JP3423761B2 - 光波長変換装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学結晶をコア
とする導波路内を伝播する基本波による第２高調波発生
(Second Harmonic Generation）を利用して、基本波の
波長を１／２に変換する光波長変換装置に関する。
とする導波路内を伝播する基本波による第２高調波発生
(Second Harmonic Generation）を利用して、基本波の
波長を１／２に変換する光波長変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、波長変換素子としては、周期的ド
メイン反転構造を有する導波路に基本波を注入し疑似位
相整合（quasi-phase matching:QPM）により第２高調波
を生ぜしめる波長変換素子（ＱＰＭ素子という）が提案
されている。２次非線形光学結晶からなる導波路に基本
波を伝搬させたとき、第２高調波の出力がコヒーレンス
長毎に極大極小を周期的に繰返す。ＱＰＭ素子は、コヒ
ーレンス長にあわせてその分極が周期的に交互に反転し
た分極反転部を持つ導波路を有する。ＱＰＭ素子におい
ては、分極反転部を導波路に形成することによって、第
２高調波の出力の加算により出力を増大させている。
メイン反転構造を有する導波路に基本波を注入し疑似位
相整合（quasi-phase matching:QPM）により第２高調波
を生ぜしめる波長変換素子（ＱＰＭ素子という）が提案
されている。２次非線形光学結晶からなる導波路に基本
波を伝搬させたとき、第２高調波の出力がコヒーレンス
長毎に極大極小を周期的に繰返す。ＱＰＭ素子は、コヒ
ーレンス長にあわせてその分極が周期的に交互に反転し
た分極反転部を持つ導波路を有する。ＱＰＭ素子におい
ては、分極反転部を導波路に形成することによって、第
２高調波の出力の加算により出力を増大させている。
【０００３】例えば、ＬｉＴａＯ3基板を用いたＱＰＭ
素子は、変換効率は高く、例えば半導体レーザのように
変換すべき基本波の波長許容幅が著しく狭い光源、温度
や駆動電流で発振波長を変ずる光源などを用いた場合、
この従来のＱＰＭ素子のみで、高効率な波長変換を安定
に達成することは難しい。そこで、ＱＰＭ素子を通過し
た基本波を、半導体レーザへフィードバックさせて発振
波長を安定化させる方法（分光帰還イントラキャビティ
ー方式）が提案されている。例えば、図１に示すよう
に、半導体レーザ１を結合光学系２を介してＱＰＭ素子
３の分極反転層付導波路４へ結合させ、導波路から出射
された第２高調波及び基本波を、結合光学系５を介して
ダイクロイックミラー６によって分離し、基本波を素子
外部に設けたグレーティング７により反射させ、再び導
波路４を経て半導体レーザ１に帰還させる方法がある。
これによれば、導波路からの基本波をフィードバック
し、半導体レーザの波長チューニングをおこなって発光
が安定に得られる。
素子は、変換効率は高く、例えば半導体レーザのように
変換すべき基本波の波長許容幅が著しく狭い光源、温度
や駆動電流で発振波長を変ずる光源などを用いた場合、
この従来のＱＰＭ素子のみで、高効率な波長変換を安定
に達成することは難しい。そこで、ＱＰＭ素子を通過し
た基本波を、半導体レーザへフィードバックさせて発振
波長を安定化させる方法（分光帰還イントラキャビティ
ー方式）が提案されている。例えば、図１に示すよう
に、半導体レーザ１を結合光学系２を介してＱＰＭ素子
３の分極反転層付導波路４へ結合させ、導波路から出射
された第２高調波及び基本波を、結合光学系５を介して
ダイクロイックミラー６によって分離し、基本波を素子
外部に設けたグレーティング７により反射させ、再び導
波路４を経て半導体レーザ１に帰還させる方法がある。
これによれば、導波路からの基本波をフィードバック
し、半導体レーザの波長チューニングをおこなって発光
が安定に得られる。
【０００４】本来、半導体レーザは多くの発振可能なモ
ードを持つが、半導体レーザの外部からレーザ光を入射
させることにより、この外部入射光に発振をモードロッ
クすることが可能である。すなわち、レーザでは、レー
ザ媒質内に入り込んだ光によってさらに同じ波長をもつ
光が誘導放射され、次第に増幅されることで発振がおき
ている。したがって、外部のグレーティングから一定の
波長をもつ光が半導体レーザに帰還すれば発振が安定す
る。
ードを持つが、半導体レーザの外部からレーザ光を入射
させることにより、この外部入射光に発振をモードロッ
クすることが可能である。すなわち、レーザでは、レー
ザ媒質内に入り込んだ光によってさらに同じ波長をもつ
光が誘導放射され、次第に増幅されることで発振がおき
ている。したがって、外部のグレーティングから一定の
波長をもつ光が半導体レーザに帰還すれば発振が安定す
る。
【０００５】このように、外部からの戻り光を分光し単
一波長を反射帰還させる分布帰還イントラキャビティー
方式が半導体レーザ安定化の方法として提案されて、こ
れによって、ＱＰＭ素子に限らず、光波長変換素子の端
面に光ビーム基本波を入射して、それの１／２波長の第
２高調波を得ている。
一波長を反射帰還させる分布帰還イントラキャビティー
方式が半導体レーザ安定化の方法として提案されて、こ
れによって、ＱＰＭ素子に限らず、光波長変換素子の端
面に光ビーム基本波を入射して、それの１／２波長の第
２高調波を得ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザを基本波
とする光波長変換機構では、半導体レーザの出力と発振
波長の高い安定性が要求される。特に発振波長の揺らぎ
は低周波から高周波の成分を含み、光波長変換出力のノ
イズの原因となる。しかし、従来の光波長変換機構で
は、半導体レーザからの基本波の十分な波長及び出力の
安定性、それに伴う第２高調波の出力安定性並びに低ノ
イズ性が同時に得られない他、半導体レーザへの注入電
流に制限が生じ装置全体の高出力化ができないという問
題があった。
とする光波長変換機構では、半導体レーザの出力と発振
波長の高い安定性が要求される。特に発振波長の揺らぎ
は低周波から高周波の成分を含み、光波長変換出力のノ
イズの原因となる。しかし、従来の光波長変換機構で
は、半導体レーザからの基本波の十分な波長及び出力の
安定性、それに伴う第２高調波の出力安定性並びに低ノ
イズ性が同時に得られない他、半導体レーザへの注入電
流に制限が生じ装置全体の高出力化ができないという問
題があった。
【０００７】本発明は、かかる問題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、半導体レーザの安定性
を確保しつつ装置全体の高出力化を可能とする光波長変
換装置を提供することにある。
されたものであり、その目的は、半導体レーザの安定性
を確保しつつ装置全体の高出力化を可能とする光波長変
換装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】 本発明の光波長変換装
置は、基本波を出射する半導体レーザと、非線形光学材
料からなるコア及びこれを囲繞するクラッドからなる導
波路型などの光波長変換素子と、前記基本波を集光して
前記光波長変換素子の入力端面に結合させる結合光学系
とからなる光波長変換装置であって、前記光波長変換素
子または前記結合光学系を経て前記半導体レーザへ向け
前記基本波を反射する基本波反射部と、前記結合光学系
に含まれかつ戻り光量を調整する戻り光量調整光学系
と、前記半導体レーザへの電流供給量を変化させる電流
コントローラと、前記半導体レーザ、前記結合光学系及
び前記光波長変換素子を保持し前記半導体レーザ及び前
記基本波反射部間の光学的距離を一定に保つ保持基板
と、前記保持基板又は前記半導体レーザの温度を変化さ
せる温調器と、を有し、前記電流コントローラによる電
流値調整と前記温調器による温度調整とによって、前記
半導体レーザ及び前記基本波反射部の間の光学的距離
を、前記基本波と前記戻り光の位相が合うように調整こ
とを特徴とする。
置は、基本波を出射する半導体レーザと、非線形光学材
料からなるコア及びこれを囲繞するクラッドからなる導
波路型などの光波長変換素子と、前記基本波を集光して
前記光波長変換素子の入力端面に結合させる結合光学系
とからなる光波長変換装置であって、前記光波長変換素
子または前記結合光学系を経て前記半導体レーザへ向け
前記基本波を反射する基本波反射部と、前記結合光学系
に含まれかつ戻り光量を調整する戻り光量調整光学系
と、前記半導体レーザへの電流供給量を変化させる電流
コントローラと、前記半導体レーザ、前記結合光学系及
び前記光波長変換素子を保持し前記半導体レーザ及び前
記基本波反射部間の光学的距離を一定に保つ保持基板
と、前記保持基板又は前記半導体レーザの温度を変化さ
せる温調器と、を有し、前記電流コントローラによる電
流値調整と前記温調器による温度調整とによって、前記
半導体レーザ及び前記基本波反射部の間の光学的距離
を、前記基本波と前記戻り光の位相が合うように調整こ
とを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、半導体レーザを安定化でき、
高効率で低ノイズの光波長変換装置を得ることができ
る。
高効率で低ノイズの光波長変換装置を得ることができ
る。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明による実施例を図面を参照し
つつ説明する。図２に示すように、本実施例による光波
長変換装置は、それぞれ光軸に沿って配置された、基本
波を出射する半導体レーザ１と、基本波を光波長変換素
子３の入力端面に集光結合させる結合光学系１０と、非
線形光学材料からなるコア及びこれを囲繞するクラッド
からなる導波路型光波長変換素子３と、を有している。
つつ説明する。図２に示すように、本実施例による光波
長変換装置は、それぞれ光軸に沿って配置された、基本
波を出射する半導体レーザ１と、基本波を光波長変換素
子３の入力端面に集光結合させる結合光学系１０と、非
線形光学材料からなるコア及びこれを囲繞するクラッド
からなる導波路型光波長変換素子３と、を有している。
【００１１】さらに、実施例の光波長変換装置は、結合
光学系１０の内部に戻り光量調整光学系として光アイソ
レータ１２を有している。光アイソレータ１２は光軸に
沿って偏光子及び検光子に挾まれたファラデー媒体から
なり、後述する反射膜１３から反射して戻ってくる光の
戻り光量を調整する。光アイソレータ１２は、半導体レ
ーザ１の固有定格出力の１／３０から１／100の戻り光
を許すような適度なアイソレーション量に調整されてい
る。
光学系１０の内部に戻り光量調整光学系として光アイソ
レータ１２を有している。光アイソレータ１２は光軸に
沿って偏光子及び検光子に挾まれたファラデー媒体から
なり、後述する反射膜１３から反射して戻ってくる光の
戻り光量を調整する。光アイソレータ１２は、半導体レ
ーザ１の固有定格出力の１／３０から１／100の戻り光
を許すような適度なアイソレーション量に調整されてい
る。
【００１２】さらにまた、光波長変換素子の出力端面に
は基本波反射部として反射膜１３が設けられ基本波を反
射する。この反射膜１３は、第２高調波を透過し、基本
波を反射する誘電体薄膜から形成することが好ましい。
また、半導体レーザ１は電流コントローラ１４に接続さ
れ、電流コントローラ１４は半導体レーザに電流を供給
しその供給量を変化させる機能を有している。電流コン
トローラ１４は半導体レーザに注入する電流を所定基準
電流値に対して±０．１mA以内の変動幅で調整する。
は基本波反射部として反射膜１３が設けられ基本波を反
射する。この反射膜１３は、第２高調波を透過し、基本
波を反射する誘電体薄膜から形成することが好ましい。
また、半導体レーザ１は電流コントローラ１４に接続さ
れ、電流コントローラ１４は半導体レーザに電流を供給
しその供給量を変化させる機能を有している。電流コン
トローラ１４は半導体レーザに注入する電流を所定基準
電流値に対して±０．１mA以内の変動幅で調整する。
【００１３】これら半導体レーザ１、結合光学系１０及
び光波長変換素子３は、保持基板１５ａ上に固定されて
おり、半導体レーザ１及び反射膜１３間の光学的距離を
一定に保つように保持されている。実施例の特徴は、光
波長変換装置が、上記保持基板１５ａの温度を変化さ
せ、保持基板１５ａの熱膨張により、半導体レーザ１及
び反射膜１３間の光学的距離を一定に保つペルチェ素子
等の温調器１６ａを有することである。すなわち、実施
例は、光学部材を担持する保持基板１５ａとこれを加熱
又は冷却する温調器１６ａからなる光路長安定装置を有
する。温調器１６ａは、半導体レーザを所定基準温度に
対して±０．１℃以内の温度変動幅で温調するととも
に、半導体レーザ１と光波長変換素子の反射膜１３の距
離を基本波の波長の１／８以下の長さの変動幅となるよ
うに、保持基板１５ａの熱膨張を調整する。
び光波長変換素子３は、保持基板１５ａ上に固定されて
おり、半導体レーザ１及び反射膜１３間の光学的距離を
一定に保つように保持されている。実施例の特徴は、光
波長変換装置が、上記保持基板１５ａの温度を変化さ
せ、保持基板１５ａの熱膨張により、半導体レーザ１及
び反射膜１３間の光学的距離を一定に保つペルチェ素子
等の温調器１６ａを有することである。すなわち、実施
例は、光学部材を担持する保持基板１５ａとこれを加熱
又は冷却する温調器１６ａからなる光路長安定装置を有
する。温調器１６ａは、半導体レーザを所定基準温度に
対して±０．１℃以内の温度変動幅で温調するととも
に、半導体レーザ１と光波長変換素子の反射膜１３の距
離を基本波の波長の１／８以下の長さの変動幅となるよ
うに、保持基板１５ａの熱膨張を調整する。
【００１４】半導体レーザからの出力光は、光アイソレ
ータを通過し光波長変換素子に入射する。入射した光は
光波長変換素子内の基本波用の反射膜により反射され、
再び光アイソレータに戻ってくる。その光のほとんどは
光アイソレータ内で吸収され、アイソレーション量の値
で決まる一部の光が半導体レーザに戻る。半導体レーザ
は自由に発光する光出力の１／1000以上の光に対して反
応し、発振波長及び発振効率を変化させるが、戻り光の
位相が出力光の位相と合っていた場合には発振波長はそ
のときの波長にロックされ、発振効率も戻り光の強さに
対応した値に安定する性質をもっているので、上記の如
く、半導体レーザの温度、半導体レーザに流す電流値及
び保持基板の長さを調整し、半導体レーザと光波長変換
素子の反射膜の光学的距離を出力光と戻り光の位相が合
うように、温調器により保持基板の膨張を調整すること
によって、半導体レーザの発振波長及び出力を安定させ
ることができる。また、半導体レーザに戻る光の量が小
さいので、半導体レーザの導波路内の電界強度も１０％
以下例えば２％程度しか増大せず、電界によって半導体
レーザが破壊されることもなく、半導体レーザへの注入
電流が定格電流以下に制限されることもなくなるので、
半導体レーザの出力を充分に生かした、高効率、高出力
動作ができる。
ータを通過し光波長変換素子に入射する。入射した光は
光波長変換素子内の基本波用の反射膜により反射され、
再び光アイソレータに戻ってくる。その光のほとんどは
光アイソレータ内で吸収され、アイソレーション量の値
で決まる一部の光が半導体レーザに戻る。半導体レーザ
は自由に発光する光出力の１／1000以上の光に対して反
応し、発振波長及び発振効率を変化させるが、戻り光の
位相が出力光の位相と合っていた場合には発振波長はそ
のときの波長にロックされ、発振効率も戻り光の強さに
対応した値に安定する性質をもっているので、上記の如
く、半導体レーザの温度、半導体レーザに流す電流値及
び保持基板の長さを調整し、半導体レーザと光波長変換
素子の反射膜の光学的距離を出力光と戻り光の位相が合
うように、温調器により保持基板の膨張を調整すること
によって、半導体レーザの発振波長及び出力を安定させ
ることができる。また、半導体レーザに戻る光の量が小
さいので、半導体レーザの導波路内の電界強度も１０％
以下例えば２％程度しか増大せず、電界によって半導体
レーザが破壊されることもなく、半導体レーザへの注入
電流が定格電流以下に制限されることもなくなるので、
半導体レーザの出力を充分に生かした、高効率、高出力
動作ができる。
【００１５】また、上記実施例では、基本波反射部とし
て光波長変換素子の出射端面に施した反射膜を用いた
が、これに代えて他の分光帰還方式や、後述のローカル
共振器方式を形成するための光波長変換素子自体を含む
光学系としても大変効果的である。なお、光波長変換素
子自体はバルクブロック型、ファイバー型でも導波路型
でもかまわないし、ＱＰＭ素子型でもチェレンコフ型で
もよい。
て光波長変換素子の出射端面に施した反射膜を用いた
が、これに代えて他の分光帰還方式や、後述のローカル
共振器方式を形成するための光波長変換素子自体を含む
光学系としても大変効果的である。なお、光波長変換素
子自体はバルクブロック型、ファイバー型でも導波路型
でもかまわないし、ＱＰＭ素子型でもチェレンコフ型で
もよい。
【００１６】上記第１の実施例の光波長変換装置におい
ては、その下部に温調器を固定した保持基板上に、半導
体レーザ、反射抑制光学系、光波長変換素子を載せ、保
持基板ごと温調して半導体レーザの温度も調整し、さら
に、半導体レーザへの注入電流を調整し、半導体レーザ
導波路内共振光の位相にこの戻り光の位相が合うように
半導体レーザと光波長変換素子反射膜の距離を調整し、
所定発振波長が強調されかつ波長及び出力が安定する。
ては、その下部に温調器を固定した保持基板上に、半導
体レーザ、反射抑制光学系、光波長変換素子を載せ、保
持基板ごと温調して半導体レーザの温度も調整し、さら
に、半導体レーザへの注入電流を調整し、半導体レーザ
導波路内共振光の位相にこの戻り光の位相が合うように
半導体レーザと光波長変換素子反射膜の距離を調整し、
所定発振波長が強調されかつ波長及び出力が安定する。
【００１７】一方、第２の実施例としては、図３に示す
ように、半導体レーザ１の温度だけを変化させる温調器
１６ｂ及び熱膨張が殆どない保持基板１５ｂからなる光
路長安定装置とした以外、上記第１の実施例と同様の構
成を有する光波長変換装置がある。これは、半導体レー
ザ１と光波長変換素子の反射膜１３との距離を熱膨張率
の小さな材料からなる保持基板１５ｂ上で固定し、半導
体レーザ１のみを温調器１６ｂで温調したものである。
ように、半導体レーザ１の温度だけを変化させる温調器
１６ｂ及び熱膨張が殆どない保持基板１５ｂからなる光
路長安定装置とした以外、上記第１の実施例と同様の構
成を有する光波長変換装置がある。これは、半導体レー
ザ１と光波長変換素子の反射膜１３との距離を熱膨張率
の小さな材料からなる保持基板１５ｂ上で固定し、半導
体レーザ１のみを温調器１６ｂで温調したものである。
【００１８】保持基板１５ｂの材料に例えばアンバー、
超アンバー、石英ガラスのような熱膨張率の小さなもの
を用いて、半導体レーザ１の導波路以外の光路長を固定
してしまい、温調器１６ｂによる半導体レーザの温調に
より半導体レーザ内の光路長を調整し、かつ注入電流量
の調整によって、上記第１の実施例と同様の効果を得る
ことができる。
超アンバー、石英ガラスのような熱膨張率の小さなもの
を用いて、半導体レーザ１の導波路以外の光路長を固定
してしまい、温調器１６ｂによる半導体レーザの温調に
より半導体レーザ内の光路長を調整し、かつ注入電流量
の調整によって、上記第１の実施例と同様の効果を得る
ことができる。
【００１９】また第３の実施例としては、図４に示すよ
うに、光アイソレータ１２の入射面に基本波反射膜１３
ａを施した以外は、第１の実施例と同様の構成を有する
光波長変換装置がある。反射膜１３ａは基本波長に対し
５％から１５％の反射率を持ち、戻り光量調整光学系と
して作用する。
うに、光アイソレータ１２の入射面に基本波反射膜１３
ａを施した以外は、第１の実施例と同様の構成を有する
光波長変換装置がある。反射膜１３ａは基本波長に対し
５％から１５％の反射率を持ち、戻り光量調整光学系と
して作用する。
【００２０】光アイソレータ１２は、−３０ｄＢ以上の
アイソレーション値に調整され、以後の光学系よりの戻
り光を完全にカットする働きをする。温調器１６ａによ
る温調により、半導体レーザ１と反射膜１３ａの光路長
を調整し、かつ注入電流の調整をすることで、上記第１
の実施例と同様の効果を得る事が出来る。
アイソレーション値に調整され、以後の光学系よりの戻
り光を完全にカットする働きをする。温調器１６ａによ
る温調により、半導体レーザ１と反射膜１３ａの光路長
を調整し、かつ注入電流の調整をすることで、上記第１
の実施例と同様の効果を得る事が出来る。
【００２１】第４の実施例としては、図５に示すよう
に、光波長変換装置３の入出射両端面に基本波に対する
適当な反射率をもつ光学膜１７ａ，１７ｂを施した以外
は、第１の実施例と同様の構成を有する光波長変換装置
がある。光学膜１７ａ，１７ｂ及び光波長変換素子はフ
ァブリペロー共振器を構成し、全体として基本波反射部
１３を構成する。
に、光波長変換装置３の入出射両端面に基本波に対する
適当な反射率をもつ光学膜１７ａ，１７ｂを施した以外
は、第１の実施例と同様の構成を有する光波長変換装置
がある。光学膜１７ａ，１７ｂ及び光波長変換素子はフ
ァブリペロー共振器を構成し、全体として基本波反射部
１３を構成する。
【００２２】温調器１６ａによる温調により、半導体レ
ーザ１と基本波反射部１３の光路長を調整し、かつ注入
電流の調整をすることで、上記第１の実施例と同様の効
果を得ることが出来る。
ーザ１と基本波反射部１３の光路長を調整し、かつ注入
電流の調整をすることで、上記第１の実施例と同様の効
果を得ることが出来る。
【００２３】
【発明の効果】本発明により、半導体レーザを基本波と
した光波長変換機構において、高効率、高安定、低ノイ
ズの第２高調波を得ることができる。
した光波長変換機構において、高効率、高安定、低ノイ
ズの第２高調波を得ることができる。
【図１】 従来例のグレーティングによる分光帰還イン
トラキャビティー方式の光波長変換装置を示す概略図で
ある。
トラキャビティー方式の光波長変換装置を示す概略図で
ある。
【図２】 本発明による実施例の光波長変換装置を示す
概略図である。
概略図である。
【図３】 本発明による他の実施例の光波長変換装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図４】 本発明による他の実施例の光波長変換装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図５】 本発明による他の実施例の光波長変換装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
１ 半導体レーザ
２ 凸レンズ
３ 光波長変換素子
１０ 結合光学系
１１ 凸レンズ
１２ 光アイソレータ
１３，１３ａ 基本波反射部
１４ 電流コントローラ
１５ａ，１５ｂ 保持基板
１６ａ，１６ｂ 温調器
１７ａ，１７ｂ 基本波反射膜
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−308557（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−134326（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/37
H01S 5/00 - 5/50
Claims (3)
- 【請求項１】 基本波を出射する半導体レーザと、光波
長変換素子と、前記基本波を集光して前記光波長変換素
子の入力端面に結合させる結合光学系とからなる光波長
変換装置であって、 前記光波長変換素子または前記結合光学系を経て前記半
導体レーザへ向け前記基本波を反射する基本波反射部
と、前記結合光学系に含まれかつ 戻り光量を調整する戻り光
量調整光学系と、 前記半導体レーザへの電流供給量を変化させる電流コン
トローラと、 前記半導体レーザ、前記結合光学系及び前記光波長変換
素子を保持し前記半導体レーザ及び前記基本波反射部間
の光学的距離を一定に保つ保持基板と、 前記保持基板又は前記半導体レーザの温度を変化させる
温調器と、を有し、前記電流コントローラによる電流値
調整と前記温調器による温度調整とによって、前記半導
体レーザ及び前記基本波反射部の間の光学的距離を、前
記基本波と前記戻り光の位相が合うように調整すること
を特徴とする光波長変換装置。 - 【請求項２】 前記戻り光量調整光学系は光アイソレー
タを含むことを特徴とする請求項１記載の光波長変換装
置。 - 【請求項３】 前記光波長変換素子は非線形光学材料か
らなるコア及びこれを囲繞するクラッドからなる導波路
型光波長変換素子であることを特徴とする請求項１又は
２記載の光波長変換装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03245794A JP3423761B2 (ja) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | 光波長変換装置 |
| US08/396,984 US5517525A (en) | 1994-03-02 | 1995-03-01 | Optical wavelength converting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03245794A JP3423761B2 (ja) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | 光波長変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244306A JPH07244306A (ja) | 1995-09-19 |
| JP3423761B2 true JP3423761B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=12359509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03245794A Expired - Fee Related JP3423761B2 (ja) | 1994-03-02 | 1994-03-02 | 光波長変換装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3423761B2 (ja) |
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| US7576909B2 (en) | 1998-07-16 | 2009-08-18 | Imra America, Inc. | Multimode amplifier for amplifying single mode light |
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| US7623558B2 (en) * | 2007-04-04 | 2009-11-24 | Alces Technology, Inc. | Optical systems for laser arrays |
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| US8369017B2 (en) * | 2008-10-27 | 2013-02-05 | Ondax, Inc. | Optical pulse shaping method and apparatus |
| US8102887B2 (en) * | 2009-05-26 | 2012-01-24 | Corning Incorporated | Edge bonded optical packages |
| US20110044359A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Douglas Llewellyn Butler | Intracavity Conversion Utilizing Narrow Band Reflective SOA |
| US8111452B2 (en) * | 2010-02-22 | 2012-02-07 | Corning Incorporated | Wavelength conversion device with microlens and optical package incorporating the same |
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| US9587983B1 (en) | 2015-09-21 | 2017-03-07 | Ondax, Inc. | Thermally compensated optical probe |
| GB2570440A (en) * | 2017-12-19 | 2019-07-31 | Rushmere Tech Limited | Optical source and method of assembling an optical source |
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|---|---|---|---|---|
| US4682335A (en) * | 1984-02-15 | 1987-07-21 | Hughes Technology Pty Ltd | Composite laser oscillator |
| US4887900A (en) * | 1987-02-20 | 1989-12-19 | Litton Systems, Inc. | Polarization maintaining fiber interferometer and method for source stabilization |
| US5025448A (en) * | 1989-05-12 | 1991-06-18 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Method and apparatus for stabilizing frequency of semiconductor laser |
| CA2019253C (en) * | 1989-06-23 | 1994-01-11 | Shinya Inagaki | Optical fiber amplifier |
| JPH0693038B2 (ja) * | 1992-06-11 | 1994-11-16 | 東京工業大学長 | 少数の中性原子の運動を制御する方法および装置 |
-
1994
- 1994-03-02 JP JP03245794A patent/JP3423761B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-01 US US08/396,984 patent/US5517525A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5517525A (en) | 1996-05-14 |
| JPH07244306A (ja) | 1995-09-19 |
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|---|---|---|---|
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