JP3569090B2 - Plasma processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウェーハ等の表面に形成した被膜をエッチングしたり、ホトレジスト膜をアッシング除去したり、デポジション等に用いるプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハ表面の被膜をエッチング等するプラズマ処理装置として、石英等からなるチャンバーの外周に、高周波電源に接続される第1の電極と、この電極との間でプラズマを発生する第2の電極を対峙させて設けたものが知られている。
【0003】
ここで、プラズマ処理装置にあって、主としてプラズマが発生する箇所は、第1の電極と第2の電極とが最も接近した箇所であり、上述した従来のプラズマ処理装置にあっては、電極の形状が半割筒状をなしているので、プラズマが発生する箇所は、チャンバーに沿って上下方向に伸びる2本の線状領域となる。
【0004】
そして、プラズマの発生領域が2本の線状領域であると、チャンバー内で発生するプラズマが均一にならないので、特開平6−132250号公報或いは特開平8−130185号公報に開示される構造のものがある。
特開平6−132250号公報に開示されるプラズマ処理装置は、第1の電極及び第2の電極の形状を櫛歯状とし、一方の凸部が他方の凹部に入り込むようにしており、特開平8−130185号公報に開示されるプラズマ処理装置は、帯状をなす第1の電極と第2の電極とを一定の間隔を開けて螺旋状にチャンバー外周に巻回している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述した特開平6−132250号公報或いは特開平8−130185号公報に開示される電極構造とすることでチャンバー内の外周部のほぼ全域をプラズマの発生領域とすることができる。
しかしながら、いずれの先行技術にあっても、極めて薄い電極を円筒状をなすチャンバーの外周面の所定箇所に長期に亘って安定して固定しておく手段がない。特に、特開平8−130185号公報に開示されるものは、電極を帯状として螺旋状に巻回する構成となるので、電極間の間隔を一定に保つのは困難で、プラズマの発生が不均一になりやすい。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本願の第1発明に係るプラズマ処理装置は、上端を閉じた略筒状をなすチャンバーの外周に、第1の電極及び第2の電極が一定の間隔をあけて螺旋状に巻回され、これら第1の電極及び第2の電極はチャンバーの外周を略半周巻回する複数の帯状分割片から構成され、各帯状分割片の両端はチャンバーの外側に配置された一対の絶縁体に止着され、この絶縁体に設けた導体によって第1の電極を構成する帯状分割片同士及び前記第2の電極を構成する帯状分割片同士は電気的に接続された構成とした。
【0007】
また、上記課題を解決すべく本願の第2発明に係るプラズマ処理装置は、上端を閉じた略筒状をなすチャンバーの外周に、第1の電極及び第2の電極が一定の間隔をあけて螺旋状に巻回され、これら第1の電極及び第2の電極はチャンバーの外周を略1周巻回する複数の帯状分割片から構成され、各帯状分割片の両端はチャンバーの外側に配置された1本の絶縁体に止着され、この絶縁体に設けた導体によって第1の電極を構成する帯状分割片同士及び前記第2の電極を構成する帯状分割片同士は電気的に接続された構成とした。
また、上記課題を解決すべく本願の第3発明に係るプラズマ処理装置は、上端を閉じた略筒状をなすチャンバーの外周に、電極が一定の間隔をあけて螺旋状に巻回され、これら電極はチャンバーの外周を略半周巻回する複数の帯状分割片から構成され、各帯状分割片の両端はチャンバーの外側に配置された一対の絶縁体に止着され、この絶縁体に設けた導体によって電極を構成する帯状分割片同士は電気的に接続された構成とした。
【0008】
前記第1の電極と第2の電極の電源への接続の態様としては、第1の電極は高周波電源に接続し、第2の電極を第1の電極が接続される高周波電源よりも低周波の電源かアースに接続する態様、或いは第1の電極及び第2の電極の双方の一端(上端)を高周波電源に接続し、他端(下端)をこれよりも低周波の電源かアースに接続する態様が考えられる。
また、第3の発明にあっては、前記電極の一端(上端)は高周波電源に接続し、他端(下端)はこれよりも低周波の電源かアースに接続する態様が考えらえる。
【0009】
前記プラズマ処理装置のチャンバーは基台に形成した開口部を覆うように取り付けられ、この基台に形成した開口部には半導体ウェーハ等の被処理物を載置するテーブルが昇降可能に臨むのが一般的なプラズマ処理装置の構成である。
【0010】
また、本発明に係るプラズマ処理装置のチャンバーはベルジャー型等の上端を閉じた形状であるが、その上端部或いは上端部から若干下がった位置には反応ガスの導入管が取り付けられる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図1は第1発明に係るプラズマ処理装置を分解して示した全体斜視図、図2は電極をチャンバーに取り付けた状態を示す図である。
【0012】
プラズマ処理装置1は石英等から構成されるチャンバー2を備え、その形状は上端を閉じた略筒状(ベルジャー型)をなし、上端部には反応ガス導入管3を設けている。
【0013】
チャンバー2は小径のチャンバー上部2aと大径のチャンバー下部2bから構成され、小径のチャンバー上部2aの内部をプラズマ発生空間とし、大径のチャンバー下部2bの内部を処理空間とし、大径のチャンバー下部2bは基台4に形成した開口5を覆うように基台4上に気密に固定され、開口5には被処理物であるウェーハWを載置するテーブル6が昇降自在に臨み、開口5とテーブル6との間には減圧装置につながる排気通路7が形成される。
【0014】
また、小径のチャンバー上部2aの外側の対向する位置には、アルミナや樹脂等からなる一対の柱状絶縁体8,9を上下方向に配置している。柱状絶縁体8はリブ10にて6つの止着部8a,8b,8c,8d,8e,8fに画成され、柱状絶縁体9はリブ11にて6つの止着部9a,9b,9c,9d,9e,9fに画成され、上端と下端の止着部8a,9a,8f,9fには片面1個の取り付け穴12が形成され、残りの中間の止着部8b,8c,8d,8e,9b,9c,9d,9eには片面2個の取り付け穴12が形成され、これら中間の止着部にはアルミ板や銅板等からなる導体13を嵌め付けている。
【0015】
前記各止着部には複数の帯状分割片の端部が止着されている。具体的には、帯状分割片14aの細くなった一端が止着部8aの図において背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部9bの背面側にビスにて止着され、帯状分割片14bの一端が導体13を嵌め付けた止着部9bの前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部8cの前面側に止着され、帯状分割片14cの一端が導体13を嵌め付けた止着部8cの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部9dの背面側に止着され、帯状分割片14dの一端が導体13を嵌め付けた止着部9dの前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部8eの前面側に止着され、帯状分割片14eの一端が導体13を嵌め付けた止着部8eの背面側に、細くなった他端が止着部9fの背面側に止着されている。そして、これら帯状分割片14a,14b,14c,14d,14eは導体13にて電気的に接続され第1の電極14を構成する。
【0016】
また、帯状分割片15aの細くなった一端が止着部9aの図において前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部8bの前面側に止着され、帯状分割片15bの一端が導体13を嵌め付けた止着部8bの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部9cの背面側に止着され、帯状分割片15cの一端が導体13を嵌め付けた止着部9cの前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部8dの前面側に止着され、帯状分割片15dの一端が導体13を嵌め付けた止着部8dの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部9eの背面側に止着され、帯状分割片15eの一端が導体13を嵌め付けた止着部9eの前面側に、細くなった他端が止着部8fの前面側に止着されている。そして、これら帯状分割片15a,15b,15c,15d,15eは導体13にて電気的に接続され第2の電極15を構成する。
【0017】
このように第1の電極14を構成する帯状分割片14a〜14eを電気的に接続し、第2の電極15を構成する帯状分割片15a〜15eを電気的に接続することで、第1の電極14と第2の電極15は全体として、一定の間隔を保ちながら螺旋状にチャンバー2の外周に巻回される。そして、第1の電極14を高周波電源に、第2の電極15を第1の電極よりも低周波の電源かアースに接続することで主として電極間の隙間にプラズマが発生する。
【0018】
尚、実施例にあっては複数の帯状分割片のうち、上端と下端に位置する帯状分割片の形状を一端が細くなるようにしたが、全ての帯状分割片の形状を同一にすることも可能である。
【0019】
図3は第2発明に係るプラズマ処理装置を分解して示した全体斜視図、図4は電極をチャンバーに取り付けた第2図と同様の図であり、第1発明に係るプラズマ処理装置にあっては2本の柱状絶縁体を用いて帯状電極の端部を止着するようにしたが、このプラズマ処理装置にあっては、1本の柱状絶縁体16を用い、帯状分割片の両端部を止着している。
【0020】
即ち、柱状絶縁体16はリブ17にて6つの止着部16a,16b,16c,16d,16e,16fに画成され、止着部16aの背面側はリブ17aにて16a−1と16a−2に分けられ、止着部16fの前面側はリブ17bにて16f−1と16f−2に分けられている。
【0021】
そして、帯状分割片18aの細くなった一端が止着部16a−1に、他端が導体13を嵌め付けた止着部16bの前面側に止着され、帯状分割片18bの一端が導体13を嵌め付けた止着部16bの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部16dの前面側に止着され、帯状分割片18cの一端が導体13を嵌め付けた止着部16dの背面側に、細くなった他端が止着部16f−1の前面側に止着され、これら帯状分割片18a,18b,18cは導体13にて電気的に接続され第1の電極18を構成する。
【0022】
また、帯状分割片19aの細くなった一端が止着部16a−2に、他端が導体13を嵌め付けた止着部16cの前面側に止着され、帯状分割片19bの一端が導体13を嵌め付けた止着部16cの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部16eの前面側に止着され、帯状分割片19cの一端が導体13を嵌め付けた止着部16eの背面側に、細くなった他端が止着部16f−2の前面側に止着され、これら帯状分割片19a,19b,19cは導体13にて電気的に接続され第2の電極19を構成する。
【0023】
このように第1の電極18を構成する帯状分割片18a〜18cを電気的に接続し、第2の電極19を構成する帯状分割片19a〜19cを電気的に接続することで、第1の電極18と第2の電極19は全体として、一定の間隔を保ちながら螺旋状にチャンバー2の外周に巻回される。
【0024】
図5は第3発明に係るプラズマ処理装置を分解して示した全体斜視図、図6は電極をチャンバーに取り付けた第2図及び第4図と同様の図である。
第3発明に係るプラズマ処理装置は第1発明に係るプラズマ処理装置と同様に2本の柱状絶縁体を用いて帯状電極の端部を止着するようにしている。
【0025】
即ち、柱状絶縁体20はリブ22にて5つの止着部20a,20b,20c,20d,20eに画成され、柱状絶縁体21はリブ23にて6つの止着部21a,21b,21c,21d,21e,21fに画成され、柱状絶縁体21の上端と下端の止着部21a,21fには片面1個の取り付け穴24が形成され、残りの止着部20a,20b,20c,20d,20e,21b,21c,21d,21eには片面2個の取り付け穴24が形成され、これら中間の止着部にはアルミ板や銅板等からなる導体13を嵌めつけている。
【0026】
具体的には帯状分割片25aの細くなった一端が止着部20aの図において前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部21aの前面側に止着され、帯状分割片25bの一端が導体13を嵌め付けた止着部20aの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部21bの背面側に止着され、帯状分割片25cの一端が止着部21bの前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部20bの前面側に止着され、帯状分割片25dの一端が導体13を嵌め付けた止着部20bの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部21cの背面側に止着され、帯状分割片25eの一端が止着部21cの前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部20cの前面側に止着され、帯状分割片25fの一端が導体13を嵌め付けた止着部20cの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部21dの背面側に、止着され、帯状分割片25gの一端が止着部21dの前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部20dの前面側に止着され、帯状分割片25hの一端が導体13を嵌め付けた止着部20dの背面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部21eの背面側に止着され、帯状分割片25iの一端が止着部21eの前面側に、他端が導体13を嵌め付けた止着部20eの前面側に止着され、帯状分割片25jの一端が導体13を嵌め付けた止着部20eの背面側に、細くなった他端が導体13を嵌め付けた止着部21fの背面側に止着されている。これらの帯状分割片25a,25b,25c,25d,25e,25f,25g,25h,25i,25jは導体13に電気的に接続され電極を構成する。
【0027】
尚、第1発明、第2発明の実施例にあっては第1の電極14,18を高周波電源に接続し、第2の電極15,19をアースに接続したが、第1の電極14,18を高周波電源に接続し、第2の電極15,19を第1の電極14,18が接続される高周波電源よりも低周波の電源に接続してもよく、或いは第1の電極14,18及び第2の電極15,19の一端(上端)を高周波電源に接続し、第1の電極14,18及び第2の電極15,19の他端(下端)を一端部が接続される高周波電源よりも低周波の電源またはアースに接続してもよい。
また、第3発明にあっては、電極20の一端(上端)を高周波電源に接続し、他端(下端)をこれよりも低周波の電源かアースに接続してもよい。
【0028】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明によれば、第1発明、第2発明のプラズマ処理装置のチャンバーの外周に、プラズマを発生させる第1の電極と第2の電極を一定の間隔をあけて螺旋状に巻回したものにおいて、前記第1の電極及び第2の電極をチャンバーの外周を略半周または略1周巻回する複数の帯状分割片にて構成し、各帯状分割片の両端をチャンバーの外側に配置された一対または1本の絶縁体に止着し、この絶縁体に設けた導体によって第1の電極を構成する帯状分割片同士及び前記第2の電極を構成する帯状分割片同士を電気的に接続するようにしたので、均一にプラズマを発生されるための第1の電極と第2の電極間の隙間を、長期に亘って一定に維持することができる。
【0029】
同じく第3発明のプラズマ処理装置のチャンバーの外周に、プラズマを発生させる帯状分割片同士を電気的に接続したので、電極間の隙間を長期に亘って一定に維持することができる。
【0030】
第1及び第3発明のように、帯状電極を2ヵ所で止着するようにすれば、電極の固定がより確実になされ、第2の発明のように、帯状電極を1ヵ所で止着するようにすれば、構造が簡単になり且つ止着作業も楽になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1発明に係るプラズマ処理装置を分解して示した全体斜視図
【図2】電極をチャンバーに取り付けた状態を示す図
【図3】第2発明に係るプラズマ処理装置を分解して示した全体斜視図
【図4】電極をチャンバーに取り付けた第2図と同様の図
【図5】第3発明に係るプラズマ処理装置を分解して示した全体斜視図
【図6】電源をチャンバーに取り付けた第2図と同様の図
【符号の説明】
1…プラズマ処理装置、2…チャンバー、3…反応ガス導入管、8,9,16,20,21…柱状絶縁体、8a,8b,8c,8d,8e,8f,9a,9b,9c,9d,9e,9f,16a,16b,16c,16d,16e,16f,20a,20b,20c,20d,20e,21a,21b,21c,21d,21e,21f…止着部、10,11,17,22,23…リブ、13…導体、14…第1の電極、14a,14b,14c,14d,14e…第1の電極を構成する帯状分割片、15…第2の電極、15a,15b,15c,15d,15e…第2の電極を構成する帯状分割片、18…第1の電極、18a,18b,18c…第1の電極を構成する帯状分割片、19…第2の電極、19a,19b,19c…第2の電極を構成する帯状分割片、25…電極、25a,25b,25c,25d,25e,25f,25g,25h,25i,25j…電極を構成する帯状分割片。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma processing apparatus used for etching a film formed on a surface of a semiconductor wafer or the like, ashing and removing a photoresist film, and for deposition and the like.
[0002]
[Prior art]
As a plasma processing apparatus for etching a film on the surface of a semiconductor wafer, a first electrode connected to a high-frequency power supply and a second electrode for generating plasma between the electrodes are provided around a chamber made of quartz or the like. What is provided facing each other is known.
[0003]
Here, in the plasma processing apparatus, a place where plasma is mainly generated is a place where the first electrode and the second electrode are closest to each other. Since the shape is a half-cylindrical shape, the locations where plasma is generated are two linear regions extending vertically along the chamber.
[0004]
If the plasma generation region is two linear regions, the plasma generated in the chamber will not be uniform, so the structure disclosed in JP-A-6-132250 or JP-A-8-130185 will be described. There is something.
In the plasma processing apparatus disclosed in JP-A-6-132250, the first electrode and the second electrode are formed in a comb-like shape, and one convex portion enters the other concave portion. In the plasma processing apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-130185, a band-shaped first electrode and a band-shaped first electrode are spirally wound around the outer periphery of the chamber at a predetermined interval.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By using the electrode structure disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-132250 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-130185, almost the entire outer peripheral portion in the chamber can be used as a plasma generation region.
However, in any of the prior arts, there is no means for stably fixing an extremely thin electrode to a predetermined position on the outer peripheral surface of a cylindrical chamber for a long period of time. In particular, the structure disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-130185 has a structure in which the electrodes are strip-shaped and spirally wound, so that it is difficult to keep the interval between the electrodes constant, and the generation of plasma is uneven. Easy to be.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problem, a plasma processing apparatus according to a first invention of the present application is a plasma processing apparatus in which a first electrode and a second electrode are formed in a spiral shape at regular intervals around an outer periphery of a substantially cylindrical chamber having a closed upper end. The first electrode and the second electrode are composed of a plurality of band-shaped divided pieces that are wound around the outer periphery of the chamber substantially half a circle, and both ends of each band-shaped divided piece are disposed in a pair on the outside of the chamber. The strip-shaped pieces constituting the first electrode and the strip-shaped pieces constituting the second electrode were fixed to an insulator and electrically connected to each other by a conductor provided on the insulator.
[0007]
Further, in order to solve the above-mentioned problem, the plasma processing apparatus according to the second invention of the present application has a configuration in which the first electrode and the second electrode are arranged at a fixed interval on the outer periphery of a substantially cylindrical chamber whose upper end is closed. The first electrode and the second electrode are spirally wound, and the first electrode and the second electrode are configured by a plurality of strip-shaped pieces that are wound substantially once around the outer periphery of the chamber, and both ends of each strip-shaped piece are disposed outside the chamber. The strip-like pieces constituting the first electrode and the strip-like pieces constituting the second electrode were electrically connected to each other by the conductor provided on the insulator. Configuration.
Further, in order to solve the above problem, in the plasma processing apparatus according to the third invention of the present application, electrodes are spirally wound around the outer periphery of a substantially cylindrical chamber having a closed upper end at a predetermined interval. The electrode is composed of a plurality of strip-shaped pieces that are wound around the outer periphery of the chamber substantially half way, and both ends of each strip-shaped piece are fixed to a pair of insulators arranged outside the chamber, and the conductor provided on the insulator is provided. The band-shaped divided pieces constituting the electrodes were electrically connected to each other.
[0008]
As a mode of connecting the first electrode and the second electrode to a power supply, the first electrode is connected to a high-frequency power supply, and the second electrode is connected to a lower frequency than the high-frequency power supply to which the first electrode is connected. Or one end (upper end) of both the first electrode and the second electrode is connected to a high-frequency power supply, and the other end (lower end) is connected to a lower-frequency power supply or ground. A possible embodiment is considered.
According to the third aspect of the present invention, one end (upper end) of the electrode is connected to a high-frequency power supply, and the other end (lower end) is connected to a lower-frequency power supply or ground.
[0009]
The chamber of the plasma processing apparatus is mounted so as to cover an opening formed in the base, and a table on which an object to be processed such as a semiconductor wafer is placed can face up and down in the opening formed in the base. This is a configuration of a general plasma processing apparatus.
[0010]
The chamber of the plasma processing apparatus according to the present invention has a bell jar type or the like whose upper end is closed, and a reaction gas introduction pipe is attached to the upper end or a position slightly lower than the upper end.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Here, FIG. 1 is an exploded overall perspective view of a plasma processing apparatus according to the first invention, and FIG. 2 is a view showing a state in which electrodes are attached to a chamber.
[0012]
The
[0013]
The
[0014]
Further, a pair of columnar insulators 8 and 9 made of alumina, resin, or the like are vertically arranged at opposing positions outside the small-diameter chamber
[0015]
End portions of a plurality of strip-shaped divided pieces are fixed to the fixing portions. Specifically, one end of the strip-shaped divided
[0016]
One end of the
[0017]
As described above, the strip-shaped
[0018]
In the embodiment, among the plurality of strip-shaped pieces, the shape of the strip-shaped pieces located at the upper end and the lower end is made thin at one end, but the shape of all the strip-shaped pieces may be the same. It is possible.
[0019]
FIG. 3 is an exploded perspective view of the plasma processing apparatus according to the second invention, and FIG. 4 is a view similar to FIG. 2 in which electrodes are attached to a chamber. In this plasma processing apparatus, two columnar insulators are used to fix the ends of the strip electrodes. However, in this plasma processing apparatus, one
[0020]
That is, the
[0021]
One end of the
[0022]
One end of the
[0023]
As described above, the strip-shaped
[0024]
FIG. 5 is an overall perspective view showing the plasma processing apparatus according to the third invention in an exploded state, and FIG. 6 is a view similar to FIGS. 2 and 4 in which electrodes are attached to a chamber.
The plasma processing apparatus according to the third aspect of the present invention uses two columnar insulators to fix the ends of the strip electrodes similarly to the plasma processing apparatus according to the first aspect.
[0025]
That is, the
[0026]
Specifically, one end of the
[0027]
In the first and second embodiments, the
Further, in the third invention, one end (upper end) of the
[0028]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the first electrode and the second electrode for generating plasma are spirally formed on the outer periphery of the chamber of the plasma processing apparatus of the first invention and the second invention at a predetermined interval. The first electrode and the second electrode are composed of a plurality of strips each of which is wound around the outer periphery of the chamber substantially half or one round, and both ends of each strip are placed in the chamber. And a plurality of strip-like pieces constituting the first electrode and between the strip-like pieces constituting the second electrode, which are fixed to a pair or a single insulator disposed outside the insulator. Are electrically connected, the gap between the first electrode and the second electrode for uniformly generating plasma can be maintained constant for a long period of time.
[0029]
Similarly, the strip-shaped pieces for generating plasma are electrically connected to the outer periphery of the chamber of the plasma processing apparatus of the third invention, so that the gap between the electrodes can be kept constant for a long time.
[0030]
If the band-shaped electrode is fixed at two places as in the first and third inventions, the electrode can be more securely fixed, and the band-shaped electrode is fixed at one place as in the second invention. By doing so, the structure becomes simple and the fastening work becomes easy.
[Brief description of the drawings]
1 is an overall perspective view showing an exploded plasma processing apparatus according to a first invention; FIG. 2 is a view showing a state in which electrodes are attached to a chamber; FIG. 3 is an exploded view of a plasma processing apparatus according to a second invention; FIG. 4 is a view similar to FIG. 2 in which electrodes are attached to a chamber. FIG. 5 is an exploded perspective view of a plasma processing apparatus according to a third invention. FIG. Figure similar to Fig. 2 attached to the chamber
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