JP3537381B2 - Shape simulation method - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 91
- 238000004088 simulation Methods 0.000 title claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 117
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 73
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 10
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 80
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 3
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【従来の技術】本発明は半導体装置等の開発・設計・製
造等において素子形状等をシミュレーションする場合の
形状シミュレーション方法に関するものである。特に、
半導体装置の開発、又は製造にシミュレーションを用い
て、素子形状を最適化したり、バラツキを抑える条件な
どを決定するときの形状シミュレーション方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shape simulation method for simulating an element shape or the like in the development, design, manufacture, or the like of a semiconductor device or the like. In particular,
The present invention relates to a shape simulation method for optimizing an element shape or determining a condition for suppressing variation using a simulation for development or manufacture of a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、素子形
状などをシミュレーションするシミュレーション方法
は、素子形状の境界面を含む解析領域を小さなセルに分
割し、各セルに素子材質の存非に対応して材質構成比(0
〜１：材質体積率)を付与し、素子材質の表面形状は材
質構成比が０．５の等値面で与え、微小な時間毎に表面
シャドーイング効果を計算しながら素子材質表面への物
質の流入流出を計算し、各セルの材質構成比を微小な時
間毎に更新するものである。ここでシャドーイングと
は、素子材質表面への物質の流入流出が妨げられる現象
をいい、流入流出経路に他の物質が存在するかどうかで
決定される。このような従来の形状シミュレーション方
法については、特開平４−１３３３２６号公報、特開平
７−１７６４９５号公報などに開示されているのでここ
では詳述しない。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device, a simulation method for simulating an element shape or the like divides an analysis region including a boundary surface of the element shape into small cells. Material composition ratio (0
１ ： 1: material volume ratio), the surface shape of the element material is given by an iso-surface with a material composition ratio of 0.5, and the material on the element material surface is calculated while calculating the surface shadowing effect every minute time. Is calculated, and the material composition ratio of each cell is updated every minute time. Here, shadowing refers to a phenomenon in which the inflow and outflow of a substance to and from the element material surface is prevented, and is determined by whether or not another substance is present in the inflow / outflow path. Such a conventional shape simulation method is disclosed in JP-A-4-133326, JP-A-7-176495 and the like, and will not be described in detail here.
【０００３】従来の形状シミュレーション方法におい
て、シャドーイング量の計算は、例えば特開平７−１７
６４９５号公報に示されているように、素子材質表面
の、物質の出入りを計算すべき微小表面形状の重心点か
らみた物質の飛来方向に対する立体角の中心方向と、そ
の微小表面形状の重心点から決定される飛行方向の直線
が通過するセルを見つけて、そのセルに物質が存在すれ
ばその方向から物質はやってこず、物質が存在すればや
ってくるとする、０又は１の判断を行っていた。この方
法は、計算時間が速い反面、精度という点で劣ってい
る。この方法だと、飛行方向の直線が通過するセル中の
表面三角パッチを通過するかどうかみていないため、精
度が悪い。特に、物質の出入りを計算すべき微小表面形
状の近傍セルを、ほとんどの飛行方向の直線が通過する
ため、この近傍セルに物質があるのかないのかによりシ
ャドーイング量が大きく変化する。従って、近傍におけ
るシャドーイング計算が不正確になり、時には最終形状
にセルの数個を周期とした凸凹ができてしまうことがあ
る。In the conventional shape simulation method, the calculation of the shadowing amount is performed, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 7-17 / 1995.
As shown in Japanese Patent No. 6495, the center direction of the solid angle with respect to the flying direction of the substance, as viewed from the center of gravity of the minute surface shape on which the entry and exit of the substance are to be calculated, and the center of gravity of the minute surface shape Finds a cell through which a straight line in the flight direction determined by the formula passes, and if there is a substance in that cell, the substance does not come from that direction, and if there is a substance, it judges that it will come if it is 0 or 1 . This method has a short calculation time but is inferior in accuracy. This method is inaccurate because it does not check whether the straight line in the flight direction passes through the surface triangular patch in the passing cell. In particular, since almost all the straight lines in the flight direction pass through a cell having a minute surface shape for which entry and exit of a substance are to be calculated, the shadowing amount greatly changes depending on whether or not there is a substance in the neighboring cell. Therefore, the shadowing calculation in the vicinity becomes inaccurate, and sometimes irregularities having a period of several cells are formed in the final shape.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】シャドーイングの計算
時間と精度は、２次元形状シミュレーションにおいて、
あまり問題にならなかったが、３次元形状シミュレーシ
ョンにおいて大きな問題である。特に、最高速マシンを
用いても、計算時間が２〜３時間かかるのが実際であ
り、計算精度を落とさずに、如何に高速化するかが課題
になっている。本発明は、形状シミュレーションにおい
て、計算速度を落とさずに、シャドーイングの計算精度
を向上させることを目的とする。The calculation time and accuracy of shadowing are as follows in a two-dimensional shape simulation.
Although it did not cause much problem, it is a big problem in three-dimensional shape simulation. In particular, even if the highest speed machine is used, the calculation time actually takes 2 to 3 hours, and the problem is how to increase the speed without lowering the calculation accuracy. An object of the present invention is to improve the calculation accuracy of shadowing without reducing the calculation speed in a shape simulation.
【０００５】[0005]
【課題を解決する為の手段】請求項1の発明にかかる形
状シミュレーション方法は、材質形状を計算すべき計算
領域を小さなセルに分割して、各セルに所定の材質構成
比を付与し、材質形状表面を特定の材質構成比の等値面
で与え、微小な時間毎にその材質形状表面に流入流出す
る物質量を計算し、微小時間毎に各セルの材質構成比を
更新し、指定時間までこれを繰り返し、最終材質形状を
計算する形状シミュレーション方法であって、前記材質
形状表面に流入流出する物質量の計算は、前記材質形状
表面の微小表面三角形ごとに、物質粒子が飛んでくる領
域を３次元極座標表示の小さな立体角方向に分割し、各
々の立体角中心方向と微小表面三角形の重心点から決ま
る直線が通過する通過セルを決定し、通過セルの材質構
成比に対応して定められた条件でシャドーイング量を計
算して、前記材質形状表面の微小表面三角形ごとに気相
中を直線的にやってくる物質粒子量を算出することを特
徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a shape simulation method comprising: dividing a calculation region in which a material shape is to be calculated into small cells; assigning a predetermined material composition ratio to each cell; The shape surface is given by an iso-surface of a specific material composition ratio, the amount of material flowing into and out of the material shape surface is calculated every minute time, the material composition ratio of each cell is updated every minute time, and the specified time This is a shape simulation method for calculating the final material shape by repeating the above process, wherein the calculation of the amount of the material flowing into and out of the material shape surface is performed in an area where the material particles fly for each minute surface triangle of the material shape surface. Is divided into small solid angle directions in the three-dimensional polar coordinate display, and a passing cell through which a straight line determined by each solid angle center direction and the center of gravity of the minute surface triangle passes is determined, and is determined corresponding to the material composition ratio of the passing cell. Under the specified conditions, the shadowing amount is calculated, and the amount of material particles coming straight in the gas phase is calculated for each minute surface triangle of the material shape surface.
【０００６】請求項２の発明にかかる形状シミュレーシ
ョン方法は、請求項１の方法において、前記シャドーイ
ング量の計算方法は、前記直線が通過する通過セルの材
質構成比をηとして、η>0なら、物質がその方向からや
って来ないとし、η=0なら、物質がその方向からやって
くるとし、前記微小表面三角形に隣接する隣接セルに関
するシャドーイング計算を行わないとするシャドーイン
グ量の計算方法であることを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the shape simulation method according to the first aspect, the method of calculating the shadowing amount is such that, if η is a material composition ratio of a passing cell through which the straight line passes and η> 0. If the material does not come from that direction, if η = 0, the material comes from that direction, and the shadowing amount calculation method that does not perform the shadowing calculation on adjacent cells adjacent to the small surface triangle It is characterized by the following.
【０００７】請求項３の発明にかかる形状シミュレーシ
ョン方法は、請求項１の方法において、前記シャドーイ
ング量の計算方法は、前記直線が通過する通過セルの材
質構成比をηとして各通過セルの1−ηを計算し、その
最小のものをその方向からやってくる物質量とし、前記
微小表面三角形に隣接する隣接セルに関するシャドーイ
ング計算を行わないとするシャドーイング量の計算方法
であることを特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, in the shape simulation method according to the first aspect, the method of calculating the shadowing amount is such that the material composition ratio of the passing cell through which the straight line passes is defined as η. −η is calculated, and the smallest one is defined as the amount of the substance coming from the direction, and the shadowing calculation method is performed without performing the shadowing calculation on the cell adjacent to the small surface triangle. Things.
【０００８】請求項４の発明にかかる形状シミュレーシ
ョン方法は、請求項１の方法において、前記シャドーイ
ング量の計算方法は、前記直線が通過する通過セルに前
記材質の表面形状が存在するかどうかを判断し、存在す
る場合は、その表面形状を三角パッチに分解し、各三角
パッチを前記直線が通過するかどうか判断し、前記直線
が三角パッチを通過する場合は物質がやって来ないと
し、三角パッチを通過しない場合は物質がやってくると
するシャドーイング量の計算方法であることを特徴とす
るものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of the first aspect, the method of calculating the shadowing amount includes determining whether or not the surface shape of the material exists in a passage cell through which the straight line passes. Judge, if present, decompose the surface shape into triangular patches, judge whether the straight line passes through each triangular patch, and if the straight line passes through the triangular patch, assume that no substance comes, The method is a method of calculating the amount of shadowing that assumes that a substance comes when it does not pass through.
【０００９】請求項５の発明にかかる形状シミュレーシ
ョン方法は、請求項１の方法において、前記シャドーイ
ング量の計算方法は、前記直線が通過する通過セルに材
質の表面形状が存在するかどうかを判断し、存在する場
合に、前記微小表面三角形に隣接する隣接セルのみにつ
いて表面形状を三角パッチに分解し、各三角パッチを前
記直線が通過するかどうか判断し、隣接セル以外は、前
記直線が通過する通過セルの材質構成比をηとして、η
>0なら、物質がその方向からやって来ないとし、η=0な
ら、物質がその方向からやってくるとするシャドーイン
グ量の計算方法であることを特徴とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a shape simulation method according to the first aspect, wherein the shadowing amount calculating method determines whether a surface shape of a material exists in a passage cell through which the straight line passes. If there is, the surface shape is decomposed into triangular patches only for adjacent cells adjacent to the minute surface triangle, and it is determined whether or not the straight line passes through each triangular patch. Let η be the material composition ratio of the passing cell
If> 0, the material does not come from that direction, and if η = 0, it is a method of calculating the amount of shadowing that the material comes from that direction.
【００１０】請求項６の発明にかかる形状シミュレーシ
ョン方法は、請求項１の方法において、前記シャドーイ
ング量の計算方法は、前記直線が通過する通過セルに材
質表面形状が存在するかどうかを判断し、存在する場合
に、前記微小表面三角形に隣接する隣接セルのみについ
て表面形状を三角パッチに分解し、各三角パッチを前記
直線が通過するかどうか判断し、前記直線が通過する通
過セルの材質構成比をηとして、隣接セル以外は通過セ
ルの1-ηを計算し、その最小のものをその方向からやっ
てくる物理量とするシャドーイング量計算方法であるこ
とを特徴とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, in the shape simulation method according to the first aspect, the method of calculating the shadowing amount determines whether or not a material surface shape exists in a passage cell through which the straight line passes. If there is, the surface shape is decomposed into triangular patches only for adjacent cells adjacent to the small surface triangle, and it is determined whether or not the straight line passes through each triangular patch, and the material composition of the passing cell through which the straight line passes The method is characterized in that the shadowing amount calculation method calculates 1-η of the passing cell except for the adjacent cell, with the ratio being η, and takes the minimum one as a physical quantity coming from that direction.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明について、実施の形
態に即して図面を参照して詳細に説明する。図１は本発
明のシャドーイング計算方法を説明するための概念図で
ある。図２は本発明の形状シミュレーション方法を用い
た形状評価システムの構成を示すブロック図である。ま
た、図３は本発明の形状シミュレーション方法を適用す
るアルミニウムスパッタ装置の断面図である。この実施
の形態においては、半導体製造装置であるアルミニウム
AlやタングステンWなどの金属の蒸着装置やスパッタ装
置などで、ウェハ上に堆積される膜のコンタクトホール
でのカバレッジを評価するシミュレーション方法に関し
て説明する。これらの場合は、比較的気相中の真空度が
１パスカル以下と低く、素子の大きさに比べて平均自由
行程が長い場合に対応する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings according to embodiments. FIG. 1 is a conceptual diagram for explaining a shadowing calculation method according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a shape evaluation system using the shape simulation method of the present invention. FIG. 3 is a sectional view of an aluminum sputtering apparatus to which the shape simulation method of the present invention is applied. In this embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus aluminum
A simulation method for evaluating the coverage of a film deposited on a wafer in a contact hole using a vapor deposition device or a sputtering device for metal such as Al or tungsten W will be described. These cases correspond to the case where the degree of vacuum in the gas phase is relatively low, such as 1 Pa or less, and the mean free path is longer than the size of the element.
【００１２】図１において、１０は材質形状の境界面を
含む計算領域（解析領域）を示す。１１は三角パッチで
表わされた材質表面形状であり、材質表面形状１１の下
側に材質が存在しており、上側が材質が存在しない部分
である。１２は計算領域が分割されたセル、１３は物質
の流入流出を計算すべき材質表面のもつセルＡ、１４は
物質の流入流出を計算すべき微小表面形状ｓ（微小表面
三角形）、１５は微小表面三角形ｓに物質粒子が飛んで
くる方向を示す直線、１６は直線１５がクロスし物質が
通過するセル、１７はセルＡに隣接する隣接セルを示
す。In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a calculation area (analysis area) including a boundary surface of a material shape. Reference numeral 11 denotes a material surface shape represented by a triangular patch. A material exists below the material surface shape 11, and an upper portion is a portion where no material exists. Reference numeral 12 denotes a cell having a divided calculation area, 13 denotes a cell A having a material surface on which the inflow and outflow of a substance are to be calculated, 14 denotes a minute surface shape s (a minute surface triangle) for which the inflow and outflow of a substance is to be calculated, and 15 denotes a minute surface. A straight line indicating the direction in which the material particles fly in the surface triangle s, 16 indicates a cell through which the straight line 15 crosses and the material passes, and 17 indicates an adjacent cell adjacent to the cell A.
【００１３】図３のスパッタ装置において、コンタクト
ホール３１が形成されたアルミニウムターゲット３２と
ウェハ３４との間にアルゴンのプラズマ３６があり、ア
ルミニウムターゲット３２に電圧をかけて、アルゴンイ
オンをアルミニウムターゲット３２に向かって加速させ
て、スパッタリングによりアルミニウム原子又は分子を
飛び出させ、ウェハ３４までアルミニウム原子(分子)が
飛行し、ウェハ３４に付着させる。飛び出す方向に対す
る分布は、例えば、cos(θ)：(θはターゲット面に垂直
な方向との角度）とする。In the sputtering apparatus shown in FIG. 3, there is an argon plasma 36 between the aluminum target 32 in which the contact hole 31 is formed and the wafer 34, and a voltage is applied to the aluminum target 32 so that argon ions are applied to the aluminum target 32. Then, the aluminum atoms or molecules fly out by sputtering, and the aluminum atoms (molecules) fly to the wafer 34 and adhere to the wafer 34. The distribution with respect to the popping-out direction is, for example, cos (θ): (θ is an angle with respect to a direction perpendicular to the target surface).
【００１４】ターゲット上部にはマグネット３８があ
り、マグネット形状によりその下のプラズマ密度を変え
て腐食領域３２ａを調整する。腐食量が大きいとその部
分からアルミニウムがたくさんスパッタされる。実験で
は、マグネット３８の位置やその形状を変えて、ターゲ
ット３２面内の腐食量分布を調整し、ウェハ３４上に成
膜される膜厚の面内均一性やウェハ端の辺りでのカバレ
ッジの左右非対称性などを調整する。この成膜工程のシ
ミュレーションでは、ターゲット面内の腐食量分布を変
えて、膜厚の面内均一性や、コンタクトホールへのカバ
レッジ左右非対称性を予測し、最適なマグネット形状を
検討する。A magnet 38 is provided above the target, and the corroded area 32a is adjusted by changing the plasma density below the magnet 38 according to the shape of the magnet. If the corrosion amount is large, a lot of aluminum is sputtered from that portion. In the experiment, by changing the position and shape of the magnet 38, the distribution of the amount of corrosion in the surface of the target 32 was adjusted, and the in-plane uniformity of the film thickness formed on the wafer 34 and the coverage around the wafer edge were reduced. Adjust left-right asymmetry. In the simulation of the film formation process, the distribution of the amount of corrosion in the target surface is changed to predict the in-plane uniformity of the film thickness and the asymmetry of the coverage to the contact hole, and to examine the optimal magnet shape.
【００１５】このシミュレーション方法を実行するシス
テム構成は図２のようになる。図２において、２０は形
状シミュレータで、前処理部２１、物質流入流出量計算
部２２、シャドーイング計算部２３、形状更新部２４、
計算結果出力部２５を含む。入力データは入力データカ
ード２６で入力し、計算結果はグラフィック表示部２７
で表示される。また、計算結果を形状評価部２８で評価
し、コンタクト形状、表面凹凸、ウェハ面内膜厚分布、
デポジション膜カバレッジ等を評価する。評価結果を入
力データにフィードバックして再度このプロセスを実施
する。FIG. 2 shows a system configuration for executing this simulation method. In FIG. 2, reference numeral 20 denotes a shape simulator, which is a preprocessing unit 21, a substance inflow / outflow amount calculation unit 22, a shadowing calculation unit 23, a shape update unit 24,
A calculation result output unit 25 is included. Input data is input by an input data card 26, and the calculation result is displayed on a graphic display unit 27.
Displayed with. In addition, the calculation result is evaluated by the shape evaluation unit 28, and the contact shape, surface unevenness, film thickness distribution in the wafer surface,
Evaluate deposition film coverage and the like. The evaluation result is fed back to the input data, and the process is performed again.
【００１６】図２に示すように、入力データカード２２
を入力すると、形状シミュレーション２４の前処理部２
６において、その内容を解釈し、初期形状、ここではコ
ンタクトホール形状を作成する。この形状シミュレーシ
ョンの入力データとしては、次のものを含む。
(a)コンタクトホール形状
(b)平坦な表面での最終のデポ膜厚
(c)計算領域でのメッシュ情報
(d)立体角分割数Ns,Nf：(θ、Φ)の各方向に対する分割
数
(d)ウェハ面内でのコンタクトホールの位置
(e)ウェハとアルミニウムターゲットとの距離
(f)腐食領域における腐食量分布f(r)：rは半径方向座標
(g)シャドーイング方法選択フラッグSL=1〜5As shown in FIG. 2, the input data card 22
Is input, the preprocessing unit 2 of the shape simulation 24
In step 6, the contents are interpreted and an initial shape, here, a contact hole shape is created. The input data of the shape simulation includes the following. (a) Contact hole shape (b) Final deposited film thickness on flat surface (c) Mesh information in calculation area (d) Solid angle division number Ns, Nf: Division number in each direction of (θ, Φ) (d) Position of contact hole in wafer surface (e) Distance between wafer and aluminum target (f) Corrosion amount distribution in corrosion area f (r): r is radial coordinate (g) Shadowing method selection flag SL = 1〜5
【００１７】形状表現手法は特開平７−１７６４９５号
公報に開示されている方法と同様である。この方法で
は、素子形状の境界面を含む計算領域（解析領域）を小
さなセルに分割し、各セルに素子材質の存否に対応して
材質構成比(0〜１：材質体積率)を付与し、素子材質の
表面形状は材質構成比が０．５の等値面で与える方法を
とる。形状更新手法は、微小な時間毎にその材質表面に
流入流出する物質量を計算し、それを用いて各セルの材
質構成比を更新し、指定時間までこれを繰り返す方法で
ある。このとき、素子材質表面への物質の流入流出は、
微小な時間毎に表面シャドーイング効果を計算しながら
行う。ここでシャドーイングとは、素子材質表面への物
質の流入流出が妨げられる現象をいい、流入流出経路に
他の物質が存在するかどうかで決定される。The method of expressing the shape is the same as the method disclosed in JP-A-7-176495. In this method, a calculation region (analysis region) including a boundary surface of an element shape is divided into small cells, and a material composition ratio (0 to 1: material volume ratio) is given to each cell according to the presence or absence of an element material. The surface shape of the element material is determined by a method in which the material composition ratio is given by an iso-surface of 0.5. The shape updating method is a method of calculating the amount of material flowing into and out of the material surface every minute time, updating the material composition ratio of each cell using the calculated amount, and repeating this until a designated time. At this time, the inflow and outflow of the substance to the element material surface
The calculation is performed while calculating the surface shadowing effect every minute time. Here, shadowing refers to a phenomenon in which the inflow and outflow of a substance to and from the element material surface is prevented, and is determined by whether or not another substance is present in the inflow / outflow path.
【００１８】以下に、本発明の形状シミュレーション方
法を具体的に説明する。本発明の形状シミュレーション
方法では、材質形状を計算すべき計算領域を小さなセル
に分割して、各セルに所定の材質構成比を付与し（例え
ば、物質体積率として０〜１を設定する）、材質形状表
面を特定の材質構成比（例えば０．５）の等値面で与え
る。そして、微小な時間毎にその材質形状表面に流入流
出する物質量を計算し、微小時間毎に各セルの材質構成
比を更新し、指定時間までこれを繰り返し、最終材質形
状を計算する。Hereinafter, the shape simulation method of the present invention will be specifically described. In the shape simulation method of the present invention, a calculation region in which a material shape is to be calculated is divided into small cells, and a predetermined material composition ratio is given to each cell (for example, 0 to 1 is set as a material volume ratio), The surface of the material shape is given as an isosurface having a specific material composition ratio (for example, 0.5). Then, the amount of the substance flowing into and out of the surface of the material shape is calculated every minute time, the material composition ratio of each cell is updated every minute time, and this is repeated until the designated time to calculate the final material shape.
【００１９】この際、前記材質形状表面に流入流出する
物質量の計算は、前記材質形状表面の微小表面三角形ｓ
ごとに、物質粒子が飛んでくる領域を３次元極座標表示
(r,θ,Φ)の小さな立体角(θi-△θi<θ<θi+△θi,Φj
-△Φj<Φ)方向に分割し、各々の立体角中心方向と微小
表面三角形ｓの重心点から決まる直線が通過する通過セ
ルを決定し、通過セルの材質構成比に対応して定められ
た特定の条件でシャドーイング量を計算して、前記材質
形状表面の微小表面三角形ｓごとに気相中を直線的にや
ってくる物質粒子量を算出する。At this time, the calculation of the amount of the substance flowing into and out of the material shape surface is performed by calculating the minute surface triangle s of the material shape surface.
3D polar coordinate display of the area where material particles fly
(r, θ, Φ) small solid angle (θi- △ θi <θ <θi + △ θi, Φj
-△ Φj <Φ) direction, and determine the passing cell through which a straight line determined by each solid angle center direction and the center of gravity of the small surface triangle s passes, and determined according to the material composition ratio of the passing cell The amount of shadowing is calculated under specific conditions, and the amount of material particles coming straight in the gas phase is calculated for each minute surface triangle s of the material shape surface.
【００２０】この時の物質の流入流出量導出において、
気相中を直線的にやってくる物質粒子量を、材質表面の
シャドーイング量から計算する方法を以下のようにして
行う。粒子が飛んでくる領域を３次元極座標表示(r,θ,
Φ)の小さな立体角(θi-△θi<θ<θi+△θi,Φj-△Φj
<Φ<Φj+-△Φj)方向に分割し、各々の立体角中心方向
(θi,Φj)と微小表面三角形sの重心点から決まる飛行直
線１＜直線l＞が通過するセル（通過セル）を決定し、
通過セルに物質があるかどうかで物質がやってくる、又
は来ないの判断を行う。微小三角形面積s(nをノーマル
ベクトル)に(i,j)方向からやってくる物質量をf(i,j)と
すると、
f(i,j)=f0 cos(θi)
であらわされる。ここで、f0は(i,j)方向に垂直な単位
面積、単位時間当たりにやってくる物質量で、単位は[c
m/sec]である。In deriving the inflow / outflow amount of the substance at this time,
The method of calculating the amount of material particles coming straight in the gas phase from the shadowing amount of the material surface is performed as follows. The area where particles fly is displayed in 3D polar coordinates (r, θ,
Φ) small solid angle (θi- △ θi <θ <θi + △ θi, Φj- △ Φj
<Φ <Φj +-△ Φj)
The cell (passing cell) through which the flight straight line 1 <straight line l> determined from (θi, Φj) and the center of gravity of the small surface triangle s is determined,
It is determined whether or not a substance comes or not depending on whether or not there is a substance in the passage cell. Assuming that the substance amount coming from the (i, j) direction to the small triangular area s (n is a normal vector) from f (i, j), f (i, j) = f0 cos (θi). Here, f0 is the amount of substance coming per unit time per unit area perpendicular to the (i, j) direction, and the unit is [c
m / sec].
【００２１】物質が飛来してくる(i,j)方向の方向ベク
トルをv(i,j)、(i,j)方向のシャドーイング効果をSL(i,
j)で表すとすると、微小な時間△tに、微小三角形に流
入流出する物質量Fは
F = (n・v) s f(i,j) △t SL(i,j)
となる。 (n・v)はベクトルの内積を表す。シャドーイン
グ効果SL(i,j)の算出は、入力データにフラッグを立て
て、SL=3というようにユーザーが以下の５つの方法を選
べるようにしておく。The direction vector in the (i, j) direction from which a substance comes in is represented by v (i, j), and the shadowing effect in the (i, j) direction is represented by SL (i, j).
If expressed by j), the amount F of the substance flowing into and out of the minute triangle at a minute time Δt is given by F = (n · v) sf (i, j) Δt SL (i, j). (n · v) represents the inner product of the vectors. The shadowing effect SL (i, j) is calculated by setting a flag on the input data so that the user can select the following five methods such as SL = 3.
【００２２】方法（１）：シャドーイング量の計算方法
としては、直線lが通過する通過セル１４の材質構成比
をηとして、η>0なら、物質がその方向からやって来な
い（SL(i,j) = 0）とし、η=0なら、物質がその方向か
らやってくる（SL(i,j) = 1）とし、前記微小表面三角
形ｓに隣接する隣接セル１３に関するシャドーイング計
算を行わない（あるいはシャドーイング計算を無視す
る、シャドーイング効果を無視する）とするシャドーイ
ング量の計算方法である。この方法によれば、物質の出
入りを計算するセルに隣接するセルにおけるシャドーイ
ング計算の不正確さがなくなり、シャドーイング精度が
向上する。Method (1): As a method of calculating the shadowing amount, assuming that the material composition ratio of the passage cell 14 through which the straight line l passes is η, if η> 0, the substance does not come from that direction (SL (i, j) = 0), if η = 0, the substance comes from that direction (SL (i, j) = 1), and no shadowing calculation is performed on the adjacent cell 13 adjacent to the small surface triangle s (or This is a method of calculating the amount of shadowing by ignoring the shadowing calculation and ignoring the shadowing effect. According to this method, the inaccuracy of the shadowing calculation in the cell adjacent to the cell for calculating the entry / exit of the substance is eliminated, and the shadowing accuracy is improved.
【００２３】方法（２）：シャドーイング量の計算方法
としては、直線１が通過する通過セル１４の材質構成比
をηとして各通過セル１４の1−ηを計算し、その最小
のものmin(1-η)をその方向からやってくる物質量とし
（SL(i,j) = min(1-η)）、微小表面三角形ｓに隣接す
る隣接セル１３に関するシャドーイング計算を行わない
とするシャドーイング量の計算方法である。この方法で
は、シャドーイング計算を“やってくる”又は“やって
こない”のような０又は１のデジタルで行うのではな
く、通過セル１４における０から１の材質構成比に応じ
てアナログ的な処理を行うことである。この方法によれ
ば、０か１かの判断でなく、０から１の間の値をとるこ
とができるため、シャドーイング精度が向上する。Method (2): As a method of calculating the shadowing amount, 1−η of each passing cell 14 is calculated by setting the material composition ratio of the passing cell 14 through which the straight line 1 passes to η, and the minimum value min ( Let 1-η) be the amount of material coming from that direction (SL (i, j) = min (1-η)), and the shadowing amount for which shadowing calculation is not performed on the adjacent cell 13 adjacent to the small surface triangle s. Is the calculation method. In this method, the shadowing calculation is not performed by digital of 0 or 1 such as “coming” or “not coming”, but is performed by analog processing according to the material composition ratio of 0 to 1 in the passing cell 14. That is. According to this method, it is possible to take a value between 0 and 1, instead of determining whether it is 0 or 1, and therefore, the shadowing accuracy is improved.
【００２４】方法（３）： シャドーイング量の計算方
法としては、直線１が通過する通過セル１４に材質表面
形状１５が存在するかどうかを判断し、存在する場合
は、その表面形状１５を三角パッチに分解し、各三角パ
ッチを前記直線１が通過するかどうか判断する。そし
て、直線１が三角パッチを通過する場合は物質がやって
来ない（SL(i,j) = 0）とし、三角パッチを通過しない
場合は物質がやってくる（SL(i,j) = 1）とするシャド
ーイング量の計算方法である。３つ目は、この方法で
は、通過セル１４中の表面三角形を抽出し、この表面三
角形を指定した直線lが通過するかどうかを調べてシャ
ドーイング計算を行うものである。この方法によれば、
方法（１）を用いることなく、実質的な表面を調べるこ
とができ、計算時間はやや長くなるが、シャドーイング
精度は大きく向上する。Method (3): As a method of calculating the shadowing amount, it is determined whether or not the material surface shape 15 exists in the passage cell 14 through which the straight line 1 passes, and if so, the surface shape 15 is determined as a triangle. It is decomposed into patches, and it is determined whether or not the straight line 1 passes through each triangular patch. When the straight line 1 passes through the triangular patch, the substance does not come (SL (i, j) = 0), and when the straight line 1 does not pass through the triangular patch, the substance comes (SL (i, j) = 1). This is a calculation method of the shadowing amount. Third, in this method, a surface triangle in the passage cell 14 is extracted, and it is checked whether or not a straight line l specifying the surface triangle passes, and shadowing calculation is performed. According to this method,
The substantial surface can be examined without using the method (1), and the calculation time is slightly longer, but the shadowing accuracy is greatly improved.
【００２５】方法（４）：シャドーイング量の計算方法
としては、直線１が通過する通過セル１４に材質表面形
状１５が存在するかどうかを判断し、存在する場合に、
微小表面三角形ｓに隣接する隣接セル１３のみについて
表面形状１５を三角パッチに分解し、各三角パッチを直
線１が通過するかどうか判断する。そして、隣接セル１
３以外は、直線１が通過する通過セル１４の材質構成比
をηとして、η>0なら、物質がその方向からやって来な
い（SL(i,j) = 0）とし、η=0なら、物質がその方向か
らやってくる（SL(i,j) = 1）とするシャドーイング量
の計算方法である。この方法では、物質の出入りを計算
するセルに隣接するセルのみ、表面三角形を指定した直
線lが通過するかどうかを調べ、隣接しないセルは従来
のデジタル的な処理か、今回のアナログ的な処理により
シャドーイング計算するものである。この方法によれ
ば、高速性と高精度が同時に満足される。Method (4): As a method of calculating the shadowing amount, it is determined whether or not the material surface shape 15 exists in the passage cell 14 through which the straight line 1 passes.
The surface shape 15 of only the adjacent cell 13 adjacent to the small surface triangle s is decomposed into triangular patches, and it is determined whether or not the straight line 1 passes through each triangular patch. And adjacent cell 1
Other than 3, if the material composition ratio of the passage cell 14 through which the straight line 1 passes is η, if η> 0, the substance does not come from that direction (SL (i, j) = 0), and if η = 0, the substance Is a calculation method of the shadowing amount where (SL (i, j) = 1) comes from that direction. In this method, only the cell adjacent to the cell that calculates the entry and exit of the substance is checked to see if the straight line l specifying the surface triangle passes, and the non-adjacent cells are processed by conventional digital processing or analog processing this time Is used to calculate shadowing. According to this method, high speed and high accuracy are simultaneously satisfied.
【００２６】方法（５）：シャドーイング量の計算方法
としては、直線１が通過する通過セル１４に材質表面形
状１５が存在するかどうかを判断し、存在する場合に、
微小表面三角形sに隣接する隣接セル１３のみについて
表面形状１５を三角パッチに分解し、各三角パッチを直
線1が通過するかどうか判断する。そして、隣接セル１
３以外は通過セル１４の1-ηを計算し、その最小のもの
をmin(1-η)をその方向からやってくる物理量とするシ
ャドーイング量計算方法である。Method (5): As a method of calculating the shadowing amount, it is determined whether or not the material surface shape 15 exists in the passage cell 14 through which the straight line 1 passes.
The surface shape 15 is decomposed into triangular patches only for the adjacent cells 13 adjacent to the small surface triangle s, and it is determined whether or not the straight line 1 passes through each triangular patch. And adjacent cell 1
Other than 3 is a shadowing amount calculation method in which 1-η of the passing cell 14 is calculated, and the minimum one is min (1-η) as a physical quantity coming from that direction.
【００２７】このようにして、微小時間△tに三角形sに
流入流出する物質量が算出できるので、これから微小時
間△t内の表面セル中の材質構成比を更新する。これを
何回も繰り返し、指定時間又は平坦面が指定厚さになる
まで計算を繰り返し、最終形状を求める。In this manner, the amount of the substance flowing into and out of the triangle s during the minute time Δt can be calculated, and the material composition ratio in the surface cell within the minute time Δt is updated from this. This is repeated many times, and the calculation is repeated until the specified time or the flat surface reaches the specified thickness to obtain the final shape.
【００２８】以上のように構成されたシミュレーション
プログラムにおいて、方法（１），（２），（３），
（４），（５）は、隣接セル１３を通過する直線lは多
いので、大きな立体角を含むことになり、隣接セル１３
に物質があるかないかは、流入流出物質量に対して大き
く影響するため、この不正確さを解消することになる。In the simulation program configured as described above, the methods (1), (2), (3),
(4) and (5) include a large solid angle since the number of straight lines 1 passing through the adjacent cell 13 is large, and
The presence or absence of material will have a significant effect on the amount of inflow and outflow material, thus eliminating this inaccuracy.
【００２９】又、ユーザーは入力データにおいて、
方法（１）：計算速度(大)、計算精度(小)
方法（２）：計算速度(大)、計算精度(中)
方法（３）：計算速度(小)、計算精度(超大)
方法（４）：計算速度(中)、計算精度(中大)
方法（５）：計算速度(中)、計算精度(大)
を選ぶことができるため、形状評価にあった方法を選択
できる。デフォルトは方法（１）とする。In the input data, the user can input a method (1): calculation speed (large), calculation accuracy (small) method (2): calculation speed (large), calculation accuracy (medium) method (3): calculation speed Method (4): Calculation speed (medium), Calculation accuracy (medium and large) Method (5): Calculation speed (medium) and calculation accuracy (large) You can select the method that suits your evaluation. The default is method (1).
【００３０】図２は、形状シミュレーションを用いた形
状評価システムのブロック図を表している。形状シミュ
レータ部２０には、入力データを解釈する前処理部２１
があり、ここで、デポジションやエッチング、平坦化、
光リソグラフィーなどのプロセス入力データを解釈す
る。LSIではデポやエッチングの連続プロセスのシミュ
レーションも可能である。FIG. 2 is a block diagram of a shape evaluation system using a shape simulation. The shape simulator unit 20 includes a preprocessing unit 21 for interpreting input data.
Where deposition, etching, planarization,
Interpret process input data such as optical lithography. LSIs can also simulate continuous deposition and etching processes.
【００３１】本発明が特に関わったのは、物質流入流出
量計算部２２で、その中でもシャドーイング計算方法に
関する部分２３である。この他に、形状更新部２４があ
り、また、形状出力部２５がある。形状更新部２４は、
セルの材質構成比を更新し、０．５の等値面を計算し、
三角パッチを導出する部分である。出力部は、最終形状
などを出力する部分である。出力された形状はグラフィ
ックでユーザーがみて評価したり、形状データを形状評
価部２８に渡し、コンピュータ上で、1.コンタクト形
状、2.表面凹凸、3.ウェハ面内膜厚分布、4.デポ膜のカ
バレッジ(段差被覆率：コンタクトボトムデポ量／平坦
面デポ量)を評価し、これを自動的にフィードバックす
る場合もあれば、人を介してフィードバックし、腐食量
分布やウェハとターゲット間距離などの入力データを変
更して再度シミュレーションを行い、最適条件を見つけ
る。以上の実施の形態はアルミニウムのスパッタデポジ
ションの形状シミュレーションに対して行ったものであ
るが、この方法は、シャドーイング機能が必要なドライ
エッチングにも効果を発揮する。The present invention is particularly concerned with a substance inflow / outflow calculation unit 22, particularly a part 23 relating to a shadowing calculation method. In addition, there is a shape update unit 24 and a shape output unit 25. The shape update unit 24
Update the material composition ratio of the cell, calculate the iso-surface of 0.5,
This is a part for deriving a triangular patch. The output unit is a unit that outputs a final shape and the like. The output shape is evaluated by the user as a graphic, and the shape data is passed to the shape evaluation unit 28. On the computer, 1. contact shape, 2. surface unevenness, 3. wafer film thickness distribution, 4. Evaluate the film coverage (step coverage: contact bottom deposit amount / flat surface deposit amount). In some cases, this is automatically fed back. Change the input data, etc., and perform the simulation again to find the optimal conditions. Although the above embodiment is directed to the simulation of the shape of aluminum sputter deposition, this method is also effective for dry etching that requires a shadowing function.
【００３２】以上説明したように、本実施の形態の形状
シミュレーション方法は、解析領域を小さなセルに分割
し、各セルに材質構成比（０〜１：材質体積率）を持
ち、材質表面形状はその０．５の等値面で与え、微小な
時間毎に表面シャドーイング効果を計算しながら材質表
面への物質の流入流出を計算し、各セルの材質構成比を
微小な時間毎に更新するものである。シャドーイング計
算方法として、流入流出を計算するセルに隣接するセル
のみでシャドーイング効果を無視するか、隣接セルのみ
に超高精度なシャドーイング計算を実施することを特徴
としたものである。これにより、計算時間を長くするこ
となく、計算精度を向上させることができる。この方法
は、真空度が低く、平均自由行程がコンタクトホールや
配線などの素子寸法より十分大きい場合で粒子が直線的
に移動するときに用いるもので、任意形状に対して、シ
ャドーイング効果を計算する方法を提供するものであ
る。この方法により、シャドーイング計算の計算時間を
長くすることなく、計算精度を向上させることができ
る。As described above, according to the shape simulation method of the present embodiment, the analysis region is divided into small cells, each cell has a material composition ratio (0 to 1: material volume ratio), and the material surface shape is Given on the iso-surface of 0.5, calculate the inflow and outflow of the substance to the material surface while calculating the surface shadowing effect every minute time, and update the material composition ratio of each cell every minute time Things. The shadowing calculation method is characterized by ignoring the shadowing effect only in the cell adjacent to the cell for which the inflow / outflow is calculated, or performing ultra-high-precision shadowing calculation only on the adjacent cell. Thereby, the calculation accuracy can be improved without increasing the calculation time. This method is used when particles move linearly when the degree of vacuum is low and the mean free path is sufficiently larger than the dimensions of elements such as contact holes and wiring, and the shadowing effect is calculated for any shape. To provide a way to: According to this method, the calculation accuracy can be improved without increasing the calculation time of the shadowing calculation.
【００３３】なお、以上に説明した本発明の形状シミュ
レーション方法は、それぞれの計算または処理がコンピ
ュータで実行されるプログラムとして記載され、コンピ
ュータで読み取り可能なプログラムとしてプログラム記
録媒体に記録される。本発明はそのようなプログラム記
録媒体をも提供するものである。また、以上に説明した
本発明の形状シミュレーション方法は、図２で説明した
ような形状シミュレーション装置あるいは形状評価シス
テムにおいて、コンピュータプログラムの実行としてコ
ンピュータ上で実行される。本発明は、このような形状
シミュレーション装置あるいは形状評価システムをも提
供するものである。In the shape simulation method of the present invention described above, each calculation or process is described as a program to be executed by a computer, and is recorded on a program recording medium as a computer-readable program. The present invention also provides such a program recording medium. Further, the shape simulation method of the present invention described above is executed on a computer as execution of a computer program in the shape simulation device or shape evaluation system as described in FIG. The present invention also provides such a shape simulation device or shape evaluation system.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、形状シ
ミュレーションにおけるシャドーイング計算において、
物質の流入流出を計算するセルに隣接するセルのみを無
視したり、隣接するセルのみに表面三角パッチを通過す
るかどうかの高精度計算を施したので、計算時間を増加
させることなく、高精度化が実現できる。As described above, the present invention provides a method for calculating shadowing in a shape simulation.
Since only cells adjacent to the cell that calculates the inflow and outflow of substances are ignored, and only the adjacent cells are subjected to high-precision calculations as to whether or not to pass through the surface triangular patch, high-precision calculations are performed without increasing the calculation time. Can be realized.
【図１】 本発明をシャドーイング計算方法を概念的に
示す図である。FIG. 1 is a diagram conceptually showing a shadowing calculation method according to the present invention.
【図２】 本発明の形状シミュレーションを用いた形状
評価システムの一例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a shape evaluation system using a shape simulation according to the present invention.
【図３】 本発明を適用する事例としてのアルミニウム
スパッタ装置の概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram of an aluminum sputtering apparatus as an example to which the present invention is applied.
１０ 計算領域（解析領域）、 １１ 材質表面形状、
１２ 分割されたセル、 １３ 物質の流入流出を
計算すべき材質表面のもつセルＡ、 １４ 物質の流入
流出を計算すべき微小表面形状（微小表面三角形）ｓ、
１５ 微小表面三角形ｓに物質粒子が飛んでくる方向
を示す直線、 １６ 物質が通過するセル、 １７
セルＡに隣接する隣接セル、 ２０ 形状シミュレー
タ、 ２１前処理部、 ２２ 物質流入流出量計算部、
２３ シャドーイング計算部、２４ 形状更新部、
２５ 計算結果出力部、 ２６ 入力データカード、２
７ ラフィック表示部、 ２８ 形状評価部、 ３１
コンタクトホール、３２ アルミニウムターゲット、
３４ ウェハ、 ３６ プラズマ。10 calculation area (analysis area), 11 material surface shape,
12 divided cells, 13 cells A having material surfaces to calculate the inflow and outflow of substances, 14 minute surface shapes (microsurface triangles) s to calculate inflow and outflow of substances
15 a straight line indicating the direction in which the material particles fly into the minute surface triangle s; 16 a cell through which the material passes; 17
Cell adjacent to cell A, 20 shape simulator, 21 preprocessing unit, 22 material inflow / outflow calculation unit,
23 shadowing calculation unit, 24 shape update unit,
25 calculation result output unit, 26 input data card, 2
7 Traffic display part, 28 Shape evaluation part, 31
Contact hole, 32 aluminum target,
34 wafers, 36 plasmas.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/00 G06F 19/00 H01L 21/203 C23C 14/34 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/00 G06F 19/00 H01L 21/203 C23C 14/34
Claims (6)
セルに分割して、各セルに所定の材質構成比を付与し、
材質形状表面を特定の材質構成比の等値面で与え、微小
な時間毎にその材質形状表面に流入流出する物質量を計
算し、微小時間毎に各セルの材質構成比を更新し、指定
時間までこれを繰り返し、最終材質形状を計算する形状
シミュレーション方法であって、 前記材質形状表面に流入流出する物質量の計算は、前記
材質形状表面の微小表面三角形ごとに、物質粒子が飛ん
でくる領域を３次元極座標表示の小さな立体角方向に分
割し、各々の立体角中心方向と微小表面三角形の重心点
から決まる直線が通過する通過セルを決定し、通過セル
の材質構成比に対応して定められた特定の条件でシャド
ーイング量を計算して、前記材質形状表面の微小表面三
角形ごとに気相中を直線的にやってくる物質粒子量を算
出することを特徴とする形状シミュレーション方法。1. A calculation region in which a material shape is to be calculated is divided into small cells, and a predetermined material composition ratio is given to each cell.
Give the surface of the material shape with the iso-surface of the specific material composition ratio, calculate the amount of material flowing into and out of the surface of the material shape every minute time, update the material composition ratio of each cell every minute time, and specify This is a shape simulation method that repeats this until time, and calculates the final material shape, wherein the calculation of the amount of material flowing into and out of the material shape surface is such that material particles fly for each minute surface triangle of the material shape surface The area is divided into small solid angle directions in the three-dimensional polar coordinate display, and the passing cells through which a straight line determined by each solid angle center direction and the center of gravity of the minute surface triangle pass are determined, and corresponding to the material composition ratio of the passing cells. A shape simulation characterized by calculating a shadowing amount under a predetermined specific condition, and calculating an amount of a material particle coming straight in a gas phase for each minute surface triangle of the material shape surface. Option.
記直線が通過する通過セルの材質構成比をηとして、 η>0なら、物質がその方向からやって来ないとし、 η=0なら、物質がその方向からやってくるとし、 前記微小表面三角形に隣接する隣接セルに関するシャド
ーイング計算を行わないとするシャドーイング量の計算
方法であることを特徴とする請求項１に記載の形状シミ
ュレーション方法。2. The method of calculating the shadowing amount is such that, if η is a material composition ratio of a passage cell through which the straight line passes, if η> 0, the material does not come from that direction; if η = 0, the material does not come from that direction. The shape simulation method according to claim 1, wherein a shadowing amount is calculated without performing shadowing calculation on cells adjacent to the minute surface triangle.
記直線が通過する通過セルの材質構成比をηとして各通
過セルの1−ηを計算し、その最小のものをその方向か
らやってくる物質量とし、前記微小表面三角形に隣接す
る隣接セルに関するシャドーイング計算を行わないとす
るシャドーイング量の計算方法であることを特徴とする
請求項１に記載の形状シミュレーション方法。3. The method of calculating the amount of shadowing comprises calculating 1-η of each passing cell with the material composition ratio of the passing cell through which the straight line passes as η, and calculating the minimum one of the amount of material coming from that direction. 2. The shape simulation method according to claim 1, wherein the shadowing calculation method does not perform shadowing calculation on cells adjacent to the small surface triangle.
記直線が通過する通過セルに前記材質の表面形状が存在
するかどうかを判断し、存在する場合は、その表面形状
を三角パッチに分解し、各三角パッチを前記直線が通過
するかどうか判断し、前記直線が三角パッチを通過する
場合は物質がやって来ないとし、三角パッチを通過しな
い場合は物質がやってくるとするシャドーイング量の計
算方法であることを特徴とする請求項１に記載の形状シ
ミュレーション方法。4. The method for calculating the amount of shadowing includes determining whether a surface shape of the material is present in a passage cell through which the straight line passes, and if so, decomposing the surface shape into triangular patches. It is determined whether or not the straight line passes through each triangular patch.If the straight line passes through the triangular patch, the material does not come.If the straight line does not pass through the triangular patch, the material comes. The shape simulation method according to claim 1, wherein:
記直線が通過する通過セルに材質の表面形状が存在する
かどうかを判断し、存在する場合に、前記微小表面三角
形に隣接する隣接セルのみについて表面形状を三角パッ
チに分解し、各三角パッチを前記直線が通過するかどう
か判断し、 隣接セル以外は、前記直線が通過する通過セルの材質構
成比をηとして、 η>0なら、物質がその方向からやって来ないとし、 η=0なら、物質がその方向からやってくるとするシャド
ーイング量の計算方法であることを特徴とする請求項１
に記載の形状シミュレーション方法。5. The method of calculating a shadowing amount includes determining whether a surface shape of a material is present in a passing cell through which the straight line passes, and when present, determining only a cell adjacent to the small surface triangle. The surface shape is decomposed into triangular patches, and it is determined whether or not the straight line passes through each triangular patch.Except for adjacent cells, the material composition ratio of the passing cells through which the straight line passes is η, and if η> 0, the material is Is a method of calculating the amount of shadowing that assumes that a substance comes from that direction if η = 0.
The shape simulation method according to 1.
記直線が通過する通過セルに材質表面形状が存在するか
どうかを判断し、存在する場合に、前記微小表面三角形
に隣接する隣接セルのみについて表面形状を三角パッチ
に分解し、各三角パッチを前記直線が通過するかどうか
判断し、前記直線が通過する通過セルの材質構成比をη
として、隣接セル以外は通過セルの1-ηを計算し、その
最小のものをその方向からやってくる物理量とするシャ
ドーイング量計算方法であることを特徴とする請求項１
に記載の形状シミュレーション方法。6. The method of calculating the amount of shadowing includes determining whether or not a material surface shape exists in a passing cell through which the straight line passes, and if there is, only a cell adjacent to the minute surface triangle is determined. The surface shape is decomposed into triangular patches, it is determined whether the straight line passes through each triangular patch, and the material composition ratio of the passing cell through which the straight line passes is η.
2. A shadowing amount calculation method according to claim 1, wherein 1-η of a passing cell is calculated except for an adjacent cell, and the smallest one is a physical amount coming from the direction.
The shape simulation method according to 1.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3537381B2 (en) |
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| JP4491278B2 (en) * | 2004-05-25 | 2010-06-30 | 富士通株式会社 | Shape simulation apparatus, shape simulation method, and shape simulation program |
-
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|---|---|
| JP2001358043A (en) | 2001-12-26 |
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