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JP3433721B2 - ドライエッチング方法及び微細加工方法 - Google Patents

ドライエッチング方法及び微細加工方法

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JP3433721B2
JP3433721B2 JP2000088636A JP2000088636A JP3433721B2 JP 3433721 B2 JP3433721 B2 JP 3433721B2 JP 2000088636 A JP2000088636 A JP 2000088636A JP 2000088636 A JP2000088636 A JP 2000088636A JP 3433721 B2 JP3433721 B2 JP 3433721B2
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mask
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体素
子や磁気素子等のマイクロデバイスを形成する際のドラ
イエッチング方法及びこのドライエッチング方法を用い
た微細加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微小半導体素子、磁気素子等のマイクロ
デバイスを製造する場合には、リソグラフィ技術及びエ
ッチング技術を組み合わせて微細加工するプロセスが多
用される。
【０００３】リソグラフィ技術は、被加工層の表面に塗
布したレジスト膜等の感光膜に微細パターンを作ってエ
ッチングマスクを形成する技術であり、エッチング技術
は、このようにして得たエッチングマスクの微細パター
ンを被加工層に転写する技術である。
【０００４】エッチング技術の１つとして、微細構造の
形成に優れており、低圧の反応ガスのプラズマを利用す
る反応性イオンエッチング法が存在する。
【０００５】例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の遷移金属元素
を主成分とする磁性材料の反応性エッチングを行う場合
に反応ガスＣＦ４、ＣＣｌ４のプラズマを用いると、半
導体材料の反応性エッチングを行う場合と同様にハロゲ
ン化合物を形成する。しかしながら、遷移金属のハロゲ
ン化合物は、その結合エネルギが半導体元素のハロゲン
化合物よりもはるかに高いため、蒸発しにくいのみなら
ずスパッタリング反応を受け難いから、エッチング反応
が進み難い。
【０００６】このような問題を解消する新しい反応系と
して、一酸化炭素ガスのプラズマを使う方法が研究さ
れ、さらに、その系を改良した含窒素化合物ガスを添加
した一酸化炭素ガスを反応ガスとして用いるドライエッ
チング方法が提案されている（特開平８−２５３８８１
号公報、中谷 功、「磁性体薄膜の微細加工」、日本応
用磁気学会誌 Ｖｏｌ．２２，Ｎ０．１１，１９９８、
第１３８３頁〜第１３８９頁）。
【０００７】この公知文献には、パーマロイ薄膜上に寸
法が０．６μｍ程度の図形を加工するべくアンモニア
（ＮＨ３）ガスを添加した一酸化炭素（ＣＯ）ガスを反
応ガスとして反応性イオンエッチングを行い、比較のた
めに、シリコン（１００）単結晶及びアルミノほう珪酸
ガラスに対しても同様な反応性エッチングを行った結果
が記載されている。その記載によれば、パーマロイのエ
ッチングレートに対するシリコン（１００）単結晶のエ
ッチングレートの比は４であり、パーマロイのエッチン
グレートに対するアルミノほう珪酸ガラスのエッチング
レートの比は９である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
ング形状のさらなる微細化が進む最近のプロセスにおい
て、マスクと被加工層とがこの程度のエッチングレート
比しか有していない場合には、マスクの微細図形を良好
な形状を保ちつつ被加工層に転写することが難しい。そ
の理由は、被加工層の所望の部分が全てエッチングされ
る前に、マスク自体がエッチングされてその形状が変化
してしまうため、及びサイドエッチング等の影響により
マスクエッジからの被加工層のエッチングが進んでしま
うためである。特に、０．１μｍ以下のトレンチ幅やラ
イン幅を有する図形では、その傾向が強く、微細図形を
被加工層に良好に転写することが非常に困難となってい
る。
【０００９】従って本発明の目的は、良好な形状の微細
加工を行うことができるドライエッチング方法及び微細
加工方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、含窒素
化合物ガスを添加した一酸化炭素ガスを反応ガスとし、
タンタル又は窒化タンタルによるマスクを使用してコバ
ルトプラチナ合金層のエッチングを行うドライエッチン
グ方法が提供される。
【００１１】本発明によれば、さらに、コバルトプラチ
ナ合金による被エッチング層上にタンタル又は窒化タン
タルによるマスクを形成し、含窒素化合物ガスを添加し
た一酸化炭素ガスを反応ガスとして使用してエッチング
を行う微細加工方法が提供される。
【００１２】含窒素化合物ガスを添加した一酸化炭素ガ
スを反応ガスとしてコバルトプラチナ合金層のドライエ
ッチングを行う場合に、マスク材料としてタンタル又は
窒化タンタルを用いることにより、マスクとコバルトプ
ラチナ合金による被エッチング層とのエッチング選択比
を非常に大きくすることが可能となり、マスク自体がエ
ッチングされてその形状が変化してしまうこと、及びサ
イドエッチング等の影響によりマスクエッジからのエッ
チングが進んでしまうことがなくなるので、良好な形状
の微細図形転写を行うことができる。
【００１３】マスクが、被エッチング層上にレジストパ
ターンを形成した後、タンタル又は窒化タンタルをター
ゲットとするスパッタリングを行って形成されることも
好ましい。
【００１４】マスクが、被エッチング層上にレジストパ
ターンを形成した後、少なくとも窒素ガスを含む反応性
のガスの存在下で、タンタルをターゲットとする反応性
スパッタリングを行って形成されることが好ましい。
【００１５】この反応性スパッタリングにおける反応性
のガスが、アルゴンガスと窒素ガスとからなることが好
ましい。
【００１６】
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態におけ
る微細加工プロセスの一部を概略的に示す断面図であ
る。
【００１８】まず、図１（Ａ）に示すように、基板１０
上に形成された下地層１１上に微細加工すべき層である
被エッチング層１２を成膜する。
【００１９】より具体的には、例えば、３インチシリコ
ンウエハからなる基板１０上に、下地層１１としてチタ
ン（Ｔｉ）を以下の条件で成膜し、その上に被エッチン
グ層１２としてコバルトプラチナ合金（ＣｏＰｔ、Ｃ
ｏ：７５ａｔ％、Ｐｔ：２５ａｔ％）を以下の条件で成
膜する。
【００２０】 下地層の成膜条件 ターゲット ： ９９．９９５％（純度） チタン バックグラウンド圧力 ： ９×１０−６Ｐａ 流入ガス ： アルゴン ガス流量 ： ３０ｓｃｃｍ 全ガス圧 ： ０．１５Ｐａ（成膜中） 投入電力 ： ＤＣ５００Ｗ 基板温度 ： 室温（冷水による冷却のみで、温度制御なし）
【００２１】 被エッチング層の成膜条件 ターゲット ： ９９．９９５％（純度） コバルトプラチナ バックグラウンド圧力 ： ９×１０−６Ｐａ 流入ガス ： アルゴン ガス流量 ： １００ｓｃｃｍ 全ガス圧 ： ２．０Ｐａ（成膜中） 投入電力 ： ＲＦ５００Ｗ 基板温度 ： 室温（冷水による冷却のみで、温度制御なし）
【００２２】次いで、図１（Ｂ）に示すように、リソグ
ラフィ技術を用いて被エッチング層１２上に微小図形に
パターニングされたレジスト層１３を形成する。
【００２３】より具体的には、例えば、スピンコート法
によりポジ型レジスト(例えばＺＥＰ５２０、厚さ２０
０ｎｍ)を塗布し、電子ビーム露光装置を用いて微細図
形パターンを露光し、例えば日本ゼオン社のＺＥＤ−Ｎ
５０を用いて現像(例えば室温で５分)することによって
パターニングされたレジスト層１３を得る。
【００２４】次いで、図１（Ｃ）に示すように、この微
小図形にパターニングされたレジスト層１３上から、タ
ンタル（Ｔａ）によるマスク層１４を成膜する。
【００２５】より具体的には、本実施形態においては、
アルゴンガスを用いたスパッタリング法によりタンタル
膜を以下の条件で成膜する。
【００２６】 マスク層の成膜条件 ターゲット ： ９９．９９５％（純度） タンタル バックグラウンド圧力 ： ９×１０−６Ｐａ 流入ガス ： アルゴン 全ガス流量 ： ３０ｓｃｃｍ 全ガス圧 ： ０．１５Ｐａ（成膜中） 投入電力 ： ＤＣ５００Ｗ ターゲット・基板間距離： ３００ｍｍ 基板回転 ： なし 基板温度 ： 室温（冷水による冷却のみで、温度制御なし）
【００２７】次いで、図１（Ｄ）に示すように、レジス
ト層１３をリフトオフ法により除去することにより、パ
ターニングされたマスク１４´が得られる。
【００２８】より具体的には、超音波洗浄機を用いてテ
トラヒドロフラン等の溶剤中にウエハを浸すことでリフ
トオフする。
【００２９】次いで、マスク１４´を介して、アンモニ
ア及び一酸化炭素の混合ガスを反応ガスとした反応性ド
ライエッチングを行うことにより、図１（Ｅ）に示すよ
うに、パターニングされた被エッチング層１２´を得
る。
【００３０】図２は、本実施形態で用いる反応性イオン
エッチング装置の構成例を概略的に示す図である。
【００３１】同図において、２０は被加工物であるウエ
ハ、２１はウエハ２０を保持するＥＳＣステージ電極、
２２はプラズマ発生用高周波（１３．５６ＭＨｚ）電
源、２３は電磁コイル、２４はバイアス用高周波（１．
６ＭＨｚ）電源、２５は石英ベルジャ、２６は拡散チャ
ンバをそれぞれ示している。
【００３２】この反応性エッチング装置によるエッチン
グ条件は下記の通りである。
【００３３】反応性ドライエッチング条件 流入ガス ： 一酸化炭素及びアンモニア 一酸化炭素ガス流量 ： ５０ｓｃｃｍ アンモニアガス流量 ： １５０ｓｃｃｍ 全ガス圧 ： ６．０Ｐａ ソース電力 ： ３ｋＷ バイアス電力 ： １．２ｋＷ
【００３４】次いで、図１（Ｆ）に示すように、マスク
１４´を剥離することによって、所望の微小図形にパタ
ーニングされた被エッチング層１２´が得られる。
【００３５】本実施形態では、マスク１４´を構成する
材料として、タンタル（Ｔａ）を用いている。このタン
タルは、被エッチング層１２の構成材料であるコバルト
プラチナ合金（ＣｏＰｔ）に対するエッチングレートの
比（エッチング選択比）が非常に大きく、その結果、良
好な形状の微細図形転写を行うことができる。
【００３６】実際に、種々の材料に対して、アンモニア
ガスを添加した一酸化炭素ガスを反応ガスとするドライ
エッチングにおけるエッチングレートを測定した。即
ち、３インチウエハ上に二酸化珪素（ＳｉＯ２）、チタ
ン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）及びコバルトプラチナ合
金（ＣｏＰｔ）を前述した成膜条件と同様の条件で成膜
したサンプルを作成し、前述した条件で反応性ドライエ
ッチングを行ってエッチングレートを測定した。その結
果及びエッチングレートの比（エッチング選択比）が表
１に示されている。
【００３７】
【表１】
【００３８】このように、チタン（Ｔｉ）のエッチング
選択比が１２．４であるのに対して、タンタル（Ｔａ）
のエッチング選択比は２６．３である。従って、アンモ
ニアガスを添加した一酸化炭素ガスを反応ガスとする反
応性ドライエッチングにおいてタンタルをマスクとして
用いれば、マスク自体がエッチングされてその形状が変
化してしまうこと、及びサイドエッチング等の影響によ
りマスクエッジからのエッチングが進んでしまうことが
なくなり、良好な形状の微細図形転写を行うことができ
る。
【００３９】図３はマスクに従来のごとくチタン（Ｔ
ｉ）を用いてコバルトプラチナ合金を上述のような条件
で反応性ドライエッチングすることにより実際に形成し
たアイランド形状の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を表す
写真であり、図４はマスクに本実施形態のごとくタンタ
ル（Ｔａ）を用いてコバルトプラチナ合金を上述のよう
な条件で反応性ドライエッチングすることにより実際に
形成したアイランド形状のＳＥＭ像を表す写真である。
両図において、（Ａ）はエッチング後でマスク剥離前、
（Ｂ）はマスク剥離後の形状をそれぞれ示している。
【００４０】図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、チタ
ンをマスクとして用いた場合、エッチング後には実際に
はマスクが十分に残存しておらず、また、サイドエッチ
ングが進んでいるため、最終的に得られるコバルトプラ
チナ合金の各アイランドは円錐形状となっている。これ
に対して、図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、タンタ
ルをマスクとして用いた場合、エッチング後にもマスク
の特に下部が十分に残存しており、最終的に得られるコ
バルトプラチナ合金の各アイランドは良好な形状を保っ
ている。
【００４１】以上述べた実施形態においては、マスクと
してタンタルを用いているが、本発明の変更態様におい
ては、タンタルの代わりに窒化タンタルを用いる。
【００４２】即ち、図１（Ｃ）において、この微小図形
にパターニングされたレジスト層１３上から、窒化タン
タル（ＴａＮ）によるマスク層１４を成膜する。
【００４３】より具体的には、窒素及びアルゴンの混合
ガスプラズマを用いた反応性スパッタリング法（成膜中
に窒化）により窒化タンタル膜を以下の条件で成膜す
る。
【００４４】 マスク層の成膜条件 ターゲット ： ９９．９９５％（純度） タンタル バックグラウンド圧力 ： ９×１０−６Ｐａ 流入ガス ： アルゴン及び窒素 全ガス流量 ： ３０ｓｃｃｍ 全ガス圧 ： ０．１５Ｐａ（成膜中） 窒素ガス流量の割合 ： ０〜６０％ 投入電力 ： ＤＣ５００Ｗ ターゲット・基板間距離： ３００ｍｍ 基板回転 ： なし 基板温度 ： 室温（冷水による冷却のみで、温度制御なし）
【００４５】この変更態様における以降の工程は、前述
した実施形態の場合と同様である。なお、窒化タンタル
を成膜する際に、反応性スパッタング法を用いず、窒化
タンタルをターゲットとする一般的なスパッタリングを
用いて成膜してもよいことは明らかである。
【００４６】窒化タンタル（ＴａＮ）は、被エッチング
層１２の構成材料であるコバルトプラチナ合金（ＣｏＰ
ｔ）に対するエッチングレートの比（エッチング選択
比）が非常に大きい。従って、この窒化タンタルを用い
てマスク１４´を構成することにより、良好な形状の微
細図形転写を行うことができる。
【００４７】なお、ドライエッチング時の反応ガスとし
て一酸化炭素ガスに添加する含窒素化合物ガスには、前
述したアンモニア（ＮＨ３）ガスの他に含窒素アミン類
ガスがある。
【００４８】また、上述した実施形態においては、磁性
体材料上に０．１μｍ以下の多数のアイランドを形成す
る例を用いて説明されているが、本発明は磁性体材料の
それ以外の微細加工、さらに、例えば半導体材料等の磁
性体材料以外の材料の微細加工にも当然に適用可能であ
る。
【００４９】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００５０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、含窒素化合物ガスを添加した一酸化炭素ガスを反応
ガスとしてコバルトプラチナ合金層のドライエッチング
を行う場合に、マスク材料としてタンタル又は窒化タン
タルを用いることにより、マスクとコバルトプラチナ合
金による被エッチング層とのエッチング選択比を非常に
大きくすることが可能となり、マスク自体がエッチング
されてその形状が変化してしまうこと、及びサイドエッ
チング等の影響によりマスクエッジからのエッチングが
進んでしまうことがなくなるので、良好な形状の微細図
形転写を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における微細加工プロセス
の一部を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の実施形態で用いる反応性イオンエッチン
グ装置の構成例を概略的に示す図である。
【図３】マスクにチタンを用いてコバルトプラチナ合金
を反応性ドライエッチングすることにより実際に形成し
たアイランドの形状のＳＥＭ像を表す写真である。
【図４】マスクにタンタルを用いて、コバルトプラチナ
合金を反応性ドライエッチングすることにより実際に形
成したアイランドの形状のＳＥＭ像を表す写真である。
【符号の説明】
１０ 基板 １１ 下地層 １２ 被エッチング層 １２´ パターニングされた被エッチング層 １３ パターニングされたレジスト層 １４ マスク層 １４´ マスク ２０ ウエハ ２１ ステージ電極 ２２ プラズマ発生用高周波電源 ２３ 電磁コイル ２４ バイアス用高周波電源 ２５ 石英ベルジャ ２６ 拡散チャンバ

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 含窒素化合物ガスを添加した一酸化炭素
    ガスを反応ガスとし、タンタル又は窒化タンタルによる
    マスクを使用してコバルトプラチナ合金層のエッチング
    を行うことを特徴とするドライエッチング方法。
  2. 【請求項２】 コバルトプラチナ合金による被エッチン
    グ層上にタンタルによるマスクを形成し、含窒素化合物
    ガスを添加した一酸化炭素ガスを反応ガスとして使用し
    てエッチングを行うことを特徴とする微細加工方法。
  3. 【請求項３】 前記マスクが、前記被エッチング層上に
    レジストパターンを形成した後、タンタルをターゲット
    とするスパッタリングを行って形成されることを特徴と
    する請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 コバルトプラチナ合金による被エッチン
    グ層上に窒化タンタルによるマスクを形成し、含窒素化
    合物ガスを添加した一酸化炭素ガスを反応ガスとして使
    用してエッチングを行うことを特徴とする微細加工方
    法。
  5. 【請求項５】 前記マスクが、前記被エッチング層上に
    レジストパターンを形成した後、少なくとも窒素ガスを
    含む反応性のガスの存在下で、タンタルをターゲットと
    する反応性スパッタリングを行って形成されることを特
    徴とする請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記反応性スパッタリングにおける反応
    性のガスが、アルゴンガスと窒素ガスとからなることを
    特徴とする請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記マスクが、前記被エッチング層上に
    レジストパターンを形成した後、窒化タンタルをターゲ
    ットとするスパッタリングを行って形成されることを特
    徴とする請求項４に記載の方法。
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US (1) US6821451B2 (ja)
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Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4605554B2 (ja) * 2000-07-25 2011-01-05 独立行政法人物質・材料研究機構 ドライエッチング用マスク材
US7218484B2 (en) * 2002-09-11 2007-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element, magnetic head, and magnetic reproducing apparatus
JP2004269910A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Tdk Corp 磁性材のドライエッチング方法、磁性材及び磁気記録媒体
JP4170165B2 (ja) * 2003-06-30 2008-10-22 Ｔｄｋ株式会社 反応性イオンエッチング用のマスク材料、マスク及びドライエッチング方法
JP4111274B2 (ja) 2003-07-24 2008-07-02 キヤノンアネルバ株式会社 磁性材料のドライエッチング方法
JP2006060044A (ja) 2004-08-20 2006-03-02 Canon Anelva Corp 磁気抵抗効果素子の製造方法
US7819979B1 (en) * 2005-01-31 2010-10-26 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for cleaning magnetic artifacts using a carbonyl reactive ion etch
US7955515B2 (en) * 2005-07-11 2011-06-07 Sandisk 3D Llc Method of plasma etching transition metal oxides
EP2205775A1 (en) * 2007-09-26 2010-07-14 Silverbrook Research Pty. Ltd Reactive ion etching process for etching metals
US20090078674A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Silverbrook Research Pty Ltd Reactive Ion Etching Process for Etching Metals
WO2009084445A1 (ja) * 2007-12-27 2009-07-09 Canon Anelva Corporation ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置
US8470189B2 (en) * 2008-06-03 2013-06-25 Tdk Corporation Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element
JP2010045398A (ja) * 2009-11-17 2010-02-25 Canon Anelva Corp 磁気抵抗効果素子の製造方法
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
JP5919183B2 (ja) * 2012-12-17 2016-05-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9493879B2 (en) * 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4374912A (en) * 1981-03-31 1983-02-22 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Photomask and photomask blank
US5770098A (en) * 1993-03-19 1998-06-23 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Etching process
US5422312A (en) * 1994-06-06 1995-06-06 United Microelectronics Corp. Method for forming metal via
JP2677321B2 (ja) 1995-03-15 1997-11-17 科学技術庁金属材料技術研究所長 ドライエッチング方法
US5946167A (en) * 1996-03-15 1999-08-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive sensor having lead and/or bias layer structure contributing to a narrow gap
US5874010A (en) * 1996-07-17 1999-02-23 Headway Technologies, Inc. Pole trimming technique for high data rate thin film heads
JPH1180942A (ja) 1997-09-10 1999-03-26 Japan Energy Corp Ｔａスパッタターゲットとその製造方法及び組立体
JP3131595B2 (ja) 1997-09-22 2001-02-05 科学技術庁金属材料技術研究所長 反応性イオンエッチング用のマスク
US6391216B1 (en) * 1997-09-22 2002-05-21 National Research Institute For Metals Method for reactive ion etching and apparatus therefor
JP3421259B2 (ja) 1997-12-25 2003-06-30 ティーディーケイ株式会社 エッチングマスク、その作製方法およびエッチング方法、並びに磁気ヘッドおよびその製造方法
US6287975B1 (en) * 1998-01-20 2001-09-11 Tegal Corporation Method for using a hard mask for critical dimension growth containment
US6602620B1 (en) * 1998-12-28 2003-08-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic recording apparatus, magnetic recording medium and manufacturing method thereof
US6421212B1 (en) * 1999-09-21 2002-07-16 Read-Rite Corporation Thin film read head structure with improved bias magnet-to-magnetoresistive element interface and method of fabrication
US6200433B1 (en) * 1999-11-01 2001-03-13 Applied Materials, Inc. IMP technology with heavy gas sputtering

Also Published As

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