厚い層の耐摩耗の機械的特性は前記薄い層の当該特性に対して下位の特性を有することを特徴とする垂直磁気ヘッド。
2. 第１の磁性材料（８６，１１０，１４４）と第２の磁性材料（９２，１１４，１４６）の間に電気的に絶縁である非磁性材料層（８９，１２０，１６０）を有する請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
3. 第２の磁性材料（９２，１４６）と第１の磁性材料の間に導電性の層（８７，１２２，１６２）を有する請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
4. 第１の磁性材料（８６，１１０，１４４）は、鉄及び／又はシリコン及び／又はアルミニウム、コバルト及び／又はニオビウム及び／又はジルコニウムを含むアモルファス、鉄ニッケルあるいは誘導体の１つに基づく混合体によって構成されるグループの範囲内の材料で形成される請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
5. 第２の磁性材料（９２，１１４，１５６）が、鉄及び／又はニッケル及び／又はコバルトによる合金である請求項１に記載の垂直磁気ヘッド。
6. 基板（８０）はシリコンであり、スペーサ（８４，１０４，１４３）は酸化シリコンである請求項１〜５のいずれか１項に記載の垂直磁気ヘッド。
7. 基板（２，１６）上に配置された非磁性スペーサ（６，２４）を基板（２，１６）上に生成し、ヘッドギャップ領域を形成するために少なくとも１つの磁性材料（２８）を前記スペーサ（２，２４）の両側にデポジットし、ヘッドギャップ領域の周囲に導体巻線（９，３８）を結合させて磁気回路を完了させる請求項１に記載のサンドイッチ型の垂直磁気ヘッドを製造する方法において、
   基板（８０）に対して垂直で全幅
   

   

   以上のスペーサ（８４，１０４，１４３）の両側に第１の磁性材料（８６，１１０，１４４）の薄い層を蒸着し、
   第１の磁性材料の耐摩耗に関する機械特性に対して下位の機械特性を有する第２の、厚い磁性材料（９２，１１４，１５６）を第１の磁性材料の上にデポジットすることを特徴とする製造方法。
8. 基板（８０）上に磁気壁（８４）を形成し、第１の磁性材料（８６）の層を蒸着し、壁（８４）の高さより低い厚さにわたって壁（８４）の両側に部分的に基板（８０）を越えて壁（８４）を囲み、
   第１のマスク（８８）をデポジットし、壁（８４）の上に配置された開口部（９０）を形成し、
   第２の磁性材料（９２）を第１のマスク（８８）で作られた開口部（９０）で第１の材料（８６）上にデポジットし、前記第２の磁性材料（９２）は開口部で第１の磁性材料（８６）を覆い、
   第１のマスク（８８）を除去し、
   第１の磁性材料（８６）の層を第２の磁性材料（９２）の層をマスクとして使用してエッチングし、
   エッチングされたサブアセンブリ上に所定のヘッドギャップの幅に等しく、又はわずかにそれ以上の厚さを有する絶縁層（９４）をデポジットし、
   アセンブリの壁（８４）をなくして絶縁層（９４）の高さに平坦にする、請求項７に記載の製造方法。
9. 所定のヘッドギャップの幅に等しく、又はわずかにそれ以上の深さを有する凹部（１００）を基板（８０）にエッチングし、
   前記凹部（１００）に、絶縁層（１０２）及び非磁性壁（１０４）を形成して、凹部を２つの部分に分け、
   壁の高さより低い凹部を満たす第１の磁性材料の薄層（１１０）をアセンブリ上に蒸着デポジットし、基板（８０）上の凹部の両側をエッチングし、
   第３のマスク（１１２）がアセンブリ上にデポジットされ、
   前記第３のマスク（１１２）で、凹部（１００）より幅広で壁（１０４）の上にデポジットされた開口部を定め、
   第２の磁性材料（１１４）は前記開口部に、かつ第１の磁性材料（１１０）の上にデポジットされ、
   第３のマスク（１１２）が除去され、
   アセンブリは壁（１０４）が基板（８０）を覆って絶縁層（１０２）で同じ高さになるまで平坦にされる請求項７に記載の製造方法。
10. 第３のマスク（１１２）を除去し及び平坦にした後、第４のマスクとして第２の磁性材料（１１４）を用いて第１の磁性材料（１１０）の層をエッチングする請求項９に記載の製造方法。
11. 第３のマスク（１１２）を除去する前に、化学エッチングによってマスクとして機能できる材料の層（１３０）の第２の磁性材料（１１４）をデポジットし、
    第３のマスク（１２）は除去され、
    第１の磁性材料（１１０）はマスクとして層（１３０）を用いてエッチングされ、
    アセンブリは平坦にされる請求項９に記載の製造方法。
12. Ａ）第１の段階で、所定のヘッドギャップの幅に等しく、又はわずかにそれ以上の深さを有する第１の凹部（１４０）が基板（８０）に形成され、
    絶縁層（１４２）が基板（８０）上と、前記第１の凹部の壁の横側と、そして底部に形成され、
    前記第１の凹部で第１の磁性材料（１４４）の層を蒸着し、前記層が第１の凹部の深さより小さい幅を有し、
    第２の磁性材料（１４６）を第１の磁性材料（１４４）上にデポジットし、
    アセンブリが基板（８０）上の絶縁層（１４２）と同じ高さになるように平坦にし、
    Ｂ）第２の段階で、第２の凹部（１５０）を第１の凹部（１４０）の横側にエッチングし、第２の凹部（１５０）は所定のヘッドギャップの幅に等しく、又はわずかにそれ以上の深さを有し、絶縁層（１４２）を覆うように第１の凹部の壁の一方の横側によって第１の凹部から分離され、
    前記第２の凹部（１５０）で第１の磁性材料の薄層（１５４）を蒸着し、前記層が第２の凹部（１５０）の深さより小さい厚さを有し、
    第２の磁性材料は第１の磁性材料の層（１５４）上にデポジットされ、
    アセンブリは基板（８０）の絶縁層（１４２）と同じ高さになるように平坦にされる請求項７に記載の製造方法。
13. 前記第２の磁性材料（９２，１１４，１４６，１５６）が電気メッキによって得られる請求項７〜１２のいずれか１項に記載の製造方法。
14. 第２の磁性材料（９２，１１４，１４６，１５６）の電気メッキのために、第１の磁性材料（８６，１１０，１４４，１５４）が電極として用いられる請求項１３に記載の製造方法。
15. 第２の磁性材料（９２，１１４，１４６，１５６）を電気メッキするために、電気的な導電層（８７，１２２，１６２）をデポジットして電極として用いる請求項１３に記載の製造方法。
16. 絶縁性の、非磁性材料（８９，１２０，１６０）の層を第１の磁性材料（８６，１１０，１１４，１５４）上にデポジットし、
    導電層（８７，１２２，１６２）を前記絶縁性の、非磁性材料（８９，１２０，１６０）上にデポジットし、
    前記導電層（８７，１２２，１６２）は第２の磁性材料（９２，１１４，１４６，１５６）の電気メッキの電極として用いる請求項１３に記載の製造方法。
17. 第１の磁性材料（８６，１１０，１４４，１５４）の薄層の蒸着はカソードスパッタリングによって行われる請求項７〜１６のいずれか１項の製造方法。

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