JP3435583B2 - 電界センサ - Google Patents
電界センサInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に光導波路が形
成された電界センサ、光変調器等の光導波路デバイスに
関し、空間の電界強度を高精度に測定する機能を有する
電界センサ、および光導波路内を伝播する導波光を変調
する機能を有する光変調器に関する。
成された電界センサ、光変調器等の光導波路デバイスに
関し、空間の電界強度を高精度に測定する機能を有する
電界センサ、および光導波路内を伝播する導波光を変調
する機能を有する光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、普及が著しいインバーターエアコ
ン等の、電磁妨害波によるコンピュータシステム等の誤
動作が問題となってきている。これらのＥＭＣ（Electr
omagnetic Compatibility）試験および対策を行うため
に、装置から放射され、または装置に侵入する電磁波の
電界強度を正確に測定する必要がある。特に、最近で
は、電磁パルス強度の時間領域における測定および放射
電磁界を精度良く求めるための測定が重要となってい
る。
ン等の、電磁妨害波によるコンピュータシステム等の誤
動作が問題となってきている。これらのＥＭＣ（Electr
omagnetic Compatibility）試験および対策を行うため
に、装置から放射され、または装置に侵入する電磁波の
電界強度を正確に測定する必要がある。特に、最近で
は、電磁パルス強度の時間領域における測定および放射
電磁界を精度良く求めるための測定が重要となってい
る。
【０００３】他方、光通信、光情報処理システムの分野
における技術の実用化に向けて、光波の変調、光路の切
り換え等を行なう光変調デバイスのより小型化、高速
化、高機能化が必要とされている。
における技術の実用化に向けて、光波の変調、光路の切
り換え等を行なう光変調デバイスのより小型化、高速
化、高機能化が必要とされている。
【０００４】このような背景のもとに、光導波路デバイ
スによるセンサヘッドとレベル測定装置との間を光ファ
イバで結ぶ電界センサが検討されている（特開平５−２
０４３）。図１１に示すように、センサ本体の外部から
光ファイバにより無変調で光信号を入力し（入力光
７）、この入力光をセンサ内部の光変調器により、セン
サ導体棒９を経て変調用電極６に導かれた電界レベルに
応じて変調し、光ファイバによりレベル測定装置に伝送
する（出力光８）。光ファイバによる伝送であるため
に、伝送過程において環境とのノイズの授受がないこと
が大きな特徴である。光導波路デバイスは、また光変調
器としての応用が注目されている。
スによるセンサヘッドとレベル測定装置との間を光ファ
イバで結ぶ電界センサが検討されている（特開平５−２
０４３）。図１１に示すように、センサ本体の外部から
光ファイバにより無変調で光信号を入力し（入力光
７）、この入力光をセンサ内部の光変調器により、セン
サ導体棒９を経て変調用電極６に導かれた電界レベルに
応じて変調し、光ファイバによりレベル測定装置に伝送
する（出力光８）。光ファイバによる伝送であるため
に、伝送過程において環境とのノイズの授受がないこと
が大きな特徴である。光導波路デバイスは、また光変調
器としての応用が注目されている。
【０００５】この光導波路デバイスには、ニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ3）（以下、ＬＮという）等の電気光
学効果を有する結晶基板が多く使われる。光変調器は、
基板表面に形成した光導波路に電界を印加し屈折率を変
化させることにより、該導波路中を進行する光信号の強
度変調や位相変調を行うもので、小型、高効率、高速と
いう特徴がある。
ウム（ＬｉＮｂＯ3）（以下、ＬＮという）等の電気光
学効果を有する結晶基板が多く使われる。光変調器は、
基板表面に形成した光導波路に電界を印加し屈折率を変
化させることにより、該導波路中を進行する光信号の強
度変調や位相変調を行うもので、小型、高効率、高速と
いう特徴がある。
【０００６】光変調器には、方向性結合器型、反射型、
分岐干渉型等の種類がある。図１２に従来の分岐干渉型
光変調器の構成を示す。入力光導波路２への入力光７
は、分岐によりエネルギーが分割され、位相シフト光導
波路３および４を通過後、出力光導波路５で合流する。
この時、位相シフト光導波路を伝播した光が同位相で合
流すれば、損失は小さく、出力光８は最大の光量となる
が、位相シフト光導波路を通過した光が互いに逆位相
（位相差が１８０゜）となる場合は、合流部分で干渉に
より大きな損失を生じ、出力光の光量は最小となる。変
調用電極６への印加電圧の大きさによって、電極近傍の
光導波路の屈折率が電気光学効果によって変化し、そこ
を通過する光の位相が変化し、印加電圧に対応した出力
をもつ出力光８に変調される。
分岐干渉型等の種類がある。図１２に従来の分岐干渉型
光変調器の構成を示す。入力光導波路２への入力光７
は、分岐によりエネルギーが分割され、位相シフト光導
波路３および４を通過後、出力光導波路５で合流する。
この時、位相シフト光導波路を伝播した光が同位相で合
流すれば、損失は小さく、出力光８は最大の光量となる
が、位相シフト光導波路を通過した光が互いに逆位相
（位相差が１８０゜）となる場合は、合流部分で干渉に
より大きな損失を生じ、出力光の光量は最小となる。変
調用電極６への印加電圧の大きさによって、電極近傍の
光導波路の屈折率が電気光学効果によって変化し、そこ
を通過する光の位相が変化し、印加電圧に対応した出力
をもつ出力光８に変調される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の光導波路型の電界センサは、センサ棒および変
調用電極が金属であるため、電界測定のために使用する
センサ自体が電界分布を乱してしまうという皮肉な現象
を引き起こすこととなる。また、特に高電界の検出の場
合には、わずか数ミクロン〜数十ミクロンの間隔の二つ
の電極に電界を印加することによって誘起された電荷の
放電のために、電極の破損を招きやすいという問題を有
する。更には、印加電界強度と変調された出力光の強度
との関係を製作段階で任意に設定することは実現されて
いない。
た従来の光導波路型の電界センサは、センサ棒および変
調用電極が金属であるため、電界測定のために使用する
センサ自体が電界分布を乱してしまうという皮肉な現象
を引き起こすこととなる。また、特に高電界の検出の場
合には、わずか数ミクロン〜数十ミクロンの間隔の二つ
の電極に電界を印加することによって誘起された電荷の
放電のために、電極の破損を招きやすいという問題を有
する。更には、印加電界強度と変調された出力光の強度
との関係を製作段階で任意に設定することは実現されて
いない。
【０００８】分岐干渉型光変調器の変調用電極への印加
電圧と光出力との関係の１例を図１３に示す。この図で
は、光出力を規格化して示している。光出力は、印加電
圧に対して周期的に最大値と最小値をとる。一般に、光
変調器は、印加電圧０で光出力が最大値の５０％となる
ようなバイアス位置（動作点）で使用するのが一般的で
ある。通常、印加電圧０で光出力が５０％となるように
再現性良く光変調器を作製することは困難であるため、
バイアス電圧を印加することによって、光出力が５０％
となるように調整する。従って、変調用電極に印加され
る変調用電圧は、バイアス電圧と、変調さるべき高周波
信号を重畳したものとなる。しかし、導波路型光変調器
にＤＣ電圧成分が長時間印加された場合、結晶基板や基
板とバッファー層の界面、バッファー層と電極の界面等
に電荷が蓄積して、光導波路中に印加される電界強度が
経時的に変化するＤＣドリフト現象が生ずる。
電圧と光出力との関係の１例を図１３に示す。この図で
は、光出力を規格化して示している。光出力は、印加電
圧に対して周期的に最大値と最小値をとる。一般に、光
変調器は、印加電圧０で光出力が最大値の５０％となる
ようなバイアス位置（動作点）で使用するのが一般的で
ある。通常、印加電圧０で光出力が５０％となるように
再現性良く光変調器を作製することは困難であるため、
バイアス電圧を印加することによって、光出力が５０％
となるように調整する。従って、変調用電極に印加され
る変調用電圧は、バイアス電圧と、変調さるべき高周波
信号を重畳したものとなる。しかし、導波路型光変調器
にＤＣ電圧成分が長時間印加された場合、結晶基板や基
板とバッファー層の界面、バッファー層と電極の界面等
に電荷が蓄積して、光導波路中に印加される電界強度が
経時的に変化するＤＣドリフト現象が生ずる。
【０００９】本発明は、上記の問題を解決する手段を提
供する。すなわち、電界センサ自体の存在が電界分布の
乱れを生じないようにして、真の電界の測定を可能に
し、放電等の支障がなく高電界の測定をも可能とし、か
つ、電界強度に応じて変調された透過光の周期的に変化
する光出力曲線上の動作点を任意に調整することができ
る電界センサを実現する。
供する。すなわち、電界センサ自体の存在が電界分布の
乱れを生じないようにして、真の電界の測定を可能に
し、放電等の支障がなく高電界の測定をも可能とし、か
つ、電界強度に応じて変調された透過光の周期的に変化
する光出力曲線上の動作点を任意に調整することができ
る電界センサを実現する。
【００１０】
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様によれ
ば、基板上に形成された入力光導波路と、該入力光導波
路より分岐した二つの位相シフト光導波路と、該二つの
位相シフト光導波路が合流する出力光導波路とからなる
電気光学効果を用いる電界センサにおいて、前記二つの
位相シフト光導波路の光学距離を互いに異ならせ、前記
出力光導波路から直接に電界変化が得られるようにした
ことを特徴とする電界センサが得られる。
ば、基板上に形成された入力光導波路と、該入力光導波
路より分岐した二つの位相シフト光導波路と、該二つの
位相シフト光導波路が合流する出力光導波路とからなる
電気光学効果を用いる電界センサにおいて、前記二つの
位相シフト光導波路の光学距離を互いに異ならせ、前記
出力光導波路から直接に電界変化が得られるようにした
ことを特徴とする電界センサが得られる。
【００１２】本発明の他の態様によれば、基板上に形成
された入力光導波路と、該入力光導波路より分岐した二
つの位相シフト光導波路と、前記二つの位相シフト光導
波路の分岐した側と反対側に接続して設けられた光反射
部とからなる反射型の電気光学効果を用いる電界センサ
において、前記二つの位相シフト光導波路の光学距離を
互いに異ならせ、前記入力光導波路から直接に電界変化
が得られるようにしたことを特徴とする反射型の電界セ
ンサが得られる。
された入力光導波路と、該入力光導波路より分岐した二
つの位相シフト光導波路と、前記二つの位相シフト光導
波路の分岐した側と反対側に接続して設けられた光反射
部とからなる反射型の電気光学効果を用いる電界センサ
において、前記二つの位相シフト光導波路の光学距離を
互いに異ならせ、前記入力光導波路から直接に電界変化
が得られるようにしたことを特徴とする反射型の電界セ
ンサが得られる。
【００１３】
【００１４】
【作用】図１１は、従来の光導波路型電界センサを示
す。センサ導体棒９を通して二つの位相シフト光導波路
３および４に、その近傍に設けた変調用電極６によっ
て、互いに逆向きの電界が印加される。その結果、電気
光学効果によって二つの位相シフト光導波路３および４
の屈折率が互いに逆向きの変化をなし、それぞれを伝播
する光波の位相の変化が互いに逆向となるために位相差
を生じ、合流部分における干渉により光の強度が変化す
る。
す。センサ導体棒９を通して二つの位相シフト光導波路
３および４に、その近傍に設けた変調用電極６によっ
て、互いに逆向きの電界が印加される。その結果、電気
光学効果によって二つの位相シフト光導波路３および４
の屈折率が互いに逆向きの変化をなし、それぞれを伝播
する光波の位相の変化が互いに逆向となるために位相差
を生じ、合流部分における干渉により光の強度が変化す
る。
【００１５】本発明は、従来、電界センサ自体が電界分
布を変化させるという原因を除き、更に、高電界の測定
を可能とするために、まず、従来の電界センサで支障を
きたしていた、放電の原因となるものを取り除くことを
基本としている。即ち、先に説明した図１１に示す構成
から、センサ導体棒９および変調用電極６を除去する。
布を変化させるという原因を除き、更に、高電界の測定
を可能とするために、まず、従来の電界センサで支障を
きたしていた、放電の原因となるものを取り除くことを
基本としている。即ち、先に説明した図１１に示す構成
から、センサ導体棒９および変調用電極６を除去する。
【００１６】本発明は、更に、電界センサの二つの位相
シフト光導波路を伝播する光波の間で、電界の強度に応
じて生ずる位相差を、二つの位相シフト光導波路の間に
設ける光学距離の差によって調整する。
シフト光導波路を伝播する光波の間で、電界の強度に応
じて生ずる位相差を、二つの位相シフト光導波路の間に
設ける光学距離の差によって調整する。
【００１７】あるいは、光学距離が互いに異なる二つの
位相シフト光導波路部分に応力をかけることによって、
更に位相差の拡大および調整をすることができる。位相
シフト光導波路の部分に応力を加える物質を配すると、
これら二つの位相シフト光導波路が受ける応力の違いに
より、屈折率に差を生じ、更に、屈折率に変化をもたら
す距離の違いによって、これら二つの位相シフト光導波
路を通過する光の位相の変化量が互いに異なることとな
る。従って、応力をかける範囲を制御することによっ
て、合流部分における干渉により、出力光導波路からの
光出力を任意に調整することができる。
位相シフト光導波路部分に応力をかけることによって、
更に位相差の拡大および調整をすることができる。位相
シフト光導波路の部分に応力を加える物質を配すると、
これら二つの位相シフト光導波路が受ける応力の違いに
より、屈折率に差を生じ、更に、屈折率に変化をもたら
す距離の違いによって、これら二つの位相シフト光導波
路を通過する光の位相の変化量が互いに異なることとな
る。従って、応力をかける範囲を制御することによっ
て、合流部分における干渉により、出力光導波路からの
光出力を任意に調整することができる。
【００１８】導波路型光変調器においても、光学距離が
互いに異なる二つの位相シフト光導波路に、応力を発生
させる物質を設けることは、同様の現象と効果をもたら
す。
互いに異なる二つの位相シフト光導波路に、応力を発生
させる物質を設けることは、同様の現象と効果をもたら
す。
【００１９】以下、本発明を、実施例によって詳細に説
明する。
明する。
【００２０】
【実施例１】図１は、本発明による電界センサの一実施
例を示す。ＬＮ結晶のｚ基板１の上にチタンを熱拡散さ
せて形成した幅５〜１２μｍ、深さ３〜１０μｍの入力
光導波路２、位相シフト光導波路３および４、出力光導
波路５によって分岐干渉型光導波路を構成した。二つの
位相シフト光導波路３および４の光学距離は互いに相違
し、その差は０.５ｍｍである。光学距離の差は、測定
する電界強度に応じて設定する。電界強度が小さい場合
にはその距離の差を大きくとる必要があり、製作上の都
合から１０ｍｍ程度が上限となる。
例を示す。ＬＮ結晶のｚ基板１の上にチタンを熱拡散さ
せて形成した幅５〜１２μｍ、深さ３〜１０μｍの入力
光導波路２、位相シフト光導波路３および４、出力光導
波路５によって分岐干渉型光導波路を構成した。二つの
位相シフト光導波路３および４の光学距離は互いに相違
し、その差は０.５ｍｍである。光学距離の差は、測定
する電界強度に応じて設定する。電界強度が小さい場合
にはその距離の差を大きくとる必要があり、製作上の都
合から１０ｍｍ程度が上限となる。
【００２１】以上述べたように、本発明による透過型の
電界センサは、それ自体が電界分布に影響を及ぼすこと
なく、また、放電を生じない構成であり、図２に示すよ
うに、この光導波路型の電界センサ３０を、半導体レー
ザ２０、光ファイバ２６、フォトダイオード２２、レベ
ル測定装置２３等からなる測定系に電界センサ３０を組
み込むことにより、高電界の測定を可能とする。
電界センサは、それ自体が電界分布に影響を及ぼすこと
なく、また、放電を生じない構成であり、図２に示すよ
うに、この光導波路型の電界センサ３０を、半導体レー
ザ２０、光ファイバ２６、フォトダイオード２２、レベ
ル測定装置２３等からなる測定系に電界センサ３０を組
み込むことにより、高電界の測定を可能とする。
【００２２】
【実施例２】図３は、本発明による他の実施例で、反射
型の電界センサを示す。ＬＮ結晶のｚ基板１の上にチタ
ンを熱拡散させて形成した幅５〜１２μｍ、深さ３〜１
０μｍ程度の入力光導波路２、位相シフト光導波路３お
よび４、およびこれら位相シフト光導波路の分岐する側
と反対側に誘電体多層反射膜１０を設け、反射型の分岐
干渉型光導波路を構成した。二つの位相シフト光導波路
３および４の距離は互いに相違し、その差は０.４ｍｍ
である。二つの位相シフト光導波路の光学距離の差は、
測定する電界強度に応じて設定する。電界強度が小さい
場合にはその距離の差を大きくとる必要があり、製作上
の都合から１０ｍｍ程度が上限となる。
型の電界センサを示す。ＬＮ結晶のｚ基板１の上にチタ
ンを熱拡散させて形成した幅５〜１２μｍ、深さ３〜１
０μｍ程度の入力光導波路２、位相シフト光導波路３お
よび４、およびこれら位相シフト光導波路の分岐する側
と反対側に誘電体多層反射膜１０を設け、反射型の分岐
干渉型光導波路を構成した。二つの位相シフト光導波路
３および４の距離は互いに相違し、その差は０.４ｍｍ
である。二つの位相シフト光導波路の光学距離の差は、
測定する電界強度に応じて設定する。電界強度が小さい
場合にはその距離の差を大きくとる必要があり、製作上
の都合から１０ｍｍ程度が上限となる。
【００２３】以上述べたように、本発明による反射型の
電界センサは、金属を含まない構成となっているので、
それ自体が電界の分布に影響を及ぼすことなく、また高
電界における測定においても放電を生ずることはない。
図４に示すような半導体レーザ２０、光ファイバ２６、
サーキュレータ２１、フォトダイオード２２、レベル測
定装置２３等からなる測定系に、この反射型の電界セン
サ３１を組み込むことにより、高電界の測定が可能とな
る。
電界センサは、金属を含まない構成となっているので、
それ自体が電界の分布に影響を及ぼすことなく、また高
電界における測定においても放電を生ずることはない。
図４に示すような半導体レーザ２０、光ファイバ２６、
サーキュレータ２１、フォトダイオード２２、レベル測
定装置２３等からなる測定系に、この反射型の電界セン
サ３１を組み込むことにより、高電界の測定が可能とな
る。
【００２４】
【実施例３】図５は、本発明による透過型の電界センサ
の二つの位相シフト光導波路３および４を伝播する導波
光間に所定の位相差を付与する方法を示す。二つの位相
シフト光導波路部分にシアノアクリレート系高分子接着
剤１１を塗布することにより、二つの導波光の間に位相
差を付与する。図６に示すような電界強度と光出力との
関係において、電界強度が０の状態で光出力が最大出力
の５０％となるように動作点を計測しながら、高分子接
着剤１１を塗布して、動作点を調整することができる。
なお、反射型の電界センサにおいても、図７に示すよう
に、二つの位相シフト光導波路部分にシアノアクリレー
ト系高分子接着剤を塗布することにより、透過型の電界
センサと同様な効果を得ることができる。
の二つの位相シフト光導波路３および４を伝播する導波
光間に所定の位相差を付与する方法を示す。二つの位相
シフト光導波路部分にシアノアクリレート系高分子接着
剤１１を塗布することにより、二つの導波光の間に位相
差を付与する。図６に示すような電界強度と光出力との
関係において、電界強度が０の状態で光出力が最大出力
の５０％となるように動作点を計測しながら、高分子接
着剤１１を塗布して、動作点を調整することができる。
なお、反射型の電界センサにおいても、図７に示すよう
に、二つの位相シフト光導波路部分にシアノアクリレー
ト系高分子接着剤を塗布することにより、透過型の電界
センサと同様な効果を得ることができる。
【００２５】
【実施例４】図８は、本発明による透過型の光変調器の
特性曲線上の動作点を所定の位相差を付与することによ
って調整する方法を示す。二つの位相シフト光導波路部
分３および４にシアノアクリレート系高分子接着剤１１
を塗布することにより、位相シフト光導波路を透過する
二つの導波光間に位相差を付与することができ、図９に
示すように、変調用電極６に印加された電圧と光出力と
の関係において、印加電圧０の時の光出力を調整するこ
とができる。ここでは、光出力を最大出力の５０％にな
るように調整している。なお、図１０に示すように、反
射型の光変調器においても、同様の手段によって同様の
効果を得ることができる。
特性曲線上の動作点を所定の位相差を付与することによ
って調整する方法を示す。二つの位相シフト光導波路部
分３および４にシアノアクリレート系高分子接着剤１１
を塗布することにより、位相シフト光導波路を透過する
二つの導波光間に位相差を付与することができ、図９に
示すように、変調用電極６に印加された電圧と光出力と
の関係において、印加電圧０の時の光出力を調整するこ
とができる。ここでは、光出力を最大出力の５０％にな
るように調整している。なお、図１０に示すように、反
射型の光変調器においても、同様の手段によって同様の
効果を得ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電界セ
ンサの存在自体が被測定電界の電界分布を乱すことな
く、高電界においても放電等の支障なく測定することを
可能にし、かつ特性曲線における動作点の調整を行うこ
とにより、電界強度によって変調されて出力する光の強
度を目的に応じて調整することを可能とした。また、本
発明は、光変調器においても、その動作点を調整するこ
とにより、入力光に対する出力光の強度を目的に応じて
調整することを可能とした。
ンサの存在自体が被測定電界の電界分布を乱すことな
く、高電界においても放電等の支障なく測定することを
可能にし、かつ特性曲線における動作点の調整を行うこ
とにより、電界強度によって変調されて出力する光の強
度を目的に応じて調整することを可能とした。また、本
発明は、光変調器においても、その動作点を調整するこ
とにより、入力光に対する出力光の強度を目的に応じて
調整することを可能とした。
【図１】実施例１の電界センサの構成図。
【図２】実施例１の電界センサを組み込んだ測定系の例
を示す図。
を示す図。
【図３】実施例２の電界センサの構成図。
【図４】実施例２の電界センサを組み込んだ測定系の例
を示す図。
を示す図。
【図５】実施例３の電界センサに位相差を付与する方法
についての説明図。
についての説明図。
【図６】実施例３による効果を示す電界センサの特性を
示す説明図。
示す説明図。
【図７】実施例３の反射型の電界センサに位相差を付与
する方法についての説明図。
する方法についての説明図。
【図８】実施例４の導波路型光変調器に位相差を付与
し、動作点を調整する方法についいての説明図。
し、動作点を調整する方法についいての説明図。
【図９】実施例４による効果を示す電界センサの特性を
示す説明図。
示す説明図。
【図１０】実施例４の反射型の導波路型光変調器に位相
差を付与し、動作点を調整する方法についての説明図。
差を付与し、動作点を調整する方法についての説明図。
【図１１】従来の導波路型電界センサの構成図。
【図１２】従来の導波路型光変調器の構成図。
【図１３】導波路型光変調器の特性の一例を示す説明
図。
図。
１ ＬｉＮｂＯ3基板
２ 入力光導波路
３，４ 位相シフト光導波路
５ 出力光導波路
６ 変調用電極
７ 入力光
８ 出力光
９ センサ導体棒
１０ 誘電体多層反射膜（光反射部）
１１ 高分子接着剤（応力を発生する物質）
２０ 半導体レーザ
２１ サーキュレータ
２２ フォトダイオード
２３ レベル測定装置
２６ 光ファイバ
２７ 導線
３０ 電界センサ（透過型）
３１ 電界センサ（反射型）
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された入力光導波路と、該
入力光導波路より分岐した二つの位相シフト光導波路
と、該二つの位相シフト光導波路が合流する出力光導波
路とからなる電気光学効果を用いる電界センサにおい
て、前記二つの位相シフト光導波路の光学距離を互いに
異ならせ、前記出力光導波路から直接に電界変化が得ら
れるようにしたことを特徴とする電界センサ。 - 【請求項２】 基板上に形成された入力光導波路と、該
入力光導波路より分岐した二つの位相シフト光導波路
と、前記二つの位相シフト光導波路の分岐した側と反対
側に接続して設けられた光反射部とからなる反射型の電
気光学効果を用いる電界センサにおいて、前記二つの位
相シフト光導波路の光学距離を互いに異ならせ、前記入
力光導波路から直接に電界変化が得られるようにしたこ
とを特徴とする反射型の電界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17375994A JP3435583B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 電界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17375994A JP3435583B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 電界センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815354A JPH0815354A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3435583B2 true JP3435583B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=15966620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17375994A Expired - Fee Related JP3435583B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 電界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3435583B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4694235B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-06-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| FR3111716B1 (fr) * | 2020-06-19 | 2022-06-17 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optique et procédé de fabrication |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP17375994A patent/JP3435583B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0815354A (ja) | 1996-01-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030507 |
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