JP3538188B2 - 感熱式流量検出素子およびその製造方法 - Google Patents
感熱式流量検出素子およびその製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
-
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Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば内燃機関の
吸入空気量を計測する流量センサに関し、特に発熱体を
備え、発熱体あるいは発熱体によって加熱された部分か
ら流体への伝熱現象に基づいて流体の流速あるいは流量
を計測する感熱式流量検出素子およびその製造方法に関
するものである。
吸入空気量を計測する流量センサに関し、特に発熱体を
備え、発熱体あるいは発熱体によって加熱された部分か
ら流体への伝熱現象に基づいて流体の流速あるいは流量
を計測する感熱式流量検出素子およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１４は例えば特開平６−２４９６９３
号公報に記載された従来の感熱式流量検出素子を示す正
面図、図１５は図１４のＸＶ−ＸＶ矢視断面図である。
図１４および図１５において、第１および第２膜６３、
６４が単結晶珪素からなる珪素基板６７の表面上に分離
されて形成されている。そして、測定素子６１が第１膜
６３上に形成され、媒体温度測定素子６２が第２膜６４
上に形成されている。また、断面台形形状の２つの切欠
６９が珪素基板６７の裏面に形成されて、枠６６が作製
されている。この切欠６９は、第１および第２膜６３、
６４に達するように形成されている。これにより、第１
および第２膜６３、６４が枠６６に張渡されて、ダイヤ
フラム構造を形成し、等温素子としての珪素支持体６８
が第１および第２膜６３、６４の間に配置されている。
さらに、それぞれ測定素子６１および媒体温度測定素子
６２に接続されている電極端子６５が枠６６の表面上に
形成されている。
号公報に記載された従来の感熱式流量検出素子を示す正
面図、図１５は図１４のＸＶ−ＸＶ矢視断面図である。
図１４および図１５において、第１および第２膜６３、
６４が単結晶珪素からなる珪素基板６７の表面上に分離
されて形成されている。そして、測定素子６１が第１膜
６３上に形成され、媒体温度測定素子６２が第２膜６４
上に形成されている。また、断面台形形状の２つの切欠
６９が珪素基板６７の裏面に形成されて、枠６６が作製
されている。この切欠６９は、第１および第２膜６３、
６４に達するように形成されている。これにより、第１
および第２膜６３、６４が枠６６に張渡されて、ダイヤ
フラム構造を形成し、等温素子としての珪素支持体６８
が第１および第２膜６３、６４の間に配置されている。
さらに、それぞれ測定素子６１および媒体温度測定素子
６２に接続されている電極端子６５が枠６６の表面上に
形成されている。
【０００３】つぎに、このように構成された従来の感熱
式流量検出素子６０の動作について説明する。質量流、
例えば空気流が、図１４中矢印Ａで示されるように、感
熱式流量検出素子６０の表面に流される。そして、電流
が電極端子６５を介して測定素子６１に印加され、測定
素子６１が加熱される。さらに、測定素子６１の電気抵
抗が測定される。なお、この測定素子６１は、抵抗が温
度と共に変化するように設計されている。この測定素子
６１は流通する空気流によって冷却される。この冷却の
程度は、流通する媒体の質量流に依存する。そこで、測
定素子６１の加熱電流が一定に保たれている場合、測定
素子６１の抵抗を測定することにより、媒体の流れの強
さを検知することができる。なお、媒体温度測定素子６
２は、測定信号に対する媒体の影響を抑制するために使
用される。
式流量検出素子６０の動作について説明する。質量流、
例えば空気流が、図１４中矢印Ａで示されるように、感
熱式流量検出素子６０の表面に流される。そして、電流
が電極端子６５を介して測定素子６１に印加され、測定
素子６１が加熱される。さらに、測定素子６１の電気抵
抗が測定される。なお、この測定素子６１は、抵抗が温
度と共に変化するように設計されている。この測定素子
６１は流通する空気流によって冷却される。この冷却の
程度は、流通する媒体の質量流に依存する。そこで、測
定素子６１の加熱電流が一定に保たれている場合、測定
素子６１の抵抗を測定することにより、媒体の流れの強
さを検知することができる。なお、媒体温度測定素子６
２は、測定信号に対する媒体の影響を抑制するために使
用される。
【０００４】この従来の感熱式流量検出素子６０では、
切欠６９をエッチングにより形成することから、ダイヤ
フラム部の大きさは、ある程度のばらつきがある。そし
て、第１膜６３のダイヤフラム部は全周で枠６６と接し
ているので、測定素子６１で生じる熱の一部が、空気流
によって冷却されるのではなく、ダイヤフラム部を通し
て枠６６に伝導される。そこで、ダイヤフラム部の大き
さのばらつきは、ダイヤフラム部を通して枠６６に伝導
される熱量のばらつきをもたらす。これにより、流量検
出特性が感熱式流量検出素子６０間でばらついてしま
い、正確な流量検出ができなくなる、という不具合があ
った。また、媒体温度測定素子６２は、媒体の温度変化
に対する応答性を確保するために、第２膜６４のダイヤ
フラム部上に形成している。しかし、この第２膜６４の
ダイヤフラム部も全周で枠６６と接しているので、枠６
６の温度の影響を受けやすい。そこで、ダイヤフラム部
の大きさのばらつきに起因して、媒体温度検出性能にば
らつきが生じてしまう、という不具合があった。
切欠６９をエッチングにより形成することから、ダイヤ
フラム部の大きさは、ある程度のばらつきがある。そし
て、第１膜６３のダイヤフラム部は全周で枠６６と接し
ているので、測定素子６１で生じる熱の一部が、空気流
によって冷却されるのではなく、ダイヤフラム部を通し
て枠６６に伝導される。そこで、ダイヤフラム部の大き
さのばらつきは、ダイヤフラム部を通して枠６６に伝導
される熱量のばらつきをもたらす。これにより、流量検
出特性が感熱式流量検出素子６０間でばらついてしま
い、正確な流量検出ができなくなる、という不具合があ
った。また、媒体温度測定素子６２は、媒体の温度変化
に対する応答性を確保するために、第２膜６４のダイヤ
フラム部上に形成している。しかし、この第２膜６４の
ダイヤフラム部も全周で枠６６と接しているので、枠６
６の温度の影響を受けやすい。そこで、ダイヤフラム部
の大きさのばらつきに起因して、媒体温度検出性能にば
らつきが生じてしまう、という不具合があった。
【０００５】この不具合を解消するために、加熱体（測
定素子６１）で生じる熱がダイヤフラム部を通って基板
（枠６６）に伝導する熱伝導経路に熱伝導層を形成し、
加熱体で生じる熱を熱伝導層を通して基板に伝導するよ
うにした感熱式流量検出素子が、例えば特開平９−４３
０１８号公報に提案されている。
定素子６１）で生じる熱がダイヤフラム部を通って基板
（枠６６）に伝導する熱伝導経路に熱伝導層を形成し、
加熱体で生じる熱を熱伝導層を通して基板に伝導するよ
うにした感熱式流量検出素子が、例えば特開平９−４３
０１８号公報に提案されている。
【０００６】図１６は例えば特開平９−４３０１８号公
報に記載された従来の感熱式流量検出素子を示す正面
図、図１７は図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ矢視断面図で
ある。図１６および図１７において、ダイヤフラム層７
７が基板７１の表面上に形成され、断面台形形状の切欠
７８が基板７１の裏面からダイヤフラム層７７に達する
ように形成されている。これにより、ダイヤフラム層７
７が基板７１に張渡されて、ダイヤフラム部７２を構成
している。また、加熱体７３および温度センサ７４がダ
イヤフラム部７２上に形成されている。さらに、金属層
からなる熱伝導層７５が、加熱体７３および温度センサ
７４の両側で、ダイヤフラム部７２の縁部を覆うように
形成されている。また、それぞれ加熱体７３および温度
センサ７４に接続されている電極端子７６が基板７１の
表面上に形成されている。さらに、保護層７９が加熱体
７３、温度センサ７４、熱伝導層７５などを覆うように
被覆形成されている。
報に記載された従来の感熱式流量検出素子を示す正面
図、図１７は図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ矢視断面図で
ある。図１６および図１７において、ダイヤフラム層７
７が基板７１の表面上に形成され、断面台形形状の切欠
７８が基板７１の裏面からダイヤフラム層７７に達する
ように形成されている。これにより、ダイヤフラム層７
７が基板７１に張渡されて、ダイヤフラム部７２を構成
している。また、加熱体７３および温度センサ７４がダ
イヤフラム部７２上に形成されている。さらに、金属層
からなる熱伝導層７５が、加熱体７３および温度センサ
７４の両側で、ダイヤフラム部７２の縁部を覆うように
形成されている。また、それぞれ加熱体７３および温度
センサ７４に接続されている電極端子７６が基板７１の
表面上に形成されている。さらに、保護層７９が加熱体
７３、温度センサ７４、熱伝導層７５などを覆うように
被覆形成されている。
【０００７】このように構成された従来の感熱式流量検
出素子７０においては、加熱体７３、温度センサ７４お
よび熱伝導層７５は、ダイヤフラム層７７上に感熱抵抗
膜を形成した後、写真製版技術およびエッチング技術を
用いることにより、同時に形成することができる。そこ
で、加熱体７３、温度センサ７４および熱伝導層７５の
相対位置関係は高精度に確保される。そして、熱伝導層
７５の熱伝導率はダイヤフラム層７７に比べて極めて大
きい。また、熱伝導層７５がダイヤフラム部７２の相対
する２つの縁部を覆うように形成されている。従って、
加熱体７３で生じる熱は、ダイヤフラム部７２を通って
熱伝導層７５まで伝導した後、熱伝導層７５を通って基
板７１に伝導する。これにより、ダイヤフラム部７２の
大きさに拘わらず、加熱体７３から基板７１に伝導され
る熱量は一定となるので、感熱式流量検出素子６０間に
おける流量検出特性のでばらつきが抑えられ、正確な流
量検出ができる、としている。
出素子７０においては、加熱体７３、温度センサ７４お
よび熱伝導層７５は、ダイヤフラム層７７上に感熱抵抗
膜を形成した後、写真製版技術およびエッチング技術を
用いることにより、同時に形成することができる。そこ
で、加熱体７３、温度センサ７４および熱伝導層７５の
相対位置関係は高精度に確保される。そして、熱伝導層
７５の熱伝導率はダイヤフラム層７７に比べて極めて大
きい。また、熱伝導層７５がダイヤフラム部７２の相対
する２つの縁部を覆うように形成されている。従って、
加熱体７３で生じる熱は、ダイヤフラム部７２を通って
熱伝導層７５まで伝導した後、熱伝導層７５を通って基
板７１に伝導する。これにより、ダイヤフラム部７２の
大きさに拘わらず、加熱体７３から基板７１に伝導され
る熱量は一定となるので、感熱式流量検出素子６０間に
おける流量検出特性のでばらつきが抑えられ、正確な流
量検出ができる、としている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】自動車の内燃機関にお
いては、４０〜５０Ｇの振動を発生し、また吸入空気の
流速が２００ｍ／ｓｅｃ以上に達する場合もある。ま
た、バックファイヤが発生した場合には、２気圧近い圧
力が感熱式流量検出素子に加わることもある。そして、
ダイヤフラム構造の感熱式流量検出素子がこのような機
械的ストレスを受けると、ダイヤフラム部の大きさが設
計値（目標値）に対して大きい場合、あるいはダイヤフ
ラム部の形状に異常がある場合には、ダイヤフラム部が
破損してしまう、という不具合がある。しかしながら、
従来の感熱式流量検出素子６０においては、珪素基板６
７をエッチングしてダイヤフラム部を形成しているの
で、ダイヤフラム部の大きさはある程度のばらつきを有
している。その結果、感熱式流量検出素子６０における
流量検出特性や流体温度検出性能にばらつきが生じてし
まい、正確な流量検出ができなくなるとともに、自動車
の内燃機関の吸入空気量を計測する用途に適用すれば、
感熱式流量検出素子６０の破損事故を発生させてしま
う、という課題がある。一方、従来の感熱式流量検出素
子７０においては、ダイヤフラム部の大きさのばらつき
に起因する流量検出特性や流体温度検出性能のばらつき
は熱伝導層７５を形成することにより抑えられるもの
の、ダイヤフラム部７２の大きさを設計値に抑えようと
する思想はなく、自動車の内燃機関の吸入空気量を計測
する用途に適用すれば、ダイヤフラム部の大きさのばら
つきに起因して感熱式流量検出素子７０の破損事故が発
生してしまう、という課題がある。
いては、４０〜５０Ｇの振動を発生し、また吸入空気の
流速が２００ｍ／ｓｅｃ以上に達する場合もある。ま
た、バックファイヤが発生した場合には、２気圧近い圧
力が感熱式流量検出素子に加わることもある。そして、
ダイヤフラム構造の感熱式流量検出素子がこのような機
械的ストレスを受けると、ダイヤフラム部の大きさが設
計値（目標値）に対して大きい場合、あるいはダイヤフ
ラム部の形状に異常がある場合には、ダイヤフラム部が
破損してしまう、という不具合がある。しかしながら、
従来の感熱式流量検出素子６０においては、珪素基板６
７をエッチングしてダイヤフラム部を形成しているの
で、ダイヤフラム部の大きさはある程度のばらつきを有
している。その結果、感熱式流量検出素子６０における
流量検出特性や流体温度検出性能にばらつきが生じてし
まい、正確な流量検出ができなくなるとともに、自動車
の内燃機関の吸入空気量を計測する用途に適用すれば、
感熱式流量検出素子６０の破損事故を発生させてしま
う、という課題がある。一方、従来の感熱式流量検出素
子７０においては、ダイヤフラム部の大きさのばらつき
に起因する流量検出特性や流体温度検出性能のばらつき
は熱伝導層７５を形成することにより抑えられるもの
の、ダイヤフラム部７２の大きさを設計値に抑えようと
する思想はなく、自動車の内燃機関の吸入空気量を計測
する用途に適用すれば、ダイヤフラム部の大きさのばら
つきに起因して感熱式流量検出素子７０の破損事故が発
生してしまう、という課題がある。
【０００９】この発明は上述のような課題を解決するた
めになされたもので、ダイヤフラム部の形状寸法検査用
のダミーパターンを平板状基板の表面に設け、該ダミー
パターンを用いてダイヤフラム部の形状・寸法を容易に
精度よく検査できるようにし、流量検出特性や流体温度
検出性能のばらつきを抑えるとともに、ダイヤフラム部
の大形化・形状異常に起因する損傷事故の発生を抑え
て、高検出精度・高信頼性の感熱式流量検出素子および
その製造方法を得ることを目的とする。
めになされたもので、ダイヤフラム部の形状寸法検査用
のダミーパターンを平板状基板の表面に設け、該ダミー
パターンを用いてダイヤフラム部の形状・寸法を容易に
精度よく検査できるようにし、流量検出特性や流体温度
検出性能のばらつきを抑えるとともに、ダイヤフラム部
の大形化・形状異常に起因する損傷事故の発生を抑え
て、高検出精度・高信頼性の感熱式流量検出素子および
その製造方法を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る感熱式流
量検出素子は、平板状基板と、この平板状基板の表面に
形成された絶縁性の支持膜と、この支持膜上に形成され
た感熱抵抗膜からなる抵抗体と、上記平板状基板の表面
に上記抵抗体に連結するように形成された感熱抵抗膜か
らなるリードパターンと、上記抵抗体の形成領域下部に
ある上記平板状基板の部位を裏面側から上記支持膜に至
るように除去して形成された矩形状のダイヤフラム部と
を備えた感熱式流量検出素子において、上記ダイヤフラ
ム部の形状寸法検査用のダミーパターンが、該ダイヤフ
ラム部の縁部の少なくとも隣り合う２辺の外側および内
側の少なくとも一方に、該縁部に沿うように上記平板状
基板の表面に形成されているものである。
量検出素子は、平板状基板と、この平板状基板の表面に
形成された絶縁性の支持膜と、この支持膜上に形成され
た感熱抵抗膜からなる抵抗体と、上記平板状基板の表面
に上記抵抗体に連結するように形成された感熱抵抗膜か
らなるリードパターンと、上記抵抗体の形成領域下部に
ある上記平板状基板の部位を裏面側から上記支持膜に至
るように除去して形成された矩形状のダイヤフラム部と
を備えた感熱式流量検出素子において、上記ダイヤフラ
ム部の形状寸法検査用のダミーパターンが、該ダイヤフ
ラム部の縁部の少なくとも隣り合う２辺の外側および内
側の少なくとも一方に、該縁部に沿うように上記平板状
基板の表面に形成されているものである。
【００１１】また、上記ダミーパターンが感熱抵抗膜で
形成されているものである。
形成されているものである。
【００１２】また、上記ダミーパターンが上記リードパ
ターンの一部で構成されているものである。
ターンの一部で構成されているものである。
【００１３】また、上記平板状基板が表面を（１００）
面とする単結晶Ｓｉ基板であり、上記ダイヤフラム部が
Ｓｉ結晶異方性エッチングにより該平板状基板を除去し
て形成され、上記ダミーパターンの上記ダイヤフラム部
の縁部に対向するエッジがＳｉ結晶方位の＜１１０＞方
位にほぼ平行な直線に形成されているものである。
面とする単結晶Ｓｉ基板であり、上記ダイヤフラム部が
Ｓｉ結晶異方性エッチングにより該平板状基板を除去し
て形成され、上記ダミーパターンの上記ダイヤフラム部
の縁部に対向するエッジがＳｉ結晶方位の＜１１０＞方
位にほぼ平行な直線に形成されているものである。
【００１４】また、上記ダミーパターンが、枠状の第１
パターンと、この第１パターンの内側に位置する枠状の
第２パターンとから構成され、上記ダイヤフラム部の縁
部が上記第１パターンと上記第２パターンとの間に位置
しているものである。
パターンと、この第１パターンの内側に位置する枠状の
第２パターンとから構成され、上記ダイヤフラム部の縁
部が上記第１パターンと上記第２パターンとの間に位置
しているものである。
【００１５】この発明に係る感熱式流量検出素子の製造
方法は、平板状基板の表面に絶縁性の支持膜を形成する
工程と、上記支持膜上に感熱抵抗膜からなる抵抗体およ
び該抵抗体に接続されたリードパターンを形成する工程
と、上記平板状基板の表面にダイヤフラム部の形状検査
用のダミーパターンを形成する工程と、上記抵抗体の形
成領域下部にある上記平板状基板の部位を裏面側から上
記支持膜に至るように除去して上記ダイヤフラム部を形
成する工程と、上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム
部の縁部との位置関係に基づいて該ダイヤフラム部の形
状を検査する工程とを備えたものである。
方法は、平板状基板の表面に絶縁性の支持膜を形成する
工程と、上記支持膜上に感熱抵抗膜からなる抵抗体およ
び該抵抗体に接続されたリードパターンを形成する工程
と、上記平板状基板の表面にダイヤフラム部の形状検査
用のダミーパターンを形成する工程と、上記抵抗体の形
成領域下部にある上記平板状基板の部位を裏面側から上
記支持膜に至るように除去して上記ダイヤフラム部を形
成する工程と、上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム
部の縁部との位置関係に基づいて該ダイヤフラム部の形
状を検査する工程とを備えたものである。
【００１６】また、上記ダミーパターンが、上記ダイヤ
フラム部の縁部の少なくとも隣り合う２辺の外側および
内側の少なくとも一方に、該縁部に沿うように上記平板
状基板の表面に形成されているものである。
フラム部の縁部の少なくとも隣り合う２辺の外側および
内側の少なくとも一方に、該縁部に沿うように上記平板
状基板の表面に形成されているものである。
【００１７】また、上記ダイヤフラム部の形状を検査す
る工程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表
面側から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画
像に基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部
の縁部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフ
ラム部の縁部との位置関係から上記ダイヤフラム部が正
常であるか否かを判定するものである。
る工程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表
面側から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画
像に基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部
の縁部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフ
ラム部の縁部との位置関係から上記ダイヤフラム部が正
常であるか否かを判定するものである。
【００１８】また、上記ダイヤフラム部の形状を検査す
る工程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表
面側から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画
像に基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部
の縁部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフ
ラム部の縁部との隙間を演算し、該隙間が設定値内にあ
るか否かを判定するものである。
る工程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表
面側から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画
像に基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部
の縁部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフ
ラム部の縁部との隙間を演算し、該隙間が設定値内にあ
るか否かを判定するものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１に係る感
熱式流量検出素子を示す正面図、図２は図１のＩＩ−Ｉ
Ｉ矢視断面図である。ここで、図１では、流量検出素子
に対する計測流体の流れ方向を矢印Ａで示すとともに、
構成をわかりやすくするために、保護層が除去されてい
る。また、図１および図２では、構成をわかりやすくす
るために、実際の寸法比では描かれていない。なお、以
下の各図においても同様である。
について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１に係る感
熱式流量検出素子を示す正面図、図２は図１のＩＩ−Ｉ
Ｉ矢視断面図である。ここで、図１では、流量検出素子
に対する計測流体の流れ方向を矢印Ａで示すとともに、
構成をわかりやすくするために、保護層が除去されてい
る。また、図１および図２では、構成をわかりやすくす
るために、実際の寸法比では描かれていない。なお、以
下の各図においても同様である。
【００２０】図１および図２において、絶縁性の支持膜
２がシリコンよりなる平板状基板１の表面１ａの全面に
形成され、感熱抵抗膜からなる抵抗体としての発熱抵抗
４、抵抗体としての流体温度測温抵抗５、リードパター
ン６ａ〜６ｄ、発熱抵抗用ダミーパターン１２および測
温抵抗用ダミーパターン１３が支持膜１上の所定位置に
形成され、さらに絶縁性の保護膜３が発熱抵抗４、流体
温度測温抵抗５、リードパターン６ａ〜６ｄおよびダミ
ーパターン１２、１３を覆うように形成されている。ま
た、リードパターン６ａ〜６ｄの端部が保護膜３を除去
されて露出し、電極端子７ａ〜７ｄを形成している。そ
して、電極端子７ａ〜７ｄがワイヤボンディング等の方
法により外部と電気的に接続され、発熱抵抗４および流
体温度測温抵抗５がリードパターン６ａ〜６ｄおよび電
極端子７ａ〜７ｄを介して外部と接続される。
２がシリコンよりなる平板状基板１の表面１ａの全面に
形成され、感熱抵抗膜からなる抵抗体としての発熱抵抗
４、抵抗体としての流体温度測温抵抗５、リードパター
ン６ａ〜６ｄ、発熱抵抗用ダミーパターン１２および測
温抵抗用ダミーパターン１３が支持膜１上の所定位置に
形成され、さらに絶縁性の保護膜３が発熱抵抗４、流体
温度測温抵抗５、リードパターン６ａ〜６ｄおよびダミ
ーパターン１２、１３を覆うように形成されている。ま
た、リードパターン６ａ〜６ｄの端部が保護膜３を除去
されて露出し、電極端子７ａ〜７ｄを形成している。そ
して、電極端子７ａ〜７ｄがワイヤボンディング等の方
法により外部と電気的に接続され、発熱抵抗４および流
体温度測温抵抗５がリードパターン６ａ〜６ｄおよび電
極端子７ａ〜７ｄを介して外部と接続される。
【００２１】また、発熱抵抗４および流体温度測温抵抗
５の形成領域下部にある平板状基板１の部位がそれぞれ
裏面１ｂ側から支持膜２に至るように除去されて、第１
および第２キャビティ９ａ、９ｂが形成されている。こ
れにより、薄肉の第１および第２ダイヤフラム部１０、
１１がそれぞれ第１および第２キャビティ９ａ、９ｂ上
に形成される。そして、第１ダイヤフラム部１０は、発
熱抵抗４を支持膜２と保護膜３とに挟持してなる積層膜
がその周囲を平板状基板１に保持されて構成され、第２
ダイヤフラム部１１は、流体温度測温抵抗５を支持膜２
と保護膜３とに挟持してなる積層膜がその周囲を平板状
基板１に保持されて構成されている。
５の形成領域下部にある平板状基板１の部位がそれぞれ
裏面１ｂ側から支持膜２に至るように除去されて、第１
および第２キャビティ９ａ、９ｂが形成されている。こ
れにより、薄肉の第１および第２ダイヤフラム部１０、
１１がそれぞれ第１および第２キャビティ９ａ、９ｂ上
に形成される。そして、第１ダイヤフラム部１０は、発
熱抵抗４を支持膜２と保護膜３とに挟持してなる積層膜
がその周囲を平板状基板１に保持されて構成され、第２
ダイヤフラム部１１は、流体温度測温抵抗５を支持膜２
と保護膜３とに挟持してなる積層膜がその周囲を平板状
基板１に保持されて構成されている。
【００２２】また、第１および第２キャビティ９ａ、９
ｂは、断面台形形状に形成され、第１および第２ダイヤ
フラム部１０、１１は長方形に形成されている。そし
て、発熱抵抗用ダミーパターン１２は、第１ダイヤフラ
ム部１０の縁部１０ａの４辺外側に縁部１０ａに沿って
形成された第１パターン１２ａと、縁部１０ａの４辺内
側に縁部１０ａに沿って形成された第２パターン１２ｂ
とから構成され、第１および第２パターン１２ａ、１２
ｂは枠状の１辺を切り欠いてリードパターン６ｂ、６ｃ
を避けるように形成されている。同様に、測温抵抗用ダ
ミーパターン１３は、第２ダイヤフラム部１１の縁部１
１ａの４辺外側に縁部１１ａに沿って形成された第１パ
ターン１３ａと、縁部１１ａの４辺内側に縁部１１ａに
沿って形成された第２パターン１３ｂとから構成され、
第１および第２パターン１３ａ、１３ｂは枠状の１辺を
切り欠いてリードパターン６ａ、６ｄを避けるように形
成されている。
ｂは、断面台形形状に形成され、第１および第２ダイヤ
フラム部１０、１１は長方形に形成されている。そし
て、発熱抵抗用ダミーパターン１２は、第１ダイヤフラ
ム部１０の縁部１０ａの４辺外側に縁部１０ａに沿って
形成された第１パターン１２ａと、縁部１０ａの４辺内
側に縁部１０ａに沿って形成された第２パターン１２ｂ
とから構成され、第１および第２パターン１２ａ、１２
ｂは枠状の１辺を切り欠いてリードパターン６ｂ、６ｃ
を避けるように形成されている。同様に、測温抵抗用ダ
ミーパターン１３は、第２ダイヤフラム部１１の縁部１
１ａの４辺外側に縁部１１ａに沿って形成された第１パ
ターン１３ａと、縁部１１ａの４辺内側に縁部１１ａに
沿って形成された第２パターン１３ｂとから構成され、
第１および第２パターン１３ａ、１３ｂは枠状の１辺を
切り欠いてリードパターン６ａ、６ｄを避けるように形
成されている。
【００２３】ここで、支持膜２および保護膜３は窒化シ
リコン等の絶縁材料を用いて作製されている。また、発
熱抵抗４、流体温度測温抵抗５、リードパターン６ａ〜
６ｄ、発熱抵抗用ダミーパターン１２および測温抵抗用
ダミーパターン１３を構成する感熱抵抗膜は、抵抗値が
温度依存性を有する材料で作製された抵抗膜であり、例
えば白金、ニッケル、パーマロイ等で作製された抵抗膜
である。また、第１および第２パターン１２ａ、１２ｂ
は、第１ダイヤフラム部１０の形状寸法の目標値に対し
て許容される形状寸法に形成されている。同様に、第１
および第２パターン１３ａ、１３ｂは、第２ダイヤフラ
ム部１１の形状寸法の目標値に対して許容される形状寸
法に形成されている。
リコン等の絶縁材料を用いて作製されている。また、発
熱抵抗４、流体温度測温抵抗５、リードパターン６ａ〜
６ｄ、発熱抵抗用ダミーパターン１２および測温抵抗用
ダミーパターン１３を構成する感熱抵抗膜は、抵抗値が
温度依存性を有する材料で作製された抵抗膜であり、例
えば白金、ニッケル、パーマロイ等で作製された抵抗膜
である。また、第１および第２パターン１２ａ、１２ｂ
は、第１ダイヤフラム部１０の形状寸法の目標値に対し
て許容される形状寸法に形成されている。同様に、第１
および第２パターン１３ａ、１３ｂは、第２ダイヤフラ
ム部１１の形状寸法の目標値に対して許容される形状寸
法に形成されている。
【００２４】つぎに、このように構成された感熱式流量
検出素子２０の製造方法について説明する。まず、窒化
シリコンを、スパッタ、ＣＶＤ等の方法により、厚さ
０．４ｍｍのシリコン基板よりなる平板状基板１の表面
１ａの全面に厚さ１μｍに成膜して、平板状基板１上に
支持膜２を形成する。ついで、白金を、蒸着やスパッタ
等の方法により、支持膜２の表面の全面に厚さ０．２μ
ｍに成膜する。そして、写真製版、ウエットエッチング
（あるいはドライエッチング）等の方法を用いて、白金
膜をパターニングし、発熱抵抗４、流体温度測温抵抗
５、リードパターン６ａ〜６ｄ、発熱抵抗用ダミーパタ
ーン１２および測温抵抗用ダミーパターン１３を形成す
る。さらに、窒化シリコンを、スパッタ、ＣＶＤ等の方
法により、支持膜２の表面の全面に厚さ１μｍに成膜し
て、保護膜３を形成する。その後、写真製版、ウエット
エッチング（あるいはドライエッチング）等の方法を用
いて、リードパターン６ａ〜６ｄの端部上の保護膜３を
除去して、電極端子７ａ〜７ｄを形成する。
検出素子２０の製造方法について説明する。まず、窒化
シリコンを、スパッタ、ＣＶＤ等の方法により、厚さ
０．４ｍｍのシリコン基板よりなる平板状基板１の表面
１ａの全面に厚さ１μｍに成膜して、平板状基板１上に
支持膜２を形成する。ついで、白金を、蒸着やスパッタ
等の方法により、支持膜２の表面の全面に厚さ０．２μ
ｍに成膜する。そして、写真製版、ウエットエッチング
（あるいはドライエッチング）等の方法を用いて、白金
膜をパターニングし、発熱抵抗４、流体温度測温抵抗
５、リードパターン６ａ〜６ｄ、発熱抵抗用ダミーパタ
ーン１２および測温抵抗用ダミーパターン１３を形成す
る。さらに、窒化シリコンを、スパッタ、ＣＶＤ等の方
法により、支持膜２の表面の全面に厚さ１μｍに成膜し
て、保護膜３を形成する。その後、写真製版、ウエット
エッチング（あるいはドライエッチング）等の方法を用
いて、リードパターン６ａ〜６ｄの端部上の保護膜３を
除去して、電極端子７ａ〜７ｄを形成する。
【００２５】ついで、平板状基板１の裏面１ｂの全面に
レジストを塗布し、裏面保護膜８を形成する。そして、
写真製版等を用いて、裏面保護膜８の一部を除去して、
エッチングホール１４を形成する。その後、例えばアル
カリエッチングを施して、平板状基板１の裏面１ｂ側か
ら支持膜２に至るように平板状基板１を除去し、第１お
よび第２キャビティ９ａ、９ｂを形成する。これによ
り、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１が第１お
よび第２キャビティ９ａ、９ｂ上に形成される。ここで
は、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ(Tetra Methyl Ammonium Hydroxi
de)、ＮａＯＨ等がエッチャントとして使用される。
レジストを塗布し、裏面保護膜８を形成する。そして、
写真製版等を用いて、裏面保護膜８の一部を除去して、
エッチングホール１４を形成する。その後、例えばアル
カリエッチングを施して、平板状基板１の裏面１ｂ側か
ら支持膜２に至るように平板状基板１を除去し、第１お
よび第２キャビティ９ａ、９ｂを形成する。これによ
り、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１が第１お
よび第２キャビティ９ａ、９ｂ上に形成される。ここで
は、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ(Tetra Methyl Ammonium Hydroxi
de)、ＮａＯＨ等がエッチャントとして使用される。
【００２６】このように作製された感熱式流量検出素子
２０において、顕微鏡を用いて、第１および第２ダイヤ
フラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａが第１パター
ン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂとの間
に位置しているか否かを検査する。そして、第１および
第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａが
第１パターン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１
３ｂとの間に位置している感熱式流量検出素子２０を得
る。
２０において、顕微鏡を用いて、第１および第２ダイヤ
フラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａが第１パター
ン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂとの間
に位置しているか否かを検査する。そして、第１および
第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａが
第１パターン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１
３ｂとの間に位置している感熱式流量検出素子２０を得
る。
【００２７】なお、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１は１．５ｍｍ×２ｍｍの大きさに形成され、発
熱抵抗４および流体温度測温抵抗５は第１および第２ダ
イヤフラム部１０、１１のほぼ中央に０．８ｍｍ×１ｍ
ｍの大きさに形成されている。そして、第１パターン１
２ａ、１３ａは、（１．５ｍｍ+５０μｍ）×（２ｍｍ+
５０μｍ）の内周形状を有するパターン幅１０μｍの一
部切り欠き枠状に形成され、第２パターン１２ｂ、１３
ｂは、（１．５ｍｍ-５０μｍ）×（２ｍｍ-５０μｍ）
の外周形状を有するパターン幅１０μｍの一部切り欠き
枠状に形成されている。ここで、第１および第２ダイヤ
フラム部１０、１１の形状寸法の目標値は１．５ｍｍ×
２ｍｍであり、許容値は±５０μｍとなる。
０、１１は１．５ｍｍ×２ｍｍの大きさに形成され、発
熱抵抗４および流体温度測温抵抗５は第１および第２ダ
イヤフラム部１０、１１のほぼ中央に０．８ｍｍ×１ｍ
ｍの大きさに形成されている。そして、第１パターン１
２ａ、１３ａは、（１．５ｍｍ+５０μｍ）×（２ｍｍ+
５０μｍ）の内周形状を有するパターン幅１０μｍの一
部切り欠き枠状に形成され、第２パターン１２ｂ、１３
ｂは、（１．５ｍｍ-５０μｍ）×（２ｍｍ-５０μｍ）
の外周形状を有するパターン幅１０μｍの一部切り欠き
枠状に形成されている。ここで、第１および第２ダイヤ
フラム部１０、１１の形状寸法の目標値は１．５ｍｍ×
２ｍｍであり、許容値は±５０μｍとなる。
【００２８】つぎに、この感熱式流量検出素子２０を用
いた流量センサ１００の構成について図３乃至図５を参
照しつつ説明する。ここで、図３は感熱式流量検出素子
２０を用いた流量センサ１００を示す正面図、図４は図
３のＩＶ−ＩＶ矢視断面図、図５は感熱式流量検出素子
２０の制御回路を示す回路図である。なお、図４中矢印
Ａは空気流の流れ方向を示している。流量センサ１００
は、図３および図４に示されるように、計測流体の通路
となる円筒状の主通路３０と、主通路３０の内壁面から
延設された支持部材３２に支持されて主通路３０内に同
軸に配設された検出管路３１と、主通路３０に取り付け
られ、制御回路基板３４が収納されるケース３３と、ケ
ース３３に取り付けられ、流量センサ１００に電力を供
給し、かつ、出力を取り出すためのコネクタ３５と、検
出管路３１内に配設された感熱式流量検出素子２０とか
ら構成されている。そして、制御回路基板３４と感熱式
流量検出素子２０の電極端子７ａ〜７ｄとが支持部材３
２内に埋設されたリード線３６により電気的に接続され
ている。また、感熱式流量検出素子２０は、平板状基板
１の表面１ａが計測流体の流れ方向Ａと平行となり、か
つ、計測流体にさらされるように検出管路３１内に配設
されている。
いた流量センサ１００の構成について図３乃至図５を参
照しつつ説明する。ここで、図３は感熱式流量検出素子
２０を用いた流量センサ１００を示す正面図、図４は図
３のＩＶ−ＩＶ矢視断面図、図５は感熱式流量検出素子
２０の制御回路を示す回路図である。なお、図４中矢印
Ａは空気流の流れ方向を示している。流量センサ１００
は、図３および図４に示されるように、計測流体の通路
となる円筒状の主通路３０と、主通路３０の内壁面から
延設された支持部材３２に支持されて主通路３０内に同
軸に配設された検出管路３１と、主通路３０に取り付け
られ、制御回路基板３４が収納されるケース３３と、ケ
ース３３に取り付けられ、流量センサ１００に電力を供
給し、かつ、出力を取り出すためのコネクタ３５と、検
出管路３１内に配設された感熱式流量検出素子２０とか
ら構成されている。そして、制御回路基板３４と感熱式
流量検出素子２０の電極端子７ａ〜７ｄとが支持部材３
２内に埋設されたリード線３６により電気的に接続され
ている。また、感熱式流量検出素子２０は、平板状基板
１の表面１ａが計測流体の流れ方向Ａと平行となり、か
つ、計測流体にさらされるように検出管路３１内に配設
されている。
【００２９】この流量センサ１００の制御回路４０は、
図５に示されるように、発熱抵抗４および流体温度測温
抵抗５を含むブリッジ回路４１となっている。なお、図
５中、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は固定抵抗、ＯＰ１は演算
増幅器、ＴＲ１はトランジスタ、ＢＡＴＴは電源であ
る。そして、発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５を除
く制御回路が制御回路基板３４上に実装されている。
図５に示されるように、発熱抵抗４および流体温度測温
抵抗５を含むブリッジ回路４１となっている。なお、図
５中、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は固定抵抗、ＯＰ１は演算
増幅器、ＴＲ１はトランジスタ、ＢＡＴＴは電源であ
る。そして、発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５を除
く制御回路が制御回路基板３４上に実装されている。
【００３０】この流量センサ１００においては、制御回
路４０は図５中、点Ｐ１の電位と点Ｐ２の電位とを略等
しくするように働き、発熱抵抗４の加熱電流ＩＨを制御
する。その結果、発熱抵抗４の平均温度が所定の値に保
たれる。例えば、計測流体の流速が速くなると、発熱抵
抗４から計測流体への熱伝達が多くなり、発熱抵抗４の
温度が下がる。そこで、発熱抵抗４から計測流体への熱
伝達の増加分を補償するように加熱電流ＩＨが制御回路
４０により増加され、発熱抵抗４の平均温度が所定の値
に保たれる。この加熱電流ＩＨを抵抗Ｒ２の両端で電圧
Ｖoutとして検出することにより、流速あるいは所定の
流路断面積を有する通路を流れる流量が検出される。
路４０は図５中、点Ｐ１の電位と点Ｐ２の電位とを略等
しくするように働き、発熱抵抗４の加熱電流ＩＨを制御
する。その結果、発熱抵抗４の平均温度が所定の値に保
たれる。例えば、計測流体の流速が速くなると、発熱抵
抗４から計測流体への熱伝達が多くなり、発熱抵抗４の
温度が下がる。そこで、発熱抵抗４から計測流体への熱
伝達の増加分を補償するように加熱電流ＩＨが制御回路
４０により増加され、発熱抵抗４の平均温度が所定の値
に保たれる。この加熱電流ＩＨを抵抗Ｒ２の両端で電圧
Ｖoutとして検出することにより、流速あるいは所定の
流路断面積を有する通路を流れる流量が検出される。
【００３１】ここで、発熱抵抗４の抵抗値をＲＨ、発熱
抵抗４の平均温度をＴＨ、計測流体の温度をＴＡ、所定
の通路断面積を有する通路（検出管路３１）を流れる計
測流体の流量をＱとすると、式（１）が成り立つ。 ＩＨ２・ＲＨ＝（ａ＋ｂ・Ｑｎ）・（ＴＨ−ＴＡ） ・・・（１） 但し、ａ、ｂおよびｎは感熱式流量検出素子の形態によ
って決まる定数である。ａは流量依存しない熱量に相当
する係数であり、その大部分は熱熱抵抗４から平板状基
板１に伝わる熱伝導損失である。一方、ｂは強制対流熱
伝達に相当する係数である。ｎは発熱抵抗４の近傍の計
測流体の流れの様相によって決まる値であり、約０．５
となる。また、式（１）から、ａの係数に相当する熱量
は流量検出に寄与しない。そこで、（ＴＨ−ＴＡ）／Ｒ
ＨをＴＡに拘わらず一定とすることにより、ＩＨはＱの
関数となる。そして、ＩＨに相当する出力が流量センサ
の検出流量出力となる。
抵抗４の平均温度をＴＨ、計測流体の温度をＴＡ、所定
の通路断面積を有する通路（検出管路３１）を流れる計
測流体の流量をＱとすると、式（１）が成り立つ。 ＩＨ２・ＲＨ＝（ａ＋ｂ・Ｑｎ）・（ＴＨ−ＴＡ） ・・・（１） 但し、ａ、ｂおよびｎは感熱式流量検出素子の形態によ
って決まる定数である。ａは流量依存しない熱量に相当
する係数であり、その大部分は熱熱抵抗４から平板状基
板１に伝わる熱伝導損失である。一方、ｂは強制対流熱
伝達に相当する係数である。ｎは発熱抵抗４の近傍の計
測流体の流れの様相によって決まる値であり、約０．５
となる。また、式（１）から、ａの係数に相当する熱量
は流量検出に寄与しない。そこで、（ＴＨ−ＴＡ）／Ｒ
ＨをＴＡに拘わらず一定とすることにより、ＩＨはＱの
関数となる。そして、ＩＨに相当する出力が流量センサ
の検出流量出力となる。
【００３２】ここでは、発熱抵抗４と流体温度測温抵抗
５とがブリッジ回路となっている直接加熱制御方式につ
いで説明したが、発熱抵抗４の近傍に測温抵抗を設け、
測温抵抗と流体温度測温抵抗とがブリッジ回路となって
いる傍熱制御方式についても同じである。
５とがブリッジ回路となっている直接加熱制御方式につ
いで説明したが、発熱抵抗４の近傍に測温抵抗を設け、
測温抵抗と流体温度測温抵抗とがブリッジ回路となって
いる傍熱制御方式についても同じである。
【００３３】このように構成された感熱式流量検出素子
２０においては、第１および第２ダイヤフラム部１０、
１１は、エッチングホール１４を平板状基板１の裏面１
ｂに形成し、該エッチングホール１４から平板状基板１
をエッチングして形成されている。そこで、平板状基板
１の表面１ａに形成されている発熱抵抗４および流体温
度測温抵抗５に対するエッチングホール１４の位置ず
れ、および、平板状基板１の厚みのばらつきに起因し
て、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の寸法、
および、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１に対
する発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５の位置は、あ
る程度ばらつきが生じる。また、エッチングホール１４
を形成する工程で、裏面保護膜８に傷が生じた場合、平
板状基板１は裏面保護膜８中の傷の部分からもエッチン
グされることになり、ダイヤフラム形状の一部に異常が
生じてしまう。
２０においては、第１および第２ダイヤフラム部１０、
１１は、エッチングホール１４を平板状基板１の裏面１
ｂに形成し、該エッチングホール１４から平板状基板１
をエッチングして形成されている。そこで、平板状基板
１の表面１ａに形成されている発熱抵抗４および流体温
度測温抵抗５に対するエッチングホール１４の位置ず
れ、および、平板状基板１の厚みのばらつきに起因し
て、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の寸法、
および、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１に対
する発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５の位置は、あ
る程度ばらつきが生じる。また、エッチングホール１４
を形成する工程で、裏面保護膜８に傷が生じた場合、平
板状基板１は裏面保護膜８中の傷の部分からもエッチン
グされることになり、ダイヤフラム形状の一部に異常が
生じてしまう。
【００３４】ここで、ダイヤフラム部のエッチング不良
について図６乃至図１１を参照しつつ説明する。図６は
ダイヤフラム部に過大な位置ずれが発生した感熱式流量
検出素子を示す正面図、図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ矢
視断面図、図８はダイヤフラム部に過大な寸法が発生し
た感熱式流量検出素子を示す正面図、図９は図８のＩＸ
−ＩＸ矢視断面図、図１０はダイヤフラム部に異常な形
状が発生した感熱式流量検出素子を示す正面図、図１１
は図１０のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。
について図６乃至図１１を参照しつつ説明する。図６は
ダイヤフラム部に過大な位置ずれが発生した感熱式流量
検出素子を示す正面図、図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ矢
視断面図、図８はダイヤフラム部に過大な寸法が発生し
た感熱式流量検出素子を示す正面図、図９は図８のＩＸ
−ＩＸ矢視断面図、図１０はダイヤフラム部に異常な形
状が発生した感熱式流量検出素子を示す正面図、図１１
は図１０のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。
【００３５】まず、エッチングホール１４の位置が平板
状基板１の表面１ａに形成されている発熱抵抗４および
流体温度測温抵抗５に対してずれて形成された場合、作
製される感熱式流量検出素子２１Ａは、例えば、図６お
よび図７に示されるように、第１および第２ダイヤフラ
ム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａの一部が第１パタ
ーン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂとの
隙間からはみ出した状態となる。また、平板状基板１の
厚みが規定値より薄い場合、あるいはエッチングホール
１４が規定寸法より大きく形成された場合、作製される
感熱式流量検出素子２１Ｂは、例えば、図８および図９
に示されるように、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１の縁部１０ａ、１１ａが第１パターン１２ａ、
１３ａ下部に位置した状態となる。また、エッチングホ
ール１４の形成工程で、裏面保護膜８に傷が発生した場
合、作製される感熱式流量検出素子２１Ｃは、例えば、
図１０および図１１に示されるように、第２ダイヤフラ
ム部１１の縁部１１ａの一部に異常が発生した状態とな
る。
状基板１の表面１ａに形成されている発熱抵抗４および
流体温度測温抵抗５に対してずれて形成された場合、作
製される感熱式流量検出素子２１Ａは、例えば、図６お
よび図７に示されるように、第１および第２ダイヤフラ
ム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａの一部が第１パタ
ーン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂとの
隙間からはみ出した状態となる。また、平板状基板１の
厚みが規定値より薄い場合、あるいはエッチングホール
１４が規定寸法より大きく形成された場合、作製される
感熱式流量検出素子２１Ｂは、例えば、図８および図９
に示されるように、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１の縁部１０ａ、１１ａが第１パターン１２ａ、
１３ａ下部に位置した状態となる。また、エッチングホ
ール１４の形成工程で、裏面保護膜８に傷が発生した場
合、作製される感熱式流量検出素子２１Ｃは、例えば、
図１０および図１１に示されるように、第２ダイヤフラ
ム部１１の縁部１１ａの一部に異常が発生した状態とな
る。
【００３６】このような感熱式流量検出素子において
は、第１ダイヤフラム部１０が全周で平板状基板１に接
触しているため、発熱抵抗４で生じる熱のうち、第１ダ
イヤフラム部１０を通って平板状基板１に伝導する熱が
多く、第１ダイヤフラム部１０の寸法ばらつき、第１ダ
イヤフラム部１０に対する発熱抵抗４の位置ずれ、およ
び、第１ダイヤフラム部１０の形状異常が発生すると、
流量検出特性がばらつき、正確な流量検出ができなくな
る。また、流体温度測温抵抗５は、流体温度の変化に対
して応答性を確保するために第２ダイヤフラム部１１上
に形成されているが、第２ダイヤフラム部１１が全周で
平板状基板１に接触しているため、平板状基板１の温度
の影響を受けやすく、第２ダイヤフラム部１１の寸法ば
らつき、第２ダイヤフラム部１１に対する流体温度測温
抵抗５の位置ずれ、および、第２ダイヤフラム部１１の
形状異常が発生すると、流体温度検出性能にばらつきが
生じてしまい、正確な流量検出ができなくなる。
は、第１ダイヤフラム部１０が全周で平板状基板１に接
触しているため、発熱抵抗４で生じる熱のうち、第１ダ
イヤフラム部１０を通って平板状基板１に伝導する熱が
多く、第１ダイヤフラム部１０の寸法ばらつき、第１ダ
イヤフラム部１０に対する発熱抵抗４の位置ずれ、およ
び、第１ダイヤフラム部１０の形状異常が発生すると、
流量検出特性がばらつき、正確な流量検出ができなくな
る。また、流体温度測温抵抗５は、流体温度の変化に対
して応答性を確保するために第２ダイヤフラム部１１上
に形成されているが、第２ダイヤフラム部１１が全周で
平板状基板１に接触しているため、平板状基板１の温度
の影響を受けやすく、第２ダイヤフラム部１１の寸法ば
らつき、第２ダイヤフラム部１１に対する流体温度測温
抵抗５の位置ずれ、および、第２ダイヤフラム部１１の
形状異常が発生すると、流体温度検出性能にばらつきが
生じてしまい、正確な流量検出ができなくなる。
【００３７】また、自動車の内燃機関においては、４０
〜５０Ｇの振動を発生し、また吸入空気の流速が２００
ｍ／ｓｅｃ以上に達する場合もある。また、バックファ
イヤが発生した場合には、２気圧近い圧力が感熱式流量
検出素子に加わることもある。そこで、これらの感熱式
流量検出素子２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃがこのような機械
的ストレスを受けると、ダイヤフラム部が破損してしま
う。
〜５０Ｇの振動を発生し、また吸入空気の流速が２００
ｍ／ｓｅｃ以上に達する場合もある。また、バックファ
イヤが発生した場合には、２気圧近い圧力が感熱式流量
検出素子に加わることもある。そこで、これらの感熱式
流量検出素子２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃがこのような機械
的ストレスを受けると、ダイヤフラム部が破損してしま
う。
【００３８】そのため、第１および第２ダイヤフラム部
１０、１１の寸法、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１に対する発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５
の配置位置、および、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１の形状は、所定のばらつきの範囲内に管理する
必要がある。ダイヤフラム構造をとる感熱式流量検出素
子では、ダイヤフラム部が薄膜に構成されているため、
ダイヤフラム部の縁部を平板状基板１の表面１ａ側から
検出することは容易であるが、ダイヤフラム部の寸法を
検査するには、ミクロンオーダの計測が要求され、極め
て困難となる。
１０、１１の寸法、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１に対する発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５
の配置位置、および、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１の形状は、所定のばらつきの範囲内に管理する
必要がある。ダイヤフラム構造をとる感熱式流量検出素
子では、ダイヤフラム部が薄膜に構成されているため、
ダイヤフラム部の縁部を平板状基板１の表面１ａ側から
検出することは容易であるが、ダイヤフラム部の寸法を
検査するには、ミクロンオーダの計測が要求され、極め
て困難となる。
【００３９】この実施の形態１によれば、発熱抵抗用ダ
ミーパターン１２および測温抵抗用ダミーパターン１３
が、それぞれ、第１および第２ダイヤフラム部１０、１
１の寸法の許容値の上限寸法に形成された第１パターン
１２ａ、１３ａと、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１の寸法の許容値の下限寸法に形成された第２パ
ターン１２ｂ、１３ｂとから構成され、第１および第２
ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａが第１
パターン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂ
との間に位置している。そこで、第１および第２ダイヤ
フラム部１０、１１の寸法が許容範囲内にあり、第１お
よび第２ダイヤフラム部１０、１１に対する発熱抵抗４
および流体温度測温抵抗５の位置が許容範囲内にあり、
さらに、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の形
状異常がないので、流量検出特性および流体温度検出性
能のばらつきが抑えられ、正確な流量検出ができるとと
もに、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の損傷
事故が抑えられ、信頼性を高めることができる感熱式流
量検出素子が得られる。
ミーパターン１２および測温抵抗用ダミーパターン１３
が、それぞれ、第１および第２ダイヤフラム部１０、１
１の寸法の許容値の上限寸法に形成された第１パターン
１２ａ、１３ａと、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１の寸法の許容値の下限寸法に形成された第２パ
ターン１２ｂ、１３ｂとから構成され、第１および第２
ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａが第１
パターン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂ
との間に位置している。そこで、第１および第２ダイヤ
フラム部１０、１１の寸法が許容範囲内にあり、第１お
よび第２ダイヤフラム部１０、１１に対する発熱抵抗４
および流体温度測温抵抗５の位置が許容範囲内にあり、
さらに、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の形
状異常がないので、流量検出特性および流体温度検出性
能のばらつきが抑えられ、正確な流量検出ができるとと
もに、第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の損傷
事故が抑えられ、信頼性を高めることができる感熱式流
量検出素子が得られる。
【００４０】また、第１および第２ダイヤフラム部１
０、１１の縁部１０ａ、１１ａが第１パターン１２ａ、
１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂとの間に位置して
いることを判定すればよく、つまり第１および第２ダイ
ヤフラム部１０、１１の寸法を計測する必要がなく、感
熱式流量検出素子２０の検査が容易となる。また、発熱
抵抗用ダミーパターン１２および測温抵抗用ダミーパタ
ーン１３が感熱抵抗膜で作製されているので、発熱抵抗
用ダミーパターン１２および測温抵抗用ダミーパターン
１３を発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５と同一工程
で作製できる。そこで、感熱式流量検出素子の製造工程
が簡素化されるとともに、発熱抵抗用ダミーパターン１
２および測温抵抗用ダミーパターン１３と発熱抵抗４お
よび流体温度測温抵抗５との位置関係を高精度に確保で
き、流量検出特性および流体温度検出性能のばらつきが
抑えられる。
０、１１の縁部１０ａ、１１ａが第１パターン１２ａ、
１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂとの間に位置して
いることを判定すればよく、つまり第１および第２ダイ
ヤフラム部１０、１１の寸法を計測する必要がなく、感
熱式流量検出素子２０の検査が容易となる。また、発熱
抵抗用ダミーパターン１２および測温抵抗用ダミーパタ
ーン１３が感熱抵抗膜で作製されているので、発熱抵抗
用ダミーパターン１２および測温抵抗用ダミーパターン
１３を発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５と同一工程
で作製できる。そこで、感熱式流量検出素子の製造工程
が簡素化されるとともに、発熱抵抗用ダミーパターン１
２および測温抵抗用ダミーパターン１３と発熱抵抗４お
よび流体温度測温抵抗５との位置関係を高精度に確保で
き、流量検出特性および流体温度検出性能のばらつきが
抑えられる。
【００４１】なお、上記実施の形態１において、平板状
基板１として表面が（１００）面よりなる単結晶Ｓｉ基
板を用い、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ溶
液をエッチャントとしてＳｉ結晶異方性エッチングによ
り第１および第２ダイヤフラム部１０、１１を作製する
場合には、第１および第２パターン１２ａ、１２ｂ、１
３ａ、１３ｂは、Ｓｉ結晶方位の＜１１０＞方位にほぼ
平行に形成することが望ましい。つまり、アルカリ溶液
を用いてＳｉ結晶異方性エッチングを行うと、第１およ
び第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａ
は＜１１０＞方位で囲まれた長方形となる。そこで、第
１および第２パターン１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ
と第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０
ａ、１１ａとはほぼ平行となり、形状・寸法の検査が容
易となる。
基板１として表面が（１００）面よりなる単結晶Ｓｉ基
板を用い、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ溶
液をエッチャントとしてＳｉ結晶異方性エッチングによ
り第１および第２ダイヤフラム部１０、１１を作製する
場合には、第１および第２パターン１２ａ、１２ｂ、１
３ａ、１３ｂは、Ｓｉ結晶方位の＜１１０＞方位にほぼ
平行に形成することが望ましい。つまり、アルカリ溶液
を用いてＳｉ結晶異方性エッチングを行うと、第１およ
び第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａ
は＜１１０＞方位で囲まれた長方形となる。そこで、第
１および第２パターン１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ
と第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０
ａ、１１ａとはほぼ平行となり、形状・寸法の検査が容
易となる。
【００４２】また、上記実施の形態１では、発熱抵抗用
ダミーパターン１２は、第１ダイヤフラム部１０の縁部
１０ａの４辺外側に縁部１０ａに沿って形成された第１
パターン１２ａと、縁部１０ａの４辺内側に縁部１０ａ
に沿って形成された第２パターン１２ｂとから構成され
ているものとしているが、発熱抵抗用ダミーパターン
は、この構成に限定されるものではなく、第１ダイヤフ
ラム部１０の縁部１０ａの少なくとも隣り合う２辺外側
に縁部１０ａに沿って形成された第１パターンと、縁部
１０ａの少なくとも隣り合う２辺内側に縁部１０ａに沿
って形成された第２パターンとから構成されていればよ
い。なお、測温抵抗用ダミーパターン１３についても、
同様である。
ダミーパターン１２は、第１ダイヤフラム部１０の縁部
１０ａの４辺外側に縁部１０ａに沿って形成された第１
パターン１２ａと、縁部１０ａの４辺内側に縁部１０ａ
に沿って形成された第２パターン１２ｂとから構成され
ているものとしているが、発熱抵抗用ダミーパターン
は、この構成に限定されるものではなく、第１ダイヤフ
ラム部１０の縁部１０ａの少なくとも隣り合う２辺外側
に縁部１０ａに沿って形成された第１パターンと、縁部
１０ａの少なくとも隣り合う２辺内側に縁部１０ａに沿
って形成された第２パターンとから構成されていればよ
い。なお、測温抵抗用ダミーパターン１３についても、
同様である。
【００４３】また、上記実施の形態１では、発熱抵抗用
ダミーパターン１２は、第１ダイヤフラム部１０の縁部
１０ａの４辺外側に縁部１０ａに沿って形成された第１
パターン１２ａと、縁部１０ａの４辺内側に縁部１０ａ
に沿って形成された第２パターン１２ｂとから構成され
ているものとしているが、発熱抵抗用ダミーパターン
は、この構成に限定されるものではなく、第１パターン
１２ａおよび第２パターン１２ｂの少なくとも一方で構
成されていればよい。さらに、第１パターン（或いは第
２パターン）は、枠状パターンに限定されるものではな
く、第１ダイヤフラム部１０の縁部１０ａの少なくとも
隣り合う２辺外側（内側）に縁部１０ａに沿って形成さ
れたＬ字状のパターンでもよい。この場合、ダイヤフラ
ム部１０の寸法および位置ずれの検査工程において、第
１パターン１２ａ（或いは第２パターン１２ｂ）と第１
ダイヤフラム部１０の縁部１０ａとの間隙を計測し、計
測値が許容範囲内であるか否かを判定することになる。
なお、測温抵抗用ダミーパターン１３についても、同様
である。
ダミーパターン１２は、第１ダイヤフラム部１０の縁部
１０ａの４辺外側に縁部１０ａに沿って形成された第１
パターン１２ａと、縁部１０ａの４辺内側に縁部１０ａ
に沿って形成された第２パターン１２ｂとから構成され
ているものとしているが、発熱抵抗用ダミーパターン
は、この構成に限定されるものではなく、第１パターン
１２ａおよび第２パターン１２ｂの少なくとも一方で構
成されていればよい。さらに、第１パターン（或いは第
２パターン）は、枠状パターンに限定されるものではな
く、第１ダイヤフラム部１０の縁部１０ａの少なくとも
隣り合う２辺外側（内側）に縁部１０ａに沿って形成さ
れたＬ字状のパターンでもよい。この場合、ダイヤフラ
ム部１０の寸法および位置ずれの検査工程において、第
１パターン１２ａ（或いは第２パターン１２ｂ）と第１
ダイヤフラム部１０の縁部１０ａとの間隙を計測し、計
測値が許容範囲内であるか否かを判定することになる。
なお、測温抵抗用ダミーパターン１３についても、同様
である。
【００４４】さらに、上記実施の形態１では、第１およ
び第２ダイヤフラム部１０、１１の寸法形状の目標値に
対する許容値を±５０μｍとするものと説明している
が、該許容値は±５０μｍに限定されるものではなく、
感熱式流量検出素子の仕様により適宜設定されるもので
ある。
び第２ダイヤフラム部１０、１１の寸法形状の目標値に
対する許容値を±５０μｍとするものと説明している
が、該許容値は±５０μｍに限定されるものではなく、
感熱式流量検出素子の仕様により適宜設定されるもので
ある。
【００４５】実施の形態２．図１２はこの発明の実施の
形態２に係る感熱式流量検出素子を示す正面図である。
この実施の形態２による感熱式流量検出素子２０Ａは、
図１２にハッチングで示されるように、リードパターン
１５ａ〜１５ｄのパターンに、第１および第２ダイヤフ
ラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａの４辺外側に縁
部１０ａ、１１ａに沿って形成された第１パターン１６
ａ、１７ａを形成している。また、第１および第２ダイ
ヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａの４辺内側
に縁部１０ａに沿って第２パターン１６ｂ、１７ｂを形
成している。そして、第１パターン１６ａおよび第２パ
ターン１６ｂにより発熱抵抗用ダミーパターン１６を構
成し、第１パターン１７ａおよび第２パターン１７ｂに
より測温抵抗用ダミーパターン１７を構成している。
形態２に係る感熱式流量検出素子を示す正面図である。
この実施の形態２による感熱式流量検出素子２０Ａは、
図１２にハッチングで示されるように、リードパターン
１５ａ〜１５ｄのパターンに、第１および第２ダイヤフ
ラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａの４辺外側に縁
部１０ａ、１１ａに沿って形成された第１パターン１６
ａ、１７ａを形成している。また、第１および第２ダイ
ヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａの４辺内側
に縁部１０ａに沿って第２パターン１６ｂ、１７ｂを形
成している。そして、第１パターン１６ａおよび第２パ
ターン１６ｂにより発熱抵抗用ダミーパターン１６を構
成し、第１パターン１７ａおよび第２パターン１７ｂに
より測温抵抗用ダミーパターン１７を構成している。
【００４６】ここで、第１および第２パターン１６ａ、
１６ｂ、１７ａ、１７ｂは、第１および第２ダイヤフラ
ム部１０、１１の寸法の目標値に対して許容される寸法
に形成されている。例えば、第１および第２ダイヤフラ
ム部１０、１１の寸法の目標値を１．５ｍｍ×２ｍｍと
したときに、第１パターン１６ａ、１７ａは、（１．５
ｍｍ+５０μｍ）×（２ｍｍ+５０μｍ）の内周形状に形
成され、第２パターン１６ｂ、１７ｂは、（１．５ｍｍ
-５０μｍ）×（２ｍｍ-５０μｍ）の外周形状を有する
パターン幅１０μｍの一部切り欠き枠状に形成されてい
る。なお、他の構成は上記実施の形態１とどうように構
成されている。
１６ｂ、１７ａ、１７ｂは、第１および第２ダイヤフラ
ム部１０、１１の寸法の目標値に対して許容される寸法
に形成されている。例えば、第１および第２ダイヤフラ
ム部１０、１１の寸法の目標値を１．５ｍｍ×２ｍｍと
したときに、第１パターン１６ａ、１７ａは、（１．５
ｍｍ+５０μｍ）×（２ｍｍ+５０μｍ）の内周形状に形
成され、第２パターン１６ｂ、１７ｂは、（１．５ｍｍ
-５０μｍ）×（２ｍｍ-５０μｍ）の外周形状を有する
パターン幅１０μｍの一部切り欠き枠状に形成されてい
る。なお、他の構成は上記実施の形態１とどうように構
成されている。
【００４７】この実施の形態２によれば、ダミーパター
ン１２、１３を形成しない分、リードパターン１５ａ〜
１５ｄのパターン幅を大きくすることができるので、検
出部である発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５の抵抗
成分の誤差成分であるリードパターン１５ａ〜１５ｄの
抵抗値が小さくなり、流量検出精度を高めることができ
る。
ン１２、１３を形成しない分、リードパターン１５ａ〜
１５ｄのパターン幅を大きくすることができるので、検
出部である発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５の抵抗
成分の誤差成分であるリードパターン１５ａ〜１５ｄの
抵抗値が小さくなり、流量検出精度を高めることができ
る。
【００４８】実施の形態３．図１３はこの発明の実施の
形態３に係る感熱式流量検出素子のダイヤフラム部の形
状検査工程を説明する図である。図１３において、ダイ
ヤフラム部形状検査装置５０は、感熱式流量検出素子２
０が作り込まれたシリコンウエハ５１を固定・移動する
ためのステージ５２と、感熱式流量検出素子２０の表面
から画像を取り込む撮像装置としてのカメラ５３と、カ
メラ５３により取り込まれた画像を処理して発熱抵抗用
および測温抵抗用ダミーパターン１２、１３と第１およ
び第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａ
とを認識し、ダミーパターン１２、１３と第１および第
２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａとの
位置関係から第１および第２ダイヤフラム部１０、１１
が正常か異常かを判定する画像処理装置５４と、処理さ
れた画像を映し出すモニタ５５とから構成されている。
形態３に係る感熱式流量検出素子のダイヤフラム部の形
状検査工程を説明する図である。図１３において、ダイ
ヤフラム部形状検査装置５０は、感熱式流量検出素子２
０が作り込まれたシリコンウエハ５１を固定・移動する
ためのステージ５２と、感熱式流量検出素子２０の表面
から画像を取り込む撮像装置としてのカメラ５３と、カ
メラ５３により取り込まれた画像を処理して発熱抵抗用
および測温抵抗用ダミーパターン１２、１３と第１およ
び第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａ
とを認識し、ダミーパターン１２、１３と第１および第
２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａとの
位置関係から第１および第２ダイヤフラム部１０、１１
が正常か異常かを判定する画像処理装置５４と、処理さ
れた画像を映し出すモニタ５５とから構成されている。
【００４９】つぎに、このダイヤフラム部形状検査装置
５０による検査方法について説明する。まず、上記実施
の形態１と同様にして、多数の感熱式流量検出素子２０
をシリコンウエハ５１に作り込んだ後、該シリコンウエ
ハ５１をステージ５２上に載置する。そして、ステージ
５２を移動してカメラ５３と感熱式流量検出素子２０と
の位置決めを行い、カメラ５３により画像を取り込む。
そして、画像処理装置５４が取り込まれた画像を処理
し、発熱抵抗用および測温抵抗用ダミーパターン１２、
１３と第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部
１０ａ、１１ａとを認識し、ダミーパターン１２、１３
と第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０
ａ、１１ａとの位置関係から第１および第２ダイヤフラ
ム部１０、１１が正常か異常かを判定する。そして、第
１および第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、
１１ａが発熱抵抗用および測温抵抗用ダミーパターン１
２、１３の第１パターン１２ａ、１３ａと第２パターン
１２ｂ、１３ｂとの間に位置していれば、第１および第
２ダイヤフラム部１０、１１の形状、寸法が正常であ
り、発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５に対する第１
および第２ダイヤフラム部１０、１１の位置が正常であ
る、と判定する。ここで、感熱式流量検出素子２０の第
１および第２ダイヤフラム部１０、１１は薄膜で構成さ
れているので、第１および第２ダイヤフラム部１０、１
１の縁部１０ａ、１１ａは光の透過によりシリコンウエ
ハ５１の表面から容易に確認できる。ついで、シリコン
ウエハ５１から感熱式流量検出素子２０を切り出し、正
常と判定された素子のみを感熱式流量検出素子２０とし
て得る。
５０による検査方法について説明する。まず、上記実施
の形態１と同様にして、多数の感熱式流量検出素子２０
をシリコンウエハ５１に作り込んだ後、該シリコンウエ
ハ５１をステージ５２上に載置する。そして、ステージ
５２を移動してカメラ５３と感熱式流量検出素子２０と
の位置決めを行い、カメラ５３により画像を取り込む。
そして、画像処理装置５４が取り込まれた画像を処理
し、発熱抵抗用および測温抵抗用ダミーパターン１２、
１３と第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部
１０ａ、１１ａとを認識し、ダミーパターン１２、１３
と第１および第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０
ａ、１１ａとの位置関係から第１および第２ダイヤフラ
ム部１０、１１が正常か異常かを判定する。そして、第
１および第２ダイヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、
１１ａが発熱抵抗用および測温抵抗用ダミーパターン１
２、１３の第１パターン１２ａ、１３ａと第２パターン
１２ｂ、１３ｂとの間に位置していれば、第１および第
２ダイヤフラム部１０、１１の形状、寸法が正常であ
り、発熱抵抗４および流体温度測温抵抗５に対する第１
および第２ダイヤフラム部１０、１１の位置が正常であ
る、と判定する。ここで、感熱式流量検出素子２０の第
１および第２ダイヤフラム部１０、１１は薄膜で構成さ
れているので、第１および第２ダイヤフラム部１０、１
１の縁部１０ａ、１１ａは光の透過によりシリコンウエ
ハ５１の表面から容易に確認できる。ついで、シリコン
ウエハ５１から感熱式流量検出素子２０を切り出し、正
常と判定された素子のみを感熱式流量検出素子２０とし
て得る。
【００５０】この実施の形態３によれば、光学顕微鏡等
で感熱式流量検出素子２０を拡大し、目視によりダイヤ
フラム部の形状・寸法検査を行う必要がなく、ダミーパ
ターン１２、１３の縁部およびダイヤフラム部１０、１
１の縁部１０ａ、１１ａを画像処理により自動検出でき
るので、ダイヤフラム部の形状・寸法検査の自動化が実
現できる。その結果、ダイヤフラム部１０、１１の形状
を簡単に、精度よく検査することが可能となり、流量検
出特性および流体温度検出性能のばらつきが抑えられ、
信頼性の高い感熱式流量検出素子が得られる。
で感熱式流量検出素子２０を拡大し、目視によりダイヤ
フラム部の形状・寸法検査を行う必要がなく、ダミーパ
ターン１２、１３の縁部およびダイヤフラム部１０、１
１の縁部１０ａ、１１ａを画像処理により自動検出でき
るので、ダイヤフラム部の形状・寸法検査の自動化が実
現できる。その結果、ダイヤフラム部１０、１１の形状
を簡単に、精度よく検査することが可能となり、流量検
出特性および流体温度検出性能のばらつきが抑えられ、
信頼性の高い感熱式流量検出素子が得られる。
【００５１】この実施の形態３では、第１および第２ダ
イヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａが発熱抵
抗用および測温抵抗用ダミーパターン１２、１３の第１
パターン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂ
との間に位置しているか否かを基づいて、正常か否かを
判定するものとしているが、第１および第２パターン１
２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂと縁部１０ａ、１１ａと
の隙間を演算処理し、該隙間が許容値内にあるか否かに
基づいて、正常か否かを判定するようにしてもよい。
イヤフラム部１０、１１の縁部１０ａ、１１ａが発熱抵
抗用および測温抵抗用ダミーパターン１２、１３の第１
パターン１２ａ、１３ａと第２パターン１２ｂ、１３ｂ
との間に位置しているか否かを基づいて、正常か否かを
判定するものとしているが、第１および第２パターン１
２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂと縁部１０ａ、１１ａと
の隙間を演算処理し、該隙間が許容値内にあるか否かに
基づいて、正常か否かを判定するようにしてもよい。
【００５２】なお、上記各実施の形態では、第１ダイア
フラム部１０に１つの発熱抵抗４を形成し、発熱抵抗４
への通電電流によって計測流体の流量を検出する直接加
熱制御方式の感熱式流量検出素子、あるいは傍熱加熱制
御方式の感熱式流量検出素子について説明したが、計測
流体への伝熱現象によって流量や流速を計測するダイア
フラム形式の感熱式流量検出素子であれば、他の形式の
ものでも良い。例えば、発熱抵抗の上流および下流に測
温抵抗を配置し、測温抵抗体の温度差を検出する形式
（温度差検出方式）でも良いし、上下流に２つの発熱抵
抗を配置し、各発熱抵抗への通電電流の差を検出する形
式（ダブルヒータ方式）でも良い。
フラム部１０に１つの発熱抵抗４を形成し、発熱抵抗４
への通電電流によって計測流体の流量を検出する直接加
熱制御方式の感熱式流量検出素子、あるいは傍熱加熱制
御方式の感熱式流量検出素子について説明したが、計測
流体への伝熱現象によって流量や流速を計測するダイア
フラム形式の感熱式流量検出素子であれば、他の形式の
ものでも良い。例えば、発熱抵抗の上流および下流に測
温抵抗を配置し、測温抵抗体の温度差を検出する形式
（温度差検出方式）でも良いし、上下流に２つの発熱抵
抗を配置し、各発熱抵抗への通電電流の差を検出する形
式（ダブルヒータ方式）でも良い。
【００５３】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に示すような効果を奏する。
ているので、以下に示すような効果を奏する。
【００５４】この発明によれば、平板状基板と、この平
板状基板の表面に形成された絶縁性の支持膜と、この支
持膜上に形成された感熱抵抗膜からなる抵抗体と、上記
平板状基板の表面に上記抵抗体に連結するように形成さ
れた感熱抵抗膜からなるリードパターンと、上記抵抗体
の形成領域下部にある上記平板状基板の部位を裏面側か
ら上記支持膜に至るように除去して形成された矩形状の
ダイヤフラム部とを備えた感熱式流量検出素子におい
て、上記ダイヤフラム部の形状寸法検査用のダミーパタ
ーンが、該ダイヤフラム部の縁部の少なくとも隣り合う
２辺の外側および内側の少なくとも一方に、該縁部に沿
うように上記平板状基板の表面に形成されているので、
ダイヤフラム部の形状・寸法が所定のばらつき内に抑え
られ、かつ、ダイヤフラム部に対する抵抗体の位置ずれ
が所定範囲内に抑えられ、流量検出特性、流体温度検出
性能のばらつきの少ない、信頼性の高い感熱流量検出素
子を得ることができる。
板状基板の表面に形成された絶縁性の支持膜と、この支
持膜上に形成された感熱抵抗膜からなる抵抗体と、上記
平板状基板の表面に上記抵抗体に連結するように形成さ
れた感熱抵抗膜からなるリードパターンと、上記抵抗体
の形成領域下部にある上記平板状基板の部位を裏面側か
ら上記支持膜に至るように除去して形成された矩形状の
ダイヤフラム部とを備えた感熱式流量検出素子におい
て、上記ダイヤフラム部の形状寸法検査用のダミーパタ
ーンが、該ダイヤフラム部の縁部の少なくとも隣り合う
２辺の外側および内側の少なくとも一方に、該縁部に沿
うように上記平板状基板の表面に形成されているので、
ダイヤフラム部の形状・寸法が所定のばらつき内に抑え
られ、かつ、ダイヤフラム部に対する抵抗体の位置ずれ
が所定範囲内に抑えられ、流量検出特性、流体温度検出
性能のばらつきの少ない、信頼性の高い感熱流量検出素
子を得ることができる。
【００５５】また、上記ダミーパターンが感熱抵抗膜で
形成されているので、ダミーパターンを抵抗体と同一工
程で形成でき、ダミーパターンと抵抗体との位置関係が
高精度に確保される。
形成されているので、ダミーパターンを抵抗体と同一工
程で形成でき、ダミーパターンと抵抗体との位置関係が
高精度に確保される。
【００５６】また、上記ダミーパターンが上記リードパ
ターンの一部で構成されているので、リードパターンの
幅を大きくすることができ、リードパターンの抵抗値が
小さくなり、流量検出精度が高められるとともに、信頼
性が向上する。
ターンの一部で構成されているので、リードパターンの
幅を大きくすることができ、リードパターンの抵抗値が
小さくなり、流量検出精度が高められるとともに、信頼
性が向上する。
【００５７】また、上記平板状基板が表面を（１００）
面とする単結晶Ｓｉ基板であり、上記ダイヤフラム部が
Ｓｉ結晶異方性エッチングにより該平板状基板を除去し
て形成され、上記ダミーパターンの上記ダイヤフラム部
の縁部に対向するエッジがＳｉ結晶方位の＜１１０＞方
位にほぼ平行な直線に形成されているので、ダミーパタ
ーンとダイヤフラム部の縁部との位置関係を正確に判定
できる。
面とする単結晶Ｓｉ基板であり、上記ダイヤフラム部が
Ｓｉ結晶異方性エッチングにより該平板状基板を除去し
て形成され、上記ダミーパターンの上記ダイヤフラム部
の縁部に対向するエッジがＳｉ結晶方位の＜１１０＞方
位にほぼ平行な直線に形成されているので、ダミーパタ
ーンとダイヤフラム部の縁部との位置関係を正確に判定
できる。
【００５８】また、上記ダミーパターンが、枠状の第１
パターンと、この第１パターンの内側に位置する枠状の
第２パターンとから構成され、上記ダイヤフラム部の縁
部が上記第１パターンと上記第２パターンとの間に位置
しているので、ダイヤフラム部の寸法を計測する必要が
なく、ダイヤフラム部が正常であるか否かを簡易に判定
できる。
パターンと、この第１パターンの内側に位置する枠状の
第２パターンとから構成され、上記ダイヤフラム部の縁
部が上記第１パターンと上記第２パターンとの間に位置
しているので、ダイヤフラム部の寸法を計測する必要が
なく、ダイヤフラム部が正常であるか否かを簡易に判定
できる。
【００５９】この発明によれば、平板状基板の表面に絶
縁性の支持膜を形成する工程と、上記支持膜上に感熱抵
抗膜からなる抵抗体および該抵抗体に接続されたリード
パターンを形成する工程と、上記平板状基板の表面にダ
イヤフラム部の形状検査用のダミーパターンを形成する
工程と、上記抵抗体の形成領域下部にある上記平板状基
板の部位を裏面側から上記支持膜に至るように除去して
上記ダイヤフラム部を形成する工程と、上記ダミーパタ
ーンと上記ダイヤフラム部の縁部との位置関係に基づい
て該ダイヤフラム部の形状を検査する工程とを備えてい
るので、ダイヤフラム部の形状・寸法のばらつきを抑
え、かつ、ダイヤフラム部に対する抵抗体の位置ずれを
抑えることができる感熱式流量検出素子の製造方法が得
られる。
縁性の支持膜を形成する工程と、上記支持膜上に感熱抵
抗膜からなる抵抗体および該抵抗体に接続されたリード
パターンを形成する工程と、上記平板状基板の表面にダ
イヤフラム部の形状検査用のダミーパターンを形成する
工程と、上記抵抗体の形成領域下部にある上記平板状基
板の部位を裏面側から上記支持膜に至るように除去して
上記ダイヤフラム部を形成する工程と、上記ダミーパタ
ーンと上記ダイヤフラム部の縁部との位置関係に基づい
て該ダイヤフラム部の形状を検査する工程とを備えてい
るので、ダイヤフラム部の形状・寸法のばらつきを抑
え、かつ、ダイヤフラム部に対する抵抗体の位置ずれを
抑えることができる感熱式流量検出素子の製造方法が得
られる。
【００６０】また、上記ダミーパターンが、上記ダイヤ
フラム部の縁部の少なくとも隣り合う２辺の外側および
内側の少なくとも一方に、該縁部に沿うように上記平板
状基板の表面に形成されているので、ダイヤフラム部の
形状寸法の検査がダミーパターンを基準に容易に行われ
る。
フラム部の縁部の少なくとも隣り合う２辺の外側および
内側の少なくとも一方に、該縁部に沿うように上記平板
状基板の表面に形成されているので、ダイヤフラム部の
形状寸法の検査がダミーパターンを基準に容易に行われ
る。
【００６１】また、上記ダイヤフラム部の形状を検査す
る工程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表
面側から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画
像に基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部
の縁部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフ
ラム部の縁部との位置関係から上記ダイヤフラム部が正
常であるか否かを判定するようにしているので、ダイヤ
フラム部の形状・寸法のばらつき、および、ダイヤフラ
ム部に対する抵抗体の位置ずれを高精度に、簡易に検査
することができるとともに、検査工程の自動化が実現さ
れる。
る工程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表
面側から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画
像に基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部
の縁部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフ
ラム部の縁部との位置関係から上記ダイヤフラム部が正
常であるか否かを判定するようにしているので、ダイヤ
フラム部の形状・寸法のばらつき、および、ダイヤフラ
ム部に対する抵抗体の位置ずれを高精度に、簡易に検査
することができるとともに、検査工程の自動化が実現さ
れる。
【００６２】また、上記ダイヤフラム部の形状を検査す
る工程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表
面側から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画
像に基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部
の縁部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフ
ラム部の縁部との隙間を演算し、該隙間が設定値内にあ
るか否かを判定するようにしているので、ダイヤフラム
部の形状・寸法のばらつき、および、ダイヤフラム部に
対する抵抗体の位置ずれを高精度に、簡易に検査するこ
とができるとともに、検査工程の自動化が実現される。
る工程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表
面側から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画
像に基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部
の縁部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフ
ラム部の縁部との隙間を演算し、該隙間が設定値内にあ
るか否かを判定するようにしているので、ダイヤフラム
部の形状・寸法のばらつき、および、ダイヤフラム部に
対する抵抗体の位置ずれを高精度に、簡易に検査するこ
とができるとともに、検査工程の自動化が実現される。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る感熱式流量検
出素子を示す正面図である。
出素子を示す正面図である。
【図２】 図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１に係る感熱式流量検
出素子を用いた流量センサを示す正面図である。
出素子を用いた流量センサを示す正面図である。
【図４】 図３のＩＶ−ＩＶ矢視断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態１に係る感熱式流量検
出素子の制御回路を示す回路図である。
出素子の制御回路を示す回路図である。
【図６】 感熱式流量検出素子の不良例を示す正面図で
ある。
ある。
【図７】 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ矢視断面図である。
【図８】 感熱式流量検出素子の他の不良例を示す正面
図である。
図である。
【図９】 図８のＩＸ−ＩＸ矢視断面図である。
【図１０】 感熱式流量検出素子のさらに他の不良例を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図１１】 図１０のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態２に係る感熱式流量
検出素子を示す正面図である。
検出素子を示す正面図である。
【図１３】 この発明の実施の形態３に係る感熱式流量
検出素子のダイヤフラム部の形状検査工程を説明する図
である。
検出素子のダイヤフラム部の形状検査工程を説明する図
である。
【図１４】 従来の感熱式流量検出素子を示す正面図で
ある。
ある。
【図１５】 図１４のＸＶ−ＸＶ矢視断面図である。
【図１６】 従来の感熱式流量検出素子を示す正面図で
ある。
ある。
【図１７】 図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ矢視断面図で
ある。
ある。
１ 平板状基板、２ 支持膜、４ 発熱抵抗（抵抗
体）、５ 流体温度測温抵抗（抵抗体）、６ａ〜６ｄ
リードパターン、１０ 第１ダイヤフラム部、１０ａ
縁部、１１ 第２ダイヤフラム部、１１ａ 縁部、１２
発熱抵抗用ダミーパターン、１３ 測温抵抗用ダミー
パターン、１２ａ、１３ａ 第１パターン、１２ｂ、１
３ｂ 第２パターン、１５ａ〜１５ｄ リードパター
ン、１６ 発熱抵抗用ダミーパターン、１７ 測温抵抗
用ダミーパターン、１６ａ、１７ａ 第１パターン、１
６ｂ、１７ｂ 第２パターン、２０、２０Ａ 感熱式流
量検出素子、５３ カメラ（撮像装置）、５４ 画像処
理装置。
体）、５ 流体温度測温抵抗（抵抗体）、６ａ〜６ｄ
リードパターン、１０ 第１ダイヤフラム部、１０ａ
縁部、１１ 第２ダイヤフラム部、１１ａ 縁部、１２
発熱抵抗用ダミーパターン、１３ 測温抵抗用ダミー
パターン、１２ａ、１３ａ 第１パターン、１２ｂ、１
３ｂ 第２パターン、１５ａ〜１５ｄ リードパター
ン、１６ 発熱抵抗用ダミーパターン、１７ 測温抵抗
用ダミーパターン、１６ａ、１７ａ 第１パターン、１
６ｂ、１７ｂ 第２パターン、２０、２０Ａ 感熱式流
量検出素子、５３ カメラ（撮像装置）、５４ 画像処
理装置。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01F 1/68 - 9/02
Claims (9)
- 【請求項１】 平板状基板と、この平板状基板の表面に
形成された絶縁性の支持膜と、この支持膜上に形成され
た感熱抵抗膜からなる抵抗体と、上記平板状基板の表面
に上記抵抗体に連結するように形成された感熱抵抗膜か
らなるリードパターンと、上記抵抗体の形成領域下部に
ある上記平板状基板の部位を裏面側から上記支持膜に至
るように除去して形成された矩形状のダイヤフラム部と
を備えた感熱式流量検出素子において、 上記ダイヤフラム部の形状寸法検査用のダミーパターン
が、該ダイヤフラム部の縁部の少なくとも隣り合う２辺
の外側および内側の少なくとも一方に、該縁部に沿うよ
うに上記平板状基板の表面に形成されていることを特徴
とする感熱式流量検出素子。 - 【請求項２】 上記ダミーパターンが感熱抵抗膜で形成
されていることを特徴とする請求項１記載の感熱式流量
検出素子。 - 【請求項３】 上記ダミーパターンが上記リードパター
ンの一部で構成されていることを特徴とする請求項２記
載の感熱式流量検出素子。 - 【請求項４】 上記平板状基板が表面を（１００）面と
する単結晶Ｓｉ基板であり、上記ダイヤフラム部がＳｉ
結晶異方性エッチングにより該平板状基板を除去して形
成され、上記ダミーパターンの上記ダイヤフラム部の縁
部に対向するエッジがＳｉ結晶方位の＜１１０＞方位に
ほぼ平行な直線に形成されていることを特徴とする請求
項１記載の感熱式流量検出素子。 - 【請求項５】 上記ダミーパターンが、枠状の第１パタ
ーンと、この第１パターンの内側に位置する枠状の第２
パターンとから構成され、上記ダイヤフラム部の縁部が
上記第１パターンと上記第２パターンとの間に位置して
いることを特徴とする請求項１記載の感熱式流量検出素
子。 - 【請求項６】 平板状基板の表面に絶縁性の支持膜を形
成する工程と、 上記支持膜上に感熱抵抗膜からなる抵抗体および該抵抗
体に接続されたリードパターンを形成する工程と、 上記平板状基板の表面にダイヤフラム部の形状検査用の
ダミーパターンを形成する工程と、 上記抵抗体の形成領域下部にある上記平板状基板の部位
を裏面側から上記支持膜に至るように除去して上記ダイ
ヤフラム部を形成する工程と、 上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部の縁部との位
置関係に基づいて該ダイヤフラム部の形状寸法を検査す
る工程とを備えたことを特徴とする感熱式流量検出素子
の製造方法。 - 【請求項７】 上記ダミーパターンが、上記ダイヤフラ
ム部の縁部の少なくとも隣り合う２辺の外側および内側
の少なくとも一方に、該縁部に沿うように上記平板状基
板の表面に形成されていることを特徴とする請求項６記
載の感熱式流量検出素子の製造方法。 - 【請求項８】 上記ダイヤフラム部の形状寸法の検査工
程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表面側
から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画像に
基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部の縁
部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム
部の縁部との位置関係から上記ダイヤフラム部が正常で
あるか否かを判定することを特徴とする請求項７記載の
感熱式流量検出素子の製造方法。 - 【請求項９】 上記ダイヤフラム部の形状寸法の検査工
程では、撮像装置により上記平板状基板の画像を表面側
から取り込み、画像処理装置により取り込まれた画像に
基づいて上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム部の縁
部とを識別し、上記ダミーパターンと上記ダイヤフラム
部の縁部との隙間を演算し、該隙間が設定値内にあるか
否かを判定することを特徴とする請求項７記載の感熱式
流量検出素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002099994A JP3538188B2 (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 感熱式流量検出素子およびその製造方法 |
| US10/378,919 US6845662B2 (en) | 2002-04-02 | 2003-03-05 | Thermosensitive flow rate detecting element and method for the manufacture thereof |
| KR10-2003-0019211A KR100473102B1 (ko) | 2002-04-02 | 2003-03-27 | 유량검출소자 및 그 제조방법 |
| DE10314190A DE10314190B4 (de) | 2002-04-02 | 2003-03-28 | Thermosensitives Flussratenerfassungselement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002099994A JP3538188B2 (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 感熱式流量検出素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003294508A JP2003294508A (ja) | 2003-10-15 |
| JP3538188B2 true JP3538188B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=28449860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002099994A Expired - Lifetime JP3538188B2 (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 感熱式流量検出素子およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6845662B2 (ja) |
| JP (1) | JP3538188B2 (ja) |
| KR (1) | KR100473102B1 (ja) |
| DE (1) | DE10314190B4 (ja) |
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| JP2006058078A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Hitachi Ltd | 熱式空気流量計 |
| JP2008026206A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Hitachi Ltd | 熱式ガス流量センサ及びそれを用いた内燃機関制御装置 |
| JP5158442B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| DE102010030442A1 (de) * | 2010-06-23 | 2011-12-29 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co Kg | Widerstandstemperatursensor |
| JP5683192B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-03-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量センサ |
| JP5904959B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2016-04-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量計 |
| US9366557B2 (en) * | 2013-12-04 | 2016-06-14 | Itron, Inc. | Thermal flow sensors having isolated membranes |
| EP3423683A1 (en) * | 2016-03-02 | 2019-01-09 | Watlow Electric Manufacturing Company | Heater element having targeted decreasing temperature resistance characteristics |
| DE102016106675B3 (de) * | 2016-04-12 | 2017-08-24 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Dünnschichtsensorelement für ein Widerstandsthermometer |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06249693A (ja) | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Robert Bosch Gmbh | 質量流量センサおよびその製造方法 |
| DE19527861B4 (de) | 1995-07-29 | 2010-09-30 | Robert Bosch Gmbh | Massenflusssensor sowie Verfahren zur Herstellung |
| JP3513041B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2004-03-31 | 三菱電機株式会社 | 流量センサ |
| JP3455473B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2003-10-14 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量センサ |
| DE19939825A1 (de) * | 1999-08-21 | 2001-03-01 | Bosch Gmbh Robert | Bauelement mit einem optisch erkennbaren Marker |
| US6631638B2 (en) * | 2001-01-30 | 2003-10-14 | Rosemount Aerospace Inc. | Fluid flow sensor |
-
2002
- 2002-04-02 JP JP2002099994A patent/JP3538188B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
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