JP3501930B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理技術に
関し、特に、処理ガスをシャワー状に供給するプラズマ
処理等に適用して有効な技術に関する。
関し、特に、処理ガスをシャワー状に供給するプラズマ
処理等に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、プラズマエッチング装置のよ
うなプラズマ処理装置では、真空容器内にガスを供給し
かつ真空容器を真空排気し、ある一定の圧力に保ちつ
つ、対向電極板間に高周波電力を印加し、プラズマを生
成している。この対向電極板には一般的に、一方に半導
体ウェハを載置し、他方側からガスを供給し、半導体ウ
ェハのプラズマ処理を行っている。
うなプラズマ処理装置では、真空容器内にガスを供給し
かつ真空容器を真空排気し、ある一定の圧力に保ちつ
つ、対向電極板間に高周波電力を印加し、プラズマを生
成している。この対向電極板には一般的に、一方に半導
体ウェハを載置し、他方側からガスを供給し、半導体ウ
ェハのプラズマ処理を行っている。
【０００３】この場合、たとえば、株式会社工業調査
会、１９９４年１１月２５日発行、「電子材料」１９９
４年別刷、Ｐ４４〜Ｐ５１、等の文献にも記載されてい
るように、ガスを広範囲にわたり均一に供給するため、
ガスを供給する側の対向電極板にシャワー状に微小穴を
数百個設け、その微小穴からガス供給する方法が採られ
てきた。
会、１９９４年１１月２５日発行、「電子材料」１９９
４年別刷、Ｐ４４〜Ｐ５１、等の文献にも記載されてい
るように、ガスを広範囲にわたり均一に供給するため、
ガスを供給する側の対向電極板にシャワー状に微小穴を
数百個設け、その微小穴からガス供給する方法が採られ
てきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術で
は、ガスはまず電極板の上流側の１ヶ所から導入され、
最終的に電極板に設けられた数百個の微小穴から真空容
器内にシャワー状に供給される。このシャワー状のガス
穴から真空容器内に均一にガスを供給するために、たと
えば図５に例示されるように、電極板内の上流側の直前
位置にガス溜りとなる空間を設け、この空間とガス穴の
コンダクタンスの差（空間のコンダクタンス≫ガス穴の
コンダクタンス）によって、ある程度均一な供給が期待
できる。しかし、ガス溜り空間と個々のガス穴の関係を
全て同一にし、コンダクタンスを一定にすることはこの
方法では難しいため、個々のガス穴から均一にガスを供
給することは難しい、という技術的課題がある。
は、ガスはまず電極板の上流側の１ヶ所から導入され、
最終的に電極板に設けられた数百個の微小穴から真空容
器内にシャワー状に供給される。このシャワー状のガス
穴から真空容器内に均一にガスを供給するために、たと
えば図５に例示されるように、電極板内の上流側の直前
位置にガス溜りとなる空間を設け、この空間とガス穴の
コンダクタンスの差（空間のコンダクタンス≫ガス穴の
コンダクタンス）によって、ある程度均一な供給が期待
できる。しかし、ガス溜り空間と個々のガス穴の関係を
全て同一にし、コンダクタンスを一定にすることはこの
方法では難しいため、個々のガス穴から均一にガスを供
給することは難しい、という技術的課題がある。
【０００５】また、対向電極板はプラズマからの高温に
さらされるため、冷却を目的とした温度調節を行うのが
一般的であるが、シャワー状ガス穴の上流にガス溜り空
間が形成されているため、電極内部の大部分が空間とな
り、熱伝達面積が少なく電極板自体を十分に温度調節す
ることは難しい。このため電極板の温度が上がってしま
い、電極板の熱膨張等の他の技術的課題も懸念される。
さらされるため、冷却を目的とした温度調節を行うのが
一般的であるが、シャワー状ガス穴の上流にガス溜り空
間が形成されているため、電極内部の大部分が空間とな
り、熱伝達面積が少なく電極板自体を十分に温度調節す
ることは難しい。このため電極板の温度が上がってしま
い、電極板の熱膨張等の他の技術的課題も懸念される。
【０００６】本発明の目的は、シャワー状に供給される
処理ガスの供給量の分布を任意に制御することが可能な
プラズマ処理技術を提供することにある。
処理ガスの供給量の分布を任意に制御することが可能な
プラズマ処理技術を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、シャワー状に処理ガ
スを供給して行われるプラズマ処理の均一性を向上させ
ることが可能なプラズマ処理技術を提供することにあ
る。
スを供給して行われるプラズマ処理の均一性を向上させ
ることが可能なプラズマ処理技術を提供することにあ
る。
【０００８】本発明の他の目的は、シャワー状に処理ガ
スを供給する電極やガス供給手段の温度調節を的確に行
うことが可能なプラズマ処理技術を提供することにあ
る。
スを供給する電極やガス供給手段の温度調節を的確に行
うことが可能なプラズマ処理技術を提供することにあ
る。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】本発明のプラズマ処理方法は、処理室の内
部に収容された被処理物に対して処理ガスを供給し、前
記処理ガスをプラズマ化して前記被処理物に所望のプラ
ズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記被処理
物に対向する上部電極が、積層した複数の管路板を接合
して構成され、前記各管路板には、前記処理ガスを分岐
して均一なコンダクタンスを持って流すための管路とな
る溝と、各管路板を貫通する前記処理ガスの流路となる
透孔とが穿設され、１つのガス供給孔より最上層の前記
管路板へ前記処理ガスを供給し、前記処理ガスを前記複
数の管路板によって階層的に分岐して、最下層の前記管
路板の透孔より前記処理室内へ前記処理ガスを一様に供
給して、前記プラズマ処理を行うものである。
部に収容された被処理物に対して処理ガスを供給し、前
記処理ガスをプラズマ化して前記被処理物に所望のプラ
ズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記被処理
物に対向する上部電極が、積層した複数の管路板を接合
して構成され、前記各管路板には、前記処理ガスを分岐
して均一なコンダクタンスを持って流すための管路とな
る溝と、各管路板を貫通する前記処理ガスの流路となる
透孔とが穿設され、１つのガス供給孔より最上層の前記
管路板へ前記処理ガスを供給し、前記処理ガスを前記複
数の管路板によって階層的に分岐して、最下層の前記管
路板の透孔より前記処理室内へ前記処理ガスを一様に供
給して、前記プラズマ処理を行うものである。
【００１２】より具体的には、一例として、電極板にお
いて上流側の１ヶ所から処理ガスが導入され、被処理物
に対する対向面に設けられた多数の微小穴からシャワー
状に真空容器内に供給する構成において、以下の手段を
用いる。
いて上流側の１ヶ所から処理ガスが導入され、被処理物
に対する対向面に設けられた多数の微小穴からシャワー
状に真空容器内に供給する構成において、以下の手段を
用いる。
【００１３】すなわち、従来のガス溜り空間の代わり
に、断面積や長さ等の仕様を共通とし、流路内のコンダ
クタンスを一定とした分岐管路を形成し、この分岐管路
の放出端が、多数の微小穴として被処理物の対向面に開
口する構成とする。そして、この分岐管路に処理ガスを
流し、多数の放出端（微小穴）を通じて処理ガスをシャ
ワー状に均一に分散させることで均一に処理ガスを供給
する構成とする。
に、断面積や長さ等の仕様を共通とし、流路内のコンダ
クタンスを一定とした分岐管路を形成し、この分岐管路
の放出端が、多数の微小穴として被処理物の対向面に開
口する構成とする。そして、この分岐管路に処理ガスを
流し、多数の放出端（微小穴）を通じて処理ガスをシャ
ワー状に均一に分散させることで均一に処理ガスを供給
する構成とする。
【００１４】これにより、被処理物に対するプラズマ処
理を均一に行うことができる。さらに、電極では、分岐
管路以外は中実な構造となり、必要以上に大きな空間が
存在しないので熱の伝導性が良好となり、たとえば、電
極内部に設けられた流路に熱媒体を流通させること等に
よる温度調節を的確に行うことが可能になる。
理を均一に行うことができる。さらに、電極では、分岐
管路以外は中実な構造となり、必要以上に大きな空間が
存在しないので熱の伝導性が良好となり、たとえば、電
極内部に設けられた流路に熱媒体を流通させること等に
よる温度調節を的確に行うことが可能になる。
【００１５】 また、本発明の他のプラズマ処理方法
は、処理室の内部に収容された被処理物に対して処理ガ
スを供給し、前記処理ガスをプラズマ化して前記被処理
物に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法におい
て、前記被処理物に対向する上部電極が、積層した複数
の管路板により構成され、前記各管路板には前記処理ガ
スを分岐して、所望の分布のコンダクタンスを持って流
すために、管路となる溝と、各管路板を貫通する前記処
理ガスの流路となる透孔の寸法を独立に変えて穿設し、
１つのガス供給孔より最上層の前記管路板へ前記処理ガ
スを供給し、前記処理ガスを前記複数の管路板によって
階層的に分岐して、最下層の前記管路板の透孔より前記
処理室内へ前記処理ガスを供給して、前記プラズマ処理
を行うものである。
は、処理室の内部に収容された被処理物に対して処理ガ
スを供給し、前記処理ガスをプラズマ化して前記被処理
物に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法におい
て、前記被処理物に対向する上部電極が、積層した複数
の管路板により構成され、前記各管路板には前記処理ガ
スを分岐して、所望の分布のコンダクタンスを持って流
すために、管路となる溝と、各管路板を貫通する前記処
理ガスの流路となる透孔の寸法を独立に変えて穿設し、
１つのガス供給孔より最上層の前記管路板へ前記処理ガ
スを供給し、前記処理ガスを前記複数の管路板によって
階層的に分岐して、最下層の前記管路板の透孔より前記
処理室内へ前記処理ガスを供給して、前記プラズマ処理
を行うものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】図１は本発明のプラズマ処理方法およびプ
ラズマ処理装置の一実施の形態であるプラズマエッチン
グ装置の構成の一例を示す概念図であり、図２は、その
電極の構成の一例を示す組立図、図３は、その電極に設
けられた分岐管路の分岐状態の一例を示す概念図、図４
は、本実施の形態の電極と従来技術とを比較対照して示
す説明図である。
ラズマ処理装置の一実施の形態であるプラズマエッチン
グ装置の構成の一例を示す概念図であり、図２は、その
電極の構成の一例を示す組立図、図３は、その電極に設
けられた分岐管路の分岐状態の一例を示す概念図、図４
は、本実施の形態の電極と従来技術とを比較対照して示
す説明図である。
【００１８】真空容器２で形成した処理室１内にガスボ
ンベ９から供給される処理ガス９ａをマスフローコント
ローラ８により流量を調整し、それをガス供給系７を通
して導入し、同時に真空ポンプ１２により真空排気し、
その排気系１０に圧力調整バルブ１１を設け圧力調整を
行う。また、この状態で上下方向に対向した下部電極３
と上部電極４との間に高周波電源１３により高周波電力
を印加しプラズマ１４を生成させ、下部電極３上に設置
したウェハ６をエッチング処理する。
ンベ９から供給される処理ガス９ａをマスフローコント
ローラ８により流量を調整し、それをガス供給系７を通
して導入し、同時に真空ポンプ１２により真空排気し、
その排気系１０に圧力調整バルブ１１を設け圧力調整を
行う。また、この状態で上下方向に対向した下部電極３
と上部電極４との間に高周波電源１３により高周波電力
を印加しプラズマ１４を生成させ、下部電極３上に設置
したウェハ６をエッチング処理する。
【００１９】また、下部電極３の内部には、熱媒体通路
３ａが設けられ、下部電極温度調節器１６から供給され
る所定の温度の熱媒体１６ａを、この熱媒体通路３ａに
流通させることにより温度調節が行われる。また、上部
電極４は上部電極温度調節器１５から供給される熱媒体
１５ａにて後述のように温度調節が行われる。
３ａが設けられ、下部電極温度調節器１６から供給され
る所定の温度の熱媒体１６ａを、この熱媒体通路３ａに
流通させることにより温度調節が行われる。また、上部
電極４は上部電極温度調節器１５から供給される熱媒体
１５ａにて後述のように温度調節が行われる。
【００２０】本実施の形態の場合、図２に例示されるよ
うに、上部電極４は、冷却板４１と複数の管路板４２〜
４ｎを気密に積み重ねた多層構造となっている。すなわ
ち、最上層の冷却板４１は、中央部を貫通するガス供給
孔４１ａと、このガス供給孔４１ａを取り囲むように形
成され、熱媒体１５ａが流通する熱媒体流通路４１ｂ
と、上部電極温度調節器１５に接続される接続孔４１ｃ
とが形成されている。
うに、上部電極４は、冷却板４１と複数の管路板４２〜
４ｎを気密に積み重ねた多層構造となっている。すなわ
ち、最上層の冷却板４１は、中央部を貫通するガス供給
孔４１ａと、このガス供給孔４１ａを取り囲むように形
成され、熱媒体１５ａが流通する熱媒体流通路４１ｂ
と、上部電極温度調節器１５に接続される接続孔４１ｃ
とが形成されている。
【００２１】その下の管路板４２〜４ｎの各々は、十字
形に放射状に分岐した分岐溝４ａと、この分岐溝４ａの
先端部に、当該管路板を貫通するように穿設された透孔
４ｂとが形成されている。各管路板の透孔４ｂは、直下
の管路板の分岐溝４ａの分岐中心４ｃの位置に重なりあ
うように形成されている。ただし、管路板４２〜４ｎの
うち、最上の管路板４２の分岐溝４ａの分岐中心４ｃ
は、冷却板４１の中央に設けられた一つのガス供給孔４
１ａに一致している。また、最下部の管路板４ｎの複数
の透孔４ｂは、処理ガス９ａをシャワー状に噴出する放
出端４ｄとして機能する。
形に放射状に分岐した分岐溝４ａと、この分岐溝４ａの
先端部に、当該管路板を貫通するように穿設された透孔
４ｂとが形成されている。各管路板の透孔４ｂは、直下
の管路板の分岐溝４ａの分岐中心４ｃの位置に重なりあ
うように形成されている。ただし、管路板４２〜４ｎの
うち、最上の管路板４２の分岐溝４ａの分岐中心４ｃ
は、冷却板４１の中央に設けられた一つのガス供給孔４
１ａに一致している。また、最下部の管路板４ｎの複数
の透孔４ｂは、処理ガス９ａをシャワー状に噴出する放
出端４ｄとして機能する。
【００２２】すなわち、１段目の管路板４２では、冷却
板４１の一つのガス供給孔４１ａを１個の十字状の分岐
溝４ａにて４経路に分岐し、２段目の管路板４３では、
４個の十字状の分岐溝４ａにて１６経路に分岐し、３段
目の管路板４４では、１６個の十字状の分岐溝４ａに
て、さらに６４経路に分岐し、４段目の管路板４５では
６４個の分岐溝４ａにてさらに２５６個に分岐する。こ
のとき、管路板４２〜４ｎの各々では、十字状の分岐溝
４ａの形状（幅・深さ・長さ）を同一にし、かつ上下の
管路板を連絡する透孔４ｂの径を同一にする。
板４１の一つのガス供給孔４１ａを１個の十字状の分岐
溝４ａにて４経路に分岐し、２段目の管路板４３では、
４個の十字状の分岐溝４ａにて１６経路に分岐し、３段
目の管路板４４では、１６個の十字状の分岐溝４ａに
て、さらに６４経路に分岐し、４段目の管路板４５では
６４個の分岐溝４ａにてさらに２５６個に分岐する。こ
のとき、管路板４２〜４ｎの各々では、十字状の分岐溝
４ａの形状（幅・深さ・長さ）を同一にし、かつ上下の
管路板を連絡する透孔４ｂの径を同一にする。
【００２３】これにより、気密に積み重ねられた複数の
管路板４２〜４ｎの分岐溝４ａおよび透孔４ｂは互いに
連通して、図３に例示されるように、供給元のガス供給
孔４１ａから放出端４ｄまでの管路長および断面積（断
面積の変化の分布）が等しく、コンダクタンスが一様な
分岐管路５を構成する。
管路板４２〜４ｎの分岐溝４ａおよび透孔４ｂは互いに
連通して、図３に例示されるように、供給元のガス供給
孔４１ａから放出端４ｄまでの管路長および断面積（断
面積の変化の分布）が等しく、コンダクタンスが一様な
分岐管路５を構成する。
【００２４】すなわち、冷却板４１の中央部のガス供給
孔４１ａの１ヶ所から導入した処理ガス９ａを管路板４
２〜４ｎの分岐溝４ａで４分割する操作を、たとえば４
回（本実施の形態の図１および図２の例では、図示を簡
単にするため２回分を例示している）行えば（つまり４
枚の管路板４２〜４ｎ）、最終的には、ガス供給孔４１
ａの１個が２５６の放出端４ｄに等分割されることにな
る。
孔４１ａの１ヶ所から導入した処理ガス９ａを管路板４
２〜４ｎの分岐溝４ａで４分割する操作を、たとえば４
回（本実施の形態の図１および図２の例では、図示を簡
単にするため２回分を例示している）行えば（つまり４
枚の管路板４２〜４ｎ）、最終的には、ガス供給孔４１
ａの１個が２５６の放出端４ｄに等分割されることにな
る。
【００２５】なお、分岐溝４ａおよび透孔４ｂの加工精
度としては、たとえば、分岐溝４ａは、先端から先端ま
での長さ寸法が、２０ｍｍ〜２００ｍｍの分布を持つと
き、±0.３〜0.５ｍｍの寸法誤差で加工し、分岐溝４ａ
および透孔４ｂの口径が、たとえば１ｍｍ×１ｍｍ〜1.
５ｍｍ〜1.５ｍｍの分布の場合に、±0.１ｍｍ程度の加
工誤差で、十分なコンダクタンスの均一性が得られるこ
とが確認されている。
度としては、たとえば、分岐溝４ａは、先端から先端ま
での長さ寸法が、２０ｍｍ〜２００ｍｍの分布を持つと
き、±0.３〜0.５ｍｍの寸法誤差で加工し、分岐溝４ａ
および透孔４ｂの口径が、たとえば１ｍｍ×１ｍｍ〜1.
５ｍｍ〜1.５ｍｍの分布の場合に、±0.１ｍｍ程度の加
工誤差で、十分なコンダクタンスの均一性が得られるこ
とが確認されている。
【００２６】また、この分岐溝４ａの形状や分岐数を変
化させたり、連絡する透孔４ｂの径を変化させることに
よって、上部電極４から処理室１内に供給する処理ガス
９ａの分布を意図的に変化させることも容易に行うこと
ができる。
化させたり、連絡する透孔４ｂの径を変化させることに
よって、上部電極４から処理室１内に供給する処理ガス
９ａの分布を意図的に変化させることも容易に行うこと
ができる。
【００２７】このように、本実施の形態のプラズマエッ
チング装置によれば、上部電極４において、冷却板４１
の１ヶ所のガス供給孔４１ａから複数の放出端４ｄに至
る複数の分岐経路のコンダクタンスが均一な分岐管路５
を通じて、処理ガス９ａを処理室１へシャワー状に供給
するので、理論上均一なガス供給が可能となる。
チング装置によれば、上部電極４において、冷却板４１
の１ヶ所のガス供給孔４１ａから複数の放出端４ｄに至
る複数の分岐経路のコンダクタンスが均一な分岐管路５
を通じて、処理ガス９ａを処理室１へシャワー状に供給
するので、理論上均一なガス供給が可能となる。
【００２８】この結果、下部電極３上のウェハ６と上部
電極４との間に供給される処理ガス９ａから形成される
プラズマ１４の分布の均一性が向上し、ウェハ６に対す
るプラズマ１４によるエッチングを均一に行うことがで
き、均一なエッチング結果を得ることができ、当該エッ
チングにてウェハ６に形成される図示しない回路パター
ン等の寸法精度が向上し、ウェハ６に形成される図示し
ない半導体装置の歩留りや性能が向上する。
電極４との間に供給される処理ガス９ａから形成される
プラズマ１４の分布の均一性が向上し、ウェハ６に対す
るプラズマ１４によるエッチングを均一に行うことがで
き、均一なエッチング結果を得ることができ、当該エッ
チングにてウェハ６に形成される図示しない回路パター
ン等の寸法精度が向上し、ウェハ６に形成される図示し
ない半導体装置の歩留りや性能が向上する。
【００２９】また、意図的に複数の分岐管路のコンダク
タンス（流路断面積や流路長で調整）を変化させること
で、上部電極４から処理室１への処理ガス９ａの供給状
態や分布を制御することができ、たとえばプロセス条件
等に応じたプラズマ１４のきめこまかな制御を行うこと
ができる。たとえば、上部電極４の外周部の複数の放出
端４ｄのコンダクタンスを、内側の複数の放出端４ｄの
コンダクタンスよりも大きくする、等の設定も可能であ
る。
タンス（流路断面積や流路長で調整）を変化させること
で、上部電極４から処理室１への処理ガス９ａの供給状
態や分布を制御することができ、たとえばプロセス条件
等に応じたプラズマ１４のきめこまかな制御を行うこと
ができる。たとえば、上部電極４の外周部の複数の放出
端４ｄのコンダクタンスを、内側の複数の放出端４ｄの
コンダクタンスよりも大きくする、等の設定も可能であ
る。
【００３０】さらに、本実施の形態の場合には、上部電
極４を構成する複数の管路板４２〜４ｎは、図４に例示
されるように、大きなガス溜まり空間が形成される従来
の構造に比較して、互いに接触面積、すなわち熱伝導面
積が大きくなるので、冷却板４１の熱媒体流通路４１ｂ
を流通する熱媒体１５ａからの熱による温度制御をより
的確に行うことができ、たとえば過熱等に起因する上部
電極４の熱変形等の障害を防止することが可能になる。
極４を構成する複数の管路板４２〜４ｎは、図４に例示
されるように、大きなガス溜まり空間が形成される従来
の構造に比較して、互いに接触面積、すなわち熱伝導面
積が大きくなるので、冷却板４１の熱媒体流通路４１ｂ
を流通する熱媒体１５ａからの熱による温度制御をより
的確に行うことができ、たとえば過熱等に起因する上部
電極４の熱変形等の障害を防止することが可能になる。
【００３１】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３２】たとえば、上述の実施の形態では、ガス供
給手段として上部電極を用いる場合を例示したが、電極
とは別個に分岐管路を備えたガス供給手段を備えること
も本発明に含まれる。また、プラズマ処理としては、プ
ラズマエッチングに限らず、プラズマＣＶＤ等、一般の
プラズマ処理に広く適用することができる。
給手段として上部電極を用いる場合を例示したが、電極
とは別個に分岐管路を備えたガス供給手段を備えること
も本発明に含まれる。また、プラズマ処理としては、プ
ラズマエッチングに限らず、プラズマＣＶＤ等、一般の
プラズマ処理に広く適用することができる。
【００３３】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である半導
体装置の製造プロセスにおけるプラズマエッチング工程
に適用した場合を例に採って説明したが、プラズマを利
用した一般のプロセス技術に広く適用することができ
る。
てなされた発明をその背景となった利用分野である半導
体装置の製造プロセスにおけるプラズマエッチング工程
に適用した場合を例に採って説明したが、プラズマを利
用した一般のプロセス技術に広く適用することができ
る。
【００３４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３５】本発明のプラズマ処理方法によれば、シャ
ワー状に供給される処理ガスの供給量の分布を任意に制
御することができる、という効果が得られる。
ワー状に供給される処理ガスの供給量の分布を任意に制
御することができる、という効果が得られる。
【００３６】また、本発明のプラズマ処理方法によれ
ば、シャワー状に処理ガスを供給して行われるプラズマ
処理の均一性を向上させることができる、という効果が
得られる。
ば、シャワー状に処理ガスを供給して行われるプラズマ
処理の均一性を向上させることができる、という効果が
得られる。
【００３７】また、本発明のプラズマ処理方法によれ
ば、シャワー状に処理ガスを供給する電極やガス供給手
段の温度調節を的確に行うことができる、という効果が
得られる。
ば、シャワー状に処理ガスを供給する電極やガス供給手
段の温度調節を的確に行うことができる、という効果が
得られる。
【００３８】本発明のプラズマ処理装置によれば、シャ
ワー状に供給される処理ガスの供給量の分布を任意に制
御することができる、という効果が得られる。
ワー状に供給される処理ガスの供給量の分布を任意に制
御することができる、という効果が得られる。
【００３９】また、本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、シャワー状に処理ガスを供給して行われるプラズマ
処理の均一性を向上させることができる、という効果が
得られる。
ば、シャワー状に処理ガスを供給して行われるプラズマ
処理の均一性を向上させることができる、という効果が
得られる。
【００４０】また、本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、シャワー状に処理ガスを供給する電極やガス供給手
段の温度調節を的確に行うことができる、という効果が
得られる。
ば、シャワー状に処理ガスを供給する電極やガス供給手
段の温度調節を的確に行うことができる、という効果が
得られる。
【図１】本発明のプラズマ処理方法およびプラズマ処理
装置の一実施の形態であるプラズマエッチング装置の構
成の一例を示す概念図である。
装置の一実施の形態であるプラズマエッチング装置の構
成の一例を示す概念図である。
【図２】本発明のプラズマ処理方法およびプラズマ処理
装置の一実施の形態であるプラズマエッチング装置の電
極の構成の一例を示す組立図である。
装置の一実施の形態であるプラズマエッチング装置の電
極の構成の一例を示す組立図である。
【図３】本発明のプラズマ処理方法およびプラズマ処理
装置の一実施の形態であるプラズマエッチング装置の電
極に設けられた分岐管路の分岐状態の一例を示す概念図
である。
装置の一実施の形態であるプラズマエッチング装置の電
極に設けられた分岐管路の分岐状態の一例を示す概念図
である。
【図４】本発明の一実施の形態である電極と従来技術と
を比較対照して示す説明図である。
を比較対照して示す説明図である。
【図５】考えられる従来のプラズマ処理装置の電極板内
の構造の一例を示す説明図である。
の構造の一例を示す説明図である。
１ 処理室
２ 真空容器
３ 下部電極
３ａ 熱媒体通路
４ 上部電極
４１ 冷却板
４１ａ ガス供給孔
４１ｂ 熱媒体流通路
４１ｃ 接続孔
４２〜４ｎ 管路板
４ａ 分岐溝
４ｂ 透孔
４ｃ 分岐中心
４ｄ 放出端
５ 分岐管路
６ ウェハ
７ ガス供給系
８ マスフローコントローラ（ガス流量調整器）
９ ガスボンベ
９ａ 処理ガス
１０ 排気系
１１ 圧力調整バルブ
１２ 真空ポンプ
１３ 高周波電源
１４ プラズマ
１５ 上部電極温度調節器
１５ａ 熱媒体
１６ 下部電極温度調節器
１６ａ 熱媒体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−335635（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−90572（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23F 4/00
H01L 21/3065
Claims (3)
- 【請求項１】 処理室の内部に収容された被処理物に対
して処理ガスを供給し、前記処理ガスをプラズマ化して
前記被処理物に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理
方法であって、 前記被処理物に対向する上部電極が、積層した複数の管
路板により構成され、 前記各管路板には前記処理ガスを分岐して均一なコンダ
クタンスを持って流すための管路となる溝と、各管路板
を貫通する前記処理ガスの流路となる透孔が穿設され、 １つのガス供給孔より最上層の前記管路板へ前記処理ガ
スを供給し、 前記処理ガスを前記複数の管路板によって階層的に分岐
して、最下層の前記管路板の透孔より前記処理室内へ前
記処理ガスを一様に供給して、前記プラズマ処理を行う
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理方法におい
て、 前記上部電極は、主面に刻設された放射状の溝および当
該溝の先端部に穿設された透孔を含む複数の板材を、放
射状の前記溝の中心が、より上側の前記板材の前記透孔
に重なり合って連通するように気密に積み重ねることに
より、複数の前記板材の互いに連通する前記溝および前
記透孔にて、分岐管路が構成されるようにしたことを特
徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 処理室の内部に収容された被処理物に対
して処理ガスを供給し、前記処理ガスをプラズマ化して
前記被処理物に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理
方法において、 前記被処理物に対向する上部電極が、積層した複数の管
路板により構成され、 前記各管路板には前記処理ガスを分岐して、所望の分布
のコンダクタンスを持って流すために、管路となる溝
と、各管路板を貫通する前記処理ガスの流路となる透孔
の寸法を独立に変えて穿設し、 １つのガス供給孔より最上層の前記管路板へ前記処理ガ
スを供給し、 前記処理ガスを前記複数の管路板によって階層的に分岐
して、最下層の前記管路板の透孔より前記処理室内へ前
記処理ガスを供給して、前記プラズマ処理を行うことを
特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP32992397A JP3501930B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32992397A JP3501930B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11158662A JPH11158662A (ja) | 1999-06-15 |
| JP3501930B2 true JP3501930B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=18226787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32992397A Expired - Fee Related JP3501930B2 (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | プラズマ処理方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3501930B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP6078354B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2017-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2018042877A1 (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-08 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP32992397A patent/JP3501930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8402829B2 (en) | 2005-01-03 | 2013-03-26 | Jet-Guide Ltd. | Interactive ultrasound-based depth measurement for medical applications |
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| JPH11158662A (ja) | 1999-06-15 |
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